사업보고서 ( 제 63 기 ) 사업연도 2010 년 01 월 01 일부터 2010 년 12 월 31 일까지 금융위원회 한국거래소귀중 2011 년 3 월 31 일 회사명 : 주식회사하이닉스반도체 대표이사 : 권오철 ( 인 ) 본점소재지 : 경기도이천시부발읍아미리산 136

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1 사업보고서 ( 제 63 기 ) 사업연도 2010 년 01 월 01 일부터 2010 년 12 월 31 일까지 금융위원회 한국거래소귀중 2011 년 3 월 31 일 회사명 : 주식회사하이닉스반도체 대표이사 : 권오철 ( 인 ) 본점소재지 : 경기도이천시부발읍아미리산 ( 전화 ) ( 홈페이지 ) 작성책임자 : ( 직책 ) 재경실장 ( 성명 ) 김민철 ( 인 ) ( 전화 ) ~7

2 대표이사등의확인

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5 1. 회사의개요 I. 회사의개요 하이닉스반도체는이천, 청주의국내사업장을비롯하여중국장쑤 ( 江蘇 ) 성우시 ( 無錫 ) 시에생산공장과전세 계 16 개국에걸쳐판매법인및국내외사무소를두고있는글로벌기업으로서지속적인연구개발및투자로 기술및원가경쟁력을확보하고있으며, 세계반도체시장을선도하기위해노력하고있습니다. 당사의개요와관련한보다자세한내용은다음과같습니다. 가. 회사의법적ㆍ상업적명칭 당사의명칭은주식회사하이닉스반도체이며, 영문으로는 Hynix Semiconductor Inc. 라고표기합니다. 단, 약 식으로표기할경우에는 ( 주 ) 하이닉스반도체또는 Hynix 라고표기합니다. 나. 설립일자및존속기간 당사는 1949 년 10 월국도건설주식회사로설립되어 1983 년 2 월현대전자산업주식회사로, 2001 년 3 월주식 회사하이닉스반도체로상호를변경하였습니다. 회사가발행한주식은한국거래소에상장되어유가증권시장 에서거래되고있으며, 종목코드는 '000660' 입니다. 다. 본사의주소, 전화번호, 홈페이지주소 주소 : 경기도이천시부발읍아미리산 전화번호 : 홈페이지 : 라. 주요사업의내용 현재당사의주력생산제품은 DRAM, 낸드플래시및 MCP(Multi-chip Package) 와같은메모리반도체제품 이며, 2007 년부터는시스템 LSI 분야인 CIS(CMOS 이미지센서 ) 사업에재진출하여종합반도체회사로그 영역을넓혀가고있습니다. 당사정관에근거하여현재회사가영위하는목적사업은다음과같습니다. -. 반도체소자제조및판매 -. 반도체소자기타이와유사한부품을사용하여전자운동의특성을응용하는기계, 기구및이에사용되는부품과재료등의제작, 조립및판매 -. 컴퓨터활용을위한소프트웨어개발및임대업 -. 기술연구및용역수탁업 -. 부동산매매및임대업 한편, 사업실적은없으나, 환경변화에능동적이고유기적으로대처하기위하여유지하고있는목적사업은다

6 음과같습니다. -. 무역업 -. 정보서비스업 -. 기계부분품제조업및금형제조업 -. 특수통신 ( 위성통신등 ) 방송관련기기제작, 판매, 임대업및서비스업 -. 출판업 -. 발전업 -. 건설업 -. 전자관제조업 -. 창고업 -. 주차장업 -. 위성통신사업 -. 전기통신회선설비임대사업 -. 전자전기기계, 기구의임대업 -. 전자전기, 통신기계, 기구및그부품의제작, 판매, 임대및관련서비스업 -. 전자상거래및인터넷관련사업 -. 전기각호와관련되는사업및투자 본보고서제출일현재이사회및주주총회결의등을통하여향후추진하기로결정된사항은없으며, 사업부 문별보다자세한사항은 Ⅱ. 사업의내용을참조하시기바랍니다. 마. 계열회사의총수, 주요계열회사의명칭및상장여부 당사를제외한계열회사의총수는 23 개사이며, 당사의기업집단은아래와같이구성되어있습니다. 구분회사수회사명 국 내 상장 2 ( 주 ) 하이닉스반도체 ( 주 ) 실리콘화일 비상장 7 ( 주 ) 하이닉스엔지니어링 ( 주 ) 하이스텍 ( 주 ) 하이닉스인재개발원 ( 주 ) 하이로지텍아미파워 ( 주 ) ( 주 ) 현대디스플레이테크놀로지 ( 주 ) 큐알티반도체 해 외 비상장 15 Hynix Semiconductor America Inc.(HSA) Hynix Semiconductor Manufacturing America Inc.(HSMA) Hynix Semiconductor Deutschland GmbH(HSD)

7 Hynix Semiconductor Europe Holding Ltd.(HSE) Hynix Semiconductor U.K. Ltd.(HSU) Hynix Semiconductor Asia Pte.Ltd.(HSS) Hynix Semiconductor Indian Subcontinent Private Ltd.(HSIS) Hynix Semiconductor HongKong Ltd.(HSH) Hynix Semiconductor (Shanghai) Co.,Ltd.(HSCS) Hynix Semiconductor Japan Inc.(HSJ) Hynix Semiconductor Taiwan Inc.(HST) Hynix Semiconductor (China) Ltd.(HSCL) Hynix Semiconductor (Wuxi) Ltd.(HSMC) Hitech Semiconductor (Wuxi) Co., Ltd.(HITECH) Hynix(Wuxi) Semiconductor Sales Ltd.(HSCW) 합계 24 - 바. 신용평가에관한사항 본보고서제출일현재당사의신용등급은다음과같습니다. 구분 평가기관 현등급 최종평가일 국내 한신정평가 BBB 한국기업평가 BBB 한국신용평가 BBB 해외 Moody's B S&P B 본보고서공시대상기간중 2010년 1월 25일자로 Moody's에서당사의신용등급전망을 ' 부정적 (negative)' 에서 ' 안정적 (stable)' 로상향조정하였으며, 2010년 11월 24일자로 S&P에서당사의신용등급전망을 ' 안정적 (stable)' 에서 ' 긍정적 (positive)' 로상향조정하였습니다. 이밖에최근 3개사업연도신용등급과관련한상세내역및각등급에따른정의는본보고서 'Ⅱ. 11. 나. 최근 3년간신용등급 ' 을참고하여주시기바랍니다.

8 2. 회사의연혁 회사의주된변동내용은다음과같습니다. 가. 설립이후의중요한변동상황 국도건설주식회사설립 현대전자산업주식회사로상호변경 미국현지법인 (HSA) 설립 독일현지법인 (HSD) 설립 싱가폴현지법인 (HSS) 설립 홍콩현지법인 (HSH) 설립 영국현지법인 (HSE) 설립 영국현지판매법인 (HSU) 설립 미국생산법인 (HSMA) 설립 대만현지법인 (HST) 설립 일본현지법인 (HSJ) 설립 기업공개및상장 대표이사김영환외이사 5인변경선임 이사 5인, 감사 1인변경선임 LG그룹과 LG반도체주식양수도계약체결 LG반도체대주주지분인수 현대반도체 ( 구, LG반도체 ) 흡수합병 박종섭대표이사외이사 1인, 감사위원 2인변경선임 전장사업부문 ( 주 ) 현대오토넷으로분사 모니터사업부문 " 현대이미지퀘스트 ( 주 )" 로분사 주식회사하이닉스반도체로상호변경 박상호대표이사선임외이사 2인, 감사위원 2인변경선임 통신단말기사업부문 " 현대큐리텔 " 로분사 통신 ADSL 사업부문 " 현대네트웍스 " 로분사

9 사업지원서비스부문 "( 주 ) 아스텍 " 분사 통신네트워크사업부문 " 현대시스콤 " 으로분사 LCD 사업부문 " 현대디스플레이테크놀로지 " 로분사 현대그룹으로부터계열분리 중국현지판매법인 (HSCS) 설립 채권금융기관공동관리시작 현대큐리텔, ' 팬텍컨소시엄 ' 에지분매각 현대시스콤, ' 쓰리알 ' 에지분매각 시러스로직社와파운드리전략적장기공급계약체결 박종섭대표이사사임 최대주주변경 ( 현대상선 ( 주 ) ( 주 ) 한국외환은행 ) 우의제대표이사선임외이사 2인, 감사위원 2인변경선임 ' 현대디스플레이테크놀로지 ' TFT-LCD 사업부문매각 현대네트웍스, ' 엠비엔 ' 에지분매각 박상호대표이사사임 STMicro 社와낸드플래시메모리공동개발및파운드리공급계약체결 환경 / 안전 / 보건기술연구소설립 매그나칩반도체유한회사와비메모리사업부문영업양도계약체결 중국장쑤 ( 江蘇 ) 성우시 ( 無錫 ) 시와중국현지공장설립협력계약체결 비메모리사업부문영업양도 STMicro 社와중국현지합작공장설립을위한협력계약체결 황학중, 김덕수, 민형욱, 이준호사외이사선임 박시룡, 장윤종사외이사임기만료퇴임 중국합작법인 (HSSL) 설립 채권금융기관공동관리조기종료 현대이미지퀘스트 ( 주 ), ( 주 ) 빅터스캐피탈코리아에지분매각 ( 주 ) 현대오토넷지분매각완료 출자전환주식공동관리협의회 1차공동지분매각 ( 해외유통GDR발행및국내블록세일 ) 권오철이사, 손방길사외이사선임, 정형량이사임기만료퇴임

10 중국현지생산법인 (HSMC) 설립 출자전환주식공동관리협의회 2차공동지분매각 ( 해외유통GDR발행및국내블록세일 ) mm 연구소 (R3 R&D Fab) 개소 중국현지생산법인 (HSMC) 준공 인도현지법인 (HSIS) 설립 김종갑대표이사외이사 1인신규선임, 사외이사 8인 ( 감사위원회위원 4인포함 ) 선임 -. 이사선임 : 김종갑, 최진석 -. 사외이사선임 : 박종선, 김경한, 조동성, 김형준 -. 감사위원회위원이되는사외이사선임 : 황학중, 민형욱, 손방길, 손성호우의제대표이사임기만료퇴임이사 1인 ( 오춘식 ), 사외이사 4인 ( 김범만, 김수창, 이선, 이준호 ) 임기만료퇴임 청주신규 M11(300mm) 공장착공 공정거래자율준수프로그램도입 환경운동연합과 ' 환경경영검증위원회 ' 협약체결 ' 일하는이사회 ' 를위한신 ( 新 ) 이사회제도도입 김경한사외이사중도퇴임 사외이사 8인 ( 감사위원회위원 3인포함 ) 선임 -. 사외이사선임 : 박종선, 조동성, 김형준, 정홍원, 최장봉 -. 감사위원회위원이되는사외이사선임 : 손성호, 홍형표, 백경훈사외이사 3인 ( 황학중, 민형욱, 손방길 ) 임기만료퇴임 정홍원사외이사중도퇴임 권오철이사재선임외이사 1인신규선임, 사외이사 8인 ( 감사위원회위원 3인포함 ) 선임 -. 이사선임 : 권오철, 박성욱 -. 사외이사선임 : 박종선, 조동성, 김형준, 최장봉, 한부환 -. 감사위원회위원이되는사외이사선임 : 손성호, 홍형표, 백경훈 중국후공정합작사 HITECH 설립 권오철대표이사외이사 1인신규선임, 김종갑이사재선임사외이사 9인 ( 감사위원회위원 3인포함 ) 선임 -. 이사선임 : 김종갑, 권오철, 김민철 -. 사외이사선임 : 박종선, 전인백, 한부환, 최장봉, 정병태, 김형준 -. 감사위원회위원이되는사외이사선임 : 백갑종, 송재용, 김창호 중국후공정합작공장 HITECH 준공

11 나. 상호의변경 현대전자산업주식회사로상호변경 주식회사하이닉스반도체로상호변경 다. 합병, 분할 ( 합병 ), 포괄적주식교환ㆍ이전, 중요한영업의양수ㆍ도등 현대반도체 ( 구, LG 반도체 ) 흡수합병 비메모리사업부문영업양도 라. 생산설비의변동 중국장쑤 ( 江蘇 ) 성우시 ( 無錫 ) 시에 C2(300mm), C1(200mm) 공장준공 미국유진공장 E1(200mm) 가동중단 청주신규낸드플래시전용 M11공장 (300mm) 준공 이천 M7(200mm) 및청주 M9(200mm) 공장가동중단 중국 C1(200mm) 공장가동중단 중국후공정합작공장 HITECH 준공 마. 경영활동과관련된중요한사실의발생 전력소모 30% 줄인서버용메모리모듈개발 대만프로모스社와전략적제휴를위한본계약체결 GB과 512MB DDR2-800 모듈아수스社인증획득 GB DDR2-667 노트북용모듈업계최초인텔社인증획득 당사출자전환주식공동관리협의회와 ' 특별약정 ' 체결 JEDEC 표준형 8GB DDR2 R-DIMM과 2GB DDR VLP R-DIMM 개발 Mb GDDR4 DRAM 개발 나노 512Mb DDR2 DRAM 인텔社인증획득 Mbps 512Mb 모바일 DRAM 개발 60나노급 1Gb DDR2 기반 1GB DDR2 800Mbps 모듈개발 ECC회로적용한 185Mbps 512Mb 모바일 DRAM 개발 퓨전메모리제품 DOC(Disk On Chip) H3 양산

