2016 년도반도체장비 재료성능평가사업공고품목및사양 성능평가 ( 장비 3 건, 부분품 19 건, 재료 9 건 ) 분과대상품목 Photo 부분품 i-line 노광기 UV Lamp->LED 광원 노광장비內 Reticle Particle 검사 Unit TSV 냉매 EPD 진

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아성 방
2 years ago
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1 2016 년도반도체장비 재료평가사업공고품목및사양 평가 ( 장비 3 건, 부분품 19 건, 재료 9 건 ) 분과 Photo 부분품 i-line 노광기 UV Lamp->LED 광원 노광장비內 Reticle Particle 검사 Unit TSV 냉매 EPD 진단시스템 Multi Zone ESC Etch 부분품 신규부품코팅기술 YAG (Yttrium Aluminum Garnet) 재생 ESC Temp Gasket 국산화 Diff 부분품 APC Valve(200mm) AlN Heater Auto Dopant gas Mixer TF 부분품 Chucking Dual Zone Heater 기화향상기화기 C&C 부분품기능수 System( 수소수 ) Slurry Filter MI 부분품 E-Beam 설비환경제어장치 Laser 국산화 (CIP) PKG 장비 Wafer Level Package UBM 증착용 PVD Test 장비 부분품 SSD Tester Fine Pitch BI Board Solution Wafer 장비 Bulk Metal on time 분석기기 재료 TSV 用 Low cost wafer (Si Wafer 대체 ) Chem 재료 Low K Cu BM Slurry 황산대체 Chemical 개발 PR 재료 ArF Imm. PR ArF Imm. TC Less PR KrF PR Gas 재료 HCL NF3 GAS 대체 CLEAN 용 GAS 100% B2H6

2 분과별세부내용 평가품목및평가항목도출 _Photo(2 건 ) 노광장비內 i-line 노광기 Reticle Particle UV Lamp->LED 광원검사 Unit 수요업체 S, H, D S, H, D LED Intensity Size별 PC 검출력 조명 Uniformity Laser 출력안정성 LED 교체수명 > 1.5년 Life time > 3year 양산인증 CD Uniformity 검출력및해상력 조도 Intensity PC size <= 5um 평가품목및평가항목도출 _Etch(7 건 ) 신규부품코팅기술 YAG( Yttrium Aluminum 재생 ESC Temp Gasket 국산화 Garnet) 수요업체 H S, H S 코팅품질 ( 단면기공등 ) 추후제시 ( 추후제시 ( 계면강도보다는양산이중요 ) 보다는양산이중요 ) 코팅표면거칠기 ESC Top에 Dimple이 있는데이는 Wafer와 접촉을하는것이며보통 최근 Wafer에전달되는 4% ~ 28% Wafer와 Temp 안정화가가장접촉. issue이며이를위한 Top Inline CD &ER 그러나 ISD 적용하면서인증양산 source 부분및 ESC Particle Dimple Worn out되고 Edge Ring의온도전달을 수율면적및높이가감소하면균일하게하기위해 Temp ChuckingDe-chucking Gasket을장착함. 이를 Issue 발생함. 마모된국산화하여절감가능부분을제거하고 New Plate 보강시, 원가절감 가능 수요업체 : D( 동부하이텍 ), S( 삼성전자 ), H(SK하이닉스 )

