특허청구의범위청구항 1 반도체층 ; 상기반도체층위에형성된전도성질화물로이루어진사이층 ; 및상기전도성질화물사이층위에형성되며, 상기전도성질화물사이층을통해상기반도체층에스핀을주입하는, 강자성재료로이루어진스핀주입전극층 ; 을포함하여이루어지며, 상기전도성질화물사이층에전이금속이 1
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- 혜라 당
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1 (51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H01L 27/105 ( ) (21) 출원번호 (22) 출원일자 2006 년 12 월 15 일 심사청구일자 2006 년 12 월 15 일 (65) 공개번호 (43) 공개일자 2008 년 06 월 19 일 (56) 선행기술조사문헌 JP A* JP A JP A* * 는심사관에의하여인용된문헌 (45) 공고일자 2008년08월13일 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2008년08월06일 (73) 특허권자 한국과학기술연구원 서울성북구하월곡 2 동 39-1 (72) 발명자 이광렬 서울서초구잠원동동아아파트 103 동 2010 호 이승철 서울관악구봉천 6 동관악드림타운 122 동 1403 호 안효신 서울강서구염창동 263 번지태진한솔아파트 101 동 903 호 (74) 대리인 박장원 전체청구항수 : 총 6 항심사관 : 이우식 (54) 전도성질화물을사이층으로사용한높은스핀주입효율을갖는다층막구조 (57) 요약 본발명은비자성또는자성반도체에특정한스핀방향을가진전자를주입할때높은스핀주입효율을나타낼수있는다층막구조및그제조방법에관한것으로, 보다상세하게는전이금속질화물중전도성질화물인 TiN, TaN, NbN, ZrN 등을강자성물질과반도체물질의사이층으로사용한다층막구조및그제조방법에관한것이다. 본발명에의한다층막구조는강자성물질 / 반도체의접합에서나타나는쇼트키장벽 (Schottky Barrier), 전도도불일치 (Conductivity Mismatch), 그리고계면형상의불균일성을나타내지않으며, 높은스핀주입효율을달성한다. 따라서본발명에서얻어진다층막구조를이용하면종래의강자성물질 / 반도체접합에비해더높은스핀주입효율을가진소자를제조할수있는장점이있다. 대표도 - 도 1-1 -
2 특허청구의범위청구항 1 반도체층 ; 상기반도체층위에형성된전도성질화물로이루어진사이층 ; 및상기전도성질화물사이층위에형성되며, 상기전도성질화물사이층을통해상기반도체층에스핀을주입하는, 강자성재료로이루어진스핀주입전극층 ; 을포함하여이루어지며, 상기전도성질화물사이층에전이금속이 1 10 at% 의양으로도핑되어있는것을특징으로하는높은스핀주입효율을갖는다층막구조. 청구항 2 삭제청구항 3 상기전도성질화물은 TiN, TaN, NbN 및 ZrN으로이루어진그룹에서선택된어느하나인것을특징으로하는높은스핀주입효율을갖는다층막구조. 청구항 4 상기전이금속은 Cr, Mn, Fe, Co, Ni 및 Cu로이루어진그룹에서선택된어느하나인것을특징으로하는높은스핀주입효율을갖는다층막구조. 청구항 5 삭제청구항 6 상기강자성재료는 Fe 및그합금, CoFe, CrO 2, 이중페로브스카이트 (double perovskite) 로이루어진그룹에서선택된어느하나인것을특징으로하는높은스핀주입효율을갖는다층막구조. 청구항 7 상기반도체층과상기전도성질화물사이층의계면은옴접합 (ohmic contact) 을이루는것을특징으로하는높은스핀주입효율을갖는다층막구조. 청구항 8 상기다층막구조는스핀 FET (spin field effect transistor), 스핀주입기 (spin injector), 스핀필터 (spin filter) 또는고경도자성소자 (high hardness magnetic device) 를구성하는것을특징으로하는높은스핀주입효율을갖는다층막구조. 청구항 9 삭제청구항
3 삭제청구항 11 삭제청구항 12 삭제청구항 13 삭제청구항 14 삭제 명세서 발명의상세한설명 발명의목적 <8> <9> <10> <11> <12> 발명이속하는기술및그분야의종래기술본발명은비자성또는자성반도체에특정한스핀방향을가진전자를주입할때높은스핀주입효율을나타낼수있는다층막구조및그제조방법에관한것으로, 보다상세하게는전이금속질화물중전도성질화물인 TiN, TaN, NbN, ZrN 등을강자성물질과반도체물질의사이층으로사용한다층막구조및그제조방법에관한것이다. 스핀전자소자는정보저장과정보의처리를전자의전하의양을제어해구현하는것이아니라전자의내재적인성질 (intrinsic property), 즉스핀을통해처리하는소자이다. 종래에는금속박막을통한소자의제조에주로연구가집중되었지만, 최근에는반도체물질을사용해스핀전자소자를구현하려는연구가활발히진행되고있다. 전형적인스핀전자소자의구조는스핀주입전극, 계면 (interface), 결맞음 (coherency) 을유지하며분극되어주입된스핀이조작되는매체 (medium), 또다른계면및스핀의방향을검출 (detect) 하는전극으로이루어진다. 스핀의주입과검출은주로광학적인방법을사용하고있다. 강자성주입기와검출기는높은스핀분극도를갖고매체와호환성 (compatibility) 이있어야한다. 스핀전자소자가실현되기위한가장기초적인전제조건은선택된스핀을주입할수있는물질이있어야한다는것이다. 종래강자성주입기로서는 3d 전자를가진강자성금속또는합금이주로연구되었는데, 이때강자성금속의스핀분극도 ( 전도전자중 up-스핀과 down-스핀의비를말하며, 100% 는모든전자의스핀이한방향으로만배열되어있음을의미하고 0% 는 up-스핀과 down-스핀전자의비가 50:50이라는것을의미한다 ) 는 40-50% 의값을가진다. 그러나강자성금속에서반도체로스핀을주입하는데기본적인장벽이존재한다는것이이론적으로주장되었다. 슈미트 (Schmidt) 의이론에따르면강자성금속에서반도체로스핀주입이효율적으로일어나기위해서는금속의전도도가반도체의전도도보다작거나같아야한다. 그러나, 금속과반도체의전도도의차이는 1000 배내지 100만배나되기때문에현실적으로강자성금속에서반도체로의스핀주입은불가능한것으로밝혀졌다. 강자성금속에서반도체로의스핀주입이왜현실적으로불가능한지에대해알려지게되자, 연구자들은많은대안을제시하였다. 그에관한예를들면다음과같다. 첫번째대안은강자성반도체를스핀주입물질로사용하는것이다. 만약반도체가강자성을띤다면즉, 스핀분극도가 0이아닌값을가진다면이론적으로제안된전도도의불일치의문제를해결할수있다는것이다. 그리고, 반도체물질을사용하기때문에기존의반도체산업에서사용하는장치의큰수정이없이도응용이가능하다는장점이있다. 이분야에서는 GaAs에 Mn을주입하여강자성물질로만든오노 (Ohno) 등의연구가잘알려져있다. 그러나, 이런물질에는몇가지문제점이있다. 즉, 스핀전자소자는상온에서작동해야하는데강자성반도체가자성을띠는최고의온도즉, 큐리온도가상온에서한참못미친다는것이다. 가장높은큐리온도를가지는자성반도체는절대온도 110 K 근처라고알려져있다. 또다른문제는강자성반도체가자성을띠 - 3 -
4 는이유가전자가아니라홀을매개로강자성을띤다는것이다. 이것은스핀을주입하기위해서는전자가반드시필요한데자성을매개하는물질이전자가아니라홀이라면스핀을주입할수없다는문제가있음을의미한다. 마지막문제점으로는자성이전자에의해나타나는강자성반도체의경우에스핀전자를주입할경우주입되는전자의절대수가부족하여실제로측정이곤란하다는단점이있다. <13> <14> <15> <16> 두번째대안은, 스핀분극도가 100% 인물질을이용하는것이다. 아무리전도도의차이가크더라도주입되는전자가단지업스핀 (up-spin) 전자인경우에는어쨌든스핀이주입되기때문에전도도의문제를해결할수있다는것이다. 이런관점에서반금속 (half metal: 전도전자가한방향의스핀으로만이루어진물질 ) 에관한연구가활발히진행되고있다. 그러나, 반금속의경우에도몇가지문제점이있는데, 이론적으로반금속이라하더라도상온에서그성질을계속유지할것인가의문제가되며, 또한반금속의경우대부분이산화물로서실리콘또는다른반도체에계면을형성하였다고보고된바가없다는점이문제가된다. 즉, 기존의반도체산업에응용하기위해서는실리콘또는다른반도체위에박막의형태로제조되어야하는데아직이런박막을형성하였다는보고가없다는것은그만큼반금속박막을제조하는것이어렵다는것을의미한다. 세번째대안으로는강자성금속과반도체물질사이의전도도차이가크고쇼트키장벽 (Schottky barrier) 이형성되어전자가저항성접촉 (Ohmic contact) 을통해주입될수없다면전자를터널링 (tunneling) 현상을이용해주입하는것이다. 즉, 강자성금속과반도체사이에절연막을형성하여스핀분극된전자가절연막을터널링을통해통과하도록하는방법이다. 이방법을사용하면강자성금속과반도체를사용해도높은수준의스핀분극도를가진전자를주입할수있는장점이있다. 그러나이방법의경우터널링이라는방법을사용함으로써많은양의전자를주입할수없기때문에전자의절대수가작다는단점이있다. 그외내재적쇼트키장벽 (intrinsic Schottky barrier) 을사용하는방법과스핀의방향에민감한계면을형성해스핀주입을선택적으로하는방법들이있다. 이상과같이, 이제까지제안된스핀주입방법은각방법의장점은가지고있지만포괄적으로스핀전자소자에사용되기위해서는모두각자의단점이있어아직스핀주입에대한확립된방법은없는것이현실이다. <17> <18> <19> 발명이이루고자하는기술적과제본발명은상기와같은문제점을해결하고자하는것으로, 전도성질화물을사이층으로사용하여비자성또는자성반도체에특정한스핀방향을가진전자를주입할때높은스핀주입효율을나타낼수있는다층막구조를제공하는것을목적으로한다. 또한편으로, 본발명은상기와같은다층막구조의제조방법을제공하는것을목적으로한다. 기타본발명의목적및특징은후술하는상세한설명및특허청구범위에의해보다명확하게제시될것이다. <20> <21> <22> <23> 발명의구성및작용이하, 본발명의전도성질화물을사이층으로사용한높은스핀주입효율을갖는다층막구조및그제조방법에관하여상세히설명하도록한다. 먼저본발명의전도성질화물을사이층으로사용한높은스핀주입효율을갖는다층막구조의구성을살펴보면다음과같다. 본발명의높은스핀주입효율을갖는다층막구조는도 1과같이스핀주입전극층 (1), 전도성질화물사이층 (2) 및반도체층 (3) 으로이루어진다. 본발명에서상기스핀주입전극층 (1) 에는강자성재료를사용하는데, 강자성재료로는 Fe, CoFe 등의상온에서강자성을보이는강자성금속이나합금또는 CrO 2, 이중페로브스카이트 (double perovskite) 등의반금속이사 용될수있다. <24> 본발명에서상기전도성질화물사이층 (2) 에는 TiN, TaN, NbN, ZrN 등의전도성질화물이사용되어지고, 나아가상기전도성질화물에 Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu 등의전이금속이도핑되어사용될수도있다. 이때, 전도성질화물에도핑된전이금속의양은 1 10 at% 인것이바람직하다. 전이금속의양이 1 at% 보다작으면, 전이금속의농도가너무낮아매우희박한강자성체가되고, 이경우강자성을나타낼수있는온도가상온이하가될수있다. 전이금속의양이 10 at% 보다크면, 전이금속은같은전이금속끼리모이려는경향이크므로, 전이금속이질화물의기지에균일하게분포되기보다는전이금속이질화물기지 (matrix) 에편석되고, 편석이되면자기적 - 4 -
