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- 유진 팽
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1 Test 1. 일반적인측정용어 1.1 면저항 1.2 누설전류 1.3 파괴시험 1.4 Resolution
2 2. 산화막평가 2.1 확산층평가 2.2 산화막중의전하 2.3 절연파괴강도 2.4 장기신뢰성평가 3. Photo-etch 검사측정기술 3.1 검사측정기술 3.2 Selectivity, Etch-rate, Anisotropy
3 4. 박막평가 4.1 관련용어 a. Step-coverage b. Aspect-ratio c. Uniformity 4.2 C-V plot 문턱전압, 옥사이드두께, 공핖층두께
4 1.1 면저항 4점탐침기이론에서구할수있고, 그림과같은시험패턴에서도구할수있는데, 면저항 Rs는 V/I를면의수로나눈것이다
5 Van der Paw 비저항 그림에서1-2단자사이에전류를흐르게하고 3-4단자사이에전압을 V3 4 측정하면저항 R1은 R = I 1 2 반대로 3-4 단자사이에전류를흐르게하고 1-2 단자사이에전압을측정하면저항 R2 은, 1 R1, R2 의평균치가 Van der Paw 비저항이다
6 1.2 누설전류 BJT의누설전류측정을위한회로구성및전류-전압특성은그림과같다. 시험조건은파괴전압에못미치는전압을인가한후, 역전류를측정한다.
7 MOS 의누설전류측정을위한회로구성및전류 - 전압특성은그림과같다. 시험조건은파괴전압에못미치는전압을드레인에인가한후, 누설전류를측정한다.
8 1.3 파괴시험 MOS 에서역방향전압을 drain 에인가한후점차증가시켜 junction breakdown 또는 punchthrough breakdown 이일어날때, 그순간전압이 drain 파괴전압 VDS 가된다.
9 1.4 Resolution 보통 photo 공정에서많이사용되는용어인데, 측정시스템의 resolution( 분해능 ) 이란두게이상의물체의측정량이구분될수있는가장작은크기및량으로정의할수있다. resolution( 분해능 ) 은잡음과구분될수있는최소신호의크기에의해제한된다. Photo 공정에서는감광막이원래의마스크모형과잘일치하는고충실도로써형상이옮겨질수있는최소모양의크기를의미한다. 일반적으로 lithography 장비는 resolution( 분해능 ), registration( 인쇄정합 ), throughput( 생산력 ) 등에의해평가된다.
10 2. 산화막평가 2.1 확산층평가 확산에관한측정변수는접합깊이, 표면농도, 평균비저항, 확산프로파일, 기판에생기는격자결함등이다. PN 접합을이용한전기적인방법으로는면비저항과접합깊이측정이있다. 이에는 4 점탐침기및 Van der Pauw 방법에의한면비저항측정에대해소개한바있다. 그리고직접적인분석방법으로는이온 microprobe, 질량분석기, SIMS 를이용한접합 profile 및깊이측정이있다
11 2.2 산화막중의전하 산화막, 특히 gate 산화막의특성은소자의성능및신뢰성에있어매우중요하다. 그림에산화막중의전하의 4 종류를나타내었다.
12 (1) 고정전하 (fixed oxide charge) Si-SiO 2 계면으로부터 25A 이내의천이영역에구조적인결함으로인한 (+) 의전하이다. 이전하의발생원인은산화공정에관계하며, 산화분위기, 산화온도, 냉각방법, 결정면방위에도의존한다. (2) 유동이온전하 (mobile ionic charge) Li +, Na + 등의유동이온에의한전하이다. ( ) 이온및중금속이관여한경우도있지만, 이러한것은 500 o C 이하에서는거의움직이지않는다.
13 (3) 계면포획전하 (interface trapped charge) Si-SiO 2 계면에존재하는 Si-O 결함이끊어진것으로 + 및 의전하이다. 고정전하와포획전하와의서로다른차이점은계면포획전하가실리콘기판과의전기적인관계를지속하고, 표면전위에의해충방전하는것이다. 대부분의계면포획전하는저온 H 2 anneal 에의해중성화된다. (4) 산화막포획전하 (oxide trapped charge) Bulk 산화막내에서정공또는전자가포획된 + 또는 의전하. Avalanch 주입등에의한이온화에의해포획이일어난다. 고정전하와다른것은산화막포획전하가저온처리에서일반적으로 anneal 되는것이다. 그러나중성 trap 은남는다.
14 2.3 절연파괴강도 산화막의절연파괴강도의평가는, ramp법으로행해지는것이일반적이다. Ramp법은, 보통 MOS capacitor에일정한속도로 gate전압을인가시켜, 일정의 gate 전류가흐르게되는전압을파괴전압으로간주하여측정하는방법이다. 이전압을초기내압이라부른다. 내압불량은 silicon기판의전처리, 기판결정의제조법, 산화조건, 산화후의처리에의해크게변화한다.
15 2.4 장기신뢰성평가 산화막의파괴에의한불량발생을예측하는방법으로다수의 MOS capacitor 을이용하여, gate 전극에장시간전압을인가하고파괴될때까지의시간을측정하는방법이있다. 이시간의존성의파괴를 TDDB( time dependent dielectric breakdown) 라한다. 일반적으로단시간에빨리평가하기위해, 인가전압을높이기도하고, 고온에서측정한다.
16 그림에서 (a) 는 constant current stress test 방법이고 (b) 는 constant voltage stress test 방법이다. ONO 필름의 TDDB curve 를표현하고있다.
