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1 반도체산업 INDUSTRY REPORT Sep. 29, 2014 비중확대 ( 유지 ) IT/ 소프트웨어담당임돌이 T.02) / im.dori@shinyoung.com 전력반도체기술심층분석 전력반도체는전력의변환, 변압, 안정, 분배및제어등날로복잡해지고가혹해지는전자장치의작동환경에서최상의퍼포먼스를유지하기위한반도체로서모바일기기증가와전기자동차개발과맞물려적용범위가확대추세에있음. 고속스위칭, 전력손실최소화, 소형칩사이즈, 발열처리등과관련한 R&D가활발하게이루어져휴대형기기 가전기기 신재생에너지 자동차등에사용되는각종부품의절전화및친환경화에중요한역할을수행중임. 글로벌전력반도체시장은연평균 5.2% 가량꾸준히성장하는산업으로세계적반도체기업들이고부가가치제품및탄화규소 (SiC), 질화갈륨 (GaN) 과같은신소재기반제품개발을위해최선의노력을다하고있음. 국내전력반도체시장은세계시장의약 6% 정도이며선진업체대비 50~70% 에불과한기술력부족과다품종소량생산의산업특성때문에대부분수입에의존하고있는상태이며삼성전자, SK하이닉스를비롯한일부대기업과소수의중소기업에서일부매출이발생하고있을뿐임. 이와관련하여 SK하이닉스를최선호주, 삼성전자를차선호주로추천함.

2 Contents Summary... 3 Ⅰ. 전력반도체개관... 4 전력반도체는다양한역할을수행 Ⅱ. 세계시장전망 꾸준한성장전망 III. 신소재개발동향 탄화규소 (SiC) 와질화갈륨 (GaN) 소재 IV. 글로벌기업동향 대부분고부가가치제품및신소재기반제품개발에집중 V. 국내시장규모및기업동향 선진업체대비 50~70% 에불과한기술력부족이문제 VI. 기업분석 SK 하이닉스 : 아직애먹이는구간이나전보다는나아진상황 삼성전자 : 이전보다낮아진박스권등락지속전망 2

3 Summary 연평균 5.2% 가량꾸준히성장하는산업 글로벌전력반도체시장 ( 십억달러 ) E 2015E 2016E 2017E 자료 : 신영증권리서치센터 보다더가혹한환경이요구돼소재변화필요성대두 : 탄화규소및질화갈륨이대체재 Si과 Wide Band Gap 재료의물리적성질비교 구분 Si SiC GaN 에너지밴드갭 (ev) 전자이동도 (cm²/vs) 1, ,500 Breakdown E(MV/cm) 자료 : 신영증권리서치센터 국내시장은세계시장의약 6% 수준 : 선진업체대비 50~70% 에불과한기술력부족이문제 국내전력반도체시장 ( 십억달러 ) E 2015E 2016E 2017E 자료 : 신영증권리서치센터 3

4 I. 전력반도체개관 전력반도체는다양한역할을수행 전력반도체는전력의변환, 변압, 안정, 분배및제어를위한반도체 전력변환, 전력변압, 전력안정, 전력분배, 전력제어기능수행 전력반도체는전기에너지를활용하기위해직류교류간의전력변환 (AC DC), 전력변압 ( 강압, 승압 ), 전력안정 (Power Stabilization), 전력분배 (Power Management) 및제어 (Power Control) 등을수행하는데사용되는반도체이다. 전력반도체는전력을생산하는발전단계부터사용하는단계까지여러단계에서다양한역할을한다. 도표 1. 전력반도체의역할 자료 : 산업자료, 신영증권리서치센터 전력반도체는다양한분야에연관응용되고있어 모바일기기증가와전기자동차개발과맞물려적용범위확대추세 컴퓨팅 통신 가전 산전 자동차등의전자장치에적용되며최근에는스마트폰을비롯한모바일기기의증가와전기자동차의개발과맞물려적용범위가확대되고있다. 구체적으로살펴보면고속스위칭, 전력손실최소화, 소형칩사이즈, 발열처리등과관련한 R&D가활발하게이루어져 LDI 휴대형기기 가전기기 신재생에너지 자동차등에사용되는각종부품의절전화및친환경화에중요한역할을수행하고있다. 4

5 도표 2. 전력반도체의사용분야및종류 자료 : 산업자료, 신영증권리서치센터 전력반도체의분류 개별소자, 집적회로, 모듈로구분 응용분야와내압특성에따라개별소자 (Device), 집적회로 (IC) 및다중소자를 package로집적한모듈 (Module) 로나뉘며산업응용분야에따라전력레벨이다른반도체소자가사용된다. 개별소자 정류소자와스위치소자로구분 개별소자는 Device 혹은 Discrete이라불리며전력변환및전력제어등에사용되는반도체소자이며이들개별소자는 Package에집적화된모듈로제품화된다. 전력반도체소자는전력변환이나전력제어를담당하는반도체디바이스로서, 다이오드, 파워트랜지스터, 사이리스터 (thyristor) 등으로구분된다. 크게는키고끄는동작 (On-Off) 을할수있는스위치소자와정류작용을하는정류소자로분류된다. 사이리스터와트랜지스터가스위치소자에속하고, 다이오드는정류소자에속한다. 파워트랜지스터의하위분류로바이폴라트랜지스터, 파워 MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor), IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 등이포함된다. 5

6 도표 3. 전력반도체소자의기능과용도 종류 기능 용도 다이오드정류기능을통해교류를직류로변환자동차, AV 기기 트랜지스터증폭기능, 스위칭기능산업기기, 가전기기, 자동차 바이폴라트랜지스터 MOSFET IGBT 온저항은작지만, 스위칭속도가느림, 높은소비전력, 미세화가어려움빠른스위칭속도, 저소비전력, 미세화가용이함. 고주파수에적합하지만온저항이큼스위칭속도가빠르며저소비전력, 미세화가용이함. 고주파수가적합하고 MOSFET 보다온저항이작음 MOSFET, IBGT 로대체추세 박형 TV, 모터구동, 전원의고효율화로용도확대중백색가전의인버터, 하이브리드카등에서고성장전망 Thyristor 특수정류에사용하며대용량화에유리용접기, 직류송전, 가전제품 자료 : 산업자료, 신영증권리서치센터 도표 4. 개별소자의예 자료 : 산업자료, 신영증권리서치센터 집적회로 (IC) 개별소자를한개의칩속에집적한소자 주로 Power IC로불리며각종 Driver IC로구성된다. 집적회로 (IC) 는전자제품이복잡해지면서전자부품과개발소자의연결부위에서많은고장이일어나자, 이러한문제를해결하고, 수십억개의전자부품과개별소자들을한개의칩속에집적한소자이다. 개별소자를제어하는역할을수행하며별도의패키지를통해제품화되거나 IGBT 등개별소자와함께모듈로도사용된다. 다이오드, 트랜지스터, 저항, 콘덴서등과같은많은회로소자가하나의실리콘결정의기판에집적되어있고, 세라믹이나플라스틱의패키지로싸여있는형태를지닌다. 6

7 도표 5. 집적회로의예 자료 : 신영증권리서치센터 모듈 개별소자를패키지안에집적한것 개별소자여러개를한패키지안에넣어성능을향상 ( 전압, 전류상승 ) 시키거나컨트롤용 Power IC와보호회로등을추가로넣어하나의패키지로집적한것을일컫는다. 모듈개발을위해서는다양한기술이요구된다. 전력소자, Power IC 및회로설계, 집적화모듈설계기술, 소재및패키징기술, 모듈제조공정기술이 5대핵심기술이다. 대부분의경우전력반도체모듈의신뢰성을높이고, 안정적인동작을위해서, 구동및보호용 IC를내장하고있다. 최근전력반도체의모듈이적용되는제품들은크기가축소되고, 사용하기편리하며더높은신뢰성을확보하도록요구되고있으며모듈의집적도를높이면서높은신뢰성을확보하고, 대량생산이가능하도록기술개발이이루어지고있다. 대표적인전력반도체로 PMIC (Power Module IC) 가있다. 도표 6. 모듈의예 자료 : 산업자료, 신영증권리서치센터 7

