분기보고서 ( 제 66 기 ) 사업연도 2013 년 01 월 01 일부터 2013 년 09 월 30 일까지 금융위원회한국거래소귀중 2013년 11월 14일 회 사 명 : 에스케이하이닉스주식회사 대표 이사 : 박성욱 본점소재지 : 경기도이천시부발읍경충대로 2091 ( 전

Transcription

1 목 분기보고서...1 대표이사등의확인...2 I. 회사의개요 회사의개요 회사의연혁 자본금변동사항 주식의총수등 의결권현황 배당에관한사항등...15 II. 사업의내용...17 III. 재무에관한사항...43 IV. 감사인의감사의견등...50 V. 이사의경영진단및분석의견...53 VI. 이사회등회사의기관및계열회사에관한사항 이사회에관한사항 감사제도에관한사항 주주의의결권행사에관한사항 계열회사등의현황...62 VII. 주주에관한사항...73 VIII. 임원및직원등에관한사항 임원및직원의현황 임원의보수등...83 IX. 이해관계자와의거래내용...86 X. 그밖에투자자보호를위하여필요한사항...88 XI. 재무제표등...95 XII. 부속명세서 전문가의확인 전문가의확인 전문가와의이해관계 차

2 분기보고서 ( 제 66 기 ) 사업연도 2013 년 01 월 01 일부터 2013 년 09 월 30 일까지 금융위원회한국거래소귀중 2013년 11월 14일 회 사 명 : 에스케이하이닉스주식회사 대표 이사 : 박성욱 본점소재지 : 경기도이천시부발읍경충대로 2091 ( 전화 ) ( 홈페이지 ) 작성책임자 : ( 직책 ) 재경실장 ( 성명 ) 이명영 ( 전화 ) ~8 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 1

3 대표이사등의확인 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 2

4 1. 회사의개요 I. 회사의개요 에스케이하이닉스는이천, 청주의국내사업장을비롯하여중국장쑤 ( 江蘇 ) 성우시 ( 無錫 ) 시에생산공장과 10개판매법인및 18개의국내외사무소를두고있는글로벌기업으로서지속적인연구개발및투자로기술및원가경쟁력을확보하고있으며, 세계반도체시장을선도하기위해노력하고있습니다. 당사의개요와관련한보다자세한내용은다음과같습니다. 가. 연결대상종속회사개황 ( 단위 : 백만원 ) 상호설립일주소주요사업 직전사업연 도말 자산총액 지배관계근거 주요종속 회사여부 에스케이하이이엔지 ( 주 ) 경기도이천시부발읍경충대로 2091 사업지원 47,917 에스케이하이스텍 ( 주 ) 경기도이천시부발읍경충대로 2091 사업지원 22,748 의결권과반수소유의결권과반수소유 X X SK hynix America Inc.(SKHYA) North First Street, San Jose, CA 95134, U.S.A. 반도체판매 867,351 의결권 과반수소유 Hynix Semiconductor Manufacturing America Inc.(HSMA) Willow Creek Circle, Eugene OR,97104, U.S.A. 반도체생산 52,500 의결권과반수소유 SK hynix Deutschland GmbH(SKHYD) Am Prime Parc 13, Kelsterbacher Str.16, D Raunheim, Germany 반도체판매 82,039 의결권과반수소유 SK hynix Europe Holding Ltd.(SKHYE) Brooklands Road, Weybridge, Surrey KT13 ORH, U.K. 해외현지 투자 지주회사 199,518 의결권 과반수소유 SK hynix U.K. Ltd.(SKHYU) Brooklands Road, Weybridge, Surrey KT13 ORH, U.K. 반도체판매 81,677 의결권과반수소유 SK hynix Asia Pte.Ltd.(SKHYS) Temasek Boulevard #42-02 Suntec City Tower1 Singapore 반도체판매 146,471 의결권과반수소유 Unit 10, Level 8, Innovator Building, SK hynix Semiconductor India PrivateLtd.(SKHYIS) ITPB(International Technology Park Bangalore), Whitefield Road, Bangalore 반도체판매 837 의결권과반수소유 X , India SK hynix Semiconductor Hong Kong Ltd.(SKHYH) Suite 2401, 24F., Central Plaza, 18 Harbour Road, Wanchai, Hong Kong 반도체판매 326,673 의결권과반수소유 SK hynix Semiconductor (Shanghai) Co.,Ltd.(SKHYCS) Room , Maxdo Center, No.8, Xing Yi RD, Changning Zone, Shanghai, China 반도체판매 54,294 의결권과반수소유 SK hynix Japan Inc.(SKHYJ) F SHIROYAMA TRUST TOWER, Toranomon, Minatoku, Tokyo 반도체판매 194,729 의결권 과반수소유 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 3

5 SK hynix Semiconductor Taiwan Inc.(SKHYT) F, No.392, Ruey Kuang Road, Neihu, Taipei11492, Taiwan, R.O.C. 반도체판매 276,666 의결권 과반수소유 SK hynix Semiconductor (China) Ltd.(SKHYCL) Lot K7, Wuxi Export Processing Zone in WuxiNew District, Wuxi, Jiangsu Province, China 웨이퍼생산및판매 3,234,346 의결권과반수소유 SK hynix Semiconductor (Wuxi) Ltd.(SKHYMC) Lot K7, Wuxi Export Processing Zone in WuxiNew District, Wuxi, Jiangsu Province, China 웨이퍼생산및판매 246,213 의결권과반수소유 SK hynix(wuxi) Semiconductor SalesLtd.(SKHYCW) Lot K7, Wuxi Export Processing Zone in WuxiNew District, Wuxi, Jiangsu Province, China 반도체판매 933 의결권 과반수소유 X SK hynix Italy S.r.l.(SKHYIT) V.le Colleoni 15, Palazzo Orione Agrate Brianza (MB), Italy 기술센타 3,240 의결권 과반수소유 X SK hynix memory solutions Inc.(SKHMS) Walsh Avenue, Suite 200, Santa Clara, CA 기술센타 7,373 의결권과반수소유 X SK hynix Flash Solution Taiwan(SKHYFST) F-1, No.6, Taiyuen 1st St. (Taiyuen Hi- Tech Industrial Park), Zhubei City, Hsinchu County 302, Taiwan 기술센타 - 의결권과반수소유 X SK APTECH Ltd.(SKAPTECH) Suite , 17/F, Central Plaza, 18 Harbour Road, Wanchai, Hong Kong 해외현지투자 지주회사 - 의결권 과반수소유 X SK hynix Semiconductor(Chongqing) Ltd.(SKHYCQL) , zongbao st., Shapingbaq, Choongching, China 웨이퍼 생산및판매 - 의결권 과반수소유 X 주요종속회사판단기준 : 직전사업연도말자산총액 500 억원이상 나. 회사의법적ㆍ상업적명칭 당사의명칭은에스케이하이닉스주식회사이며, 영문으로는 SK hynix Inc. 라고표기합니다. 단, 약 식으로표기할경우에는 SK 하이닉스또는 SK hynix 라고표기합니다. 다. 설립일자 당사는 1949년 10월국도건설주식회사로설립되어 1983년 2월현대전자산업주식회사로상호를변경하였으며, 이후 2001년 3월주식회사하이닉스반도체로, 2012년 3월에스케이하이닉스주식회사로상호를변경하였습니다. 회사가발행한주식은한국거래소에상장되어유가증권시장에서거래되고있으며, 종목코드는 '000660' 입니다. 라. 본사의주소, 전화번호, 홈페이지주소 주소 : 경기도이천시경충대로 2091 전화번호 : 홈페이지 : 마. 주요사업의내용 현재당사의주력생산제품은 DRAM, NAND Flash 및 MCP(Multi-chip Package) 와같은메모리반 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 4

6 도체제품이며, 2007 년부터는시스템 LSI 분야인 CIS(CMOS Image Sensor) 사업에재진출하여종 합반도체회사로그영역을넓혀가고있습니다. 당사정관에근거하여현재회사가영위하는목적사업은다음과같습니다. -. 반도체소자제조및판매 -. 반도체소자기타이와유사한부품을사용하여전자운동의특성을응용하는기계, 기구및이에사용되는부품과재료등의제작, 조립및판매 -. 컴퓨터활용을위한소프트웨어개발및임대업 -. 전자전기, 통신기계, 기구및그부품의제작, 판매, 임대및관련서비스업 -. 기계부분품제조업및금형제조업 -. 기술연구및용역수탁업 -. 전자전기기계, 기구의임대업 -. 특수통신 ( 위성통신등 ) 방송관련기기제작, 판매, 임대업및서비스업 -. 정보서비스업 -. 출판업 -. 무역업 -. 부동산매매및임대업 -. 발전업 -. 건설업 -. 전자관제조업 -. 창고업 -. 주차장업 -. 위성통신사업 -. 전기통신회선설비임대사업 -. 전자상거래및인터넷관련사업 -. 전기각호와관련되는사업및투자 사업부문별보다자세한사항은 Ⅱ. 사업의내용을참조하시기바랍니다. 바. 계열회사의총수, 주요계열회사의명칭및상장여부 (1) 기업집단의명칭 : SK 계열 (2) 기업집단에소속된회사 ( 일기준계열사 : 83 개사 ) 업종상장사비상장사 지주회사 (1) SK - SK E&S, SK 에너지, SK 종합화학, SK 루브리컨츠, 대한송유관공사, 에너지ㆍ화학 (34) SK이노베이션, SK케미칼, SKC, SK가스, 부산도시가스 SK모바일에너지, 충청에너지서비스, 영남에너지서비스, 이니츠 전북에너지서비스, 전남도시가스, 강원도시가스, 평택에너지서비스, 엔티스, SK유화, SKC에어가스, 코원에너지서비스, SK더블유, 유베이스매뉴팩처링아시아, 울산아로마틱스, 김천에너지, 피엠피, 위례에너지서비스, 하남에너지서비스, 지허브, SK인천석유화학, SK트레이딩인터내셔널, 보령LNG터미널, SK컨티넨탈이모션코리아 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 5

7 정보통신 / 전기전자 (22) 건설 / 물류 / 서비스 (21) SK텔레콤, 로엔엔터테인먼트, SK커뮤니케이션즈, SK브로드밴드, SK C&C, SK하이닉스, 실리콘화일, SKC솔믹스 SK네트웍스 SK플래닛, SK텔레시스, SK텔링크, 인포섹, 커머스플래닛, 텔레비전미디어코리아, 서비스에이스, 서비스탑, 네트웍오앤에스, SKC라이팅, 에이앤티에스, 엘씨앤씨, 비젠, 피에스앤마케팅 SK건설, SK해운, 행복나래, SK디앤디, 엠앤서비스, SK에스엠, 에프앤유신용정보, SK네트웍스서비스, 리얼베스트, SK핀크스, 내트럭, 앤츠개발, SK신텍, 스피드모터스, SK하이이엔지, 엠케이에스개런티 ( 유 ), SK임업, 대전맑은물, 광주맑은물, SK하이스텍 금융 (1) SK 증권 - 기타 (4) 유비케어 SK 바이오팜, SK 와이번스, 제주유나이티드 FC (*) 사명변경 : 울산아로마틱스 ( 舊아로케미 ), 행복나래 ( 舊엠알오코리아 ), 비젠 ( 舊텔스크 ), SK 하이스텍 ( 舊 하이스텍 ), SK 하이이엔지 ( 舊 하이닉스엔지니어링 ), 엔티스 ( 舊 SK 사이텍 ) 사. 신용평가에관한사항 본보고서제출일현재당사의신용등급은다음과같습니다. 구분평가기관현등급최종평가일 NICE 신용평가 A 국내 한국기업평가 A 한국신용평가 A 해외 Moody's Ba S&P BB 최근 3 개사업연도신용등급과관련한상세내역및각등급에따른정의는본보고서 'Ⅱ. 11. 나. 최근 3 년간신용등급 ' 을참고하여주시기바랍니다. 2. 회사의연혁 가. 설립이후의중요한변동상황 (1) 회사의주된변동내용 국도건설주식회사설립 현대전자산업주식회사로상호변경 기업공개및상장 대표이사김영환외이사 5인변경선임 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 6