17 3.1 검사측정기술 Photoetching 공정에서는 pattern의정밀도, 해상도, align 정밀도를측정한다. 그림은해상도및 align 정밀도를측정하는것을보여주고있다.
18 3.2 Selectivity, Etch-rate, Anisotropy Selectivity = 물질물질 A의에칭속도 B의에칭속도 Etch-rate = 식각된길이 / 식각시간 Anisotropy = 수평방향의에칭속도수직방향의에칭속도
19 4.1 (a) Step-coverage 반응체가표면에서이동없이흡착되는특성을가짐. 이경우증착율은 arrival angle( Φ) 로결정됨. 상부표면의 edge 는 Φ 2 는 0 ~ 90 하부표면 Φ 3 는 aspect ratio 에의해결정됨. Φ 3 ~ tan -1 (W/l)
20 (b) Aspect-ratio; 서로이웃하는두계단의간격과높이의비로써정의되며, aspect-ratio 가클수록증착되는물질의비아홀채움이어려워지게된다. 비아홀채우기를위한물질로는 CVD-W 와 CVD-Al 등이사용된다. 그림에서 aspect-ratio 는 h/s 이다.
21 4.2 C-V plot C-V 곡선은 MOS 소자의평가에서많이이용된다. MOS 커패시터의구조는그림과같으며측정된 C-V 곡선으로부터소자에관한재료및공정의정보를알아낼수있다.
22 - 알아낼수있는소자에관한정보는다음과같다. T ox ; 산화막두께 N A (N D ); 소자표면의 accecptor 및 donor농도 V FB ; flatband voltage Vt; threshold voltage Q f ; 실리콘-절연체계면영역에서의계면고정전하밀도 Q m ; 절연체내에서의유동전하밀도 Q it ; 실리콘-절연체계면영역에서의계면포획전하밀도
23 C-V 곡선을측정하기위한장비의블럭도는그림과같다. 측정하고자하는소자가연결되는고주파 bridge 와 DC 램프전압발생기로구성되어있으며, 천천히변하는 DC 램프전압에 bridge 의조그만 AC 신호가중첩되어측정하고자하는소자의 gate 전압에인가된다.
24 MOS 소자의 C-V 곡선의예.(p 형반도체 ) C-V 곡선에서최대 capacatance 영역에서는산화막의 C ox 만이측정되며, 최소 capacatance 영역에서는 (1/C ox + 1/C d ) -1 이측정된다. 그리고전압축에서는 flatband voltage 및문턱전압이측정된다.
25 그림은깊은공핍을보여주는 C-V 곡선인데, DC 램프전압이너무빨리변한까닭에표면에서반전되는점이 C mim 을지나커패시터가더깊이공핍되기때문이다. 해결책으로서는 C-V 곡선을천천히그리는것이다. 또다른방법은반전이일어나는전압에서 capacitor 에조명을가하는것이다.
26 유동전하밀도 Q m 의측정 - MOS 구조에서유동전하는바람직하지못한존재이다. - 유동전하는보통 Na+, Li+, K+ 등의양이온이다. 이전하들은꽤높은이동도를갖고있으며금속게이트전극과 Si-SiO 2 계면사이를이동할수있다. - 이양전하때문에특별한전극하에서는 Na+ 양에따라 Vt가임의로변한다.
27 Q m 을결정하는실험순서 1. 초기의 C-V곡선을그린다. 2. (-) 전압하에서가열및냉각한다. 3. 다시 C-V곡선을그린다. 4. (+) 전압하에서가열및냉각한다. 5. 다시 C-V곡선을그린다. *** 전압을가한상태에서냉각하는이유는유동전하가냉각하는동안다시원위치로이동하는것을막기위해서다.
28 * 계면포획전하밀도 Q it 의측정 - 계면근처에서포획된전하는금지대내에있는준위에있으며, 가해진전압에따라밴드가구부러지면충전또는방전이가능하다. - 이들은반도체표면에서의격자의불연속에기인한것일수도있으며방사에의해서도만들어질수있다. - 저주파 C-V곡선이계면포획전하밀도의좋은정보를알려준다. - dq = CdV, C max 와C min 사이의곡선의변화에의해관찰
29 질문 1 C-V 곡선에서알아낼수있는정보를소개하라. 답 ; - 산화막두께 - 소자표면의 accecptor 및 donor농도 - flatband voltage - threshold voltage - 실리콘-절연체계면영역에서의계면고정전하밀도 - 절연체내에서의유동전하밀도 - 실리콘-절연체계면영역에서의계면포획전하밀도
30 질문 2 TDDB( time dependent dielectric breakdown) 는 MOS ( ) 을이용하여, gate 전극에장시간전압을인가하고파괴될때까지의시간을측정하는방법이다. 일반적으로단시간에빨리평가하기위해, ( ) 을높이기도하고, ( ) 에서측정한다. 답안 ; capacitor, 인가전압, 고온
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- 1 - - 2 - 전기자동차충전기기술기준 ( 안 ) - 3 - 1 3 1-1 3 1-2 (AC) 26 1-3 (DC) 31 2 37 3 40-4 - 1 14, 10,, 2 3. 1-1 1. (scope) 600 V (IEC 60038) 500 V. (EV : Electric Vehicle) (PHEV : Plug-in Hybrid EV).. 2. (normative
Microsoft PowerPoint - 3. BJT
BJT (Bipolar Junction Transistor) BJT 의구조및동작모드 BJT 의구조및동작모드 실제 BJT 는그림 3-1(a) 와같이이미터영역과컬렉터영역의기하학적구조가다르며, 세영역의도핑농도도각기다르게만들어진다. 도핑농도 : ( 이미터 )>( 베이스 )>( 컬렉터 ) 이미터 : 전류운반캐리어 ( 전자또는정공 ) 를제공 컬렉터 : 베이스영역을지나온캐리어가모이는영역