12 나노 DDR3 1Gb DRAM 단품및모듈인텔社인증획득 초박형 (25μm) 20단낸드플래시 MCP(Multi-chip Package) 개발 Mbps 1Gb 모바일 DRAM 개발 이노베이티브실리콘社와신개념메모리 'ZRAM' 라이선스계약체결 초박형 (25μm) 24단낸드플래시 MCP(Multi-chip Package) 개발 오보닉스社와차세대메모리 'PRAM' 기술라이선스계약체결 Gb GDDR5 개발 50나노급 1Gb DDR2 DRAM 인텔社인증획득 실리콘화일社와 CMOS 이미지센서 (CIS) 사업추진을위한협력계약체결 나노급 1GB/2GB DDR2 모듈인텔社인증획득 피델릭스社와전략적제휴를위한협력계약체결 그란디스社와 'STT-RAM' 라이선스및공동개발계약체결 프로모스社와포괄적제휴협력계약체결 파이슨社와낸드플래시응용제품기술에대한사업협력계약체결 실리콘화일社지분취득결정및기존파운드리계약범위확대 3중셀 (X3) 기술기반 32Gb 낸드플래시개발 씨엔에스테크놀로지社와시스템반도체공동개발및파운드리협력계약체결 뉴모닉스社와낸드플래시기술및제품공동개발협력계약체결 16GB 서버용모듈개발 단적층낸드플래시개발 50나노급 2Gb 고용량모바일 DRAM 개발 DDR3 서버용모듈 4GB ECC UDIMM 인텔社인증획득 나노급 DDR3 DRAM 개발 뉴모닉스社및파이슨社와낸드플래시응용제품용컨트롤러 3자공동개발계약체결 중국장쑤 ( 江蘇 ) 성우시 ( 無錫 ) 시에무석산업발전집단유한공사와합작반도체후공정전문회사 설립을위한본계약체결 GB 1333Mbps 노트북용모듈외 10건인텔社 DDR3 전용플래폼인증획득 대만프로모스社와전략적제휴협력계약종결 나노급 4Gb 모바일 DRAM 인텔社인증획득 세대 1Gb DDR3 개발

13 나노급 2Gb GDDR5 개발 나노급 2Gb 모바일 DRAM 개발 나노급 64Gb 낸드플래시개발 휴렛팩커드 (HP) 社와 Re램공동개발계약체결 나노급 4Gb DDR3 개발 3. 자본금변동사항 증자 ( 감자 ) 현황 ( 기준일 : 2010 년 12 월 31 일 ) ( 단위 : 원, 주 ) 주식발행 발행 ( 감소 ) 발행 ( 감소 ) 한주식의내용 ( 감소 ) 일자 형태 종류수량주당 주당발행 비고 액면가액 ( 감소 ) 가액 2006 년 01 월 주식매수선택권 보통주 39,976 5,000 5, 일 행사 2006 년 02 월 주식매수선택권 보통주 398,025 5,000 5, 일 행사 2007 년 01 월 주식매수선택권 보통주 58,264 5,000 5, 일 행사 2007 년 01 월 주식매수선택권 보통주 48,375 5,000 5, 일 행사 2007 년 04 월 주식매수선택권 보통주 100,000 5,000 5, 일 행사 2008 년 01 월 주식매수선택권 보통주 45,200 5,000 5, 일 행사 2008 년 07 월 16 일 - 보통주 328,962 5,000 5,000 우리사주매 수선택권행 사 2009 년 01 월 17 일 유상증자 ( 일반 공모 ) 보통주 60,000,000 5,000 5, 년 02 월주식매수선택권보통주 18,260 5,000 5,000

14 18 일행사 2009 년 05 월 06 일 전환권행사보통주 12 5,000 24, 년 05월 19일 2009년 06월 23일 유상증자 ( 일반공모 ) 주식매수선택권행사 보통주 70,000,000 5,000 10,350 보통주 4,600 5,000 5, 년 08월 13일 2009년 09월 21일 전환권행사보통주 158 5,000 23,328 전환권행사보통주 8,573 5,000 23, 년 09 월 22 일 주식매수선택권 행사 보통주 3,740 5,000 5, 년 12월 14일 2010년 01월 04일 2010년 01월 05일 2010년 01월 06일 2010년 01월 07일 2010년 01월 08일 2010년 01월 15일 2010년 01월 19일 2010년 01월 21일 2010년 03월 18일 전환권행사 보통주 428 5,000 23,328 전환권행사 보통주 1,328 5,000 23,328 전환권행사 보통주 127 5,000 23,328 전환권행사 보통주 428 5,000 23,328 전환권행사 보통주 85 5,000 23,328 전환권행사 보통주 1,080 5,000 23,328 전환권행사 보통주 526 5,000 23,328 전환권행사 보통주 21,518 5,000 23,328 전환권행사 보통주 428 5,000 23,328 전환권행사 보통주 428 5,000 23, 년 03 월 22 일 주식매수선택권 행사 보통주 2,660 5,000 5, 년 04 월전환권행사보통주 856 5,000 23,328

15 01 일 2010년 04월 02일 2010년 04월 05일 2010년 04월 07일 2010년 04월 08일 2010년 04월 13일 2010년 04월 23일 2010년 04월 27일 2010년 04월 30일 2010년 05월 10일 2010년 06월 10일 2010년 06월 17일 2010년 06월 18일 2010년 06월 25일 2010년 07월 08일 2010년 07월 16일 2010년 09월 01일 2010년 10월 29일 전환권행사 보통주 559,313 5,000 23,328 전환권행사 보통주 214 5,000 23,328 전환권행사 보통주 409 5,000 23,328 전환권행사 보통주 900 5,000 23,328 전환권행사 보통주 218 5,000 23,328 전환권행사 보통주 1,069 5,000 23,328 전환권행사 보통주 42 5,000 23,328 전환권행사 보통주 171 5,000 23,328 전환권행사 보통주 428 5,000 23,328 전환권행사 보통주 428 5,000 23,328 전환권행사 보통주 643 5,000 23,328 전환권행사 보통주 1 5,000 23,328 전환권행사 보통주 428 5,000 23,328 전환권행사 보통주 43,294 5,000 23,328 전환권행사 보통주 428 5,000 23,328 전환권행사 보통주 428 5,000 23,328 전환권행사 보통주 111 5,000 23, 년 11 월전환권행사보통주 4 5,000 23,328

16 16 일 결산기이후발생한증자 ( 감자 ) 현황은다음과같습니다. [ 제출일현재 ] ( 단위 : 원, 주 ) 주식발행 발행 ( 감소 ) 발행 ( 감소 ) 한주식의내용 ( 감소 ) 일자 형태 종류수량주당 주당발행 비고 액면가액 ( 감소 ) 가액 2011년 1월 13일 2011년 1월 18일 2011년 2월 08일 2011년 2월 10일 2011년 2월 14일 2011년 2월 15일 2011년 2월 18일 2011년 3월 16일 2011년 3월 25일 전환권행사 보통주 38 5,000 23,328 전환권행사 보통주 54 5,000 23,328 전환권행사 보통주 1,714 5,000 23,328 전환권행사 보통주 8 5,000 23,328 전환권행사 보통주 171 5,000 23,328 전환권행사 보통주 3,004 5,000 23,328 전환권행사 보통주 17 5,000 23,328 전환권행사 보통주 710 5,000 23,328 전환권행사 보통주 428,669 5,000 23,328 미상환전환사채발행현황 ( 기준일 : 2010 년 12 월 31 일 ) ( 단위 : 백만원, 주 ) 종류 \ 구분발행일만기일권면총액전환대 전환청구가 전환조건미상환사채비고 상 주식의 종류 능기간 전환비 율 전환가액권면총액전환가능주 식수

17 (%) 제 4 회 2007 년 2012 년 32,840 보통주 ,056 32, ,817 상기권면총액은미화 해외공모 12 월 14 일 12 월 4~ $35,700,000 에대한 2007 년 무보증 14 일 월 10 일자기준환율 전환사채 9 (1$=919.9\) 을적용한원화환산 금액임. 제 207 회 2008 년 2013 년 484,964 보통주 , ,964 20,788,93 - 국내공모 09 월 05 일 09 월 5~ 9 무보증 05 일 전환사채 5 제 5 회 2010 년 2015 년 566,900 보통주 , ,900 16,393,86 상기권면총액은미화 해외공모 05 월 14 일 05 월 5~ 9 $500,000,000 에대한 2010 년 무보증 14 일 월 11 일자기준환율 전환사채 8 (1$=1,133.8\) 을적용한원화환 산금액임. 합계 - - 1,084, ,084,70 38,093, 미상환전환사채발행현황 ( 기준일 : 제출일현재 ) ( 단위 : 백만원, 주 ) 종류 \ 구분발행일만기일권면총액전환대 전환청구가 전환조건미상환사채비고 상 주식의 종류 능기간 전환비 율 (%) 전환가액권면총액전환가능주 식수 제 4 회 2007 년 2012 년 32,840 보통주 ,056 32, ,817 상기권면총액은미화 해외공모 12 월 14 일 12 월 4~ $35,700,000 에대한 2007 년 무보증 14 일 월 10 일자기준환율 전환사채 9 (1$=919.9\) 을적용한원화환산 금액임. 제 207 회 2008 년 2013 년 474,831 보통주 , ,831 20,354,54 - 국내공모 09 월 05 일 09 월 5~ 7 무보증 05 일 전환사채 5 제 5 회 2010 년 2015 년 566,900 보통주 , ,900 16,393,86 상기권면총액은미화 해외공모 05 월 14 일 05 월 5~ 9 $500,000,000 에대한 2010 년 무보증 14 일 월 11 일자기준환율 전환사채 8 (1$=1,133.8\) 을적용한원화환 산금액임.

18 합계 - - 1,074, ,074, ,659, 주식의총수등 가. 주식의총수 2010 년 12 월 31 일본보고서작성기준일현재당사의발행할주식의총수는 9,000,000,000 주이며, 발행한 주식의총수는보통주 5,584,254,398 주입니다. 보통주이외에발행한다른종류의주식은없습니다. 당기말 현재의유통주식수는보통주 590,276,554 주입니다. [ 현재 ] 구분주식의종류비고 보통주 합계 Ⅰ. 발행할주식의총수 9,000,000,000 9,000,000,000 Ⅱ. 현재까지발행한주식의총수 5,584,254,398 5,584,254,398 Ⅲ. 현재까지감소한주식의총수 4,993,977,844 4,993,977, 감자 4,990,449,799 4,990,449, , 주식병합 (21:1) 2. 이익소각 3,528,045 3,528, , 이익소각 3. 상환주식의상환 기타 - - Ⅳ. 발행주식의총수 (Ⅱ-Ⅲ) 590,276, ,276,554 Ⅴ. 자기주식수 - - Ⅵ. 유통주식수 (Ⅳ-Ⅴ) 590,276, ,276,554 [ 제출일현재 ] 구분주식의종류비고 보통주 합계 Ⅰ. 발행할주식의총수 9,000,000,000 9,000,000,000 Ⅱ. 현재까지발행한주식의총수 5,584,688,783 5,584,688,783

19 Ⅲ. 현재까지감소한주식의총수 4,993,977,844 4,993,977, 감자 4,990,449,799 4,990,449, , 주식병합 (21:1) 2. 이익소각 3,528,045 3,528, , 이익소각 3. 상환주식의상환 기타 - - Ⅳ. 발행주식의총수 (Ⅱ-Ⅲ) 590,710, ,710,939 Ⅴ. 자기주식수 - - Ⅵ. 유통주식수 (Ⅳ-Ⅴ) 590,710, ,710,939 결산일이후제 207 회국내전환사채의전환권행사로 434,385 주가발행되어제출일현재의발행주식총수는 보통주 5,584,688,783 주이며, 유통주식수는 590,710,939 주입니다. 나. 자본금및 1 주당가액 [ 현재 ] ( 단위 : 천원, 주 ) 구분종류자본금 ( 액면총액 ) 1 주당가액비고 재무제표상 발행주식의 유통주식의 1 주당 자본금 자본금 자본금 액면총액 액면총액 액면가액 발행주식의총수 유통주식수 (A) (' 가 ' 의 Ⅳ B) (' 가 ' 의 Ⅵ B) (B) (A ' 가 ' 의 Ⅳ) (A ' 가 ' 의 Ⅵ) 기명식보통주 2,969,022,995 2,951,382,770 2,951,382, 합계 2,969,022,995 2,951,382,770 2,951,382, [ 제출일현재 ] ( 단위 : 천원, 주 ) 구분종류자본금 ( 액면총액 ) 1 주당가액비고 재무제표상 발행주식의 유통주식의 1 주당 자본금 자본금 자본금 액면총액 액면총액 액면가액 발행주식의총수 유통주식수 (A) (' 가 ' 의 Ⅳ B) (' 가 ' 의 Ⅵ B) (B) (A ' 가 ' 의 Ⅳ) (A ' 가 ' 의 Ⅵ) 기명식보통주 2,971,194,920 2,971,194,920 2,971,194, 합계 2,971,194,920 2,971,194,920 2,971,194, 다. 이익소각현황 당사는주주에게배당할이익으로서주식을소각할수있는바, 2000 년 3 월 31 일자로

