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효정 수
5 years ago
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1 ACRICHE LIGHTING DESIGN GUIDE - PAR 솔루션파트

2 Contents Table of contents 1. PAR 개요 - 재래광원 2. 재래 PAR 대체용 LED 요구사항 3. Target 설정 4. SSC PKG 선정방법 5. Optical, Thermal, Electrical 선택고려사항 6. Supply Chain 7. Standard

3 I. PAR 개요 - 재래광원 PAR (Parabolic Aluminized Reflector) 램프 PAR램프는내면에반사면 ( 주로알루미늄 ) 을도포한반사막을이용하여빛을집중시켜광속의이용도를대폭높인램프로전면에렌즈를추가로부착하여집광성을더욱높인램프입니다. 이때알루미늄반사막은적외선 ( 열 ) 은통과시키고가시광선은굴절, 집중시켜열을뒤로분산시키는역할도함. PAR램프는 1/8인치가기본단위이므로 PAR38 램프의지름은 38 * 2.54( 인치 ) / 8 = 약 120mm.

4 2. 재래 PAR 대체용 LED 요구사항 업체 Type W cd Efficacy (lm/w) CCT Voltage (V) 지향각 CRI 수명 (h) Base 오스람 PAR20 ( 알루미늄 ) PAR20 ( 다이크로익 ) PAR30 ( 알루미늄반사경 ) PAR30 ( 다이크로익반사경 ) cd/1250lm cd/1250lm cd/1250lm cd/1250lm / cd/1450lm cd/1450lm cd/1450lm cd/1450lm E26 GE PAR30 PAR20(Spot) E cd/930lm cd/930lm PAR20(Flood) 1000cd/930lm cd/930lm E27 PAR30(Spot) 6900cd/1350lm PAR30(Flood) 2200cd/1350lm /240 PAR30(Spot) 10000cd/2200lm PAR30(Flood) 3500cd/2200lm * Lm은 Halogen lamp광원기준으로구함 다이크로익반사경가시광은전면으로반사하되불필요한열선인적외선은후방으로 80% 방출시킴으로써적외선의전면방출을 1/5로줄인것이다. 다이크로익반사경은전면에굴절율이높은황화아연 (ZnS) 이나산화티탄 (TiO2) 과저굴절율의불화마그네슘 (MgF2) 을교대로하여엷은막으로증착한것으로막의두께와층수를고려하여파장에따른반사특성을조절한것임.

5 수직대칭형배광곡선에서빔각도는광도가최대값의 ½ 지점을나타내는점들로이루어진각도임. Lux 로표기되는조도는최대값이며, 가장자리에서는절반으로떨어짐 - 자료발췌 : OSRAM Korea

6 3. 조명디자이너들이 PAR Lamp 를선정하는방법 3.1 필요한조도와조명효과를얻기위한빔각도 (Beam angle) 와중앙빔촉광 (Center beam candlepower_cbcp) 을 결정하고 PAR 를선택. 3.2 CCT 를선택. (PAR 의 CCT 는같은업체, 같은제품이라도실제로는색의차이가발생할수있다.) 3.3 어플리케이션에따라, 다양한빛의형태칼라등을요구한다. 이에맞게실제설치후선택해야한다. 4. LED가적용된 PAR 요구사항 4.1 PAR의사이즈를결정한다.(PAR16, PAR20, PAR30, PAR38 ) 4.2 PAR과동일한빔각도와중앙의빔촉광을가져야함. ( 빔각도는 10도 300도사이에서결정. Spot 10-20도, Narrow Flood 20-30도, Flood >30도 ) K 의색온도를가져야하며, 4200K 의색온도도필요함. 4.3 색재현성 (CRI) 은국내는 70 이상, 미국은 75 이상되어야함.(KS, Energy star 에근거 ) 4.4 소비전력당광속은아래를참조결정함. No Type 제조사 소비전력 (W) 스펙상실측 ( 점등후 1H) CCT (K) lm Efficacy (lm/w) 지향각 CCT (K) lm Efficacy (lm/w) 1 PAR20 오스람 오스람 필립스 PAR30 GE GE 필립스 PAR38 GE