5 성질이나타난다하더라도이것은편석된전이금속에기인한것이고질화물기지는아무런효과를없게되기때문에, 이러한경우는본발명에서필요로하는스핀분극효과가나타나지않을수있다. 전도성질화물사이층또는전이금속이첨가된전도성질화물사이층 (2) 은전도도의크기가반도체와유사하며상온에서도자성을띠고있기때문에효율적으로반도체에스핀전자를주입할수있다. 또한, TiN 박막등은기존반도체산업에서매우광범위하게응용되고있는물질이기때문에쉽게스핀전자소자의제조에응용될수있는장점이있다. <25> <26> <27> <28> 보통의질화물은질소의강한결합력으로인해절연체또는반도체의특성을띠는것이일반적인데전도성질화물의경우금속보다는전도도가작지만금속의전자성질을가지고있기때문에, 금속, 특히준금속 (semimetal) 으로취급된다. 전도성질화물의결정구조는암염 (NaCl) 의구조를가지고있는매우단순한형태의결정으로써평균전도도는높은수위로도핑된반도체의전도도와거의비슷한크기를가지고있다. 즉, 전도성질화물이금속이기는하지만전도도는금속에비해상당히낮고반도체와유사한값을가진다는것이다. 또한, 도 2는 TiN/GaN 접합에서의전류 (I)-전압(V) 곡선을나타내는데, 도 2를참조하면전압이인가될때전류가선형적으로변화하는것을알수있다. 이는전도성질화물 (TiN) 과반도체 (p-형 GaN) 사이에계면을형성할경우통상의금속과반도체사이의계면에서발견되는쇼트키장벽은형성되지않고일반적인옴접합 (Ohmic contact) 이형성된다는것을의미한다. 즉, 전류를흐르게하기위해전압이일정이상필요한것이아니라, 낮은전압에서도전류가흐를수있다는것을보여준다. 전도성질화물 (TiN) 과반도체 (GaN) 접합의경계면에서는일함수값이높지않기때문에옴접합을이루는것이다. 따라서, TiN을통해 GaN으로전자가이동한다고할때장벽을느끼지않고이동할수있기때문에, 장벽을통한터널링시발생할수있는정보의손실 ( 예컨대, 전자의스핀상태의변화 ) 이없이통과할수있다. 또한, 전도성질화물은매우높은경도를가진물질로서일단박막이형성되면도 3에나타낸바와같이매우평탄한계면을가지는박막을형성할수있다. 그리고, 전도성질화물의대표적인물질인 TiN의경우반도체와구리또는알미늄사이의계면에서일어나는상호확산을억제하기위한확산장벽물질로서현대반도체산업에서일반적으로응용되고있는물질이다. 이와같은전도성질화물의일반적인성질을이용하여스핀전자소자의구현에있어핵심적인기술중의하나인효율적인스핀주입을위해전도성질화물을강자성물질과반도체사이의사이층으로사용하는것이다. 이와같이전도성질화물을사이층으로사용하면종래반도체와의깨끗한계면을형성할수없다고알려진산화물반금속 (CrO 2, 이중페로브스카이트등 ) 도스핀주입용전극으로사용할수있게된다. 그이유는반금속은직접반도 체와계면을형성하는것이아니라전도성질화물과계면을형성하는데전도성질화물의경우경도가매우높고단순한결정구조를가지기때문에산화물반금속과깨끗한계면을형성할수있기때문이다. 이경우사용가능한반도체로는 Si, GaAs, GaN 등의반도체물질이가능하다. Si의경우이미 TiN과좋은계면을이룬다고잘알려져있으며현재 Si 기반반도체산업에서광범위하게응용되고있다. 또한, TiN 박막은 GaN과결정성이좋은계면을만드는것으로보고되어있으며, 도 3에계면의구조에대한고해상도투과전자현미경분석결과를도시하였다. <29> <30> <31> <32> 다음으로, 상기와같은다층막구조를제조하기위한방법을설명하도록한다. 본발명에의한전도성질화물을사이층으로사용한높은스핀주입효율을갖는다층막구조의제조방법은반도체층위에전도성질화물사이층또는전이금속이첨가된전도성질화물사이층을형성하는단계와, 상기형성된전도성질화물사이층위에강자성재료로이루어진스핀주입전극층을형성하는단계로이루어진다. 전이금속이첨가된전도성질화물사이층형성방법을구체적으로설명하면다음과같다. 첫째, 먼저전도성질화물박막을반응성스퍼터링방법을사용해박막을형성한후전이금속을이온주입방법을통해나중에첨가하는방법이다. 이때질화물박막은통상의질화물형성방법을사용하며, 제조된박막은통상적으로수나노미터내지수십나노미터의두께를갖는다. 통상의질화물형성방법은반응성스퍼터링이가장널리사용되지만이에국한될필요는없다. 왜냐하면전도성질화물박막은어떤방법을사용해서제조하더라도암염구조를가지며화학량론 (stoichiometry) 이 1:1에근접하면되기때문이다. 스퍼터링이외의다른방법의대표적인예로는 MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) 을들수있다. 기 ( 旣 ) 제조된전도성질화물에전이금속원소를첨가한다. 주로사용될수있는방법은이온주입 (ion implantation) 이며, 통상의에너지는원자당 100 kev에서 500 kev의에너지를사용한다. 이온주입외에높은에너지를가지며원소가주입되는방법은어떤방법이든적용이가능하다. 전도성질화물은높은강도를가지기때문에높은에너지의원자가박막에첨가되어야만박막내부로혼입될수있다
6 <33> <34> 둘째, 전도성질화물박막을형성함과동시에전이금속을첨가하는방법이있다. 동시에첨가하는방법으로는통상의전도성질화물을형성하는반응성스퍼터링에전이금속타겟 (target) 을추가하는방식을예로들수있으나, 이런방식에국한되지않는다. 왜냐하면전도성질화물에전이금속이치환되기만하면자기적성질을나타낼수있기때문이다. 그외의방법으로는분자빔성장법 (Molecular Beam Epitaxy) 또는그외의높은결정성을가진방법모두를포괄한다. 전이금속이전도성질화물에첨가되면자기적성질을띠는현상을이용하여반도체로효율적인스핀주입을가능하게하는방법으로서일단전도성질화물의암염결정구조에전이금속이치환된구조를가질수있다면기 ( 旣 ) 예시된방법에국한되지않는다. 제조된전도성질화물박막에강자성재료로이루어진박막을형성하는단계에서는강자성금속박막을형성하는방법, 예컨대스퍼터링또는물리증착법을사용할수있다. 또한반금속박막 (CrO 2, 이중페로브스카이트 등 ) 의경우통상화학기상증착법 (Chemical Vapor Deposition) 을사용할수도있다. <35> <36> 발명의효과상술한바와같이, 본발명에의하면추가적인장비의제조를요하지않고기조업중인장비의수정만으로높은수준의스핀주입효과를기대할수있는다층막구조의제조가가능하다. 또한, 본발명에의한다층막구조는반도체로의높은스핀주입효율을갖는바스핀전자소자, 예컨대스핀장효과트랜지스터 (spin field effect transistor), 스핀주입기 (spin injector), 스핀필터 (spin filter), 고경도자성소자 (high hardness magnetic device) 등의분야에서유용하게사용될수있다. 비록발명이상기에서언급된바람직한실시예에관하여설명되어졌으나. 발명의요지와범위를벗어남이없이많은다른가능한수정과변형이이루어질수있다. 따라서첨부된청구범위는발명의진정한범위내에속하는이러한수정과변형을포함할것이라생각된다. <1> <2> <3> <4> <5> <6> <7> 도면의간단한설명도 1은본발명에따라전도성질화물을사이층으로사용한높은스핀주입효율을갖는다층막구조의모식도, 도 2는 p-형 GaN 기판에 TiN 박막을형성할경우옴접합이나타나는실험결과를도시한그래프, 도 3은 p-형 GaN 기판에 TiN 박막을형성할경우얻어지는계면구조에대한고해상도투과형전자현미경 (High Resolution Transmission Electron Microscopy) 사진이다. *** 도면의주요부분에대한부호의설명 *** 1: 스핀주입전극층 2: 전도성질화물사이층 3: 반도체층 도면 도면 1-6 -
7 도면 2 도면 3-7 -
특허청구의범위청구항 1 반도체층 ; 상기반도체층위에형성된전도성질화물로이루어진사이층 ; 및상기전도성질화물사이층위에형성되며, 상기전도성질화물사이층을통해상기반도체층에스핀을주입하는, 강자성재료로이루어진스핀주입전극층 ; 을포함하여이루어지며, 상기반도체층과상기전도성질화물사이층의계
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H01L 27/105 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0070334( 분할 ) (22) 출원일자 2008 년 07 월 18 일 심사청구일자 2008 년 07 월 18 일 (65) 공개번호 10-2008-0070806 (43) 공개일자 2008 년 07 월
도 1 특허청구의범위 청구항 1. 자성금속박막을형성하는단계 ; 상기자성금속박막위에알루미늄을증착하는단계 ; 증착된상기알루미늄위에자성금속을증착하여알루미나이드박막을형성하는단계 ; 그리고 상기알루미나이드박막위에자성금속박막을증착하는단계로이루어지고, 상기자성금속은 Co, Fe 및
(51) Int. Cl. G11B 5/31 (2006.01) (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2007 년 05 월 09 일 10-0716104 2007 년 05 월 02 일 (21) 출원번호 10-2003-0075402 (65) 공개번호 10-2005-0040248 (22)
특허청구의 범위 청구항 1 복수개의 프리캐스트 콘크리트 부재(1)를 서로 결합하여 연속화시키는 구조로서, 삽입공이 형성되어 있고 상기 삽입공 내면에는 나사부가 형성되어 있는 너트형 고정부재(10)가, 상기 프리캐스 트 콘크리트 부재(1) 내에 내장되도록 배치되는 내부
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) E01D 19/12 (2006.01) E01D 2/00 (2006.01) E01D 21/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0036938 (22) 출원일자 2011년04월20일 심사청구일자 2011년04월20일 (65) 공개번호 10-2012-0119156
2001/1학기 공학 물리 중간고사
2011/2 학기물리전자기말고사담당교수 : 김삼동 성명 학번 분반 e = 1.6 10-19 C, ε ox = 3.9, ε Si = 11.7,ε o = 8.85 10-14 F/cm 2, kt (300 K) = 0.0259 ev,, n i (Si, 300 K) =1.5x10 10 /cm 3 1. PN diode의 I-V 특성은아래의그림과같은거동을보인 (I) 다.
특허청구의범위청구항 1 복수개의관통비아홀이형성된웨이퍼의하나이상의관통비아홀을포함하는전도영역에전도층을형성하는전도층형성단계 ; 상기전도층을포함한웨이퍼전체영역에절연층을증착하는절연층증착단계 ; 상기전도층의상부에감광제를도포하고, 상기관통비아홀이형성된위치에관통비아홀의단면적보다작은단
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H01L 21/60 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-0028172 (22) 출원일자 2010 년 03 월 29 일 심사청구일자 2010 년 03 월 29 일 (65) 공개번호 10-2011-0108779 (43) 공개일자 2011 년 10 월 06 일 (56)
