(72) 발명자 박민수 서울서초구우면동 16 번지 LG 전자전자기술원 강은석 서울서초구우면동 16 번지 LG 전자전자기술원 좌용호 경기안산시상록구사 1 동 1271 번지한양대학교화학공학과 류병길서울서초구우면동 16번지 LG전자전자기술원박덕해서울서초구우면동 16번지 LG
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- 버선 매
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1 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 (43) 공개일자 2008년01월31일 (51) Int. Cl. H01J 17/49 ( ) H01J 11/02 ( ) H01B 3/10 ( ) H01J 17/16 ( ) (21) 출원번호 (22) 출원일자 2007 년 07 월 04 일 심사청구일자 (30) 우선권주장 없음 년 07 월 28 일대한민국 (KR) 전체청구항수 : 총 20 항 (71) 출원인 엘지전자주식회사 서울특별시영등포구여의도동 20 번지 (72) 발명자 김보현 서울서초구우면동 16 번지 LG 전자전자기술원 류진형 서울서초구우면동 16 번지 LG 전자전자기술원 ( 뒷면에계속 ) (74) 대리인 (54) 보호막, 그제조방법및플라즈마디스플레이패널의제조방법 (57) 요약 본발명은플라즈마디스플레이패널의보호막에관한것이다. 김용인, 박영복 본발명은적어도하나의전극과, 상기전극상에형성된유전체층과, 상기유전체층상에형성되고산화마그네슘 (MgO) 이포함된제 1 층및상기제 1 층상에형성되고 300~500 나노미터의파장영역에서음극선발광 (cathode luminescence) 이최대값을갖는단결정의산화마그네슘나노파우더 (nano powder) 가포함된제 2 층으로이루어진보호막을구비하는제 1 기판 ; 및상기제 1 기판과합착되고, 적어도하나의어드레스전극과형광체층을구비하는제 2 기판을포함하여이루어지는것을특징으로하는플라즈마디스플레이패널을제공한다. 따라서, 본발명에의하면플라즈마플레이패널의보호막에서의이차전자방출특성이향상되고, 이에따라방전개시전압이낮고방전지연시간이단축되며, 휘도와방전효율이높으며전력소모를줄일수있으며, 보호막을소정부분의군집형태로형성하여재료비를절감할수있다. 대표도 - 도 3-1 -
2 (72) 발명자 박민수 서울서초구우면동 16 번지 LG 전자전자기술원 강은석 서울서초구우면동 16 번지 LG 전자전자기술원 좌용호 경기안산시상록구사 1 동 1271 번지한양대학교화학공학과 류병길서울서초구우면동 16번지 LG전자전자기술원박덕해서울서초구우면동 16번지 LG전자전자기술원김영성서울서초구우면동 16번지 LG전자전자기술원 - 2 -
3 특허청구의범위청구항 1 적어도하나의전극과, 상기전극상에형성된유전체층과, 상기유전체층상에형성되고산화마그네슘 (MgO) 이포함된제 1 층및상기제 1 층상에형성되고 300~500 나노미터의파장영역에서음극선발광 (cathode luminescence) 이최대값을갖는단결정의산화마그네슘나노파우더 (nano powder) 가포함된제 2 층으로이루어진보호막을구비하는제 1기판 ; 및상기제 1 기판과합착되고, 적어도하나의어드레스전극과형광체층을구비하는제 2 기판을포함하여이루어지는것을특징으로하는플라즈마디스플레이패널. 청구항 2 제 1 항에있어서, 방전지연시간이 1.2 μs ( 마이크로초 ) 이하인것을특징으로하는플라즈마디스플레이패널. 청구항 3 제 1 항에있어서, 면방전개시전압이 305볼트이하이고, 대향방전개시전압이 250볼트이하인것을특징으로하는플라즈마디스플레이패널. 청구항 4 제 1 항에있어서, 상기제 1 층은, 두께가 nm ( 나노미터 ) 인것을특징으로하는플라즈마디스플레이패널. 청구항 5 제 1 항에있어서, 상기제 2 층은, 두께가 100 nm 1.5 μm ( 마이크로미터 ) 인것을특징으로하는플라즈마디스플레이패널. 청구항 6 제 1 항에있어서, 상기제 2 층은, 상기단결정의산화마그네슘파우더가포함된파티클이상기제 1 보호막층상의소정부분에군집형태로형성된것을특징으로하는플라즈마디스플레이패널. 청구항 7 제 1 항에있어서, 상기단결정의산화마그네슘나노파우더는, 입자의크기가 50~1000 nm인것을특징으로하는플라즈마디스플레이패널. 청구항 8 제 1 기판상에투명전극과상부유전체층을순차적으로형성하는단계 ; 상기상부유전체층상에산화마그네슘을포함하는제 1 보호막을형성하는단계 ; 상기제 1 보호막상에 300~500 나노미터의파장영역에서음극선발광이최대값을갖는단결정의산화마그네슘나노파우더가포함된제 2 보호막을형성하는단계 ; 및어드레스전극이형성되어있는제 2 기판과상기제 1 기판을합착하는단계를포함하는것을특징으로하는플라즈마디스플레이패널의제조방법. 청구항 9-3 -
4 제 8 항에있어서, 상기제 2 보호막은, 상기단결정의산화마그네슘나노파우더를용매, 분산제와함께스프레이방식으로산포하여형성된것을특징으로하는플라즈마디스플레이패널의제조방법. 청구항 10 제 8 항에있어서, 상기제 2 보호막은, 기체상태의금속에, 산소가 2~20sccm으로그리고아르곤이 0~18sccm으로공급되어형성된것을특징으로하는플라즈마디스플레이패널의제조방법. 청구항 11 제 8 항에있어서, 상기제 1 보호막의두께를 nm로형성하는것을특징으로하는플라즈마디스플레이패널의제조방법. 청구항 12 제 8 항에있어서, 상기제 2 보호막의두께를 100nm 1.5μm로형성하는것을특징으로하는플라즈마디스플레이패널의제조방법. 청구항 13 제 8 항에있어서, 상기제 2 보호막을형성하는단계는, 용매와분산제그리고단결정의 MgO 나노파우더를혼합하여제 2 보호막액상을제조하는단계 (Pre-mixing); 상기제조된제 2 보호막액상을밀링 (milling) 하는단계 ; 상기제 1 보호막상에상기밀링된제 2 보호막액상을도포하는단계 ; 및건조및소성을통해제 2 보호막을형성하는단계 ; 를포함하는것을특징으로하는플라즈마디스플레이패널의제조방법. 청구항 14 제 13 항에있어서, 상기제 2 보호막액상은, 상기단결정의 MgO 나노파우더를 1 20 중량 %, 상기용매와분산제를 중량 % 로혼합하여형성하는것을특징으로하는플라즈마디스플레이패널의제조방법. 청구항 15 제 13 항에있어서, 상기용매와분산제그리고단결정의 MgO 나노파우더의혼합은, 소정시간휘젓거나, 초음파분산을통해혼합하여제 2 보호막액상을제조하는것을특징으로하는플라즈마디스플레이패널의제조방법. 청구항 16 제 13 항에있어서, 상기용매는, 알콜계 (alcohol), 글리콜계 (Glycol 또는 Diol), 프로필렌글리콜에테르류 (Propylene Glycol Ether), 프로필렌글리콜아세테이트류 (Propylene Glycol Acetate), 케톤류 (ketone), 부틸카르비톨아세테이트 (BCA : Butyl Carbitol Acetate), 크실렌 (xylene), 테르피네올 (terpineol), 텍사놀 (texanol), 물또는이들의혼합물을사용하는것을특징으로하는플라즈마디스플레이패널의제조방법. 청구항
5 제 13 항에있어서, 상기분산제는, 아크릴 (acryl), 에폭시 (epoxy), 우레탄 (urethane), 아크릴우레탄 (acrylic urethane), 알키드 (alkyd), 폴리아미드폴리머 (poly amid polymer), PCA(Poly Carboxylic Acid) 또는이들의혼합물을사용하는것을특징으로하는플라즈마디스플레이패널의제조방법. 청구항 18 제 13 항에있어서, 상기제 1 보호막상에상기제 2 보호막액상의도포는, 스크린프린팅 (Screen printing), 디스펜싱 (dispensing), 포토리소그래피 (photolithography), 잉크젯 (Ink-jet) 법중선택된어느하나의방법을이용하는것을특징으로하는플라즈마디스플레이패널의제조방법. 청구항 19 제 13 항에있어서, 상기건조및소성은, 상기용매의종류에따라 로건조하고, 로소성하여상기제 2 보호막을형성하는것을특징으로하는플라즈마디스플레이패널의제조방법. 청구항 20 제 13 항에있어서, 상기제 2 보호막은, 상기건조및소성을통해단결정의 MgO 나노파우더가포함된파티클이상기제 1 보호막상의소정부분에군집형태로남겨져형성되는것을특징으로하는플라즈마디스플레이패널의제조방법. 명세서 발명의상세한설명 <1> 기술분야 본발명은플라즈마디스플레이패널에관한것으로서, 보다상세하게는플라즈마디스플레이패널의보호막에 관한것이다. <2> <3> <4> <5> 배경기술일반적으로플라즈마디스플레이패널은상부기판과하부기판사이에형성된격벽이하나의단위셀을이루는것으로, 각셀내에는네온 (Ne), 헬륨 (He) 또는네온및헬륨의혼합기체 (Ne+He) 와같은주방전기체와소량의크세논을함유하는불활성가스가충진되어있다. 고주파전압에의해방전이될때, 불활성가스는진공자외선 (Vacuum Ultraviolet rays) 을발생하고격벽사이에형성된형광체를발광시켜화상이구현된다. 이와같은플라즈마디스플레이패널은얇고가벼운구성이가능하므로차세대표시장치로서각광받고있다. 도 1은일반적인플라즈마디스플레이패널의구조를개략적으로나타낸사시도이다. 도 1에도시된바와같이, 플라즈마디스플레이패널은화상이디스플레이되는표시면인전면글라스 (101) 에스캔전극 (102) 과서스테인전극 (103) 이쌍을이뤄형성된복수의유지전극쌍이배열된상부기판 (100) 및배면을이루는후면글라스 (111) 상에전술한복수의유지전극쌍과교차되도록복수의어드레스전극 (113) 이배열된하부기판 (110) 이일정거리를사이에두고평행하게결합된다. 상부기판 (100) 은하나의방전셀에서상호방전시키고셀의발광을유지하기위한스캔전극 (102) 및서스테인전극 (103), 즉투명한 ITO 물질로형성된투명전극 (a) 과금속재질로제작된버스전극 (b) 으로구비된스캔전극 (102) 및서스테인전극 (103) 이쌍을이뤄포함된다. 스캔전극 (102) 및서스테인전극 (103) 은방전전류를제한하며전극쌍간을절연시켜주는하나이상의상부유전체층 (104) 에의해덮혀지고, 상부유전체층 (104) 상면에는방전조건을용이하게하기위하여산화마그네슘 (MgO) 을증착한보호막 (105) 이형성된다. 하부기판 (110) 은복수개의방전공간즉, 방전셀을형성시키기위한스트라이프타입 ( 또는웰타입 ) 의격벽 (112) 이평행을유지하여배열된다. 또한, 어드레스방전을수행하여진공자외선을발생시키는다수의어드레스전극 (113) 이격벽 (112) 에대해평행하게배치된다. 하부기판 (110) 의상측면에는어드레스방전시화상표시를 - 5 -