8 이사 5인, 감사 1인변경선임 LG그룹과 LG반도체주식양수도계약체결 LG반도체대주주지분인수 현대반도체 ( 구, LG반도체 ) 흡수합병 박종섭대표이사외이사 1인, 감사위원 2인변경선임 전장사업부문 ( 주 ) 현대오토넷으로분사 모니터사업부문 " 현대이미지퀘스트 ( 주 )" 로분사 주식회사하이닉스반도체로상호변경 박상호대표이사선임외이사 2인, 감사위원 2인변경선임 통신단말기사업부문 " 현대큐리텔 " 로분사 통신 ADSL 사업부문 " 현대네트웍스 " 로분사 통신네트워크사업부문 " 현대시스콤 " 으로분사 현대그룹으로부터계열분리 채권금융기관공동관리시작 현대큐리텔, ' 팬텍컨소시엄 ' 에지분매각 현대시스콤, ' 쓰리알 ' 에지분매각 시러스로직社와파운드리전략적장기공급계약체결 박종섭대표이사사임 최대주주변경 ( 현대상선 ( 주 ) ( 주 ) 한국외환은행 ) 우의제대표이사선임외이사 2인, 감사위원 2인변경선임 현대네트웍스, ' 엠비엔 ' 에지분매각 박상호대표이사사임 STMicro 社와낸드플래시메모리공동개발및파운드리공급계약체결 환경 / 안전 / 보건기술연구소설립 매그나칩반도체유한회사와비메모리사업부문영업양도계약체결 중국장쑤 ( 江蘇 ) 성우시 ( 無錫 ) 시와중국현지공장설립협력계약체결 비메모리사업부문영업양도 STMicro 社와중국현지합작공장설립을위한협력계약체결 황학중, 김덕수, 민형욱, 이준호사외이사선임 박시룡, 장윤종사외이사임기만료퇴임 채권금융기관공동관리조기종료 현대이미지퀘스트 ( 주 ), ( 주 ) 빅터스캐피탈코리아에지분매각 ( 주 ) 현대오토넷지분매각완료 출자전환주식공동관리협의회 1차공동지분매각 ( 해외유통GDR발행및국내블록세일 ) 권오철이사, 손방길사외이사선임, 정형량이사임기만료퇴임 중국현지생산법인 (HSMC) 설립 출자전환주식공동관리협의회 2 차공동지분매각 ( 해외유통 GDR 발행및국내블록세일 ) 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 7

9 mm 연구소 (R3 R&D Fab) 개소 김종갑대표이사외이사 1 인신규선임, 사외이사 8 인 ( 감사위원회위원 4 인포함 ) 선 임 -. 이사선임 : 김종갑, 최진석 -. 사외이사선임 : 박종선, 김경한, 조동성, 김형준 -. 감사위원회위원이되는사외이사선임 : 황학중, 민형욱, 손방길, 손성호우의제대표이사임기만료퇴임이사 1인 ( 오춘식 ), 사외이사 4인 ( 김범만, 김수창, 이선, 이준호 ) 임기만료퇴임 청주신규 M11(300mm) 공장착공 공정거래자율준수프로그램도입 환경운동연합과 ' 환경경영검증위원회 ' 협약체결 ' 일하는이사회 ' 를위한신 ( 新 ) 이사회제도도입 김경한사외이사중도퇴임 사외이사 8인 ( 감사위원회위원 3인포함 ) 선임 -. 사외이사선임 : 박종선, 조동성, 김형준, 정홍원, 최장봉 -. 감사위원회위원이되는사외이사선임 : 손성호, 홍형표, 백경훈사외이사 3인 ( 황학중, 민형욱, 손방길 ) 임기만료퇴임 정홍원사외이사중도퇴임 권오철이사재선임외이사 1 인신규선임, 사외이사 8 인 ( 감사위원회위원 3 인포함 ) 선임 -. 이사선임 : 권오철, 박성욱 -. 사외이사선임 : 박종선, 조동성, 김형준, 최장봉, 한부환 -. 감사위원회위원이되는사외이사선임 : 손성호, 홍형표, 백경훈 중국후공정합작사 HITECH 설립 최대주주변경 (( 주 ) 한국외환은행 한국정책금융공사 ) 최대주주변경 ( 한국정책금융공사 미래에셋자산운용투자자문 ( 주 )) 권오철대표이사외이사 1인신규선임, 김종갑이사재선임사외이사 9인 ( 감사위원회위원 3인포함 ) 선임 -. 이사선임 : 김종갑, 권오철, 김민철 -. 사외이사선임 : 박종선, 전인백, 한부환, 최장봉, 정병태, 김형준 -. 감사위원회위원이되는사외이사선임 : 백갑종, 송재용, 김창호 중국후공정합작공장 HITECH 준공 최대주주변경 ( 미래에셋자산운용투자자문 ( 주 ) 한국정책금융공사 ) 최대주주변경 ( 한국정책금융공사 국민연금공단 ) 사외이사 9인 ( 감사위원회위원 3인포함 ) 선임 -. 사외이사선임 : 한부환, 전인백, 정병태, 이달곤, 김갑회, 정상환 -. 감사위원회위원이되는사외이사선임 : 백갑종, 송재용, 조현명 정상환사외이사중도퇴임 최대주주변경 ( 국민연금공단 에스케이텔레콤 ( 주 )) 사외이사 5인 ( 감사위원회위원 3인포함 ) 선임 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 8

10 -. 이사선임 : 최태원, 하성민, 박성욱 -. 사외이사선임 : 김두경, 박영준, 윤세리, 김대일, 이창양 -. 감사위원회위원이되는사외이사선임 : 김두경, 김대일, 이창양 낸드플래시개발업체아이디어플래시 (Ideaflash S.r.l.) 인수, 이탈리아기술센터 (SK Hynix Italy S.r.l.) 전환설립 미컨트롤러업체 LAMD(Link_A_Media Devices) 인수본계약체결 플래시솔루션디자인센터설립 김준호사내이사 1 인신규선임 (2) 주요종속회사의주된변동내용 미국현지법인 (HSA) 설립 독일현지법인 (HSD) 설립 싱가폴현지법인 (HSS) 설립 홍콩현지법인 (HSH) 설립 영국현지법인 (HSE) 설립 영국현지판매법인 (HSU) 설립 미국생산법인 (HSMA) 설립 대만현지법인 (HST) 설립 일본현지법인 (HSJ) 설립 사업지원서비스부문 "( 주 ) 현대아스텍 " 분사 LCD 사업부문 "( 주 ) 현대디스플레이테크놀로지 " 로분사 중국현지판매법인 (HSCS) 설립 " 에스알씨 ( 주 )" 분사 "( 주 ) 현대디스플레이테크놀로지 " TFT-LCD 사업부문매각 중국합작법인 (HSSL) 설립 에스알씨 ( 주 ) ( 주 ) 큐알티반도체사명변경 ( 주 ) 현대아스텍 ( 주 ) 아스텍사명변경 중국현지생산법인 (HSMC) 설립 중국현지생산법인 (HSMC) 준공 인도현지법인 (HSIS) 설립 ( 주 ) 아스텍에서 ( 주 ) 하이닉스인재개발원분할 ( 주 ) 아스텍에서 ( 주 ) 하이스텍으로분할 ( 주 ) 아스텍에서 ( 주 ) 하이로지텍으로분할 ( 주 ) 아스텍에서 ( 주 ) 하이닉스엔지니어링으로분할 ( 주 ) 하이닉스엔지니어링에서 ( 주 ) 아미파워로분할 중국현지판매법인 (HSCW) 설립 "( 주 ) 현대디스플레이테크놀로지 " 청산, 주요종속회사제외 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 9

11 " 프로모스엔에이치유한회사, 티와이프로주식회사, 외환은행특정금전신탁 " 청산, 주요종속회사제외 ( 주 ) 하이닉스엔지니어링, ( 주 ) 큐알티반도체흡수합병 ( 주 ) 하이스텍, ( 주 ) 하이로지텍 /( 주 ) 하이닉스인재개발원흡수합병 ( 주 ) 하이닉스엔지니어링 에스케이하이이엔지 ( 주 ) 사명변경 ( 주 ) 하이스텍 에스케이하이스텍 ( 주 ) 사명변경 나. 상호의변경 현대전자산업주식회사로상호변경 주식회사하이닉스반도체로상호변경 에스케이하이닉스주식회사로상호변경 다. 합병, 분할 ( 합병 ), 포괄적주식교환 이전, 중요한영업의양수 양도등 현대반도체 ( 구, LG 반도체 ) 흡수합병 비메모리사업부문영업양도 에스케이텔레콤, 하이닉스반도체지분인수계약 라. 생산설비의변동 중국장쑤 ( 江蘇 ) 성우시 ( 無錫 ) 시에 C2(300mm), C1(200mm) 공장준공 미국유진공장 E1(200mm) 가동중단 청주신규 NAND Flash 전용 M11공장 (300mm) 준공 이천 M7(200mm) 및청주 M9(200mm) 공장가동중단 중국 C1(200mm) 공장가동중단 중국후공정합작공장 HITECH 준공 청주신규 NAND Flash 전용 M12공장 (300mm) 준공 마. 경영활동과관련된중요한사실의발생 전력소모 30% 줄인서버용메모리모듈개발 대만프로모스社와전략적제휴를위한본계약체결 GB DDR2-667 노트북용모듈업계최초인텔社인증획득 당사출자전환주식공동관리협의회와 ' 특별약정 ' 체결 JEDEC 표준형 8GB DDR2 R-DIMM과 2GB DDR VLP R-DIMM 개발 Mb GDDR4 DRAM 개발 나노 512Mb DDR2 DRAM 인텔社인증획득 Mbps 512Mb 모바일 DRAM 개발 60나노급 1Gb DDR2 기반 1GB DDR2 800Mbps 모듈개발 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 10

12 ECC회로적용한 185Mbps 512Mb 모바일 DRAM 개발 퓨전메모리제품 DOC(Disk On Chip) H3 양산 나노 DDR3 1Gb DRAM 단품및모듈인텔社인증획득 초박형 (25μm) 20단낸드플래시 MCP(Multi-chip Package) 개발 Mbps 1Gb 모바일 DRAM 개발 이노베이티브실리콘社와신개념메모리 'ZRAM' 라이선스계약체결 초박형 (25μm) 24단낸드플래시 MCP(Multi-chip Package) 개발 오보닉스社와차세대메모리 'PRAM' 기술라이선스계약체결 Gb GDDR5 개발 50나노급 1Gb DDR2 DRAM 인텔社인증획득 실리콘화일社와 CMOS 이미지센서 (CIS) 사업추진을위한협력계약체결 나노급 1GB/2GB DDR2 모듈인텔社인증획득 피델릭스社와전략적제휴를위한협력계약체결 그란디스社와 'STT-RAM' 라이선스및공동개발계약체결 프로모스社와포괄적제휴협력계약체결 파이슨社와낸드플래시응용제품기술에대한사업협력계약체결 실리콘화일社지분취득결정및기존파운드리계약범위확대 3중셀 (X3) 기술기반 32Gb 낸드플래시개발 씨엔에스테크놀로지社와시스템반도체공동개발및파운드리협력계약체결 뉴모닉스社와낸드플래시기술및제품공동개발협력계약체결 16GB 서버용모듈개발 단적층낸드플래시개발 50나노급 2Gb 고용량모바일 DRAM 개발 DDR3 서버용모듈 4GB ECC UDIMM 인텔社인증획득 나노급 DDR3 DRAM 개발 뉴모닉스社및파이슨社와낸드플래시응용제품용컨트롤러 3자공동개발계약체결 중국장쑤 ( 江蘇 ) 성우시 ( 無錫 ) 시에무석산업발전집단유한공사와합작반도체후공정 전문회사설립을위한본계약체결 GB 1333Mbps 노트북용모듈외 10건인텔社 DDR3 전용플래폼인증획득 대만프로모스社와전략적제휴협력계약종결 나노급 4Gb 모바일 DRAM 인텔社인증획득 세대 1Gb DDR3 개발 나노급 2Gb GDDR5 개발 나노급 2Gb 모바일 DRAM 개발 나노급 64Gb 낸드플래시개발 휴렛팩커드 (HP) 社와 Re램공동개발계약체결 나노급 4Gb DDR3 개발 나노급 2Gb DDR4 개발 도시바社와 STT-MRAM 공동개발및합작사설립을위한공동생산계약체결 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 11

13 나노급 2Gb DDR3 저탄소제품인증획득 스팬션社와특허사용크로스라이선스및 SLC낸드플래시공급계약체결 IBM 社와 PC램공동개발및기술라이선스계약체결 나노급 64Gb 낸드플래시저탄소제품인증획득 나노급 4Gb 그래픽 DDR3 개발 나노급 8Gb LPDDR3 개발 램버스社와포괄적특허라이선스계약체결 삼성전자와반도체특허크로스라이선스계약체결 나노급 6Gb LPDDR3 개발 3. 자본금변동사항 가. 증자 ( 감자 ) 현황 ( 기준일 : 2013 년 09 월 30 일 ) ( 단위 : 원, 주 ) 주식발행 ( 감소 ) 일자 발행 ( 감소 ) 형태 주식의종 류 수량 발행 ( 감소 ) 한주식의내용 주당 주당발행 액면가액 ( 감소 ) 가액 비고 2008년 01월 23일 2008년 07월 16일 2009년 01월 17일 2009년 02월 18일 주식매수선택권행사주식매수선택권행사유상증자 ( 일반공모 ) 주식매수선택권행사 보통주 45,200 5,000 5,000 보통주 328,962 5,000 5,000 우리사주매수선택권행사 보통주 60,000,000 5,000 5,400 보통주 18,260 5,000 5, 년 05 월 06 일 전환권행사보통주 12 5,000 24, 년 05월 19일 2009년 06월 23일 유상증자 ( 일반공모 ) 주식매수선택권행사 보통주 70,000,000 5,000 10,350 보통주 4,600 5,000 5, 년 08 월 13 일 전환권행사보통주 8,731 5,000 23, ~ 년 09 월 22 일 주식매수선택 권행사 보통주 3,740 5,000 5, 년 12월 14일 2010년 01월 04일 전환권행사보통주 428 5,000 23,328 전환권행사보통주 28,608 5,000 23, ~ 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 12

