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1 분기보고서 ( 제 70 기 ) 사업연도 2017 년 01 월 01 일부터 2017 년 09 월 30 일까지 금융위원회 한국거래소귀중 2017 년 11 월 14 일 제출대상법인유형 : 주권상장법인 면제사유발생 : 해당사항없음 회사명 : 에스케이하이닉스주식회사 대표이사 : 박성욱 본점소재지 : 경기도이천시부발읍경충대로 2091 ( 전화 ) ( 홈페이지 ) 작성책임자 : ( 직책 ) 재무기획본부장 ( 성명 ) 이명영 ( 전화 ) ~6

2 목 차 Ⅰ. 회사의개요 1. 회사의개요 2. 회사의연혁 3. 자본금변동사항 4. 주식의총수등 5. 의결권현황 6. 배당에관한사항등 Ⅱ. 사업의내용 1. 사업의개요 2. 주요제품, 서비스등 3. 주요원재료에관한사항 4. 생산및설비에관한사항 5. 매출에관한사항 6. 수주상황 7. 시장위험과위험관리 8. 파생상품거래현황 9. 경영상의주요계약등 10. 연구개발활동 11. 기타투자의사결정에필요한사항 Ⅲ. 재무에관한사항 1. 요약재무정보 2. 연결재무제표 3. 연결재무제표주석 4. 재무제표 5. 재무제표주석 6. 기타재무에관한사항 Ⅳ. 감사인의감사의견등 1. 연결재무제표에대한감사인의감사의견등 2. 회계감사인의감사의견등

3 Ⅴ. 이사의경영진단및분석의견 Ⅵ. 이사회등회사의기관에관한사항 1. 이사회에관한사항 2. 감사제도에관한사항 3. 주주의의결권행사에관한사항 Ⅶ. 주주에관한사항 1. 최대주주등에관한사항 2. 주식의분포 3. 주식사무 4. 주가및주식거래실적 Ⅷ. 임원및직원등에관한사항 1. 임원및직원의현황 2. 임원의보수등 Ⅸ. 계열회사등에관한사항 Ⅹ. 이해관계자와의거래내용 ⅩI. 그밖에투자자보호를위하여필요한사항 1. 공시내용의진행 변경상황및주주총회현황 2. 우발채무등 3. 제재현황등그밖의사항 4. 녹색경영현황 5. 합병등의사후정보 [ 전문가의확인 ] 1. 전문가의확인 2. 전문가와의이해관계

4 대표이사등의확인 - 1 -

5 확인서 - 2 -

6 1. 회사의개요 가. 연결대상종속회사개황 I. 회사의개요 상호설립일주소주요사업 최근사업연도말자산총액 에스케이하이이엔지 경기도이천시부발읍경충대로 2091 사업지원 54,265 에스케이하이스텍 경기도이천시부발읍경충대로 2091 사업지원 37,050 실리콘화일 경기도성남시분당구성남대로 343 번길9, SK U타워 16 층전자ㆍ전기부품개발및제조충청북도청주시흥덕구화계동청주테크노폴리스행복모아 사업지원일반산업단지에프6-2 SK hynix America Inc.(SKHYA) North First Street, San Jose, CA 95134, U.S.A 반도체판매 1,584,043 SK hynix U.K. Ltd.(SKHYU) Brooklands Road, Weybridge, Surrey KT13 0RH, UK 반도체판매 146,327 SK hynix Deutschland GmbH (SKHYD) SK hynix Asia Pte.Ltd. (SKHYS) SK hynix Semiconductor India Private Limited(SKHYIS) SK hynix Semiconductor HongKong Ltd.(SKHYH) SK hynix Japan Inc.(SKHYJ) SK hynix Semiconductor Taiwan Inc.(SKHYT) SK hynix Semiconductor (Shanghai) Co.,Ltd.(SKHYCS) Am Prime Parc 13, Kelsterbacher Str. 16, D Raunheim, Germany 8 Temasek Boulevard # Suntec City Tower3. Singapore Unit 10, Level 8, Innovator Building, ITPB (International Technology Park Bangalore), Whitefield Road, Bangalore , India Suite & 11-12, 44/F, One Island East, 18 Westlands Road, Taikoo Place, Quarry Bay, Hong Kong 23F SHIROYAMA TRUST TOWER, Toranomon, Minatoku, Tokyo Lite-On Technology Building 11F., No. 392, Ruiguang Road, Neihu Dist., Taipei City Taiwan, R.O.C 19F, ARCH SHANGHAI Tower 2, No.533 Lou Shan Guan Road, Shanghai, China 반도체판매 반도체판매 반도체판매 반도체판매 반도체판매 반도체판매 반도체판매 34,438 2,988 83, , , , ,933 46,177 지배관계근거 기업의결권의과반수소유 ( 기업회계기준서 1110 호 ) 기업의결권의과반수소유 ( 기업회계기준서 1110 호 ) 기업의결권의과반수소유 ( 기업회계기준서 1110 호 ) 기업의결권의과반수소유 ( 기업회계기준서 1110 호 ) 기업의결권의과반수소유 ( 기업회계기준서 1110 호 ) 기업의결권의과반수소유 ( 기업회계기준서 1110 호 ) 기업의결권의과반수소유 ( 기업회계기준서 1110 호 ) 기업의결권의과반수소유 ( 기업회계기준서 1110 호 ) 기업의결권의과반수소유 ( 기업회계기준서 1110 호 ) 기업의결권의과반수소유 ( 기업회계기준서 1110 호 ) 기업의결권의과반수소유 ( 기업회계기준서 1110 호 ) 기업의결권의과반수소유 ( 기업회계기준서 1110 호 ) 기업의결권의과반수소유 ( 기업회계기준서 1110 호 ) 주요종속회사여부 해당사항없음 해당사항없음 해당사항없음 해당사항없음 해당 ( 자산총액 750 억원이상 ) 해당 ( 자산총액 750 억원이상 ) 해당 ( 자산총액 750 억원이상 ) 해당 ( 자산총액 750 억원이상 ) 해당사항없음 해당 ( 자산총액 750 억원이상 ) 해당 ( 자산총액 750 억원이상 ) 해당 ( 자산총액 750 억원이상 ) 해당사항없음 - 3 -

7 상호설립일주소주요사업 SK hynix Semiconductor (China) Ltd.(SKHYCL) SK hynix Semiconductor (Wuxi) Ltd.(SKHYMC) SK hynix Semiconductor (Chongqing) Ltd. (SKHYCQL) Lot K7, Wuxi High-tech Zone Comprehensive Bonded Zone in New District, Wuxi, Jiangsu Province, China(214028) Lot K7, Wuxi Export Processing Zone in Wuxi New District, Wuxi, Jiangsu Province, China Xiyong Comperhensive Bonded Zone B Block v2-4/02, Shapingba strict, Chongqing, China SK APTECH Ltd. (SKAPTECH) Wanchai, Hong Kong SK hynix(wuxi)semiconductor Sales Ltd.(SKHYCW) Lot K7, Wuxi Export Processing Zone in Wuxi New District, Wuxi, Jiangsu Province, China 웨이퍼생산및판매 웨이퍼생산및판매웨이퍼생산및판매해외현지투자지주회사 반도체판매 최근사업연도말자산총액 3,476, , , ,556 SK hynix Italy S.r.l. (SKHYIT) V.le Colleoni, Agrate Brianza (MB) 기술센타 3,232 SK hynix memory solutions Inc. (SKHMS) SK hynix Flash Solution Taiwan Ltd. (SKHYFST) Softeq Flash Solutions LLC. (SOFTEQ) SK hynix Ventures Hong Kong Limited (SKH Ventures) North First Street, San Jose, CA 95134, U.S.A 기술센타 72, F-1. Mo. 6. Taiyuen 1st(Taiyuen Hi-tech Industrial Park) Zhubei City, Hsinchu County 302, Taiwan 기술센타 633 8, Kalvaryiskaya, 42 Fifth Floor Minsk, Belarus, 기술센타 4, Suite & 11-12, 44/F, One Island East, 18 Westlands Road, Taikoo Place, Quarry Bay, Hong Kong 해외투자법인 MMT 특정금전신탁 - - 특정금전신탁 0 에스케이하이닉스시스템아이씨 ( 주 ) 2, 충청북도청주시흥덕구대신로 215 반도체소자제조 - 주요종속회사판단기준 : 직전사업연도말자산총액 750 억원이상또는지배회사자산총액의 10% 이상 에스케이하이닉스시스템아이씨의 ( 주 ) 의경우올해신설된회사로최근사업연도말자산총액은 '-' 로표기함 지배관계근거 기업의결권의과반수소유 ( 기업회계기준서 1110 호 ) 기업의결권의과반수소유 ( 기업회계기준서 1110 호 ) 기업의결권의과반수소유 ( 기업회계기준서 1110 호 ) 기업의결권의과반수소유 ( 기업회계기준서 1110 호 ) 기업의결권의과반수소유 ( 기업회계기준서 1110 호 ) 기업의결권의과반수소유 ( 기업회계기준서 1110 호 ) 기업의결권의과반수소유 ( 기업회계기준서 1110 호 ) 기업의결권의과반수소유 ( 기업회계기준서 1110 호 ) 기업의결권의과반수소유 ( 기업회계기준서 1110 호 ) 기업의결권의과반수소유 ( 기업회계기준서 1110 호 ) 기업의결권의과반수소유 ( 기업회계기준서 1110 호 ) 기업의결권의과반수소유 ( 기업회계기준서 1110 호 ) 주요종속회사여부해당 ( 자산총액 750 억원이상, 지배회사자산총액의 10% 이상 ) 해당 ( 자산총액 750 억원이상 ) 해당 ( 자산총액 750 억원이상 ) 해당 ( 자산총액 750 억원이상 ) 해당사항없음 해당사항없음 해당사항없음 해당사항없음 해당사항없음 해당사항없음 해당사항없음 해당사항없음 [ 연결대상회사의변동현황 ] 사업연도제70 기 3분기 연결에포함된종속회사에스케이하이이엔지 등 24 개사 전기대비연결에추가된회사 전기대비연결에서제외된회사 전기대비연결에서제외된사유

8 사업연도제70 기 2분기제70 기 1분기 제 69 기 제 68 기 제 67 기 연결에포함된종속회사에스케이하이이엔지 등 24 개사에스케이하이이엔지 등 23 개사에스케이하이이엔지 등 23 개사에스케이하이이엔지 등 22 개사에스케이하이이엔지 등 22 개사 전기대비연결에추가된회사 전기대비연결에서제외된회사 전기대비연결에서제외된사유 에스케이하이닉스시스템아이씨 ( 주 ) SK hynix Ventures Hong Kong Limited (SKH Ventures) 행복모아 ( 주 ) Hynix Semiconductor Manufacturing America Inc. (HSMA) 실리콘화일 Softeq Flash Solutions LLC.(SOFTEQ) SK hynix Europe Holding Ltd.(SKHYE) 청산 청산 연결대상회사의변동현황은한국채택국제회계기준임. MMT 특정금전신탁은연결에포함된회사수에서제외하였음 연결대상회사의변동내용 구분자회사사유 신규연결 연결제외 나. 회사의법적ㆍ상업적명칭 당사의명칭은에스케이하이닉스주식회사이며, 영문으로는 SK hynix Inc. 라고표기합니다. 단, 약식으로표기할경우에는 SK하이닉스또는 SK hynix 라고표기합니다. 다. 설립일자당사는 1949년 10월국도건설주식회사로설립되어 1983년 2월현대전자산업주식회사로상호를변경하였으며, 이후 2001년 3월주식회사하이닉스반도체로, 2012년 3월에스케이하이닉스주식회사로상호를변경하였습니다. 회사가발행한주식은한국거래소에상장되어유가증권시장에서거래되고있으며, 종목코드는 '000660' 입니다. 라. 본사의주소, 전화번호, 홈페이지주소주소 : 경기도이천시경충대로 2091 전화번호 : 홈페이지 :

9 마. 주요사업의내용현재당사의주력생산제품은 DRAM, NAND Flash 및 MCP(Multi-chip Package) 와같은메모리반도체제품이며, 2007년부터는시스템 LSI 분야인 CIS(CMOS Image Sensor) 사업에재진출하여종합반도체회사로그영역을넓혀가고있습니다. 당사정관에근거하여현재회사가영위하는목적사업은다음과같습니다. -. 반도체소자제조및판매 -. 반도체소자기타이와유사한부품을사용하여전자운동의특성을응용하는기계, 기구및이에사용되는부품과재료등의제작, 조립및판매 -. 컴퓨터활용을위한소프트웨어개발및임대업 -. 전자전기, 통신기계, 기구및그부품의제작, 판매, 임대및관련서비스업 -. 기계부분품제조업및금형제조업 -. 기술연구및용역수탁업 -. 전자전기기계, 기구의임대업 -. 특수통신 ( 위성통신등 ) 방송관련기기제작, 판매, 임대업및서비스업 -. 정보서비스업 -. 출판업 -. 무역업 -. 부동산매매및임대업 -. 발전업 -. 건설업 -. 전자관제조업 -. 창고업 -. 주차장업 -. 위성통신사업 -. 전기통신회선설비임대사업 -. 전자상거래및인터넷관련사업 -. 전기각호와관련되는사업및투자 사업부문별보다자세한사항은 Ⅱ. 사업의내용을참조하시기바랍니다. 바. 계열회사의총수, 주요계열회사의명칭및상장여부 (1) 기업집단의명칭 : 에스케이 ( 독점규제및공정거래에관한법률 ) (2) 기업집단에소속된회사 ( 기준계열사 : 101 개사 ) - 6 -

