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1 산업 Overweight DRAM 중장기 Tech Roadmap 반도체 Analyst 박유악 IoT시대진입 : DRAM 공정미세화지속필요 - IoT시대진입으로글로벌반도체산업연평균 +4% 지속성장전망 - IoT시대시스템요구충족위해 DRAM 공정미세화지속필요 - DRAM 미세화 20nm이하기술적한계도달. Transistor의미세화한계와 Capacitor의제조한계때문. 돌파구는없는가? QPT, STT-RAM, EUV 도입으로 20nm 이하미세화지속전망 삼성전자 (005930) Buy, TP 1,800,000 원 1. Transistor 미세화한계 : DPT QPT EUV 도입 Transistor Channel Length 감소의한계를넘기위해 EUV 장비 도입시도중이나, 대량양산은 2018년하반기에나가능할전망. 따라서 DRAM 미세화공백발생하는 2016년이후, QPT 도입으로 20nm 이하제품양산지속될전망. 2. Capacitor 제조한계 : DRAM STT-RAM 구조변경 STT-RAM이 DRAM 대체할전망. STT-RAM은 DRAM과동일한공정을사용하여 DRAM STT-RAM의 Fab 전환 용이하며, Capacitor 대신 MTJ를사용하기때문에 Capacitor의 Aspect Ratio 이슈에서자유로움. 3. 시스템성능향상위한신규 Packaging 도입 : HMC with TSV 2015년 TSV 이용한신규 Packaging인 HMC 양산본격화전망. HMC는기존 PoP 대비사이즈와전력소모가각각 -35% 와 -50% 감소하며, 동작속도는 8배증가함. Top Pick: 삼성전자 (Buy, TP 180만원 ) - QPT 도입으로 20nm 이하 DRAM 미세화경쟁우위지속 - STT-RAM 원천기술업체 Grandis 인수 기술우위지속 - TSV 이용한 HMC 양산 Server 시장확대수혜 관심종목 : 덕산하이메탈, 솔브레인, 케이씨텍, 피에스케이, 디엔에프, 기가레인

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3 Contents 1 Investments Summary 4 1 DRAM 중장기 Tech Roadmap - 공정미세화는지속된다! 반도체업종 Top Pick 및관심종목 5 2 IoT 시대의 Memory Requirements 6 1 IoT 시대진입 - 사람과사람을넘어기계와기계의연결로! IoT 시장, 연평균 +25% 이상증가전망 8 3 IoT 시장확대 - 반도체산업성장견인 IoT 시대의 Memory Requirements - 공정미세화지속필요 11 3 DRAM 중장기 Tech Roadmap DRAM 공정미세화한계도달. 돌파구는없는가? 13 2 Transistor 미세공정한계돌파 : DPT QPT EUV EUV DPT 15 3 Capacitor A/R 한계돌파 (DRAM STT-RAM 구조변경 ) D Packaging with TSV 24 4 투자전략및 Top Picks 28 1 IoT 시대진입 - DRAM 미세화는지속된다! 반도체업종 Top Pick 및관심종목 29 5 반도체산업 Key Data 30 6 Company Briefs 38 1 삼성전자 39 메리츠종금증권리서치센터 3

4 I. Investments Summary 1. DRAM 중장기 Tech Roadmap 공정미세화는지속된다! IoT(Internet of Things) 시대본격진입으로글로벌반도체산업은 2017년매출액 3,795억달러 (CAGR +4%) 를기록하며지속적으로성장할전망이다. IoT 시대의시스템요구사항을충족시키기위해서는 DRAM의경우공정미세화가지속되어야만한다. 그러나, 현재사용되고있는 DRAM의미세화기술은 20nm 이하부터기술적한계에부딪히기때문에, 20nm 공정비중이 50% 를넘어설것으로예상되는 2016년이후미세화지속을위한새로운돌파구가필요하다. 공정미세화한계를넘기위한 Solution인 EUV 장비 의대량양산이빨라야 2018년하반기에나가능할것으로예상되나, 당사는 2016년이후부터해당시기까지 QPT와 STT-RAM 신규도입으로 DRAM의미세화가지속될것으로전망한다. 미세공정과는별도로, TSV를이용한새로운 Packaging기술이 DRAM에본격적으로적용되며시스템성능향상의요구사항을충족시킬전망이다. [ 그림 1] DRAM 중장기 Tech Roadmap by 메리츠종금증권 (nm) Key Challenges 3D Packaging with TSV 1) QPT 도입 20 2) STT-RAM로변경 EUV 도입 ) EUV Multi-pattering 2) Mask 소재변경 주 : Mass Production 기준자료 : ITRS, IMEC, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 4

5 2. 반도체업종 Top Pick 및관심종목 DRAM의중장기 Tech Roadmap에대한업종내 Top Pick으로삼성전자를, 관심종목으로덕산하이메탈, 솔브레인, 케이씨텍, 피에스케이, 디엔에프, 기가레인을제시한다. 삼성전자는 QPT, STT-RAM, TSV을신규도입함으로써 20nm이하에서도 DRAM의기술적경쟁우위를지속할전망이다. 덕산하이메탈은 TSV공정내 Solder Ball을공급함으로써기존 Wire Bonding 시장을대체하고, 솔브레인과케이씨텍은 TSV공정내 Wafer 연마를위한 CMP장비와 Slurry를공급할것으로예상한다. 피에스케이와디엔에프는각각 QPT용 Etch Back장비와소재를공급하며중장기적실적성장세를이어갈전망이다. 기가레인은향후 TSV용 DRIE 공급을통한반도체업체로의성장할가능성에주목한다. [ 표 1] Peer Group Valuation Table 매출액 영업이익 PER PBR EV/EBITDA ROE ( 단위 : 십억원, 배 ) 시가총액 13F 14F 13F 14F 13F 14F 13F 14F 13F 14F 13F 14F 삼성전자 219, , ,720 36,782 37, SK 하이닉스 27,449 14,165 15,743 3,380 4, 덕산하이메탈 케이씨텍 솔브레인 피에스케이 디엔에프 N/A N/A 21.7 기가레인 자료 : WiseFn, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 2] DRAM 중장기 Roadmap 수혜예상업체 QPT STT-RAM 삼성전자 SK 하이닉스 QPT 도입 20nm 이하 DRAM 경쟁우위지속 STT-RAM 원천기술업체 Grandis 인수 기술우위지속 TSV 이용한 HMC 양산 Server 시장확대수혜 TSV: 시스템 LSI 와 DRAM One-chip 화진행 STT-RAM Toshiba 와공동개발중 TSV 이용한 HBM 개발중 TSV 덕산하이메탈 TSV 용 Solder Ball 공급예상 기존 Wire Bonding 시장대체할것으로판단 케이씨텍솔브레인 TSV 용 CMP 장비및 CMP Slurry 공급예상 CMP 를이용한 Wafer 두께감소목적 피에스케이 Etch Back 장비개발 QPT 도입수혜 QPT 공정내 Etch Back 사용량 DPT 대비 2 배증가 QPT 디엔에프 삼성전자 DPT 소재납품으로 2xnm 공정비중증가수혜 향후 QPT 도입에따른실적증가세지속전망 QPT 공정내희생막소재사용량 DPT 대비 2 배증가 TSV 기가레인 DRIE 장비공급예상. TSV 공정내 Wafer Cu Hole 뚫는공정 해외경쟁사대비단가경쟁력우위. 고객사진입가능예상 메리츠종금증권리서치센터 5

6 II. IoT 시대의 Memory Requirements 1. IoT 시대진입 사람과사람을넘어기계와기계의연결로! IoT(Internet of Things) 시대가다가오고있다. IoT, 사물인터넷이란모든사물이인터넷과연결된다는의미이며, 여기서사물이란인간, 전자기기, 자동차, 자전거, 시계, 안경, 동식물, 문화재등의모든물리적객체를의미한다. 즉, IoT시대진입으로 PC를넘어스마트폰, 테블릿PC, 이후더욱더많은기기들이인터넷을통해연결되어갈것이다. 이렇게되면, 사람의개입이나입력없이도, 주변사물이자동으로정보를인지한후필요한것을제공하거나행동하게된다. 물이필요한때를화분스스로가인간에게인지시켜주고, TV를보다잠이들면자동으로전원이꺼지고, 베개가나의뇌파를측정해잠에서깨어나기전자동으로온수를준비시키는등상상이상의시대가올전망이다. [ 그림 3] Mobile 시대의 Cloud & Internet Devices [ 그림 4] IoT 시대의 Cloud & Internet Devices Municipal Command & Control Center Cloud & Services Factory Optimization Smart Grid Hospital Optimization Home Energy Mgmnt Traffic Fow Optimization Logistics Optivization Responsive Store Comms Network Optimizaion INTELLIGENT CITY INTELLIGENT FACTORY Intelligent Medical Devices Connected Ambulances INTELLIGENT HOSPITAL Intelligent Digital Signage INTELLIGENT HIGHWAY Automated Car System Traffic Cameras 메리츠종금증권리서치센터 6

7 [ 그림 5] IoT 시대 : 자동주행 [ 그림 6] IoT 시대 : Health Care 서비스 자료 : ARM, 메리츠종금증권리서치센터 자료 : Proteus, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 7] IoT 시대 : Smart Home [ 그림 8] IoT 시대 : Wearable Device 확대 자료 : the Economist Research, 메리츠종금증권리서치센터 자료 : 삼성전자, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 9] IoT 시대 : Smart Home Appliances [ 그림 10] IoT 시대 : 하이패스를통한스마트교통정보 메리츠종금증권리서치센터 7

