보도자료 보도일시 ( 목) 조간( 온라인 :00) 부터보도해주시기바랍니다. 배포일시 ( 수) 9:00 담당부서융합기술과 담당과장최미정 ( ) 담당자박지

Size: px
Start display at page:

Download "보도자료 보도일시 ( 목) 조간( 온라인 :00) 부터보도해주시기바랍니다. 배포일시 ( 수) 9:00 담당부서융합기술과 담당과장최미정 ( ) 담당자박지"

Transcription

1 보도자료 보도일시 ( 목) 조간( 온라인 :00) 부터보도해주시기바랍니다. 배포일시 ( 수) 9:00 담당부서융합기술과 담당과장최미정 ( ) 담당자박지현사무관 ( ) 연구자 한국과학기술원박병국교수 ( ) 고려대학교이경진교수 ( ) 차세대메모리핵심소재개발성공 - 기존 SRAM 메모리한계를뛰어넘는비휘발성, 고속, 고집적소재 - 미래창조과학부( 장관최양희 ) 는국내대학연구진이차세대자성 메모리 (MRAM) 의속도및집적도를동시에향상시키는소재기술 개발에성공하였다고밝혔다. 박병국교수( 한국과학기술원) 와이경진교수( 고려대) 공동연구 팀의연구결과는나노기술분야의최고권위의학술지인네이쳐 나노테크놀러지 (Nature Nanotechnology) 7월 11일자에게재되었다. o 논문명과저자정보는다음과같으며 미래소재디스커버리사업의 스핀궤도소재연구단( 단장고려대김영근) 의지원을받아연구를 수행하였다. - 논문명 : Field-free switching of perpendicular magnetization through spin-orbit torque in antiferromagnet/ferromagnet/oxide structures - 저자정보 : 오영완, 백승헌( 공동제1 저자, 한국과학기술원박사과정), 김영민, 이해연, 이경동( 한국과학기술원), 양창근, 박은상, 이기승, 고경춘 ( 고려 대학교), 김경완(NIST), 정종율교수( 충남대학교), 민병철박사( 한국과학기술 연구원), 이현우교수( 포항공과대학교) 이경진교수( 공동교신저자, 고려 대학교), 박병국교수( 공동교신저자, 한국과학기술원) 포함총 15명

2 자성메모리 (MRAM) 는실리콘을기반으로한기존반도체메모리와달리얇은자성박막으로만들어진새로운비휘발성메모리소자로서외부전원공급이없는상태에서정보를유지할수있으며고속동작과집적도를높일수있다. 이러한특성때문에메모리패러다임을바꿀새로운기술로전세계여러반도체업체에서개발경쟁을벌이고있는차세대메모리이다. 개발경쟁의대상이되는핵심기술중하나는메모리동작속도를더높이면서도고집적도를동시에구현하는기술이다. 현재까지개발된자성메모리 (MRAM) 기술에의하면동작속도를최고치로유지하는경우집적도가현저히떨어지는문제가있었다. 현연구팀은동작속도를기존자성메모리(MRAM) 기술보다 10배 이상빠르고고집적도를달성할수있는새로운기술을개발하였다. o 본연구의기술이적용될수있는차세대메모리로주목받고있는 일반적스핀궤도토크기반의자성메모리 (MRAM) 경우, 정보기 록을위해중금속/ 강자성물질의스핀궤도결합을이용한다. 하지 만기존에사용되는백금(Pt) 또는텅스텐(W) 의경우외부자기장 을걸어주어야하는제약이있었는데, 연구팀은이리듐-망간 (IrMn) 합금과같은 새로운반강자성소재를도입하여반강자성 / 강자성물질의교환결합을이용해외부자기장없이고속, 저 전력동작이가능한기술을개발하였다. o 스핀궤도토크자성메모리(MRAM) 는컴퓨터또는스마트폰에쓰이는 SRAM 보다 10 배이하로전력소모를낮출수있고, 비휘발성특성 으로저전력을요구하는모바일, 웨어러블, 또는사물인터넷(IoT) 용 메모리로활용가능성이높다.

3 박병국교수는 본연구는차세대메모리로써각광받고있는자성 메모리 (MRAM) 의구현가능성을한걸음더발전시킨것에의미가 있고, 추가연구를통해기록성능이뛰어난신소재개발에주력할 예정이다. 라고밝혔다. < 참고자료> : 1. 연구결과개요 2. 용어설명 3. 연구이야기 4. 그림설명 5. 연구진이력사항 이자료에대하여더욱자세한내용을원하시면미래창조과학부박지현사무관( ) 에게연락주시기바랍니다.

4 연구결과개요 1. 연구배경 ㅇ현재사용되는반도체구조에서는논리소자와메모리소자가공간적 으로단절되어있기때문에소자간의긴신호지연이불가피하다. 비휘발성메모리인 또한 SRAM의사용은정보유지를위한지속적인전력 공급으로인해높은전력소모의문제점을야기한다. 이와더불어현재 사용되는컴퓨터 CPU 및스마트폰 AP는 SRAM 소자의개수와그 성능이비례하기때문에소자성능향상을위해서는지속적으로메모리 면적의증가가요구되고있다. 걸림돌이되고있다. 이러한문제는소자고집적화에큰 ㅇ논리소자에메모리기능을탑재한로직메모리(logic-in-memory) 위에서언급된문제점을해결하는하나의대안이될수있다. 소자는 이소자를 구현하기위해서는기본적으로비휘발성이면서고속동작이가능한 메모리소자가필요하다. 예를들어현재널리사용되는 Flash 메모 리는비휘발성이긴하나동작속도가느려빠른정보처리가필요한 논리소자의장점을상쇄하기때문에대안이될수없다. ㅇ따라서비휘발성이면서고속동작및저전력이가능한메모리소자의 개발이필요하다. 전자의스핀과궤도간의상호작용을이용하는스핀 궤도토크(Spin orbit torque, SOT) 기반자성메모리(MRAM) 의경우상기 언급된특성을모두만족시키기때문에차세대메모리로의연구가치가 높다고평가된다. ㅇ SOT 기반소자는스핀홀또는라쉬바현상에의해발생하는스핀전류로강자성체의자화방향을제어한다. SOT 소자에서는일반적으로스핀홀 각도가큰중금속소재가주로연구되고있다. 하지만이경우외부자기장인가가필수인데, 이는고집적소자개발에있어서치명적인약점으로작용하기때문에이를극복하기위한해결방안이필요하다.

5 2. 연구내용 ㅇ SOT-MRAM 의경우강한스핀궤도결합을갖는원자번호가큰백금 (Pt), 텅스텐(W), 탄탈륨(Ta) 등의중금속을기반으로중금속/ 강자성소재 구조에대한연구가주로진행되어왔다. 이러한중금속/ 강자성구조 에서는소자구동에있어서외부자기장이필수적이다. ㅇ본연구에서는이러한한계를극복하기위해중금속대신반강자성 소재를도입하여반강자성/ 강자성계면에존재하는교환결합을이용 하는독창적인방법을고안했다. 이러한교환결합에서발생하는유효 자기장으로소자동작에필요한외부자기장을대체할수있다. ㅇ본연구팀은강한스핀궤도결합을가지고있는반강자성물질인 IrMn( 이리듐- 망간합금) 과강자성체인 CoFeB( 코발트-철- 붕소합급) 을 이용해이중층을구조를제작하고반강자성 / 강자성계면에서교환결합 자기장을유도하기위해면방향으로강한자기장을인가하면서열처 리를진행하였다. 이러한실험결과 IrMn/CoFeB 구조에서교환결합력의 존재를확인할수있었고기존중금속기반소자와버금가는크기의 스핀궤도토크를관찰할수있었다. ㅇ본연구진은여기에서한걸음더나아가외부자기장없이동작하는 3. 기대효과 다양한소재구조제작에성공하였다. 특히강자성/ 반강자성/ 강자성 3 층 구조는앞서제시한반강자성/ 강자성이중층구조에비해좀더큰 교환결합자기장을얻을수있었고더안정적인소자구동이가능함을 확인하였다. ㅇ현재논리소자의성능향상을위해 SRAM 캐시메모리의용량이증가 하고있으나이는휘발성소자의사용증가로인한누설전류의증가를 야기하고이로인해칩의전력소모에매우큰영향을미치게된다. 만약이를 증가하더라도 진다. SOT-MRAM 으로대체할경우비휘발성특성때문에용량이 SRAM 과달리누설전류가없어저전력/ 고집적이가능해

6 ㅇ또한기존논리소자위에 3D 적증이가능해지기때문에현재사용되는 반도체구조보다훨씬더작은면적의칩구현이가능해지며, 특히 SOT-MRAM 은웨어러블, 모바일, 바이오센서및 IoT 와같은저전력동작을 요구하는전자기기의발전에기여를할것으로판단된다. ㅇ국내반도체산업은 DRAM, Flash 등메모리반도체에서지속적으로 세계시장을선도해오고있다. 그러나최근중국의대규모메모리반도체 투자에따른위협이가시화되고있다. 이번연구결과로원천기술 선점과특허확보를통해, 메모리산업의주도권강화와더불어비메모리 논리소자부분의시장을확장하는데일조할수있을것으로판단된다.

7 용어설명 1. MRAM (Magnetic Random Access Memory) 비휘발성메모리의한종류인자성메모리로기존실리콘기반의 메모리와는다르게얇은자성박막의자화방향에의해데이터가 저장된다. 일반적으로자기터널접합구조인강자성/ 산화막/ 강자성 구조에서두개의강자성체의상대적인자화방향 ( 평행, 반평행) 상태에따라두가지의상태 (0,1) 로표현된다. 2007년노벨 물리학상이수여된거대자기저항현상을기본으로하는메모리 구조이다. 2. 스핀궤도토크 (Spin-orbit Torque) 전자의스핀(Spin) 과궤도(Orbit) 간의상호작용을기반으로하는 새로운물리적원리로, 강자성체와인접한금속도체에흐르는 전류에서발생하는스핀토크에의해자성정보를제어하게된다. 일반적으로원자번호가큰물질일수록스핀궤도토크의크기가 크다고알려져있기때문에주로중금속이금속도체로활용되고 있다. 3. 반강자성체 (Antiferromagnet) 한쪽방향으로자화되는강자성체와달리전자의스핀이인접한 스핀과균일하게반대로정렬되어있는자기적특성을가지는 물질로, 반강자성/ 강자성계면에서생기는교환결합을이용하여 강자성체의자화방향을조절할수있다. 교환결합은반강자성/ 강자성계면에서반강자성물질의일정한스핀 정렬에의해유효자기장이인가되어강자성물질의자화를특정 방향으로정렬시키는현상이다.