< B9B0C3B7BCBCB0E82E687770>
최첨단반도체에서의 ALD 증착기술 DOI: 10.3938/PhiT.21.006 황철주 ALD (Atomic Layer Deposition) Process Technology in the Semiconductor Industry Chul Joo HWANG New and improved semiconductor technology will open a new generation
제 1 장 집적회로 개요
실험 #2-A 반도체다이오드의특성실험 1. 실험목적 다이오드의특성에대해조사한다. 2. 서론 모든반도체다이오드는단향적특성을가지고있다. 순방향저항은매우낮은반면에역방향저항은매우높기때문이다. 다이오드에대한전압대전류의곡선을그려가며구체적으로그특성을조사한다. 3. 관련이론 다이오드내부저항 V D V D V T r D Ideal diode I D I D 다이오드의순방향저항
2.5 Zener Diode
Chapter 2 2.1 Mechanical Modeling of Diode PN접합 : 외부에너지의방향에의해한방향으로만전류가흐를수있게한다. 즉, 다이오드는방향이바뀌는외부전압에대하여한쪽방향으로만도통된다. 2.2 Biasing the PN Junction 평형상태에서는 PN 접합을통해움직이는자유전자가없다. 즉평형상태에서는 PN 접합을통해전류가흐르지않는다. 따라서
28 저전력복합스위칭기반의 0.16mm 2 12b 30MS/s 0.18um CMOS SAR ADC 신희욱외 Ⅰ. 서론 Ⅱ. 제안하는 SAR ADC 구조및회로설계 1. 제안하는 SAR ADC의전체구조
Journal of The Institute of Electronics and Information Engineers Vol.53, NO.7, July 2016 http://dx.doi.org/10.5573/ieie.2016.53.7.027 ISSN 2287-5026(Print) / ISSN 2288-159X(Online) 논문 2016-53-7-4 c Abstract
<4D F736F F F696E74202D F FB5BFBACEC7CFC0CCC5D820B1E8BFA9C8B22E BC8A3C8AF20B8F0B5E55D>
Back Metal 면이 Drain 인 Vertical channel MOSFET 의 Wafer Test 에서 Chuck 을사용하지않는 RDSON 측정방법 동부하이텍검사팀김여황 I RDSON II Conventional Method III New Method IV Verification (Rdson) V Normal Test Item VI Conclusion
16<C624><D22C><ACFC><D0D0> <ACE0><B4F1><BB3C><B9AC><2160>_<BCF8><CC45>.pdf
I I 02 03 04 05 06 II 07 08 09 III 10 11 12 13 IV 14 15 16 17 18 a b c d 410 434 486 656 (nm) Structure 1 PLUS 1 1. 2. 2 (-) (+) (+)(-) 2 3. 3 S. T.E.P 1 S. T.E.P 2 ) 1 2 (m) 10-11 10-8 10-5 C 10-2 10
Microsoft PowerPoint - 전자물리특강-OLED-Driving
Changhee Lee School of Electrical Engineering and Computer Science Seoul National Univ. chlee7@snu.ac.kr PMOLED and AMOLED 김기용박사 ( 엘리아텍 ) 1 PMOLED vs. AMOLED PMOLED 공통전극 (Cathode) AMOLED Scan Line Data
특성화사업참가결과보고서 작성일 학과전자공학과 참가활동명 EATED 3.0 프로그램지도교수진성훈교수님 연구주제명 Multilayer MoS2 Depletion Load Enabled Photo Sensitive inverters with GaN FE
특성화사업참가결과보고서 작성일 2017 12. 25 학과전자공학과 참가활동명 EATED 3.0 프로그램지도교수진성훈교수님 연구주제명 Multilayer MoS2 Depletion Load Enabled Photo Sensitive inverters with GaN FET drivers 학번 201301151 성명장원 I. OBJECTIVES 본격적인측정에들어가기에앞서
Microsoft Word - KSR2014A459
2014 년도한국철도학회추계학술대회논문집 KSR2014A459 무선전력전송의케이블내압에관한연구 Voltage Endurance of the Feeding Cable for Wireless Power Transfer System 김재희, 이승환, 이병송, 이준호, 박찬배, 정신명, 이수길, 이경표, 백제훈 Jae Hee Kim, Seung-Hwan Lee, Byung-Song
슬라이드 1
Chapter 6. Feld Effect Transstor ( 전계효과트랜지스터 ) 6.1 트랜지스터동작 트랜지스터 (Transstor) 두단자를통하는전류가제 3의단자의전류또는전압에변화에의해제어될수있게해주는 3단자소자. 제어특성으로인해작은교류신호를증폭하거나온 (on) 상태에서오프 (off) 상태로, 그리고다시원상태로스위칭시키게해줌. 증폭과스위칭역할을하는소자.