8 2. IoT 시장, 연평균 +25% 이상증가전망시장조사기관인 Gartner는 PC/ 스마트폰 / 테블릿을제외한 IoT Device의개수가 2020년 260억개 (CAGR 35.8%) 로증가하고, 시장규모는총 3,090억달러에이를것으로전망하고있다. 또한 GSMA( 세계이동통신사업자협회 ) 는 2020년 240억대, Cisco( 미국, 네트워크장비업체 ) 는 2020년 501억개의 Device가 Internet에연결될것으로전망하고있다. [ 그림 11] IoT 시장전망 by Gartner 30 (bn units) E Connected PC, Smartphone, Tablet IoT 자료 : Gartner, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 12] IoT 시장전망 by Cisco 60 (bn units) '12 '13 '14E '15E '16E '17E '18E '19E '20E 자료 : Cisco, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 13] IoT 시장전망 by 삼성전자 mhealth market size ($B) POLICE convenience wellness Safety Smart healthca re CE Smart O ffice E 2017E IT Smart home Smart home US mar ket size ($B) Smart car E 2017E 자료 : 삼성전자, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 8

9 3. IoT 시장확대 - 반도체산업성장견인급증할것으로전망되는 Internet 연결 Device가사람의입력없이자동으로정보를인지하기위해서는반도체의탑재가필수적이다. 따라서 IoT 시대의급성장은향후반도체산업의지속적인성장을이끌것으로판단한다. 글로벌반도체산업은 2017년매출액 3,795억달러를기록하며연평균 4% 성장할전망이다. 제품별로는 Cloud Server 증설의수혜가예상되는 Flash Memory가연평균 7.5%, 주변정보를인식하기위해 IoT Device에탑재되는 Non-optical Sensor가 8.6%, 수집된정보분석을위한 Logic IC가 5.8% 로높은성장률을기록하면서반도체시장의성장을견인할전망이다. [ 그림 14] 반도체산업 연평균 +4%yoy 지속성장전망 Memory Microcomponent ASSP ASIC Logic IC Analog IC ( 십억달러 ) Discrete Optical Sensors Nonoptical Sensors E 2015E 2016E 2017E 자료 : Gartner, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 15] 반도체제품별성장률전망 9.0% 8.6% 8.0% 7.1% 7.0% 6.0% 5.8% 5.6% 5.0% 4.0% 3.0% 3.7% 2.4% 3.1% 3.0% 2.8% 2.0% 1.0% 0.0% Memory Micro component Logic IC Analog IC Discrete Optical Sensors Nonoptical Sensors ASIC ASSP 주 : 성장률 2013 년 ~ 2017 년의 CAGR 수치임자료 : Gartner, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 9

10 ` [ 표 2] 글로벌반도체시장전망 ( 단위 : 백만달러 ) E 2015E 2016E 2017E CAGR Total 299, , , , , , % General Purpose 189, , , , , , % Memory 55,681 70,079 75,601 72,776 78,077 84, % DRAM 26,200 35,578 37,920 32,460 33,050 35, % SRAM % Flash Memory(NAND, NOR) 26,798 32,097 35,381 38,013 42,648 45, % Other Memory 2,000 1,794 1,715 1,742 1,829 1, % Microcomponent 59,278 58,465 60,462 61,488 63,660 65, % Microprocessor, Embedded 3,922 3,965 4,208 4,416 4,652 4, % Microprocessor, Computer 39,946 38,492 39,219 40,150 41,455 42, % Microcontroller, 8/16/32-Bit 14,395 14,971 15,935 15,836 16,444 17, % Digital Signal Processor 1,015 1,037 1,100 1,086 1,109 1, % Logic IC 11,736 12,294 13,070 13,856 14,902 16, % FPGA/PLD 4,426 4,525 4,943 5,449 5,998 6, % Standard Logic 1,452 1,431 1,510 1,565 1,652 1, % Display Driver 5,598 6,108 6,384 6,621 7,033 7, % Analog IC 19,109 19,117 19,981 20,633 21,421 22, % Amplifier/Comparator 3,080 3,080 3,212 3,317 3,435 3, % Voltage Regulator/Reference 10,107 10,094 10,551 10,938 11,400 11, % Data Converter/Switch/Multiplexer 3,403 3,411 3,562 3,680 3,834 4, % Other Analog 2,519 2,531 2,656 2,698 2,752 2, % Discrete 18,517 17,680 18,541 19,087 19,749 20, % Diodes 5,194 5,116 5,394 5,577 5,809 6, % Transistors 12,478 11,715 12,252 12,596 13,000 13, % Other Discretes % Optical Sensors 24,790 25,681 27,847 30,169 33,268 36, % Optoelectronics 15,517 16,326 18,206 20,091 22,655 25, % Image Sensors, CCD 1,933 1,598 1,473 1,492 1,559 1, % Image Sensors, CMOS 7,340 7,757 8,168 8,586 9,054 9, % Nonoptical Sensors 5,766 6,386 7,261 8,149 8,936 9, % Application Specific 105, , , , , , % ASIC 21,320 20,598 22,603 24,607 25,935 27, % Data Processing 5,329 5,382 5,995 6,816 7,518 8, % Communications 7,115 6,700 7,443 8,099 8,676 9, % Consumer 5,520 5,225 5,642 5,932 5,817 5, % Automotive 1,454 1,519 1,605 1,674 1,758 1, % Industrial 1,310 1,198 1,307 1,446 1,512 1, % Military and Civil Aerospace % ASSP 83,716 85,090 87,063 90,919 94,011 97, % Data Processing 23,518 23,645 24,372 25,443 26,472 27, % Communications 38,703 39,936 40,771 43,157 44,804 46, % Consumer 12,241 11,919 11,881 11,850 11,981 12, % Automotive 6,462 6,723 7,080 7,342 7,491 7, % Industrial 2,792 2,867 2,959 3,127 3,263 3, % 자료 : Gartner, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 10

11 4. IoT 시대의 Memory Requirements 공정미세화지속필요본격성장이예상되는 IoT 시대의시스템요구사항을충족시키기위해서는 DRAM의공정미세화가지속되어야만한다. 특히메모리반도체의경우 Mobility 증가를위한속도향상, 더욱얇고가벼운제품양산을위한 Density 증가, 그리고 Battery 수명연장을위한저전력이요구되고있다.[ 그림 16참조 ] 따라서, 메모리반도체업체의당면과제는경쟁력향상을위한지속적인공정미세화이다. [ 그림 16] IoT 시대의 System 및 Memory Requirements System Requirements Memory Requirements Mobility Performance High Speed Thin & Light Devices High Density Longer Battery Life time Low Power 공정미세화가필요한이유는반도체에사용되는 Transistor의전력소모감소와동작속도 (Transistor Performance) 증가가가능해지기때문이다. 공정미세화가진행되면 1) 동작전압이낮아지고 2)Channel Length가줄어들게되는데, 1) 낮아진동작전압은전력소모를감소시키며 2) 줄어든 Channel Length는속도향상으로직결된다. [ 그림 17] DRAM 공정미세화 Memory Requirements 충족 1x 65nm 45nm 32nm 22nm 0.1x Server Desktop 0.01x Laptop Ultrabook 0.001x Tablet Pocket Device Higher Transistor Performance (High Speed) 자료 : Intel, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 11

12 [ 그림 18] DRAM 공정미세화 동작전압감소 전력소모감소 1 > 50% reduction Constant Performance nm Planar 45nm Planar 32nm Planar 22nm Tri-Gate 자료 : Intel, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 19] DRAM 동작모드 : 공정미세화 Channel Length(Source 와 Drain 거리 ) 감소 동작속도증가 Bit Line Capacitor Bit Line 공정미세화 Capacitor Gate Source e e e e e e e e e e Drain Source Gate e e e e e Drain Silicon Substrate Silicon Substrate 메리츠종금증권리서치센터 12

13 III. DRAM 중장기 Tech Roadmap 1. DRAM 공정미세화한계도달. 돌파구는없는가? 그러나, 현재사용되고있는 DRAM의미세화기술은 20nm 이하부터는기술적한계에부딪히게된다. 이는 1)Transistor의 Channel Length 감소와 2)Capacitor의 A/R(Aspect Ratio, Capacitor의세로 / 가로비율 ) 증가가한계에이를것으로판단되기때문이다. 따라서, 20nm 공정비중이 50% 를넘어설것으로예상되는 2016년이후 DRAM의공정미세화지속을위한새로운돌파구가필요하게된다. 사실 DRAM의미세화한계는과거 30nm에서도거론됐었지만, DPT(Double Patterning Technology) 및 High-K 소재의도입으로극복됐다. 따라서, 지금부터는 DRAM의미세화한계돌파를위한대안과당사가판단하는중장기 Roadmap에대해논하고자한다. [ 그림 20] DRAM Tech Node 추이및전망 : 20nm 이후돌파구는없는가? 45 (nm) DPT & High-K 도입으로한계돌파 자료 : ITRS, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 21] DRAM Sub-20nm 공정이슈 : 1)Transistor Limit & 2)Capacitor A/R Limit Bit Line Sub 20nm Process Capacitor A/R Limit Bit Line Capacitor Capacitor Bit Line Capacitor Gate Gate Transistor Tech Limit Gate Source Drain Source Drain Source Drain Silicon Substrate Silicon Substrate Silicon Substrate 메리츠종금증권리서치센터 13

14 20nm이하의 DRAM 공정은 1)QPT(Quadruple Patterning Technology) 또는 EUV(Extreme Ultra Violet) 장비도입, 2)STT-RAM 등의 New Memory 도입, 3)TSV를이용한 3D Packaging 도입등의방향으로기술개발이지속되고있은것으로파악된다. 참고로, Transistor의구조를바꾼 FinFET은 DRAM에적용하기어려울것으로판단한다. FinFET은삼성전자와 TSMC가 20nm 이하의비메모리반도체양산을위해도입하였지만, 공정단가가높기때문에판가가낮은 DRAM에사용될경우원가부담의이슈가발생하기때문이다. [ 그림 22] DRAM: 20nm Tech Limit 을넘어 (nm) ) QPT or EUV 도입 2 ) New Memory(STT-RAM) 도입 3) 3D Packaging with TSV [ 그림 23] Logic 반도체 : 현재까지 Moore s Law 적용가능 nm ('07) Path Finding 32nm ('10) GL HK/MG 3D-TR Buffer Layer Si Substrate Alternative Channel 2Xnm ('12) > 50% reduction Tunnel FET 2Ynm ('13) 1Xnm ('13~'14) 3D-TR SiGe Fin 1Ynm ('15) Graphene FET < 1Ynm ('17) 자료 : 삼성전자, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 14

