사업보고서 ( 제 67 기 ) 사업연도 2014 년 01 월 01 일부터 2014 년 12 월 31 일까지 금융위원회 한국거래소귀중 2015 년 3 월 31 일 제출대상법인유형 : 면제사유발생 : 주권상장법인 해당사항없음 회사명 : 에스케이하이닉스주식회사대표이사 : 박

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1 목 사업보고서...1 대표이사등의확인...2 I. 회사의개요 회사의개요 회사의연혁 자본금변동사항 주식의총수등 의결권현황 배당에관한사항등...15 II. 사업의내용...17 III. 재무에관한사항 요약재무정보 연결재무제표 연결재무제표주석 재무제표 재무제표주석 기타재무에관한사항 IV. 감사인의감사의견등 V. 이사의경영진단및분석의견 VI. 이사회등회사의기관에관한사항 이사회에관한사항 감사제도에관한사항 주주의의결권행사에관한사항 VII. 주주에관한사항 VIII. 임원및직원등에관한사항 임원및직원의현황 임원의보수등 IX. 계열회사등에관한사항 X. 이해관계자와의거래내용 XI. 그밖에투자자보호를위하여필요한사항 전문가의확인 전문가의확인 전문가와의이해관계 차

2 사업보고서 ( 제 67 기 ) 사업연도 2014 년 01 월 01 일부터 2014 년 12 월 31 일까지 금융위원회 한국거래소귀중 2015 년 3 월 31 일 제출대상법인유형 : 면제사유발생 : 주권상장법인 해당사항없음 회사명 : 에스케이하이닉스주식회사대표이사 : 박성욱본점소재지 : 경기도이천시부발읍경충대로 2091 ( 전화 ) ( 홈페이지 ) 작성책임자 : ( 직책 ) 재무본부장 ( 성명 ) 이명영 ( 전화 ) ~8 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 1

3 대표이사등의확인 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 2

4 1. 회사의개요 I. 회사의개요 가. 연결대상종속회사개황 상호설립일주소주요사업 직전사업연 도말 자산총액 지배관계근 거 주요종속 회사여부 에스케이하이이엔지 경기도이천시부발읍경충대로 2091 사업지원 56,725 에스케이하이스텍 경기도이천시부발읍경충대로 2091 사업지원 29,906 지분 50% 초과보유지분 50% 초과보유 X X 실리콘화일 경기도성남시분당구황새울로 360 번길 42 전자ㆍ전기부 품 개발및제조 65,689 지분 50% 초과보유 X SK hynix America Inc.(SKHYA) North First Street, San Jose, CA 95134, U.S.A 반도체판매 964,682 지분 50% 초과보유 Hynix Semiconductor Manufacturing America Inc. (HSMA) Willow Creek Circle, Eugene OR, 97401, U.S.A 반도체생산 50,710 지분 50% 초과보유 X SK hynix U.K. Ltd.(SKHYU) Brooklands Road, Weybrige, Surrey KT13 ORH, U.K 반도체판매 78,020 지분 50% 초과보유 SK hynix Deutschland GmbH(SKHYD) Am Prime Parc 13, Kelsterbacher Str. 16, D Raunheim, Germany 반도체판매 98,150 지분 50% 초과보유 SK hynix Asia Pte.Ltd.(SKHYS) Temasek Boulevard #42-02 Suntec City Tower1 Singapore 반도체판매 231,649 지분 50% 초과보유 Unit 10, Level 8, Innovator Building, ITPB SK hynix Semiconductor India Private Limited(SKHYIS) (International Technology Park Bangalore), 반도체판매 1,647 지분 50% 초과보유 X Whitefield Road, Bangalore , India SK hynix Semiconductor HongKong Ltd.(SKHYH) Suite 2401,24F., Central Plaza, 18 Harbour Road, Wanchai, Hong Kong 반도체판매 353,248 지분 50% 초과보유 SK hynix Japan Inc.(SKHYJ) F SHIROYAMA TRUST TOWER, Toranomon, Minatoku, Tokyo 반도체판매 302,971 지분 50% 초과보유 SK hynix Semiconductor Taiwan Inc.(SKHYT) F, No.392, Ruey Kuang Road, Neihu, Taipei 11492, Taiwan, R.O.C 반도체판매 240,489 지분 50% 초과보유 SK hynix Semiconductor (Shanghai) Co.,Ltd.(SKHYCS) Room , Maxdo Center, No.8, Xing Yi RD, Changning Zone, Shanghai, China 반도체판매 33,845 지분 50% 초과보유 X SK hynix Semiconductor (China) Ltd.(SKHYCL) Lot K7, Wuxi Export Processing Zone in Wuxi New District, Wuxi, Jiangsu Province, China 웨이퍼생산 및판매 3,652,044 지분 50% 초과보유 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 3

5 SK hynix Semiconductor (Wuxi) Ltd.(SKHYMC) Lot K7, Wuxi Export Processing Zone in Wuxi New District, Wuxi, Jiangsu Province, China 웨이퍼생산 및판매 249,498 지분 50% 초과보유 SK hynix Semiconductor (Chongqing) Ltd. (SKHYCQL) Chongqing, China 웨이퍼생산 및판매 52,857 지분 50% 초과보유 X SK APTECH Ltd. (SKAPTECH) Wanchai, Hong Kong 해외현지투자 지주회사 53,079 지분 50% 초과보유 X SK hynix(wuxi) Semiconductor Sales Ltd.(SKHYCW) Lot K7, Wuxi Export Processing Zone in Wuxi New District, Wuxi, Jiangsu Province, China 반도체판매 5,362 지분 50% 초과보유 X SK hynix Italy S.r.l. (SKHYIT) V.le Colleori 15, Palazzo Orione Agrate Brianza (MB), Italy 기술센타 4,781 지분 50% 초과보유 X SK hynix memory solutions Inc. (SKHMS) North First Street, San Jose, CA 95134, U.S.A. 기술센타 14,548 지분 50% 초과보유 X SK hynix Flash Solution Taiwan Ltd. (SKHYFST) Zhubei City, Hsinchu County 302, Taiwan 기술센타 8,246 지분 50% 초과보유 X Softeq Flash Solutions LLC.(SOFTEQ) Skryganova str., 6, suite 2305, Minsk, Belarus 기술센타 0 지분 50% 초과보유 X MMT 특정금전신탁 - - 특정금전신탁 0 지분 50% 초과보유 X 주요종속회사판단기준 : 직전사업연도말자산총액 750 억원이상 - 연결대상회사의변동내용 구분자회사사유 신규연결연결제외 실리콘화일주식교환을통한지분추가취득에따른종속기업편입 Softeq Flash Solutions LLC.(SOFTEQ) 지분취득에따른종속기업편입큐알티 에스케이하이이엔지 인적분할에따른편입 SK hynix Europe Holding Ltd.(SKHYE) 청산완료에따른종속기업제외큐알티 당기취득후매각에따른종속기업제외 나. 회사의법적ㆍ상업적명칭 당사의명칭은에스케이하이닉스주식회사이며, 영문으로는 SK hynix Inc. 라고표기합니다. 단, 약 식으로표기할경우에는 SK 하이닉스또는 SK hynix 라고표기합니다. 다. 설립일자 당사는 1949년 10월국도건설주식회사로설립되어 1983년 2월현대전자산업주식회사로상호를변경하였으며, 이후 2001년 3월주식회사하이닉스반도체로, 2012년 3월에스케이하이닉스주식회사로상호를변경하였습니다. 회사가발행한주식은한국거래소에상장되어유가증권시장에서거래되고있으며, 종목코드는 '000660' 입니다. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 4

6 라. 본사의주소, 전화번호, 홈페이지주소 주소 : 경기도이천시경충대로 2091 전화번호 : 홈페이지 : 마. 주요사업의내용 현재당사의주력생산제품은 DRAM, NAND Flash 및 MCP(Multi-chip Package) 와같은메모리반 도체제품이며, 2007 년부터는시스템 LSI 분야인 CIS(CMOS Image Sensor) 사업에재진출하여종 합반도체회사로그영역을넓혀가고있습니다. 당사정관에근거하여현재회사가영위하는목적사업은다음과같습니다. -. 반도체소자제조및판매 -. 반도체소자기타이와유사한부품을사용하여전자운동의특성을응용하는기계, 기구및이에사용되는부품과재료등의제작, 조립및판매 -. 컴퓨터활용을위한소프트웨어개발및임대업 -. 전자전기, 통신기계, 기구및그부품의제작, 판매, 임대및관련서비스업 -. 기계부분품제조업및금형제조업 -. 기술연구및용역수탁업 -. 전자전기기계, 기구의임대업 -. 특수통신 ( 위성통신등 ) 방송관련기기제작, 판매, 임대업및서비스업 -. 정보서비스업 -. 출판업 -. 무역업 -. 부동산매매및임대업 -. 발전업 -. 건설업 -. 전자관제조업 -. 창고업 -. 주차장업 -. 위성통신사업 -. 전기통신회선설비임대사업 -. 전자상거래및인터넷관련사업 -. 전기각호와관련되는사업및투자 사업부문별보다자세한사항은 Ⅱ. 사업의내용을참조하시기바랍니다. 바. 계열회사의총수, 주요계열회사의명칭및상장여부 (1) 기업집단의명칭 : 에스케이 ( 독점규제및공정거래에관한법률 ) (2) 기업집단에소속된회사 ( 일기준계열사 : 85 개사 ) 업종상장사비상장사 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 5

7 지주회사 (1) SK - SK E&S, SK 에너지, SK 종합화학, SK 루브리컨츠, 대한송유관공사, SK 모바일에너지, 충청에너지서비스, 영남에너지서비스, 이니츠, 에너지ㆍ화학 (35) 정보통신 / 전기전자 (19) 건설 / 물류 / 서비스 (24) SK이노베이션, SK케미칼, SKC, SK가스, 부산도시가스 SK텔레콤, SK커뮤니케이션즈, SK브로드밴드, SK C&C, SK하이닉스, SKC솔믹스, 아이리버 SK네트웍스 전북에너지서비스, 전남도시가스, 강원도시가스, 평택에너지서비스, 엔티스, SK유화, SKC에어가스, 코원에너지서비스, SK더블유, 유베이스매뉴팩처링아시아, 울산아로마틱스, 김천에너지서비스, 피엠피, 위례에너지서비스, 하남에너지서비스, SK인천석유화학, SK어드밴스드, SK트레이딩인터내셔널, 보령LNG터미널, SK컨티넨탈이모션코리아 전북집단에너지 SK플래닛, SK텔레시스, SK텔링크, 인포섹, 커머스플래닛, 텔레비전미디어코리아, 네트웍오앤에스, 실리콘화일, 에이앤티에스, SKC라이팅, 비젠, 피에스앤마케팅 SK건설, SK해운, 행복나래, SK디앤디, 엠앤서비스, SK엔카닷컴, 에프앤유신용정보, SK네트웍스서비스, SK하이스텍, 네오에스네트웍스, 내트럭, SK신텍, 스피드모터스, SK하이이엔지, 지허브, 엠케이에스개런티 ( 유 ), SK임업, 대전맑은물, 광주맑은물, SK핀크스, 아이리버씨에스, 서비스에이스, 서비스탑 금융 (1) SK 증권 - 기타 (5) 유비케어, 바이오랜드 SK 바이오팜, SK 와이번스, 제주유나이티드 FC (*) 사명변경 : 울산아로마틱스 ( 舊아로케미 ), 행복나래 ( 舊엠알오코리아 ), 비젠 ( 舊텔스크 ), SK 하이스텍 ( 舊 하이스텍 ), SK 하이이엔지 ( 舊 하이닉스엔지니어링 ), 엔티스 ( 舊 SK 사이텍 ) 사. 신용평가에관한사항 본보고서제출일현재당사의신용등급은다음과같습니다. 구분평가기관현등급최종평가일 NICE 신용평가 A 국내 한국기업평가 A 한국신용평가 A 해외 Moody's Ba S&P BB 최근 3 개사업연도신용등급과관련한상세내역및각등급에따른정의는본보고서 'Ⅱ. 11. 가최 근 3 년간신용등급 ' 을참고하여주시기바랍니다. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 6

8 2. 회사의연혁 가. 설립이후의중요한변동상황 (1) 회사의주된변동내용 국도건설주식회사설립 현대전자산업주식회사로상호변경 기업공개및상장 대표이사김영환외이사 5인변경선임 이사 5인, 감사 1인변경선임 LG그룹과 LG반도체주식양수도계약체결 LG반도체대주주지분인수 현대반도체 ( 구, LG반도체 ) 흡수합병 박종섭대표이사외이사 1인, 감사위원 2인변경선임 전장사업부문 ( 주 ) 현대오토넷으로분사 모니터사업부문 " 현대이미지퀘스트 ( 주 )" 로분사 주식회사하이닉스반도체로상호변경 박상호대표이사선임외이사 2인, 감사위원 2인변경선임 통신단말기사업부문 " 현대큐리텔 " 로분사 통신 ADSL 사업부문 " 현대네트웍스 " 로분사 통신네트워크사업부문 " 현대시스콤 " 으로분사 현대그룹으로부터계열분리 채권금융기관공동관리시작 현대큐리텔, ' 팬텍컨소시엄 ' 에지분매각 현대시스콤, ' 쓰리알 ' 에지분매각 시러스로직社와파운드리전략적장기공급계약체결 박종섭대표이사사임 최대주주변경 ( 현대상선 ( 주 ) ( 주 ) 한국외환은행 ) 우의제대표이사선임외이사 2인, 감사위원 2인변경선임 현대네트웍스, ' 엠비엔 ' 에지분매각 박상호대표이사사임 STMicro 社와낸드플래시메모리공동개발및파운드리공급계약체결 환경 / 안전 / 보건기술연구소설립 매그나칩반도체유한회사와비메모리사업부문영업양도계약체결 중국장쑤 ( 江蘇 ) 성우시 ( 無錫 ) 시와중국현지공장설립협력계약체결 비메모리사업부문영업양도 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 7