20 3,528,045 주를이익소각한바있습니다. 5. 의결권현황 ( 기준일 : 2010 년 12 월 31 일 ) ( 단위 : 주 ) 구 분 주식수 비고 발행주식총수 (A) 보통주 590,276,554 - 우선주 - - 의결권없는주식수 (B) 보통주 - - 우선주 - - 기타법률에의하여 의결권행사가제한된주식수 (C) 보통주 - - 우선주 - - 의결권이부활된주식수 (D) 보통주 - - 우선주 - - 의결권을행사할수있는주식수 (E = A - B - C + D) 보통주 590,276,554 - 우선주 배당에관한사항등 가. 배당에관한사항 정관에의거한배당에관한당사의중요한정책은다음과같습니다. 1 이익의배당은금전과주식으로할수있다. 2 제1항의배당은매결산기말현재의주주명부에기재된주주또는등록된질권자에게지급한다. 3 이익의배당을주식으로하는경우회사가수종의주식을발행한때에는주주총회의결의로그와다른종류의주식으로도할수있다. 나. 최근 3 사업연도배당에관한사항 구분제 63 기제 62 기제 61 기

21 주당액면가액 ( 원 ) 5,000 5,000 5,000 당기순이익 ( 백만원 ) 2,647, ,785-4,719,633 주당순이익 ( 원 ) 4, ,273 현금배당금총액 ( 백만원 ) 88, 주식배당금총액 ( 백만원 ) 현금배당성향 (%) 현금배당수익률 (%) 보통주 우선주 주식배당수익률 (%) 보통주 우선주 주당현금배당금 ( 원 ) 보통주 우선주 주당주식배당 ( 주 ) 보통주 우선주 - - -

22 II. 사업의내용 1. 사업의개요 가. 업계의현황 (1) 산업의특성 반도체는모든 IT 제품의필수불가결한핵심부품으로서, 컴퓨터를비롯해통신장비및통신시스템, 자동차, 디지털가전제품, 산업기계그리고컨트롤시스템등그적용분야는매우광범위합니다. WSTS(World Semiconductor Trade Statistics, 2011 년 1 월 ) 에따르면, 지난 2010 년도세계반도체시장규모는 US$2,980 억에이르렀으며, 이중메모리제품은 US$700 억의시장규모를기록하며전체반도체시장의약 23% 수준에달하였습니다. 메모리반도체시장에서가장큰비중을차지하는 DRAM 은지난 2010 년 US$396 억을기록하며전체메모리시장의약 56% 를차지하였고, 그뒤를이어낸드플래시가 US$220 억으로 31%, 노어플래시가 US$50 억으로 7% 를차지하였습니다. 아래표에나타낸바와같이반도체산업은우리나라산업생산및수출에있어서매우중요한기간산업중하나입니다. 특히, 2010 년은글로벌경기회복세에힘입어국가총수출규모가전년대비 28% 상승한데비해, 반도체는 63% 의증가율로큰폭의성장세를보였습니다. 이에반도체산업이우리나라전체수출에서차지하는비중은 2009 년 8.5% 에서 2010 년 10.8% 로크게증가하였습니다. 전체수출중반도체비중 ( 단위 : 백만 USD, %) 구분 총수출 467, , , , ,465 반도체 50,679 31,041 32,793 39,046 37,360 전년비증감율 비중 출처 : 지식경제부, 2011 특히, 반도체수출의대부분은메모리반도체산업을통해이룬것으로, 메모리반도체는우리나라최대의수출산업입니다. 이러한메모리반도체산업은제품설계기술, 공정미세화및투자효율성제고에의한원가경쟁력확보가매우중요한산업으로서기술력및원가경쟁력을갖춘소수 IDM(Integrated Device Manufacturer) 업체중심으로점차과점화되고있는추세입니다.

23 반도체제품을직접설계하고제조, 판매까지하는업체들을가리켜 IDM 이라고하는데이들은자체디자인능력, 제조노하우 (know-how) 및생산설비등을바탕으로비 IDM(non- IDM) 업체들에비해독자적기술개발력과제조경쟁력을확보함으로써산업내에서의위치를더욱확고히하고있습니다. (DRAM 상위 4 개업체의시장점유율 : 1990 년 49% 2010 년 87%, 출처 : 가트너, 매출액기준 ) 가 ) 메모리반도체정보를저장하고기억하는기능을하는메모리반도체는일반적으로 ' 휘발성 (Volatile)' 과 ' 비휘발성 (Non-volatile)' 으로분류됩니다. 휘발성메모리제품은전원이끊어지면정보가지워지는반면, 비휘발성제품은휴대전화에전화번호가저장되는것처럼전원이끊겨도저장된정보가계속남아있습니다. 당사는휘발성메모리인 DRAM 과비휘발성메모리인플래시메모리를생산하고있습니다. [DRAM(Dynamic Random Access Memory)] DRAM 은전원이켜져있는동안에만정보가저장되는휘발성 (Volatile) 메모리로주로컴퓨터의메인메모리 (Main Memory), 동영상및 3D 게임구현을위한그래픽메모리 (Graphics Memory) 로사용되고있으며, 가전제품의디지털화에따라디지털 TV, 스마트 TV, DVD 플레이어그리고프린터등에도사용이확대되고있습니다. 또한각종이동통신기기의폭발적성장에따라스마트폰및태블릿 PC 등에도모바일용 DRAM 의채용량이급증하고있습니다. [ 플래시메모리 (Flash Memory)] 플래시메모리는전원이공급되지않아도저장된데이터가지워지지않는비휘발성메모리로크게노어 (NOR) 형 (Code 저장형 ) 과낸드 (NAND) 형 (Data 저장형 ) 으로나눌수있습니다. 이중당사가생산하는낸드플래시는순차적 (Sequential) 정보접근이가능한비휘발성메모리칩으로서, 디지털비디오나디지털사진과같은대용량정보를저장하는데매우적합합니다. 낸드플래시제품이주로적용되는분야는디지털카메라, USB 드라이브, 태블릿 PC, MP3 플레이어, 차량용네비게이션, SSD(Solid State Drive) 그리고스마트폰과같은모바일기기등입니다. 플래시메모리사업은 DRAM 공정의활용이가능하므로 DRAM 팹 (FAB) 보유업체들에게는신규투자를최소화하여수익성을높이고 DRAM 사업변동성을보완할수있는장점이있습니다. 한편, 최근플래시메모리는일반적인범용메모리보다는고객지향적인제품의수요가늘어나고있어이런추세에부합하는적극적인응용제품개발및철저한고객대응필요성이커지고있습니다 나 ) 비메모리반도체 [CIS(CMOS Image Sensor)] 논리적연산등정보처리기능을담당하는비메모리반도체중에서도, 이미지센서는빛에너지를감지하여그세기의정도를영상데이터로변환해주는반도체소자로서디지털촬영기기에서필름역할을하고있습니다. 이미지센서는제조과정과신호를읽는방법에따라 CCD(Charge Coupled Device) 와 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 두가지타입으로나뉩니다. 최근 CMOS 이미지센서의기술이크게향상되고디지털촬영기기가소형화됨에따라, 크기가작고전력소모가적은 CMOS 이미지센서의활용범위가점차확대되고있으며, 디지털일안반사식카메라와캠코더등고화질을요구하는고가제품에도많이사용되는추세입니다. 이에따라 CMOS 이미지센서시장에서는기술경쟁력과원가경쟁력이점차중요한성공요인으로부각되고있습니다. (2) 산업의성장성 메모리반도체산업은 2007 년이후공급과잉에따른판매가격의급격한하락과 2008 년미국신용위기에따

24 른세계경제침체의영향으로 2009년까지다소저조한성장세를보이기도하였지만, 2010년초이후새로운 IT 기기의등장과디지털기기의스마트화, 모바일화로 DRAM수요는 PC에서모바일영역으로, NAND 수요는모바일에서 PC영역으로확대되면서안정적인수요성장이예상됩니다. 하지만공정미세화의기술은점차어려워지고있고생산및연구개발을위한투자비용은크게증가하는추세이며고객들의요구성능과품질수준은점점더다양화, 고도화됨과동시에선발업체와후발업체와의기술및원가경쟁력격차가점차확대되면서공급은제한적인성장을보일것으로예상되어, 향후안정적인수요를바탕으로메모리신성장의기회는더욱증대될것으로전망됩니다. [DRAM] 시장조사기관인아이서플라이 (isuppli, 2011년 1월 ) 에따르면, DRAM 시장은 2009년 US$227억에서 2010년 US$396억으로 75% 의고성장을이뤘으며, 2011년은 2010년보다는다소축소가예상되나 2000년이래 2번째높은매출액인 US$354억을올릴것으로보입니다. 분야별로살펴보면, 개인용컴퓨터와업그레이드용메모리모듈이지속적으로주요수요처가될전망입니다. 특히, 개인용컴퓨터의이동성 (Mobility) 에대한요구가증가함에따라노트북컴퓨터로의교체및신규수요가지속되고있으며, 개인용컴퓨터중넷북을포함한노트북의출하비중이 2010년 60% 에서 2014년 72% 로증가할것으로업계는예상하고있습니다. 또한디지털기기의스마트화및모바일화의진전에따라스마트폰및태블릿PC 등모바일기기의시장확대가예상되며, 대용량의콘텐츠를처리할수있는그래픽메모리의수요또한증가할전망입니다. 이에따라 DRAM 수량확대뿐만아니라개별기기의탑재용량도큰폭의증가세가예상됩니다. [ 낸드플래시 (NAND Flash)] 낸드플래시는디지털미디어의성장과더불어스마트폰, 태블릿PC, 디지털카메라, MP3 플레이어, 휴대폰, 위성위치추적장치 (GPS) 그리고기타멀티미디어가전에사용되는플래시카드와 USB 드라이브같은휴대용정보저장장치 (Removable Storage Devices) 등에널리사용되고있습니다. 아이서플라이 (isuppli, 2011년 1월 ) 의전망에따르면낸드플래시시장은 2010년 39% 의성장을기록하였으며, 2011년에도약 16% 정도의성장세가유지될것으로예상되고있습니다. 특히스마트폰을포함한휴대전화시장에서의메모리카드채용및노트북용 SSD, 응용복합제품등은향후낸드플래시의수요를견인하면서지속적으로성장할것으로전망됩니다. [CIS (CMOS 이미지센서 )] 이미지센서는 1990 년대중반디지털카메라에장착되어일반소비자에게선보인이후 PC 카메라, 휴대폰, PDA, 감시카메라등다양한제품에활용되는등수요증가에힘입어시장규모도크게증가하는추세입니다. 아이서플라이 (isuppli, 2011 년 1 월, 금액기준 ) 의전망에따르면이미지센서시장은 2014 년 US$90 억규모로 2010 년이래연평균 5.4% 의성장이예상되며, 특히당사가생산중인 CMOS 이미지센서시장은다양한응용기기로의확대적용과수요증가로전체이미지센서시장에서의비중이 2010 년 61% 에서 2014 년 84% 까지증가하며연평균 14.4% 의높은성장이전망됩니다. (3) 경기변동의특성 세계반도체시장은지금까지실리콘사이클의순환에따라호황과불황을반복해왔으며제품수명주기가매우짧은특징을가지고있습니다. 아울러대규모장치산업의특성을가짐과동시에주요수요처인미구주의거시경제순환사이클 (Business Cycle) 과의연관성이비교적크게나타났으나, 최근에는중국및인도등신흥시장의비중이확대되고경쟁력이부족한업체들의일부구조조정등으로인해반도체산업경기변동폭은전과비교하여많이줄어들었다고볼수있습니다. [DRAM]

25 DRAM은과거에 PC 수요에상당부분의존하고있어세계 IT 경기사이클의영향을크게받아왔습니다. 최근에는선진시장에서의 Windows7 안착에따른 PC 교체수요및신흥시장에서의신규수요가 DRAM 수요증가에영향을끼칠것으로예상되고있습니다. 또한스마트폰및태블릿PC 등신규모바일기기의폭발적인시장성장에따라전통적인 PC 시장에서뿐만아니라모바일시장에서의수요가더욱증가할것으로예상되고있습니다. 한편, 수요의계절성으로서는미구주지역의신학기, 크리스마스특수및중국춘절등의수요증가로인한매출액증가를들수있습니다. 하지만최근에는아시아시장의성장으로인한판매시장의다변화로이같은전통적인수요의계절성이일부약화되는모습도나타나고있습니다. [ 낸드플래시 (NAND Flash)] 낸드플래시는 MP3 플레이어, 메모리카드등의수요증가에힘입어급속한성장을계속해왔으며, 주요공급업체들이 DRAM을함께생산하고있어 DRAM 시장의안정적성장에도우호적인여건을제공해왔습니다. 하지만낸드플래시의주수요처인 MP3 플레이어, 메모리카드등이경기에민감한소비재제품이기때문에 DRAM과마찬가지로세계경제상황에따라경기가함께변동하는특성을가지고있습니다. 최근에는 IT 기기들의스마트화가진행되면서낸드플래시의주수요처가모바일기기로변화되어가고있는데, 특히고용량낸드플래시를탑재하는스마트폰및태블릿PC 시장확대는세계경기회복과더불어 2011년이후낸드플래시시장의지속적인성장을예상하게하는요인이라할수있습니다. [CIS (CMOS 이미지센서 )] 이미지센서중자사가생산중인 CMOS 이미지센서는모바일핸드셋, 캠코더, PC 등멀티미디어기기시장의영향을크게받는제품으로서소비재의특성상경기변동과기술변화에매우민감할뿐만아니라라이프사이클이짧은특징을가지고있습니다. 따라서가격경쟁력을지닌제품을적시에출시하여시장을선점하는것이사업성공여부에매우중요한요소라할수있습니다. (4) 경쟁요소 반도체사업의핵심경쟁력은 1. 인적자원 (R&D 및엔지니어링 ), 2. 기술및원가경쟁력, 3. 고객확보능력 4. 설비투자능력등이있습니다. 최근대량생산이용이한표준제품위주에서응용분야가점차다양화, 융복합화함에따라시설투자와생산성향상을통한원가경쟁력중심에서제품가치증대를통한수익성중심으로경쟁의패러다임이빠르게전환되고있습니다. 지금까지생산능력확대와생산원가절감이주요경쟁목표였던시기에는제조 / 공정기술, 대규모설비투자, 규모의경제등이중요한사업성공요인이었지만, 공정미세화의난이도증가와투자의불확실성증대등사업환경이변화함에따라앞으로는제품경쟁력과부가가치증대를위해선행기술및응용기술개발, 마케팅및고객만족등이더욱중요한사업경쟁력이되고있습니다. 이외에도적기에시장요구에부합하는제품을출시 (Time to Market) 할수있는시장대응력및재무건전성 확보등이요구되고있습니다. 나. 회사의현황 (1) 영업개황및사업부문의구분 ( 가 ) 영업개황지난 2010 년, 메모리반도체시장은유럽일부국가의재정위기등으로촉발된수요둔화우려로매우높은변동성을보인가운데, PC DRAM 가격이하반기들어큰폭의하락세를지속하는등변화가심한모습이었음에도불구하고, 당사는앞선차세대공정기술전환과차별화된제품포트폴리오를바탕으로시장상황에유연하게대응한결과, 본사기준매출은지난 2009 년대비약 59% 증가한 11 조 9 천 7 백 3 십억원의사상최대실적을달성하였습니