6 위한가시광선을방출하는 R, G, B 형광체 (114) 가도포된다. 어드레스전극 (113) 과형광체 (114) 사이에는어드 레스전극 (113) 을보호하기위한하부유전체층 (115) 이형성된다. <6> <7> <8> <9> <10> <11> <12> <13> <14> 이와같은구조를갖는종래 PDP는크게유리기판제조공정, 상부기판제조공정, 하부기판제조공정, 조립공정을거쳐형성된다. 특히, PDP 제조공정중패널의제조공정을살펴보면다음과같다. 먼저, 상부기판 (100) 의제조공정은상부기판 (100) 에스캔전극 (102) 과서스테인전극 (103) 이형성되는제조공정과스캔전극 (102) 과서스테인전극 (103) 의방전전류를제한하며, 전극쌍간을절연시켜주는상부유전체층이형성되는제조공정, 유전체층상면에방전조건을용이하게하기위하여산화마그네슘 (Mgo) 을증착한보호막이형성되는제조공정을거치게된다. 또한, 하부기판 (110) 의제조공정은하부기판 (110) 에어드레스전극 (113) 이형성되는제조공정과어드레스전극 (113) 을보호하기위한하부유전체층이형성되는제조공정, 유전체층상면에방전셀을구획하는격벽 (112) 이형성되는제조공정, 격벽 (112) 에화상표시를위한가시광선을방출하는형광체층이형성되는제조공정을거치게된다. 도 2는전술한플라즈마디스플레이패널의상부기판 (100) 제조방법을도시한것이다. 도시된바와같이, 상부기판 (100) 인유리를가공하는단계와, 그상부기판 (100) 상에방전유지전극 (102, 103) 을형성하는단계와, 상기방전유지전극 (102, 103) 상에상부유전체층 (104) 을형성하는단계와, 상기상부유전체층 (104) 상에실링 (sealing) 을하고, 산화마그네슘 (MgO) 보호막 (105) 을형성하는단계로이루어진다. 상기방전유지전극 (102, 103) 은상부기판 (100) 상에투명전극인두전극 (102a, 103a) 을형성하는단계와, 상기형성된두전극 (102a, 103a) 의일부분상에보조전극인버스전극 (102b, 103b) 을형성하는단계로이루어진다. 이러한단계로이루어진상부기판 (100) 에서의제조방법을설명하면, 상부기판 (100) 상에투명전극 (102a, 103a) 을스퍼터링 (sputtering) 이나진공증착등의방법을이용하여형성하고, 그투명전극상에 Cr/Cu/Cr로이루어진버스전극 (102b, 103b) 을스퍼터링방식에의해형성한다. 상기투명전극 (102a, 103a) 과버스전극 (102b, 103b) 으로형성된방전유지전극 (102, 103) 상에스크린인쇄법을이용하여상부유전체층 (104) 을형성하고, 그상부유전체층 (104) 상에실링을한다. 그다음상기상부유전체층 (105) 표면에보호막 (105) 을형성하는데, 이보호막 (105) 은통상산화마그네슘 (Mg O) 으로이루어지고, 이산화마그네슘은 E-beam 또는액상산화마그네슘을도포또는코팅하여약 500nm정도로증착한다. 하지만, 전술한종래 E-beam 또는산화마그네슘 (MgO) 만으로형성된보호막 (105) 은이차전자방출계수를어느정도높일수있으나그에한계가있고, 또한 PDP의높은구동전압과낮은효율등의문제점이있었다. 발명의내용 <15> <16> 해결하고자하는과제본발명은상기와같은문제점을해결하기위한것으로, 이차전자방출특성을높여방출전압을낮추고, 방전을제어하여효율을높일수있는보호막, 이를이용한보호막제조방법및플라즈마디스플레이패널의제조방법을제공하는데있다. 또한, 본발명은표시특성의향상과재료비절감을위한보호막, 이를이용한보호막제조방법및플라즈마디스플레이패널의제조방법을제공하는데있다. <17> 과제해결수단본발명은적어도하나의전극과, 상기전극상에형성된유전체층과, 상기유전체층상에형성되고산화마그네슘 (MgO) 이포함된제 1 층및상기제 1 층상에형성되고 300~500 나노미터의파장영역에서음극선발광 (cathode luminescence) 이최대값을갖는단결정의산화마그네슘나노파우더 (nano powder) 가포함된제 2 층으로이루어진보호막을구비하는제 1기판 ; 및상기제 1 기판과합착되고, 적어도하나의어드레스전극과형광체층을구비하는제 2 기판을포함하여이루어지는것을특징으로하는플라즈마디스플레이패널을제공한다
7 <18> <19> <20> <21> <22> <23> <24> <25> <26> <27> <28> <29> <30> 여기서, 플라즈마디스플레이패널의방전지연시간은 1.2 μs이하이고, 면방전개시전압이 305볼트이하이고, 대향방전개시전압이 250볼트이하인것을특징으로한다. 여기서, 제 1 층은두께가 nm이고, 제 2 층은두께가 100 nm 1.5 μm인것을특징으로한다. 그리고, 제 2 층은상기단결정의산화마그네슘파우더가포함된파티클이상기제 1 보호막층상의소정부분에군집형태로형성된것을특징으로하고, 단결정의산화마그네슘나노파우더는입자의크기가 50~1000 nm인것을특징으로한다. 본발명의다른실시형태에따르면, 제 1 기판상에투명전극과상부유전체층을순차적으로형성하는단계 ; 상기상부유전체층상에산화마그네슘을포함하는제 1 보호막을형성하는단계 ; 상기제 1 보호막상에 300~500 나노미터의파장영역에서음극선발광이최대값을갖는단결정의산화마그네슘나노파우더가포함된제 2 보호막을형성하는단계 ; 및어드레스전극이형성되어있는제 2 기판과상기제 1 기판을합착하는단계를포함하는것을특징으로하는플라즈마디스플레이패널의제조방법을제공한다. 여기서, 제 2 보호막은상기단결정의산화마그네슘나노파우더를용매, 분산제와함께스프레이방식으로산포하여형성된것을특징으로한다. 그리고, 제 2 보호막은기체상태의금속에, 산소가 2~20sccm으로그리고아르곤이 0~18sccm으로공급되어형성된것을특징으로한다. 그리고, 제 2 보호막을형성하는단계는용매와분산제그리고단결정의 MgO 나노파우더를혼합하여제 2 보호막액상을제조하는단계 (Pre-mixing) 와상기제조된제 2 보호막액상을밀링 (milling) 하는단계와상기제 1 보호막상에상기밀링된제 2 보호막액상을도포하는단계및건조및소성을통해제 2 보호막을형성하는단계를포함하여이루어진다. 그리고, 제 2 보호막액상은상기단결정의 MgO 나노파우더를 1 20 중량 %, 상기용매와분산제를 중량 % 로혼합하여형성하는것을특징으로한다. 그리고, 상기용매와분산제그리고단결정의 MgO 나노파우더의혼합은, 소정시간휘젓거나, 초음파분산을통해혼합하여제 2 보호막액상을제조하는것을특징으로한다. 여기서, 용매는알콜계 (alcohol), 글리콜계 (Glycol 또는 Diol), 프로필렌글리콜에테르류 (Propylene Glycol Ether), 프로필렌글리콜아세테이트류 (Propylene Glycol Acetate), 케톤류 (ketone), 부틸카르비톨아세테이트 (BCA : Butyl Carbitol Acetate), 크실렌 (xylene), 테르피네올 (terpineol), 텍사놀 (texanol), 물또는이들의혼합물을사용할수있다. 그리고, 분산제는아크릴 (acryl), 에폭시 (epoxy), 우레탄 (urethane), 아크릴우레탄 (acrylic urethane), 알키드 (alkyd), 폴리아미드폴리머 (poly amid polymer), PCA(Poly Carboxylic Acid) 또는이들의혼합물을사용할수있다. 그리고, 상기제 1 보호막상에상기제 2 보호막액상의도포는스크린프린팅 (Screen printing), 디스펜싱 (dispensing), 포토리소그래피 (photolithography), 잉크젯 (Ink-jet) 법중선택된어느하나의방법을이용할수있고, 상기건조및소성은상기용매의종류에따라 로건조하고, 로소성하여상기제 2 보호막을형성할수있다. 또한, 상기건조및소성을통해단결정의 MgO 나노파우더가포함된파티클이상기제 1 보호막상의소정부분에군집형태로남겨져형성될수있다. <31> <32> <33> 효과상기에서설명한본발명에따른보호막, 이를이용한보호막제조방법및플라즈마디스플레이패널의제조방법의효과를설명하면다음과같다. 첫째, 플라즈마디스플레이패널의구동시에보호막에서의이차전자방출특성이향상된다는효과가있다. 둘째, 플라즈마디스플레이패널의이차전자방출특성이향상되어, 방전개시전압이낮고방전지연시간이단축되며, 휘도와방전효율이높으며전력소모가작다는효과가있다
8 발명의실시를위한구체적인내용 <34> <35> <36> <37> <38> <39> <40> <41> <42> 이하상기의목적을구체적으로실현할수있는본발명의바람직한실시예를첨부한도면을참조하여설명한다. 종래와동일한구성요소는설명의편의상동일명칭및동일부호를부여하며이에대한상세한설명은생략한다. 도 3은본발명의바람직한실시예에따른플라즈마디스플레이패널의상부기판구조를나타낸단면도이다. 도 3을참조하여본발명의바람직한실시예에따른플라즈마디스플레이패널의보호막을설명하면다음과같다. 본발명의바람직한실시예에따른플라즈마디스플레이패널의보호막은 2층구조를가지며, 상부기판 (270) 상의전극들 (290a, 290b) 과이전극들을보호하는유전체층 (275) 상에형성되고일반적인보호막과동일하게산화마그네슘 (MgO) 을포함하는제 1 층 (280) 과상기제 1 층 (280) 상에형성되고단결정의 MgO 나노파우더를포함하여형성된파티클 (280') 이제 2 층을형성하고있다. 그리고, 단결정의산화마그네슘나노파우더는 300~500 나노미터의파장영역에서음극선발광 (cathode luminescence) 이최대값을갖는것을특징으로한다. 여기서, 제 1 층 (280) 의두께는 nm로하고, 제 2 층 (280') 의두께는 100nm 1.5μm로하여형성하며, 사용되는단결정의 MgO 나노파우더입자의크기는 50~1000nm인것을사용한다. 상기제 1 층 (280) 상의일부분에, 단결정의 MgO 나노파우더가포함된파티클이투명전극 (290a) 의패턴형성대로상방에만일종의군집형태로형성되어전체적으로보호막의표면이평탄하지않고울퉁불퉁한형상을이루게된다. 따라서, 플라즈마디스플레이패널의가스방전시에자외선이온이보호막에충돌하는표면적이증가하여이차전자의방출량이증가하고, 방전개시전압을낮출수있으므로, 결과적으로방전효율을높이고지터 (jitter) 를감소시킨다. 도 4 및 5는상술한본발명에따른플라즈마디스플레이패널의면방전전압과대향방전전압을나타낸그래프이다. 도 4에도시된바와같이종래의플라즈마디스플레이패널은 320 볼트정도에서면방전이일어나지만, 본발명에따른플라즈마디스플레이패널은 305 볼트이하에서면방전이일어난다. 그리고, 도 5에도시된바와같이종래의플라즈마디스플레이패널은 258 볼트정도에서대향방전이일어나지만, 본발명에따른플라즈마디스플레이패널은 250 볼트이하에서대향방전이일어난다. 따라서, 본발명은방전개시전압이낮추어져서플라즈마디스플레이패널의소비전력을낮출수있다. 도 4 및 5에도시된종래의필름형보호막이구비된플라즈마디스플레이패널의보호막과본발명에따른플라즈마디스플레이패널의금속산화물이구비된보호막의방전특성을표로나타내면아래와같다. 여기서, 금속산화물은상술한단결정의산화마그네슘나노파우더이다. 표 1 <43> 필름 금속산화물 면방전 320 V 303 V 대향방전 258 V 247 V <44> <45> 도 6은본발명에따른플라즈마디스플레이패널의지터특성을나타낸그래프이고, 도 7은본발명에따른플라즈마디스플레이패널의보호막재료인금속산화물의음극선발광특성을나타낸그래프이다. 도 6에도시된바와같이종래의필름형보호막이구비된플라즈마디스플레이패널은방전지연시간이 2 마이크로초정도였으나, 본발명에따른플라즈마디스플레이패널은방전지연시간이 1.2 마이크로초이하이다. 여기서, 종래의필름형보호막이구비된플라즈마디스플레이패널의보호막과본발명에따른플라즈마디스플레이패널의금속산화물이구비된보호막의지터특성을표로나타내면아래와같다
