(72) 발명자 류명관 경기도용인시수지구신봉 2 로 26, LG 신봉자이 1 차아파트 124 동 1002 호 ( 신봉동 ) 이상윤 서울특별시서초구서초중앙로 200, 13 동 707 호 ( 서초동, 삼풍아파트 ) 이광희 경기수원시영통구망포동벽산아파트 김태
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1 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 (43) 공개일자 2012년03월09일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) H01L 29/786 ( ) G02F 1/136 ( ) (21) 출원번호 (22) 출원일자 2010 년 07 월 30 일 심사청구일자 없음 전체청구항수 : 총 24 항 (71) 출원인 삼성전자주식회사 경기도수원시영통구삼성로 129 ( 매탄동 ) (72) 발명자 박경배 서울특별시강남구영동대로 640, 현대아이파크아파트사우스윙 3602 호 ( 삼성동 ) 김현석 경기도화성시반송동나루마을우림루미아트아파트 ( 뒷면에계속 ) (74) 대리인 리앤목특허법인 (54) 발명의명칭트랜지스터와그제조방법및트랜지스터를포함하는전자소자 (57) 요약 트랜지스터와그제조방법및트랜지스터를포함하는전자소자에관해개시되어있다. 개시된트랜지스터는다층구조를갖는산화물채널층을포함할수있다. 상기채널층은게이트절연층측으로부터순차로배열되는제 1 층및제 2 층을포함할수있다. 상기제 1 층은도전체 (conductor) 일수있고, 상기제 2 층은상기제 1 층보다전기전도도가낮은반도체 (semiconductor) 일수있다. 상기제 1 층은게이트전압조건에따라공핍영역 (depletion region) 이될수있다. 대표도 - 도 1-1 -
2 (72) 발명자 류명관 경기도용인시수지구신봉 2 로 26, LG 신봉자이 1 차아파트 124 동 1002 호 ( 신봉동 ) 이상윤 서울특별시서초구서초중앙로 200, 13 동 707 호 ( 서초동, 삼풍아파트 ) 이광희 경기수원시영통구망포동벽산아파트 김태상 서울특별시송파구양산로 4 길 8, 404 동 607 호 ( 거여동, 거여 4 단지아파트 ) 김억수 경기도성남시분당구수내로 74, 105 동 504 호 ( 수내동, 양지마을 ) 손경석 서울특별시성동구성수 2 가 1 동 400 번지강변현대아파트 맹완주 경기도용인시기흥구삼성 2 로 97, 기숙사 A 동 41 9 호 ( 농서동, 삼성종합기술원 ) 박준석 경기도성남시분당구중앙공원로 17, 시범단지 ( 서현동, 한양아파트 ) - 2 -
3 특허청구의범위청구항 1 산화물로형성된채널층 ; 상기채널층의양단에각각접촉된소오스및드레인 ; 상기채널층에대응하는게이트 ; 및상기채널층과상기게이트사이에구비된게이트절연층 ; 을포함하고, 상기채널층은상기게이트절연층측으로부터순차로배열되는제1층및제2층을구비하고, 상기제1층은게이트전압조건에따라공핍 (depletion) 될수있는도전체 (conductor) 이고, 상기제2층은상기제1층보다낮은전기전도도를갖는트랜지스터. 청구항 2 제 1 항에있어서, 상기제1층의산소공공 (oxygen vacancy) 농도는상기제2층의산소공공농도보다높은트랜지스터. 청구항 3 제 1 항에있어서, 상기제1층의전기전도도는 10 3 S/cm 이상인트랜지스터. 청구항 4 제 1 항또는제 3 항에있어서, 상기제2층의전기전도도는 10-8 S/cm 이상 10 3 S/cm 미만인트랜지스터. 청구항 5 제 1 항에있어서, 상기제1층의캐리어농도는 / cm3이상 / cm3이하인트랜지스터. 청구항 6 제 1 항또는제 5 항에있어서, 상기제2층의캐리어농도는 / cm3이상 / cm3미만인트랜지스터. 청구항 7 제 1 항에있어서, 상기제1층은 5?50nm 의두께를갖는트랜지스터. 청구항 8 제 1 항에있어서, 상기제1층및제2층의금속원소성분은서로동일한트랜지스터. 청구항 9 제 1 항또는제 8 항에있어서, - 3 -
4 상기제1층및제2층의금속원소농도는서로동일한트랜지스터. 청구항 10 제 1 항에있어서, 상기채널층의산화물은 ZnO 계열또는 InO 계열산화물인트랜지스터. 청구항 11 제 1 항에있어서, 상기게이트는상기채널층아래에구비된트랜지스터. 청구항 12 제 11 항에있어서, 상기채널층상에구비된식각정지층을더포함하는트랜지스터. 청구항 13 제 1 항에있어서, 상기게이트는상기채널층위에구비된트랜지스터. 청구항 14 청구항 1에기재된트랜지스터를포함하는평판표시장치. 청구항 15 게이트를형성하는단계 ; 상기게이트에대응하는것으로산화물을포함하는채널층을형성하는단계 ; 상기게이트와상기채널층사이에게이트절연층을형성하는단계 ; 및상기채널층양단에접촉된소오스및드레인을형성하는단계 ; 를포함하는트랜지스터의제조방법에있어서, 상기채널층을형성하는단계는상기게이트절연층의일면상에순차로구비되는제1층및제2층을형성하는단계를포함하되, 상기제1층은게이트전압조건에따라공핍 (depletion) 될수있는도전체 (conductor) 로형성하고, 상기제2층은상기제1층보다낮은전기전도도를갖도록형성하는트랜지스터의제조방법. 청구항 16 제 15 항에있어서, 상기제1층은제1 산소분압에서형성하고, 상기제2층은상기제1 산소분압보다큰제2 산소분압에서형성하는트랜지스터의제조방법. 청구항 17 제 16 항에있어서, 상기채널층형성시 O 2 및 Ar 을포함하는반응가스를사용하고, 상기제1층은 Ar에대한 O 2 의유량비 (O 2 /Ar) 가 0 보다크고 0.1 보다작은조건으로형성하고, 상기제2층은 Ar에대한 O 2 의유량비 (O 2 /Ar) 가 0.1 보다크거나같은조건으로형성하는트랜지스터의제조방법. 청구항 18 제 15 항에있어서, - 4 -
5 상기제1층및제2층은인-시츄 (in-situ) 로형성하는트랜지스터의제조방법. 청구항 19 제 15 항에있어서, 상기제1층의산소공공 (oxygen vacancy) 농도는상기제2층의산소공공농도보다높은트랜지스터의제조방법. 청구항 20 제 15 항에있어서, 상기제1층의전기전도도는 10 3 S/cm 이상인트랜지스터의제조방법. 청구항 21 제 15 항또는제 20 항에있어서, 상기제2층의전기전도도는 10-8 S/cm 이상 10 3 S/cm 미만인트랜지스터의제조방법. 청구항 22 제 15 항에있어서, 상기제1층은 5?50nm 의두께로형성하는트랜지스터의제조방법. 청구항 23 제 15 항에있어서, 상기채널층은 ZnO 계열또는 InO 계열산화물로형성하는트랜지스터의제조방법. 청구항 24 제 15 항에있어서, 상기트랜지스터는바텀 (bottom) 게이트구조또는탑 (top) 게이트구조로형성하는트랜지스터의제조방법. 명세서 [0001] 기술분야 트랜지스터와그제조방법및트랜지스터를포함하는전자소자에관한것이다. [0002] [0003] [0004] [0005] 배경기술트랜지스터는전자기기분야에서스위칭소자 (switching device) 나구동소자 (driving device) 로널리사용되고있다. 특히, 박막트랜지스터 (thin film transistor) 는유리기판이나플라스틱기판상에제조할수있기때문에, 액정표시장치또는유기발광표시장치등과같은평판표시장치분야에서유용하게사용된다. 현재상용화되어있는대부분의평판표시장치는비정질실리콘으로이루어진채널층을갖는박막트랜지스터 ( 이하, 비정질실리콘박막트랜지스터 ) 또는다결정실리콘층으로이루어진채널층으로갖는박막트랜지스터 ( 이하, 다결정실리콘박막트랜지스터 ) 를사용한다. 비정질실리콘박막트랜지스터의경우, 전하이동도가 0.5 cm2 /Vs 내외로낮기때문에, 평판표시장치의동작속도를높이는데어려움이있다. 또한비정질실리콘은광학적밴드갭 (optical band gap) 이?1.8 ev 정도로서가시광선조사에의한누설전류 (leakage current) 유발및댕글링본드 (dangling bond)( 즉, 결합되어있지않은화학결합손 ) 증가에따른특성열화등의문제가있다. 한편, 다결정실리콘박막트랜지스터의경우, 결정화공정, 불순물주입 ( 임플란트 ) 공정및활성화공정등이요구되기때문에비정질실리콘박막트랜지스터에비해제조공정이복잡하고제조단가가높다. 또한다결정실 - 5 -
6 리콘층의결정립크기는불균일하기때문에, 다결정실리콘층을대면적표시장치의채널층으로적용할경우, 화 면품위가떨어지는문제가발생한다. [0006] 이에, 비정질실리콘박막트랜지스터및다결정실리콘박막트랜지스터의문제를해결하고, 대형화 / 저가격화및고성능 / 고신뢰성을만족시킬수있는새로운박막트랜지스터에대한요구가증가하고있고, 이에대한연구가진행되고있다. 그일환으로산화물층을채널층으로갖는트랜지스터 ( 산화물박막트랜지스터 ) 에대한연구가이루어지고있다. 발명의내용 [0007] [0008] [0009] 해결하려는과제고성능및고신뢰성을갖는트랜지스터를제공한다. 상기트랜지스터의제조방법을제공한다. 상기트랜지스터를포함하는전자소자를제공한다. [0010] [0011] [0012] [0013] [0014] [0015] [0016] [0017] [0018] [0019] [0020] [0021] [0022] [0023] [0024] [0025] 과제의해결수단본발명의일측면 (aspect) 에따르면, 산화물로형성된채널층 ; 상기채널층의양단에각각접촉된소오스및드레인 ; 상기채널층에대응하는게이트 ; 및상기채널층과상기게이트사이에구비된게이트절연층 ; 을포함하고, 상기채널층은상기게이트절연층측으로부터순차로배열되는제1층및제2층을구비하고, 상기제1층은게이트전압조건에따라공핍 (depletion) 될수있는도전체 (conductor) 이고, 상기제2층은상기제1층보다낮은전기전도도를갖는트랜지스터가제공된다. 상기제1층의산소공공 (oxygen vacancy) 농도는상기제2층의산소공공농도보다높을수있다. 상기제1층의전기전도도는 10 3 S/cm 이상일수있다. 상기제2층의전기전도도는 10-8 S/cm 이상 10 3 S/cm 미만일수있다. 상기제1층의캐리어농도는 / cm3이상 / cm3이하일수있다. 상기제2층의캐리어농도는 / cm3이상 / cm3미만일수있다. 상기제1층은 5?50nm 의두께를가질수있다. 상기제2층은 10?1000nm 의두께를가질수있다. 상기제1층및제2층의금속원소성분은서로동일할수있다. 상기제1층및제2층의금속원소농도는서로동일하거나유사할수있다. 상기채널층의산화물은 ZnO 계열또는 InO 계열산화물일수있다. 상기게이트는상기채널층아래에구비될수있다. 이경우, 상기채널층상에식각정지층이더구비될수있다. 상기게이트는상기채널층위에구비될수있다. 본발명의다른측면에따르면, 전술한트랜지스터를포함하는평판표시장치가제공된다. 본발명의다른측면에따르면, 게이트를형성하는단계 ; 상기게이트에대응하는것으로산화물을포함하는채널층을형성하는단계 ; 상기게이트와상기채널층사이에게이트절연층을형성하는단계 ; 및상기채널층양단에접촉된소오스및드레인을형성하는단계 ; 를포함하는트랜지스터의제조방법에있어서, 상기채널층을형성하는단계는상기게이트절연층의일면상에순차로구비되는제1층및제2층을형성하는단계를포함하되, 상기제1층은게이트전압조건에따라공핍 (depletion) 될수있는도전체 (conductor) 로형성하고, 상기제2층은상기제1층보다낮은전기전도도를갖도록형성하는트랜지스터의제조방법이제공된다. 상기제1층은제1 산소분압에서형성하고, 상기제2층은상기제1 산소분압보다큰제2 산소분압에서형성할 - 6 -