8 전력반도체산업밸류체인 웨이퍼, 설계, 제조, 패키지 / 모듈단계의가치사슬 전력반도체산업은일반반도체산업과같이 Wafer, 설계, 제조, package/module 단계를거치는산업으로구분된다. 각단계가서로유기적으로연결된일체형산업이다. 도표 7. 전력산업가치사슬 (Value Chain) 자료 : 산업자료, 신영증권리서치센터 전력반도체산업의특징 다품종소량생산의대표적비즈니스 전력반도체는제품신뢰성이슈때문에시장진입장벽이높다. 전력반도체가손상될경우전기공급자체가중단되어기기가작동하지않기때문에높은내구성과신뢰성이요구되는분야이다. 이와같은이유로전력반도체를사용하는기업들은거래처를쉽게바꾸려하지않는속성을지니고있다. 전력반도체는설계, 공정, package 및 module 프로세스가유기적으로연결된일체형산업으로칩설계및제조공정은 package 및 module 의특성을우선감안하여진행되어야되며소자를만들어도표준패키지형태와고전압, 고전류를사용하는, 별도의특정분야 ( 예 : 전기자동차, 로봇등 ) 에특화된형태의제작이병행된다. 소량다품종생산특성과공정, 패키지, 모듈담당기업이핵심이되는분야이다. 하나의제품만으로는큰시장을점유하기어렵기때문에다방면의포트폴리오제품군이필요하며공정, 패키지, 모듈기술노하우가중요하다. 인피니언 (Infineon) 의경우, IGBT 개별소자 (Discrete) 제품군만약 180여종에이른다. 시장에서제품마다다양한스펙을요구하다보니기본설계 / 공정기술을바탕으로수요자니즈에따라제품스펙을조절하는형태로제품을출시하게된다. 8

9 시스템반도체와의차이점 시스템반도체보다더욱고객요구에맞춰야되는산업 시스템반도체가생산공정단계별로독립적으로운영되고미세화기술에가치를두고투자가이루어지는반면전력반도체는전공정이상호협력하에생산이이루어진다는것과사용전압, 전력효율성, 신뢰성등이중요한기술개발요소로여겨진다는점에서차이가있다. 도표 8. 전력반도체와시스템반도체특성비교 구분시스템반도체 ( 로직 ) 전력반도체 R&D 과정 설계 제조공정단계를독립적으로추진하여, 개발완료이후에상호활용 대표적인아날로그반도체로서, 설계 소자 / 공정 모듈의단계가개발초기부터상호협력하여야 R&D 효율성이높아짐 소자활용의다양성으로소자공정, package/ module 등기반기술이매우중요 기술가치 시장진입 정부정책 공정 / 설계의미세화기술이제품및기술가치에영향이큼 MPU, AP, MCU, MODEM 등적용시스템에따라, 독립적인알고리즘이개발되어 PC, 휴대폰등특정시스템에종속적 소품종에적용되므로, 기술이개발되면, 선개발하는기업이시장의우선권을보유 적용시스템중심의기술로소품종특정제품적용기술 메모리와유사하게미세화공정이단일화되어정책방향설정에유리함 자료 : 산업자료, 신영증권리서치센터 사용전압, 전력효율성, 신뢰성이제품및기술가치에영향을미침 전압, 전력효율, 신뢰성을목적으로설계, 소자, 공정, 모듈기술이일체형으로개발되어적용시스템이다양함. 기술집약이며다학제적인분야로높은기술진입장벽으로신규시장진입이어려움 기술이개발되면, 적용시스템이다양하며, 다품종으로파생제품이창출됨. 기능중심의기술로다품종범용적용기술 미세공정의필요성이낮고, 개발제조비용이상대적으로작아, 중소기업진입이유리 산업별전기사용전기기기의다양성으로정책방향결정에어려움 9

10 II. 세계시장전망 꾸준한성장전망 글로벌전력반도체시장 연평균 5.2% 가량꾸준히성장하는산업 전력반도체시장은 2011년 323억달러에서 2012년 296억달러로감소하였으나 2013년 300억달러, 2015년 341억달러로증가예상. 2017년까지연평균 5.2% 성장할것으로전망된다. 도표 9. 글로벌전력반도체시장 ( 십억달러 ) E 2015E 2016E 2017E 자료 : 신영증권리서치센터 외국시장동향 수직계열화가대세였으나특화업체들의성장가속화 일본의경우웨이퍼제조부터응용 (application) 까지대부분의기업이수직계열화돼있다. 유럽과미국의경우에는주로웨이퍼제조부터패키지및모듈까지수직계열화가되어있으나최근 package/module 과 application 분야에만집중하는기업이늘어나고있는추세이다. DanFoss 같은 Non-IDM 업체의경우, 전력반도체칩을공급받아 package/module을중심으로사업을진행중이다. 글로벌전력반도체기업의경우, 중소팹리스 (Fabless) 업체에서출발하여최근대기업종합반도체업체 (IDM) 만큼성장하는경우가나타나고있는데전력반도체산업태생초기에는인피니언, 르네사스등 IDM 중심으로산업이형성되었으나최근 AOS, Maxim, Supertech, IXYS, Linear 등과같은기업은팹리스업체로출발하여소규모공정을보유한 Fab-lite로진화하며기존 IDM을위협하고있다. 10

11 소자시장 신소재개발및초소형 초박막기술개발이화두 소자 (2014년약 116억달러 ) 중 IGBT 는약 10%, MOSFET은약 45% 비중으로추산된다. 탄화규소 (SiC) 웨이퍼수요가증가하면서시장이확대될전망이다. 전력반도체가앞으로휴대폰 노트북 에어컨 냉장고등다양한가전제품외에하이브리드카와전기차등에도적용되면서 SiC 웨이퍼수요도급증할전망이다. 질화갈륨 (GaN) 전력소자시장은내압이 200V에서 600V로커지며민수분야로시장확대중이다. 군수, 무선통신망, 고전력및케이블TV/ 위성통신분야중 2014년전체 GaN 소자시장에서군수분야가 46% 의점유율을기록할전망인데민수시장에서는무선통신망에사용되는전력증폭기수요가폭발적증가할것으로예상된다. 최근해외기술개발동향을살펴보면 MOSFET은 Superjunction 기술이주류를이루고있고 MOSFET과 IGBT 공히어떻게하면초소형, 초박막형태로제조할수있고수율을높일수있는가여부가초미의관심사이다. 도표 10. IGBT 및 MOSFET 기술트렌드 자료 : 산업자료, 신영증권리서치센터 모듈시장 모듈적용범위확대추세 모듈 (2014년약 43억달러 ) 중 IPM 비중은약 28% 인 10억달러로추산된다. Module 제품의적용시스템중약 47% 가산업용모터드라이브이다. 최근태양광, 풍력등의신재생에너지, Low Battery Driven Vehicle ( 지게차, 농기계, Golf Car/Cart, 근거리저속자동차등 ), 에너지저장분야및 HEV, PHEV, EV과같은전기자동차분야에고효율및고신뢰성의모듈 (module) 적용이늘어나고있는추세이다. 11

12 도표 11. 모듈의구조 자료 : 산업자료, 신영증권리서치센터 자동차내부의극악한환경극복을위한기술개발활발 자동차의특성상고온상태와한정된공간에위치해야하는전력모듈의방열구조에있어서도기존의공랭식에서수냉식으로전환된다양한방식의개발이진행되고있으며, 한쪽방향으로만방열을시켰던구조에서전력소자의상 하모두를방열할수있는형태로도개발되고있다. 도요타의경우전기자동차에적용하는전력모듈의가격보다는성능및연비향상에비중을두고, 출력밀도를높이는방향으로기술개발을전개하고있다. 열전도성이구리보다다소떨어지는알루미늄소재를사용하였으나전력소자와냉각핀을일체형으로만들고직접냉각방식을적용하여냉각성능을극대화하였으며, 출력밀도를높임과동시에가벼운알루미늄소재로무게가크게가벼워졌다. 또한, 프리우스 2세대에적용된모터 발전기용 12 스위치모듈과컨버터용 2 스위치모듈을프리우스 3세대에는모터 발전기용 12 스위치모듈의동일사이즈에 14 스위치, 하나의팩으로구성하여고밀도화및경량화를달성하였다. 도표 12. 도요타의모듈고밀도화및경량화추세 자료 : 산업자료, 신영증권리서치센터 12

