Microsoft PowerPoint - Ch8
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- 한일 흥
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1 Ch. 8 Field-Effect Transistor (FET) and Bias 공핍영역 D G S 채널
2 8-3 JFET 바이어스 자기바이어스 (self-bias) R G - 접지로부터 AC 신호를분리 I D I G = 0 G = 0 D I D I S S = I S R S I D R S S I S = G - S = 0 I D R S = - I D R S D = DD -I D R D DS = D - S = DD -I D (R D +R S ) 15
3 8-3 JFET 바이어스 Ex.8-6 Q. DD = 15, R D =1 kω, R S = 0 Ω, I D = 5m A DS,? A. I G = 0 G = 0 G G I D S = I S R S I D R S = (5m)(0)=1.1 D D = DD I D R D = 15 (5m)(1k) = 10 S I S DS = D S = = 8.9 = G - S = = -1.1 I D 가주어지면쉽게 DS, 를구할수있으나 I D 가주어지지않으면 DS,? 16
4 8-3 JFET 바이어스 참고 자기바이어스 = I R = I R D S DSS 1 S ( off ) = 1 = 1 + IDSS R S ( off ) ( off ) ( off ) ( off ) = ( off ) ( off ) + IDSS RS ( off ) + ( off ) + IDSS R ( off ) 0 S = : 차방정식의해 ( off ) ( off ) ( off ) ± ( off ) ( off ) IDSS RS IDSS RS 4 = 4 ( off ) ( off ) ( off ) ± 4 IDSS RS IDSS RS = 17
5 8-3 JFET 바이어스 자기바이어스 (self-bias) 된 Q 점결정 원하는 값에대한 I D 전압전달특성곡선 결정방법 - 가지 R S 규격표의 I DSS, (off) 사용하여 I D 전류식계산 DSS (off) D = /I D 계산 전압전달특성곡선 Q. Ex.8-7 = -5 에서자기바이어스되도록 R S 결정? A. = -5, I D = 6.5 ma R S = /I D = -5/6.5m = 800 Ω 18
6 8-3 JFET 바이어스 중점바이어스 I D = 0.5 I DSS 되도록 JFET 를바이어스시키는것이바람직 I D = 0.5 I DSS = (off) /3.4 I = 0.5I = I 1 > 1 = /3.4 > = 3.4 D DSS DSS = (off) (off) (off) (off)
7 8-3 JFET 바이어스 중점바이어스위한 R S, R D 결정? Ex.8-9 Q. DD = 1, I DSS = 1.0mA, (off) = -0.5, 단, D = 6 DD / A. I D = I DSS / = 1m/ = ma D I D = (off) /3.4 = -0.5/3.4 = -147m R S = /I D = -147m/0.5m = 94 Ω S I S D = DD -I D R D = DD / = 6 R D = ( DD - D )/I D = (1-6)/(0.5m) = 1kΩ 0
8 8-3 JFET 바이어스 자기바이어스 (self-bias) 된 JFET의그래픽적해석 1. JFET 전달특성곡선 ( 규격표 or I D 전류식을이용 plot). = 0 when I D = 0 (1) 에서시작해서 = -I DSS R S when I D = I DSS () 까지 dc 부하선을그려라 3. 1과 의곡선들이만나는점 : Q점 직류부하선 = -I D R S -I DSS I D D S I S Q 1 -I DSS R S 1
9 8-3 JFET 바이어스 Ex.8-10 Q. JFET 의 Q 점? 전달특성곡선이용 DD = 9, R D =. kω, R S = 680 Ω A. - 1 when I D = 0, = 0 - when I D = I DSS,, = -I DSSR S = -(4m)(680) ) = 과 를연결한부하선전달특성곡선과만나는점 : Q 점 I D D S I S 1
10 8-3 JFET 바이어스 전압분배바이어스 게이트 - 소스접합 : 역방향바이어스 I G 0 G D S S > G R S = I D R S G DD I D R1 R = + S = G - S I D = = RS G R S D = DD - I D R D DS = D - S = DD -I D (R D +R S ) 3
11 8-3 JFET 바이어스 Ex.8-11 Q. D = 7 전압분배바이어스 I D, =? DD = 1, R D = 3.33 kω, R S =. kω, R 1 = 6.8 MΩ, R = 1 MΩ A. I G 0 R 1M G = DD (1) = 1.54 R R = 1 + 1M+ 6.8M I G 0 G D S I D D = DD -I D R D I D = ( DD D )/R D =(1-7)/3.3k = 1.5 ma S = I D R S = (1.5m)(. k) = 3.34 DS D = DD - S = = 4.66 = G S = = -1.8 D 가주어지면쉽게 DS, 를구할수있으나 D 가주어지지않으면 I D, DS,? 4
12 8-3 JFET 바이어스 전압분배바이어스 = I R = I R G D S G DSS 1 S ( off ) G = 1 = 1 + IDSS R S ( off ) ( off ) ( off ) ( ) = + G ( off) ( off ) ( off ) IDSS RS ( off ) G ( off ) ( off ) IDSS R S IDSS = 0 RS : 차방정식의해 ( off ) ( off ) G ( off ) ± ( off ) ( off ) IDSSRS IDSSRS IDSSRS 4 1 = ( off ) ( off ) G ( off ) ± 4 1 IDSS RS IDSS RS IDSS R S = 5
13 8-3 JFET 바이어스 전압분배바이어스된 JFET 의그래프적해석 직류부하선 = G -I D R S 1. For I D = 0, = G 1 1. For = 0, G I = D R S 3. 1과 연결하는 dc 부하선를그린후, dc 부하선과 JFET 전달특성곡선과만나는점이 Q 점이다. 6
14 8-3 JFET 바이어스 Q점의안정도같은형태의 JFET 소자에서도전달특성은상당히다르다 Q 점의큰변화 I D 와 변화전압분배바이어스가자기바이어스보다 Q점의안정성이크다. ΔQ d < ΔQ s 자기바이어스부하선 최대 전압분배바이어스부하선 Q s_max ΔQ s 최대 Q d_max 최소 ΔQ d Q s_min 최소 Q d_min 7