7 수있다. [0026] 상기채널층형성시 O 2 및 Ar 을포함하는반응가스를사용할수있다. 이경우, 상기제 1 층은 Ar 에대한 O 2 의 유량비 (O 2 /Ar) 가 0 보다크고 0.1 보다작은조건으로형성할수있고, 상기제 2 층은 Ar 에대한 O 2 의유량비 (O 2 /Ar) 가 0.1 보다크거나같은조건으로형성할수있다. [0027] [0028] [0029] [0030] [0031] [0032] [0033] [0034] 상기제1층및제2층은인-시츄 (in-situ) 로형성할수있다. 상기제1층의산소공공 (oxygen vacancy) 농도는상기제2층의산소공공농도보다높을수있다. 상기제1층의전기전도도는 10 3 S/cm 이상일수있다. 상기제2층의전기전도도는 10-8 S/cm 이상 10 3 S/cm 미만일수있다. 상기제1층은 5?50nm 의두께로형성할수있다. 상기제2층은 10?1000nm 의두께로형성할수있다. 상기채널층은 ZnO 계열또는 InO 계열산화물로형성할수있다. 상기트랜지스터는바텀 (bottom) 게이트구조또는탑 (top) 게이트구조로형성할수있다. [0035] 발명의효과 고성능및고신뢰성을갖는트랜지스터와이를포함하는평판표시장치를구현할수있다. 상기트랜지스터를비 교적간단한방법으로용이하게제조할수있다. [0036] 도면의간단한설명 도 1 내지도 5 는본발명의실시예에따른트랜지스터의단면도이다. 도 6a 내지도 6d는본발명의실시예에따른트랜지스터의제조방법을보여주는단면도이다. 도 7a 내지도 7d는본발명의다른실시예에따른트랜지스터의제조방법을보여주는단면도이다. 도 8은본발명의실시예에따른트랜지스터의제조방법에서 O 2 /Ar 유량비에따른산화물층의전기적특성변화를보여주는그래프이다. 도 9는본발명의실시예에따른트랜지스터의제조방법으로형성한채널층의깊이에따른산소농도의변화를보여주는그래프이다. 도 10 내지도 12는본발명의실시예및비교예에따른트랜지스터의게이트전압 (V GS )-드레인전류(I DS ) 특성을보여주는그래프이다. 도 13 및도 14는본발명의실시예에따른트랜지스터의광조사에의한게이트전압 (V GS )-드레인전류(I DS ) 특성의변화를보여주는그래프이다. * 도면의주요부분에대한부호설명 * 10, 10', 11, 11' : 제1층 20, 20', 22, 22' : 제2층 C1, C1', C2, C2' : 채널층 D1, D1', D2, D2' : 드레인전극 G1, G2 : 게이트 GI1, GI2 : 게이트절연층 P1, P2 : 보호층 S1, S1', S2, S2' : 소오스전극 SUB1, SUB2 : 기판 [0037] 발명을실시하기위한구체적인내용 이하, 본발명의실시예에따른트랜지스터, 트랜지스터의제조방법및트랜지스터를포함하는전자소자를첨부 된도면을참조하여상세하게설명한다. 첨부된도면에도시된층이나영역들의폭및두께는명세서의명확성 - 7 -
8 을위해다소과장되게도시된것이다. 상세한설명전체에걸쳐동일한참조번호는동일한구성요소를나타낸 다. [0038] [0039] [0040] [0041] [0042] [0043] 도 1은본발명의실시예에따른트랜지스터를보여준다. 본실시예의트랜지스터는게이트 (G1) 가채널층 (C1) 아래에구비되는바텀 (bottom) 게이트구조의박막트랜지스터이다. 도 1을참조하면, 기판 (SUB1) 상에게이트 (G1) 가형성될수있다. 기판 (SUB1) 은플라스틱기판일수있지만, 그밖의다른기판, 예컨대, 유리기판이나실리콘기판등통상의반도체소자공정에서사용되는다양한기판중어느하나일수있다. 게이트 (G1) 는일반적인전극물질 ( 금속, 도전성산화물등 ) 로형성될수있다. 기판 (SUB1) 상에게이트 (G1) 를덮는게이트절연층 (GI1) 이형성될수있다. 게이트절연층 (GI1) 은실리콘산화물층또는실리콘질화물층을포함할수있으나, 그밖의다른물질층, 예컨대, 실리콘질화물층보다유전상수가큰고유전물질층을포함할수도있다. 게이트절연층 (GI1) 은단층또는다층구조를가질수있다. 게이트절연층 (GI1) 상에채널층 (C1) 이구비될수있다. 채널층 (C1) 은게이트 (G1) 위쪽에위치할수있다. 채널층 (C1) 의 X축방향폭은게이트 (G1) 의 X축방향폭보다다소클수있다. 채널층 (C1) 은산화물로형성될수있고, 다층구조를가질수있다. 예컨대, 채널층 (C1) 은순차적층된제1산화물층 ( 이하, 제1층 )(10) 및제2산화물층 ( 이하, 제2층 )(20) 을구비한이중층구조를가질수있다. 제1층 (10) 이제2층 (20) 보다상대적으로게이트 (G 1) 에가까이배치되어있다. 다시말해, 게이트절연층 (GI1) 과제2층 (20) 사이에제1층 (10) 이개재 (interpose) 되어있다. 그러므로제1층 (10) 은게이트절연층 (GI1) 에접촉될수있고, 제2층 (20) 은게이트절연층 (GI1) 에서이격될수있다. 제1층 (10) 의두께는, 예컨대, 5?50nm 정도일수있고, 제2층 (20) 의두께는, 예컨대, 10?1000nm 정도일수있다. 제1층 (10) 및제2층 (20) 에대해서는추후에보다상세히설명한다. 게이트절연층 (GI1) 상에채널층 (C1) 의양단에각각접촉되는소오스전극 (S1) 및드레인전극 (D1) 이구비될수있다. 소오스전극 (S1) 및드레인전극 (D1) 은단일층또는다중층일수있다. 소오스전극 (S1) 및드레인전극 (D1) 은게이트 (G1) 과동일한물질층일수있으나, 다른물질층일수도있다. 게이트절연층 (GI1) 상에채널층 (C1), 소오스전극 (S1) 및드레인전극 (D1) 을덮는보호층 (passivation layer)(p1) 이형성될수있다. 보호층 (P1) 은실리콘산화물층, 실리콘질화물층또는유기층이거나, 이들중적어도두개이상이적층된구조를가질수있다. 게이트 (G1), 게이트절연층 (GI1), 소오스전극 (S1) 및드레인전극 (D1) 의두께는각각 50?300nm, 50?400nm, 10?200nm 및 10?200nm 정도일수있다. 이하에서는채널층 (C1) 에대해보다상세히설명한다. 채널층 (C1) 의제1층 (10) 과제2층 (20) 은전기적특성이서로다른층일수있다. 제1층 (10) 은 10 3 S/cm 이상의전기전도도를갖는도전체일수있다. 제1층 (10) 은게이트 (G1) 에인가되는전압조건 ( 즉, 게이트전압조건 ) 에따라공핍영역 (depletion region) 이될수있다. 제2층 (20) 은제1층 (10) 보다낮은전기전도도를갖는반도체일 수있다. 예컨대, 제2층 (20) 의전기전도도는 10-8 S/cm 이상 10 3 S/cm 미만일수있다. 제1층 (10) 과제2층 (20) 의전기전도도는캐리어농도와관련될수있다. 제1층 (10) 의캐리어농도는 / cm3이상 / cm3이하일수있고, 제2층 (20) 의캐리어농도는 / cm3이상 / cm3미만일수있다. 제1층 (10) 의전기저항은 10 Ωcm 이하일수있고, 제2층 (20) 의전기저항은 10 Ωcm 보다클수있다. 제1층 (10) 과제2층 (20) 의산소공공 (oxygen vacancy) 농도는서로다를수있다. 제1층 (10) 의산소공공 (oxygen vacancy) 농도는제2층 (20) 의그것보다높을수있다. 산소공공이많다는것은산소이온은적다는것을의미할수있다. 그러므로제1층 (10) 의산소이온농도는제2층 (20) 의산소이온농도보다낮을수있다. [0044] 제1층 (10) 이도전체라는것은제1층 (10) 에어떤외부요인이작용하지않을때, 제1층 (10) 자체로고유하게도전성을띤다는것을의미한다. 그러나제1층 (10) 에소정의외부요인이작용할때, 제1층 (10) 은도전성을잃고절연체와유사한특성을가질수있다. 만약, 게이트 (G1) 에소정의음 (-) 의전압이인가되면, 제1층 (10) 의캐리어 ( 예컨대, 전자 ) 가제2층 (20) 으로넘어가면서제1층 (10) 은공핍영역 (depletion region) 이될수있다. 그러므로게이트 (G1) 에소정의음 (-) 의전압이인가되는오프 (OFF) 상태에서제1층 (10) 은절연특성을가질수있다. 하지만온 (ON) 상태에서제1층 (10) 은도전특성을가지므로, 소오스전극 (S1) 과드레인전극 (D1) 사이의전류는대부분제1층 (10) 을통해흐를수있다. 이와같이, 도전체의특성을갖는제1층 (10) 은외부요인에의해절연체의특성을가질수있으므로, 온 (ON)/ 오프 (OFF) 스위칭을위한트랜지스터의채널로기능을할수있다. 제1 층 (10) 이과도하게두꺼울경우, 게이트 (G1) 에음 (-) 의전압이인가되더라도제1층 (10) 에공핍영역이형성되기어려울수있다. 즉, 제1층 (10) 이과도하게두꺼울경우, 제1층 (10) 에절연특성을부여하기어려울수있다
9 그러므로제 1 층 (10) 은비교적얇은두께, 예컨대, 5?50nm 정도의두께로형성될수있다. 한편, 제 2 층 (20) 은 10?1000nm 정도의두께로형성될수있다. [0045] [0046] [0047] [0048] [0049] [0050] [0051] [0052] [0053] [0054] 제1층 (10) 과제2층 (20) 은동일계열의산화물 ( 금속산화물 ) 로형성될수있다. 이때, 제1층 (10) 과제2층 (20) 의금속성분 (metal composition) 은동일할수있다. 또한제1층 (10) 과제2층 (20) 의금속원소농도는서로동일하거나유사할수있다. 제1층 (10) 과제2층 (20) 을동일계열의산화물로형성하되, 산소공공농도 ( 또는산소이온농도 ), 캐리어농도등을달리하여이들의전기적특성을제어할수있다. 이와같이, 제1층 (10) 과제2층 (20) 을동일계열의산화물로형성하는경우, 하나의스퍼터타겟 (sputter target) 을사용해서제1층 (10) 과제2 층 (20) 을인-시츄 (in-situ) 로형성할수있으므로, 제조공정이단순화될수있다. 예를들어, 제1층 (10) 및제2층 (20) 은 ZnO 계열또는 InO 계열의산화물을포함할수있다. 제1층 (10) 및제2층 (20) 이 ZnO 계열의산화물을포함하는경우, In, Ga 및 Al과같은 13족원소, Sn 및 Si와같은 14족원소, Zr, Hf 및 Ti와같은 4족원소 ( 전이금속 ), Mg와같은 2족원소, Y 및 La과같은 3족원소 ( 전이금속 ), Cu와같은 11 족원소 ( 전이금속 ), 그리고, Ta, Cr 등그밖의전이금속으로구성된그룹에서선택된적어도하나의원소를더포함할수있다. 구체적인예로, 제1층 (10) 및제2층 (20) 은 GaInZnO, HfInZnO, ZrInZnO, MgInZnO, LaInZnO, AlInZnO, SiInZnO, CuInZnO 등과같은 InZnO( 즉, IZO) 계열산화물또는 GaZnSnO, HfZnSnO, ZrZnSnO, MgZnSnO, LaZnSnO, AlZnSnO, SiZnSnO, CuZnSnO 등과같은 ZnSnO( 즉, ZTO) 계열산화물을포함하거나, ZnO 또는 InO 를포함할수있다. 이와같이, 채널층 (C1) 을전기적특성이서로다른복수의산화물층 (10, 20) 으로구성함으로써, 트랜지스터의동작특성및신뢰성을개선할수있다. 이에대해서는추후에보다상세히설명한다. 도 1에서는채널층 (C1) 의상면양단에소오스전극 (S1) 및드레인전극 (D1) 이접촉되어있지만, 이들의위치관계는달라질수있다. 그예가도 2에도시되어있다. 도 2를참조하면, 게이트절연층 (GI1) 상에서로이격된소오스전극 (S1') 및드레인전극 (D1') 이구비될수있다. 소오스전극 (S1') 과드레인전극 (D1') 사이의게이트절연층 (GI1) 상에두전극 (S1', D1') 에접촉된채널층 (C1') 이구비될수있다. 그러므로소오스전극 (S1') 및드레인전극 (D1') 은채널층 (C1') 의하면양단에접촉될수있다. 채널층 (C1') 은제1층 (10') 및제2층 (20') 이적층된구조를가질수있다. 제1층 (10') 및제2층 (20') 은각각도 1의제1층 (10) 및제2층 (20) 과동일한물질로구성될수있다. 채널층 (C1') 과소오스전극 (S1') 및드레인전극 (D1') 사이의위치관계를제외하면, 도 2의구조는도 1과동일할수있다. 본발명의다른실시예에따르면, 도 1의트랜지스터는채널층 (C1) 상에식각정지층 (etch stop layer) 을더구비할수있다. 그예가도 3에도시되어있다. 도 3을참조하면, 채널층 (C1) 상에식각정지층 (ES1) 이더구비될수있다. 식각정지층 (ES1) 의 X축방향 ( 도 1의좌표참조 ) 폭은채널층 (C1) 보다작을수있다. 채널층 (C1) 의양단은식각정지층 (ES1) 으로커버되지않을수있다. 소오스전극 (S1) 은식각정지층 (ES1) 과채널층 (C1) 의일단을덮을수있고, 드레인전극 (D1) 은식각정지층 (ES1) 과채널층 (C1) 의타단을덮을수있다. 식각정지층 (ES1) 은소오스전극 (S1) 및드레인전극 (D1) 을형성하기위한식각공정에서, 상기식각에의해채널층 (C1) 이손상되는것을방지하는역할을할수있다. 식각정지층 (ES1) 은, 예를들어, 실리콘산화물, 실리콘질화물또는유기절연물등을포함할수있다. 식각정지층 (ES1) 의사용여부는채널층 (C1) 의물질과소오스전극 (S1) 및드레인전극 (D1) 의물질에따라결정될수있다. 식각정지층 (ES1) 을구비하는것을제외하면, 도 3의구조는도 1과동일할수있다. 도 4는본발명의다른실시예에따른트랜지스터를보여준다. 본실시예에따른트랜지스터는게이트 (G2) 가채널층 (C2) 위에구비되는탑 (top) 게이트구조의박막트랜지스터이다. 도 4를참조하면, 기판 (SUB2) 상에채널층 (C2) 이구비되어있다. 채널층 (C2) 은도 1의채널층 (C1) 이위? 아래로뒤집힌구조를가질수있다. 즉, 도 2의채널층 (C2) 은기판 (SUB2) 상에도 1의제2층 (20) 과등가한제2층 (22) 과도 1의제1층 (10) 과등가한제1층 (11) 이순차로구비된구조를가질수있다. 제1층 (11) 은도전체일수있고, 제2층 (22) 은반도체일수있다. 기판 (SUB2) 상에채널층 (C2) 의양단에각각접촉되도록소오스전극 (S2) 및드레인전극 (D2) 이형성되어있다. 기판 (SUB2) 상에채널층 (C2), 소오스전극 (S2) 및드레인전극 (D2) 을덮는게이트절연층 (GI2) 이형성되어있다. 게이트절연층 (GI2) 상에게이트 (G2) 가형성되어있다. 게이트 (G2) 는채널층 (C2) 위에위치한다. 게이트절연층 (GI2) 상에게이트 (G2) 를덮는보호층 (P2) 이형성되어있다. 도 4의기판 (SUB2), 제1층 (11), 제2층 (22), 소오스전극 (S2), 드레인전극 (D2), 게이트절연층 (GI2), 게이트 (G2) 및보호층 (P2) 각각의물질및두께는도 1의기판 (SUB1), 제1층 (10), 제2층 (20), 소오스전극 (S1), 드레인전극 - 9 -
