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1 목 분기보고서 대표이사등의확인 I. 회사의개요 회사의개요 회사의연혁 자본금변동사항 주식의총수등 의결권현황 배당에관한사항등 II. 사업의내용 III. 재무에관한사항 IV. 감사인의감사의견등 V. 이사의경영진단및분석의견 VI. 이사회등회사의기관및계열회사에관한사항 이사회에관한사항 감사제도에관한사항 주주의의결권행사에관한사항 계열회사등의현황 VII. 주주에관한사항 VIII. 임원및직원등에관한사항 임원및직원의현황 임원의보수등 IX. 이해관계자와의거래내용 X. 그밖에투자자보호를위하여필요한사항 XI. 재무제표등 XII. 부속명세서 전문가의확인 전문가의확인 전문가와의이해관계 차

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3 분기보고서 ( 제 65 기 ) 사업연도 2012 년 01 월 01 일부터 2012 년 09 월 30 일까지 금융위원회한국거래소귀중 2012년 11월 15일 회 사 명 : 에스케이하이닉스주식회사 대표 이사 : 권오철 ( 인 ) 본점소재지 : 경기도이천시부발읍경충대로 2091 ( 전화 ) ( 홈페이지 ) 작성책임자 : ( 직책 ) 재경실장 ( 성명 ) 이명영 ( 인 ) ( 전화 ) ~8 dart.fss.or.kr Page 2

4 대표이사등의확인 dart.fss.or.kr Page 3

5 1. 회사의개요 I. 회사의개요 에스케이하이닉스는이천, 청주의국내사업장을비롯하여중국장쑤 ( 江蘇 ) 성우시 ( 無錫 ) 시에생산공장과전세계 16개국에걸쳐판매법인및국내외사무소를두고있는글로벌기업으로서지속적인연구개발및투자로기술및원가경쟁력을확보하고있으며, 세계반도체시장을선도하기위해노력하고있습니다. 당사의개요와관련한보다자세한내용은다음과같습니다. 가. 연결대상종속회사개황 ( 단위 : 백만원 ) 상호설립일주소주요사업 직전사업 연도말 자산총액 지배관 계근거 주요종속회사여부 ( 주 ) 하이닉스엔지니어링 ( 주 ) 하이스텍 ( 주 ) 하이닉스인재개발원 ( 주 ) 하이로지텍 경기도이천시부발읍경충대로 2091 사업지원 0,267 지분 50% 초과보유 경기도이천시부발읍경충대로 2091 사업지원 16,528 지분 50% 초과보 유 경기도이천시부발읍경충대로 2091 교육사업 2,157 지분 50% 초과보 유 경기도이천시부발읍경충대로 2091 물류사업 2,96 지분 50% 초과보 유 X X X X 아미파워 ( 주 ) 경기도이천시부발읍경충대로 2091 열병합 59,608 지분 1 발전 50% 초과보 유 dart.fss.or.kr Page

6 ( 주 ) 큐알티반도체 경기도이천시부발읍경충대로 2091 반도체 10,78 지분 X 3 신뢰성평 50% 가 초과보 유 SK hynix America Inc.(SKHYA) North First Street, San Jose, CA 9513, 반도체판 76,593 지분 3 U.S.A. 매 50% 초과보 유 Hynix Semiconductor Willow Creek Circle, Eugene OR,9710, 반도체생 59,700 지분 Manufacturing America 7 U.S.A. 산 50% Inc.(HSMA) 초과보 유 SK hynix Deutschland Am Prime Parc 13, Kelsterbacher Str.16, D- 반도체판 132,95 지분 GmbH(SKHYD) Raunheim, Germany 매 50% 초과보 유 SK hynix Europe Holding Brooklands Road, Weybridge, Surrey 해외현지 21,829 지분 Ltd.(SKHYE) 7 KT13 ORH, U.K. 투자 50% 지주회사 초과보 유 SK hynix U.K. Ltd.(SKHYU) Brooklands Road, Weybridge, Surrey 반도체판 91,16 지분 7 KT13 ORH, U.K. 매 50% 초과보 유 SK hynix Asia Pte.Ltd.(SKHYS) Temasek Boulevard #2-02 Suntec City 반도체판 135,027 지분 9 Tower1 Singapore 매 50% 초과보 유 SK hynix Semiconductor India Unit 10, Level 8, Innovator Building, 반도체판 623 지분 X PrivateLtd.(SKHYIS) 1 ITPB(International Technology Park 매 50% Bangalore), Whitefield Road, Bangalore 초과보 , India 유 SK hynix Semiconductor Hong Suite 201, 2F., Central Plaza, 18 Harbour 반도체판 20,632 지분 Kong Ltd.(SKHYH) Road, Wanchai, Hong Kong 매 50% 초과보 유 SK hynix Semiconductor Room , Maxdo Center, No.8, Xing 반도체판 23,125 지분 X (Shanghai) Co.,Ltd.(SKHYCS) 8 Yi RD, Changning Zone, Shanghai, China 매 50% 초과보 유 dart.fss.or.kr Page 5

7 SK hynix Japan Inc.(SKHYJ) F SHIROYAMA TRUST TOWER, -3-1 반도체판 26,567 지분 9 Toranomon, Minatoku, Tokyo 매 50% 초과보 유 SK hynix Semiconductor Taiwan F, No.392, Ruey Kuang Road, Neihu, 반도체판 321,079 지분 Inc.(SKHYT) 7 Taipei1192, Taiwan, R.O.C. 매 50% 초과보 유 SK hynix Semiconductor (China) Lot K7, Wuxi Export Processing Zone in 웨이퍼 3,732,6 지분 Ltd.(SKHYCL) WuxiNew District, Wuxi, Jiangsu Province, 생산및판 8 50% China 매 초과보 유 SK hynix Semiconductor (Wuxi) Lot K7, Wuxi Export Processing Zone in 웨이퍼 262,395 지분 Ltd.(SKHYMC) WuxiNew District, Wuxi, Jiangsu Province, 생산및판 50% China 매 초과보 유 SK hynix(wuxi) Semiconductor Lot K7, Wuxi Export Processing Zone in 반도체판 883 지분 X SalesLtd.(SKHYCW) 8 WuxiNew District, Wuxi, Jiangsu Province, 매 50% China 초과보 유 SK hynix Italy S.r.l.(SKHYIT) V.le Colleoni 15, Palazzo Orione 2086 기술센타 - 지분 X 5 Agrate Brianza (MB), Italy 50% 초과보 유 Link_A_Media Devices Walsh Avenue, Suite 200, Santa Clara, 기술센타 - 지분 X Corp.(LAMD) CA % 초과보 유 주요종속회사판단기준 : 직전사업연도말자산총액 500 억원이상 나. 회사의법적ㆍ상업적명칭 당사의명칭은에스케이하이닉스주식회사이며, 영문으로는 SK hynix Inc. 라고표기합니다. 단, 약 식으로표기할경우에는 SK 하이닉스또는 SK hynix 라고표기합니다. 다. 설립일자및존속기간 당사는 199년 10월국도건설주식회사로설립되어 1983년 2월현대전자산업주식회사로상호를변경하였으며, 이후 2001년 3월주식회사하이닉스반도체로, 2012년 3월에스케이하이닉스주식회사로상호를변경하였습니다. 회사가발행한주식은한국거래소에상장되어유가증권시장에서거래되고있으며, 종목코드는 '000660' 입니다. dart.fss.or.kr Page 6

8 라. 본사의주소, 전화번호, 홈페이지주소 주소 : 경기도이천시경충대로 2091 전화번호 : 홈페이지 : 마. 주요사업의내용 현재당사의주력생산제품은 DRAM, 낸드플래시및 MCP(Multi-chip Package) 와같은메모리반도 체제품이며, 2007 년부터는시스템 LSI 분야인 CIS(CMOS Image Sensor) 사업에재진출하여종합 반도체회사로그영역을넓혀가고있습니다. 당사정관에근거하여현재회사가영위하는목적사업은다음과같습니다. -. 반도체소자제조및판매 -. 반도체소자기타이와유사한부품을사용하여전자운동의특성을응용하는기계, 기구및이에사용되는부품과재료등의제작, 조립및판매 -. 컴퓨터활용을위한소프트웨어개발및임대업 -. 기술연구및용역수탁업 -. 부동산매매및임대업 한편, 사업실적은없으나, 환경변화에능동적이고유기적으로대처하기위하여유지하고있는목적사업은다음과같습니다. -. 무역업 -. 정보서비스업 -. 기계부분품제조업및금형제조업 -. 특수통신 ( 위성통신등 ) 방송관련기기제작, 판매, 임대업및서비스업 -. 출판업 -. 발전업 -. 건설업 -. 전자관제조업 -. 창고업 -. 주차장업 -. 위성통신사업 -. 전기통신회선설비임대사업 -. 전자전기기계, 기구의임대업 -. 전자전기, 통신기계, 기구및그부품의제작, 판매, 임대및관련서비스업 -. 전자상거래및인터넷관련사업 -. 전기각호와관련되는사업및투자 사업부문별보다자세한사항은 Ⅱ. 사업의내용을참조하시기바랍니다. 바. 계열회사의총수, 주요계열회사의명칭및상장여부 dart.fss.or.kr Page 7

9 (1) 기업집단의명칭 : SK 계열 (2) 기업집단에소속된회사 ( 일기준계열사 : 95 개사 ) 업종상장사비상장사 지주회사 (1) SK - 에너지ㆍ화학 (30) 정보통신 / 전기전자 (31) SK이노베이션, SK케미칼, SKC, SK가스, 코원에너지서비스, 부산도시가스 SK텔레콤, 로엔엔터테인먼트, SK커뮤니케이션즈, SK브로드밴드, SK C&C, SK하이닉스, 실리콘화일 SK E&S, SK에너지, SK종합화학, SK루브리컨츠, 대한송유관공사, SK모바일에너지, 충청에너지서비스, 영남에너지서비스, 전북에너지서비스, 전남도시가스, 강원도시가스, 평택에너지서비스,SK사이텍, SK유화, SKC에어가스, 인싸이토, 지코스, SK더블유, 유베이스매뉴팩처링아시아, 울산아로마틱스, 김천에너지, 피엠피, 아미파워, 위례에너지서비스 SK텔레시스, SK텔링크, 인포섹, 엔카네트워크, 팍스넷, 인디펜던스, 커머스플래닛, 피에스앤마케팅, 에스케이네트웍스인터넷, 브로드밴드미디어, 브로드밴드D&M, 텔레비전미디어코리아, 서비스에이스, 서비스탑, 서비스인, 네트웍오앤에스, SKC라이팅, 에이앤티에스, 엘씨앤씨, SK플래닛, 하이스텍, 큐알티반도체, 매드스마트, 비젠 건설 / 물류 / 서비 스 (26) SK네트웍스 SK건설, SK해운, 행복나래, SK디앤디, 엠앤서비스, 에프앤유신용정보, SK네트웍스서비스, 리얼베스트, 내트럭, SK마케팅앤컴퍼니, 브로드밴드씨에스, 앤츠개발, SK신텍, 더블유에스통상, 엠케이에스개런티 ( 유 ), SK임업, 대전맑은물, 광주맑은물, SK핀크스, 내트럭프렌즈, SK에스엠, 스피드모터스, 하이로지텍, 하이웨이스타, 하이닉스엔지니어링 금융 (1) SK 증권 - 기타 (6) SKC 솔믹스, 유비케어 SK 바이오팜, SK 와이번스, 제주유나이티드 FC, 하이닉스인재개 발원 (*) 사명변경 : 코원에너지서비스 ( 舊대한도시가스 ), 울산아로마틱스 ( 舊아로케미 ), 행복나래 ( 舊엠알오코리아 ), 비젠 ( 舊텔스크 ) 사. 신용평가에관한사항 본보고서제출일현재당사의신용등급은다음과같습니다. 구분 평가기관 현등급 최종평가일 국내 NICE신용평가 A 한국기업평가 A dart.fss.or.kr Page 8

10 한국신용평가 A 해외 Moody's Ba S&P BB 최근 3개사업연도신용등급과관련한상세내역및각등급에따른정의는본보고서 'Ⅱ. 11. 나. 최근 3년간신용등급 ' 을참고하여주시기바랍니다. 2. 회사의연혁 가. 설립이후의중요한변동상황 (1) 회사의주된변동내용 국도건설주식회사설립 현대전자산업주식회사로상호변경 기업공개및상장 대표이사김영환외이사 5인변경선임 이사 5인, 감사 1인변경선임 LG그룹과 LG반도체주식양수도계약체결 LG반도체대주주지분인수 현대반도체 ( 구, LG반도체 ) 흡수합병 박종섭대표이사외이사 1인, 감사위원 2인변경선임 전장사업부문 ( 주 ) 현대오토넷으로분사 모니터사업부문 " 현대이미지퀘스트 ( 주 )" 로분사 주식회사하이닉스반도체로상호변경 박상호대표이사선임외이사 2인, 감사위원 2인변경선임 통신단말기사업부문 " 현대큐리텔 " 로분사 통신 ADSL 사업부문 " 현대네트웍스 " 로분사 통신네트워크사업부문 " 현대시스콤 " 으로분사 현대그룹으로부터계열분리 채권금융기관공동관리시작 현대큐리텔, ' 팬텍컨소시엄 ' 에지분매각 현대시스콤, ' 쓰리알 ' 에지분매각 시러스로직社와파운드리전략적장기공급계약체결 박종섭대표이사사임 최대주주변경 ( 현대상선 ( 주 ) ( 주 ) 한국외환은행 ) dart.fss.or.kr Page 9