9 표 2 <46> 필름 금속산화물 T T f T avg sigma T sc6z <47> <48> <49> <50> <51> <52> <53> <54> 여기서, Tf(formative time) 은필름형보호막이다소빨랐으나, 나머지시간은금속산화물이더빨라서방전지연시간이전반적으로단축되는것을알수있다. 이러한지터특성의향상은, 도 7에도시된바와같이제 2 보호막내에구비된금속산화물의음극선발광특성이 300~500 마이크로미터에서최대값을갖는것에기인한다. 도 8는본발명의실시예에따른보호막의제조방법을나타낸개략블록도로서, MgO이포함된제 1 보호막을형성하는단계와, 상기제 1 보호막상에단결정의 MgO 나노파우더가포함된제 2 보호막을형성하는단계로크게나눌수있다. 이때, 상기제 1 보호막의두께를 nm로형성하고, 상기제 2 보호막의두께를 100 nm 1.5μm로형성한다. 상기제 1 보호막을형성하는방법은종래의기술과동일하므로, 생략하기로한다. 그리고, 제 2 보호막은 300~500 나노미터의파장영역에서음극선발광 (cathode luminescence) 이최대값을갖는단결정의산화마그네슘나노파우더를포함하여이루어진다. 제 2 보호막에포함될산화막그네슘단결정은화학기상증착법으로형성될수있다. 결정은입자의규칙적인배열이라할수있는데, 규칙적인배열이고체전체에균일하게이루어진것을단결정이라하고, 전체적으로하나의균일한결정이아닌것을다결정이라한다. 본실시예에서는방전안정성과온도저항특성이우수한단결정의산화마그네슘을제 2 보호막의재료로사용한다. 또한, 단결정은밀도가크고, 모서리가날카롭기때문에전계를강화할수도있다. 여기서, 상술한단결정의산화마그네슘은화학기상증착법으로형성될수있다. 화학기상증착법으로단결정의산화마그네슘을형성하는방법을설명하면다음과같다. 챔버내에, 기체상태의원료가스를챔버내에기체상태의원료가스를주입하면열이나플라즈마등으로부터에너지를받고분해되는데, 이때산화마그네슘단결정이기판상에도달하여나노단위의단결정을이루게된다. 이때, 원료가스로부터분리된기체상태의마그네슘에산소를 2~20sccm의유량으로, 그리고아르곤을 0~18 sccm의유량으로공급하면상술한 300~500 나노미터의파장영역에서캐소드발광이최대치를갖는산화마그네슘단결정을얻을수있다. 도 8a 내지 8c는화학기상증착법으로형성된단결정의산화마그네슘의 SEM 사진이다. 도 8a는산소만을 20sccm의유량으로공급한경우이고, 도 8b는산소와아르곤을모두 10sccm의유량으로공급한경우이며, 도 8c 는산소를 2sccm의유량으로그리고아르곤을 20sccm의유량을공급한경우를나타낸도면이다. 여기서, 산화마그네슘단결정은육면체의형상을나타내고, 산소의유량이증가할수록산화마그네슘단결정의크기가점차감소하는것을알수있다. 그리고, 도 9는상술한도 8a 내지 8c에도시된실시예들의파장에따른캐소드발광을나타낸도면이다. 산화마그네슘단결정들은 300~500 나노미터의파장영역에서캐소드발광이최대값을갖고, 600~750 나노미터의파장영역에서도작은피크가관찰됨을알수있다. 그리고, 상술한실시예들중에서도 8b에도시된실시예의캐소드발광특성이더현저함을알수있다. 이하에서, 상술한단결정의산화마그네슘나노파우더를제 1 보호막상에도포하는공정을설명하면다음과같다. 도 10에도시된바와같이, 먼저, 용매와분산제그리고단결정의 MgO 나노파우더를혼합하여제 2 보호막액상을제조한다 (Pre-mixing)(S1000), 여기서, 상기단결정의 MgO 나노파우더를 1 20 중량 %, 상기용매와분산제를 중량 % 로혼합하고, 상기용매는알콜계 (alcohol), 글리콜계 (Glycol 또는 Diol), 프로필렌글리콜에테르류 (Propylene Glycol Ether), 프로필렌글리콜아세테이트류 (Propylene Glycol Acetate), 케톤류 (ketone), 부틸카르비톨아세테이트 (BCA : Butyl Carbitol Acetate), 크실렌 (xylene), 테르피네올 (terpineol), 텍사놀 (texanol), 물또는이들의혼합물을사용거나, 상기분산제는아크릴 (acryl), 에폭시 - 9 -
10 (epoxy), 우레탄 (urethane), 아크릴우레탄 (acrylic urethane), 알키드 (alkyd), 폴리아미드폴리머 (poly amid polymer), PCA(Poly Carboxylic Acid) 또는이들의혼합물을사용한다. <55> <56> <57> <58> <59> <60> <61> 그리고, 상기용매와분산제그리고단결정의 MgO 나노파우더를소정시간 ( 예를들면, 1시간 ) 동안휘저어 (stirring) 혼합하고, 초음파분산기를이용한초음파분산을통해제 2 보호막액상을제조한다. 다음, 상기제조된제 2 보호막액상을밀링 (milling) 한다 (S1020). 여기서, 상기제 2 보호막액상은밀링기를통해밀링한다. 다음, 상기제 1 보호막상에상기밀링된제 2 보호막액상을스크린프린팅 (Screen printing), 디스펜싱 (dispensing), 포토리소그래피 (photolithography), 잉크젯 (Ink-jet) 법중선택된어느하나의방법을이용하여도포한다 (S1030). 그리고, 제 2 보호막은상술한방법외에스퍼터링법, 전자빔증착법, 화학기상증착법, 스프레이법, 코팅법및그린시트법으로도증착될수있다. 다음, 상기제 1 보호막상에도포된제 2 보호막액상을건조및소성을통해 (S1040) 제 2 보호막이형성된다 (S1050). 여기서, 상기용매의종류에따라 로건조하고, 로소성하여단결정의 MgO 나노파우더가포함된파티클이상기제 1 보호막상의소정부분에군집형태로남겨져상기제 2 보호막이형성된다. 도 11은본발명의실시예에따른플라즈마디스플레이제조방법을나타낸개략블록도이다. 도 11에도시된바와같이, 먼저, 유리 (glass) 를가공하여상부기판을준비하고 (S1110), 그상부기판상에투명전극 (ITO) 과두전극을형성하고, 그두전극의일부분상에보조전극인버스전극을순차적으로증착하여방전유지전극을형성한다 (S1120). 다음, 상기형성된전극들상에상부유전체층을형성하고 (S1130), 상기유전체층상에 MgO을포함하는제 1 보호막을형성한다 (S1140). 여기서, 가장많이사용되는재료가 MgO이지만, 산화지르코늄 (ZrO), 산화하프늄 (HfO), 산화세슘 (CeO 2 ), 산화토륨 (ThO 2 ) 또는산화란타넘 (La 2 O 3 ) 등도사용할수있다. MgO을포함하는제 1 보호막은 보통전자빔증착법과같은진공증착법등을이용하여형성할수있다 <62> <63> <64> <65> <66> <67> 다음, 상기제 1 보호막상에단결정의 MgO 나노파우더가포함되는제 2 보호막을형성한다 (S1150). 상기제 2 보호막은제 1 보호막의일부상즉, 상기투명전극 (ITO) 이형성된상방에만형성되는것이바람직하다. 따라서, 전술한바와같이, 제 2 보호막액상을스크린프린팅 (Screen printing), 디스펜싱 (dispensing), 포토리소그래피 (photolithography), 잉크젯 (Ink-jet) 법중선택된어느하나의방법을이용하여형성하므로, 상기투명전극이형성된위쪽으로제 1 보호층상의투명전극의형상에따라단결정의 MgO 나노파우더가포함된파티클이군집형태로형성된다. 여기서, 제 2 보호막액상은도포방법에따라그비율이달라지는데, 예를들면, 잉크젯의경우에는 10중량 % 이하가적당하다. 다음, 어드레스전극이형성되어있는하부기판과하부기판상에실링 (sealing) 재를도포하고상기상부기판과합착하여 (S1160), 플라즈마디스플레이패널을완성한다. 도 12는본발명의실시예에따른파티클의군집형태를나타낸평면도이다. 도 12에도시된바와같이, 투명전극 (290a) 의패턴형상대로단결정의 MgO 나노파우더가포함된파티클이군집형태로남겨져형성되어있다. 이파티클이제 2 보호막역할을하고, 플라즈마디스플레이방전중 Xe 등의방전가스에의해생기는 147nm 파장의 VUV(vacuum ultraviolet) 를 250nm 파장의 UV로방출하여결과적으로휘도를향상시키게된다. 한편, 본발명에서사용되는용어 (terminology) 들은본발명에서의기능을고려하여정의내려진용어들로써이는당분야에종사하는기술자의의도또는관례등에따라달라질수있으므로그정의는본발명의전반에걸친내용을토대로내려져야할것이다. 본발명을상술한실시예에한정되지않으며, 첨부된청구범위에서알수있는바와같이본발명이속한분야의통상의지식을가지자에의해변형이가능하고이러한변형은본발명의범위에속한다. <68> 산업이용가능성 상술한본발명에따른보호막은플라즈마디스플레이패널에구비되어, 이차전자방출특성의향상과휘도및 방전효율의개선을이룰수있다
11 <69> <70> <71> <72> <73> <74> <75> <76> <77> <78> <79> <80> <81> <82> <83> <84> <85> <86> <87> 도면의간단한설명도 1은일반적인플라즈마디스플레이패널의구조를나타낸개략사시도이다. 도 2는일반적인플라즈마디스플레이패널의상부기판의제조방법을나타낸개략블록도이고, 도 3은본발명의실시예에따른플라즈마디스플레이패널의상부기판구조를나타낸단면도이고, 도 4는본발명에따른플라즈마디스플레이패널의면방전전압을나타낸그래프이고, 도 5는본발명에따른플라즈마디스플레이패널의대향방전전압을나타낸그래프이고, 도 6은본발명에따른플라즈마디스플레이패널의지터특성을나타낸그래프이고, 도 7은본발명에따른플라즈마디스플레이패널의보호막재료인금속산화물의음극선발광특성을나타낸그래프이고, 도 8a 내지 8c는화학기상증착법으로형성된단결정의산화마그네슘의 SEM 사진이고, 도 9는도 8a 내지 8c에도시된실시예들의파장에따른캐소드발광을나타낸도면이고, 도 10은본발명의실시예에따른플라즈마디스플레이패널의보호막의제조방법을나타낸개략블록도이고, 도 11은본발명의실시예에따른플라즈마디스플레이패널의제조방법을나타낸개략블록도이며, 도 12는본발명의실시예에따른플라즈마디스플레이패널의보호막의형상을나타낸평면도이다. < 도면의주요부분에대한부호의설명 > 100 : 상부기판 110 : 하부기판 102 : 스캔전극쌍 103 : 서스테인전극쌍 270 : 상부기판 275 : 상부기판유전체 280 : 제 1 보호막 280' : 제 2 보호막 290 : 유지전극쌍 290a : 투명전극 290b : 버스전극
12 도면 도면 1 도면
13 도면 3 도면 4 도면
14 도면 6 도면 7 도면 8a
15 도면 8b 도면 8c 도면
16 도면 10 도면
17 도면
10: 전면글라스 11: 유지전극 11a: 투명전극 11b: 버스전극 12: 유전체 13: 보호층 20: 후면글라스 21: 격벽 21a: 블랙매트릭스 22: 어드레스전극 23: 형광체막 24: 잉크젯헤드 25: 형광체잉크 31: 압전체 32: 다이아프램 33: 잉크챔버
(51) Int. Cl. 7 H01J 9/20 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 (43) 공개일자 10-2005-0057809 2005 년 06 월 16 일 (21) 출원번호 10-2003-0090000 (22) 출원일자 2003년12월11일 (71) 출원인엘지전자주식회사서울특별시영등포구여의도동 20 번지 (72)
<4D F736F F F696E74202D20352E20C7D1BFEBB1D420B0F8C1A4B1E2C3CAB1B3C0B B3E22031BFF929>
Plasma Display Panel 의공정기술 한용규 dbgmaco79@gmail.com Charged Particle Beam & Plasma Lab. / PDP Research Center Department of Electrophysics, Kwangwoon University, Seoul, Korea Contents 1. 개요 2. PDP의구조 3.