TDB 3000 Series Full Closed Loop STEP DRIVER의특징 Feedback-Loop로인한진동이없음 감속기없이높은토크구현 높은정밀도 정확한속도제어 SERVO DRIVER의특징 위치유지력 탈조가없음 토크제어가능 STEP DRIVER 와 SERVO
Full Closed Loop STEP DRIVER의특징 Feedback-Loop로인한진동이없음 감속기없이높은토크구현 높은정밀도 정확한속도제어 SERVO DRIVER의특징 위치유지력 탈조가없음 토크제어가능 STEP DRIVER 와 SERVO DRIVER 의장점을일체화저발열및토크특성우수 TDB 000 V 48 바이폴라 (Bipolar) Closed-Loop 스텝모터드라이버
소아일반영상의학검사에서의 환자선량권고량가이드라인 - 두부, 복부, 골반 -
소아일반영상의학검사에서의환자선량권고량가이드라인 - 두부, 복부, 골반 - 소아일반영상의학검사에서의 환자선량권고량가이드라인 - 두부, 복부, 골반 - Ⅰ. 서언 1 2 Ⅱ. 의료피폭에서의방사선방어 1 1990 ICRP 권고에따른방사선방어의원리 3 2 2007 ICRP 신권고에따른방사선방어의원리 4 3 환자선량권고량 (Diagnostic Reference Level)
슬라이드 1
전기회로 과목개요 과목명 : 전기회로 (059분반) 담당교수 : 김욱 ( 특공관 318호, kimwook@pusan.ac.kr) 주교재 Fundamentals of Electric Circuits, 6 th Ed. (Alexander & Sadiku) 평가방법 1차고사 : 30%, 2차고사 : 30%, 기말고사 : 30%, 리포트 / 태도 : 10% (1,2차중간고사및기말고사의최종점수는표준정규화후반영
그룹웨어와 XXXXX 제목 예제
데이터통신 부호화 (encoding) 부호화 (Encoding) 의개념 정보 Encoder 신호 1 Digital - to - Digital 2 Analog - to - Digital 3 Digital - to - Analog 4 Analog - to - Analog 2 1 Digital-to-Digital Encoding Digital 정보를 Digital
개인용전기자극기의 안전성및성능평가가이드라인
개인용전기자극기의 안전성및성능평가가이드라인 2014. 3 목 차 1 서론 - 1 - - 2 - - 3 - 2 개인용전기자극기개요 - 4 - - 5 - - 6 - - 7 - - 8 - - 9 - - 10 - 범례 해설: GZJ [통증완화용경피전기신경자극기]: 100개 IPF [재활치료용전동식근육자극기]: 92개 NGX [근육운동용전동식근육자극기]: 28개
특허청구의 범위 청구항 1 제 1 도전형 기판을 준비하는 제 1 도전형 기판 준비 단계; 상기 제 1 도전형 기판에 포토 레지스트를 패터닝하여 마이크로 와이어를 형성하는 마이크로 와이어 형성 단계; 상기 마이크로 와이어가 형성되지 않은 영역에 나노 와이어를 형성하는 나
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 2014년02월26일 (11) 등록번호 10-1366740 (24) 등록일자 2014년02월18일 (51) 국제특허분류(Int. Cl.) H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0119306 (22) 출원일자 2012년10월25일
실험 5
실험. OP Amp 의기본특성 이상적 (ideal) OP Amp OP amp는연산증폭기 (operational amp) 라고도불리며, 여러개의트랜지스터로구성이된차동선형증폭기 (differential linear amplifier) 이다. OP amp는가산, 적분, 미분과같은수학적연산을수행하는회로에사용될수있으며, 비디오, 오디오증폭기, 발진기등에널리사용되고있다.
Microsoft PowerPoint - (공개)의료기기제작1-3.ppt [호환 모드]
![Microsoft PowerPoint - (공개)의료기기제작1-3.ppt [호환 모드]](/thumbs/91/104927072.jpg "Microsoft PowerPoint - (공개)의료기기제작1-3.ppt [호환 모드]")
의료기기제작실습 II 이름 : 이기영 (Lee, Ki Young) 전공 : 의공학 (Medical Engineering) 연구실 : 강릉캠퍼스 50주년기념관 514호이메일 : kylee@kd.ac.kr 학과홈 : http://cms.kd.ac.kr/user/bme/index.html 1 수업계획서 1주 필터회로의분석 2주 필터회로의구현 3주 반전 / 비반전증폭기
What’s semiconductor?
Lecture 2 집적회로란 : 무어의법칙, 집적화의장점, 종류, 반도체칩의일생 원광대학교이재철 http://edu.idec.or.kr Semiconductor? Conductor: Low resistivity Easily conducts Electrical Current Metals(copper, gold, sliver, etc.) Insulator: High
Microsoft PowerPoint - Ch3
Ch. 3 Special Purpose Diodes 3-4. 광학다이오드 (Optical diodes) 광학다이오드 광방출다이오드 (LED) : 빛을방출하는다이오드 광다이오드 (Photodiode) : 빛을검출하는다이오드 광방출다이오드 (LED: light emitting diode) 전계발광 (electroluminescence): 순방향바이어스 : n영역의자유전자
전력시스템공학
기초전기공학 5 장. 교류회로 강원대전기공학과 1 학년 2011 년 1 학기 1 5.1 교류란 직류 : DC 시간이지나도전압, 전류의크기가일정 극성도변하지않음 교류 : AC 번갈아방향이바뀌는전압, 전류 사인파교류 or 정현파교류 sine 형태의교류파형 2 패러데이의전자유도법칙 5.2 정현파발생 시간적으로변화하는자장은폐회로에전류를흐르게할수있는전압을유도한다. 이유도전압은폐회로를쇄교하는자력선의시간적변화율에비례한다.