13 III. 신소재개발동향 탄화규소 (SiC) 와질화갈륨 (GaN) 소재 보다더가혹한환경이요구되며소재변화필요성대두 탄화규소및질화갈륨이대체재 실리콘 (Si) 과게르마늄 (Ge) 은원소반도체로불리며단일종류의원자들로만이루어져있다. Si 은지구상에존재하는물질중 25% 를차지하여가격이저렴하다. 또한게르마늄에비해동작온도범위가넓고산소와반응해자연적으로산화막 (SiO2) 을형성한다는장점을지녔다. 실리콘은 1960 년대부터전력반도체의소재로사용됐으며그뒤로전력반도체의구조는계속바뀌어왔으나소재는변함이없었다. 그러나내압, 작동온도, 전류측면에서더가혹한환경이요구되면서소재에대한변화필요성이대두되었다. 현재개발중인대표적인차세대전력반도체물질이탄화규소 (SiC) 와질화갈륨 (GaN) 이다. 둘모두실리콘보다우수한물질특성을가지고있으며질화갈륨을이용한전력반도체시장은탄화규소를이용한전력반도체시장보다아직초기단계라고볼수있다. 차세대전력반도체의정의 기존전력반도체보다물성이향상됨 차세대전력반도체란기존 Si 기반의반도체소자를포함하고, WBG(Wide Band Gap) 화합물반도체 (SiC, GaN 등 ) 기반의소자로제작하여열특성향상, 속도강화, 고전압 / 고전류가능및스위칭손실최소화등이가능한전력반도체로정의할수있다. Wide Band Gap 이필요한이유 고속스위칭과낮은손실특성을위해필요 전력변환장치에적용되는전력반도체는구동시발생되는스위칭손실로인해효율이저하되게된다. 이때문에고효율, 고부가가치제품을만들기위해서는보다높은응답속도및전력소비를최소화하기위한새로운재료가필요하게되는것이다. 탄화규소 (SiC) 와질화갈륨 (GaN) 은아래도표에서와같이 Si보다에너지밴드갭이큰데이경우고속스위칭특성과낮은손실특성모두를가진전력반도체를설계, 제조하는것이가능해진다. 즉, 보다고온 고전압에서작동이가능하고소형화가가능하게된다. 13

14 도표 13. Si과 Wide Band Gap 재료의물리적성질비교 구분 Si SiC GaN 에너지밴드갭 (ev) 전자이동도 (cm²/vs) 1, ,500 Breakdown E(MV/cm) 자료 : 신영증권리서치센터 도표 14. 스위칭속도비교 자료 : 산업자료, 신영증권리서치센터 도표 15. 손실그래프 자료 : 산업자료, 신영증권리서치센터 14

15 도표 16. 주파수전력용량도표 자료 : 산업자료, 신영증권리서치센터 탄화규소 (SiC) 의특성 실리콘보다물성월등히향상됨 탄화규소 (SiC) 는실리콘 (Si) 에비해절연파괴전계강도가 10배정도높고 12인치웨이퍼를주로사용하는실리콘은 6인치나 8인치공정장비를사용할수없는데비해 SiC는노후장비를공정장비로이용하여투자비를절약할수있다. SiC의단점은고온에서탄소등이승화하면서표면이거칠어지는측면이있어서 AlN(Alumina Nitride) 나흑연 (Graphite) 등의 Capping layer 공정이추가된다. 실리콘은자연산화에쉽게성장하고, 절연체로써소자를전기적으로절연시켜주는역할을한다. 반면탄화규소 (SiC) 는실리콘 (Si) 에비해자라는속도가 1/10에서 1/20 정도로느리다는단점있다. 도표 17. 실리콘 (Si) vs 탄화규소 (SiC) 물성비교 물리적성질 (SiC/Si) Si SiC 용접 ( C) 2 배 (2800/1420) 반도체소자 (SiC/Si) 전력변환장치 에너지밴드갭 (ev) 3 배 (3.2/1.1) 고온동작화 3 배 수냉 공냉 절연파괴전계 (V/cm) 10 배 (3E6/3E5) 고내압화 10 배 직렬소자수감소 열전도도 (W/cm C) 3 배 (4.5/1.5) 저손실화 1/100 배 소형 고속화 포화전자속도 (cm/s) 2 배 (2.7E7/1.0E7) 고속 고주파화 10 배 소형 고속화 자료 : 산업자료, 신영증권리서치센터 15

16 질화갈륨 (GaN) 의특성 아직연구단계이나고온안정성이장점 질화갈륨 (GaN) 반도체는 Wide Band Gap 특성과고온안정성의장점이있고고출력전력증폭기및고전력스위칭소자등차세대에너지절감용핵심소자로부각되고있다. 질화갈륨 (GaN) 은기복특성은우수하지만신뢰성문제가아직해결되지는않아연구중이다. 해외에서는인피니언, 마이크로, 도시바, 르네사스, 롬등이대부분 SiC나 GaN소자를개발중에있다. 16

17 IV. 글로벌기업동향 대부분고부가가치제품및신소재기반제품개발에집중 글로벌전력반도체기업동향 인피니언 : 각종고부가가치제품생산중 인피니언은전력반도체업계리더로서에너지효율성, 통신, 보안등반도체와시스템솔루션사업을하고있으며아날로그및혼합신호, RF, 파워및임베디드제어기술등의핵심경쟁력을보유하고있다. 주력제품인 OPtiMOS 제품군은핵심파워컨버전매트릭스분야에서업계최고수준의성능을제공하고있다. 또한업계최초로 300mm 웨이퍼를이용한전력반도체를생산하고있으며 SiC, GaN 신소재연구도활발히진행하고있다. 생산거점중독일드레스덴공장의경우 12인치라인이 2013년부터가동되어고전압용 MOSFET을생산중이다. 도표 18. 인피니언의사이리스터및 IGBT 도표 19. 인피니언의자동차용 MOSFET 자료 : 인피니언, 신영증권리서치센터 자료 : 인피니언, 신영증권리서치센터 TI: 전기차및무선충전사업에집중 반도체업체인 TI(Texas Instrument) 는 2009년고효율 고주파수전자제품생산기업씨클론을, 2010년에키몬다의 300mm 웨이퍼생산시설을인수했고 2011년에내셔널세미컨덕터 (National Semiconductor) 를 M&A 하여 LED 조명, 의료용전자부품, 전기차, 무선충전사업등에진출하였다. 내셔널세미컨덕터는전력관리제품군인파워와이즈 (Power Wise) 를통해엔지니어들에게손쉬운디자인툴을제공하고있다 ( 아우디에모듈식인포테인먼트장치용 IC 및서브시스템납품등 ). 17

18 도표 20. TI 의전기자동차충전시스템블록다이어그램 자료 : TI, 신영증권리서치센터 ST 마이크로 : 파워컨버전부문에강점 ST마이크로일렉트로닉스는전력반도체분야의선도기업으로서파워컨버전부문세계 1위업체이다. 디스플레이, 모바일충전기, 가전등에특화된맞춤형솔루션을제공하고있다. 매출액의절반이상이가전 /IT 기기용에집중돼있어아시아시장진출을적극적으로추진하고있다. 2012년신형스마트폰과모바일기기에사용되는소형전력반도체를출시하였으며 2012년 3월 'MDmesh II Plus TM Low Qg' MOSFET 제품군을출시하였다. GM의하이브리드카볼트 (Volt) 에 DC/DC 컨버터용으로 MOSFET을공급하면서두각을나타내고있다. 맥심 : 삼성전자 PMIC 최대협력사 고집적아날로그및혼성신호반도체전문업체맥심은아날로그통합칩제품군위주로스마트미터, 모터, 전기차배터리사업을확대하고있다. 동사는삼성전자 PMIC의최대협력사로서베이스밴드통합칩과 AP용 PMIC 를공급하고있으며갤럭시S5에도심박측정센서및전력반도체가탑재되었다. 프리스케일 : 세계 1 위차량용반도체기업 프리스케일은 2004년모토롤라로부터반도체사업부가분사해설립된기업으로세계 1위차량용반도체업체로파워트레인시스템에주력하고있다. 2007년부터아날로그전원관리제품군을확대해왔으며 2012년에 RF 전력제품포트폴리오를출시했다. R&D 능력을바탕으로네트워크, 컴퓨팅, 무선통신, 자동차시장등에집중하고있다. 18

19 도표 21. 프리스케일의 Advanced Driver Assistance System Applications 자료 : 프리스케일, 신영증권리서치센터 미쓰비시전기 : 세계적파워트랜지스터업체 미쓰비시전기는세계적파워트랜지스터업체로서 2008년르네사스의전력반도체공장을매입하였으며 IGBT, MOSFET 등의전력관리모듈을생산하고있다. 2010년에주거용태양광설비에사용되는 IPM을출시하였다. 다른기업들대비균형있는제품포트폴리오를구축하고있어시장수요변동의영향을적게받는다는장점을보유하고있다. IT 시장침체에도불구하고자동차용제품매출비중확대, 중국현지공장증설등의공격적인행보를진행중이다. 도표 22. 미쓰비시전기의 IGBT 모듈 자료 : 미쓰비시전기, 신영증권리서치센터 19