특허청구의 범위 청구항 1 복수개의 프리캐스트 콘크리트 부재(1)를 서로 결합하여 연속화시키는 구조로서, 삽입공이 형성되어 있고 상기 삽입공 내면에는 나사부가 형성되어 있는 너트형 고정부재(10)가, 상기 프리캐스 트 콘크리트 부재(1) 내에 내장되도록 배치되는 내부
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) E01D 19/12 (2006.01) E01D 2/00 (2006.01) E01D 21/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0036938 (22) 출원일자 2011년04월20일 심사청구일자 2011년04월20일 (65) 공개번호 10-2012-0119156
(72) 발명자 김진근 울산광역시울주군삼남면가천리 818 삼성 SDI( 주 ) 김기민 울산광역시울주군삼남면가천리 818 삼성 SDI( 주 ) - 2 -
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) G06F 3/041 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0067375 (22) 출원일자 2008 년 07 월 11 일 심사청구일자 전체청구항수 : 총 12 항 2008 년 07 월 11 일 (54) 터치스크린패널및그제조방법 (11) 공개번호 10-2010-0006987
공개특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 (43) 공개일자 2014년06월11일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B65D 81/24 ( ) B65
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 10-2014-0071307 (43) 공개일자 2014년06월11일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B65D 81/24 (2006.01) B65D 25/14 (2006.01) B65D 1/40 (2006.01) B32B 27/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2014-0058932(
공개특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 (43) 공개일자 2013년09월25일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B65D 25/14 ( ) C23
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 10-2013-0104189 (43) 공개일자 2013년09월25일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B65D 25/14 (2006.01) C23C 16/26 (2006.01) C08J 7/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0025472 (22) 출원일자
특허청구의 범위 청구항 1 청구항 2 청구항 3 청구항 4 청구항 5 물과 암모니아수와 헥산 산과 히드라진 수화수용액을 포함하는 환원액을 조정하는 조액( 調 液 )공정과, 질산은 수용액을 상기 환원액에 첨가하여 반응시키는 은 반응공정과, 상기 은 반응공정의 생성물을 회
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 2011년01월03일 (11) 등록번호 10-1004553 (24) 등록일자 2010년12월21일 (51) Int. Cl. H01B 1/22 (2006.01) B22F 1/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-7008704 (22) 출원일자(국제출원일자) 2008년10월23일
특허청구의범위청구항 1 방열판 ; 상기방열판상부에형성된세라믹박막 ; 및상기세라믹박막상부에형성된회로패턴을포함하여이루어지는방열기판. 청구항 2 제1항에있어서, 상기방열판은 Al, Cu, Mo, W, Ti, Mg 중에서선택된어느하나의물질로이루어지는것을특징으로하는방열기판. 청
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) H01L 33/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0140279 (22) 출원일자 2007 년 12 월 28 일 심사청구일자 전체청구항수 : 총 10 항 2007 년 12 월 28 일 (54) 방열기판및이를구비한발광다이오드패키지 (11) 공개번호 10-2009-0072226
(72) 발명자 김도규 서울특별시성북구장위 3 동 박준일 서울특별시강서구등촌동 서광아파트 103 동 803 호 유형규 경기도광명시광명 4 동한진아파트 101 동 1801 호 - 2 -
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) F25B 30/06 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0088941 (22) 출원일자 2008 년 09 월 09 일 심사청구일자 전체청구항수 : 총 7 항 2008 년 09 월 09 일 (54) 지중열교환기의공급파이프 (11) 공개번호 10-2010-0030143
(72) 발명자 강경태 서울서초구반포본동반포주공아파트 110 동 105 호 이상호 서울관악구봉천 9 동 윤규영 인천남구용현동 신권용 서울구로구천왕동천왕이펜하우스 6 단지 601 동 1203 호 이발명을지원한국가연구개발사업 과제고유번호 ES-1
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2013년11월20일 (11) 등록번호 10-1331589 (24) 등록일자 2013년11월14일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) H01L 21/28 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0052189 (22) 출원일자 2012 년 05 월 16 일 심사청구일자
청구항 1. 삭제 청구항 2. 삭제 청구항 3. 격벽그린시트층 ; 및 상기격벽그린시트층상에구비된블랙탑층을포함하여이루어지는것을특징으로하는멀티레이어그린시트 (Multilayer green Sheet). 청구항 4. 제 3 항에있어서, 상기블랙탑층은, 지름 0.01~100
(51) Int. Cl. H01J 17/49 (2006.01) (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2007 년 03 월 26 일 10-0698157 2007 년 03 월 15 일 (21) 출원번호 10-2005-0060221 (65) 공개번호 10-2007-0005098 (22)
특허청구의범위청구항 1 복수개의관통비아홀이형성된웨이퍼의하나이상의관통비아홀을포함하는전도영역에전도층을형성하는전도층형성단계 ; 상기전도층을포함한웨이퍼전체영역에절연층을증착하는절연층증착단계 ; 상기전도층의상부에감광제를도포하고, 상기관통비아홀이형성된위치에관통비아홀의단면적보다작은단
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H01L 21/60 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-0028172 (22) 출원일자 2010 년 03 월 29 일 심사청구일자 2010 년 03 월 29 일 (65) 공개번호 10-2011-0108779 (43) 공개일자 2011 년 10 월 06 일 (56)
(72) 발명자 김준기 경기 군포시 광정동 한양목련아파트 1226동 805호 유세훈 인천광역시 연수구 송도동 성지리벨루스 110동 50 1호 방정환 인천 연수구 연수동 578-1 고용호 인천광역시 연수구 해송로30번길 송도 웰카운티 4 단지 20 (송도동) 407동 4
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) H05K 3/34 (2006.01) B23K 1/19 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0091105 (22) 출원일자 2012년08월21일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 JP2004172398 A JP2004255426 A KR1020080083127
이 발명을 지원한 국가연구개발사업 과제고유번호 08921-01304 부처명 방송통신위원회 연구사업명 방송통신기술개발사업 연구과제명 안전한 전자파환경 조성 주관기관 한국전자통신연구원 연구기간 2008.01.01 ~ 2012.12.31-2 -
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) H05K 9/00 (2006.01) H04B 1/38 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0134285 (22) 출원일자 2011년12월14일 심사청구일자 없음 기술이전 희망 : 기술양도, 실시권허여, 기술지도 전체 청구항 수 : 총 1 항 (54)
위해충전효율및온도변화를측정하는신호측정센서층을포함하여구성되는것을그구성상의특징으로한다. 본발명은인체삽입형의료기기의성능평가용인체유사팬텀의제조방법에관한것으로서, 보다구체적으로는인체유사팬텀의제조방법으로서, (1) 정제수, 액체상태의아가로오스 (agarose) 및소듐클로라이드 (
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) A61B 6/00 (2006.01) (52) CPC 특허분류 A61B 6/583 (2013.01) (21) 출원번호 10-2015-0025541 (22) 출원일자 2015 년 02 월 24 일 심사청구일자 2015 년 02 월 24 일 (65) 공개번호 10-2016-0103273
특허청구의 범위 청구항 1 제1 내지 제6 암이 각각의 관절부를 가지며 형성되며, 상기 제1 내지 제6 암 각각은 제1 내지 제6 링크에 의해 링크되고, 상기 제1 내지 제6 암 내부에는 각각의 암을 구동하는 구동모듈이 각각 내장되며, 상기 구동모듈 각각의 선단에는 1
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) B25J 9/06 (2006.01) B25J 19/02 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0079361 (22) 출원일자 2011년08월10일 심사청구일자 2011년08월10일 (65) 공개번호 10-2013-0017122 (43) 공개일자 2013년02월20일
많이 이용하는 라면,햄버그,과자,탄산음료등은 무서운 병을 유발하고 비만의 원인 식품 이다. 8,등겨에 흘려 보낸 영양을 되 찾을 수 있다. 도정과정에서 등겨에 흘려 보낸 영양 많은 쌀눈과 쌀껍질의 영양을 등겨를 물에 우러나게하여 장시간 물에 담가 두어 영양을 되 찾는다
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개실용신안공보(U) A23L 1/307 (2006.01) C02F 1/68 (2006.01) (21) 출원번호 20-2011-0002850 (22) 출원일자 2011년04월05일 심사청구일자 2011년04월05일 (11) 공개번호 20-2011-0004312 (43) 공개일자 2011년05월03일
도 1 은본발명에사용되는증착장치의모식도이다. 도 2 및도 3 은본발명에실시예에의하여합성된탄소나노복합체박막의투과전자현미경 (TEM) 단면사진으로, 각각니켈을 30 초및 60 초동안증착하여니켈나노도트를형성시킨경우를나타낸다. 도 4 은순수한경질탄소박막과본발명에의하여합성된탄소