11 우의제대표이사선임외이사 2인, 감사위원 2인변경선임 현대네트웍스, ' 엠비엔 ' 에지분매각 박상호대표이사사임 STMicro 社와낸드플래시메모리공동개발및파운드리공급계약체결 환경 / 안전 / 보건기술연구소설립 매그나칩반도체유한회사와비메모리사업부문영업양도계약체결 중국장쑤 ( 江蘇 ) 성우시 ( 無錫 ) 시와중국현지공장설립협력계약체결 비메모리사업부문영업양도 STMicro 社와중국현지합작공장설립을위한협력계약체결 황학중, 김덕수, 민형욱, 이준호사외이사선임 박시룡, 장윤종사외이사임기만료퇴임 채권금융기관공동관리조기종료 현대이미지퀘스트 ( 주 ), ( 주 ) 빅터스캐피탈코리아에지분매각 ( 주 ) 현대오토넷지분매각완료 출자전환주식공동관리협의회 1차공동지분매각 ( 해외유통GDR발행및국내블록세일 ) 권오철이사, 손방길사외이사선임, 정형량이사임기만료퇴임 중국현지생산법인 (HSMC) 설립 출자전환주식공동관리협의회 2차공동지분매각 ( 해외유통GDR발행및국내블록세일 ) mm 연구소 (R3 R&D Fab) 개소 김종갑대표이사외이사 1인신규선임, 사외이사 8인 ( 감사위원회위원 인포함 ) 선임 -. 이사선임 : 김종갑, 최진석 -. 사외이사선임 : 박종선, 김경한, 조동성, 김형준 -. 감사위원회위원이되는사외이사선임 : 황학중, 민형욱, 손방길, 손성호 우의제대표이사임기만료퇴임 이사 1인 ( 오춘식 ), 사외이사 인 ( 김범만, 김수창, 이선, 이준호 ) 임기만료퇴임 청주신규 M11(300mm) 공장착공 공정거래자율준수프로그램도입 환경운동연합과 ' 환경경영검증위원회 ' 협약체결 ' 일하는이사회 ' 를위한신 ( 新 ) 이사회제도도입 김경한사외이사중도퇴임 사외이사 8인 ( 감사위원회위원 3인포함 ) 선임 -. 사외이사선임 : 박종선, 조동성, 김형준, 정홍원, 최장봉 -. 감사위원회위원이되는사외이사선임 : 손성호, 홍형표, 백경훈 사외이사 3인 ( 황학중, 민형욱, 손방길 ) 임기만료퇴임 정홍원사외이사중도퇴임 권오철이사재선임외이사 1인신규선임, 사외이사 8인 ( 감사위원회위원 3인포함 ) 선 임 dart.fss.or.kr Page 10

12 -. 이사선임 : 권오철, 박성욱 -. 사외이사선임 : 박종선, 조동성, 김형준, 최장봉, 한부환 -. 감사위원회위원이되는사외이사선임 : 손성호, 홍형표, 백경훈 중국후공정합작사 HITECH 설립 최대주주변경 (( 주 ) 한국외환은행 한국정책금융공사 ) 최대주주변경 ( 한국정책금융공사 미래에셋자산운용투자자문 ( 주 )) 권오철대표이사외이사 1인신규선임, 김종갑이사재선임사외이사 9인 ( 감사위원회위원 3인포함 ) 선임 -. 이사선임 : 김종갑, 권오철, 김민철 -. 사외이사선임 : 박종선, 전인백, 한부환, 최장봉, 정병태, 김형준 -. 감사위원회위원이되는사외이사선임 : 백갑종, 송재용, 김창호 중국후공정합작공장 HITECH 준공 최대주주변경 ( 미래에셋자산운용투자자문 ( 주 ) 한국정책금융공사 ) 최대주주변경 ( 한국정책금융공사 국민연금공단 ) 사외이사 9인 ( 감사위원회위원 3인포함 ) 선임 -. 사외이사선임 : 한부환, 전인백, 정병태, 이달곤, 김갑회, 정상환 -. 감사위원회위원이되는사외이사선임 : 백갑종, 송재용, 조현명 정상환사외이사중도퇴임 최대주주변경 ( 국민연금공단 에스케이텔레콤 ( 주 )) 사외이사 5인 ( 감사위원회위원 3인포함 ) 선임 -. 이사선임 : 최태원, 하성민, 박성욱 -. 사외이사선임 : 김두경, 박영준, 윤세리, 김대일, 이창양 -. 감사위원회위원이되는사외이사선임 : 김두경, 김대일, 이창양 낸드플래시개발업체아이디어플래시 (Ideaflash S.r.l.) 인수, 이탈리아기술센터 (SK Hynix Italy S.r.l.) 전환설립미컨트롤러업체 LAMD(Link_A_Media Devices) 인수본계약체결 플래시솔루션디자인센터설립 (2) 주요종속회사의주된변동내용 미국현지법인 (HSA) 설립 독일현지법인 (HSD) 설립 싱가폴현지법인 (HSS) 설립 홍콩현지법인 (HSH) 설립 영국현지법인 (HSE) 설립 영국현지판매법인 (HSU) 설립 미국생산법인 (HSMA) 설립 대만현지법인 (HST) 설립 dart.fss.or.kr Page 11

13 일본현지법인 (HSJ) 설립 사업지원서비스부문 "( 주 ) 현대아스텍 " 분사 LCD 사업부문 "( 주 ) 현대디스플레이테크놀로지 " 로분사 중국현지판매법인 (HSCS) 설립 " 에스알씨 ( 주 )" 분사 "( 주 ) 현대디스플레이테크놀로지 " TFT-LCD 사업부문매각 중국합작법인 (HSSL) 설립 에스알씨 ( 주 ) ( 주 ) 큐알티반도체사명변경 ( 주 ) 현대아스텍 ( 주 ) 아스텍사명변경 중국현지생산법인 (HSMC) 설립 중국현지생산법인 (HSMC) 준공 인도현지법인 (HSIS) 설립 ( 주 ) 아스텍에서 ( 주 ) 하이닉스인재개발원분할 ( 주 ) 아스텍에서 ( 주 ) 하이스텍으로분할 ( 주 ) 아스텍에서 ( 주 ) 하이로지텍으로분할 ( 주 ) 아스텍에서 ( 주 ) 하이닉스엔지니어링으로분할 ( 주 ) 하이닉스엔지니어링에서 ( 주 ) 아미파워로분할 중국현지판매법인 (HSCW) 설립 "( 주 ) 현대디스플레이테크놀로지 " 청산, 주요종속회사제외 " 프로모스엔에이치유한회사, 티와이프로주식회사, 외환은행특정금전신탁 " 청산, 주요종 속회사제외 ( 주 ) 하이닉스엔지니어링, ( 주 ) 큐알티반도체흡수합병 ( 주 ) 하이스텍, ( 주 ) 하이로지텍 /( 주 ) 하이닉스인재개발원흡수합병 나. 상호의변경 현대전자산업주식회사로상호변경 주식회사하이닉스반도체로상호변경 에스케이하이닉스주식회사로상호변경 다. 합병, 분할 ( 합병 ), 포괄적주식교환ㆍ이전, 중요한영업의양수ㆍ도등 현대반도체 ( 구, LG 반도체 ) 흡수합병 비메모리사업부문영업양도 에스케이텔레콤, 하이닉스반도체지분인수계약 라. 생산설비의변동 dart.fss.or.kr Page 12

14 중국장쑤 ( 江蘇 ) 성우시 ( 無錫 ) 시에 C2(300mm), C1(200mm) 공장준공 미국유진공장 E1(200mm) 가동중단 청주신규낸드플래시전용 M11공장 (300mm) 준공 이천 M7(200mm) 및청주 M9(200mm) 공장가동중단 중국 C1(200mm) 공장가동중단 중국후공정합작공장 HITECH 준공 마. 경영활동과관련된중요한사실의발생 전력소모 30% 줄인서버용메모리모듈개발 대만프로모스社와전략적제휴를위한본계약체결 GB DDR2-667 노트북용모듈업계최초인텔社인증획득 당사출자전환주식공동관리협의회와 ' 특별약정 ' 체결 JEDEC 표준형 8GB DDR2 R-DIMM과 2GB DDR VLP R-DIMM 개발 Mb GDDR DRAM 개발 나노 512Mb DDR2 DRAM 인텔社인증획득 Mbps 512Mb 모바일 DRAM 개발 60나노급 1Gb DDR2 기반 1GB DDR2 800Mbps 모듈개발 ECC회로적용한 185Mbps 512Mb 모바일 DRAM 개발 퓨전메모리제품 DOC(Disk On Chip) H3 양산 나노 DDR3 1Gb DRAM 단품및모듈인텔社인증획득 초박형 (25μm) 20단낸드플래시 MCP(Multi-chip Package) 개발 Mbps 1Gb 모바일 DRAM 개발 이노베이티브실리콘社와신개념메모리 'ZRAM' 라이선스계약체결 초박형 (25μm) 2단낸드플래시 MCP(Multi-chip Package) 개발 오보닉스社와차세대메모리 'PRAM' 기술라이선스계약체결 Gb GDDR5 개발 50나노급 1Gb DDR2 DRAM 인텔社인증획득 실리콘화일社와 CMOS 이미지센서 (CIS) 사업추진을위한협력계약체결 나노급 1GB/2GB DDR2 모듈인텔社인증획득 피델릭스社와전략적제휴를위한협력계약체결 그란디스社와 'STT-RAM' 라이선스및공동개발계약체결 프로모스社와포괄적제휴협력계약체결 파이슨社와낸드플래시응용제품기술에대한사업협력계약체결 실리콘화일社지분취득결정및기존파운드리계약범위확대 3중셀 (X3) 기술기반 32Gb 낸드플래시개발 씨엔에스테크놀로지社와시스템반도체공동개발및파운드리협력계약체결 dart.fss.or.kr Page 13

15 뉴모닉스社와낸드플래시기술및제품공동개발협력계약체결 16GB 서버용모듈개발 단적층낸드플래시개발 50나노급 2Gb 고용량모바일 DRAM 개발 DDR3 서버용모듈 GB ECC UDIMM 인텔社인증획득 나노급 DDR3 DRAM 개발 뉴모닉스社및파이슨社와낸드플래시응용제품용컨트롤러 3자공동개발계약체결 중국장쑤 ( 江蘇 ) 성우시 ( 無錫 ) 시에무석산업발전집단유한공사와합작반도체후공정 전문회사설립을위한본계약체결 GB 1333Mbps 노트북용모듈외 10건인텔社 DDR3 전용플래폼인증획득 대만프로모스社와전략적제휴협력계약종결 나노급 Gb 모바일 DRAM 인텔社인증획득 세대 1Gb DDR3 개발 나노급 2Gb GDDR5 개발 나노급 2Gb 모바일 DRAM 개발 나노급 6Gb 낸드플래시개발 휴렛팩커드 (HP) 社와 Re램공동개발계약체결 나노급 Gb DDR3 개발 나노급 2Gb DDR 개발 도시바社와 STT-MRAM 공동개발및합작사설립을위한공동생산계약체결 나노급 2Gb DDR3 저탄소제품인증획득 스팬션社와특허사용크로스라이선스및 SLC낸드플래시공급계약체결 IBM 社와 PC램공동개발및기술라이선스계약체결 나노급 6Gb 낸드플래시저탄소제품인증획득 나노급 Gb 그래픽 DDR3 개발 3. 자본금변동사항 가. 증자 ( 감자 ) 현황 ( 기준일 : 2012 년 09 월 30 일 ) ( 단위 : 원, 주 ) 주식발행 ( 감소 ) 일자 발행 ( 감소 ) 형태 주식의 종류 수량 발행 ( 감소 ) 한주식의내용 주당 주당발행 액면가액 ( 감소 ) 가액 비고 2008 년 01 월 23 일 주식매수선택권 행사 보통주 5,200 5,000 5,000 dart.fss.or.kr Page 1