14 2010년 04월 01일 2010년 07월 08일 2010년 10월 29일 2011년 01월 13일 2011년 04월 01일 2012년 01월 27일 전환권행사보통주 565,120 5,000 23, ~ 전환권행사보통주 44,150 5,000 23, ~ 전환권행사보통주 115 5,000 23, ~ 전환권행사보통주 434,385 5,000 23, ~ 전환권행사보통주 1,460,643 5,000 23, ~ 전환권행사보통주 855 5,000 23, ~ 년 02 월 14 일 유상증자 ( 제 3 자배정 ) 보통주 101,850,000 5,000 23, 년 02월 15일 2012년 04월 06일 전환권행사보통주 4,159 5,000 23, ~ 전환권행사보통주 3,000 5,000 23, 년 05 월 02 일 주식매수선택 권행사 보통주 93,500 5,000 22,800 우리사주매수선택권행사 2012년 05월 04일 2012년 08월 20일 전환권행사보통주 428 5,000 23,328 전환권행사보통주 21 5,000 23, 년 10 월 30 일 주식매수선택 권행사 보통주 30,300 5,000 22,800 우리사주매수선택권행사 2012년 12월 07일 2013년 02월 13일 2013년 04월 01일 2013년 07월 02일 전환권행사보통주 3,016 5,000 23, ~ 전환권행사보통주 9,527 5,000 23, ~ 전환권행사보통주 551,689 5,000 23, ~ 전환권행사보통주 15,483,908 5,000 23, ~ 나. 미상환전환사채발행현황 ( 기준일 : ) ( 단위 : 원, 주 ) 종류 \ 구분발행일만기일권면총액 전환대상 주식의종류 전환청구가 능기간 전환조건전환비율전환가액 (%) 미상환사채전환가능주식권면총액수 비고 제 7 회 해외공모 2010 년 05 월 14 일 2015 년 05 월 14 일 US$500,000,000 보통주 ~ ,394 US$500,000,000 16,482,526 - 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 13

15 무보증 전환사채 합계 ,482,526 - 상기 ' 권면총액 ' 은최초발행시의권면총액이며, ' 미상환사채의권면총액 ' 은기준일현재의잔액기준임. 4. 주식의총수등 가. 주식의총수 2013년 09월 30일본보고서작성기준일현재당사의발행할주식의총수는 9,000,000,000주이며, 발행한주식의총수는보통주 5,704,178,735주입니다. 보통주이외에발행한다른종류의주식은없습니다. 당기말현재의유통주식수는보통주 710,200,891주입니다. ( 기준일 : 2013년 09월 30일 ) ( 단위 : 주 ) 구분 주식의종류 보통주우선주합계 비고 Ⅰ. 발행할주식의총수 9,000,000,00 0-9,000,000, Ⅱ. 현재까지발행한주식의총수 5,704,178,73 5-5,704,178, Ⅲ. 현재까지감소한주식의총수 4,993,977,84 4-4,993,977, 감자 4,990,449,79 9-4,990,449, , 주식병합 (21:1) 2. 이익소각 3,528,045-3,528, , 이익소각 3. 상환주식의상환 기타 Ⅳ. 발행주식의총수 (Ⅱ-Ⅲ) 710,200, ,200,891 - Ⅴ. 자기주식수 Ⅵ. 유통주식수 (Ⅳ-Ⅴ) 710,200, ,200, 의결권현황 ( 기준일 : 2013 년 09 월 30 일 ) ( 단위 : 주 ) 구분주식의종류주식수비고 발행주식총수 (A) 의결권없는주식수 (B) 보통주 710,200,891 - 우선주 - - 보통주 - - 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 14

16 우선주 - - 정관에의하여의결권행사가배제된주식수 (C) 기타법률에의하여의결권행사가제한된주식수 (D) 의결권이부활된주식수 (E) 의결권을행사할수있는주식수 (F = A - B - C - D + E) 보통주 - - 우선주 - - 보통주 - - 우선주 - - 보통주 - - 우선주 - - 보통주 710,200,891 - 우선주 배당에관한사항등 가. 배당에관한사항 정관에의거한배당에관한당사의중요한정책은다음과같습니다. (1) 제52조 ( 이익배당 ) 1 이익의배당은금전, 주식및기타의재산으로할수있다. 2 제1항의배당은매결산기말현재의주주명부에기재된주주또는등록된질권자에게지급한다. 3 이익의배당을주식으로하는경우회사가종류주식을발행한때에는주주총회결의로그와다른종류의주식으로배당할수있다. (2) 제54조 ( 중간배당 ) 1 회사는 7월 1일 0시현재의주주에게상법의규정에의한중간배당을금전, 주식및기타의재산으로할수있다. 2 제1항의중간배당은이사회의결의로하되, 중간배당의구체적인방법, 한도등에대해서는상법등관련법령에서정하는바에따른다. 3 사업년도개시일이후제1항의기준일이전에신주를발행한경우 ( 준비금의자본전입, 주식배당, 전환사채의전환청구, 신주인수권부사채의신주인수권행사를포함한다 ) 중간배당에관해서는당해신주는직전사업년도말에발행된것으로본다. 4 중간배당을할때에는종류주식에대하여도보통주식과동일한배당률을적용한다. 5 제53조 ( 배당금지급청구권의소멸시효 ) 는중간배당의경우에준용한다. 나. 최근 3 사업연도배당에관한사항 구분 주식의종류 제66기 3분기 제65기 제64기 주당액면가액 ( 원 ) 5,000 5,000 5,000 당기순이익 ( 백만원 ) 2,131, , ,142 주당순이익 ( 원 ) 3, 현금배당금총액 ( 백만원 ) 주식배당금총액 ( 백만원 ) 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 15

17 현금배당성향 (%) 현금배당수익률 (%) 주식배당수익률 (%) 주당현금배당금 ( 원 ) 주당주식배당 ( 주 ) 별도재무제표기준으로작성되었으며, 주당순이익은기본주당순이익입니다. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 16

18 II. 사업의내용 1. 사업의개요 가. 업계의현황 (1) 산업의특성반도체는모든 IT제품의필수불가결한핵심부품으로서, 컴퓨터를비롯해통신장비및통신시스템, 자동차, 디지털가전제품, 산업기계그리고컨트롤시스템등그적용분야가매우광범위합니다. 시장조사기관인가트너 (Gartner, 2013년 9월, 금액기준 ) 에따르면, 지난 2012년도세계반도체시장규모는 US$2,999억에이르렀으며, 이중메모리제품은 US$557억의시장규모를기록하며전체반도체시장의약 19% 수준에달하였습니다. 또한메모리반도체시장에서가장큰비중을차지하는 DRAM은지난 2012년 US$262억을기록하며전체메모리시장의약47% 를차지하였고, 그뒤를이어낸드플래시가 US$235억으로42%, 노어플래시가 US$33억으로 6% 를차지하였습니다. 아래표에나타낸바와같이반도체산업은우리나라산업생산및수출에있어서매우중요한기간산업중하나입니다. 2012년에는세계경기침체로인해전세계반도체시장규모가축소되었음에도불구, 프로세서와콘트롤러등의성장에힘입어반도체수출이전년대비 0.1% 증가하였습니다. 또한우리나라전체수출액중반도체의비중은 9.3% 로중요수출품의자리를차지하고있습니다. 전체수출중반도체비중 ( 단위 : 백만USD, %) 구분 총수출 548, , , , ,007 반도체 50,949 50,879 51,464 31,918 32,792 전년비증감율 비중 출처 : 관세청, 2013년 1월 특히, 반도체수출의대부분은메모리반도체산업을통해이룬것으로, 메모리반도체는우리나라최대의수출산업입니다. 이러한메모리반도체산업은제품설계기술, 공정미세화및투자효율성제고에의한원가경쟁력확보가매우중요한산업으로서기술력및원가경쟁력을갖춘소수 IDM(Integrated Device Manufacturer) 업체중심으로점차과점화되고있는추세입니다. 반도체제품을직접설계하고제조, 판매까지하는업체들을가리켜 IDM이라고하는데이들은자체디자인능력, 제조노하우 (know-how) 및생산설비등을바탕으로비 IDM(non-IDM) 업체들에비해독자적기술개발력과제조경쟁력을확보함으로써산업내에서의위치를더욱확고히하고있습니다. (DRAM 상위 4개업체의시장점유율 : 1990년 49% 2012년 90%, 출처 : 가트너, 매출액기준 ) 가 ) 메모리반도체 정보를저장하고기억하는기능을하는메모리반도체는일반적으로 ' 휘발성 (Volatile)' 과 ' 비휘발성 (Non- 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 17

19 volatile)' 으로분류됩니다. 휘발성메모리제품은전원이끊어지면정보가지워지는반면, 비휘발성제품은휴 대전화에전화번호가저장되는것처럼전원이끊겨도저장된정보가계속남아있습니다. 당사는휘발성메모리 인 DRAM 과비휘발성메모리인플래시메모리를생산하고있습니다. [DRAM(Dynamic Random Access Memory)] DRAM은전원이켜져있는동안에만정보가저장되는휘발성 (Volatile) 메모리로주로컴퓨터의메인메모리 (Main Memory), 동영상및 3D 게임구현을위한그래픽메모리 (Graphics Memory) 로사용되고있으며, 가전제품의디지털화에따라스마트 TV, 스마트냉장고그리고프린터등에도사용이확대되고있습니다. 또한각종이동통신기기의폭발적성장에따라스마트폰및태블릿 PC 등에도모바일용 DRAM의채용량이급증하고있습니다. [ 플래시메모리 (Flash Memory)] 플래시메모리는전원이공급되지않아도저장된데이터가지워지지않는비휘발성메모리로크게노어 (NOR) 형 (Code저장형) 과낸드 (NAND) 형 (Data저장형) 으로나눌수있습니다. 이중당사가생산하는낸드플래시는순차적 (Sequential) 정보접근이가능한비휘발성메모리칩으로서, 디지털비디오나디지털사진과같은대용량정보를저장하는데매우적합합니다. 낸드플래시제품이주로적용되는분야는디지털카메라, USB드라이브, MP3플레이어, 차량용네비게이션, SSD(Solid State Drive) 그리고스마트폰, 태블릿 PC와같은모바일기기등입니다. 한편, 최근플래시메모리는일반적인범용메모리보다는고객지향적인제품의수요가늘어나고있어이런추세에부합하는적극적인응용제품개발및철저한고객대응의중요성이커지고있습니다. 나 ) 비메모리반도체 [CIS(CMOS Image Sensor)] 논리적연산등정보처리기능을담당하는비메모리반도체중에서도, 이미지센서는빛에너지를감지하여그세기의정도를영상데이터로변환해주는반도체소자로서디지털촬영기기에서필름역할을하고있습니다. 이미지센서는제조과정과신호를읽는방법에따라 CCD(Charge Coupled Device) 와 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 두가지타입으로나뉩니다. 최근 CMOS 이미지센서의기술이크게향상되고디지털촬영기기가소형화됨에따라, 크기가작고전력소모가적은 CMOS 이미지센서의활용범위가점차확대되고있으며, 디지털일안반사식카메라와캠코더등고화질을요구하는고가제품에도많이사용되는추세입니다. 이에따라 CIS 시장에서는기술경쟁력과원가경쟁력이점차중요한성공요인으로부각되고있습니다. (2) 산업의성장성 메모리반도체산업은 2010년이후새로운 IT 기기의등장과디지털기기의모바일화, 스마트화로역대최대매출을기록한이후 2011년에는유럽재정위기해소가더디게진행되고주요수요처인 PC 시장정체로인해시장성장세가다소주춤하였습니다. 그러나 2012년하반기이후반등하는양상을보이고있으며, 2013년에는 2010년의수준을뛰어넘는최대매출이기대되고있습니다. 또한 DRAM 수요는 PC에서모바일영역으로, NAND 수요는모바일에서 PC영역으로주요수요처가확대됨에따라향후지속적인성장이예상됩니다. 시장의지속성장전망에반해생산 ( 공급 ) 측면에서는어려움이예상됩니다. 공정미세화기술은한계에다다르고있으며, 생산및연구개발을위한투자비용급증, 고객들의요구성능과품질수준은더욱다양화, 고도화되고있어선발업체와후발업체의기술및원가경쟁력격차가점차확대되고있습니다. 이에기존과같이외형경쟁을위한공급확대는제한적일것으로보입니다. 향후메모리반도체산업은안정적수요와제한적인공급으로인해메모리시장성장의기회가더욱증대할것으로예상됩니다. [DRAM] 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 18