20 도시바 : 다양한 MOSFET 양산중 도시바는다양한 MOSFET을생산하고있으며 2011년 TV 등의대기전력을없애는전력반도체를개발하였다. 2013년 3월아날로그 IC 사업부강화방침을천명하고이에주력하고있다. 향후전공정분야에좀더집중할계획이다. 르네사스 : 파워트랜지스터, PMIC 분야의글로벌리더중하나 르네사스는파워트랜지스터, PMIC 분야의글로벌리더중하나로서전력관리칩, 차량용반도체등에사업역량을집중하고있다. 2011년스마트폰의소비전력을 30% 절감하는반도체제어기술을개발하였으며 2012년 9월무선전력용반도체를개발하였다. 도표 23. 르네사스의 IGBT 모듈 자료 : 르네사스, 신영증권리서치센터 롬 : 디바이스, LSI, LED, 센서를생산하는반도체전문기업 롬은파워디바이스, LSI, LED, 센서를생산하는반도체전문기업으로서고성능, 고내압전역반도체인 MOSFET 'F시리즈' 를개발하였다. 2011년전력손실을기존의이십분의일로감소시킨전력반도체를출시하였으며 2012년에는고전력저항기 'LTR18 저항시리즈 ' 제품을시장에내놓았다. 2012년 6월 DC/DC 컨버터용 MOSFET을개발하는한편 Sic-MOS 모듈양산을개시하였다. IR: 트랜지스터, MOSFET, IGBT 등전력반도체관련토털솔루션을제공 IR은파워트랜지스터, MOSFET, IGBT 등전력반도체관련토털솔루션을제공하고있으며전력낭비를감소시켜주는디지털 아날로그및혼합신호 IC, 고성능회로부품, 집적된전력시스템과부품들을생산하고있다. 이미 2008년에동사가보유한고출력 150mm GaN on Si 에피택시얼성장특허기술을활용하여 GaN 기반전력디바이스기술플랫폼을개발하는등기술개발능력을보유하고있다. 20

21 도표 24. 전력반도체발전방향 자료 : 산업자료, 신영증권리서치센터 21

22 V. 국내시장규모및기업동향 선진업체대비 50~70% 에불과한기술력부족이문제 국내전력반도체산업시장 국내시장은세계시장의약 6% 수준 국내전력반도체 (Power management 분야 ) 시장은약 19억달러수준으로전세계시장의 6% 를점유하고있다. 도표 25. 국내전력반도체시장 ( 십억달러 ) 자료 : 신영증권리서치센터 E 2015E 2016E 2017E 국내기업은전력반도체기술력및가격경쟁력이취약한상태 국내기업한국내시장점유율 17% 에불과 국내기업은전력반도체에대한기술력부족과전력부품의가격경쟁력이글로벌선진업체대비취약한실정이다. 이에따라국내기업의한국내시장점유율은 17% 정도에불과하며대부분미국 (TI, National Semiconductor, Maxim, Supertex), 유럽 (Infinion, STM) 과일본 ( 미쓰비시전기, 르네사스, 후지전기 ) 등으로부터의수입에의존하고있다. 미국, 일본, 유럽등의국가는대부분전력반도체기반기술 ( 소자, IC, 모듈 ) 을확보하고있으나국내기술수준은선진국대비약 50~70% 정도에불과하다. 선진국은대부분차세대화합물전력반도체로기술개발방향을설정하여적극투자중인데일례로미국의경우차세대전력전자연구기관을 2014년 1월설립했으며차세대 WBG 전력반도체분야에 5년간 7천만달러를투자할계획이다. 22

23 대기업은성과부진, 중소기업은매출성장부진 다품종소량생산특징과기술부족으로개발에어려움겪고있어 대기업군의 IDM에서전력반도체산업진출을공식화하여진행중이나 4~5년이지난현재에도괄목할만한성과는없는편이다. 국내전력모듈분야의선도적기업인 LS산전등에서산업용 600V 200A급 6-PACK 수준의기술을확보하고있으며자동차용에서요구하는 Solder-Free 및고 Thermal / Electrical / Mechanical / Environmental 신뢰성의제품에는핵심원천기술이부족한상태로일본등선진기업의기술수준에크게뒤쳐져있다. 중소기업의경우, 실리콘웍스, 실리콘마이터스같은팹리스업체가전력반도체분야에서일정부분매출을보이고있으나일부제품에국한돼있으며그나마성장이정체되거나느리다. KEC, AUK 같은중견기업도 MOSFET, Transistor 등제한적품목에서매출을올리고있을뿐고부가가치제품인 IGBT, 사이리스터등의판매실적은미미한편이다. 23

24 편집상공백입니다. 24

25 기업분석 종목투자의견목표주가 SK 하이닉스 ( KS) 매수 ( 유지 ) 68,000 원 ( 유지 ) 삼성전자 ( KS) 매수 ( 유지 ) 1,550,000 원 ( 하향 ) 25

26 SK 하이닉스 ( KS) 매수 ( 유지 ) 현재주가 (9/26) 45,600원아직애먹이는구간이나전보다는나아진상황목표주가 (12M) 68,000원 주가급등에따른조정후폭풍은상당부분이루어진듯동사주가는낮아진실적변동성과높아진시장기대감에의해급등한이후 DRAM 현물거래가조정및아이폰6 DRAM 탑재량이 2GB가아닌기존의 1GB에머무는등의이슈로많은조정이이루어진상태로판단 전력반도체를비롯한시스템반도체사업강화노력중동사는 IT 업계의무게중심이 PC에서모바일로변화함에따라전력반도체등시스템반도체사업을강화하고있음. 이를위해 2010년부터파운드리사업을본격화하고청주의 M8 공장에서 CIS(CMOS Image Sensor), DDI(Display Driver IC), PMIC 등을생산중임. 하반기분기별실적모멘텀은크지는않아도꾸준할전망중국내 3G 스마트폰재고조정및 PC OEM 업체의주문감소로 DRAM 현물거래가가약세를보이고있으나전반적인공급조절에의한 DRAM 과점화수혜는지속중으로판단. 하반기중모바일 DRAM 및 PC/ 서버용 DRAM 의견조한수요지속에힘입어분기 1.2조원내외의꾸준하고안정적인영업이익시현전망 변동성은감안해야하나진폭이전보다감소한상태로추세적상승전망동사는사업자가셋으로감소해시장과점화가나타나고있는 DRAM 사업을주력으로보유하고있어이익의변동성이크게감소하여이에대한 Valuation 프리미엄이부여되는상황. 시간이흐를수록전체적으로긍정적인시각이보다증가하면서추세적상승을시도할것으로관측됨 Key Data ( 기준일 : ) KOSPI(pt) KOSDAQ(pt) 액면가 ( 원 ) 5,000 시가총액 ( 억원 ) 322,756 발행주식수 ( 천주 ) 723,865 평균거래량 (3M, 주 ) 3,103,992 평균거래대금 (3M, 백만원 ) 136,285 52주최고 / 최저 51,900 / 29,950 52주일간 Beta 1.3 배당수익률 (14F,%) 0.0 외국인지분율 (%) 48.9 주요주주지분율 (%) SK텔레콤외 4인 22.0 % 국민연금공단 9.2 % Company Performance 주가수익률 (%) 1M 3M 6M 12M 절대수익률 KOSPI 대비상대수익률 Company vs KOSPI composite ( 원 ) 60,000 50,000 40,000 30,000 20,000 10,000 SK 하이닉스 Relative to KOSPI (%) 결산기 (12월) 2012A 2013A 2014F 2015F 2016F 매출액 ( 십억원 ) 10, , , , ,692.6 영업이익 ( 십억원 ) , , , ,313.6 세전손익 ( 십억원 ) , , , ,600.1 지배순이익 ( 십억원 ) , , , ,857.3 EPS( 원 ) ,099 4,045 4,199 3,947 증감률 (%) 적지 흑전 ROE(%) PER( 배 ) na PBR( 배 ) EV/EBITDA( 배 ) /10 14/02 14/