15 2. Transistor 미세공정한계돌파 : DPT QPT EUV EUV DPT DRAM 미세화공정내 1)Transistor의 Channel Length 감소의한계를넘기위한 Solution으로 EUV 장비 의도입이있다. EUV는극자외선을이용한노광기술로, 미국반도체컨소시엄인 SEMATECH과유럽반도체컨소시엄인 IMEC에서공동개발중이다. 현재 EUV 장비 의 Hardware 성능은기존 ArF Immersion 장비 수준에근접해있으며, 연구개발차원에서는이미 14nm의미세패턴구현도성공했다.[ 그림24 참조 ] 그러나, EUV 장비내 Source의 Power 부족 과 노광시 Mask 결함 이슈가여전히존재하여, 실질적인대량양산은빨라도 2018년하반기에나가능할전망이다.[ 그림26 참조 ] [ 그림 24] ASML: EUV장비 (NXE3300) 이용한 14nm 미세패턴구현성공 Dipole30, Chemically Amplified Resist (CAR) Dipole45, Inpria Resist Quasar30 (CAR) Large Annular (CAR) 자료 : ASML, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 25] ASML ArF Immersion 장비 Throughput 추이및 EUV 장비개발 Schedule Immersion 230WPH 250WPH 190WPH 126WPH EUV 81WPH 58WPH 33WPH E 2015E 2016E 자료 : ASML, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 26] EUV Timelines 빨라야 2018 년하반기 Mass Production 가능할전망 Foundry Suppliers Fabs Demo Tool Start Memory High Volume Manufacturing Logic Year Signals 1) Litho Timelines Published 2) Consortia/Semi Activities 3) Customer Announcements Pilot Lines Synchronized Transition 자료 : ASML( Updated), 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 15

16 EUV 장비의도입지연으로인해 2016년부터 2018년까지 3년간 DRAM 공정미세화의공백이발생하게되는데, 당사는해당기간 QPT(Quadruple Patterning Technology) 기술의도입으로 Sub-20nm(under 20nm) 양산이진행될것으로예상한다. QPT는현재 2xnm DRAM 공정에서사용되고있는 SaDPT(Self-Aligned Double Patterning Technology) 기술이반복되는공정으로, SaDPT 대비 1)Hardmask 증착과 2)Etch Back, 그리고 3)Hardmask Etching 공정이 1회씩추가된다.[ 그림28 참조 ] [ 그림 27] DRAM Transistor 의 Channel Length 감소중장기 Roadmap 45 (nm) DRAM Transistor Tech Limit 돌파 QPT 도입 EUV 도입 EUV Multi-pattering DPT &High-K 도입으로한계돌파 [ 그림 28] SaDPT vs. SaQPT 공정흐름도분석 DPT Process PR Litho 1st HM Etch DPT 소재 Depo Etch Back 2nd HM Etch Photo Resist Hardmask 1 Hardmask 1 Hardmask 2 Hardmask 2 Hardmask 2 Hardmask 2 Hardmask 2 QPT Process PR Litho 1st HM Etch DPT 소재 Depo Etch Back 2nd HM Etch Photo Resist Hardmask 1 Hardmask 1 Hardmask 2 Hardmask 2 Hardmask 2 Hardmask 2 Hardmask 2 Hardmask 3 Hardmask 3 Hardmask 3 Hardmask 3 Hardmask 3 Hardmask 3 3rd HM Etch Etch Back Hardmask 3 Hardmask 3 메리츠종금증권리서치센터 16

17 QPT 도입의 Bottleneck은기존 DPT 대비늘어난공정 Steps에따른원가 (Cost/Wafer) 부담이다. 현재 Mask의 Layout Design 효율화와장비의 Throughput 개선등을통해지속적으로감소하고있기때문에, 2016년이후 20nm 이하의 DRAM 양산에충분히적용가능할것으로판단한다. QPT의 Cost/Gate는 DPT 대비최근 15% 수준내외까지감소한것으로파악된다. [ 그림 29] QPT(= Double Spacer) 원가분석 < 20 nm HP < 10 nm HP QPT DPT Strip Clean Etch Defect Inspection Metrology Develop Expose Coat CVD ArF-imm EUVL Single Spacer 4000wpd Double Spacer 4000wpd Single Spacer 250wpd Single Spacer 1000wpd Single Spacer 1500wpd 주 : WPD(Wafer Per Day) 자료 : Nikon, 메리츠종금증권리서치센터 QPT 도입에따른수혜업체로삼성전자, 피에스케이, 디엔에프를제시한다. 삼성전자는 QPT 도입을통해 20nm이하에서도 DRAM의경쟁우위를지속할전망이다. 피에스케이는와디엔에프는각각 QPT용 Etch Back장비와소재를공급하며중장기적실적성장세를이어갈전망이다. [ 그림 30] QPT 수혜업체 : 삼성전자, 피에스케이, 디엔에프 삼성전자 QPT 도입 20nm 이하 DRAM 경쟁우위지속 피에스케이 Etch Back 장비개발 QPT 도입수혜 QPT 공정내 Etch Back 사용량 DPT 대비 2 배증가 디엔에프 삼성전자 DPT 소재납품으로 2xnm 공정비중증가수혜 향후 QPT 도입에따른실적증가세지속전망 QPT 공정내희생막소재사용량 DPT 대비 2 배증가 메리츠종금증권리서치센터 17

18 3. Capacitor A/R 한계돌파 (DRAM STT-RAM 구조변경 ) DRAM 미세화공정내 Capacitor A/R(Aspect Ratio) 증가의한계를넘기위한 Solution 으로 New Memory 도입이검토되고있는것으로파악된다. New Memory에는 STT- RAM(Spin Torque Transfer RAM), PCRAM(Phase Change RAM), ReRAM (Resistive RAM) 등이있는데, 이중 STT-RAM이 DRAM을대체할수있을것으로판단한다. 참고로, PCRAM과 ReRAM은 NAND Flash의대체제로거론되고있으나, 기술적이슈들이산재하고있어단기간내양산이어려울것으로판단한다. [ 그림 31] New Memory 종류별특성분석 High Speed STT-RAM DRAM 과동일한 CMOS 공정사용 1 Cell = 1 Transistor + 1 MTJ(Magnetic Tunnel Junction) 비휘발성메모리로 DRAM 대비전력소모적고고속동작함 MTJ 는 10nm 이하공정제조가능하여 DRAM 의 Capacitor 대체가능 PCRAM 비휘발성메모리로 NAND 대비원가및신뢰성우수 DRAM 과 NAND 의성능의중간위치에 Positioning 됨 기존메모리대체보다는 System 성능향상을위해사용가능성존재 ReRAM DRAM 과동일한 CMOS 공정사용 NAND Flash 대체가능성존재하나, 정확한동작 Mechanism 알려지지않았기때문에양산시기미정 High Density [ 그림 32] Memory in Computing Hierarchy [ 그림 33] New Memory 비교분석 Increasing Speed & Endurance CPU Read Speed Write Speed SRAM STT - MRAM SRAM STT-MRAM DRAM NAND PCRAM Endurance Cost HDD ReRAM PRAM DRAM NAND Increasing Density (Decreasing Cost) Retention Power 자료 : SK 하이닉스, 메리츠종금증권리서치센터 자료 : 업계, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 18

19 STT-RAM이 DRAM을대체할것으로판단하는첫번째이유는, 기존 DRAM과동일한공정을사용하여 Fab 전환에용이하기때문이다. STT-RAM의 Cell 구조는 1개의 Transistor와 1개의 MTJ(Magnetic Tunneling Junction) 로구성되어있으며, 이는 1개의 Transistor와 1개의 Capacitor로구성된 DRAM과비슷하다. 다시말해, STT-RAM은 Capacitor를 MTJ로변경하는것을제외하면 DRAM과그구조가동일하며, 제조역시 DRAM의 CMOS공정을사용하기때문에 DRAM STT-RAM의 Fab전환 이용이하다. STT-RAM이 DRAM을대체할것으로판단하는두번째이유는, Capacitor 대신 MTJ를사용되기때문에높아지고있는 DRAM Capacitor의 A/R(Aspect Ratio, 세로 / 가로비율 ) 이슈에서벗어날수있기때문이다. [ 그림 34] 에서확인할수있는것처럼, 공정미세화진행시 Capacitor의 A/R이증가하게되는데, 20nm 이하의공정에서는그수치가 100 에근접하게되어양산이불가능하다. 해결방안이바로 MTJ가될것이라는판단이다. [ 그림 34] DRAM Capacitor의 A/R: 20nm 이하공정에서양산한계 5A ~3A 100 Tox 11A 9A 8A 7A A/R Tech node (nm) 20 0 [ 그림 35] DRAM Capacitor: 20nm 이하제조어려울전 [ 그림 36] STT-RAM MTJ: 10nm 이하제조가능예상 Bit Line sub-20nm Capacitor A/R Limit Capacitor MTJ 10nm 이하제조가능 Bit Line MTJ Gate Gate Source Drain Source Drain Silicon Substrate Silicon Substrate 메리츠종금증권리서치센터 19