20 시장조사기관인가트너 (Gartner, 2013년 9월, 금액기준 ) 에따르면, DRAM 시장은세계경제침체의영향으로인한 PC 수요감소로 2012년에는 2011년보다 11.3% 하락한 US$262억을기록했습니다. 반면, 2013년에는점진적경기회복및모바일시장확대, 수급안정등의요인으로전년대비 34% 상승한 $350억의매출을거둘것으로예상됩니다. 분야별로살펴보면, PC 시장은경기침체로인한저성장기조가유지되어 DRAM 수요를견인하는데어려움을겪고있으나, 개인용컴퓨터의이동성 (Mobility) 에대한요구가증가함에따라노트북컴퓨터로의교체및신규수요가확대될전망입니다. 이에개인용컴퓨터중울트라북을포함한노트북의출하비중이 2017년 65% 에이를것으로업계는예상하고있습니다. 또한디지털기기의스마트화및모바일화의진전에따라스마트폰은 2017년까지연평균 19% 성장 (Gartner, 2013년 9월, Shipment 기준 ), 태블릿 PC는연평균 26% 성장 (Gartner, 2013년 9월, Shipment 기준 ) 하는등모바일기기수요의폭발적증가가예상되며, 대용량의콘텐츠를처리할수있는그래픽메모리의수요도지속증가할전망입니다. 이와같이 DRAM 수요확대에따른수량증가뿐만아니라대용량콘텐츠처리를위한기기당탑재량증가에따라 DRAM 수요는앞으로도지속증가할것으로예상됩니다. [ 낸드플래시 (NAND Flash)] 낸드플래시는디지털미디어의성장과더불어스마트폰, 태블릿 PC, 디지털카메라, MP3 플레이어그리고기타멀티미디어가전에사용되는플래시카드와 USB 드라이브, SSD와같은정보저장장치 (Storage Devices) 등에널리사용되고있습니다. 가트너 (Gartner, 2013년 9월, 금액기준 ) 의전망에따르면낸드플래시시장은글로벌경기침체에도불구하고 2011년에약 18% 정도성장하였습니다. 2012년에는다소성장이정체되어 -3% 로역성장하였으나, 2013년에는 SSD 등스토리지분야적용확대를통해 24%($291억 ) 의고성장이전망됩니다. 또한스마트폰을포함한휴대전화시장에서의메모리카드채용및울트라북의노트북용 SSD, 응용복합제품등향후낸드플래시의수요를견인할제품시장이지속성장하고있어, 지속적인성장세를유지할것으로예상됩니다. [CIS (CMOS Image Sensor)] 이미지센서는 1990년대중반디지털카메라에장착되어일반소비자에게선보인이후 PC 카메라, 자동차블랙박스, 휴대폰카메라, 감시카메라등다양한분야에활용되어시장규모도크게증가하는추세입니다. 특히 DSLR 카메라및휴대폰카메라시장의수요증가로시장이지속성장할것으로보입니다. 가트너 (Gartner, 2013년 9월, 금액기준 ) 의전망에따르면이미지센서시장은 2017년 US$133억규모로 2012년이래연평균 7.5% 의성장이예상되며, 특히당사가생산중인 CMOS이미지센서시장은다양한응용기기로의확대적용과수요증가로전체이미지센서시장에서의비중이 2012년 79% 에서 2017년 92% 까지증가하며연평균 10.8% 의높은성장이전망됩니다. (3) 경기변동의특성세계반도체시장은지금까지실리콘사이클의순환에따라호황과불황을반복해왔으며제품수명주기가매우짧은특징을가지고있습니다. 아울러대규모장치산업의특성을가짐과동시에주요수요처인미구주의거시경제순환사이클 (Business Cycle) 과의연관성이비교적크게나타났으나, 최근에는중국및인도등신흥시장의비중이확대되고일부경쟁력이부족한업체들의구조조정등으로인해반도체산업경기변동폭은전과비교하여많이줄어들었다고볼수있습니다. [DRAM] DRAM은 PC 수요에상당부분의존하고있어, 세계 IT 경기사이클의영향을크게받아왔습니다. 그러나최근에는스마트폰및태블릿 PC 등모바일기기의폭발적성장에따라 DRAM의주요수요처가 PC에서모바일로이동하고있어, 경기변동성이과거에비해약화되는모습을보이고있습니다. 한편, 수요의계절성으로서는미구주지역의신학기, 크리스마스특수및중국춘절등의수요증가로인한매출액증가를들수있습니다. 하지만최근에는아시아시장의성장으로인한판매시장의다변화로이같은전통적인수요의계절성이일부약화되는모습도나타나고있습니다. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 19

21 [ 낸드플래시 (NAND Flash)] 낸드플래시는과거 MP3 플레이어, 메모리카드등의수요증가에힘입어급속한성장을해왔습니다. 또한주요공급업체들이 DRAM을함께생산하고있어 DRAM 시장의안정적성장에도우호적인여건을제공해왔습니다. 하지만최근에는 IT 기기가스마트화됨에따라낸드플래시의주수요처가 emmc, SSD 등으로바뀌고있으며, 이들제품은경기에민감한소비재제품이기때문에 DRAM과마찬가지로세계경제상황에따라 NAND 시장이함께변동하는특성을가지고있습니다. 전체적으로는고용량낸드플래시를탑재하는스마트폰및태블릿 PC 시장이확대되고노트북의 SSD 채택이늘어남에따라세계경기회복과더불어향후낸드플래시시장의지속적인성장이예상됩니다. [CIS (CMOS Image Sensor)] 이미지센서시장은스마트폰, DSLR 등전통적인수요처의강세가지속되는가운데, 자동차용블랙박스 / 후방카메라, 스마트 TV 등다양한산업군과의 Convergence를통해시장이더욱확대되고있습니다. 또한이미지센서중자사가생산중인 CMOS 이미지센서는휴대폰, 캠코더, PC 등멀티미디어기기시장의영향을크게받는제품으로서소비재의특성상경기변동과기술변화에매우민감할뿐만아니라라이프사이클이짧은특징을가지고있습니다. 따라서가격경쟁력을지닌제품을적시에출시하여시장을선점하는것이사업성공에있어매우중요한요소라할수있습니다. (4) 경쟁요소 반도체사업의핵심경쟁력은 1. 인적자원 (R&D 및엔지니어링 ), 2. 기술및원가경쟁력, 3. 시장대응능력 ( 고객확보, 제품포트폴리오 ), 4. 설비투자능력등이있습니다. 최근대량생산이용이한표준제품위주에서응용분야가점차다양화, 융복합화함에따라시설투자와생산성향상을통한원가경쟁력중심에서제품가치증대를통한수익성중심으로경쟁의패러다임이빠르게전환되고있습니다. 지금까지생산능력확대와생산원가절감이주요경쟁목표였던시기에는제조 / 공정기술, 대규모설비투자, 규모의경제등이중요한사업성공요인이었지만, 공정미세화의난이도증가와투자의불확실성증대등사업환경이변화함에따라앞으로는제품경쟁력과부가가치증대를위해선행기술및응용기술개발, 마케팅및고객만족등이더욱중요한사업경쟁력이되고있습니다. 이외에도적기에시장요구에부합하는제품을출시할수있는시장대응력 (Time to Market) 및재무건전성확 보등이요구되고있습니다. 나. 회사의현황 (1) 영업개황및사업부문의구분 ( 가 ) 영업개황지난 2013년 3분기는우호적인가격환경과모바일신제품출시등의영향으로매출이소폭증가하면서분기매출로는처음으로 4조원을돌파하며전분기에이어다시한번분기최고매출을경신하였으며, 영업이익또한 PC DRAM 가격강세유지와미세공정전환및수율개선을바탕으로한원가절감노력에힘입어사상최대의분기실적을기록하였습니다. 당사의연결기준매출은전분기대비약 4% 증가한약 4 조 8 백 4 십억원을기록하였으며, 연결기준영업이익 은전분기대비약 5% 증가한약 1 조 1 천 6 백 4 십억원을기록하였습니다. 당기순이익은약 9 천 5 백 8 십억원을 기록하였습니다. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 20

22 ( 단위 : 백만원 ) 구분 제 66 기 3 분기 ( ~ ) 제 66 기 2 분기 ( ~ ) 전기대비 증감 제 66 기 3 분기누계 ( ~ ) 제 65 기 3 분기누계 ( ~ ) 전년동기 대비증감 매출액 4,083,621 3,932, % 10,797,415 7,443, % 영업이익 1,164,481 1,113, % 2,595, ,321 흑자전환 당기순이익 958, , % 2,083, ,489 흑자전환 한국채택국제회계기준에따라작성된연결기준실적입니다. ( 나 ) 공시대상사업부문의구분 [ 제66기 ] ( 단위 : 백만원 ) 구 분 매출액 매출액비중 (%) 주요제품 반도체부문 10,797, % DRAM, NAND Flash, MCP 등 합계 10,797, % 당사는한국표준산업분류표상의소분류에의한 ' 반도체및기타전자부품제조업 ( 분류번호 : 321)' 에해당하며, 반도체부문의매출액이총매출액의 90% 를초과하므로반도체부문으로기재함. (2) 시장점유율등 구 분 '13년 2분기 '13년 1분기 '12년 '11년 '10년 '09년 '08년 DRAM 29.6% 26.0% 24.7% 22.8% 21.8% 22.9% 19.2% NAND Flash 14.0% 11.5% 11.8% 11.7% 9.5% 8.4% 12.6% 출처 : IDC, 2013년 9월, 매출액기준 (3) 시장경쟁요소및회사의경쟁력 ( 가 ) 메모리반도체사업 [DRAM] 컴퓨팅메모리 (Computing Memory) 사업의경우가격이높고품질의신뢰성이바탕이되어야하는고용량 (High Density) 서버용제품비중과이동성확대에따른노트북 (Notebook) 및울트라북 (Ultrabook) 용제품의비중이확대되고있습니다. 2013년 PC 시장은계속되는경기부진과태블릿에의한 PC 수요잠식으로인해 2012년대비 PC 출하량하락이예상되고있습니다. 이중휴대성과편의성이강조된울트라북은판매비중이지속적으로증가하여태블릿PC와함께긍정적인성장이전망됩니다. 서버메모리 (Server Momory) 는클라우드컴퓨팅 (Cloud Computing) 과스마트기기의성장에따른인터넷데이터트래픽의폭발적인증가로인하여지속적인수요증대가전망됩니다. 특히대형인터넷포털업체의데이터센터 (Data Center) 는서버시스템수요를빠르게증가시키고있는추세입니다. 당사는TCO(Total Cost of Ownership) 절감을중요시하는데이터센터의제품효율성요구증대에부응하기위해저전력과고속의서버용모듈제품을공급하고있으며, 그외에도저전력마이크로서버용제품군을새롭게개발하여서버메모리트렌드에발빠르게대응하고있습니다. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 21

23 그래픽메모리 (Graphics Memory) 는동영상및 3D 그래픽기술의발전과함께꾸준한성장세를보이고있습니다. 당사는주요그래픽칩셋업체들과의전략적관계강화를통하여데스크탑, 노트북용등 PC 그래픽및기존게임외에의료, 교육, 네트워크커뮤니케이션등분야로활용영역을넓히고있는차세대게임콘솔분야에서도주도적인위치를공고히하고있습니다. 컨수머메모리 (Consumer Memory) 시장은스마트디지털TV, 디지털셋톱박스 (Set-top Box), 블루레이플레이어 (Blu-ray player) 등의디지털영상가전제품과프린터등 PC주변기기및자동차용네비게이션제품등에다양하게사용됩니다. 또당사는클라우드컴퓨팅확대에따른네트워크인프라장비에맞는고용량, 고속의첨단컨수머메모리를개발하여경쟁력있는제품을시장에공급하고있으며, 고온및저온에도견딜수있는극한환경에특성화된 IT(Industrial Temperature) 와 AT(Automotive Temperature) 제품을개발, 공급하는등고객의다양한요구에적극적으로대응하고있습니다. 모바일메모리 (Mobile Memory) 는휴대전화뿐만아니라모바일특성에연산기능이향상된태블릿 PC, 울트라북에도사용되고있으며, 디지털카메라, 네비게이션, MP3 플레리어등과같은모바일컨수머제품에도채용이확대되고있습니다. 라이프스타일변화에따른 IT 수요증가및무선통신환경의발전, 정보통신융합 (Convergence) 의가속화로현재가장성장성이높은제품입니다. 이중에서도저전력, 고성능, 대용량메모리를필요로하는스마트폰및태블릿 PC의보급률증가추세는향후에도모바일메모리제품의수요를강하게견인할것으로예상됩니다. [ 낸드플래시 (NAND Flash)] 낸드플래시는데이터저장용도로쓰이는대표적인메모리반도체로서, 빠른테크놀로지의진화로매년높은성장률을기록하였습니다. 낸드플래시시장이이렇게성장을지속하는이유는최첨단 IT기기및다양한소비자가전에서낸드플래시채용률이지속적으로높아지고있기때문입니다. 과거에는플래시카드, USB 드라이브, MP3 플레이어, PMP 등이낸드플래시메모리의주요수요처였으나, 최근에는스마트폰, 태블릿 PC 등의모바일분야에서멀티미디어기능의확대로낸드플래시메모리에대한수요가급증하고있습니다. 또한스마트TV, 스마트카등의신개념도입으로인하여과거에저용량의낸드플래시메모리만사용했던이들시장에서도고용량낸드플래시메모리에대한수요가증가하고있습니다. 최근에는 SSD(Solid State Drive) 와같은낸드플래시를기반으로한다양한형태의 Storage Solution이노트북은물론이고서버시장에서도주요제품군으로자리잡고있어, 향후낸드플래시메모리시장의지속적인성장을견인할것으로것으로전망되고있습니다. 이와같은낸드플래시시장에서당사는저용량부터고용량까지다양한단품및응용복합제품을기반으로고 객의수요에보다적극적으로대응하고있으며, 응용분야별선택과집중을통하여낸드플래시경쟁력을확보하 고시장지배력을높여가고있습니다. ( 나 ) 비메모리반도체사업 회사는지난 2007 년 11 월, 제품포트폴리오를더욱다양화하고, 기존메모리사업역량을활용하여안정적인 수익성과높은투자효율성이기대되는 CIS 사업에재진출하였습니다. [CIS (CMOS Image Sensor)] CIS는휴대전화, 디지털카메라, 노트북, 태블릿 PC, 웹캠등다양한디지털기기에서촬영필름역할을하는반도체소자이며, 2011~2016년까지약 15% 의연평균성장률이예상되는시장입니다. ( 출처 : Techno- Systems Research, 출하량기준 ) 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 22