16 2008년 07월 16일 2009년 01월 17일 2009년 02월 18일 주식매수선택권행사유상증자 ( 일반공모 ) 주식매수선택권행사 보통주 328,962 5,000 5,000 우리사주매수선택권행사 보통주 60,000,000 5,000 5,00 보통주 18,260 5,000 5, 년 05 월 06 일 전환권행사보통주 12 5,000 2, 년 05월 19일 2009년 06월 23일 유상증자 ( 일반공모 ) 주식매수선택권행사 보통주 70,000,000 5,000 10,350 보통주,600 5,000 5, 년 08 월 13 일 전환권행사보통주 8,731 5,000 23, ~ 년 09 월 22 일 주식매수선택권 행사 보통주 3,70 5,000 5, 년 12월 1일 2010년 01월 0일 2010년 0월 01일 2010년 07월 08일 2010년 10월 29일 2011년 01월 13일 2011년 0월 01일 2012년 01월 27일 전환권행사 보통주 28 5,000 23,328 전환권행사 보통주 28,608 5,000 23, ~ 전환권행사 보통주 565,120 5,000 23, ~ 전환권행사 보통주,150 5,000 23, ~ 전환권행사 보통주 115 5,000 23, ~ 전환권행사 보통주 3,385 5,000 23, ~ 전환권행사 보통주 1,60,63 5,000 23, ~ 전환권행사 보통주 855 5,000 23, ~ 년 02 월 유상증자 ( 제 3 자 보통주 101,850,00 5,000 23,000 1 일 배정 ) 년 02월 15일 2012년 0월 06일 전환권행사보통주,159 5,000 23, ~2 전환권행사보통주 3,000 5,000 23, 년 05 월 02 일 주식매수선택권 행사 보통주 93,500 5,000 22,800 우리사주매수선 택권행사 dart.fss.or.kr Page 15

17 2012년 05월 0일 2012년 08월 20일 전환권행사보통주 28 5,000 23,328 전환권행사보통주 21 5,000 23,328 결산기이후발생한증자 ( 감자 ) 현황은다음과같습니다. [ 제출일현재 ] ( 단위 : 원, 주 ) 주식발행 ( 감소 ) 일자 발행 ( 감소 ) 형태 종류 수량 발행 ( 감소 ) 한주식의내용 주당 주당발행 액면가액 ( 감소 ) 가액 비고 2012 년 10 월 2 일 주식매수선택권 행사 보통주 30,300 5,000 22,800 우리사주매수선 택권행사 나. 미상환전환사채발행현황 ( 기준일 : ) ( 단위 : 원, 주 ) 종류 \ 구 분 발행일만기일권면총액 전환대상 주식의종류 전환청구가 능기간 전환조건전환비율전환가액 (%) 미상환사채전환가능주권면총액식수 비고 제 6 회 2007 년 2012 년 US$583,00,00 보통주 ,862 US$35,700, ,75 - 해외공모 12 월 12 월 0 5~ 무보증 1 일 1 일 전환사채 9 제 207 회 2008 년 2013 년 500,000,000,00 보통주 ,328 0,569,070,00 18,885,88 - 국내공모 09 월 09 월 0 5~ 0 무보증 05 일 05 일 전환사채 5 제 7 회 2010 년 2015 년 US$500,000,00 보통주 ,39 US$500,000,00 16,82,526 - 해외공모 05 월 05 월 0 5~ 0 무보증 1 일 1 일 전환사채 8 합계 ,28,119 - 상기 ' 권면총액 ' 은최초발행시의권면총액이며, ' 미상환사채의권면총액 ' 은기준일현재의잔액기준임.. 주식의총수등 dart.fss.or.kr Page 16

18 가. 주식의총수 2012년 9월 30일본보고서작성기준일현재당사의발행할주식의총수는 9,000,000,000주이며, 발행한주식의총수는보통주 5,688,100,295주입니다. 보통주이외에발행한다른종류의주식은없습니다. 당기말현재의유통주식수는보통주 69,122,51주입니다. ( 기준일 : 2012년 09월 30일 ) ( 단위 : 주 ) 구분 주식의종류 보통주우선주합계 비고 Ⅰ. 발행할주식의총수 9,000,000,00 0 Ⅱ. 현재까지발행한주식의총수 5,688,100,29 5 Ⅲ. 현재까지감소한주식의총수,993,977,8 1. 감자,990,9,79 9-9,000,000,00 0-5,688,100,29 5 -,993,977,8 -,990,9, , 주식병합 (21:1) 2. 이익소각 3,528,05-3,528, , 이익소각 3. 상환주식의상환 기타 Ⅳ. 발행주식의총수 (Ⅱ-Ⅲ) 69,122,51-69,122,51 - Ⅴ. 자기주식수 Ⅵ. 유통주식수 (Ⅳ-Ⅴ) 69,122,51-69,122,51 - 결산일이후우리사주매수선택권행사로 30,300 주가발행되어제출일현재의발행주식총수는보통 주 5,688,130,595 주이며, 유통주식수는 69,152,751 주입니다. [ 제출일현재 ] 구분 주식의종류 보통주우선주합계 비고 Ⅰ. 발행할주식의총수 9,000,000,00 0 Ⅱ. 현재까지발행한주식의총수 5,688,130,59 5 Ⅲ. 현재까지감소한주식의총수,993,977,8-9,000,000,00 0-5,688,130,59 5 -,993,977, 감자,990,9,79 9 -,990,9, , 주식병합 9 (21:1) 2. 이익소각 3,528,05-3,528, , 이익소각 dart.fss.or.kr Page 17

19 3. 상환주식의상환 기타 Ⅳ. 발행주식의총수 (Ⅱ-Ⅲ) 69,152,751-69,152,751 - Ⅴ. 자기주식수 Ⅵ. 유통주식수 (Ⅳ-Ⅴ) 69,152,751-69,152,751 - 나. 자본금및 1 주당가액 [ 현재 ] ( 단위 : 천원, 주 ) 자본금 ( 액면총액 ) 1 주당가액 구분 종류 재무제표상 자본금 (A) 발행주식의 액면총액 (' 가 ' 의 Ⅳ B) 유통주식의 액면총액 (' 가 ' 의 Ⅵ B) 1주당액면가액 (B) 자본금 발행주식의총수 (A ' 가 ' 의Ⅳ) 자본금 유통주식수 (A ' 가 ' 의 Ⅵ) 비고 기명식보통주 3,88,252,8 0 합계 3,88,252,8 0 3,70,612,25 5 3,70,612,25 5 3,70,612, ,70,612, [ 제출일현재 ] ( 단위 : 천원, 주 ) 자본금 ( 액면총액 ) 1 주당가액 구분 종류 재무제표상 자본금 (A) 발행주식의 액면총액 (' 가 ' 의 Ⅳ B) 유통주식의 액면총액 (' 가 ' 의 Ⅵ B) 1주당액면가액 (B) 자본금 발행주식의총수 (A ' 가 ' 의Ⅳ) 자본금 유통주식수 (A ' 가 ' 의 Ⅵ) 비고 기명식보통주 3,88,252,37 5 합계 3,88,252,37 5 3,70,763,75 5 3,70,763,75 5 3,70,763, ,70,763, 다. 이익소각현황 당사는주주에게배당할이익으로서주식을소각할수있는바, 2000 년 3 월 31 일자로 3,528,05 주 를이익소각한바있습니다. 5. 의결권현황 dart.fss.or.kr Page 18

20 ( 기준일 : 2012년 09월 30일 ) ( 단위 : 주 ) 구 분 주식의종류 주식수 비고 발행주식총수 (A) 보통주 69,122,51 - 우선주 - - 의결권없는주식수 (B) 보통주 - - 우선주 - - 정관에의하여의결권행사가배제된주식수 (C) 기타법률에의하여의결권행사가제한된주식수 (D) 보통주 - - 우선주 - - 보통주 - - 우선주 - - 의결권이부활된주식수 (E) 보통주 - - 우선주 - - 의결권을행사할수있는주식수 (F = A - B - C - D + E) 보통주 69,122,51 - 우선주 배당에관한사항등 가. 배당에관한사항 정관에의거한배당에관한당사의중요한정책은다음과같습니다. (1) 제52조 ( 이익배당 ) 1 이익의배당은금전, 주식및기타의재산으로할수있다. 2 제1항의배당은매결산기말현재의주주명부에기재된주주또는등록된질권자에게지급한다. 3 이익의배당을주식으로하는경우회사가종류주식을발행한때에는주주총회결의로그와다른종류의주식으로배당할수있다. (2) 제5조 ( 중간배당 ) 1 회사는 7월 1일 0시현재의주주에게상법의규정에의한중간배당을금전, 주식및기타의재산으로할수있다. 2 제1항의중간배당은이사회의결의로하되, 중간배당의구체적인방법, 한도등에대해서는상법등관련법령에서정하는바에따른다. 3 사업년도개시일이후제1항의기준일이전에신주를발행한경우 ( 준비금의자본전입, 주식배당, 전환사채의전환청구, 신주인수권부사채의신주인수권행사를포함한다 ) 중간배당에관해서는당해신주는직전사업년도말에발행된것으로본다. 중간배당을할때에는종류주식에대하여도보통주식과동일한배당률을적용한다. 5 제53조 ( 배당금지급청구권의소멸시효 ) 는중간배당의경우에준용한다. dart.fss.or.kr Page 19

21 나. 최근 3 사업연도배당에관한사항 구분 주식의종류 제65기 3분기 제6기 제63기 주당액면가액 ( 원 ) 5,000 5,000 5,000 당기순이익 ( 백만원 ) -322,89-55,971 2,597,575 주당순이익 ( 원 ) ,0 현금배당금총액 ( 백만원 ) ,51 주식배당금총액 ( 백만원 ) 현금배당성향 (%) 현금배당수익률 (%) 주식배당수익률 (%) 주당현금배당금 ( 원 ) 주당주식배당 ( 주 ) dart.fss.or.kr Page 20

22 II. 사업의내용 1. 사업의개요 가. 업계의현황 (1) 산업의특성반도체는모든 IT제품의필수불가결한핵심부품으로서, 컴퓨터를비롯해통신장비및통신시스템, 자동차, 디지털가전제품, 산업기계그리고컨트롤시스템등그적용분야는매우광범위합니다. WSTS(World Semiconductor Trade Statistics, 2012년 2월 ) 에따르면, 지난 2011년도세계반도체시장규모는 US$2,995억에이르렀으며, 이중메모리제품은 US$607억의시장규모를기록하며전체반도체시장의약20% 수준에달하였습니다. 메모리반도체시장에서가장큰비중을차지하는 DRAM은지난 2011년 US$29억을기록하며전체메모리시장의약 8% 를차지하였고, 그뒤를이어낸드플래시가 US$2억으로 0%, 노어플래시가 US$38억으로 6% 를차지하였습니다. 아울러아래표에나타낸바와같이반도체산업은우리나라산업생산및수출에있어서매우중요한기간산업중하나입니다. 2011년에는세계경기침체로인한반도체시장성장둔화와메모리반도체의판가하락으로반도체수출이전년대비 1.1% 감소하였으나, 우리나라전체수출액중반도체의비중은 9.1% 로중요수출품의자리를차지하고있습니다. 전체수출중반도체비중 ( 단위 : 백만USD, %) 구분 총수출 556,51 66,38 363,53 22, ,89 반도체 50,881 51,6 31,918 32,792 39,06 전년비증감율 비중 출처 : 관세청, 2012 특히, 반도체수출의대부분은메모리반도체산업을통해이룬것으로, 메모리반도체는우리나라최대의수출산업입니다. 이러한메모리반도체산업은제품설계기술, 공정미세화및투자효율성제고에의한원가경쟁력확보가매우중요한산업으로서기술력및원가경쟁력을갖춘소수 IDM(Integrated Device Manufacturer) 업체중심으로점차과점화되고있는추세입니다. 반도체제품을직접설계하고제조, 판매까지하는업체들을가리켜 IDM이라고하는데이들은자체디자인능력, 제조노하우 (know-how) 및생산설비등을바탕으로비IDM(non-IDM) 업체들에비해독자적기술개발력과제조경쟁력을확보함으로써산업내에서의위치를더욱확고히하고있습니다. (DRAM 상위 개업체의시장점유율 : 1990년 9% 2011년 89%, 출처 : 가트너, 매출액기준 ) dart.fss.or.kr Page 21