전류 전류 (electric current) 란, 전하를띤입자의흐름 ; 단위시간당흐르는전하의양 전도전류 (conduction current): 전하를띤입자자체가이동 - 일반적인의미에서의전류 - 화학반응에서의양이온 / 음이온, 반도체에서의전자 / 정공 (hole), 금속
전하와전기장 전위와축전기 정전류 정전류에의한자기장 이장에서는... 1. 전류와전류밀도 2. Ohm 의법칙 3. 전기전도도 : Drude model 4. 저항의연결 5. Kirchhoff 의법칙 6. R-C 직류회로 1/14 http://phys.cau.ac.kr/w/jtseo 전류 전류 (electric current) 란, 전하를띤입자의흐름 ; 단위시간당흐르는전하의양
Microsoft PowerPoint - 27-Circuits.ppt
27. 회로 (circuits) 기전력 - Electromotive fore (emf) Kirchhoff 법칙 Loop ule (Energy is conserved) Junction ule (Chrge is conserved) ΔV closed i 저항연결 (esistors in Series & Prllel) 지난시간에 전류밀도 (J) 전기저항 (resistnce)
저작자표시 - 비영리 - 변경금지 2.0 대한민국 이용자는아래의조건을따르는경우에한하여자유롭게 이저작물을복제, 배포, 전송, 전시, 공연및방송할수있습니다. 다음과같은조건을따라야합니다 : 저작자표시. 귀하는원저작자를표시하여야합니다. 비영리. 귀하는이저작물을영리목적으로이용할수없습니다. 변경금지. 귀하는이저작물을개작, 변형또는가공할수없습니다. 귀하는, 이저작물의재이용이나배포의경우,
Microsoft Word - SDSw doc
MIDAS/SDS Ver..4.0 기술자료 Design>Shear Check Result KCI-USD99의슬래브의불균형모멘트에대한고려기준은다음과같습니다. 7.11. 전단편심설계 (1) 슬래브의평면에수직한위험단면의도심에대해전단편심에의해전달된다고보아야할불균형모멘트의비율은다음과같다. γ υ 1 = 1 b 1+ 3 b 1 () 전단편심에의한모멘트전달로인한전단응력은위의
Microsoft PowerPoint - 기초디스플레이-03장 [호환 모드]
![Microsoft PowerPoint - 기초디스플레이-03장 [호환 모드]](/thumbs/77/76186602.jpg "Microsoft PowerPoint - 기초디스플레이-03장 [호환 모드]")
LC(liquid crystal) 란무엇인가? - LC란 : 고체와액체의중간특성 - LCD란 : 액정의상태변화를이용해정보를표시하는장치로서, 온도외에전기장의변화에따라배열상태가바뀌는특성을이용한것 - 1888년오스트리아의생물학자인 Reinitzer가콜레스테롤과관련된유기물질을녹이는과정에서발견 ( 그림 ) - 독일의물리학자인 Lehmann은이러한혼탁한액체가고체의규칙적인분자배열을가지며또한유동성을가지며결정구조를가졌다는의미로액정
지나는순간이가장크므로 A 의가속도의크기는 일때가장크다. [ 오답피하기 ] ㄱ. 행성으로부터같은지점을지난후 A 는행성과멀어지는타원운동 을하고 B 는행성과가까워지는타원운동을하므로 p 를지나는순간의속력은 A 가 B 보다크다. 따라서 p 에서 B 의속력은 보다작다. ㄷ. A
![지나는순간이가장크므로 A 의가속도의크기는 일때가장크다. [ 오답피하기 ] ㄱ. 행성으로부터같은지점을지난후 A 는행성과멀어지는타원운동 을하고 B 는행성과가까워지는타원운동을하므로 p 를지나는순간의속력은 A 가 B 보다크다. 따라서 p 에서 B 의속력은 보다작다. ㄷ. A](/thumbs/92/110055370.jpg "지나는순간이가장크므로 A 의가속도의크기는 일때가장크다. [ 오답피하기 ] ㄱ. 행성으로부터같은지점을지난후 A 는행성과멀어지는타원운동 을하고 B 는행성과가까워지는타원운동을하므로 p 를지나는순간의속력은 A 가 B 보다크다. 따라서 p 에서 B 의속력은 보다작다. ㄷ. A")
2019 학년도대학수학능력시험 9 월모의평가 과학탐구영역물리 Ⅰ 정답및해설 01. 3 02. 4 03. 5 04. 4 05. 2 06. 2 07. 5 08. 4 09. 1 10. 5 11. 1 12. 4 13. 3 14. 1 15. 3 16. 1 17. 2 18. 2 19. 4 20. 5 1. 전자기파의이용 [ 정답맞히기 ] 열화상카메라, TV 리모컨, 체온계등에사용되는전자기파는적외선
배전설비 진단기술 적용 현황 및 고도화 방향 전이나 전압변동도 허용하지 않는 고품질의 전력을 요구하는 상황으로, 전력회사는 경제성과 품질이라 는 상반되는 요구사항을 모두 만족시켜야 하는 어려 운 상황에 직면하게 될 것이다. 2. 현 황 한전은 주요 설비로 870만 여
Special And + Special Issues _ 3 배전설비 진단기술 적용 현황 및 고도화 방향 1. 개 황 홍성규 한전 배전운영팀장 우리나라를 포함한 세계 주요 선진국가의 전력설비는 대부 분 포화상태에 이르러 앞으로 양적 성장은 한계가 있을 것으로 예상된다. 따라서 향후 전력설비 운영정책의 중심은 과거 개발 경제 시대의 대규모 설비를 빨리 확충하여
Microsoft PowerPoint - ch12ysk2015x [호환 모드]
![Microsoft PowerPoint - ch12ysk2015x [호환 모드]](/thumbs/97/133795412.jpg "Microsoft PowerPoint - ch12ysk2015x [호환 모드]")
회로이론 h 가변주파수회로망의동작 김영석 충북대학교전자정보대학 5.9. Email: kimy@cbu.ac.kr k h- 소자의주파수특성 h 가변주파수회로망 : 학습목표 회로망함수의영점 zero 과극점 pole 회로망함수의보드선도 bode plot 직병렬공진회로해석 크기와주파수스케일링개념 저역통과 PF 고역통과 HPF 대역통과 BPF 대역저지 BF 필터특성 수동및능동필터해석
<4D F736F F F696E74202D D3420B1B3B7F9B0EDC0FCBED0B4EBC0FCB7F95FC1A4C0E7B0A95B6E65775D>
교류고전압 / 대전류 (0 kv/ ka) 국가표준시스템의구축및산업체지원 한국표준과학연구원 기반표준부 정재갑 발표내용 1. 설비구축배경및국내외표준현황 2. 0 kv 고전압시스템구축및성능평가 3. ka 대전류시스템구축및성능평가 4. 산업체측정장비의교정시험지원 5. 추후계획 2 1-1. 1. 설비구축배경 고전압 / 대전류시험설비교정 / 시험의해외의존과제조회사의사양에의존