10 (D1), 게이트절연층 (GI1), 게이트 (G1) 및보호층 (P1) 각각의그것들과동일할수있다. 또한, 도 4 에서제 1 층 (11) 및제 2 층 (22) 의역할은도 1 의제 1 층 (10) 및제 2 층 (20) 의역할과동일할수있다. [0055] [0056] [0057] [0058] [0059] [0060] 도 4에서채널층 (C2) 과소오스전극 (S2) 및드레인전극 (D2) 의위치관계는도 5와같이달라질수있다. 도 5를참조하면, 기판 (SUB2) 상에서로이격된소오스전극 (S2') 및드레인전극 (D2') 이구비될수있다. 소오스전극 (S2') 과드레인전극 (D2') 사이의기판 (SUB2) 상에두전극 (S2', D2') 에접촉된채널층 (C2') 이구비될수있다. 그러므로소오스전극 (S2') 및드레인전극 (D2') 은채널층 (C2') 의하면양단에접촉될수있다. 채널층 (C2') 은제2층 (22') 및제1층 (11') 이적층된구조를가질수있다. 제1층 (11') 및제2층 (22') 은각각도 4의제1층 (11) 및제2층 (22) 과동일한물질로구성될수있다. 그러므로제1층 (11') 은도전체일수있고, 제2층 (22') 은반도체일수있다. 채널층 (C2') 과소오스전극 (S2') 및드레인전극 (D2') 사이의위치관계를제외하면, 도 5의구조는도 4와동일할수있다. 도 6a 내지도 6d는본발명의실시예에따른트랜지스터의제조방법을보여준다. 본실시예는바텀 (bottom) 게이트구조의박막트랜지스터의제조방법이다. 도 1과도 6a 내지도 6d에서동일한참조번호는동일한구성요소를나타낸다. 도 6a를참조하면, 기판 (SUB1) 상에게이트 (G1) 를형성하고, 게이트 (G1) 를덮는게이트절연층 (GI1) 을형성할수있다. 게이트절연층 (GI1) 은실리콘산화물또는실리콘질화물로형성하거나, 그밖의다른물질, 예컨대, 실리콘질화물보다유전상수가큰고유전물질로형성할수도있다. 게이트절연층 (GI1) 은단층또는다층구조로형성할수있다. 도 6b를참조하면, 게이트절연층 (GI1) 상에다층구조를갖는채널용산화물박막을형성할수있다. 예컨대, 제1산화물층 ( 이하, 제1층 )(10) 과제2산화물층 ( 이하, 제2층 )(20) 을순차로형성할수있다. 제1층 (10) 및제2층 (20) 은스퍼터링 (sputtering) 법또는증발 (evaporation) 법과같은물리기상증착 (physical vapor deposition)( 이하, PVD) 방법으로증착할수있다. 제1층 (10) 및제2층 (20) 은동일계열의산화물 ( 금속산화물 ) 로형성할수있다. 이때, 제1층 (10) 과제2층 (20) 의금속성분 (metal composition) 은동일할수있다. 또한제1층 (10) 과제2층 (20) 의금속원소농도는서로동일하거나유사할수있다. 예를들어, 제1층 (10) 및제2층 (20) 은 ZnO 계열또는 InO 계열의산화물로형성할수있다. 제1층 (10) 및제2층 (20) 을 ZnO 계열의산화물로형성하는경우, 상기 ZnO 계열의산화물은 In, Ga 및 Al과같은 13족원소, Sn 및 Si와같은 14족원소, Zr, Hf 및 Ti와같은 4족원소 ( 전이금속 ), Mg와같은 2족원소, Y 및 La과같은 3족원소 ( 전이금속 ), Cu와같은 11족원소 ( 전이금속 ), 그리고, Ta, Cr 등그밖의전이금속으로구성된그룹에서선택된적어도하나의원소를더포함할수있다. 구체적인예로, 제1층 (10) 및제2층 (20) 은 GaInZnO, HfInZnO, ZrInZnO, MgInZnO, LaInZnO, AlInZnO, SiInZnO, CuInZnO 등과같은 InZnO( 즉, IZO) 계열산화물또는 GaZnSnO, HfZnSnO, ZrZnSnO, MgZnSnO, LaZnSnO, AlZnSnO, SiZnSnO, CuZnSnO 등과같은 ZnSnO( 즉, ZTO) 계열산화물로형성하거나, ZnO 또는 InO 로형성할수있다. 제1층 (10) 및제2층 (20) 을동일계열의산화물로형성하는경우, 이들은서로다른산소분압에서형성할수있다. 제1층 (10) 은제1 산소분압에서형성하고, 제2층 (20) 은상기제1 산소분압보다큰제2 산소분압에서형성할수있다. 제1층 (10) 및제2층 (20) 형성시 O 2 및 Ar 을포함하는반응가스를사용할수있는데, 이때, O 2 가 스와 Ar 가스의유량비를변화시켜산소분압을조절할수있다. 제1층 (10) 은 Ar에대한 O 2 의유량비 (O 2 /Ar) 가 0 보다크고 0.1 보다작은조건으로형성할수있고, 제2층 (20) 은 Ar에대한 O 2 의유량비 (O 2 /Ar) 가 0.1 보다크거나같은조건으로형성할수있다. 이와같이, 제1층 (10) 및제2층 (20) 을서로다른산소분압에서형성함으로써제1층 (10) 및제2층 (20) 의전기적특성을다르게만들수있다. 위방법에따르면, 제1층 (10) 은 10 3 S/cm 이상의전기전도도를갖는도전체로형성할수있다. 제2층 (20) 은제1층 (10) 보다낮은전기전도도를갖는반도체로형성할수있다. 예컨대, 제2층 (20) 의전기전도도는 10-8 S/cm 이상 10 3 S/cm 미만일수있다. 제1층 (10) 의캐리어농도는 / cm3이상 / cm3이하일수있고, 제2층 (20) 의캐리어농도는 / cm3이상 / cm3미만일수있다. 제1층 (10) 의전기저항은 10 Ωcm 이하일수있고, 제2층 (20) 의전기저항은 10 Ωcm 보다클수있다. 제1층 (10) 과제2층 (20) 의산소공공 (oxygen vacancy) 농도는서로다를수있다. 제1층 (10) 의산소공공 (oxygen vacancy) 농도는제2층 (20) 의그것보다높을수있다. 제1층 (10) 의산소이온농도는제2층 (20) 의산소이온농도보다낮을수있다. 제1층 (10) 은 5?50nm 정도의두께로형성할수있고, 제2층 (20) 은 10?1000nm 정도의두께로형성할수있다
11 [0061] [0062] [0063] [0064] [0065] [0066] [0067] [0068] [0069] [0070] [0071] 제1층 (10) 과제2층 (20) 을동일계열의산화물로형성하는경우, 제1층 (10) 과제2층 (20) 을하나의스퍼터타겟 (sputter target) 을사용해서공정조건만달리하여인-시츄 (in-situ) 로형성할수있으므로, 제조공정이단순화될수있다. 따라서본실시예에따른제조방법은트랜지스터의양산및대면적화에유리할수있다. 여기서는, 공정조건중산소분압을달리하면서제1층 (10) 및제2층 (20) 을형성하는방법에대해설명하였지만, 산소분압이외에도챔버의압력이나소오스파워 (power) 등을변화시키면서물성이다른제1층 (10) 및제2층 (20) 을형성할수도있다. 산소분압의변화와더불어혹은산소분압을고정한상태에서, 챔버의압력및 / 또는소오스파워 (power) 등을변화시키면서제1층 (10) 및제2층 (20) 을형성할수있다. 또한이상에서는제1층 (10) 및제2 층 (20) 을동일계열산화물로형성하는경우에대해설명하였지만, 경우에따라서는, 제1층 (10) 및제2층 (20) 을서로다른계열의산화물로형성할수도있다. 제1층 (10) 및제2층 (20) 을패터닝하여, 도 6c에도시된바와같이, 채널층 (C1) 을형성할수있다. 패터닝된제1 층 (10) 은도 1의제1층 (10) 과동일할수있고, 패터닝된제2층 (20) 은도 1의제2층 (20) 과동일할수있다. 도 6d를참조하면, 게이트절연층 (GI1) 상에채널층 (C1) 의양단에각각접촉하고채널층 (C1) 의상부면일부를노출시키는소오스전극 (S1) 및드레인전극 (D1) 을형성할수있다. 소오스전극 (S1) 및드레인전극 (D1) 은단일층또는다중층으로형성할수있다. 필요에따라, 소오스전극 (S1) 및드레인전극 (D1) 으로커버되지않은채널층 (C 1) 의노출부를산소를포함하는플라즈마로처리할수있다. 다음, 기판 (SUB1) 상에채널층 (C1) 의상기노출된부분과, 소오스전극 (S1) 및드레인전극 (D1) 을덮는보호층 (P1) 을형성할수있다. 보호층 (P1) 은실리콘산화물층, 실리콘질화물층또는유기층이거나, 이들중적어도두개이상이적층된구조를가질수있다. 이와같은방법으로형성된트랜지스터는소정온도에서어닐링 (annealing) 할수있다. 전술한도 6a 내지도 6d의제조방법을변형하면, 도 2 및도 3의구조를얻을수있다. 도 6a 내지도 6d를참조하여설명한방법에기초하여도 2 및도 3의구조를제조하는방법은당업자가잘알수있는바, 이에대한상세할설명은생략한다. 도 7a 내지도 7d는본발명의다른실시예에따른트랜지스터의제조방법을보여준다. 본실시예는탑 (top) 게이트구조의박막트랜지스터의제조방법이다. 도 4와도 7a 내지도 7d에서동일한참조번호는동일한구성요소를나타낸다. 도 7a를참조하면, 기판 (SUB2) 상에다층구조를갖는채널용산화물박막을형성할수있다. 예컨대, 제2산화물층 ( 제2층 )(22) 과제1산화물층 ( 제1층 )(11) 을순차로형성할수있다. 제1층 (11) 및제2층 (22) 은각각도 6b의제1층 (10) 및제2층 (20) 과동일한층일수있다. 따라서, 제1층 (11) 및제2층 (22) 의물질, 형성방법및두께등은도 6b의제1층 (10) 및제2층 (20) 의그것과동일할수있다. 제1층 (11) 및제2층 (22) 을패터닝하여, 도 7b에도시된바와같은채널층 (C2) 을형성할수있다. 채널층 (C2) 은도 6c의채널층 (C1) 의역구조 (inversed structure) 를갖는다고할수있다. 도 7c를참조하면, 기판 (SUB2) 상에채널층 (C2) 의양단에각각접촉된소오스전극 (S2) 및드레인전극 (D2) 을형성할수있다. 필요에따라, 소오스전극 (S2) 및드레인전극 (D2) 으로커버되지않은채널층 (C2) 의노출부를산소를포함하는플라즈마로처리할수있다. 기판 (SUB2) 상에채널층 (C2) 의상기노출된부분과소오스전극 (S2) 및드레인전극 (D2) 을덮는게이트절연층 (GI2) 을형성할수있다. 게이트절연층 (GI2) 은도 6a의게이트절연층 (GI1) 과동일한물질로, 그와동일한구조또는역구조 (inversed structure) 로형성할수있다. 도 7d를참조하면, 게이트절연층 (GI2) 상에게이트 (G2) 를형성할수있다. 게이트 (G2) 는채널층 (C2) 위에위치하도록형성할수있다. 게이트절연층 (GI2) 상에게이트 (G2) 을덮도록보호층 (P2) 을형성할수있다. 보호층 (P2) 은도 6d의보호층 (P1) 과동일한물질및동일한적층구조로형성할수있다. 이와같은방법으로형성된트랜지스터는소정온도에서어닐링할수있다. 전술한도 7a 내지도 7d의제조방법을변형하면, 도 5의구조를얻을수있다. 도 7a 내지도 7d를참조하여설명한방법에기초하여도 5의구조를제조하는방법은당업자가잘알수있는바, 이에대한상세할설명은생략한다. 도 8은본발명의실시예에따른트랜지스터의제조방법에서채널용산화물층증착시 O 2 /Ar 유량비에따른산화 물층의전기적특성변화를보여주는그래프이다. 여기서산화물층은 HfInZnO 이었다. [0072] 도 8 을참조하면, O 2 /Ar 유량비가증가함에따라산화물층의캐리어농도는감소하고, 전기저항은증가하는것