23 가 ) 메모리반도체정보를저장하고기억하는기능을하는메모리반도체는일반적으로 ' 휘발성 (Volatile)' 과 ' 비휘발성 (Nonvolatile)' 으로분류됩니다. 휘발성메모리제품은전원이끊어지면정보가지워지는반면, 비휘발성제품은휴대전화에전화번호가저장되는것처럼전원이끊겨도저장된정보가계속남아있습니다. 당사는휘발성메모리인 DRAM과비휘발성메모리인플래시메모리를생산하고있습니다. [DRAM(Dynamic Random Access Memory)] DRAM은전원이켜져있는동안에만정보가저장되는휘발성 (Volatile) 메모리로주로컴퓨터의메인메모리 (Main Memory), 동영상및 3D 게임구현을위한그래픽메모리 (Graphics Memory) 로사용되고있으며, 가전제품의디지털화에따라스마트 TV, 스마트냉장고, 프린터등에도사용이확대되고있습니다. 또한각종이동통신기기의폭발적성장에따라스마트폰및태블릿 PC 등에도모바일용 DRAM의채용량이급증하고있습니다. [ 플래시메모리 (Flash Memory)] 플래시메모리는전원이공급되지않아도저장된데이터가지워지지않는비휘발성메모리로크게노어 (NOR) 형 (Code저장형) 과낸드 (NAND) 형 (Data저장형) 으로나눌수있습니다. 이중당사가생산하는낸드플래시는순차적 (Sequential) 정보접근이가능한비휘발성메모리칩으로서, 디지털비디오나디지털사진과같은대용량정보를저장하는데매우적합합니다. 낸드플래시제품이주로적용되는분야는스마트폰, 태블릿 PC 같은모바일기기와디지털카메라, USB드라이브, MP3플레이어, 차량용네비게이션, SSD(Solid State Drive) 등입니다. 플래시메모리사업은 DRAM 공정의활용이가능하므로 DRAM 팹 (FAB) 보유업체들에게는신규투자를최소화하여수익성을높이고 DRAM 사업변동성을다소보완할수있는장점이있습니다. 한편, 최근플래시메모리는일반적인범용메모리보다는고객지향적인제품의수요가늘어나고있어이런추세에부합하는적극적인응용제품개발및철저한고객대응필요성이커지고있습니다. 나 ) 비메모리반도체 [CIS(CMOS Image Sensor)] 논리적연산등정보처리기능을담당하는비메모리반도체중에서도, 이미지센서는빛에너지를감지하여그세기의정도를영상데이터로변환해주는반도체소자로서디지털촬영기기에서필름역할을하고있습니다. 이미지센서는제조과정과신호를읽는방법에따라 CCD(Charge Coupled Device) 와CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 두가지타입으로나뉩니다. 최근 CIS의기술이크게향상되고디지털촬영기기가소형화됨에따라, 크기가작고전력소모가적은 CIS의활용범위가점차확대되고있으며, 디지털일안반사식카메라 (DSLR) 와캠코더등고화질을요구하는고가제품에도많이사용되는추세입니다. 이에따라 CIS 시장에서는기술경쟁력과원가경쟁력이점차중요한성공요인으로부각되고있습니다. (2) 산업의성장성 메모리반도체산업은 2007년이후공급과잉에따른판매가격의급격한하락과 2008년미국신용위기에따른세계경제침체의영향으로 2009년까지다소저조한성장세를보이기도하였지만, 2010년이후새로운 IT 기기의등장과디지털기기의모바일화, 스마트화로인해 DRAM 수요는 PC에서모바일영역으로, NAND 수요는모바일에서 PC영역으로확대됨에따라향후지속적인성장이예상됩니다. 반면공정미세화의기술은한계에다다르고있으며, 생산및연구개발을위한투자비용이급증하고고객들의요구성능과품질수준은점점더다양화, 고도화되고있어선두업체와후발업체와의기술및원가경쟁력격차가점차확대됨과동시에공급은제한적인성장을보일것으로예상되기때문에선두업체를중심으로메모리 dart.fss.or.kr Page 22

24 신성장의기회가더욱증대할것으로예상됩니다. [DRAM] 시장조사기관인아이서플라이 (isuppli, 2012년 9월, 금액기준 ) 에따르면, DRAM 시장은 2009년 US$227억에서 2010년 US$397억으로 75% 의고성장을이뤘으며, 2011년은세계경기침체로인해 2010년보다축소된 US$296억의매출을기록하였습니다. 2012년에도경기둔화가지속되어 2011년보다 6.0% 하락한 US$278억이예상됩니다. 분야별로살펴보면, 개인용컴퓨터와업그레이드용메모리모듈이지속적으로주요수요처가될전망이나, 경기침체로인해성장속도는다소둔화될것으로보이며, 개인용컴퓨터의이동성 (Mobility) 에대한요구가증가함에따라노트북컴퓨터로의교체및신규수요가확대될전망입니다. 이에개인용컴퓨터중넷북을포함한노트북의출하비중이 2011년 62% 에서 2016년 70% 로증가할것으로업계는예상하고있습니다. 또한디지털기기의스마트화및모바일화의진전에따라스마트폰및태블릿 PC 등모바일기기시장의확대가예상되며, 대용량의콘텐츠를처리할수있는그래픽메모리의수요또한증가할전망입니다. 이에따라 DRAM의판매수량확대뿐만아니라개별기기의탑재용량도지속증가할것으로예상됩니다. [ 낸드플래시 (NAND Flash)] 낸드플래시는디지털미디어의성장과더불어스마트폰, 태블릿 PC, 디지털카메라, MP3 플레이어, 휴대폰, 위성위치추적장치 (GPS) 그리고기타멀티미디어가전에사용되는플래시카드와 USB 드라이브같은휴대용정보저장장치 (Removable Storage Devices) 등에널리사용되고있습니다. 아이서플라이 (isuppli, 2012년 9월, 금액기준 ) 에따르면낸드플래시시장은 2010년 38% 의성장을기록하였으며, 2011년에는글로벌경기침체에도불구하고약 12% 정도의성장세를기록하였습니다. 2012년에는다소성장이정체되며 -2% 대의역성장이예상되나, 스마트폰을포함한휴대전화시장에서의메모리카드채용및 SSD, 응용복합제품등향후낸드플래시의수요를견인할제품시장이지속성장하고있어경기안정화시지속적인성장이예상됩니다. [CIS (CMOS Image Sensor)] 이미지센서는1990년대중반디지털카메라에장착되어일반소비자에게선보인이후 PC 카메라, 휴대폰, PDA, 감시카메라등다양한제품에활용되는등수요증가에힘입어시장규모도크게증가하는추세입니다. 특히 DSLR 카메라및휴대폰카메라시장의수요증가로시장이지속성장할것으로보입니다. 아이서플라이 (isuppli, 2012년 9월, 금액기준 ) 의전망에따르면이미지센서시장은 2016년 US$128억규모로 2011년이래연평균 6.2% 의성장이예상되며, 특히당사가생산중인 CIS 시장은다양한응용기기로의확대적용과수요증가로전체이미지센서시장에서의비중이 2011년 70% 에서 2016년 91% 까지증가하며연평균 11.9% 의높은성장이전망됩니다. (3) 경기변동의특성세계반도체시장은지금까지실리콘사이클의순환에따라호황과불황을반복해왔으며제품수명주기가매우짧은특징을가지고있습니다. 아울러대규모장치산업의특성을가짐과동시에주요수요처인미구주의거시경제순환사이클 (Business Cycle) 과의연관성이비교적크게나타났으나, 최근에는중국및인도등신흥시장의비중이확대되고일부경쟁력이부족한업체들의구조조정등으로인해반도체산업경기변동폭은전과비교하여많이줄어들었다고볼수있습니다. [DRAM] DRAM은과거에 PC 수요에상당부분의존하고있어세계 IT 경기사이클의영향을크게받아왔습니다. 2012년하반기출하가예정된 Windows8 및울트라북의성공적인안착여부와신흥시장에서의 PC 신규수요가 DRAM 수요증가에영향을끼칠것으로예상되고있습니다. 또한스마트폰및태블릿 PC 등신규모바일기기의폭발적인시장성장에따라전통적인 PC 시장에서뿐만아니라모바일시장에서의수요가더욱증가할것 dart.fss.or.kr Page 23

25 으로예상되고있습니다. 한편, 수요의계절성으로서는미구주지역의신학기, 크리스마스특수및중국춘절 등의수요증가로인한매출액증가를들수있습니다. 하지만최근에는아시아시장의성장에따른판매시장의 다변화로이같은전통적인수요의계절성이약화되는모습도나타나고있습니다. [ 낸드플래시 (NAND Flash)] 낸드플래시는시장초기에 MP3 플레이어, 메모리카드등의수요증가에힘입어급속히성장을하였으며, 주요공급업체들이 DRAM을함께생산하고있어 DRAM 시장의안정적성장에도우호적인여건을제공해왔습니다. 하지만낸드플래시의주수요처인 MP3 플레이어, 메모리카드등이경기에민감한소비재제품이기때문에 DRAM과마찬가지로세계경제상황에따라경기가함께변동하는특성을가지고있습니다. 최근에는 IT 기기들의스마트화가진행되면서낸드플래시의주수요처가스마트폰, 태블릿PC와같은모바일기기로확대되었습니다. 특히고용량낸드플래시를탑재하는스마트폰및태블릿 PC 시장이지속적으로성장하고노트북및서버의 SSD 채용이늘어남에따라 2012년이후낸드플래시시장은세계경기회복과더불어지속적으로성장할것으로보입니다. [CIS (CMOS Image Sensor)] 이미지센서중자사가생산중인 CIS는모바일핸드셋, 캠코더, PC 등멀티미디어기기시장의영향을크게받는제품으로서소비재의특성상경기변동과기술변화에매우민감할뿐만아니라라이프사이클이짧은특징을가지고있습니다. 따라서가격경쟁력을지닌제품을적시에출시하여시장을선점하는것이사업성공여부에매우중요한요소라할수있습니다. () 경쟁요소 반도체사업의핵심경쟁력은 1. 인적자원 (R&D 및엔지니어링 ), 2. 기술및원가경쟁력, 3. 고객확보능력. 설비투자능력등이있습니다. 최근대량생산이용이한표준제품위주에서응용분야가점차다양화, 융복합화함에따라시설투자와생산성향상을통한원가경쟁력중심에서제품가치증대를통한수익성중심으로경쟁의패러다임이빠르게전환되고있습니다. 지금까지생산능력확대와생산원가절감이주요경쟁목표였던시기에는제조 / 공정기술, 대규모설비투자, 규모의경제등이중요한사업성공요인이었지만, 공정미세화의난이도증가와투자의불확실성증대등사업환경이변화함에따라앞으로는제품경쟁력과부가가치증대를위해선행기술및응용기술개발, 마케팅및고객만족등이더욱중요한사업경쟁력이되고있습니다. 이외에도적기에시장요구에부합하는제품을출시할수있는시장대응력 (Time to Market) 및재무건전성확 보등이요구되고있습니다. 나. 회사의현황 (1) 영업개황및사업부문의구분 ( 가 ) 영업개황 지난 2012 년 3 분기는고부가가치제품의매출확대와미세공정전환을통한원가절감에도불구하고, 저조한 PC 수요에따른 DRAM 가격하락및환율하락등으로인해매출액감소와영업적자를기록하였습니다. 당사의연결기준매출은전분기대비약 8% 감소한 2 조 천 2 백 3 십억원을기록하였으며, 연결기준영업이익 은전분기 2 백 3 십억원이익에서 1 백 5 십억원의손실로적자전환하였습니다. 한편당기순이익은외화평가차 익등의영향으로약 2 십억원의이익을기록하며흑자전환에성공하였습니다. dart.fss.or.kr Page 2

26 ( 단위 : 백만원 ) 구분 제 65 기 3 분기 ( ~ ) 제65기 2분기 ( ~ ) 전기대 비 증감 제 65 기 3 분기누계 ( ~ ) 제 6 기 3 분기누계 ( ~ ) 전년동기대비증감 매출액 2,23,82 2,631, % 7,3,823 7,82, % 영업이익 -15,073 22,80 적자전환 -252,250 92,959 적자전 환 당기순이 익 2,01-53,307 흑자전환 -322,89 183,917 적자전 환 한국채택국제회계기준에따라작성된연결기준실적입니다. ( 나 ) 공시대상사업부문의구분 [ 제65기 ] ( 단위 : 백만원 ) 구 분 매출액 매출액비중 (%) 주요제품 반도체부문 7,3, % DRAM, 낸드플래시, MCP 등 합계 7,3, % 당사는한국표준산업분류표상의소분류에의한 ' 반도체및기타전자부품제조업 ( 분류번호 : 321)' 에하 며, 반도체부문의매출액이총매출액의 90% 를초과하므로반도체부문으로기재함. (2) 시장점유율등 구 분 '12년 2분기 '11년 '10년 '09년 '08년 비고 DRAM 25.% 22.8% 21.8% 22.9% 19.2% IDC 매출액 낸드플래시 11.% 11.7% 9.5% 8.% 12.6% 기준 (3) 시장경쟁요소및회사의경쟁력 ( 가 ) 메모리반도체사업 [DRAM] 컴퓨팅메모리 (Computing Memory) 사업의경우범용적인특성이강한데스크탑 (Desktop) 용제품비중은점차낮아지고있으며, 가격이높고품질의신뢰성이바탕이되어야하는고용량 (High Density) 서버용제품비중과이동성확대에따른노트북 (Notebook) 용제품의비중이확대되고있습니다. 태국의홍수사태와글로벌경제위기로 2011년 PC시장은 2% 성장하였으며, 2012년은지속적인경제불확실성및수요모멘텀부재로작년과유사한수준에머물것으로예상됩니다. 2012년 3분기 PC 출하량은거시경제악화에의한소비심리위축과스마트폰및태블릿PC로의수요전환에따라전년동기대비 8.6% 감소하였습니다 ( 출처 : IDC). 서버의경우최근스마트기기와 SNS 등의등장으로인한 IT 자원의증가에따라고용량서버수요가지속증가 dart.fss.or.kr Page 25