특허청구의 범위 청구항 1 앵커(20)를 이용한 옹벽 시공에 사용되는 옹벽패널에 있어서, 단위패널형태의 판 형태로 구성되며, 내부 중앙부가 후방 하부를 향해 기울어지도록 돌출 형성되어, 전면이 오 목하게 들어가고 후면이 돌출된 결속부(11)를 형성하되, 이 결속부(11
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) E02D 29/02 (2006.01) E02D 17/20 (2006.01) E02B 3/14 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-0089517 (22) 출원일자 2010년09월13일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 JP2006037700 A* KR100920461
Characteristic of Stainless Steel 304 vs. 316 STS 비교 스테인리스강화학성분비교 (ASTM A 479 Standard) Type UNS No. C Si 304 S S max 0.08
304 vs. 316 STS 비교 304 316 스테인리스강화학성분비교 (ASTM A 479 Standard) Type UNS No. C Si 304 S30400 316 S31600 0.08 0.08 1.00 1.00 Mn P S Cr 2.00 2.00 0.045 0.045 0.050 0.050 18.00 20.00 16.00 18.00 Ni 8.00 10.5
(72) 발명자 박세웅 서울특별시관악구신림동산 56-1 서울대학교뉴미디어통신공동연구소 최진구 서울특별시영등포구당산동 2 가대우메종아파트 101 동 909 호 - 2 -
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H04B 7/26 (2006.01) H04B 7/155 (2006.01) H04Q 7/30 (2006.01) H04Q 7/20 (2006.01) (21) 출원번호 10-2006-0085572 (22) 출원일자 2006 년 09 월 06 일 심사청구일자 2006 년 09 월
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전자회로 SEMICONDUCTOR P 1 @ INDEX 1. Conductors, Insulators, Semiconductors 2. Conduction in Semiconductors 3. The N-Type and P-Type Semiconductors 4. The PN Junction P 2 1.1 Conductors Insulators Semiconductors
본 발명은 중공코어 프리캐스트 슬래브 및 그 시공방법에 관한 것으로, 자세하게는 중공코어로 형성된 프리캐스트 슬래브 에 온돌을 일체로 구성한 슬래브 구조 및 그 시공방법에 관한 것이다. 이를 위한 온돌 일체형 중공코어 프리캐스트 슬래브는, 공장에서 제작되는 중공코어 프
(51) Int. Cl. E04B 5/32 (2006.01) (19)대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2007년03월12일 10-0693122 2007년03월05일 (21) 출원번호 10-2006-0048965 (65) 공개번호 (22) 출원일자 2006년05월30일 (43) 공개일자 심사청구일자
(52) CPC 특허분류 B01D 53/62 ( ) Y02C 10/10 ( ) (72) 발명자 이정현 대전광역시서구대덕대로 246 넥서스밸리 B 동 1417 호 박영철 대전광역시유성구반석동로 33 반석마을 5 단지아파트 505 동 201 호 이발명
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B01D 53/22 (2006.01) B01D 53/62 (2006.01) (52) CPC 특허분류 B01D 53/225 (2013.01) B01D 53/228 (2013.01) (21) 출원번호 10-2015-0076621 (22) 출원일자 2015 년
공개특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 (43) 공개일자 2014년06월11일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B65D 81/24 ( ) B65
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 10-2014-0071307 (43) 공개일자 2014년06월11일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B65D 81/24 (2006.01) B65D 25/14 (2006.01) B65D 1/40 (2006.01) B32B 27/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2014-0058932(
서 인코딩한 데이터를 무선으로 송신하기 위한 무선 송신 수단; 및 통화중 상기 입력 수단으로부터의 음원 데이터 전송신 호에 따라 상기 저장 수단에 저장되어 있는 해당 음원 데이터를 상기 디코딩 수단에 의해 디코딩하고, 상기 디코딩한 음원 데이터와 상기 입력 수단을 통해
(51) Int. Cl. H04B 1/40 (2006.01) (19)대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2006년11월23일 10-0646983 2006년11월09일 (21) 출원번호 10-2004-0053063 (65) 공개번호 10-2006-0004082 (22) 출원일자 2004년07월08일
KAERIAR hwp
- i - - ii - - iii - - iv - - v - - vi - Photograph of miniature SiC p-n and Schottky diode detector Photograph SiC chip mounted on a standard electrical package Photograph of SiC neutron detector with
특허청구의범위청구항 1 복수의영상검출부로부터출력되는영상의히스토그램 (histogram) 을계산하는단계 ; 상기복수의영상검출부로부터출력되는영상을히스토그램평활화 (histogram equalization) 하는단계 ; 상기복수의영상검출부중하나의영상검출부를선택하는단계 ; 및
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2014년12월18일 (11) 등록번호 10-1473415 (24) 등록일자 2014년12월10일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) G06T 5/40 (2006.01) H04N 5/217 (2011.01) (21) 출원번호 10-2012-0156871 (22) 출원일자 2012
(72) 발명자 오인환 서울 노원구 중계로 195, 101동 803호 (중계동, 신 안동진아파트) 서혜리 서울 종로구 평창14길 23, (평창동) 한훈식 서울 강남구 언주로71길 25-5, 301호 (역삼동, 영 훈하이츠) 이 발명을 지원한 국가연구개발사업 과제고유번호
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 2014년04월14일 (11) 등록번호 10-1384704 (24) 등록일자 2014년04월07일 (51) 국제특허분류(Int. Cl.) F16L 9/18 (2006.01) F17D 1/00 (2006.01) F16L 3/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0113933
이 발명을 지원한 국가연구개발사업 과제고유번호 08921-01304 부처명 방송통신위원회 연구사업명 방송통신기술개발사업 연구과제명 안전한 전자파환경 조성 주관기관 한국전자통신연구원 연구기간 2008.01.01 ~ 2012.12.31-2 -
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) H05K 9/00 (2006.01) H04B 1/38 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0134285 (22) 출원일자 2011년12월14일 심사청구일자 없음 기술이전 희망 : 기술양도, 실시권허여, 기술지도 전체 청구항 수 : 총 1 항 (54)
한것으로스마트단말기에의하여드론조종앱을설치하는제 1 단계 ; 스마트단말기에의하여드론의불루투스통 신부에부여된고유식별번호를입력저장하고드론의불루투스를인식하며드론의블루투스통신부로부터회신되 는신호의수신레벨을분석하여최대통신거리를확인하여저장하는제 2 단계 ; 스마트단말기에의하여최대통
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B64C 13/20 (2006.01) B64C 39/02 (2006.01) G05D 1/00 (2006.01) H04M 1/725 (2006.01) (52) CPC 특허분류 B64C 13/20 (2013.01) B64C 39/024 (2013.01) (21)
공개특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 (43) 공개일자 2013년09월25일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B65D 25/14 ( ) C23
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 10-2013-0104189 (43) 공개일자 2013년09월25일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B65D 25/14 (2006.01) C23C 16/26 (2006.01) C08J 7/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0025472 (22) 출원일자
특허청구의범위청구항 1 물을여과하는필터부 ; 상기필터부에물을유동시키는정수관 ; 상기정수관에설치되고, 상기정수관의수류를이용하여전기를발생시키는발전모듈 ; 및상기정수관에배치되고, 상기발전모듈에서발생된전기가공급되고, 상기정수관을따라유동되는정수를전기분해하여살균하는살균모듈 ; 을