10 업종 상장여부 회사명 법인등록번호 지주회사 (1) 상장사 (1) SK SK 이노베이션 SKC 상장사 (6) 부산도시가스 SK 케미칼 SK 가스 SK 머티리얼즈 SK E&S SK 에너지 SK 종합화학 SK 루브리컨츠 SK 인천석유화학 SK 트레이딩인터내셔널 대한송유관공사 SK 모바일에너지 SK 배터리시스템즈 울산아로마틱스 한국넥슬렌 ( 유 ) 유베이스매뉴팩처링아시아 코원에너지서비스 에너지 / 화학 (40) 충청에너지서비스 영남에너지서비스 전북에너지서비스 비상장사 (34) 위례에너지서비스 나래에너지서비스 전남도시가스 강원도시가스 파주에너지서비스 보령LNG 터미널 SK 더블유 미쓰이케미칼앤드에스케이씨폴리우레탄 금호미쓰이화학 엔티스 이니츠 SK 유화 SK 어드밴스드

11 업종 상장여부 회사명 법인등록번호 당진에코파워 SK 에어가스 SK 트리켐 SK 쇼와덴코 SKC 하이테크앤마케팅 ( 유 ) SK 텔레콤 상장사 (4) SK 하이닉스 아이리버 SKC 솔믹스 SK 텔링크 SK 플래닛 SK 브로드밴드 SK 커뮤니케이션즈 피에스앤마케팅 네트웍오앤에스 정보통신 / 전기전자 (21) 엔트릭스 원스토어 비상장사 (17) SK 테크엑스 홈앤서비스 실리콘화일 SK 하이닉스시스템IC SK 텔레시스 SKC 인프라서비스 SK 매직 SK 인포섹 에이앤티에스 SK 네트웍스 상장사 (3) SK 디앤디 에스엠코어 SK 건설 SK 마리타임 내트럭 서비스탑 서비스에이스 엔에스오케이 에프앤유신용정보

12 업종 상장여부 회사명 법인등록번호 SK 엠앤서비스 헬로네이처 SK 하이스텍 SK 하이이엔지 행복모아 건설 / 물류 / 서비스 (31) SK 네트웍스서비스 비상장사 (28) 카라이프서비스 SK 핀크스 목감휴게소서비스 SK 매직서비스 대전맑은물 SK 티엔에스 SK 해운 SK 신텍 지허브 비앤엠개발 행복나래 SK 임업 SK 엔카닷컴 에프에스케이엘앤에스 포인트코드 금융 (1) 상장사 (1) SK 증권 상장사 (2) 나노엔텍 SK 바이오랜드 제주유나이티드FC 기타 (7) SK 와이번스 비상장사 (5) SK 플라즈마 SK 바이오팜 SK 바이오텍 (*) 사명변경 : SK ( 舊 SK C&C ), 엔티스 ( 舊 SK사이텍 ), SK인포섹 ( 舊인포섹 ), SK배터리시스템즈 ( 舊 SK컨티넨탈이모션코리아 ), 카라이프서비스 ( 舊스피드모터스 ), 나래에너지서비스 ( 舊하남에너지서비스 ), 비앤엠개발 ( 舊엠케이에스개런티 ( 유 )), 미쓰이케미칼앤드에스케이씨폴리우레탄 ( 舊에스엠피씨 ), SK에어가스 ( 舊 SKC에어가스 ), SK바이오랜드 ( 舊 바이오랜드 ), 파주에너지서비스 ( 舊피엠피 ), SK엠앤서비스 ( 舊엠앤서비스 ) SK매직서비스 ( 舊매직서비스 ), SK마리타임 ( 舊 SK해운 ), - 9 -

13 엔에스오케이 ( 舊 네오에스네트웍스 ) 사. 신용평가에관한사항 본보고서제출일현재당사의신용등급은아래와같습니다. 구분 평가기관 현등급 최종평가일 NICE 신용평가 AA 국내 한국기업평가 AA 한국신용평가 AA 해외 Moody's Baa S&P BBB 회사의연혁 가. 설립이후의중요한변동상황 (1) 회사의주된변동내용 국도건설주식회사설립 현대전자산업주식회사로상호변경 기업공개및상장 대표이사김영환외이사 5인변경선임 이사 5인, 감사 1인변경선임 LG 그룹과 LG 반도체주식양수도계약체결 LG 반도체대주주지분인수 현대반도체 ( 구, LG 반도체 ) 흡수합병 박종섭대표이사외이사 1인, 감사위원 2인변경선임 전장사업부문 ( 주 ) 현대오토넷으로분사 모니터사업부문 " 현대이미지퀘스트 ( 주 )" 로분사 주식회사하이닉스반도체로상호변경 박상호대표이사선임외이사 2인, 감사위원 2인변경선임 통신단말기사업부문 " 현대큐리텔 " 로분사 통신 ADSL 사업부문 " 현대네트웍스 " 로분사 통신네트워크사업부문 " 현대시스콤 " 으로분사

14 현대그룹으로부터계열분리 채권금융기관공동관리시작 현대큐리텔, ' 팬텍컨소시엄 ' 에지분매각 현대시스콤, ' 쓰리알 ' 에지분매각 시러스로직社와파운드리전략적장기공급계약체결 박종섭대표이사사임 최대주주변경 ( 현대상선 ( 주 ) ( 주 ) 한국외환은행 ) 우의제대표이사선임외이사 2 인, 감사위원 2 인변경선임 현대네트웍스, ' 엠비엔 ' 에지분매각 박상호대표이사사임 STMicro 社와낸드플래시메모리공동개발및파운드리공급계약체결 환경 / 안전 / 보건기술연구소설립 매그나칩반도체유한회사와비메모리사업부문영업양도계약체결 중국장쑤 ( 江蘇 ) 성우시 ( 無錫 ) 시와중국현지공장설립협력계약체결 비메모리사업부문영업양도 STMicro 社와중국현지합작공장설립을위한협력계약체결 황학중, 김덕수, 민형욱, 이준호사외이사선임 박시룡, 장윤종사외이사임기만료퇴임 채권금융기관공동관리조기종료 현대이미지퀘스트 ( 주 ), ( 주 ) 빅터스캐피탈코리아에지분매각 ( 주 ) 현대오토넷지분매각완료 출자전환주식공동관리협의회 1 차공동지분매각 ( 해외유통 GDR 발행및국내블록세일 ) 권오철이사, 손방길사외이사선임, 정형량이사임기만료퇴임 중국현지생산법인 (HSMC) 설립 출자전환주식공동관리협의회 2 차공동지분매각 ( 해외유통 GDR 발행및국내블록세일 ) mm 연구소 (R3 R&D Fab) 개소 김종갑대표이사외이사 1 인신규선임, 사외이사 8 인 ( 감사위원회위원 4 인포함 ) 선임 -. 이사선임 : 김종갑, 최진석 -. 사외이사선임 : 박종선, 김경한, 조동성, 김형준 -. 감사위원회위원이되는사외이사선임 : 황학중, 민형욱, 손방길, 손성호 우의제대표이사임기만료퇴임 이사 1 인 ( 오춘식 ), 사외이사 4 인 ( 김범만, 김수창, 이선, 이준호 ) 임기만료퇴임 청주신규 M11(300mm) 공장착공 공정거래자율준수프로그램도입 환경운동연합과 ' 환경경영검증위원회 ' 협약체결 ' 일하는이사회 ' 를위한신 ( 新 ) 이사회제도도입 김경한사외이사중도퇴임

15 사외이사 8 인 ( 감사위원회위원 3 인포함 ) 선임 -. 사외이사선임 : 박종선, 조동성, 김형준, 정홍원, 최장봉 -. 감사위원회위원이되는사외이사선임 : 손성호, 홍형표, 백경훈 사외이사 3 인 ( 황학중, 민형욱, 손방길 ) 임기만료퇴임 정홍원사외이사중도퇴임 권오철이사재선임외이사 1 인신규선임, 사외이사 8 인 ( 감사위원회위원 3 인포함 ) 선임 -. 이사선임 : 권오철, 박성욱 -. 사외이사선임 : 박종선, 조동성, 김형준, 최장봉, 한부환 -. 감사위원회위원이되는사외이사선임 : 손성호, 홍형표, 백경훈 중국후공정합작사 HITECH 설립 최대주주변경 (( 주 ) 한국외환은행 한국정책금융공사 ) 최대주주변경 ( 한국정책금융공사 미래에셋자산운용투자자문 ( 주 )) 권오철대표이사외이사 1 인신규선임, 김종갑이사재선임사외이사 9 인 ( 감사위원회위원 3 인포함 ) 선임 -. 이사선임 : 김종갑, 권오철, 김민철 -. 사외이사선임 : 박종선, 전인백, 한부환, 최장봉, 정병태, 김형준 -. 감사위원회위원이되는사외이사선임 : 백갑종, 송재용, 김창호 중국후공정합작공장 HITECH 준공 최대주주변경 ( 미래에셋자산운용투자자문 ( 주 ) 한국정책금융공사 ) 최대주주변경 ( 한국정책금융공사 국민연금공단 ) 사외이사 9 인 ( 감사위원회위원 3 인포함 ) 선임 -. 사외이사선임 : 한부환, 전인백, 정병태, 이달곤, 김갑회, 정상환 -. 감사위원회위원이되는사외이사선임 : 백갑종, 송재용, 조현명 정상환사외이사중도퇴임 최대주주변경 ( 국민연금공단 에스케이텔레콤 ( 주 )) 사외이사 5 인 ( 감사위원회위원 3 인포함 ) 선임 -. 이사선임 : 최태원, 하성민, 박성욱 -. 사외이사선임 : 김두경, 박영준, 윤세리, 김대일, 이창양 -. 감사위원회위원이되는사외이사선임 : 김두경, 김대일, 이창양 미컨트롤러업체 LAMD(Link_A_Media Devices) 인수본계약체결 플래시솔루션디자인센터설립 김준호사내이사 1 인신규선임 이사 2 인 ( 감사위원회위원 1 인포함 ) 선임 -. 이사선임 : 임형규 -. 사외이사선임 : 최종원 -. 감사위원회위원이되는사외이사선임 : 최종원 중국충칭후공정생산법인 (SKHYCQL) 준공 이사 5 인 ( 감사위원회위원 3 인포함 ) 선임 -. 이사선임 : 박성욱 -. 사외이사선임 : 김두경, 박영준, 김대일, 이창양

16 -. 감사위원회위원이되는사외이사선임 : 김두경, 김대일, 이창양 이사 2 인 ( 사내이사 ) 선임 -. 이사선임 : 김준호, 박정호 이사 4 인 ( 감사위원회위원 2 인포함 ) 선임 -. 이사선임 : 이석희 -. 기타비상무이사선임 : 박정호 -. 사외이사선임 : 최종원, 신창환 -. 감사위원회위원이되는사외이사선임 : 최종원, 신창환 에스케이하이닉스시스템아이씨 ( 주 ) 공식출범 (2) 종속회사의주된변동내용 미국현지법인 (HSA) 설립 독일현지법인 (HSD) 설립 싱가폴현지법인 (HSS) 설립 홍콩현지법인 (HSH) 설립 영국현지법인 (HSE) 설립 영국현지판매법인 (HSU) 설립 미국생산법인 (HSMA) 설립 대만현지법인 (HST) 설립 일본현지법인 (HSJ) 설립 사업지원서비스부문 "( 주 ) 현대아스텍 " 분사 LCD 사업부문 "( 주 ) 현대디스플레이테크놀로지 " 로분사 중국현지판매법인 (HSCS) 설립 " 에스알씨 ( 주 )" 분사 "( 주 ) 현대디스플레이테크놀로지 " TFT-LCD 사업부문매각 중국합작법인 (HSSL) 설립 에스알씨 ( 주 ) ( 주 ) 큐알티반도체사명변경 ( 주 ) 현대아스텍 ( 주 ) 아스텍사명변경 중국현지생산법인 (HSMC) 설립 중국현지생산법인 (HSMC) 준공 인도현지법인 (HSIS) 설립 ( 주 ) 아스텍에서 ( 주 ) 하이닉스인재개발원분할 ( 주 ) 아스텍에서 ( 주 ) 하이스텍으로분할 ( 주 ) 아스텍에서 ( 주 ) 하이로지텍으로분할 ( 주 ) 아스텍에서 ( 주 ) 하이닉스엔지니어링으로분할 ( 주 ) 하이닉스엔지니어링에서 ( 주 ) 아미파워로분할 중국현지판매법인 (HSCW) 설립