27 하고있습니다. 새로운기술트렌드인빅데이터 (Big Data) 처리와클라우드컴퓨팅 (Cloud Computing) 서비스제공을위한데이터센터 (Data Center) 의수요역시빠르게성장하고있습니다. 이에당사는다양한고용량, 저전력서버용모듈제품군을갖추고인텔및 AMD의서버어플리케이션 (Server Application) 등에적합한고성능서버메모리시장을선도하고있습니다. 그래픽메모리 (Graphics Memory) 는동영상및 3D 그래픽기술의발전과함께꾸준한성장세를보이고있습니다. 당사는주요그래픽칩셋업체들과의전략적관계강화를통하여데스크탑, 노트북용등 PC 그래픽및기존게임외에의료, 교육, 네트워크커뮤니케이션등분야로활용영역을넓히고있는차세대게임콘솔분야에서도주도적인위치를공고히하고있습니다. 컨수머메모리 (Consumer Memory) 시장은디지털TV, 디지털셋톱박스 (Set-top Box), 블루레이플레이어 (Blu-ray player) 등의디지털영상가전제품과프린터등 PC주변기기및자동차용네비게이션제품등에다양하게사용됩니다. 또당사는클라우드컴퓨팅확대에따른네트워크인프라장비에맞는고용량, 고속의첨단컨수머메모리를개발하여경쟁력있는제품을시장에공급하고있으며, 고온및저온에도견딜수있는극한환경에특성화된 IT(Industrial Temperature) 와 AT(Automotive Temperature) 제품을개발, 공급하는등고객의다양한요구에적극적으로대응하고있습니다. 모바일메모리 (Mobile Memory) 는스마트폰, 태블릿 PC, 휴대전화, 디지털카메라, MP3 플레이어등의다양한수요처가있으며라이프스타일변화에따른 IT 수요증가와정보통신융합 (Convergence) 의가속화로현재가장성장성이높은제품입니다. 이중에서도대용량메모리를필요로하는스마트폰및태블릿 PC의보급확대는향후에도모바일메모리제품의수요를강하게견인할것으로예상됩니다. [ 낸드플래시 (NAND Flash)] 낸드플래시는데이터저장용도로쓰이는대표적인메모리반도체로서, 빠른테크놀로지의진화로매년높은성장률을기록하였습니다. 낸드플래시시장이이렇게성장을지속하는이유는최첨단 IT기기및다양한소비자가전에서낸드플래시채용률이지속적으로높아지고있기때문입니다. 과거에는플래시카드, USB 드라이브, MP3 플레이어, PMP 등이낸드플래시메모리의주요수요처였으나, 최근에는스마트폰, 태블릿 PC 등의모바일분야에서멀티미디어기능의확대로낸드플래시메모리에대한수요가급증하고있습니다. 또한스마트TV, 스마트카등의신개념도입으로인하여과거에저용량의낸드플래시메모리만사용했던이들시장에서도고용량낸드플래시메모리에대한수요가증가하고있는상황입니다. 최근에는 SSD와같은낸드플래시를기반으로한다양한형태의 PC Storage Solution이노트북은물론이고서버시장에서도주요제품군으로자리잡고있어, 향후낸드플래시메모리시장의지속적인성장을견인할것으로것으로전망되고있습니다. 이와같은낸드플래시시장에서당사는저용량부터고용량까지다양한단품및응용복합제품을기반으로고객의수요에보다적극적으로대응하고있으며, 개발및양산측면에서도응용분야별선택과집중을통하여낸드플래시경쟁력을확보하고시장지배력을높여가고있습니다. 또한적극적인연구개발투자및제휴사와의기술협력을통해선두업체와의기술격차를단축해나가고있습니다. 특히, 2012년 1분기에 20나노급 6Gb 제품개발을완료하여올해 2분기부터본격적인양산에돌입하였으며, 향후에도지속적으로미세공정전환에집중할계획입니다. ( 나 ) 비메모리반도체사업 회사는지난 2007 년 11 월, 제품포트폴리오를더욱다양화하고, 기존메모리사업역량을활용하여안정적인 dart.fss.or.kr Page 26

28 수익성과높은투자효율성이기대되는 CIS 사업에재진출하였습니다. [CIS (CMOS Image Sensor)] CIS는휴대전화, 디지털카메라, 노트북, 태블릿 PC, 웹캠등디지털기기에서촬영필름역할을하는반도체소자이며, 2011~2016년까지약 1% 의연평균성장률이예상되는시장입니다. ( 출처 : Techno-Systems Research, 출하량기준 ) 현재는휴대전화에가장많이쓰이고있으나주변회로가필요없고전력소모가적은장점과함께최근기술의발전으로화질이크게향상되면서의료기기, DSLR 및캠코더, 자동차, 보안장비, 게임기, 가전제품등으로응용범위가급속히확대되고있습니다. 또한최근 3G 통신용휴대전화에사진촬영과화상통화를위해두개의이미지센서가장착되고있으며, 이러한경향은태블릿PC에도반영되어기기당이미지센서탑재비율역시늘어나는추세입니다. 현재당사의 CIS는센서중가장많은수량비중을점유하고있는휴대전화응용시장과이와유사한센서특징을요구하고있는노트북시장, 그리고최근급속한성장세를보이고있는태블릿 PC와 Toy 시장에집중하고있으며, 유사응용시장으로의전개를통해신규시장및지역, 고객을발굴하여사업의안정성강화와수익성을개선하고있습니다. 또한새로운시장및고객창출을위해새로운 IP개발과신기술확보를통해기술및가격경쟁력을보유한제품개발에박차를가하고있습니다. 당사는국내와중국, 대만지역뿐만아니라 2012 년에는한층강화된사업역량을바탕으로미구주지역의고객 확대와어플리케이션다양화로 CIS 시장에서의입지를확대해나갈계획입니다. () 조직도 ( 제출일기준 ) dart.fss.or.kr Page 27

29 다. 사업부문별재무정보 당사는반도체제조업부문의매출액과자산총액이전체부문의 90% 를초과하는지배적단일사업부 문으로서부문별기재를생략합니다. 2. 주요제품, 서비스등 가. 주요제품등의현황 ( 단위 : 백만원 ) 사업부문매출유형품목구체적용도주요상표등매출액 ( 비율 ) 반도체부문제품외 DRAM, 낸드플 래시, MCP 등 산업용전자기기 SK 하이닉스 7,3,823(100%) 합계 7,3,823(100%) 나. 주요제품등의가격변동추이 ( 단위 : USD) 품목 제65기 3분기 제6기연간 제63기연간 DRAM(COMPONENT) DRAM(MODULE) 낸드플래시 (COMPONENT) (1) 산출기준 : 시장판매가기준 ( 용량 (Density) 별제품군의단순평균가격 ) 상기자료는 Density 변화를감안하지아니한 ( 기준 Density에대한환산수량미적용 ) 단순평균공급가격임. (2) 주요가격변동원인 제품의고급화및시장상황 ( 수출 ) 에따른판가변동등 3. 주요원재료에관한사항 당사의메모리반도체부문생산공정에투입되는원재료는크게웨이퍼 (Wafer), 리드프레임 (Lead Frame) 및섭스트레이트 (Substrate), PCB(Printed Circuit Board) 그리고기타재료등으로구성됩니 다. 웨이퍼는집적회로 (Integrated Circuit, IC) 를제작하기위해반도체물질의단결정을성장시킨기둥 모양의규소 (Ingot) 를얇게절단하여원판모양으로만든것으로서반도체소자를만드는데사용되 는핵심재료입니다. dart.fss.or.kr Page 28

30 리드프레임은반도체 IC 를구성하는또다른주요요소이며반도체칩과 PCB 기판간의전기신호를 전달하면서외부의습기, 충격등으로부터칩을보호하고지지해주는골격역할을하는부품입니다. 섭스트레이트는리드프레임과같은기능을하지만전기신호를전달하는역할을하는다리를기존의 금속다리가아닌공 (Ball) 모양의연결부분을이용한부품입니다. PCB 는그위에저항, 콘덴서, 코일, 트랜지스터, 집적회로, 대규모집접회로 (Large-Scale Integration), 스위치등의부품을장치하고납땜하여회로기능을완성시키는인쇄배선판입니다. 그 외가스및화학약품등이반도체제조공정에투입되는원재료로소요됩니다. 가. 주요원재료등의현황 ( 단위 : 백만원, %) 사업부문 매입유형 품목 구체적용도 투입액 비율 비고 반도체부문 원재료 Wafer F a b 1,131, Lead Frame P K G 163, PCB M O D 116,081 - 기타 818, 소계 2,228, 저장품 S/P, 부재료 727, 합계 2,956, 나. 주요원재료의매입처및원재료공급시장과공급의안정성 당사는일본의 2개사, 독일의 1개사, 한국 2개사로부터반도체공정의주요원자재인 300mm 웨이퍼완제품을수입하고있습니다. 당사는당사와거래하는매입처등과일상적인영업활동이외의특수한관계를갖고있지않습니다. 당사가거래하고있는상기 5개사는전체 300mm 웨이퍼시장의 100% 를차지하고있습니다. 웨이퍼는그원재료가되는폴리실리콘의수급동향에따라 300mm 웨이퍼완제품가격이큰영향을받습니다. 특히, 폴리실리콘은웨이퍼이외에도태양전지 (Solar Cell) 의원료로도사용되기때문에태양전지의수요에따라폴리실리콘의일시적부족현상이발생하면웨이퍼의공급에영향을줄수있습니다. 따라서, 당사는주요원재료인웨이퍼의원활한확보를위해유가및폴리실리콘시장의가격동향은물론, 동일한원재료를사용하는태양전지수급동향을지속적으로모니터링하고있습니다.. 생산및설비에관한사항 가. 생산능력및생산능력의산출근거 dart.fss.or.kr Page 29

31 당사는국내사업장기준 조 3 교대로운영되고있으며, 휴일 ( 공휴일포함 ) 을포함하여 2012 년 3 분기 총가동일은 27 일로, 각지역별팹 (Fab) 의가동인원및수율을고려하여계산한당사의평균가동시 간은월 11,960,283 시간입니다. 생산능력은 " 분기내최대생산월의생산량 ⅹ 누적개월수 ⅹ 평균원가 " 의방법으로산출하고있으 며, 2012 년 3 분기생산능력은 7,313,16 백만원입니다 (1) 생산능력 ( 단위 : 백만원 ) 사업부문 제65기 3분기 제6기연간 제63기연간 반도체부문 7,313,16 11,773,10 9,09,076 한국채택국제회계기준에따라작성되었습니다. 나. 생산실적및가동률 당사의 2012 년 3 분기생산실적은전년도동기대비 5% 감소한 7,313,16 백만원으로집계되었으 며, 동기간생산설비의평균가동률은 100% 를유지하였습니다. (1) 생산실적 ( 단위 : 백만원 ) 사업부문 제65기 3분기 제6기연간 제63기연간 반도체부문 7,313,16 10,1,567 8,328,023 한국채택국제회계기준에따라작성되었습니다. (2) 가동률 ( 단위 : 시간, %) 사업부문 분기가동가능시간 분기실제가동시간 평균가동률 반도체부문 107,62,5 107,62,5 100% 가동률은각지역별팹 (Fab) 의가동인원및수율을고려하여계산함. 다. 생산설비의현황 ( 단위 : 백만원 ) 구분토지건물구축물기계장치차량운반구기타의유형자산건설중인자산합계 dart.fss.or.kr Page 30

32 취득원가 62,586 1,670,585 87,26 26,297,598 2, ,529,973 29,98,60 감가상각누계액 - (22,188) (270,826) (17,522,850) (2,5) (60,559) - (18,678,877) 손상차손누계액 - (23,877) (30,639) (30,580) - (2,867) - (397,96) 정부보조금 (8,56) (8,56) 기초순장부금액 62,586 1,22, ,961 8,25, ,103,973 10,899,308 기중변동액 취득 , ,112 3,600,696 3,631,067 종속기업의취득 , ,906 처분 - (16) (620) (2,09) (12) (237) (8,315) (33,295) 감가상각 - (36,895) (1,872) (2,207,909) (138) (5,3) - (2,305,158) 대체 - 115,860 15,891 3,321, ,233 (3,520,097) (11) 환율변동등 (362) (6,97) (2,775) (72,209) (6) (70) (63) (82,782) 분기말순장부금액 62,562 1,297,62 183,688 9,71, , ,79 12,112, 취득원가 62,562 1,778,2 85,533 29,072,821 2, , ,79 32,975,10 감가상각누계액 - (56,92) (281,891) (19,297,686) - (7,323) - (20,510,823) 손상차손누계액 - (23,877) (19,955) (295,82) (2,190) (2,88) - (3,352) 정부보조금 (7,89) (7,89) 분기말순장부금액 62,562 1,297, ,688 9,71, , ,79 12,112,035 라. 투자계획 당사의 2012 년입고기준투자금액은해외현지생산법인을포함하여약.2 조원을계획하고있습니 다. 아울러동투자금액은환율변동, 시장상황및경영환경변화에따라변경될수있습니다. [ 관련공시 : 2012 년 2 월 2 일자수시공시의무관련사항 ( 공정공시 )] 한편, 2012 년 3 분반기당사의입고기준투자집행실적은다음과같습니다. [ 입고기준 ] ( 단위 : 십억원 ) 구분투자대상자산투자효과투자기간 총투자 액 ( 계획 ) 기투자액 ( 제 65 기 3 분기 ) 향후 투자액 비고 보완투자기계장치외생산능력증 가 ~ ,2 3, 합계,2 3, dart.fss.or.kr Page 31