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) B01D 35/00 (2006.01) C02F 1/461 (2006.01) C02F 1/467 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0019000 (22) 출원일자 2009 년 03 월 05 일 심사청구일자 없음 전체청구항수 : 총 4 항 (54) 정수기 (11)
이발명을지원한국가연구개발사업 과제고유번호 부처명 미래창조부 연구관리전문기관 한국산업기술평가관리원 연구사업명 산업융합원천기술개발 연구과제명 단일노드 48TB 이상을지원하는개방형하둡스토리지어플라이언스 (Hadoop Storage Appliance) 개발 기
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2015년12월03일 (11) 등록번호 10-1573375 (24) 등록일자 2015년11월25일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) G06F 12/08 (2006.01) (21) 출원번호 10-2013-0131411 (22) 출원일자 2013 년 10 월 31 일 심사청구일자
(72) 발명자 정종수 서울특별시 서대문구 모래내로 319, 101동 405호 (홍은동, 진흥아파트) 김정환 서울특별시 구로구 구로동로21길 7 (구로동) - 2 -
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) B01J 23/34 (2006.01) B01J 37/02 (2006.01) B01J 37/08 (2006.01) B01D 53/86 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-0098306 (22) 출원일자 2010년10월08일 심사청구일자 2010년10월08일
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통권 제101호(2007년 10월호) 특허가족 건강길라잡이(비만 시리즈4) 특허가족 건강길라잡이 (비만 시리즈 4) 변리사 김 일 성 킴스국제특허법률사무소 2. 비만과 영양소 4. 무기질(Minerals) 무기질은 단백질, 당질, 지질들과 달리 에너지를 낼 수 없고, 비타민류와 달리 조리과정에서 파괴되지 않는다. 그러나 물에 용해되므로 조리 중의 용액을 버리
실용신안 등록청구의 범위 청구항 1 톤백마대가 설치될 수 있도록 일정간격을 두고 설치되는 한 쌍의 지지프레임과, 상기 지지프레임과 지지프레임의 상부를 서로 연결하는 한 쌍의 연결프레임과, 상기 연결프레임의 상부에 일정간격을 두고 다수 설치되어 상기 톤백마대와 그 투입구
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개실용신안공보(U) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) B65B 67/12 (2006.01) B65D 88/16 (2006.01) (21) 출원번호 20-2012-0003587 (22) 출원일자 2012년05월01일 심사청구일자 2012년05월01일 (11) 공개번호 20-2013-0006479 (43) 공개일자
특허청구의범위청구항 1 방열판 ; 상기방열판상부에형성된세라믹박막 ; 및상기세라믹박막상부에형성된회로패턴을포함하여이루어지는방열기판. 청구항 2 제1항에있어서, 상기방열판은 Al, Cu, Mo, W, Ti, Mg 중에서선택된어느하나의물질로이루어지는것을특징으로하는방열기판. 청
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) H01L 33/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0140279 (22) 출원일자 2007 년 12 월 28 일 심사청구일자 전체청구항수 : 총 10 항 2007 년 12 월 28 일 (54) 방열기판및이를구비한발광다이오드패키지 (11) 공개번호 10-2009-0072226
(72) 발명자 김진근 울산광역시울주군삼남면가천리 818 삼성 SDI( 주 ) 김기민 울산광역시울주군삼남면가천리 818 삼성 SDI( 주 ) - 2 -
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) G06F 3/041 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0067375 (22) 출원일자 2008 년 07 월 11 일 심사청구일자 전체청구항수 : 총 12 항 2008 년 07 월 11 일 (54) 터치스크린패널및그제조방법 (11) 공개번호 10-2010-0006987
많이 이용하는 라면,햄버그,과자,탄산음료등은 무서운 병을 유발하고 비만의 원인 식품 이다. 8,등겨에 흘려 보낸 영양을 되 찾을 수 있다. 도정과정에서 등겨에 흘려 보낸 영양 많은 쌀눈과 쌀껍질의 영양을 등겨를 물에 우러나게하여 장시간 물에 담가 두어 영양을 되 찾는다
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개실용신안공보(U) A23L 1/307 (2006.01) C02F 1/68 (2006.01) (21) 출원번호 20-2011-0002850 (22) 출원일자 2011년04월05일 심사청구일자 2011년04월05일 (11) 공개번호 20-2011-0004312 (43) 공개일자 2011년05월03일
등록특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2013년05월06일 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2013년04월30일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C22F 1/08 (
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2013년05월06일 (11) 등록번호 10-1261370 (24) 등록일자 2013년04월30일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C22F 1/08 (2006.01) C22C 9/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0045497 (22) 출원일자 2011
특허청구의 범위 청구항 1 어류를 13~23mm 범위 내의 크기로 파쇄한 어류 분말과 물을 중량 대비로 20~40%와 5~10%로 혼합하고, 단백질가 수분해효소를 상기 어류 분말과 물의 중량 대비로 0.1~5.0%로 첨가해서 원료를 준비하는 단계; 상기 준비한 원료를
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) C12J 1/04 (2006.01) A23L 1/39 (2006.01) C12R 1/865 (2006.01) C12R 1/02 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0053618 (22) 출원일자 2011년06월03일 심사청구일자 2011년06월03일
(72) 발명자 이승원 강원도 고성군 죽왕면 오호리 245-7 정동호 강원도 고성군 죽왕면 오호리 245-7 이호생 강원도 고성군 죽왕면 오호리 245-7 이 발명을 지원한 국가연구개발사업 과제고유번호 PMS235A 부처명 국토해양부 연구사업명 해양자원개발 연구과제명
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) C02F 1/26 (2006.01) C02F 1/461 (2006.01) C02F 1/66 (2006.01) B01D 21/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010057345 (22) 출원일자 2012년05월30일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌
[Fig. 4] (a) Properties of OLED as IWO films as anode. (b)fabrication process of QDLED and image of QDLED device using IWO films as anode. [Fig. 3] 정보
![[Fig. 4] (a) Properties of OLED as IWO films as anode. (b)fabrication process of QDLED and image of QDLED device using IWO films as anode. [Fig. 3] 정보](/thumbs/91/105549830.jpg "[Fig. 4] (a) Properties of OLED as IWO films as anode. (b)fabrication process of QDLED and image of QDLED device using IWO films as anode. [Fig. 3] 정보")
바이오인터페이스 기술의 현재와 미래 성균관대학교 정보재료소자연구실(IMDL) 김한기 최근 정보통신 분야의 발전에 따라 기존의 다양한 어플 리케이션들은 평면성을 벗어나 이전부터 요구된 투명유 연하고 깨지지 않는 특성과 더불어 신축성을 가진 특성까 지 요구되고 있다. 이러한 흐름 속에서 투명 전극은 투명 하면서 전도성을 가지고 있는 전극 물질로서 디스플레이, 터치센서,
명세서 기술분야 본 발명은 2차 전지로부터 유가( 有 價 ) 금속을 회수하는 방법에 관한 것이며, 상세하게는, 폐( 廢 )리튬 이온 전지 및 리튬 이온 전지의 제조 불량품에 함유되는 코발트를 회수하는 리튬 이온 전지내의 코발트 회수 방법 및 코발트 회수 시스템에 관한
(19)대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (51) Int. Cl. 7 H01M 10/54 B09B 3/00 (11) 공개번호 (43) 공개일자 10-2005-0088093 2005년09월01일 (21) 출원번호 10-2005-7009897 (22) 출원일자 2005년06월01일 번역문 제출일자 2005년06월01일 (86) 국제출원번호 PCT/JP2003/016733
< C6AFC1FD20BFF8B0ED2DB1B8C7F6C3B62E687770>
스핀트로닉스 스핀트랜지스터 DOI: 10.3938/PhiT.19.038 구현철 장준연 한석희 엄종화 Spin Transistor Hyun Cheol KOO, Joonyeon CHANG, Suk Hee HAN and Jonghwa EOM Controlling not only the charges but also the spins of electrons, spintronic
전자회로 실험