17 "( 주 ) 현대디스플레이테크놀로지 " 청산, 주요종속회사제외 " 프로모스엔에이치유한회사, 티와이프로주식회사, 외환은행특정금전신탁 " 청산, 주요종속회사제외 낸드플래시개발업체아이디어플래시 (Ideaflash S.r.l.) 인수, 이탈리아기술센터 (SK Hynix Italy S.r.l.) 전환설립 ( 주 ) 하이닉스엔지니어링, ( 주 ) 큐알티반도체흡수합병 ( 주 ) 하이스텍, ( 주 ) 하이로지텍 /( 주 ) 하이닉스인재개발원흡수합병 ( 주 ) 하이닉스엔지니어링 에스케이하이이엔지 ( 주 ) 사명변경 ( 주 ) 하이스텍 에스케이하이스텍 ( 주 ) 사명변경 아미파워 ( 주 ) 청산, 주요종속회사제외중국충칭후공정생산법인 (SKHYCQL) 설립 에스케이하이이엔지 ( 주 ) 에서큐알티 ( 주 ) 분할설립주식교환으로실리콘화일 ( 주 ) 인수 벨라루스소재연구개발법인 Softeq Flash Solutions LLC. 인수 SK hynix Europe Holding Ltd.(SKHYE) 청산, 종속기업제외 큐알티 ( 주 ) 지분전량매각 SK hynix Ventures Hong Kong Ltd. 설립 Hynix Semiconductor Manufacturing America Inc. (HSMA) 청산, 종속기업제외 행복모아 ( 주 ) 설립 에스케이하이닉스시스템아이씨 ( 주 ) 설립 나. 상호의변경 현대전자산업주식회사로상호변경 주식회사하이닉스반도체로상호변경 에스케이하이닉스주식회사로상호변경 다. 합병, 분할 ( 합병 ), 포괄적주식교환 이전, 중요한영업의양수 양도등 현대반도체 ( 구, LG 반도체 ) 흡수합병 비메모리사업부문영업양도 에스케이텔레콤, 하이닉스반도체지분인수계약 실리콘화일과포괄적주식교환계약 실리콘화일과 CIS 영업부문에대한영업양수 에스케이하이닉스시스템아이씨 ( 주 ) 에 Foundry 사업과관련된자산등포괄적양도 라. 생산설비의변동

18 중국장쑤 ( 江蘇 ) 성우시 ( 無錫 ) 시에 C2(300mm), C1(200mm) 공장준공 미국유진공장 E1(200mm) 가동중단 청주신규 NAND Flash 전용 M11 공장 (300mm) 준공 이천 M7(200mm) 및청주 M9(200mm) 공장가동중단 중국 C1(200mm) 공장가동중단 중국후공정합작공장 HITECH 준공 청주신규 NAND Flash 전용 M12 공장 (300mm) 준공 중국후공정생산법인 (SKHYCQL) 준공 이천 M14(300mm) 준공 마. 경영활동과관련된중요한사실의발생 전력소모 30% 줄인서버용메모리모듈개발 대만프로모스社와전략적제휴를위한본계약체결 GB DDR2-667 노트북용모듈업계최초인텔社인증획득 당사출자전환주식공동관리협의회와 ' 특별약정 ' 체결 JEDEC 표준형 8GB DDR2 R-DIMM 과 2GB DDR VLP R-DIMM 개발 Mb GDDR4 DRAM 개발 나노 512Mb DDR2 DRAM 인텔社인증획득 Mbps 512Mb 모바일 DRAM 개발 60 나노급 1Gb DDR2 기반 1GB DDR2 800Mbps 모듈개발 ECC 회로적용한 185Mbps 512Mb 모바일 DRAM 개발 퓨전메모리제품 DOC(Disk On Chip) H3 양산 나노 DDR3 1Gb DRAM 단품및모듈인텔社인증획득 초박형 (25 μm ) 20 단낸드플래시 MCP(Multi-chip Package) 개발 Mbps 1Gb 모바일 DRAM 개발 이노베이티브실리콘社와신개념메모리 'ZRAM' 라이선스계약체결 초박형 (25 μm ) 24 단낸드플래시 MCP(Multi-chip Package) 개발 오보닉스社와차세대메모리 'PRAM' 기술라이선스계약체결 Gb GDDR5 개발 50 나노급 1Gb DDR2 DRAM 인텔社인증획득 실리콘화일社와 CMOS 이미지센서 (CIS) 사업추진을위한협력계약체결 나노급 1GB/2GB DDR2 모듈인텔社인증획득

19 피델릭스社와전략적제휴를위한협력계약체결 그란디스社와 'STT-RAM' 라이선스및공동개발계약체결 프로모스社와포괄적제휴협력계약체결 파이슨社와낸드플래시응용제품기술에대한사업협력계약체결 실리콘화일社지분취득결정및기존파운드리계약범위확대 3 중셀 (X3) 기술기반 32Gb 낸드플래시개발 씨엔에스테크놀로지社와시스템반도체공동개발및파운드리협력계약체결 뉴모닉스社와낸드플래시기술및제품공동개발협력계약체결 16GB 서버용모듈개발 단적층낸드플래시개발 50 나노급 2Gb 고용량모바일 DRAM 개발 DDR3 서버용모듈 4GB ECC UDIMM 인텔社인증획득 나노급 DDR3 DRAM 개발 뉴모닉스社및파이슨社와낸드플래시응용제품용컨트롤러 3 자공동개발계약체결 중국장쑤 ( 江蘇 ) 성우시 ( 無錫 ) 시에무석산업발전집단유한공사와합작반도체후공정전문회사설립을위한본계약체결 GB 1333Mbps 노트북용모듈외 10 건인텔社 DDR3 전용플래폼인증획득 대만프로모스社와전략적제휴협력계약종결 나노급 4Gb 모바일 DRAM 인텔社인증획득 세대 1Gb DDR3 개발 나노급 2Gb GDDR5 개발 나노급 2Gb 모바일 DRAM 개발 나노급 64Gb 낸드플래시개발 휴렛팩커드 (HP) 社와 Re 램공동개발계약체결 나노급 4Gb DDR3 개발 나노급 2Gb DDR4 개발 도시바社와 STT-MRAM 공동개발및합작사설립을위한공동생산계약체결 나노급 2Gb DDR3 저탄소제품인증획득 스팬션社와특허사용크로스라이선스및 SLC 낸드플래시공급계약체결 IBM 社와 PC 램공동개발및기술라이선스계약체결 나노급 64Gb 낸드플래시저탄소제품인증획득 나노급 4Gb 그래픽 DDR3 개발

20 나노급 8Gb LPDDR3 개발 램버스社와포괄적특허라이선스계약체결 삼성전자와반도체특허크로스라이선스계약체결 나노급 6Gb LPDDR3 개발 나노급 8Gb LPDDR4 개발 나노급 8Gb DDR4 기반 128GB 모듈개발 나노급모바일 DRAM 저탄소제품인증획득 차세대와이드 IO2 모바일 DRAM 개발 최대용량비휘발성하이브리드 DRAM 모듈개발 도시바와 NIL 기술공동개발계약체결 사업연속성경영시스템 (ISO22301) 인증획득 샌디스크와특허라이선스연장및공급계약체결 Gb 기반 8GB LPDDR4X 출시 단 256Gb TLC 3D 낸드플래시개발 나노급 8Gb 기반 GDDR6 DRAM 개발 나노급 8Gb HBM2 Gen 1 개발 도시바반도체사업지분인수를위한타법인지분출자결의 3. 자본금변동사항 증자 ( 감자 ) 현황 ( 기준일 : 2017 년 09 월 30 일 ) ( 단위 : 원, 주 ) 주식발행 ( 감소 ) 일자 발행 ( 감소 ) 형태 주식의종류 수량 발행 ( 감소 ) 한주식의내용 주당액면가액 주당발행 ( 감소 ) 가액 2012년 01월 27일 전환권행사 보통주 855 5,000 23, ~ 년 02월 14일 유상증자 ( 제3자배정 ) 보통주 101,850,000 5,000 23, 년 02월 15일 전환권행사 보통주 4,159 5,000 23, ~ 년 04월 06일 전환권행사 보통주 3,000 5,000 23, 년 05월 02일 주식매수선택권행사 보통주 93,500 5,000 22,800 우리사주매수선택권행사 2012년 05월 04일 전환권행사 보통주 428 5,000 23, 년 08월 20일 전환권행사 보통주 21 5,000 23, 년 10월 30일 주식매수선택권행사 보통주 30,300 5,000 22,800 우리사주매수선택권행사 비고

21 주식발행 ( 감소 ) 일자 발행 ( 감소 ) 형태 주식의종류 수량 발행 ( 감소 ) 한주식의내용 주당액면가액 주당발행 ( 감소 ) 가액 2012년 12월 07일 전환권행사 보통주 3,016 5,000 23, ~ 년 02월 13일 전환권행사 보통주 9,527 5,000 23, ~ 년 04월 01일 전환권행사 보통주 551,689 5,000 23, ~ 년 07월 02일 전환권행사 보통주 15,483,908 5,000 23, ~ 년 04월 22일 - 보통주 1,358,537 5,000 - 주식교환 2014년 05월 27일 전환권행사 보통주 4,562,354 5,000 34, ~ 년 07월 01일 전환권행사 보통주 10,285,078 5,000 34, ~ 년 10월 01일 전환권행사 보통주 1,595,505 5,000 34, ~ 비고 4. 주식의총수등 가. 주식의총수 2017 년 9 월 30 일본보고서작성기준일현재당사의발행할주식의총수는 9,000,000,000 주이며, 발행한주식의총수는보통주 5,721,980,209 주입니다. 보통주이외에발행한다른종류의주식은없습니다. 당기말현재의유통주식수는보통주 706,001,795 주입니다. ( 기준일 : 2017 년 09 월 30 일 ) ( 단위 : 주 ) 구분 주식의종류 보통주우선주합계 Ⅰ. 발행할주식의총수 9,000,000,000-9,000,000,000 - Ⅱ. 현재까지발행한주식의총수 5,721,980,209-5,721,980,209 - Ⅲ. 현재까지감소한주식의총수 4,993,977,844-4,993,977,844 - 비고 1. 감자 4,990,449,799-4,990,449, , 주식병합 (21:1) 2. 이익소각 3,528,045-3,528, , 이익소각 3. 상환주식의상환 기타 Ⅳ. 발행주식의총수 (Ⅱ-Ⅲ) 728,002, ,002,365 - Ⅴ. 자기주식수 22,000,570-22,000, 주식교환및 ~10.01 장내취득 Ⅵ. 유통주식수 (Ⅳ-Ⅴ) 706,001, ,001,795 - 나. 자기주식취득및처분현황 ( 기준일 : 2017 년 09 월 30 일 ) ( 단위 : 주 )

22 배당가능이익범위이내취득 취득방법 주식의종류 기초수량 변동수량취득 (+) 처분 (-) 소각 (-) 기말수량 비고 장내 보통주 22,000, ,000,000 - 직접취득 우선주 장외 보통주 직접 직접취득 우선주 취득보통주 공개매수우선주 소계 (a) 보통주 22,000, ,000,000 - 우선주 수탁자보유물량 보통주 우선주 신탁보통주 계약에의한현물보유물량취득우선주 소계 (b) 보통주 우선주 기타취득 (c) 보통주 주식교환우선주 총계 (a+b+c) 보통주 22,000, ,000,570 - 우선주 의결권현황 ( 기준일 : 2017 년 09 월 30 일 ) ( 단위 : 주 ) 구분주식의종류주식수비고 발행주식총수 (A) 의결권없는주식수 (B) 정관에의하여의결권행사가배제된주식수 (C) 기타법률에의하여의결권행사가제한된주식수 (D) 보통주 728,002,365 - 우선주 - - 보통주 22,000,570 - 우선주 - - 보통주 - - 우선주 - - 보통주 - - 우선주 - - 보통주