7 3. Target 설정 1. 재래 PAR 대체 Target 설정 재래 lamp 광원 LED 적용광원 Type 수명 50% [hr] 색온도 [K] W lm lm/w W PAR Hr 2750 ~ ~ PAR30 PAR Hr Importance Characteristic PAR 20 PAR 30 PAR 38 Critical Luminous Flux Electrical Power consumption Lumens (lm) Watts (W) A W AN4 18W W A3 20W AN4 20W W A3 24W AN4 24W W Beam Angle Degree Lifetime Hours Residential indoor : 25,000h Residential Outdoor: 35,000h All Commercial : 35,000h Operating temperatures Potentially Important Operating humidity Color temperature % RH K K CRI 70( 국내 ), 75( 미국 ) Manufacturability Ease of installation Form factor

8 2. Led 개수선정방법 - 먼저 Target 제품의 Lumen을선정한다. - 실제 Led가구현하기위해필요한 Lumen 계산법실필요 Lumens = Target Lumens/(Optical Efficiency * Thermal Efficiency) -Led의개수선정 Led 개수 = 실필요 Lumens / Led당 Lumens ex) 1. PAR30 75W를선정하였으며, Target Lumen은 1450lm이다. 2. 실필요 Lumens = Target Lumens/(Optical Efficiency * Thermal Efficiency) = 1450 lm / (91% *85%) = lm 3. Led 개수 = 실필요 Lumens / Led당 Lumens = lm / 60lm = 31 Leds (AN4240 = 60lm) 3 Heat sink의외부온도를선정 - KS고효율기자재규격에근거하여선정 : LED 램프캡 ( 베이스 ) 90도, LED 램프몸체 70도, LED 램프발광면 60도초과하지않아야함.(Ta = 25도 ) * 참고자료 - 광, 열, 전기시스템의효율 System Efficiency Type Optical 91% Light Thermal 85% Light Electrical 87% Power

9 4. SSC PKG 선정법 1. Par 30 Lamp PKG 별비교 LED PKG PAR 30 Module 적용 PAR 30 예상광량 PKG 명 PKG 소비전력 (W) DC LED AC LED P4 (N42180) Z1(NZ10150) Top(C9WT728) A 사 (A PKG) A3(AN3220) A4(AN4220) 1.12 W (3.2V, 350mA) 1.68 W (4.2V, 400mA) W (3.2V, 60mA) 1.12 W (3.2V, 350mA) PKG 광량 (lm/w) PKG 수량 * Module 광량 (lm) Module 소비전력 (W) Optical Loss 적용 (lm) Thermal Loss 적용 (lm) Electrical Loss 적용 (lm) W 20 W 20 W 20 W 20 W 20 W W 1 W CCT K 3000 K 3000 K 3000 K 3000 K 3000 K 3000 K CRI * TOP PKG 의수량은 PCB Size 90mm 로적용시최대실장가능수량임. * 조명기기의 System 효율 System Efficiency Type Optical 91% Light Thermal 85% Light Electrical 87% Power

10 2. Par 38 Lamp PKG 별비교 LED PKG PAR 38 Module 적용 PAR 38 예상광량 PKG 명 PKG 소비전력 (W) DC LED AC LED P4 (N42180) Z1(NZ10150) Top(C9WT728) A 사 (A PKG) A3(AN3220) A4(AN4220) 1.12 W (3.2V, 350mA) 1.68 W (4.2V, 400mA) W (3.2V, 60mA) 1.12 W (3.2V, 350mA) PKG 광량 (lm/w) PKG 수량 * Module 광량 (lm) Module 소비전력 (W) Optical Loss 적용 (lm) Thermal Loss 적용 (lm) Electrical Loss 적용 (lm) W 24 W 24 W 24 W 24 W 24 W W 1 W CCT K 3000 K 3000 K 3000 K 3000 K 3000 K 3000 K CRI * TOP PKG 의수량은 PCB Size 110mm 로적용시최대실장가능수량임. * 조명기기의 System 효율 System Efficiency Type Optical 91% Light Thermal 85% Light Electrical 87% Power