24 현재는휴대전화와노트북, 태블릿 PC에가장많이쓰이고있으나주변회로가필요없고전력소모가적은장점과함께최근기술의발전으로화질이크게향상되면서의료기기, DSLR 및캠코더, 자동차, 보안장비, 게임기, 가전제품등으로응용범위가급속히확대되고있습니다. 또한최근카메라사진촬영과화상통화를위해두개의이미지센서가휴대전화에장착되고있으며, 이러한경향은태블릿 PC에도반영되어기기당이미지센서탑재비율역시늘어나는추세입니다. 현재당사의 CIS는센서중가장많은수량비중을점유하고있는휴대전화응용시장과이와유사한센서특징을요구하고있는노트북시장, 그리고최근급속한성장세를보이고있는태블릿 PC와 Toy 시장에집중하고있으며, 유사응용시장으로의확대를통해신규시장및지역, 고객을발굴하여사업의안정성강화와수익성을개선하고있습니다. 또한새로운시장및고객창출을위해새로운 IP개발과신기술확보를통해기술및가격경쟁력을보유한제품개발에박차를가하고있습니다. 당사는국내와중국, 일본지역뿐만아니라 2013 년에는한층강화된사업역량을바탕으로미구주지역의고객 확대와어플리케이션다양화로 CIS 시장에서의입지를확대해나갈계획입니다. (4) 조직도 ( 제출일기준 ) 다. 사업부문별재무정보 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 23

25 당사는반도체제조업부문의매출액과자산총액이전체부문의 90% 를초과하는지배적단일사업부 문으로서부문별기재를생략합니다. 2. 주요제품, 서비스등 가. 주요제품등의현황 ( 단위 : 백만원 ) 사업부문매출유형품목구체적용도주요상표등매출액 ( 비율 ) 반도체부문제품외 DRAM, NAND Flash, MCP 등 산업용전자기기 SK 하이닉스 10,797,415(100%) 합계 10,797,415(100%) 나. 주요제품등의가격변동추이 DRAM 가격은 2012 년세계경기침체등의영향으로전년대비 7% 가량하락하였으나, 2013 년에는 모바일시장확대및수급안정등에힘입어약 50% 로큰폭상승하였습니다. NAND 가격은 2012 년 전년대비 15% 가량하락하였으나, 2013 년에는약 18% 상승을기록하였습니다. (1) 산출기준 : 시장판매가기준 ( 용량 (Density) 별제품군의단순평균가격 ) Density 변화를감안하지아니한 ( 기준 Density에대한환산수량미적용 ) 단순평균공급가격임. (2) 주요가격변동원인 제품의고급화및시장상황 ( 수출 ) 에따른판가변동등 3. 주요원재료에관한사항 당사의메모리반도체부문생산공정에투입되는원재료는크게웨이퍼 (Wafer), 리드프레임 (Lead Frame) 및섭스트레이트 (Substrate), PCB(Printed Circuit Board) 그리고기타재료등으로구성됩니 다. 웨이퍼는집적회로 (Integrated Circuit, IC) 를제작하기위해반도체물질의단결정을성장시킨기둥 모양의규소 (Ingot) 를얇게절단하여원판모양으로만든것으로서반도체소자를만드는데사용되 는핵심재료입니다. 리드프레임은반도체 IC 를구성하는또다른주요요소이며반도체칩과 PCB 기판간의전기신호를 전달하면서외부의습기, 충격등으로부터칩을보호하고지지해주는골격역할을하는부품입니다. 섭스트레이트는리드프레임과같은기능을하지만전기신호를전달하는역할을하는다리를기존의 금속다리가아닌공 (Ball) 모양의연결부분을이용한부품입니다. PCB 는그위에저항, 콘덴서, 코일, 트랜지스터, 집적회로, 대규모집접회로 (Large-Scale 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 24

26 Integration), 스위치등의부품을장치하고납땜하여회로기능을완성시키는인쇄배선판입니다. 그 외가스및화학약품등이반도체제조공정에투입되는원재료로소요됩니다. 가. 주요원재료등의현황 ( 단위 : 백만원, %) 사업부문매입유형품목구체적용도투입액비율비고 Wafer F A B 364, 반도체부문 원재료 Lead Frame& Substrate P K G 120, PCB M O D 95, 기타 928, 소계 1,507, 저장품 S/P, 부재료 889, 합계 2,396, 나. 주요원재료의매입처및원재료공급시장과공급의안정성 당사는일본의 2개사, 독일의 1개사, 한국 1개사, 미국 1개사로부터반도체공정의주요원자재인 300mm 웨이퍼완제품을수입하고있습니다. 당사는당사와거래하는매입처등과일상적인영업활동이외의특수한관계를갖고있지않습니다. 당사가거래하고있는상기 5개사는전체 300mm 웨이퍼시장의 90% 이상을차지하고있습니다. 웨이퍼는그원재료가되는폴리실리콘의수급동향에따라 300mm 웨이퍼완제품가격이큰영향을받습니다. 특히, 폴리실리콘은웨이퍼이외에도태양전지 (Solar Cell) 의원료로도사용되기때문에태양전지의수요에따라폴리실리콘의일시적부족현상이발생하면웨이퍼의공급에영향을줄수있습니다. 따라서, 당사는주요원재료인웨이퍼의원활한확보를위해유가및폴리실리콘시장의가격동향은물론, 동일한원재료를사용하는태양전지수급동향을지속적으로모니터링하고있습니다. 4. 생산및설비에관한사항 가. 생산능력및생산능력의산출근거 당사는국내사업장기준 4 조 3 교대로운영되고있으며, 휴일 ( 공휴일포함 ) 을포함하여 2013 년 3 분 기까지총가동일은 273 일로, 각지역별팹 (Fab) 의가동인원및수율을고려하여계산한당사의평 균가동시간은월 11,782,680 시간입니다. 생산능력은 " 해당 3 분기까지의최대생산일의생산량 ⅹ 누적일수 ⅹ 평균원가 " 의방법으로산출하고 있으며, 2013 년 3 분기까지생산능력은 7,522,825 백만원입니다 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 25

27 (1) 생산능력 ( 단위 : 백만원 ) 사업부문 제66기 3분기 제65기연간 제64기연간 반도체부문 7,522,825 9,942,732 11,773,104 한국채택국제회계기준에따라작성되었습니다. 제64기의생산능력은 " 당분기내최대생산월의생산량ⅹ누적개월수ⅹ평균원가 " 의방법으로산출 하였습니다. 나. 생산실적및가동률 당사의 2013 년 3 분기까지생산실적은 7,522,825 백만원으로집계되었으며, 동기간생산설비의평 균가동률은 100% 를유지하였습니다. (1) 생산실적 ( 단위 : 백만원 ) 사업부문 제66기 3분기 제65기연간 제64기연간 반도체부문 7,522,825 9,942,732 10,414,567 한국채택국제회계기준에따라작성되었습니다. (2) 가동률 ( 단위 : 시간, %) 사업부문 분기가동가능시간 분기실제가동시간 평균가동률 반도체부문 103,879, ,879, % 가동률은각지역별팹 (Fab) 의가동인원및수율을고려하여계산함. 다. 생산설비의현황 당사의시설및설비의장부가액은작성기준일현재 11 조 9 천 505 억원이며, 상세내역은다음과같 습니다. ( 단위 : 백만원 ) 구 분 토지 건물 구축물 기계장치 차량운반구 기타의유형자산 건설중인자산 합계 취득원가 462,067 1,792, ,984 29,149,281 2, , ,254 32,989,721 감가상각누계액 467, ,441 19,817,741 2, ,509 21,058,919 손상차손누계액 23,877 19, ,950 2, ,587 정부보조금 8,023 8,023 기초순장부금액 462,067 1,301, ,615 9,033, , ,254 11,586,192 기중변동액 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 26

28 취득 , ,609 2,561,079 2,573,362 처분 34 3, , ,559 손상차손 63, ,544 73,837 감가상각누계액 39,078 14,935 2,084, ,235 2,184,078 대체 15,499 56,996 40,238 2,136, ,655 2,300,532 환율변동등 48 4,944 2,210 53, ,428 분기말순장부금액 477,580 1,320, ,521 9,075, , ,736 11,950, 취득원가 477,580 1,850, ,825 31,339,687 2, , ,280 35,611,953 감가상각누계액 506, ,376 21,902,500 2, ,745 23,242,997 손상차손누계액 23,877 19, , ,833 10, ,424 정부보조금 8,023 8,023 분기말순장부금액 477,580 1,320, ,521 9,075, , ,736 11,950,509 라. 투자계획 2013 년당사의입고기준투자집행실적은다음과같습니다. [ 입고기준 ] ( 단위 : 십억원 ) 구분투자대상자산투자효과투자기간 기투자액 ( 제 66 기 3 분기 ) 비고 보완투자기계장치외생산능력증가 ~ ,522 - 합계 2, 매출에관한사항 가. 매출실적 ( 단위 : 백만원 ) 사업부문매출유형품목제 66 기 3 분기제 65 기제 64 기 DRAM, 반도체부문 제품외 낸드플래시, 10,797,415 10,162,210 10,395,811 MCP 등 매출실적은연결기준입니다. 합계 10,797,415 10,162,210 10,395,811 한국채택국제회계기준에따라작성되었습니다. 나. 판매경로및판매방법등 (1) 판매조직 국내에서는마케팅본부내국내영업팀관할하에대리점 6개사를운영하고있습니다. 해외판매법인은미국, 독일, 영국, 일본, 싱가포르, 인도, 대만, 중국등에 10개법인이소재하고있으며산하에 14개지사및 21개대리점을두고있습니다. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 27

29 (2) 판매경로 당사의판매경로는크게직판거래와대리점거래로나눌수있습니다. 직판거래는당사에서일반 기업체등실수요자에게직접판매를하는것이고, 대리점거래는당사가대리점을통해서일반기 업체등의실수요자에게판매하는것입니다. (3) 판매방법및조건 내수판매는국내대리점등의수주현황에의거하여현금또는어음결제조건으로거래하고있으며, 수출은 MASTER L/C 및 LOCAL L/C 에의거하여신용장또는 D/A, D/P 조건등으로거래하고있 습니다. (4) 판매전략 당사판매전략은 ' 비즈니스포트폴리오최적화 ', ' 수익구조개선 ', ' 고객관계유지 ', ' 지역별포지셔 닝유지 ' 등 4 가지를근간으로하고있습니다. 비즈니스안정성을위해서포트폴리오의최적화를추진하고있으며서버, 그래픽, 모바일, 컨수머등응용분야의매출확대를위해제품구성을다양화하고있습니다. 수익구조개선을위해서고부가가치제품판매를확대하고시장통찰능력을강화하여미래시장발굴을추진하고있습니다. 고객관계유지를위해서고객가치제안활동을강화하고특화된제품을제공하여고객만족제고를추진하고있습니다. 지역별특성을고려하여차별화된제품전략으로지역별전략고객매출확대를추진하고있습니다. (5) 주요매출처 반도체의경우 IT 컨수머제품전체에걸쳐그수요처가다양하기때문에 DELL, HP 등세계유수의 PC 및서버등 PC 관련전자업체와 Apple 등세계적인 PC 및스마트폰제조업체, 메모리모듈업 체, 그리고 SSD 와같은대용량저장장치와메모리카드생산업체등에제품을공급하고있습니다. 6. 수주상황 당사는주요고객사들과월별상호합의에따른공급물량및가격을결정하고있으며, 장기공급계 약에따른수주현황은없습니다. 7. 시장위험과위험관리 가. 회사의위험관리정책 당사는보다체계적이고효율적인환리스크관리를위하여환위험관리규정을제정하고외환관리위 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 28