27 도표 1. SK하이닉스분기별및연간실적전망 ( 단위 : 십억원 ) 1Q13 2Q13 3Q13 4Q Q14 2Q14 3Q14F 4Q14F 2014F Revenue 2,781 3,933 4,084 3,368 14,165 3,743 3,923 4,222 4,381 16,268 QoQ (%) (17.5) YoY (%) (0.2) DRAM 2,002 2,871 2,940 2,458 10,272 2,994 3,060 3,165 3,318 12,536 NAND , ,244 MCP & others Portion (%) DRAM 72% 73% 72% 73% 73% 80% 78% 75% 76% 77% NAND 24% 24% 24% 23% 24% 17% 19% 22% 21% 20% MCP & others 4% 3% 4% 4% 4% 3% 3% 3% 3% 3% Total (%) 100% 100% 100% 100% 100% 100% 100% 100% 100% 100% 영업이익 DRAM ,780 1,081 1,102 1,130 1,194 4,507 NAND & others Total (Wb) 316 1,114 1, ,380 1,057 1,084 1,161 1,232 4,534 OP margin (%) DRAM 11% 33% 33% 27% 27% 36% 36% 36% 36% 36% NAND 13% 16% 18% 14% 15% -3% -2% 3% 4% 1% 자료 : SK 하이닉스, 신영증권리서치센터 도표 2. SK하이닉스실적전망주요가정 ( 단위 : 백만개 ) 1Q13 2Q13 3Q13 4Q Q14 2Q14 3Q14F 4Q14F 2014F DRAM Shipment (mn) 1Gb equivalents 2,327 2,792 2,724 2,370 10,213 2,844 3,213 3,374 3,651 13,081 Bit growth QoQ (%) 3.0% 20.0% -2.5% -13.0% 20.0% 13.0% 5.0% 8.2% ASP($) 1Gb equivalents QoQ (%) 4.0% 16.0% 5.0% 1.0% -0.6% -5.0% -1.3% -3.3% NAND Flash Shipment (mn) 16Gb equivalents , ,145 Bit growth QoQ (%) -1.0% 29.0% 11.0% -14.2% -8.0% 54.0% 28.0% 6.3% ASP($) 16Gb equivalents QoQ (%) -5.0% 5.0% -6.5% -5.1% -14.0% -19.0% -5.4% -3.0% 자료 : 신영증권리서치센터 27

28 도표 3. Global Peer Group ( 단위 : 십억원 ) Intel TSMC Micron Toshiba Apple Lenovo ZTE Code INTC US 2330 TT MU US 6502 JP AAPL US 992 HK CH Equity Equity Equity Equity Equity Equity Equity Country UNITED TAIWAN UNITED JAPAN UNITED CHINA CHINA STATES STATES STATES Currency KRW KRW KRW KRW KRW KRW KRW Price 35,618 4,164 33,073 4, ,108 1,595 2,531 Mkt. Cap ( 십억 ) 176, ,980 35,415 20, ,408 16,604 8,590 PE n/a n/a (X) E E PBR (X) E E EV/EBITDA (X) E E ROE (12.8) (12.4) (%) E E Gross Margin (%) E E OPM (7.3) (1.5) (%) E 자료 : Bloomberg, 신영증권리서치센터 15E

29 SK 하이닉스 ( KS) 추정재무제표 In c ome S tateme n t Balance Sheet 12월결산 ( 십억원 ) 2012A 2013A 2014F 2015F 2016F 12월결산 ( 십억원 ) 2012A 2013A 2014F 2015F 2016F 매출액 10, , , , ,692.6 유동자산 5, , , , ,882.3 증가율 (%) 현금및현금성자산 , , ,772.7 매출원가 8, , , , ,770.8 매출채권및기타채권 1, , , , ,650.4 원가율 (%) 재고자산 1, , , , ,388.5 매출총이익 1, , , , ,921.8 비유동자산 13, , , , ,141.9 매출총이익률 (%) 유형자산 11, , , , ,342.4 판매비와관리비등 1, , , , ,608.3 무형자산 , , 판관비율 (%) 투자자산 영업이익 , , , ,313.6 기타금융업자산 증가율 (%) , 자산총계 18, , , , ,024.2 영업이익률 (%) 유동부채 4, , , , ,394.5 EBITDA 2, , , , ,673.9 단기차입금 1, EBITDA 마진 (%) 매입채무및기타채무 1, , , , ,517.0 순금융손익 유동성장기부채 1, , 이자손익 비유동부채 4, , , , ,504.0 외화관련손익 사채 1, , , 기타영업외손익 장기차입금 2, , , 종속및관계기업관련손익 기타금융업부채 법인세차감전계속사업이익 , , , ,600.1 부채총계 8, , , , ,898.5 계속사업손익법인세비용 지배주주지분 9, , , , ,127.0 세후중단사업손익 자본금 3, , , , ,568.6 당기순이익 , , , ,857.7 자본잉여금 3, , , , ,406.1 증가율 (%) , 기타포괄이익누계액 순이익률 (%) 이익잉여금 3, , , , ,311.3 지배주주지분당기순이익 , , , ,857.3 비지배주주지분 증가율 (%) , 자본총계 9, , , , ,125.8 기타포괄이익 총차입금 6, , , , ,355.7 총포괄이익 , , , ,840.9 순차입금 4, , , ,267.4 주 ) K-IFRS 회계기준개정으로기존의기타영업수익 / 비용항목은제외됨 Cashflow Statement Valuation Indicator 12월결산 ( 십억원 ) 2012A 2013A 2014F 2015F 2016F 12월결산 ( 십억원 ) 2012A 2013A 2014F 2015F 2016F 영업활동으로인한현금흐름 2, , , , ,952.6 Per Share ( 원 ) 당기순이익 , , , ,857.7 EPS ,099 4,045 4,199 3,947 현금유출이없는비용및수익 3, , , , ,037.8 BPS 14,032 18,399 22,156 26,488 30,568 유형자산감가상각비 3, , , , ,982.8 DPS 무형자산상각비 Multiples ( 배 ) 영업활동관련자산부채변동 , , PER na 매출채권의감소 ( 증가 ) PBR 재고자산의감소 ( 증가 ) EV/EBITDA 매입채무의증가 ( 감소 ) Financial Ratio 투자활동으로인한현금흐름 -4, , , , , 월결산 ( 십억원 ) 2012A 2013A 2014F 2015F 2016F 투자자산의감소 ( 증가 ) 성장성 (%) 유형자산의감소 , EPS( 지배순이익 ) 증가율 적지 흑전 -1.3% 3.8% -6.0% CAPEX -3, , , , ,300.0 EBITDA( 발표기준 ) 증가율 -22.4% 117.0% 53.0% 4.1% -5.9% 단기금융자산의감소 ( 증가 ) , 수익성 (%) 재무활동으로인한현금흐름 1, , ROE( 순이익기준 ) -1.8% 25.2% 19.9% 17.3% 13.8% 장기차입금의증가 ( 감소 ) , ROE( 지배순이익기준 ) -1.8% 25.2% 19.9% 17.3% 13.8% 사채의증가 ( 감소 ) ROIC -1.8% 22.5% 23.3% 22.8% 21.0% 자본의증가 ( 감소 ) 2, WACC 7.1% 7.8% 7.8% 8.1% 7.9% 기타현금흐름 안전성 (%) 현금의증가 , , ,662.9 부채비율 91.5% 59.2% 49.4% 37.7% 35.7% 기초현금 1, , ,109.8 순차입금비율 48.3% 12.4% -4.8% -24.0% -37.4% 기말현금 , , ,772.7 이자보상배율

