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1 반도체 Overweight 자료공표일 9 June 2009 반도체 /LCD 담당안성호 Tel shan@eugenefn.com 업종내 High 베타 Low 베타초점전환 Investment Point 시황 : 2009년 1월을저점으로글로벌메모리반도체회복추세가이어지고있음. 6월에도 DRAM 고정가격상승을바탕으로매출증가세가이어질전망. 다만, 단기적으로 7~8 월에는 6월매출수준을크게벗어나지못하는매출증가정체국면을예상. 이미현물가격이횡보세로전환한가운데, 6월고정가격인상이후에는당분간특별한섹터모멘텀을기대하기어려움. 투자전략 : 섹터모멘텀이약한 8월상반월까지는주변매크로변수의영향이클전망이므로업종내 High 베타하이닉스보다는베타값이낮은삼성전자비중확대에초점을맞추는투자전략을권고함. 1) 단기 (~8 월상반월 ): 뚜렷한메모리가격모멘텀부재 End-use 수요불확실한가운데 3Q09 DRAM bit growth 증가 (1Q09-10%QoQ 2Q09 +9%QoQ 3Q09 +12%QoQ) 2) 중장기 (8 월하반월이후 ): Strong Overweight 고려예상대로대만업체현금원가이하가격흐름이 3Q09 까지이어질경우, 3Q08 부터감산에돌입한대만업체 80~90nm 공정설비가사실상퇴출되는결과로직결 삼성전자 / 하이닉스주력제품과 2세대공정격차로확대 Valuation 1) 삼성전자 ( 목표주가 690,000 원, BUY 투자의견 ) 2Q09 에공정전환가속화를위한 Immersion 노광장비를대규모발주하는등과거불황기를기회로활용하는사업전략재현성공 2) 하이닉스 ( 목표주가 15,000 원, HOLD 투자의견 ) 2009년턴어라운드추세유효하나, 목표주가 PBR 1.8X 는턴어라운드초기기대감을기반영. 추가상승을위해서는불확실성제거와추가적인섹터모멘텀필요한것으로판단

2 Contents I. Summary 1. 중장기메모리턴어라운드전망은유효 2. 방향성이아닌턴어라운드속도, 불확실성해소가관건 3. 투자전략 II. 메모리 Supply Update 년메모리웨이퍼생산량급감 2. 분기별로는 1Q09 웨이퍼생산급감후점진적으로증가 3. 주요업체별메모리웨이퍼생산감소내역 4. 웨이퍼생산감소는칩생산증가율둔화로직결 III. 메모리 Demand Update 년 PC 출하증가율 -9.6% 전망 년 DRAM 수요 +14.7%YoY 증가 년이후 NAND Flash 수요는 Mobile Phone, SSD 가주도 IV 년 DRAM 수급전망 1. 공급증가율이더낮아지면수요불확실성최소화가능 V 년 NAND Flash 빅이슈 1. SSD 가메모리수급에미치는영향분석 2. SSD 시장확대를위한조건 기업분석삼성전자 ( KS) 하이닉스 ( KS)

3 I. Summary 1. 중장기메모리턴어라운드전망은유효 2009년 DRAM시장은 4Q09 부터 tight 한수급구조로전환할것으로예상한다. 2009년글로벌 DRAM 출하량은웨이퍼생산량 -21.5%YoY 급감을바탕으로반도체역사상가장낮은 +13.5%YoY 증가율에그칠것으로전망한다. 반면, DRAM 수요는 PC 출하증가율 -9.6%YoY, PC MB/Box 증가율 +25%YoY 를바탕으로 +14.7%YoY 증가할것으로전망한다. 즉, 2009 년 DRAM 시장은수요증가율이공급증가율을상회하여 2Q09~3Q09 까지재고소진과정을거친후 4Q09 부터공급부족으로전환할것으로예상한다. 도표 1 M pcs(512m Eq.) 6,000 DRAM 수요량 DRAM 공급량 DRAM 공급 / 수요 (%) (%) , , '05 '06 '07 '08 '09E 년 NAND Flash 시장은 1Q09 부터이미완연한수급개선국면에진입했다. 최근가파른가격상승에따른피로감으로가격조정흐름이진행되고있으나, 과점화된공급구조와전통적인하반기 Seasonality 를고려할때 2009년 8월이후에는더욱 tight 한수급상황이재현될것으로예상한다. DRAM 경우와마찬가지로 2009 년글로벌 NAND Flash 생산은웨이퍼생산증가율 -13.4%YoY 급감을바탕으로 +42.7%YoY 증가에그칠전망이며, NAND Flash 수요는 Mobile Phone 의 NAND Flash 채용확대, SSD 등신규 application 수요확산등으로 +49.1%YoY 증가할것으로전망한다. 결국 2009년 NAND Flash 시장은수요증가율이공급증가율을 6.4%pt 나상회하므로턴어라운드추세에특별한돌발변수가없을것으로예상한다. 아울러향후 30nm 급 NAND Flash 생산확대에따른공급증가는 SSD(Solid State Disk) 수요촉진요인으로작용할것이므로 NAND Flash 수급전망에특별한부담요인으로작용하지는않을것이다. _3

4 2. 방향성이아닌턴어라운드속도, 불확실성해소가관건 일반적으로턴어라운드초기에는턴어라운드방향성에대한확인만으로도매우강력한주가상승모멘텀으로작용한다. 당사는지난 5월까지 Pure player 하이닉스주가급등을통해턴어라운드방향성은충분한공감대를형성한것으로판단한다. 이제부터는방향성이아닌턴어라운드속도와불확실성해소에초점을맞춰야할시기이다. 과연불확실성은모두해소된것인가? DRAM 공급증가율이사상최저로낮아진상태에서 2009년 DRAM 턴어라운드전망의가장큰불확실성은역시 PC 수요에있다. 만약 2009년 PC 출하증가율이 -5% 이하수준에그친다면 DRAM 턴어라운드에대한논란은이미끝났다고볼수있다 년 DRAM 수요증가율이 20% 에육박하게되므로 2Q09 부터 tight 한수급구조로전환될것이기때문이다. 그러나만약 PC 출하증가율이시장의가장보수적인전망치인 -15%YoY 에이를경우에는 DRAM 수요증가율이 +10%YoY 이하로낮아지므로 2009년연중내내 DRAM 공급과잉이지속될것이다. 도표 2 PC출하증가율 DRAM 수요증가율 비고 유진투자증권전망 -9.6% 14.7% 4Q09 부터 tight 한수급전환 수요변수개선時 -5% ~ 20% 2Q09 부터가격강세지속 수요침체가속화時 -15% 10% 2009 년연중가격약세지속 과연 2009년 PC 출하증가율을어떻게가정할것인가? 2009년 PC 수요전망의불확실성은주요시장조시기관전망치차이에그대로나타난다 ( 도표 2). 당사는 2000 년이후지역별 PC 출하증감률과지역별 GDP 성장률의상관관계식에의거하여 2009 년글로벌 PC 출하량이 -9.6%YoY 감소하는것으로전망한다. GDP 성장률은보수적인관점에서대공황과같은최악의경기상황을가정하여 -4% 를적용했다. 이는 PC 수요의절반이상을차지하는미국, 유럽의 GDP 성장률전망이 -2%~-5% 에이르는점을고려한것이다. 도표 E 2009년 3 月집계 / 전망 10.3% -11.9% Gartner 2008년 11 月전망 14.0% 13.9% 2008년 6 月전망 17.9% 15.3% 2008년 3 月전망 10.9% 13.0% 2009년 3 月집계 / 전망 9.7% -4.5% 2008년 12 月전망 12.4% 3.8% IDC 2008년 9 月전망 15.7% 13.7% 2008년 6 月전망 15.2% 13.4% 2008년 3 月전망 12.8% 11.1% 자료 : Gartner, IDC 4_

5 3Q09 까지는판가상승억제를통한공급축소유도전략지속 2009년 DRAM 공급증가율 +13.5%YoY, 수요증가율 +14.7%YoY 구도에서수요불확실성을해소하는가장확실한방법은공급증가율을 +10%YoY 이하로낮아지게하거나, 적어도추가적인증가를최대한억제하도록하는것이다. 향후추가적인업계퇴출등으로선행적으로공급축소가나타날경우, 이는 DRAM 수급개선전망에확신을가질수있는확실한계기가될것이다. 이와관련, 당사는선두업체들이적어도 3Q09 까지선행적인공급축소를유도하는전략을지속할것으로예상한다. 즉, 3Q08 부터감산에돌입한대만업체들의생산중단기간이 1년이상지속되도록함으로써실질적으로생산설비가퇴출되는결과를유도하는것이다. 3Q09 에삼성전자와하이닉스는 50nm 대 DRAM 공정비중이 40% 를상회할예정인데, 대만감산라인의 80nm~90nm 공정과 2세대공정차이로확대되므로원가경쟁자체가불가능해지게된다. 적어도 3Q09 까지삼성전자, 하이닉스는추가적인판가상승을억제하는전략을구사할것이다. 아래 [ 도표4] 에보는바와같이 2009 년 DRAM 가격은공급업체동향에민감하게반응하는바, 경우에따라삼성전자가신규라인건설발표등을통해섣부른회복기대감을최대한억제할수도있다. 도표 4 (US$) 2.5 1G DDR2-Cont 1G DDR2 667-Spot 대만후발업체현금원가 Jul/08 Sep/08 Nov/08 Jan/09 Mar/09 May/09 _5