9 STMicro 社와중국현지합작공장설립을위한협력계약체결 황학중, 김덕수, 민형욱, 이준호사외이사선임박시룡, 장윤종사외이사임기만료퇴임 채권금융기관공동관리조기종료현대이미지퀘스트 ( 주 ), ( 주 ) 빅터스캐피탈코리아에지분매각 ( 주 ) 현대오토넷지분매각완료출자전환주식공동관리협의회 1차공동지분매각 ( 해외유통GDR발행및국내블록세일 ) 권오철이사, 손방길사외이사선임, 정형량이사임기만료퇴임 중국현지생산법인 (HSMC) 설립 출자전환주식공동관리협의회 2 차공동지분매각 ( 해외유통 GDR 발행및국내블록세일 ) mm 연구소 (R3 R&D Fab) 개소 김종갑대표이사외이사 1 인신규선임, 사외이사 8 인 ( 감사위원회위원 4 인포함 ) 선 임 -. 이사선임 : 김종갑, 최진석 -. 사외이사선임 : 박종선, 김경한, 조동성, 김형준 -. 감사위원회위원이되는사외이사선임 : 황학중, 민형욱, 손방길, 손성호우의제대표이사임기만료퇴임이사 1인 ( 오춘식 ), 사외이사 4인 ( 김범만, 김수창, 이선, 이준호 ) 임기만료퇴임 청주신규 M11(300mm) 공장착공 공정거래자율준수프로그램도입 환경운동연합과 ' 환경경영검증위원회 ' 협약체결 ' 일하는이사회 ' 를위한신 ( 新 ) 이사회제도도입 김경한사외이사중도퇴임 사외이사 8인 ( 감사위원회위원 3인포함 ) 선임 -. 사외이사선임 : 박종선, 조동성, 김형준, 정홍원, 최장봉 -. 감사위원회위원이되는사외이사선임 : 손성호, 홍형표, 백경훈사외이사 3인 ( 황학중, 민형욱, 손방길 ) 임기만료퇴임 정홍원사외이사중도퇴임 권오철이사재선임외이사 1 인신규선임, 사외이사 8 인 ( 감사위원회위원 3 인포함 ) 선임 -. 이사선임 : 권오철, 박성욱 -. 사외이사선임 : 박종선, 조동성, 김형준, 최장봉, 한부환 -. 감사위원회위원이되는사외이사선임 : 손성호, 홍형표, 백경훈 중국후공정합작사 HITECH 설립 최대주주변경 (( 주 ) 한국외환은행 한국정책금융공사 ) 최대주주변경 ( 한국정책금융공사 미래에셋자산운용투자자문 ( 주 )) 권오철대표이사외이사 1인신규선임, 김종갑이사재선임사외이사 9인 ( 감사위원회위원 3인포함 ) 선임 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 8

10 -. 이사선임 : 김종갑, 권오철, 김민철 -. 사외이사선임 : 박종선, 전인백, 한부환, 최장봉, 정병태, 김형준 -. 감사위원회위원이되는사외이사선임 : 백갑종, 송재용, 김창호 중국후공정합작공장 HITECH 준공 최대주주변경 ( 미래에셋자산운용투자자문 ( 주 ) 한국정책금융공사 ) 최대주주변경 ( 한국정책금융공사 국민연금공단 ) 사외이사 9인 ( 감사위원회위원 3인포함 ) 선임 -. 사외이사선임 : 한부환, 전인백, 정병태, 이달곤, 김갑회, 정상환 -. 감사위원회위원이되는사외이사선임 : 백갑종, 송재용, 조현명 정상환사외이사중도퇴임 최대주주변경 ( 국민연금공단 에스케이텔레콤 ( 주 )) 사외이사 5인 ( 감사위원회위원 3인포함 ) 선임 -. 이사선임 : 최태원, 하성민, 박성욱 -. 사외이사선임 : 김두경, 박영준, 윤세리, 김대일, 이창양 -. 감사위원회위원이되는사외이사선임 : 김두경, 김대일, 이창양 미컨트롤러업체 LAMD(Link_A_Media Devices) 인수본계약체결 플래시솔루션디자인센터설립 김준호사내이사 1인신규선임 이사 2인 ( 감사위원회위원 1인포함 ) 선임 -. 이사선임 : 임형규 -. 사외이사선임 : 최종원 -. 감사위원회위원이되는사외이사선임 : 최종원 이사 5인 ( 감사위원회위원 3인포함 ) 선임 -. 이사선임 : 박성욱 -. 사외이사선임 : 김두경, 박영준, 김대일, 이창양 -. 감사위원회위원이되는사외이사선임 : 김두경, 김대일, 이창양 (2) 종속회사의주된변동내용 미국현지법인 (HSA) 설립 독일현지법인 (HSD) 설립 싱가폴현지법인 (HSS) 설립 홍콩현지법인 (HSH) 설립 영국현지법인 (HSE) 설립 영국현지판매법인 (HSU) 설립 미국생산법인 (HSMA) 설립 대만현지법인 (HST) 설립 일본현지법인 (HSJ) 설립 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 9

11 사업지원서비스부문 "( 주 ) 현대아스텍 " 분사 LCD 사업부문 "( 주 ) 현대디스플레이테크놀로지 " 로분사 중국현지판매법인 (HSCS) 설립 " 에스알씨 ( 주 )" 분사 "( 주 ) 현대디스플레이테크놀로지 " TFT-LCD 사업부문매각 중국합작법인 (HSSL) 설립 에스알씨 ( 주 ) ( 주 ) 큐알티반도체사명변경 ( 주 ) 현대아스텍 ( 주 ) 아스텍사명변경 중국현지생산법인 (HSMC) 설립 중국현지생산법인 (HSMC) 준공 인도현지법인 (HSIS) 설립 ( 주 ) 아스텍에서 ( 주 ) 하이닉스인재개발원분할 ( 주 ) 아스텍에서 ( 주 ) 하이스텍으로분할 ( 주 ) 아스텍에서 ( 주 ) 하이로지텍으로분할 ( 주 ) 아스텍에서 ( 주 ) 하이닉스엔지니어링으로분할 ( 주 ) 하이닉스엔지니어링에서 ( 주 ) 아미파워로분할 중국현지판매법인 (HSCW) 설립 "( 주 ) 현대디스플레이테크놀로지 " 청산, 주요종속회사제외 " 프로모스엔에이치유한회사, 티와이프로주식회사, 외환은행특정금전신탁 " 청산, 주요 종속회사제외 낸드플래시개발업체아이디어플래시 (Ideaflash S.r.l.) 인수, 이탈리아기술센터 (SK Hynix Italy S.r.l.) 전환설립 ( 주 ) 하이닉스엔지니어링, ( 주 ) 큐알티반도체흡수합병 ( 주 ) 하이스텍, ( 주 ) 하이로지텍 /( 주 ) 하이닉스인재개발원흡수합병 ( 주 ) 하이닉스엔지니어링 에스케이하이이엔지 ( 주 ) 사명변경 ( 주 ) 하이스텍 에스케이하이스텍 ( 주 ) 사명변경 아미파워 ( 주 ) 청산, 주요종속회사제외 에스케이하이이엔지 ( 주 ) 에서큐알티 ( 주 ) 분할설립 주식교환으로실리콘화일 ( 주 ) 인수 벨라루스소재연구개발법인 Softeq Flash Solutions LLC. 인수 SK hynix Europe Holding Ltd.(SKHYE) 청산, 종속기업제외 큐알티 ( 주 ) 지분전량매각 나. 상호의변경 현대전자산업주식회사로상호변경 주식회사하이닉스반도체로상호변경 에스케이하이닉스주식회사로상호변경 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 10

12 다. 합병, 분할 ( 합병 ), 포괄적주식교환 이전, 중요한영업의양수 양도등 현대반도체 ( 구, LG반도체 ) 흡수합병 비메모리사업부문영업양도 에스케이텔레콤, 하이닉스반도체지분인수계약 실리콘화일과포괄적주식교환계약 라. 생산설비의변동 중국장쑤 ( 江蘇 ) 성우시 ( 無錫 ) 시에 C2(300mm), C1(200mm) 공장준공 미국유진공장 E1(200mm) 가동중단 청주신규 NAND Flash 전용 M11공장 (300mm) 준공 이천 M7(200mm) 및청주 M9(200mm) 공장가동중단 중국 C1(200mm) 공장가동중단 중국후공정합작공장 HITECH 준공 청주신규 NAND Flash 전용 M12공장 (300mm) 준공 마. 경영활동과관련된중요한사실의발생 전력소모 30% 줄인서버용메모리모듈개발 대만프로모스社와전략적제휴를위한본계약체결 GB DDR2-667 노트북용모듈업계최초인텔社인증획득 당사출자전환주식공동관리협의회와 ' 특별약정 ' 체결 JEDEC 표준형 8GB DDR2 R-DIMM과 2GB DDR VLP R-DIMM 개발 Mb GDDR4 DRAM 개발 나노 512Mb DDR2 DRAM 인텔社인증획득 Mbps 512Mb 모바일 DRAM 개발 60나노급 1Gb DDR2 기반 1GB DDR2 800Mbps 모듈개발 ECC회로적용한 185Mbps 512Mb 모바일 DRAM 개발 퓨전메모리제품 DOC(Disk On Chip) H3 양산 나노 DDR3 1Gb DRAM 단품및모듈인텔社인증획득 초박형 (25μm) 20단낸드플래시 MCP(Multi-chip Package) 개발 Mbps 1Gb 모바일 DRAM 개발 이노베이티브실리콘社와신개념메모리 'ZRAM' 라이선스계약체결 초박형 (25μm) 24단낸드플래시 MCP(Multi-chip Package) 개발 오보닉스社와차세대메모리 'PRAM' 기술라이선스계약체결 Gb GDDR5 개발 50나노급 1Gb DDR2 DRAM 인텔社인증획득 실리콘화일社와 CMOS 이미지센서 (CIS) 사업추진을위한협력계약체결 나노급 1GB/2GB DDR2 모듈인텔社인증획득 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 11

13 피델릭스社와전략적제휴를위한협력계약체결 그란디스社와 'STT-RAM' 라이선스및공동개발계약체결 프로모스社와포괄적제휴협력계약체결 파이슨社와낸드플래시응용제품기술에대한사업협력계약체결 실리콘화일社지분취득결정및기존파운드리계약범위확대 3중셀 (X3) 기술기반 32Gb 낸드플래시개발 씨엔에스테크놀로지社와시스템반도체공동개발및파운드리협력계약체결 뉴모닉스社와낸드플래시기술및제품공동개발협력계약체결 16GB 서버용모듈개발 단적층낸드플래시개발 50나노급 2Gb 고용량모바일 DRAM 개발 DDR3 서버용모듈 4GB ECC UDIMM 인텔社인증획득 나노급 DDR3 DRAM 개발 뉴모닉스社및파이슨社와낸드플래시응용제품용컨트롤러 3자공동개발계약체결 중국장쑤 ( 江蘇 ) 성우시 ( 無錫 ) 시에무석산업발전집단유한공사와합작반도체후공정 전문회사설립을위한본계약체결 GB 1333Mbps 노트북용모듈외 10건인텔社 DDR3 전용플래폼인증획득 대만프로모스社와전략적제휴협력계약종결 나노급 4Gb 모바일 DRAM 인텔社인증획득 세대 1Gb DDR3 개발 나노급 2Gb GDDR5 개발 나노급 2Gb 모바일 DRAM 개발 나노급 64Gb 낸드플래시개발 휴렛팩커드 (HP) 社와 Re램공동개발계약체결 나노급 4Gb DDR3 개발 나노급 2Gb DDR4 개발 도시바社와 STT-MRAM 공동개발및합작사설립을위한공동생산계약체결 나노급 2Gb DDR3 저탄소제품인증획득 스팬션社와특허사용크로스라이선스및 SLC낸드플래시공급계약체결 IBM 社와 PC램공동개발및기술라이선스계약체결 나노급 64Gb 낸드플래시저탄소제품인증획득 나노급 4Gb 그래픽 DDR3 개발 나노급 8Gb LPDDR3 개발 램버스社와포괄적특허라이선스계약체결 삼성전자와반도체특허크로스라이선스계약체결 나노급 6Gb LPDDR3 개발 나노급 8Gb LPDDR4 개발 나노급 8Gb DDR4기반 128GB 모듈개발 나노급모바일 D램저탄소제품인증획득 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 12