8 연구이야기 연구를시작한계기나배경은? 최근자성재료분야에서가장활발하게연구되고있는분야가스핀궤도토크와반강자성스핀트로닉스이다. 본연구는스핀궤도토크를실제메모리소자적용에문제점으로지적되는외부자기장문제해결을위해시작되었고, 반강자성스핀트로닉스기술을도입하므로성공적인연구결과를얻을수있었다. 연구전개과정에대한소개 본연구팀에서는 2012 년부터다양한중금속/ 강자성구조에서스핀궤도토크에대한 실험및이론연구를시작하였고, 2014년중견연구자사업의지원을받아반강자성 물질에서의스핀거동에관한연구를수행하였다. 이러한선행연구결과를바탕으로 2015 년미래소재디스커버리사업단의지원을받아반강자성물질의교환결합으로 스핀궤도토크소자의외부자기장을대체하는연구를본격적으로수행하였다. 결과반강자성물질을기반으로한스핀궤도토크소자를개발하였고, 외부자기장을 걸어줄필요가없는단순한구조의차세대자성메모리기록방식개발에성공하게 되었다. 그 연구하면서어려웠던점이나장애요소가있었다면무엇인지? 어떻게극복( 해결) 하였는지? 반강자성물질에서의스핀궤도토크연구는기존에연구되지않은분야이기때문에실험결과의올바른해석과예측을위해서는스핀궤도토크와반강자성물질에대한깊은이해와이론적인모델링등의연구가동반되어야했고, 또한이를증명하기위한고성능자성특성측정기술이요구되었다. 본연구에서는이러한문제를해결하기위해서이론그룹과공동연구를수행하였고, 국내최고측정장비를보유한한국과학기술연구원에서물질특성을분석할수있었다. 논문의저자를보면알수있듯이본연구는국내연구진만으로구성된공동연구로진행되었고, 다양한기관과학교의도움으로성공적인연구결과를얻을수있었다. 특히미래소재디스커버리사업스핀궤도소재연구단이시작되면서공동연구가활성화되어연구수행에큰도움이되었고, 이기회를통해앞으로도더활발한공동연구를진행할것을기대하고있다.

9 이번성과, 무엇이다른가? 최근발견된스핀궤도토크현상을반도체소자와융합하여저전력소모, 고집적이가능한자성메모리기록기술개발을위한연구를수행하였다. 본연구는반강자성특성을갖는새로운소재를도입하여스핀궤도토크메모리소자구동에서약점으로작용하는외부자기장인가문제점을해결하였다. 이와더불어강자성/ 반강자성 / 강자성등다양한소재구조를제시하여정보기록의안정성을높이는기술을개발하였다. 꼭이루고싶은목표와, 향후연구계획은? 현재국내자성재료연구수준은세계적으로도인정받고있다. 또한국내반도체메모리 산업역시세계 1 위를달리고있다. 따라서지속적인연구개발을통해자성메모리연구 개발및궁극적으로는상용화에앞장서고싶다.

10 그 림 설 명 [그림 1] 스핀궤도토크(SOT) 기반 자성메모리(MRAM)의 개략도. 반강자 성(IrMn)/ 강자성(CoFeB) 계면에 존재하는 교환결합을 이용하여 외부 자기장 없이 소자구동 가능함. 반강자성 물질(IrMn) 내부에는 전자의 스핀이 인접한 스핀과 균일하게 반대로 정렬되어 있음. [그림 2] 스핀궤도토크에 의해 강자성 물질의 스핀 방향을 제어하는 소자개략도 및 주요 실험 결과. 외부자기장 없이 전류의 극성에 따라 스핀의 방향 제어 가능함을 보임.

11 연구진 이력사항 오영완 백승헌 박병국 교수 이경진 교수 한국과학기술원 박사과정 (공동 제1저자) 한국과학기술원 박사과정 (공동 제1저자) 한국과학기술원 신소재공학과 (공동 교신저자) 고려대학교 신소재공학과 KU-KIST융합대학원 이현우 교수 민병철 박사 정종율 교수 포항공과대학교 물리학과 한국과학기술연구원 스핀융합연구단 충남대학교 신소재공학과 (공동 교신저자)

발행일 발행처융합연구정책센터 2018 MARCH vol.113 Technology Industry Policy 만물인터넷을위한스핀트로닉스기반초저전력초고속통신소자 우성훈 김보림한국과학기술연구원 융합연구정책센터스핀융합연구단

발행일 발행처융합연구정책센터 2018 MARCH vol.113 Technology Industry Policy 만물인터넷을위한스핀트로닉스기반초저전력초고속통신소자 우성훈 김보림한국과학기술연구원 융합연구정책센터스핀융합연구단 발행일 2018. 03. 19 발행처융합연구정책센터 2018 MARCH vol.113 Technology Industry Policy 만물인터넷을위한스핀트로닉스기반초저전력초고속통신소자 우성훈 김보림한국과학기술연구원 융합연구정책센터스핀융합연구단 Technology 융합연구정책센터 Weekly TIP Industry Policy 만물인터넷을위한스핀트로닉스기반초저전력초고속통신소자우성훈

More information

< C6AFC1FD20BFF8B0ED2DB1B8C7F6C3B62E687770>

< C6AFC1FD20BFF8B0ED2DB1B8C7F6C3B62E687770> 스핀트로닉스 스핀트랜지스터 DOI: 10.3938/PhiT.19.038 구현철 장준연 한석희 엄종화 Spin Transistor Hyun Cheol KOO, Joonyeon CHANG, Suk Hee HAN and Jonghwa EOM Controlling not only the charges but also the spins of electrons, spintronic

More information

?

? 2015. MAY VOL. 123 IBK Economic Research Institute CONTENTS 2015. May vol.123 M MANAGEMENT LOUNGE 022 024 026 028 E ECONOMY LOUNGE 030 034 036 038 C CEO LOUNGE 044 042 046 BUSINESS MANUAL 014 016 020 B

More information

목 차 < 요약 > Ⅰ. 검토배경 1 Ⅱ. 반도체산업이경기지역경제에서차지하는위상 2 Ⅲ. 반도체산업이경기지역경제에미치는영향 7 Ⅳ. 최근반도체산업의여건변화 15 Ⅴ. 정책적시사점 26 < 참고 1> 반도체산업개관 30 < 참고 2> 반도체산업현황 31

목 차 < 요약 > Ⅰ. 검토배경 1 Ⅱ. 반도체산업이경기지역경제에서차지하는위상 2 Ⅲ. 반도체산업이경기지역경제에미치는영향 7 Ⅳ. 최근반도체산업의여건변화 15 Ⅴ. 정책적시사점 26 < 참고 1> 반도체산업개관 30 < 참고 2> 반도체산업현황 31 반도체산업이경기지역경제에 미치는영향및정책적시사점 한국은행경기본부 목 차 < 요약 > Ⅰ. 검토배경 1 Ⅱ. 반도체산업이경기지역경제에서차지하는위상 2 Ⅲ. 반도체산업이경기지역경제에미치는영향 7 Ⅳ. 최근반도체산업의여건변화 15 Ⅴ. 정책적시사점 26 < 참고 1> 반도체산업개관 30 < 참고 2> 반도체산업현황 31 i / ⅶ ii / ⅶ iii / ⅶ iv

More information

<464B4949B8AEC6F7C6AE2DC0AFBAF1C4F5C5CDBDBABBEABEF7C8AD28C3D6C1BE5FBCD5BFACB1B8BFF8BCF6C1A4292E687770>

<464B4949B8AEC6F7C6AE2DC0AFBAF1C4F5C5CDBDBABBEABEF7C8AD28C3D6C1BE5FBCD5BFACB1B8BFF8BCF6C1A4292E687770> 국내 유비쿼터스 사업추진 현황 본 보고서의 내용과 관련하여 문의사항이 있으시면 아래로 연락주시기 바랍니다. TEL: 780-0204 FAX: 782-1266 E-mail: minbp@fkii.org lhj280@fkii.org 목 차 - 3 - 표/그림 목차 - 4 - - 1 - - 2 - - 3 - - 4 - 1) 유비쿼터스 컴퓨팅프론티어사업단 조위덕 단장

More information

보도자료 2014 년국내총 R&D 투자는 63 조 7,341 억원, 전년대비 7.48% 증가 - GDP 대비 4.29% 세계최고수준 연구개발투자강국입증 - (, ) ( ) 16. OECD (Frascati Manual) 48,381 (,, ), 20

보도자료 2014 년국내총 R&D 투자는 63 조 7,341 억원, 전년대비 7.48% 증가 - GDP 대비 4.29% 세계최고수준 연구개발투자강국입증 - (, ) ( ) 16. OECD (Frascati Manual) 48,381 (,, ), 20 보도자료 2014 년국내총 R&D 투자는 63 조 7,341 억원, 전년대비 7.48% 증가 - GDP 대비 4.29% 세계최고수준 연구개발투자강국입증 - (, ) 2014 10 30() 16. OECD(Frascati Manual) 48,381 (,, ), 2014,. * 통계법국가승인지정통계 ( 제 10501 호 ) 로서 1963 년에최초실시된이래, 매년시행하고있는전국

More information

<4D F736F F D20B8DEB8F0B8AEB4C220BCD6B7E7BCC7C0B8B7CE20C1F8C8ADC7D1B4D9212E646F63>

<4D F736F F D20B8DEB8F0B8AEB4C220BCD6B7E7BCC7C0B8B7CE20C1F8C8ADC7D1B4D9212E646F63> Industry Brief Analyst 이세철 (6309-4523) seicheol.lee@meritz.co.kr 2012. 9. 25 반도체 Overweight 메모리는솔루션으로진화한다! Top Picks 삼성전자 (005930) Buy, TP 1,800,000원 SK 하이닉스 (000660) Buy, TP 33,000 원 결론 - 메모리산업은 Commodity

More information

hwp

hwp 자기메모리 (MRAM) 기술의동향과발전전망 김영근 서 론 기능화를목표로지속적인개발이요구되고있다. MRAM(Magnetic Random Access Memory) 은자기저항 (Magnetoresistance) 이라는양자역학적효과를이용한기억소자로서, 전원이꺼져도기록된정보가지워지지않는비휘발성 (Nonvolatile) 소자로서고속정보처리가가능한차세대통합형정보저장소자의대표주자중하나이다.