3 TSV EPD 진단시스템 Multi Zone ESC 냉매 수요업체 S, H S, H, D S, H S, H, D Uniformity 1% Intensity High Zone 간온도간섭최소 Etch rate Open Area 1 ~ High Temp ESC 1~10ummin 5% 이내측정 ( ~120 ) 추후제시 Profile 87~90 가능 Temp Uniformity <1% OES 파장 + FDC UPH 20~30매인증 Parameter 조합 : Hr Symmetry map Un-etch방지, 기존냉매와양산 MTBF :1000Hr 4Zone ESC 이상 CDThickness 동등 Yield : 동등수준 Extreme Edge 예측하여 APC 친환경 Transfer: 10K Control (Auto Process wfs (No Error) Control) 기능 수요업체 : D( 동부하이텍 ), S( 삼성전자 ), H(SK하이닉스 ) 평가품목및평가항목도출 _Diff(3 건 ) APC Valve(200mm) AlN Heater Auto Dopant gas Mixer 수요업체 S, H S, H D Slow pumping rate linearity control BTL 농도 1% 이상 Auto pressure control Design Accuracy Carrier Gas H2 사용 Full openclose speed 700 이상에서내열성 Out Gas Flow 3SLM 0.5sec 온도변화에대한 Dopant 농도 (ppm 배관 Size 200mm대응 Lifetime 확인 orppb] 내구성 150만회이상 4 channel Vacuum conductance 인증 동등이상확보 Non Pattern wafer 평가 ( 두께, 산포평가 ) Non Pattern wafer 양산 Pattern Wafer 평가평가 ( 두께, dopant ( 두께, 산포, 특성평가 ) 농도 ) 고온에서의 Lifetime 평가 수요업체 : D( 동부하이텍 ), S( 삼성전자 ), H(SK하이닉스 )

4 평가품목및평가항목도출 _TF(2 건 ) Chucking Dual Zone Heater 기화향상기화기 수요업체 S, H D, S CenterEdge Temp 독립 Control 온도 : 300 ~ 600 도 Control 가능 인증 Heater Temp Map Profile 단위면적당 Resistivity 및 Leakage Current확인 Heater 전체 Resistivity 및입력전압 Window test Innervs Outer간 Temp 차이에의한 Heater 강성평가 대상공정 : PE-CVD, SA-CVD 기화기훗단 Flow Reading 및 Feedback Control 가능 기화율평가 Flow 재현성평가 양산 Non Pattern wafer 평가 : 두께, 산포, 특성평가 고온에서의 life time 평가 두께 Marathon 평가 Dopant 안정성평가 Life Time 평가 Wafer 막질및 Stress Control 가능 평가품목및평가항목도출 _C&C(2 건 ) 기능수 System( 수소수 ) Slurry Filter 수요업체 D, S, H D, S, H 용존수소수 (NH4OH 혼합수 ) WCu Filter NH4OH농도1~40ppm H2 농도 1.2ppm ph LPM Oxide Filter CMP Particle 동일 Scratch 동일 Contamination 동일 인증 양산 Particle 제거효율 유지비용 0.15억 년미만 ( 농도계및 Cell 교체 ) 기존제품대비동일수준유지 양산제품생산에따른품질확보 ( 재질, 견고성, 규격, 불량률관리 )

5 평가품목및평가항목도출 _Mi(2 건 ) E-Beam 설비환경제어장치개발 Laser 국산화 (CIP) 수요업체 S, H D, S, H 진동제어 Ar LASER (633nm) 전자기장차폐 UV LASER (355nm) Lifetime >1 년양산인증 Beam Alignment 기술 ZIG 제작기술 평가품목및평가항목도출 _PKG(1 건 ) 수요업체 인증 양산 Wafer Level Package UBM 증착용 PVD H ChuckTemp Accuracy : <±5 Degassing Module 구성 (ProcessTemp. <200 ) Pre-Clean Etching Rate : >300Amin Handling : ScratchChippingCrack Free : Wafer Wairpage <2mm : Wafer Thickness 300~1000um Film Thickness (WIWWTW 3 Sigma) : <5% Sheet Resistance (WIWWTW 3 Sigma) : <5% Step Coverage : >80% (Aspect Ratio 1:1) Adhesion : >6.0gf Particle : <10ea (1um 이상 ) 평가품목및평가항목도출 _Test(2 건 ) Fine Pitch BI Board Solution SSD Tester 수요업체 H, S H Electrical특성Correlation (2% 이내 ) Pitch : 0.35 Solution Temp(~95도 ) Speed : 200Mhz Interface : uart Cold &Hot Temp : -10도 ~130도 Test FW 구동가능설비 인증양산 1년동안신뢰성보증 Contact Fail Rate 1% 이내 1024Para이상동시 Test 가능