20 [ 그림 37] DRAM 3xnm 공정 Capacitor 의 A/R = 25 [ 그림 38] Dubai Burj Khalifa 의 A/R = 6 자료 : SK 하이닉스, 메리츠종금증권리서치센터 자료 : SK 하이닉스, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 39] STT-RAM 의 MTJ 동작 : Stage = 1 [ 그림 40] STT-RAM 의 MTJ 동작 : Stage =0 BL 1T HDD MTJ MTJ SL WL WL 3F 3F STT-RAM unit cell: 3F x 2F = 6F² Capacity (bits) 100G Data Storage NAND 10G DRAM 1G STT-RAM NOR PRAM 100M Working Memory Code Storage SRAM 10M MRAM RRAM 1M FeRAM Write Cycle Time(ns) 자료 : 업계, 메리츠종금증권리서치센터 자료 : 업계, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 41] STT-RAM 의 MTJ 동작 : Stage = 1 [ 그림 42] STT-RAM 의 MTJ 동작 : Stage =0 Parallel spin state (Low resistance) Anti-parallel spin state (High Resistance) Top Electrode Top Electrode Stage = "1" Ferromognetic (Free Loyer) Stage = "0" Ferromognetic (Free Loyer) Tunnel borrier (MgO) Tunnel borrier (MgO) Current Sensing m Ferromognetic (Pinned Loyer) Current Sensing m Ferromognetic (Pinned Loyer) Bottom Electrode Bottom Electrode 자료 : SK 하이닉스, 메리츠종금증권리서치센터 자료 : SK 하이닉스, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 20

21 STT-RAM의본격양산시 Tech node는 1xnm, 시점은 2018년전 / 후가될것으로예상한다. 현재 STT-RAM의 DRAM 대비의뛰어난성능에도불구하고 Cost/Gb가높기때문에 DRAM을대체하기위한원가개선이선행되어야한다. 당사는수율개선이예상되는 2018년을전 / 후로하여본격적으로양산이시작될것으로예상한다. STT-RAM의원천기술을보유하고있는 Grandis는 STT-RAM의 Tech Node가 2013년 32nm에서 2016년 18nm, 2020년에는 10nm까지개발될것으로전망하고있으며, 유럽최대나노및반도체기술연구소인 IMEC 은 2017~2018년 STT-RAM의양산을예상하고있다.[ 표 3 및표 4 참조 ] [ 그림 43] 주요 Memory 제품원가비교 DRAM NAND STT-RAM ReRAM PCRAM 자료 : 업계, 메리츠종금증권리서치센터 [ 표 3] DRAM 2017년 STT-RAM으로대체전망 Year of Production Dram 1/2 pitch (nm) Flash 1/2 pitch (nm) STT-RAM node (nm) Cell size (F2) STT-RAM Application DRAM DRAM DRAM DRAM 자료 : Grandis, 메리츠종금증권리서치센터 [ 표 4] 2017년이후 DRAM STT-RAM으로구조변경예상 Early production 2011~ ~ ~ ~ ~ DRAM 38-32nm 32-28nm 26-22nm 18-15nm 12-10nm Memory MIMEOT 0.6 MIMEOT 0.4 MIMEOT 0.3 STT-RAM STT-RAM Density 2Gb 4Gb 8Gb 8Gb 16Gb Array 6F 2 6F 2 6F 2 6F 2 6F 2 Gate Poly/SiO₂ HKMG HKMG HKMG HKMG Vdd(V) 자료 : IMEC, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 21

22 삼성전자는 2011년 STT-RAM의원천기술을보유한 Grandis를인수 ( 직원및 200여개특허포함 ) 했으며, 2013년에는전세계대학으로부터 STT-RAM의요소기술개발을위탁하는 SGMI(Samsung Global MRAM Innovation) 프로그램을운용하며적극적인행보를보이고있다. Grandis는 2002년에설립된회사로미국캘리포니아에위치해있으며, 인수후삼성전자의 R&D 파트에서차세대메모리를개발중에있는것으로파악된다. SK하이닉스는 Toshiba와특허 Cross Licensing을체결하며공동개발중에있다. [ 표 5] 삼성전자 SGMI Research Themes & Subjects: MTJ 개발에집중됨 ( 총 32개 Item 중 53% 차지 ) Research Category Research Title No. I. Magnetic Materials for MTJ 1. High ipma High Hex SAF Structure Bulk PMA Material for Low Switching Current Magnetostriction & Mechanical Stress Effect 1.5 II. MTJ Integration & MgO 1. MgO Crystallinity & Interface Epitaxy Damage-free MTJ Etch Etch Residue Removal (Cleaning) Post Treatment & Encapsulation 2.4 III. MTJ Characteristics 1. high TMR 3.1 (Read/Write & reliability) 2. Low Switching Current MTJ Write Error Rate MTJ Thermal Stability MTJ Switching Back (Back Hopping) MTJ Endurance 3.6 IV. MTJ Analysis (Modeling) 1. Micro Magnetic Simulator Material Development Simulator 4.2 V. Packaging 1. Magnetic Shielding 5.1 VI. Transistor 1. Straing Engineering Gate Wrok Function Engineering 6.2 VII. Circuit Design 1. Resistive Memory Architecture Read Sensing Circuits Write programming Circuits Design for Test Redundancy and ECC 7.5 VIII. Application (H/W, S/W) 1. H/W and S/W Techniques to Hide Weaknesses of STT-MRAM Techniques to Protect STT-MRAM Systems against Attacks and Power Failures Novel Applications on STT-MRAM Systems Exploiting New Design Trade-offs 8.4 IX. Emerging Technology 1. Materials and Designs Exploiting Spin-Orbit Effects for Memory Switching Materials and Designs Exploiting Voltage-Controlled Anisotropy for Memory Switching MLC and 3D STT-MRAM Technology 9.3 자료 : 삼성전자, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 22

23 [ 그림 44] 스마트폰구조 : NOR, PSRAM, LPDDR 사용 Image Sensor FRAME BUFFER Media Processor [ARM] LCD Display RF Baseband/ Modem [Memory Ctrl] Application Processor [Memory Ctrl] Audio/Video/ TV out MMC/SD NOR PSRAM NOR LP-DDR NAND SLC/MLC MCP 자료 : Grandis, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 45] STT-RAM 으로인한스마트폰구조변화예상도 Image Sensor On-Chip STT-RAM Media processor [ARM] LCD Display RF Baseband/ Modem [Memory Cntrl] Application Processor [Memory Cntrl] Audio/Video/ TV out MMC/SD STT-RAM STT-RAM NAND SLC/MLC 자료 : Grandis, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 23

24 4. 3D Packaging with TSV 2015년 TSV(Through Silicon Via) 를이용한 DRAM의신규 Packaging 양산이본격화될전망이다. 이는 DRAM의공정미세화와는별도의 Roadmap 으로서, IoT Device의성능향상과전력소모감소를목적으로한다. TSV는 Silicon Wafer에 10um 두께의구멍을뚫은후, Cu를채워넣어여러 Wafer를전기적으로연결시키는기술이다. 기존 Wire Bonding을이용한 Packaging 방식을 TSV로변경하게되면, [ 그림 50] 에서확인할수있는것처럼최종 Packaging의사이즈가 -35% 감소할뿐만아니라, 전력소모또한 -50% 감소하며, 반도체동작속도 (Bandwidth) 는 8배로증가할것으로예상된다. [ 그림 46] Wire Bonding 을이용한 DRAM 적층구조 [ 그림 47] TSV 를이용한 DRAM 적층구조 [ 그림 48] Wire bonding + Flip Chip 조합의구조 [ 그림 49] TSV 이용한 DRAM 적층 자료 : 업계, 메리츠종금증권리서치센터 자료 : SK 하이닉스, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 24

25 [ 그림 50] 3D TSV: PoP 대비사이즈 -35% 감소, 전력소모 -50% 감소, 동작속도 8 배향상 35% 50% 8 x POP Package Size Power Consumption Bandwidth 3D TSV Conventional PoP Solution (Package-on-Package) Conventional PoP Solution (Package-on-Package) 자료 : 삼성전자, 메리츠종금증권리서치센터 삼성전자는 TSV 기술을이용한 HMC(Hyper Memory Cube) 를개발중에있으며, 2015년 Server DRAM을시작으로향후 PC 및스마트폰용 DRAM의 Packaging 방식으로확대시킬것으로예상한다. HMC는 DRAM Single Chip을 4개에서 8개를적층한제품으로그동안 CPU 대비뒤쳐져있던속도가개선되면서 Server System의성능을한단계끌어올릴수있다. [ 그림 51] TSV 를적용한 3D Main Memory 구조 [ 그림 52] HMC 구조및성능분석 Energy(pJ/bit) Current DRAM Power Trend Current DRAM Performance Trend HMC Performance HMC Power Bandwidth (GB/s) 자료 : Micron, 메리츠종금증권리서치센터 자료 : 삼성전자, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 25

26 [ 그림 53] TSV Chip Wafer 전망 : 2015 년 3D Wide I/O Memory 본격양산예상 10,000,000 8,000,000 3D Wide IO Memory 3D Stacked DRAM 3D Stacked NAND Flash 6,000,000 4,000, ,000 Logic 3D SiP / SoC MEMS / Sensors LED RF, Power, Analog & Mixed signal Imaging & Optoelectronics '10 '11 '12 '13 '14 '15 '16 '17 자료 : Yole, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 54] 2.5D/3D Packaging Roadmap > 2020 자료 : Yole, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 26