30 원회구성및환리스크관리를위한별도의전담인원을배정하여운영하고있습니다. (1) 위험관리의일반적전략 [ 위험관리규정 ] 당사는보다체계적이고효율적인환리스크관리를위하여환위험관리규정제정, 외환관리위원회구성및환리스크관리를위한별도의전담인원을배정하여운영하고있으며, 그주요내용은 1외환거래는환리스크를회피하고안정적경영수익을확보하기위해실행되어야하며, 2실수요와공급에의한거래를원칙으로하고, 3환위험관리의정책은자연적헤지 (Natural Hedge) 를기본으로하되필요시선물환등외부적관리기법을일부시행하고, 4회사의환위험관리는주관부서에서집중하여관리하며, 주관부서는환포지션을파악하여외환관리위원회가설정한지침에따라관리하고있습니다. [ 파생상품계약운용 ] 당사는파생상품계약을환위험헤지목적으로운용하고있습니다. (2) 위험관리조직및운영현황 당사는외환관리에관한의사결정기구로서외환관리위원회를설치 운영하고있으며, 외환관리위원회의주요업무는다음과같습니다. 1 외환관리정책, 전략심의및의결 2 외환관리규정의제정및개정 3 환관리목표와허용손실한도의설정 4 환위험헤지범위및헤지비율, 관리수단등의조정 5 환포지션, 환율변동영향, 환율전망등환관련정보의공유 나. 위험관리관련추진사항 당사는종합적외화자산부채관리의일환으로영업상의환율변동영향을축소하기위해파생상품거래를체결하고있습니다. 파생상품거래를매매목적의거래로분류하여회계처리하고있으며, 발생된손익은기업회계기준에따라당기손익으로인식하였습니다. 파생상품의공정가액은거래은행이제공한평가내역을이용하였습니다. 8. 파생상품거래현황 연결회사는이자및원금스왑, 선물환매도계약, 이자율스왑, 통화옵션계약등을통하여환율변동위 험, 현금흐름이자율위험등을관리하고있습니다. 또한내재파생상품인해외전환사채에내재되어 있는전환권옵션을분리하여공정가치로평가하여당기손익으로인식하고있습니다. 보고기간종료일현재기타금융자산으로계상되어있는파생금융자산은 1,121 백만원 ( 전기말 : 198 백만원 ) 이며기타금융부채로계상되어있는파생금융부채는 47,314 백만원 ( 전기말 :18,635 백만 원 ) 입니다. 당분기에파생상품거래와관련하여인식한평가이익및거래이익은 5,557 백만원 ( 전분기 : 4,744 백만 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 29

31 원 ) 이며평가손실및거래손실은 36,924 백만원 ( 전분기 : 11,214 백만원 ) 입니다. 9. 경영상의주요계약등 계약상대방항목내용비고 삼성전자 Rambus Inc. Link_A_Media Devices Corp. IBM Corp. Italy 기술센터 Toshiba Corp. 무석산업발전집단유한공사 계약유형 특허크로스라이선스계약 계약기간 2013 년 6 월 1 일 ~ 목적및내용 기타주요내용 - 계약유형 계약기간 목적및내용 기타주요내용 계약유형 삼성전자가보유하고있는반도체관련모든특허에대한사용 권을확보하여향후잠재적분쟁가능성원천적해소 특허크로스라이선스계약 2013 년 7 월 1 일 ~2018 년 6 월 30 일 라이선스계약을통해반도체전제품기술관련램버스보유 특허에대한사용권한을확보하여향후분쟁가능성해소 특허및반독점소송등램버스와진행중이모든소송취하 미국 NAND 컨트롤러업체인 LAMD 社인수 계약기간 2012 년 6 월 19 일 ~ DA 체결일 목적및내용 기타주요내용 계약유형 LAMD 의컨트롤러기술과전문인력확보로 고부가가치 NAND 솔루션역량확충 컨트롤러공동개발진행및컨트롤러기술리더쉽확보 공동개발계약및기술라이선스계약 계약기간 2012 년 5 월 31 일 ~ 목적및내용 기타주요내용 계약유형 기업용서버의성능향상및전력소비완화를위한 차세대메모리인 PCRAM 의조기상용화 PCRAM 공동개발진행 IBM 社의 PCRAM 기반기술영구라이선스확보 지분인수및서비스계약 계약기간 2012 년 4 월 10 일 ~ 목적및내용 기타주요내용 계약유형 Global R&D 체계구축및 R&D 역량강화를목적으로 Italy 에위치한 NAND 기술센터인수및서비스계약체결 NAND Flash 공동개발진행 공동개발계약및라이선스연장 계약기간 2011 년 7 월 13 일 ~ 목적및내용 기타주요내용 계약유형 차세대메모리의조기상용화및시장진입기반구축 개발비용절감및투자효율성제고 STT-MRAM 공동개발진행 공동개발성공시합작회사를설립하여 STT-MRAM 공동생산 공동투자를통한반도체후공정전문합작회사설립계약 계약기간 2009 년 5 월 17 일 ~ 목적및내용 기타주요내용 중국내일괄생산체제구축을통한제조및물류효율성증대 와원가경쟁력강화, 안정적외주처확보 양사의협의로합작법인을후공정전문회사로장기육성, ' 합작 사는향후 5 년간하이닉스에후공정장기외주임가공제공및 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 30

32 장비운용 / 교육을위한인력파견 10. 연구개발활동 가. 연구개발담당조직 당사는보고서제출일현재, 미래기술연구원및 DRAM 개발본부, Flash Tech 개발본부, Flash Solution 개발본부, Mobile 개발본부에서연구개발활동에주력하고있습니다. 나. 연구개발비용 ( 단위 : 백만원 ) 과 목 제66기 3분기 제65기 제64기 비고 원재료비 32,910 42,571 42,991 - 인 건 비 321, , ,890 - 감가상각비 94, , ,967 - 위탁용역비 70,972 43,117 33,191 - 기 타 318, , ,749 - 연구개발비용계 838, , ,788 - 판매비와관리비 688, , ,197 - 회계처리 제조경비 개발비 ( 무형자산 ) 149, , ,592 - 연구개발비 / 매출액비율 [ 연구개발비용계 당기매출액 100] 7.8% 9.2% 8.0% - 한국채택국제회계기준에따라작성되었습니다. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 31

33 다. 연구개발실적 구분연구과제명기대효과 제 66 기 3 분기 1) 4Gb GDDR5 2) 32/64/128/256GB msata SSD 3) 4/16/32/64GB e- NAND(eMMC4.5) 4) 2M 1/5"(130nm, 1.75um pixel, Hi-257) 5) 4Gb DDR4 6) 2Gb GDDR5 7) 2Gb SLC NAND 8) 64Gb MLC NAND GDDR5 제품중 20nm 공정기술을적용한첫고용량제품으로서그래픽시장의프레임버퍼 (Frame Buffer) Size 증가요구를반영한제품임. 저전력고성능구현으로그래픽시장을리드할것으로기대되는프리미엄제품으로, 하이브리드설계구조적용으로원가경쟁력을위한와이어본딩 /8Gbps 솔루션으로 Flip Chip 동시지원가능. 지난해인수한 SKHMS와의시너지를통한첫자체 20nm SSD(mSATA) 제품으로기존 26nm SSD 제품대비우수한성능과원가경쟁력을가지고있음. OEM향노트북, 태블릿시장에서다양한고객요구에대응할수있는제품을확보함에따라매출과수익성확대에크게기여할것으로기대됨. 2Ynm emmc4.5 제품으로기존 2Ynm emmc4.41 제품대비 2배이상향상된성능을통해 Ci-MCP와고용량 emmc 제품의매출증대와수익성향상에기여할것으로기대됨. 중국시장에서저가형스마트폰의메인카메라로 2M 제품채용이확대되고있는시점에서 Net Die를기존제품대비 40% 증가시킨제품으로서당사의시장점유율을확고히하는데기여할것으로기대됨. 20nm급공정기술을적용한세계최초의 DDR4 양산제품으로인텔하스웰 (Haswell) 시스템개발초기부터참여하여 PMO(Platform Memory Organization) 샘플대응을통해시스템과모듈간 Align을진행. 자사최초로인텔 CDC(Columbia Design Center) FlugFest에참석하여 Green Light 획득. DDR4 시장의선도적진입및리더십확보를위한교두보를마련하였음. 20nm급공정기술을적용한제품으로기존 30나노급대비생산성향상에기여. 기존제품대비퍼포먼스 ( 저전력및고속동작지원 ) 가향상되어그래픽메모리시장을선도하며, 2Gb 제품의주력생산이될제품. High-end PC향그래픽및서버등에도채용을추진중으로신규시장창출이기대됨. 30nm급기술을적용한 4bit ECC 지원제품으로모바일향으로개발되었으며, 기존 40nm급대비생산성이 29% 향상됨. 공정미세화를통한수율과품질을확보하여가격경쟁력확보및수익성향상이예상되며, 당사의시장점유율을높이는데기여할것으로기대됨. 세계최초 1Xnm 공정을적용한핵심제품으로서기존고용량 20nm 64Gb 제품대비생산성이크게향상되어원가경쟁력을확보하였으며, 최근크게수요가증가되고있는모바일향 emmc 및 PPN, 스토리지향 SSD 등솔루션제품수익성향상에큰기여를할수있을것으로기대됨. 9) 64/128/256/512GB STD2.5" 자체개발한컨트롤러를채용한 2Ynm 2.5 인치스탠다드 SSD 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 32

34 SSD, 64/128/256GB M.2 SSD 10) 4Gb LPDDR3 11) 1Gb/512Mb DDR2 12) 8Gb LPDDR3 13) 16/32/64GB e- NAND(eMMC4.5) 14) 128,256GB M SSD 및 M.2 SSD 제품으로기존 2Ynm SSD 제품대비우수한성능과원가경쟁력을확보함으로써향후높은성장성과수익성이예상되는 PC OEM 시장집중및고객다변화로SSD 매출및수익성향상에기여할것으로기대됨. 모바일 2Xnm 기술로개발된제품으로모바일기기의 High performance 요구와울트라북의 Low Power 제품채용에따른모바일 DRAM 매출확대에기여할것으로예상됨. 4Xnm에서 2Xnm로 Tech Migration한컨수머향 DDR2 제품으로 nvidia 社 Automotive향 Biz 진입을통해지속적으로수익을창출하는제품으로자리잡을것으로기대됨. 또한 Half Chip 설계기술적용으로 512Mb Density 시장에대해서도전략적대응이가능. 모바일 2Ynm 기술로세계최초개발된 8Gb LPDDR3 제품으로최근요구되고있는모바일기기의 High Performance 와저전력특성을확보하였으며, 두께에민감한제품수요에대응할수있어모바일 DRAM 매출확대에기여할것으로예상됨. 1Xnm Tech의 NAND 제품을적용한모바일솔루션제품으로기존 2Ynm emmc4.5 제품대비원가경쟁력을확보하였으며, Small PKG 고용량제품라인업완성으로자사모바일제품경쟁력을확보하여매출증대와수익성향상에기여할것으로기대됨. 자사 2Ynm Tech NAND를적용한울트라북용 SSD 제품으로차세대 Formfactor를지원함으로써신규시장의주요 OEM 고객매출확대에기여할것으로기대됨. 구분 연구과제명 기대효과 1) 64Gb MLC NAND 2Y나노공정을적용한핵심제품으로써기존의고용량 2X나노 64Gb 제품대비생산성이 40% 이상향상되어원가경쟁력을확보하였으며, 최근크게수요가증가하고있는모바일향솔루션제품수익성향상에큰기여를할수있을것으로기대됨. 2) 4Gb LPDDR3 30나노급기술을적용한 LPDDR3 제품으로기양산중인 LPDDR2 제품대비고속및저전력동작이가능함. PC에채용되는 DDR3 제품의속도를구현할수있어저전력고속동작을요구하는고사양스마트폰및태블릿 PC에채용될예정임. 30나노급기술을적용한컨수머제품으로, 컨수머어플리케이 션에서의 Long Term Supportability를확보하기위한제품임. 제65기자사최초로 Array E-Fuse 기술이적용된제품으로향후모든 3) 1Gb DDR3(x16) DRAM에적용가능한 Array E-Fuse 설계요소기술을확보하 여상용화를달성하였으며, Cost Effective Test Baseline 구축 가능효과가있을것으로기대됨. 20나노급공정을적용한 DRAM 핵심제품으로기존 30나노급 4) 2Gb DDR3 제품대비생산성이크게향상되어원가경쟁력을확보하였으며, 설계및소자기술의혁신으로저전력, 초고속특성이확보 되어수익성향상에큰기여를할것으로기대됨. 5) 32Gb MLC NAND 20 나노급공정을적용한 emmc 향제품으로모바일기기의 Small PKG 대응을통해제품경쟁력을확보하여모바일향솔 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 33