14 차세대와이드 IO2 모바일 D램개발 최대용량비휘발성하이브리드 D램모듈개발 도시바와 NIL 기술공동개발계약체결 사업연속성경영시스템 (ISO22301) 인증획득 3. 자본금변동사항 가. 증자 ( 감자 ) 현황 ( 기준일 : 2014년 12월 31일 ) ( 단위 : 원, 주 ) 발행 ( 감소 ) 한주식의내용 주식발행발행 ( 감소 ) 주당주당발행 ( 감소 ) 일자형태주식의종류수량액면가액 ( 감소 ) 가액 비고 2010년 01월 04일 전환권행사 보통주 28,608 5,000 23, ~ 년 04월 01일 전환권행사 보통주 565,120 5,000 23, ~ 년 07월 08일 전환권행사 보통주 44,150 5,000 23, ~ 년 10월 29일 전환권행사 보통주 115 5,000 23, ~ 년 01월 13일 전환권행사 보통주 434,385 5,000 23, ~ 년 04월 01일 전환권행사 보통주 1,460,643 5,000 23, ~ 년 01월 27일 전환권행사 보통주 855 5,000 23, ~ 년 02월 14일유상증자 ( 제 3자배정 ) 보통주 101,850,000 5,000 23, 년 02월 15일 전환권행사 보통주 4,159 5,000 23, ~ 년 04월 06일 전환권행사 보통주 3,000 5,000 23, 년 05월 02일주식매수선택권행사 보통주 93,500 5,000 22,800 우리사주매수선택권행사 2012년 05월 04일 전환권행사 보통주 428 5,000 23, 년 08월 20일 전환권행사 보통주 21 5,000 23, 년 10월 30일주식매수선택권행사 보통주 30,300 5,000 22,800 우리사주매수선택권행사 2012년 12월 07일 전환권행사 보통주 3,016 5,000 23, ~ 년 02월 13일 전환권행사 보통주 9,527 5,000 23, ~ 년 04월 01일 전환권행사 보통주 551,689 5,000 23, ~ 년 07월 02일 전환권행사 보통주 15,483,908 5,000 23, ~ 년 04월 22일 - 보통주 1,358,537 5,000 - 주식교환 2014년 05월 27일 전환권행사 보통주 4,562,354 5,000 34, ~ 년 07월 01일 전환권행사 보통주 10,285,078 5,000 34, ~ 년 10월 01일 전환권행사 보통주 1,595,505 5,000 34, ~ 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 13

15 4. 주식의총수등 가. 주식의총수 2014 년 12 월 31 일본보고서작성기준일현재당사의발행할주식의총수는 9,000,000,000 주이며, 발행한주식의총수는보통주 5,721,980,209 주입니다. 보통주이외에발행한다른종류의주식은 없습니다. 당기말현재의유통주식수는보통주 728,001,795 주입니다. 주식의총수현황 ( 기준일 : 2014년 12월 31일 ) ( 단위 : 주 ) 구분 주식의종류 보통주우선주합계 비고 Ⅰ. 발행할주식의총수 9,000,000,000-9,000,000,000 - Ⅱ. 현재까지발행한주식의총수 5,721,980,209-5,721,980,209 - Ⅲ. 현재까지감소한주식의총수 4,993,977,844-4,993,977, 감자 4,990,449,799-4,990,449, , 주식병합 (21:1) 2. 이익소각 3,528,045-3,528, , 이익소각 3. 상환주식의상환 기타 Ⅳ. 발행주식의총수 (Ⅱ-Ⅲ) 728,002, ,002,365 - Ⅴ. 자기주식수 주식교환 Ⅵ. 유통주식수 (Ⅳ-Ⅴ) 728,001, ,001,795 - 나. 자기주식취득및처분현황 ( 기준일 : 2014 년 12 월 31 일 ) ( 단위 : 주 ) 취득방법주식의종류기초수량 변동수량 취득 (+) 처분 (-) 소각 (-) 기말수량 비고 장내 보통주 직접취득 우선주 배당 장외 보통주 가능 직접 직접취득 우선주 이익범위 취득 공개매수 보통주 우선주 이내취득 소계 (a) 보통주 우선주 신탁수탁자보유물량보통주 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 14

16 계약에 의한 취득 현물보유물량 소계 (b) 우선주 보통주 우선주 보통주 우선주 기타취득 (c) 총계 (a+b+c) 보통주 주식교환 우선주 보통주 우선주 의결권현황 ( 기준일 : 2014 년 12 월 31 일 ) ( 단위 : 주 ) 구분주식의종류주식수비고 발행주식총수 (A) 의결권없는주식수 (B) 정관에의하여의결권행사가배제된주식수 (C) 기타법률에의하여의결권행사가제한된주식수 (D) 의결권이부활된주식수 (E) 의결권을행사할수있는주식수 (F = A - B - C - D + E) 보통주 728,002,365 - 우선주 - - 보통주 우선주 - - 보통주 - - 우선주 - - 보통주 - - 우선주 - - 보통주 - - 우선주 - - 보통주 728,001,795 - 우선주 배당에관한사항등 가. 배당에관한사항 정관에의거한배당에관한당사의중요한정책은다음과같습니다. (1) 제 52 조 ( 이익배당 ) 1 이익의배당은금전, 주식및기타의재산으로할수있다. 2 제 1 항의배당은매결산기말현재의주주명부에기재된주주또는등록된질권자에게지급한다. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 15

17 3 이익의배당을주식으로하는경우회사가종류주식을발행한때에는주주총회결의로그와다른 종류의주식으로배당할수있다. (2) 제54조 ( 중간배당 ) 1 회사는 7월 1일 0시현재의주주에게상법의규정에의한중간배당을금전, 주식및기타의재산으로할수있다. 2 제1항의중간배당은이사회의결의로하되, 중간배당의구체적인방법, 한도등에대해서는상법등관련법령에서정하는바에따른다. 3 사업년도개시일이후제1항의기준일이전에신주를발행한경우 ( 준비금의자본전입, 주식배당, 전환사채의전환청구, 신주인수권부사채의신주인수권행사를포함한다 ) 중간배당에관해서는당해신주는직전사업년도말에발행된것으로본다. 4 중간배당을할때에는종류주식에대하여도보통주식과동일한배당률을적용한다. 5 제53조 ( 배당금지급청구권의소멸시효 ) 는중간배당의경우에준용한다. 나. 최근 3 사업연도배당에관한사항 구분 주식의종류 제67기 제66기 제65기 주당액면가액 ( 원 ) 5,000 5,000 5,000 ( 연결 ) 당기순이익 ( 백만원 ) 4,195,456 2,872, ,795 주당순이익 ( 원 ) 5,842 4, 현금배당금총액 ( 백만원 ) 218, 주식배당금총액 ( 백만원 ) ( 연결 ) 현금배당성향 (%) 현금배당수익률 (%) 주식배당수익률 (%) 주당현금배당금 ( 원 ) 주당주식배당 ( 주 ) 보통주 우선주 보통주 우선주 보통주 우선주 보통주 우선주 상기금액은연결재무제표기준이며, 당기순이익, 현금배당성향은지배기업소유주지분귀속당기순이익을 사용함. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 16

18 II. 사업의내용 1. 사업의개요 가. 업계의현황 (1) 산업의특성 반도체는모든 IT제품의필수불가결한핵심부품으로서, 컴퓨터를비롯해통신장비및통신시스템, 자동차, 디지털가전제품, 산업기계그리고컨트롤시스템등그적용분야가매우광범위합니다. 시장조사기관인가트너 (Gartner, 2014년 12월, 금액기준 ) 에따르면, 지난 2014년도세계반도체시장규모는 US$ 3,398억에이르렀으며, 이중메모리제품은 US$804억의시장규모를기록하며전체반도체시장의약 24% 수준에달하였습니다. 또한메모리반도체시장에서가장큰비중을차지하는 DRAM은지난 2014년 US$460억을기록하며전체메모리시장의약 57% 를차지하였고, 그뒤를이어낸드플래시가 US$ 299억으로 37%, 노어플래시가 US$ 24억으로 3% 를차지하였습니다. 아래표에나타낸바와같이반도체산업은우리나라수출에있어서 12.1% 의비중을차지하는매우중요한기 간산업중하나입니다 년반도체수출은 DRAM 시장개편및수요증가로전년대비 9.2% 증가하였습니 다. 전체수출중반도체비중 ( 단위 : 백만USD, %) 구분 총수출 572, , , , ,384 반도체 63,065 57,741 50,949 50,879 51,464 전년비증감율 비중 출처 : 관세청, 2015년 2월 가 ) 메모리반도체정보를저장하고기억하는기능을하는메모리반도체는일반적으로 ' 휘발성 (Volatile)' 과 ' 비휘발성 (Nonvolatile)' 으로분류됩니다. 휘발성메모리제품은전원이끊어지면정보가지워지는반면, 비휘발성제품은휴대전화에전화번호가저장되는것처럼전원이끊겨도저장된정보가계속남아있습니다. 당사는휘발성메모리인 DRAM과비휘발성메모리인플래시메모리를생산하고있습니다. 메모리반도체산업은제품설계기술, 공정미세화및투자효율성제고에의한원가경쟁력확보가매우중요한 산업으로서기술력및원가경쟁력을갖춘소수의 IDM (Integrated Device Manufacturer) 업체중심으로점차 과점화되고있는추세입니다. [DRAM(Dynamic Random Access Memory)] DRAM 은전원이켜져있는동안에만정보가저장되는휘발성 (Volatile) 메모리로주로컴퓨터의메인메모리 (Main Memory), 동영상및 3D 게임구현을위한그래픽메모리 (Graphics Memory) 로사용되고있으며, 가전 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 17

19 제품의디지털화에따라스마트 TV, 스마트냉장고그리고프린터등에도사용이확대되고있습니다. 또한각종 이동통신기기의폭발적성장에따라스마트폰및태블릿 PC 등에도모바일용 DRAM 의채용량이급증하고있 습니다. [ 플래시메모리 (Flash Memory)] 플래시메모리는전원이공급되지않아도저장된데이터가지워지지않는비휘발성메모리로크게노어 (NOR) 형 (Code저장형) 과낸드 (NAND) 형 (Data저장형) 으로나눌수있습니다. 이중당사가생산하는낸드플래시는순차적 (Sequential) 정보접근이가능한비휘발성메모리칩으로서, 디지털비디오나디지털사진과같은대용량정보를저장하는데매우적합합니다. 낸드플래시제품이주로적용되는분야는디지털카메라, USB드라이브, MP3플레이어, 차량용네비게이션, SSD(Solid State Drive), Flash Array 그리고스마트폰, 태블릿PC와같은모바일기기등입니다. 한편, 최근플래시메모리는일반적인범용메모리보다는고객지향적인제품의수요가늘어나고있어이런추세에부합하는적극적인응용제품개발및철저한고객대응의중요성이커지고있습니다. 나 ) 비메모리반도체 비메모리반도체는정보처리를목적으로제작되는반도체로특성에따라, 아날로그, 로직, 마이크로, 디스크리 트, 센서로분리가되며, 자사는이중 CIS 를생산하고있습니다. [CIS(CMOS Image Sensor)] 계산과추론등정보처리기능을담당하는비메모리반도체중에서도, 이미지센서는빛에너지를감지하여그세기의정도를영상데이터로변환해주는반도체소자로서디지털촬영기기에서필름역할을하고있습니다. 이미지센서는제조과정과신호를읽는방법에따라 CCD(Charge Coupled Device) 와 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 두가지타입으로나뉩니다. 최근 CMOS 이미지센서의기술이크게향상되고디지털촬영기기가소형화됨에따라, 크기가작고전력소모가적은 CMOS 이미지센서의활용범위가점차확대되고있으며, 특히 CIS의사용분야중스마트폰과태블릿PC향의출하량과매출비중이각각 50% 를넘어고성장추세입니다. (2) 산업의성장성 반도체산업을둘러싼환경은디지털기기가모바일화, 스마트화되고자동차, 의료기기, 산업기기등이인터넷을기반으로발전함에따라우호적인시장여건이지속되고있습니다. 2011년과 2012년에는저성장을기록하였으나 2013년에성장세를회복한후, 2014년에전체반도체는전년동기대비 7.9%, 메모리반도체분야는 16.9% 의높은성장을기록하여 2년연속최대매출을기록하였습니다. 2015년또한 DRAM수요는 PC/ 모바일에서서버영역으로, NAND 수요는모바일에서 PC/Server 대용량스토리지영역으로주요수요처가확대되며지속적인성장이예상됩니다. 메모리반도체시장의지속성장전망에반해생산 ( 공급 ) 측면은제한적인증가가예상됩니다. 공정미세화기술은한계에다다르고있으며, 생산및연구개발을위한투자비용이급증하고있는반면, 고객들의요구성능과품질수준은더욱다양화및고도화되고있습니다. 이에기존과같은외형경쟁을위한무리한공급확대는제한적일것으로전망됨에따라, 향후메모리반도체산업은안정적수요와제한적인공급으로인해메모리시장성장의기회가더욱증대할것으로예상됩니다. [DRAM] 시장조사기관인가트너 (Gartner, 2014년 12월, 금액기준 ) 에따르면, DRAM 시장은세계경제침체의영향으로인한 PC 수요감소로 2012년에는 2011년보다 11.3% 하락한 US$262억을기록했으나점진적경기회복및모바일시장확대, 수급안정등의요인으로 2013년 $349억 (+33%), 2014년 $460억 (+32%) 의큰폭의매출성장을기록하였습니다. 분야별로살펴보면, PC 시장은경기침체로인한저성장기조가유지되어 DRAM 수요를 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 18