27 TSV 수혜업체로삼성전자, 덕산하이메탈, 케이씨텍, 솔브레인, 기가레인을제시한다. 삼성전자는 HMC 양산으로 Server 시장확대의수혜를예상한다. 덕산하이메탈은 TSV 를이용한 Wafer적층시에사용되는 Solder Ball을공급하며기존 Wire Bonding 시장의 Value를흡수할전망이며, 케이씨텍과솔브레인은 TSV공정내 Wafer를연마하기위한 CMP장비와 CMP Slurry를공급할것으로전망한다. [ 그림 55] TSV 수혜업체 : 덕산하이메탈, 케이씨텍, 솔브레인, 기가레인 삼성전자 TSV 이용한 HMC 개발로 Server 시장확대수혜예상 시스템 LSI 와 DRAM One-chip Solution 으로경쟁우위지속전망 덕산하이메탈 TSV 용 Solder Ball 공급예상 기존 Wire Bonding 시장대체할것으로판단 케이씨텍솔브레인 TSV 용 CMP 장비및 CMP Slurry 공급예상 CMP 를이용한 Wafer 두께감소목적 기가레인 DRIE 장비공급예상. Wafer Cu Hole 뚫는공정 해외경쟁사대비단가경쟁력우위. 고객사진입가능예상 TSV 공정은완성된 Wafer의표면을 DRIE(Deep Reactive Ion Etcher) 장비를이용하여구멍을뚫고, CVD장비를이용하여 Oxide와 Cu를증착시킨후, 마지막으로 Bumping과 Solder Ball을이용하여여러개의 Wafer를적층한다. [ 그림 56] TSV 공정흐름도분석 FAB Wafer Process Post FAB Wafer Process Assembly & Packaging underfil (1) FEOL (5) (9) Back grinding (2) CoW(chip-on-wafer) TSV Formation (6) (10) (3) Passivation BEOL Wafer Level Mold (4) C4 Bump (7) (11) C4 Bump Formation TSV Expossure Glass Detach & Sawing Carrier Glass μ- pad (5) Glue (8) (12) Glass Carrier Attach μ- pad Flip Chip 메리츠종금증권리서치센터 27

28 IV. 투자전략및 Top Picks 1. IoT 시대진입 DRAM 미세화는지속된다! IoT(Internet of Things) 시대본격진입으로 Internet 연결 Device 의수가 2020년까지 CAGR 25% 이상급증하고, 글로벌반도체산업은 2017년매출액 3,795억달러 (CAGR +4%) 를기록하며지속적으로성장할전망이다. IoT 시대의시스템요구사항을충족시키기위해서는 DRAM의경우공정미세화가지속되어야만한다. 그러나현재사용되고있는 DRAM의미세화기술은 20nm 이하부터기술적한계에부딪히기때문에, 20nm 공정비중이 50% 를넘어설것으로예상되는 2016년이후미세화지속을위한새로운돌파구가필요하다. 미세화의기술적한계는 1)Transistor의 Channel Length 감소와 2)Capacitor의 A/R (Aspect Ratio, 세로 / 가로비율 ) 증가이다. 1)Transistor의 Channel Length 감소의한계를넘기위한 Solution으로 EUV 장비 의도입이시도중이나, 대량양산은 2018년하반기에나가능할전망이다. 따라서 DRAM 공정미세화의공백이발생하는 2016년이후 QPT(Quadruple Patterning Technology) 를도입하여 20nm 이하제품의양산을진행할것으로예상한다. 2017년부터는 STT-RAM이 DRAM을대체할수있을것으로판단한다. STT-RAM은기존 DRAM과동일한공정을사용하여 DRAM STT-RAM의 Fab 전환 이용이할뿐만아니라, Capacitor 대신 MTJ를사용하기때문에높아지고있는 2)Capacitor의 A/R 증가이슈에서자유롭다. 2015년 TSV(Through Silicon Via) 를이용한새로운 Packaging기술이 DRAM에본격적으로적용될전망이다. Packaging 방식을 TSV로변경하게되면, 기존대비사이즈와전력소모가각각 -33% 와 -50% 감소하며, 동작속도 (Bandwidth) 는 8배로증가한다. [ 그림 57] DRAM 중장기 Tech Roadmap by 메리츠종금증권 (nm) Key Challenges 3D Packaging with TSV 1) QPT 도입 20 2) STT-RAM로변경 EUV 도입 ) EUV Multi-pattering 2) Mask 소재변경 주 : Mass Production 기준자료 : ITRS, IMEC, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 28

29 2. 반도체업종 Top Pick 및관심종목 DRAM의중장기 Tech Roadmap에대한업종내 Top Pick으로삼성전자를, 관심종목으로덕산하이메탈, 솔브레인, 케이씨텍, 피에스케이, 디엔에프, 기가레인을제시한다. QPT 도입에따른수혜업체로삼성전자, 피에스케이, 디엔에프가있다. 삼성전자는 QPT 도입을통해 20nm이하에서도 DRAM의경쟁우위를지속할전망이며, 피에스케이와디엔에프는 Etch Back장비와 QPT소재를공급하며실적성장세를이어갈전망이다. STT-RAM 관련업체로는삼성전자가있다. 삼성전자는 2011년 STT-RAM의원천기술을보유한 Grandis를인수했으며, 2013년에는전세계대학으로부터요소기술개발을위탁하는 SGMI 프로그램을운용하며적극적인행보를보이고있다. TSV 수혜업체로삼성전자, 덕산하이메탈, 케이씨텍, 솔브레인, 기가레인이있다. 삼성전자는 HMC 양산으로 Server 시장확대의수혜를예상한다. 덕산하이메탈은 TSV공정내 Solder Ball 공급함으로써기존 Wire Bonding 시장을대체할전망이며, 케이씨텍과솔브레인은 TSV공정내 Wafer를연마를위한 CMP장비와 Slurry를공급할전망이다. [ 그림 58] DRAM 중장기 Roadmap 수혜예상업체 QPT STT-RAM 삼성전자 SK 하이닉스 QPT 도입 20nm 이하 DRAM 경쟁우위지속 STT-RAM 원천기술업체 Grandis 인수 기술우위지속 TSV 이용한 HMC 양산 Server 시장확대수혜 TSV: 시스템 LSI 와 DRAM One-chip 화진행 STT-RAM Toshiba 와공동개발중 TSV 이용한 HBM 개발중 TSV 덕산하이메탈 TSV 용 Solder Ball 공급예상 기존 Wire Bonding 시장대체할것으로판단 케이씨텍솔브레인 TSV 용 CMP 장비및 CMP Slurry 공급예상 CMP 를이용한 Wafer 두께감소목적 피에스케이 Etch Back 장비개발 QPT 도입수혜 QPT 공정내 Etch Back 사용량 DPT 대비 2 배증가 QPT 디엔에프 삼성전자 DPT 소재납품으로 2xnm 공정비중증가수혜 향후 QPT 도입에따른실적증가세지속전망 QPT 공정내희생막소재사용량 DPT 대비 2 배증가 TSV 기가레인 DRIE 장비공급예상. TSV 공정내 Wafer Cu Hole 뚫는공정 해외경쟁사대비단가경쟁력우위. 고객사진입가능예상 메리츠종금증권리서치센터 29

30 V. 반도체산업 Key Data [ 표 6] 주요 Set제품출하량추이및전망 ( 단위 : 십억개 ) 1Q13 2Q13 3Q13 4Q13 1Q14E 2Q14E 3Q14E 4Q14E E Shipments Mobile Phone ,713 1,780 1,900 Smart Phone ,163 Feature Phone , Tablet PC Desktop PC Note PC Server LCD/OLED TV MNT %QoQ/%YoY Mobile Phone -10% 2% 5% 3% -4% 3% 5% 4% 0% 4% 7% Smart Phone -1% 9% 9% 6% -3% 7% 9% 6% 43% 38% 20% Feature Phone -17% -6% 0% -1% -5% -2% -2% 1% -17% -20% -9% Tablet PC -20% -8% 7% 28% -19% 24% 8% 22% 90% 39% 28% Desktop PC -7% -2% 6% -4% -8% -2% 6% -2% -4% -8% -8% Note PC -15% -1% 9% -5% -9% -1% 2% -1% -4% -13% -9% Server -7% 6% 2% 5% -6% 4% 1% 5% 2% 3% 5% LCD/OLED TV -31% 2% 12% 21% -30% 5% 15% 24% -1% 0% 1% MNT -7% -1% -5% -8% -2% 4% -3% -11% -12% -10% [ 표 7] 주요 Set제품매출액추이및전망 ( 단위 : 십억개 ) 1Q13 2Q13 3Q13 4Q13 1Q14E 2Q14E 3Q14E 4Q14E E Revenue Total Mobile Phone Smart Phone Feature Phone Tablet PC Desktop PC Note PC LCD/OLED TV MNT %QoQ/%YoY Total -15% -2% -4% 1% -10% 2% 6% 6% 4% -2% -3% Mobile Phone -11% 2% -14% 0% -5% 1% 5% 3% 8% 7% -1% Smart Phone -11% 2% 3% 1% -4% 2% 6% 4% 35% 18% 4% Feature Phone -22% -10% -9% -9% -11% -5% -7% -2% -37% -36% -29% Tablet PC -18% -18% 5% 22% -18% 15% 3% 16% 55% 13% 8% Desktop PC -3% -6% 1% -8% -5% -3% 7% -3% -7% -11% -12% Note PC -15% -4% 7% -7% -7% -3% 2% -2% -6% -15% -12% LCD/OLED TV -33% 3% 11% 13% -29% 4% 16% 25% -2% -10% -1% MNT -10% 5% -5% -12% 1% 1% 7% -5% -8% -10% -7% 메리츠종금증권리서치센터 30