6 DRAM 수급측면에서도 6 월고정가격인상후당분간섹터모멘텀둔화 DRAM 수급측면에서도 6월고정가격인상후당분간섹터모멘텀이둔화될것으로예상한다. 계절적으로 PC 판매량이감소하는 2Q09 의 DRAM 판매물량증가가모두실수요로소화된것으로보기어렵기때문이다. 2Q09 DRAM 수요의일부는 2009년하반기공급차질가능성을대비한재고확보수요로보는것이타당하다. 따라서향후에는대형 PC업체들의추가가격인상요구에대한저항감이커질가능성이높다. 아울러대형모듈업체 Kingston 이 US$1.0 이하가격대에서물량을대거확보한것으로파악되는점도추가적인가격상승을억제하는요인으로작용할전망이다. 한편, 6월상반월 DRAM 고정가격은 1GB 모듈기준 US$11 선까지인상되었다. 이는 1G 단품기준 US$1.2 에해당한다. 당사는 8월상반월까지 DRAM 가격의횡보국면을예상하며 US$1.3 이상의가격반등이어려울것으로전망한다. 이미 DRAM 현물가격이횡보국면에진입한가운데, 6월고정가격인상이후에는당분간특별한섹터모멘텀을기대하기어렵다. NAND Flash 도 DRAM 과마찬가지로 8월상반월까지지지부진한흐름을이어갈것으로예상한다. 도표 5 (US$) 2.5 1G DDR2-Cont G DDR2 667-Spot 키몬다파산선언 대만정부 DRAM 통합후자금지원계획발표 하이닉스, 엘피다가격급등추진발언 대만정부 DRAM 삼성전자, 하이닉스통합계획철회선두업체감산동참 0.0 Jul/08 Sep/08 Nov/08 Jan/09 Mar/09 May/09 6_

7 3. 투자전략 앞에언급한바와같이당사는메모리산업이중장기턴어라운드국면에진입한것으로판단한다. 이미주가도저점대비큰폭으로상승한상황이므로반대의경우가아니라면굳이턴어라운드전망을되새김질할필요도없다. 현시점에서는주가와턴어라운드속도의괴리도를점검하고불확실성해소를위한조건등을검토하는것이현실적이다. 연초대비주가가크게상승했으나, 주변여건은여전히불확실하다. 2009년상반기 IT업체의재고확충 (Re-stocking) 과정에서우호적으로작용했던원 / 달러환율도하락하고있고, 최종수요도여전히불확실하다. 최근에는 country risk 도잠재적인불안요인이되고있다. 이러한가운데, 6월 DRAM 고정가격인상이후에는특별한섹터모멘텀이부재하여 7~8 월까지 6월매출수준을크게벗어나지못하는매출증가정체국면이예상된다. 물론후발업체도산가능성이상존하고중장기적으로턴어라운드국면에진입한것으로판단하므로단기적인모멘텀둔화에지나치게부정적으로대응할필요는없다. 다만, 시기별로반도체업종내기회와리스크를고려한합리적인투자전략이필요하다. 아래에각시기별반도체업종투자전략을정리했다. 1. 단기 (~8 월상반월 ) 6월고정가격인상이후특별한섹터모멘텀부재하여주변변수의영향이클전망이므로업종내고 PBR, High 베타주식하이닉스보다는베타값이낮은삼성전자비중확대에초점을맞추는투자전략을권고한다. 현재하이닉스의 52주베타값은 1.84 에달해주가변동성이매우높다. 2. 중장기 (8 월하반월이후 ) 주변상황이특별히악화되지않고예상대로박스권가격흐름을확인한후에는 4Q09 섹터모멘텀을겨냥, High 베타주식하이닉스에대한 Strong Overweight 을고려한다. 도표 6 [US$] 삼성전자 하이닉스 하이닉스 5 년평균베타 삼성전자 5 년평균베타 /1 04/6 04/12 05/5 05/11 06/4 06/10 07/3 07/9 08/2 08/8 09/1 _7

8 II. 메모리 Supply Update 년메모리웨이퍼생산량급감 2009년글로벌메모리웨이퍼생산량은 -18.7%YoY 급감한 2,218 만장 (12 Eq.) 규모로추정한다. 이중 DRAM 웨이퍼는전년대비 21.5% 급감한 1,344 만장, NAND Flash 웨이퍼는 13.4% 감소한 69만장으로추정한다. 처음에는대만 2nd tier 업체들을중심으로감산이시작되었는데, 2008년연말부터삼성전자, 하이닉스등선두업체들도추가투자축소및감산에동참함으로써전체생산축소규모가당초예상을크게뛰어넘게되었다. 아울러 2009년 1월의 Qimonda 파산도 2009년글로벌메모리생산량감소에영향을미치는요인이되었다. 아래 [ 도표7] 에각업체의설비투자축소, 감산계획등을반영하여글로벌메모리생산 Capa. 추정치변화를정리했다. 그림에보는바와같이 4Q08 에본격화된생산축소가 2008 년연말을거치면서더욱강력하게진행되었음을알수있다 년 3월의추정치는각업체의 2009년사업계획기조를반영한것으로써 2Q09 에는생산계획에특별한변화가없는것으로파악한다.. 도표 7 (M sls, 12"Eq.) 40 08년 8월 08년 11월 35 09년 3월 09년 6월 E 2010E 8_

9 2. 분기별로는 1Q09 웨이퍼생산급감후점진적으로증가 분기별로는 1Q09 에급격한생산량감소가진행된후 2Q09 부터점진적인증가세를나타낼것으로예상한다. 이는 1Q09 의감산폭이예상보다훨씬크게진행된데따른당연한결과이다. 감산폭이가장큰 1Q09 의 DRAM 웨이퍼생산량은 -17.9%QoQ, NAND Flash 웨이퍼생산량은 -14.2%QoQ 급감한것으로추정한다. 1Q09 의메모리생산량축소는동기간메모리가격반등의가장큰이유로작용했다. 2Q09 이후메모리웨이퍼생산은삼성전자의 8 라인생산중단과후발업체의가동률회복추세가복합적으로나타날것이다. 당장 2Q09 의가격반등으로 Nanya, Inotera 등이웨이퍼투입량을확대한것으로파악한다. 수치상으로는삼성전자 8 라인생산중단영향으로웨이퍼생산량이완만하게증가할것으로추정되나, 8 라인에서는 Specialty 제품이주로생산되므로실질적으로범용 DRAM 수급에미치는영향이크지않다. 따라서향후메모리턴어라운드를확실하게하기위해서는대만업체의가동률회복을억제하는전략이당분간더유지되어야한다. 도표 8 ( 천장, 12" Eq.) 1Q08 2Q 3Q 4Q 1Q09 2QE 3QE 4QE E DRAM Wafer Capa. 4,281 4,495 4,346 3,984 3,270 3,356 3,370 3,440 15,202 17,106 13,436 Samsung 1,108 1,183 1,195 1,147 1,080 1,112 1,097 1,070 3,982 4,633 4,358 Hynix 927 1, ,123 3,748 3,090 Micron ,166 1,206 1,200 Qimonda , Elpida ,074 1,410 1,440 Nanya ,501 1, Powerchip ,502 2,178 1,856 Promos ,038 1, Others Growth(%) NAND Flash Wafer Capa. 2,331 2,368 2,376 2,224 1,907 1,976 2,074 2,097 7,532 9,299 8,054 Samsung ,496 3,217 3,062 Toshiba ,088 3,092 2,907 Hynix ,705 1, IMFT ,170 1,125 Others Growth(%) 주 ) Nanya 는 Inotera, Powerchip 은 Rexchip 포함 _9

10 도표 9 ( 백만장, 12") 1Q08 2Q08 3Q08 4Q08 1Q09 2Q09E 3Q09E 4Q09E E DRAM 웨이퍼생산량 NAND Flash others Total DRAM 5.0% 5.0% -3.3% -8.3% -17.9% 2.6% 0.4% 2.1% 33.8% 12.5% -21.5% G/R NAND Flash 3.8% 1.6% 0.3% -6.4% -14.2% 3.6% 5.0% 1.1% 38.9% 23.5% -13.4% (%, QoQ/YoY) others 4.9% 3.5% 4.1% -21.3% -6.0% -7.0% 9.1% 2.7% 82.4% 11.9% -19.8% Total 4.6% 3.8% -1.9% -8.1% -16.3% 2.7% 2.3% 1.7% 36.6% 16.0% -18.7% 도표 10 (YoY G/R) 120% 100% Memory Total DRAM NAND Flash 80% 60% 40% 20% 사상처음전년대비마이너스생산증가율기록할전망 0% -20% -40% E 2009E 2010E 도표 11 (YoY G/R) 120% 100% 80% DRAM NAND Flash 60% 40% 20% 2009년상반기생산감소폭이가장큼 0% -20% -40% 1Q05 1Q06 1Q07 1Q08 1Q09 1Q10 10_

11 3. 주요업체별메모리웨이퍼생산감소내역 지금까지진행상황으로볼때 2009 년은신규라인이없는사상첫해가될전망이다. Nanya-Micron 합작법인인 MeiYa 의투자계획이전면보류되었고, Powerchip-Elpida 합작법인인 Rexchip 의투자계획도전면보류되었다. 일본도시바는 SanDisk 합작라인인 Flashpartners 4기라인의증설투자를연기함과동시에 5기라인에대한설비투자를무기한연기했으며, 거의유일하게설비투자여력이있는삼성전자도신규 16라인에대한투자일정을무기한연기했다. 신규라인건설투자취소와함께기존라인에대한증설투자도최대한억제되고있다. 최소한의공정전환투자도어려운상황에서생산 Capa. 증설은사실상불가능하다. 대부분업체들이 8 웨이퍼생산라인을폐쇄하고기존 12 웨이퍼생산설비를그대로유지할예정이다. 즉, 2009 년하반기에메모리생산량이재차증가한다고하더라도그폭은상반기감산이정상화되는수준을넘지못할것으로예상한다. 현재삼성전자만이거의유일하게기존라인증설투자및공정전환투자를진행하고있다. 다음 [ 도표12] 에각업체별웨이퍼 Capa. 변동내역과각업체별구체적인생산 Capa. 변동내역을정리했다. 도표 12 업체명메모리생산 Capa. 추정치변경내역 Samsung 년 16 라인투자보류, Immersion 장비등공정전환투자에집중 - 8인치 8/9 라인 Capa. 절반축소, 10라인 2Q09 폐쇄, SAS-1 라인연말폐쇄 Hynix - 8인치 M7, M9, 미국유진라인가동중단 - 1Q09 12인치 M10, M11, 중국 C2 라인평균 20% 감산 - 12인치 M10, M11, 중국 C2라인증설투자보류 Nanya(Inotera) - 1H09 Nanya, Inotera Stack 공정전환에따른자연감산 - 공정전환투자지연으로 2H09 생산정상화도자동지연 ( 대만구조재편혼선도영향 ) Micron(IMFT) 년가동예정인싱가폴 IMFS 3기라인투자계획철회한후특이사항없음 Toshiba 년메모리 Capa. Update, 1Q09 30% 감산돌입 - 12인치 Y4라인증설투자축소및 Y5라인투자계획전면보류 Powerchip - 4Q08 라인별 10~15% 감산계획발표, 실제감산규모는 30% 에달하는것으로추정 - Rexchip 2기라인투자계획도전면보류 Promos - 라인별감산규모 50% 에달하는것으로추정 - 파산가능성부각으로 2009 년중정상가동률회복이어려울것으로추정 ( 감산지속으로추정 ) Elpida/Qimonda - Elpida 12인치월 12만장생산에변동사항없음 - Qimonda 는파산으로 2009 년 3월부터생산활동전면중단발표자료 : 각사, 유진투자증권 _11