20 견인하는데어려움을겪고있으나, 2014년 Windows XP의서비스종료를전후로노후 PC의교체수요가회복되었으며, 개인용컴퓨터의이동성에대한요구가증가함에따라울트라북등노트북컴퓨터로의교체및신규수요가확대될전망입니다. 한편, 수요가폭발적으로증가하고있는모바일기기는 DRAM 수요를견인하는주요분야로서, 스마트폰과태블릿PC에서채용하는DRAM 용량은 2013년각각0.76GB와 0.90GB에서 2018년에는 2.28GB와 2.53GB 으로증가될것 (Gartner, 2014년 12월 ) 으로예상됩니다, 또한, 고화질의콘텐츠유통증가와주요게임콘솔의출시에따라이를빠르게처리할수있는그래픽메모리의수요도증가할전망입니다. 상기와같이디지털기기의증가에따른DRAM 수요증가뿐만아니라, 대용량콘텐츠처리를위한기기당탑재량증가에따라 DRAM 수요는앞으로도지속증가할것으로예상됩니다. [ 낸드플래시 (NAND Flash)] 낸드플래시는디지털미디어의성장과더불어스마트폰, 태블릿 PC, 디지털카메라, MP3 플레이어그리고기타멀티미디어가전에사용되는플래시카드와 USB 드라이브, SSD와같은정보저장장치 (Storage Devices) 등에널리사용되고있습니다. 가트너 (Gartner, 2014년 12월, 금액기준 ) 의전망에따르면낸드플래시시장은, 2012년에는 -3.7% 로다소성장이정체되었으나, SSD 등스토리지분야적용확대를통해 2013년에는 23%($289억 ) 의고성장을이루었으며, 2014년에도 3.4%($299억 ) 의성장을기록하였습니다. 이는스마트폰, 태블릿 PC을포함한휴대용기기및 PC용 SSD, 기타응용복합제품등향후낸드플래시의수요를견인할제품시장의지속적성장전망에기반한것입니다. 향후에는 Cloud Computing 및 IoT 시대가전개되며 Data Center의 Storage 용량확대와실시간정보처리의필요성이높아질것이며, 이에따라 Enterprise용 SSD가일부 HDD를대체하고 NAND 시장은또한번의도약을할것으로예상됩니다. [CIS (CMOS Image Sensor)] 이미지센서는 1990년대중반디지털카메라에장착되어일반소비자에게선보인이후 PC 카메라, 자동차블랙박스, 휴대폰카메라, 감시카메라등다양한분야에활용되어시장규모도크게증가하는추세입니다. 특히스마트폰, 태블릿 PC의카메라시장의수요증가로시장이지속성장할것으로보입니다. 가트너 (Gartner, 2014년 12월, 금액기준 ) 의전망에따르면이미지센서시장은 2012년 US$88억에서 2018년 US$107억규모로연평균 3.3% 의성장이예상되며, 특히당사가생산중인 CMOS 이미지센서시장은다양한응용기기로의확대적용과수요증가로전체이미지센서시장에서의비중이 2012년 80.8% 에서 2018년 92.9% 까지증가하며연평균 5.7% 의성장이전망됩니다. (3) 경기변동의특성세계반도체시장은제품수명주기가매우짧으며, 새로운제품의생산을위해서는대규모투자가필요한장치산업의특성을가지고있습니다. 아울러, 과거에는실리콘사이클의순환에따라호황과불황을반복해왔으며, 이는주요수요처인미구주의거시경제순환사이클 (Business Cycle) 과의연관성이매우컸습니다. 그러나최근에는중국및인도등신흥시장의비중이확대되고경쟁력이부족한업체들이일부구조조정되어반도체산업경기변동폭은전과비교하여많이줄었습니다. 실제로메모리반도체의경우미국와유럽의매출액비중은 2012년 21% 에서 2018년 12% 로축소가예상되는반면, 아시아지역의매출액비중은 2012년 79% 에서 2018년 88% 로지속증가할전망입니다.(Gartner, 2014년 12월, 금액기준 ) [DRAM] DRAM은 PC 수요에상당부분의존하여기업의 PC교체사이클의영향을크게받아왔습니다. 그러나최근에는스마트폰및태블릿 PC 등모바일기기의폭발적성장에따라 DRAM의주요수요처가 PC에서서버및모바일로분산되고있어, 경기변동성이과거에비해약화되는모습을보이고있습니다. 한편, 수요의계절성으로서는미구주지역의신학기, 크리스마스특수등하반기수요증가가뚜렷했으나, 최근에는아시아시장의성장과스마트폰신제품출시시기의분산으로인한판매시장의다변화로전통적인수요의 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 19

21 계절성이일부약화되는모습도나타나고있습니다. [ 낸드플래시 (NAND Flash)] 낸드플래시는과거 MP3 플레이어, 메모리카드등의수요증가에힘입어급속한성장을해왔습니다. 또한최근에는 IT 기기가스마트화되고고성능화됨에따라낸드플래시의주소비형태가 Controller와 Raw NAND가결합되는 emmc와 SSD 등으로바뀌고있으며보다높은부가가치를가지게되었습니다. 아울러, 이들 emmc와 SSD제품도 DRAM과같이스마트폰, 태블릿PC, 노트북, PC, Server, Storage, Flash Array 등의다양한제품에장착되기시작하며, 과거에비해경기변동성은줄어들것으로예상됩니다. [CIS (CMOS Image Sensor)] 이미지센서시장은스마트폰, DSLR 등전통적인수요처의강세가지속되는가운데, 자동차용블랙박스, 후방카메라, 스마트TV 등다양한산업군과의 Convergence를통해시장이더욱확대되고있습니다. 또한이미지센서중자사가생산중인 CMOS 이미지센서는휴대폰, 캠코더, PC 등멀티미디어기기시장의영향을크게받는제품으로서소비재의특성상경기변동과기술변화에민감할뿐만아니라라이프사이클이짧은특징을가지고있습니다. (4) 경쟁요소 반도체사업의핵심경쟁력은 1. 기술및원가경쟁력, 2. 시장대응능력 ( 고객확보, 제품포트폴리오 ) 3. 설비투자능력등이있습니다. 최근대량생산이용이한표준제품위주에서응용분야가점차다양화, 융복합화됨에따라시설투자와생산성향상을통한원가경쟁력중심에서제품가치증대를통한수익성중심으로경쟁의패러다임이빠르게전환되고있습니다. 지금까지는적극적투자에의한생산능력확대와생산원가절감이핵심경쟁요소였지만, 공정미세화의난이도증가와투자대비수익에대한불확실성증대등사업환경이변화함에따라앞으로는생산기술의고도화를통한투자절감과제품의부가가치증대를위해다양한선행기술및응용기술개발, 메모리컨트롤러와펌웨어가결합된응용복합제품의개발이중요한사업경쟁력이될것입니다. 아울러 DRAM분야에서의 TSV(Through Silicon Via) 및 New Memory의원활한초기시장진입과 emmc나 SSD 제품의시장확대를위해서는관련기술업체와의협업과더불어고객만족도가중요해짐에따라마케팅및고객지원활동도핵심경쟁요소로부각되고있습니다. 이외에도적기에시장요구에부합하는제품을출시 (Time to Market) 할수있는시장대응력및재무건전성확보등이요구되고있습니다. 나. 회사의현황 (1) 영업개황및사업부문의구분 ( 가 ) 영업개황 지난 2014 년은 DRAM 및 NAND 시장전반에걸쳐수요증가와함께안정적가격환경이조성된가운데당사는 미세공정전환을가속화하고고부가가치제품비중확대를통한수익성중심경영에주력하였습니다. 당사의연결기준매출은전기대비약 21% 증가한약 17 조 1 천 2 백 5 십 6 억원을기록하였으며, 연결기준영 업이익은전기대비약 51% 증가한약 5 조 1 천 9 십 5 억원을기록하였습니다. 연결기준당기순이익은전기 대비약 46% 증가한약 4 조 1 천 9 백 5 십 1 억원을기록하였습니다. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 20

22 구분 제 67 기누계 ( ~ ) 제 66 기누계 ( ~ ) 전기대비 증감 매출액 17,125,566 14,165, % 영업이익 5,109,466 3,379, % 당기순이익 4,195,169 2,872, % 한국채택국제회계기준에따라작성된연결기준실적입니다. ( 나 ) 공시대상사업부문의구분 [ 제67기누계 ] 구 분 매출액 매출액비중 (%) 주요제품 반도체부문 17,125, % DRAM, NAND Flash, MCP 등 합계 17,125, % 당사는한국표준산업분류표상의소분류에의한 ' 반도체및기타전자부품제조업 ( 분류번호 : 321)' 에해당하며, 반도체부문의매출액이총매출액의 90% 를초과하므로반도체부문으로기재함. (2) 시장점유율 구 분 '14년 3분기 '13년 '12년 '11년 '10년 DRAM 25.7% 26.6% 24.7% 22.8% 21.8% NAND Flash 11.2% 10.7% 9.9% 11.7% 9.5% 출처 : IDC, 2014년 12월, 매출액기준 (3) 시장경쟁요소및회사의경쟁력 ( 가 ) 메모리반도체사업 [DRAM] 컴퓨팅메모리 (Computing Memory) 사업의경우가격이높고품질의신뢰성이바탕이되어야하는고용량 (High Density) 서버용제품비중과이동성확대에따른노트북 (Notebook) 및울트라북 (Ultrabook) 제품의비중이확대되고있습니다. PC 출하량은 Tablet 등 Mobile Device 성장에따라 2013년큰폭으로감소하였으나, 전년이후Tablet 성장세둔화등에기인하여감소폭은크게줄어들것으로예상됩니다. 2015년은 ULT(Ultra-Light and Thin) form factor 및 Chromebook을포함한저가 PC 수요증가로 Consumer PC 수요회복이전망되고있습니다. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 21

23 서버메모리 (Server Memory) 는클라우드컴퓨팅 (Cloud Computing) 과스마트기기의성장에따른인터넷데이터트래픽의폭발적인증가로인하여지속적인수요증대가전망됩니다. 특히 Google, Facebook, Microsoft와같은대형인터넷포털업체의데이터센터는서버시스템수요를빠르게증가시키고있는추세입니다. 당사는 TCO(Total Cost of Ownership) 절감을중요시하는데이터센터의제품효율성요구증대에부응하기위해저전력과고속의서버용모듈 (Module) 제품을공급하고있습니다. 한편 2014년출시된 Intel Haswell-EP CPU로인해서버용 DDR4 메모리수요가점차증대되는추세이며이는 2016년 Broadwell-EP CPU의출시이후본격적인시장증대가전망됩니다. 그래픽스메모리 (Graphics Memory) 는동영상및 3D 그래픽기술의발전과함께꾸준한성장세를보이고있습니다. 당사는주요그래픽칩셋업체들과의전략적관계강화를통하여데스크탑, 노트북용, HPC용등 PC 그래픽및기존 Game외에의료, 교육, Network Communication등분야로활용영역을넓히고있는차세대게임콘솔분야에서도주도적인위치를공고히하고있습니다. 컨수머메모리 (Consumer Memory) 시장은스마트디지털TV, 디지털셋톱박스 (Set-top Box), 블루레이플레이어 (Blu-ray player) 등의디지털영상가전제품, 프린터를포함한 PC주변기기, 자동차용네비게이션제품등에다양하게사용됩니다. 또당사는클라우드컴퓨팅확대에따른네트워크인프라장비에맞는고용량, 고속의첨단컨수머메모리를개발하여경쟁력있는제품을시장에공급하고있으며, 고온및저온에도견딜수있는극한환경에특성화된 IT(Industrial Temperature) 제품과 AT(Automotive Temperature) 제품을개발, 공급하는등고객의다양한요구에적극적으로대응하고있습니다. 모바일메모리 (Mobile Memory) 는휴대전화뿐만아니라모바일특성에연산기능이향상된태블릿PC, 울트라북에도사용되고있으며, 디지털카메라, 네비게이션, MP3 플레이어등과같은모바일컨슈머제품등에도채용이확대되고있습니다. 라이프스타일변화에따른 IT 수요증가및무선통신환경의발전, 정보통신융합 (Convergence) 의가속화로현재가장성장성이높은제품입니다. 스마트폰과테블릿의성능강화와다양한 Wearable 기기등장그리고신흥시장의스마트폰보급률확대추세는향후에도모바일메모리제품의수요를견인할것으로예상됩니다. [ 낸드플래시 (NAND Flash)] 낸드플래시는데이터저장용도로쓰이는대표적인메모리반도체로서, 빠른테크놀로지의진화로매년높은 성장률을기록하였습니다. 낸드플래시시장이이렇게성장을지속하는이유는최첨단 IT 기기및다양한소비자 가전에서낸드플래시채용률이지속적으로높아지고있기때문입니다. 과거에는플래시카드, USB 드라이브, MP3 플레이어, PMP 등이낸드플래시메모리의주요수요처였으나, 최근에는스마트폰, 태블릿 PC 등의모바일분야에서멀티미디어기능의확대에따른채용량증가로낸드플래시메모리에대한수요가증가하고있습니다. 또한, 스마트TV, 스마트카등의신개념도입으로인하여과거에저용량의낸드플래시메모리만사용했던분야에서도고용량낸드플래시메모리에대한수요가증가하고있습니다. 최근에는 SSD(Solid State Drive) 와같은낸드플래시를기반으로한다양한형태의 Storage Solution이노트북은물론이고서버시장에서도주요제품군으로자리잡고있어, 향후낸드플래시메모리시장의지속적인성장을견인할것으로전망되고있습니다. 이와같은낸드플래시시장에서당사는저용량부터고용량까지다양한단품및응용복합제품을기반으로고객의수요에보다적극적으로대응하고있으며, 응용분야별선택과집중을통하여낸드플래시경쟁력을확보하고시장지배력을높여가고있습니다. 또한, 높은기술력을바탕으로 Floating Gate 방식의 10nm대 Planar NAND 및 3D NAND를개발, 빠른 NAND 시장변화에발맞추어대응하고있습니다. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 22