26 다. 또한, 본사기준영업이익은 3 조 8 백 9 십억원, 당기순이익은 2 조 6 천 4 백 8 십억원으로전년대비흑자전환하며크게개선된실적을달성하였습니다. [ 본사기준 ] ( 단위 : 백만원 ) 구분 제 63 기누계 제 62 기누계 전년동기 ( ( 대비증감 ~ ) ~ ) 매출액 11,973,426 7,521, % 영업이익 3,088, ,847 흑자전환 당기순이익 2,647, ,785 흑자전환 ( 나 ) 공시대상사업부문의구분 [ 제 63 기 ] ( 단위 : 백만원 ) 구분매출액매출액비중 (%) 주요제품 반도체부문 11,973, % DRAM, 낸드플래시, MCP 등 합계 11,973, % 당사는한국표준산업분류표상의소분류에의한 ' 반도체및기타전자부품제조업 ( 분류번호 : 321)' 에해당 하며, 반도체부문의매출액이총매출액의 90% 를초과하므로반도체부문으로기재함. (2) 시장점유율등 구분 '10 년 '09 년 '08 년 '07 년 '06 년비고 DRAM 21.8% 22.9% 19.2% 21.3% 16.5% IDC 매출액기준 낸드플래시 9.5% 8.4% 12.6% 16.0% 18.7% (3) 시장경쟁요소및회사의경쟁력 ( 가 ) 메모리반도체사업 [DRAM] 메인메모리 (Main Memory) 사업의경우범용적인특성이강한데스크탑 (Desktop) 용제품비중은점차낮아지고있으며, 가격이높고품질의신뢰성이바탕이되어야하는고용량 (High Density) 서버용제품비중과이동성확대에따른노트북 (Notebook) 용제품의비중이확대되고있습니다. Windows7 의출시와기업용 PC 교체수요등에따라 2010 년 PC 시장은

27 14%(IDC 기준 ) 성장하였고, 2011 년에도 10% 이상의성장이예상됩니다. 또한메인메모리수요에있어서도보다높은메모리용량사용이가능한 64bit 운영체제의보급과맞물려 DRAM 시장에긍정적인영향을줄것으로전망하고있습니다. 서버의경우가상화기술도입및쿼드코어프로세서 (Quad Core Processor) 를탑재한하이엔드 (High-end) 시스템출시증가로고용량, 저전력모듈 (Module) 사용량이증가되고있습니다. 이에당사는인텔의서버어플리케이션 (Server Application) 등에적합한고용량, 저전력모듈제품군을갖추고, 서버시장에서의경쟁력을확보하여고성능제품으로시장을선도하고있습니다. 그래픽스메모리 (Graphics Memory) 는동영상및 3D 그래픽기술의발전과함께꾸준한성장세를보이고있습니다. 당사는주요그래픽칩셋업체들과의전략적관계강화를통하여데스크탑, 노트북 PC 용그래픽분야및게임콘솔분야에서주도적인위치를공고히하고있습니다 년 12 월에 40 나노급공정의 2Gb GDDR5 를세계최초로개발하여초고속고용량이요구되는그래픽시장에서세계최고수준의기술리더십을확보였습니다. 컨수머메모리 (Consumer Memory) 시장은디지털 TV, 디지털셋톱박스 (Set-top Box), DVD 플레이어등일상생활의가전제품들과네트워크시스템, 하드 / 광학드라이브, 프린터, 복합기등 PC 주변기기등에사용됩니다. 당사는고도화된디지털기기의특성에맞도록패키지를 FBGA(Fine-pitch Ball Grid Array) 로구현하여어플리케이션변화추세에대응가능한신제품개발에집중하는한편, 극한추위와더위에도견딜수있는제품 (IT Part, Industrial Temperature Product) 이나친환경제품 (Halogen-free), 하나의패키지안에몇개의반도체칩을넣을수있게하는 Known Good Die 제품및소형시스템에적합한 FBGA 등고객들의다양한요구에적극적으로대응하고있습니다. 모바일메모리 (Mobile Memory) 는휴대전화, 디지털카메라, MP3 플레이어등의다양한수요처가있으며라이프스타일변화에따른 IT 수요증가와정보통신융합 (Convergence) 의가속화로현재가장성장성이높은제품입니다. 이중에서도대용량메모리를필요로하는스마트폰및테블릿 PC 의높은성장성은향후에도모바일메모리제품의수요를강하게견인할것으로예상됩니다. 이에당사는 2010 년 1 월 40 나노급공정기술을적용한최고속 2Gb Mobile DDR2 DRAM 을개발하여고용량화, 저전력화, 소형화되고있는모바일시장에서기술리더십으로시장을선도하고고객의요청에적극대응하고있습니다 [ 낸드플래시 (NAND Flash)] 낸드플래시는데이터저장용도로쓰이는대표적인메모리반도체로서, 빠른테크놀로지의진화로매년높은성장률을기록하고있습니다. 낸드플래시시장이이렇게성장을지속하는이유는최첨단 IT 및소비자가전들의낸드플래시채용률이지속적으로높아지고있기때문입니다. 또한끊임없는신제품출시와새로운킬러어플리케이션 (Killer Application) 의꾸준한등장도시장확대에큰몫을하고있습니다 과거에는플래시카드, USB 드라이브, MP3 플레이어, PMP 등이낸드플래시메모리의주요수요처였으나, 최근에는스마트폰, 태블릿PC 등의모바일분야에서멀티미디어기능의확대로낸드플래시메모리수요가급증하고있습니다. 또한스마트TV, 스마트카등의신개념도입으로인하여과거에저용량의낸드플래시메모리만사용했던이들시장에서도고용량낸드플래시메모리에대한수요가증가하고있는상황입니다. 향후에는 SSD(Solid State Drive/Hard Drive 대용 ) 과같은낸드플래시를기반으로한다양한형태의 PC Storage Solution이노트북은물론이고서버시장에도주요제품군으로자리잡아지속적인낸드플래시메모리의성장을견인할것으로전망되고있습니다.

28 이와같은낸드플래시시장에서당사는저용량부터고용량까지다양한단품및응용복합제품을기반으로고객의수요에보다적극적으로대응하고있으며, 개발및양산측면에서도응용분야별선택과집중을통하여낸드플래시경쟁력을확보하고시장지배력을회복해나가고있습니다. 또한적극적연구개발투자및제휴사와의기술협력을통해선두업체와의기술격차를단축해나가고있습니다. 특히, 2010년 3분기부터 20나노급 64Gb 제품의양산을시작하여기존 30나노급 32Gb 제품대비 2배가까운생산성향상을이루어원가경쟁력확보는물론시장지배력강화에적극노력하고있습니다 ( 나 ) 비메모리반도체사업 회사는지난 2007 년 11 월, 제품포트폴리오를더욱다양화하고, 기존메모리사업역량을활용하여안정적인 수익성과높은투자효율성이기대되는 CMOS 이미지센서사업에재진출하였습니다. [CMOS 이미지센서 (CMOS Image Sensor, CIS)] CMOS 이미지센서는카메라폰, 디지털카메라, 웹캠등디지털촬영기기에서필름역할을하는반도체소자이며, 2014년까지약 16% 의연평균성장률이예상되는제품입니다. ( 출처 : 시장조사업체 Techno-Systems Research, 출하량기준 ) 현재는휴대전화에가장많이쓰이고있으나주변회로가필요없고전력소모가적은장점과함께최근기술발전으로화질이크게향상되면서의료기기, 고사양 DSLR 및캠코더, 자동차, 보안용장비등으로응용범위가급속히확대되고있습니다. 또한최근 3G 통신용휴대전화에사진촬영과화상통화를위해두개의이미지센서가장착되고, 차량에도다양한기능을하는여러개의이미지센서가부착되는등기기당이미지센서탑재개수도늘어나는추세입니다. 새로운시장및고객창출과더불어세계시장의급격한스마트폰수요증가의영향으로고화소수제품의비중이빠르게증가하고있는시장의추세에발맞추어 5백만화소이상의고화소제품개발에박차를가하고있어, 원가경쟁력과기술경쟁력을겸비한 90나노공정 /1.4마이크로미터픽셀기술을적용한고화소제품이 2011년상반기출시될예정입니다. 또한국내와중국, 대만지역뿐만아니라 2011년에는한층강화된사업역량을바탕으로미구주지역의고객확대와어플리케이션을다양화하여 CMOS 이미지센서시장에서의입지를확대해나갈계획입니다. (4) 조직도

29 다. 사업부문별재무정보 당사는반도체제조업부문의매출액과자산총액이전체부문의 90% 를초과하는지배적단일사업부문으로써 부문별기재를생략합니다. 2. 주요제품, 서비스등 가. 주요제품등의현황 ( 단위 : 백만원 ) 사업부문매출유형품목구체적용도주요상표등매출액 ( 비율 ) 반도체부문제품외 DRAM, 낸드플래 시, MCP 등 산업용전자기기하이닉스 11,973,426(100%) 합계 11,973,426(100%) 나. 주요제품등의가격변동추이 ( 단위 : USD) 품목제 63 기연간제 62 기연간제 61 기연간 DRAM (COMPONENT) DRAM (MODULE) 낸드플래시 (COMPONENT) 낸드플래시 (MODULE) 수출 내수 수출 내수 수출 내수 수출 (1) 산출기준 : 시장판매가기준 ( 용량 (Density) 별제품군의단순평균가격 ) 상기자료는 Density 변화를감안하지아니한 ( 기준 Density에대한환산수량미적용 ) 균공급가격임. (2) 주요가격변동원인 단순평

30 제품의고급화및시장상황 ( 수출 ) 에따른판가변동등 3. 주요원재료에관한사항 당사의메모리반도체부문생산공정에투입되는원재료는크게웨이퍼 (Wafer), 리드프레임 (Lead Frame) 및 섭스트레이트 (Substrate), PCB(Printed Circuit Board) 그리고기타재료등으로구성됩니다. 웨이퍼는집적회로 (Integrated Circuit, IC) 를제작하기위해반도체물질의단결정을성장시킨기둥모양의 규소 (Ingot) 를얇게절단하여원판모양으로만든것으로서반도체소자를만드는데사용되는핵심재료입니 다. 리드프레임은반도체 IC 를구성하는또다른주요요소이며반도체칩과 PCB 기판간의전기신호를전달하면 서외부의습기, 충격등으로부터칩을보호하고지지해주는골격역할을하는부품입니다. 섭스트레이트는리드프레임과같은기능을하지만전기신호를전달하는역할을하는다리를기존의금속다 리가아닌공 (Ball) 모양의연결부분을이용한부품입니다. PCB 는그위에저항콘덴서코일트랜지스터집적회로대규모직접회로 (Large-Scale Integration) 스위치 등의부품을장치하고납땜하여회로기능을완성시키는인쇄배선판입니다. 그외가스및화학약품등이반 도체제조공정에투입되는원재료로소요됩니다. 가. 주요원재료등의현황 ( 단위 : 백만원, %) 사업부문 매입유형 품목 구체적용도 투입액 비율 비고 반도체부문 원재료 Wafer F A B 2,490, Lead Frame P K G 159, PCB M O D 163, 기타 638, 소계 3,451, 저장품 S/P, 부재료 662, 합계 4,114, 나. 주요원재료등의가격변동추이 ( 단위 : 원 )