More information

Monitoring Report 2008-14_SSD 시장동향.hwp

Monitoring Report 2008-14_SSD 시장동향.hwp IT 부품 Monitoring Report 08-14 SSD(Solid State Drive)시장의 개화 SSD(Solid State Drive)시장의 개화 1. SSD(Solid State Drive)의 개념 SSD(Solid State Drive)는 비휘발성인 NAND Flash Memory와 제어 역할을 하는 Controller가 결합해 만들어지는 차세대

More information

2017 년 1 학기 공학논문작성법 (3 강 ) 공학논문작성방법개요 좋은공학논문작성을위해서는무엇이필요한가? (1) 논리적이고정확하게글쓰기 (2강내용에연결 ) (2) Abstract 작성법의예

2017 년 1 학기 공학논문작성법 (3 강 ) 공학논문작성방법개요 좋은공학논문작성을위해서는무엇이필요한가? (1) 논리적이고정확하게글쓰기 (2강내용에연결 ) (2) Abstract 작성법의예 2017 년 1 학기 공학논문작성법 (3 강 ) 공학논문작성방법개요 좋은공학논문작성을위해서는무엇이필요한가? (1) 논리적이고정확하게글쓰기 (2강내용에연결 ) (2) Abstract 작성법의예 Homework #2 [2] 답의예 ( 학생 1): 소폭수정 다양한외부환경을효과적으로검지할수있는센서기술은검지변환, 신호처리및지능화기술등융합 적특성을갖고있음. 현재대부분실용화중심의연구가주류를이루고있으며,

More information

KAERIAR hwp

KAERIAR hwp - i - - ii - - iii - - iv - - v - - vi - Photograph of miniature SiC p-n and Schottky diode detector Photograph SiC chip mounted on a standard electrical package Photograph of SiC neutron detector with

More information

도 1 특허청구의범위 청구항 1. 자성금속박막을형성하는단계 ; 상기자성금속박막위에알루미늄을증착하는단계 ; 증착된상기알루미늄위에자성금속을증착하여알루미나이드박막을형성하는단계 ; 그리고 상기알루미나이드박막위에자성금속박막을증착하는단계로이루어지고, 상기자성금속은 Co, Fe 및

도 1 특허청구의범위 청구항 1. 자성금속박막을형성하는단계 ; 상기자성금속박막위에알루미늄을증착하는단계 ; 증착된상기알루미늄위에자성금속을증착하여알루미나이드박막을형성하는단계 ; 그리고 상기알루미나이드박막위에자성금속박막을증착하는단계로이루어지고, 상기자성금속은 Co, Fe 및 (51) Int. Cl. G11B 5/31 (2006.01) (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2007 년 05 월 09 일 10-0716104 2007 년 05 월 02 일 (21) 출원번호 10-2003-0075402 (65) 공개번호 10-2005-0040248 (22)

More information

- 2 -

- 2 - 2014 년융 복합기술개발사업 ( 융 복합과제 ) 제안요청서 목차 - 1 - - 2 - - 3 - - 4 - - 5 - - 6 - - 7 - - 8 - - 9 - - 10 - - 11 - - 12 - - 13 - - 14 - - 15 - - 16 - - 17 - Ω - 18 - - 19 - - 20 - 기계소재 -001-21 - 기계소재 -002-22 - 기계소재

More information

,. 2 차세대태양전지민 관합동간담회

,. 2 차세대태양전지민 관합동간담회 1 진천친환경에너지타운착공식 보도자료 미래부 ᆞ 충북도, 국내최초로 신재생에너지복합형 친환경에너지타운본격조성 1 진천친환경에너지타운조성 (2015~2018 년, 135 억원 ) 2 차세대태양전지 R&D 투자강화로 2020 년까지매출액 6,000 억원달성 - 미래부, 차세대태양전지 R&D 집중투자 (2020 년까지총 1 천억원규모 ) - 서울대최만수교수팀, LG

More information

센터표지_ 수정

센터표지_ 수정 2010 The First Half 2010 The First Half Contents Background 2 Strategy 4 Partnership 6 History 7 Business 8 Accomplishment 10 Jeonju 81 Vision 12 Background 사업목적 방위산업의 비약적 발전 체계개발 능력에 비하여 부품 소재 기술 취약 2

More information

특허청구의범위청구항 1 반도체층 ; 상기반도체층위에형성된전도성질화물로이루어진사이층 ; 및상기전도성질화물사이층위에형성되며, 상기전도성질화물사이층을통해상기반도체층에스핀을주입하는, 강자성재료로이루어진스핀주입전극층 ; 을포함하여이루어지며, 상기반도체층과상기전도성질화물사이층의계

특허청구의범위청구항 1 반도체층 ; 상기반도체층위에형성된전도성질화물로이루어진사이층 ; 및상기전도성질화물사이층위에형성되며, 상기전도성질화물사이층을통해상기반도체층에스핀을주입하는, 강자성재료로이루어진스핀주입전극층 ; 을포함하여이루어지며, 상기반도체층과상기전도성질화물사이층의계 (51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H01L 27/105 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0070334( 분할 ) (22) 출원일자 2008 년 07 월 18 일 심사청구일자 2008 년 07 월 18 일 (65) 공개번호 10-2008-0070806 (43) 공개일자 2008 년 07 월

More information

2010 산업원천기술로드맵요약보고서 - 화학공정소재

2010 산업원천기술로드맵요약보고서 - 화학공정소재 2010 산업원천기술로드맵요약보고서 - 화학공정소재 - 2010. 7 본요약보고서는한국산업기술진흥원주관으 로수립되고있는 2010 년도산업원천기술로 드맵의일부내용을발췌한것입니다. 산업원천기술로드맵전체내용을담은 2010 산업원천기술로드맵보고서 는오는 8월한국산업기술진흥원홈페이지 (www.kiat.or.kr) 를통해공개될예정입니다. 목 차 Ⅰ. 화학공정소재산업의정의및범위

More information

보도자료 꿈의디스플레이 대량생산눈앞에... - 기계연, 롤전사를이용한마이크로 LED 제조기술세계최초개발 - - 전력소모량 1/2 절감, 생산시간 1 만배단축, 6 개기업기술이전 - (, ) (, ) LED.. ㅇ ( ) 1), 3

보도자료 꿈의디스플레이 대량생산눈앞에... - 기계연, 롤전사를이용한마이크로 LED 제조기술세계최초개발 - - 전력소모량 1/2 절감, 생산시간 1 만배단축, 6 개기업기술이전 - (, ) (, ) LED.. ㅇ ( ) 1), 3 http://www.msip.go.kr 보도자료 꿈의디스플레이 대량생산눈앞에... - 기계연, 롤전사를이용한마이크로 LED 제조기술세계최초개발 - - 전력소모량 1/2 절감, 생산시간 1 만배단축, 6 개기업기술이전 - (, ) (, ) LED.. ㅇ ( ) 1), 3 LED 2). ㅇ 4,,.. LED LED 1. ㅇ. TFT 3), LED TFT 4) LED.

More information

신메모리소자의개발현황및전망 [Fig. 2] Development stages and new memory devices 이고, 이중 MRAM과 FRAM은고집적에어려움이있어서 Universal 메모리의가능성에서는탈락이되고새로운기능을갖는틈새시장에서활용이되고있지만, 아직사업화

신메모리소자의개발현황및전망 [Fig. 2] Development stages and new memory devices 이고, 이중 MRAM과 FRAM은고집적에어려움이있어서 Universal 메모리의가능성에서는탈락이되고새로운기능을갖는틈새시장에서활용이되고있지만, 아직사업화 특집 반도체소자및공정기술 신메모리소자의개발현황및전망 http://dx.doi.org/10.5757/vacmag.1.3.4 정홍식 Development Status and Prospect of New Memory Devices Hongsik Jeong Since the modern computer architecture was suggested by Von Neumann

More information

슬라이드 1

슬라이드 1 반도체소자 2012 학년도 2 학기 담당교수 : 김태환 ( 소속 : 융합전자공학부 ) 강의시간 : 1) 월 10:30-12:00 (H27-0209) 수 14:30-16:00 (H27-0209) Office : 공업센터별관 503-1 Office hour : 수요일 10:30 ~ 12:30 수업조교 : 안준성 (joon.ahn86@gmail.com, Tel :

More information

실험 5

실험 5 실험. OP Amp 의기초회로 Inverting Amplifier OP amp 를이용한아래와같은 inverting amplifier 회로를고려해본다. ( 그림 ) Inverting amplifier 위의회로에서 OP amp의 입력단자는 + 입력단자와동일한그라운드전압, 즉 0V를유지한다. 또한 OP amp 입력단자로흘러들어가는전류는 0 이므로, 저항에흐르는전류는다음과같다.