6 평가품목및평가항목도출 _Wafer(2 건 ) TSV 用 Low cost wafer (Si Wafer 대체 ) Bulk Metal on time 분석기기 수요업체 S, H S, H Flatness (Warp <20um) Metal 요염 (15 대메탈 : 1E10cm^2) Si Bulk Metal 오염분석기기도입 Thickness( um) <1E7 atomscm^3 세부 Spec 추후공유 인증 양산 Glue clean여부 ( 별도사양공유 ) Back Lap 후 Wafer 지지기판 Cost 30% (GlassCeramic?) Recycle 可 (Particle 0.05um, Max 30eaWF) Chip, Broken외 No Passivation on the surface ( 정성 정량 ) CIS(C-Mos-Image Sensor) whitespot 상관성 >70% 확보 ( 별도요구수준공유예정 ) 평가품목및평가항목도출 _Chemical(2 건 ) Low K Cu BM Slurry 황산대체 Chemical 개발 수요업체 H S Low K PR 600A min Cu PR 300A min K Valve shift 3% Bulk PR Strip Time(<1min) Dose (> e13) 타막질 (SiO2, SiN등 ) attack free 인증 양산 No induced PWI defect No Cu corrosion Pattern PR Range 20% Single Type Recycle (>10회) Defect 친환경 ( 폐수 )

7 평가품목및평가항목도출 _PR(3건) ArF Imm. PR & ArF Imm. TC Less PR KrF PR 수요업체 H H PR Thickness : >8.5um 인증 Imm. TC 적용 PR Thickness: 900A DOF Margin 90nm DI LWR < 4.9nm FI LWR < 2.4nm Imm. TC Less PR Thickness: 900A DOF Margin 180nm DI LWR < 2.0nm Leaching <1.6 pmol RCA >75도 LER < 12nm@ Trim Etch Pattern Profile : 단면 Angle ~70도단면 Roughness 기울기 CDU Etch 내성 점도 : 100cp 이하 양산 Defect : 현 Base와동등 양산평가 ( 수율확보 ) Defect : 현 Base와동등 양산평가 ( 수율확보 ) 평가품목및평가항목도출 _Gas(3 건 ) HCL NF3 GAS 대체 CLEAN 용 GAS 100% B2H6 수요업체 D, S S, H S, H PurityImpurity 환경 PurityImpurity 환경 PurityHigher Borane 안전평가 안전평가 검출, 관리 환경안전평가 세부추후공지 ( 각평가기관 ) 세부추후공지 ( 각평가기관 ) 세부추후공지 ( 각평가기관 ) 인증 양산 단위공정평가 (Particle, PCM) 단위공정평가 (Particle, Clean 효율 ) 단위공정평가 (Particle, 두께, 농도PCM) 1,2 단계양산평가 1,2 단계양산평가 1,2 단계양산평가 (Yield, 신뢰성 ) (Yield) (Yield, 신뢰성 )

2015 년도반도체장비 재료성능평가사업공고품목및사양 ( 10, 14, 5 ) Photo/PR KrF LED WEE 노광장비 Reticle particle 검사Unit ARF i NTD BARC KrF Positive PR Etch TSV Gas Chiller 냉매 Di

2015 년도반도체장비 재료성능평가사업공고품목및사양 ( 10, 14, 5 ) PhotoPR KrF LED WEE 노광장비 Reticle particle 검사Unit ARF i NTD BARC KrF Positive PR Etch TSV Gas Chiller 냉매 Diff SiC Susceptor SiC Pre Heat Ring Multi Point OES 고온용