12 도표 13 업체명 라인 F 비고 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q 2Q 3Q 4Q 삼성전자 Fab13 당초 2Q09 양산예정인 16라인 NAND Flash Fab14 설비투자계획보류 Fab15 SAS-12" Fab16 하이닉스 M10 혼용 M11 증설투자필요 마이크론 중국 -12" M11 M12(temp) Manassas Lehi 신규투자보다는 M&A 를통한점유율확대추진 Singapore 2 Singapore 3 Qimonda Richmond Elpida E300-2 Powerchip, Rexchip을통한 E300-3 Foundry 강화 Promos Fab3 Fab4 라인 ramp up 지연 Fab4 Nanya Inotera-1 1H09 Trench 공법을 Stack 으로전환 Inotera-2 : 초기수율차질가능성상존 Fab3 MeiYa 설비투자보류 MeiYa Powerchip Fab12B Rexchip 2기라인설비투자보류 Fab12M Rexchip-1 Rexchip-2 Winbond Fab6 Qimonda 제휴업체 Toshiba Yokaichi 년 Y5 라인투자계획보류, Yokaichi 4 Y4 라인증설투자보류 Yokaichi 5 신규라인 Total 년신규라인부재는, DRAM 년메모리생산증가율둔화에도 NAND 영향을미칠것임 12_

13 주목할점은 2009 년설비투자축소는 2009 년의신규라인건설연기뿐만아니라 2008 년신규라인의 ramp up을지연시켜 2010 년메모리생산증가율둔화에도직접적인영향을미친다는것이다. 적어도 Supply 측면에서는중장기메모리턴어라운드의기본토대가갖춰진것으로볼수있다. 이는메모리반도체설비투자사이클에서도간접적으로추측할수있다. 아래 [ 도표14] 를살펴보면메모리설비투자증감률이전년대비절반수준으로급감한시기, 또는 2년연속급감한시기는메모리산업이저점을형성하고턴어라운드를시작하는시기와일치한다. 도표 14 ( 십억불 ) DRAM Capex. Capex G/R (%) '85 '87 '89 '91 '93 '95 '97 '99 '01 '03 '05 '07 '09(E) 자료 : isuppli, Gartner, 유진투자증권추정 4. 웨이퍼생산감소는칩생산증가율둔화로직결 메모리산업전반의생산 Capa. 감소는메모리칩생산증가율둔화로나타날수밖에없다. 특히 50nm 이하공정전환의어려움이커지는상황에서는더욱그러하다. 당사는 2009년글로벌 DRAM 출하증가율이 +13.5%YoY, NAND Flash 출하증가율은 +43.2%YoY 에불과할것으로추정한다 [ 도표 15, 16]. 물량기준으로는선두업체의감산동참및증설투자보류로인해삼성전자와하이닉스의생산감소폭이가장크다. 지난 3년간고도성장을지속한 Elpida 도 Powerchip, Rexchip 의감산으로 2009 년출하증가율이 +28%YoY 에그칠것으로예상한다. 반면, Micron 은전년대비 2009년출하증가율이가장클것으로예상한다. Inotera 지분확보에따른 Foundry 물량증가를예상하기때문이다. 2009년 NAND Flash 출하증가율 +42.7%YoY 전망은 NAND Flash 웨이퍼생산 -13.4%YoY 감소와선두업체의원활한 40nm 이하공정전환을가정한것이다. 2009년하반기에 DRAM 라인의 NAND Flash 생산전환가능성이있으나, 2009년생산량에미치는영향이제한적이고공정전환차질가능성도있으므로현시점에서는 40% 대증가율전망이적절한것으로판단한다. 업체별로는삼성전자와도시바가각각 +46%YoY, +50%YoY 증가하고하이닉스는 8 생산라인폐쇄및 12 라인증설지연으로 -20%YoY 감소할것으로예상한다. _13

14 도표 15 (512M Eq, 백만개 ) 업체명 1Q08 2Q 3Q 4Q 1Q09 2QE 3QE 4QE E 출하량삼성전자 941 1,138 1,246 1,283 1,291 1,506 1,769 1,909 1,411 2,588 4,608 6,475 하이닉스 ,030 1,032 1,007 1,088 1,181 1,236 1,016 2,459 3,691 4,512 Micron ,211 1,936 Qimonda ,403 1, Elpida ,291 2,647 3,382 Nanya Promos Powerchip ,221 1,171 Others Total 3,511 4,063 4,427 4,457 4,027 4,394 4,905 5,358 5,576 10,422 16,458 18,685 증감률 (%) 삼성전자 하이닉스 Micron Qimonda Elpida Nanya Promos Powerchip Total 도표 16 (8G Eq, 백만개 ) 업체명 1Q08 2Q 3Q 4Q 1Q09 2QE 3QE 4QE E 출하량 Samsung ,595 2,336 Toshiba ,511 2,263 Hynix IMFT others Total ,128 1,227 1,129 1,320 1,613 1, ,858 4,154 5,928 증감률 (%) Samsung Toshiba Hynix IMFT Total _

15 III. 메모리 Demand Update 년 PC 출하증가율 -9.6% 전망 2009년 DRAM 시장을전망함에있어가장큰변수는 PC 출하량 전망이다. 4Q08 이후 PC수요전망이급격히위축되는가운에, 그전망이각조사기관마다천차만별이다. 아래 [ 도표17] 에보는바와같이, 주요시장조사기관의 2009년 PC출하량전망치는각각 -4.5% 와 -11.9% 로써그차이가매우크다. 이는 2009 년글로벌경제전망의차이에서비롯되는것으로써현재시장전망의불확실성을그대로보여준다고할수있다. 전체 DRAM 시장에서순수 PC관련수요는약 65% 비중을차지하며, 프린터등 PC 주변기기와 After market 현물수요를포함한범 PC관련수요는전체 DRAM 수요의 70% 를상회한다. 따라서신뢰성있는 PC수요전망치를가정하는것이무엇보다중요하다. 도표 17 Gartner IDC 자료 : Gartner, IDC E 2009년 3 月집계 / 전망 10.3% -11.9% 2008년 11 月전망 14.0% 13.9% 2008년 6 月전망 17.9% 15.3% 2008년 3 月전망 10.9% 13.0% 2009년 3 月집계 / 전망 9.7% -4.5% 2008년 12 月전망 12.4% 3.8% 2008년 9 月전망 15.7% 13.7% 2008년 6 月전망 15.2% 13.4% 2008년 3 月전망 12.8% 11.1% 기본적으로글로벌 PC수요는글로벌 GDP 성장률과正의상관관계를가진다. [ 도표18] 은 2000 년이후지역별 PC 출하증감률과지역별 GDP 성장률의상관관계를보여준다. 이는 PC 매출증감률과비교할경우에도유사하게나타난다. 당사는 [ 도표20] 의상관관계식에의거하여 2009 년글로벌 PC 출하량이 -9.6%YoY 감소하는것으로전망한다. GDP 성장률은보수적인관점에서대공황과같은최악의경기상황을가정하여 -4% 를적용했다. 이는전체 PC 수요의절반이상을차지하는미국, 유럽등선진국의 2009년 GDP 성장률전망이 -2%~-5% 에이르는점을고려한것이다. 참고로과거대공황당시주요 10개국의 GDP 성장률은 -4.2% 였다. _15

16 도표 18 正 도표 19 正 30% 6% 30% 6% 25% 20% 15% 10% 5% 4% 3% 20% 10% 5% 4% 3% 5% 0% -5% -10% PC shipment( 좌 ) Global GDP G/R( 우 ) '95 '96 '97 '98 '99 '00 '01 '02 '03 '04 '05 '06 '07 '08 2% 1% 0% 0% -10% -20% PC Revenue( 좌 ) Global GDP G/R( 우 ) '95 '96 '97 '98 '99 '00 '01 '02 '03 '04 '05 '06 '07 '08 2% 1% 0% 도표 20 (PC G/R) 30% 25% y = x R 2 = % 15% 10% 5% 0% (GDP 성장률 ) -5% -10% -15% -2% 0% 2% 4% 6% 8% 10% 12% 자료 : IDC, IMF, 유진투자증권 16_

17 2009년 PC MB/Box는 +25%YoY 증가한 2.2GB 로전망한다. 1995년이후 14년간 PC MB/Box 증가율평균치는 +43%YoY 로추정하는데, 2005년최저증가율 +22%YoY 과비슷한 +25%YoY 를전망한다 년최저증가율 +22%YoY 가연평균 DRAM 가격이상승했던 2004 년직후에기록한것이고, 당시인텔 DDR2 지원칩셋출시지연으로 High-end PC 가큰타격을입은특수한상황이었다는점에서당사의 +25%YoY 전망치는보수적인것으로판단한다. 실제로 1995 년이후지금까지연평균 DRAM 가격이 50% 이상급락했던경우, 당해년과이듬해에 PC MB/Box 증가율이 +40%YoY 이하를기록했던경우는한번도없었다. 그럼에도불구하고 +25%YoY 증가를전망하는이유는 Net Book 등저가PC 비중증가를고려했기때문이다. 도표 년가격급락및윈도우 2000 출시 윈도우비스타출시및가격급락효과 2004년가격강세및 '97~'98 가격급락 DDR2 지원칩셋출시지연영향 및윈도우 98 출시 MB/Box ( 좌 ) YoY G/R ( 우 ) 수요심리위축 Net Book 증가 '95 '96 '97 '98 '99 '00 '01 '02 '03 '04 '05 '06 '07 '08 '09E 0 추정 도표 MB/Box G/R(%) DRAM ASP G/R(%) y = x R 2 = 추정 _17