More information

특허청구의범위청구항 1 반도체층 ; 상기반도체층위에형성된전도성질화물로이루어진사이층 ; 및상기전도성질화물사이층위에형성되며, 상기전도성질화물사이층을통해상기반도체층에스핀을주입하는, 강자성재료로이루어진스핀주입전극층 ; 을포함하여이루어지며, 상기전도성질화물사이층에전이금속이 1

특허청구의범위청구항 1 반도체층 ; 상기반도체층위에형성된전도성질화물로이루어진사이층 ; 및상기전도성질화물사이층위에형성되며, 상기전도성질화물사이층을통해상기반도체층에스핀을주입하는, 강자성재료로이루어진스핀주입전극층 ; 을포함하여이루어지며, 상기전도성질화물사이층에전이금속이 1 (51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H01L 27/105 (2006.01) (21) 출원번호 10-2006-0128886 (22) 출원일자 2006 년 12 월 15 일 심사청구일자 2006 년 12 월 15 일 (65) 공개번호 10-2008-0055492 (43) 공개일자 2008 년 06 월 19 일

More information

È޴ϵåA4±â¼Û

È޴ϵåA4±â¼Û July 2006 Vol. 01 CONTENTS 02 Special Theme 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10. 11. 12. 13. 14. 15. 16. 17. 18. 19. 20. Beautiful Huneed People 03 04 Special Destiny Interesting Story 05 06 Huneed News Huneed

More information

2010교육프로그램_08-0000

2010교육프로그램_08-0000 2010 교육프로그램안내 메카트로닉스및나노융합기업지원서비스사업 Contents 나노융합실용화센터 대구기계부품연구원 경북대학교 계명대학교 영진전문대학 영남이공대학 2 4 6 8 18 30 32 36 38 42 3 2010 교육프로그램안내 메카트로닉스및나노융합기업지원서비스사업 메카트로닉스 및 나노융합 기업지원서비스사업 개요 비 전 교육내용 현장생산인력 및 연구인력의

More information

28 저전력복합스위칭기반의 0.16mm 2 12b 30MS/s 0.18um CMOS SAR ADC 신희욱외 Ⅰ. 서론 Ⅱ. 제안하는 SAR ADC 구조및회로설계 1. 제안하는 SAR ADC의전체구조

28 저전력복합스위칭기반의 0.16mm 2 12b 30MS/s 0.18um CMOS SAR ADC 신희욱외 Ⅰ. 서론 Ⅱ. 제안하는 SAR ADC 구조및회로설계 1. 제안하는 SAR ADC의전체구조 Journal of The Institute of Electronics and Information Engineers Vol.53, NO.7, July 2016 http://dx.doi.org/10.5573/ieie.2016.53.7.027 ISSN 2287-5026(Print) / ISSN 2288-159X(Online) 논문 2016-53-7-4 c Abstract

More information

3저널(2월호)-사 16.2.2 3:26 PM 페이지31 DK

3저널(2월호)-사 16.2.2 3:26 PM 페이지31 DK 3저널(2월호)-사 16.2.2 3:26 PM 페이지30 DK IoT 및 웨어러블 디바이스 기술 담당위원 : 김동환 교수(서울과기대) THEME 01 사물인터넷(IoT) 기술동향과 전망 THEME 02 IoT 응용 및 적용사례 THEME 03 착용형 로봇(wearable robot)의 기술 현황 THEME 04 웨어러블 디바이스의 현재 가치와 미래 THEME

More information

<C0FCB9AEB1E2BCFA20BFDCB1B9C0CEB7C220B3EBB5BFBDC3C0E520BAD0BCAE2E687770>

<C0FCB9AEB1E2BCFA20BFDCB1B9C0CEB7C220B3EBB5BFBDC3C0E520BAD0BCAE2E687770> 전문기술외국인력노동시장분석 요약 i ii 전문기술외국인력노동시장분석 요약 iii iv 전문기술외국인력노동시장분석 요약 v vi 전문기술외국인력노동시장분석 요약 vii viii 전문기술외국인력노동시장분석 요약 ix x 전문기술외국인력노동시장분석 요약 xi xii 전문기술외국인력노동시장분석 요약 xiii xiv 전문기술외국인력노동시장분석 제 1 장서론

More information

제조업의근로시간단축과통상임금관련갈등해소방안 조성재 구승환 요약 ⅰ ⅱ 제조업의근로시간단축과통상임금관련갈등해소방안 제 1 장문제제기와연구의접근법 1 2 제조업의근로시간단축과통상임금관련갈등해소방안 제 1 장문제제기와연구의접근법 3 4 제조업의근로시간단축과통상임금관련갈등해소방안 제 1 장문제제기와연구의접근법 5 6 제조업의근로시간단축과통상임금관련갈등해소방안

More information

슬라이드 1

슬라이드 1 www.altsoft.co.kr www.clunix.com COMSOL4.0a Cluster 성능테스트 2010 년 10 월 클루닉스 / 알트소프트 개요 개요 목차 BMT 환경정보 BMT 시나리오소개 COMSOL4.0a MPP 해석실행조건 BMT 결과 COMSOL4.0a 클러스터분석결과 ( 메모리 / 성능 ) COMSOL4.0a 클러스터최종분석결과 -2- 개요

More information

<40C1B6BBE7BFF9BAB85F3132BFF9C8A32DC3D6C1BE2E687770>

<40C1B6BBE7BFF9BAB85F3132BFF9C8A32DC3D6C1BE2E687770> 차세대메모리반도체의개발동향과시장환경변화전망 < 목차 > Ⅰ. 신개념메모리반도체의부각배경 Ⅱ. 차세대메모리반도체의개발동향 Ⅲ. 시장환경변화전망과차세대메모리의역할 Ⅳ. 대응과제 Ⅰ 신개념메모리반도체의부각배경 국내경제전반에대한메모리반도체의역할지속필요성강조메모리반도체시장의경쟁구도변화방향은국내경제에중요한영향을미치는관심사 - 14년, 15년현재단일수출품목중가장높은수출액을달성

More information

1. 가정에서 쓰는 전구에 220[V], 60[W]로 쓰여있었다. 이것은 [V]

1. 가정에서 쓰는 전구에 220[V], 60[W]로 쓰여있었다. 이것은 [V] Planck : sec, : sec :, : : 1.008665u, : 1.00727u 1u=931MeV, : 개... 3. 1~13 5 (15, 75) ( 답 ) m ax 에서 이다. 에서 이다. A 문제 5. 우주선에서측정한펄스의지속시간은 이었다. 반면에지구에 서볼때펄스의지속시간은 이었다면, 이우주선의지구에대한속도 는 ( )c 이다. 억년 sec sin

More information

팬도캐드소개

팬도캐드소개 제목 : 4 층 50Ω, 55Ω, 90Ω Diff,100Ω Diff (1.46T) PCB 재질 : FR4( Er = 4.4 ) 외층 / 내층 : 1 Oz PCB 두께 : 1.46T ±10% CCL= 1.2T C 1/1 L3 0.08mm 0.08mm 0.09mm 0.09mm 0.26mm 0.26mm 프리프레그 (PrePreg) : 1080 0.06 mm, 2116

More information

???? 1

???? 1 2016 SEPTEMBER vol.2 no.9 ISSN. 2465-8456 융합연구리뷰 Convergence Research Review 양자역학 전자소재 구현에 활용되다 스핀트로닉스 미래의 블루오션 극한환경 기술 전쟁 kist-2016-9호-2:호호호호 1 16. 9. 20. 호호 1:06 Page 3 목차 융합연구리뷰 Convergence Research

More information

0904fc5280257b90

0904fc5280257b90 02-768-3722 james.song@dwsec.com 02-768-4168 will.lee@dwsec.com Valuation 저평가 + 사상 최대 실적 + 재무 구조 개선의 3박자 2분기 OP 1.05조원, 연간 OP 4.1조원의 사상 최대 실적 예상 메모리 시장과 하이닉스를 확신하는 이유 중장기 Level up의 변곡점! I. Valuation 및

More information

<4D F736F F F696E74202D C61645FB3EDB8AEC7D5BCBA20B9D720C5F8BBE7BFEBB9FD2E BC8A3C8AF20B8F0B5E55D>

<4D F736F F F696E74202D C61645FB3EDB8AEC7D5BCBA20B9D720C5F8BBE7BFEBB9FD2E BC8A3C8AF20B8F0B5E55D> VHDL 프로그래밍 D. 논리합성및 Xilinx ISE 툴사용법 학습목표 Xilinx ISE Tool 을이용하여 Xilinx 사에서지원하는해당 FPGA Board 에맞는논리합성과정을숙지 논리합성이가능한코드와그렇지않은코드를구분 Xilinx Block Memory Generator를이용한 RAM/ ROM 생성하는과정을숙지 2/31 Content Xilinx ISE

More information

에너지절약_수정

에너지절약_수정 Contents 산업훈장 포장 국무총리표창 삼성토탈주식회사 09 SK하이닉스(주) 93 (주)이건창호 15 한국전자통신연구원 100 현대중공업(주) 20 KT 106 두산중공업 주식회사 24 (사)전국주부교실 대구지사부 111 한국전력공사 30 (주)부-스타 36 [단체] (주)터보맥스 115 [단체] 강원도청 119 [단체] 현대오일뱅크(주) 124 [단체]

More information

- 2 -

- 2 - - 2 - - 3 - - 4 - - 5 - - 6 - - 7 - - 8 - - 9 - 가 ) 가 ) 가 ) 가 ) - 10 - - 11 - 길이 피시험기기 주전원 절연지지물 케이블지지용절연물 접지면 발생기 - 12 - 길이 가능한경우 절연지지물 절연지지물 접지면 전자계클램프 감결합장치 - 13 - - 14 - - 15 - - 16 - - 17 - - 18 -

More information

<B3EDB9AEC0DBBCBAB9FD2E687770>

<B3EDB9AEC0DBBCBAB9FD2E687770> (1) 주제 의식의 원칙 논문은 주제 의식이 잘 드러나야 한다. 주제 의식은 논문을 쓰는 사람의 의도나 글의 목적 과 밀접한 관련이 있다. (2) 협력의 원칙 독자는 필자를 이해하려고 마음먹은 사람이다. 따라서 필자는 독자가 이해할 수 있는 말이 나 표현을 사용하여 독자의 노력에 협력해야 한다는 것이다. (3) 논리적 엄격성의 원칙 감정이나 독단적인 선언이