30 삼성전자 ( KS) 매수 ( 유지 ) 이전보다낮아진박스권등락지속전망현재주가 (9/26) 1,185,000 원목표주가 (12M, 하향 ) 1,550,000 원 휴대폰부문실적부진우려는주가에상당부분반영된듯동사의차기전략모델인갤럭시노트4가출시되더라도본래노트시리즈는준메인급모델로메인급인갤럭시S5 및관련하방전개모델의판매부진을완전히상쇄하지는못할전망이나휴대폰부문실적부진의충격은이미상당부분반영된듯 전력반도체사업강화에주력중동사는 2006년퀄컴에 90nm 제품을공급하면서파운드리산업의성장발판을마련하였으며모바일및디스플레이용전력반도체, 전기차 신재생에너지용소자를개발중임. 시스템LSI 전용라인인기흥의 S라인에서 45nm 공정제품을생산하여납품하고있으며 2013년 5월 PMIC 양산에돌입하였음 3분기부진한실적기록후 4분기제한적회복전망 3분기에메모리반도체부문의호조에도불구하고 IM 부문의실적부진이지속되고디스플레이패널부문까지부정적영향을받아영업이익 3조 9,770억원 ( 전년동기대비 -60.9%, 전분기대비 -44.7%) 에그칠전망. 4분기에는갤럭시노트4 효과일부반영되어영업이익 4조 4,040억원을기록하며제한적회복예상 이전보다낮아진박스권등락지속전망스마트폰사업부진 ( 유통채널재고조정및보급형스마트폰시장경쟁심화 ) 으로영업이익은전년대비감소하나자사주매입, 배당금상향등의주주친화정책기대감을고려할때이전보다낮아진박스권등락지속전망. 실적모멘텀은 2015년플렉서블스마트폰출시를계기로반전의계기마련예상 결산기 (12월) 2012A 2013A 2014F 2015F 2016F 매출액 ( 십억원 ) 201, , , , ,517.8 영업이익 ( 십억원 ) 29, , , , ,993.2 세전손익 ( 십억원 ) 29, , , , ,469.4 지배순이익 ( 십억원 ) 23, , , , ,372.9 EPS( 원 ) 136, , , , ,747 증감률 (%) ROE(%) PER( 배 ) PBR( 배 ) EV/EBITDA( 배 ) Key Data ( 기준일 : ) KOSPI(pt) KOSDAQ(pt) 액면가 ( 원 ) 5,000 시가총액 ( 억원 ) 1,907,596 발행주식수 ( 천주 ) 170,133 평균거래량 (3M, 주 ) 264,778 평균거래대금 (3M, 백만원 ) 316,920 52주최고 / 최저 1,500,000 / 1,150,000 52주일간 Beta 1.0 배당수익률 (14F,%) 1.2 외국인지분율 (%) 51.7 주요주주지분율 (%) 이건희외 10인 17.6 % 국민연금공단 7.8 % Company Performance 주가수익률 (%) 1M 3M 6M 12M 절대수익률 KOSPI 대비상대수익률 Company vs KOSPI composite ( 원 ) 삼성전자 1,600,000 Relative to KOSPI 1,400,000 1,200,000 1,000, , , , , /10 14/02 14/06 (%)

31 도표 1. 삼성전자분기별및연간실적전망요약 ( 단위 : 십억원 ) 1Q13 2Q13 3Q13 4Q Q14 2Q14 3Q14F 4Q14F 2014F Total 52,868 57,464 59,083 59, ,693 53,675 52,353 50,111 52, ,330 QoQ (%) -5.7% 8.7% 2.8% 0.3% -9.4% -2.5% -4.3% 4.2% YoY (%) 16.8% 20.7% 13.2% 5.7% 13.7% 1.5% -8.9% -15.2% -12.0% -8.9% 반도체 8,580 8,680 9,740 10,440 37,440 9,390 9,780 10,398 10,715 40,283 DRAM 2,942 3,441 4,033 4,075 14,492 3,871 4,469 4,829 4,883 18,052 NAND 2,178 2,259 2,337 2,445 9,218 2,419 2,451 2,407 2,556 9,833 Non-memory 3,460 2,980 3,370 3,920 13,730 3,100 2,860 3,162 3,276 12,399 DP 7,110 8,180 8,090 6,460 29,840 6,100 6,330 6,659 6,504 25,593 IM 32,820 35,540 36,570 33, ,820 32,440 28,450 26,010 25, ,852 무선 31,770 34,580 35,200 32, ,720 31,360 27,510 25,150 25, ,116 CE 11,240 12,780 12,050 14,270 50,340 11,320 13,000 12,480 14,726 51,526 Others -6,882-7,716-7,367-5,783-27,747-5,575-5,207-5,436-5,708-21,925 Portion (%) 반도체 16.2% 15.1% 16.5% 17.6% 16.4% 17.5% 18.7% 20.8% 20.5% 19.3% DRAM 5.6% 6.0% 6.8% 6.9% 6.3% 7.2% 8.5% 9.6% 9.4% 8.7% NAND 4.1% 3.9% 4.0% 4.1% 4.0% 4.5% 4.7% 4.8% 4.9% 4.7% Non-memory 6.5% 5.2% 5.7% 6.6% 6.0% 5.8% 5.5% 6.3% 6.3% 6.0% DP 13.4% 14.2% 13.7% 10.9% 13.0% 11.4% 12.1% 13.3% 12.5% 12.3% IM 62.1% 61.8% 61.9% 57.2% 60.7% 60.4% 54.3% 51.9% 49.7% 54.2% 무선 60.1% 60.2% 59.6% 54.3% 58.5% 58.4% 52.5% 50.2% 48.1% 52.4% CE 21.3% 22.2% 20.4% 24.1% 22.0% 21.1% 24.8% 24.9% 28.2% 24.7% Others -13.0% -13.4% -12.5% -9.8% -12.1% -10.4% -9.9% -10.8% -10.9% -10.5% 영업이익 8,779 9,531 10,164 8,311 36,785 8,489 7,187 3,977 4,404 24,057 QoQ (%) -0.7% 8.6% 6.6% -18.2% 2.1% -15.3% -44.7% 10.7% YoY (%) 54.3% 47.5% 26.1% -6.0% 26.6% -3.3% -24.6% -60.9% -47.0% -34.6% 반도체 1,070 1,760 2,060 1,990 6,880 1,950 1,860 1,955 2,100 7,865 DP 770 1, , IM 6,510 6,280 6,700 5,470 24,960 6,430 4,420 2,024 2,183 15,057 CE , ,435 Others OP margin (%) 16.6% 16.6% 17.2% 14.0% 16.1% 15.8% 13.7% 7.9% 8.4% 11.5% 반도체 12.5% 20.3% 21.1% 19.1% 18.4% 20.8% 19.0% 18.8% 19.6% 19.5% DP 10.8% 13.7% 12.1% 1.7% 10.0% -1.3% 3.5% -3.4% -2.0% -0.8% IM 19.8% 18.2% 19.0% 17.0% 18.7% 20.5% 16.1% 8.0% 8.7% 13.8% CE 2.0% 3.4% 2.9% 4.6% 3.3% 1.7% 5.9% 1.8% 1.7% 2.8% 자료 : 삼성전자, 신영증권리서치센터 31

32 도표 2. 삼성전자연간실적전망수정 ( 단위 : 십억원 ) 수정후 수정전 수정폭 (%) 12/14F 12/15F 12/14F 12/15F 12/14F 12/15F 매출액 208, , , , 영업이익 24, , ,738 26, 세전이익 29, , ,012 31, 지배순이익 22, , ,589 24, EPS( 원 ) 134, , , , 자료 : 신영증권리서치센터 도표 3. 목표주가수정 ( 단위 : 원, 배 ) 기존 상세설명 BPS 1,019, 년 목표 PBR 배수 1.6 과거 3개년 PBR 평균배수적용 목표주가 1,650,000 신규 BPS 1,094, 년 목표 PBR 배수 1.4 휴대폰부문시장지배력약화반영 목표주가 1,550,000 기존대비 6% 하향 자료 : 신영증권리서치센터 32