12 을알수있다. O 2 /Ar 유량비가약 0.1 보다작을때도전체특성을갖는산화물층이형성되고, O 2 /Ar 유량비가약 0.1 이상일때반도체특성을갖는산화물층이형성된다. 그러므로도 6b 및도 7a에서제1층 (10, 11) 은 O 2 /Ar 유량비가 0 보다크고 0.1 보다작은조건으로형성할수있고, 제2층 (20, 22) 은 O 2 /Ar 유량비가 0.1 보다크거나같은조건으로형성할수있다. [0073] [0074] [0075] 도 9는본발명의실시예에따른트랜지스터의제조방법으로형성한채널층의깊이에따른산소농도의변화를보여주는그래프이다. 여기서채널층의물질은 HfInZnO 이었다. 도 9에서 A영역은반도체영역, 즉, 도 1의제2 층 (20) 에대응될수있고, B영역은도전체영역, 즉, 도 1의제1층 (10) 에대응될수있다. 도 9에서 X축은취득시간 (acquisition time)(s) 을나타낸다. 취득시간 (acquisition time) 이길수록측정깊이가깊어진다. 도 9를참조하면, 반도체영역인 A영역보다도전체영역인 B영역의산소농도가다소낮은것을알수있다. 이러한산소농도의차이는 A영역 ( 도 1의제2층 (20)) 과 B영역 ( 도 1의제1층 (10)) 의전기적특성차이를유발하는여러요인중하나일수있다. 도 10 내지도 12는본발명의실시예및비교예에따른트랜지스터의게이트전압 (V GS )-드레인전류(I DS ) 특성을 보여주는그래프이다. 여기서, 본발명의실시예에따른트랜지스터는이중층채널을포함하는도 3의구조를갖는다. 상기비교예에따른트랜지스터는단일층채널을포함하고, 그외의구성은도 3과동일하였다. 상기실시예및비교예에서채널층의물질은모두 HfInZnO 이었다. 상기실시예및비교예에서사용된채널층의특성 ( 캐리어농도 ), 두께및형성조건 (O 2 /Ar 유량비 ) 을정리하면아래의표 1과같다. [0076] 구분캐리어농도 (/ cm3 ) 두께 (nm) O 2 /Ar 유량비 비교예 ( 단일층채널 ) 실시예 ( 이중층채널 ) A B C A / B A / C 표 / / / / / / 5 [0077] [0078] [0079] [0080] 도 10를참조하면, A 채널을포함하는비교예의경우, 채널층전체가도전체이므로스위칭특성이나타나지않는것을알수있다. 도 11을참조하면, A/B 채널을포함하는실시예의경우, B 채널을포함하는비교예보다높은온-커런트 (ON current) 및낮은오프-커런트 (OFF current) 를갖는것을알수있다. 이는 A/B 채널을포함하는실시예에따른트랜지스터가 B 채널을포함하는비교예에따른트랜지스터보다높은이동도 (mobility) 및높은온 / 오프전류비를갖는것을의미한다. 도 12를참조하면, A/C 채널을포함하는실시예의경우, C 채널을포함하는비교예보다높은온-커런트 (ON current) 및낮은오프-커런트 (OFF current) 를갖는것을알수있다. 이는도 11의결과와유사하다. 도 10 내지도 12의결과는아래의표 2와같이정리할수있다. [0081] 구분 이동도 ( cm2 /Vs) 문턱전압 (V) 비교예 A (conductor) ( 단일층채널 ) B C 실시예 A / B ( 이중층채널 ) 표 2 A / C [0082] 위와같이, 본발명의실시예에따르면, 우수한동작특성 ( 높은이동도및높은온 / 오프전류비 ) 을갖는산화물
13 박막트랜지스터를구현할수있다. 이러한동작특성의개선중이동도의증가는도전특성을갖는제 1 층 (10) 에의한것이라여겨진다. [0083] 도 13 및도 14 는본발명의실시예에따른트랜지스터의광조사에의한게이트전압 (V GS )- 드레인전류 (I DS ) 특성 의변화를보여주는그래프이다. 상기실시예에따른트랜지스터의채널층은표 1의두가지실시예와동일하였다. 이러한실시예에따른트랜지스터에 120 lux 정도의광을조사하고, 동시에게이트, 드레인전극및소오스전극에각각 -20V, 10V 및 OV 의전압을인가하면서, 시간경과에따른각트랜지스터의특성변화를측정하였다. [0084] [0085] [0086] [0087] 도 13 및도 14를참조하면, 광조사에의한트랜지스터의특성변화가적은것을알수있다. 도 13에서 Δ V_1nA 는 1.11V 정도이고, 도 14에서 ΔV_1nA 는 0.18V 정도였다. "ΔV_1nA" 는광조사전과후의 'V_1nA' 의차이, 즉, [V_1nA( 후 )-V_1nA( 전 )] 이다. 여기서, 'V_1nA' 는소오스 / 드레인전극간 1nA 의전류가흐르게하는게이트전압을나타낸다. "ΔV_1nA" 의절대값이클수록광조사에의한트랜지스터의특성변화가크다는것이다. 도 13 및도 14의결과는본발명의실시예에따른트랜지스터의광신뢰성이우수하다는것을보여준다. 특히, 도 14의경우, ΔV_1nA 가거의 0 에가까웠다. 일반적으로산화물층을채널층으로포함하는트랜지스터의경우, 산화물이광에민감하기때문에광조사에의해특성변화가큰문제가있다. 하지만본발명의실시예에서는전기적특성이서로다른복수의산화물층을채널층으로사용함으로써, 일반적인산화물트랜지스터의신뢰성저하문제를개선할수있다. 이와같이, 본발명의실시예에따르면, 높은이동도및온 / 오프전류비를가지면서광에의한특성변화가억제된고성능 / 고신뢰성의산화물박막트랜지스터를구현할수있다. 본발명의실시예에따른트랜지스터는액정표시장치및유기발광표시장치등과같은평판표시장치에스위칭소자또는구동소자로적용될수있다. 앞서설명한바와같이, 본발명의실시예에따른트랜지스터는광에의한특성변화가적고우수한동작특성을갖기때문에, 이를평판표시장치에적용하면, 평판표시장치의신뢰성및성능을향상시킬수있다. 액정표시장치및유기발광표시장치등의구조는잘알려진바, 이들에대한자세한설명은생략한다. 본발명의실시예에따른트랜지스터는평판표시장치뿐아니라, 메모리소자및논리소자등다른전자소자분야에다양한용도로적용될수있다. 상기한설명에서많은사항이구체적으로기재되어있으나, 그들은발명의범위를한정하는것이라기보다, 구체적인실시예의예시로서해석되어야한다. 예들들어, 본발명이속하는기술분야에서통상의지식을가진자라면, 도 1 내지도 5의트랜지스터의구성요소및구조는각각다양화및변형될수있음을알수있을것이다. 구체적인예로, 채널층 (C1, C1', C2, C2') 은 3층이상의다층구조를갖거나, 그증착방향 ( 즉, 두께방향 ) 으로산소공공농도 ( 또는산소이온농도 ) 가점진적으로 (gradually) 변화되는층일수도있다. 또한, 본발명의실시예에따른트랜지스터는더블게이트구조를가질수있다. 그리고도 6a 내지도 6d 및도 7a 내지도 7d의제조방법도다양하게변화될수있다. 부가해서, 당업자라면본발명의사상 (idea) 은산화물박막트랜지스터가아닌그밖의다른트랜지스터에적용될수있음을알수있을것이다. 때문에본발명의범위는설명된실시예에의하여정하여질것이아니고특허청구범위에기재된기술적사상에의해정하여져야한다. 도면 도면
14 도면 2 도면 3 도면
15 도면 5 도면 6a 도면 6b 도면 6c
16 도면 6d 도면 7a 도면 7b 도면 7c
17 도면 7d 도면 8 도면
18 도면 10 도면
19 도면 12 도면
20 도면
(72) 발명자 김우년 서울특별시강남구논현동 275 동부센트레빌 김웅 서울특별시강남구도곡 1 동 벨라빌 701 호 박종래 서울특별시관악구봉천 7 동산 4-2 서울대교수아파트 122G 동 201 호 박민 서울특별시노원구중계동건영아파트 103-6
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H01L 29/786 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0047693 (22) 출원일자 2008 년 05 월 22 일 심사청구일자 2008 년 05 월 22 일 (65) 공개번호 10-2009-0121677 (43) 공개일자 2009 년 11 월 26 일
(72) 발명자 김진근 울산광역시울주군삼남면가천리 818 삼성 SDI( 주 ) 김기민 울산광역시울주군삼남면가천리 818 삼성 SDI( 주 ) - 2 -
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) G06F 3/041 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0067375 (22) 출원일자 2008 년 07 월 11 일 심사청구일자 전체청구항수 : 총 12 항 2008 년 07 월 11 일 (54) 터치스크린패널및그제조방법 (11) 공개번호 10-2010-0006987
특허청구의범위청구항 1 복수개의관통비아홀이형성된웨이퍼의하나이상의관통비아홀을포함하는전도영역에전도층을형성하는전도층형성단계 ; 상기전도층을포함한웨이퍼전체영역에절연층을증착하는절연층증착단계 ; 상기전도층의상부에감광제를도포하고, 상기관통비아홀이형성된위치에관통비아홀의단면적보다작은단
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H01L 21/60 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-0028172 (22) 출원일자 2010 년 03 월 29 일 심사청구일자 2010 년 03 월 29 일 (65) 공개번호 10-2011-0108779 (43) 공개일자 2011 년 10 월 06 일 (56)
Microsoft PowerPoint - Ch8
Ch. 8 Field-Effect Transistor (FET) and Bias 공핍영역 D G S 채널 8-3 JFET 바이어스 자기바이어스 (self-bias) R G - 접지로부터 AC 신호를분리 I D I G = 0 G = 0 D I D I S S = I S R S I D R S S I S = G - S = 0 I D R S = - I D R S D
특허청구의 범위 청구항 1 복수개의 프리캐스트 콘크리트 부재(1)를 서로 결합하여 연속화시키는 구조로서, 삽입공이 형성되어 있고 상기 삽입공 내면에는 나사부가 형성되어 있는 너트형 고정부재(10)가, 상기 프리캐스 트 콘크리트 부재(1) 내에 내장되도록 배치되는 내부
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) E01D 19/12 (2006.01) E01D 2/00 (2006.01) E01D 21/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0036938 (22) 출원일자 2011년04월20일 심사청구일자 2011년04월20일 (65) 공개번호 10-2012-0119156
유기 발광 다이오드의 전하주입 효율 향상을 통한 발광효율 향상 연구
- i - - ii - - iii - - iv - - v - - vi - 그림차례 - vii - - viii - - 1 - 5). - 2 - - 3 - 유기발광다이오드 ( 고분자또는저분자 ) 무기발광다이오드 (p-n junction LED) - + cathode ETL EML HTL HIL anode 발광 두께 : 100 ~ 200 nm 양극 ( 투명전극,
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전자회로 SEMICONDUCTOR P 1 @ INDEX 1. Conductors, Insulators, Semiconductors 2. Conduction in Semiconductors 3. The N-Type and P-Type Semiconductors 4. The PN Junction P 2 1.1 Conductors Insulators Semiconductors
(72) 발명자 최석문 서울관악구봉천 6 동우성아파트 장범식 경기성남시분당구정자동한솔마을청구아파트 110 동 301 호 정태성 경기화성시반월동신영통현대 4 차아파트
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H01L 23/12 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0057147 (22) 출원일자 2007 년 06 월 12 일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 JP2004014722 A US6861288 B2 2007 년 06 월 12 일 (45) 공고일자 2008년10월24일
특허청구의 범위 청구항 1 제 1 도전형 기판을 준비하는 제 1 도전형 기판 준비 단계; 상기 제 1 도전형 기판에 포토 레지스트를 패터닝하여 마이크로 와이어를 형성하는 마이크로 와이어 형성 단계; 상기 마이크로 와이어가 형성되지 않은 영역에 나노 와이어를 형성하는 나
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 2014년02월26일 (11) 등록번호 10-1366740 (24) 등록일자 2014년02월18일 (51) 국제특허분류(Int. Cl.) H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0119306 (22) 출원일자 2012년10월25일
이 발명을 지원한 국가연구개발사업 과제고유번호 A1100-0801-2739 부처명 지식경제부 연구관리전문기관 연구사업명 IT핵심기술개발 연구과제명 융합형 포털서비스를 위한 이용자 참여형 방송기술개발 기여율 주관기관 전자부품연구원 연구기간 2008년 03월 01일 ~ 2