18 년 DRAM 수요 +14.7%YoY 증가 2009년 PC 출하증가율 -9.6%YoY, MB/Box 증가율 +25%YoY 에근거한 2009 년 DRAM 수요량은 +14.7%YoY 증가한 182 억개 (512M Eq.) 로추정한다. Non-PC 와 After market 의수요비중은각각 32%, 3% 로써과거와비슷한수요비중을유지할것으로전망한다. 전체적으로개인소비가위축되는상황에서 Non-PC 向 DRAM 수요증가율이 PC 向수요증가율보다낮아질것으로우려할수있다. Non-PC 向 DRAM 수요증가율둔화로전체 DRAM 수요가예상에미치지못할수있는것이다. 그러나당사는정반대경우가될가능성이높은것으로판단한다. 즉, 과거 8인치라인에서생산하던 Non-PC 向 Specialty DRAM 이 12인치라인으로이전, 생산되면서전반적인 DRAM 용량이크게증가할것으로예상하기때문이다. 고용량 DRAM 가격이크게하락한상황에서저용량 DRAM 의생산중단은 Non-PC 제품에서의고용량 DRAM 채용을촉진하는요인으로작용할것이다. 도표 23 (M pcs-512m Eq, QoQ %) 1Q07 2Q 3Q 4Q 1Q08 2Q 3Q 4Q 1Q09E 2QE 3QE 4QE E PC demand 1,030 1,158 1,388 1,613 1,676 1,945 2,214 2,184 1,836 2,054 2,430 2,751 2,967 5,189 8,019 9,071 PC shipment PC MB/Box 1,081 1,210 1,284 1,329 1,528 1,767 1,809 1,834 1,923 2,162 2,236 2, ,234 1,739 2,175 Graphics demand ,034 1,580 1,855 Graphics card shipment Graphics MB Non-PC demand ,168 1,311 1,404 1,269 1,310 1,435 1,523 1,627 1,796 3,268 5,151 5,894 After market DRAM demand 2,026 2,352 2,636 3,021 3,408 4,018 4,277 4,156 3,783 4,204 4,796 5,408 5,694 10,035 15,858 18,190 DRAM 수요비중 (%) 100% 100% 100% 100% 100% 100% 100% 100% 100% 100% 100% 100% 100% 100% 100% 100% PC관련수요 64% 63% 67% 68% 62% 62% 66% 68% 63% 63% 65% 67% 65% 66% 64% 65% Non-PC 수요 35% 33% 32% 31% 34% 33% 33% 31% 35% 34% 32% 30% 32% 33% 32% 32% After Mkt 2% 3% 1% 1% 3% 6% 2% 2% 2% 3% 3% 3% 4% 2% 3% 3% DRAM 수요증가율 (%) PC shipment 증가율 PC MB/Box 증가율 PC관련 DRAM 수요증가율 Non-PC DRAM 수요증가율 _

19 년이후 NAND Flash 수요는 Mobile Phone, SSD 가주도 2009년 NAND Flash 수요는스마트폰을위시한 Mobile Phone 에의해주도될것으로예상한다. 기본적으로 NAND Flash 시장은공급업체와수요업체간전략적제휴를통해신규수요를창출, 확산시키는특징을가진다. 애플이 NAND Flash 장기공급계약을통해 ipod 시리즈를출시하며 mp3 player 시장을주도할때도그랬고, iphone 을출시하면서스마트폰붐을주도했을때에도마찬가지였다. 2009년이후 NAND Flash 시장은 12억대에달하는 Mobile Phone 에 NAND Flash 탑재가보편화되면서더욱확대될것으로예상한다. 2009년하반기부터는 SSD(Solid State Disk) 수요가빠르게증가할것으로예상한다. 이를위해서는수요확대를촉진시킬수있는 NAND Flash 가격인하가중요하다. 당사는 2009 년하반기 35nm NAND Flash 생산수율확보를통해공급업체의 NAND Flash 제조원가가낮아지는것과더불어 SSD 신제품수요확대가본격화될것으로예상한다. 도표 % 90% 80% 70% 60% 50% 40% 30% 20% 10% 0% 5% 4% 5% 5% 5% 5% 11% 12% 12% 13% 11% 11% 1% 1% 1% 2% 5% 11% 19% 27% 35% 39% 42% 41% 35% 33% 29% 26% 23% 20% 29% 22% 18% 15% 14% 12% E 2010E 2011E 2012E Others USB Drive SSD Mobile Phone PMP DSC 자료 : IDC _19

20 도표 25 제조업체노키아애플삼성전자 LG 전자 HTC 모델명 5800 XpressMusic iphone 3G i900 Omnia Incite T-Mobile G1 출시시기 2008 년 10 월 2008 년 6 월 2008 년 6 월 2008 년 11 월 2008 년 10 월 Display Size 360x640 pixels, 3.2 inches 320x480 pixels, 3.5 inches 240x400 pixels, 3.2 inches 240x400 pixels, 3.0 inches 320 x 480 pixels, 3.2 inches Display Type TFT touchscreen TFT touchscreen TFT touchscreen TFT touchscreen TFT touchscreen 메모리 Card slot microsd (TransFlash) 8/16 GB shared memory microsd(transflash) microsd(transflash) microsd (TransFlash) OS Symbian OS v9.4, Series 60 rel. 5 Mac OS X v MS Windows Mobile 6.1 MS Windows Mobile 6.1 Google Android Browser WAP 2.0/xHTML, HTML HTML(Safari) WAP 2.0/xHTML, HTML WAP 2.0/xHTML, HTML Chrome Camera 3.15 MP, 2048x1536 pixels 2 MP, 1600x1200 pixels 5 MP, 2592х1944 pixels 3.15 MP, 2048x1536 pixels, video 3.15 MP, 2048x1536 pixels 배터리최대시간대기 406 시간, 통화 8 시간 45 분대기 300 시간, 통화 10 시간대기 500 시간, 통화 5 시간 50 분대기 500 시간, 통화 8 시간대기 406 시간, 통화 5 시간 20 분 자료 : GSM Arena 도표 HDD-80G 32GB-SSD 40 64GB-SSD 읽기 (MB/ 초 ) 쓰기 (MB/ 초 ) 무게 (g) 동작시전력 (W) 대기시전력 (W) 비교항목 HDD-80G 32GB-SSD 64GB-SSD 읽기 (MB/ 초 ) 쓰기 (MB/ 초 ) 무게 (g) 동작시전력 (W) 대기시전력 (W) 자료 : 삼성전자 20_

21 IV 년 DRAM 수급전망 당사는 2009년 DRAM시장이 4Q09부터 tight 한수급구조로전환할것으로예상한다. 2009년글로벌 DRAM 출하량은웨이퍼생산량 -21.5%YoY 급감을바탕으로반도체역사상가장낮은 +13.5%YoY 증가율에그칠것으로전망한다. 반면, DRAM 수요는 PC 출하증가율 -9.6%YoY, PC MB/Box 증가율 +25%YoY 를바탕으로 +14.7%YoY 증가할것으로전망한다. 즉, 2009 년 DRAM 시장은수요증가율이공급증가율을상회하여 2Q09~3Q09 까지재고소진과정을거친후 4Q09 부터공급부족으로전환할것으로예상한다. 일단위에언급한주요가정에서 2009년공급증가율은당사의전망치를크게상회할가능성이높지않은것으로판단한다. 이미 8인치라인대부분이 Shut down 된상태이고, 12인치라인도증설투자취소등으로 Capa. 증가가거의없다. 오히려장기간 Cash burning 상태에있는 2nd tier 업체들의추가파산가능성이높아질것이므로당사의전망을하회할가능성이있다. 아울러삼성전자, 하이닉스등선두업체들이 50nm 이하공정전환에어려움을겪은점을고려할때, 향후이들후발업체들의공정전환이순조로울것으로보기도어렵다. 따라서 2009년 DRAM 수급개선의가장큰변수는역시 PC 수요이다. 2009년 PC출하증가율이 -5% 이하에그친다면이미게임은끝났다고볼수있다. DRAM 수요증가율이 20% 에이르게되므로 2Q09 부터 tight 한수급구조로전환될것이기때문이다. 그러나만약 2009년 PC 출하증가율이현재시장의가장보수적전망치인 -15%YoY 에이르게되면 DRAM 수요증가율이 +10%YoY 이하로낮아지게되므로 2009년연중내내 DRAM 공급과잉이지속될것임에틀림없다. 도표 27 (M pcs-512m Eq, %, US$) 1Q08 2Q 3Q 4Q 1Q09 2QE 3QE 4QE 1Q10E 2QE 3QE 4QE E 2010E PC demand 1,676 1,945 2,214 2,184 1,836 2,054 2,430 2,751 2,714 2,967 3,531 3,892 2,967 5,189 8,019 9,071 14,124 Graphics demand ,034 1,580 1,855 2,860 Non-PC demand 1,290 1,465 1,561 1,460 1,479 1,644 1,737 1,901 2,201 2,458 2,621 2,719 2,034 3,640 5,776 6,760 10,663 After market DRAM Demand 3,408 4,018 4,277 4,156 3,783 4,204 4,796 5,408 5,687 6,272 7,172 7,750 5,694 10,035 15,858 18,190 28,636 DRAM Supply 3,511 4,063 4,427 4,457 4,027 4,394 4,905 5,358 5,758 6,293 6,980 7,423 5,576 10,422 16,458 18,685 28,325 DRAM Supply/Demand(%) DRAM ASP(512M Eq.) G/R(%, QoQ/YoY) DRAM Revenue(M$) 6,015 6,838 6,952 4,215 3,222 3,823 4,218 4,822 4,606 4,720 5,026 5,493 33,787 31,275 24,021 16,085 20,650 G/R(%, QoQ/YoY) 자료 : WSTS, 유진투자증권 _21