33 IM: 3 분기영업이익 2.0 조원예상 도표 4. 삼성전자 IM 부문분기별및연간실적전망 ( 단위 : 십억원 ) 1Q13 2Q13 3Q13 4Q Q14 2Q14 3Q14F 4Q14F 2014F IM 32,820 35,540 36,570 33, ,820 32,440 28,450 26,010 25, ,852 QoQ (%) 6.9% 8.3% 2.9% -7.3% -4.3% -12.3% -8.6% -0.2% YoY (%) 46.1% 52.1% 24.8% 10.4% 31.2% -1.2% -19.9% -28.9% -23.4% -18.7% Handset 31,770 34,580 35,200 32, ,720 31,360 27,510 25,150 25, ,116 QoQ (%) 7.3% 8.8% 1.8% -8.6% -2.5% -12.3% -8.6% -0.2% YoY (%) 49.8% 54.2% 23.9% 8.7% 31.6% -1.3% -20.4% -28.6% -22.0% -18.4% IM 영업이익 (Wb) 6,510 6,280 6,700 5,470 24,960 6,430 4,420 2,024 2,183 15,057 QoQ (%) 19.0% -3.5% 6.7% -18.4% 17.6% -31.3% -54.2% 7.9% YoY (%) 55.7% 52.1% 19.0% 0.0% 28.6% -1.2% -29.6% -69.8% -60.1% -39.7% OP margin (%) 19.8% 17.7% 18.3% 16.1% 18.0% 19.8% 15.5% 7.8% 8.4% 13.3% Handset 영업이익 (Wb) 6,510 6,280 6,700 5,470 24,960 6,430 4,420 2,024 2,183 15,057 QoQ (%) 19.0% -3.5% 6.7% -18.4% 17.6% -31.3% -54.2% 7.9% YoY (%) 55.7% 52.1% 19.0% 0.0% 28.6% -1.2% -29.6% -69.8% -60.1% -39.7% OP margin (%) 19.8% 18.2% 19.0% 17.0% 18.7% 20.5% 16.1% 8.0% 8.7% 13.8% Handset Shipment (mn) QoQ (%) -5.9% 6.8% 8.9% -2.5% 0.0% -6.7% -14.4% 2.5% 1.5% 0.0% YoY (%) 12.7% 18.9% 19.5% 11.5% 15.6% 10.5% -11.5% -16.6% -16.9% -9.3% Smartphone % of total 64.3% 66.4% 68.6% 69.9% 67.5% 78.9% 78.8% 84.0% 84.8% 81.6% QoQ (%) 0.4% 10.3% 12.6% 3.7% 0.0% 5.4% -14.6% 9.3% 2.4% 0.0% YoY (%) 12.7% 18.9% 19.5% 11.5% 45.7% 10.5% -11.5% -16.6% -16.9% 9.7% Blended ASP($) QoQ (%) 9.0% 1.5% 2.0% -0.5% 0.0% 1.0% 0.5% -10.8% -1.5% 0.0% YoY (%) 26.8% 23.9% 19.3% 12.3% 20.3% 4.0% 3.0% -9.9% -10.8% -3.5% 자료 : 삼성전자, 신영증권리서치센터 도표 5. 스마트폰출하량및핸드폰 ASP 추이 ( 백만대 ) ( 달러 ) 100 스마트폰출하량 260 핸드폰 ASP Q13 2Q13 3Q13 4Q13 1Q14 2Q14 3Q14E 4Q14E 자료 : 신영증권리서치센터 도표 6. IM 부문매출액및영업이익률추이 ( 십억원 ) IM 매출액 영업이익률 Q13 2Q13 3Q13 4Q13 1Q14 2Q14 3Q14E 4Q14E 자료 : 신영증권리서치센터 25% 20% 15% 10% 5% 0% 33

34 반도체 : 3 분기영업이익 2.0 조원예상 도표 7. 삼성전자반도체부문분기별및연간실적전망 ( 단위 : 십억원 ) 1Q13 2Q13 3Q13 4Q Q14 2Q14 3Q14F 4Q14F 2014F 반도체 8,580 8,680 9,740 10,440 37,440 9,390 9,780 10,398 10,715 40,283 QoQ (%) -10.5% 1.2% 12.2% 7.2% -10.1% 4.2% 6.3% 3.0% YoY (%) 7.5% 0.9% 11.7% 8.9% 7.3% 9.4% 12.7% 6.8% 2.6% 7.6% DRAM 2,942 3,441 4,033 4,075 14,492 3,871 4,469 4,829 4,883 18,052 QoQ (%) -5.7% 16.9% 17.2% 1.0% -5.0% 15.4% 8.1% 1.1% YoY (%) -1.6% 5.1% 27.9% 30.6% 15.6% 31.6% 29.9% 19.7% 19.8% 24.6% NAND 2,178 2,259 2,337 2,445 9,218 2,419 2,451 2,407 2,556 9,833 QoQ (%) -1.4% 3.7% 3.4% 4.6% -1.1% 1.3% -1.8% 6.2% YoY (%) 14.7% 5.2% 13.1% 10.7% 10.8% 11.1% 8.5% 3.0% 4.5% 6.7% Non-memory 3,460 2,980 3,370 3,920 13,730 3,100 2,860 3,162 3,276 12,399 영업이익 (Wb) 1,070 1,760 2,060 1,990 6,880 1,950 1,860 1,955 2,100 7,865 QoQ (%) -24.6% 64.5% 17.0% -3.4% -2.0% -4.6% 5.1% 7.4% YoY (%) 52.9% 70.9% 102.0% 40.1% 65.0% 82.2% 5.7% -5.1% 5.5% 14.3% OP margin (%) 12.5% 20.3% 21.1% 19.1% 18.4% 20.8% 19.0% 18.8% 19.6% 19.5% DRAM Shipment (mn) 1Gb equivalents 2,838 2,980 3,445 3,955 13,219 4,022 4,827 5,165 5,216 19,230 QoQ (%) -6.0% 5.0% 15.6% 14.8% 0.0% 1.7% 20.0% 7.0% 1.0% 0.0% YoY (%) 20.5% 18.0% 28.6% 31.0% 24.9% 41.7% 62.0% 49.9% 31.9% 45.5% Blended ASP($) 1Gb equivalents NAND Flash Shipment (mn) 16Gb equivalents 2,102 2,272 2,545 2,698 9,617 2,854 3,476 3,754 4,205 14,290 QoQ (%) 12.3% 8.1% 12.0% 6.0% 0.0% 5.8% 21.8% 8.0% 12.0% 0.0% YoY (%) 101.8% 62.8% 62.1% 44.1% 63.6% 35.8% 53.0% 47.5% 55.9% 48.6% Blended ASP($) 16Gb equivalents 자료 : 삼성전자, 신영증권리서치센터 도표 8. 반도체부문매출액및영업이익률추이 ( 십억원 ) 반도체매출액영업이익률 % 20% 도표 9. DRAM NAND Flash 분기별 bit growth 추이 30% 20% DRAM QoQ bit growth NAND QoQ bit growth % 10% 10% % 0% 0 1Q13 2Q13 3Q13 4Q13 1Q14 2Q14 3Q14E 4Q14E 자료 : 신영증권리서치센터 0% -10% 1Q13 2Q13 3Q13 4Q13 1Q14 2Q14 3Q14E 4Q14E 자료 : 신영증권리서치센터 34

35 DRAM 현물및고정거래가약세전망이나전반적인추세는유지되고있어 전반적인추세유지되고있으나수혜의정도는당초시장기대보다는다소낮을가능성있어 PC DRAM 고정거래가는지난 7월말에평균적으로전월대비 5% 의상승을기록한이후변동이없는데이는고정거래가협상이공급자우위의시장으로변화되어분기단위로이루어지고있기때문이다. 중국내 3G 스마트폰재고조정및 PC OEM 업체의주문감소로 DRAM 현물거래가가약세를보이고있다. 4분기에는 PC 출하량감소와 DRAM 공급증가로현물거래가, 고정거래가모두가격약세가예상되지만큰틀에서봤을때전반적인공급조절에의한 DRAM 과점화수혜는지속중인것으로판단된다. 다만, 그수혜의정도는당초시장에서기대했던것보다는다소낮을가능성이높다는뜻이다. 도표 10. DRAM 고정 현물거래가추이 ($) 도표 11. NAND Flash 64Gb 고정 현물거래가추이 ($) Gb DRAM 현물 4Gb DRAM 고정 NAND 64Gb 현물 NAND 64Gb 고정 자료 : Bloomberg, 신영증권리서치센터 자료 : Bloomberg, 신영증권리서치센터 35