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) G06Q 30/00 (2006.01) G06Q 50/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0133476 (22) 출원일자 2008년12월24일 심사청구일자 2008년12월24일 (65) 공개번호 10-2010-0074918 (43) 공개일자 2010년07월02일
많이 이용하는 라면,햄버그,과자,탄산음료등은 무서운 병을 유발하고 비만의 원인 식품 이다. 8,등겨에 흘려 보낸 영양을 되 찾을 수 있다. 도정과정에서 등겨에 흘려 보낸 영양 많은 쌀눈과 쌀껍질의 영양을 등겨를 물에 우러나게하여 장시간 물에 담가 두어 영양을 되 찾는다
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개실용신안공보(U) A23L 1/307 (2006.01) C02F 1/68 (2006.01) (21) 출원번호 20-2011-0002850 (22) 출원일자 2011년04월05일 심사청구일자 2011년04월05일 (11) 공개번호 20-2011-0004312 (43) 공개일자 2011년05월03일
(72) 발명자 김도규 서울특별시성북구장위 3 동 박준일 서울특별시강서구등촌동 서광아파트 103 동 803 호 유형규 경기도광명시광명 4 동한진아파트 101 동 1801 호 - 2 -
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) F25B 30/06 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0088941 (22) 출원일자 2008 년 09 월 09 일 심사청구일자 전체청구항수 : 총 7 항 2008 년 09 월 09 일 (54) 지중열교환기의공급파이프 (11) 공개번호 10-2010-0030143
특허청구의범위청구항 1 복수의영상검출부로부터출력되는영상의히스토그램 (histogram) 을계산하는단계 ; 상기복수의영상검출부로부터출력되는영상을히스토그램평활화 (histogram equalization) 하는단계 ; 상기복수의영상검출부중하나의영상검출부를선택하는단계 ; 및
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2014년12월18일 (11) 등록번호 10-1473415 (24) 등록일자 2014년12월10일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) G06T 5/40 (2006.01) H04N 5/217 (2011.01) (21) 출원번호 10-2012-0156871 (22) 출원일자 2012
실용신안 등록청구의 범위 청구항 1 톤백마대가 설치될 수 있도록 일정간격을 두고 설치되는 한 쌍의 지지프레임과, 상기 지지프레임과 지지프레임의 상부를 서로 연결하는 한 쌍의 연결프레임과, 상기 연결프레임의 상부에 일정간격을 두고 다수 설치되어 상기 톤백마대와 그 투입구
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개실용신안공보(U) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) B65B 67/12 (2006.01) B65D 88/16 (2006.01) (21) 출원번호 20-2012-0003587 (22) 출원일자 2012년05월01일 심사청구일자 2012년05월01일 (11) 공개번호 20-2013-0006479 (43) 공개일자
(52) CPC 특허분류 B01D 53/62 ( ) Y02C 10/10 ( ) (72) 발명자 이정현 대전광역시서구대덕대로 246 넥서스밸리 B 동 1417 호 박영철 대전광역시유성구반석동로 33 반석마을 5 단지아파트 505 동 201 호 이발명
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B01D 53/22 (2006.01) B01D 53/62 (2006.01) (52) CPC 특허분류 B01D 53/225 (2013.01) B01D 53/228 (2013.01) (21) 출원번호 10-2015-0076621 (22) 출원일자 2015 년
LCD
, PC, TV 100, LG 50%. (CRT) 2000 (LCD) (PDP) LCD PDP LCD 70%. LCD (TFT), 3. 2010 (OLED) LCD. 8, TFT. TFT 0.5 cm 2 /Vs,. 1990. (low temperature poly silicon, LTPS) 80 cm 2 /Vs IC. LPTS /, TFT. 2004 InGaZnO
Microsoft PowerPoint - 6. FET 증폭기
FET 증폭기 E-al: hjun@hanyan.ac.kr http://web.ynse.ac.kr/hjun FET 증폭기 MOFET 증폭기는동작측면에서 4 장에서설명한 BJT 증폭기와유사. BJT 증폭기에비해입력저항이매우커서, 증폭단사이신호전달이보다효율적임. 공통소오스증폭기 공통드레인증폭기 공통게이트증폭기 E-al: hjun@hanyan.ac.kr http://web.ynse.ac.kr/hjun
특허청구의 범위 청구항 1 발열원의 일면에 접촉 설치되며, 내부에 상기 발열원의 열에 의해 증발되는 작동유체가 수용되는 작동유체챔버 가 구비되고, 상기 작동유체챔버의 일측에 제1연결구가 형성된 흡열블록; 및 상기 흡열블록의 일측에 결합되며, 흡열블록과 결합되는 부분에
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) G06F 1/20 (2006.01) H01L 23/34 (2006.01) F28D 15/02 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0087354 (22) 출원일자 2009년09월16일 심사청구일자 2009년09월16일 (65) 공개번호 10-2011-0029605
(72) 발명자 강경태 서울서초구반포본동반포주공아파트 110 동 105 호 이상호 서울관악구봉천 9 동 윤규영 인천남구용현동 신권용 서울구로구천왕동천왕이펜하우스 6 단지 601 동 1203 호 이발명을지원한국가연구개발사업 과제고유번호 ES-1
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2013년11월20일 (11) 등록번호 10-1331589 (24) 등록일자 2013년11월14일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) H01L 21/28 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0052189 (22) 출원일자 2012 년 05 월 16 일 심사청구일자
이 발명을 지원한 국가연구개발사업 과제고유번호 08921-01304 부처명 방송통신위원회 연구사업명 방송통신기술개발사업 연구과제명 안전한 전자파환경 조성 주관기관 한국전자통신연구원 연구기간 2008.01.01 ~ 2012.12.31-2 -
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) H05K 9/00 (2006.01) H04B 1/38 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0134285 (22) 출원일자 2011년12월14일 심사청구일자 없음 기술이전 희망 : 기술양도, 실시권허여, 기술지도 전체 청구항 수 : 총 1 항 (54)
Microsoft PowerPoint - Chapter4&6(강의용)
h. 4 반도체소자 반도체 : 상온에서도체와부도체의중간쯤에해당하는전기전도도를가지는물질 불순물첨가 (doping) 또는결함으로인해서전기전도도가매우크게변함. 주기율표에서 4 족, 3-5 족, 2-6 족화합물 (Si, Ge, GaAs, AlAs etc. ) c = 6.708 Å 1 원자가규칙적정렬을하는고체에서전자의상태 : 에너지밴드 E U E g a E V a 0
위해충전효율및온도변화를측정하는신호측정센서층을포함하여구성되는것을그구성상의특징으로한다. 본발명은인체삽입형의료기기의성능평가용인체유사팬텀의제조방법에관한것으로서, 보다구체적으로는인체유사팬텀의제조방법으로서, (1) 정제수, 액체상태의아가로오스 (agarose) 및소듐클로라이드 (
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) A61B 6/00 (2006.01) (52) CPC 특허분류 A61B 6/583 (2013.01) (21) 출원번호 10-2015-0025541 (22) 출원일자 2015 년 02 월 24 일 심사청구일자 2015 년 02 월 24 일 (65) 공개번호 10-2016-0103273
03 ¹ÚÁø¼º-OLED¿ë »êÈ�¹°
LCD (Liquid Crystal Display) OLED (Organic Light Emitting Diode) TV,,. 1) OLED LCD OLED LCD Fig. 1. OLED TV 2013 LG 55 OLED TV. SID (Society of Information Display) OLED (Fig. 2). OLED LCD, TFT. TFT 3.
본 발명은 중공코어 프리캐스트 슬래브 및 그 시공방법에 관한 것으로, 자세하게는 중공코어로 형성된 프리캐스트 슬래브 에 온돌을 일체로 구성한 슬래브 구조 및 그 시공방법에 관한 것이다. 이를 위한 온돌 일체형 중공코어 프리캐스트 슬래브는, 공장에서 제작되는 중공코어 프
(51) Int. Cl. E04B 5/32 (2006.01) (19)대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2007년03월12일 10-0693122 2007년03월05일 (21) 출원번호 10-2006-0048965 (65) 공개번호 (22) 출원일자 2006년05월30일 (43) 공개일자 심사청구일자
Chap3.SiliconOxidation.hwp
반도체공정 Chap3. Silicon Oxidation 1 Chap. 3. Silicon Oxidation 주요내용 : - silicon dioxide(sio2) 를형성하기위한산화공정 - 산화공정과정의불순물의재분포현상 - SiO2 file의특성과두께측정방법 Why silicon in modern integrated circuit? Ge : 1950년대주로사용
공개특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 (43) 공개일자 2014년06월11일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B65D 81/24 ( ) B65
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 10-2014-0071307 (43) 공개일자 2014년06월11일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B65D 81/24 (2006.01) B65D 25/14 (2006.01) B65D 1/40 (2006.01) B32B 27/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2014-0058932(
<4D F736F F F696E74202D2035BBF3C6F2C7FC5FBCF8BCF6B9B0C1FA2E BC8A3C8AF20B8F0B5E55D>
5. 상평형 : 순수물질 이광남 5. 상평형 : 순수물질 상전이 phase transition 서론 ~ 조성의변화없는상변화 5. 상평형 : 순수물질 전이열역학 5. 안정성조건 G ng ng n G G 자발적변화 G < 0 G > G or 물질은가장낮은몰Gibbs 에너지를갖는상 가장안정한상 으로변화하려는경향 5. 상평형 : 순수물질 3 5. 압력에따른Gibbs
공개특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) G06F 1/16 ( ) G09F 9/30 ( ) (52) CPC 특허분류 G06F 1/1641 (2013.