31 구분 제63기연간 제62기연간 제61기연간 반도체부문 Wafer 101, , ,049 Lead Frame PCB 1,429 1,192 1,463 (1) 산출기준 총매입액 / 총매입수량 (2) 주요가격변동원인 투입제품변경, 생산성향상및수요변화등에따라가격변동함. 환율변동 다. 주요원재료의매입처및원재료공급시장과공급의안정성 당사는일본의 2개사, 독일의 1개사, 한국 1개사로부터반도체공정의주요원자재인 300mm 웨이퍼완제품을수입하고있습니다. 당사는당사와거래하는매입처등과일상적인영업활동이외의특수한관계를갖고있지않습니다. 국산화확대및국내기업과의상생확대를위해한국 1개사의비율을높이는추세에있습니다. 당사가거래하고있는상기 4개사는전체 300mm 웨이퍼시장의 90% 를차지하고있습니다. 이중일본의 2개사는전체 300mm 웨이퍼시장의 60% 수준을점유하고있으며, 당사도동 2개사로부터전체웨이퍼구매수량의 60% 를조달하고있습니다. 웨이퍼는그원재료가되는폴리실리콘의수급동향에따라 300mm 웨이퍼완제품가격이큰영향을받습니다. 특히, 폴리실리콘은웨이퍼이외에도태양전지 (Solar Cell) 의원료로도사용되기때문에태양전지의수요에따라폴리실리콘의일시적부족현상이발생하면웨이퍼의공급에영향을줄수있습니다. 따라서, 당사는주요원재료인웨이퍼의원활한확보를위해유가및폴리실리콘시장의가격동향은물론, 동일한원재료를사용하는태양전지수급동향을지속적으로모니터링하고있습니다. 한편, 2008 년말부터시작된소자업체의재고감소에영향을받아웨이퍼공급업체들의가동율이 50% 수준까 지하락하기도하였으나, 업황개선에힘입어 2009 년말기준 95% 수준까지회복되었으며, 2010 년말현재웨 이퍼공급업체들의가동율은 90% 수준을유지하고있습니다. 최근웨이퍼공급업체들은 Capa 증설및생산성향상을통해공급량증대를도모하고있으며, 당사는주요원 자재인 300mm 웨이퍼의안정적공급을위해적정재고확보및각업체들과의긴밀한협력관계를유지하고 있습니다. 4. 생산및설비에관한사항 가. 생산능력및생산능력의산출근거 당사는국내사업장기준 4 조 3 교대로운영되고있으며, 휴일 ( 공휴일포함 ) 을포함하여 2010 년연간총가동일

32 은 365 일로, 각지역별팹 (Fab) 의가동인원및수율을고려하여계산한당사의평균가동시간은월 8,200,158 시간입니다. 생산능력은 " 해당분기내최대생산월의생산량 ⅹ 누적개월수 ⅹ 평균원가 " 의방법으로산출하고있으며, 2010 년 연간생산능력은 9,231,852 백만원입니다 (1) 생산능력 ( 단위 : 백만원 ) 사업부문사업소제 63 기연간제 62 기연간제 61 기연간 메모리부문이천, 청주 9,231,852 8,362,243 10,404,564 나. 생산실적및가동률 당사의 2010 년연간생산실적은전년도동기대비 20% 증가한 8,497,480 백만원으로집계되었으며, 동기간 의생산설비의평균가동률은 94% 를유지하였습니다. (1) 생산실적 ( 단위 : 백만원 ) 사업부문사업소제 63 기연간제 62 기연간제 61 기연간 반도체부문이천, 청주 8,497,480 7,073,854 8,336,684 (2) 가동률 ( 단위 : 시간, %) 사업소 ( 사업부문 ) 연간가동가능시간연간실제가동시간평균가동률 반도체부문 104,550,600 98,401,892 94% 가동률은각지역별팹 (Fab) 의가동인원및수율을고려하여계산함. 다. 생산설비의현황 [ 자산항목 : 토지 ] ( 단위 : 백만원 )

33 사업소 소유 소재지구분 ( m2 ) 기초장부 당기증감 당기 기말장부가액 비고 형태 가액 증가 감소 상각 이천본사청주공장 자가 소유 이천 946, , ,956 - 청주 440,200 95, ,444 - 기타일산외 27,994 3, ,439 - 합계 1,414, , ,839 - [ 자산항목 : 건물 ] ( 단위 : 백만원 ) 사업소 소유 소재지기초장부가액당기증감당기 기말장부가액 비고 형태 증가 감소 상각 이천본사청주공장구미공장 자가 소유 이천 515,166 41,449 7,588 16, ,036 - 청주 517, , ,733 - 구미 3, ,179 - 기타일산외 1, ,299 - 합계 1,037,695 41,544 7,588 36,404 1,035,247 - [ 자산항목 : 구축물 ] ( 단위 : 백만원 ) 사업소 소유 소재지기초장부가액당기증감당기 기말장부가액 비고 형태 증가 감소 상각 이천본사청주공장구미공장 자가 소유 이천 88,051 4,793 1,213 14,540 77,091 - 청주 6, ,768 - 구미 5, ,693 -

34 기타일산외 합계 99,842 4,870 1,213 15,947 87,552 - [ 자산항목 : 기계장치 ] ( 단위 : 백만원 ) 사업소이천본사청주공장구미공장 소유형태자가소유 소재지 기초장부가액 당기증감 당기상각 기말장부가액 비고 증가 감소 이천 2,918,213 1,502,845 82,953 1,091,514 3,246,592 - 청주 1,746, ,422 78, ,212 1,874,942 - 구미 1, 합계 4,665,980 2,309, ,630 1,691,672 5,121,944 - 당기증감은사업부문간고정자산이동을포함한자료임 [ 자산항목 : 차량운반구 ] ( 단위 : 백만원 ) 사업소 소유 소재지기초장부가액당기증감당기상 기말장부가액 비고 형태 증가 감소 각 이천본사청주공장서울사무소 자가 소유 이천 청주 서울 합계 당기증감은사업부문간고정자산이동을포함한자료임 [ 자산항목 : 기타의유형자산 ] ( 단위 : 백만원 )

35 사업소 소유 소재지기초장부가액당기증감당기 기말장부가액 비고 형태 증가 감소 상각 이천본사청주공장구미공장서울사무소 자가 소유 이천 93,732 40,564 3,150 40,934 90,213 - 청주 31,656 14, ,081 33,954 - 구미 서울 합계 126,057 55,390 3,276 53, ,834 - 당기증감은사업부문간고정자산이동을포함한자료임 [ 자산항목 : 건설중인자산 ] ( 단위 : 백만원 ) 사업소 소유 소재지기초장부가액당기증감당기 기말장부가액 비고 형태 증가 감소 상각 이천본사청주공장서울사무소 자가 소유 이천 67,411 1,813,227 1,530, ,104 - 청주 65, , , ,117 - 서울 합계 132,660 2,606,322 2,238, ,234 - 라. 투자계획 당사의 2011 년입고기준투자금액은해외현지생산법인을포함하여약 3.4 조원을계획하고있습니다. 아울 러동투자금액은시장상황및경영환경변화에따라변경될수있습니다. [ 관련공시 : 2011 년 1 월 6 일자수시공시의무관련사항 ( 공정공시 )] 한편, 2010 년당사의본사입고실적기준투자집행금액은다음과같습니다.

36 [ 본사, 입고실적기준 ] ( 단위 : 십억원 ) 사업 구분투자대상자산투자효과투자기간총투자 기투자액 향후 비 부문 액 ( 계획 ) 제 62 기이전 제 63 기 투자액 고 본사보완투자기계장치외생산능력증가 ~ , 신규투자 청주신규 M11 300mm , 공장신설 생산능력확충 ~ 합계 , 매출에관한사항 가. 매출실적 ( 단위 : 백만원 ) 사업부문매출유형품목제 63 기제 62 기제 61 기 반도체부문제품외 DRAM, 낸드플래시, MCP 등 수출 11,595,885 7,254,023 6,289,675 내수 377, , ,692 합계 11,973,426 7,521,458 6,495,367 합계수출 11,595,885 7,254,023 6,289,675 내수 377, , ,692 합계 11,973,426 7,521,458 6,495,367 나. 판매경로및판매방법등 (1) 판매조직 국내에서는마케팅본부내국내영업팀관할하에대리점 5개사를운영하고있습니다. 해외판매법인은미국, 독일, 영국, 일본, 싱가포르, 인도, 홍콩, 대만, 중국등총 9개국가에소재하고있으며산하에 21개지사및 16개대리점을두고있습니다. (2) 판매경로 당사의판매경로는크게직판거래와대리점거래로나눌수있습니다. 직판거래는당사에서일반기업체등

37 실수요자에게직접판매를하는것이고, 대리점거래는당사가대리점을통해서일반기업체등의실수요자 에게판매하는것입니다. (3) 판매방법및조건 내수판매는국내대리점등의수주현황에의거하여현금또는어음결제조건으로거래하고있으며, 수출은 MASTER L/C 및 LOCAL L/C 에의거하여신용장또는 D/A, D/P 조건등으로거래하고있습니다. (4) 판매전략 당사판매전략은 ' 비즈니스포트폴리오최적화 ', ' 수익구조개선 ', ' 고객관계유지 ', ' 지역별포지셔닝유지 ' 등 4 가지를근간으로하고있습니다. 비즈니스안정성을위해서포트폴리오의최적화를추진하고있으며서버, 그래픽스, 모바일, 컨수머응용분야의매출확대를위해제품구성을다양화하고있습니다. 수익구조개선을위해서고부가가치제품판매를확대하고시장통찰능력을강화하여미래시장발굴을추진하고있습니다. 고객관계유지를위해서고객가치제안활동을강화하고특화된제품을제공하여고객만족제고를추진하고있습니다. 지역별특성을고려하여차별화된제품전략으로지역별전략고객매출확대를추진하고있습니다. (5) 주요매출처 DRAM 의경우, DELL, HP 등세계유수의 PC 또는 PC 관련전자업체에제품을공급하고있습니다. 낸드플래시는 IT 컨수머제품전체에걸쳐그수요처가다양하기때문에, Apple 등세계적인 PC 및 IT 제품 제조업체, 메모리모듈업체, 그리고휴대용저장장치와메모리카드생산업체등을고객으로확보하고있습 니다. 6. 수주상황 당사는주요고객사들과월별상호합의에따른공급물량및가격을결정하고있으며, 장기공급계약에따른 수주현황은없습니다. 7. 시장위험과위험관리 가. 주요시장위험요소 당사는외화표시자산및부채의환율변동에의한리스크를최소화하여재무구조의건전성제고및예측가능 경영을통한경영의안정성실현을목표로환리스크관리에만전을기하고있습니다. 특히당사는영업측면에 서매출의 90% 이상이 US$ 로연동되어 US$ 수입이지출보다많은현금흐름을가지고있으므로환율하락에

38 따른환차손이환리스크관리의주대상입니다. 나. 회사의위험관리정책 당사는보다체계적이고효율적인환리스크관리를위하여주요글로벌금융기관으로부터환리스크관리에 대한컨설팅을받은바있으며, 환위험관리규정제정, 외환관리위원회구성및환리스크관리를위한별도의 전담인원을배정하여운영하고있습니다. (1) 위험관리의일반적전략 [ 위험관리규정 ] 당사는환리스크관리를위한외환거래에있어환관리시행규칙을명문화하여엄격히시행하고있으며, 그주요내용은 1외환거래는환리스크를회피하고안정적경영수익을확보하기위해실행되어야하며, 2실수요와공급에의한거래를원칙으로하고 3환위험관리의기본정책은회사내부적으로자연적헤지 (Natural Hedge) 를기본으로하고필요시선물환등외부적관리기법을일부시행하고, 4회사의환위험관리는주관부서에서집중하여관리하며, 주관부서는환포지션을파악하여환위험관리위원회가설정한지침에따라헤지거래를시행하고있습니다. [ 파생상품계약운용 ] 당사는파생상품계약을환위험헤지목적으로운용하고있으며, 동파생상품계약은기말외화부채의 10% 수 준으로관리되고있습니다. (2) 위험관리조직및운영현황 당사는외환관리에관한최고의사결정기구로서외환관리위원회를설치 운영하고있으며, 외환관리위원회의주요업무는다음과같습니다. 1 외환관리정책, 전략심의및의결 2 외환관리규정의제정및개정 3 환관리목표및최대허용손실한도의설정 4 환위험헤지범위및헤지비율, 관리수단등의조정 5 환포지션, 환율변동영향, 환율전망등환관련정보의공유 다. 위험관리관련추진사항 당사는종합적외화자산부채관리의일환으로영업상의환율변동영향을축소하기위해통화스왑거래를 체결하고있습니다. 8. 파생상품거래현황 가. 통화스왑계약현황 당사는종합적외화자산부채관리의일환으로영업상의환율변동영향을축소하기위하여아래표와같이

39 통화스왑거래를체결하고있습니다. 파생상품거래를매매목적의거래로분류하여회계처리하고있으며발생된손익은기업회계기준에따라당기 손익으로인식하였습니다. 파생상품의공정가액은거래은행이제공한평가내역을이용하였습니다. 파생상품 계약과관련하여 2010 년말재무제표에반영된평가이익은 5,735 백만원, 거래이익은 6,091 백만원입니다. ( 단위 : 백만원 ) 계약일만기일매 매입 매입이자 거래가 매도 매도금액 매도이자 평가손익 ( 백만원 ) 예금 담 은행 입 통 화 금액 약정율 (%) 격 통화 ( 백만불 ) 약정율 (%) 당기이전 (~'09 년 ) 제 63 기 누계 담보 보 금 리 07/5/25 12/5/25 KR 50, % US 54 Libor -10,494 1,907-8, 외환은행 W D 3M+0.95% 07/5/25 12/5/25 KR 50, % US 54 Libor -10,591 1,891-8, 산업은행 W D 3M+0.95% 07/5/25 12/5/25 KR 50, % US 54 Libor -10,511 1,936-8, 우리은행 W D 3M+0.95% 소계 150, ,596 5,735-25, 나. 선물환거래현황 당사는 2010 년 4 월 19 일에 ( 주 ) 한국외환은행과 USD10 백만에대하여선물환매도계약을체결하였으며동선 물환매도거래를매매목적의거래로분류하여회계처리하고있습니다. 선물환매도거래와관련하여 2010 년말재무제표에반영된평가손실은 230 백만이며, 거래손실은 1,480 백만원 입니다. 다. 특정금전신탁수익권옵션계약현황 당사는대만프로모스 (ProMOS) 社보통주식인수를위해참여한재무적투자자들과 2008년 8월 21일에특정금전신탁수익권옵션계약을체결하였습니다. 재무적투자자들은 한국외환은행의특정금전신탁가입을통하여프로모스社가사모로발행한신주를일정가격으로인수하였으며당사에대하여특정금전신탁수익권매수를요구할권리를가지고있습니다. 재무적투자자들의특정금전신탁투자원금은총 120,000 백만원이며특정금전신탁수익권옵션의평가는매 기말에는외부평가기관을통하여, 기중에는당사에서자체적으로평가하고있습니다. 특정금전신탁수익권 옵션에대한제조건과 2010 년말재무제표에반영된평가손익은다음과같습니다. ( 단위 : 백만원, 만주 )