36 디스플레이패널 : 3 분기영업손실 2,260 억원예상 도표 12. 삼성전자디스플레이패널부문분기별및연간실적전망 ( 단위 : 십억원 ) 1Q13 2Q13 3Q13 4Q Q14 2Q14 3Q14F 4Q14F 2014F DP 7,110 8,180 8,090 6,460 29,840 6,100 6,330 6,659 6,504 25,593 QoQ (%) -8.3% 15.0% -1.1% -20.1% -5.6% 3.8% 5.2% -2.3% YoY (%) -16.7% -0.8% -4.4% -16.6% -9.6% -14.2% -22.6% -17.7% 0.7% -14.2% 영업이익 (Wb) 770 1, , OP margin (%) 10.8% 13.7% 12.1% 1.7% 10.0% -1.3% 3.5% -3.4% -2.0% -0.8% Display Shipment (Km²) 7,135 7,564 7,942 7,862 30,503 7,469 7,683 7,975 7,815 30,942 Blended ASP($/m²) , ,274 Large size (mn) QoQ (%) -10.1% 6.0% 5.0% -1.0% 0.0% -5.0% 2.9% 3.8% -2.0% 0.0% YoY (%) -3.9% -3.3% -1.4% -1.0% -2.3% 4.7% 1.6% 0.4% -0.6% 1.4% Blended ASP($) QoQ (%) -1.1% 1.0% -1.0% -7.0% 0.0% -3.0% 1.0% -1.2% -0.7% 0.0% YoY (%) -7.3% 0.9% -2.6% -8.0% -4.3% -9.8% -9.8% -10.0% -3.9% -8.4% 자료 : 삼성전자, 신영증권리서치센터 CE: 3 분기영업이익 0.2 조원예상 도표 13. 삼성전자 CE 부문분기별및연간실적전망 ( 단위 : 십억원 ) 1Q13 2Q13 3Q13 4Q Q14 2Q14 3Q14F 4Q14F 2014F CE 11,240 12,780 12,050 14,270 50,340 11,320 13,000 12,480 14,726 51,526 QoQ (%) -22.8% 13.7% -5.7% 18.4% -20.7% 14.8% -4.0% 18.0% YoY (%) -2.3% -0.4% -1.4% -2.0% -1.5% 0.7% 1.7% 3.6% 3.2% 2.4% 영업이익 (Wb) , ,435 QoQ (%) -67.9% 91.7% -18.6% 88.6% -71.2% 305.3% -70.8% 11.4% YoY (%) -55.1% -41.1% -12.5% -5.7% -28.6% -15.3% 79.1% -35.8% -62.1% -13.8% OP margin (%) 2.0% 3.4% 2.9% 4.6% 3.3% 1.7% 5.9% 1.8% 1.7% 2.8% 자료 : 삼성전자, 신영증권리서치센터 36

37 삼성전자 ( KS) 추정재무제표 Income Statement Balance Sheet 12월결산 ( 십억원 ) 2012A 2013A 2014F 2015F 2016F 12월결산 ( 십억원 ) 2012A 2013A 2014F 2015F 2016F 매출액 201, , , , ,517.8 유동자산 87, , , , ,194.1 증가율 (%) 현금및현금성자산 18, , , , ,175.2 매출원가 126, , , , ,511.9 매출채권및기타채권 26, , , , ,391.9 원가율 (%) 재고자산 17, , , , ,116.2 매출총이익 74, , , , ,005.9 비유동자산 93, , , , ,252.0 매출총이익률 (%) 유형자산 68, , , , ,808.0 판매비와관리비등 45, , , , ,012.7 무형자산 3, , , , ,532.1 판관비율 (%) 투자자산 14, , , , ,118.1 영업이익 29, , , , ,993.2 기타금융업자산 증가율 (%) 자산총계 181, , , , ,446.1 영업이익률 (%) 유동부채 46, , , , ,679.3 EBITDA 44, , , , ,970.7 단기차입금 8, , , , ,618.1 EBITDA 마진 (%) 매입채무및기타채무 27, , , , ,549.0 순금융손익 , , ,350.7 유동성장기부채 , , , ,870.2 이자손익 , , ,602.8 비유동부채 12, , , , ,896.0 외화관련손익 사채 1, , , , ,989.2 기타영업외손익 , , ,571.1 장기차입금 3, , , ,369.7 종속및관계기업관련손익 기타금융업부채 법인세차감전계속사업이익 29, , , , ,469.4 부채총계 59, , , , ,575.3 계속사업손익법인세비용 6, , , , ,650.0 지배주주지분 117, , , , ,571.0 세후중단사업손익 자본금 당기순이익 23, , , , ,819.4 자본잉여금 4, , , , ,403.9 증가율 (%) 기타포괄이익누계액 , , , ,576.8 순이익률 (%) 이익잉여금 119, , , , ,297.6 지배주주지분당기순이익 23, , , , ,372.9 비지배주주지분 4, , , , ,299.8 증가율 (%) 자본총계 121, , , , ,870.8 기타포괄이익 -1, , 총차입금 14, , , , ,972.2 총포괄이익 22, , , , ,913.3 순차입금 -22, , , , ,808.3 주 ) K-IFRS 회계기준개정으로기존의기타영업수익 / 비용항목은제외됨 Cashflow Statement Valuation Indicator 12월결산 ( 십억원 ) 2012A 2013A 2014F 2015F 2016F 12월결산 ( 십억원 ) 2012A 2013A 2014F 2015F 2016F 영업활동으로인한현금흐름 37, , , , ,742.5 Per Share ( 원 ) 당기순이익 23, , , , ,819.4 EPS 136, , , , ,747 현금유출이없는비용및수익 22, , , , ,074.0 BPS 731, ,045 1,004,089 1,094,426 1,192,451 유형자산감가상각비 14, , , , ,849.1 DPS 8,000 14,300 14,300 14,300 14,300 무형자산상각비 , , ,128.5 Multiples ( 배 ) 영업활동관련자산부채변동 -5, , , ,103.7 PER 매출채권의감소 ( 증가 ) -2, , , PBR 재고자산의감소 ( 증가 ) -4, , , EV/EBITDA 매입채무의증가 ( 감소 ) , Financial Ratio 투자활동으로인한현금흐름 -31, , , , , 월결산 ( 십억원 ) 2012A 2013A 2014F 2015F 2016F 투자자산의감소 ( 증가 ) , , 성장성 (%) 유형자산의감소 EPS( 지배순이익 ) 증가율 73.2% 28.6% -23.2% -16.1% 6.1% CAPEX -22, , , , ,000.0 EBITDA( 발표기준 ) 증가율 52.8% 19.2% -21.9% 6.5% 3.8% 단기금융자산의감소 ( 증가 ) -6, , , 수익성 (%) 재무활동으로인한현금흐름 -1, , , ,157.3 ROE( 순이익기준 ) 21.4% 22.4% 14.6% 11.0% 10.7% 장기차입금의증가 ( 감소 ) ROE( 지배순이익기준 ) 21.6% 22.8% 14.9% 11.2% 10.9% 사채의증가 ( 감소 ) 1, , ROIC 27.7% 31.4% 18.2% 14.0% 14.3% 자본의증가 ( 감소 ) WACC 12.8% 13.0% 12.7% 12.7% 12.7% 기타현금흐름 안전성 (%) 현금의증가 4, , , , ,673.0 부채비율 49.1% 42.7% 37.1% 34.0% 31.8% 기초현금 14, , , , ,502.2 순차입금비율 -18.6% -28.9% -28.3% -31.9% -35.4% 기말현금 18, , , , ,175.2 이자보상배율

38 Compliance Notice 투자등급 종목 산업 매수 : 향후 12 개월동안추천일종가대비목표주가 10% 이상의상승이예상되는경우중립 : 향후 12 개월동안추천일종가대비 ±10% 이내의등락이예상되는경우매도 : 향후 12 개월동안추천일종가대비목표주가 -10% 이하의하락이예상되는경우 비중확대 : 향후 12 개월동안분석대상산업의보유비중을시장비중대비높게가져갈것을추천중립 : 향후 12 개월동안분석대상산업의보유비중을시장비중과같게가져갈것을추천비중축소 : 향후 12 개월동안분석대상산업의보유비중을시장비중대비낮게가져갈것을추천 당사는본자료발간일을기준으로지난 1 년간해당기업의기업금융관련업무를수행한바없습니다. 본자료는당사홈페이지에게시된자료로, 기관투자가등제 3 자에게사전제공한사실이없습니다. 본자료작성한애널리스트는발간일현재본인및배우자의계좌로동주식을보유하고있지않으며, 재산적이해관계가없습니다. 본자료의작성담당자는자료에게재된내용이본인의의견을정확하게반영하고있으며, 외부의부당한압력이나간섭없이작성되었음을확인합니다. 본자료는과거의자료를기초로한투자참고자료로서향후주가움직임은과거의패턴과다를수있습니다. 본자료에수록된내용은당리서치센터가신뢰할수있는자료및정보로얻어진것이나정확성을보장할수없으므로어떠한경우에도본자료는고객의주식투자의결과에대한법적소재에대한증빙자료로사용될수없습니다. [ 당사와의이해관계고지 ] LP( 유동성공급자 ) 종목명 ELW 주식선물 1% 이상보유 계열사관계여부 채무이행보증 SK하이닉스 O 삼성전자 O 삼성전자 : 과거 2 년간투자의견및목표주가변동내역 추천일자투자의견목표주가 ( 원 ) 매수 매수 매수 매수 매수 매수 중립 매수 SK 하이닉스 : 과거 2 년간투자의견및목표주가변동내역 추천일자투자의견목표주가 ( 원 ) 매수 매수 매수 매수 매수 매수 매수