31 [ 표 8] DRAM Supply/Demand ( 단위 : 백만장 / 월, 12인치 Eq.; 백만개, 1Gb Eq.) 1Q13 2Q13 3Q13 4Q13 1Q14E 2Q14E 3Q14E 4Q14E E Oversupply Ratio 1.8% 2.2% -1.1% % 3.0% 3.9% 2.1% 8.0% 0.3% 3.0% DRAM Supply 8,553 9,153 9,746 9,759 10,687 11,361 12,183 12,713 29,403 37,212 46,943 Wafer Input DRAM Demand 8,405 8,958 9,851 9,899 10,362 11,035 11,721 12,451 27,223 37,113 45,569 DRAM Supply 8,553 9,153 9,746 9,759 10,687 11,361 12,183 12,713 29,403 37,212 46,943 Samsung 2,763 2,912 3,326 3,858 3,704 4,037 4,279 4,622 10,337 12,860 16,642 SK Hynix 2,338 2,798 2,742 2,375 2,850 3,135 3,291 3,752 7,636 10,254 13,028 Micron Group 2,388 2,718 2,908 2,640 2,772 2,978 3,112 3,298 7,626 10,655 12,160 Nanya ,185 1,293 1,303 Powerchip Winbond DRAM Demand 8,405 8,958 9,851 9,899 10,362 11,035 11,721 12,451 27,223 37,113 45,569 Server 1,125 1,304 1,348 1,537 1,565 1,655 1,724 1,898 3,632 5,314 6,843 Desktop PC 1,153 1,166 1,118 1,149 1,111 1,137 1,227 1,227 4,751 4,586 4,702 Note PC 1,538 1,575 1,552 1,571 1,509 1,561 1,621 1,637 6,889 6,235 6,329 Mobile Phone 1,300 1,550 1,688 1,815 1,967 2,286 2,648 3,058 3,826 6,353 9,960 Tablet PC ,498 2,842 LCD/OLED TV ,038 1,427 1,904 Memory Module ,923 2,277 3,144 Graphic Card B/G(%QoQ/%YoY) DRAM Supply 6% 7% 6% 0% 10% 6% 7% 4% 29% 27% 26% Samsung -5% 5% 14% 16% -4% 9% 6% 8% 27% 24% 29% SK Hynix 3% 20% -2% -13% 20% 10% 5% 14% 52% 34% 27% Micron Group 14% 14% 7% -9% 5% 7% 4% 6% 12% 40% 14% Nanya -33% -7% -2% -19% 15% 7% 1% 1% 25% -41% 1% Powerchip -60% 50% 107% -6% -3% 2% 2% 1% 109% -33% 36% Winbond 1% 15% -1% 1% 1% 1% 1% 1% -10% 6% 8% DRAM Demand 9% 7% 10% 0% 5% 6% 6% 6% 31% 36% 23% Server -3% 16% 3% 14% 2% 6% 4% 10% 35% 46% 29% Desktop PC -4% 1% -4% 3% -3% 2% 8% 0% 15% -3% 3% Note PC -12% 2% -1% 1% -4% 3% 4% 1% 16% -9% 2% Mobile Phone 0% 19% 9% 8% 8% 16% 16% 15% 69% 66% 57% Tablet PC -7% 5% 21% 43% -10% 35% 17% 31% 132% 116% 90% LCD/OLED TV -24% 11% 21% 30% -25% 12% 22% 32% 31% 37% 33% Memory Module 11% 28% -22% 12% 20% 9% 6% 9% 13% 18% 38% Graphic Card 0% 5% 16% 10% -9% 4% 20% 2% 8% 18% 21% 자료 : DRAMeXchange, Gartner, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 31

32 [ 표 9] DRAM 수요분석 Summary ( 단위 : 백만개, 1Gb Eq.) 1Q13 2Q13 3Q13 4Q13 1Q14E 2Q14E 3Q14E 4Q14E E DRAM Demand 8,405 8,958 9,851 9,99 10,362 11,035 11,721 12,451 27,223 37,113 45,569 Server 1,125 1,304 1,348 1,537 1,565 1,655 1,724 1,898 3,632 5,314 6,843 Desktop PC 1,153 1,166 1,118 1,149 1,111 1,137 1,227 1,227 4,751 4,586 4,702 Note PC 1,538 1,575 1,552 1,571 1,509 1,561 1,621 1,637 6,889 6,235 6,329 Mobile Phone 1,300 1,550 1,688 1,815 1,967 2,286 2,648 3,058 3,826 6,353 9,960 Tablet PC ,498 2,842 LCD/OLED TV ,038 1,427 1,904 Memory Module ,923 2,277 3,144 Graphic Card %YoY 39% 36% 43% 29% 23% 23% 19% 26% 31% 36% 23% Server 36% 56% 66% 33% 39% 27% 28% 23% 35% 46% 29% Desktop PC -4% 0% -6% -4% -4% -2% 10% 7% 15% -3% 3% Note PC -8% -6% -13% -10% -2% -1% 4% 4% 16% -9% 2% Mobile Phone 83% 89% 69% 40% 51% 48% 57% 68% 69% 66% 57% Tablet PC 236% 141% 125% 68% 63% 109% 102% 85% 132% 116% 90% LCD/OLED TV 43% 42% 38% 31% 30% 32% 34% 36% 31% 37% 33% Memory Module 16% 11% 25% 24% 34% 15% 56% 52% 13% 18% 38% Graphic Card 8% 4% 25% 34% 23% 22% 25% 17% 8% 18% 21% DRAM GB/System Server Desktop PC Note PC Mobile Phone Tablet PC LCD/OLED TV %YoY Server 37% 50% 63% 25% 30% 21% 23% 19% 33% 42% 23% Desktop PC 9% 11% -2% 4% 5% 6% 20% 14% 20% 5% 11% Note PC 8% 8% -3% 3% 5% 6% 20% 15% 21% 3% 11% Mobile Phone 73% 78% 60% 42% 44% 38% 47% 56% 69% 60% 47% Tablet PC 45% 54% 66% 68% 60% 52% 46% 40% 22% 56% 49% LCD/OLED TV 38% 37% 37% 37% 34% 32% 31% 29% 32% 37% 32% Set Demand Server Desktop PC Note PC Mobile Phone ,713 1,780 1,900 Tablet PC LCD/OLED TV %YoY Server -1% 4% 2% 6% 7% 5% 4% 4% 2% 3% 5% Desktop PC -12% -9% -4% -8% -8% -8% -8% -6% -4% -8% -8% Note PC -14% -13% -11% -13% -7% -7% -13% -9% -4% -13% -9% Mobile Phone 6% 6% 6% -1% 5% 7% 7% 8% 0% 4% 7% Tablet PC 132% 57% 36% 0% 2% 38% 39% 32% 90% 39% 28% LCD/OLED TV 4% 4% 1% -4% -3% 0% 2% 5% -1% 0% 1% 자료 : DRAMeXchange, Gartner, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 32

33 [ 표 10] Desktop PC, Note PC, Tablet PC의 DRAM 수요분석 ( 단위 : 백만개, 1GB Eq.) 1Q13 2Q13 3Q13 4Q13 1Q14E 2Q14E 3Q14E 4Q14E E DRAM Demand ,579 1,577 1,776 Desktop PC Note PC Tablet PC DRAM GB/System Desktop PC Note PC Tablet PC Set Demand Desktop PC Note PC Tablet PC %QoQ/%YoY DRAM Demand -9% 2% 0% 7% -5% 8% 8% 7% 19% 0% 13% Desktop PC -4% 1% -4% 3% -3% 2% 8% 0% 15% -3% 3% Note PC -12% 2% -1% 1% -4% 3% 4% 1% 16% -9% 2% Tablet PC -7% 5% 21% 43% -10% 35% 17% 31% 132% 116% 90% DRAM GB/System 7% -2% -8% -11% 12% 13% 0% -1% 6% -4% 7% Desktop PC 4% 3% -10% 7% 5% 4% 2% 2% 20% 5% 11% Note PC 3% 3% -10% 7% 6% 4% 2% 2% 21% 3% 11% Tablet PC 16% 14% 13% 12% 11% 9% 8% 7% 22% 56% 49% Set Demand -14% 4% 8% 20% -15% -4% 7% 7% 12% 4% 6% Desktop PC -2% -5% 0% 0% -7% -2% 6% -4% -4% -8% -8% Note PC -11% -2% 6% -3% -15% -1% 9% -5% -4% -13% -9% Tablet PC -34% 35% 24% 73% -20% -8% 7% 28% 90% 39% 28% 자료 : DRAMeXchange, Gartner, 메리츠종금증권리서치센터 [ 표 11] 스마트폰의 DRAM 수요분석 ( 단위 : 백만개, 1GB Eq.) 1Q13 2Q13 3Q13 4Q13 1Q14E 2Q14E 3Q14E 4Q14E E DRAM Demand ,192 Premium Mid/Low DRAM GB/System Premium Mid/Low Set Demand ,163 Premium Mid/Low %QoQ/%YoY DRAM Demand 1% 21% 9% 8% 9% 17% 17% 16% 135% 76% 61% Premium -2% 19% -1% 22% -2% 14% 4% 29% 128% 63% 43% Mid/Low 36% 48% 40% 2% 22% 24% 36% 12% 133% 244% 126% DRAM GB/System 3% 11% 0% 2% 13% 10% 7% 10% 65% 27% 34% Premium 6% 14% 2% 5% 8% 9% 6% 10% 82% 40% 31% Mid/Low 25% 29% 15% 7% 15% 13% 12% 10% 23% 95% 63% Set Demand -2% 2% 10% 26% -1% 9% 9% 6% 43% 38% 20% Premium -8% 4% -2% 17% -9% 4% -2% 17% 25% 16% 9% Mid/Low 9% 15% 21% -4% 6% 10% 22% 1% 89% 76% 38% 자료 : DRAMeXchange, SA, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 33

34 [ 표 12] DRAM Wafer Input Capa 추이및전망 ( 단위 : 천장 / 월, 12 Eq.) 1Q13 2Q13 3Q13 4Q13 1Q14E 2Q14E 3Q14E 4Q14E E Wafer Input Capa 1,087 1,112 1,061 1,031 1,093 1,087 1,100 1,090 1,098 1,073 1,093 %YoY -2% -1% -3% -2% 1% -2% 4% 6% -10% -2% 2% Samsung SK Hynix Micron Group Nanya Powerchip Winbond %YoY Samsung 3% 3% 2% 3% 7% 6% 9% 8% -2% 3% 7% SK Hynix -3% -4% -20% -29% -9% -7% 8% 16% -2% -14% 0% Micron Group 17% 24% 19% 12% -4% -9% -4% -3% -17% 18% -5% Nanya -32% -45% -41% -15% -8% -8% -8% -20% -36% -6% Powerchip -62% -35% -4% 80% 96% 21% 16% 11% 52% -21% 28% Winbond -11% -6% 13% 13% 18% 11% 11% -28% -1% 13% % of Total Samsung 33% 32% 35% 36% 35% 35% 36% 37% 32% 34% 36% SK Hynix 26% 25% 21% 20% 23% 23% 22% 22% 26% 23% 23% Micron Group 32% 32% 33% 33% 31% 30% 30% 30% 27% 33% 30% Nanya 6% 5% 6% 5% 5% 5% 5% 5% 8% 5% 5% Powerchip 2% 4% 4% 4% 4% 4% 5% 5% 4% 3% 4% Winbond 1% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 자료 : DRAMeXchange, SA, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 34