40 투자자 특정금전 프로모스사 대상수익권행사기간행사금액평가손익비고 신탁금액 주식수 ( 주 ) 하나은행 1, 프로모스 - 하나 1 호 08/11/17~08/11/30 1,578 행사 4, 프로모스 - 하나 2 호 09/07/01~09/07/14 5,028 행사 2, 프로모스 - 하나 3 호 09/11/17~09/11/30 2,440 행사 3, 프로모스 - 하나 4 호 10/07/01~10/07/14 3,698 행사 4, 프로모스 - 하나 5 호 10/11/17~10/11/30 4,291 행사 6,000 1,008 프로모스 - 하나 6 호 11/07/01~11/07/14 6,323-1,405 소계 20,000 3, ,358-1,405 ( 유 ) 프로모스 엔에이치 2, 프로모스 -NH1 호 08/11/17~08/11/30 3,909 행사 10,000 1,680 프로모스 -NH2 호 09/07/01~09/07/14 12,509 행사 5, 프로모스 -NH3 호 09/11/17~09/11/30 6,074 행사 7,500 1,260 프로모스 -NH4 호 10/07/01~10/07/14 9,202 행사 10,000 1,680 프로모스 -NH5 호 10/11/17~10/11/30 10,710 행사 15,000 2,520 프로모스 -NH6 호 11/07/01~11/07/14 15,789-3,494 소계 50,000 8, ,193-3,494 ( 주 ) 티와이프 로 12,500 2,100 프로모스 - 동양 1 호 09/07/01~09/07/14 16,650 행사 12,500 2,100 프로모스 - 동양 2 호 10/07/01~10/07/14 15,613 행사 12,500 2,100 프로모스 - 동양 3 호 11/01/01~11/01/14 13,546-3,234 12,500 2,100 프로모스 - 동양 4 호 11/07/01~11/07/14 13,014-2,769 소계 50,000 8, ,823-6,003 합계 120,000 20, ,374-10,903 라. 이자율스왑현황 당사는 2010 년 8 월 12 일에외화채무에대한이자율변동및달러환율상승에따른이자비용이변동될위험을 회피할목적으로외화변동금리를수취하고원화고정금리를지급하는조건의이자율스왑계약을체결하였습니 다. 이자율스왑계약계약과관련하여 2010 년말재무제표에반영된평가손실은 1,400 백만원, 거래손실은 227 백만 원입니다.

41 ( 단위 : USD) 계약일만기일계약금액변동 이자율 (%) 고정 이자율 (%) 은행 10/8/12 12/8/12 50,000,000 Libor 3M+3.90% 5.90% SC 제일은행 소계 - 50,000, 경영상의주요계약등 계약상대방항목내용비고 무석산업발전집단유 한공사 계약유형 공동투자를통한반도체후공정전문합작회사설립계약 계약기간 2009 년 5 월 17 일 ~ 목적및내용 기타주요내용 중국내일괄생산체제구축을통한제조및물류효율성증대와원가경쟁력강화, 안정적외주처확보양사의협의로합작법인을후공정전문회사로장기육성, ' 합작사는향후 5년간하이닉스에후공정장기외주임가공제공및장비운용 / 교육을위한인력파견 C&S Technology Ltd. 계약유형 공동개발및파운드리공급계약 계약기간 2008 년 7 월 14 일 ~ 목적및내용 설계및파운드리전략제휴를통한 시스템반도체분야사업경쟁력확보 기타주요내용자동차용반도체공동개발, 씨엔에스社에자사파운드리제공, 씨엔에스社는당사에디자인서비스제공, 씨엔에스社의일정지 분취득 SiliconFile Technologies Inc. 계약유형 기존파운드리계약범위확대및 경영권인수를위한주식매매계약 계약기간 2008 년 7 월 21 일 ~ 본계약체결일 Phison Electronics Corp. 목적및내용 기타주요내용 계약유형 경영권인수를통해기존의단기적, 상호경쟁력협력모델을중장기적, 상호보완적협력모델로전환 2007년 11월 13일의기존 CMOS 이미지센서분야기술공동개발, 판권허여및파운드리협력계약의제품계약범위확대및실리콘화일社지분 30% 확보로최대주주로서경영에참여제품공급및공동개발계약

42 계약기간 2008 년 6 월 18 일 ~ 목적및내용 기타주요내용 제품공급및낸드플래시응용기기기술확보로사업경쟁력강화파이슨社에당사의낸드플래시제품공급, 파이슨社와낸드플래시응용제품공동개발파이슨社의일정지분취득 Grandis Inc. 계약유형공정기술라이선스및공동개발계약 계약기간 2008 년 3 월 10 일 ~ 목적및내용 기타주요내용 STT-RAM 기술확보및차세대메모리역량강화 STT-RAM 기술확보및제품개발공동연구 Fidelix Co., Ltd. 계약유형설계용역, 파운드리공급및판권허여계약 계약기간 목적및내용 기타주요내용 2008년 3월 19일 ~ 2013년 3월 18일 200mm 팹 (Fab) 활용성및수익성강화와다양한제품설계기술확보피델릭스社는당사에설계용역제공, 당사의파운드리서비스를피델릭스측에제공, 동생산제품의판권허여, 피델릭스지분취득권리확보 SiliconFile Technologies Inc. 계약유형 공동연구개발, 판권허여및파운드리공급계약 계약기간 2007 년 11 월 13 일 ~ 목적및내용 기타주요내용 CMOS 이미지센서기술협력및안정적인조기 CIS시장진입기회확보실리콘화일社의휴대폰용 CMOS 제품판권을당하에허여하였으며, 향후제품공동개발, 당사의파운드리서비스를실리콘화일社에제공 Ovonyx Inc. 계약유형공정기술라이선스및기술도입 계약기간 목적및내용 기타주요내용 2007년 10월 1일 ~2027년 10월 1일 PRAM 기술확보및차세대메모리개발역량강화 PCM 기술이구현된메모리제품을생산 / 판매할수있는비독점적, 비양도성라이선스를당사에허여 Innovative Silicon Inc. 계약유형 공정기술라이선스및기술도입 계약기간 2007 년 7 월 16 일 ~ 목적및내용 기타주요내용 ZRAM 기술확보및미래기술역량강화 ZRAM Memory Macro 개발, 생산, 판매에필요한 ZRAM 기술

43 라이선스허여및 ZRAM 공동연구개발 TESSERA, INC. 계약유형기술도입계약 계약기간 목적및내용 기타주요내용 1997년 5월 22일 ~ 2012년 5월 22일 2005년 3월 31일 ~ 2012년 5월 22일 Micro BGA Package 제조기술및 TTC 라이선스계약변경 Micro BGA Package 제조기술및 TTC 라이선스계약변경 출자전환주식 공동관리협의회 계약유형 특별약정 계약기간 2005 년 7 월 11 일 ~ 목적및내용 기타주요내용 당사의기업경영효율성제고및이를통한주식가치의제고본특약의존속기간은 ⅰ) " 갑 " 이보유한주식전부의매각완료 ⅱ) " 갑 " 이보유한주식중 " 을 " 의경영권을확보할수있는지분의제3자 ( 특정한개인, 법인또는그컨소시엄 ) 에대한매각완료또는 ⅲ) " 갑 " 의보유주식이 " 을 " 의경영권확보에필요한주식에미달하게되는시점중먼저도래하는날까지로함. 10. 연구개발활동 가. 연구개발담당조직 당사는보고서제출일현재, 연구소및 DRAM 개발본부, Flash 개발본부, Mobile 사업부에서연구개발활동에 주력하고있습니다. 나. 연구개발비용 ( 단위 : 백만원 ) 과 목 제63기 제62기 제61기 비고 원재료비 33,492 33,554 53,486 - 인 건 비 301, , ,419 - 감가상각비 154, , ,599 - 위탁용역비 31,457 27,849 27,622 - 기 타 281, , ,764 - 연구개발비용계 801, , ,890 -

44 회계처리판매비와관리비 684, , ,738 - 제조경비 ,152 - 개발비 ( 무형자산 ) 116, 연구개발비 / 매출액비율 [ 연구개발비용계 당기매출액 100] 6.7% 8.9% 10.8% - 다. 연구개발실적 구분연구과제명기대효과 제 63 기 1) 512Mb Combo Mobile 50나노급기술을적용한모바일메모리제품으로모바일폰,PDA, 스마트폰, MP3플레이어, PMP, 네비게이션, DMB 등모바일기기대응을위한제품임. 저사양휴대폰에낸드 MCP가노어 MCP를대체하는추세에따라수요증대가예상되며, 저전력 DDR의원가경쟁력확보를통해수익성향상에기여할것으로기대됨. 2) 32Gb MLC Flash 30나노급기술을적용한핵심제품으로고용량어플리케이션및 PC Storage 시장에대응하기위한제품임. 기존기술대비 Net die 증가로인한가격경쟁력확보로수익성향상에기여할것으로기대됨. 3) 4Gb SLC Flash 40나노급기술을적용한파생제품으로모바일용 MCP 시장에대응하기위한제품임. 향후모바일분야에서 4Gb 제품이주력제품으로예상됨에따라공정미세화를통한가격경쟁력확보및수익성향상에기여할것으로기대됨. 4) VGA 2Sh WLCSP 2.25um 실리콘화일과공동개발한 2.25um 130나노기술을적용한기존의 VGA 2Sh CMOS 이미지센서제품으로수정작업이다른패키지제품보다용이하여빠른불량분석이가능하며중국및대만고객사의대응에적합한제품으로판매량과매출증대에기여할것으로기대됨. 5) 1.3M SoC 1.75um 실리콘화일과공동개발한 1.75um 130나노기술을적용한 CMOS 이미지센서제품으로써휴대전화용카메라는물론노트북과 PC 카메라에도사용이가능하며, 화질이우수하고크기가작아특히국내시장에서의판매량과매출이기대됨. 6) 2Gb GDDR5 40나노급기술을적용한그래픽스메모리제품으로고사양 PC와서버, 차세대게임콘솔대응을위한제품임. 1Gb GDDR5에이어 2Gb 용량의사용이증가할것으로예상되며, 고사양그래픽시장에서주력제품으로예상되는바시장선점및경쟁력확보에기여할것으로기대됨. 7) 2Gb Mobile DDR2 실리콘화일과공동개발한 2.25um 130나노기술을적용한기존

45 의 VGA 2Sh CMOS 이미지센서제품으로다른패키지제품보다수정작업이용이하여빠른불량분석이가능하며중국및대만고객사의대응에적합한제품으로판매량과매출증대에기여할것으로기대됨. 8) 2Gb SLC NAND 실리콘화일과공동개발한 1.75um 130나노기술을적용한 CMOS 이미지센서제품으로써휴대전화용카메라는물론노트북과 PC 카메라에도사용이가능하며, 화질이우수하고크기가작아특히국내시장에서의판매량과매출이기대됨. 9) Slim VGA 2.25um 130nm 실리콘화일과공동개발한 2.25um 130나노기술이적용된기존의 VGA 2Sh CMOS 이미지센서를기반으로더욱소형화된제품을개발함. Net Die 향상및원가절감으로경쟁이치열한중국시장에특화된제품. 품질이뛰어나고객의선호도가높은제품으로판매량및수익성향상에기여를하고있음. 10) 3M SoC 1.75um 130nm 실리콘화일과공동개발한 1.75um 130나노기술을적용한 CMOS 이미지센서제품으로써 300만화소의고품질로이미지센서시장에서주력제품으로자리매김을할것으로예상함. 휴대전화용카메라는물론노트북에서도사용이가능하며국내시장에서판매량과매출이기대됨. 11) 2Gb Combo Mobile 40나노급기술을적용한모바일메모리제품으로기존모바일어플리케이션인핸드셋, PMP, 모바일인터넷기기, 넷북, 게임콘솔뿐만아니라다양한고객요구사양에대응하기위한제품임. 기존기술대비다이 (die) 수증가로원가경쟁력확보와모바일메모리제품의수요급증으로수익성향상에크게기여할것으로기대됨. 12) 512Mb DDR2 40나노급기술을적용한제품으로디지털티비, 셋톱박스, 네트워크의고사양제품에적용되는컨수머제품임. 13) 32Gb TLC NAND 하나의셀 (Cell) 당세개의 Bit 정보를저장할수있는제품으로기존 SLC, MLC 대비고용량, 저비용의실현이가능하여원가경쟁력및수익성향상에크게기여할것으로기대됨. 14) 16Gb MLC NAND 핵심제품의향상된성숙도와신뢰성조기확보로최단기간개발된제품으로, 이전기술공정제품을대체하여수익성향상이기대되며단품은물론 usd, enand까지다양한어플리케이션에적용할예정임. 15) 16Gb SLC HS NAND 자사최초로초고속사양을적용한제품으로기존제품보다대폭속도가향상되었음. Flash 시장의킬러어플리케이션으로기대되고있는 SSD를타겟으로개발된제품으로향후스토리지업체및자사 SSD 개발에큰기여를할것으로기대됨. 16) 64Gb MLC NAND 20나노급공정을적용한핵심제품으로써혁신적인기술개