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) G06F 1/16 (2006.01) G09F 9/30 (2006.01) (52) CPC 특허분류 G06F 1/1641 (2013.01) G06F 1/1652 (2013.01) (21) 출원번호 10-2016-0051685 (22) 출원일자 2016 년 04
II. TECHNICAL APPROACH 위의사진은 IGZO 칩의 L과 W에따른배치표입니다. 그리고소자에열처리를하였는데 CTA (Convention Temperature Annealing ) 600 도에서 30분간일반적인열처리방법을사용한소자를사용하였는데이외의방식으로 R
특성화사업참가결과보고서 작성일 2017 12.22 학과전자공학과 참가활동명 EATED 3.0 프로그램지도교수박종태 연구주제명 Device Degradation of Amorphous InGaZno Thin Film Transistor under NBIS 학번 201301171 성명최종 I. OBJECTIVES 최근 IGZO 를활성화층으로이용한 IGZO TFT
특허심판원 제 8 부 심 결 - 1 -
특허심판원 제 8 부 심 결 - 1 - 주 문 청구취지 이 유 - 2 - - 3 - - 4 - - 5 - - 6 - ε φ - 7 - 1) 비교대상발명 2 에는 게이트電極 10 이라고기재되어있으나, 이는 게이트電極 4 의명백한오기로보인다. - 8 - - 9 - - 10 - 2) 비교대상발명 9 는이사건제 1 내지 6 및 14 내지 15 항특허발명이확대된선원에의하여무효로되어야함을주장하기위하여제출된선행발명이다.
(72) 발명자 강경태 서울서초구반포본동반포주공아파트 110 동 105 호 강희석 경기용인시수지구풍덕천동삼성쉐르빌 102 동 202 호 박문수 경기용인시기흥구신갈동도현마을현대 호 박승인 경기수원시영통구영통동 층 - 2 -
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) B81B 7/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0007106 (22) 출원일자 2007 년 01 월 23 일 심사청구일자 2007 년 01 월 23 일 (65) 공개번호 10-2008-0069416 (43) 공개일자 2008 년 07 월 28 일 (56)
특허청구의 범위 청구항 1 제1 내지 제6 암이 각각의 관절부를 가지며 형성되며, 상기 제1 내지 제6 암 각각은 제1 내지 제6 링크에 의해 링크되고, 상기 제1 내지 제6 암 내부에는 각각의 암을 구동하는 구동모듈이 각각 내장되며, 상기 구동모듈 각각의 선단에는 1
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) B25J 9/06 (2006.01) B25J 19/02 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0079361 (22) 출원일자 2011년08월10일 심사청구일자 2011년08월10일 (65) 공개번호 10-2013-0017122 (43) 공개일자 2013년02월20일
특허청구의범위청구항 1 물을여과하는필터부 ; 상기필터부에물을유동시키는정수관 ; 상기정수관에설치되고, 상기정수관의수류를이용하여전기를발생시키는발전모듈 ; 및상기정수관에배치되고, 상기발전모듈에서발생된전기가공급되고, 상기정수관을따라유동되는정수를전기분해하여살균하는살균모듈 ; 을
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) B01D 35/00 (2006.01) C02F 1/461 (2006.01) C02F 1/467 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0019000 (22) 출원일자 2009 년 03 월 05 일 심사청구일자 없음 전체청구항수 : 총 4 항 (54) 정수기 (11)
공개특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 (43) 공개일자 2013년09월25일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B65D 25/14 ( ) C23
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 10-2013-0104189 (43) 공개일자 2013년09월25일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B65D 25/14 (2006.01) C23C 16/26 (2006.01) C08J 7/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0025472 (22) 출원일자
목 차
Ⅴ. 광교지구택지개발사업지구단위계획결정 ( 변경 ) 도서 목 차 Ⅴ. 광교지구택지개발사업지구단위계획결정 ( 변경 ) 도서 1. 지구단위계획구역결정 ( 변경 ) 조서 가. 총괄 ( 변경없음 ) 도면표시번호 구역명위치 기정 면 적 ( m2 ) 변경후 변경 계 1단계 2단계 비고 - 수원시영통구매탄동, 이의동, 광교지구원천동, 하동, 팔달구우만동, 제1종지구단위계장안구연무동일원획구역용인시수지구상현동,
특허청구의범위청구항 1 방열판 ; 상기방열판상부에형성된세라믹박막 ; 및상기세라믹박막상부에형성된회로패턴을포함하여이루어지는방열기판. 청구항 2 제1항에있어서, 상기방열판은 Al, Cu, Mo, W, Ti, Mg 중에서선택된어느하나의물질로이루어지는것을특징으로하는방열기판. 청
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) H01L 33/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0140279 (22) 출원일자 2007 년 12 월 28 일 심사청구일자 전체청구항수 : 총 10 항 2007 년 12 월 28 일 (54) 방열기판및이를구비한발광다이오드패키지 (11) 공개번호 10-2009-0072226
2015_학술 프로그램_2_4.21.indd
ISBN 978-89-88471-26-5-93530 2015 한국측량학회 정기학술발표회 KOREAN SOCIETY OF SURVEYING, GEODESY, PHOTOGRAMMETRY AND CARTOGRAPHY 일시 : 2015년 4월 23일(목) ~ 24일(금) 장소 : 경남대학교 한마미래관 주최 : 사단법인 한국측량학회 주관 : 경남대학교 공학대학 공학기술연구원
특허청구의 범위 청구항 1 영상표시기기에 있어서, 외부로부터 입력되는 영상을 디스플레이하는 디스플레이 패널; 상기 디스플레이 패널 전면으로 빛을 공급하는 백라이트; 상기 백라이트에 구동 전원을 공급하는 백라이트 구동부; 적어도 하나의 밝기 조정 테이블을 저장하고 있는
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) G02F 1/133 (2006.01) G09G 3/36 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0053994 (22) 출원일자 2008년06월10일 심사청구일자 없음 전체 청구항 수 : 총 15 항 (54) 영상표시기기 및 그의 제어 방법 (11) 공개번호 10-2009-0128021
도 1 특허청구의범위 청구항 1. 자성금속박막을형성하는단계 ; 상기자성금속박막위에알루미늄을증착하는단계 ; 증착된상기알루미늄위에자성금속을증착하여알루미나이드박막을형성하는단계 ; 그리고 상기알루미나이드박막위에자성금속박막을증착하는단계로이루어지고, 상기자성금속은 Co, Fe 및
(51) Int. Cl. G11B 5/31 (2006.01) (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2007 년 05 월 09 일 10-0716104 2007 년 05 월 02 일 (21) 출원번호 10-2003-0075402 (65) 공개번호 10-2005-0040248 (22)
(72) 발명자 오승용 경기도안산시상록구오목로 11 길 45, 202 호 ( 본오동 ) 박영욱 경기도수원시권선구당진로 31 번길 16, 한라비발디 202 동 1201 호 ( 당수동 ) 고대화 경기도수원시권선구금호로 189 번길 82-12, 202 호 ( 구운동 ) 김준
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2013년06월24일 (11) 등록번호 10-1278021 (24) 등록일자 2013년06월18일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B65G 1/12 (2006.01) B65G 1/06 (2006.01) H01L 21/677 (2006.01) B25J 5/00 (2006.01)
Microsoft PowerPoint - 3. BJT
BJT (Bipolar Junction Transistor) BJT 의구조및동작모드 BJT 의구조및동작모드 실제 BJT 는그림 3-1(a) 와같이이미터영역과컬렉터영역의기하학적구조가다르며, 세영역의도핑농도도각기다르게만들어진다. 도핑농도 : ( 이미터 )>( 베이스 )>( 컬렉터 ) 이미터 : 전류운반캐리어 ( 전자또는정공 ) 를제공 컬렉터 : 베이스영역을지나온캐리어가모이는영역
(p47~53)SR
2014.8 Semiconductor Network 47 48 Semiconductor Network 2014.8 2014.8 Semiconductor Network 49 50 Semiconductor Network 2014.8 2014.8 Semiconductor Network 51 52 Semiconductor Network 2014.8 SN 2014.8
Introductiuon
대면적및고속증착을위한원통형타겟타입 pulsed dc magnetron sputtering 에서두께변화에따른 AZO 박막의 특성변화 신범기 a, 이태일 a, 박강일 b, 안경준 b, 명재민 a 연세대학교신소재공학부, SNTEK Thickness dependence of Al-doped ZnO film properties prepared by using the
PowerPoint Presentation
디지털 CMOS 인버터의동작및특성 IT CookBook, 최신 VLSI 설계, 조준동, 성균관대학교 학습목표 CMOS 인버터의동작과구조를익힌다. CMOS 인버터의출력전류, 출력전압의특성을알아본다. 노이즈마진을구한다. 목차 1.CMOS 인버터의동작및구조 2.CMOS 인버터의출력전류 / 전압특성 Section 01 CMOS 인버터의동작및구조 1.1 CMOS 인버터의동작.
등록특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2013년05월06일 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2013년04월30일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C22F 1/08 (
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2013년05월06일 (11) 등록번호 10-1261370 (24) 등록일자 2013년04월30일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C22F 1/08 (2006.01) C22C 9/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0045497 (22) 출원일자 2011
(72) 발명자 김준기 경기 군포시 광정동 한양목련아파트 1226동 805호 유세훈 인천광역시 연수구 송도동 성지리벨루스 110동 50 1호 방정환 인천 연수구 연수동 578-1 고용호 인천광역시 연수구 해송로30번길 송도 웰카운티 4 단지 20 (송도동) 407동 4
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) H05K 3/34 (2006.01) B23K 1/19 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0091105 (22) 출원일자 2012년08월21일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 JP2004172398 A JP2004255426 A KR1020080083127
(72) 발명자 황병준 강원도원주시단계동 강경태 서울시서초구반포본동반포주공아파트 110 동 10 5 호 이낙규 인천광역시연수구송도동 23-3 더샵센트럴파크 동 902 호 조영준 경기도용인시기흥구보정동연원마을삼성명가타운아파트 110 동 1303 호
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C23F 13/00 (2006.01) C23F 13/04 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0139800 (22) 출원일자 2011 년 12 월 22 일 심사청구일자 2011 년 12 월 22 일 (65) 공개번호 10-2013-0072406
歯김유성.PDF
BIT/ST/LSCO/MgO Variations of Microstructures and Electrical Properties of BIT/ST/LSCO/MgO Epitaxial Films by Annealing 2003 2 BIT/ST/LSCO/MgO Variations of Microstructures and Electrical Properties of
전자회로 실험
전자회로실험 2 조 고주현허영민 BJT의고정바이어스및 부품 * 실험목적 1) 고정바이어스와 회로의직류동작점을결정한다. 다이오드의특성 * 실험장비 계측장비 - Digital Multi Meter 부품 -저항 다이오드의특성 부품 - 트랜지스터
(72) 발명자 권욱현 서울특별시관악구관악로 1, 서울대학교자동화연구소 133 동 306 호 ( 신림동 ) 신수용 서울특별시양천구목동동로 130, 목동아파트 동 1201 호 ( 신정동 ) 최재영 서울특별시관악구서림 11 길 23, 308 호 ( 신림동 ) 이
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) H04L 12/28 (2006.01) (21) 출원번호 10-2006-0016507 (22) 출원일자 2006 년 02 월 21 일 심사청구일자 2011 년 01 월 19 일 (65) 공개번호 10-2007-0083321 (43) 공개일자 2007 년 08
제 1 장 집적회로 개요
실험 #2-A 반도체다이오드의특성실험 1. 실험목적 다이오드의특성에대해조사한다. 2. 서론 모든반도체다이오드는단향적특성을가지고있다. 순방향저항은매우낮은반면에역방향저항은매우높기때문이다. 다이오드에대한전압대전류의곡선을그려가며구체적으로그특성을조사한다. 3. 관련이론 다이오드내부저항 V D V D V T r D Ideal diode I D I D 다이오드의순방향저항
Microsoft Word - Lab.4
Lab. 1. I-V Lab. 4. 연산증폭기 Characterist 비 tics of a Dio 비교기 ode 응용 회로 1. 실험목표 연산증폭기를이용한비교기비교기응용회로를이해 응용회로를구성, 측정및평가해서연산증폭기 2. 실험회로 A. 연산증폭기비교기응용회로 (a) 기본비교기 (b) 출력제한 비교기 (c) 슈미트트리거 (d) 포화반파정류회로그림 4.1. 연산증폭기비교기응용회로
제목을 입력하십시오
포워드, 플라이백컨버터 Prof. ByoungKuk ee, Ph.D. Energy echaronics ab. chool of Informaion and Communicaion Eng. ungkyunkwan Universiy Tel: 823299458 Fax: 823299462 hp://seml.skku.ac.kr E: bkleeskku@skku.edu Forward
16<C624><D22C><ACFC><D0D0> <ACE0><B4F1><BB3C><B9AC><2160>_<BCF8><CC45>.pdf
I I 02 03 04 05 06 II 07 08 09 III 10 11 12 13 IV 14 15 16 17 18 a b c d 410 434 486 656 (nm) Structure 1 PLUS 1 1. 2. 2 (-) (+) (+)(-) 2 3. 3 S. T.E.P 1 S. T.E.P 2 ) 1 2 (m) 10-11 10-8 10-5 C 10-2 10
도 1 명세서 도면의 간단한 설명 도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 비접촉 USB 리더기의 블럭도를 나타낸다. 도 2는 도 1의 비접촉 USB 리더기를 이용한 인프라 구축 시스템의 개략도를 나타낸다. 도 3은 도 1의 비접촉 USB 리더기를 이용한 이용 방법에 대한
(51) Int. Cl. G06K 7/00 (2006.01) (19)대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2006년11월01일 10-0639964 2006년10월24일 (21) 출원번호 10-2004-0077732 (65) 공개번호 10-2006-0028855 (22) 출원일자 2004년09월30일
(72) 발명자 장승엽 경기 수원시 장안구 천천동 비단마을 베스트타운 740동 1702호 정원석 경기 용인시 기흥구 보정동 죽현마을 I-Park 208동 1802호 - 2 -
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) E01B 25/30 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0065197 (22) 출원일자 2007년06월29일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 JP2004346733 A* JP55040028 U KR100198968 B1 2007년06월29일 *는 심사관에
특허청구의범위청구항 1 반도체층 ; 상기반도체층위에형성된전도성질화물로이루어진사이층 ; 및상기전도성질화물사이층위에형성되며, 상기전도성질화물사이층을통해상기반도체층에스핀을주입하는, 강자성재료로이루어진스핀주입전극층 ; 을포함하여이루어지며, 상기전도성질화물사이층에전이금속이 1
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H01L 27/105 (2006.01) (21) 출원번호 10-2006-0128886 (22) 출원일자 2006 년 12 월 15 일 심사청구일자 2006 년 12 월 15 일 (65) 공개번호 10-2008-0055492 (43) 공개일자 2008 년 06 월 19 일
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Test 1. 일반적인측정용어 1.1 면저항 1.2 누설전류 1.3 파괴시험 1.4 Resolution 2. 산화막평가 2.1 확산층평가 2.2 산화막중의전하 2.3 절연파괴강도 2.4 장기신뢰성평가 3. Photo-etch 검사측정기술 3.1 검사측정기술 3.2 Selectivity, Etch-rate, Anisotropy 4. 박막평가 4.1 관련용어 a.