15 8-4 MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor FET ( 금속산화물반도체 FET ) 전류는게이트와기판사이의좁은채널을통해흐름. 게이트와채널은 SiO 로절연 분리 공핍형 (depletion): 채널이형성되어있음 증가형 (enhancement): 바이어스에의해채널형성 E-MOSFETs 는바이어스가없으면 Off 8
16 8-4 MOSFET 공핍형 MOSFET (D-MOSFET) 기본구조 9
17 8-4 MOSFET D-MOSFET 동작 체널을미리형성 게이트전압 음 : Depletion mode 양 : Enhancement mode 공핍형모드 게이트에음의전압 채널에양이온발생 전자공핍 전도도감소 (off) : 채널이완전히공핍되는전압 ( I D = 0) (off) 0 증가형모드 게이트에양의전압 채널의전도도증가 30
18 8-4 MOSFET D-MOSFET 동작 31
19 8-4 MOSFET D-MOSFET 동작 3
20 8-4 MOSFET 증가형 MOSFET (E-MOSFET) 바이어스없을때, 채널이형성되어있지않다. 를양으로증가 임계전압이상에서 채널형성 33
21 8-4 MOSFET E-MOSFET 도식기호 34
22 8-4 MOSFET E-MOSFET 동작 전달특성곡선 < (th) no channel I D = 0 > (th) channel I D > 0 35
23 8-5 MOSFET 특성과파라미터 D-MOSFET 전달특성 JFET 과동일 Shockley s equation: I D = I DSS 1 (off) Forward transconductance: g m I = = g 1 D m0 (off) g m0 = I DSS (at = 0) (off) (off) = - p 36
24 8-5 MOSFET 특성과파라미터 n 채널과 p 채널 D-MOSFET 의전달특성 37
25 8-5 MOSFET 특성과파라미터 Ex.8-17 Q. A. D-MOSFET I DSS =10 ma, (off) = -8 n 채널, p 채널? (off) < 0 n 채널 = -3 I D? 3 D = I DSS = (10m) 1 = (off) 8 I mA = 3 I D? 3 ID = I DSS 1 = (10m) 1 = 18.9mA (off) ) 8 38
26 8-5 MOSFET 특성과파라미터 E-MOSFET 전달특성 < (th) no channel I D = 0 ( ) > (th) channel I D > 0 I D = K ( ) (th) K: MOSFET 종류에따른고유값 I K= D(on) ( ) (th) I D(on) 규격표로부터얻음 39
27 8-5 MOSFET 특성과파라미터 Ex.8-16 Q. A. N7008 E-MOSFET = 10 일때 (th) = 1 이고 I D(on) = 500 ma 이다. = 5 일때 I D? ID(on) 500m K = = = 6.17mA/ 10 1 ( ) ( ) (th) ( ) = (6.17m)(5 1) 98.7mA ID = K = (th) 40
28 8-5 MOSFET 특성과파라미터 취급상주의사항 ESD (electrostatic discharge) 에취약 입력커패시턴스와높은입력저항 과도한정전하축적 소자손상 스폰지에운반, 보관 기구와작업대접지 취급자손목에접지연결 전원 on 상태에서 MOS 소자제거금지 DC off 일경우, 신호인가금지 41
29 8-6 MOSFET 바이어스 D-MOSFET 바이어스 Zero bias = 0 로두고게이트의교류신호가이바이어스점의상하로게이트- 소스전압변동 I G = 0 G = 0 = Ex.8-0 I D = I DSS I S D = DD I DSS R D I D D Q. (off) = -8, I DSS = 1 ma DD = 18, R D = 60 Ω I D, DS? S A. I G = 0 G = 0 = I D = I DSS = 1 ma I S D = DD I DSS R D = 18 (1m)(60)=10.6 4
30 8-6 MOSFET 바이어스 E-MOSFET 바이어스 > (th) 이어야하므로 zero바이어스사용못함전압분배바이어스 G R = R1 + R DD I D = G D I D = K ( ) (th) G DS = D = DD I D R D I G 0 S DS = D = DD I D R D 43
31 8-6 MOSFET 바이어스 Ex.8-18 Q. E-MOSFET, DS, I D? DD = 4, R D = 00 Ω, R 1 = 100 kω, R = 15 kω = 4, (th) = I D(on) = 00 ma I D G I G 0 G D S A. ID(on) 00m K = = = 50mA/ 4- ( ) ( ) (th) R 15k G = DD (4) = 3.13 R1 R = + 100k + 15k = G = 3.13 I D = K ( ) = (50m)(313 (50m)(3.13-) = 63.8mA (th) DS = D = DD I D R D =4-(63.8m)(00) =11. 44
32 8-6 MOSFET 바이어스 E-MOSFET 바이어스 드레인귀환바이어스 DS = ( ) DD DS I D = K (th) = RD I D G D ( ) DS ( th) = KR = DS ( th) DS + ( th) I G 0 1 S DS + ( th) DS + KR D DD D DS 1 ( th) DS : 위 차방정식의해 KR DD D = 0 45
33 8-6 MOSFET 바이어스 Ex.8-19 Q. E-MOSFET (th) = 3 I D? A. I G 0 DS = = 8.5 G DS I = = 4.7k DD DS D = RD 1.38mA 46
34 Homework All Examples Selected Problems(P ): 19,, 4, 7, 4, 43 47
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38 Simplified waste water ph neutralization system
39 Simplified waste water ph neutralization system - ph sensor and graph of ph vs. output voltage - ph sensor circuit
40 Simplified waste water ph neutralization system - Simulation results for the ph sensor circuit - Simulate the ph sensor circuit using your Multisim software. - Measure the output t voltage for sensor 50 m, sensor 150 m, and sensor = -= = 5 m.