23 구분주식의종류주식수비고 의결권이부활된주식수 (E) 우선주 - - 의결권을행사할수있는주식수 (F = A - B - C - D + E) 보통주 706,001,795 - 우선주 배당에관한사항등 가. 배당에관한사항 정관에의거한배당에관한당사의중요한정책은다음과같습니다. (1) 제 52 조 ( 이익배당 ) 1 이익의배당은금전, 주식및기타의재산으로할수있다. 2 제 1 항의배당은매결산기말현재의주주명부에기재된주주또는등록된질권자에게지급한다. 3 이익의배당을주식으로하는경우회사가종류주식을발행한때에는주주총회결의로그와다른종류의주식으로배당할수있다. (2) 제 54 조 ( 중간배당 ) 1 회사는 7 월 1 일 0 시현재의주주에게상법의규정에의한중간배당을금전, 주식및기타의재산으로할수있다. 2 제 1 항의중간배당은이사회의결의로하되, 중간배당의구체적인방법, 한도등에대해서는상법등관련법령에서정하는바에따른다. 3 사업년도개시일이후제 1 항의기준일이전에신주를발행한경우 ( 준비금의자본전입, 주식배당, 전환사채의전환청구, 신주인수권부사채의신주인수권행사를포함한다 ) 중간배당에관해서는당해신주는직전사업년도말에발행된것으로본다. 4 중간배당을할때에는종류주식에대하여도보통주식과동일한배당률을적용한다. 5 제 53 조 ( 배당금지급청구권의소멸시효 ) 는중간배당의경우에준용한다. 나. 최근 3 사업연도배당에관한사항 구분 주식의종류 당기전기전전기제70기 3분기제69기제68 기 주당액면가액 ( 원 ) 5,000 5,000 5,000 ( 연결 ) 당기순이익 ( 백만원 ) 7,422,719 2,953,774 4,322,

24 구분 주식의종류 당기전기전전기 제 70 기 3 분기제 69 기제 68 기 ( 별도 ) 당기순이익 ( 백만원 ) 7,248,436 2,655,022 4,019,080 ( 연결 ) 주당순이익 ( 원 ) 10,511 4,184 6,002 현금배당금총액 ( 백만원 ) - 423, ,001 주식배당금총액 ( 백만원 ) ( 연결 ) 현금배당성향 (%) 현금배당수익률 (%) 주식배당수익률 (%) 주당현금배당금 ( 원 ) 주당주식배당 ( 주 ) 상기금액은연결재무제표기준이며, 연결당기순이익및연결현금배당성향은지배기업소유주지분귀속당기순이익을사용함

25 II. 사업의내용 1. 사업의개요 가. 업계의현황 (1) 산업의특성 반도체는모든 IT제품의필수불가결한핵심부품으로서, 컴퓨터를비롯해통신장비및통신시스템, 자동차, 디지털가전제품, 산업기계그리고컨트롤시스템등그적용분야가매우광범위합니다. 시장조사기관인가트너 (Gartner, 2017년 9월, 금액기준 ) 에따르면, 지난 2016년도세계반도체시장규모는 US$3,435억에이르렀으며, 이중메모리제품은 US$801억의시장규모로전체반도체시장의약 23% 수준에달하였습니다. 메모리제품중 DRAM은전체메모리반도체시장의 51% 를차지하는 US$410 억을기록하였으며, 그뒤를이어낸드플래시가 US$354 억으로 44%, 기타메모리가 US$37억으로 5% 의비중을차지하였습니다. 아래표에나타낸바와같이반도체산업은우리나라수출에있어서 12.6% 의비중을차지하는매우중 요한기간산업중하나입니다 년반도체수출은 DRAM 시장가격하락등으로인해전년대비 -1.1 % 성장하였습니다. 전체수출중반도체비중 ( 단위 : 백만USD, %) 구분 총수출 495, , , , , ,214 반도체 62,228 62,916 62,647 57,143 50,430 50,146 전년비증감율 -1.1% 0.4% 9.6% 13.3% 0.6% -1.1% 비중 12.6% 11.9% 10.9% 10.2% 9.2% 9% 출처 : 한국무역협회, 2017년 9월 이러한반도체는메모리반도체와비메모리반도체로구분됩니다

26 가 ) 메모리반도체정보를저장하고기억하는기능을하는메모리반도체는일반적으로 ' 휘발성 (Volatile)' 과 ' 비휘발성 (No n-volatile)' 으로분류됩니다. 휘발성메모리제품은전원이끊어지면정보가지워지는반면, 비휘발성제품은휴대전화에전화번호가저장되는것처럼전원이끊겨도저장된정보가계속남아있습니다. 당사는휘발성메모리인 DRAM과비휘발성메모리인플래시메모리를생산하고있습니다. 메모리반도체산업은제품설계기술, 공정미세화및투자효율성제고에의한원가경쟁력확보가매 우중요한산업으로서기술력및원가경쟁력을갖춘소수의 IDM(Integrated Device Manufacturer) 업 체중심으로점차과점화되고있는추세입니다. [DRAM(Dynamic Random Access Memory)] DRAM은전원이켜져있는동안에만정보가저장되는휘발성 (Volatile) 메모리로주로컴퓨터의메인메모리 (Main Memory), 동영상및 3D 게임구현을위한그래픽메모리 (Graphics Memory) 로사용되고있으며, 가전제품의디지털화에따라스마트TV, 스마트냉장고그리고프린터등에도사용이확대되고있습니다. 또한각종이동통신기기의폭발적성장에따라스마트폰및태블릿PC 등에도모바일용 DRA M의채용량이급증하고있습니다. [ 플래시메모리 (Flash Memory)] 플래시메모리는전원이공급되지않아도저장된데이터가지워지지않는비휘발성메모리로크게노어 ( NOR) 형 (Code저장형) 과낸드 (NAND) 형 (Data 저장형 ) 으로나눌수있습니다. 이중당사가생산하는낸드플래시는순차적 (Sequential) 정보접근이가능한비휘발성메모리칩으로서, 디지털비디오나디지털사진과같은대용량정보를저장하는데매우적합합니다. 낸드플래시제품이주로적용되는분야는디지털카메라, USB드라이브, MP3플레이어, 차량용네비게이션, SSD(Solid State Drive), Flash Array 그리고스마트폰, 태블릿PC와같은모바일기기등입니다. 한편, 최근플래시메모리는일반적인범용메모리보다는고객지향적인제품의수요가늘어나고있어이런추세에부합하는적극적인응용제품개발및철저한고객대응의중요성이커지고있습니다. 나 ) 비메모리반도체 비메모리반도체는정보처리를목적으로제작되는반도체로특성에따라, 아날로그, 로직, 마이크로, 디 스크리트, 센서로분리가되며, 자사는이중 CIS 를생산하고있습니다. [CIS(CMOS Image Sensor)] 계산과추론등정보처리기능을담당하는비메모리반도체중에서도, 이미지센서는빛에너지를감지하여그세기의정도를영상데이터로변환해주는반도체소자로서디지털촬영기기에서필름역할을하고있습니다. 이미지센서는제조과정과신호를읽는방법에따라 CCD(Charge Coupled Device) 와 CM

27 OS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 두가지타입으로나뉩니다. 최근 CMOS 이미지센서의기술이크게향상되고디지털촬영기기가소형화됨에따라, 크기가작고전력소모가적은 CMOS 이미지센서의활용범위가점차확대되고있으며, 특히 CIS의사용분야중스마트폰과태블릿PC향의출하량과매출비중이각각 50% 를넘어고성장추세입니다 (2) 산업의성장성 반도체산업을둘러싼환경은디지털기기가모바일化, 스마트化되고자동차, 의료기기, 산업기기등이인터넷을기반으로발전함에따라우호적인시장여건이지속되고있습니다. 2014년전체반도체는 8.6 %, 메모리반도체분야는 16.7% 의높은성장을기록하여 2013년에이어 2년연속최대매출을보였습니다. 그러나 2015년전체반도체는 -2.2%, 메모리반도체분야는 -1.3% 성장하였습니다. 2016년은전체반도체시장이 2.6% 의성장을보였으며 NAND Flash 매출증가로인해메모리반도체시장도 1.1% 성장하였습니다. (Gartner, 2017년 9월, 금액기준 ). 메모리반도체시장의생산 ( 공급 ) 측면은점진적둔화가예상됩니다. 공정미세화기술은한계에다다르고있으며, 생산및연구개발을위한투자비용이급증하고있는반면, 고객들의요구성능과품질수준은더욱다양화, 고도화되고있습니다. 이에기존과같은외형경쟁을위한무리한공급확대는제한적일것으로전망됨에따라, 향후메모리반도체산업은안정적수요와제한적인공급으로인해메모리시장성장의기회가더욱증대할것으로예상됩니다. [DRAM] 시장조사기관인가트너 (Gartner, 2017년 9월, 금액기준 ) 에따르면, DRAM 시장은세계경제의점진적회복및모바일시장확대, 수급안정등의요인으로 2013년 $349억 (+33%), 2014년 $461억 (+32%) 의큰폭의매출성장을기록하였습니다. 2015년과 2016년에는과잉공급으로인한평균판매가격 (ASP: Aver age Selling Price) 하락으로, 각각 $446억 (-3.3%), $410억 (-8.1%) 의매출을기록하였습니다. 분야별로살펴보면, PC 시장은수요정체로인한저성장기조가유지되어 DRAM 수요를견인하는데어려움을겪고있으나, 개인용컴퓨터의이동성 (Mobility) 에대한요구가증가함에따라울트라북등노트북컴퓨터로의교체및신규수요가확대될전망입니다. 한편, 수요가지속적으로증가하고있는모바일기기는 DRAM 수요를견인하는주요분야로서, 스마트폰과태블릿 PC에서채용하는 DRAM 용량은 2017년각각 2.8GB와 2.2GB에서 2021년에는 5.1GB와 3.2GB으로증가될것 (Gartner, 2017년 9월 ) 으로예상됩니다. 또한, 고화질콘텐츠유통증가와주요게임콘솔의출시에따라이를빠르게처리할수있는그래픽메모리의수요도증가할전망입니다. 상기와같이디지털기기의증가에따른 DRAM 수요증가뿐만아니라, 대용량콘텐츠처리를위한기기당탑재량증가에따라 DRAM 수요는앞으로도지속증가할것으로예상됩니다

28 [ 낸드플래시 (NAND Flash)] 낸드플래시는디지털미디어의성장과더불어스마트폰, 태블릿 PC, 디지털카메라, MP3 플레이어그리고기타멀티미디어가전에사용되는플래시카드와 USB 드라이브, SSD와같은정보저장장치 (Storage Devices) 등에널리사용되고있습니다. 가트너 (Gartner, 2017년 9월, 금액기준 ) 의전망에따르면낸드플래시시장은, 모바일및 SSD 등스토리지분야적용확대를통해 2015년 3.5%($308억 ), 2016년 14.9%($354억 ) 의꾸준한성장을이어가고있습니다. 이는스마트폰, 태블릿 PC을포함한휴대용기기및 PC용 SSD, 기타응용복합제품등향후낸드플래시의수요를견인할제품시장의지속적성장전망에기반한것입니다. 향후에는 Cloud Computing 및 IoT 시대가전개되며 Data Center 의 Storage 용량확대와실시간정보처리의필요성이높아질것이며, 이에따라 Enterprise 용 SSD가일부 HDD를대체하고 NAND 시장은또다른도약을할수있을것으로예상됩니다. [CIS (CMOS Image Sensor)] 이미지센서는 1990년대중반디지털카메라에장착되어일반소비자에게선보인이후 PC 카메라, 자동차블랙박스, 휴대폰카메라, 감시카메라등다양한분야에활용되어시장규모도크게증가하는추세입니다. 특히스마트폰, 태블릿 PC의카메라시장의수요증가로시장이지속성장할것으로보입니다. 가트너 (Gartner, 2017년 9월, 금액기준 ) 의전망에따르면이미지센서시장은 2017년 US$116억에서 2021 년 US$150억규모로연평균 6.8% 의성장이예상되며, 특히당사가생산중인 CMOS이미지센서시장은다양한응용기기로의확대적용과수요증가로전체이미지센서시장에서의비중이 2017년 94% 에서 2 021년 98% 까지확대되며연평균 8.0% 의성장이전망됩니다. (3) 경기변동의특성 세계반도체시장은제품수명주기가매우짧으며, 새로운제품의생산을위해서는대규모투자가필요한장치산업의특성을가지고있습니다. 아울러, 과거에는실리콘사이클의순환에따라호황과불황을반복해왔으며, 이는주요수요처인미구주의거시경제순환사이클 (Business Cycle) 과의연관성이매우컸습니다. 그러나최근에는중국및인도등신흥시장의비중이확대되고경쟁력이부족한업체들이일부구조조정되어반도체산업경기변동폭은전과비교하여많이줄었습니다. [DRAM] DRAM은 PC 수요에상당부분의존하여기업의 PC교체사이클의영향을크게받아왔습니다. 그러나최근에는스마트폰및태블릿 PC 등모바일기기의폭발적성장에따라 DRAM의주요수요처가 PC에서서버및모바일로분산되고있어, 경기변동성이과거에비해약화되는모습을보이고있습니다. 한편, 수요의계절성으로서는미구주지역의신학기, 크리스마스특수등하반기수요증가가뚜렷했으