35 [ 표 13] DRAM Wafer Input Capa 추이및전망 ( 단위 : 천장 / 월, 12 Eq.) 1Q13 2Q13 3Q13 4Q13 1Q14E 2Q14E 3Q14E 4Q14E E Wafer Input Capa 1,087 1,112 1,061 1,031 1,093 1,087 1,100 1,090 1,095 1,073 1,093 %YoY -2% -1% -3% -2% 1% -2% 4% 6% -8% -2% 2% Samsung Fab Fab12 Fab Fab Fab SK Hynix M Wuxi Fab M New Fab Micron Group Dominion Fab JV-TECH Inotera Fab E Rexchip Nanya Powerchip Winbond % of Total Samsung 33% 32% 35% 36% 35% 35% 36% 37% 32% 34% 36% Fab11 5% 4% 5% 5% 5% 4% 4% 4% 5% 5% 4% Fab12 Fab13 12% 12% 12% 12% 11% 11% 11% 11% 12% 12% 11% Fab15 17% 16% 17% 17% 16% 16% 15% 16% 16% 17% 16% Fab16 1% 2% 3% 4% 6% 6% 1% 5% SK Hynix 26% 25% 21% 20% 23% 23% 22% 22% 26% 23% 23% M10 12% 11% 12% 14% 13% 12% 11% 11% 13% 12% 12% Wuxi Fab2 13% 12% 8% 3% 8% 11% 10% 10% 13% 9% 10% M12 1% 1% 0% 3% 2% 0% 1% 0% New Fab Micron Group 32% 32% 33% 33% 31% 30% 30% 30% 27% 33% 30% Dominion Fab2 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2% JV-TECH 5% 5% 3% 1% 1% 0% 0% 5% 4% 0% Inotera Fab2 10% 10% 11% 12% 11% 11% 11% 11% 6% 10% 11% E300 7% 9% 9% 10% 9% 9% 10% 10% 7% 9% 9% Rexchip1 7% 7% 8% 8% 7% 7% 7% 7% 6% 7% 7% Nanya 6% 5% 6% 5% 5% 5% 5% 5% 9% 5% 5% Powerchip 2% 4% 4% 4% 4% 4% 5% 5% 4% 3% 4% Winbond 1% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 자료 : DRAMeXchange, Gartner, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 35

36 [ 표 14] NAND Supply/Demand Summary ( 단위 : 백만장 / 월, 12 Eq; 백만개 / 분기, 1GB Eq.) 1Q13 2Q13 3Q13 4Q13 1Q14E 2Q14E 3Q14E 4Q14E E Oversupply Ratio 4% 8% 6% 7% 7% 8% 3% 4% 9% 7% 6% NAND Supply 9,305 10,090 11,313 12,163 12,819 13,899 15,334 16,544 29,882 42,871 58,597 Wafer Input NAND Demand 8,802 9,378 10,624 11,367 11,936 12,891 14,824 15,862 27,520 40,171 55,513 NAND Supply 9,305 10,090 11,313 12,163 12,819 13,899 15,334 16,544 29,882 42,871 58,597 Samsung 3,307 3,561 3,980 4,219 4,304 4,906 5,495 6,044 9,369 15,068 20,749 SK Hynix 1,025 1,320 1,460 1,263 1,320 1,650 1,886 2,055 3,503 5,068 6,910 Toshiba/SanDisk 3,419 4,078 4,484 4,888 4,986 5,385 5,869 6,397 11,869 16,869 22,637 Micron/Intel 1,363 1,541 1,878 2,010 1,989 2,169 2,385 2,600 5,072 6,792 9,143 NAND Demand 8,802 9,378 10,624 11,367 11,936 12,891 14,824 15,862 27,520 40,171 55,513 SSD 1,041 1,213 1,509 1,591 2,603 3,018 3,905 4,373 2,137 5,354 13,900 Note PC Mobile Phone 4,881 5,024 5,644 6,130 5,868 6,417 7,322 8,184 15,338 21,679 27,791 Tablet PC , ,048 1,131 1,369 2,934 3,543 4,408 LCD/OLED TV Digital Camera ,828 2,537 2,766 USB ,823 2,191 2,750 PMP ,908 1,605 1,305 B/G(%QoQ/%YoY ) NAND Supply 8% 8% 12% 8% 5% 8% 10% 8% 59% 43% 37% Samsung 11% 8% 12% 6% 2% 14% 12% 10% 55% 61% 38% SK Hynix -1% 29% 11% -14% 4% 25% 14% 9% 56% 45% 36% Toshiba/SanDisk -10% 19% 10% 9% 2% 8% 9% 9% 80% 42% 34% Micron/Intel 2% 13% 22% 7% -1% 9% 10% 9% 72% 34% 35% NAND Demand 1% 7% 13% 7% 5% 8% 15% 7% 58% 46% 38% SSD 64% 16% 24% 5% 64% 16% 29% 12% 130% 151% 160% Note PC -14% 61% -51% -1% -21% 72% 33% 2% 74% 37% 8% Mobile Phone 0% 3% 12% 9% -4% 9% 14% 12% 82% 41% 28% Tablet PC -28% -11% 8% 29% -20% 22% 8% 21% 70% 21% 24% LCD/OLED TV -32% -3% 19% 27% -34% 25% 37% 30% 115% 34% 30% Digital Camera 17% 14% 2% -1% -4% 3% 8% 11% 19% 39% 9% USB 4% -3% 9% 9% 2% 0% 15% 17% 30% 20% 25% PMP -3% 0% -25% -5% 15% -7% -21% 3% -19% -16% -19% 자료 : DRAMeXchange, Gartner, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 36

37 [ 표 15] NAND Wafer Input Capa 추이및전망 ( 단위 : 천장 / 월, 12 Eq.) 1Q13 2Q13 3Q13 4Q13 1Q14E 2Q14E 3Q14E 4Q14E E Wafer Input Capa 1,018 1,016 1,069 1,037 1,067 1,133 1,195 1,225 1,008 1,035 1,155 Samsung Fab Fab14 23 Fab XiAn Fab SAS2 40 SK Hynix M8 8 M M Micron Group Lehi Dominion Fab JV-TECH IMFT Toshiba Y-Cube Y-Cube Y-Cube Powerchip Fab12A % of Total Samsung 33% 33% 32% 31% 31% 30% 32% 32% 34% 32% 31% Fab12 14% 14% 13% 13% 12% 11% 12% 11% 14% 13% 12% Fab14 2% Fab16 20% 20% 19% 18% 18% 17% 17% 16% 14% 19% 17% XiAn Fab 1% 2% 3% 4% 3% SAS2 4% SK Hynix 15% 15% 14% 11% 11% 13% 13% 14% 14% 14% 13% M8 1% M11 13% 13% 12% 11% 10% 11% 11% 11% 13% 12% 11% M12 2% 2% 2% 1% 2% 3% 3% 0% 1% 2% Micron Group 18% 18% 17% 20% 21% 21% 20% 19% 18% 18% 20% Lehi 7% 7% 7% 7% 7% 6% 6% 6% 7% 7% 6% Dominion Fab2 4% 4% 4% 4% 4% 4% 3% 3% 4% 4% 3% JV-TECH 3% 4% 5% 5% 4% 1% 4% IMFT 7% 7% 7% 7% 7% 6% 6% 6% 7% 7% 6% Toshiba 33% 33% 36% 38% 37% 35% 34% 34% 34% 35% 35% Y-Cube 3 14% 14% 14% 14% 14% 13% 13% 12% 14% 14% 13% Y-Cube 4 17% 17% 19% 19% 19% 18% 17% 16% 18% 18% 17% Y-Cube 5 3% 3% 4% 4% 4% 4% 5% 6% 3% 3% 5% Powerchip 0% 0% 1% 1% 1% 1% 1% 1% 0% 1% 1% Fab12A 0% 0% 1% 1% 1% 1% 1% 1% 0% 1% 1% 자료 : DRAMeXchange, Gartner, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 37