More information

태양광산업 경쟁력조사.hwp

태양광산업 경쟁력조사.hwp 태양광산업산업경쟁력조사 1 Ⅰ. 1. 52 2. 53 Ⅱ. 1. 54 2. 60 3. 64 III. 1. 71 2. 82 Ⅳ. 1. 98 2. 121 3. 132 Ⅴ. 1. 147 2. 160 3. 169 4. SWOT 181 Ⅵ. 1. 187 2. 202 3. 217 Ⅶ. 225 < 요약 > Ⅰ. 서론 II. 태양광산업의개요 III. 태양광기술개발현황

More information

메모리, 케이스, 파워서플라이 메모리의역할 Why Random Access Memory? 휘발성 vs. 비휘발성메모리 RAM의종류와규격 RAM 의규격보기와선택 케이스의종류 케이스의선택 파워서플라이의종류 파워서플라이의커넥터와메인보드연결부 파워서플라이의선택

메모리, 케이스, 파워서플라이 메모리의역할 Why Random Access Memory? 휘발성 vs. 비휘발성메모리 RAM의종류와규격 RAM 의규격보기와선택 케이스의종류 케이스의선택 파워서플라이의종류 파워서플라이의커넥터와메인보드연결부 파워서플라이의선택 PC 실습 @ IT 학부 -세번째강의 : 메모리, 케이스, 파워서플라이 - 메모리, 케이스, 파워서플라이 메모리의역할 Why Random Access Memory? 휘발성 vs. 비휘발성메모리 RAM의종류와규격 RAM 의규격보기와선택 케이스의종류 케이스의선택 파워서플라이의종류 파워서플라이의커넥터와메인보드연결부 파워서플라이의선택 메모리의역할 CPU가가까운미래에

More information

핵 심 교 양 1 학년 2 학년 3 학년합계 문학과예술 역사와철학 사회와이념 선택 교양학점계 학년 2 학년 3 학년합계비고 14 (15) 13 (

핵 심 교 양 1 학년 2 학년 3 학년합계 문학과예술 역사와철학 사회와이념 선택 교양학점계 학년 2 학년 3 학년합계비고 14 (15) 13 ( 1 학년 2 학년 3 학년 합계 6 5 11 5 5 16 문학과예술 핵 심 교 역사와철학 사회와이념 3 3 3 양 3 3 3 3 3 3 선택 4 4 1 1 3 3 6 11 교양학점계 12 12 24 5 1 6 3 3 6 36 ㆍ제 2 외국어이수규정 이수규정 또는 영역에서 과목 학점 이수하고 수량적석과추론 과학적사고와실험 에서 과목 학점 이수해도됨 외국어및고전어

More information

목 차 국문요약 ⅰ ABSTRACT ⅲ 그림목차 ⅴ 표목차 ⅵ 1 1 3 4 4 5 6 9 11 11 13 16 32 32 3.1.1 초고층건축물의정의 32 3.1.2 대상모델개요 32 3.1.3 대상모델의모델링 35 3.1.4 CFD 해석의경계조건 38 3.1.5 CFD 시뮬레이션 42 53 3.2.1 적용프로그램 54 3.2.2 풍압의적용 54 3.2.3

More information

hwp

hwp 스핀트로닉스기술 한석희 신경호 장준연 구현철 엄종화 서 반도체기반전자소자는그동안급속한기술적진보를통해오늘날의정보화시대를주도해오고있다. 하지만이러한반도체기반전자소자기술은물리적현상및나노공정에있어서근본적인기술적한계에접근하고있으며따라서이러한한계를극복할수있는새로운차세대전자소자기술의출현이강하게요구되고있다. 이러한요구에따라등장한것이바로스핀트로닉스 (Spintronics)

More information

PowerPoint Presentation

PowerPoint Presentation Computer Science Suan Lee - Computer Science - 03 컴퓨터구조 1 03 컴퓨터구조 - Computer Science - 03 컴퓨터구조 2 목차 1. 컴퓨터시스템의구성 2. 중앙처리장치 3. 기억장치 4. 입출력장치 - Computer Science - 03 컴퓨터구조 3 컴퓨터시스템의구성 하드웨어 : 컴퓨터를구성하는기계적장치

More information

± cosh tanh ±

± cosh tanh ± 5: m. sec m ax m in (a) (A). (normalized). 10 (b) (B). (normalized). 10 (c) (A) (B). 10 (d)?? 10 m ax m ax sec :. Ar. sin sin sin cos cos cos A ± cosh tanh ± rad 붕괴 sec 6. (spaceship) 2m. (earth) 1m. c?

More information

2. 기억장치의구성 ROM Mask ROM PROM EPROM EEPROM RAM SRAM DRAM 보조기억장치 자기 Disk 자기 Tape 자기 Drum 광디스크 3. (Main Memory) 컴퓨터내부에존재하는내부기억장치 ROM과 RAM으로구성 CPU에의해참조되는장

2. 기억장치의구성 ROM Mask ROM PROM EPROM EEPROM RAM SRAM DRAM 보조기억장치 자기 Disk 자기 Tape 자기 Drum 광디스크 3. (Main Memory) 컴퓨터내부에존재하는내부기억장치 ROM과 RAM으로구성 CPU에의해참조되는장 1. 기억장치의분류 접근방법에따른분류순차접근기억장치 (SASD : Sequential Access Storage Device) 기억된데이터에접근할때순차적검색을하는기억장치자기테이프가대표적인 SASD 장치임. 직접접근기억장치 (DASD : Direct Access Storage Device) 기억된데이터에접근할때순서에관계없이즉시접근이가능한기억장치자기디스크, 반도체기억장치가이에속함.

More information

hwp

hwp 물리학과첨단기술의세계 차세대비휘발성메모리최근연구동향 비휘발성메모리기술의개요 모바일및디지털정보통신산업, 가전산업의급속한발달로인하여 DRAM 일변도만으로는수년내에국내반도체산업은큰위기를맞을수있다. 그이유는현재모바일, 디지털환경에대응하기위해 DRAM 이나플래시메모리 (Flash Memory) 를논리소자와결합시킨 embedded 메모리는제조공정상의여러어려움뿐만아니라,

More information

02. 서여주 외 2인(최종).hwp

02. 서여주 외 2인(최종).hwp 연구문제 1 연구문제 2 연구문제 3 (1) VALS(Values and Life Style) (2) 친환경소비실천태도 (3) 친환경소비실천의도 (4) 친환경소비실천행동 α α α α α α.951 -.107 -.075 -.027 -.016.002.032 -.059.010.030 -.019 -.040.852.927 -.035 -.053 -.162.003 -.002.010

More information

(연합뉴스) 마이더스

(연합뉴스) 마이더스 106 Midas 2011 06 브라질은 2014년 월드컵과 2016년 올림픽 개최, 고속철도 건설, 2007년 발견된 대형 심해유전 개발에 대비한 사회간접자본 확충 움직임이 활발하다. 리오데자네이로에 건설 중인 월드컵 경기장. EPA_ 연합뉴스 수요 파급효과가 큰 SOC 시설 확충 움직임이 활발해 우 입 쿼터 할당 등의 수입 규제 강화에도 적극적이다. 리

More information

<4D F736F F D20B9DDB5B5C3BC5F34BFF920BBF3B9DDBFF D20B0EDC1A4B0A12E646F63>

<4D F736F F D20B9DDB5B5C3BC5F34BFF920BBF3B9DDBFF D20B0EDC1A4B0A12E646F63> Industry Brief Analyst 이세철 (6309-4523) seicheol.lee@meritz.co.kr 2013. 04. 15 반도체 Overweight 4 월상반월 DRAM 고정가 8.5% 상승 Top Picks 삼성전자 (005930) Buy, TP 1,970,000 원 SK 하이닉스 (000660) Buy, TP 36,000 원 결론 - PC

More information

광복60 년 종합학술대회 ( 제6 차) 올바른 과거청산을 위한 전국순회 심포지엄 종합자료집 청산하지 못한 역사, 어떻게 할 것인가? 주최 주관 : : 올바른과거청산을위한범국민위원회 올바른과거청산을위한범국민위원회 소속 지역단체 후원 : 광복60년기념사업추진위원회 1. 내용의 일부 혹은 전체를 인용, 발췌하는 경우에는 반드시 저자와 출처를 밝혀 주셔야 합니다.