Microsoft PowerPoint - 3. BJT
BJT (Bipolar Junction Transistor) BJT 의구조및동작모드 BJT 의구조및동작모드 실제 BJT 는그림 3-1(a) 와같이이미터영역과컬렉터영역의기하학적구조가다르며, 세영역의도핑농도도각기다르게만들어진다. 도핑농도 : ( 이미터 )>( 베이스 )>( 컬렉터 ) 이미터 : 전류운반캐리어 ( 전자또는정공 ) 를제공 컬렉터 : 베이스영역을지나온캐리어가모이는영역
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Ch. 13 Basic OP-AMP Circuits 비교기 (Comparator) 하나의전압을다른전압 ( 기준전압, reference) 와비교하기위한비선형장치 영전위검출 in > 기준전압 out = out(max) in < 기준전압 out = out(min) 비교기 영이아닌전위검출 기준배터리 기준전압분배기 기준전압제너다이오드 비교기 예제 13-1: out(max)
<4D F736F F F696E74202D F FB5BFBACEC7CFC0CCC5D820B1E8BFA9C8B22E BC8A3C8AF20B8F0B5E55D>
Back Metal 면이 Drain 인 Vertical channel MOSFET 의 Wafer Test 에서 Chuck 을사용하지않는 RDSON 측정방법 동부하이텍검사팀김여황 I RDSON II Conventional Method III New Method IV Verification (Rdson) V Normal Test Item VI Conclusion
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FET 증폭기 E-al: hjun@hanyan.ac.kr http://web.ynse.ac.kr/hjun FET 증폭기 MOFET 증폭기는동작측면에서 4 장에서설명한 BJT 증폭기와유사. BJT 증폭기에비해입력저항이매우커서, 증폭단사이신호전달이보다효율적임. 공통소오스증폭기 공통드레인증폭기 공통게이트증폭기 E-al: hjun@hanyan.ac.kr http://web.ynse.ac.kr/hjun
MOSFET 란
MOSFET 란? 절연게이트형전계효과트랜지스터 (insulated gate field effect transistor) 의대표작이라할수있는 MOSFET 를다뤄볼까합니다. MOSFET 은 'metal oxide semiconductor field effect transistor' 의약어입니다. MOS-FET 또는붙여서 MOSFET 이라고합니다. 일반적으로는전기적인신호를증폭하거나스위칭을하는목적으로쓰입니다.
전자회로 실험
전자회로실험 2 조 고주현허영민 BJT의고정바이어스및 부품 * 실험목적 1) 고정바이어스와 회로의직류동작점을결정한다. 다이오드의특성 * 실험장비 계측장비 - Digital Multi Meter 부품 -저항 다이오드의특성 부품 - 트랜지스터
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0.2 완전차동 (fully dfferental) OP amp Dfferental nput, Dfferental output Easy to cascade OP amps nsenstve to supply nose Hgh gan Fully dff OP amp requres CMFB Hgh Speed CMOS IAB, POSTECH 0.2. NMOS 입력완전차동
Microsoft PowerPoint - Ch3
Ch. 3 Special Purpose Diodes 3-4. 광학다이오드 (Optical diodes) 광학다이오드 광방출다이오드 (LED) : 빛을방출하는다이오드 광다이오드 (Photodiode) : 빛을검출하는다이오드 광방출다이오드 (LED: light emitting diode) 전계발광 (electroluminescence): 순방향바이어스 : n영역의자유전자
(b) 연산증폭기슬루율측정회로 (c) 연산증폭기공통모드제거비측정회로 그림 1.1. 연산증폭기성능파라미터측정회로
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신호조절 (Signal Conditioning) 메카트로닉스 시스템의 구성 ECU 인터페이스 회로 (시그널 컨디셔닝) 마이컴 Model of 기계 시스템 인터페이스 회로 (드라이빙 회로) 센서 액츄에이터 (구동기) 기계 시스템 PN 접합 다이오드 [1] 다이오드의 DC 해석과 등가모델 [1] 다이오드의 DC 해석과 등가모델 [1] 다이오드 응용회로 [1] 다이오드
<C0E5B7C1BBF328BEEEB8B0C0CCB5E9C0C729202D20C3D6C1BE2E687770>
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(b) 미분기 (c) 적분기 그림 6.1. 연산증폭기연산응용회로
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BS-K1217-M□□-3012_ProductGuide_KR_PDF
READER/WRITER MADE IN JAPAN System [ASLINK ] S-K1217-M-3012..,.,....,,. S-K1217-M08-3012 S-K1217-M12-3012 S-K1217-M18-3012 S-K1217-M30-3012 2() () / 1 2 1 DC..,,.,,,..,....... ' ARW-04 (Ver.04-1.01 ),
Microsoft Word - Lab.4
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제 1 장 집적회로 개요
실험 #2-A 반도체다이오드의특성실험 1. 실험목적 다이오드의특성에대해조사한다. 2. 서론 모든반도체다이오드는단향적특성을가지고있다. 순방향저항은매우낮은반면에역방향저항은매우높기때문이다. 다이오드에대한전압대전류의곡선을그려가며구체적으로그특성을조사한다. 3. 관련이론 다이오드내부저항 V D V D V T r D Ideal diode I D I D 다이오드의순방향저항
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE Sep.; 30(9),
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 2019 Sep.; 30(9), 712 717. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2019.30.9.712 ISSN 1226-3133 (Print) ISSN 2288-226X (Online) MOS
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실험. apacitor 및 Inductor 의특성 교류회로 apacitor 의 apacitance 측정 본실험에서는 capacitor를포함하는회로에교류 (A) 전원이연결되어있을때, 정상상태 (steady state) 에서 capacitor의전압과전류의관계를알아본다. apacitance의값이 인 capacitor의전류와전압의관계는다음식과같다. i dv = dt
제목을 입력하십시오
위상제어정류기 Prf. ByungKuk Lee, Ph.D. Energy Mechatrnics Lab. Schl f Infrmatin and Cmmunicatin Eng. Sungkyunkwan University Tel: 8212994581 Fax: 8212994612 http://seml.skku.ac.kr EML: bkleeskku@skku.edu 위상제어정류회로
Microsoft PowerPoint - Chapter4&6(강의용)
h. 4 반도체소자 반도체 : 상온에서도체와부도체의중간쯤에해당하는전기전도도를가지는물질 불순물첨가 (doping) 또는결함으로인해서전기전도도가매우크게변함. 주기율표에서 4 족, 3-5 족, 2-6 족화합물 (Si, Ge, GaAs, AlAs etc. ) c = 6.708 Å 1 원자가규칙적정렬을하는고체에서전자의상태 : 에너지밴드 E U E g a E V a 0
,,,,,, (41) ( e f f e c t ), ( c u r r e n t ) ( p o t e n t i a l difference),, ( r e s i s t a n c e ) 2,,,,,,,, (41), (42) (42) ( 41) (Ohm s law),
1, 2, 3, 4, 5, 6 7 8 PSpice EWB,, ,,,,,, (41) ( e f f e c t ), ( c u r r e n t ) ( p o t e n t i a l difference),, ( r e s i s t a n c e ) 2,,,,,,,, (41), (42) (42) ( 41) (Ohm s law), ( ),,,, (43) 94 (44)