33 5. 매출에관한사항 가. 매출실적 ( 단위 : 백만원 ) 사업부문매출유형품목제 65 기 3 분기제 6 기제 63 기 반도체부문제품외 DRAM, 낸드플래시, MCP 등 7,3,823 10,395,811 12,106,090 매출실적은연결기준입니다. 합계 7,3,823 10,395,811 12,106,090 한국채택국제회계기준에따라작성되었습니다. 나. 판매경로및판매방법등 (1) 판매조직 국내에서는마케팅본부내국내영업팀관할하에대리점 6개사를운영하고있습니다. 해외판매법인은미국, 독일, 영국, 일본, 싱가포르, 인도, 대만, 중국등총 8개국가에 10개법인이소재하고있으며산하에 19개지사및 1개대리점을두고있습니다. (2) 판매경로 당사의판매경로는크게직판거래와대리점거래로나눌수있습니다. 직판거래는당사에서일반 기업체등실수요자에게직접판매를하는것이고, 대리점거래는당사가대리점을통해서일반기 업체등의실수요자에게판매하는것입니다. (3) 판매방법및조건 내수판매는국내대리점등의수주현황에의거하여현금또는어음결제조건으로거래하고있으며, 수출은 MASTER L/C 및 LOCAL L/C 에의거하여신용장또는 D/A, D/P 조건등으로거래하고있습 니다. () 판매전략 당사판매전략은 ' 비즈니스포트폴리오최적화 ', ' 수익구조개선 ', ' 고객관계유지 ', ' 지역별포지셔 닝유지 ' 등 가지를근간으로하고있습니다. 비즈니스안정성을위해서포트폴리오의최적화를추진하고있으며서버, 그래픽, 모바일, 컨수머등 응용분야의매출확대를위해제품구성을다양화하고있습니다. 수익구조개선을위해서고부가가치제품판매를확대하고시장통찰능력을강화하여미래시장발 dart.fss.or.kr Page 32

34 굴을추진하고있습니다. 고객관계유지를위해서고객가치제안활동을강화하고특화된제품을제공하여고객만족제고를추진하고있습니다. 지역별특성을고려하여차별화된제품전략으로지역별전략고객매출확대를추진하고있습니다. (5) 주요매출처 DRAM 의경우, DELL, HP 등세계유수의 PC 및서버등 PC 관련전자업체에제품을공급하고있 습니다. 낸드플래시는 IT 컨수머제품전체에걸쳐그수요처가다양하기때문에, Apple 등세계적인 PC 및 스마트폰제조업체, 메모리모듈업체, 그리고휴대용저장장치와메모리카드생산업체등을고객 으로확보하고있습니다. 6. 수주상황 당사는주요고객사들과월별상호합의에따른공급물량및가격을결정하고있으며, 장기공급계 약에따른수주현황은없습니다. 7. 시장위험과위험관리 가. 주요시장위험요소 당사는외화표시자산및부채의환율변동에의한리스크를최소화하여재무구조의건전성및경영안정성제고를목표로환리스크관리에만전을기하고있습니다. 특히당사는영업측면에서매출의 90% 이상이 US$ 로연동되어 US$ 수입이지출보다많은현금흐름을가지고있으므로수입에서지출을차감한잔존외화현금흐름이환리스크관리의주대상입니다. 나. 회사의위험관리정책 당사는보다체계적이고효율적인환리스크관리를위하여환위험관리규정을제정하고외환관리위 원회구성및환리스크관리를위한별도의전담인원을배정하여운영하고있습니다. (1) 위험관리의일반적전략 [ 위험관리규정 ] 당사는환리스크관리를위한외환거래에있어환관리시행규칙을명문화하여엄격히시행하고있으며, 그주요내용은 1외환거래는환리스크를회피하고안정적경영수익을확보하기위해실행되어야하며, 2실수요와공급에의한거래를원칙으로하고 3환위험관리의정책은자연적헤지 (Natural Hedge) 를기본으로하되필요시선물환등외부적관리기법을일부시행하고, 회사의환위험관리는주관부서에서집중하여관리하며, 주관부서는환포지션을파악하여환위험관리위원회 dart.fss.or.kr Page 33

35 가설정한지침에따라관리하고있습니다. [ 파생상품계약운용 ] 당사는파생상품계약을환위험헤지목적으로운용하고있습니다. (2) 위험관리조직및운영현황 당사는외환관리에관한의사결정기구로서외환관리위원회를설치 운영하고있으며, 외환관리위원회의주요업무는다음과같습니다. 1 외환관리정책, 전략심의및의결 2 외환관리규정의제정및개정 3 환관리목표와허용손실한도의설정 환위험헤지범위및헤지비율, 관리수단등의조정 5 환포지션, 환율변동영향, 환율전망등환관련정보의공유 다. 위험관리관련추진사항 당사는종합적외화자산부채관리의일환으로영업상의환율변동영향을축소하기위해파생상품거래를체결하고있습니다. 파생상품거래를매매목적의거래로분류하여회계처리하고있으며, 발생된손익은기업회계기준에따라당기손익으로인식하였습니다. 파생상품의공정가액은거래은행이제공한평가내역을이용하였습니다. 8. 파생상품거래현황 연결회사는이자및원금스왑, 선물환매도계약, 이자율스왑, 통화옵션계약등을통하여환율변동위 험, 현금흐름이자율위험등을관리하고있습니다. 또한내재파생상품인해외전환사채에내재되어 있는전환권옵션을분리하여공정가치로평가하여당기손익으로인식하고있습니다. 보고기간종료일현재기타금융자산으로계상되어있는파생금융자산은 78 만원 ( 전기말 :3,11 백만 원 ) 이며기타금융부채로계상되어있는파생금융부채는 11,087 백만원 ( 전기말 : 6,7 백만원 ) 입니 다. 당분기에파생상품거래와관련하여인식한평가이익및거래이익은,7 백만원 ( 전분기 : 39,870 백 만원 ) 이며평가손실및거래손실은 11,21 백만원 ( 전분기 : 31,160 백만원 ) 입니다. 9. 경영상의주요계약등 계약상대방항목내용비고 Link_A_Media Devices Corp. 계약유형 미국 NAND 컨트롤러업체인 LAMD 社인수 계약기간 2012 년 6 월 19 일 ~ DA 체결일 dart.fss.or.kr Page 3

36 목적및내용 기타주요내용 LAMD 의컨트롤러기술과전문인력확보로 고부가가치 NAND 솔루션역량확충 컨트롤러공동개발진행및컨트롤러기술리더쉽확보 IBM Corp. 계약유형공동개발계약및기술라이선스계약 계약기간 2012 년 5 월 31 일 ~ 목적및내용 기타주요내용 기업용서버의성능향상및전력소비완화를위한차세대메모리인 PCRAM의조기상용화 PCRAM 공동개발진행 IBM 社의 PCRAM 기반기술영구라이선스확보 Italy 기술센터계약유형지분인수및서비스계약 계약기간 2012 년 월 10 일 ~ 목적및내용 기타주요내용 Global R&D 체계구축및 R&D 역량강화를목적으로 Italy 에위치한 NAND 기술센터인수및서비스계약체결 NAND Flash 공동개발진행 Toshiba Corp. 계약유형공동개발계약및라이선스연장 계약기간 2011 년 7 월 13 일 ~ 목적및내용 기타주요내용 차세대메모리의조기상용화및시장진입기반구축개발비용절감및투자효율성제고 STT-MRAM 공동개발진행공동개발성공시합작회사를설립하여 STT-MRAM 공동생산 무석산업발전집단 유한공사 계약유형 공동투자를통한반도체후공정전문합작회사설립계약 계약기간 2009 년 5 월 17 일 ~ 목적및내용 중국내일괄생산체제구축을통한제조및물류효율성증 대와원가경쟁력강화, 안정적외주처확보 기타주요내용양사의협의로합작법인을후공정전문회사로장기육성, ' 합작사는향후 5 년간하이닉스에후공정장기외주임가 공제공및장비운용 / 교육을위한인력파견 C&S Technology Ltd. 계약유형 공동개발및파운드리공급계약 계약기간 2008 년 7 월 1 일 ~ SiliconFile Technologies Inc. 목적및내용 기타주요내용 계약유형 설계및파운드리전략제휴를통한시스템반도체분야사업경쟁력확보자동차용반도체공동개발, 씨엔에스社에자사파운드리제공, 씨엔에스社는당사에디자인서비스제공, 씨엔에스社의일정지분취득기존파운드리계약범위확대및경영권인수를위한주식매매계약 계약기간 2008 년 7 월 21 일 ~ 본계약체결일 목적및내용 경영권인수를통해기존의단기적, 상호경쟁력 협력모델을중장기적, 상호보완적협력모델로전환 dart.fss.or.kr Page 35

37 기타주요내용 2007년 11월 13일의기존 CMOS 이미지센서분야기술공동개발, 판권허여및파운드리협력계약의제품계약범위확대및실리콘화일社지분 30% 확보로최대주주로서경영에참여 Phison Electronics Corp. 계약유형 제품공급및공동개발계약 계약기간 2008년 6월 18일 ~ 목적및내용 제품공급및낸드플래시응용기기기술확보로 사업경쟁력강화 기타주요내용 파이슨社에당사의낸드플래시제품공급, 파이슨社와낸 드플래시응용제품공동개발파이슨社의일정지분취득 Grandis Inc. 계약유형공정기술라이선스계약 계약기간 목적및내용 기타주요내용 2008 년 3 월 10 일 ~ 2023 년 3 월 10 일 STT-RAM 기술확보및차세대메모리역량강화 STT-RAM 기술및라이선스확보 Fidelix Co., Ltd. 계약유형설계용역, 파운드리공급및판권허여계약 계약기간 목적및내용 기타주요내용 2008년 3월 19일 ~ 2013년 3월 18일 200mm 팹 (Fab) 활용성및수익성강화와다양한제품설계기술확보피델릭스社는당사에설계용역제공, 당사의파운드리서비스를피델릭스측에제공, 동생산제품의판권허여, 피델릭스지분취득권리확보 SiliconFile Technologies Inc. 계약유형 공동연구개발, 판권허여및파운드리공급계약 계약기간 2007 년 11 월 13 일 ~ 목적및내용 기타주요내용 CMOS 이미지센서기술협력및안정적인조기 CIS시장진입기회확보실리콘화일社의휴대폰용 CMOS 제품판권을당사에허여하였으며, 향후제품공동개발, 당사의파운드리서비스를실리콘화일社에제공 Ovonyx Inc. 계약유형공정기술라이선스및기술도입 계약기간 목적및내용 기타주요내용 2007년 10월 1일 ~2027년 10월 1일 PRAM 기술확보및차세대메모리개발역량강화 PRAM 기술이구현된메모리제품을생산 / 판매할수있는비독점적, 비양도성라이선스를당사에허여 Innovative Silicon Inc. 계약유형 공정기술라이선스및기술도입 계약기간 2007 년 7 월 16 일 ~ 목적및내용 기타주요내용 ZRAM 기술확보및미래기술역량강화 ZRAM Memory Macro 개발, 생산, 판매에필요한 ZRAM 기술라이선스허여및 ZRAM 공동연구개발 dart.fss.or.kr Page 36

38 10. 연구개발활동 가. 연구개발담당조직 당사는보고서제출일현재, 연구소및 DRAM 개발본부, Flash 개발본부, Mobile 개발본부에서연구개 발활동에주력하고있습니다. 나. 연구개발비용 ( 단위 : 백만원 ) 과 목 제65기 3분기 제6기 제63기 비고 원재료비 31,310 2,991 33,92 - 인 건 비 28,100 26, ,800 - 감가상각비 99, ,967 15,370 - 위탁용역비 27,961 33,191 31,57 - 기 타 282, ,79 278,12 - 연구개발비용계 689, , ,261 - 회계처리 판매비와관리비 597, , ,758 - 제조경비 개발비 ( 무형자산 ) 92,00 15, ,503 - 연구개발비 / 매출액비율 [ 연구개발비용계 당기매출액 100] 9.3% 8.0% 6.5% - 한국채택국제회계기준에따라작성되었습니다. dart.fss.or.kr Page 37