More information

Microsoft PowerPoint - 30.ppt [호환 모드]

Microsoft PowerPoint - 30.ppt [호환 모드] 이중포트메모리의실제적인고장을고려한 Programmable Memory BIST 2010. 06. 29. 연세대학교전기전자공학과박영규, 박재석, 한태우, 강성호 hipyk@soc.yonsei.ac.kr Contents Introduction Proposed Programmable Memory BIST(PMBIST) Algorithm Instruction PMBIST

More information

한 fm

한 fm 해설논문 Journal of the Korean Magnetics Society 28(2), 75-91 (2018) ISSN (Print) 1598-5385 ISSN (Online) 2233-6648 https://doi.org/10.4283/jkms.2018.28.2.075 Basic Principles and Recent Progress of Magnetization

More information

Microsoft Word - PLC제어응용-2차시.doc

Microsoft Word - PLC제어응용-2차시.doc 과정명 PLC 제어응용차시명 2 차시. 접점명령 학습목표 1. 연산개시명령 (LOAD, LOAD NOT) 에대하여설명할수있다. 2. 직렬접속명령 (AND, AND NOT) 에대하여설명할수있다. 3. 병렬접속명령 (OR, OR NOT) 에대하여설명할수있다. 4.PLC의접점명령을가지고간단한프로그램을작성할수있다. 학습내용 1. 연산개시명령 1) 연산개시명령 (LOAD,

More information

10. 메모리 목표 메모리의개요 Random Access Memory (RAM) Read Only Memory (ROM) 프로그램가능한 ROM (PROM) 비휘발성입 / 출력메모리 메모리패키지 대용량저장장치 1

10. 메모리 목표 메모리의개요 Random Access Memory (RAM) Read Only Memory (ROM) 프로그램가능한 ROM (PROM) 비휘발성입 / 출력메모리 메모리패키지 대용량저장장치 1 . 메모리 목표 메모리의개요 Random Access Memory (RAM) Read Only Memory (ROM) 프로그램가능한 ROM (PROM) 비휘발성입 / 출력메모리 메모리패키지 대용량저장장치 반도체메모리의세가지특성 밀도 : Density - 메모리가수용할수있는데이터의양 ( 비 ) 휘발성 : (Non-) Volatility - 전원이제거되었을때의정보저장능력

More information

QM 제만효과 (The Zeeman Effect) * 제만효과 1. 제만효과 ; 균일한외부자기장 B ext 안에놓인원자의에너지준위변동 2. 전자에대한섭동항 Z B ext [6.68] 전자의스핀에의한자기모멘트 S [6.69] 전자의궤도운동에의한자기모멘트 L

QM 제만효과 (The Zeeman Effect) * 제만효과 1. 제만효과 ; 균일한외부자기장 B ext 안에놓인원자의에너지준위변동 2. 전자에대한섭동항 Z B ext [6.68] 전자의스핀에의한자기모멘트 S [6.69] 전자의궤도운동에의한자기모멘트 L QM6.4 6.4 제만효과 (The Zeeman Effect) * 제만효과 1. 제만효과 ; 균일한외부자기장 B ext 안에놓인원자의에너지준위변동 2. 전자에대한섭동항 Z B ext [6.68] 전자의스핀에의한자기모멘트 S [6.69] 전자의궤도운동에의한자기모멘트 L [6.70] 3. 섭동해밀토니안 Z L S Bext [6.71] * 제만효과취급요령 (case

More information

11장 포인터

11장 포인터 Dynamic Memory and Linked List 1 동적할당메모리의개념 프로그램이메모리를할당받는방법 정적 (static) 동적 (dynamic) 정적메모리할당 프로그램이시작되기전에미리정해진크기의메모리를할당받는것 메모리의크기는프로그램이시작하기전에결정 int i, j; int buffer[80]; char name[] = data structure"; 처음에결정된크기보다더큰입력이들어온다면처리하지못함

More information

목 차 Ⅰ. 사업개요 5 1. 사업배경및목적 5 2. 사업내용 8 Ⅱ. 국내목재산업트렌드분석및미래시장예측 9 1. 국내외산업동향 9 2. 국내목재산업트렌드분석및미래시장예측 목재제품의종류 국내목재산업현황 목재산업트렌드분석및미래시

목 차 Ⅰ. 사업개요 5 1. 사업배경및목적 5 2. 사업내용 8 Ⅱ. 국내목재산업트렌드분석및미래시장예측 9 1. 국내외산업동향 9 2. 국내목재산업트렌드분석및미래시장예측 목재제품의종류 국내목재산업현황 목재산업트렌드분석및미래시 목재미래기업발굴및육성을위한 중장기사업방향제안 2017. 11. 목 차 Ⅰ. 사업개요 5 1. 사업배경및목적 5 2. 사업내용 8 Ⅱ. 국내목재산업트렌드분석및미래시장예측 9 1. 국내외산업동향 9 2. 국내목재산업트렌드분석및미래시장예측 16 2.1. 목재제품의종류 16 2.2. 국내목재산업현황 19 2.3. 목재산업트렌드분석및미래시장예측 33 Ⅲ. 목재미래기업의정의및분류

More information

ÇÁ·Î±×·¥Áý

ÇÁ·Î±×·¥Áý 2014 한국군사과학기술학회 종합학술대회 일자 : 2014. 6. 19(목) 6. 20(금) 장소 : 제주 국제컨벤션센터 (305-600) 대전시 유성구 유성우체국 사서함 125호 Tel : 042-821-2203 Fax : 042-823-4605 e-mail : kimst@kimst.or.kr Homepage : http://www.kimst.or.kr KIMST

More information

학점배분구조표(표 1-20)

학점배분구조표(표 1-20) 1 학년 2 학년 3 학년합 1 2 1 2 1 2 학문의기초 6 6 12 3 3 15 핵문학과예술 3 3 3 심역사와철학 교 양 자연의이해 3 3 3 선택 3 3 3 3 3 3 6 12 교양학점 12 12 24 3 3 6 3 3 6 36 1 학년 2 학년 3 학년합 1 2 1 2 1 2 학문의기초 3 3 6 6 핵 문학과예술 심 역사와철학 3 3 6 6 교

More information

<4D F736F F F696E74202D F E BBBE7BFEBC0DAB0A120B8B6C1F6B8B7C0B8B7CE20C0FAC0E55D>

<4D F736F F F696E74202D F E BBBE7BFEBC0DAB0A120B8B6C1F6B8B7C0B8B7CE20C0FAC0E55D> - 물리 도중회 -. 자기력 6. 자기장 (magntic fild) 기원전 3 세기 : 중국에서나침반사용 인도혹은아랍에서최초발명추정기원전 8년 : 그리스의마그네시아지방, 자철광 ( 3 O 4 ) 이쇠조각을끌어당김발견자석 (magnt), 자기학 (magntism) 의어원이됨 69년 : 드마르끄르트, 자석의두극 (극, S극 ) 발견인력, 척력의원리 나침반 마크네타이트

More information

<4D F736F F D F535344B4C220C4C1C6AEB7D1B7AFB0A120C7D9BDC92E646F63>

<4D F736F F D F535344B4C220C4C1C6AEB7D1B7AFB0A120C7D9BDC92E646F63> Industry Brief Analyst 이세철 (6309-4523) seicheol.lee@meritz.co.kr 2012. 11. 20 반도체 Overweight SSD 는컨트롤러가핵심! Top Picks 삼성전자 (005930) Buy, TP 1,800,000원 SK 하이닉스 (000660) Buy, TP 33,000 원 결론 - 한국반도체업체, SDD

More information

Art & Technology #5: 3D 프린팅 - Art World | 현대자동차

Art & Technology #5: 3D 프린팅 - Art World | 현대자동차 Art & Technology #5: 3D 프린팅 새로운 기술, 새로운 가능성 미래를 바꿔놓을 기술 이 무엇인 것 같으냐고 묻는다면 어떻게 대답해야 할까요? 답은 한 마치 한 쌍(pair)과도 같은 3D 스캐닝-프린팅 산업이 빠른 속도로 진화하고 있는 이유입니 가지는 아닐 것이나 그 대표적인 기술로 3D 스캐닝 과 3D 프린팅 을 들 수 있을 것입니 다. 카메라의

More information

설계란 무엇인가?

설계란 무엇인가? 금오공과대학교 C++ 프로그래밍 jhhwang@kumoh.ac.kr 컴퓨터공학과 황준하 6 강. 함수와배열, 포인터, 참조목차 함수와포인터 주소값의매개변수전달 주소의반환 함수와배열 배열의매개변수전달 함수와참조 참조에의한매개변수전달 참조의반환 프로그래밍연습 1 /15 6 강. 함수와배열, 포인터, 참조함수와포인터 C++ 매개변수전달방법 값에의한전달 : 변수값,

More information

untitled

untitled 13-28 Korea Building Expo in China 2009 www.kobuild.com NO.1 www.duckshin.com The Korea Land Daily 14-15 16 17 19 22 23 24 25 27 I CMYK 20 전 2009년 7월 16일 목요일 면 광 21 고 2009 대한민국 건설환경기술상 국토해양부

More information

1. 경영대학

1. 경영대학 [ 별표 1] 1. 교육과정의영역구성및이수점표 경 영 농 업 생 명 과 동물생명과 과 ( 부 ) 명 경영 회부 ( 경영전공 ) 교 최소전공필수선택 심화점 7 12 1 18 38 18 27 45 0 45 47 단일전공 27 72 20 경영 회부 0 45 47 7 12 1 18 38 21 24 45 ( 회전공 ) 단일전공 27 72 20 경제 무역부 0 45 47

More information

04 Çмú_±â¼ú±â»ç

04 Çмú_±â¼ú±â»ç 42 s p x f p (x) f (x) VOL. 46 NO. 12 2013. 12 43 p j (x) r j n c f max f min v max, j j c j (x) j f (x) v j (x) f (x) v(x) f d (x) f (x) f (x) v(x) v(x) r f 44 r f X(x) Y (x) (x, y) (x, y) f (x, y) VOL.