22 1. 공급증가율이더낮아지면수요불확실성최소화가능 이러한수요변동에따른불확실성을해소할수있는확실한방법은 2009 년하반기에 DRAM 공급증가율이더낮아질수있도록계속압박을가하는것이다. 만일대만업체중일부가파산하거나또는가동률정상화가지연되어 2009년글로벌 DRAM 공급증가율이 +10%YoY 이하로낮아질경우에는 PC 수요증감과큰상관없이 2009 년 DRAM 수급개선전망에자신감을가질수있게된다. 따라서향후 DRAM 시장은단기적인가격반등에흥분하기보다는제한적가격흐름이궁극적으로최상의결과로이어질것이라는점에주목해야한다. 적어도 3Q09 까지삼성전자, 하이닉스는추가적인판가상승을억제하는전략을구사할것으로예상한다. 아래 [ 도표28] 에보는바와같이 2009 년 DRAM 가격은공급업체동향에민감하게반응하는바, 경우에따라삼성전자가신규라인건설발표등을통해섣부른회복기대감을최대한억제할수도있다. 이는 3Q08 부터감산에돌입한대만업체들의생산중단기간이 1년이상지속되도록함으로써실질적으로생산설비가퇴출되는결과를유도하는것이다. 3Q09 에는삼성전자와하이닉스의 50nm 대 DRAM 공정비중이 40% 를상회할예정인데, 대만감산라인의 80~90nm 공정과 2세대공정차이로확대되므로원가경쟁자체가불가능해지게된다. 도표 28 (US$) 2.5 1G DDR2-Cont 1G DDR2 667-Spot 키몬다파산선언 대만정부 DRAM 통합후자금지원 계획발표 하이닉스, 엘피다가격급등추진발언 대만정부 DRAM 삼성전자, 하이닉스 통합계획철회 선두업체감산동참 0.0 Jul/08 Sep/08 Nov/08 Jan/09 Mar/09 May/09 자료 : DRAMExchange, 유진투자증권 22_

23 도표 29 M pcs(512m Eq.) 6,000 DRAM 수요량 DRAM 공급량 DRAM 공급 / 수요 (%) (%) , , '03 '04 '05 '06 '07 '08 '09E -15 추정 _23

24 V. 2009년 NAND Flash 빅이슈 : SSD(Solid State Disk) impact 당사는대형 PC업체와삼성전자의 SSD 수요확대전략이 2009년이후메모리시장의매우큰변수가될것으로예상한다. SSD(Solid State Disk) 는데이터를저장하는 NAND Flash 를대규모로집적함으로써중장기적으로 HDD(Hard Disk Drive) 를대체할것으로예상되는신규제품이다. 과거 2004년 ~2005년에도 Apple, 삼성전자, 도시바등대형업체가전략적인장기공급계약체결을바탕으로 NAND Flash 신규수요를강력하게주도한바있으며, 향후신규수요도이와비슷한방식으로본격화될것으로예상한다. 당사는 2009 년하반기에대형수요-공급업체간 SSD 시장확대전략이본격화될가능성이높은것으로판단하며, NAND Flash 뿐만아니라메모리산업전반의대형호재요인이될것으로주목한다. 현재메모리신규라인증설이억제된상황에서 SSD 신규수요확대는 DRAM 생산라인의 NAND Flash 생산전환으로이어질것이다. 구체적으로는 DRAM, NAND Flash 를혼용생산하는삼성전자의 12 웨이퍼 12라인이우선적인고려대상이다. 따라서 SSD 신규수요확대는 NAND Flash 뿐만아니라 DRAM 수급전망에도긍정적영향을미치는요인이다. 당사는 2H09 에삼성전자와대형 PC업체간 SSD 관련장기공급계약체결가능성이높은것으로판단한다. 도표 30 자료 : 24_

25 1. SSD 가메모리수급에미치는영향분석 SSD 신규수요가메모리수급에미치는실질적영향을검토하기위해노트북 1위업체 HP가 4Q09 에자사노트북 50% 에 SSD 를채용하기로삼성전자, 도시바등과전략적장기공급계약을체결하는경우를가정했다. 굳이 Dell 이아니라 HP를가정한것은 HP가상대적으로고가브랜드이미지가강하기때문에공급업체입장에서선호도가높을것으로판단하기때문이다. 아래에 SSD 신규수요가메모리수급에미치는영향을간단히정리한다. 4Q09 HP 노트북판매량 850 만대에 64GB SSD 탑재할경우 (4Q08 HP 판매량기준 ), 4Q09 NAND Flash 신규수요는 8Gb 환산기준 2.7 억개로산출 이는 4Q09 NAND Flash 총생산량 18 억개의 15% 에해당 8Gb NAND Flash 2.7 억개생산하기위해서는 12 웨이퍼월 9.3 만장 Capa. 추가로필요 그러나신규투자가억제된상황에서 4Q09 에 NAND Flash 생산 Capa. 증가는현실적으로불가능 이에대응할수있는현실적방법은삼성전자 12 라인 (DRAM 6 만장, NAND Flash 6 만장 ) 을 NAND Flash 생산전용으로전환할수밖에없음 결국 NAND Flash 공급부족이지속되면서 DRAM 공급축소요인으로작용하게됨 (4Q09 12 DRAM 웨이퍼 6 만장은동기간전체 DRAM Capa. 115 만장의 5.2% 에해당 ) 결국대형 PC 업체와삼성전자의전략적인 SSD 수요확대전략은 NAND Flash 공급부족지속과함께 DRAM 5.2% 공급축소영향으로나타날것임 _25

26 2. SSD 시장확대를위한조건 최근들어 SSD 신규수요에대한시장의기대가높아지고있으나, 지금당장수요증가를기대하기는아직이른것으로판단한다. 당사는 4Q09 이후 SSD 시장확대의윤곽이드러날것으로예상한다. 본격적인 SSD 시장확대를위한조건을정리하면다음과같다. 첫째, 우선 NAND Flash 30nm 급 32Gbit 제품의양산성을확보해야한다. 삼성전자와도시바는2Q09 에 34nm NAND Flash 양산을예정하고있다. 현재 128GB SSD 가격은 128GB HDD의 5배이상에달하고있으며, 본격적인 SSD 시장확대를위해서는 SSD 가격하락이선행되어야한다. 그러나현재 40nm 대 NAND Flash 공정기술로는소비자가원하는가격대를맞추기어렵다. 당사는 128GB SSD 가격이 US$150선에도달하는시기에본격적으로수요가확대될것으로전망한다. 둘째, 대만 DRAM 업체의구조재편 ( 추가생산라인 shut down) 시기도중요고려사항이다. 현재 DRAM 산업의구조조정이진행되는시점에서삼성전자가 DRAM 라인을 NAND Flash 생산으로전환할경우, DRAM 가격이상승하면서구조재편이무산되고대만업체가어부지리를얻을수있다. 삼성전자는 34nm 공정전환도진행되지않은상태에서 SSD 장기공급계약을서두를필요가없다. 셋째, 아울러 MLC(or 3bit/cell) 기반 SSD 컨트롤러기술개발도병행되어야한다. MLC NAND Flash 가 SLC NAND Flash 에비해절반이하의낮은가격에판매되고있으나, MLC 기반 SSD 컨트롤러의개발지연으로 2008년까지 SSD 시장은값비싼 SLC NAND Flash 에주로의존해왔다. 가격경쟁력이높은 MLC 또는 3bit/cell 제품을채용한 SSD 가대중화되기위해서는그에맞는컨트롤러개발도병행되어야한다. 26_

27 도표 31 비교항목 마이크론 OCZ 인텔트렌센드슈퍼텔런트 SLC Model P200 Series OCZSSD2-1S64G SSDSA2SH064G1C5 TS64GSSD25S-S FTD28GX25H Release Date Drive Capacity 25GB to 100GB 64GB 64GB 64GB 128GB Interface SATA I/II SATA I/II SATA I/II SATA I/II SATA I/II Onboard Cache Seek Time Sequential Read Up to 180 MB/s Up to 100 MB/s Up to 250 MB/s Up to 170 MB/s Up to 230 MB/s Sequential Write Up to 115 MB/s Up to 80 MB/s Up to 170 MB/s Up to 140 MB/s Up to 170 MB/s Shock Resistant 1,500G 1,000G/0.5ms 1,500G/0.5ms 1,500G Vibration Resistant Oper.: 2.17G (7-800Hz) Oper.: 3.0G(5~800Hz) 16G Power Consumption Oper.: 2.6 W, Idle: 0.06W Oper.: 1.2 W, Idle: 0.62W Write Endurance 1petabyte of random writes MTBF 2,000,000 Hours 2,000,000 Hours 1,000,000 Hours 1,000,000 Hours Data Reliability 8 Bytes ECC in 512 data bytes Built-in EDC/ECC function O/S Support Windows 2000/XP/Vista Linux, and Mac OSX Windows 2000/XP/Vista Linux, and Mac OSX Windows 2000/XP/Vista Linux, and Mac OSX Windows 2000/XP/Vista Linux, and Mac OSX Price US$ US$ US$ ms Windows 2000/XP/Vista Linux, and Mac OSX MLC Model C200 OCZSSD2-1VTX250G SSDSA2MH160G1C5 TS192GSSD25S-M FTM56GX25H Release Date Drive Capacity 30GB to 240GB 250GB 160GB 192GB 256GB Interface SATA I/II SATA I/II SATA I/II SATA I/II SATA I/II Onboard Cache 64MB Seek Time <1ms.1 ms Sequential Read Up to 170 MB/s Up to 250 MB/s Up to 250 MB/s Up to 150 MB/s Up to 200 MB/s Sequential Write Up to 70 MB/s Up to 160 MB/s Up to 70MB/s Up to 90 MB/s Up to 160MB/s Shock Resistant 1,500G 1,000G/0.5ms 1,500G/0.5ms 1,500G Vibration Resistant Oper.: 2.17G (7-800Hz) Oper.: 3.0G(5~(800Hz) 16G Power Consumption Oper.:2W, Idle: 0.5W Oper.: 0.15W, Idle: 0.06W Write Endurance MTBF 1,500,000 Hours 1,200,000 Hours 1,000,000 Hours 1,000,000 Hours Data Reliability O/S Support Windows 2000/XP/Vista Linux, and Mac OSX Windows 2000/XP/Vista Linux, and Mac OSX Windows 2000/XP/Vista Linux, and Mac OSX 8 Bytes ECC in 512 data bytes Windows 2000/XP/Vista Linux, and Mac OSX Built-in EDC/ECC function Windows 2000/XP/Vista Linux, and Mac OSX Price US$ US$ US$ US$ 자료 : 각회사, 유진투자증권정리 _27