11 5. Thermal, Optical, Electrical 선택시고려사항 1. Led 에서의광손실 1.1 Thermal Loss LED의경우 Junction Temperature에따라서광량이저하된다. 일반적으로 Spec 상에표기되는광량은 Tj=25도에서의광량이며 Tj에따른 LED 광량저하율은 spec 상에표기되어있다. ( 그림 1. 참고 ) 따라서 LED 조명기기제작시 Module에실장된 LED의 Tj를고려하여광량을산출해야한다. Tj=90, 82% Ex) P4 Cool White LED 4ea 를 Module 에실장후 Tj 측정시 90 도라면, 실제광량은 100lm*4ea*0.82 (Tj=90 에서발광효율 ) =328lm 임. 1.2 Optical Loss LED 를이용한대부분의조명기기는배광 Pattern 을변경하기위하여 Secondary Optics 를사용한다. 일반적으로 Secondary Optics 의효율은 85~90% 이다. 또한 Reflector 와같은조명기기의 Fixture 에의해서도광의손실이일어난다. 그러나 LED 조명이일반 CFL 과같은재래조명대비발광 Pattern 이좁아 Fixture 에맞는부분이상대적으로적기때문에 Fixture 에의한손실은재래광원대비적다. 그림 1. Junction Temperature vs Relative Light Output 1.3 Electrical Loss LED 조명기기에사용되는대부분의 Driver 효율은 100% 를만족하지못한다. 이런 Driver 의효율은전반적인조명기기의 Efficacy 의저하에영향은주기때문에 LED 조명 System 설계시이를고려해야한다. Driver 의효율은주로 80~90% 이며 90% 이상이되려면 Cost 가높아진다. 또한 Output load 에따라서 Converter 의효율의차이가나는데고효율, 저 Cost 의 Driver 설계를위해서는최소 Output Load 가 50% 이상이되어야한다. ( 그림 2. 참고 ) 그림 2. Efficiency vs Output Load

12 2. Heat sink의설계 -Heat sink를통해tj를낮추면life time, Luminous flux의감소를최소화할수있다. - Heat sink의설계시고려사항 : Heat sink의재질 Heat sink의각도, 핀두께, 간격 Tj 에따른광출력예 Relative Light Output [%] Life time Luminous flux Allowable current 1 Tj 20 Pure White Heat sink 를통해 Tj 를낮추는것이중요 Junction Temperature, T J [ o C]

13 2.3 Heat sink 의핀의두께 (2mm), 간격 (8mm) 에따른시뮬레이션 -시뮬레이션조건: PAR38 Ø120기준설계 heat source는 A3 (3.4W) 5pcs 20W급 Ambient temp는 25 - Par 38 Design : 외곽사이즈 (Ø120 * H 49.5mm) Fin 두께 2mm, Fin Pitch 8mm PAR 38 Sink PAR 38 Sink / PCB with LED / Cover

14 * 시뮬레이션결과 온도 [ ] PAR 38 T jcenter : 87.9 T : 86 j edge T sink : 70 ~ 80 비고 1. 분위기온도 : 25 Note : 자연대류해석접속기구없음 Cover 사용 : P.C Tj c

참조 : 힛싱크면적, fin 높이에따른전도도별열특성 220 Junction Temperature [ o

H=20 mm H=30 mm 열전도도 : 0.76 열분포 : 5mm fin 열전도도 : 0.

1 1 10 100 1000 Thermal Conductivity [W/mK] Junction

1600 mm 2 2500 mm 2 3600 mm 2 4900 mm 2 열전도도 : 385 열분포 :

15 참조 : 힛싱크면적, fin 높이에따른전도도별열특성 220 Junction Temperature [ o C] H=05 mm H=10 mm H=15 mm H=18 mm H=20 mm H=30 mm 열전도도 : 0.76 열분포 : 5mm fin 열전도도 : 0.76 열분포 : 30mm fin 80 Fin 높이별 Thermal Conductivity [W/mK] Junction Temperature [ o C] mm mm mm mm mm 2 열전도도 : 385 열분포 : 5mm fin 열전도도 : 385 열분포 : 30mm fin 80 Heat sink 바닥면적별 Thermal Conductivity [W/mK]