등록특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) G01R 29/08 ( ) (21) 출원번호 (22) 출원일자 2011 년 12 월 28 일 심사
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) G01R 29/08 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0144999 (22) 출원일자 2011 년 12 월 28 일 심사청구일자 2011 년 12 월 28 일 (65) 공개번호 10-2013-0076416 (43) 공개일자 2013 년 07
슬라이드 제목 없음
01 고특성 OLED 박막봉지기술 기술보유기관한국전자통신연구원 출원번호 OLED 박막봉지, PA-ALD, 무기 / 무기, Atomic Layer Deposition PA-ALD를이용하여배리어특성을갖는 Al2O3 박막을형성하고, PECVD를이용하여 SiNx의보호막을형성하여최종적으로무기 / 무기형태의 OLED 박막봉지를형성함 OLED 디바이스의투명도를유지하고두께를최소화하면서,
(b) 연산증폭기슬루율측정회로 (c) 연산증폭기공통모드제거비측정회로 그림 1.1. 연산증폭기성능파라미터측정회로
Lab. 1. I-V Characteristics of a Diode Lab. 1. 연산증폭기특성실험 1. 실험목표 연산증폭기의전압이득 (Gain), 입력저항, 출력저항, 대역폭 (Bandwidth), 오프셋전압 (Offset Voltage), 공통모드제거비 (Common-mode Rejection Ratio; CMRR) 및슬루율 (Slew Rate) 등의기본적인성능파라미터에대해서실험을통해서이해
등록특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) G06F 3/045 ( ) (21) 출원번호 (22) 출원일자 2011 년 12 월 23 일 심사
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) G06F 3/045 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0141186 (22) 출원일자 2011 년 12 월 23 일 심사청구일자 2011 년 12 월 23 일 (65) 공개번호 10-2012-0073140 (43) 공개일자 2012 년 07
명세서청구범위청구항 1 일단이아래로경사지게형성되고타단의측면은제 1 링크 (11) 및제 2 링크 (12) 를갖는원형링크 (13) 의상기제 2 링크에연결되고상기원형링크를매개로회전가능한사용자의안착을위한좌석 (10); 일단이상기좌석의일단과상응하게아래로경사지게형성되고제 3 링크
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) A61G 5/14 (2006.01) A47C 7/62 (2006.01) (21) 출원번호 10-2014-0162951 (22) 출원일자 2014 년 11 월 20 일 심사청구일자 전체청구항수 : 총 6 항 2016 년 05 월 19 일 (11) 공개번호 10-2016-0060891
특허청구의범위청구항 1 반도체층 ; 상기반도체층위에형성된전도성질화물로이루어진사이층 ; 및상기전도성질화물사이층위에형성되며, 상기전도성질화물사이층을통해상기반도체층에스핀을주입하는, 강자성재료로이루어진스핀주입전극층 ; 을포함하여이루어지며, 상기반도체층과상기전도성질화물사이층의계
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H01L 27/105 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0070334( 분할 ) (22) 출원일자 2008 년 07 월 18 일 심사청구일자 2008 년 07 월 18 일 (65) 공개번호 10-2008-0070806 (43) 공개일자 2008 년 07 월
항은 발명의 상세한 설명에는 그 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자 (이하 통상의 기술자 라고 한다)가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 그 발명의 목적 구성 및 효과를 기재하여야 한다고 규정하고 있다. 이는 특허출원된 발명의 내용을 제 3자가 명세서만으로
대 법 원 제 2 부 판 결 사 건 2013후518 권리범위확인(특) 원고, 상고인 코오롱인더스트리 주식회사 소송대리인 변리사 경진영 외 2인 피고, 피상고인 토요보 가부시키가이샤(변경 전: 토요 보세키 가부시키가이샤) 소송대리인 변호사 박성수 외 4인 원 심 판 결 특허법원 2013. 1. 25. 선고 2012허6700 판결 판 결 선 고 2015. 9.
서 인코딩한 데이터를 무선으로 송신하기 위한 무선 송신 수단; 및 통화중 상기 입력 수단으로부터의 음원 데이터 전송신 호에 따라 상기 저장 수단에 저장되어 있는 해당 음원 데이터를 상기 디코딩 수단에 의해 디코딩하고, 상기 디코딩한 음원 데이터와 상기 입력 수단을 통해
(51) Int. Cl. H04B 1/40 (2006.01) (19)대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2006년11월23일 10-0646983 2006년11월09일 (21) 출원번호 10-2004-0053063 (65) 공개번호 10-2006-0004082 (22) 출원일자 2004년07월08일
[Fig. 4] (a) Properties of OLED as IWO films as anode. (b)fabrication process of QDLED and image of QDLED device using IWO films as anode. [Fig. 3] 정보
![[Fig. 4] (a) Properties of OLED as IWO films as anode. (b)fabrication process of QDLED and image of QDLED device using IWO films as anode. [Fig. 3] 정보](/thumbs/91/105549830.jpg "[Fig. 4] (a) Properties of OLED as IWO films as anode. (b)fabrication process of QDLED and image of QDLED device using IWO films as anode. [Fig. 3] 정보")
바이오인터페이스 기술의 현재와 미래 성균관대학교 정보재료소자연구실(IMDL) 김한기 최근 정보통신 분야의 발전에 따라 기존의 다양한 어플 리케이션들은 평면성을 벗어나 이전부터 요구된 투명유 연하고 깨지지 않는 특성과 더불어 신축성을 가진 특성까 지 요구되고 있다. 이러한 흐름 속에서 투명 전극은 투명 하면서 전도성을 가지고 있는 전극 물질로서 디스플레이, 터치센서,
(72) 발명자 강문진 경기 고양시 일산구 일산3동 후곡마을 영풍한진 201-203 김정한 서울 서초구 방배4동 847-34 - 2 -
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) B23K 9/133 (2006.01) B23K 9/28 (2006.01) B23K 9/26 (2006.01) (21) 출원번호 10-2006-0133016 (22) 출원일자 2006년12월22일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 2006년12월22일 (45) 공고일자 2007년10월26일
특허청구의 범위 청구항 1 일반전화를 이용한 위험 알림시스템 및 실시간 영상전송 장치에서 CID(콜백넘버) 장치를 포함한 서버 및 그 장 비를 포함하며, 영상서버와 연동한 형태를 상황실에 전송하여 출동하는 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 일반전화를 이용한 위험 알
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (11) 공개번호 10-2014-0008486 (43) 공개일자 2014년01월21일 (51) 국제특허분류(Int. Cl.) G08B 25/08 (2014.01) G08B 21/02 (2006.01) G08B 13/196 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0075069 (22) 출원일자
tfsn( ).hwp
Regular Paper 961 J. KIEEME Vol. 23, No. 12, pp. 961-965, December 2010 DOI: 10.4313/JKEM.2010.23.12.961 다양한기판온도에서증착된투명전도성 IGZO 박막의특성 김미선 1, 김동영 1, 서성보 1, 배강 1, 손선영 1, 김화민 1,a 1 대구가톨릭대학교전자공학과 Properties
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- 2 - - 3 - - 4 - - 5 - - 6 - - 7 - - 8 - - 9 - 가 ) 가 ) 가 ) 가 ) - 10 - - 11 - 길이 피시험기기 주전원 절연지지물 케이블지지용절연물 접지면 발생기 - 12 - 길이 가능한경우 절연지지물 절연지지물 접지면 전자계클램프 감결합장치 - 13 - - 14 - - 15 - - 16 - - 17 - - 18 -
실험 5
실험. OP Amp 의기초회로 Inverting Amplifier OP amp 를이용한아래와같은 inverting amplifier 회로를고려해본다. ( 그림 ) Inverting amplifier 위의회로에서 OP amp의 입력단자는 + 입력단자와동일한그라운드전압, 즉 0V를유지한다. 또한 OP amp 입력단자로흘러들어가는전류는 0 이므로, 저항에흐르는전류는다음과같다.
실험 5
실험. apacitor 및 Inductor 의특성 교류회로 apacitor 의 apacitance 측정 본실험에서는 capacitor를포함하는회로에교류 (A) 전원이연결되어있을때, 정상상태 (steady state) 에서 capacitor의전압과전류의관계를알아본다. apacitance의값이 인 capacitor의전류와전압의관계는다음식과같다. i dv = dt
AMOLED 용산화물 TFT 기술 [ 표 1] 디스플레이용 TFT 특성비교표도 30cm 2 /V.s 이상을요구하게될것이라고기대한다. 이에따라, 대면적공정에서고이동도특성을균일하게가질수있는신규 TFT를요구하게되었으며이에대한방안으로산화물 TFT가연구되고있다. 반면, 고이동도
![AMOLED 용산화물 TFT 기술 [ 표 1] 디스플레이용 TFT 특성비교표도 30cm 2 /V.s 이상을요구하게될것이라고기대한다. 이에따라, 대면적공정에서고이동도특성을균일하게가질수있는신규 TFT를요구하게되었으며이에대한방안으로산화물 TFT가연구되고있다. 반면, 고이동도](/thumbs/86/94059785.jpg "AMOLED 용산화물 TFT 기술 [ 표 1] 디스플레이용 TFT 특성비교표도 30cm 2 /V.s 이상을요구하게될것이라고기대한다. 이에따라, 대면적공정에서고이동도특성을균일하게가질수있는신규 TFT를요구하게되었으며이에대한방안으로산화물 TFT가연구되고있다. 반면, 고이동도")
기술특집 AMOLED 용산화물 TFT 기술 박상희 ( 한국전자통신연구원융합부품소재연구부문신소자 / 소재연구부산화물전자소자연구팀 ) Ⅰ. 서론 자발광형디스플레이로서저전압구동이가능하고종이와유사한두께로제작이가능하며동작속도가매우빠를뿐만아니라감성적인색구현이가능한 OLED는아이폰의열풍과함께스마트폰의발전에힘입어모바일용디스플레이에서 AMOLED 소자로빠른성장세를보이고있다.