28 도표 32 M pcs(8g Eq.) 2,000 1,500 NAND Flash 수요 NAND Flash 공급 NAND 공급 / 수요 (%) (%) , '02.1Q '03.1Q '04.1Q '05 '06 '07 '08 '09E -10 도표 33 ( 단위 : M pcs-8g Eq, QoQ %, US$ ) 1Q08 2Q 3Q 4Q 1Q09E 2QE 3QE 4QE E NAND Flash Demand ,068 1,187 1,119 1,315 1,616 1, ,807 3,989 5,949 Digital Still Camera ,257 Digital Video Camera mp3 player ,225 1,567 Handset ,026 1,935 SHDs Game console USB Flash Drive Others NAND Flash Supply ,128 1,227 1,129 1,320 1,613 1, ,858 4,154 5,928 Samsung ,595 2,336 Toshiba ,511 2,263 Hynix Micron Others NAND Supply/Demand(%) NAND ASP(8G Eq.) QoQ, YoY G/R(%) NAND Revenue(M$) 5,333 4,988 4,561 2,427 2,709 3,565 3,710 3,732 11,519 14,510 17,308 13,716 YoY G/R(%) QoQ G/R(%) _

29 [Appendix] 글로벌메모리업체별 Fab. 현황 Update Vendor Product Fab Wafer Strt Now Q08 2Q08 3Q08 4Q Q09 2Q09 3Q09 4Q Q10 2Q10 3Q10 4Q Samsung Kiheung System +Mem Fab Kiheung Memory Fab7 8 1,050 1,200 1, , , Kiheung Memory Fab8 8 1,050 1,200 1, , Kiheung Memory Fab9 8 1,020 1,200 1, , Kiheung System LSI Hwasung Memory Fab10 8 1,035 1,260 1, , Hwasung Memory Fab11 8(12) 1,260 1,335 1, Hwasung Memory Fab , , ,440 Hwasung Memory Fab , , ,440 Hwasung Memory Fab , , ,440 Hwasung Memory Fab , ,200 Hwasung Memory Fab16(temp) Hwasung Memory Fab17(temp) Austin Memory SAS-12" Austin Memory SAS Total Capa.(8" Eq.) 11,175 15,047 11,175 1,777 1,879 1,928 1,846 22,289 1,743 1,769 1,752 1,723 20,961 1,704 1,741 1,778 1,816 21,115 Memory Capa.(8" Eq.) 9,669 12,618 9,669 1,506 1,609 1,658 1,575 19,043 1,473 1,499 1,481 1,453 17,715 1,434 1,470 1,508 1,545 17,869 Hynix Ichon Memory M6 8 1, ,050 Ichon Memory M7 8 1,320 1,583 1, ChungJu Memory M , , ChungJu Memory M , Ichon Memory M , , ,770 ChungJu Memory M Usi Memory Ushi Usi Memory Ushi , , ,770 Eugin Memory Fab1 E Memory M12(temp) 12 Total Capa.(8" Eq.) 4,980 6,833 4,980 1,065 1, , , ,208 Memory Capa.(8" Eq.) 4,980 6,833 4,980 1,065 1, , , ,208 Promos Hsinchu Memory Fab1(Fab3-1) Hsinchu Memory Fab2(Fab3-2) Taichung Memory Fab Taichung Memory Fab Total Capa.(8" Eq.) 1,037 1,628 1, , , ,316 Memory Capa.(8" Eq.) 1,037 1,628 1, , , ,316 NanYa Taouan 桃園 Memory Fab Linkou 林口 Memory Fab Linkou 林口 Memory Fab Inotera Linkou 林口 Memory Linkou 林口 Memory MeiYa Memory Total Capa.(8" Eq.) 2,089 2,587 2, , , ,139 Memory Capa.(8" Eq.) 2,089 2,587 2, , , ,139 www. Eugenefn.com _29

30 Vendor Product Fab Wafer Strt Now Q08 2Q08 3Q08 4Q Q09 2Q09 3Q09 4Q Q10 2Q10 3Q10 4Q Powerchip Hsinchu System+Mem Fab8A Hsinchu Memory Fab12A Hsinchu Memory Fab12B Hsinchu Memory Fab12C Rexchip Taichung Memory Rexchip Taichung Memory Rexchip Total Capa.(8" Eq.) 1,931 2,946 4, , , ,400 Memory Capa.(8" Eq.) 1,607 2,511 3, , , ,400 Winbond Hsinchu Memory Fab Hsinchu Memory Fab Tainan Memory Fab Total Capa.(8" Eq.) 920 1,325 1, Memory Capa.(8" Eq.) SMIC Shanghai Memory F Beijing Memory F Beijing Memory + Sysem F Total Capa.(8" Eq.) Memory Capa.(8" Eq.) Micron Boise,ID Memory Fab Memory Fab Memory Fab Dominian, VT Memory IMFT Memory IMFT Lehi Memory IMFT Kumamoto( 熊本 ), 九州 Memory Fab Memory Fab Avezzano Sysem + Mem CIS S'pore Memory Fab Memory Fab Memory Fab Total Capa.(8" Eq.) 3,725 3,435 4, , , ,569 Memory Capa.(8" Eq.) 3,725 3,435 4, , , ,569 Qimonda Dresden System + Mem Fab Dresden Memory Fab Richmond,VA Memory Fab Memory Fab Total Capa.(8" Eq.) 2,009 2,497 2, , Memory Capa.(8" Eq.) 2,009 2,497 2, , Elpida Hiroshima( 廣島 ) Memory A-2, 1&2 Fl Memory E300 A Memory E300 A Total Capa.(8" Eq.) 1,096 1,873 2, , , ,240 Memory Capa.(8" Eq.) 1,096 1,873 2, , , ,240 Toshiba Yokaichi( 四日市 ) Flash Y-Cube Flashvision Y-Cube Flashpartners Y-Cube , , , ,800 Flashpartners Y-Cube , ,470 Y-Cube 5 Total Capa.(8" Eq.) 1,853 2,770 4, , , ,358 Memory Capa.(8" Eq.) 1,853 2,770 4, , , ,358 30_ www. Eugenefn.com

31 기업분석 삼성전자 ( KS) BUY(Initiate) / TP 690,000 원숨길수없는저력 하이닉스 ( KS) HOLD(Initiate) / TP 15,000 원턴어라운드유효, 다만서두름을경계한다 www. Eugenefn.com _31

32 삼성전자 ( KS) 반도체 /LCD 담당안성호 Tel / shan@eugenefn.com 숨길수없는저력 2Q09 메모리업체중유일한흑자전환전망 - 2Q09 삼성전자실적은매출액 18.2 조원, 영업이익 6,390 억원으로시장기대치를충분히충족할것으로예상. - 정보통신부문이견조한실적을이어가는가운데, 반도체 /LCD 부문흑자전환성공. - 특히메모리부문은삼성전자가메모리업체중유일하게흑자전환에성공함으로써삼성전자의제품경쟁력과원가경쟁력을상징적으로보여준것으로평가. 불황기에삼성전자의저력재확인 - 삼성전자는 2Q09 에공정전환가속화를위한 Immersion 노광장비를대규모발주하는등불황기를기회로활용하는사업전략재현. - 이는대부분 34nm NAND Flash 공정전환가속화를위한것으로써 4Q09 이후 SSD 시장확대를주도하는계기가될것으로판단. - LCD 부문도 8-2 라인신규가동을통해시장지배력더욱강화. 목표주가 69만원, BUY 투자의견으로 Coverage 재개 ~2010년예상실적기준, 불황기 2001년의평균 PBR 1.8X 적용. - 하방경직성을확보한가운데완만한주가상승추세지속할전망. - 특히, 매크로불확실성이부각되는시기에는업종내 High 베타주식보다는 Low 베타주식에대한관심이높아질것으로예상. 삼성전자에대한관심증가 - 불확실성에대한 Risk 와턴어라운드기회요인을종합적으로고려, 현시점에서삼성전자비중확대전략을권고함. Financial Data 결산기 (12월) 2007A 2008A 2009F 2010F 2011F 매출액 ( 억원 ) 631, , , , ,077 영업이익 ( 억원 ) 59,429 41,341 30,117 64,741 91,698 세전계속사업손익 ( 억원 ) 129, , , , ,521 당기순이익 ( 억원 ) 74,250 55,259 47,444 76,078 99,837 EPS( 원 ) 50,408 37,515 31,461 50,628 66,758 증감률 (%) (6.3) (25.6) (16.1) ROE(%) PER( 배 ) PBR( 배 ) EV/EBITDA( 배 ) BUY(Initiate) 현재주가 (6/8) 목표주가 (12M) 575,000원 690,000원 Key Data ( 기준일 : ) KOSPI(pt) 1, KOSDAQ(pt) 액면가 ( 원 ) 5,000 시가총액 ( 억원 ) 846,971 52주최고 / 최저 ( 원 ) 704,000/407,500 52주일간 Beta 0.99 발행주식수 ( 천주 ) 147,299 평균거래량 (3M, 주 ) 528,771 평균거래대금 (3M, 백만원 ) 289,414 배당수익률 (09F, %) 1.0 외국인소유지분율 (%) 45.2 주요주주지분율 (%) 이건희외 14인 17.6 Company Performance 주가수익률 (%) 1M 3M 6M 12M 절대수익률 KOSPI 대비상대수익률 Company vs KOSPI composite 800, , , , , , , , 주가 ( 좌, 원 ) KOSPI 지수대비 ( 우, p) _ www. Eugenefn.com