(51) Int. Cl. 7 C23C 14/34 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2005 년 09 월 13 일 10-0514347 2005 년 09 월 05 일 (21) 출원번호 10-2003-0038361 (65) 공개번호 10-2004-0107536 (22) 출원일자 2003년06월13일
특허청구의범위청구항 1 복수의영상검출부로부터출력되는영상의히스토그램 (histogram) 을계산하는단계 ; 상기복수의영상검출부로부터출력되는영상을히스토그램평활화 (histogram equalization) 하는단계 ; 상기복수의영상검출부중하나의영상검출부를선택하는단계 ; 및
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2014년12월18일 (11) 등록번호 10-1473415 (24) 등록일자 2014년12월10일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) G06T 5/40 (2006.01) H04N 5/217 (2011.01) (21) 출원번호 10-2012-0156871 (22) 출원일자 2012
특허청구의범위청구항 1 물을여과하는필터부 ; 상기필터부에물을유동시키는정수관 ; 상기정수관에설치되고, 상기정수관의수류를이용하여전기를발생시키는발전모듈 ; 및상기정수관에배치되고, 상기발전모듈에서발생된전기가공급되고, 상기정수관을따라유동되는정수를전기분해하여살균하는살균모듈 ; 을
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) B01D 35/00 (2006.01) C02F 1/461 (2006.01) C02F 1/467 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0019000 (22) 출원일자 2009 년 03 월 05 일 심사청구일자 없음 전체청구항수 : 총 4 항 (54) 정수기 (11)
<5BB0EDB3ADB5B55D32303131B3E2B4EBBAF12DB0ED312D312DC1DFB0A32DC0B6C7D5B0FAC7D02D28312E28322920BAF2B9F0B0FA20BFF8C0DAC0C720C7FCBCBA2D3031292D3135B9AEC7D72E687770>
고1 융합 과학 2011년도 1학기 중간고사 대비 다음 글을 읽고 물음에 답하시오. 1 빅뱅 우주론에서 수소와 헬륨 의 형성에 대한 설명으로 옳은 것을 보기에서 모두 고른 것은? 4 서술형 다음 그림은 수소와 헬륨의 동위 원 소의 을 모형으로 나타낸 것이. 우주에서 생성된 수소와 헬륨 의 질량비 는 약 3:1 이. (+)전하를 띠는 양성자와 전기적 중성인 중성자
특허청구의 범위 청구항 1 발열원의 일면에 접촉 설치되며, 내부에 상기 발열원의 열에 의해 증발되는 작동유체가 수용되는 작동유체챔버 가 구비되고, 상기 작동유체챔버의 일측에 제1연결구가 형성된 흡열블록; 및 상기 흡열블록의 일측에 결합되며, 흡열블록과 결합되는 부분에
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) G06F 1/20 (2006.01) H01L 23/34 (2006.01) F28D 15/02 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0087354 (22) 출원일자 2009년09월16일 심사청구일자 2009년09월16일 (65) 공개번호 10-2011-0029605
본 발명은 난연재료 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 케이블이나 전선의 시스체로 쓰이는 저발연, 저독성을 가진 열가소성 난연재료 조성물에 관한 것이다. 종래의 선박용 케이블은 그 사용 용도와 장소에 따라 다양한 제품들로 구별된다. 근래 들어 해양 구조물 및 선박에
(51) Int. Cl. 7 C08L 31/04 (19)대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2005년03월08일 10-0473564 2005년02월17일 (21) 출원번호 10-2001-0074372 (65) 공개번호 10-2003-0043291 (22) 출원일자 2001년11월27일 (43)
실용신안 등록청구의 범위 청구항 1 톤백마대가 설치될 수 있도록 일정간격을 두고 설치되는 한 쌍의 지지프레임과, 상기 지지프레임과 지지프레임의 상부를 서로 연결하는 한 쌍의 연결프레임과, 상기 연결프레임의 상부에 일정간격을 두고 다수 설치되어 상기 톤백마대와 그 투입구
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개실용신안공보(U) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) B65B 67/12 (2006.01) B65D 88/16 (2006.01) (21) 출원번호 20-2012-0003587 (22) 출원일자 2012년05월01일 심사청구일자 2012년05월01일 (11) 공개번호 20-2013-0006479 (43) 공개일자
본 발명은 중공코어 프리캐스트 슬래브 및 그 시공방법에 관한 것으로, 자세하게는 중공코어로 형성된 프리캐스트 슬래브 에 온돌을 일체로 구성한 슬래브 구조 및 그 시공방법에 관한 것이다. 이를 위한 온돌 일체형 중공코어 프리캐스트 슬래브는, 공장에서 제작되는 중공코어 프
(51) Int. Cl. E04B 5/32 (2006.01) (19)대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2007년03월12일 10-0693122 2007년03월05일 (21) 출원번호 10-2006-0048965 (65) 공개번호 (22) 출원일자 2006년05월30일 (43) 공개일자 심사청구일자
항은 발명의 상세한 설명에는 그 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자 (이하 통상의 기술자 라고 한다)가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 그 발명의 목적 구성 및 효과를 기재하여야 한다고 규정하고 있다. 이는 특허출원된 발명의 내용을 제 3자가 명세서만으로
대 법 원 제 2 부 판 결 사 건 2013후518 권리범위확인(특) 원고, 상고인 코오롱인더스트리 주식회사 소송대리인 변리사 경진영 외 2인 피고, 피상고인 토요보 가부시키가이샤(변경 전: 토요 보세키 가부시키가이샤) 소송대리인 변호사 박성수 외 4인 원 심 판 결 특허법원 2013. 1. 25. 선고 2012허6700 판결 판 결 선 고 2015. 9.
(52) CPC 특허분류 B01D 53/62 ( ) Y02C 10/10 ( ) (72) 발명자 이정현 대전광역시서구대덕대로 246 넥서스밸리 B 동 1417 호 박영철 대전광역시유성구반석동로 33 반석마을 5 단지아파트 505 동 201 호 이발명
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B01D 53/22 (2006.01) B01D 53/62 (2006.01) (52) CPC 특허분류 B01D 53/225 (2013.01) B01D 53/228 (2013.01) (21) 출원번호 10-2015-0076621 (22) 출원일자 2015 년
마이크로, TAS, 패키지, 범프, 관통홀 명세서 도면의 간단한 설명 도 1은 종래 기술에 따른 외부의 압력을 센싱하는 압력센서 패키지의 단면도 도 2a와 2b는 본 발명에 따라 마이크로 타스(TAS, Total Analysis System)칩이 실장된 패키지 단면도
(51) Int. Cl. 7 H01L 21/60 (19)대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2005년10월07일 10-0519222 2005년09월28일 (21) 출원번호 10-2003-0085619 (65) 공개번호 10-2005-0051933 (22) 출원일자 2003년11월28일 (43)
(72) 발명자 황병준 강원도원주시단계동 강경태 서울시서초구반포본동반포주공아파트 110 동 10 5 호 이낙규 인천광역시연수구송도동 23-3 더샵센트럴파크 동 902 호 조영준 경기도용인시기흥구보정동연원마을삼성명가타운아파트 110 동 1303 호
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C23F 13/00 (2006.01) C23F 13/04 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0139800 (22) 출원일자 2011 년 12 월 22 일 심사청구일자 2011 년 12 월 22 일 (65) 공개번호 10-2013-0072406
유기 발광 다이오드의 전하주입 효율 향상을 통한 발광효율 향상 연구
- i - - ii - - iii - - iv - - v - - vi - 그림차례 - vii - - viii - - 1 - 5). - 2 - - 3 - 유기발광다이오드 ( 고분자또는저분자 ) 무기발광다이오드 (p-n junction LED) - + cathode ETL EML HTL HIL anode 발광 두께 : 100 ~ 200 nm 양극 ( 투명전극,
(72) 발명자 강문진 경기 고양시 일산구 일산3동 후곡마을 영풍한진 201-203 김정한 서울 서초구 방배4동 847-34 - 2 -
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) B23K 9/133 (2006.01) B23K 9/28 (2006.01) B23K 9/26 (2006.01) (21) 출원번호 10-2006-0133016 (22) 출원일자 2006년12월22일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 2006년12월22일 (45) 공고일자 2007년10월26일
(72) 발명자 이대훈 경기도 성남시 분당구 정자동 파크뷰 611동 901호 박준호 경기도 안산시 상록구 사1동 1323-14 - 2 -
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) G01N 3/30 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0090352 (22) 출원일자 2008년09월12일 심사청구일자 2008년09월12일 (65) 공개번호 10-2010-0031318 (43) 공개일자 2010년03월22일 (56) 선행기술조사문헌 KR200430499
(72) 발명자 장승엽 경기 수원시 장안구 천천동 비단마을 베스트타운 740동 1702호 정원석 경기 용인시 기흥구 보정동 죽현마을 I-Park 208동 1802호 - 2 -
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) E01B 25/30 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0065197 (22) 출원일자 2007년06월29일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 JP2004346733 A* JP55040028 U KR100198968 B1 2007년06월29일 *는 심사관에
(72) 발명자 정종수 서울특별시 서대문구 모래내로 319, 101동 405호 (홍은동, 진흥아파트) 김정환 서울특별시 구로구 구로동로21길 7 (구로동) - 2 -
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) B01J 23/34 (2006.01) B01J 37/02 (2006.01) B01J 37/08 (2006.01) B01D 53/86 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-0098306 (22) 출원일자 2010년10월08일 심사청구일자 2010년10월08일
(72) 발명자 최석문 서울관악구봉천 6 동우성아파트 장범식 경기성남시분당구정자동한솔마을청구아파트 110 동 301 호 정태성 경기화성시반월동신영통현대 4 차아파트