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의료기기제작실습 II 이름 : 이기영 (Lee, Ki Young) 전공 : 의공학 (Medical Engineering) 연구실 : 강릉캠퍼스 50주년기념관 514호이메일 : kylee@kd.ac.kr 학과홈 : http://cms.kd.ac.kr/user/bme/index.html 1 수업계획서 1주 필터회로의분석 2주 필터회로의구현 3주 반전 / 비반전증폭기
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포워드, 플라이백컨버터 Prof. ByoungKuk ee, Ph.D. Energy echaronics ab. chool of Informaion and Communicaion Eng. ungkyunkwan Universiy Tel: 823299458 Fax: 823299462 hp://seml.skku.ac.kr E: bkleeskku@skku.edu Forward
Microsoft PowerPoint - Ch12
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전력전자 로봇 자동화공학부 www.dongyang.ac.kr 전기회로기초 - 학습내용 교류전압전류의표현방법 전력및역률 계측기사용법 전력용반도체소자및동작원리 전기회로기초 - 계측기사용법 함수발생기 함수발생기 (function generator) 또는신호발생기 (signal generator) 는디지털회로또는아날로그전자회로에정현파, 구형파, 삼각파등의신호를공급하는실험장비
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"다양한 산업현장에서 쓰이고 있는 컴파일 제품" 데이터 수집 데이터 수집용 필드 I/O 제품 "모드포트" 필드 I/O 전력 모니터링 로봇 제어 태양광 발전 트랙커 제어 CUPC-P80 CT1721C CB405 포장기 화력발전소-화력 감지 시스템 녹방지장치(용존산소제거장치) CT1721C CB280, CLCD-216 CUWIN3500 일회용 용기 성형기 항온항습기
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Ch. 16 Oscillators Crystal-Controlled Oscillators 수정발진기 (Crystal-Controlled Oscillators): 안정되고정확한발진기 압전효과 (Piezoelectric effects): 기계적충격에의해서진동하는주파수에서전압을발생 교류전압이인가하면주파수로진동 압전효과물질 : 수정 - 매우높은 Q 값 ( 수천 )
실험 5
실험. OP Amp 의기초회로 Inverting Amplifier OP amp 를이용한아래와같은 inverting amplifier 회로를고려해본다. ( 그림 ) Inverting amplifier 위의회로에서 OP amp의 입력단자는 + 입력단자와동일한그라운드전압, 즉 0V를유지한다. 또한 OP amp 입력단자로흘러들어가는전류는 0 이므로, 저항에흐르는전류는다음과같다.
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IZD10/IZE11 Series 20kV50mm 0.4kV25mm 1 5V( 100Ω). IZD10 Series 2(1 5V, 4 20mA) 0.001kV(±0.4kV ), 0.1kV(±20kV ) ±0.5 F.S. ±1digit (1mm ) 2 (±0.4kV, ±20kV) IZE11 Series Alphabet Index 695 IZD10 Series IZD10
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- 2 - - 3 - - 4 - - 5 - - 6 - - 7 - - 8 - - 9 - 가 ) 가 ) 가 ) 가 ) - 10 - - 11 - 길이 피시험기기 주전원 절연지지물 케이블지지용절연물 접지면 발생기 - 12 - 길이 가능한경우 절연지지물 절연지지물 접지면 전자계클램프 감결합장치 - 13 - - 14 - - 15 - - 16 - - 17 - - 18 -
전자회로-07장
Chapter 07 7.1 BJT 7.2 MOSFET 7.3 7.4 7.5 7.6 4 6 IC IC IC IC BJT MOSFET IC IC IC IC 7 1 differential amplifier IC integrated circuit IC BJT MOSFET emitter coupled differential pair source coupled differential
그림 1 DC 마이크로그리드의구성 Fig. 1 Configuration of DC Micro-grid 그림 2 전력흐름도 Fig. 2 Power Flow of each component 그림 3 전력관리개념 Fig. 3 Concept of Energ Management Unit 1 Unit 2 Output Impedence z1 Output Impedence
?.,,,.. / OSHA( ) NFPA( ) ANSI/ISA( / ) TIA( ) IEC( ) CENELEC( ) IEEE( ).....?,,.. Fluke 160- FC %.,? NEC( ) 100 " / ". ( )....,,,, EMI, RFI.
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서보교육자료배포용.ppt
1. 2. 3. 4. 1. ; + - & (22kW ) 1. ; 1975 1980 1985 1990 1995 2000 DC AC (Ferrite) (NdFeB; ) /, Hybrid Power Thyrister TR IGBT IPM Analog Digital 16 bit 32 bit DSP RISC Dip SMD(Surface Mount Device) P,
KMC.xlsm
제 7 장. /S 에필요한내용 1] IGBT 취급시주의사항 ) IGBT 취급시주의 1) 운반도중에는 Carbon Cross로 G-E를단락시킵니다. 2) 정전기가발생할수있으므로손으로 G-E 및주단자를만지지마십시요. 3) G-E 단자를개방시킨상태에서직류전원을인가하지마십시요. (IGBT 파손됨 ) 4) IGBT 조립시에는사용기기나인체를접지시키십시요. G2 E2 E1
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Heinrich Rudolf Hertz (1857 1894) proved the existence of the electromagnetic waves theorized by James Clerk Maxwell's electromagnetic theory of light. Guglielmo Marconi (1874 1937) 1909 Nobel Prize in
Microsoft Word - Lab.7
Lab. 1. I-V C Lab. 7. Characterist tics of a Dio 능동필터 ode 1. 실험목표 연산증폭기를이용한저역통과필터 (low-pass filter), filter), 대역통과필터 (band-pass filter) 회로를구성, 연산증폭기능동필터회로를이해 고역통과필터 (high-pass 측정및평가해서 2. 실험회로 A. 연산증폭기능동필터
논리회로설계 3 장 성공회대학교 IT 융합학부 1
논리회로설계 3 장 성공회대학교 IT 융합학부 1 제 3 장기본논리회로 명제 참인지거짓인지정확하게나타낼수있는상황 ( 뜻이분명한문장 ) 2진논리 참과거짓 두가지논리로표시하는것 0 / 1 로표현가능 논리함수 여러개의 2진명제를복합적으로결합시켜표시하고, 이를수학적으로나타낸것 디지털논리회로 일정한입력에대하여논리적인판단을할수있는전자회로로구성 - 입력된 2진논리신호들에대해적당한
고주파의 이해
1,,,,, UHF ( 300MHz, 1m ),?, 1MHz 300m FR-4 137m cm, 1MHz,, 1GHz? 1MHz 1/1000 30cm, FR-4 137cm cm,,,, W, dbm(0dbm=1mw) 2 S Parameter(Scattering Parameter), Y Parameter, Smith Chart S Parameter S21 S11
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Test 1. 일반적인측정용어 1.1 면저항 1.2 누설전류 1.3 파괴시험 1.4 Resolution 2. 산화막평가 2.1 확산층평가 2.2 산화막중의전하 2.3 절연파괴강도 2.4 장기신뢰성평가 3. Photo-etch 검사측정기술 3.1 검사측정기술 3.2 Selectivity, Etch-rate, Anisotropy 4. 박막평가 4.1 관련용어 a.