24 ( 나 ) 비메모리반도체사업 회사는지난 2007 년 11 월, 제품포트폴리오를더욱다양화하고, 기존메모리사업역량을활용하여안정적인 수익성과높은투자효율성이기대되는 CIS 사업에재진출하였습니다. [CIS (CMOS Image Sensor)] CIS는모바일폰, 노트북, 태블릿, 디지털카메라등다양한디지털기기에서필름역할을하는반도체소자이며, 2011년부터 2017년까지연평균성장률약 16% 의시장을형성할것이라고예상되고있습니다. ( 출처 : Techno-Systems Research, 출하량기준 ) 현재는모바일폰과노트북, 태블릿에가장많이쓰이고있으나최근화질이크게향상되면서의료기기, DSLR 및캠코더, 자동차, 보안장비, 게임기, 가전제품등으로응용범위가급속히확대되고있습니다. 전체 Application 중수량비중이가장큰모바일폰의경우, 화상통신이가능한전면부카메라 (Front Facing Camera) 와사진촬영을위한후면부카메라 (Rear View Camera) 용으로두개의이미지센서가장착되고있으며이러한경향은태블릿에도반영되어기기당이미지센서탑재비율역시늘어나는추세입니다. 최근 Smartphone 시장과 Phablet 시장에서는서브카메라로 2M/5M 제품과메인카메라로 8M/13M가보편화되고있으며, Flagship model에는 16M/21M와같은초고사양제품이후면카메라로채용되고있습니다. 한편, 노트북용이미지센서시장은 HD, FHD가주류를이루고있으며일부저가 model에는 VGA 제품으로전환되는경향을보이고있습니다. 나아가태블릿역시 VGA~5M의제품이전면카메라와후면카메라에채용되고있습니다. 당사는센서중가장많은수량비중을점유하고있는모바일폰응용시장과이와유사한특징을요구하고있는노트북시장, 그리고최근급속한성장세를보이고있는 Tablet과 Toy 시장에집중하고있으며, 고화소시장으로의진입을위해 5M/8M 나아가 13M 라인업구축을위해노력하고있습니다. 아울러응용시장확대를통해신규시장및지역, 고객을발굴하여매출의안정성강화와사업수익성을개선하고있으며, 새로운시장및고객을창출하기위해 IP개발과신기술확보를통해기술및가격경쟁력을보유한제품개발에도주력하고있습니다 년 4 분기에는 BSI(Back-Side Illumination) 기술을적용한제품개발이완료되었으며, 2013 년부터 BSI 기술을적용한 8M, 5M, FHD, HD 제품의안정적생산과효율적인고객대응으로마켓포지션을강화하고있습 니다 년 4 분기에는첫 13M 제품출시를통해고화소시장으로도확대하고있습니다. 시장의니즈에맞추어제품을개발하는것이외에도, Chipset, AP 업체등과협업을통한제품기획과판매가 최근활발히이루어지고있으며, 최근모바일디바이스의얇은 Bezel 특성을맞추기위해두께를낮추는소형 화추세에도발맞추어가고있습니다. 그리고고객과시장확대를위하여국내, 중국, 일본뿐아니라미구주지역등에서도다양한마케팅활동와고 객지원활동을진행하고있으며, 고객확대와애플리케이션다양화로 CIS 시장에서의입지를강화해나갈계획 입니다. (4) 조직도 ( 제출일기준 ) 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 23

25 다. 사업부문별재무정보 당사는반도체제조업부문의매출액과자산총액이전체부문의 90% 를초과하는지배적단일사업부 문으로서부문별기재를생략합니다. 2. 주요제품, 서비스등 가. 주요제품등의현황 사업부문매출유형품목구체적용도주요상표등매출액 ( 비율 ) 반도체부문제품외 DRAM, NAND Flash, MCP 등 산업용전자기기 SK 하이닉스 17,125,566 (100%) 합계 17,125,566 (100%) 나. 주요제품등의가격변동추이 14년 DRAM 가격은우호적인수급환경에힘입어 PC DRAM 등전제품에걸쳐안정적가격환경이유지되었습니다. 또한 14년 NAND 가격은상반기채널향제품및모바일향응용제품의가격하락으로가격약세가지속되었으나하반기에모바일향수요가개선에따라하락폭이안정화되었습니다. 3. 주요원재료에관한사항 당사의메모리반도체부문생산공정에투입되는원재료는크게웨이퍼 (Wafer), 리드프레임 (Lead Frame) 및섭스트레이트 (Substrate), PCB(Printed Circuit Board) 그리고기타재료등으로구성됩니 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 24

26 다. 웨이퍼는집적회로 (Integrated Circuit, IC) 를제작하기위해반도체물질의단결정을성장시킨기둥 모양의규소 (Ingot) 를얇게절단하여원판모양으로만든것으로서반도체소자를만드는데사용되 는핵심재료입니다. 리드프레임은반도체 IC 를구성하는또다른주요요소이며반도체칩과 PCB 기판간의전기신호를 전달하면서외부의습기, 충격등으로부터칩을보호하고지지해주는골격역할을하는부품입니다. 섭스트레이트는리드프레임과같은기능을하지만전기신호를전달하는역할을하는다리를기존의 금속다리가아닌공 (Ball) 모양의연결부분을이용한부품입니다. PCB 는그위에저항, 콘덴서, 코일, 트랜지스터, 집적회로, 대규모집접회로 (Large-Scale Integration), 스위치등의부품을장치하고납땜하여회로기능을완성시키는인쇄배선판입니다. 그 외가스및화학약품등이반도체제조공정에투입되는원재료로소요됩니다. 가. 주요원재료등의현황 ( 단위 : 백만원, %) 사업부문매입유형품목구체적용도투입액비율비고 Wafer F A B 418, 반도체부문 원재료 Lead Frame& Substrate P K G 179, PCB M O D 123, 기타 1,260, 소계 1,982, 저장품 S/P, 부재료 1,303, 합계 3,286, 나. 주요원재료의매입처및원재료공급시장과공급의안정성 당사는일본, 독일, 미국, 한국등에생산시설을보유한 5개사로부터반도체공정의주요원자재인 300mm 웨이퍼완제품을수입하고있습니다. 당사는당사와거래하는매입처등과일상적인영업활동이외의특수한관계를갖고있지않습니다. 당사가거래하고있는상기 5개사는전체 300mm 웨이퍼시장의 90% 이상을차지하고있습니다. 웨이퍼는그원재료가되는폴리실리콘의수급동향에따라 300mm 웨이퍼완제품가격이큰영향을받습니다. 특히, 폴리실리콘은웨이퍼이외에도태양전지 (Solar Cell) 의원료로도사용되기때문에태양전지의수요에따라폴리실리콘의일시적부족현상이발생하면웨이퍼의공급에영향을줄수있습니다. 따라서, 당사는주요원재료인웨이퍼의원활한확보를위해유가및폴리실리콘시장의가격동향은물론, 동일한원재료를사용하는태양전지수급동향을지속적으로모니터링하고있습니다. 최근반도체공정에사용되는웨이퍼수요증가추세에따라당사는웨이퍼시장의수급동향을지속 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 25

27 적으로모니터링하고있으며, 당사주요매입처와의중장기적협력관계강화를통해안정적생산 지원및대응력을강화해나갈것입니다. 4. 생산및설비에관한사항 가. 생산능력및생산능력의산출근거 당사는국내사업장기준 4 조 3 교대로운영되고있으며, 휴일 ( 공휴일포함 ) 을포함하여 2014 년총가 동일은 365 일로, 각지역별팹 (Fab) 의가동인원및가동률을고려하여계산한당사의평균가동시간 은월 12,223,850 시간입니다. 생산능력은 " 해당분기까지의최대생산일의생산량 ⅹ 누적일수 ⅹ 평균원가 " 의방법으로산출하고있 으며, 2014 년생산능력은 10,346,301 백만원입니다. (1) 생산능력 사업부문 제67기연간 제66기연간 제65기연간 반도체부문 10,346,301 9,685,779 9,942,732 한국채택국제회계기준에따라작성되었습니다. 나. 생산실적및가동률 당사의 2014 년생산실적은 10,346,301 백만원으로집계되었으며, 동기간생산설비의평균가동률은 100% 를유지하였습니다. (1) 생산실적 사업부문 제67기연간 제66기연간 제65기연간 반도체부문 10,346,301 9,685,779 9,942,732 한국채택국제회계기준에따라작성되었습니다. (2) 가동률 ( 단위 : 시간, %) 사업부문 가동가능시간 실제가동시간 평균가동률 반도체부문 146,686, ,686, 가동률은각지역별팹 (Fab) 의가동인원및수율을고려하여계산함. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 26

28 다. 생산설비의현황 당사의시설및설비의장부가액은작성기준일현재 14 조 903 억원이며, 상세내역은다음과같습니 다. 구 분 토지 건물 구축물 기계장치 차량운반구 기타의유형자산 건설중인자산 합계 취득원가 504,398 1,853, ,333 31,885,948 2, , ,964 36,208,359 감가상각누계액 518, ,622 22,299,425 2, ,357 23,655,035 손상차손누계액 24,840 21, ,844 2,290 10, ,779 정부보조금 332 7, ,748 기초순장부금액 504,398 1,309, ,299 9,222, , ,571 12,129,797 기중변동액취득 59,216 11, , ,014 5,160,565 5,413,472 처분 1,114 1, , , ,771 손상차손 23,620 1,777 4,139 29,536 감가상각 55,986 21,260 3,117, ,893 3,268,466 대체 38, ,858 83,673 3,874, ,310 4,228,188 1,088 환율변동등 457 5,371 3,707 42, ,321 1,360 51,926 기말순장부금액 542,952 1,433, ,191 9,974, ,129 1,602,357 14,090, 취득원가 542,952 2,020, ,345 34,956,922 3, ,843 1,602,357 40,519,885 감가상각누계액 562, ,991 24,721,170 2, ,774 26,122,833 손상차손누계액 23,847 19, ,598 1, ,254 정부보조금 317 6, ,464 기말순장부금액 542,952 1,433, ,191 9,974, ,129 1,602,357 14,090,334 라. 투자계획 2014 년당사의입고기준투자집행실적은다음과같습니다. [ 입고기준 ] ( 단위 : 십억원 ) 구분투자대상자산투자효과투자기간 기투자액 ( 제 67 기누적 ) 비고 보완투자등기계장치외생산능력증가 ~ ,215 - 합계 5, 매출에관한사항 가. 매출실적 사업부문매출유형품목제 67 기제 66 기제 65 기 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 27

29 반도체부문 제품외 DRAM, 낸드플래시, MCP 등 17,125,566 14,165,102 10,162,210 매출실적은연결기준입니다. 합계 17,125,566 14,165,102 10,162,210 한국채택국제회계기준에따라작성되었습니다. 나. 판매경로및판매방법등 (1) 판매조직 국내에서는마케팅부문내 AP 영업팀관할하에대리점 8 개사를운영하고있습니다. 해외판매법인 은미국, 독일, 영국, 일본, 싱가포르, 인도, 대만, 중국등에 10 개법인이소재하고있으며산하에 18 개의사무소및 12 개대리점을두고있습니다. (2) 판매경로 당사의판매경로는크게직판거래와대리점거래로나눌수있습니다. 직판거래는당사에서일반 기업체등실수요자에게직접판매를하는것이고, 대리점거래는당사가대리점을통해서일반기 업체등의실수요자에게판매하는것입니다. (3) 판매방법및조건 내수판매는국내대리점등의수주현황에의거하여현금또는어음결제조건으로거래하고있으며, 수출은 MASTER L/C 및 LOCAL L/C 에의거하여신용장또는 D/A, D/P 조건등으로거래하고있 습니다. (4) 판매전략 당사판매전략은 ' 비즈니스포트폴리오최적화 ', ' 수익구조개선 ', ' 고객관계유지 ', ' 지역별포지셔 닝유지 ' 등 4 가지를근간으로하고있습니다. 비즈니스안정성을위해서포트폴리오의최적화를추진하고있으며서버, 그래픽, 모바일, 컨수머등응용분야의매출확대를위해제품구성을다양화하고있습니다. 수익구조개선을위해서고부가가치제품판매를확대하고시장통찰능력을강화하여미래시장발굴을추진하고있습니다. 고객관계유지를위해서고객가치제안활동을강화하고특화된제품을제공하여고객만족제고를추진하고있습니다. 지역별특성을고려하여차별화된제품전략으로지역별전략고객매출확대를추진하고있습니다. (5) 주요매출처 반도체는 IT 컨수머제품전체에걸쳐그수요처가다양하며, 당사는세계유수의 Computing 관련 전자업체와모바일디바이스제조업체, 대용량저장장치와메모리카드생산업체등에제품을공 급하고있습니다. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 28