전자회로실험 2 조 고주현허영민 BJT의고정바이어스및 부품 * 실험목적 1) 고정바이어스와 회로의직류동작점을결정한다. 다이오드의특성 * 실험장비 계측장비 - Digital Multi Meter 부품 -저항 다이오드의특성 부품 - 트랜지스터
이 발명을 지원한 국가연구개발사업 과제고유번호 A1100-0801-2739 부처명 지식경제부 연구관리전문기관 연구사업명 IT핵심기술개발 연구과제명 융합형 포털서비스를 위한 이용자 참여형 방송기술개발 기여율 주관기관 전자부품연구원 연구기간 2008년 03월 01일 ~ 2
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) G06Q 30/00 (2006.01) G06Q 50/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0133476 (22) 출원일자 2008년12월24일 심사청구일자 2008년12월24일 (65) 공개번호 10-2010-0074918 (43) 공개일자 2010년07월02일
表紙（化学）
수험 번호 성 명 2013년 일본 공과대학 학부 유학생 파견 선발 시험 화 학 (90분 100점) 주 의 1 시험시작의 지시가 있을 때까지 열지 마시오. 2 해답은 해답용지의 지정된 난 안에 알아보기 쉽게 기입하시오. 3 해답에 한글이 포함되면 채점되지 않습니다. 필요한 경우, 아래의 값을 사용하시오. 원자량 H 1.0, C 12, N 14, O 16, Cu
특허청구의 범위 청구항 1 맨홀 일부분에 관통되게 결합되는 맨홀결합구와; 상기 맨홀결합구의 전방에 연통되게 형성되어 토양속에 묻히게 설치되고, 외주면에는 지하수가 유입될 수 있는 다수의 통공이 관통 형성된 지하수유입구와; 상기 맨홀결합구의 후방에 연통되고 수직으로 세워
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) G01F 23/02 (2006.01) G01F 23/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0096769 (22) 출원일자 2007년09월21일 심사청구일자 전체 청구항 수 : 총 5 항 (54) 지하수위 관측장치 2007년09월21일 (11) 공개번호 10-2009-0031004
실험 5
실험. OP Amp 의기초회로 Inverting Amplifier OP amp 를이용한아래와같은 inverting amplifier 회로를고려해본다. ( 그림 ) Inverting amplifier 위의회로에서 OP amp의 입력단자는 + 입력단자와동일한그라운드전압, 즉 0V를유지한다. 또한 OP amp 입력단자로흘러들어가는전류는 0 이므로, 저항에흐르는전류는다음과같다.
등록특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) G01R 29/08 ( ) (21) 출원번호 (22) 출원일자 2011 년 12 월 28 일 심사
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) G01R 29/08 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0144999 (22) 출원일자 2011 년 12 월 28 일 심사청구일자 2011 년 12 월 28 일 (65) 공개번호 10-2013-0076416 (43) 공개일자 2013 년 07
특허청구의 범위 청구항 1 제1 내지 제6 암이 각각의 관절부를 가지며 형성되며, 상기 제1 내지 제6 암 각각은 제1 내지 제6 링크에 의해 링크되고, 상기 제1 내지 제6 암 내부에는 각각의 암을 구동하는 구동모듈이 각각 내장되며, 상기 구동모듈 각각의 선단에는 1
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) B25J 9/06 (2006.01) B25J 19/02 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0079361 (22) 출원일자 2011년08월10일 심사청구일자 2011년08월10일 (65) 공개번호 10-2013-0017122 (43) 공개일자 2013년02월20일
Microsoft Word - Lab.4
Lab. 1. I-V Lab. 4. 연산증폭기 Characterist 비 tics of a Dio 비교기 ode 응용 회로 1. 실험목표 연산증폭기를이용한비교기비교기응용회로를이해 응용회로를구성, 측정및평가해서연산증폭기 2. 실험회로 A. 연산증폭기비교기응용회로 (a) 기본비교기 (b) 출력제한 비교기 (c) 슈미트트리거 (d) 포화반파정류회로그림 4.1. 연산증폭기비교기응용회로
PowerPoint Presentation
신호조절 (Signal Conditioning) 메카트로닉스 시스템의 구성 ECU 인터페이스 회로 (시그널 컨디셔닝) 마이컴 Model of 기계 시스템 인터페이스 회로 (드라이빙 회로) 센서 액츄에이터 (구동기) 기계 시스템 PN 접합 다이오드 [1] 다이오드의 DC 해석과 등가모델 [1] 다이오드의 DC 해석과 등가모델 [1] 다이오드 응용회로 [1] 다이오드
(72) 발명자 강경태 서울서초구반포본동반포주공아파트 110 동 105 호 이상호 서울관악구봉천 9 동 윤규영 인천남구용현동 신권용 서울구로구천왕동천왕이펜하우스 6 단지 601 동 1203 호 이발명을지원한국가연구개발사업 과제고유번호 ES-1
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2013년11월20일 (11) 등록번호 10-1331589 (24) 등록일자 2013년11월14일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) H01L 21/28 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0052189 (22) 출원일자 2012 년 05 월 16 일 심사청구일자
도 1 은본발명에사용되는증착장치의모식도이다. 도 2 및도 3 은본발명에실시예에의하여합성된탄소나노복합체박막의투과전자현미경 (TEM) 단면사진으로, 각각니켈을 30 초및 60 초동안증착하여니켈나노도트를형성시킨경우를나타낸다. 도 4 은순수한경질탄소박막과본발명에의하여합성된탄소
(51) Int. Cl. 7 C23C 14/34 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2005 년 09 월 13 일 10-0514347 2005 년 09 월 05 일 (21) 출원번호 10-2003-0038361 (65) 공개번호 10-2004-0107536 (22) 출원일자 2003년06월13일
도 3 은 본 발명에 따른 제거수단을 보인 사시도 도 4 는 본 발명에 따른 제거수단의 해파필터와 카본필터의 구성을 보인 개략단면도 <도면의 주요부분에 대한 부호의 설명> (1) : 케이싱 (1a) : 천연음이온 도료 (2) : 제거수단 (3) : UV살균장치 (4)
(51) Int. Cl. 7 A61L 9/20 (19)대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2005년05월25일 10-0491080 2005년05월13일 (21) 출원번호 10-2004-0022173 (65) 공개번호 10-2004-0037034 (22) 출원일자 2004년03월31일 (43)
Microsoft PowerPoint - Ch8
Ch. 8 Field-Effect Transistor (FET) and Bias 공핍영역 D G S 채널 8-3 JFET 바이어스 자기바이어스 (self-bias) R G - 접지로부터 AC 신호를분리 I D I G = 0 G = 0 D I D I S S = I S R S I D R S S I S = G - S = 0 I D R S = - I D R S D
이발명을지원한국가연구개발사업 과제고유번호 LINC 부처명 교육과학기술부 연구관리전문기관 한국연구재단 연구사업명 산학협력선도대학육성사업기술개발과제 연구과제명 차세대자동차엔진마운팅브래킷용고강도알루미늄합금개발 기여율 1/1 주관기관 조선대학교산학협력단 연구기간
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C22F 1/04 (2006.01) C22C 21/02 (2006.01) (21) 출원번호 10-2014-0023399 (22) 출원일자 2014 년 02 월 27 일 심사청구일자 2014 년 02 월 27 일 (65) 공개번호 10-2015-0101744
(72) 발명자 권욱현 서울특별시관악구관악로 1, 서울대학교자동화연구소 133 동 306 호 ( 신림동 ) 신수용 서울특별시양천구목동동로 130, 목동아파트 동 1201 호 ( 신정동 ) 최재영 서울특별시관악구서림 11 길 23, 308 호 ( 신림동 ) 이
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) H04L 12/28 (2006.01) (21) 출원번호 10-2006-0016507 (22) 출원일자 2006 년 02 월 21 일 심사청구일자 2011 년 01 월 19 일 (65) 공개번호 10-2007-0083321 (43) 공개일자 2007 년 08
(72) 발명자 김도규 서울특별시성북구장위 3 동 박준일 서울특별시강서구등촌동 서광아파트 103 동 803 호 유형규 경기도광명시광명 4 동한진아파트 101 동 1801 호 - 2 -
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) F25B 30/06 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0088941 (22) 출원일자 2008 년 09 월 09 일 심사청구일자 전체청구항수 : 총 7 항 2008 년 09 월 09 일 (54) 지중열교환기의공급파이프 (11) 공개번호 10-2010-0030143
(72) 발명자오규환서울시서초구반포동반포아파트 110동 202호김현종서울시관악구봉천6동 층 102호 신경민 서울시서대문구홍제동 459 번지홍제원현대아파트 113 동 1702 호 류재우 경기도김포시북변동
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) A61L 27/08 (2006.01) A61F 2/82 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0015001 (22) 출원일자 2009 년 02 월 23 일 심사청구일자 2009 년 02 월 23 일 (65) 공개번호 10-2010-0095942 (43) 공개일자