3. Secondary Optic 설계 - Secndart Optic을통해지향각을조정하며,

1 Secondary Optic의종류와특성 Reflector type Collimator type

2 Lens type 별비교 Simulation Result (A3 PKG 120 도기준 ) Lens

16 3. Secondary Optic 설계 - Secndart Optic을통해지향각을조정하며, 광량을확보한다. - Secndart Optic 고려사항 : Led와결합시의형태, 지향각, 광손실 3.1 Secondary Optic의종류와특성 Reflector type Collimator type Fresnel Lens type 3.2 Lens type 별비교 Simulation Result (A3 PKG 120 도기준 ) Lens type 지향각 10 도 Target Efficiency 30 도 Target Efficiency Cost 비고 Reflector type 81.5% 81.61% 60%(R/F) + 30%(Cover) 투명 cover 별도필요 Cover에의한추가광손실 Collimator type 84.7% 83.52% 100% Fresnel Lens type 74.65% 74.6% 얇은 lens 구현가능

3.2.3 Secondary Optic A3 PKG Fresnel type 높이에따른시뮬레이션 1) module type 18.0 mm 9.7 mm 광효율 : 74.65% 2) 지향각 14deg 0 광효율 : 74.60% 30deg 0 1.0 330 30 1.

17 3.2.3 Secondary Optic A3 PKG Fresnel type 높이에따른시뮬레이션 1) module type 18.0 mm 9.7 mm 광효율 : 74.65% 2) 지향각 14deg 0 광효율 : 74.60% 30deg

18 3.2.4 Secondary Optic A4 PKG Collimator type 시뮬레이션 Simulation Data Receiver Position A4_Warm White_LED Only % ) LED Only lm 131 deg Degree % A4_Warm White_38D Lens On-Axis Point Intensity(50%) Point Source ~ Screen Distance : 1,000 mm 2) LED + Lens lm 38 deg Degree Reciever Size : 1,000mm X 1,000mm

Measurement Data (Initial Luminous Flux, Beam Angle) (Source ~ Screen

Lens LED Only LED + Lens LED Only Simulation Data LED + Lens Measurement

66 lm 44.49 lm Beam Angle 131 deg. 38 deg. Beam Angle 129 deg. 40 deg.

19 Measurement Data (Initial Luminous Flux, Beam Angle) (Source ~ Screen Distance : 1,000 mm) 1) Simulation 2) Measurement Data LED Only LED + Lens LED Only LED + Lens LED Only Simulation Data LED + Lens Measurement Data LED Only LED + Lens Luminous Flux lm lm Luminous Flux lm lm Beam Angle 131 deg. 38 deg. Beam Angle 129 deg. 40 deg. Simulation Efficiency (Lens / LED) : 85% Measurement Efficiency (Lens / LED) : 91.4%

22 파이 * 12mm 30 * 12 * 9mm 28.13 파이 * 12mm 지향각 10 40 30 측정값 41.75 37.

20 3.2.5 Secondary Optic A4 PKG Collimator type 소개 업체동화 ind-1 동화 ind-2 동화 ind-3 ESW (STREET LIGHT) SEKONIX 사진 발광사진 size 22 파이 * 12mm 22 파이 * 12mm 22 파이 * 12mm 30 * 12 * 9mm 파이 * 12mm 지향각 측정값 Lens효율 85.9% 소자상태측정치 : 48.6 X:128, Y: % %

21 4 Elctrical 고려사항 4.1 고장형태에따른해결방법 고장형태전기적문제형태문제해결방법 미점등 / 휘도감소 Acriche 잔광현상 과전압과전류절연파괴 Acriche 잔광현상 Zener Diode, TVS, MOV사용 PTC, NTC사용 Pcb Pattern거리확보, 절연코팅, 기구적방법접전용 S/W연결, 저항사용 4.2 Over voltage protection Over voltage 발생원인 : ESD(Electrostatic discharge), Lighting surge, Transient voltage, Switching of load in power circuits, etc... Item Zener diode TVS MOV Direction Uni-directional Bi-directional Bi-directional Supply voltage DC DC/AC DC/AC Response time 수십 ps 수십 ps ns Symbol I I I PP I-V characteristic Vc Vc V V I PP Application Fig 1 Fig 2 Fig 3. TVS : Transient Voltage Suppressor. MOV : Metal Oxide Varistor(Variable Resistor)