29 나, 최근에는아시아시장의성장과스마트폰신제품출시시기의분산으로인한판매시장의다변화로 전통적인수요의계절성이일부약화되는모습도나타나고있습니다. [ 낸드플래시 (NAND Flash)] 낸드플래시는과거 MP3 플레이어, 메모리카드등의수요증가에힘입어급속한성장을해왔습니다. 또한최근에는 IT 기기가스마트화되고고성능화됨에따라낸드플래시의주소비형태가 Controller와 Raw NAND가결합되는 emmc와 SSD 등으로바뀌고있으며보다높은부가가치를가지게되었습니다. 아울러, 이들 emmc와 SSD제품도 DRAM과같이스마트폰, 태블릿PC, 노트북, PC, Server, Storage, Flash Array 등의다양한제품에장착되기시작하며, 과거에비해경기변동성은줄어들것으로예상됩니다. [CIS (CMOS Image Sensor)] 이미지센서시장은스마트폰, DSLR 등전통적인수요처의강세가지속되는가운데, 자동차용블랙박스, 후방카메라, 스마트TV 등다양한산업군과의 Convergence를통해시장이더욱확대되고있습니다. 또한이미지센서중자사가생산중인 CMOS 이미지센서는휴대폰, 캠코더, PC 등멀티미디어기기시장의영향을크게받는제품으로서소비재의특성상경기변동과기술변화에민감할뿐만아니라라이프사이클이짧은특징을가지고있습니다. (4) 경쟁요소 반도체사업의핵심경쟁력은 1. 기술및원가경쟁력, 2. 시장대응능력 ( 고객확보, 제품포트폴리오 ) 3. 설비투자능력등이있습니다. 최근대량생산이용이한표준제품위주에서응용분야가점차다양화, 융복합화됨에따라시설투자와생산성향상을통한원가경쟁력중심에서제품가치증대를통한수익성중심으로경쟁의패러다임이빠르게전환되고있습니다. 지금까지는적극적투자에의한생산능력확대와생산원가절감이핵심경쟁요소였지만, 공정미세화의난이도증가와투자대비수익에대한불확실성증대등사업환경이변화하였습니다. 따라서, 앞으로는생산기술의고도화를통한투자절감과제품의부가가치증대를위해다양한선행기술및응용기술개발, 메모리컨트롤러와펌웨어가결합된응용복합제품의개발이중요한사업경쟁력이될것입니다. 아울러 DRAM분야에서의 TSV(Through Silicon Via) 및 New Memory의원활한초기시장진입과 emm C나 SSD 제품의시장확대를위해서는관련기술업체와의협업과더불어고객만족도가중요해짐에따라마케팅및고객지원활동도핵심경쟁요소로부각되고있습니다. 이외에도적기에시장요구에부합하는제품을출시 (Time to Market) 할수있는시장대응력및재무건전성확보등이요구되고있습니다. 나. 회사의현황

30 (1) 영업개황및사업부문의구분 ( 가 ) 영업개황 2017년 3분기는서버와모바일을중심으로한우호적인시장환경속에서가격의상승흐름이이어진가운데, 기술경쟁력과수익성위주의제품운영을통해견조한실적을기록하였습니다. 당사의연결기준매출은전년동기대비약 90.9% 증가한약 8조 1천 1억원을기록하였으며, 연결기준영업이익은전년동기대비약 414.8% 증가한약 3조 7천 3백 7 십 2억원을기록하였습니다. 연결기준당기순이익은전년동기대비약 411.2% 증가한약 3조 5백 5십 5억원을기록하였습니다. 구분 제 70 기 3 분기 ( ~ ) 제 70 기 2 분기 ( ~ ) 전분기대비증감 제 69 기 3 분기 ( ~ ) ( 단위 : 백만원, %) 전년동기대비증감 매출액 당분기실적 8,100,085 6,692, % 4,243, % 누계실적 누계실적 21,081,881 12,981,796-11,840, % 영업이익 당분기실적 3,737,193 3,050, % 725, % 누계실적 누계실적 9,255,492 5,518,299-1,740, % 당기순이익 당분기실적 3,055,530 2,468, % 597, % 누계실적 누계실적 7,422,720 4,367,190-1,331, % 한국채택국제회계기준에따라작성된연결기준실적입니다. ( 나 ) 공시대상사업부문의구분 [ 제70 기 3분기 ] 구 분 매출액 매출액비중 (%) 주요제품 반도체부문 21,081, % DRAM, NAND Flash, MCP 등 합계 21,081, % - 당사는한국표준산업분류표상의소분류에의한 ' 반도체제조업 ( 분류번호 : 261)' 에해 당하며, 반도체부문의매출액이총매출액의 90% 를초과하므로반도체부문으로기재함. (2) 시장점유율 구분 '17 년 2 분기 '17 년 1 분기 '16 년 '15 년 '14 년 '13 년 '12 년 DRAM 27.1% 27.7% 26.0% 27.3% 27.1% 26.6% 24.7%

31 구분 '17 년 2 분기 '17 년 1 분기 '16 년 '15 년 '14 년 '13 년 '12 년 NAND Flash 11.5% 13.1% 11.8% 12.6% 10.8% 10.7% 9.9% 출처 : IDC 2017 년 9 월, 매출액기준 (3) 시장경쟁요소및회사의경쟁력 ( 가 ) 메모리반도체사업 [DRAM] 피씨메모리 (PC Memory) 는게이밍피씨 (Gaming PC), 2-in-1 노트북 (Notebook) 및크롬북 (Chromeb ook) 의판매증가가메모리수요증대를이끌것으로전망됩니다. 게이밍피씨의경우게이밍앱 (Gamin g App) 증가및다양화에따른사용자수증가, HMD(Head Mount Device) 및 VR(Virtual Reality) 등의신규장비등장과함께피씨내작지만확고한위치를자리잡아가고있습니다. 2-in-1 노트북의경우는기능성과편리성을갖추고있어기존울트라북 (Ultrabook) 수요를이어갈것으로전망됩니다. 크롬북은북미에서교육용으로판매가증가하고있습니다. 저렴한가격, 무료 OS, 다양한교육용프로그램이제공되기에학교및정부에서대량으로구매를추진하고있어전망이밝습니다. 3분기에는 Intel의신규플랫폼인카비레이크 (Kabylake) 및 AMD의새로운프로세서인라이젠 (Ryzen) 의출시와개학시즌수요가맞물려피씨메모리수요가증가하였습니다. 이흐름은 4분기까지이어질것으로전망되어 2017년연말까지피씨메모리지속적인수요증가가전망됩니다. 서버메모리 (Server Memory) 는클라우드컴퓨팅 (Cloud Computing), Big Data 등의확산으로데이터트래픽이기하급수적으로증가하면서지속적인수요증대가전망됩니다. 특히, 퍼블릭클라우드로의전환가속화에따른대형클라우드서비스업체들의대규모투자가 Server 수요를견인하고있습니다. AI ( Artificial Intelligence) / Machine learning 등 BI (Business Intelligence) 향상을위한 Analytics Appli cation 성장이본격화되면서고속 / 고용량메모리수요가증가할것으로전망합니다. 따라서자사는해당수요에대응할수있는고속 / 고용량서버모듈 (Module) 제품을공급하고있습니다. 또한, Intel의신규플랫폼인 Skylake 가출시됨에따라하반기신규 / 업그레이드목적의메모리수요증대도전망됩니다. 그래픽스메모리 (Graphics Memory) 는게임, 동영상및 3D 그래픽기술의발전과함께꾸준한성장세를보이고있습니다. 특히, 그래픽스가속기능을기반으로한인공지능분야는최근급속히성장하여 IT 기업의중요한전략분야로발전하고있습니다. 당사는주요그래픽칩셋업체들과의전략적관계강화를통하여데스크탑, 노트북용, HPC용등 PC 그래픽및차세대 Game Console 분야에서도주도적인위치를공고히하고있습니다. 차세대메모리솔루션이라할수있는 HBM(High Bandwidth Memory) 및세계최고속도의 20나노급 8Gb( 기가비트 ) GDDR6 그래픽 D램을개발하여고객의최고급그래픽카드

32 예상출시시점인 2018 년초에맞춰제품을양산할계획입니다. 컨수머메모리 (Consumer Memory) 시장은메모리시장가격의지속적인상승으로시장수요의약 50 % 를차지하는 TV와셋톱박스 (Set-top Box) 업체가원가상승에따른판매부진또는일부업체의적자전환이발생하였습니다. 이에따라, 2017년에는전체 TV와셋톱박스세트판매증가는제한된가운데업체들의고수익 High-end 제품판매에집중하며 TV와셋톱박스향메모리수요가소폭증가할것으로예상됩니다. 반면, 신규 5G 네트워크인프라와자동차용인포테인먼트 / 자율주행그리고음성인식기능을활용한스마트홈관련수요가지속적인호조를보이며향후컨수머메모리시장수요를주도할것으로예상됩니다. 당사는다양한응용분야의특성에맞추어저용량부터고용량 (2Gb ~ 32Gb), Legacy 메모리인 DDR3 부터저전압 / 고속의 LPDDR4/4X 및극한환경에특성화된 IT(Industrial Temperature)/AT(Automotice Temperature) 제품을개발하여다양한컨수머고객요구에적극적으로대응하고있습니다. 모바일메모리 (Mobile Memory) 는스마트폰기기발전이주성장동력인가운데, 무선통신환경발전과정보통신융합가속화로다양한종류의 Connected Device에도채용이확대되며중장기메모리성장을견인할것으로전망하고있습니다. 스마트폰시장은성숙기에이르러기기성장률은둔화되고있으나, 교체수요의고사양제품으로의이동추세가모바일메모리수요성장을주도하고있습니다. 사용자의스마트폰을이용한다양한콘텐츠 / 서비스이용확대와향후개인보유기기증가에따른스마트폰의 Hu b Device 로서의역할고도화로스마트폰기기의높은성능이지속요구될것이며, 스마트폰제조업체간경쟁격화에따른제품차별화노력으로모바일메모리 Contents 는연간두자리수의높은성장률을유지할것으로전망되고있습니다. [ 낸드플래시 (NAND Flash)] 낸드플래시는데이터저장용도로쓰이는대표적인메모리반도체로서, 빠른테크놀로지의진화로매년 높은성장률을기록하였습니다. 낸드플래시시장이이렇게성장을지속하는이유는최첨단 IT 기기및다 양한소비자가전에서낸드플래시채용률및채용용량이지속적으로높아지고있기때문입니다. 과거에는플래시카드, USB 드라이브, MP3 플레이어, PMP 등이낸드플래시메모리의주요수요처였으나, 최근에는스마트폰, 태블릿 PC 등의모바일분야에서멀티미디어기능의확대에따른채용량증가로낸드플래시메모리에대한수요가증가하고있습니다. 또한, 스마트TV, 스마트카등의신개념도입으로인하여과거에저용량의낸드플래시메모리만사용했던분야에서도고용량낸드플래시메모리에대한수요가증가하고있습니다. 그리고, 낸드플래시를기반으로한 SSD(Solid State Drive) 와같은다양한형태의 Storage Solution이

33 노트북은물론이고서버시장에서도주요제품군으로자리잡고있어, 향후낸드플래시메모리시장의지 속적인성장을견인할것으로전망되고있습니다. 이와같은, 낸드플래시시장에서당사는저용량부터고용량까지다양한단품및응용복합제품을기반으로고객의수요에보다적극적으로대응하고있으며, 응용분야별선택과집중을통하여낸드플래시경쟁력을확보하고시장지배력을높여가고있습니다. 또한, 높은기술력을바탕으로 Floating Gate 방식의 10nm대 Planar NAND 및 3D NAND를개발, 빠른 NAND 시장변화에발맞추어대응하고있습니다. ( 나 ) 비메모리반도체사업 회사는지난 2007 년 11 월, 제품포트폴리오를더욱다양화하고, 기존메모리사업역량을 활용하여안정적인수익성과높은투자효율성이기대되는 CIS 사업에재진출하였습니다. [CIS (CMOS Image Sensor)] CIS 는모바일폰, 노트북, 태블릿, 디지털카메라등다양한디지털기기에서필름역할을하는반도체소 자이며, 2016 년부터 2021 년까지연평균약 7.5% 의성장률을보일것으로예상하고있습니다. ( 출처 : Tec hno-systems Research, 출하량기준 ) CIS는모바일폰과노트북, 태블릿에가장많이사용되고있으며, 화질이크게향상되면서의료기기, D SLR및캠코더, 자동차, 보안장비, 게임기, 가전제품등으로응용범위가점점확대되고있습니다. 전체 Application 중수량및매출비중이가장큰모바일의경우, 화상통신및 Selfie 를위한전면카메라 (Fro nt Facing Camera) 와사진촬영을위한후면카메라 (Rear View Camera) 용으로두개의이미지센서가장착되고있으며, 2016년부터는후면카메라에듀얼카메라채택이증가되면서기기당이미지센서탑재비율이더욱증가하고있는추세입니다. 최근스마트폰시장에서는전면카메라에 5M/8M 제품, 후면카메라에는 13M/16M 제품이보편화되고있으며, Flagship model에는화질을더욱개선한12m제품과 20M이상의초고해상도제품이채용되고있습니다. 한편, 노트북용이미지센서시장은 HD 제품이주류를이루고있으며일부저가 model에는 V GA 제품으로전환되는경향을보이고있습니다. 나아가태블릿역시 5M~13M 의제품이전면카메라와후면카메라에채용되고있습니다. 당사는이미지센서시장중가장많은비중을점유하고있는모바일폰시장과이와유사한성능을요구하 고있는노트북, Tablet 시장에집중하고있으며, 2012 년 4 분기에 BSI(Back-Side Illumination) 기술을