39 다. 연구개발실적 구분연구과제명기대효과 제 65 기 3 분기 1) 6Gb MLC NAND 2Y나노공정을적용한핵심제품으로써기존의고용량 2X나노 6Gb 제품대비생산성이 0% 이상향상되어원가경쟁력을확보하였으며, 최근크게수요가증가하고있는모바일향솔루션제품수익성향상에큰기여를할수있을것으로기대됨. 2) Gb LPDDR3 30나노급기술을적용한 LPDDR3 제품으로기양산중인 LPDDR2 제품대비고속및저전력동작이가능함. PC에채용되는 DDR3 제품의속도를구현할수있어저전력고속동작을요구하는고사양스마트폰및태블릿 PC에채용될예정임. 3) 1Gb DDR3(x16) 30나노급기술을적용한컨수머제품으로, 컨수머어플리케이션에서의 Long Term Supportability를확보하기위한제품임. 자사최초로 Array E-Fuse 기술이적용된제품으로향후모든 DRAM에적용가능한 Array E-Fuse 설계요소기술을확보하여상용화를달성하였으며, Cost Effective Test Baseline 구축가능효과가있을것으로기대됨. ) 2Gb DDR3 20나노급공정을적용한 DRAM 핵심제품으로기존 30나노급제품대비생산성이크게향상되어원가경쟁력을확보하였으며, 설계및소자기술의혁신으로저전력, 초고속특성이확보되어수익성향상에큰기여를할것으로기대됨. 5) 32Gb MLC NAND 20나노급공정을적용한 emmc향제품으로모바일기기의 Small PKG 대응을통해제품경쟁력을확보하여모바일향솔루션제품수익성향상에크게기여할수있을것으로기대됨. 6) 16Gb MLC NAND 20나노급공정을적용한저용량 emmc 및 USD향제품으로모바일기기의저용량제품대응을통해 20나노급제품포트폴리오를강화하여모바일향솔루션제품수익성향상에크게기여할수있을것으로기대됨. 7) Gb SLC NAND 30나노급 SLC 제품으로기존 0나노급제품대비생산성이크게향상되어 Mid/Lowend Smartphone향 MCP 제품경쟁력확보및모바일제품수익성향상에크게기여할수있을것으로기대됨. 8) /8/16/32GB e-nand (emmc.1) 20 나노급 NAND 를사용기존 20 나노급제품대비높은성능과원 가경재력을확보하여고성능대용량의스마트폰과태블릿 PC 등 의모바일시장에서수익성향상에크게기여할것으로기대됨. 9) 6/128/256GB STD2.5"SSD 20나노급 NAND를사용하여만든 SSD(SATA 6.0Gbps) 제품으로자사브랜드로는최초의사용화제품임. 최근급성장하는데스크탑, 노트북등의 SSD 시장에서고부가가치의 NAND 솔루션제품으로수익성향상에큰기여를할수있을것으로기대됨. 10) 32/6/128GB msata SSD 20나노급 NAND를사용한 msata 규격 (SATA 6.0Gbps) 의제품으로최근급성장하는울트라북 OEM향 SSD 시장에서제품경쟁력을확보하여수익성향상에크게기여할것으로기대됨. 11) 1G CDR(x512) 소니社의고객 System 개발과연계하여 Biz를이어나갈제품으로 dart.fss.or.kr Page 38

40 개발되었으며자사최초로 Multi-Channel Wide IO(x512) DRAM을개발하였고, 향후모바일플랫폼의주요기술인 Wide IO TSV기술개발에기여할것으로기대됨. 12) G DDR3 2012년까지주력제품이될 High Density 제품으로 30나노급에 이어원가및퍼포먼스측면에서경쟁력있는 20나노급을개발함 으로써수익성향상에기여할것으로기대되며, 특히온도에따라 대기전류를효율적으로제어하는기술을통해저전력시장요구에 부합하는제품으로향후경쟁력향상에기여할것으로기대됨. 13) 2GB e-nand(emmc.1) 20나노 Base Emmc.1 제품확보로 Low Density 제품라인업 에도경쟁력을확보함. 향후컨수머향 Low Density 제품에진입 기회를확보할수있음. 1) G LPDDR2 20나노급모바일 DRAM 기술을적용하여개발된제품으로최근 스마트폰시장에서수요가급증하고있어기존 30나노급제품대비수익성향상에기여할수있을것으로예상됨. 구분 연구과제명 기대효과 제 6 기 1) 2Gb DDR3 30나노급기술을적용한메인메모리제품으로서버, 데스크탑 PC, 노트북등에사용되는제품임. 당사최초로 6F2기술을적용하여상용화한제품으로기존 0나노급제품보다월등히생산성이높아지게되어경영실적에크게기여할것으로예상됨. 30나노급의기술플랫폼을구축하게되었으며향후개발될 30나노급파생제품의개발을선도할제품임. 2) 1Gb LPDDR 0나노급기술을적용한모바일메모리제품으로핸드폰, PMP, MID, 넷북, 게임콘솔등다양한모바일어플리케이션에대응가능한제품임. 특히 Small Package가가능하도록제작되어점차소형화되고있는모바일시장의시장점유율확대에기여할것으로예상됨. 3) 16Gb/32Gb/6Gb MLC enand 2X나노기술을적용한응용복합제품으로스마트폰, 태블릿PC 등의모바일시장에대응하기위하여개발된제품임. emmc. Spec 요건을만족하고있으며, 기존 30나노급기술대비 60% 이상의생산성향상으로인해수익성향상에크게기여할것으로예상됨. ) VGA 1.75um 130nm 1.75um 130나노기술을적용한 VGA 제품으로중국시장내가격경쟁력심화에대응하기위한제품으로기존제품대비생산성이 1% 증가하였으며중국시장에서 VGA 제품의가격이하락하는시점에서시장진입함으로써수익성유지를목적으로함. 5) 256Mb Combo Mobile 0나노급기술을적용한저사양모바일폰및데이터카드, 베이스밴드향의모바일메모리제품으로기존기술대비다이 (die) 수증가로인한원가경쟁력확보로수익성향상에기여할것으로예상됨. 6) Gb DDR3 당사최초의 30나노급 Gb 고용량제품으로 PC용메인메모리뿐만아니라그래픽, 컨수머시장에도대응이가능함. 32GB RDIMM과 6GB 수퍼노바 DIMM 개발을통해고용량모듈지원이가능하여수익성확보및유지에기여할것으로기대됨. dart.fss.or.kr Page 39

41 7) 2Gb DDR3(x16) 30나노급기술을적용한그래픽, 컨수머시장주력제품으로서 1GHz의빠른스피드특성을확보하여시장지배력유지에기여할것으로기대됨. 1.35V의저전압에서도 900MHz의속도를확보하여 Low Vdd 경쟁력도갖추었음. 8) 1M, 2.0um, 130nm 2.0um, HD format Pixel array를적용하여노트북시장을타켓으로개발한제품임. 노트북용카메라시장이베가에서1M HD 센서로급격히이동함에따라이에대응하기위한제품으로노트북시장점유율확대와안정적수익창출에기여할것으로예상됨. 9) 2Gb DDR5 30나노급기술을적용한그래픽시장주력제품으로저전력, 초고속, 고용량, 소형화가요구되는그래픽시장대응을위한제품임. 세계최고수준의속도구현및저전력, 고속동작지원으로기술의리더쉽을유지하는독보적인위치를확보하였음. PC와노트북그래픽카드및 HPC(High Performance Computing) 에최적화된제품임. 10) 512Mb LPDDR 0나노급기술을적용한저사양모바일폰및데이터카드, 베이스밴드향의모바일메모리제품으로기존 50나노급기술대비다이 (die) 수증가로인한원가경쟁력확보로수익성향상에기여할것으로예상됨. 11) Gb LPDDR2 30나노급 6F2 기술이적용된모바일제품으로고용량, 고속동작이가능한제품임. 초박형패키지로제작되어고사양스마트폰및태블릿 PC에채용될예정으로, 수익성증대에기여할것으로예상됨. 12) 2Gb LPDDR2 30나노급기술을적용한스마트폰시장주력제품으로서기존 800Mbps 동작대비향상된 1066Mbps 특성을확보하여고사양제품채용도가능하여수익성향상에기여할것으로예상됨. 13) 1Gb SLC NAND 30나노급기술을적용한 SLC 최초 bit ECC 지원제품으로모바일향으로개발되었으며, 매출및수익성향상에크게기여할것으로예상됨. LTE 등통신환경개선으로 Data card 시장성장예상과중국에서 512Mb~1Gb SLC 제품을채용하는 SOC가신규개발예정되어중화권모바일시장확대가전망됨. 1) 120GB msata SSD 20나노급기술을적용한 msata SSD 개발을통해자사최초로 SSD 시장진입을달성함. 모바일과함께 NAND 어플리케이션중가장가파른성장이예상되는 SSD 시장진입에성공함으로써매출및수익성향상에크게기여할것으로예상됨. 15) 2M MIPI, 1.75um, 130nm 기개발된 130nm 1.75um 2M 제품에 MIPI 시리얼인터페이스를추가한제품으로침셋업체의 MIPI 지원제품의본격적인출시와 Set 업체의 MIPI 지원에대한요구에대응하기위한제품임. 향후 MIPI 지원제품의수요가급격히증가할것으로예상되어매출확대에크게기여할것으로전망됨. 16) 3M, 1.um, 90nm 1.um 화소를적용한첫 90nm 코어제품으로향후 90nm 파생제품개발을통한제품라인업확대와모바일폰에서요구되는소형화추세에대응하기위한제품임. 낮은 1.2V 전압에서동작하여소비전력이낮은장점이있으며, 개발단계에서부터고객평가를 dart.fss.or.kr Page 0

42 통한요구사항을적극반영하여개발완료와동시에판매로이어 져매출확대가기대됨. 구분연구과제명기대효과 제 63 기 1) 512Mb Combo Mobile 50나노급기술을적용한모바일메모리제품으로모바일폰,PDA, 스마트폰, MP3플레이어, PMP, 네비게이션, DMB 등모바일기기대응을위한제품임. 저사양휴대폰에낸드 MCP가노어 MCP를대체하는추세에따라수요증대가예상되며, 저전력 DDR의원가경쟁력확보를통해수익성향상에기여할것으로기대됨. 2) 32Gb MLC Flash 30나노급기술을적용한핵심제품으로고용량어플리케이션및 PC Storage 시장에대응하기위한제품임. 기존기술대비 Net die 증가로인한가격경쟁력확보로수익성향상에기여할것으로기대됨. 3) Gb SLC Flash 0나노급기술을적용한파생제품으로모바일용 MCP 시장에대응하기위한제품임. 향후모바일분야에서 Gb 제품이주력제품으로예상됨에따라공정미세화를통한가격경쟁력확보및수익성향상에기여할것으로기대됨. ) VGA 2Sh WLCSP 2.25um 실리콘화일과공동개발한 2.25um 130나노기술을적용한기존의 VGA 2Sh CMOS 이미지센서제품으로수정작업이다른패키지제품보다용이하여빠른불량분석이가능하며중국및대만고객사의대응에적합한제품으로판매량과매출증대에기여할것으로기대됨. 5) 1.3M SoC 1.75um 실리콘화일과공동개발한 1.75um 130나노기술을적용한 CMOS 이미지센서제품으로써휴대전화용카메라는물론노트북과 PC 카메라에도사용이가능하며, 화질이우수하고크기가작아특히국내시장에서의판매량과매출이기대됨. 6) 2Gb GDDR5 0나노급기술을적용한그래픽스메모리제품으로고사양 PC와서버, 차세대게임콘솔대응을위한제품임. 1Gb GDDR5에이어 2Gb 제품의사용이증가할것으로예상되며, 고사양그래픽시장에서주력제품으로예상되는바시장선점및경쟁력확보에기여할것으로기대됨. 7) 2Gb Mobile DDR2 0나노급기술을적용한모바일메모리제품으로 MID(Mobile Internet Device), 스마트폰및고사양모바일 DDR2 시장요구에대응하기위한제품임. 스마트폰및 MID(Mobile Internet Device) 에서전반적인채용이증가할것으로예상됨에따라모바일시장매출에큰기여를할것으로기대됨. 8) 3M SoC 1.75um 130nm 실리콘화일과공동개발한 1.75um 130나노기술을적용한 CMOS 이미지센서제품으로써휴대전화용카메라는물론노트북과 PC 카메라에도사용이가능하며, 화질이우수하고크기가작아특히국내시장에서의매출이기대됨. 9) Slim VGA 2.25um 130nm 실리콘화일과공동개발한 2.25um 130나노기술이적용된기존의 VGA 2Sh CMOS 이미지센서를기반으로더욱소형화된제품을개발함. Net Die 향상및원가절감으로경쟁이치열한중국시장에특화된제품. 품질이뛰어나고객의선호도가높은제품으로판 dart.fss.or.kr Page 1

43 매량및수익성향상에기여를하고있음. 10) 3M SoC 1.75um 130nm 실리콘화일과공동개발한 1.75um 130나노기술을적용한 CMOS 이미지센서제품으로써 300만화소의고품질로이미지센서시장에서주력제품으로자리매김을할것으로예상함. 휴대전화용카메라는물론노트북에서도사용이가능하며국내시장에서매출이기대됨. 11) 2Gb Combo Mobile 0나노급기술을적용한모바일메모리제품으로기존모바일어플리케이션인핸드셋, PMP, 모바일인터넷기기, 넷북, 게임콘솔뿐만아니라다양한고객요구사양에대응하기위한제품임. 기존기술대비다이 (die) 수증가로원가경쟁력확보와모바일메모리제품의수요급증으로수익성향상에크게기여할것으로기대됨. 12) 512Mb DDR2 0나노급기술을적용한제품으로디지털티비, 셋톱박스, 네트워크의고사양제품에적용되는컨수머제품임. 13) 32Gb TLC NAND 하나의셀 (Cell) 당세개의 Bit 정보를저장할수있는제품으로기존 SLC, MLC 대비고용량, 저비용의실현이가능하여원가경쟁력및수익성향상에기여할것으로기대됨. 1) 16Gb MLC NAND 핵심제품의향상된성숙도와신뢰성조기확보로최단기간개발된제품으로, 이전기술공정제품을대체하여수익성향상이기대되며단품은물론 usd, enand까지다양한어플리케이션에적용할예정임. 15) 16Gb SLC HS NAND 자사최초로초고속사양을적용한제품으로기존제품보다대폭속도가향상되었음. Flash 시장의킬러어플리케이션으로기대되고있는 SSD를타겟으로개발된제품으로향후스토리지업체및자사 SSD 개발에큰기여를할것으로기대됨. 16) 6Gb MLC NAND 20나노급공정을적용한핵심제품으로써혁신적인기술개발을통해경쟁사와의기술격차를크게줄임. 기존 30나노급32Gb제품대비생산성이 60% 향상되어업계최고수준의원가경쟁력을확보할수있을것으로기대됨. 17) 2M 1.75um 130nm 실리콘화일과공동개발한 1.75um 130나노기술을적용한 200만화소 CMOS 이미지센서제품으로써중국이미지센서시장에특화된제품. 휴대전화용카메라제품으로중국시장의차세대주력제품으로매출및이윤향상에기여할것으로예상함. 18) 1Gb GDDR5 0나노급공정을적용한그래픽메모리제품으로고사양 PC 그래픽대응제품임. 이전기술공정대비다이 (die) 수증가및고사양급 PC 그래픽의주력제품으로서수익성향상이기대됨. 19) 1Gb Mobile DDR2 0나노급공정을적용한모바일메모리제품으로 Mid-Range 및고사양시장인 MID, 스마트폰에대응하기위한제품임. MID 및스마트폰의고사양화에따른저전력고속제품요구증가로 LPDDR2의채용이급격히확대될것으로전망됨에따라수익성향상에크게기여할것으로기대됨. 20) 32Gb MLC HS NAND 폭발적인성장세를보이고있는스마트폰, 태블릿 PC 등에채용되고있는 emmc향으로개발된제품임. 기존 30나노급공정대비크기는약 2% 작아지고다이 (die) 수는 30% 많아모바일분야의매 dart.fss.or.kr Page 2