가. 회사의 법적, 상업적 명칭 당사의 명칭은 주성엔지니어링 주식회사라고 표기합니다. 또한 영문으로는 JUSUNG Engineering Co., Ltd. 라 표기합니다. 나. 설립일자 및 존속기간 당사는 반도체, FPD, 태양전지, 신재생에너지, LED 및 OLED 제
분 기 보 고 서 (제 18 기) 사업연도 2012년 01월 01일 2012년 03월 31일 부터 까지 금융위원회 한국거래소 귀중 2012 년 5 월 15 일 회 사 명 : 주성엔지니어링(주) 대 표 이 사 : 황 철 주 본 점 소 재 지 : 경기도 광주시 오포읍 능평리 49 (전 화) 031-760-7000 (홈페이지) http://www.jseng.com
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l Y ( X g, Y g ) r v L v v R L θ X ( X c, Yc) W (a) (b) DC 12V 9A Battery 전원부 DC-DC Converter +12V, -12V DC-DC Converter 5V DC-AC Inverter AC 220V DC-DC Converter 3.3V Motor Driver 80196kc,PWM Main
Microsoft PowerPoint - lec06_2007
Opertil Ampliier A µa74 itegrted circuit h eight cectig pi 주요한단자. iertig iput. iertig iput. utput 4. pitie pwer upply 5. egtie pwer upply b The crrepdece betwee the circled pi umber the itegrted circuit
<31332DB9DDB5B5C3BC20B9D720C5EBBDC5BCD2C0DA2DC1A4C7D0B1E22E687770>
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering 한국정보통신학회논문지 (J. Korea Inst. Inf. Commun. Eng.) Vol. 19, No. 3 : 581~586 Mar. 2015 비대칭 DGMOSFET 의채널길이와두께비에따른문턱전압이하스윙분석 정학기 * Analysis
1. REACTOR TAP 90% 로변경, 제작공급한사유 - 고객요청사항은 REACTOR 80% 운전기준임. - 삼성테크윈에서사용하는표준 REACTOR 사양은 80%, 75%, 70% 로 STARTER 도면은표준사양으로제출됨. - 동프로젝트용모터사양서 / 성적서확인결과
1. REACTOR TAP 90% 로변경, 제작공급한사유 - 고객요청사항은 REACTOR 80% 운전기준임. - 삼성테크윈에서사용하는표준 REACTOR 사양은 80%, 75%, 70% 로 STARTER 도면은표준사양으로제출됨. - 동프로젝트용모터사양서 / 성적서확인결과기동전류가 400% 이하로표준모터의 650% 대비상당히낮은기동특성을가지고있어, 압축기운용시기동시간등을감안하여
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374 FC/375 FC/376 FC Clamp Meters PN 4705494 September 2015 (Korean) 2015 Fluke Corporation. All rights reserved. Specifications are subject to change without notice. All product names are trademarks of
Microsoft PowerPoint - Ch16
Ch. 16 Oscillators Crystal-Controlled Oscillators 수정발진기 (Crystal-Controlled Oscillators): 안정되고정확한발진기 압전효과 (Piezoelectric effects): 기계적충격에의해서진동하는주파수에서전압을발생 교류전압이인가하면주파수로진동 압전효과물질 : 수정 - 매우높은 Q 값 ( 수천 )
<INPUT DATA & RESULT / 전단벽 > NUM NAME tw Lw Hw 철근 위치 Pu Mu Vu RESULT (mm) (mm) (mm) 방향 개수 직경 간격 (kn) (kn-m)
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 NUM NAME tw Lw Hw 철근 위치 Pu Mu Vu RESULT (mm) (mm) (mm) 방향 개수 직경 간격 (kn) (kn-m) (kn) 휨 전단 축력 종합 1 2W1 300 3400 4500 수직 2EA- D13 @150
ez-shv manual
ez-shv+ SDI to HDMI Converter with Display and Scaler Operation manual REVISION NUMBER: 1.0.0 DISTRIBUTION DATE: NOVEMBER. 2018 저작권 알림 Copyright 2006~2018 LUMANTEK Co., Ltd. All Rights Reserved 루먼텍 사에서
(72) 발명자 강경태 서울서초구반포본동반포주공아파트 110 동 105 호 강희석 경기용인시수지구풍덕천동삼성쉐르빌 102 동 202 호 박문수 경기용인시기흥구신갈동도현마을현대 호 박승인 경기수원시영통구영통동 층 - 2 -
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) B81B 7/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0007106 (22) 출원일자 2007 년 01 월 23 일 심사청구일자 2007 년 01 월 23 일 (65) 공개번호 10-2008-0069416 (43) 공개일자 2008 년 07 월 28 일 (56)
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE Sep.; 30(9),
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 2019 Sep.; 30(9), 712 717. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2019.30.9.712 ISSN 1226-3133 (Print) ISSN 2288-226X (Online) MOS