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H01L 23/12 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0057147 (22) 출원일자 2007 년 06 월 12 일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 JP2004014722 A US6861288 B2 2007 년 06 월 12 일 (45) 공고일자 2008년10월24일
- 1 -
- 1 - - 2 - - 3 - - 4 - 장비구성 : - 5 - - 6 - 치 - 7 - μ - 8 - - 9 - 고체흡착관의안정화방법및기기 (Tube conditioner) - 10 - - 11 - - 12 - - 13 - - 14 - - 15 - - 16 - - 17 - 전기냉각저온농축장치 (TD) GC/FPD - 18 - GC/FID Headspace
(72) 발명자 오승용 경기도안산시상록구오목로 11 길 45, 202 호 ( 본오동 ) 박영욱 경기도수원시권선구당진로 31 번길 16, 한라비발디 202 동 1201 호 ( 당수동 ) 고대화 경기도수원시권선구금호로 189 번길 82-12, 202 호 ( 구운동 ) 김준
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2013년06월24일 (11) 등록번호 10-1278021 (24) 등록일자 2013년06월18일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B65G 1/12 (2006.01) B65G 1/06 (2006.01) H01L 21/677 (2006.01) B25J 5/00 (2006.01)
특허청구의범위청구항 1 구리나노콜로이드 ; 구리염 ; 및폴리비닐피롤리돈, 에틸렌디아민, 및디에틸렌아민을포함하는군으로부터선택되고, 상기구리염과반응을일으킬수있는고분자 ; 를포함하는전도성금속잉크를인쇄하여제조되는전도성금속막. 청구항 2 삭제청구항 3 제1항에있어서, 상기구리나
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B22F 7/02 (2006.01) B22F 3/10 (2006.01) B22F 9/02 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-0121967 (22) 출원일자 2010 년 12 월 02 일 심사청구일자 2010 년 12 월 02 일 (65) 공개번호
등록특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2014년02월04일 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2014년01월24일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C08L 79/08
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2014년02월04일 (11) 등록번호 10-1357648 (24) 등록일자 2014년01월24일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C08L 79/08 (2006.01) C08K 3/34 (2006.01) C08L 101/12 (2006.01) C08L 33/12 (2006.01)
도면의간단한설명 도 1 은본발명의실시예 1 내지 3 에서합성한하이드로탈사이트의 X- 선회절패턴을나타내는그래프, 도 2 는본발명의실시예 1 내지 3 에서합성한나노하이드로탈사이트의투과전자현미경 (TEM) 사진, 도 3 은본발명의실시예 1 내지 3 에서합성한나노하이드로탈사이
(51) Int. Cl. B82B 3/00 (2006.01) (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2006 년 07 월 14 일 10-0601016 2006 년 07 월 07 일 (21) 출원번호 10-2003-0049850 (65) 공개번호 10-2005-0010610 (22)
특허청구의 범위 청구항 1 맨홀 일부분에 관통되게 결합되는 맨홀결합구와; 상기 맨홀결합구의 전방에 연통되게 형성되어 토양속에 묻히게 설치되고, 외주면에는 지하수가 유입될 수 있는 다수의 통공이 관통 형성된 지하수유입구와; 상기 맨홀결합구의 후방에 연통되고 수직으로 세워
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) G01F 23/02 (2006.01) G01F 23/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0096769 (22) 출원일자 2007년09월21일 심사청구일자 전체 청구항 수 : 총 5 항 (54) 지하수위 관측장치 2007년09월21일 (11) 공개번호 10-2009-0031004
도 3 은 본 발명에 따른 제거수단을 보인 사시도 도 4 는 본 발명에 따른 제거수단의 해파필터와 카본필터의 구성을 보인 개략단면도 <도면의 주요부분에 대한 부호의 설명> (1) : 케이싱 (1a) : 천연음이온 도료 (2) : 제거수단 (3) : UV살균장치 (4)
(51) Int. Cl. 7 A61L 9/20 (19)대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2005년05월25일 10-0491080 2005년05월13일 (21) 출원번호 10-2004-0022173 (65) 공개번호 10-2004-0037034 (22) 출원일자 2004년03월31일 (43)
(72) 발명자오규환서울시서초구반포동반포아파트 110동 202호김현종서울시관악구봉천6동 층 102호 신경민 서울시서대문구홍제동 459 번지홍제원현대아파트 113 동 1702 호 류재우 경기도김포시북변동
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) A61L 27/08 (2006.01) A61F 2/82 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0015001 (22) 출원일자 2009 년 02 월 23 일 심사청구일자 2009 년 02 월 23 일 (65) 공개번호 10-2010-0095942 (43) 공개일자
특허청구의범위청구항 1 합성수지와색상발현물질로구성되며, 서로인접하고있으면서반복된패턴형태로 0.1nm내지 2000nm의파장범위에서길이방향으로 2가지이상의색상을발현하도록꼬아진보안용섬유. 청구항 2 상기 2가지이상의색상중적어도하나의색상이나타나는길이가 50μm내지 10mm범위
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2012년12월13일 (11) 등록번호 10-1211866 (24) 등록일자 2012년12월06일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) D02G 3/02 (2006.01) D02G 3/04 (2006.01) D01D 5/08 (2006.01) (73) 특허권자한국조폐공사대전광역시유성구과학로
서 인코딩한 데이터를 무선으로 송신하기 위한 무선 송신 수단; 및 통화중 상기 입력 수단으로부터의 음원 데이터 전송신 호에 따라 상기 저장 수단에 저장되어 있는 해당 음원 데이터를 상기 디코딩 수단에 의해 디코딩하고, 상기 디코딩한 음원 데이터와 상기 입력 수단을 통해
(51) Int. Cl. H04B 1/40 (2006.01) (19)대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2006년11월23일 10-0646983 2006년11월09일 (21) 출원번호 10-2004-0053063 (65) 공개번호 10-2006-0004082 (22) 출원일자 2004년07월08일
untitled
13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 2) 2호 주거지 주거지는 해발 58.6m의 조사지역 중앙부 북쪽에 3호 주거지와 중복되어 위치하고 있다. 주거지는 현 지표층인 흑갈색사질점토층(10YR 2/3)을 제거하자 상면에 소토와 목탄이
도 3 은본발명의제조장치에사용되는캡의개략적인평면도이다. 도 4 는본발명의제조장치에사용되는클램프의개략적인평면도이다. 도 5 는본발명의제조장치에사용되는고정판의개략적인정면도이다. 도 6 은본발명의제조장치에사용되는심봉의개략적인정면도이다. 도 7 은본발명의제조장치를나타낸개략적인
(51) Int. Cl. 7 B01D 39/20 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2005 년 08 월 30 일 10-0511071 2005 년 08 월 22 일 (21) 출원번호 10-2001-0032641 (65) 공개번호 10-2001-0079024 (22) 출원일자 2001년06월05일
2009 한국직업사전 2 0 0 9 한국직업사전 150-836 서울특별시 영등포구 문래공원길 5 Tel : 02 2629 7000 www.keis.or.kr 2009 Contents 00 00 0 1 2 4 7 8 00 00 00 00 00 000 000 000 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 0 19 02 023 0 20 0237
[Fig. 4] (a) Properties of OLED as IWO films as anode. (b)fabrication process of QDLED and image of QDLED device using IWO films as anode. [Fig. 3] 정보
![[Fig. 4] (a) Properties of OLED as IWO films as anode. (b)fabrication process of QDLED and image of QDLED device using IWO films as anode. [Fig. 3] 정보](/thumbs/91/105549830.jpg "[Fig. 4] (a) Properties of OLED as IWO films as anode. (b)fabrication process of QDLED and image of QDLED device using IWO films as anode. [Fig. 3] 정보")
바이오인터페이스 기술의 현재와 미래 성균관대학교 정보재료소자연구실(IMDL) 김한기 최근 정보통신 분야의 발전에 따라 기존의 다양한 어플 리케이션들은 평면성을 벗어나 이전부터 요구된 투명유 연하고 깨지지 않는 특성과 더불어 신축성을 가진 특성까 지 요구되고 있다. 이러한 흐름 속에서 투명 전극은 투명 하면서 전도성을 가지고 있는 전극 물질로서 디스플레이, 터치센서,
(72) 발명자강경태서울서초구반포본동반포주공아파트 110동 105호강희석서울강남구대치1동 888 아이파크 106동 802호 황준영 경기용인시수지구동천동수진마을써니벨리 호 김민수 서울특별시강남구압구정동한양아파트 26 동 701 호 - 2 -
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H05K 3/14 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0132946 (22) 출원일자 2009 년 12 월 29 일 심사청구일자 2009 년 12 월 29 일 (65) 공개번호 10-2011-0076279 (43) 공개일자 2011 년 07 월 06 일 (56)
< C6AFC7E3B8B6BDBAC5CD2E687770>
PDP 특허전략보고서 2007. 7. 정보통신심사본부영상기기심사팀 발간사 21세기정보사회는제조업중심의실물경제를탈피하여미래의가상적자산을선점해야만살아남을수있는무한지식경쟁의시대입니다. 과거철강, 자동차산업에근간한경제는정보의재산가치를극대화하는통신, 멀티미디어, 인터넷중심의지식산업으로재편되고있어, IT를통한첨단경영의성패에생존의승부를걸어야하는시기에왔습니다. IT 분야는그발전속도만큼이나새로운개념으로발상의전환을요구할뿐만아니라미래의가상적정보자산에대한실물재산으로서의가치확보가더욱절실합니다.