38 Company Briefs 1 삼성전자 (005930) Buy TP 1,800,000 원 39p 메리츠종금증권리서치센터 38

39 삼성전자 (005930) Buy (Maintain) TP 1,800,000 원 DRAM 경쟁력우위지속전망 IoT 시대본격진입 DRAM 미세화지속필요 - IoT 시대본격진입으로글로벌반도체산업지속성장전망 - IoT 시대시스템요구충족위해서 DRAM 미세화지속필요 - DRAM은향후 QPT, EUV, STT-RAM, TSV 등을도입하며 20nm 이사공정미세화지속가능할전망 업종 : 반도체 / Analyst 박유악 ( / yuak.pak@meritz.co.kr) Rating & Target Price New : Buy 1,800,000원 DRAM 미세화 : 삼성전자경쟁우위지속전망 - 삼성전자는 QPT를도입하며 EUV장비의양산본격화예상되는 2018년이전까지 DRAM 공정미세화에대한경쟁우위지속할전망 - STT-RAM 원천기술보유한 Grandis 인수. STT-RAM이 DRAM의구조대체시최대수혜전망. STT-RAM은 DRAM과동일공정을사용하여 DRAM STT-RAM Fab 전환 이용이하며, Capacitor 대신 MTJ를사용하기때문에 DRAM 미세화시문제가되는 Capacitor의 Aspect Ratio 이슈에서자유로움 년 TSV를이용한 HMC(Hyper Memory Cube) 양산본격화로 IoT 시대의 Server 시장확대수혜전망 투자의견 매수, 목표주가 180만원유지 - 삼성전자에대한투자의견 매수 와목표주가 180만원유지 - 스마트폰의실적부진우려존재하나, 이는테블릿PC의판매증가가충분히커버할수있을것으로판단하며, 향후 DRAM 미세화경쟁시기술적우위지속예상되는삼성전자를반도체업종내 Top Pick으로제시함 종가 (2/25) 1,334,000원 Market Data KOSPI 1,964.86pt KOSDAQ pt 시가총액 1,964,973억원 발행주식수 14,730만주 외국인지분율 49.85% DPS(2012) 8,000원 배당수익률 (2012) 0.5% Company Data 주요주주 이건희 ( 외 10인 ) 17.7% 삼성전자자사주 11.2% 국민연금관리공단 7.0% Bloomberg KS Price Range(52주 ) 1,217,000~1,560,000원 60일평균거래량 241,782주 60일평균거래대금 3,232.8억원 ( 십억원, 원, 배,%) P 2014E 2015E 매출액 201, , , ,158 영업이익 29,049 36,782 37,068 38,450 순이익 23,185 29,021 29,118 30,216 EPS 156, , , ,050 증감율 (%) BPS 666, , ,245 1,128,982 PER PBR EV/EBITDA ROE 부채비율 시장대비상대강도 : 1개월 (1.02), 3개월 (0.94), 6개월 (1.00) 000'S SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. FROM 25/2/13 TO 25/2/14 DAILY 0.0 Feb Mar Apr May Jun Jul Aug Sep Oct Nov Dec Jan PRICE HIGH /03/13, LOW /08/13, LAST PRICE REL. TO KOREA SE COMPOSITE(KOSPI) 메리츠종금증권리서치센터 39

40 IoT(Internet of Things) 시대본격진입으로 Internet 연결 Device 의수가 2020년까지 CAGR 25% 이상급증하고, 글로벌반도체산업은 2017년매출액 3,795억달러 (CAGR +4%) 를기록하며지속적으로성장할전망이다. 글로벌반도체산업은 2017년매출액 3,795억달러를기록하며연평균 4% 성장할전망이다. 제품별로는 Cloud Server 증설의수혜가예상되는 Flash Memory가연평균 7.5%, 주변정보를인식하기위해 IoT Device에탐재되는 Non-optical Sensor가 8.6%, 수집된정보분석을위한 Logic IC가 5.8% 로높은성장률을기록하면서반도체시장의성장을견인할전망이다. [ 그림 1] IoT 시장전망 by Cisco 60 (bn units) '12 '13 '14E '15E '16E '17E '18E '19E '20E 자료 : Cisco, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 2] 반도체산업 연평균 +4%yoy 지속성장전망 Memory Microcomponent ASSP ASIC Logic IC Analog IC ( 십억달러 ) Discrete Optical Sensors Nonoptical Sensors E 2015E 2016E 2017E 자료 : Gartner, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 40

41 본격성장이예상되는 IoT 시대의시스템요구사항을충족시키기위해서는 DRAM의공정미세화가지속되어야만한다. DRAM은향후 QPT, EUV, STT-RAM, TSV 등을도입하며 20nm 이하의공정미세화가지속가능할전망이다. 삼성전자는 QPT 도입과 STT-RAM 원천기술확보로 EUV도입이예상되는 2018년하반기이전까지의 DRAM 공정미세화에대한경쟁우위를지속할전망이다. 또한, 2015년 TSV 이용한신규 Packaging인 HMC 양산본격화하며, IoT 시대의 Server 시장확대의수혜가예상된다. [ 그림 3] DRAM 중장기 Tech Roadmap by 메리츠종금증권 (nm) Key Challenges 3D Packaging with TSV 1) QPT 도입 20 2) STT-RAM로변경 EUV 도입 ) EUV Multi-pattering 2) Mask 소재변경 주 : Mass Production 기준자료 : ITRS, IMEC, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 4] EUV Timelines 빨라야 2018 년하반기 Mass Production 가능할전망 Foundry Suppliers Fabs Demo Tool Start Memory High Volume Manufacturing Logic Year Signals 1) Litho Timelines Published 2) Consortia/Semi Activities 3) Customer Announcements Pilot Lines Synchronized Transition 자료 : ASML( Updated), 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 41

42 [ 그림 5] SaDPT vs. SaQPT 공정흐름도분석 DPT Process PR Litho 1st HM Etch DPT 소재 Depo Etch Back 2nd HM Etch Photo Resist Hardmask 1 Hardmask 1 Hardmask 2 Hardmask 2 Hardmask 2 Hardmask 2 Hardmask 2 QPT Process PR Litho 1st HM Etch DPT 소재 Depo Etch Back 2nd HM Etch Photo Resist Hardmask 1 Hardmask 1 Hardmask 2 Hardmask 2 Hardmask 2 Hardmask 2 Hardmask 2 Hardmask 3 Hardmask 3 Hardmask 3 Hardmask 3 Hardmask 3 Hardmask 3 3rd HM Etch Etch Back Hardmask 3 Hardmask 3 [ 그림 6] DRAM Capacitor: 20nm 이하제조어려울전망 [ 그림 7] STT-RAM MTJ: 10nm 이하제조가능예상 Bit Line sub-20nm Capacitor A/R Limit Capacitor MTJ 10nm 이하제조가능 Bit Line MTJ Gate Gate Source Drain Source Drain Silicon Substrate Silicon Substrate 메리츠종금증권리서치센터 42

43 [ 표 1] 삼성전자연결실적추이및전망 ( 단위 : 십억원 ) 1Q13 2Q13 3Q13 4Q13P 1Q14E 2Q14E 3Q14E 4Q14E P 2014E 매출액 52,868 57,464 59,084 59,280 53,589 59,731 61,741 64, , , ,720 %QoQ/%YoY -6% 9% 3% 0% -10% 11% 3% 5% 22% 14% 5% IT & Mobile 32,820 35,538 36,572 33,890 32,754 37,337 38,793 38, , , ,582 무선사업부 31,770 34,580 35,201 32,170 31,740 36,364 37,429 37, , , ,004 네트워크 / 기타 1, ,371 1,206 1, ,364 1,228 4,202 4,586 4,579 Semiconductor 8,576 8,679 9,742 10,437 9,805 10,195 10,257 10,922 34,887 37,434 41,179 Memory 5,120 5,699 6,370 6,522 6,224 6,407 6,661 6,820 20,860 23,711 26,112 System LSI 3,291 2,832 3,036 3,521 3,193 3,479 3,257 3,760 13,315 12,680 13,688 Display Panel 7,108 8,182 8,085 6,463 6,156 7,141 7,406 7,045 32,999 29,839 27,747 Large Panel 3,362 3,407 3,466 3,028 2,653 2,738 2,971 2,888 19,619 13,263 11,250 Mobile & Tablet 2,794 3,776 3,973 2,939 3,002 3,767 3,767 3,764 11,494 13,483 14,300 Consumer Electronics 11,243 12,775 12,048 14,269 11,846 13,074 12,981 14,296 48,444 50,335 52,197 VD 7,430 7,940 7,680 10,065 8,031 8,461 8,678 10,098 35,040 33,115 35,268 매출원가 31,379 34,341 35,528 36,450 32,152 36,335 38,051 40, , , ,655 매출원가율 59% 60% 60% 61% 60% 61% 62% 62% 63% 60% 61% 매출총이익 21,489 23,123 23,556 22,830 21,438 23,396 23,690 24,541 74,452 90,998 93,065 판매비와관리비 12,709 13,592 13,392 14,521 12,759 14,116 14,103 15,020 45,402 54,215 55,997 영업이익 8,779 9,531 10,164 8,313 8,679 9,280 9,588 9,521 29,049 36,787 37,068 %QoQ/%YoY -3% 9% 7% -18% 4% 7% 3% -1% 86% 27% 1% IT & Mobile 6,507 6,284 6,696 5,470 6,092 6,161 6,595 6,153 19,414 24,957 25,001 %QoQ/%YoY 19% -3% 7% -18% 11% 1% 7% -7% 135% 29% 0% Semiconductor 1,072 1,759 2,063 1,990 2,020 2,067 2,114 2,283 4,174 6,883 8,484 %QoQ/%YoY -25% 64% 17% -4% 2% 2% 2% 8% -35% 65% 23% Display Panel 767 1, ,215 2,987 1,949 %QoQ/%YoY -31% 46% -12% -89% 184% 99% -19% -11% -529% -7% -35% Consumer Electronics ,324 1,671 1,607 %QoQ/%YoY -67% 83% -18% 87% -64% 71% -14% 75% 64% -28% -4% 영업이익률 17% 17% 17% 14% 16% 16% 16% 15% 14% 16% 15% IT & Mobile 20% 18% 18% 16% 19% 17% 17% 16% 18% 18% 17% Semiconductor 12% 20% 21% 19% 21% 20% 21% 21% 12% 18% 21% Display Panel 11% 14% 12% 2% 5% 9% 7% 7% 10% 10% 7% Consumer Electronics 2% 3% 3% 5% 2% 3% 3% 4% 5% 3% 3% 법인세차감전순이익 9,045 9,828 10,239 9,250 8,719 9,409 9,684 9,603 29,915 38,362 37,415 법인세비용 1,891 2,054 1,994 1,947 1,744 1,882 1,937 1,921 6,070 7,886 7,483 당기순이익 7,155 7,774 8,245 7,303 6,975 7,527 7,748 7,682 23,845 30,476 29,932 당기순이익률 14% 14% 14% 12% 13% 13% 13% 12% 12% 13% 12% 총포괄손익 8,381 9,344 6,141 5,440 8,170 9,047 5,771 5,723 22,128 29,306 28,711 지배주주지분 8,166 9,103 6,023 5,335 8,013 8,874 5,660 5,613 21,499 28,628 28,160 KRW/USD 1,085 1,122 1,110 1,062 1,070 1,060 1,060 1,050 1,136 1,081 1,060 메리츠종금증권리서치센터 43