많이 이용하는 라면,햄버그,과자,탄산음료등은 무서운 병을 유발하고 비만의 원인 식품 이다. 8,등겨에 흘려 보낸 영양을 되 찾을 수 있다. 도정과정에서 등겨에 흘려 보낸 영양 많은 쌀눈과 쌀껍질의 영양을 등겨를 물에 우러나게하여 장시간 물에 담가 두어 영양을 되 찾는다
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개실용신안공보(U) A23L 1/307 (2006.01) C02F 1/68 (2006.01) (21) 출원번호 20-2011-0002850 (22) 출원일자 2011년04월05일 심사청구일자 2011년04월05일 (11) 공개번호 20-2011-0004312 (43) 공개일자 2011년05월03일
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Ch. 16 Oscillators 발진기 (Oscillator) 발진기 : 전원이인가된상태에서외부의입력신호없이회로자체의동작에의해특정주파수의신호 ( 정현파, 구형파, 삼각파, 톱니파 ) 를생성하는회로 종류 : 귀환 발진기 (Feedback oscillator), 이완 발진기 (elaxation oscillator) 귀환발진기 귀환발진기 : 출력신호의일부분이위상변이없이입력으로인가되어출력을강화
07 최운성.hwp
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 2013 Nov.; 24(11), 1081 1090. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2013.24.11.1081 ISSN 1226-3133 (Print) ISSN 2288-226X (Online)
2004math2(c).PDF
3 2004 1,,,, 2 1 1. LCD ( )? () ( ) 2. 100 () () 3. < > (1) (2) (3) ( ) < > < >(1)(3) < > (), (3)< >()? ()... () A. B. C. (3), A, B, A, B, C 4. (), () < >? < >? [2]..,.,,,,,...,,,,, 2 5. < > (1), (2) (3)
Microsoft PowerPoint - dev6_TCAD.ppt [호환 모드]
![Microsoft PowerPoint - dev6_TCAD.ppt [호환 모드]](/thumbs/104/162682498.jpg "Microsoft PowerPoint - dev6_TCAD.ppt [호환 모드]")
TCAD: SUPREM, PISCES 김영석 충북대학교전자정보대학 2012.9.1 Email: kimys@cbu.ac.kr k 전자정보대학김영석 1 TCAD TCAD(Technology Computer Aided Design, Technology CAD) Electronic design automation Process CAD Models process steps
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한경대학교전기전자제어공학과 유동상교수 실험목적 - 회로의주파수응답및필터에대해이해 강의내용 - 주파수응답과필터 - 저주파통과필터 - 고주파통과필터 오늘의실험 - Multisim을이용한시뮬레이션 - 브레드보드에회로구성을통한실험및계측 이득 (Gain) : 입력정현파의진폭에대한출력정현파의진폭의비 gain output amplitude input amplitude
피아노는 첨단기술과 예술의 완벽한 시너지를 통 해 세상에 나옵니다. 피아노는 연주자의 감성을 반영하는 사운드를 만들 수 있습니다. 피아노 생산의 마지막 단계를 보이싱(Voicing) 이라고 부릅니다. 이 과정을 통해 악기에 호흡을 불어넣고 진정한 음악을 만듭니다. 이를
피아노는 첨단기술과 예술의 완벽한 시너지를 통 해 세상에 나옵니다. 피아노는 연주자의 감성을 반영하는 사운드를 만들 수 있습니다. 피아노 생산의 마지막 단계를 보이싱(Voicing) 이라고 부릅니다. 이 과정을 통해 악기에 호흡을 불어넣고 진정한 음악을 만듭니다. 이를 위해 고 도로 숙련된 전문가들은 각각의 부분에 자신의 집중력과 감성을 집중하여 피아노 줄을
전기정보 11월(내지).qxp
463-835 경기도 성남시 분당구 야탑로 338(야탑동 191) T.(031) 724-6100(代) 등록일자 1976년 3월 18일 등록번호 서울 라 11267 www.kemc.co.kr 11 2014 통권474 Power Tech AC 직결형 LED 구동회로 설계 스마트 리뉴어블(Smart Renewable) EMS 운영 결과 분석 발전기 온라인 통합 감시진단
18103.fm
J. of the Korean Sensors Society Vol. 18, No. 1 (009) pp. 8 3 VO w PCM yá Á Á Ÿ Built-in protection circuit module by using VO temperature sensors K. H. Song, J. B. Choi, M. W. Son, and K. S. Yoo Abstract
08원재호( )
30 2 20124 pp. 173~180 Non-Metric Digital Camera Lens Calibration Using Ground Control Points 1) 2) 3) Abstract The most recent, 80 mega pixels digital camera appeared through the development of digital
<C1A636C0E DB0A8C0FCBFA120B4EBC7D120BAB8C8A32E687770>
IEC 규격에의한전기설비설계가이드 IEC 규격에의한 전기설비설계가이드 제 6 장감전에대한보호 61 6 61 30 ma IEC IEC 60364 IEC 60479 IEC 61008 IEC 61009 IEC 60947-2 611 1994 IEC 60479-1 / 4 61 C1 30 ma C1 500 ms/100 ma 014 % IEC IEC 60364 IEC 60479
2001/1학기 공학 물리 중간고사
2011/2 학기물리전자기말고사담당교수 : 김삼동 성명 학번 분반 e = 1.6 10-19 C, ε ox = 3.9, ε Si = 11.7,ε o = 8.85 10-14 F/cm 2, kt (300 K) = 0.0259 ev,, n i (Si, 300 K) =1.5x10 10 /cm 3 1. PN diode의 I-V 특성은아래의그림과같은거동을보인 (I) 다.