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이온주입공정 1 I. 서론 II. 이온주입장비 III. 이온주입의특징및응용 IV. 비정질에서의주입이온의분포 V. 단결정에서의주입이온의분포 VI & VII. 손상과어닐링 VIII. 소자및집적회로제조기술에미치는영향 I. 서론 2 1. 목적 : 정확한양의불순물을원하는곳에도핑하는것. 에너지 : 20 ~ 5000 kev (~Mev) 거리 : 100 ~ 10,000 A
First Quarter 2013 Office Market Report COMPANY OVERVIEW
www.syasset.com First Quarter 2013 Office Market Report COMPANY OVERVIEW CONTENTS 02 www.syasset.com 04 07 13 19 24 25 28 29 30 31 32 33 Office 1 2 First Quarter 2013 Office Market Report 3 Office 2 YBD
특허청구의 범위 청구항 1 맨홀 일부분에 관통되게 결합되는 맨홀결합구와; 상기 맨홀결합구의 전방에 연통되게 형성되어 토양속에 묻히게 설치되고, 외주면에는 지하수가 유입될 수 있는 다수의 통공이 관통 형성된 지하수유입구와; 상기 맨홀결합구의 후방에 연통되고 수직으로 세워
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) G01F 23/02 (2006.01) G01F 23/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0096769 (22) 출원일자 2007년09월21일 심사청구일자 전체 청구항 수 : 총 5 항 (54) 지하수위 관측장치 2007년09월21일 (11) 공개번호 10-2009-0031004
특허청구의 범위 청구항 1 앵커(20)를 이용한 옹벽 시공에 사용되는 옹벽패널에 있어서, 단위패널형태의 판 형태로 구성되며, 내부 중앙부가 후방 하부를 향해 기울어지도록 돌출 형성되어, 전면이 오 목하게 들어가고 후면이 돌출된 결속부(11)를 형성하되, 이 결속부(11
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) E02D 29/02 (2006.01) E02D 17/20 (2006.01) E02B 3/14 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-0089517 (22) 출원일자 2010년09월13일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 JP2006037700 A* KR100920461
특허청구의 범위 청구항 1 알람을 출력하기 위한 출력 인터페이스; 사용자의 안구전도값을 측정하기 위한 안구전도 측정부; 및 상기 안구전도 측정부가 측정한 안구전도값을 이용하여 사용자의 졸음 상태를 감지하고, 그에 따라 상기 출력 인터페이스로 알람을 출력하는 졸음상태 판
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) A61B 5/0496 (2006.01) A61B 5/18 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0051767 (22) 출원일자 2009년06월11일 심사청구일자 2009년06월11일 (65) 공개번호 10-2010-0133070 (43) 공개일자 2010년12월21일
5_10.hwp
실험 8. 트랜지스터스위칭실험 8.1 실험목적 트랜지스터의스위칭특성을이해한다. 트랜지스터의무접점스위치로의응용원리를이해한다. 트랜지스터의디지털소자로의응용원리를이해한다. 8.2 실험이론 8.2.1 트랜지스터스위칭특성 포화동작영역은트랜지스터의베이스입력전류가커서입력전류에따라전류증폭률 β배만큼비례적으로증폭하여컬렉터전류로출력하지못하고, 출력이트랜지스터가흘릴수있는최대컬렉터전류
ICT À¶ÇÕÃÖÁ¾
Ver. 2012 T TA-11104-SA 4 21 21 42 65 91 103 124 140 161 187 Ver. 2012 ICT Standardization Strategy Map 4 Ver. 2012 Ver. 2012 5 ICT Standardization Strategy Map 6 Ver. 2012 Ver. 2012 7 ICT Standardization
(72) 발명자 정종수 서울특별시 서대문구 모래내로 319, 101동 405호 (홍은동, 진흥아파트) 김정환 서울특별시 구로구 구로동로21길 7 (구로동) - 2 -
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) B01J 23/34 (2006.01) B01J 37/02 (2006.01) B01J 37/08 (2006.01) B01D 53/86 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-0098306 (22) 출원일자 2010년10월08일 심사청구일자 2010년10월08일
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제 3 장 TFT (Thin Film Transistor) 1 TFT Performance and Image quality 1) On current Speed, uniformity, brightness 2) Off current (Photo-leakage current) Image storage, flicker 3) Gate-drain (Source-drain)
한것으로스마트단말기에의하여드론조종앱을설치하는제 1 단계 ; 스마트단말기에의하여드론의불루투스통 신부에부여된고유식별번호를입력저장하고드론의불루투스를인식하며드론의블루투스통신부로부터회신되 는신호의수신레벨을분석하여최대통신거리를확인하여저장하는제 2 단계 ; 스마트단말기에의하여최대통
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B64C 13/20 (2006.01) B64C 39/02 (2006.01) G05D 1/00 (2006.01) H04M 1/725 (2006.01) (52) CPC 특허분류 B64C 13/20 (2013.01) B64C 39/024 (2013.01) (21)
(72) 발명자 이대훈 경기도 성남시 분당구 정자동 파크뷰 611동 901호 박준호 경기도 안산시 상록구 사1동 1323-14 - 2 -
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) G01N 3/30 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0090352 (22) 출원일자 2008년09월12일 심사청구일자 2008년09월12일 (65) 공개번호 10-2010-0031318 (43) 공개일자 2010년03월22일 (56) 선행기술조사문헌 KR200430499
(b) 미분기 (c) 적분기 그림 6.1. 연산증폭기연산응용회로
Lab. 1. I-V Characteristics of a Diode Lab. 6. 연산증폭기가산기, 미분기, 적분기회로 1. 실험목표 연산증폭기를이용한가산기, 미분기및적분기회로를구성, 측정및 평가해서연산증폭기연산응용회로를이해 2. 실험회로 A. 연산증폭기연산응용회로 (a) 가산기 (b) 미분기 (c) 적분기 그림 6.1. 연산증폭기연산응용회로 3. 실험장비및부품리스트
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0.2 완전차동 (fully dfferental) OP amp Dfferental nput, Dfferental output Easy to cascade OP amps nsenstve to supply nose Hgh gan Fully dff OP amp requres CMFB Hgh Speed CMOS IAB, POSTECH 0.2. NMOS 입력완전차동
(72) 발명자오규환서울시서초구반포동반포아파트 110동 202호김현종서울시관악구봉천6동 층 102호 신경민 서울시서대문구홍제동 459 번지홍제원현대아파트 113 동 1702 호 류재우 경기도김포시북변동
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) A61L 27/08 (2006.01) A61F 2/82 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0015001 (22) 출원일자 2009 년 02 월 23 일 심사청구일자 2009 년 02 월 23 일 (65) 공개번호 10-2010-0095942 (43) 공개일자
실용신안 등록청구의 범위 청구항 1 터치스크린이 구비된 휴대 단말기용 케이스에 있어서, 바닥편(2)과 덮개편(3)이 절첩편(4) 사이에 일체 형성된 플립형 케이스(1); 상부에 단말기(M) 몸체가 수납 고정되고 저면이 상기 바닥편(2)에 점착 고정되는 하드케이스(7);
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개실용신안공보(U) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) A45C 11/00 (2014.01) (21) 출원번호 20-2012-0006075 (22) 출원일자 2012년07월11일 심사청구일자 전체 청구항 수 : 총 4 항 2012년07월11일 (54) 고안의 명칭 휴대 단말기용 케이스 (11) 공개번호 20-2014-0000448
특허청구의 범위 청구항 1 고유한 USB-ID를 가지며, 강제 포맷이나 프로그램 삭제가 불가능한 CD영역과 데이터의 읽기, 쓰기가 가능한 일 반영역으로 분할되어 있고 상기 CD영역에 임산부 도우미 프로그램이 임산부 PC(200)에 연결되면 자동 설치 및 실행되게 탑재된
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (11) 공개번호 10-2010-0042502 (43) 공개일자 2010년04월26일 (51) Int. Cl. G06Q 50/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0101675 (22) 출원일자 2008년10월16일 심사청구일자 전체 청구항 수 : 총 13 항 2008년10월16일 (71)
가. 도트매트릭스제어하기 단일 LED와는다르게도트매트릭스를구동시는구동전류가프로세서에서출력되는전류보다사용량을더많이필요하기때문에 TTL 계열의 IC로구동시키기에는무리가따른다. 이러한문제를해결하기위해서사용전압, 전류정격이높은달링턴트랜지스터가어레이형태로들어있는 ULN2803을
CHAPTER 5 도트매트릭스제어하기 가. 도트매트릭스제어하기 가. 도트매트릭스제어하기 단일 LED와는다르게도트매트릭스를구동시는구동전류가프로세서에서출력되는전류보다사용량을더많이필요하기때문에 TTL 계열의 IC로구동시키기에는무리가따른다. 이러한문제를해결하기위해서사용전압, 전류정격이높은달링턴트랜지스터가어레이형태로들어있는 ULN2803을이용한다. 이 IC에는 8개의
(72) 발명자 신일훈 경기 수원시 영통구 영통동 황골마을1단지아파트 151동 702호 나세욱 서울 용산구 용산동2가 18-5 김효준 경기 용인시 기흥구 상갈동 금화마을주공아파트 407동 1204호 윤송호 경기 용인시 수지구 풍덕천2동 삼성5차아파트 523-702 신동
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) G11C 16/10 (2006.01) G11C 16/34 (2006.01) (21) 출원번호 10-2006-0112411 (22) 출원일자 2006년11월14일 심사청구일자 2006년11월14일 (65) 공개번호 10-2008-0043633 (43) 공개일자 2008년05월19일
(52) CPC 특허분류 C25B 15/02 ( ) C25B 9/04 ( ) C25B 9/10 ( ) C25B 9/18 ( ) Y02E 60/366 ( ) 이발명을지원한국가연구개발사업 과제고유번호
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C25B 1/04 (2006.01) C25B 13/08 (2006.01) C25B 15/02 (2006.01) C25B 9/04 (2006.01) C25B 9/10 (2006.01) C25B 9/18 (2006.01) (52) CPC 특허분류 C25B 1/04
등록특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B29C 67/00 ( ) B33Y 30/00 ( ) B33Y 40/00 ( ) (52) CPC 특허분류
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B29C 67/00 (2006.01) B33Y 30/00 (2015.01) B33Y 40/00 (2015.01) (52) CPC 특허분류 B29C 67/0085 (2013.01) B33Y 30/00 (2013.01) (21) 출원번호 10-2015-0060925
이발명을지원한국가연구개발사업 과제고유번호 부처명 미래창조부 연구관리전문기관 한국산업기술평가관리원 연구사업명 산업융합원천기술개발 연구과제명 단일노드 48TB 이상을지원하는개방형하둡스토리지어플라이언스 (Hadoop Storage Appliance) 개발 기
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2015년12월03일 (11) 등록번호 10-1573375 (24) 등록일자 2015년11월25일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) G06F 12/08 (2006.01) (21) 출원번호 10-2013-0131411 (22) 출원일자 2013 년 10 월 31 일 심사청구일자
특허청구의범위청구항 1 노본체의내부에다단의컨베이어를그양단양측에구동스프로켓과종동스프로켓을설치하여엔드리스체인으로연결하고, 상기종동스프로켓의일측면에지지판을설치하여상기지지판에공압실린더를설치하여서그피스톤로드에종동스프로켓축을설치한가이드플레이트를연결하며, 상기가이드플레이트를상기지지
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2012년12월13일 (11) 등록번호 10-1211952 (24) 등록일자 2012년12월07일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B65G 23/44 (2006.01) B65G 17/38 (2006.01) B65G 17/30 (2006.01) F27B 9/24 (2006.01)
특허청구의 범위 청구항 1 피사체를 조명하기 위한 조명광을 출사하는 하나 또는 복수의 반도체 발광 소자를 갖는 조명 수단과, 상기 조명 수단으로부터 출사되는 상기 조명광에 의해 조명된 상기 피사체의 상을 촬상하여 촬상 신호로서 출력 하는 촬상 수단과, 상기 피사체의 상
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) A61B 1/00 (2006.01) A61B 1/06 (2006.01) A61B 1/24 (2006.01) H04N 7/18 (2006.01) A61B 1/06 (2006.01) A61B 1/24 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-7002009 (22) 출원일자
도 3 은 본 발명에 따른 제거수단을 보인 사시도 도 4 는 본 발명에 따른 제거수단의 해파필터와 카본필터의 구성을 보인 개략단면도 <도면의 주요부분에 대한 부호의 설명> (1) : 케이싱 (1a) : 천연음이온 도료 (2) : 제거수단 (3) : UV살균장치 (4)
(51) Int. Cl. 7 A61L 9/20 (19)대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2005년05월25일 10-0491080 2005년05월13일 (21) 출원번호 10-2004-0022173 (65) 공개번호 10-2004-0037034 (22) 출원일자 2004년03월31일 (43)
(72) 발명자 메츠, 매튜 미국 오레곤주힐스보로노스이스트 13 번애비뉴 3136 브라스크, 저스틴 미국 오레곤주포트랜드노스웨스트바이언래인 데이타, 수만 미국 오레곤주비버톤노스웨스트토킹스틱웨이 차우, 로버트 미국 9
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/8238 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-7001572 (22) 출원일자 2007 년 01 월 22 일 심사청구일자 2007 년 01 월 22 일 번역문제출일자 2007 년 01 월 22 일 (65)