30 6. 수주상황 당사는주요고객사들과월별 / 분기별상호합의에따른공급물량및가격을결정하고있으며, 장기 공급계약에따른수주현황은없습니다. 7. 시장위험과위험관리 가. 시장위험 (1) 환율변동위험 연결실체는국제적으로영업활동을영위하고있어외환위험, 특히주로달러화, 유로화및엔화와 관련된환율변동위험에노출되어있습니다. 외환위험은미래예상거래, 인식된자산과부채및해외 사업장에대한순투자가기능통화외의통화로표시될때발생합니다. 당기말현재연결실체의화폐성외화자산및외화부채의내역은다음과같습니다. ( 원화단위 : 백만원, 외화단위 : 외화백만단위 ) 구분 자산 부채 현지통화원화환산현지통화원화환산 USD 4,729 5,198,150 2,844 3,126,097 EUR 3 4, ,141 JPY 11, ,347 26, ,575 합계 5,309,005 3,437,813 당기말현재각외화에대한기능통화의환율 10% 변동시환율변동이법인세비용차감전순이익에 미치는영향은다음과같습니다. 구분 10% 상승시 10% 하락시 USD 207,205 (207,205) EUR (6,263) 6,263 JPY (13,823) 13,823 합계 187,119 (187,119) (2) 가격위험 연결실체는당기말현재공정가치로평가하는매도가능지분상품을보유하고있지않습니다. 따라서 연결실체는재무상태표상매도가능금융자산으로분류되는보유지분증권의가격위험에노출되어 있지않습니다. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 29

31 (3) 이자율위험 연결실체의이자율위험은미래의시장이자율변동에따라차입금에서발생하는이자비용이변동될위험으로서이는주로변동금리부조건의차입금에서발생하고있습니다. 변동이자율로발행된차입금으로인하여연결실체는이자율위험에노출되어있으며동이자율위험의일부는변동이자부현금성자산으로부터의이자율위험과상쇄됩니다. 연결실체는이자율위험을변동이자수취 / 고정이자지급스왑을이용하여관리하고있습니다. 이러한이자율스왑은변동이자부차입금을고정이자부차입금으로바꾸는경제적효과가있습니다. 일반적으로, 연결실체는변동이자율로차입금을발생시킨후고정이자율로스왑을하게됩니다. 스왑계약에따라연결실체는거래상대방과특정기간 ( 주로분기 ) 마다, 합의된원금에따라계산된고정이자와변동이자의차이를결제하게됩니다. 연결실체는당기말현재변동이자부금융상품과관련하여이자율위험에노출되어있습니다. 당기말현재다른모든변수가일정하고이자율이 100bp 하락또는상승시향후 1년간연결실체의변동금리부차입금및금융자산으로부터의이자비용과이자수익으로인한법인세비용차감전순이익은 15,267백만원만큼증가또는감소하였을것입니다. 나. 회사의위험관리정책 (1) 위험관리의일반적전략 [ 위험관리규정 ] 당사는보다체계적이고효율적인환리스크관리를위하여환위험관리규정제정, 외환관리위원회구성및환리스크관리를위한별도의전담인원을배정하여운영하고있으며, 그주요내용은 1외환거래는환리스크를회피하고안정적경영수익을확보하기위해실행되어야하며, 2실수요와공급에의한거래를원칙으로하고, 3환위험관리의정책은자연적헤지 (Natural Hedge) 를기본으로하되필요시선물환등외부적관리기법을일부시행하고, 4회사의환위험관리는주관부서에서집중하여관리하며, 주관부서는환포지션을파악하여외환관리위원회가설정한지침에따라관리하고있습니다. [ 파생상품계약운용 ] 현재환위험헤지목적의파생상품운용은없습니다. (2) 위험관리조직및운영현황 당사는외환관리에관한의사결정기구로서외환관리위원회를운영하고있으며, 외환관리위원회의주요업무는다음과같습니다. 1 외환관리정책, 전략심의및의결 2 외환관리규정의제정및개정 3 외환관리목표와허용손실한도의설정 4 외환위험헤지범위및헤지비율, 관리수단등의조정 5 외환포지션, 환율변동영향, 환율전망등환관련정보의공유 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 30

32 다. 위험관리관련추진사항 당사는영업상의환율변동영향을축소하기위해파생상품거래를체결하고있습니다. 파생상품거래를매매목적의거래로분류하여회계처리하고있으며, 발생된손익은기업회계기준에따라당기손익으로인식하고있습니다. 파생상품의공정가액은거래은행이제공한평가내역을이용하고있습니다. 8. 파생상품거래현황 연결실체는이자율스왑등을통하여이자율위험등을관리하고있습니다. 또한, 내재파생상품인해 외전환사채에내재되어있는전환권옵션을분리하여공정가치로평가하여당기손익으로인식하였 습니다. 당기말과전기말현재기타금융자산및기타금융부채로계상되어있는파생금융자산및파생금융부 채의내역은아래와같습니다. 구분 당기말 전기말 부채자산부채 유동 : 이자율스왑 30-2,194 비유동 : 이자율스왑 내재파생상품 ,849 소계 ,094 합계 ,288 당기와전기중파생상품거래와관련하여금융수익및금융비용으로인식한평가손익및거래손익 은다음과같습니다. 1 당기 구분 평가이익 평가손실 거래이익 거래손실 이자율스왑 , 내재파생상 품 - 171,016-2,691 합계 ,996 2,955 2,928 2 전기 구분평가이익평가손실거래이익거래손실 통화선도 - - 3,630 5,308 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 31

33 이자율스왑 2, ,242 내재파생상 품 - 93, 합계 2,507 93,085 3,656 6, 경영상의주요계약등 계약상대방항목내용비고 계약유형 특허크로스라이선스계약 계약기간 2013 년 6 월 1 일 ~ 삼성전자 목적및내용 삼성전자가보유하고있는반도체관련모든특허에대한사용 권을확보하여향후잠재적분쟁가능성원천적해소 기타주요내용 - Rambus Inc. 계약유형계약기간목적및내용기타주요내용계약유형 특허크로스라이선스계약 2013년 7월 1일 ~2018년 6월 30일라이선스계약을통해반도체전제품기술관련램버스보유특허에대한사용권한을확보하여향후분쟁가능성해소특허및반독점소송등램버스와진행중인모든소송취하주식교환계약 계약기간 2014 년 1 월 28 일계약체결일 주식의포괄적교환을통해실리콘화일을완전자회사로편입 실리콘화일 Softeq Flash Solutions LLC 목적및내용기타주요내용계약유형계약기간목적및내용 하여 CIS 사업의경영효율성증대주식교환일 : 2014년 4월 22일주식교환비율 : 에스케이하이닉스보통주 : 실리콘화일보통주 =1 : 주식인수 2014년 5월 15일 NAND Flash 개발역량향상을위해인수 기타주요내용 - Violin Memory Toshiba 계약유형계약기간목적및내용기타주요내용계약유형계약기간목적및내용 자산인수 2014년 5월 29일 NAND 솔루션역량강화를위해, Violin사의 PCIe Card 부문자산및인력을인수 PCIe Card 관련특허에대한 Cross-License 체결공동개발계약 2015년 02월 05일차세대노광기술 (Nano Imprint Lithography) 개발 기타주요내용 - 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 32

34 10. 연구개발활동 가. 연구개발담당조직 당사는보고서제출일현재, 미래기술부문및미래기술연구원과 DRAM 개발부문 (DRAM 기술본부, DRAM 제품본부 ), NAND 개발부문 (NAND 개발본부, NAND Solution 개발본부 ) 에서연구개발활동에 주력하고있습니다. 나. 연구개발비용 과 목 제67기 제66기 제65기 비고 원재료비 50,849 44,940 42,571 - 인 건 비 573, , ,212 - 감가상각비 157, , ,448 - 위탁용역비 153, ,378 43,117 - 기 타 488, , ,933 - 연구개발비용계 1,423,739 1,144, ,281 - 판매비와관리비 1,242, , ,704 - 회계처리 제조경비 개발비 ( 무형자산 ) 181, , ,577 - 연구개발비 / 매출액비율 [ 연구개발비용계 당기매출액 100] 8.3% 8.1% 9.2% - 한국채택국제회계기준에따라작성되었습니다. 다. 연구개발실적 구분연구과제명기대효과 제 67 기 1) 2x 나노급 Enterprise 향 SSD 2) 4G LPDDR2 자체개발한컨트롤러및펌웨어를채용한자사최초 2x나노급 Enterprise향 SSD 제품으로, Power Loss Protection 기능을탑재하여순간적으로전원이차단되어도모든데이터를안전하게보호할수있으며, 어떠한환경에서도지속적인성능및 Latency를유지하도록하여서버시스템에최적화되어있음. 향후지속적인성장이예상되는데이터센터에사용하는솔루션으로자사 SSD 사업확대를통한매출및수익성확보에기여할것으로기대됨. 모바일 2y나노기술로개발된제품으로서 2x나노 Tech 모바일 DRAM이사용되고있는시장의 Tech migration을통한 Low cost 전략제품임. 기존대비 Net die 70% 증가로매출증대와수익성향상에기여할것으로예상됨. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 33

35 3)5M 1/4" (90nm, 1.40um pixel, FSI) 4)5M 1/4" (90nm, 1.40um pixel, BSI) 5) 5M 1/5" (90nm, 1.12um pixel, BSI) 6) 1x나노급 Client SSD 7) 1.0M 1/6" (90nm, 1.75um Pixel, BSI) 8) 2ynm 4Gb DDR3(x16) 9) 2ynm 4Gb GDDR5 10) 2ynm 8Gb LPDDR4 11) 2xnm 2Gb HBM 12) 5M, 1/4" (90nm, 1.40um Pixel, SoC) 13) 2ynm 6Gb LPDDR4 14) 2ynm 4Gb LPDDR3 15) 2ynm 8Gb DDR4 중국시장에서판매되고있는기존제품대비수익성증대를위해 Net die를 11% 증가시킨제품으로원가절감을통한제품경쟁력향상으로매출과수익성확대에기여할것으로보임. 중국및한국시장의중저가스마트폰향으로전면및후면카메라에 5M 제품의채용이확대되고있어중저가폰의고화질제품으로의판매확대가예상됨 5M 제품의픽셀크기축소되는추세에맞추어이를적용한제품으로서향후매출과수익성확대에기여할것으로예상됨. 자사 SSD 제품에 10나노급 NAND를채용하여기존 20나노급 SSD 제품대비원가경쟁력을확보함으로써수익성향상에기여할것으로기대됨. Notebook향기존제품의원가를개선한제품으로 90나노 BSI Tech을적용하여기존제품대비감도를향상하였고생산효율성을개선함으로써향후수익성향상에기여할것으로예상됨. 2014년이후 4Gb 시장수요수익창출을위한 Embedded 향제품개발. 원가경쟁력확보하였으며고객 Sample 조기대응으로 Consumer, Graphics, Computing 등으로응용처확대가예상되어매출과수익성확대에기여할것으로예상됨. DRAM 2y나노기술을적용한 Graphic 제품으로, 2014년 4분기이후 Graphics 시장이 2Gb에서 4Gb로전환되는상황에서생산효율화를통한수익성향상에기여할것으로예상됨. Mobile 2y나노기술로개발된차세대 Mobile DRAM 제품으로서고사양 smartphone 및 tablet 시장의 12.8GB/s 이상 High bandwidth를요구하는제품에채용예정임. Mobile 외 Computing향제품에채용될것으로예상되는제품으로향후매출및수익성확보에기여할것으로예상됨 TSV 기술이용한제품으로 Graphics에서 Post GDDR5 대체하는신규제품을세계최초로개발완료하였으며, 업계최초 1.2V 동작전압에서초당 128GB 데이타처리가능한고성능제품임. 향후 HPC, Network 등다양한응용처로확장되어매출과수익성확대에기여할것으로보임. 5M SoC 첫제품으로서보급형스마트폰시장을목표로개발된제품으로삼성및중국시장에진입매출확대에기여할것으로기대됨. Mobile 2y나노기술로개발된차세대 Mobile DRAM 제품으로고사양스마트폰및태블릿향제품중 3GB를요구하는제품에채용될것으로예정으로 LPDDR4 초기시장진입에기여할것으로예상됨미세공정전환을통한수익성개선제품으로 mid-end 급 SmartPhone 向위주로 Buisiness 전개예상됨. 8Gb Base로개발된 DRAM 2ynm DDR4 제품으로 Premium Server 시장선도를위해전략적으로개발되었으며 TSV 및 3DS 패키징기술력을바탕으로주요고객사에인증이완료되었음. 16) 2ynm 4Gb DDR4 DRAM 2y 나노기술로개발된 DDR4 제품으로 Intel Broadwell 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 34