33 삼성전자 ( KS) 재무제표 대차대조표 손익계산서 ( 단위 : 십억원 ) 2007A 2008A 2009F 2010F 2011F ( 단위 : 십억원 ) 2007A 2008A 2009F 2010F 2011F 유동자산 16,621 17,791 20,380 23,326 28,157 매출액 63,176 72,953 76,152 78,916 85,408 현금성자산 7,812 6,649 7,440 10,268 14,245 증가율 (%) 매출채권 1,781 3,090 4,491 4,530 4,951 매출총이익 16,329 17,572 16,148 20,356 24,370 재고자산 3,338 3,818 4,172 4,208 4,599 매출총이익율 (%) 비유동자산 48,604 54,728 58,443 62,655 67,378 판매비와관리비 10,387 13,438 13,137 13,882 15,200 투자자산 18,258 22,826 27,078 29,311 31,727 증가율 (%) (2.2) 유형자산 29,777 31,250 30,695 32,670 34,966 영업이익 5,943 4,134 3,012 6,474 9,170 무형자산 증가율 (%) (14.3) (30.4) (27.1) 자산총계 65,225 72,519 78,822 85,980 95,535 EBITDA 13,000 11,753 10,873 14,675 18,052 유동부채 10,802 11,721 12,888 13,012 13,432 증가율 (%) 3.1 (9.6) (7.5) 매입채무 1,936 2,388 3,461 3,491 3,815 영업외손익 2,687 1,774 2,468 2,372 2,439 단기차입금 이자수익 유동성장기부채 이자비용 비유동부채 2,862 2,684 2,973 3,208 3,463 외화관련손익 (107) (506) (11) 7 17 사채및장기차입금 지분법손익 2,365 1,792 1,959 1,880 1,903 기타비유동부채 2,778 2,576 2,854 3,090 3,344 기타영업외손익 부채총계 13,665 14,406 15,861 16,220 16,895 세전계속사업손익 8,630 5,908 5,479 8,846 11,609 자본금 법인세비용 1, ,238 1,625 자본잉여금 6,364 6,590 6,618 6,618 6,618 중단사업이익 자본조정 (6,663) (4,790) (3,980) (3,980) (3,980) 당기순이익 7,425 5,526 4,744 7,608 9,984 자기주식 (9,157) (8,910) (8,879) (8,879) (8,879) 증가율 (%) (6.3) (25.6) (14.1) 이익잉여금 50,963 55,416 59,425 66,224 75,104 당기순이익률 (%) 자본총계 51,561 58,113 62,961 69,760 78,641 EPS 50,408 37,515 31,461 50,628 66,758 총차입금 증가율 (%) (6.3) (25.6) (16.1) 순차입금 ( 순현금 ) (7,724) (6,534) (7,315) (10,143) (14,120) 완전희석EPS 31,461 50,628 66,758 투하자본 26,892 30,060 29,878 31,724 34,329 증가율 (%) 현금흐름표 주요투자지표 ( 단위 : 십억원 ) 2007A 2008A 2009F 2010F 2011F ( 단위 : 십억원 ) 2007A 2008A 2009F 2010F 2011F 영업활동현금흐름 13,264 10,633 9,585 14,062 16,665 주당지표 ( 원 ) 당기순이익 7,425 5,526 4,744 7,608 9,984 EPS 50,408 37,515 31,461 50,628 66,758 유무형자산상각비 7,057 7,619 7,861 8,200 8,882 BPS 299, , , , ,200 기타비현금손익가감 (711) (78) (1,422) (1,753) (1,765) DPS 8,000 5,500 5,510 7,510 7,510 운전자본의변동 (507) (2,433) (1,599) 7 (436) 밸류에이션 ( 배,%) 매출채권감소 ( 증가 ) (235) (1,600) (1,556) (39) (421) PER 재고자산감소 ( 증가 ) (366) (986) (435) (36) (391) PBR 매입채무증가 ( 감소 ) , PCR 기타 33 (407) (701) EV/ EBITDA 투자활동현금흐름 (9,688) (9,290) (8,444) (10,676) (11,859) 배당수익율 단기투자자산처분 ( 취득 ) 3,028 1, (252) (273) 수익성 (%) 장기투자증권처분 ( 취득 ) (1,174) (1,426) (1,179) (244) (396) 영업이익율 설비투자 (8,512) (9,489) (7,500) (10,000) (11,000) EBITDA이익율 유형자산처분 순이익율 무형자산감소 ( 증가 ) (149) (163) (172) (180) (190) ROE 재무활동현금흐름 (2,527) (1,010) 21 (809) (1,103) ROIC 차입금증가 ( 감소 ) 0 (5) 안정성 (%, 배 ) 자본증가 ( 감소 ) (2,527) (1,006) 21 (809) (1,103) 순차입금 / 자기자본 (15.0) (11.2) (11.6) (14.5) (18.0) 배당금지급 819 1, ,103 유동비율 현금의증가 ( 감소 ) 1, ,162 2,577 3,703 이자보상배율 (24.2) (11.0) (9.3) (15.5) (20.4) 기초현금 978 2,027 2,360 3,522 6,099 활동성 ( 회 ) 기말현금 2,027 2,360 3,522 6,099 9,802 총자산회전율 Gross cash flow 13,771 13,067 11,184 14,055 17,101 매출채권회전율 Gross investment 13,224 13,217 10,380 10,418 12,022 재고자산회전율 Free cash flow 547 (151) 803 3,638 5,079 매입채무회전율 www. Eugenefn.com _33

34 하이닉스 ( KS) 반도체 /LCD 담당안성호 Tel / shan@eugenefn.com 턴어라운드유효, 다만서두름을경계한다 실적개선추세지속 - 2Q09 하이닉스연결실적은매출액 1.59 조원, 영업적자 2,360 억원으로써 1Q09 영업적자 5,150 억원에서적자폭이크게감소할것으로추정. - 3Q09 에는월별흑자전환에진입할것으로예상되어전반적인턴어라운드추세에특별한변화요인은없는것으로판단. - 다만, 7~8 월에는 6월매출수준을크게벗어나지못하는매출증가정체국면예상. 이미현물가격이횡보세로전환한가운데, 6월 DRAM 고정가격인상이후특별한섹터모멘텀을기대하기어려움. 방향성이아닌턴어라운드속도와불확실성해소에초점을맞출시기 - 일반적으로 Cyclical 산업은턴어라운드초기에방향성확인만으로도강력한주가상승모멘텀으로작용. 지난 1월 ~5월의주가급등과정을통해턴어라운드방향성에대한공감대는형성된것으로판단. - 이제방향성이아닌턴어라운드속도와불확실성해소에초점을맞춰야할시기. 목표주가 15,000원, 투자의견 HOLD로 Coverage 재개 - 목표주가는 09~10 년예상실적기준 PBR1.8X 적용하여산출. - PBR 1.8X 주가는초기턴어라운드기대감을반영하는것으로판단. - 주가의추가상승을위해서는 1) 강력한 DRAM 가격상승모멘텀, 2) 추가적인업계퇴출, 3) 수요회복가시화등이동반되어야함. - 6월 DRAM 고정가격상승이후 8월상반월까지섹터모멘텀이약할것으로예상하므로 Trading 대응전략권고. Financial Data 결산기 (12월) 2007A 2008A 2009F 2010F 2011F 매출액 ( 억원 ) 84,338 64,954 61,067 74,633 84,612 영업이익 ( 억원 ) 2,575 (22,022) (7,963) 7,532 11,906 세전계속사업손익 ( 억원 ) 20,054 (2,205) 9,832 25,102 30,937 당기순이익 ( 억원 ) 3,286 (47,196) (16,317) 5,010 8,606 EPS( 원 ) 716 (10,273) (2,958) 850 1,460 증감률 (%) (83.9) 적전 적지 흑전 71.8 ROE(%) 3.7 (66.8) (33.3) PER( 배 ) 36.3 NM NM PBR( 배 ) EV/EBITDA( 배 ) 6.6 na HOLD(Initiate) 현재주가 (6/8) 목표주가 (12M) 13,650원 15,000원 Key Data ( 기준일 : ) KOSPI(pt) 1, KOSDAQ(pt) 액면가 ( 원 ) 5,000 시가총액 ( 억원 ) 80,483 52주최고 / 최저 ( 원 ) 31,450/5,850 52주일간 Beta 1.74 발행주식수 ( 천주 ) 589,621 평균거래량 (3M, 주 ) 24,497,503 평균거래대금 (3M, 백만원 ) 291,963 배당수익률 (09F, %) 0.0 외국인소유지분율 (%) 14.9 주요주주지분율 (%) 한국외환은행 7.3 Company Performance 주가수익률 (%) 1M 3M 6M 12M 절대수익률 KOSPI 대비상대수익률 Company vs KOSPI composite ( 원 ) Stock Price(L) Ralative to KOSPI(R) (%) /6 08/8 08/10 08/12 09/2 09/4 34_ www. Eugenefn.com