44 출및수익성향상에크게기여할것으로기대됨. 11. 기타투자의사결정에필요한사항 가. 외부자금조달요약표 (1) 국내조달 ( 단위 : 백만원 ) 조달원천 기초잔액 신규조달 상환등감소 기말잔액 비고 은 행 2,051, ,386 1,062,519 1,716,91 ( 주1) 보험회사 종합금융회사 여신전문금융회사 상호저축은행 기타금융기관 32, , ,988 1,078,82 ( 주2) 금융기관합계 2,39,282 1,565,198 1,16,507 2,79,973 - 회사채 ( 공모 ) 1,60,71 200, ,172 1,50,569 ( 주3) 회사채 ( 사모 ) - 550, ,000 ( 주) 유상증자 ( 공모 ) 유상증자 ( 사모 ) - 2,32,550-2,32,550 ( 주5) 자산유동화 ( 공모 ) 자산유동화 ( 사모 ) 기 타 3,33,572 2,30-3,336,876 ( 주6) 자본시장합계,975,313 3,09,85 300,172 7,769,995 - 주주ㆍ임원ㆍ계열회사차입금 338,96-13,05 20,091 ( 주7) 기 타 총 계 7,708,092,660,052 1,599,08 10,769,059 - ( 참고 ) 당기중회사채총발행액 공모 : - 백만원 사모 : - 백만원 ( 주1) 입출금이빈번한당좌차월및 Banker's Usance는순증 ( 감 ) 액만을기재하였음. 당기중증가분은외화대출 US$595백만및원화대출 50,000백만이며감소분은 Term-loan US$300백만및일반외화대출 US$103백만, 일반원화대출 12,86백만임. ( 주2) 당분기중증가분은원화금융리스 126,65백만및외화금융리스 US$77백만, 기업어음 370,000백만, 정책금융공사 250,000백만이며감소분은외화금융리스상환금액 US$17백만및원화금융리스상환금액 1,390백만, 정책금융공사 75,000백만임. ( 주3) 당분기중감소분은원화사채상환금액 300,000백만및국내전환사채전환권행사분 172백 dart.fss.or.kr Page 3

45 만임. ( 주) 당기중증가분은사모사채 550,000백만임. ( 주5) 당기중증가분 년 2월 1일제3자배정유상증자 (101,850,000주*23,000원 = 2,32,550백만원 ) ( 주6) 상기기타항목의기초잔액은 CB, BW, 주식매수선택권권리행사내역등임. -. CB출자전환 : 3,006,32백만원, -. 국내CB전환권행사 : 309,666백만원, -. 국내BW권리행사 : 515백만원, -. 주식매수선택권행사 : 16,22백만원, -. 우리사주매수선택권행사 : 1,65백만원, -. 소 계 : 3,33,572백만원 기타항목의증가내역은다음과같음.( 당분기결산이후증가분제외 ) -. 국내CB 전환권행사 : 18백만원 (771주*23,328원, 2012년 1월 27일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 0백만원 (21주*23,328원, 2012년 2월 1일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 1백만원 (63주*23,328원, 2012년 2월 13일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 6백만원 (1,971주*23,328원, 2012년 2월 15일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 0백만원 (주*23,328원, 2012년 2월 23일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 10백만원 (28주*23,328원, 2012년 3월 15일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 5백만원 (23주*23,328원, 2012년 3월 29일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 10백만원 (28주*23,328원, 2012년 3월 30일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 70백만원 (3,000주*23,328원, 2012년 월 6일 ), -. 주식매수선택권행사 : 2,132백만원 (93,500주*22,800원, 2012년 5월 2일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 10백만원 (28주*23,328원, 2012년 5월 일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 0백만원 (21주*23,328원, 2012년 8월 20일 ), -. 소계 : 2,30백만원 ( 주7) 당기중감소분은관계사차입금 US$93백만임. 상기신규조달및상환등감소금액은환율변동으로인한외화평가분을포함함. (2) 해외조달 ( 단위 : 백만원 ) 조달원천 기초잔액 신규조달 상환등감소 기말잔액 비고 금융기관 908,289 16,009 2,08 612,250 ( 주8) 해외증권 ( 회사채 ) 1,19,73 115, , ,09 ( 주9) 해외증권 ( 주식등 ) 자산유동화 기 타 399,710-56,728 32,982 ( 주10) 총 계 2,502,72 261,389 1,097,535 1,666,326 - ( 주8) 당기중증가분은 SKHYCL 단기 US$130백만이며, 감소분은 SKHYCL Syndi Loan US$160백 만및단기 US$215백만임. ( 주9) 당기중증가분은외화사채 US$100백만이며, 감소분은외화사채 US$500백만임. ( 주10) SKHYCL Lian Xian 금융리스차입금임. dart.fss.or.kr Page

46 상기신규조달및상환등감소금액은환율변동으로인한외화평가분을포함함. 나. 최근 3 년간신용등급 [ 국내 ] 평가일 평가대상 유가증권등 평가대상유 가증권의 신용등급 평가회사 신용평가등 급범위 평가구분 회사채 ( 정기평가 ) BBB+ 한기평 AAA ~ D 정기평가 회사채 ( 정기평가 ) BBB+ NICE신평 AAA ~ D 정기평가 회사채 ( 정기평가 ) BBB+ 한신평 AAA ~ D 정기평가 회사채 (208) BBB+ 한기평 AAA ~ D 본평가 회사채 (208) BBB+ NICE신평 AAA ~ D 본평가 회사채 (208) BBB+ 한신평 AAA ~ D 본평가 회사채 ( 수시평가 ) BBB+ 한기평 AAA ~ D 수시평가 회사채 ( 정기평가 ) BBB+ NICE신평 AAA ~ D 정기평가 회사채 ( 정기평가 ) BBB+ 한기평 AAA ~ D 정기평가 회사채 ( 정기평가 ) BBB+ 한신평 AAA ~ D 정기평가 회사채 (209) BBB+ NICE신평 AAA ~ D 본평가 회사채 (209) BBB+ 한기평 AAA ~ D 본평가 회사채 (209) BBB+ 한신평 AAA ~ D 본평가 회사채 (210) BBB+ NICE신평 AAA ~ D 본평가 회사채 (210) BBB+ 한기평 AAA ~ D 본평가 회사채 (210) BBB+ 한신평 AAA ~ D 본평가 회사채 (211) A- NICE신평 AAA ~ D 본평가 회사채 (211) A- 한기평 AAA ~ D 본평가 회사채 (211) A- 한신평 AAA ~ D 본평가 회사채 ( 정기평가 ) A- NICE신평 AAA ~ D 정기평가 회사채 ( 정기평가 ) A- 한기평 AAA ~ D 정기평가 회사채 ( 정기평가 ) A- 한신평 AAA ~ D 정기평가 회사채 ( 수시평가 ) A- 한신평 AAA ~ D 수시평가 회사채 ( 수시평가 ) A- 한기평 AAA ~ D 수시평가 회사채 ( 수시평가 ) A NICE신평 AAA ~ D 수시평가 회사채 ( 수시평가 ) A 한기평 AAA ~ D 수시평가 회사채 ( 수시평가 ) A 한신평 AAA ~ D 수시평가 회사채 ( 정기평가 ) A NICE신평 AAA ~ D 정기평가 회사채 ( 정기평가 ) A 한기평 AAA ~ D 정기평가 회사채 ( 정기평가 ) A 한신평 AAA ~ D 정기평가 dart.fss.or.kr Page 5

47 회사채 (212) A 한신평 AAA ~ D 본평가 기업어음 ( 본평가 ) A2 NICE신평 A1~D 본평가 기업어음 ( 본평가 ) A2 한기평 A1~D 본평가 기업어음 ( 본평가 ) A2 한신평 A1~D 본평가 회사채 (213) A NICE신평 AAA ~ D 본평가 회사채 (213) A 한기평 AAA ~ D 본평가 회사채 (213) A 한신평 AAA ~ D 본평가 [ 해외 ] 평가일 평가대상 유가증권등 평가대상유 가증권의 신용등급 평가회사 신용평가등 급범위 평가구분 해외사채 B S & P AAA ~ D 수시평가 발행회사 B+ S & P AAA ~ D 수시평가 발행회사 B1 Moody's Aaa ~ C 수시평가 해외사채 B+ S & P AAA ~ D 수시평가 해외사채 BB- S & P AAA ~ D 수시평가 발행회사 Ba3 Moody's Aaa ~ C 수시평가 상기 S&P 및 Moody's의본점소재지는미국임. [ 참고 ] 국내신용평가사 ( 한신정평가, 한국기업평가, 한국신용평가 ) 등급정의 신용등급 등급의정의 AAA AA A BBB BB B CCC CC C D 원리금지급확실성이최고수준임원리금지급확실성이매우높지만, AAA등급에비하여다소낮은요소가있음원리금지급확실성이높지만, 장래의환경변화에따라다소영향을받을가능성이있음원리금지급확실성이있지만, 장래의환경변화에따라저하될가능성이내포되어있음원리금지급능력에당면문제는없으나, 장래의안정성면에서는투기적인요소가내포되어있음원리금지급능력이부족하여투기적임원리금의채무불이행이발생할위험요소가내포되어있음원리금의채무불이행이발생할가능성이높음원리금의채무불이행이발생할가능성이지극히높음현재채무불이행상태에있음 AA ~ B 등급까지는상대적우열에따라 "+" 또는 "-" 기호를부여함. dart.fss.or.kr Page 6

48 [ 참고 ] 국내신용평가사 ( 한신정평가, 한국기업평가, 한국신용평가 ) 기업어음의등급정의 신용등급 A1 A2 A2 B C D 등급의정의적기상환능력이최상이며, 상환능력의안정성또한최상임적기상환능력이우수하나, 그안정성은 A1에비해다소열위임적기상환능력이양호하며, 그안정성도양호하나 A2에비해열위임적기상환능력이적정시되나, 단기적여건변화에따라그안정성에투기적인요소가내포되어있음적기상환능력및안정성에투기적인요소가큼상환불능상태임 A2 ~ B 등급까지는상대적우열에따라 "+" 또는 "-" 기호를부여함. [ 참고 ] 해외신용평가사 Moody's 등급정의 신용등급 등급의정의 Aaa 최소한의신용리스크를보이며, 최고의신용상태를가진것으로판단됨. Aa 신용상태가우수한것으로판단되며신용리스크가매우낮음. A 중상위등급으로간주되며신용리스크가낮음. Baa 신용리스크가보통수준임. 이들은중위등급으로간주되며그에따라일부투기적특징 을가질수있음. Ba 투기적요소가있는것으로판단되며신용리스크가상당한수준임. B 투기적인것으로간주되며신용리스크가높음. Caa 신용상태가불량한것으로판단되며신용리스크가매우높음. Ca 투기성이매우높고부도상태이거나부도에매우근접해있을가능성이높으며원리금 회수가능성이어느정도있음. C 채권의최하등급. 일반적으로부도상태이고원리금회수가능성이거의. Aa 부터 Caa 까지각일반등급분류에 1,2,3 의숫자를부여함. 숫자 1 은등급분류내에서 상위에있음을, 숫자 2 는중위에, 숫자 3 은하위에있음을나타냄. [ 참고 ] 해외신용평가사 S&P 등급정의 신용등급 등급의정의 AAA 채무상환능력이극히높음. 최상등급임. AA 채무상환능력이매우높음, 상위등급과크게차이는없으나최고수준은아님. A 채무상환능력이높음, 상위등급의기업에비해서는경기침체와시장환경변화의영향을 받기쉬움. dart.fss.or.kr Page 7