46 발을통해경쟁사와의기술격차를크게줄임. 기존 30나노급32Gb제품대비생산성이 60% 향상되어업계최고수준의원가경쟁력을확보할수있을것으로기대됨. 17) 2M 1.75um 130nm 실리콘화일과공동개발한 1.75um 130나노기술을적용한 200만화소 CMOS 이미지센서제품으로써중국이미지센서시장에특화된제품. 휴대전화용카메라제품으로중국시장의차세대주력제품으로매출및이윤향상에기여할것으로예상함. 18) 1Gb GDDR5 40나노급공정을적용한그래픽메모리제품으로고사양 PC 그래픽대응제품임. 이전기술공정대비다이 (die) 수증가및고사양급 PC 그래픽의주력제품으로서수익성향상이기대됨. 19) 1Gb Mobile DDR2 40나노급공정을적용한모바일메모리제품으로 Mid- Range 및고사양시장인 MID, 스마트폰에대응하기위한제품임. MID 및스마트폰의고사양화에따른저전력고속제품요구증가로 LPDDR2의채용이급격히확대될것으로전망됨에따라수익성향상에크게기여할것으로기대됨. 20) 32G MLC HS NAND 폭발적인성장세를보이고있는스마트폰, 태블릿 PC 등에채용되고있는 emmc향으로개발된제품임. 기존 30나노급공정대비크기는약 24% 작아지고다이 (die) 수는 30% 많아모바일분야의매출및수익성향상에크게기여할것으로기대됨. 구분연구과제명기대효과 제 62 기 1) 1Gb GDDR5 50나노급기술을적용한그래픽스메모리제품으로차세대게임콘솔및노트북, 고사양데스크탑대응을위한제품임. 고사양그래픽스시장에서본격적으로 1Gb GDDR5 채용이가속화됨에따라 32배속시장에서성공적인수익창출이기대됨. 2) 32Gb MLC Flash 카드, USB, MP3등고용량제품의요구가급격하게커지고있는가운데, 특히신규어플리케이션인 SSD 시장의확대등으로인하여고용량제품의개발필요성이증대되고있어이러한시장에적극대응하기위하여, 기존 48나노 16Gb MLC 낸드플래시제품후속으로 40나노급 MLC 기술로 32Gb 제품을개발. 3) 1Gb SLC Flash 모바일용 MCP 제품의경쟁력강화에기여하고, 기존 70나노급대비 40나노급미세공정전환을통해수익경쟁력강화에기여할것으로기대됨. 특히 Panasonic용 Bundle SD Card(512MB) 의틈새시장확보에도움이될것으로예상됨. 4) 2Gb DDR3 50나노급기술을적용한메인메모리제품으로서버, 데스

47 크탑, 노트북에사용되는제품임. 쿼드코어프로세서 (Quad Core Processor) 출시및가상화기술도입으로 8GB 및 16GB 등고용량모듈수요증가가예상됨에따라시장경쟁력확충에기여할것으로기대됨. 5) 2Gb Combo Mobile 50나노급기술을적용한모바일메모리제품으로 MID(Mobile Internet Device) 및스마트폰등고사양모바일응용제품대응을위한제품임. 모바일기기의컴퓨팅화및다기능응용제품증가에따른고용량모바일제품의수요증가가예상됨에따라프리미엄제품으로수익성강화에기여할것으로기대됨. 6) 16Gb MLC Flash 고정거래고객및현물시장중심으로고용량 TSOP형태의패키지제품수요가지속될것으로예상되며특히모바일폰에서 2GB 이상의고용량 usd Card 수요가급속한성장을할것으로예상됨에따라, 40나노급 16Gb MLC 개발을통해서 TSOP 패키지응용제품 (MP3, USB, 기타컨슈머제품 ) 과 usd Card용수요를충족시켜매출및이윤향상에기여할수있을것으로기대됨. 7) 8Gb MLC Flash 48나노 8Gb MLC 제품개발로휴대전화용메모리카드 (1GB,2GB, 4GB) 수요를충족시시켜매출에기여할수있을것으로기대됨. 8) 4Gb MLC Flash 낸드플래시제품의고용량화에따라저용량제품의수요는감소세를보이고있으나모바일폰과디지털카메라의 Bundle 카드분야에서의수요는견조할것으로예상되어, 48나노 4Gb MLC 제품을통해틈새시장대응이가능할것으로기대됨. 9) VGA 2Sh 2.25um 실리콘화일과공동개발한 2.25um 130나노기술을적용한 CMOS 이미지센서제품으로, 휴대폰용카메라및노트북등에활용되며, 기존 4Sh 제품보다제품특성이월등히뛰어나중국과국내시장에적극대응이가능하며매출및 CIS분야이윤향상에기여할수있을것으로기대 10) 2M SoC 1.75um 실리콘화일과공동개발한 1.75um 130나노기술을적용한 CMOS 이미지센서제품으로, 휴대폰용카메라에주로채용될것으로보이며, 최근휴대폰용시장에서가장많이쓰이는 200만화소의해상도를바탕으로중국및국내주요모바일기업등에판매가가능한제품으로매출및이윤향상에기여할것으로기대 11) 512Mb GDDR3 50나노급기술을적용한그래픽메모리제품으로, 고부가가치시장인게임콘솔에서선두업체지위확보및가격프리미엄을바탕으로매출증대에기여할것으로기대 12) 1Gb Mobile DDR2 50나노급기술을적용한모바일메모리제품으로고사양모바일폰및 MID 등의고사양애플리케이션대응을위한

48 제품으로, 모바일 DDR2의신규시장초기선점에기여할것으로기대 13) 2Gb DDR3 40나노급기술을적용한메인메모리제품으로서버, 데스크탑PC, 노트북에사용되는제품임. 기존 50나노급기술을적용한제품보다생산량이획기적으로증가됨에따라세계최고수준의원가경쟁력확보에크게기여할것으로기대되며, DDR2에서 DDR3로메모리채용이급속도로전환됨에따라매출증대에기여할것으로기대 14) 1Gb DDR3T 50나노급기술을적용한메인메모리제품으로서버, 데스크탑PC, 노트북에사용되는제품임. 기존 1Gb DDR3제품의보완으로생산량증가및저전력제품으로생산성및수익성향상에기여할것으로기대 구분연구과제명기대효과제61기 1) 1Gb DDR3 50나노급기술을적용한 DDR3 메인메모리제품으로서버, 데스크탑 PC, 노트북에사용되는제품임. 기존 66나노기술이후차세대제품으로 1Gb DDR3의원가경쟁력확보에크게기여할것으로예상되며, 1Gb DDR2와함께가장많은규모를차지할것으로예측되는제품임. 2) 1Gb GDDR3 50나노급기술을적용한그래픽스메모리제품으로고사양노트북및데스크탑 PC에사용되고, 마이크로소프트차세대게임콘솔대응을위한제품임. 2009년부터 1Gb GDDR3의채용비중증가가예상됨. 3) 512Mb SLC Flash (Small Block) 200mm Fab 수익성제고를위한생산설비유지및낸드플래시 70나노급에서 50나노급으로의기술이전을통한경쟁력강화를위해개발된제품임. 모바일용어플리케이션에 Small Block의저가형낸드플래시수요에대응. 4) 1Gb DDR2 50나노급기술을적용한메인메모리제품으로서버, 데스크탑 PC, 노트북에사용되며, 기존 60나노급기술을적용한제품보다생산량이획기적으로증가됨에따라원가경쟁력확보를통해경영실적개선에크게기여할것으로기대됨. 5) 1Gb Mobile DDR2 60나노급기술을적용한제품으로고성능모바일어플리케이션증가에따른고용량및고속버퍼메모리시장대응을위한모바일제품으로, 저전력 DDR SDRAM에서저전력 DDR2 SDRAM의고성능으로이어지는시장에서의기득권확보및모바일 DRAM 시장선도에기여할것으로기대됨. 6) 1Gb SLC Flash 70나노급에서 57나노급으로의기술전환을통한경쟁력강화- 저용량낸드컨슈머마켓용제품 ( 모바일용어플리케이션 )

49 7) VGA 2.25um 130nm 실리콘화일사가디자인한 130나노로직기술을적용한 CMOS 이미지센서제품으로써모바일용카메라및노트북등에사용됨. 당사의 CIS 첫제품으로최단기샘플출시및내부인증을통하여조기에 CIS 시장진출및매출기반을이룰것으로기대됨. 8) 1Gb DDR3 60나노급기술을적용한초고속메인메모리제품으로 Post-Bearlake/Beachwood 대응을통한 DDR3 주력시장진입을위한제품임. 저전력 / 고속제품특성및 Net Die 경쟁력을강화함으로써수익성향상에기여할것으로기대됨. 9) 1Gb GDDR5 60나노급기술을적용한그래픽스메모리제품으로 Enthusiast급 PC 그래픽카드및차세대게임콘솔용제품임. GDDR4 이후 GDDR5로메모리모드전환대응및고속경쟁력확보를통해그래픽스시장에서자사위상제고에기여할것으로기대됨. 10) 2Gb MLC Flash 생산성향상에의한수익성개선과고용량에비해상대적으로가격프리미엄제품인 50나노급 2Gb MLC 파생제품개발필요성이증가함에따라개발한제품임. 저용량 MLC 제품구성및 256MB usd 시장공략을통한수익성강화에기여할것으로기대됨. 11) 16Gb MLC Flash 플래시카드, USB, MP3, SSD 등고용량낸드소비증가와모바일용 MCP 및디지털카메라용 MCP, 게임등빠른수행능력이요구되는어플리케이션증가로인해 40나노급 16Gb MLC 제품의개발의필요성이증가하였으며수익성향상에기여할것으로기대됨. 12) 512Mb gddr2 60나노급기술을적용한그래픽스메모리제품으로서비스타효과확대및 Santa Rosa Platform 확대에대응하기위한그래픽스메모리용제품임. 기존양산제품보다선행기술을사용하여제품특성및 Net Die 경쟁력을강화함으로써생산성증대및수익성강화에기여할것으로기대됨 13) 4Gb MLC Flash 완성품생산업체들의가격압박으로인한 MLC 채용증가및 SLC 제품가격의 MLC 제품대비가격프리미엄증대로 SLC 제품채용이축소되는시장상황에서저사양 (4Gb이하 ) 시장대응을위한제품임. 11. 기타투자의사결정에필요한사항 가. 외부자금조달요약표 (1) 국내조달 ( 단위 : 백만원 )

50 조달원천 기초잔액 신규조달 상환등감소 기말잔액 비고 은 행 2,029,887 59, ,110 1,193,232 ( 주1) 보험회사 종합금융회사 여신전문금융회사 상호저축은행 기타금융기관 140, ,379 66, ,672 ( 주2) 금융기관합계 2,170, , ,989 1,526,903 - 회사채 ( 공모 ) 1,419, ,000 84,822 1,634,964 ( 주3) 회사채 ( 사모 ) 유상증자 ( 공모 ) 7,658, ,658,159 - 유상증자 ( 사모 ) 자산유동화 ( 공모 ) 자산유동화 ( 사모 ) 기 타 3,275,531 14,834-3,290,365 ( 주4) 자본시장합계 12,353, ,834 84,822 12,583,488 - 주주ㆍ임원ㆍ계열회사차입금 155, ,995 69, ,863 ( 주5) 기 타 총 계 14,679, ,663 1,117,672 14,479,255 - ( 참고 ) 당기중회사채총발행액공모 : 300,000 백만원 사모 : - 백만원 ( 주1) 입출금이빈번한당좌차월및 Banker's Usance는순증 ( 감 ) 액만을기재하였음. 당기중증가분은일반외화대출 USD 50백만이며당기중감소분은일반외화대출 USD 183백만및일반원화대출 352,435백만임. ( 주2) 당분기중증가분은시설자금대출 200,000백만및금융리스 USD 53백만이며, 감소분은 USD44백만및 14,010백만금융리스상환금액임. ( 주3) 당분기중증가분은공모사채 300,000백만이며, 감소분은국내전환사채전환권행사분 14,822백만및공모사채상환 70,000백만임. ( 주4) 상기기타항목의기초잔액은 CB, BW, 주식매수선택권권리행사내역등임. -. CB출자전환 : 3,006,324백만원, -. 국내CB전환권행사 : 250,638백만원,