35 하이닉스 ( KS) 재무제표 대차대조표 손익계산서 ( 단위 : 십억원 ) 2007A 2008A 2009F 2010F 2011F ( 단위 : 십억원 ) 2007A 2008A 2009F 2010F 2011F 유동자산 3,547 1,680 2,671 3,170 3,600 매출액 8,434 6,495 6,107 7,463 8,461 현금성자산 1, ,024 1,241 증가율 (%) 11.4 (23.0) (6.0) 매출채권 매출총이익 1,295 (987) 429 2,073 2,585 재고자산 ,093 1,239 매출총이익율 (%) 15.4 (15.2) 비유동자산 11,320 11,520 11,240 11,660 12,441 판매비와관리비 1,037 1,215 1,226 1,320 1,394 투자자산 2,394 3,346 3,805 3,959 4,120 증가율 (%) 유형자산 8,397 7,678 6,971 7,264 7,908 영업이익 257 (2,202) (796) 753 1,191 무형자산 증가율 (%) (86.3) 적전 적지 흑전 58.1 자산총계 14,867 13,199 13,911 14,829 16,041 EBITDA 2,005 (220) 983 2,510 3,094 유동부채 2,793 4,131 5,065 5,215 6,457 증가율 (%) (37.6) 적전 흑전 매입채무 ,257 1,379 1,562 영업외손익 159 (2,603) (836) (252) (234) 단기차입금 ,388 1,388 1,388 이자수익 유동성장기부채 ,588 이자비용 비유동부채 3,037 3,979 4,125 4,393 3,502 외화관련손익 (1) (1,116) (430) 사채및장기차입금 2,374 3,331 3,446 3,686 2,766 지분법손익 170 (222) 기타비유동부채 기타영업외손익 50 (1,073) (309) (59) (61) 부채총계 5,831 8,109 9,191 9,608 9,959 세전계속사업손익 417 (4,805) (1,632) 자본금 2,314 2,316 2,966 2,966 2,966 법인세비용 88 (86) (0) 0 96 자본잉여금 ,325 1,325 1,325 중단사업이익 자본조정 (39) 당기순이익 329 (4,720) (1,632) 자기주식 증가율 (%) (83.7) 적전 적지 흑전 71.8 이익잉여금 5,909 1,356 (276) 225 1,086 당기순이익률 (%) 3.9 (72.7) (26.7) 자본총계 9,036 5,090 4,720 5,221 6,082 EPS 716 (10,273) (2,958) 850 1,460 총차입금 3,023 4,852 5,373 5,623 5,743 증가율 (%) (83.9) 적전 적지 흑전 71.8 순차입금 ( 순현금 ) 1,338 4,462 4,705 4,599 4,501 완전희석EPS ,460 투하자본 8,289 6,972 6,342 6,612 7,245 증가율 (%) 적지 71.8 현금흐름표 주요투자지표 ( 단위 : 십억원 ) 2007A 2008A 2009F 2010F 2011F ( 단위 : 십억원 ) 2007A 2008A 2009F 2010F 2011F 영업활동현금흐름 2,766 (872) 35 2,173 2,651 주당지표 ( 원 ) 당기순이익 329 (4,720) (1,632) EPS 716 (10,273) (2,958) 850 1,460 유무형자산상각비 1,748 1,982 1,779 1,757 1,903 BPS 19,677 11,075 8,006 8,855 10,315 기타비현금손익가감 243 2, (82) (102) DPS 운전자본의변동 447 (567) (379) (3) (11) 밸류에이션 ( 배,%) 매출채권감소 ( 증가 ) (139) (41) (62) PER 36.3 NM NM 재고자산감소 ( 증가 ) (177) (345) (114) (96) (145) PBR 매입채무증가 ( 감소 ) (5) PCR 5.1 na 기타 (172) (599) (657) EV/ EBITDA 6.6 na 투자활동현금흐름 (3,962) (1,186) (1,032) (2,068) (2,554) 배당수익율 na na na 단기투자자산처분 ( 취득 ) (16) (0) (0) 수익성 (%) 장기투자증권처분 ( 취득 ) (804) 16 (70) (45) (30) 영업이익율 3.1 (33.9) (13.0) 설비투자 (3,141) (1,946) (1,017) (2,000) (2,500) EBITDA이익율 23.8 (3.4) 유형자산처분 순이익율 3.9 (72.7) (26.7) 무형자산감소 ( 증가 ) (18) (0) (21) (22) (24) ROE 3.7 (66.8) (33.3) 재무활동현금흐름 908 1,041 1, ROIC 2.5 (20.9) (8.7) 차입금증가 ( 감소 ) 907 1, 안정성 (%, 배 ) 자본증가 ( 감소 ) 1 7 1, 순차입금 / 자기자본 배당금지급 유동비율 현금의증가 ( 감소 ) (288) (1,017) 이자보상배율 4.3 (11.4) (2.6) 기초현금 1,647 1, ,017 활동성 ( 회 ) 기말현금 1, ,017 1,234 총자산회전율 Gross cash flow 2,319 (306) 415 2,176 2,662 매출채권회전율 Gross investment 3,499 2,031 1,453 2,070 2,565 재고자산회전율 Free cash flow (1,179) (2,336) (1,038) 매입채무회전율 www. Eugenefn.com _35

36 Compliance Notice 당사는자료작성일기준으로지난 3개월간해당종목에대해서유가증권발행에참여한적이없습니다. 당사는본자료발간일을기준으로해당종목의주식을 1% 이상보유하고있지않습니다. 당사는동자료를기관투자가또는제3 자에게사전제공한사실이없습니다. 조사분석담당자는자료작성일현재동종목과관련하여재산적이해관계가없습니다. 동자료에게재된내용들은조사분석담당자본인의의견을정확하게반영하고있으며, 외부의부당한압력이나간섭없이작성되었음을확인합니다. 투자기간및투자등급 종목추천및업종추천투자기간 : 12 개월 ( 추천기준일종가대비추천종목의예상목표수익률을의미함.) 상기투자등급은 4월 1일부터변경적용함. 변경후ㆍSTRONG BUY : 추천기준일종가대비 +50% 이상. ㆍBUY: 추천기준일종가대비 +15% 이상 ~+50% 미만. ㆍHOLD: 추천기준일종가대비 +5% 이상 +15% 미만. ㆍREDUCE: 추천기준일종가대비 +5% 미만. 변경전ㆍBUY 1: 추천기준일종가대비 +25% 이상. ㆍBUY 2: 추천기준일종가대비 +15% 이상 ~+25% 미만. ㆍHOLD: 추천기준일종가대비 +5% 이상 +15% 미만. ㆍREDUCE: 추천기준일종가대비 +5% 미만. 과거 2 년간투자의견및목표주가변동내역 추천일자투자의견목표가 ( 원 ) BUY1 800,000 원 BUY1 800,000 원 BUY 800,000 원 BUY 800,000 원 BUY 950,000 원 BUY 800,000 원 BUY 700,000 원 BUY 610,000 원 BUY 590,000 원 BUY 560,000 원 BUY 640,000 원 < 애널리스트변경 > BUY(Initiate) 690,000 원과거 2 년간투자의견및목표주가변동내역 추천일자투자의견목표가 ( 원 ) BUY1 34,000 원 BUY1 34,000 원 BUY 34,000 원 HOLD 31,000원 HOLD 31,000원 HOLD 33,000원 HOLD 24,000 원 HOLD 23,000 원 HOLD 11,500 원 HOLD 11,500 원 HOLD 9,400 원 BUY 14,000 원 BUY 14,000 원 < 애널리스트변경 > HOLD(Initiate) 15,000 원 삼성전자 ( KS) 주가및목표주가추이 ( 원 ) 삼성전자주가 목표가 (12M) 0 08/6 08/7 08/8 08/9 08/10 08/11 08/12 09/1 09/2 09/3 09/4 09/5 09/6 하이닉스 ( KS) 주가및목표주가추이 ( 원 ) 하이닉스주가 목표가 (12M) /6 08/7 08/8 08/9 08/10 08/11 08/12 09/1 09/2 09/3 09/4 09/5 09/6 36_ www. Eugenefn.com

37 영등포구여의도동 23-9 유진투자증권빌딩 Tel / 본사및지점망 본사 영업부 02) 서울시영등포구여의도동 23-9 ( 유진투자증권빌딩 2 층 ) 서울지역 강동지점 02) 서울시강동구성내 1동 ( 서경빌딩 2층 ) 광화문자산관리센터 02) 서울시종로구종로 1가 24 ( 르메이에르 2층 ) 구의지점 02) 서울시광진구광장동 ( 원준빌딩 2층 ) 갤러리아지점 02) 서울시강남구청담동 79 ( 청담Trinity Place 3층 ) 도곡지점 02) 서울시강남구역삼동 755 한솔필리아 1층 ( 구, 삼호쇼핑 ) 도곡자산관리센터 02) 서울시강남구대치동 651 ( 여천빌딩 3층 ) 대방동지점 02) 서울시동작구대방동 501 ( 대림쇼핑타운 2층 ) 대치지점 02) 서울시강남구대치동 509번지 ( 하이마트빌딩 5층 ) 명동VIP지점 02) 서울시중구명동1가 5-1 ( 보림빌딩 4층 ) 서초동지점 02) 서울시서초구서초동 ( 지파이브센트럴프라자 2층 ) 석관동지점 02) 서울시성북구석관동 ( 대성플라자 2층 ) 압구정지점 02) 서울시강남구신사동 ( 가남빌딩 1층 ) 역삼지점 02) 서울시강남구역삼동 ( 아이엔지타워 1,2층 ) 영등포지점 02) 서울시영등포구당산동2가 45-9 ( 태창빌딩 2층 ) 은평뉴타운지점 02) 서울시은평구갈현동 (Y-TOWN 5층 ) 자산관리영업부 02) 서울시강남구신사동 ( 가남빌딩 2층 ) 잠실지점 02) 서울시송파구잠실동 196 ( 올림피아빌딩 2층 ) 종로지점 02) 서울시종로구관훈동 ( 종로빌딩 2층 ) 호남지역광주지점 062) 광주시동구금남로 1가 1-1 ( 전일빌딩 1층 ) 운암동지점 062) 광주시북구운암동 ( 황금빌딩 2층 ) 전주지점 063) 전북전주시완산구서신동 805 ( 지리산빌딩 2층 ) 대구경북지역대구지점 053) 대구시중구덕산동 110 ( 삼성금융플라자 6층 ) 대구동지점 053) 대구시수성구만촌동 ( 덕수빌딩 2층 ) 포항북지점 054) 경북포항시북구두호동 ( 권일등빌딩 2층 ) 포항지점 054) 경북포항시남구대이동 ( 이동프라자 2층 ) 경인지역분당지점 031) 경기도성남시분당구서현동 ( 서현현대프라자 5층 ) 산본지점 031) 경기도군포시산본동 ( 신원타워 2층 ) 수원지점 031) 경기도수원시팔달구중동 35-1 ( 신한은행 2층 ) 안양지점 031) 경기도안양시호계동 ( 창현빌딩 2층 ) 부평동지점 032) 인천광역시부평구부평동 ( 국천빌딩 2층 ) 부산경남지역동래지점 051) 부산시동래구온천동 ( 늘빛방사선과 2층 ) 부전지점 051) 부산시부산진구부전동 ( 대림빌딩 3층 ) 해운대자산관리센터 051) 부산시해운대구우동 1433 현대카멜리아 1층 ( 지하철 2호선동백역 1번출구 ) 옥동지점 052) 울산시남구옥동 ( 천일빌딩 2층 ) 울산지점 052) 울산시남구삼산동 1497 ( 대성빌딩 1층 ) 창원자산관리센터 055) 경상남도창원시두대동 333 ( 시티세븐트레이드센터 1층 ) 충청지역 천안지점 041) 천안시성정동 1519번지 ( 태극빌딩 3층 ) 대전지점 042) 대전시중구은행동 150번지 (JS빌딩 2층 ) 둔산지점 042) 대전시서구둔산동 1273번지대자빌딩 1층 본자료는참고용자료일뿐이고, 특정주식에대한투자목적으로작성된것이아닙니다. 본자료는담당자가신뢰할만하다고판단하는자료나정보에근거하여작성되었지만, 그정확성이나완전성을보장할수는없습니다. 따라서, 본자료를참고한고객의투자의사결정은고객자신의판단과책임아래이루어져야하고, 당사는본자료의내용에의존하여행하여진일체의투자행위의결과에대하여책임을지지않을것임을밝힙니다. 아울러본자료는당사고객에게만제공되는자료로서당사의동의없이본자료를무단으로복제 / 전송 / 인용 / 배포하는행위는법으로금지되어있습니다.