34 개발완료하여2013년부터 BSI를적용한 5M, 8M 제품의안정적생산과고객대응으로마켓포지션을강화하고있습니다. 2016년에는 advanced BSI 기술을적용한 13M 제품개발을완료하여시장에성공적으로진입하므로써제품라인업을 13M까지확대하였고, 2017년에는고화소시장으로의진입을위해 30 0mm 공정 Setup과 16M 이상제품라인업구축을위한제품개발에집중하고있습니다. 하반기에 300m m 첫제품인 16M 엔지니어링샘플출시와더불어원가절감을위한 Non-Stack 16M, 저조도화질개선을위한 Quad-Cell 제품, 13M/16M 고객 Customized 제품등다양한 300mm 제품들이 '18년출시를목표로개발되고있으며, 이를바탕으로고화소시장확대를추진하고있습니다. 시장의니즈에맞추어제품을개발하는것이외에도, AP 업체와협업을통한제품기획과판매가최근 활발히이루어지고있으며, 모바일디바이스의 Slim Bezel 특성을맞추기위해 Size 및두께를낮추는 소형화추세에도발맞추어가고있습니다. 그리고고객과시장확대를위하여국내, 중국, 일본뿐아니라미구주지역등에서도다양한마케팅활 동와고객지원활동을진행하고있으며, 고객확대와애플리케이션다양화로 CIS 시장에서의입지를강 화해나갈계획입니다. (4) 조직도 ( 제출일기준 ) 전사조직도

35 다. 사업부문별재무정보 당사는반도체제조업부문의매출액과자산총액이전체부문의 90% 를초과하는지배적단일사업부문으로서부문별기재를생략합니다. 2. 주요제품, 서비스등 가. 주요제품등의현황 사업부문매출유형품목구체적용도주요상표등매출액 ( 비율 ) 반도체부문제품외 DRAM, NAND Flash, MCP 등 산업용전자기기 SK 하이닉스 21,081,881 (100%) 합계 21,081,881 (100%) 나. 주요제품등의가격변동추이 2017 년 3 분기에는서버와모바일을중심으로견조한수요가지속된반면, 공급측면에서의제한된증가로인해가격이상승세를보였으며하반기에도안정적인시황이지속될것으로기대합니다. 3. 주요원재료에관한사항 당사의메모리반도체부문생산공정에투입되는원재료는크게웨이퍼 (Wafer), 리드프레임 (Lead Frame) 및섭스트레이트 (Substrate), PCB(Printed Circuit Board) 그리고기타재료등으로구성됩니다. 웨이퍼는집적회로 (Integrated Circuit, IC) 를제작하기위해반도체물질의단결정을성장시킨기둥모양의규소 (Ingot) 를얇게절단하여원판모양으로만든것으로서반도체소자를만드는데사용되는핵심재료입니다. Lead Frame 은반도체 IC 를구성하는또다른주요요소이며반도체칩과 PCB 기판간의전기신호를전달하면서외부의습기, 충격등으로부터칩을보호하고지지해주는골격역할을하는부품입니다

36 Substrate 는리드프레임과같은기능을하지만전기신호를전달하는역할을하는다리를기존의금속다리가아닌공 (Ball) 모양의연결부분을이용한부품입니다. PCB 는그위에저항, 콘덴서, 코일, 트랜지스터, 집적회로, 대규모집적회로 (Large-Scale Integration), 스위치등의부품을장치하고납땜하여회로기능을완성시키는인쇄배선판입니다. 그외가스및화학약품등이반도체제조공정에투입되는원재료로소요됩니다. 가. 주요원재료등의현황 ( 단위 : 백만원, %) 사업부문매입유형품목구체적용도투입액비율비고 반도체부문원재료 Wafer fab 생산 395,091 11% - Lead Frame& Substrate package 119,926 3% - PCB module 100,451 3% - 기타 - 1,345,301 38% - 소계 1,960,769 56% - 저장품 S/P, 부재료 - 1,536,924 44% - 합계 3,497, % - 나. 주요원재료의매입처및원재료공급시장과공급의안정성당사는일본, 독일, 미국, 한국등에생산시설을보유한 5개사로부터반도체공정의주요원자재인 300mm 웨이퍼완제품을수입하고있습니다. 당사는당사와거래하는매입처등과일상적인영업활동이외의특수한관계를갖고있지않습니다. 당사가거래하고있는상기 5개사는전체 300mm 웨이퍼시장의 90% 이상을차지하고있습니다. 웨이퍼는그원재료가되는폴리실리콘의수급동향에따라 300mm 웨이퍼완제품가격이큰영향을받습니다. 특히, 폴리실리콘은웨이퍼이외에도태양전지 (Solar Cell) 의원료로도사용되기때문에태양전지의수요에따라폴리실리콘의일시적부족현상이발생하면웨이퍼의공급에영향을줄수있습니다. 따라서, 당사는주요원재료인웨이퍼의원활한확보를위해폴리실리콘시장의가격동향은물론, 동일한원재료를사용하는태양전지수급동향을지속적으로모니터링하고있습니다. 최근반도체공정에사용되는웨이퍼수요증가추세에따라당사는웨이퍼시장의수급동향을지속적으로모니터링하고있으며, 당사주요매입처와의중장기적협력관계강

37 화를통해안정적생산지원및대응력을강화해나갈것입니다. 4. 생산및설비에관한사항 가. 생산능력및생산능력의산출근거당사는 4조3교대로운영되고있으며, 휴일 ( 공휴일포함 ) 을포함하여 2017년 3분기총가동일은 273일로, 각지역별 FAB의가동인원및가동율을고려하여계산한당사의평균가동시간은월 12,881,960시간입니다. 생산능력은 " 해당기간최대생산일의생산량ⅹ누적일수ⅹ평균원가 " 의방법으로 산출하고있으며, 2017년 3분기생산능력은 10,211,930백만원입니다. 사업부문 제70기 3분기 제69기 제68기 반도체부문 10,211,930 12,054,238 11,594,878 한국채택국제회계기준에따라연결기준으로작성되었습니다. 나. 생산실적및가동률 당사의 2017년 3분기생산실적은 10,211,930백만원으로집계되었으며, 동기간생산설비의평균가동률은 100% 를유지하였습니다. (1) 생산실적 사업부문 제70기 3분기 제69기 제68기 반도체부문 10,211,930 12,054,238 11,594,878 한국채택국제회계기준에따라연결기준으로작성되었습니다. (2) 가동률 ( 단위 : 시간, %)

38 사업부문가동가능시간실제가동시간평균가동률 반도체부문 115,937, ,937, % 가동률은각지역별제조인원을고려하여계산함. 다. 생산설비의현황 당사의시설및설비의장부가액은작성기준일현재 21 조 9,772 억원이며, 상세내역은다음과같습니다. 구분 토지 건물 구축물 기계장치 차량운반구 기타의유형자산 건설중인자산 합계 취득원가 575,755 3,287, ,991 43,439,176 3,555 1,085,379 1,537,934 50,839,214 감가상각누계액 (749,076) (374,742) (29,993,593) (2,514) (649,669) (31,769,594) 손상차손누계액 (23,699) (19,104) (243,540) (59) (286,401) 정부보조금 (274) (5,535) (8) (5,817) 기초순장부금액 575,755 2,514, ,145 13,196,508 1, ,643 1,537,934 18,777,402 기중변동액취득 , ,173 4,663, ,366 1,763,527 6,821,718 처분 (119) (2,962) (154,081) (80) (40,799) (198,041) 손상차손감가상각 (83,245) (35,391) (3,175,358) (284) (114,409) (3,408,687) 대체 , , ,852 6,346 (1,262,985) 환율변동등 (643) (1,875) (1,096) (12,543) (1,289) 2,212 (15,234) 기말순장부금액 575,668 2,850, ,056 15,354, ,577 1,999,889 21,977, 취득원가 575,668 3,706,109 1,189,484 45,225,910 3,276 1,169,374 1,999,889 53,869,710 감가상각누계액 (831,351) (396,324) (29,700,381) (2,402) (747,758) (31,678,215) 손상차손누계액 (23,699) (19,104) (166,396) (36) (209,234) 정부보조금 (258) (4,841) (3) (5,103) 기말순장부금액 575,668 2,850, ,056 15,354, ,577 1,999,889 21,977,

39 라. 투자계획 2017 년 3 분기당사의입고기준투자집행실적은다음과같습니다. [ 입고기준 ] ( 단위 : 십억원 ) 구분투자대상자산투자효과투자기간기투자액 ( 누적 ) 비고 보완투자등기계장치외생산능력증가 ~ ,894 - 합계 6, 매출에관한사항 가. 매출실적 사업부문매출유형품목제 70 기 3 분기제 69 기제 68 기 반도체부문 제품외 DRAM, 낸드플래시, MCP 등 21,081,881 17,197,975 18,797,998 합계 21,081,881 17,197,975 18,797,998 한국채택국제회계기준에따라연결기준으로작성되었습니다. 나. 판매경로및판매방법등 (1) 판매조직 국내에서는마케팅부문내영업 6 팀관할하에대리점 6 개사를운영하고있습니다. 해외판매법인은미국, 독일, 영국, 일본, 싱가포르, 인도, 대만, 중국등총 8 개국가에 10 개법인이소재하고있으며산하에 18 개사무소및 10 개대리점을두고있습니다. (2) 판매경로 당사의판매경로는크게직판거래와대리점거래로나눌수있습니다. 직판거래는당사에서일반기업체등실수요자에게직접판매를하는것이고, 대리점거래는당사가대리점을통해서일반기업체등의실수요자에게판매하는것입니다

40 (3) 판매방법및조건 내수판매는국내대리점등의수주현황에의거하여현금또는어음결제조건으로납품하고있으며, 수출은 MASTER L/C 및 LOCAL L/C 에의거하여신용장또는 D/A, D/P 거래등으로납품하고있습니다. (4) 판매전략 당사판매전략은비즈니스포트폴리오최적화, 수익구조개선, 고객관계유지, 지역별포지셔닝등 4 가지를근간으로하고있습니다. 비즈니스안정성을위해서포트폴리오의최적화를추진하고있으며매출확대를위해제품구성을다양화하고있습니다. 수익구조개선을위해서고부가가치제품판매를확대하고시장통찰능력을강화하여미래시장발굴을추진하고있습니다. 고객관계유지를위해서고객가치제안활동을강화하고특화된제품을제공하여고객만족제고를추진하고있습니다. 지역별특성을고려하여차별화된제품전략으로지역별전략고객매출확대를추진하고있습니다. (5) 주요매출처 반도체는 IT 컨수머제품전체에걸쳐그수요처가다양하며, 당사는세계유수의모바일및컴퓨팅관련전자업체에제품을공급하고있습니다. 낸드플래시는 IT 컨수머제품전체에걸쳐그수요처가다양하기때문에, 세계적인모바일디바이스및 IT 제품제조업체, 그리고 SSD 와같은대용량저장장치와메모리카드생산업체등을고객으로확보하고있습니다. 6. 수주상황 당사는주요고객사들과월별 / 분기별상호합의에따른공급물량및가격을결정하고있으며, 장기공급계약에따른수주현황은없습니다. 7. 시장위험과위험관리 가. 시장위험 (1) 환율변동위험

41 연결실체는국제적으로영업활동을영위하고있어외환위험, 특히주로달러화, 유로화및 엔화와관련된환율변동위험에노출되어있습니다. 외환위험은미래예상거래, 인식된자 산과부채및해외사업장에대한순투자가기능통화외의통화로표시될때발생합니다. 당분기말현재연결실체의화폐성외화자산및외화부채의내역은다음과같습니다. ( 원화단위 : 백만원, 외화단위 : 해당통화백만 ) 구분 자산부채외화금액원화환산외화금액원화환산 USD 7,256 8,320,563 4,359 4,998,126 EUR 15 19, ,370 JPY 4,347 44,358 38, ,352 당분기말현재각외화에대한환율 10% 변동을가정한화폐성외화자산및외화부채의 환율변동위험은다음과같습니다. 구분 10% 상승시 10% 하락시 USD 332,244 (332,244) EUR (18,967) 18,967 JPY (35,099) 35,099 (2) 이자율위험 연결실체의이자율위험은미래의시장이자율변동에따라차입금에서발생하는이자비용이변동될위험으로서이는주로변동금리부조건의차입금에서발생하고있습니다. 변동이자율로발행된차입금으로인하여연결실체는이자율위험에노출되어있으며동이자율위험의일부는변동이자부현금성자산으로부터의이자율위험과상쇄됩니다. 연결실체는당분기말현재이자율변동에따라순이자비용이변동할위험에일부노출되어있습니다. 당분기말현재다른모든변수가일정하고이자율이 100bp 하락또는상승시향후 3개월간연결실체의변동금리부차입금및금융자산으로부터의이자비용과이자수익으로인한법인세비용차감전순이익은각각 5,475백만원만큼증가또는감소하였을것입니다