22 4 Elctrical 고려사항 4.1 고장형태에따른해결방법 고장형태전기적문제형태문제해결방법 미점등 / 휘도감소 Acriche 잔광현상 과전압과전류절연파괴 Acriche 잔광현상 Zener Diode, TVS, MOV사용 PTC, NTC사용 Pcb Pattern거리확보, 절연코팅, 기구적방법접전용 S/W연결, 저항사용 4.2 Over voltage protection Over voltage 발생원인 : ESD(Electrostatic discharge), Lighting surge, Transient voltage, Switching of load in power circuits, etc... Item Zener diode TVS MOV Direction Uni-directional Bi-directional Bi-directional Supply voltage DC DC/AC DC/AC Response time 수십 ps 수십 ps ns Symbol I I I PP I-V characteristic Vc Vc V V I PP Application Fig 1 Fig 2 Fig 3. TVS : Transient Voltage Suppressor. MOV : Metal Oxide Varistor(Variable Resistor)

23 Zender diode protection Over voltage Clamp voltage Vz DC + - Zener diode LED (a) Zener diode I-V 특성 Over current bypass (b) LED 보호동작 Fig 1. Example of zener protection - 동작원리 전원단으로부터 over voltage 가인가될경우 zener 항복작용으로인해 over current 는 zener diode 를통해 bypass 되고 LED 에는 Vz 만큼의 regulated 전압만이인가되어 LED 를보호함 Zener diode protection 은 LED 를 over voltage 로부터보호하는가장간단하며기본적인선택이므로모든외부의 over voltage 로부터 LED 를완벽하게보호하지는못함 -> 추가보호회로의구성이필요 - Zener diode 선택시고려사항 LED 의 VF 보다높은 Vz 값을갖는소자사용 LED 의 VF, IF 및사용전압을고려적절한정격전력을갖는소자선택 빠른 bypass 동작을위해낮은제너저항을갖는소자선택 LED 의구동전류가클경우가능한높은전류밀도는갖는소자선택 Low leakage current

24 TVS protection I Over voltage I PP LED breaking voltage TVS clamping voltage Vc I T V BR V RWM I R I R I T V RWM V BR Vc V LED operating voltage t LED operating voltage DC or AC TVS LED load TVS clamping voltage LED breaking voltage I PP (a) TVS I-V 특성 (b) TVS clamping (c) TVS protection circuit Fig 2. Example of TVS protection - 동작원리 Zener diode 가양방향으로결합된구조로 avalanche breakdown 을이용한 protection 소자 AC 연결단에서는 bi-directional 소자, DC 연결단에서는 uni-directional 소자를사용해도무방 - TVS 선택고려사항 LED 의 VF 보다높은 VBR 값을갖는소자사용 LED 의 VF, IF 및사용전압을고려적절한정격전력을갖는소자선택 LED 의파괴전압이하의 clamping 전압값 (Vc) 을갖는소자를선택 (LED 파괴전압이상의 Vc 를갖는소자사용시외부 over voltage 로부터 LED 를보호하지못함 )

25 MOV protection I Fuse V DC or AC MOV LED load (a) MOV I-V 특성 (b) MOV 등가모델 (c) MOV protection circuit Fig 3. Example of MOV protection - 동작원리 TVS 와동일한 over voltage 기능을수행 정상동작시에는절연체 (capacitor) 로수백 MΩ 이상의절연저항값을가지나, 순간 over voltage 가인가시수 mω 이하의도체가되어 over current 를 bypass 함 - MOV 선택고려사항 LED 의 VF 보다높은 VB 값을갖는소자사용 LED 의 VF, IF 및사용전압을고려적절한정격전력을갖는소자선택 MOV 의정격을초과하는전류유입을방지하기위해 fuse 사용권장