(52) CPC 특허분류 C25B 15/02 ( ) C25B 9/04 ( ) C25B 9/10 ( ) C25B 9/18 ( ) Y02E 60/366 ( ) 이발명을지원한국가연구개발사업 과제고유번호
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C25B 1/04 (2006.01) C25B 13/08 (2006.01) C25B 15/02 (2006.01) C25B 9/04 (2006.01) C25B 9/10 (2006.01) C25B 9/18 (2006.01) (52) CPC 특허분류 C25B 1/04
특허청구의범위청구항 1 투입된음식물을분쇄하는분쇄기 ; 상기분쇄된음식물을가열할수있는마그네트론 ; 및탈취작용을하는저온촉매필터를포함하는음식물처리기에있어서, 상기마그네트론이상기저온촉매필터를일정온도로가열할수있는것을특징으로하는, 청구항 2 제 1 항에있어서, 상기음식물처리기는상기
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) F26B 3/347 (2006.01) F23G 5/00 (2006.01) B09B 3/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0104077 (22) 출원일자 2009 년 10 월 30 일 심사청구일자 (30) 우선권주장 없음 2020090010354 2009
소화설비규정
소화설비규정 - 총목차 - Ⅰ. 통칙 Ⅱ. 초기소화설비규정 Ⅲ. 소화전설비규정 Ⅳ. 소화펌프자동차설비규정 Ⅴ. 자동화재탐지설비규정 Ⅵ. 스프링클러설비규정 Ⅶ. 자동화재속보설비규정 Ⅷ. 포소화설비규정 Ⅸ. 이산화탄소소화설비규정 Ⅹ. 할론1301소화설비규정 Ⅺ. 청정소화약제소화설비규정 Ⅻ. 소화설비할인율표 ⅩⅢ. 부록 Ⅰ. 통칙 Ⅰ. 통칙 Ⅱ. 초기소화설비규정
. 0.. Planck : sec : sec : : m in radian m in ln sec 심장 발 기압
. 0.. Planck : sec : sec : : sec sec A . 0.. Planck : sec : sec : : m in radian m in ln sec 심장 발 기압 . 0. sec π . 0.. Planck : sec : sec : : sec sec sec sec . 0.. Planck : sec : sec : : m p = 1u=931.5 MeV
130 화재안전점검매뉴얼 유별성질품명지정수량 1. 산화성고체 : 고체로서산화력의잠재적인위험성또는충격에대해민감성이있는것 * 고체 : 액체 (1 기압및 20 에서액상또는 20 초과 40 이하에서액상 ) 또는기체 (1 기압및 20 에서기상 ) 외의것 2. 가연성고체 : 고체
유별성질품명지정수량 130 화재안전점검매뉴얼 유별성질품명지정수량 1. 산화성고체 : 고체로서산화력의잠재적인위험성또는충격에대해민감성이있는것 * 고체 : 액체 (1 기압및 20 에서액상또는 20 초과 40 이하에서액상 ) 또는기체 (1 기압및 20 에서기상 ) 외의것 2. 가연성고체 : 고체로서화염에의한발화의위험성또는인화의위험성이있는것 3. 유황 : 순도가 60wt.%
실용신안 등록청구의 범위 청구항 1 터치스크린이 구비된 휴대 단말기용 케이스에 있어서, 바닥편(2)과 덮개편(3)이 절첩편(4) 사이에 일체 형성된 플립형 케이스(1); 상부에 단말기(M) 몸체가 수납 고정되고 저면이 상기 바닥편(2)에 점착 고정되는 하드케이스(7);
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개실용신안공보(U) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) A45C 11/00 (2014.01) (21) 출원번호 20-2012-0006075 (22) 출원일자 2012년07월11일 심사청구일자 전체 청구항 수 : 총 4 항 2012년07월11일 (54) 고안의 명칭 휴대 단말기용 케이스 (11) 공개번호 20-2014-0000448
명세서청구범위청구항 1 일단이아래로경사지게형성되고타단의측면은제 1 링크 (11) 및제 2 링크 (12) 를갖는원형링크 (13) 의상기제 2 링크에연결되고상기원형링크를매개로회전가능한사용자의안착을위한좌석 (10); 일단이상기좌석의일단과상응하게아래로경사지게형성되고제 3 링크
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) A61G 5/14 (2006.01) A47C 7/62 (2006.01) (21) 출원번호 10-2014-0162951 (22) 출원일자 2014 년 11 월 20 일 심사청구일자 전체청구항수 : 총 6 항 2016 년 05 월 19 일 (11) 공개번호 10-2016-0060891
(72) 발명자경진호대전유성구지족동열매마을아파트 박찬훈대전서구둔산동크로바아파트 101동 201호 박동일 대전유성구지족동열매마을아파트 101 동 1401 호 이발명을지원한국가연구개발사업 과제고유번호 MO1940 부처명 지식경제부 연구사업명 지경부-국가연구
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B25J 13/08 (2006.01) B25J 9/16 (2006.01) B25J 15/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0028017 (22) 출원일자 2012 년 03 월 20 일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 JP2002264059
(72) 발명자 한상욱 서울특별시 노원구 공릉2동 81 태강아파트 1014동 201호 김진관 경기도 고양시 일산동구 마두동 강촌마을 2단지 한 신아파트 216-402 - 2 -
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) E03B 3/03 (2006.01) E03F 1/00 (2006.01) C02F 1/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0136139 (22) 출원일자 2011년12월16일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 KR100795918 B1* KR101036279
(72) 발명자 박세웅 서울특별시관악구신림동산 56-1 서울대학교뉴미디어통신공동연구소 최진구 서울특별시영등포구당산동 2 가대우메종아파트 101 동 909 호 - 2 -
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H04B 7/26 (2006.01) H04B 7/155 (2006.01) H04Q 7/30 (2006.01) H04Q 7/20 (2006.01) (21) 출원번호 10-2006-0085572 (22) 출원일자 2006 년 09 월 06 일 심사청구일자 2006 년 09 월
등록특허 (51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) C22B 9/10 ( ) (21) 출원번호 (22) 출원일자 2007 년 09 월 21 일 심사청구일자 2007
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) C22B 9/10 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0096777 (22) 출원일자 2007 년 09 월 21 일 심사청구일자 2007 년 09 월 21 일 (65) 공개번호 10-2009-0031006 (43) 공개일자 2009 년 03 월 25 일 (56)
특허청구의범위청구항 1 콘크리트전주의균열이발생한둘레면을감싸는메인시트 ; 상기메인시트와상기콘크리트전주의사이에개재되는타공성섬유시트 ; 상기메인시트의상하전면에접하는플레이트와, 상기플레이트에형성되어상기플레이트의둘레를조임으로써상기메인시트를상기콘크리트전주측으로가압하는클립밴드와,
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) E04G 23/02 (2006.01) E04H 12/12 (2006.01) E04C 3/34 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0044279 (22) 출원일자 2009 년 05 월 21 일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 KR1020030059736
명세서청구범위청구항 1 갠트리의헤드로부터방사선을조사하는선형가속기에사용되고, 상기헤드에설치되고, 방사선이조사되는환자의치료중심을향해레이저를쏘고환자의체표면에서반사된레이저를감지하여환자의체표면까지의거리를측정하는레이저거리측정기 ; 상기레이저거리측정기의데이터를수신하여 SSD(sou
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) A61N 5/10 (2006.01) (21) 출원번호 10-2014-0107105 (22) 출원일자 2014 년 08 월 18 일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 JP2012024909 A* JP2012501792 A* US20100280374 A1
이 발명을 지원한 국가연구개발사업 과제고유번호 A1100-0801-2739 부처명 지식경제부 연구관리전문기관 연구사업명 IT핵심기술개발 연구과제명 융합형 포털서비스를 위한 이용자 참여형 방송기술개발 기여율 주관기관 전자부품연구원 연구기간 2008년 03월 01일 ~ 2
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) G06Q 30/00 (2006.01) G06Q 50/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0133476 (22) 출원일자 2008년12월24일 심사청구일자 2008년12월24일 (65) 공개번호 10-2010-0074918 (43) 공개일자 2010년07월02일
공개특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 (43) 공개일자 2008년08월06일 (51) Int. Cl. H05H 1/34 ( ) H05H 1/24 (20
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 10-2008-0072355 (43) 공개일자 2008년08월06일 (51) Int. Cl. H05H 1/34 (2006.01) H05H 1/24 (2006.01) H05H 3/02 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0010999 (22) 출원일자 2007 년 02
특허청구의 범위 청구항 1 제 1 도전형 기판을 준비하는 제 1 도전형 기판 준비 단계; 상기 제 1 도전형 기판에 포토 레지스트를 패터닝하여 마이크로 와이어를 형성하는 마이크로 와이어 형성 단계; 상기 마이크로 와이어가 형성되지 않은 영역에 나노 와이어를 형성하는 나
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 2014년02월26일 (11) 등록번호 10-1366740 (24) 등록일자 2014년02월18일 (51) 국제특허분류(Int. Cl.) H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0119306 (22) 출원일자 2012년10월25일
특허청구의 범위 청구항 1 앵커(20)를 이용한 옹벽 시공에 사용되는 옹벽패널에 있어서, 단위패널형태의 판 형태로 구성되며, 내부 중앙부가 후방 하부를 향해 기울어지도록 돌출 형성되어, 전면이 오 목하게 들어가고 후면이 돌출된 결속부(11)를 형성하되, 이 결속부(11
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) E02D 29/02 (2006.01) E02D 17/20 (2006.01) E02B 3/14 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-0089517 (22) 출원일자 2010년09월13일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 JP2006037700 A* KR100920461
<4D F736F F F696E74202D C0C720C0CCC7D820B9D720C3D6BDC5B1E2BCFABFACB1B820B5BFC7E E34292E707074>
PDP 의이해및최신연구동향 2004.3.4 Myeong Soo Chang Digital Display Research Lab. LG Electronics Inc. Contents 1. Introduction 2. AC PDP 구조 3. AC PDP Design Technology 4. AC PDP 제조공정 5. PDP용재료및공정 6. 최신연구동향 1. Introduction
기술인 10월호b63뼉?일
www.keea.or.kr 10 2014 Vol. 386 CONTENTS OCTOBER 2014 02 09 12 14 16 28 32 36 40 42 44 50 52 56 56 64 2 Electric Engineers OCTOBER 3 4 Electric Engineers OCTOBER 5 6 Electric Engineers OCTOBER 7 8 Electric
BS-K1217-M□□-3012_ProductGuide_KR_PDF
READER/WRITER MADE IN JAPAN System [ASLINK ] S-K1217-M-3012..,.,....,,. S-K1217-M08-3012 S-K1217-M12-3012 S-K1217-M18-3012 S-K1217-M30-3012 2() () / 1 2 1 DC..,,.,,,..,....... ' ARW-04 (Ver.04-1.01 ),
(72) 발명자 김화용 서울특별시관악구봉천 2 동동아아파트 109 동 803 호 강병희 서울특별시관악구봉천 11 동 번지미림연립 305 호 - 2 -
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2010년04월09일 (11) 등록번호 10-0951955 (24) 등록일자 2010년04월01일 (73) 특허권자 (51) Int. Cl. 재단법인서울대학교산학협력재단 C02F 1/72 (2006.01) C02F 11/06 (2006.01) 서울특별시관악구봉천7동산4의 2번지
이 발명을 지원한 국가연구개발사업 과제고유번호 20110026962 부처명 교육과학기술부 연구사업명 기초사업연구-일반연구자지원사업-기본연구지원사업(유형II) 연구과제명 시공간 부호 협력 통신을 위한 동기 알고리즘 연구 기 여 율 1/1 주관기관 서울시립대학교 산학협력단
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) H04J 11/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0038191 (22) 출원일자 2012년04월13일 심사청구일자 2012년04월13일 (65) 공개번호 10-2013-0115668 (43) 공개일자 2013년10월22일 (56) 선행기술조사문헌
(72) 발명자 신용욱 경기평택시평택로 17, 106 동 1104 호 ( 평택동, 롯데인벤스스카이 ) 장재혁 충남천안시서북구직산읍천안대로 1718, 108 동 301 호 ( 부영아파트 ) - 2 -
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2014년06월18일 (11) 등록번호 10-1408644 (24) 등록일자 2014년06월11일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) H01L 51/56 (2006.01) H01L 21/683 (2006.01) B23Q 1/26 (2006.01) (21) 출원번호 10-2013-0019753
등록특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B21C 25/02 ( ) B21C 31/00 ( ) (21) 출원번호 (22) 출원일