42 (3) 가격위험 연결실체는당분기말현재공정가치로평가하는매도가능지분상품을보유하고있지 않습니다. 따라서연결실체는재무상태표상매도가능금융자산으로분류되는보유지 분증권의가격위험에노출되어있지않습니다. 나. 회사의위험관리정책 (1) 위험관리의일반적전략 [ 주요시장위험요소 ] 당사는외화표시자산및부채에대해환율변동에의한리스크를최소화하여재무구조의건전성및경영안정성제고를목표로환리스크관리에만전을기하고있습니다. 또한당사는영업측면에서매출의 90% 이상이 USD 로이루어져있어, USD 수입이지출보다많은현금을가지고있으므로수입에서지출을차감한잔존외화현금흐름이환리스크관리의주대상입니다. [ 위험관리규정 ] 당사는보다체계적이고효율적인환리스크관리를위하여환위험관리규정제정, 외환관리위원회구성및환리스크관리를위한별도의전담인원을배정하여운영하고있습니다. 그주요내용은 1 외환거래는환리스크를회피하고안정적경영수익을확보하기위해실행되어야하며, 2 실수요와공급에의한거래를원칙으로하고, 3 환위험관리의정책은자연적헤지 (Natural Hedge) 를기본으로하되필요시선물환등외부적관리기법을일부시행하고, 4 회사의환위험관리는주관부서에서집중하여관리하며, 주관부서는환포지션을파악하여외환관리위원회가설정한지침에따라관리하고있습니다. (2) 위험관리조직및운영현황 당사는외환관리에관한의사결정기구로서외환관리위원회를운영하고있으며, 외환관리위원회의주요업무는다음과같습니다. 1 외환관리정책, 전략심의및의결 2 외환관리규정의제정및개정 3 외환관리목표와허용손실한도의설정 4 외환위험헤지범위및헤지비율, 관리수단등의조정 5 외환포지션, 환율변동영향, 환율전망등환관련정보의공유 8. 파생상품거래현황

43 (1) 당분기말과전기말현재기타금융부채로인식되어있는파생금융부채의내역은 아래와같습니다. 구분 당분기말 전기말 유동 : 이자율스왑 (2) 당분기와전분기중파생상품거래와관련하여금융수익및금융비용으로인식한평가손익및거래손익은다음과같습니다. 1 당분기 평가이익평가손실거래이익거래손실구분 3개월누적 3개월누적 3개월누적 3개월누적이자율스왑 (188)

44 2 전분기 평가이익평가손실거래이익거래손실구분 3개월누적 3개월누적 3개월누적 3개월누적이자율스왑 , 경영상의주요계약등 계약상대방항목내용비고 삼성전자계약유형특허크로스라이선스계약 계약기간 목적및내용 기타주요내용 년 6 월 1 일이후 Rambus Inc. 계약유형특허크로스라이선스계약 계약기간 목적및내용 기타주요내용 실리콘화일계약유형주식교환계약 Softeq Flash Solutions LLC 계약체결일 목적및내용 기타주요내용 계약유형 계약체결일 목적및내용 기타주요내용 - 삼성전자가보유하고있는반도체관련모든특허에대한사용권을확보하여향후잠재적분쟁가능성원천적해소 2013 년 7 월 1 일 ~ 2024 년 6 월 30 일 라이선스계약을통해반도체전제품기술관련램버스보유특허에대한사용권한을확보하여향후분쟁가능성해소 특허및반독점소송등램버스와진행중인모든소송취하 2014 년 1 월 28 일 주식의포괄적교환을통해실리콘화일을완전자회사로편입하여 CIS 사업의경영효율성증대 주식교환일 : 2014 년 4 월 22 일주식교환비율 : 에스케이하이닉스보통주 : 실리콘화일보통주 =1 : 주식인수 2014 년 5 월 15 일 Violin Memory 계약유형자산인수 계약체결일 목적및내용 기타주요내용 NAND Flash 개발역량향상을위해인수 2014 년 5 월 29 일 Toshiba 계약유형공동개발계약 계약기간 NAND 솔루션역량강화를위해, Violin 사의 PCIe Card 부문자산및인력을인수 PCIe Card 관련특허에대한 Cross-License 체결 2015 년 2 월 5 일이후

45 계약상대방항목내용비고 목적및내용차세대노광기술 (Nano Imprint Lithography) 개발 - 기타주요내용 - Sandisk Corporation 에스케이하이닉스시스템아이씨 ( 주 ) BCPE Pangea Intermediate Holdings Cayman, LP 계약유형 계약기간 목적및내용 기타주요내용 - 계약유형 특허크로스라이선스계약등 2015 년 8 월 ~ 2023 년 3 월 1) 기존특허 cross license 계약연장 2) 동기간동안당사의 DRAM 제품을판매하는장기공급계약체결 3) 양사간진행중인영업비밀소송은취하하기로합의함 영업양도 계약기간 2017 년 7 월 1 일 ( 영업 / 자산양도시점 ) 목적및내용 기타주요내용 Foundry 사업의책임경영을통한수익성및사업가치제고 1) Foundry 사업과관련된자산등의포괄적양도 2) 이사회의결일 : 2017 년 5 월 24 일 계약유형특수목적법인 (SPC) 에대한출자 ( 신규설립 ) 계약기간 목적및내용 기타주요내용 2017 년 9 월 28 일이후 Bain Capital 이 General Partner 로서구성한특수목적법인 (SPC) 이도시바의반도체사업지분을인수하며, 당사는이에대한 Limited P artner 로서투자에참여 Anti-trust Filing 승인등선행조건을충족시계약완료 BCPE Pangea Cayman2 Limited 계약유형계약기간목적및내용 특수목적법인 (SPC) 이발행한전환사채취득 2017 년 9 월 28 일이후 Bain Capital 과의특수목적법인 (SPC) 의전환사채를취득하고, 향후적법한절차를거쳐전환시최종적으로도시바반도체사업지분의 15% 확보가능 - 기타주요내용 Anti-trust Filing 승인등선행조건을충족시계약완료 10. 연구개발활동 가. 연구개발담당조직 ( 제출일기준 ) 당사는보고서제출일현재, 미래기술연구원과 DRAM 개발사업부문 (DRAM 설계본부 ), NAND 개발사업부문 (NAND 개발본부, NAND Solution 개발본부 ) 및 CIS 사업부에서연구개발활동에주력하고있습니다

46 연구개발조직도 나. 연구개발비용 연구개발비용 회계처리 과목제 70 기 3 분기제 69 기제 68 기비고 원재료비 65,406 78,024 66,011 - 인건비 612, , ,937 - 감가상각비 219, , ,237 - 위탁용역비 157, , ,174 - 기타 747, , ,136 - 연구개발비용합계 1,801,221 2,098,654 1,756,494 - 판매비와관리비 1,389,797 1,518,299 1,409,422 - 제조경비 개발비 ( 무형자산 ) 411, , ,072 - 연구개발비 / 매출액비율 [ 연구개발비용계 당기매출액 100] 8.5% 10.9% 9.3% - 매출액 21,081,881 17,197,975 18,797,998 - 한국채택국제회계기준에따라연결기준으로작성되었습니다. 다. 연구개발실적

47 구분연구과제명기대효과 제70기 3분기 1) 3D 256Gb TLC 업계최초로개발한 72단 3D NAND FLASH로, 기존 48단제품대비동위단위면적당셀의수가많아고용량확보에유리함. SSD와모바일기기에적용예정이며향후매출기여예상됨. 2) 2znm 8Gb GDDR6 2znm Tech. 기반의 GDDR6 제품으로 384개의정보입출구 (I/O) 를활용해초당최대768GB의그래픽데이터처리가 가능. 향후인공지능및가상현실등의솔루션등에활용되 며매출확대효과발생예상됨. 3) 3D PCIe NVMe Client SSD 72단 3D NAND를적용한 PCIe Client SSD 제품으로, 기존 36단제품을 72단으로전환함으로써수익성개선에기여전 망 4) 3D UFS 2.1 원가와성능을개선한 2세대 UFS 컨트롤러를탑재하고, 기 존적용하던 36단 3D NAND를 48단으로전환해향후수익 선개선에기여전망 5) 3D emmc 5.1 기존적용하던 36단 3D NAND를 72단으로전환하고, 자체 개발한 emmc 컨트롤러를적용해매출확대에기여예상 6) 2znm 8Gb HBM2 Gen1 TSV 기술을활용해대역폭을크게늘림으로써초당 204GB 의 Data 처리가가능한초고속 / 저전력제품. 고객과의협업체계구축으로향후매출확대기여예상 구분 연구과제명 기대효과 제 69 기 1) 2znm 4Gb LPDDR4 2znm Tech. 파생제품첫번째로개발완료한프로젝트이며, 2ynm 제품대비원가경쟁력을갖춘제품으로 2016년 High End Mobile Phone 시장에서자사수익성에기여할예정이며, Automobile/Consumer/Computing 등 LPDDR4 제품을활용한타어플리케이션신규시장진입으로향후매출확대효과발생예상됨. 2) 2znm 6Gb LPDDR4 2ynm 6Gb LPDDR4 후속공정제품으로 2016년부터 Prem ium Mobile Phone 시장대응으로자사수익성향상및 '16 년 LPDDR4X 신규시장 SoC Validation 및고객샘플적기대응으로향후매출기여예상됨. 3) 3D emmc5.1 3D NAND를사용한첫번째 emmc 솔루션개발완료프로젝트로, 2D 대비원가경쟁력확보한 3D NAND 통해수익성개선예상함. 4) 1xnm SATA Enterprise SS D 1xnm NAND 적용한 Enterprise 향 SSD 제품개발완료. En terprise SSD 시장확대통한매출및수익성확보할것으

48 구분연구과제명기대효과로기대함. 5) 3D PCIe Enteprise SSD 3D NAND를사용한 Enteprise 향 PCIe SSD 제품개발완료. 3D NAND 및 PCIe NVMe 적용한첫제품이기에매출확대와수익성개선예상함. 6) 8MP, 1/4" (90nm BSI, 1.12 um, Raw Sensor) 7) 5MP, 1/5"(90nm BSI, 1.12 um, Raw Sensor) Hi-842 대비픽셀특성향상, Analog 성능향상, 기능추가 (2D -LSC) 개선제품으로 Smartphone 의 front & main camera 시장진입으로 2016년 1Q부터고객사양산물량공급으로매출확대기여할것으로예상함. 대형고객진입을목표로픽셀성능및센서성능을개선한제품으로 1분기부터매출확대에기여할것으로예상함. 8) 2znm 8Gb DDR4 컴퓨팅시장에서 DDR4의고용량 DIMM(32GB, 64GB) 및 H igh Speed 제품 (2666Mbps) 에대한수요가커지는시점에서수익성극대화및시장적기대응을위한제품개발로, 서버및 PC향대응및수익성기대 9) 2znm 8Gb GDDR5 게임콘솔향 GDDR5 판매확대및안정적시장확보및 Gra phics High Density / High Speed 수요전환대응을통한수익성확보기대 10) 2znm 4Gb DDR3x16 2ynm 4Gb DDR3x16 의후속공정개선을통한디지털TV/ 셋톱박스등의시장장기공급대응으로수익성확보기대 11) 2znm 8Gb LPDDR3N 2ynm 8Gb LPDDR3 후속 Tech Version 제품. Net Die 극대화에따른 Cost 경쟁력을바탕으로자사수익성극대화에기여가예상됨. 또한 Speed Target 2133Mbps 확보로주요 PC 업체향대응이가능하여 2ynm 8Gb LPDDR3 대비매출확대가예상됨. 12) 3D UFS 2.0 3D NAND(36단 ) 를적용한 UFS2.0 제품개발완료. 기존 2D 탑재제품대비성능과특성이개선되어모바일시장에서 Hign performance 요구고객중심으로매출확대예상 13) 3D SATA Client SSD 3D NAND(48단 ) 을적용한 SATA Client SSD 제품으로, 3D TLC NAND를적용한자사최초 SATA Client SSD 제품. 주요 PC업체진입을통한매출확대및수익성개선예상 14) 1ynm 128Gb TLC 기존 1xnm급 NAND제품의미세화를통해원가경쟁력을극대화한제품. 개선된성능과특성으로 Mobile / SSD등에널리채용될예정 15) 8MP, 1/4" (90nm BSI, 1.1 2um, Raw Sensor) Hi-843 대비픽셀, Analog/Digital 성능향상및 die size 축소로품질 / 가격경쟁력향상한제품. 모바일폰의전 / 후방카메라시장진입으로내년초부터매출확대기여예상