특성화사업참가결과보고서 작성일 학과전자공학과 참가활동명 EATED 3.0 프로그램지도교수진성훈교수님 연구주제명 Multilayer MoS2 Depletion Load Enabled Photo Sensitive inverters with GaN FE
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What’s semiconductor?
Lecture 2 집적회로란 : 무어의법칙, 집적화의장점, 종류, 반도체칩의일생 원광대학교이재철 http://edu.idec.or.kr Semiconductor? Conductor: Low resistivity Easily conducts Electrical Current Metals(copper, gold, sliver, etc.) Insulator: High
1. Features IR-Compact non-contact infrared thermometer measures the infrared wavelength emitted from the target spot and converts it to standard curr
Non-Contact Infrared Temperature I R - Compact Sensor / Transmitter GASDNA co.,ltd C-910C, Bupyeong Woolim Lion s Valley, #425, Cheongcheon-Dong, Bupyeong-Gu, Incheon, Korea TEL: +82-32-623-7507 FAX: +82-32-623-7510
歯03-ICFamily.PDF
Integrated Circuits SSI(Small Scale IC) 10 / ( ) MSI(Medium Scale IC) / (, ) LSI(Large Scale IC) / (LU) VLSI(Very Large Scale IC) - / (CPU, Memory) ULSI(Ultra Large Scale IC) - / ( ) GSI(Giant Large Scale
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3 장유도전동기의동특성해석법 3-1 αβ좌표계에서 IM의지배방정식 [2] abc 좌표계에서유도전동기전압방정식 1 (1) 유도전동기의전압방정식 dλas dλbs dλcs vas = Ri s as +, vbs = Ri s bs +, vcs = Ri s cs + dt dt dt dλar dλbr dλcr var = Ri r ar +, vbr = Ri r br +,
20564A*LT-W600SH*I/M
P/NO. 3828A20564A LT-W600SH LT-W720SH LT-W830SD LT-W1000SD LT-W1100SD LT-W1100SD3 DreamLG.com 080-856-9999 LG 08:00~12:00, 13:00~19:30 17:00 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 1 30 810 30 785 840
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전자회로 Ch7 CMOS Aplifiers 김영석 충북대학교전자정보대학 202.3. Eail: kiys@cbu.ac.kr k Ch7- 7. General Considerations 7.2 Coon-Source Stae Ch7 CMOS Aplifiers 7.3 Coon-Gate Stae 7.4 Source Follower 7.5 Suary and Additional
2.5 Zener Diode
Chapter 2 2.1 Mechanical Modeling of Diode PN접합 : 외부에너지의방향에의해한방향으로만전류가흐를수있게한다. 즉, 다이오드는방향이바뀌는외부전압에대하여한쪽방향으로만도통된다. 2.2 Biasing the PN Junction 평형상태에서는 PN 접합을통해움직이는자유전자가없다. 즉평형상태에서는 PN 접합을통해전류가흐르지않는다. 따라서
온습도 판넬미터(JTH-05) 사양서V1.0
온습도 조절기 Model:JTH-05 1. 제품 사양. [제품 구분] JTH-05A(입력 전원 AC), JTH-05D(입력 전원 DC) [전원 사양] JTH-05A 입력 전압 출력 전원 소비 전력 JTH-05D AC 90~240V DC 10~36V 12Vdc / Max.170mA Max.2W [본체 사이즈] ~ 온/습도 범위(본체): 사용 [0 ~ 50, 85%RH
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Chapter 3 Block Diagrams and Signal Flow Graphs Automatic Control Systems, 9th Edition Farid Golnaraghi, Simon Fraser University Benjamin C. Kuo, University of Illinois 1 Introduction In this chapter,
형명및정격 (MCCB) 배선용차단기 (AB - 시리즈 ) 프레임의크기 50AF Type 형명 정격 극수 (Pole) 정격전류 (In) A 정격전압 (Ue) AC (V) DC (V) 정격절연전압 (Ui) V 정격임펄스전압 (Uimp) kv 정격차단전류 (ka) 주1) A
0F 정격 극수 (Pole) C () 정격임펄스전압 (Uimp) k 정격차단전류 (k) 주1) C K SC 821 (Sym) 4/00 IEC0947-2 (lcu) 41 2 DC 순시트립동작특성내구수명 ( 회 ) 기계적전기적 c1 주2) c2 주2) 부속장치 보조접점 X L 부족 UT 외부조작 표면부착형 (D) 핸들 확장형 (E) 단자커버 Long Short
1_12-53(김동희)_.hwp
본논문은 2012년전력전자학술대회우수추천논문임 Cascaded BuckBoost 컨버터를 이용한 태양광 모듈 집적형 저전압 배터리 충전 장치 개발 472 강압이 가능한 토폴로지를 이용한 연구도 진행되었지만 제어 알고리즘의 용의성과 구조의 간단함 때문에 BuckBoost 컨버터 또는 Sepic 컨버터를 이용하여 연구 가 진행되었다[10][13]. 태양광 발전
Dual- Gate FET T he Analysis and Applications of Nonlinear Characteris tics of Dual- Gate FET 1999 12
Dual- Gate FET T he A naly s is and A pplication of Nonlinear Characteris tics of Dual- Gate FET 199 9 Dual- Gate FET T he Analysis and Applications of Nonlinear Characteris tics of Dual- Gate FET 1999
01반도체
Ministry of Knowledge Economy Ministry of Knowledge Economy Korea valuation Institute of industrial Technology Korea valuation Institute of Industrial Technology Ministry of Knowledge Economy Korea Evaluation
Microsoft Word - KSR2015A135
2015 년도한국철도학회추계학술대회논문집 KSR2015A135 PSCAD/EMTDC 를이용한직류전기철도급전계통모델링 Modeling for power feeding system of DC electric railway using the PSCAD/EMTDC 정현기 * Hyun-Ki Jung * 초록직류전기철도는 DC 1,500V 전차선로등급전계통에서단락또는지락사고발생시