26 4.2.2 Over Current protection PTC(Positive Temperature Coefficient) resistor protection - 동작원리 소자의온도상승시저항값이크게증가하는특성을가진소자 PTC 에정격보다큰전류가흐를경우자기발열작용으로저항값이크게증가하여전류를억제하는기능을수행함 LED 에직렬로연결하여 LED 에흐르는과전류를억제함 PTC Resistance Current DC or AC LED load (a) PTC 연결 Temp ( ) (b) 저항-온도특성 (R-T특성) (c) 전류감쇠특성 Time Fig 4. Example of PTC protection - PTC 선택고려사항 LED 의최대전압, 최대전류, 최대 Ta 를고려하여 PTC 를선정 PTC 의전류억제반응시간이빠른소자선정

27 NTC(Negative Temperature Coefficient) resistor protection - 동작원리 In-rush current 로부터 LED 를보호하기위해사용 In-rush current 는 power supply 의 boost 동작, initial power-up 동작시발생할수있으며, 적절한보호대책이없으면 LED 가파괴될수있음 LED 에직렬로연결하여 in-rush current 를억제 NTC LED load In-rush current level In-rush current LED current Time (a) PTC 연결 (b) In-rush current 억제특성 Fig 5. Example of NTC protection - NTC 선택고려사항 NTC 는크게두종류 (high resistance and low resistance) 가있으며이중 in-rush current 보호용으로 low resistance NTC 를주로사용 NTC 의최대허용전류 / 전력

4.3 절연내력강화방법 4.3.1 절연내력저하원인 PCB의 Cu Pattern이 PCB의 Edge 또는 PCB Hole 에가까이있을경우 Metal Heat sink 또는 PCB의 Metal부분과의거리가가까워지면서고전압인가시방전이발생하여 Heat sink와단자간에전류가통할수있다.

절연내력저하요인분석 Wire 연결 PCB Hole 4.3.2 절연내력향상방안 1PCB 의Pattern 설계시PCB edge 또는hole로부터일정간격유지절연내력을높이기위해서 PCB의 Cu Pattern을 PCB의 edge나 PCB hole로부터일정간격을유지해주는방법.

28 4.3 절연내력강화방법 절연내력저하원인 PCB의 Cu Pattern이 PCB의 Edge 또는 PCB Hole 에가까이있을경우 Metal Heat sink 또는 PCB의 Metal부분과의거리가가까워지면서고전압인가시방전이발생하여 Heat sink와단자간에전류가통할수있다. 3 PCB Edge에서의방전 ( PCB Pattern PCB Metal) 2 PCB Hole에서의방전 ( PCB Pattern PCB Metal) 1 PCB Edge에서의방전 (PCB Pattern Metal Heat sink) PCB Metal Heat sink Cu Pattern PCB 절연층 그림 1. 절연내력저하요인분석 Wire 연결 PCB Hole 절연내력향상방안 1PCB 의Pattern 설계시PCB edge 또는hole로부터일정간격유지절연내력을높이기위해서 PCB의 Cu Pattern을 PCB의 edge나 PCB hole로부터일정간격을유지해주는방법. 최소 5mm이상의간격을유지해주는것이 4kV이상의결과를얻을수있으며이는고객설계사양에따라변경될수있음. 2PCB에절연물질도포그림1. 도포방법예시주로 Cu Pattern이가까운 PCB의 edge나 hole에서방전이일어나기때문에이부분을절연물질로도포해주면 ( 방전이되는부분을절연물질로도포 ) 절연내력향상. 도포 Material 선정시내열성및내화학성이우수하며 LED 봉지재에영향을주는부산물 (Gas 등 ) 이생성되지않는재료를선정하는것이좋음. ( 그림1. 참고 ) 3절연물질로만든Case에PCB를실장하여Heat sink와절연시키는방법절연물질로 case를만들어 PCB를그안에실장함으로써 Heat sink와완전히절연을유지시켜주는방법. 열방출이잘되지않는 Material을사용할경우 LED PKG의 Tj를고려하여그두께를최소화함으로써열방출이그림2. PCB Case Concept 예시원활하게진행될수있도록설계필요. ( 그림2. 참고 )