51 -. 국내BW권리행사 : 515백만원, -. 주식매수선택권행사 : 16,409백만원, -. 우리사주매수선택권행사 : 1,645백만원, -. 소 계 : 3,275,531백만원 기타항목의증가내역은다음과같음.( 당분기결산이후증가분제외 ) -. 국내CB 전환권행사 : 31백만원 (1,328주*23,328원, 2010년 1월 4일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 3백만원 (127주*23,328원, 2010년 1월 5일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 10백만원 (428주*23,328원, 2010년 1월 6일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 2백만원 (85주*23,328원, 2010년 1월 7일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 25백만원 (1,080주*23,328원, 2010년 1월 8일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 12백만원 (526주*23,328원, 2010년 1월 15일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 502백만원 (21,518주*23,328원, 2010년 1월 19일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 10백만원 (428주*23,328원, 2010년 1월 21일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 10백만원 (428주*23,328원, 2010년 3월 18일 ), -. 주식매수선택권행사 : 13백만원 (2,660주*5,000원, 2010년 3월 22일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 20백만원 (856주*23,328원, 2010년 4월 1일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 13,048백만원 (559,313주*23,328원, 2010년 4월 2일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 5백만원 (214주*23,328원, 2010년 4월 5일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 10백만원 (409주*23,328원, 2010년 4월 7일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 21백만원 (900주*23,328원, 2010년 4월 8일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 5백만원 (218주*23,328원, 2010년 4월 13일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 25백만원 (1,069주*23,328원, 2010년 4월 23일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 1백만원 (42주*23,328원, 2010년 4월 27일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 4백만원 (171주*23,328원, 2010년 4월 30일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 10백만원 (428주*23,328원, 2010년 5월 10일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 10백만원 (428주*23,328원, 2010년 6월 10일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 15백만원 (643주*23,328원, 2010년 6월 17일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 0백만원 (1주*23,328원, 2010년 6월 18일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 10백만원 (428주*23,328원, 2010년 6월 25일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 1,0100백만원 (43,294주*23,328원, 2010년 7월 8일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 10백만원 (428주*23,328원, 2010년 7월 16일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 10백만원 (428주*23,328원, 2010년 9월 1일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 3백만원 (111주*23,328원, 2010년 10월 29일 ), -. 국내CB 전환권행사 : 0백만원 (4주*23,328원, 2010년 11월 16일 ), -. 소계 : 14,834백만원 ( 주5) 당기중증가분은관계사차입금 USD 239백만이며당기중감소분은관계사차입금 USD 48백만임. 상기신규조달및상환등감소금액은환율변동으로인한외화평가분을포함함. (2) 해외조달 ( 단위 : 백만원 ) 조달원천기초잔액신규조달상환등감소기말잔액비고 금융기관

52 해외증권 ( 회사채 ) 1,123, , ,641 1,167,955 ( 주6) 해외증권 ( 주식등 ) 2,134, ,134,130 - 자산유동화 기 타 총 계 3,257, , ,641 3,302,085 - ( 주 6) 당기중증가분은해외전환사채 (USD 500 백만 ) 이며, 감소분은해외전환사채 (USD 백만 ) 임. 상기신규조달및상환등감소금액은환율변동으로인한외화평가분을포함함. 나. 최근 3 년간신용등급 [ 국내 ] 평가일 평가대상 평가대상유 평가회사 신용평가 평가구분 유가증권등 가증권의 등급범위 신용등급 회사채 (205) A- 한신정평가 AAA ~ D 본평가 회사채 (205) A- 한신평 AAA ~ D 본평가 회사채 (205) A- 한기평 AAA ~ D 본평가 회사채 (206) A- 한신정평가 AAA ~ D 본평가 회사채 (206) A- 한신평 AAA ~ D 본평가 회사채 (206) A- 한기평 AAA ~ D 본평가 회사채 (207) A- 한신정평가 AAA ~ D 본평가 회사채 (207) A- 한신평 AAA ~ D 본평가 회사채 (207) A- 한기평 AAA ~ D 본평가 회사채 ( 수시평가 ) BBB+ 한기평 AAA ~ D 수시평가 회사채 ( 수시평가 ) BBB+ 한신정평가 AAA ~ D 수시평가 회사채 ( 수시평가 ) BBB+ 한신평 AAA ~ D 수시평가 회사채 ( 정기평가 ) BBB+ 한기평 AAA ~ D 정기평가 회사채 ( 정기평가 ) BBB+ 한신정평가 AAA ~ D 정기평가 회사채 ( 정기평가 ) BBB+ 한신평 AAA ~ D 정기평가 회사채 (208) BBB+ 한기평 AAA ~ D 본평가 회사채 (208) BBB+ 한신정평가 AAA ~ D 본평가

53 회사채 (208) BBB+ 한신평 AAA ~ D 본평가 회사채 ( 수시평가 ) BBB+ 한기평 AAA ~ D 수시평가 회사채 ( 정기평가 ) BBB+ 한신정평가 AAA ~ D 정기평가 회사채 ( 정기평가 ) BBB+ 한기평 AAA ~ D 정기평가 회사채 ( 정기평가 ) BBB+ 한신평 AAA ~ D 정기평가 회사채 (209) BBB+ 한기평 AAA ~ D 본평가 회사채 (209) BBB+ 한신정평가 AAA ~ D 본평가 회사채 (209) BBB+ 한신평 AAA ~ D 본평가 [ 해외 ] 평가일 평가대상 평가대상유 평가회사 신용평가등 평가구분 유가증권등 가증권의 급범위 신용등급 발행회사 / 해외사채 Ba2 Moody's Aaa ~ C 수시평가 발행회사 / 해외사채 BB- S & P AAA ~ D 수시평가 발행회사 / 해외사채 Ba3 Moody's Aaa ~ C 수시평가 발행회사 / 해외사채 B1 Moody's Aaa ~ C 수시평가 발행회사 / 해외사채 B+ S & P AAA ~ D 수시평가 해외사채 B S & P AAA ~ D 수시평가 발행회사 B+ S & P AAA ~ D 수시평가 발행회사 B1 Moody's Aaa ~ C 수시평가 해외사채 B+ S & P AAA ~ D 수시평가 상기 S&P 및 Moody's 의본점소재지는미국임. [ 참고 ] 국내신용평가사 ( 한신정평가, 한국기업평가, 한국신용평가 ) 등급정의 신용등급 등급의정의 AAA AA A 원리금지급확실성이최고수준임 원리금지급확실성이매우높지만, AAA 등급에비하여다소낮은요소가있음 원리금지급확실성이높지만, 장래의환경변화에따라다소영향을받을가능성이있음

54 BBB BB B CCC CC C D 원리금지급확실성이있지만, 장래의환경변화에따라저하될가능성이내포되어있음원리금지급능력에당면문제는없으나, 장래의안정성면에서는투기적인요소가내포되어있음원리금지급능력이부족하여투기적임원리금의채무불이행이발생할위험요소가내포되어있음원리금의채무불이행이발생할가능성이높음원리금의채무불이행이발생할가능성이지극히높음현재채무불이행상태에있음 AA ~ B 등급까지는상대적우열에따라 "+" 또는 "-" 기호를부여함. [ 참고 ] 해외신용평가사 Moody's 등급정의 신용등급 등급의정의 Aaa 최소한의신용리스크를보이며, 최고의신용상태를가진것으로판단됨. Aa 신용상태가우수한것으로판단되며신용리스크가매우낮음. A 중상위등급으로간주되며신용리스크가낮음. Baa 신용리스크가보통수준임. 이들은중위등급으로간주되며그에따라일부투기적특징을가질 수있음. Ba 투기적요소가있는것으로판단되며신용리스크가상당한수준임. B 투기적인것으로간주되며신용리스크가높음. Caa 신용상태가불량한것으로판단되며신용리스크가매우높음. Ca 투기성이매우높고부도상태이거나부도에매우근접해있을가능성이높으며원리금회수가능 성이어느정도있음. C 채권의최하등급. 일반적으로부도상태이고원리금회수가능성이거의. Aa 부터 Caa 까지각일반등급분류에 1,2,3 의숫자를부여함. 숫자 1 은해당등급분류내에서상위에있 음을, 숫자 2 는중위에, 숫자 3 은하위에있음을나타냄. [ 참고 ] 해외신용평가사 S&P 등급정의 신용등급 등급의정의

55 AAA 채무상환능력이극히높음. 최상등급임. AA 채무상환능력이매우높음, 상위등급과크게차이는없으나최고수준은아님. A BBB BB B CCC 채무상환능력이높음, 상위등급의기업에비해서는경기침체와시장환경변화의영향을받기쉬움. 채무상환능력은충분하나, 상위등급의기업에비해서는경기침체와시장환경변화의영향을받기쉬움. 가까운장래에채무불이행이발생할가능성은비교적적으나, 경영상태, 재무상황, 경제상황이악화될경우채무불이행가능성이충분히고려됨현재로서는채무상환능력이있으나, 상위등급의기업에비해경영상태, 재무상황, 경제상황이악화될경우채무불이행가능성이높음. 현재채무불이행가능성이있으며, 채무이행능력은경영, 재무, 경제상황이호의적일경우에만있다고보여짐. CC 채무불이행가능성이현재로서상당히높음. D 채무만기시 1 건이상의채무를상환하지못한기업을의미함. AA 등급에서 CCC 등급까지는해당등급에서의상대적인위치에따라 '+', '-' 를추가로부여할수있음. 다. 회사의고객관리정책 당사는 IT 산업을대표하는글로벌기업으로서당사매출기여도가매우높고당사판매전략과부합하는고객을 ' 전략고객 (Strategic Account, S/A)' 으로정하여관리하고있습니다. 당사의 S/A 고객은본보고서작성일현재총 13개사로각응용분야별전략고객의관리를통하여안정적인매출기반을확보함은물론제품구성을다양화하여수익성을극대화하고있습니다. 라. 지식재산권보유현황 2010 년 12 월 31 일현재당사는반도체와관련하여총 29,081 건의지식재산권을보유하고있습니다. 통상적 으로등록권리는해마다증가하나, 매년기등록된권리를평가하여등록유지또는포기여부를결정하고있어 포기된권리로인해그수치가다소감소할수있습니다. 특허와실용신안권은각국의특허법과실용신안법에근거하여보호되고있으며, 상표권은각국의상표법에 근거하여보호되고있습니다. 특허권의존속기간은출원일로부터 20 년 ( 실용신안은 10 년 ), 상표는등록일로부 터 10 년이며상표권은갱신등록절차를통해존속기한을연장할수있습니다. 당사지식재산권은총 57 인으로구성된전담조직에서출원, 등록및사후관리, 분쟁대응등을담당하고있습 니다. 다양한지식재산권이당사제품생산및사업운영에활용되고있으며각각의세부사항및특허권의상 세한내용은영업비밀에해당되므로기술하지않습니다.

56 마. 정부나지방자치단체의법률규정등에의한규제사항 ' 산업기술의유출방지및보호에관한법률제11조 ' 에의하여국가핵심기술로지정된반도체제조기술을해외로이전하는경우, 수출자는지식경제부에게신고할의무를지니고있습니다. 이에당사는중국공장의생산효율성을극대화하고현지시장에서의우위를지속적으로유지하기위하여중국우시공장 (HSCL) 과후공정합작사인 HITECH에디자인룰 38나노 DRAM 공정기술과조립검사기술의이전에대하여관련법에의한국가핵심기술신고절차를준수하여신고수리를완료하였습니다. 당사경영계획일정에따른적기기술이전을통해차질없는생산전개로경영목표를원활하게달성해나갈 것입니다. 바. 환경보호정책및현황 (1) ESH 경영시스템인증 당사는 ESH경영시스템에의한 ISO14001 & OHSAS18001/KOSHA18001 프로그램인증을취득하여유지관리하고있으며, 기업활동의부산물로생성되는환경영향및작업장에서의안전보건영향요인을효율적으로관리하기위해회사전반에 ISO14001/OHSAS18001에의한경영체제를도입하여, 관리시스템을재정비하고조직을구성하여체계적인관리를실시하고있습니다. 2010년에는 ISO14001:2007 규격으로인증갱신심사를실시하여 ESH경영시스템의유효성재검증및효율화를위한활동을지속적으로전개해나가고있습니다. 2010년도에는 ESH경영시스템을전산화하여각사업부서별 ESH 담당자들의업무혁신을이루었습니다. (2) 기후변화협약대응 당사는 2005 년 12 월부터 2010 년 12 월까지지식경제부와에너지절약및온실가스배출감소를위한자발적 협약 (Voluntary Agreement, VA) 을체결하였으며, 이에따라체계적인에너지절감및투자계획을수립하여 에너지절감량, 효율향상등에관한실적을매년공개하고있습니다. [ 에너지목표관리제 ] 당사는전세계적인이슈인기후변화대응을위해온실가스인벤토리시스템을완료했으며특히 2009년도에지식경제부에서주관하는에너지목표관리제시범사업에참여하여중장기적으로기후변화에대비함은물론에너지효율적사업장을만들기위해노력하고있습니다. [CDP( 탄소정보공개프로젝트 ) 바다상수상 ] 당사는기업경영환경의변화에발맞추어, 사회적책임투자 (SRI: Socially Responsible Investment) 의일환으로탄소정보공개프로젝트 (CDP: Carbon Disclosure Project) 에 2007년부터참여하고있습니다. 당사는 2008년탄소정보공개프로젝트한국위원회로부터전년대비 CDP 대응성과가가장크게개선된기업으로선정되어 ' 빙하상 ' 을수상한바있으며, 2009년도에는탄소감축성과및협력사와의탄소경영협력을통한성과를인정받아 ' 바다상 ' 을수상했습니다. 또한 2010년에는국내최초 CDP 서플라이체인의도입을통하여 2009년도에이어탄소경영리더스클럽에 2년연속편입되었습니다. 하이닉스는그동안과불화탄소 (PFC) 감축태스크포스운영, 온실가스인벤토리구축등탄소감축을위해꾸준히노력해왔으며, 특히과불화탄소처리와대체활용등을지속적으로수행하는한편, 이를청정개발체제 (CDM: Clean Development Mechanism) 프로젝트와접목하는전략을실천해오고있습니다.