ITVX-A-C1
5.0MPa New RoHS 5.0 5.0MPa 5.0MPa 0.01 3.0 0.01 3.0MPa 3000 3000L/min ANR 5.0MPa3.0MPa Ar N2 N2O2ArO2 O2 P.2. 3W ITVX Series CAT.KS60-21A 5.0MPa ITVX2000 Series RoHS ITVX2 030 0 1 3 S 2 ITVX2000 0 ) )
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Dynamic Analog ircuits (h. 5) 김영석 충북대학교전자정보대학 0.3.. Email: kimys@cbu.ac.kr 전자정보대학김영석 5- ontents 5. The MOSFET Switch 5. Fully Differential ircuits 5.3 Switched-apacitor ircuit 전자정보대학김영석 5- 5. The MOSFET
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Stability and Frequency Compensation (Ch. 10) 김영석충북대학교전자정보대학 2010.3.1 Email: kimys@cbu.ac.kr 전자정보대학김영석 1 Basic Stability 10.1 General Considerations Y X (s) = H(s) 1+ βh(s) May oscillate at ω if βh(jω)
10신동석.hwp
(JBE Vol. 21, No. 5, September 2016) (Regular Paper) 21 5, 2016 9 (JBE Vol. 21, No. 5, September 2016) http://dx.doi.org/10.5909/jbe.2016.21.5.760 ISSN 2287-9137 (Online) ISSN 1226-7953 (Print) LED a),
2004math2(a).PDF
3 2004 1..,,,..,. 2. 1.. 1.. LCD ( )? () ( ) 2. 100. () () 3... < > (1). (2). (3) ( ) < > < >(1)(3). < > (), (3)< >()? ()... () A.. B.. C.. (3), A, B, A, B, C 4. (), (). < >? < >? [2] ..,.,,,,,
2-32
Itroductio The field effect trasistor(fet) is a uiolar device because, ulike biolar trasistor that use both electro ad hole curret, they oerate oly with oe tye of charge carrier. (BJT) (FET). The two mai
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회로이론 중간고사 -7.. 4 [] 다음소자에정현파전압을인가할때, -I 단자특성을써라 5 점 [] Elcric lap 는고주파에서동작하며에너지를수은증기에전달하여수은증기가 phsphrus 막을때려서빛을발산한다. 그림의회로에서, 가얼마일때최대전력을전달받는가? 등가회로는그림과같고, 는 lap 의크기와 phsphrus 의종류에의해결정된다. 3-4 - OU v 7 rad
EP-B-P211.eps
PFA/PFW Series PFA Series PFW Series PF00 Series Alphabet Index 8 A COM B COM DCV GND F.G. R.S. HOLD COM BANK BANK COUNT PRESET FUNC. AC00~0VCOM OUTOUTOUTOUTOUTS.STOP RD SD SG RS-C PFA/PFW Series, N M/C
24 GHz 1Tx 2Rx FMCW ADAS(Advanced Driver Assistance System).,,,. 24 GHz,, [1] [4]. 65-nm CMOS FMCW 24 GHz FMCW.. 송수신기설계 1 1Tx 2Rx FMCW (Local Oscillat
![24 GHz 1Tx 2Rx FMCW ADAS(Advanced Driver Assistance System).,,,. 24 GHz,, [1] [4]. 65-nm CMOS FMCW 24 GHz FMCW.. 송수신기설계 1 1Tx 2Rx FMCW (Local Oscillat](/thumbs/91/106074132.jpg "24 GHz 1Tx 2Rx FMCW ADAS(Advanced Driver Assistance System).,,,. 24 GHz,, [1] [4]. 65-nm CMOS FMCW 24 GHz FMCW.. 송수신기설계 1 1Tx 2Rx FMCW (Local Oscillat")
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 2018 Oct.; 29(10), 758 765. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2018.29.10.758 ISSN 1226-3133 (Print) ISSN 2288-226X (Online) 24
팬도캐드소개
제목 : 4 층 50Ω, 55Ω, 90Ω Diff,100Ω Diff (1.46T) PCB 재질 : FR4( Er = 4.4 ) 외층 / 내층 : 1 Oz PCB 두께 : 1.46T ±10% CCL= 1.2T C 1/1 L3 0.08mm 0.08mm 0.09mm 0.09mm 0.26mm 0.26mm 프리프레그 (PrePreg) : 1080 0.06 mm, 2116
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구동회로 메카트로닉스시스템의구성 ECU 인터페이스회로 ( 시그널컨디셔닝 ) 마이컴 Model of 기계시스템 인터페이스회로 ( 드라이빙회로 ) 센서 액츄에이터 ( 구동기 ) 기계시스템 Power Semiconductor Device TRAC BJT http://en.wikipedia.org/wiki/power_semiconductor_device BJT 의구조및동작모드
<313620B1E8BFB5C3E12D4E4D4F53464554C0C720486F742D4361727269657220BFADC8ADC7F6BBF32E687770>
한국산학기술학회논문지 Vol. 10, No. 12, pp. 3626-3631, 2009 NMOSFET의 Hot-Carrier 열화현상 백종무 1, 김영춘 2*, 조문택 3 1 대원대학 전자정보통신과, 2 공주대학교 기계자동차공학부, 3 대원대학 전기전자계열 Hot-Carrier Degradation of NMOSFET Jong-Mu Baek 1, Young-Choon
TEL: 042-863-8301~3 FAX: 042-863-8304 5 6 6 6 6 7 7 8 8 9 9 10 10 10 10 10 11 12 12 12 13 14 15 14 16 17 17 18 1 8 9 15 1 8 9 15 9. REMOTE 9.1 Remote Mode 1) CH Remote Flow Set 0 2) GMate2000A
Microsoft Word - LAB_OPamp_Application.doc
실험. OP Amp 의기본응용회로 Voltage Follower/Impedance Buffer 위의 OP amp 회로에서출력전압신호는입력전압신호와항상같으므로, voltage follower라고불린다. 이회로는어떤기능을가지는회로에부하저항을연결하였을때, 부하저항이미치는영향을최소화하기위해서사용될수있다. 예를들면 low-pass filter 회로에부하저항이연결된다음과같은회로를고려해본다.