마이크로, TAS, 패키지, 범프, 관통홀 명세서 도면의 간단한 설명 도 1은 종래 기술에 따른 외부의 압력을 센싱하는 압력센서 패키지의 단면도 도 2a와 2b는 본 발명에 따라 마이크로 타스(TAS, Total Analysis System)칩이 실장된 패키지 단면도
(51) Int. Cl. 7 H01L 21/60 (19)대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2005년10월07일 10-0519222 2005년09월28일 (21) 출원번호 10-2003-0085619 (65) 공개번호 10-2005-0051933 (22) 출원일자 2003년11월28일 (43)
(72) 발명자 류명관 경기도용인시수지구신봉 2 로 26, LG 신봉자이 1 차아파트 124 동 1002 호 ( 신봉동 ) 이상윤 서울특별시서초구서초중앙로 200, 13 동 707 호 ( 서초동, 삼풍아파트 ) 이광희 경기수원시영통구망포동벽산아파트 김태
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 10-2012-0021454 (43) 공개일자 2012년03월09일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) H01L 29/786 (2006.01) G02F 1/136 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-0074404 (22) 출원일자 2010 년 07 월 30 일
(72) 발명자 김동식 광주북구오룡동 1 번지광주과학기술원신소재공학과 이경재 광주북구오룡동 1 번지광주과학기술원신소재공학과 - 2 -
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) B82B 3/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2006-0034056 (22) 출원일자 2006 년 04 월 14 일 심사청구일자 2006 년 04 월 14 일 (65) 공개번호 10-2007-0102204 (43) 공개일자 2007 년 10 월 18 일 (56)
(72) 발명자 강문진 경기 고양시 일산구 일산3동 후곡마을 영풍한진 201-203 김정한 서울 서초구 방배4동 847-34 - 2 -
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) B23K 9/133 (2006.01) B23K 9/28 (2006.01) B23K 9/26 (2006.01) (21) 출원번호 10-2006-0133016 (22) 출원일자 2006년12월22일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 2006년12월22일 (45) 공고일자 2007년10월26일
(72) 발명자 오승용 경기도안산시상록구오목로 11 길 45, 202 호 ( 본오동 ) 박영욱 경기도수원시권선구당진로 31 번길 16, 한라비발디 202 동 1201 호 ( 당수동 ) 고대화 경기도수원시권선구금호로 189 번길 82-12, 202 호 ( 구운동 ) 김준
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2013년06월24일 (11) 등록번호 10-1278021 (24) 등록일자 2013년06월18일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B65G 1/12 (2006.01) B65G 1/06 (2006.01) H01L 21/677 (2006.01) B25J 5/00 (2006.01)
도 1 명세서 도면의 간단한 설명 도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 비접촉 USB 리더기의 블럭도를 나타낸다. 도 2는 도 1의 비접촉 USB 리더기를 이용한 인프라 구축 시스템의 개략도를 나타낸다. 도 3은 도 1의 비접촉 USB 리더기를 이용한 이용 방법에 대한
(51) Int. Cl. G06K 7/00 (2006.01) (19)대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2006년11월01일 10-0639964 2006년10월24일 (21) 출원번호 10-2004-0077732 (65) 공개번호 10-2006-0028855 (22) 출원일자 2004년09월30일
브와 IP 인터콤의연결만으로시스템이간편하고용이하게확장될수있어확장성이증대되고, 특히선박에적용되어종래의 PA/GA 시스템구축에필요한많은전선에대한비용의절감과전선무게절감에의한선박중량감소로유류비의절감이도모될수있는기술적특징을갖는다. 본발명에따른이더넷기반 PA/GA 용인터콤스테이션
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) H04L 29/06 (2006.01) H04L 12/10 (2006.01) H04L 29/12 (2006.01) (52) CPC 특허분류 H04L 65/1013 (2013.01) H04L 12/10 (2013.01) (21) 출원번호 10-2016-0011139
위해충전효율및온도변화를측정하는신호측정센서층을포함하여구성되는것을그구성상의특징으로한다. 본발명은인체삽입형의료기기의성능평가용인체유사팬텀의제조방법에관한것으로서, 보다구체적으로는인체유사팬텀의제조방법으로서, (1) 정제수, 액체상태의아가로오스 (agarose) 및소듐클로라이드 (
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) A61B 6/00 (2006.01) (52) CPC 특허분류 A61B 6/583 (2013.01) (21) 출원번호 10-2015-0025541 (22) 출원일자 2015 년 02 월 24 일 심사청구일자 2015 년 02 월 24 일 (65) 공개번호 10-2016-0103273
3 년의혁신, 30 년의성장 보도자료 ( 금 ) 조간 ( 온라인 :00) 부터보도하여주시기바랍니다. 문의 : 원천연구과박진선과장 ( ), 김용만서기관 (
3 년의혁신, 30 년의성장 보도자료 http://www.msip.go.kr 2014. 7. 11( 금 ) 조간 ( 온라인 7. 10. 12:00) 부터보도하여주시기바랍니다. 문의 : 원천연구과박진선과장 (02-2110-2380), 김용만서기관 (02-2110-2381) 멀티스케일에너지시스템연구단최만수단장 (02-889-6669) 한국화학연구원화학소재연구본부석상일박사
<5BB0EDB3ADB5B55D32303131B3E2B4EBBAF12DB0ED312D312DC1DFB0A32DC0B6C7D5B0FAC7D02D28312E28322920BAF2B9F0B0FA20BFF8C0DAC0C720C7FCBCBA2D3031292D3135B9AEC7D72E687770>
고1 융합 과학 2011년도 1학기 중간고사 대비 다음 글을 읽고 물음에 답하시오. 1 빅뱅 우주론에서 수소와 헬륨 의 형성에 대한 설명으로 옳은 것을 보기에서 모두 고른 것은? 4 서술형 다음 그림은 수소와 헬륨의 동위 원 소의 을 모형으로 나타낸 것이. 우주에서 생성된 수소와 헬륨 의 질량비 는 약 3:1 이. (+)전하를 띠는 양성자와 전기적 중성인 중성자
(72) 발명자 김준기 경기 군포시 광정동 한양목련아파트 1226동 805호 유세훈 인천광역시 연수구 송도동 성지리벨루스 110동 50 1호 방정환 인천 연수구 연수동 578-1 고용호 인천광역시 연수구 해송로30번길 송도 웰카운티 4 단지 20 (송도동) 407동 4
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) H05K 3/34 (2006.01) B23K 1/19 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0091105 (22) 출원일자 2012년08월21일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 JP2004172398 A JP2004255426 A KR1020080083127
특허청구의 범위 청구항 1 알람을 출력하기 위한 출력 인터페이스; 사용자의 안구전도값을 측정하기 위한 안구전도 측정부; 및 상기 안구전도 측정부가 측정한 안구전도값을 이용하여 사용자의 졸음 상태를 감지하고, 그에 따라 상기 출력 인터페이스로 알람을 출력하는 졸음상태 판
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) A61B 5/0496 (2006.01) A61B 5/18 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0051767 (22) 출원일자 2009년06월11일 심사청구일자 2009년06월11일 (65) 공개번호 10-2010-0133070 (43) 공개일자 2010년12월21일
<4D F736F F D205FB8DEB8AEC3F720C1F6B8F1C7F65FBBEABEF75F4A4D485FBBEAC8ADB9B F FBCF6C1A42E646F63>
Industry Brief Analyst 지목현 (6309-4650) mokhyun.ji@meritz.co.kr 가전전자부품/디스플레이 2012. 11.28 Overweight Top pick LG디스플레이(034220) Buy, TP 40,000원 산화물TFT, 2013년 디스플레이의 뜨거운 감자 2013년 산화물TFT는 태블릿 중심으로 본격적인 적용 확대
이 발명을 지원한 국가연구개발사업 과제고유번호 20110026962 부처명 교육과학기술부 연구사업명 기초사업연구-일반연구자지원사업-기본연구지원사업(유형II) 연구과제명 시공간 부호 협력 통신을 위한 동기 알고리즘 연구 기 여 율 1/1 주관기관 서울시립대학교 산학협력단
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) H04J 11/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0038191 (22) 출원일자 2012년04월13일 심사청구일자 2012년04월13일 (65) 공개번호 10-2013-0115668 (43) 공개일자 2013년10월22일 (56) 선행기술조사문헌
슬라이드 1
GaN 기판제작공정 시스넥스기술연구소 박기연 내 용 1. 시스넥스및 HVPE 장비소개 2.GaN 기판제작개요 3. GaN Epi 공정 (HVPE 방법 ) 4. GaN LLO 공정 5. GaN polishing 공정 시스넥스소개 (4-1) 회사연혁및사업분야 2000. 05 회사설립 2001. 05 6x2 GaN MOCVD 개발 ( 국내및중국납품 ) 2004.