More information

Microsoft Word - 6[1].박영삼.doc

Microsoft Word - 6[1].박영삼.doc 전자통신동향분석제 20 권제 6 호 2005 년 12 월 PRAM 기술전망 The Prospect of the Phase-change Random Access Memory Technology IT 핵심부품기술특집 박영삼 (Y.S. Park) 윤성민 (S.M. Yoon) 유병곤 (B.G. Yu) 기능성전자소자팀선임연구원기능성전자소자팀선임연구원기능성전자소자팀팀장

More information

목 차 1. LED/ 광 1 2. 자동차 의료기기 정보가전 플랜트엔지니어링 생산시스템 조선 로봇 화학공정 세라믹 디스플레이 이차전지

목 차 1. LED/ 광 1 2. 자동차 의료기기 정보가전 플랜트엔지니어링 생산시스템 조선 로봇 화학공정 세라믹 디스플레이 이차전지 주요산업별글로벌기술규제 2015. 12. 산업통상자원부 한국산업기술진흥원 목 차 1. LED/ 광 1 2. 자동차 38 3. 의료기기 71 4. 정보가전 88 5. 플랜트엔지니어링 105 6. 생산시스템 119 7. 조선 133 8. 로봇 165 9. 화학공정 189 10. 세라믹 206 11. 디스플레이 231 12. 이차전지 246 13. 섬유의류 265

More information

3 년의혁신, 30 년의성장 보도자료 ( 금 ) 조간 ( 온라인 :00) 부터보도하여주시기바랍니다. 문의 : 원천연구과박진선과장 ( ), 김용만서기관 (

3 년의혁신, 30 년의성장 보도자료 ( 금 ) 조간 ( 온라인 :00) 부터보도하여주시기바랍니다. 문의 : 원천연구과박진선과장 ( ), 김용만서기관 ( 3 년의혁신, 30 년의성장 보도자료 http://www.msip.go.kr 2014. 7. 11( 금 ) 조간 ( 온라인 7. 10. 12:00) 부터보도하여주시기바랍니다. 문의 : 원천연구과박진선과장 (02-2110-2380), 김용만서기관 (02-2110-2381) 멀티스케일에너지시스템연구단최만수단장 (02-889-6669) 한국화학연구원화학소재연구본부석상일박사

More information

96 경첩들어올림 347 타입 A Ø 타입 B Ø 신속하고쉬운도어탈착 모든금속구조재질및마감처리강철, 아연도금또는스테인리스스틸

96 경첩들어올림 347 타입 A Ø 타입 B Ø 신속하고쉬운도어탈착 모든금속구조재질및마감처리강철, 아연도금또는스테인리스스틸 96 경첩들어올림 347 6.35.1 Ø 6.35 31.7 25.4.1 6.35 25.4.1 6.35.1 Ø 6.35 6.35 31.7 모든금속구조강철, 아연도금또는스테인리스스틸 63.5 50.8 50.8 50.8 63.5 50.8 Ø 3.2 Ø 3.2 25.4 20.8 20.8 25.4 1.27 1.27 1.27 1.27 50.8 4 x Ø 3.2±0.1

More information

PC 실습

PC 실습 PC 실습 @ IT 학부 메모리, 케이스, 파워서플라이 1 차례 메모리의역할 Why Random Access Memory? 휘발성 vs. 비휘발성메모리 RAM의종류와규격 RAM의규격보기와선택 케이스의종류 케이스의선택 파워서플라이의종류 파워서플라이의커넥터와연결 파워서플라이의선택 2 메모리의역할 CPU가가까운미래에 (= 곧 ) 사용할데이터 ( 프로그램포함 ) 를저장해두는곳

More information

Microsoft PowerPoint 상 교류 회로

Microsoft PowerPoint 상 교류 회로 3상교류회로 11.1. 3 상교류의발생 평등자계중에놓인회전자철심에기계적으로 120 씩차이가나게감은코일 aa, bb,cc 를배치하고각속도의속도로회전하면각코일의양단에는다음식으로표현되는기전력이발생하게된다. 11.1. 3 상교류의발생 여기서 e a, e b, e c 는각각코일aa, bb, cc 양단에서얻어지는전압의순시치식이며, 각각을상 (phase) 이라한다. 이와같이전압의크기는같고위상이

More information

저작자표시 - 비영리 - 변경금지 2.0 대한민국 이용자는아래의조건을따르는경우에한하여자유롭게 이저작물을복제, 배포, 전송, 전시, 공연및방송할수있습니다. 다음과같은조건을따라야합니다 : 저작자표시. 귀하는원저작자를표시하여야합니다. 비영리. 귀하는이저작물을영리목적으로이용할

저작자표시 - 비영리 - 변경금지 2.0 대한민국 이용자는아래의조건을따르는경우에한하여자유롭게 이저작물을복제, 배포, 전송, 전시, 공연및방송할수있습니다. 다음과같은조건을따라야합니다 : 저작자표시. 귀하는원저작자를표시하여야합니다. 비영리. 귀하는이저작물을영리목적으로이용할 저작자표시 - 비영리 - 변경금지 2.0 대한민국 이용자는아래의조건을따르는경우에한하여자유롭게 이저작물을복제, 배포, 전송, 전시, 공연및방송할수있습니다. 다음과같은조건을따라야합니다 : 저작자표시. 귀하는원저작자를표시하여야합니다. 비영리. 귀하는이저작물을영리목적으로이용할수없습니다. 변경금지. 귀하는이저작물을개작, 변형또는가공할수없습니다. 귀하는, 이저작물의재이용이나배포의경우,

More information

핵 1 학년 2 학년 3 학년합계 문학과예술 역사와철학 사회와이념 선택 학점계 학년 2 학년 3 학년합계비고 14 (15) 13 (14) 27 (29) 2

핵 1 학년 2 학년 3 학년합계 문학과예술 역사와철학 사회와이념 선택 학점계 학년 2 학년 3 학년합계비고 14 (15) 13 (14) 27 (29) 2 1 학년 2 학년 3 학년 합계 6 5 11 5 5 16 문학과예술 핵 역사와철학 사회와이념 선택 4 4 1 1 3 3 6 11 학점계 12 12 24 5 1 6 3 3 6 36 ㆍ제 2 외국어이수규정 이수규정 또는 영역에서 과목 학점 이수하고 수량적석과추론 과학적사고와실험 에서 과목 학점 이수해도됨 외국어및고전어 중급이상외국어및고전어과목명 핵 1 학년 2

More information

<C1A4BAB8C3B3B8AE5FBBEABEF7B1E2BBE75FC7CAB1E25F E687770>

<C1A4BAB8C3B3B8AE5FBBEABEF7B1E2BBE75FC7CAB1E25F E687770> 5 기억장치 5.1 기억장치의개요 (1) 기억장치의분류 0403 기억장치의분류오답 자기잉크문자읽어내기장치 (2) 기억장치계층구조 (3) 기억장치의특성을결정하는요소 1) 접근시간 (Access time) 9906 0103 1 정보를기억장치에기억시키거나읽어내는명령을한후부터실제로정보를기억또는읽기시작할때까지소요되는시간 2 접근시간공식 0409 접근시간 = 탐색시간

More information

차세대창의발명교육모델구축연구 특허청 한국발명진흥회

차세대창의발명교육모델구축연구 특허청 한국발명진흥회 표지 차세대창의발명교육모델구축연구 2010. 12. 특허청 한국발명진흥회 차세대창의발명교육모델구축연구 2010. 12. 특허청 한국발명진흥회 차세대창의발명교육모델구축연구 - i - - ii - - iii - - iv - - v - - vi - - vii - - viii - - ix - - x - - xi - - xii - - xiii - 차세대창의발명교육모델구축연구

More information

歯변요한.PDF

歯변요한.PDF Wet etching of magnetic thin films 2003 2 ( ) Wet etching of magnetic thin films 2003 2 20032 Wet etching of magnetic thin films by Submitted to the faculty of in partial fulfillment of the requirements

More information

<4D F736F F F696E74202D2037C0E52DC4B3BDC3BFCDB8DEB8F0B8AE>

<4D F736F F F696E74202D2037C0E52DC4B3BDC3BFCDB8DEB8F0B8AE> 7장 : 캐시와메모리 메모리계층 사용자들은값싸고빠른메모리를크면클수록갖고싶어한다! - 나에게하드디스크 (300GB) 만큼의, 속도는 RAM 정도이고비휘발성메모리가있다면.. 그런데돈이없다. 2006년현재 RAM은 52 MB/5 만원 ( GB/0 만원 ) HD는 300GB/0 만원 (GB/330원) 캐시가격을정확히산정하기는어려우나 52KB/2 만원 (GB/4000

More information

Microsoft Word _semicon_comment_final.doc

Microsoft Word _semicon_comment_final.doc Issue&News 산업분석 211.16 반도체 Overweight [ 비중확대, 유지 ] DRAM 상승세 2 월까지지속될전망 투자포인트 Top pick 강정원 769.362 jeffkang@daishin.com 삼성전자 Buy 목표주가 32% 2,, 종목명 투자의견 목표주가 삼성전자 Buy 2,, 원 SK 하이닉스 Buy 32, 원 한미반도체 Buy 1,5

More information

알람음을 출력하는 이동통신 단말기에 있어서, 실시간 알람음을 출력하는 음향 출력 수단; 디지털 멀티미디어 방송(DMB: Digital Multimedia Broadcasting, 이하 'DMB'라 칭함) 신호를 수신하면 오디오 형태로 변 환하여 DMB의 음향을 전달하는

알람음을 출력하는 이동통신 단말기에 있어서, 실시간 알람음을 출력하는 음향 출력 수단; 디지털 멀티미디어 방송(DMB: Digital Multimedia Broadcasting, 이하 'DMB'라 칭함) 신호를 수신하면 오디오 형태로 변 환하여 DMB의 음향을 전달하는 (19)대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (51) Int. Cl. H04N 5/44 (2006.01) H04N 7/08 (2006.01) (11) 공개번호 (43) 공개일자 10-2007-0071942 2007년07월04일 (21) 출원번호 10-2005-0135804 (22) 출원일자 2005년12월30일 심사청구일자 없음 (71) 출원인 주식회사

More information

농림축산식품부장관귀하 본보고서를 미생물을활용한친환경작물보호제및비료의제형화와현장적용매뉴 얼개발 ( 개발기간 : ~ ) 과제의최종보고서로제출합니다 주관연구기관명 : 고려바이오주식회사 ( 대표자 ) 김영권 (

농림축산식품부장관귀하 본보고서를 미생물을활용한친환경작물보호제및비료의제형화와현장적용매뉴 얼개발 ( 개발기간 : ~ ) 과제의최종보고서로제출합니다 주관연구기관명 : 고려바이오주식회사 ( 대표자 ) 김영권 ( 농림축산식품부장관귀하 본보고서를 미생물을활용한친환경작물보호제및비료의제형화와현장적용매뉴 얼개발 ( 개발기간 :2014. 7. 29 ~ 2016. 7. 28.) 과제의최종보고서로제출합니다. 2016. 7. 28. 주관연구기관명 : 고려바이오주식회사 ( 대표자 ) 김영권 ( 인 ) 협동연구기관명 : 목원대학교산학협력단 ( 대표자 ) 고대식 ( 인 ) 협동연구기관명

