특허청구의 범위 청구항 1 제 1 도전형 기판을 준비하는 제 1 도전형 기판 준비 단계; 상기 제 1 도전형 기판에 포토 레지스트를 패터닝하여 마이크로 와이어를 형성하는 마이크로 와이어 형성 단계; 상기 마이크로 와이어가 형성되지 않은 영역에 나노 와이어를 형성하는 나
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- 진성 애
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1 (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 2014년02월26일 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2014년02월18일 (51) 국제특허분류(Int. Cl.) H01L 31/042 ( ) H01L 31/18 ( ) (21) 출원번호 (22) 출원일자 2012년10월25일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 KR A* KR A* US A1* 2012년10월25일 *는 심사관에 의하여 인용된 문헌 (73) 특허권자 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구 입장면 양대기로길 89 (72) 발명자 정채환 광주 광산구 풍영로170번길 39-10, 303동 1201호 (장덕동, 성덕마을대방노블랜드3차) 이종환 대전 서구 신갈마로 95, 105동 506호 (갈마동, 갈 마아파트) 김호성 경기 수원시 영통구 효원로 363, 108동 1604호 ( 매탄동, 매탄위브하늘채아파트) (74) 대리인 서경민, 서만규 전체 청구항 수 : 총 8 항 심사관 : 유병철 (54) 발명의 명칭 균일성이 확보된 POCl₃ 기반 도핑 공정을 이용한 나노/마이크로 실리콘 복합구조체 태양 전 지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지 (57) 요 약 본 발명에서는 POCl₃ 도핑 공정을 통한 나노/마이크로 복합구조체의 태양전지를 형성함으로써 태양전지의 고효 율화에 기여할 수 있는 균일성이 확보된 POCl₃ 기반 도핑 공정을 이용한 나노/마이크로 실리콘 복합구조체 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지가 개시된다. 일 예로, 제 1 도전형 기판을 준비하는 제 1 도전형 기판 준비 단계, 제 1 도전형 기판에 포토 레지스트를 패터 닝하여 마이크로 와이어를 형성하는 마이크로 와이어 형성 단계, 마이크로 와이어가 형성되지 않은 영역에 나노 와이어를 형성하는 나노 와이어 형성 단계, 제 1 도전형 기판, 마이크로 와이어 및 나노 와이어에 POCl₃를 도핑 하여 제 2 도전형의 상부, 하부 에미터층 및 PSG를 형성하는 POCl₃ 도핑 단계, PSG를 제거하여 상부 및 하부 에 미터층을 노출되도록 하는 PSG 제거 단계, 하부 에미터층을 제거하여 제 1 도전형 기판 및 상부 에미터층이 노출 되도록 하는 에미터층 식각 단계, 노출된 제 1 도전형 기판 및 상부 에미터층에 전극을 형성하는 전극 형성 단계 를 포함하는 태양 전지의 제조 방법이 개시된다. 대 표 도 - 도1-1 -
2 특허청구의 범위 청구항 1 제 1 도전형 기판을 준비하는 제 1 도전형 기판 준비 단계; 상기 제 1 도전형 기판에 포토 레지스트를 패터닝하여 마이크로 와이어를 형성하는 마이크로 와이어 형성 단계; 상기 마이크로 와이어가 형성되지 않은 영역에 나노 와이어를 형성하는 나노 와이어 형성 단계; 상기 제 1 도전형 기판, 마이크로 와이어 및 나노 와이어에 POCl₃를 도핑하여 제 2 도전형의 상부, 하부 에미 터층 및 PSG를 형성하는 POCl₃ 도핑 단계; 상기 PSG를 제거하여 상부 및 하부 에미터층을 노출되도록 하는 PSG 제거 단계; 상기 하부 에미터층을 제거하여 상기 제 1 도전형 기판 및 상부 에미터층이 노출되도록 하는 에미터층 식각 단 계; 및 노출된 상기 제 1 도전형 기판 및 상부 에미터층에 전극을 형성하는 전극 형성 단계를 포함하여 이루어지고, 상기 나노 와이어는 상기 제 1 도전형 기판 상의 상기 마이크로 와이어가 형성된 영역 주위를 감싸도록 형성되 는 태양 전지의 제조 방법. 