49 구분연구과제명기대효과 16) 5MP, 1/5"(90nm BSI, 1.12 um, Raw Sensor) 17) 5MP, 1/4"(90nm BSI, 1.4 um, Raw Sensor) 18) 13MP, 1/3"(90nm BSI, 1.1 2um, Raw Sensor) Hi-553 대비픽셀, Analog/Digital 성능향상및 net die 증가로품질 / 가격경쟁력향상한제품. 모바일시장진입으로향후매출확대에기여예상 Hi-545대비성능은동등수준이상을유지하며 net die를극대화한제품으로향후매출기여기대 13M 고화소제품으로, Hi-1331대비성능이향상되었으며올하반기에고객사들의인증을거쳐향후매출발생예상 19) 2zm 4Gb DDR4 2ym 4Gb DDR4 의후속공정미세화제품으로 '17년이후 DDR4 기반의디지털TV, 셋톱박스등의시장확대로매출확대예상 20) 2znm 8Gb LPDDR4X 고용량, 고속, 저전력특성의 LPDDR4 파생제품으로서플래그십스마트폰모델탑재를통한매출기여예상. 향후그래픽등다른응용처에대한대응도예상중 21) 2znm 2Gb LPDDR4 DRAM 양산제품최소로 2znm 기술에서 On-die ECC (Err or Correction Code) Scheme 탑재한제품으로, 모뎀과오토모티브등의응용처를통한매출예상 22) 2znm 6Gb LPDDR4E 2znm 6Gb LPDDR4 의파생제품으로 '17년상반기부터고사양스마트폰에대한양산물량공급으로매출확대기여 23) 3D PCIe NVMe Client SS D 3D NAND(36단 ) 을적용한 PCIe Client SSD 제품으로제품판매를통한매출기여와함께 2D에서 3D로 NAND 기술전환통해수익성개선예상 구분연구과제명기대효과 제 68 기 1) 2y 나노급 6Gb LPDDR3 미세공정전환를통한수익성개선제품으로 High-end Sm artphone & Tablet 向 LPDDR3 제품개발을통한매출확대에기여할것으로예상 2) 1x나노급 64Gb TLC 3 bit cell 기술을기반으로개발된저가시장대응용제품임, 우수한원가경쟁력을바탕으로 USB, Card 시장부터 Mo bile시장까지진입할예정임 3) 1x나노급 1st PCIe Client S SD 1x나노급 NAND를채용한 PCIe 컨트롤러탑재 1st Client S SD 제품으로 SATA에이은 PCIe SSD 시장진출기반을마련하였고, SSD 라인업이보강되어고객확대에기여할것으로예상됨. 4) 1x나노급 2nd emmc5.0 1x나노급 NAND를채용한 emmc 5.0 제품개발완료. 기존제품대비 Sequential Write( 연속쓰기 ) 와 Sustain Perfor mance를개선하였으며, 차세대 emmc5.1 기능일부를추

50 구분연구과제명기대효과 가반영하여 Mid-high 시장의수익성개선에기여할것으로예상됨. 5) 2M, 1/5" (130nm, 1.75um,, Raw Sensor) 기존 2M SoC Sensor에서 Image Signal Processor를제외한 Raw Sensor 제품으로서보급형스마트폰시장의 Lo w Cost Solution 요구를만족시킴으로서 2M SOC 시장을대체해갈것으로예상됨. 6) 2y나노급 2Gb DDR3(x16) Embedded Application 4Gb 수요의점진적확대에도불구하고 2015년이후에도 DTV/STB 2Gb 수요가견조할것으로예상되며, 미세공정전환을통한수익성개선이예상됨 7) 1x나노급 1st emmc5.1 1x나노급 NAND를채용한 emmc5.1 제품으로 emmc5.1 초기시장에진입할제품이준비됨에따라모바일솔루션시장에서의매출과수익성확보에기여할것으로예상함 8) 1x나노급 2nd Client SSD 1x나노급 NAND를채용한 Client SSD로 TLC NAND를적용한채널향제품으로기존 MLC NAND를활용한 SSD 대비원가경쟁력확보하였으며, OEM 시장에이어 Channel 시장매출확대로 SSD 수익성이개선될것으로예상됨 9) 8MP, 1/4" (90nm BSI, 1.12 um, Raw Sensor) 설계개선을통해원가경쟁력을증대시킨수익성개선제품으로중국등 Mid-end 스마트폰의전후방카메라와태블릿시장진입으로하반기이후매출확대에기여할것으로예상 10) 2z나노급 4Gb DDR3 2z나노급 DRAM 제품으로원가경쟁력증대로수익성개선이예상되며 4Gb DDR3 시장지속대응예정. 11) 1x나노급 1st UFS2.0 1x나노급 NAND를채용한 UFS2.0 제품개발완료. UFS 시장초기에제품출시하여 High-end 시장에서의경쟁력강화될것으로예상됨. 12) 36단 128Gb MLC NAND 차세대기술로주목받고있는 3D 적층기술을적용한자사의첫상용화제품으로, 우수한특성과신뢰성을가졌으며향후모바일시장을중심으로매출에기여할것으로예상됨. 13) 1xnm급 PCIe NVMe Clien t SSD PCIe NVMe 인터페이스적용한 Client SSD 개발완료. Clie nt 시장이 SATA에서 NVMe 시장으로전환되고있어 Client 시장점유율확대에기여할것으로기대함. 14) 1xnm급 SATA Client SSD 1xnm급 NAND 채용한 3번째 SATA Client SSD 개발완료. 기존 SATA 컨트롤러대비에러정정능력개선한컨트롤러사용. TLC NAND 비즈니스규모확대하여수익성개선될것으로예상함. 15) 5MP, 1/5" (90nm BSI, 1.1 Hi-551 대비설계개선을통해원가경쟁력을증대시킨수익

51 구분연구과제명기대효과 2um, Raw Sensor) 성개선제품으로중국및국내 Mid-end 스마트폰의 front & main 카메라시장진입으로 4분기부터매출확대기여. 구분연구과제명기대효과 제67기 1) 2x나노급 Enterprise향 SS D 자체개발한컨트롤러및펌웨어를채용한자사최초 2x나노급 Enterprise 향 SSD 제품으로, Power Loss Protectio n 기능을탑재하여순간적으로전원이차단되어도모든데이터를안전하게보호할수있으며, 어떠한환경에서도지속적인성능및 Latency 를유지하도록하여서버시스템에최적화되어있음. 향후지속적인성장이예상되는데이터센터에사용하는솔루션으로자사 SSD 사업확대를통한매출및수익성확보에기여할것으로기대됨. 2) 4G LPDDR2 모바일 2y나노기술로개발된제품으로서 2x나노 Tech 모바일 DRAM이사용되고있는시장의 Tech migration 을통한 Low cost 전략제품임. 기존대비 Net die 70% 증가로매출증대와수익성향상에기여할것으로예상됨. 3) 5M 1/4" (90nm, 1.40um pix el, FSI) 4) 5M 1/4" (90nm, 1.40um pix el, BSI) 5) 5M 1/5" (90nm, 1.12um pix el, BSI) 중국시장에서판매되고있는기존제품대비수익성증대를위해 Net die를 11% 증가시킨제품으로원가절감을통한제품경쟁력향상으로매출과수익성확대에기여할것으로보임. 중국및한국시장의중저가스마트폰향으로전면및후면카메라에 5M 제품의채용이확대되고있어중저가폰의고화질제품으로의판매확대가예상됨 5M 제품의픽셀크기축소되는추세에맞추어이를적용한제품으로서향후매출과수익성확대에기여할것으로예상됨. 6) 1x나노급 Client SSD 자사 SSD 제품에 10나노급 NAND를채용하여기존 20나노급 SSD 제품대비원가경쟁력을확보함으로써수익성향상에기여할것으로기대됨. 7) 1.0M 1/6" (90nm, 1.75um Pixel, BSI) Notebook향기존제품의원가를개선한제품으로 90나노 BSI Tech을적용하여기존제품대비감도를향상하였고생산효율성을개선함으로써향후수익성향상에기여할것으로예상됨. 8) 2ynm 4Gb DDR3(x16) 2014년이후 4Gb 시장수요수익창출을위한 Embedded 향제품개발. 원가경쟁력확보하였으며고객 Sample 조기대응으로 Consumer, Graphics, Computing 등으로응용처확대가예상되어매출과수익성확대에기여할것으로예상됨

52 구분 연구과제명 기대효과 9) 2ynm 4Gb GDDR5 DRAM 2y나노기술을적용한 Graphic 제품으로, 2014년 4 분기이후 Graphics 시장이 2Gb에서 4Gb로전환되는상황에서생산효율화를통한수익성향상에기여할것으로예상됨. 10) 2ynm 8Gb LPDDR4 Mobile 2y나노기술로개발된차세대 Mobile DRAM 제품으로서고사양 smartphone 및 tablet 시장의 12.8GB/s 이상 High bandwidth 를요구하는제품에채용예정임. Mobile 외 Computing 향제품에채용될것으로예상되는제품으로향후매출및수익성확보에기여할것으로예상됨 11) 2xnm 2Gb HBM TSV 기술이용한제품으로 Graphics에서 Post GDDR5 대체하는신규제품을세계최초로개발완료하였으며, 업계최초 1.2V 동작전압에서초당 128GB 데이타처리가능한고성능제품임. 향후 HPC, Network 등다양한응용처로확장되어매출과수익성확대에기여할것으로보임. 12) 5M, 1/4" (90nm, 1.40um Pixel, SoC) 5M SoC 첫제품으로서보급형스마트폰시장을목표로개발된제품으로중국시장에진입매출확대에기여할것으로기대됨. 13) 2ynm 6Gb LPDDR4 Mobile 2y나노기술로개발된차세대 Mobile DRAM 제품으로고사양스마트폰및태블릿향제품중 3GB를요구하는제품에채용될것으로예정으로 LPDDR4 초기시장진입에기여할것으로예상됨 14) 2ynm 4Gb LPDDR3 미세공정전환을통한수익성개선제품으로 mid-end 급 S martphone 向위주로 Buisiness 전개예상됨. 15) 2ynm 8Gb DDR4 8Gb Base로개발된 DRAM 2ynm DDR4 제품으로 Premiu m Server 시장선도를위해전략적으로개발되었으며 TSV 및 3DS 패키징기술력을바탕으로주요고객사에인증이완료되었음. 16) 2ynm 4Gb DDR4 DRAM 2y나노기술로개발된 DDR4 제품으로 Intel Broadw ell System 기반 DDR4 Server 수요증가및고객채용을예상하며 15년이후 DDR4 초기시장을선점하여 DRAM 매출및수익성확보에기여할것으로예상됨. 17) 1xnm 64Gb MLC 기존 1x나노제품의원가경쟁력을강화한제품으로 Wafer 1장당얻을수있는 Chip수를개선하였음에도불구하고특성과신뢰성이개선하여매출증대에큰기여를할것으로예상됨 18) 1xnm 128Gb TLC 자사최초의 TLC 제품으로 1x나노기술을기반으로개발됨

53 구분 연구과제명 기대효과. 동일 Cell에 3bit를저장하는방식으로기존의 2bit를저장하던 MLC 대비높은 Bit growth 를실현한제품으로원가경쟁력향상에크게기여할것으로기대됨. 19) 1xnm 2nd Client SSD 1x나노급 NAND를채용한자사 SATA Controller 탑재 SSD 제품으로고용량 NAND를채용하여 1T이상의 SSD 시장대응이가능하며, 주요 OEM 고객인증으로매출및수익성확보에기여할것으로예상됨 20) 3D 1st 128Gb MLC 공정미세화한계극복하고자 3차원구조로 Cell 적층하는기술적용한자사첫제품이며, 기존 2차원구조대비높은신뢰성과특성을가진 3D 시장진입의교두보확보할수있는기술을확보하였다는의미가있음. 11. 기타투자의사결정에필요한사항 가. 최근 3년간신용등급 [ 국내 ] 평가일 평가대상유가증권등 신용등급 평가회사 신용평가등급범위 평가구분 회사채 A+ 한기평 AAA ~ D 정기평가 회사채 A+ 한신평 AAA ~ D 정기평가 회사채 A+ NICE 신평 AAA ~ D 정기평가 기업어음 A1 한기평 A1~D 본평가 기업어음 A1 한신평 A1~D 본평가 기업어음 A1 NICE 신평 A1~D 본평가 기업어음 A1 한기평 A1~D 정기평가 기업어음 A1 한신평 A1~D 정기평가 기업어음 A1 NICE 신평 A1~D 정기평가 회사채 AA- 한기평 AAA ~ D 정기평가 회사채 AA- 한신평 AAA ~ D 정기평가 회사채 AA- NICE 신평 AAA ~ D 정기평가 기업어음 A1 한기평 A1~D 본평가 기업어음 A1 한신평 A1~D 본평가 기업어음 A1 NICE 신평 A1~D 본평가 회사채 AA- 한기평 AAA ~ D 본평가 회사채 AA- 한신평 AAA ~ D 본평가 회사채 AA- NICE 신평 AAA ~ D 본평가