29 4.4 Acriche(A3) 잔광현상개선방안 현상 :Acriche 가적용된조명모듈 (bulb, MR, PAR etc.) 을건물내설치후조명통합스위치를 off 시켰을때 Acriche 가완전히 off 되지않고미약하게발광 원인 : 스위치를건물내 380Vac 3 상 4 선중 N 상에연결하고, 조명모듈의케이스 (heak sink) 를건물내 F.G.(flame ground) 에연결한경우발생 대부분의건물내에서조명모듈의케이스를건물내 F.G. 에연결함. F.G. 는대부분 N 상에연결됨 이경우스위치가 off 되어도조명모듈의케이스에연결된 F.G 에의해 Acriche 에상전압이유기되어잔광이발생 (Acriche 상유기전압 ~ 130Vac) Acriche 인가전압시험 diagram 일반적인전기공급방식 (380V 3 상 4 선식 ) 잔광발생 S/W. 3 상 4 선식 Y 결선의상간전압 380Vac. 상 (R, S, T) 과 N 간전압 220Vac

30 4.4.3 개선방안 S/W 를 L(R) 상에연결또는 L-N 두접점용 S/W 연결 S/W S/W - S/W 를 L 상에연결하여 S/W off 시아크리치에잔여전압이인가되지않도록함 - L(R) 상에 S/W 연결이어려울경우 L-N 두접점용 S/W 사용 저항을이용한아크리치잔여전압분배 L(R) Rp Ra Acriche 내부저항 A) MCPCB 절연저항을증가시켜 Acriche 에인가되는잔여전압을 MCPCB 절연저항으로분압시켜잔광제거 (S/W off 시 ) 220Vac B) 아크리치양단에병렬로 Rp 연결하여 Acriche 에인가되는잔여전압을분압시켜잔광제거 (S/W off 시 ) : 수 MΩ 이상 Rm MCPCB 절연저항 N

31 6. SUPPLY CHAIN 1. 서울반도체 Supply Chain Ledlink(Taiwan) IMS(USA) Carclo(EU) Gaggione(EU) Khatod(EU) LEDIL(EU) Polymer Optics(EU) Kaieryue Electronics Technology(China) Shenzhen Likeda(China) Donghaw IND(Korea) Green Optics(Korea) Sekonix(Korea) CCI(Taiwan) DDP(USA) Fujipoly(USA) Ceramtec(EU) Fischer Elektronic(EU) Jindingli(China) Yongshenkeji(China) LENS HEATSINK SSC DRIVER IC PCB Microblock(Taiwan) Microchip(USA) National Semiconductor(USA) Wai Tat Electronics(China) Pttc(Taiwan) Fela(EU) GK Technik(EU) Xingtongbu Technology(China) Inno Flex(Korea)

32 2. Supply Chain WEB Site SOLUTION COMPANY WEB SITE DRIVER IC PCB LENS HEATSINK Microblock(Taiwan) Microchip(USA) National Semiconductor(USA) Wai Tat Electronics(China) Pttc(Taiwan) Fela(EU) GK Technik(EU) Xingtongbu Technology(China) Inno Flex(Korea) Ledlink(Taiwan) IMS(USA) Carclo(EU) Gaggione(EU) Khatod(EU) LEDIL(EU) Polymer Optics(EU) Kaieryue Electronics Technology(China) Shenzhen Likeda(China) Donghaw IND(Korea) Green Optics(Korea) Sekonix(Korea) CCI(Taiwan) DDP(USA) Fujipoly(USA) Ceramtec(EU) Fischer Elektronic(EU) Jindingli(China) Yongshenkeji(China)