35 루션제품수익성향상에크게기여할수있을것으로기대됨. 20나노급공정을적용한저용량 emmc 및 USD향제품으로모바일기기의저용량제품대응을통해 20나노급제품포트폴리 6) 16Gb MLC NAND 오를강화하여모바일향솔루션제품수익성향상에크게기여할수있을것으로기대됨. 30나노급 SLC 제품으로기존 40나노급제품대비생산성이크게향상되어 Mid/Lowend Smartphone향 MCP 제품경쟁력확 7) 4Gb SLC NAND 보및모바일제품수익성향상에크게기여할수있을것으로기대됨. 20나노급 NAND를사용기존 20나노급제품대비높은성능과 8) 4/8/16/32GB e- 원가경재력을확보하여고성능대용량의스마트폰과태블릿 NAND(eMMC4.41) PC등의모바일시장에서수익성향상에크게기여할것으로기대됨. 20나노급 NAND를사용하여만든 SSD(SATA 6.0Gbps) 제품으로자사브랜드로는최초의사용화제품임. 최근급성장하는 9) 64/128/256GB STD2.5"SSD 데스크탑, 노트북등의 SSD 시장에서고부가가치의 NAND 솔루션제품으로수익성향상에큰기여를할수있을것으로기대됨. 20나노급 NAND를사용한 msata 규격 (SATA 6.0Gbps) 의제 10) 32/64/128GB msata SSD 품으로최근급성장하는울트라북 OEM향 SSD 시장에서제품경쟁력을확보하여수익성향상에크게기여할것으로기대됨. 소니社의고객 System 개발과연계하여 Biz를이어나갈제품으로개발되었으며자사최초로 Multi-Channel Wide 11) 1Gb CDR(x512) IO(x512) DRAM을개발하였고, 향후모바일플랫폼의주요기술인 Wide IO TSV기술개발에기여할것으로기대됨. 2012년까지주력제품이될 High Density 제품으로 30나노급에이어원가및퍼포먼스측면에서경쟁력있는 20나노급을개발함으로써수익성향상에기여할것으로기대되며, 특히온 12) 4Gb DDR3 도에따라대기전류를효율적으로제어하는기술을통해저전력시장요구에부합하는제품으로향후경쟁력향상에기여할것으로기대됨. 20나노 Base Emmc4.41 제품확보로 Low Density 제품라인 13) 2GB e-nand(emmc4.41) 업에도경쟁력을확보함. 향후컨수머향 Low Density 제품에진입기회를확보할수있음. 20나노급모바일 DRAM 기술을적용하여개발된제품으로최 14) 4Gb LPDDR2 근스마트폰시장에서수요가급증하고있어기존 30나노급제품대비수익성향상에기여할수있을것으로예상됨. 기양산중인 Hi-255 제품을기반으로 CSP 패키지가가능하도 15) 2M MIPI CSP, 1.75um, 록개발된제품으로향후중국시장매출확대에기여할것으로 130nm 기대됨. 그래픽 & 컨수머시장의주력제품으로 30나노급이후 20나노급개발을통해수익성향상에기여한제품으로, 특히빠른속도 16) 2Gb DDR3(x16) (1Ghz) 및저전력 (1.35V) 특성확보를통해그래픽 & 컨수머시장의리더쉽을유지하는데기여할것으로기대됨. 17) 60/120GB STD 2.5" SSD 20나노급 NAND 및새로운컨트롤러를적용한 2.5" 스탠다드 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 34

36 18) 2Gb LPDDR (SATA 6.0Gbps) SSD 개발로기존제품대비높은성능과안정성을제공할것으로예상됨. 30나노급모바일 DRAM 기술을적용하여개발된제품으로중국향저가스마트폰에채용되는기존 40나노급제품대비수익성향상에기여할수있을것으로예상됨. 구분 연구과제명 기대효과 1) 2Gb DDR3 30나노급기술을적용한메인메모리제품으로서버, 데스크탑 PC, 노트북등에사용되는제품임. 당사최초로 6F2기술을적용하여상용화한제품으로기존 40나노급제품보다월등히생산성이높아지게되어경영실적에크게기여할것으로예상됨. 30나노급의기술플랫폼을구축하게되었으며향후개발될 30나노급파생제품의개발을선도할제품임. 2) 1Gb LPDDR 40나노급기술을적용한모바일메모리제품으로핸드폰, PMP, MID, 넷북, 게임콘솔등다양한모바일어플리케이션에대응가능한제품임. 특히 Small Package가가능하도록제작되어점차소형화되고있는모바일시장의시장점유율확대에기여할것으로예상됨. 2X나노기술을적용한응용복합제품으로스마트폰, 태블릿 PC 등의모바일시장에대응하기위하여개발된제품임. 3) 16Gb/32Gb/64Gb MLC emmc4.4 Spec 요건을만족하고있으며, 기존 30나노급기술 enand 대비 60% 이상의생산성향상으로인해수익성향상에크게 기여할것으로예상됨. 1.75um 130나노기술을적용한 VGA 제품으로중국시장내가 격경쟁력심화에대응하기위한제품으로기존제품대비생 4) VGA 1.75um 130nm 산성이 14% 증가하였으며중국시장에서 VGA 제품의가격이 제64기 하락하는시점에서시장진입함으로써수익성유지를목적으 로함. 40나노급기술을적용한저사양모바일폰및데이터카드, 베이 5) 256Mb Combo Mobile 스밴드향의모바일메모리제품으로기존기술대비다이 (die) 수증가로인한원가경쟁력확보로수익성향상에기여할것 으로예상됨. 당사최초의 30나노급 4Gb 고용량제품으로 PC용메인메모 리뿐만아니라그래픽, 컨수머시장에도대응이가능함. 6) 4Gb DDR3 32GB RDIMM과 64GB 수퍼노바 DIMM 개발을통해고용량 모듈지원이가능하여수익성확보및유지에기여할것으로 기대됨. 30나노급기술을적용한그래픽, 컨수머시장주력제품으로 7) 2Gb DDR3(x16) 서 1GHz의빠른스피드특성을확보하여시장지배력유지에기여할것으로기대됨. 1.35V의저전압에서도 900MHz의속 도를확보하여 Low Vdd 경쟁력도갖추었음. 2.0um, HD format Pixel array를적용하여노트북시장을타 켓으로개발한제품임. 노트북용카메라시장이베가에서1M 8) 1M, 2.0um, 130nm HD 센서로급격히이동함에따라이에대응하기위한제품으 로노트북시장점유율확대와안정적수익창출에기여할것 으로예상됨. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 35

37 9) 2Gb DDR5 10) 512Mb LPDDR 11) 4Gb LPDDR2 12) 2Gb LPDDR2 13) 1Gb SLC NAND 14) 120GB msata SSD 15) 2M MIPI, 1.75um, 130nm 16) 3M, 1.4um, 90nm 30나노급기술을적용한그래픽시장주력제품으로저전력, 초고속, 고용량, 소형화가요구되는그래픽시장대응을위한제품임. 세계최고수준의속도구현및저전력, 고속동작지원으로기술의리더쉽을유지하는독보적인위치를확보하였음. PC와노트북그래픽카드및 HPC(High Performance Computing) 에최적화된제품임. 40나노급기술을적용한저사양모바일폰및데이터카드, 베이스밴드향의모바일메모리제품으로기존 50나노급기술대비다이 (die) 수증가로인한원가경쟁력확보로수익성향상에기여할것으로예상됨. 30나노급 6F2 기술이적용된모바일제품으로고용량, 고속동작이가능한제품임. 초박형패키지로제작되어고사양스마트폰및태블릿 PC에채용될예정으로, 수익성증대에기여할것으로예상됨. 30나노급기술을적용한스마트폰시장주력제품으로서기존 800Mbps 동작대비향상된 1066Mbps 특성을확보하여고사양제품채용도가능하여수익성향상에기여할것으로예상됨. 30나노급기술을적용한 SLC 최초 4bit ECC 지원제품으로모바일향으로개발되었으며, 매출및수익성향상에크게기여할것으로예상됨. LTE 등통신환경개선으로 Data card 시장성장예상과중국에서 512Mb~1Gb SLC 제품을채용하는 SOC가신규개발예정되어중화권모바일시장확대가전망됨. 20나노급기술을적용한 msata SSD 개발을통해자사최초로 SSD 시장진입을달성함. 모바일과함께 NAND 어플리케이션중가장가파른성장이예상되는 SSD 시장진입에성공함으로써매출및수익성향상에크게기여할것으로예상됨. 기개발된 130nm 1.75um 2M 제품에 MIPI 시리얼인터페이스를추가한제품으로침셋업체의 MIPI 지원제품의본격적인출시와 Set 업체의 MIPI 지원에대한요구에대응하기위한제품임. 향후 MIPI 지원제품의수요가급격히증가할것으로예상되어매출확대에크게기여할것으로전망됨. 1.4um 화소를적용한첫 90nm 코어제품으로향후 90nm 파생제품개발을통한제품라인업확대와모바일폰에서요구되는소형화추세에대응하기위한제품임. 낮은 1.2V 전압에서동작하여소비전력이낮은장점이있으며, 개발단계에서부터고객평가를통한요구사항을적극반영하여개발완료와동시에판매로이어져매출확대가기대됨. 11. 기타투자의사결정에필요한사항 가. 최근 3 년간신용등급 [ 국내 ] 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 36

38 평가일 평가대상 유가증권등 평가대상유 가증권의 신용등급 평가회사 신용평가등 급범위 평가구분 회사채 ( 정기평가 ) BBB+ NICE신평 AAA ~ D 정기평가 회사채 ( 정기평가 ) BBB+ 한기평 AAA ~ D 정기평가 회사채 ( 정기평가 ) BBB+ 한신평 AAA ~ D 정기평가 회사채 (209) BBB+ NICE신평 AAA ~ D 본평가 회사채 (209) BBB+ 한기평 AAA ~ D 본평가 회사채 (209) BBB+ 한신평 AAA ~ D 본평가 회사채 (210) BBB+ NICE신평 AAA ~ D 본평가 회사채 (210) BBB+ 한기평 AAA ~ D 본평가 회사채 (210) BBB+ 한신평 AAA ~ D 본평가 회사채 (211) A- NICE신평 AAA ~ D 본평가 회사채 (211) A- 한기평 AAA ~ D 본평가 회사채 (211) A- 한신평 AAA ~ D 본평가 회사채 ( 정기평가 ) A- NICE신평 AAA ~ D 정기평가 회사채 ( 정기평가 ) A- 한기평 AAA ~ D 정기평가 회사채 ( 정기평가 ) A- 한신평 AAA ~ D 정기평가 회사채 ( 수시평가 ) A- 한신평 AAA ~ D 수시평가 회사채 ( 수시평가 ) A- 한기평 AAA ~ D 수시평가 회사채 ( 수시평가 ) A NICE신평 AAA ~ D 수시평가 회사채 ( 수시평가 ) A 한기평 AAA ~ D 수시평가 회사채 ( 수시평가 ) A 한신평 AAA ~ D 수시평가 회사채 ( 정기평가 ) A NICE신평 AAA ~ D 정기평가 회사채 ( 정기평가 ) A 한기평 AAA ~ D 정기평가 회사채 ( 정기평가 ) A 한신평 AAA ~ D 정기평가 회사채 (212) A 한신평 AAA ~ D 본평가 기업어음 ( 본평가 ) A2 NICE신평 A1~D 본평가 기업어음 ( 본평가 ) A2 한기평 A1~D 본평가 기업어음 ( 본평가 ) A2 한신평 A1~D 본평가 회사채 (213) A NICE신평 AAA ~ D 본평가 회사채 (213) A 한기평 AAA ~ D 본평가 회사채 (213) A 한신평 AAA ~ D 본평가 기업어음 ( 정기평가 ) A2 NICE신평 A1~D 정기평가 기업어음 ( 정기평가 ) A2 한기평 A1~D 정기평가 기업어음 ( 정기평가 ) A2 한신평 A1~D 정기평가 회사채 ( 정기평가 ) A+ 한기평 AAA ~ D 정기평가 회사채 ( 정기평가 ) A+ 한신평 AAA ~ D 정기평가 회사채 ( 정기평가 ) A+ NICE신평 AAA ~ D 정기평가 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 37

39 기업어음 ( 본평가 ) A2+ 한기평 A1~D 본평가 기업어음 ( 본평가 ) A2+ 한신평 A1~D 본평가 기업어음 ( 본평가 ) A2+ NICE 신평 A1~D 본평가 [ 해외 ] 평가일 평가대상 유가증권등 평가대상유 가증권의 신용등급 평가회사 신용평가등 급범위 평가구분 발행회사 B1 Moody's Aaa ~ C 수시평가 해외사채 B+ S & P AAA ~ D 수시평가 해외사채 BB- S & P AAA ~ D 수시평가 발행회사 Ba3 Moody's Aaa ~ C 수시평가 발행회사 BB S & P Aaa ~ D 수시평가 발행회사 Ba2 Moody's Aaa ~ C 수시평가 상기 S&P 및 Moody's의본점소재지는미국임. [ 참고 ] 국내신용평가사 (NICE 신용평가, 한국기업평가, 한국신용평가 ) 등급정의 신용등급 등급의정의 AAA AA A BBB BB B CCC CC C D 원리금지급확실성이최고수준임원리금지급확실성이매우높지만, AAA등급에비하여다소낮은요소가있음원리금지급확실성이높지만, 장래의환경변화에따라다소영향을받을가능성이있음원리금지급확실성이있지만, 장래의환경변화에따라저하될가능성이내포되어있음원리금지급능력에당면문제는없으나, 장래의안정성면에서는투기적인요소가내포되어있음원리금지급능력이부족하여투기적임원리금의채무불이행이발생할위험요소가내포되어있음원리금의채무불이행이발생할가능성이높음원리금의채무불이행이발생할가능성이지극히높음현재채무불이행상태에있음 AA ~ B 등급까지는상대적우열에따라 "+" 또는 "-" 기호를부여함. [ 참고 ] 국내신용평가사 (NICE 신용평가, 한국기업평가, 한국신용평가 ) 기업어음의등급정의 신용등급 A1 A2 등급의정의 적기상환능력이최상이며, 상환능력의안정성또한최상임 적기상환능력이우수하나, 그안정성은 A1 에비해다소열위임 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 38