36 17) 1xnm 64Gb MLC 18) 1xnm 128Gb TLC 19) 1xnm 2nd Client SSD 20) 3D 1st 128Gb MLC System 기반 DDR4 Server 수요증가및고객채용을예상하며 15년이후 DDR4 초기시장을선점하여 DRAM 매출및수익성확보에기여할것으로예상됨. 기존 1x나노제품의원가경쟁력을강화한제품으로 Wafer 1장당얻을수있는 Chip수를개선하였음에도불구하고특성과신뢰성이개선하여매출증대에큰기여를할것으로예상됨자사최초의 TLC 제품으로 1x나노기술을기반으로개발됨. 동일 Cell에 3bit를저장하는방식으로기존의 2bit를저장하던 MLC 대비높은 Bit growth를실현한제품으로원가경쟁력향상에크게기여할것으로기대됨. 1x나노급 NAND를채용한자사 SATA Controller 탑재 SSD 제품으로고용량 NAND를채용하여 1T이상의 SSD 시장대응이가능하며, 주요 OEM 고객인증으로매출및수익성확보에기여할것으로예상됨공정미세화한계극복하고자 3차원구조로 Cell 적층하는기술적용한자사첫제품이며, 기존 2차원구조대비높은신뢰성과특성을가진 3D 시장진입의교두보확보할수있는기술을확보하였다는의미가있음. 구분 연구과제명 기대효과 1) 4Gb GDDR5 GDDR5 제품중 20나노급공정기술을적용한첫고용량제품으로서그래픽시장의프레임버퍼 (Frame Buffer) Size 증가요구를반영한제품임. 저전력고성능구현으로그래픽시장을리드할것으로기대되는프리미엄제품으로, 하이브리드설계구조적용으로원가경쟁력을위한와이어본딩 /8Gbps 솔루션으로 Flip Chip 동시지원가능. 지난해인수한 SKHMS와의시너지를통한첫자체 2y나노 SSD(mSATA) 제품으로기존 2x나노 SSD 제품대비우수한성 2) 32/64/128/256GB msata 능과원가경쟁력을가지고있음. OEM향노트북, 태블릿시장 SSD 에서다양한고객요구에대응할수있는제품을확보함에따라 매출과수익성확대에크게기여할것으로기대됨. 2y나노 emmc4.5 제품으로기존 2y나노 emmc4.41 제품대비 3) 4/16/32/64GB e- 2배이상향상된성능을통해 Ci-MCP와고용량 emmc 제품의제66기 NAND(eMMC4.5) 매출증대와수익성향상에기여할것으로기대됨. 중국시장에서저가형스마트폰의메인카메라로 2M 제품채용 4) 2M 1/5"(130nm, 1.75um pixel, Hi-257) 이확대되고있는시점에서 Net Die를기존제품대비 40% 증가시킨제품으로서당사의시장점유율을확고히하는데기여할 것으로기대됨. 20나노급공정기술을적용한세계최초의 DDR4 양산제품으 로인텔하스웰 (Haswell) 시스템개발초기부터참여하여 PMO(Platform Memory Organization) 샘플대응을통해시스 5) 4Gb DDR4 템과모듈간 Align을진행. 자사최초로인텔 CDC(Columbia Design Center) FlugFest에참석하여 Green Light 획득. DDR4 시장의선도적진입및리더십확보를위한교두보를마 련하였음. 6) 2Gb GDDR5 20나노급공정기술을적용한제품으로기존 30나노급대비생 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 35

37 7) 2Gb SLC NAND 8) 64Gb MLC NAND 9) 64/128/256/512GB STD2.5" SSD, 64/128/256GB M.2 SSD 10) 4Gb LPDDR3 11) 1Gb/512Mb DDR2 12) 8Gb LPDDR3 13) 16/32/64GB e- NAND(eMMC4.5) 14) 128,256GB M SSD 15) 4Gb DDR3 16) 1G LPDDR2 산성향상에기여. 기존제품대비퍼포먼스 ( 저전력및고속동작지원 ) 가향상되어그래픽메모리시장을선도하며, 2Gb 제품의주력생산이될제품. High-end PC향그래픽및서버등에도채용을추진중으로신규시장창출이기대됨. 30나노급기술을적용한 4bit ECC 지원제품으로모바일향으로개발되었으며, 기존 40nm급대비생산성이 29% 향상됨. 공정미세화를통한수율과품질을확보하여가격경쟁력확보및수익성향상이예상되며, 당사의시장점유율을높이는데기여할것으로기대됨. 세계최초 1x나노공정을적용한핵심제품으로서기존고용량 20nm 64Gb 제품대비생산성이크게향상되어원가경쟁력을확보하였으며, 최근크게수요가증가되고있는모바일향 emmc 및 PPN, 스토리지향 SSD 등솔루션제품수익성향상에큰기여를할수있을것으로기대됨. 자체개발한컨트롤러를채용한 2y나노 2.5인치스탠다드SSD 및 M.2 SSD 제품으로기존2y나노SSD 제품대비우수한성능과원가경쟁력을확보함으로써향후높은성장성과수익성이예상되는 PC OEM 시장집중및고객다변화로 SSD 매출및수익성향상에기여할것으로기대됨. 모바일 2x나노기술로개발된제품으로모바일기기의 High performance 요구와울트라북의 Low Power 제품채용에따른모바일 DRAM 매출확대에기여할것으로예상됨. 4x나노에서 2x나노로전환한컨수머향 DDR2 제품으로 nvidia 社 Automotive향 Biz 진입을통해지속적으로수익을창출하는제품으로자리잡을것으로기대됨. 또한 Half Chip 설계기술적용으로 512Mb Density 시장에대해서도전략적대응이가능. 모바일 2y나노기술로세계최초개발된 8Gb LPDDR3 제품으로최근요구되고있는모바일기기의 High Performance 와저전력특성을확보하였으며, 두께에민감한제품수요에대응할수있어모바일 DRAM 매출확대에기여할것으로예상됨. 1x나노공정의 NAND 제품을적용한모바일솔루션제품으로기존 2Ynm emmc4.5 제품대비원가경쟁력을확보하였으며, Small PKG 고용량제품라인업완성으로자사모바일제품경쟁력을확보하여매출증대와수익성향상에기여할것으로기대됨. 자사 2y나노 Tech NAND를적용한울트라북용 SSD 제품으로차세대 Formfactor를지원함으로써신규시장의주요 OEM 고객매출확대에기여할것으로기대됨. Main Memory 2y나노급세계최소 Cell Size 제품개발로원가경쟁력확보하였으며 R/H Free 대응으로품질경쟁력확보및고용량제품에대한지속적인수요대응으로 PC 및Server시장매출확대에기여할것으로예상. Modem 통신방식이 3G에서 LTE로진화함에따라 LPDDR1에서 LPDDR2 Migration이발생하고, 이에대한 SOC 업체의 SIP 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 36

38 17)6G LPDDR3 18) 64G MLC B-die 19) 128G MLC 20) 32G MLC 21) 8/16/32GB e- NAND(eMMC5.0) 22) 32/64GB M SSD 23) 2M 1/5"(130nm, 1.75um pixel) 24) 1.7M 1/6"(90nm, 1.75um pixel) 25) 8M 1/4"(90nm, 1.12um BSI pixel) 대응을위한 KGD 제품개발로매출향상에기여할것으로예상. PKG Height로인해 8G LPDDR3로대응이불가능한 3GB Solution 대응을위해개발추진. Time to Market을위해개발기간단축달성및세계최초 6Gb LPDDR3 개발. 자사의개발역량표출및 3GB Solution에서시장선점과매출향상에기여할것으로예상. 세계최소의 1x나노공정을적용한핵심제품으로써기존 1x나노 64G MLC 대비 Net Die 개선을통해원가경쟁력향상에기여하였으며, 이를통해최근크게수요가증가되고있는 Mobile향 emmc 및 PPN과 Storage향 SSD 등 Solution제품수익성향상에큰기여를할수있을것으로기대됨. 세계최소의 1x나노공정이적용된자사최초 128G High Density 제품임. SSD 적용시적층을통해 1TB까지지원이가능하여대용량 Storage 시장공략을위한 NAND Line Up을구축. 기존 2x나노 32G MLC 대비세계최소 1x나노공정적용을통한 Net Die 개선으로원가경쟁력향상을이끌어내었으며, 이를통하여 emmc 및 CiMCP에적용되어제품수익성향상에큰기여를할수있을것으로기대됨. 차세대고성능 emmc 인터페이스규격을지원하는 1x나노 emmc5.0 제품출시를통해 emmc 시장에서원가및성능경쟁력을확보하였으며, 기존 OEM 고객외에도중국등의신규고객확보를통한매출증대와수익성향상에기여할것으로기대됨. 2x나노 Tech NAND와 Amber Controller를적용하여만든 Cache 용 SSD 제품으로인텔의차세대 SSD 규격인 M 를지원하고, 최근 Trend인 Dual Driver(SSD Cache+HDD Main Storage) Ultrabook 시장진입을통해매출확대에기여할것으로기대됨. 2M MIPI I/F를지원하는 Hi-256의수익성을개선한제품으로중국향 Low-cost 버전인 Hi-257을기반으로 MIPI I/F를추가하여 Net die를 Hi-256 대비증가시켜수익성개선에크게기여함과동시에중국시장의 MIPI I/F 채용확대로시장점유율확대에도기여할것으로보임. 이미지센싱기능외에근접센서 / 조도센서 /Motion detection/face Recognition 등의부가기능을 one-chip화함으로써부가가치를창출하고틈새시장에진출하여매출에기여할것으로기대됨. BSI 1.12um Pixel을적용한첫제품으로모바일폰에서가장많은점유율과성장률이예상되는 8M 제품개발을완료함으로써향후 CIS 매출에많은기여를할것으로기대됨. 구분연구과제명기대효과 제 65 기 1) 64Gb MLC NAND 2y 나노공정을적용한핵심제품으로써기존의고용량 2x 나노 64Gb 제품대비생산성이 40% 이상향상되어원가경쟁력을 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 37

39 확보하였으며, 최근크게수요가증가하고있는모바일향솔루션제품수익성향상에큰기여를할수있을것으로기대됨. 30나노급기술을적용한 LPDDR3 제품으로기양산중인 LPDDR2 제품대비고속및저전력동작이가능함. PC에채용 2) 4Gb LPDDR3 되는 DDR3 제품의속도를구현할수있어저전력고속동작을요구하는고사양스마트폰및태블릿 PC에채용될예정임. 30나노급기술을적용한컨수머제품으로, 컨수머어플리케이션에서의 Long Term Supportability를확보하기위한제품임. 자사최초로 Array E-Fuse 기술이적용된제품으로향후모든 3) 1Gb DDR3(x16) DRAM에적용가능한 Array E-Fuse 설계요소기술을확보하여상용화를달성하였으며, Cost Effective Test Baseline 구축가능효과가있을것으로기대됨. 20나노급공정을적용한 DRAM 핵심제품으로기존 30나노급제품대비생산성이크게향상되어원가경쟁력을확보하였으 4) 2Gb DDR3 며, 설계및소자기술의혁신으로저전력, 초고속특성이확보되어수익성향상에큰기여를할것으로기대됨. 20나노급공정을적용한 emmc향제품으로모바일기기의 5) 32Gb MLC NAND Small PKG 대응을통해제품경쟁력을확보하여모바일향솔루션제품수익성향상에크게기여할수있을것으로기대됨. 20나노급공정을적용한저용량 emmc 및 USD향제품으로모바일기기의저용량제품대응을통해 20나노급제품포트폴리 6) 16Gb MLC NAND 오를강화하여모바일향솔루션제품수익성향상에크게기여할수있을것으로기대됨. 30나노급 SLC 제품으로기존 40나노급제품대비생산성이크게향상되어 Mid/Lowend Smartphone향 MCP 제품경쟁력확 7) 4Gb SLC NAND 보및모바일제품수익성향상에크게기여할수있을것으로기대됨. 20나노급 NAND를사용기존 20나노급제품대비높은성능과 8) 4/8/16/32GB e- 원가경재력을확보하여고성능대용량의스마트폰과태블릿 NAND(eMMC4.41) PC등의모바일시장에서수익성향상에크게기여할것으로기대됨. 20나노급 NAND를사용하여만든 SSD(SATA 6.0Gbps) 제품으로자사브랜드로는최초의사용화제품임. 최근급성장하는 9) 64/128/256GB STD2.5"SSD 데스크탑, 노트북등의 SSD 시장에서고부가가치의 NAND 솔루션제품으로수익성향상에큰기여를할수있을것으로기대됨. 20나노급 NAND를사용한 msata 규격 (SATA 6.0Gbps) 의제 10) 32/64/128GB msata SSD 품으로최근급성장하는울트라북 OEM향 SSD 시장에서제품경쟁력을확보하여수익성향상에크게기여할것으로기대됨. 소니社의고객 System 개발과연계하여 Biz를이어나갈제품으로개발되었으며자사최초로 Multi-Channel Wide 11) 1Gb CDR(x512) IO(x512) DRAM을개발하였고, 향후모바일플랫폼의주요기술인 Wide IO TSV기술개발에기여할것으로기대됨. 12) 4Gb DDR 년까지주력제품이될 High Density 제품으로 30 나노급 에이어원가및퍼포먼스측면에서경쟁력있는 20 나노급을 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 38

