유기 발광 다이오드의 전하주입 효율 향상을 통한 발광효율 향상 연구

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4 - i -

5 - ii -

6 - iii -

7 - iv -

8 - v -

9 - vi -

10 그림차례 - vii -

11 - viii -

12 - 1 -

13 5)

14 - 3 -

15 유기발광다이오드 ( 고분자또는저분자 ) 무기발광다이오드 (p-n junction LED) - + cathode ETL EML HTL HIL anode 발광 두께 : 100 ~ 200 nm 양극 ( 투명전극, ITO 유리, 등 ) + 정공 정공수송층 (HTL) 발광층 (EML) + - Exciton 전자수송층 (ETL) 전자 - 음극 ( 낮은일함수금속, Ca, Al:Li, Mg:Ag, 등 ) - 4 -

16 . α A - 5 -

17 O O O O O O S S S S n S O O O O n n SO 3 SO 3 H PEDOT:PSS N N N O Al O N N O α NPD Alq 3-6 -

18 - 7 -

19 정공의이동도측정 (a) Light (hν) L Oscilloscope V ITO or Semi-Transparent Electrode R Metal Electrode 전자의이동도측정 (b) Light (hν) L Oscilloscope V ITO or Semi-Transparent Electrode R Metal Electrode - 8 -

20 - 9 -

21 Electron energy Conduction band edge at F=0 E PF Tunnelling Conduction band edge at F

22 - 11 -

23 - Al - 정공의이동거리 d 1 전자의이동거리 d 2 소멸영역+ + ITO

24 - 13 -

25 Log J J SCL V 0 J OHM J INJ Log V

26 - 15 -

27 mm

28 KEITHLEY 2400 source/measure unit을이용하여

29 Light (hν) d Transit time τ Bias t = t r i ph t i ph Log i ph Slope = -(1-α) t = t r Slope = -(1+α) t Log t

30 - 19 -

31 Electric Pulse d Light (hν) PMT 2 Light (arb. units) 1 delay time x10-6 Time (s)

32 전류-전압-발광특성은유기발광소자의 ITO와알루미늄전극에각각양극과음극을연결하고 KEITHLEY 236 source/measure unit으로전류- 전압특성을측정하고, 동시에 Si-Photodiode를이용하여광전류 (photocurrent) 를 (KEITHLEY 2000 multimeter 이용 ) 측정하였다

33 - 22 -

34 - 23 -

35 8 Photocurrent (x10-2 arb. units) 6 4 transit time Time (x s) Linear scale 가우시안이동 Carrier Density Distance

36 - 25 -

37 no buffer : ITO/ α-npd (100nm)/ Al 전자주입층 : ITO/ α-npd (100nm)/ LiF/ Al 정공주입층 : ITO/ PEDOT:PSS/ α-npd (100nm)/ Al 전자, 정공주입층 : ITO/ PEDOT:PSS/ α-npd (100nm)/ LiF/ Al

38 LUMO - ϕ e Cathode (-) Anode (+) ϕ h + HOMO

39 2.6 ev ev ev (a) ITO Al (b) ITO Buffer (LiF) Al 4.7 ev ev 4.7 ev + ITO/α-NPD/Al ITO/α-NPD/LiF/Al ev 4.0 ev (c) ITO Buffer Al (d) ITO Buffer Buffer (LiF) Al 4.7 ev + (PEDOT) ev + (PEDOT) + ITO/PEDOT/α-NPD/Al ITO/PEDOT/α-NPD/ LiF/ Al

40 4 3 단일층전자주입층정공주입층전자, 정공주입층 Current (x10-3 A) Voltage (V)

41 - 30 -

42 Carrier Injection Efficiency 단일층전자주입층정공주입층전자, 정공주입층 Voltage (V)

43 - 32 -

44 Carrier Density Distance Dispersive transport Photocurrent (arb. units) Alq 3 전자 Time (µs)

45 0.15 Photocurrent (arb. units) Time (s) (A) 30 40x10 Linear scale -6 Photocurrent (arb. units) t 0.55 transit time t 1.57 (B) Time (s) Log scale

46 - 35 -

47 Light (arb. units) V 5V 6V 7V (a) Time (s) 40x ~2.0X10-5 s 영역확대 (b) Light (arb. units) 5 delay time t d Time (s) 20x

48 10-4 Mobility µ (cm 2 /Vs) 10-5 TOF TEL E 1/2 (x10 3 (V/cm) 1/2 )

49 no buffer : ITO/ Alq 3 (100nm)/ Al 전자주입층 : ITO/ Alq 3 (100nm)/ LiF/ Al 정공주입층 : ITO/ PEDOT:PSS/ Alq 3 (100nm)/ Al 전자, 정공주입층 : ITO/ PEDOT:PSS/ Alq 3 (100nm)/ LiF/ Al

50 2.7 ev ev ev (a) ITO Al (b) ITO Buffer (LiF) Al 4.7 ev ev 4.7 ev + ITO/ Alq 3 /Al ITO/ Alq 3 /LiF/Al ev 4.0 ev (c) ITO Buffer Al (d) ITO Buffer Buffer (LiF) Al 4.7 ev + (PEDOT) ev + (PEDOT) + ITO/ PEDOT / Alq 3 /Al ITO/PEDOT/ Alq 3 / LiF/ Al

51 2 단일층전자주입층정공주입층전자, 정공주입층 Current (x10-3 A) Voltage (V)

52 - 41 -

53 Carrier Injection Efficiency 단일층전자주입층정공주입층전자, 정공주입층 Voltage (V)

54 ITO/ PEDOT:PSS/ α-npd(60nm)/ Alq 3 (70nm)/ LiF(5nm)/ Al/ 양극 + 정공주입층 (HIL) 정공수송층 (α-npd) - +- 발광층및 전자수송층 Exciton (Alq 3 ) 완충증 - 음극

55 α NPD/Alq3 α NPD Alq3 Current (x10-3 A) Voltage (V) Lumimance (cd/m 2 ) α NPD/Alq3 α NPD Alq Voltage (V)

56 3 2 α NPD/Alq3 α NPD Alq3 양자효율 Q.E. (%) Current Density (ma/cm2) ITO/ PEDOT:PSS/ α-npd(60nm)/ Alq 3 (50nm)/ LiF(5nm)/ Al/ (70nm) (90nm) (110nm)

57 Current Density(mA/cm 2 ) Alq3_50nm Alq3_70nm Alq3_90nm Alq3_110nm Voltage (V) 10 4 Alq3_50nm Alq3_70nm Alq3_90nm Alq3_110nm Lumimance (cd/m 2 ) Voltage (V)

58 4 양자효율 Q.E. (%) 3 2 Alq3_50nm Alq3_70nm Alq3_90nm Alq3_110nm Current Density (ma/cm2) 0.4 스펙트럼 Light (arb. units) Alq3_50nm Alq3_70nm Alq3_90nm Alq3_110nm Wavelength (nm)

59 I ITO/ PEDOT:PSS/ α-npd(60nm)/ Alq 3 (70nm)/ LiF(5nm)/ Al/ P-I-N ITO/ anpd:fecl 3 / α-npd(60nm)/ Alq 3 (70nm)/ BCP:Cs/ Al/ 양극 + 정공주입층 (P-type) doping 정공수송층 (α-npd) - +- 발광층및 전자수송층 Exciton (Alq 3 ) 전자주입층 (N-type) doping - 음극

60 I P-I-N Current Density (ma/cm 2 ) Voltage (V) 10 4 I P-I-N Luminance (cd/m 2 ) Voltage (V)

61 - 50 -

62 - 51 -

63 - 52 -

64 - 53 -

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