33 7. Standard 1. KS 규격 일반사양 -AC LED 의경우 KSC7651( 안정기내장형 ) 에해당 KS C 7651 ( 안정기내장형 ) KS C 7652 ( 안정기외장형 ) KS C 7653 ( 매입형등기구 ) 적용범위정격 220V 60Hz, 정격전력 60W 정격 50V 이하 (12V, 24V, 48V) 정격 220V 60Hz 초기광속 (100 시간 Aging 후측정 ) 정격광속의 95% 이상정격광속의 95% 이상정격광속의 95% 이상 광속유지율 (2000h Aging 후측정 ) 초기광속측정값의 90% 이상 초기광속측정값의 90% 이상 초기광속측정값의 90% 이상 절연저항 4000Vrms 1 분인가시 500Vrms 1 분인가시 졀연내력 4MΩ 이상 2MΩ 이상 KS C IEC 적합 역률 0.9 이상 (5W 초과 ) 0.85 이상 (5W 이하 ) 0.9 이상 (5W 이하 ) 0.85 이상 (5W 이하 ) 0.9 이상 (5W 초과 ) 0.85 이상 (5W 이하 ) 캡온도 ts =120 이하 ( 램프준비단계와안정화후의온도차 ) ts =120 이하 ( 램프준비단계와안정화후의온도차 ) KS C IEC 적합 연색성 70 이상 70 이상 70 이상 THD ( 전류고조파함유율 ) KS C IEC 에따름 [*] KS C IEC 에따름 [*] KS C IEC 에따름 [*]

34 KS 규격광효율기준 KS C 7651 ( 안정기내장형 ) KS C 7652 ( 안정기외장형 ) KS C 7653 ( 매입형등기구 ) 초기광속 (100 시간 Aging 후측정 ) 정격광속의 95% 이상 정격광속의 95% 이상 정격광속의 95% 이상 광속유지율 (2000h Aging 후측정 ) 초기광속측정값의 90% 이상 초기광속측정값의 90% 이상 초기광속측정값의 90% 이상 광효율 lm/w( 초기광속 & 2000h aging 후에도만족해야함 ) 구분 색온도 광효율 lm/w 광효율 lm/w 10W 이하 10W~ 30W 30W~ 60W 60W~ 100W 100W 이상 F ± F ± F ± F ± F ± F ± F ± F ± 고효율기자재광효율기준 항목 5W 이하 5W 초과 10W 이하 10W 초과 15W 이하 15W 초과 초광속 광효율 (lm/w) 표시입력전력 (W) 이상일것 광속유지율 초광속의 90% 이상 광효율 50 lm/w 55 lm/w 58 lm/w 60 lm/w 역율 0.9 이상 전류고조파함유율 40% 이하 연색성 75 이상

2. Energy Star 일반사양 조건 Minimum Light Output 기준 최소 125lm per lineal foot 을내야하며하기와같은식으로계산한다. (1ft=12inch) Color Spatial Uniformity 모든지향 Pattern 에서평균 CIE 좌표에서 0.

35 2. Energy Star 일반사양 조건 Minimum Light Output 기준 최소 125lm per lineal foot 을내야하며하기와같은식으로계산한다. (1ft=12inch) Color Spatial Uniformity 모든지향 Pattern 에서평균 CIE 좌표에서 이내 (CIE1976 u`v` 좌표기준 ) Color Maintenance Lifetime 내좌표변화 이내 (CIE1976 u`v` 좌표기준 ) Power Factor Output Operating Frequency Color Rendering Index (CRI) Residential 0.7 Commercial Hz Min75 (Indoor luminaires) Lumen Depreciation of LED Light Sorces(L70) Residential indoor : 25,000h Residential Outdoor: 35,000h All Commercial : 35,000h CIE 기존 Fluorescent lamp에서기준한 CCT에서비어있는부분을사용가능하도록 4500K & 5700K 추가됨. CFL의 7-step MacAdam ellipses와 overlap 되도록사각형으로짜여짐. 조건 기준 Nominal CCT (Fluorescent lamp) CCT(K) 2700K 2725 ± K 3045 ± 175 CCT (Correlated Color Temperature) 3500K 3465 ± K 3985 ± K 4503 ± K 5028 ± K 5665 ± K 6530 ± 510

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PowerPoint 프레젠테이션 A ACRICHE Lighting DESIGN GUIDE - BULB LAMP - 2010. 09. www.seoulsemicon.com 목차 I. Bulb 램프개요 - 재래광원 II. III. 재래광원 Bulb 램프대체용 LED 요구사항 Target 설정 IV. SSC PKG 선정방법 V. Thermal, Optical, Electrical 선택시고려사항