Turbine Digital Flowmeter SEMI U+ 특징 PVC, PTFE, P.P, PVDF 등 다양한 재질 Size, 유량, Connection별 주문제작 정밀성, 내화학성이 우수 4~20mA, Alarm, 통신(RS485) 등 출력 제품과 Controll
Turbine Digital Flowmeter SEMI U+ 특징 PVC, PTFE, P.P, PVDF 등 다양한 재질 Size, 유량, Connection별 주문제작 정밀성, 내화학성이 우수 4~20mA, Alarm, 통신(RS485) 등 출력 제품과 Controller의 장착 및 사용이 편리 Specification (사양) 적용유체 : 액체 (D.I or
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FirmSYS Zigbee etworks Kit User Manual FS-ZK500 Rev. 2008/05 Page 1 of 26 Version 1.3 목 차 1. 제품구성... 3 2. 개요... 4 3. 네트워크 설명... 5 4. 호스트/노드 설명... 6 네트워크 구성... 6 5. 모바일 태그 설명... 8 6. 프로토콜 설명... 9 프로토콜 목록...
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제품설명서 BC6HP Microprocessor controlled highperformance rapid charger/discharger with integrated balancer, 250watts of charging power USB PC link and Firmware upgrade, Temperature sensor Charge current up
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Sigrity Application Notes Example 1 : Power and ground voltage fluctuation caused by current in a via passing through two metal planes Example 2 : Power/ground noise and coupling in an integrated-circuit
acdc EQ 충전기.hwp
www.sjproporc.com DIGITAL CHARGER & DISCHARGER Intelligent Balancer SJPROPO 서울특별시 강남구 일원동 642-11 대도빌딩 202호 2006 SJPROPO INC. SJ INCORPORATED 사용 설명서 제품 구성물 동작 중 표시 화면 B L C : B A L A N C E R C O N N E C
(p47~53)SR
2014.8 Semiconductor Network 47 48 Semiconductor Network 2014.8 2014.8 Semiconductor Network 49 50 Semiconductor Network 2014.8 2014.8 Semiconductor Network 51 52 Semiconductor Network 2014.8 SN 2014.8
BC6DX Korean.ai
제품설명서 BC6DX * 제품의성능개선을위하여예고없이사양이변경될수있습니다. * 무단복제금지 제품의특징 - 운영프로그램 - 이중입력전원회로 - 방전중개별셀전압평균화 - 최대한의안전장치들 - 사이클충전 / 방전 (Cyclic charging/discharging) - USB 를이용한 PC 통신 - 2 - 외부장치들 -, 버튼 - DEC, INC 버튼 - START/
KR
34410A 34411A 6.5 1 2 4 13 18 19 34410A 34411A 6.5. DMM 12. DMM 34401A. DC AC DMM. 34410A 6.5 DMM 10 000 5.5 1 000 6.5 30 PPM 1 DC LAN USB & GPIB DCV ACV DCI ACI 2/4-50 k 34411A 6.5 DMM 34410A 50 000 100
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Microsoft PowerPoint 상 교류 회로
3상교류회로 11.1. 3 상교류의발생 평등자계중에놓인회전자철심에기계적으로 120 씩차이가나게감은코일 aa, bb,cc 를배치하고각속도의속도로회전하면각코일의양단에는다음식으로표현되는기전력이발생하게된다. 11.1. 3 상교류의발생 여기서 e a, e b, e c 는각각코일aa, bb, cc 양단에서얻어지는전압의순시치식이며, 각각을상 (phase) 이라한다. 이와같이전압의크기는같고위상이
PowerPoint Presentation
디지털 CMOS 인버터의동작및특성 IT CookBook, 최신 VLSI 설계, 조준동, 성균관대학교 학습목표 CMOS 인버터의동작과구조를익힌다. CMOS 인버터의출력전류, 출력전압의특성을알아본다. 노이즈마진을구한다. 목차 1.CMOS 인버터의동작및구조 2.CMOS 인버터의출력전류 / 전압특성 Section 01 CMOS 인버터의동작및구조 1.1 CMOS 인버터의동작.
01. Start JAVA!
03. 기본논리게이트 1 1. TTL 과 CMOS 논리레벨정의영역 TTL CMOS +V cc 전압 (Volt) 5 4 논리-1(2.5V~5V) 3 2 정의되지않은영역 1 논리-0(0V~0.8V) 0 전압 (Volt) 5 4 논리-1(3.5V~5V) 3 정의되지않은영역 2 1 논리-0(0V~1.5V) 0 V in collector V out base emitter
18211.fm
J. of the Korean Sensors Society Vol. 18, No. 2 (2009) pp. 168 172 p k ù p p l xá xá ³ Á *Á w * Fabrication of the CNT-FET biosensors with a double-gate structure Byunghyun Cho, Byounghyun Lim, Jang-Kyoo
Microsoft PowerPoint - ch03ysk2012.ppt [호환 모드]
![Microsoft PowerPoint - ch03ysk2012.ppt [호환 모드]](/thumbs/101/150466693.jpg "Microsoft PowerPoint - ch03ysk2012.ppt [호환 모드]")
전자회로 Ch3 iode Models and Circuits 김영석 충북대학교전자정보대학 2012.3.1 Email: kimys@cbu.ac.kr k Ch3-1 Ch3 iode Models and Circuits 3.1 Ideal iode 3.2 PN Junction as a iode 3.4 Large Signal and Small-Signal Operation
2장
. Operatnal Amplfers (, p amp) analg,, ( transstr, ), 960 C p amp (µa 709), C p amp C p amp : ().(p amp ) () (deal) >C p amp p amp buldng blck,. (C p amp: transstr,, capactr.) Op amp 9 . deal( ) p amp..
ez-shv manual
ez-shv+ SDI to HDMI Converter with Display and Scaler Operation manual REVISION NUMBER: 1.0.0 DISTRIBUTION DATE: NOVEMBER. 2018 저작권 알림 Copyright 2006~2018 LUMANTEK Co., Ltd. All Rights Reserved 루먼텍 사에서
REVIEW CHART
Rev.6, 29. June 2015 보호및절연협조 2015. 06. 29 한국철도시설공단 REVIEW CHART 1 2 Ω 3 4 5 6 단락보호과전류방식 단락보호 지락보호비율차동방식 단락보호과전류방식 지락보호지락과전류 7 8 9 10 I inrush FLA 배at sec 11 12 I pickup Slope P I n 여기에서 I n 변류기 차정격전류
Microsoft PowerPoint - Ch15-1
h. 5 ctive Filters 기본적인필터응답 (asic filter response) 저역통과필터응답 (low-pass filter (LPF) response) v( db) log when X out s log > πf X f X log π X log ( πf) asic LPF response LPF with different roll-off rates