40 개발함으로써수익성향상에기여할것으로기대되며, 특히온도에따라대기전류를효율적으로제어하는기술을통해저전력시장요구에부합하는제품으로향후경쟁력향상에기여할것으로기대됨. 13) 2GB e-nand(emmc4.41) 14) 4Gb LPDDR2 15) 2M MIPI CSP, 1.75um, 130nm 16) 2Gb DDR3(x16) 17) 60/120GB STD 2.5" SSD 18) 2Gb LPDDR 20나노 Base Emmc4.41 제품확보로 Low Density 제품라인업에도경쟁력을확보함. 향후컨수머향 Low Density 제품에진입기회를확보할수있음. 20나노급모바일 DRAM 기술을적용하여개발된제품으로최근스마트폰시장에서수요가급증하고있어기존 30나노급제품대비수익성향상에기여할수있을것으로예상됨. 기양산중인 Hi-255 제품을기반으로 CSP 패키지가가능하도록개발된제품으로향후중국시장매출확대에기여할것으로기대됨. 그래픽 & 컨수머시장의주력제품으로 30나노급이후 20나노급개발을통해수익성향상에기여한제품으로, 특히빠른속도 (1Ghz) 및저전력 (1.35V) 특성확보를통해그래픽 & 컨수머시장의리더쉽을유지하는데기여할것으로기대됨. 20나노급 NAND 및새로운컨트롤러를적용한 2.5" 스탠다드 (SATA 6.0Gbps) SSD 개발로기존제품대비높은성능과안정성을제공할것으로예상됨. 30나노급모바일 DRAM 기술을적용하여개발된제품으로중국향저가스마트폰에채용되는기존 40나노급제품대비수익성향상에기여할수있을것으로예상됨. 11. 기타투자의사결정에필요한사항 가. 최근 3 년간신용등급 [ 국내 ] 평가일 평가대상 유가증권등 평가대상유 가증권의 신용등급 평가회사 신용평가등 급범위 평가구분 회사채 ( 수시평가 ) A NICE신평 AAA ~ D 수시평가 회사채 ( 수시평가 ) A 한기평 AAA ~ D 수시평가 회사채 ( 수시평가 ) A 한신평 AAA ~ D 수시평가 회사채 ( 정기평가 ) A NICE신평 AAA ~ D 정기평가 회사채 ( 정기평가 ) A 한기평 AAA ~ D 정기평가 회사채 ( 정기평가 ) A 한신평 AAA ~ D 정기평가 회사채 (212) A 한신평 AAA ~ D 본평가 기업어음 ( 본평가 ) A2 NICE신평 A1~D 본평가 기업어음 ( 본평가 ) A2 한기평 A1~D 본평가 기업어음 ( 본평가 ) A2 한신평 A1~D 본평가 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 39

41 회사채 (213) A NICE신평 AAA ~ D 본평가 회사채 (213) A 한기평 AAA ~ D 본평가 회사채 (213) A 한신평 AAA ~ D 본평가 기업어음 ( 정기평가 ) A2 NICE신평 A1~D 정기평가 기업어음 ( 정기평가 ) A2 한기평 A1~D 정기평가 기업어음 ( 정기평가 ) A2 한신평 A1~D 정기평가 회사채 ( 정기평가 ) A+ 한기평 AAA ~ D 정기평가 회사채 ( 정기평가 ) A+ 한신평 AAA ~ D 정기평가 회사채 ( 정기평가 ) A+ NICE신평 AAA ~ D 정기평가 기업어음 ( 본평가 ) A2+ 한기평 A1~D 본평가 기업어음 ( 본평가 ) A2+ 한신평 A1~D 본평가 기업어음 ( 본평가 ) A2+ NICE신평 A1~D 본평가 회사채 ( 정기평가 ) A+ 한기평 AAA ~ D 정기평가 회사채 ( 정기평가 ) A+ 한신평 AAA ~ D 정기평가 회사채 ( 정기평가 ) A+ NICE신평 AAA ~ D 정기평가 기업어음 ( 본평가 ) A1 한기평 A1~D 본평가 기업어음 ( 본평가 ) A1 한신평 A1~D 본평가 기업어음 ( 본평가 ) A1 NICE신평 A1~D 본평가 기업어음 ( 정기평가 ) A1 한기평 A1~D 본평가 기업어음 ( 정기평가 ) A1 한신평 A1~D 본평가 기업어음 ( 정기평가 ) A1 NICE신평 A1~D 본평가 [ 해외 ] 평가일 평가대상 유가증권등 평가대상유 가증권의 신용등급 평가회사 신용평가등 급범위 평가구분 해외사채 BB- S & P AAA ~ D 수시평가 발행회사 Ba3 Moody's Aaa ~ C 수시평가 발행회사 BB S & P AAA ~ D 수시평가 발행회사 Ba2 Moody's Aaa ~ C 수시평가 발행회사 BB+ S & P AAA ~ D 수시평가 발행회사 BB+ S & P AAA ~ D 수시평가 발행회사 Ba1 Moody's Aaa ~ C 수시평가 상기 S&P 및 Moody's의본점소재지는미국임. [ 참고 ] 국내신용평가사 (NICE 신용평가, 한국기업평가, 한국신용평가 ) 등급정의 신용등급 등급의정의 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 40

42 AAA AA A BBB BB B CCC CC C D 원리금지급확실성이최고수준임원리금지급확실성이매우높지만, AAA등급에비하여다소낮은요소가있음원리금지급확실성이높지만, 장래의환경변화에따라다소영향을받을가능성이있음원리금지급확실성이있지만, 장래의환경변화에따라저하될가능성이내포되어있음원리금지급능력에당면문제는없으나, 장래의안정성면에서는투기적인요소가내포되어있음원리금지급능력이부족하여투기적임원리금의채무불이행이발생할위험요소가내포되어있음원리금의채무불이행이발생할가능성이높음원리금의채무불이행이발생할가능성이지극히높음현재채무불이행상태에있음 AA ~ B 등급까지는상대적우열에따라 "+" 또는 "-" 기호를부여함. [ 참고 ] 국내신용평가사 (NICE 신용평가, 한국기업평가, 한국신용평가 ) 기업어음의등급정의 신용등급 A1 A2 A3 B C D 등급의정의적기상환능력이최상이며, 상환능력의안정성또한최상임적기상환능력이우수하나, 그안정성은 A1에비해다소열위임적기상환능력이양호하며, 그안정성도양호하나 A2에비해열위임적기상환능력이적정시되나, 단기적여건변화에따라그안정성에투기적인요소가내포되어있음적기상환능력및안정성에투기적인요소가큼상환불능상태임 A2 ~ B 등급까지는상대적우열에따라 "+" 또는 "-" 기호를부여함. [ 참고 ] 해외신용평가사 Moody's 등급정의 신용등급 등급의정의 Aaa 최소한의신용리스크를보이며, 최고의신용상태를가진것으로판단됨. Aa 신용상태가우수한것으로판단되며신용리스크가매우낮음. A 중상위등급으로간주되며신용리스크가낮음. Baa 신용리스크가보통수준임. 이들은중위등급으로간주되며그에따라일부투기적특 징을가질수있음. Ba 투기적요소가있는것으로판단되며신용리스크가상당한수준임. B 투기적인것으로간주되며신용리스크가높음. Caa 신용상태가불량한것으로판단되며신용리스크가매우높음. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 41

43 Ca 투기성이매우높고부도상태이거나부도에매우근접해있을가능성이높으며원리금 회수가능성이어느정도있음. C 채권의최하등급. 일반적으로부도상태이고원리금회수가능성이거의없음. Aa 부터 Caa 까지각일반등급분류에 1,2,3 의숫자를부여함. 숫자 1 은해당등급분류내에서 상위에있음을, 숫자 2 는중위에, 숫자 3 은하위에있음을나타냄. [ 참고 ] 해외신용평가사 S&P 등급정의 신용등급 등급의정의 AAA 채무상환능력이극히높음. 최상등급임. AA 채무상환능력이매우높음, 상위등급과크게차이는없으나최고수준은아님. A BBB BB B CCC 채무상환능력이높음, 상위등급의기업에비해서는경기침체와시장환경변화의영향을받기쉬움. 채무상환능력은충분하나, 상위등급의기업에비해서는경기침체와시장환경변화의영향을받기쉬움. 가까운장래에채무불이행이발생할가능성은비교적적으나, 경영상태, 재무상황, 경제상황이악화될경우채무불이행가능성이충분히고려됨현재로서는채무상환능력이있으나, 상위등급의기업에비해경영상태, 재무상황, 경제상황이악화될경우채무불이행가능성이높음. 현재채무불이행가능성이있으며, 채무이행능력은경영, 재무, 경제상황이호의적일경우에만있다고보여짐. CC 채무불이행가능성이현재로서상당히높음. D 채무만기시 1건이상의채무를상환하지못한기업을의미함. AA등급에서 CCC등급까지는해당등급에서의상대적인위치에따라 '+', '-' 를추가로부여할수있음. 나. 회사의고객관리정책 당사는 IT 산업을대표하는글로벌기업으로서당사매출기여도가매우높고당사판매전략과부합하는고객을 ' 전략고객 (Strategic Account, S/A)' 으로정하여관리하고있습니다. 당사의 S/A 고객은본보고서작성일현재총 15개사로각응용분야별전략고객의관리를통하여안정적인매출기반을확보함은물론제품구성을다양화하여수익성을극대화하고있습니다. 다. 지식재산권보유현황 2014 년 12 월 31 일현재당사는반도체와관련하여총 13,244 건의지식재산권을보유하고있습니다. 통상적으로등록권리는해마다증가하나, 매년기등록된권리를평가하여등록유지또는포기여부 를결정하고있어포기된권리로인해그수치가다소감소할수있습니다. 당사지식재산권은총 61 인으로구성된전담조직에서출원, 등록및사후관리, 분쟁대응등을담당하 고있습니다. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 42

44 특허권및상표권은각국특허법및상표법에근거하여보호되고있습니다. 특허권의존속기간은출 원일로부터 20 년이고, 상표권은등록일로부터 10 년이며상표권은갱신등록절차를통해존속기한을 연장할수있습니다. 라. 정부나지방자치단체의법률규정등에의한규제사항 ' 산업기술의유출방지및보호에관한법률제11조 ' 에의하여국가핵심기술로지정된반도체제조기술을해외로이전하는경우, 수출자는산업통상자원부에신고할의무를지니고있습니다. 이에당사는제품개발경쟁력강화를위한해외생산공장및기술센터에반도체기술이전시관련법및절차를준수이행하고있습니다. 마. 환경보호정책및현황 (1) ESH 경영시스템인증 당사는국제인증규격 ISO14001( 환경경영시스템 ) 및 OHSAS18001( 안전보건경영시스템 ) 과국내인증규격 KOSHA18001( 안전보건경영시스템 ) 인증을받고있으며, 이를통해 ESH경영활동의객관성확보및효과를극대화하기위한활동들을수행하고있습니다. ESH 경영시스템내부전문심사원을양성하여기업활동으로인해발생하는환경안전보건영향요인을모니터링및관리하고있으며, 환경안전보건분야의지속적개선추구를통해, 환경영향을최소화하고건강하고안전한사업장을구축하기위한노력을지속수행하고있습니다. (2) 기후변화협약대응 당사는기후변화와관련된유무형의위험과기회관리를위해기후변화관련규제를준수하며적극적으로대응하고있습니다. 또한기후변화로인해발생할수있는비용및제품품질관리를위한전략을마련하고고객및정부의신뢰도를지속적으로확보하여환경에대한새로운가치를창출할수있도록전사적수준의대응을하고있습니다. [ 온실가스에너지목표관리제 ] 당사는정부에서시행하는온실가스에너지목표관리제관리업체로서 2011년부터당사의온실가스배출량을측정, 검증하여보고하고있으며, 매년온실가스저감목표를수립하여달성을위해노력하고있습니다. 공정가스인 PFCs 배출저감을위해대체가스적용, PFCs 저감장치효율관리를위한 EPA 방법론도입및운영, 공정최적화, 촉매가스활용등다양한아이템을지속적으로추진하고있으며에너지절감활동에서는전사 Task Force 운영을통해저감아이템발굴및이행, 저감로드맵수립, 운영현황공유등체계적인관리하에에너지저감활동을강화하고있습니다. [CDP( 탄소정보공개프로젝트 ) 탄소경영최우수기업 5년연속선정, 명예의전당입성 ] 당사는탄소정보공개프로젝트 (CDP: Carbon Disclosure Project) 한국위원회가선정하는탄소경영최우수그룹인 ' 탄소경영글로벌리더스클럽 ' 에 5년연속편입되어국내최초, 국내유일기업으로명예의전당에입성하였습니다. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 43

분 기 보 고 서 (제 68 기) 사업연도 2015년 01월 01일 2015년 03월 31일 부터 까지 금융위원회 한국거래소 귀중 2015년 5월 15일 제출대상법인 유형 : 면제사유발생 : 주권상장법인 해당사항 없음 회 사 명 : 에스케이하이닉스 주식회사 대 표 이

분 기 보 고 서 (제 68 기) 사업연도 2015년 01월 01일 2015년 03월 31일 부터 까지 금융위원회 한국거래소 귀중 2015년 5월 15일 제출대상법인 유형 : 면제사유발생 : 주권상장법인 해당사항 없음 회 사 명 : 에스케이하이닉스 주식회사 대 표 이 목 분 기 보 고 서...1 대표이사 등의 확인...2 I. 회사의 개요...3 1. 회사의 개요...3 2. 회사의 연혁...7 3. 자본금 변동사항...13 4. 주식의 총수 등...14 5. 의결권 현황...15 6. 배당에 관한 사항 등...15 II. 사업의 내용...18 III. 재무에 관한 사항...45 1. 요약재무정보...45 2. 연결재무제표...47

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반 기 보 고 서 (제 68 기) 사업연도 2015년 01월 01일 2015년 06월 30일 부터 까지 금융위원회 한국거래소 귀중 2015년 8월 12일 제출대상법인 유형 : 면제사유발생 : 주권상장법인 해당사항 없음 회 사 명 : 에스케이하이닉스 주식회사 대 표 이

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