More information

<4D6963726F736F667420506F776572506F696E74202D20323030392D312D392DB1DDBFE4B0FAC7D0C5CDC4A12DBCADBFEF2DB1E8BBF3B1B9B1B3BCF6B4D42DC7C1B8B0C6AEBFEB2E707074>

<4D6963726F736F667420506F776572506F696E74202D20323030392D312D392DB1DDBFE4B0FAC7D0C5CDC4A12DBCADBFEF2DB1E8BBF3B1B9B1B3BCF6B4D42DC7C1B8B0C6AEBFEB2E707074> 2009. 1. 9 전자의 또 다른 얼굴: 재미있는 스핀의 세계 김상국 서울대학교 스핀파 동역학-소자 연구단 E-mail :sangkoog@snu.ac.kr (http://sdsw.snu.ac.kr/) Since April, 2006 Research Center for Spin Dynamics & Spin-Wave Device Since 2002 목차 주변에서

More information

<4D F736F F F696E74202D20B9DDB5B5C3BCB0F8C1A426B8DEB8F0B8AEBFEBBDC5BCD2C0E75FBEF7B7CEB5E52E707074>

<4D F736F F F696E74202D20B9DDB5B5C3BCB0F8C1A426B8DEB8F0B8AEBFEBBDC5BCD2C0E75FBEF7B7CEB5E52E707074> Chap. 1 Information/Communication Technology 반도체칩제조공정및메모리반도체 Advanced Materials and Future Technology Fabrication Processes of Semiconductor Chips ( 반도체칩제조공정 ) IC (Integrated Circuit) Devices ( 집적회로소자

More information

ㅇ ㅇ

ㅇ ㅇ ㅇ ㅇ ㅇ 1 ㆍ 2 3 4 ㅇ 1 ㆍ 2 3 ㅇ 1 2 ㆍ ㅇ 1 2 3 ㆍ 4 ㆍ 5 6 ㅇ ㆍ ㆍ 1 2 ㆍ 3 4 5 ㅇ 1 2 3 ㅇ 1 2 3 ㅇ ㅇ ㅇ 붙임 7 대추진전략및 27 개세부추진과제 제 5 차국가공간정보정책기본계획 (2013~2017) 2013. 10 국토교통부 : 2013 2017 차 례 제 1 장창조사회를견인하는국가공간정보정책

More information

ÇÁ·Î±×·¥Áý

ÇÁ·Î±×·¥Áý http://www.kimst.or.kr 2013 2013. 7. 4 5 2013 Contents 01 02 03 04 05 07 10 16 17 18 19 20 21 93 95 96 KIMST 13:0013:20 13:2014:00 14:0018:00 18:0018:30 18:3020:00 09:0011:50 11:5012:50 12:5016:00 02 http://www.kimst.or.kr

More information

PowerPoint Presentation

PowerPoint Presentation 신호조절 (Signal Conditioning) 메카트로닉스 시스템의 구성 ECU 인터페이스 회로 (시그널 컨디셔닝) 마이컴 Model of 기계 시스템 인터페이스 회로 (드라이빙 회로) 센서 액츄에이터 (구동기) 기계 시스템 PN 접합 다이오드 [1] 다이오드의 DC 해석과 등가모델 [1] 다이오드의 DC 해석과 등가모델 [1] 다이오드 응용회로 [1] 다이오드

More information

TDB 3000 Series Full Closed Loop STEP DRIVER의특징 Feedback-Loop로인한진동이없음 감속기없이높은토크구현 높은정밀도 정확한속도제어 SERVO DRIVER의특징 위치유지력 탈조가없음 토크제어가능 STEP DRIVER 와 SERVO

TDB 3000 Series Full Closed Loop STEP DRIVER의특징 Feedback-Loop로인한진동이없음 감속기없이높은토크구현 높은정밀도 정확한속도제어 SERVO DRIVER의특징 위치유지력 탈조가없음 토크제어가능 STEP DRIVER 와 SERVO Full Closed Loop STEP DRIVER의특징 Feedback-Loop로인한진동이없음 감속기없이높은토크구현 높은정밀도 정확한속도제어 SERVO DRIVER의특징 위치유지력 탈조가없음 토크제어가능 STEP DRIVER 와 SERVO DRIVER 의장점을일체화저발열및토크특성우수 TDB 000 V 48 바이폴라 (Bipolar) Closed-Loop 스텝모터드라이버

More information

ad-200200004.hwp

ad-200200004.hwp 탈성매매를 위한 사회복귀지원 프로그램 연구 여 성 부 목 차 Ⅰ. 서론 Ⅱ. 이론적 배경 및 선행연구결과 정리 Ⅲ. 여성복지상담소 실태조사 결과 Ⅳ. 선도보호시설의 운영 및 프로그램 현황 조사 결과 Ⅴ. 결론 참고문헌 부 록 표 목 차 그 림 목 차 부 표 목 차 Ⅰ. 서 론 . 서론 1. 연구의 목적 및 필요성 탈성매매를 위한 사회복귀지원 프로그램 연구

More information

<4D F736F F D20B9DDB5B5C3BC20B0F8C1A420BAAFC8AD D5020B0F8C1A42E646F63>

<4D F736F F D20B9DDB5B5C3BC20B0F8C1A420BAAFC8AD D5020B0F8C1A42E646F63> Industry Brief Analyst 이세철 (6309-4523) seicheol.lee@meritz.co.kr 2013. 06. 11 반도체 Overweight 공정변화 4: CMP(Chemical Mechanical Polishing) Top Picks 삼성전자 (005930) Buy, TP 1,970,000 원 SK 하이닉스 (000660) Buy,

More information

연구보고서 조선산업구조조정과 노동조합의노동시장개입전략 연구보고서 조선산업구조조정과 노동조합의노동시장개입전략 이보고서는금속노조조선분과자문위원회의 7 기 2 년차 (2012 년 10 월 2013 년 9 월 ) 연구사업의일환으로진행된 연구프로젝트결과보고서입니다. 연구과제명 조선산업구조조정과노동조합의노동시장개입전략 연구책임자 홍석범 ( 금속노조노동연구원상임연구위원

More information

Contents SEOUL NATIONAL UNIVERSITY FUTURE INTEGRATED-TECHNOLOGY PROGRAM FIP 13 FIP

Contents SEOUL NATIONAL UNIVERSITY FUTURE INTEGRATED-TECHNOLOGY PROGRAM FIP 13 FIP SEOUL NATIONAL UNIVERSITY FUTURE INTEGRATED-TECHNOLOGY PROGRAM 13 : (IoT), 4.0,,,,,, CEO. 13 : 2016 3 29 ( ) ~ 11 1 ( ) : 310 Contents SEOUL NATIONAL UNIVERSITY FUTURE INTEGRATED-TECHNOLOGY PROGRAM FIP

More information

SEOUL NATIONAL UNIVERSITY FUTURE INTEGRATED-TECHNOLOGY PROGRAM 13 : (IoT), 4.0,,,,,, CEO. 13 : ( ) ~ 11 1 ( ) : 310

SEOUL NATIONAL UNIVERSITY FUTURE INTEGRATED-TECHNOLOGY PROGRAM 13 : (IoT), 4.0,,,,,, CEO. 13 : ( ) ~ 11 1 ( ) : 310 SEOUL NATIONAL UNIVERSITY FUTURE INTEGRATED-TECHNOLOGY PROGRAM 13 : (IoT), 4.0,,,,,, CEO. 13 : 2016 3 29 ( ) ~ 11 1 ( ) : 310 Contents SEOUL NATIONAL UNIVERSITY FUTURE INTEGRATED-TECHNOLOGY PROGRAM FIP

More information

ARM01

ARM01 0 1 Chapter 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 ARM System Developer s guide 32, ARM., ARM,,,. ARM 1985, ARM1, 2001 20 ARM. ARM,., ARM,., ARM ARM7TDMI, 120 Dhrystone MIPS 1),. ARM7TDMI. ARM, RISC(Reduced Instruction Set

More information

KMC.xlsm

KMC.xlsm 제 7 장. /S 에필요한내용 1] IGBT 취급시주의사항 ) IGBT 취급시주의 1) 운반도중에는 Carbon Cross로 G-E를단락시킵니다. 2) 정전기가발생할수있으므로손으로 G-E 및주단자를만지지마십시요. 3) G-E 단자를개방시킨상태에서직류전원을인가하지마십시요. (IGBT 파손됨 ) 4) IGBT 조립시에는사용기기나인체를접지시키십시요. G2 E2 E1

More information

2ÀåÀÛ¾÷

2ÀåÀÛ¾÷ 02 102 103 104 105 혁신 17과 1/17 특히 05. 1부터 수준 높은 자료의 제공과 공유를 위해 국내 학회지 원문 데이 >> 교육정보마당 데이터베이스 구축 현황( 05. 8. 1 현재) 구 분 서지정보 원문내용 기사색인 내 용 단행본, 연속 간행물 종 수 50만종 교육정책연구보고서, 실 국발행자료 5,000여종 교육 과정 자료 3,000여종

More information

<B3EDB4DC28B1E8BCAEC7F6292E687770>

<B3EDB4DC28B1E8BCAEC7F6292E687770> 1) 초고를읽고소중한조언을주신여러분들게감사드린다. 소중한조언들에도불구하고이글이포함하는오류는전적으로저자개인의것임을밝혀둔다. 2) 대표적인학자가 Asia's Next Giant: South Korea and Late Industrialization, 1990 을저술한 MIT 의 A. Amsden 교수이다. - 1 - - 2 - 3) 계량방법론은회귀분석 (regression)

More information

Microsoft Word - 120917 하이닉스 발간_FINAL_.doc

Microsoft Word - 120917 하이닉스 발간_FINAL_.doc SK하이닉스 (66) 212. 9. 19 기업분석 Analyst 안성호 2. 3772-7475 shan@hanwha.com RA. 고정우 2. 3772-7466 jungwoo.ko@hanwha.com Buy(maintain) 목표주가: 31,원(유지) 주가(9/18): 22,85원 Stock Data KOSPI(9/18) 2,4.96pt 시가총액 158,67억원

More information