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B21C 25/02 (2006.01) B21C 31/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0125153 (22) 출원일자 2011 년 11 월 28 일 심사청구일자 2011 년 11 월 28 일 (65) 공개번호 10-2013-0059056
명세서청구범위청구항 1 구리화합물을준비하는단계 ; 상기구리화합물을습식밀링하여구리화합물미립자를제조하는단계 ; 상기습식밀링한구리화합물미립자를건조하는단계 ; 상기건조된구리화합물미립자를건식밀링하는단계 ; 및상기건식밀링된구리화합물미립자를입자크기에따라분급하는단계를포함하는기능성원사
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 10-2016-0064567 (43) 공개일자 2016년06월08일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) D01F 1/10 (2006.01) B22F 9/02 (2006.01) (21) 출원번호 10-2014-0168337 (22) 출원일자 2014 년 11 월 28 일 심사청구일자
(72) 발명자 류명관 경기도용인시수지구신봉 2 로 26, LG 신봉자이 1 차아파트 124 동 1002 호 ( 신봉동 ) 이상윤 서울특별시서초구서초중앙로 200, 13 동 707 호 ( 서초동, 삼풍아파트 ) 이광희 경기수원시영통구망포동벽산아파트 김태
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 10-2012-0021454 (43) 공개일자 2012년03월09일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) H01L 29/786 (2006.01) G02F 1/136 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-0074404 (22) 출원일자 2010 년 07 월 30 일
이발명을지원한국가연구개발사업 과제고유번호 부처명 미래창조부 연구관리전문기관 한국산업기술평가관리원 연구사업명 산업융합원천기술개발 연구과제명 단일노드 48TB 이상을지원하는개방형하둡스토리지어플라이언스 (Hadoop Storage Appliance) 개발 기
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2015년12월03일 (11) 등록번호 10-1573375 (24) 등록일자 2015년11월25일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) G06F 12/08 (2006.01) (21) 출원번호 10-2013-0131411 (22) 출원일자 2013 년 10 월 31 일 심사청구일자
(72) 발명자 김동식 광주북구오룡동 1 번지광주과학기술원신소재공학과 이경재 광주북구오룡동 1 번지광주과학기술원신소재공학과 - 2 -
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) B82B 3/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2006-0034056 (22) 출원일자 2006 년 04 월 14 일 심사청구일자 2006 년 04 월 14 일 (65) 공개번호 10-2007-0102204 (43) 공개일자 2007 년 10 월 18 일 (56)
(72) 발명자 박병희 충청북도 청원군 부용면 부강행산로 232, 구 183-1 바자지 바랏 대전시 유성구 신성동 19 박병기 대전시 유성구 어은동 한빛A 106-302 이 발명을 지원한 국가연구개발사업 과제고유번호 10033744201113100600011645100
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 2013년08월12일 (11) 등록번호 10-1295372 (24) 등록일자 2013년08월05일 (51) 국제특허분류(Int. Cl.) D01F 8/12 (2006.01) D01D 5/00 (2006.01) D04H 1/42 (2006.01) (73) 특허권자 한국화학연구원 대전광역시
등록특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) G01R 29/08 ( ) (21) 출원번호 (22) 출원일자 2011 년 12 월 28 일 심사
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) G01R 29/08 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0144999 (22) 출원일자 2011 년 12 월 28 일 심사청구일자 2011 년 12 월 28 일 (65) 공개번호 10-2013-0076416 (43) 공개일자 2013 년 07
(b) 연산증폭기슬루율측정회로 (c) 연산증폭기공통모드제거비측정회로 그림 1.1. 연산증폭기성능파라미터측정회로
Lab. 1. I-V Characteristics of a Diode Lab. 1. 연산증폭기특성실험 1. 실험목표 연산증폭기의전압이득 (Gain), 입력저항, 출력저항, 대역폭 (Bandwidth), 오프셋전압 (Offset Voltage), 공통모드제거비 (Common-mode Rejection Ratio; CMRR) 및슬루율 (Slew Rate) 등의기본적인성능파라미터에대해서실험을통해서이해
Korean Patent No. KR
From the SelectedWorks of Adam Stephenson December 22, 2008 Korean Patent No. KR1020067027478 Adam R Stephenson Available at: https://works.bepress.com/adam_stephenson/8/ (51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR)
(72) 발명자 강경태 서울서초구반포본동반포주공아파트 110 동 105 호 강희석 경기용인시수지구풍덕천동삼성쉐르빌 102 동 202 호 박문수 경기용인시기흥구신갈동도현마을현대 호 박승인 경기수원시영통구영통동 층 - 2 -
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) B81B 7/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0007106 (22) 출원일자 2007 년 01 월 23 일 심사청구일자 2007 년 01 월 23 일 (65) 공개번호 10-2008-0069416 (43) 공개일자 2008 년 07 월 28 일 (56)
도 1 특허청구의범위 청구항 1. 자성금속박막을형성하는단계 ; 상기자성금속박막위에알루미늄을증착하는단계 ; 증착된상기알루미늄위에자성금속을증착하여알루미나이드박막을형성하는단계 ; 그리고 상기알루미나이드박막위에자성금속박막을증착하는단계로이루어지고, 상기자성금속은 Co, Fe 및
(51) Int. Cl. G11B 5/31 (2006.01) (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2007 년 05 월 09 일 10-0716104 2007 년 05 월 02 일 (21) 출원번호 10-2003-0075402 (65) 공개번호 10-2005-0040248 (22)
특허청구의 범위 청구항 1 일반전화를 이용한 위험 알림시스템 및 실시간 영상전송 장치에서 CID(콜백넘버) 장치를 포함한 서버 및 그 장 비를 포함하며, 영상서버와 연동한 형태를 상황실에 전송하여 출동하는 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 일반전화를 이용한 위험 알
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (11) 공개번호 10-2014-0008486 (43) 공개일자 2014년01월21일 (51) 국제특허분류(Int. Cl.) G08B 25/08 (2014.01) G08B 21/02 (2006.01) G08B 13/196 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0075069 (22) 출원일자
특허청구의 범위 청구항 1 고유한 USB-ID를 가지며, 강제 포맷이나 프로그램 삭제가 불가능한 CD영역과 데이터의 읽기, 쓰기가 가능한 일 반영역으로 분할되어 있고 상기 CD영역에 임산부 도우미 프로그램이 임산부 PC(200)에 연결되면 자동 설치 및 실행되게 탑재된
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (11) 공개번호 10-2010-0042502 (43) 공개일자 2010년04월26일 (51) Int. Cl. G06Q 50/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0101675 (22) 출원일자 2008년10월16일 심사청구일자 전체 청구항 수 : 총 13 항 2008년10월16일 (71)
- 2 -
- 2 - - 3 - - 4 - - 5 - - 6 - - 7 - - 8 - - 9 - 가 ) 가 ) 가 ) 가 ) - 10 - - 11 - 길이 피시험기기 주전원 절연지지물 케이블지지용절연물 접지면 발생기 - 12 - 길이 가능한경우 절연지지물 절연지지물 접지면 전자계클램프 감결합장치 - 13 - - 14 - - 15 - - 16 - - 17 - - 18 -
(72) 발명자 허대영 울산광역시울주군범서읍천상리경동태원하이빌아파트 108 동 202 호 지한나 울산광역시남구옥동 번지 - 2 -
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) A61H 23/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0091947 (22) 출원일자 2008 년 09 월 19 일 심사청구일자 2008 년 09 월 19 일 (65) 공개번호 10-2010-0033002 (43) 공개일자 2010 년 03 월 29 일 (56)
도 1 명세서 도면의 간단한 설명 도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 비접촉 USB 리더기의 블럭도를 나타낸다. 도 2는 도 1의 비접촉 USB 리더기를 이용한 인프라 구축 시스템의 개략도를 나타낸다. 도 3은 도 1의 비접촉 USB 리더기를 이용한 이용 방법에 대한
(51) Int. Cl. G06K 7/00 (2006.01) (19)대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2006년11월01일 10-0639964 2006년10월24일 (21) 출원번호 10-2004-0077732 (65) 공개번호 10-2006-0028855 (22) 출원일자 2004년09월30일
특허청구의범위청구항 1 알루미늄으로구성된내층및구리로구성된외층의이중층으로구성되되, 장측의구리층두께 (a) 가단측의구리층두께 (b) 보다작은사각바 (bar) 형으로, 구리대알루미늄의중량비가 10:90 내지 30:70인것을특징으로하는복합금속부스바. 청구항 2 제 1항에있어서
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) H01B 1/02 (2006.01) H01B 5/02 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0052790 (22) 출원일자 2009 년 06 월 15 일 심사청구일자 2009 년 06 월 15 일 (65) 공개번호 10-2010-0105297
청구항 1. 1) 사이클로덱스트린수용액에금속염수용액을가하고교반반응시켜사이클로덱스트린 - 금속염포접착체를얻는단계, 및 2) 단계 1) 에서얻어진포접착체를소성하여열분해시키는단계를포함하는, 금속산화물나노분말의제조방법. 청구항 2. 제 1 항에있어서, 사이클로덱스트린이 α-,
(51) Int. Cl. C01G 1/02 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2007 년 02 월 12 일 10-0681767 2007 년 02 월 06 일 (21) 출원번호 10-2005-0036663 (65) 공개번호 10-2006-0114514
00....
Fig. 1 2.5%. 51.5%, 46.0%,.. /, Table 1 (U.V.; Ultraviolet 10-400 nm)/ (NIR; Near Infrared 700 nm - 5 µm) ( TiO 2, WO 3, ZnO, CeO, ATO, Sb 2O 3-ZnO, ITO.) (400 nm - 780 nm). /. Fig. 1.. 23 Table 1. / /
(b) 미분기 (c) 적분기 그림 6.1. 연산증폭기연산응용회로
Lab. 1. I-V Characteristics of a Diode Lab. 6. 연산증폭기가산기, 미분기, 적분기회로 1. 실험목표 연산증폭기를이용한가산기, 미분기및적분기회로를구성, 측정및 평가해서연산증폭기연산응용회로를이해 2. 실험회로 A. 연산증폭기연산응용회로 (a) 가산기 (b) 미분기 (c) 적분기 그림 6.1. 연산증폭기연산응용회로 3. 실험장비및부품리스트
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지주회사 LG의 설립과정 및 특징 소유구조를 중심으로 이은정_좋은기업지배구조연구소 기업정보실장 이주영_좋은기업지배구조연구소 연구원 1/21 2/21 3/21 4/21 5/21 6/21 7/21 8/21 9/21 10/21 11/21 12/21 13/21 14/21 15/21 16/21 17/21 18/21 19/21 20/21 [별첨1] 2000.12.31.현재
1. 기술성 분석 1. 기술의 내용 및 특징 본 기술은 OLED 내부에 고립되어 있는 빛을 외부로 추출하기 위한 광추출 부품/ 소 재 기술에 관한 것임. 본 기술은 OLED 기판과 공기 사이의 굴절률 차이로 인하여 고립되는 빛을 외부로 추출하는 주름 필름에 관련된 소재
IT융합분과 OLED용 고효율 광추출 주름 필름 기술 Ⅰ. 제안기술 개요 기술의 내용 기술의 동향 기술의 제품화 및 시장 전망 - 본 기술에서는 조명용 OLED 패널에 있어서 광효율을 높여줌과 동시에 시야 각에 따른 색안정성을 높여줄 수 있는 필름 기술을 제공함. - 무작위 분포 주름 구조를 형성할 수 있는 액상 프리폴리머 합성 제조 기술. 광추출 및 스펙트럼
(72) 발명자 오인환 서울 노원구 중계로 195, 101동 803호 (중계동, 신 안동진아파트) 서혜리 서울 종로구 평창14길 23, (평창동) 한훈식 서울 강남구 언주로71길 25-5, 301호 (역삼동, 영 훈하이츠) 이 발명을 지원한 국가연구개발사업 과제고유번호
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 2014년04월14일 (11) 등록번호 10-1384704 (24) 등록일자 2014년04월07일 (51) 국제특허분류(Int. Cl.) F16L 9/18 (2006.01) F17D 1/00 (2006.01) F16L 3/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0113933
(72) 발명자 강봉철 대전유성구대학로 291, 1204 호 ( 구성동, 한국과학기술원 ) 한승용 대전유성구대학로 291, 기계공학동응용나노기술과학연구실 ( 구성동, 한국과학기술원 ) - 2 -
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B82B 3/00 (2006.01) B22F 9/18 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01) C22B 9/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0112150 (22) 출원일자 2011 년 10 월 31 일 심사청구일자 2011
실험 5
실험. OP Amp 의기초회로 Inverting Amplifier OP amp 를이용한아래와같은 inverting amplifier 회로를고려해본다. ( 그림 ) Inverting amplifier 위의회로에서 OP amp의 입력단자는 + 입력단자와동일한그라운드전압, 즉 0V를유지한다. 또한 OP amp 입력단자로흘러들어가는전류는 0 이므로, 저항에흐르는전류는다음과같다.