Microsoft Word - Document.doc
PRODUCT SPECIFICTION. SCOPE( 적용범위 적용범위 ) This Product Specification covers the.5 mm(.098 inch) pitch Board to Board Connector. Series. ( 이 Spec. 은.5mm(.098 inch) pitch Board to Board Connector. 에대하여규정한다
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE Mar.; 28(3),
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 2017 Mar.; 28(3), 163 169. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2017.28.3.163 ISSN 1226-3133 (Print) ISSN 2288-226X (Online) PCB
DC Link Application DC Link capacitor can be universally used for the assembly of low inductance DC buffer circuits and DC filtering, smoothing. They
DC Link Capacitor DC Link Application DC Link capacitor can be universally used for the assembly of low inductance DC buffer circuits and DC filtering, smoothing. They are Metallized polypropylene (SH-type)
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE Nov.; 25(11),
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 214 Nov.; 25(11), 1164 1171. http://dx.doi.org/1.5515/kjkiees.214.25.11.1164 ISSN 1226-3133 (Print) ISSN 2288-226X (Online) BCI
Microsoft Word - Lab.4
Lab. 1. I-V Lab. 4. 연산증폭기 Characterist 비 tics of a Dio 비교기 ode 응용 회로 1. 실험목표 연산증폭기를이용한비교기비교기응용회로를이해 응용회로를구성, 측정및평가해서연산증폭기 2. 실험회로 A. 연산증폭기비교기응용회로 (a) 기본비교기 (b) 출력제한 비교기 (c) 슈미트트리거 (d) 포화반파정류회로그림 4.1. 연산증폭기비교기응용회로
DBPIA-NURIMEDIA
ISSN 1975-8359(Print) / ISSN 2287-4364(Online) The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers Vol. 64, No. 1, pp. 188~195, 2015 http://.doi.org/10.5370/kiee.2015.64.1.188 접지시스템의접촉전압및보폭전압측정오차감소기법에관한연구
Microsoft PowerPoint - Ch12
Ch. 12 Operational Amplifier (OP-AMP) 개요 기호및단자 Symbol Invert Noninvert V- 1 8 NC V+ Output Typical Package 개요 이상적인 OP-Amp Z in = ; A v = ; bandwidth = ; Z out = 0 실제적인 OP-Amp Z in = very high (MΩ); A v
II. TECHNICAL APPROACH 위의사진은 IGZO 칩의 L과 W에따른배치표입니다. 그리고소자에열처리를하였는데 CTA (Convention Temperature Annealing ) 600 도에서 30분간일반적인열처리방법을사용한소자를사용하였는데이외의방식으로 R
특성화사업참가결과보고서 작성일 2017 12.22 학과전자공학과 참가활동명 EATED 3.0 프로그램지도교수박종태 연구주제명 Device Degradation of Amorphous InGaZno Thin Film Transistor under NBIS 학번 201301171 성명최종 I. OBJECTIVES 최근 IGZO 를활성화층으로이용한 IGZO TFT
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이온주입공정 1 I. 서론 II. 이온주입장비 III. 이온주입의특징및응용 IV. 비정질에서의주입이온의분포 V. 단결정에서의주입이온의분포 VI & VII. 손상과어닐링 VIII. 소자및집적회로제조기술에미치는영향 I. 서론 2 1. 목적 : 정확한양의불순물을원하는곳에도핑하는것. 에너지 : 20 ~ 5000 kev (~Mev) 거리 : 100 ~ 10,000 A
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![Microsoft PowerPoint - dev6_TCAD.ppt [호환 모드]](/thumbs/104/162682498.jpg "Microsoft PowerPoint - dev6_TCAD.ppt [호환 모드]")
TCAD: SUPREM, PISCES 김영석 충북대학교전자정보대학 2012.9.1 Email: kimys@cbu.ac.kr k 전자정보대학김영석 1 TCAD TCAD(Technology Computer Aided Design, Technology CAD) Electronic design automation Process CAD Models process steps
REVIEW CHART
Rev.6, 29. June 2015 보호및절연협조 2015. 06. 29 한국철도시설공단 REVIEW CHART 1 2 Ω 3 4 5 6 단락보호과전류방식 단락보호 지락보호비율차동방식 단락보호과전류방식 지락보호지락과전류 7 8 9 10 I inrush FLA 배at sec 11 12 I pickup Slope P I n 여기에서 I n 변류기 차정격전류