특허청구의 범위 청구항 1 일반전화를 이용한 위험 알림시스템 및 실시간 영상전송 장치에서 CID(콜백넘버) 장치를 포함한 서버 및 그 장 비를 포함하며, 영상서버와 연동한 형태를 상황실에 전송하여 출동하는 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 일반전화를 이용한 위험 알
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (11) 공개번호 10-2014-0008486 (43) 공개일자 2014년01월21일 (51) 국제특허분류(Int. Cl.) G08B 25/08 (2014.01) G08B 21/02 (2006.01) G08B 13/196 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0075069 (22) 출원일자
특허청구의 범위 청구항 1 횡방향으로 서로 이웃하는 제1 PC 패널과 제2 PC 패널이 횡방향으로 서로 접합되어 구축되는 건축구조물의 구조 벽체로서, 제1 PC 패널의 길이방향으로 하부측에는, 횡방향 측면이 상부측에서의 횡방향 측면보다 횡방향으로 더 돌출되어 있는 하부
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) E04B 2/56 (2006.01) E04B 2/72 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0008594 (22) 출원일자 2011년01월28일 심사청구일자 2011년01월28일 (65) 공개번호 10-2012-0087418 (43) 공개일자 2012년08월07일
그래핀투명전극 - OLED 전극활용 중앙대학교화학신소재공학부 김수영 인터넷의급속한발달로다양한형태의정보전달이가능해지고있으며, 이를구현해줄수있는디스플레이분야는매우중요한위치를차지하고있다. 최근몇년간 Liquid Crystal Display(LCD) 기술과 Plasma Dis
그래핀투명전극 - OLED 전극활용 중앙대학교화학신소재공학부 김수영 인터넷의급속한발달로다양한형태의정보전달이가능해지고있으며, 이를구현해줄수있는디스플레이분야는매우중요한위치를차지하고있다. 최근몇년간 Liquid Crystal Display(LCD) 기술과 Plasma Display Panel(PDP) 의상용화가급속히이루어지면서기존의브라운관을대체해가고있다. 특히,
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1. Sputter Film 형성 2. Gate Al 공정 3. S/D Al, Mo 공정 4. Cu 배선 5. 투명전도막 1 1) Gate 배선재료요구특성 Gate 배선물질로서요구되는특성과사용예는다음과같다. 구분재료의요구특성사용 Metal Gate 전극및배선 Glass와의밀착력우수 (Adhesion) Etching 가공성우수 배선저항이작을것 TCO (IZO
Alloy Group Material Al 1000,,, Cu Mg 2000 ( 2219 ) Rivet, Mn 3000 Al,,, Si 4000 Mg 5000 Mg Si 6000, Zn 7000, Mg Table 2 Al (%
http://wwwtechnonetcokr (Aluminum & Aluminum BasedAlloy) : LG 1 Aluminum Table 1, 2 1000 7000 4 Al 990% Al 1XXX AlCu 2XXX AlMn 3XXX AlSi 4XXX AlMg 5XXX AlMgSi 6XXX AlZn(Mg, Cu) 7XXX 8XXX ( ) 9XXX Fig 1
특허청구의 범위 청구항 1 제 1 도전형 기판을 준비하는 제 1 도전형 기판 준비 단계; 상기 제 1 도전형 기판에 포토 레지스트를 패터닝하여 마이크로 와이어를 형성하는 마이크로 와이어 형성 단계; 상기 마이크로 와이어가 형성되지 않은 영역에 나노 와이어를 형성하는 나
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 2014년02월26일 (11) 등록번호 10-1366740 (24) 등록일자 2014년02월18일 (51) 국제특허분류(Int. Cl.) H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0119306 (22) 출원일자 2012년10월25일
<4D F736F F F696E74202D20352E20C7D1BFEBB1D420B0F8C1A4B1E2C3CAB1B3C0B B3E22031BFF929>
Plasma Display Panel 의공정기술 한용규 dbgmaco79@gmail.com Charged Particle Beam & Plasma Lab. / PDP Research Center Department of Electrophysics, Kwangwoon University, Seoul, Korea Contents 1. 개요 2. PDP의구조 3.
(72) 발명자 강경태 서울서초구반포본동반포주공아파트 110 동 105 호 강희석 경기용인시수지구풍덕천동삼성쉐르빌 102 동 202 호 박문수 경기용인시기흥구신갈동도현마을현대 호 박승인 경기수원시영통구영통동 층 - 2 -
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) B81B 7/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0007106 (22) 출원일자 2007 년 01 월 23 일 심사청구일자 2007 년 01 월 23 일 (65) 공개번호 10-2008-0069416 (43) 공개일자 2008 년 07 월 28 일 (56)
대 표 도 - 2 -
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (11) 공개번호 10-2013-0062307 (43) 공개일자 2013년06월12일 (51) 국제특허분류(Int. Cl.) G06Q 30/02 (2012.01) (21) 출원번호 10-2013-0053925(분할) (22) 출원일자 2013년05월13일 심사청구일자 2013년05월13일 (62) 원출원
항은 발명의 상세한 설명에는 그 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자 (이하 통상의 기술자 라고 한다)가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 그 발명의 목적 구성 및 효과를 기재하여야 한다고 규정하고 있다. 이는 특허출원된 발명의 내용을 제 3자가 명세서만으로
대 법 원 제 2 부 판 결 사 건 2013후518 권리범위확인(특) 원고, 상고인 코오롱인더스트리 주식회사 소송대리인 변리사 경진영 외 2인 피고, 피상고인 토요보 가부시키가이샤(변경 전: 토요 보세키 가부시키가이샤) 소송대리인 변호사 박성수 외 4인 원 심 판 결 특허법원 2013. 1. 25. 선고 2012허6700 판결 판 결 선 고 2015. 9.
특허청구의범위청구항 1 화재감시시스템에있어서, 상용전원 (AC 200V) 과수소전지나리듐이온배터리를예비전원으로함께사용하는전원부 (1) 와 ; 유선감지기 (7) 의경우저항을거쳐온 DC 24V 전압및전류를이용하여포토커플러 PC-1의출력 LOW 또는 HIGH의변화로단선유무를
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2010년03월23일 (11) 등록번호 10-0949176 (24) 등록일자 2010년03월16일 (51) Int. Cl. G08B 25/00 (2006.01) G08B 25/10 (2006.01) G08B 17/06 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0058586
(72) 발명자 최석문 서울관악구봉천 6 동우성아파트 장범식 경기성남시분당구정자동한솔마을청구아파트 110 동 301 호 정태성 경기화성시반월동신영통현대 4 차아파트
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H01L 23/12 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0057147 (22) 출원일자 2007 년 06 월 12 일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 JP2004014722 A US6861288 B2 2007 년 06 월 12 일 (45) 공고일자 2008년10월24일
특허청구의범위청구항 1 환경미화에사용되는청소차량의배기통의열을이용해가열매체를가열시키는상기배기통을감싸도록형성되는히팅관 ; 상기청소차량수거함에발생되는오수의결빙을방지할수있도록상기히팅관을통해가열된공기로이루어진가열매체의열을상기수거함으로전달하는가열부 ; 상기가열매체가상기히팅관에서가
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) B65F 3/02 (2006.01) B65F 3/00 (2006.01) B65F 7/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0023273 (22) 출원일자 2009 년 03 월 18 일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 KR100172217 B1* KR100284275
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교육문의 : 031-546-6245( 수원 ), 054-479-2185( 구미 ), 052-217-2640( 울산 ) 일월화수목금토 1 2 3 4 5 6 7 나노내부결정분석 8 9 10 11 12 13 14 나노박막증착공정 15 16 17 18 19 20 21 나노표면특성분석 나노결정물질구조및성분분석기술 22 23 24 25 26 27 28 29 30 나노광소자공정
특허청구의 범위 청구항 1 고유한 USB-ID를 가지며, 강제 포맷이나 프로그램 삭제가 불가능한 CD영역과 데이터의 읽기, 쓰기가 가능한 일 반영역으로 분할되어 있고 상기 CD영역에 임산부 도우미 프로그램이 임산부 PC(200)에 연결되면 자동 설치 및 실행되게 탑재된
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (11) 공개번호 10-2010-0042502 (43) 공개일자 2010년04월26일 (51) Int. Cl. G06Q 50/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0101675 (22) 출원일자 2008년10월16일 심사청구일자 전체 청구항 수 : 총 13 항 2008년10월16일 (71)
(72) 발명자 허대영 울산광역시울주군범서읍천상리경동태원하이빌아파트 108 동 202 호 지한나 울산광역시남구옥동 번지 - 2 -
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) A61H 23/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0091947 (22) 출원일자 2008 년 09 월 19 일 심사청구일자 2008 년 09 월 19 일 (65) 공개번호 10-2010-0033002 (43) 공개일자 2010 년 03 월 29 일 (56)
유기 발광 다이오드의 전하주입 효율 향상을 통한 발광효율 향상 연구
- i - - ii - - iii - - iv - - v - - vi - 그림차례 - vii - - viii - - 1 - 5). - 2 - - 3 - 유기발광다이오드 ( 고분자또는저분자 ) 무기발광다이오드 (p-n junction LED) - + cathode ETL EML HTL HIL anode 발광 두께 : 100 ~ 200 nm 양극 ( 투명전극,