40 A3 B C D 적기상환능력이양호하며, 그안정성도양호하나 A2에비해열위임적기상환능력이적정시되나, 단기적여건변화에따라그안정성에투기적인요소가내포되어있음적기상환능력및안정성에투기적인요소가큼상환불능상태임 A2 ~ B 등급까지는상대적우열에따라 "+" 또는 "-" 기호를부여함. [ 참고 ] 해외신용평가사 Moody's 등급정의 신용등급 등급의정의 Aaa 최소한의신용리스크를보이며, 최고의신용상태를가진것으로판단됨. Aa 신용상태가우수한것으로판단되며신용리스크가매우낮음. A 중상위등급으로간주되며신용리스크가낮음. Baa 신용리스크가보통수준임. 이들은중위등급으로간주되며그에따라일부투기적특 징을가질수있음. Ba 투기적요소가있는것으로판단되며신용리스크가상당한수준임. B 투기적인것으로간주되며신용리스크가높음. Caa 신용상태가불량한것으로판단되며신용리스크가매우높음. Ca 투기성이매우높고부도상태이거나부도에매우근접해있을가능성이높으며원리금 회수가능성이어느정도있음. C 채권의최하등급. 일반적으로부도상태이고원리금회수가능성이거의없음. Aa 부터 Caa 까지각일반등급분류에 1,2,3 의숫자를부여함. 숫자 1 은해당등급분류내에서 상위에있음을, 숫자 2 는중위에, 숫자 3 은하위에있음을나타냄. [ 참고 ] 해외신용평가사 S&P 등급정의 신용등급 등급의정의 AAA 채무상환능력이극히높음. 최상등급임. AA 채무상환능력이매우높음, 상위등급과크게차이는없으나최고수준은아님. A BBB BB B CCC 채무상환능력이높음, 상위등급의기업에비해서는경기침체와시장환경변화의영향을받기쉬움. 채무상환능력은충분하나, 상위등급의기업에비해서는경기침체와시장환경변화의영향을받기쉬움. 가까운장래에채무불이행이발생할가능성은비교적적으나, 경영상태, 재무상황, 경제상황이악화될경우채무불이행가능성이충분히고려됨현재로서는채무상환능력이있으나, 상위등급의기업에비해경영상태, 재무상황, 경제상황이악화될경우채무불이행가능성이높음. 현재채무불이행가능성이있으며, 채무이행능력은경영, 재무, 경제상황이호의적일경우에만있다고보여짐. CC 채무불이행가능성이현재로서상당히높음. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 39

41 D 채무만기시 1 건이상의채무를상환하지못한기업을의미함. AA 등급에서 CCC 등급까지는해당등급에서의상대적인위치에따라 '+', '-' 를추가로부여할수 있음. 나. 회사의고객관리정책 당사는 IT 산업을대표하는글로벌기업으로서당사매출기여도가매우높고당사판매전략과부합하는고객을 ' 전략고객 (Strategic Account, S/A)' 으로정하여관리하고있습니다. 당사의 S/A 고객은본보고서작성일현재총 13개사로각응용분야별전략고객의관리를통하여안정적인매출기반을확보함은물론제품구성을다양화하여수익성을극대화하고있습니다. 다. 지식재산권보유현황 2013 년 9 월 30 일현재당사는반도체와관련하여총 17,414 건의지식재산권을보유하고있습니다. 통상적으로등록권리는해마다증가하나, 매년기등록된권리를평가하여등록유지또는포기여부 를결정하고있어포기된권리로인해그수치가다소감소할수있습니다. 특허와실용신안권은각국의특허법과실용신안법에근거하여보호되고있으며, 상표권은각국의 상표법에근거하여보호되고있습니다. 특허권의존속기간은출원일로부터 20 년 ( 실용신안은 10 년 ), 상표는등록일로부터 10 년이며상표권은갱신등록절차를통해존속기한을연장할수있습니다. 당사지식재산권은총 58 인으로구성된전담조직에서출원, 등록및사후관리, 분쟁대응등을담당하 고있습니다. 다양한지식재산권이당사제품생산및사업운영에활용되고있으며각각의세부사항 및특허권의상세한내용은영업비밀에해당되므로기술하지않습니다. 라. 정부나지방자치단체의법률규정등에의한규제사항 ' 산업기술의유출방지및보호에관한법률제11조 ' 에의하여국가핵심기술로지정된반도체제조기술을해외로이전하는경우, 수출자는산업통상자원부에신고할의무를지니고있습니다. 이에당사는중국공장의생산효율성을극대화하고현지시장에서의우위를지속적으로유지하기위하여중국우시공장 (SKHYCL) 과후공정합작사인 HITECH에디자인룰 25나노 DRAM 공정기술과조립검사기술의이전에대하여관련법에의한국가핵심기술신고절차를준수하여신고수리를완료하였으며, 미국 SKHYA 기술센터에 25나노 DRAM 응용제품설계기술이전에관한사항을관련법을준수하여신고수리를완료하였습니다. 당사경영계획일정에따른적기기술이전을통해차질없는생산전개로경영목표를원활하게달 성해나갈것입니다. 마. 환경보호정책및현황 (1) ESH 경영시스템인증 당사는국제인증규격인 ISO14001( 환경경영시스템 ) & OHSAS18001( 안전보건경영시스템 ) 과국내 인증규격인 KOSHA18001( 안전보건경영시스템 ) 을취득하여유지관리하고있으며, 기업활동으로인 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 40

42 해발생하는환경및안전보건영향요인을효율적으로관리하기위해전담조직을구성하여체계적으 로관리하고있습니다. (2) 기후변화협약대응 당사는기후변화와관련된유. 무형의위험과기회관리를위해기후변화관련규제를준수하며적극적으로대응하고있습니다. 또한기후변화로인해발생할수있는비용및제품품질관리를위한전략을마련하고고객및정부의신뢰도를지속적으로확보하여환경에대한새로운가치를창출할수있도록전사적수준의대응을하고있습니다. [ 온실가스에너지목표관리제 ] 당사는정부에서시행하는온실가스에너지목표관리제관리업체로서 2011년부터당사의온실가스배출량을측정. 검증하여보고하고있으며, 매년온실가스저감목표를수립하여달성을위해노력하고있습니다. 공정가스인 PFCs 배출저감을위해대체가스적용, PFCs 저감장치효율관리를위한 EPA 방법론도입및운영, 공정최적화, 촉매가스활용등다양한아이템을지속적으로추진하고있으며에너지절감활동에서는전사 Task Force 운영을통해저감아이템발굴및이행, 저감로드맵수립, 운영현황공유등체계적인관리하에에너지저감활동을강화하고있습니다. [CDP( 탄소정보공개프로젝트 ) 탄소경영최우수기업 5년연속선정, 명예의전당입성 ] 당사는탄소정보공개프로젝트 (CDP: Carbon Disclosure Project) 한국위원회가선정하는탄소경영최우수그룹인 ' 탄소경영글로벌리더스클럽 ' 에 5년연속편입되어국내최초, 국내유일기업으로명예의전당에입성하였습니다. (3) 친환경제품을위한노력 [ 전과정평가 (Life Cycle Assessment, LCA)/Eco-efficiency/ 탄소성적 ] 당사는 2010년 LCA 전산화시스템을구축하여매년 DRAM 및 Nand Flash 메모리단품제품의전과정평가를확대하고있습니다. 이러한노력의결과로 2013년 10월에는환경부로부터 30나노급 4Gb DDR3 제품에대하여반도체업계최초로환경성적표지인증을획득하였습니다. 또한 2008년도부터 Eco-efficiency를개발하여각제품별환경성을공개하고, 환경영향을감소시키기위한지표로활용하고있습니다. 당사는 2013년 6월에 30나노급 4Gb LPDDR2 제품과 20나노급 64Gb NAND 제품에대해환경부로부터각각탄소배출량인증과저탄소제품인증을획득하였습니다. 이는 2009년탄소성적표지최초인증이후일곱번째로받은인증으로회사는앞으로도주요 DRAM 및Nand Flash 제품에대해지속적으로탄소성적표지인증을획득할계획입니다. (4) 기타환경보호정책 2009년 5월, 환경경영에대한투명성및진정성을확보하기위해국내대표적 NGO인환경운동연합및환경경영전문가로환경경영검증위원회를구성하여, 당사환경경영성과에대한검증을진행하고그결과를환경경영검증위원회보고서로발행하여대외공개하였습니다. 2010년에는검증위원회에서자문위원회로변경, 환경경영자문회를개최하였으며, 당사의전반적인환경경영및환경전략관련의견을수렴하여당사경영활동에반영하고있습니다. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 41

43 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 42

44 III. 재무에관한사항 1. 요약연결재무정보 가. 요약연결재무정보 ( 단위 : 백만원 ) 구분 제66기 3분기 제65기 제64기 [ 유동자산 ] 6,802,076 5,313,573 4,936,850 ㆍ현금및현금성자산 600, ,387 1,243,788 ㆍ단기금융상품 2,491,256 1,126, ,139 ㆍ매출채권 2,188,907 1,719,521 1,540,925 ㆍ재고자산 1,153,245 1,509,331 1,183,608 ㆍ기타 367, , ,390 [ 비유동자산 ] 13,735,214 13,335,120 12,301,298 ㆍ관계기업및조인트벤처투자 103, , ,613 ㆍ매도가능금융자산 49,581 44,297 47,492 ㆍ유형자산 11,950,509 11,586,192 10,899,308 ㆍ무형자산 1,055, , ,648 ㆍ기타 576, , ,237 자산총계 20,537,290 18,648,693 17,238,148 [ 유동부채 ] 3,495,675 4,441,180 4,817,286 [ 비유동부채 ] 4,727,911 4,468,071 4,545,591 부채총계 8,223,586 8,909,251 9,362,877 [ 지배기업소유주지분 ] 12,314,377 9,740,156 7,875,742 ㆍ자본금 3,568,645 3,488,419 2,978,498 ㆍ자본잉여금 3,406,148 3,053,874 1,229,052 ㆍ기타포괄손익누계액 57, , ,107 ㆍ기타자본항목 - - 5,762 ㆍ이익잉여금 5,396,824 3,313,265 3,555,323 [ 비지배지분 ] 자본총계 12,313,704 9,739,442 7,875,271 매출액 10,797,415 10,162,210 10,395,811 영업이익 2,595, , ,095 연결총당기순이익 2,083, ,795 55,971 지배기업의소유주지분 2,083, ,886 56,641 비지배지분 기본주당순이익 2,934원 233원 96원 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 43

45 연결에포함된회사수 22 개사 20 개사 21 개사 [ 는부 (-) 의수치임 ] 한국채택국제회계기준에따라작성되었습니다. 제 66 기의연결재무상태표에해당하는부분은 2013 년 9 월 30 일기준이며, 연결포괄손익계산서에 해당하는부분은 2013 년 9 월 30 일까지의누계기준으로작성되었습니다. 2. 연결재무제표이용상의유의점 가. 감사의견 회사는회계처리기준및연결재무제표준칙에따라회계처리하고있으며, 회사가작성한연결재무제 표에대한감사의견은다음과같습니다. 제 66 기 3 분기 제 65 기 제 64 기 구분 ( ~ ( ~ ( ~ ) ) ) 삼일회계법인 삼일회계법인 삼일회계법인 감사인 대표이사 대표이사 대표이사 안경태 안경태 안경태 감사의견 - 적정의견적정의견 나. 연결재무제표의작성기준및중요한회계정책 연결회사의 2013년 9월 30일로종료하는 9개월보고기간에대한분기재무제표는기업회계기준서제1034호 " 중간재무보고 " 에따라작성되었습니다. 이분기재무제표는보고기간말인 2013년 9월 30일현재유효하거나조기도입한한국채택국제회계기준에따라작성되었습니다. 연결회사는 2013년 1월 1일로개시하는회계기간부터다음의제ㆍ개정기준서를신규로적용하였습니다. - 기업회계기준서제1001호 ' 재무제표표시 ' 개정 : 기타포괄손익항목의표시포괄손익계산서의기타포괄손익을당기손익으로재분류되지않는항목과후속적으로당기손익으로재분류되는항목으로구분하여표시하도록개정되었습니다. 연결회사는이를소급하여적용하였으며, 이로인하여연결회사의총포괄손익에미치는영향은없습니다. - 기업회계기준서제1019호 ' 종업원급여 ' 개정발생한모든보험수리적손익은기타포괄손익으로즉시인식하도록개정되었습니다. 또한제도의변경에따라발생한모든과거근무원가를즉시인식하며, 이자원가와사외적립자산에대한기대수익을별도로산출하던것을순확정급여부채 ( 자산 ) 에확정급여채무의측정에사용한할인율을적용하여순이자비용 ( 수익 ) 을산출하는것으로변경하였습니다. 개정기준서의적용으로인하여재무제표에미치는유의적인영향은없습니다. - 기업회계기준서제 1110 호 ' 연결재무제표 ' 단일의지배력개념이도입되었으며, 지배력에대한구체적인지침을제공하고있습니다. 기업회계 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 44