<C0E5B7C1BBF328BEEEB8B0C0CCB5E9C0C729202D20C3D6C1BE2E687770>
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Microsoft PowerPoint - Ch13
Ch. 13 Basic OP-AMP Circuits 비교기 (Comparator) 하나의전압을다른전압 ( 기준전압, reference) 와비교하기위한비선형장치 영전위검출 in > 기준전압 out = out(max) in < 기준전압 out = out(min) 비교기 영이아닌전위검출 기준배터리 기준전압분배기 기준전압제너다이오드 비교기 예제 13-1: out(max)
신성장동력업종및품목분류 ( 안 )
신성장동력업종및품목분류 ( 안 ) 2009. 12. 일러두기 - 2 - 목 차 < 녹색기술산업 > 23 42-3 - 목 차 45 52 < 첨단융합산업 > 66 73 80-4 - 목 차 85 96 115 < 고부가서비스산업 > 120 124 127 129 135-5 - 녹색기술산업 - 6 - 1. 신재생에너지 1-1) 태양전지 1-2) 연료전지 1-3) 해양바이오
Microsoft PowerPoint - ch03ysk2012.ppt [호환 모드]
![Microsoft PowerPoint - ch03ysk2012.ppt [호환 모드]](/thumbs/101/150466693.jpg "Microsoft PowerPoint - ch03ysk2012.ppt [호환 모드]")
전자회로 Ch3 iode Models and Circuits 김영석 충북대학교전자정보대학 2012.3.1 Email: kimys@cbu.ac.kr k Ch3-1 Ch3 iode Models and Circuits 3.1 Ideal iode 3.2 PN Junction as a iode 3.4 Large Signal and Small-Signal Operation
> > > 제1장 정치 의회 1. 민주주의 가. 민주주의 지수 나. 세계은행의 거버넌스 지수 다. 정치적 불안정 지수 2. 의회 가. 의회제도와 의석 수 나. 여성의원 비율 다. 입법통계 현황 라. 의회의 예산 규모 마. 의원보수 및 보좌진 수당 3. 선거 정당 가. 투표율 나. 선거제도 다. 정당과 정치자금 4. 정치문화 가. 신뢰지수 나. 정부에 대한 신뢰
PowerPoint 프레젠테이션
hap. 5 능동필터 기본적인필터응답 저역통과필터응답 (low-pass filter (LPF) response) A v( db) V 0log V when X out s 0log f X f X 0log X 0log f Basic LPF response LPF with different roll-off rates 기본적인필터응답 고역통과필터응답 (high-pass
(Microsoft PowerPoint - src.ppt [\300\320\261\342 \300\374\277\353] [\310\243\310\257 \270\360\265\345])
![(Microsoft PowerPoint - src.ppt [\300\320\261\342 \300\374\277\353] [\310\243\310\257 \270\360\265\345])](/thumbs/93/111436094.jpg "(Microsoft PowerPoint - src.ppt [\300\320\261\342 \300\374\277\353] [\310\243\310\257 \270\360\265\345])")
LC/MS, LC/MS/MS 기초개론 LC LC/MS(Liquid Chromatography/Mass Spectrometry) 액상의분석물질을기화및이온화하여고진공관에서원하는질량 (m/z) 이나질량범위만검출하여정량 정성분석하는시스템 High vacuum PC/Software Ion source Mass Analyzer Detector ESI APCI APPI
슬라이드 1
회로이론 중간고사 -7.. 4 [] 다음소자에정현파전압을인가할때, -I 단자특성을써라 5 점 [] Elcric lap 는고주파에서동작하며에너지를수은증기에전달하여수은증기가 phsphrus 막을때려서빛을발산한다. 그림의회로에서, 가얼마일때최대전력을전달받는가? 등가회로는그림과같고, 는 lap 의크기와 phsphrus 의종류에의해결정된다. 3-4 - OU v 7 rad
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특집 Nanoelectronics SONOS 형나노플래시메모리 김정우 김문경 이조원 서 디지털기술의발전과함께문자, 음성및영상등을복합적 / 일체적으로이용하고대화형으로교환하는시대가도래하면서, 계속적인미세화 집적화를거쳐서더많은정보를더욱빠르게처리할수있는능력을갖는반도체소자들이요구되어지고있다. 이를위해서는초고집적메모리가필요하게되며, 현재세계적으로 ULSI 반도체메모리기술은
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1 6 장 MOS 회로의설계 6.1 스위치논리 2 스위치 스위치 0V 5V PMOS PMOS 5V NMOS 0V NMOS (a) ON 상태 (b) OFF 상태 그림 6-1. 그림 6.1 NMOS/PMOS / 패스트랜지스터 0V 5V 5V 5V (a) ON 상태 (b) OFF 상태 (c) 심볼 그림 6-2. MOS 전달게이트 그림 6.2 MOS 전달게이트 0V
18103.fm
J. of the Korean Sensors Society Vol. 18, No. 1 (009) pp. 8 3 VO w PCM yá Á Á Ÿ Built-in protection circuit module by using VO temperature sensors K. H. Song, J. B. Choi, M. W. Son, and K. S. Yoo Abstract
Microsoft PowerPoint - 8. 전력
전력 8.. 전력의정의 직류회로의전력 전력 P W Q W Q P t t W Q Q t VI W: 일, t: 시간, Q: 전하량, V: 전압, 전위차, I: 전류 P VI RI I RI V V R V R 8.. 전력의정의 8.. 정현파교류회로에서의전력 평균전력 (average power) 또는유효전력 (effective power) 교류회로에서는전압, 전류가모두변하기때문에,