특허청구의범위청구항 1 강화상이포함된 Al-Si계합금을가열하여용융시켜용탕을제조하는단계 ( 단계 1); 상기단계 1에서제조된용탕에금속잉곳또는합금잉곳을첨가한후교반하여혼합용탕을제조하는단계 ( 단계 2); 및상기단계 2에서제조된혼합용탕을가스와함께분무하여금속복합분말을제조하는단계
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 10-2011-0067910 (43) 공개일자 2011년06월22일 (51) Int. Cl. B22F 9/08 (2006.01) B22F 1/00 (2006.01) B22D 27/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0124694 (22) 출원일자 2009 년 12
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강의개요 Chapter 4 Reactions in Aqueous Solution ( 수용액중의반응 ) 농도의종류와계산 수용액중의반응 Pb(NO 3 (aq) + 2KI (aq) HCl (aq) + NaOH (aq) Alka-Selter/Water Cu wire/ag(no 3 ) (aq) 침전반응산 - 염기중화반응기체생성반응산화환원반응 용액 (Solution)
(71) 출원인 나혜원 대구 달서구 도원동 1438 대곡사계절타운 305-1502 나혜리 대구 달서구 도원동 1438 대곡사계절타운 305-1502 (72) 발명자 나혜원 대구 달서구 도원동 1438 대곡사계절타운 305-1502 나혜리 대구 달서구 도원동 1438 대
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) E02D 17/20 (2006.01) E02B 3/12 (2006.01) E02D 3/10 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0131302 (22) 출원일자 2008년12월22일 심사청구일자 전체 청구항 수 : 총 4 항 (54) 제직형 지오셀 2008년12월22일
특허청구의범위청구항 1 구리나노콜로이드 ; 구리염 ; 및폴리비닐피롤리돈, 에틸렌디아민, 및디에틸렌아민을포함하는군으로부터선택되고, 상기구리염과반응을일으킬수있는고분자 ; 를포함하는전도성금속잉크를인쇄하여제조되는전도성금속막. 청구항 2 삭제청구항 3 제1항에있어서, 상기구리나
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B22F 7/02 (2006.01) B22F 3/10 (2006.01) B22F 9/02 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-0121967 (22) 출원일자 2010 년 12 월 02 일 심사청구일자 2010 년 12 월 02 일 (65) 공개번호
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) C08G 85/00 ( ) C08J 5/14 ( ) (21) 출원번호 (22) 출원일자 2008 년 10 월 16 일 심사청구일자
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) C08G 85/00 (2006.01) C08J 5/14 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0101580 (22) 출원일자 2008 년 10 월 16 일 심사청구일자 2008 년 10 월 16 일 (65) 공개번호 10-2010-0042436 (43) 공개일자
물 1 리터당 5 내지 200g/l 의농도를갖는크롬화물및물 1 리터당 30 내지 200 ml /l 의농도를갖는불화물을포함하는, 금속소재에도금된주석또는주석합금의박리조성물. 청구항 2. 제 1 항에있어서, 상기금속소재는구리또는구리합금소재인것을특징으로하는주석또는주석합금의박리
(51) Int. Cl. C23F 1/26 (2006.01) C23F 1/16 (2006.01) (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2007 년 04 월 24 일 10-0710481 2007 년 04 월 16 일 (21) 출원번호 10-2004-0068850 (65) 공개번호 10-2006-0020100
특허청구의범위청구항 1 청소차량의적재함에적재되는쓰레기로부터발생되는오수를처리하는오수탱크에있어서, 상기오수탱크내의오수결빙을방지하도록오수탱크를가열하는제1 가열부 ; 상기적재함과상기오수탱크를연결하는오수관내의오수결빙을방지하도록상기오수관을가열하는제2 가열부 ; 상기오수탱크로유입되
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) B65F 3/02 (2006.01) B65F 3/00 (2006.01) B65F 7/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0023275 (22) 출원일자 2009 년 03 월 18 일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 KR100157834 B1* KR100172217
(b) 미분기 (c) 적분기 그림 6.1. 연산증폭기연산응용회로
Lab. 1. I-V Characteristics of a Diode Lab. 6. 연산증폭기가산기, 미분기, 적분기회로 1. 실험목표 연산증폭기를이용한가산기, 미분기및적분기회로를구성, 측정및 평가해서연산증폭기연산응용회로를이해 2. 실험회로 A. 연산증폭기연산응용회로 (a) 가산기 (b) 미분기 (c) 적분기 그림 6.1. 연산증폭기연산응용회로 3. 실험장비및부품리스트
96 경첩들어올림 347 타입 A Ø 타입 B Ø 신속하고쉬운도어탈착 모든금속구조재질및마감처리강철, 아연도금또는스테인리스스틸
96 경첩들어올림 347 6.35.1 Ø 6.35 31.7 25.4.1 6.35 25.4.1 6.35.1 Ø 6.35 6.35 31.7 모든금속구조강철, 아연도금또는스테인리스스틸 63.5 50.8 50.8 50.8 63.5 50.8 Ø 3.2 Ø 3.2 25.4 20.8 20.8 25.4 1.27 1.27 1.27 1.27 50.8 4 x Ø 3.2±0.1
(72) 발명자 김우년 서울특별시강남구논현동 275 동부센트레빌 김웅 서울특별시강남구도곡 1 동 벨라빌 701 호 박종래 서울특별시관악구봉천 7 동산 4-2 서울대교수아파트 122G 동 201 호 박민 서울특별시노원구중계동건영아파트 103-6
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H01L 29/786 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0047693 (22) 출원일자 2008 년 05 월 22 일 심사청구일자 2008 년 05 월 22 일 (65) 공개번호 10-2009-0121677 (43) 공개일자 2009 년 11 월 26 일
(72) 발명자 김종훈 서울특별시동대문구전농 3 동 67-3 이승구 서울특별시노원구중계 4 동주공 2 단지아파트 206 동 211 호 - 2 -
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 10-2013-0097339 (43) 공개일자 2013년09월03일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C12Q 1/68 (2006.01) G01N 27/26 (2006.01) C12N 15/115 (2010.01) B82Y 15/00 (2011.01) (21) 출원번호 10-2012-0018925
명세서청구범위청구항 1 일단이아래로경사지게형성되고타단의측면은제 1 링크 (11) 및제 2 링크 (12) 를갖는원형링크 (13) 의상기제 2 링크에연결되고상기원형링크를매개로회전가능한사용자의안착을위한좌석 (10); 일단이상기좌석의일단과상응하게아래로경사지게형성되고제 3 링크
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) A61G 5/14 (2006.01) A47C 7/62 (2006.01) (21) 출원번호 10-2014-0162951 (22) 출원일자 2014 년 11 월 20 일 심사청구일자 전체청구항수 : 총 6 항 2016 년 05 월 19 일 (11) 공개번호 10-2016-0060891
(72) 발명자 황병준 강원도원주시단계동 강경태 서울시서초구반포본동반포주공아파트 110 동 10 5 호 이낙규 인천광역시연수구송도동 23-3 더샵센트럴파크 동 902 호 조영준 경기도용인시기흥구보정동연원마을삼성명가타운아파트 110 동 1303 호
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C23F 13/00 (2006.01) C23F 13/04 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0139800 (22) 출원일자 2011 년 12 월 22 일 심사청구일자 2011 년 12 월 22 일 (65) 공개번호 10-2013-0072406
특허청구의 범위 청구항 1 몸체(110)의 일측에는 테스트의 필요성에 따라 여타한 디젤 자동차(100)에서 분리시킨 상태의 분리형 커먼레일 인젝트(110)를 고정할 수 있는 분리형 인젝터 고정부(20)가 구비되고, 그 고정부(20)의 하측에는 분리형 커먼 레일 인젝터(
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (11) 공개번호 10-2010-0038259 (43) 공개일자 2010년04월14일 (51) Int. Cl. G01M 15/09 (2006.01) G01M 15/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0097443 (22) 출원일자 2008년10월04일 심사청구일자 전체 청구항 수 :
C# Programming Guide - Types
C# Programming Guide - Types 최도경 lifeisforu@wemade.com 이문서는 MSDN 의 Types 를요약하고보충한것입니다. http://msdn.microsoft.com/enus/library/ms173104(v=vs.100).aspx Types, Variables, and Values C# 은 type 에민감한언어이다. 모든
소성해석
3 강유한요소법 3 강목차 3. 미분방정식의근사해법-Ritz법 3. 미분방정식의근사해법 가중오차법 3.3 유한요소법개념 3.4 편미분방정식의유한요소법 . CAD 전처리프로그램 (Preprocessor) DXF, STL 파일 입력데이타 유한요소솔버 (Finite Element Solver) 자연법칙지배방정식유한요소방정식파생변수의계산 질량보존법칙 연속방정식 뉴톤의운동법칙평형방정식대수방정식
특허청구의범위청구항 1 투입된음식물을분쇄하는분쇄기 ; 상기분쇄된음식물을가열할수있는마그네트론 ; 및탈취작용을하는저온촉매필터를포함하는음식물처리기에있어서, 상기마그네트론이상기저온촉매필터를일정온도로가열할수있는것을특징으로하는, 청구항 2 제 1 항에있어서, 상기음식물처리기는상기
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) F26B 3/347 (2006.01) F23G 5/00 (2006.01) B09B 3/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0104077 (22) 출원일자 2009 년 10 월 30 일 심사청구일자 (30) 우선권주장 없음 2020090010354 2009