청구항 2 제 1 항에 있어서, 상기 마이크로 와이어 및 나노 와이어는 상기 제 1 도전형 기판의 동일 면상에 형성되는 태양 전지의 제조 방법. 청구항 3 제 1 항에 있어서, 상기 나노 와이어는 상기 마이크로 와이어가 형성되지 않은 영역에 AgNO₃를 증착 및 식각시켜 형성하는 태양 전지의 제조 방법. 청구항 4 제 3 항에 있어서, 상기 AgNO₃는 KOH 용액에 의해 식각되는 태양 전지의 제조 방법. 청구항 5 삭제 청구항 6 제 1 항에 있어서, 상기 POCl₃의 도핑은 820 내지 880 에서 이루어지는 태양 전지의 제조 방법. 청구항 7 제 1 항에 있어서, 상기 에미터층은 400nm 내지 600nm로 형성되는 태양 전지의 제조 방법. 청구항 8 제 1 항에 있어서, - 2 -
3 상기 마이크로 와이어의 표면은 상기 에미터층에 의해 PN 접합을 형성하는 태양 전지의 제조 방법. 청구항 9 제 1 항 내지 제 4 항, 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 하나에 기재된 방법에 의해 제조된 태양 전지. 명 세 서 [0001] 기 술 분 야 본 발명은 균일성이 확보된 POCl₃ 기반 도핑 공정을 이용한 나노/마이크로 실리콘 복합구조체 태양 전지의 제 조 방법 및 이에 따른 태양 전지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 POCl₃ 도핑 공정을 통한 나노/마이크로 복합 구조체의 태양전지를 형성함으로써 태양전지의 고효율화에 기여할 수 있는 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지에 관한 것이다. [0002] [0003] [0004] [0005] [0006] 배 경 기 술 결정질 태양전지의 경우 텍스쳐 공정을 통한 피라미드 구조를 만든 후, 도핑 공정을 통하여 PN 접합(junction) 을 형성한다. 도핑 방법으로는 크게 SOD(Spin On Doping), 임플란테이션 도핑(Implantation Doping), 레이저 도핑(Laser Doping) 등의 방법이 있다. SOD의 경우 도핑 소스를 사용하여 웨이퍼 표면에 증착을 한 뒤, 스핀 코팅(spin coating)을 이용하여 전체적으 로 소스를 바르는 방법으로 기존 텍스쳐된 웨이퍼에 적용시 균일한 도핑이 되지 않는다는 단점이 있다. 임플란테이션 도핑의 경우 도즈(dose)의 양을 조절하여 선택적인 에미터(emitter)를 만들어 고효율 태양전지를 만들 수 있다는 장점이 있으나, 장비가격의 고가로 인하여 양산화에 부적합함을 알 수 있다. 레이저 도핑의 경우 레이저 파워나 주파수를 조절하여 원하는 접합 깊이(junction depth)와 표면농도를 쉽게 제 어할 수 있다는 장점이 있으나, 레이저 가공을 통하여 웨이퍼에 생기는 데미지를 반드시 제거해야한다는 단점이 있다. 발명의 내용 [0007] 해결하려는 과제 본 발명은 POCl₃ 도핑 공정을 통한 나노/마이크로 복합구조체의 태양전지를 형성함으로써 태양전지의 고효율화 에 기여할 수 있는 균일성이 확보된 POCl₃ 기반 도핑 공정을 이용한 나노/마이크로 실리콘 복합구조체 태양 전 지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지에 관한 것이다. [0008] [0009] [0010] 과제의 해결 수단 본 발명에 따른 태양 전지의 제조 방법은 제 1 도전형 기판을 준비하는 제 1 도전형 기판 준비 단계, 제 1 도전 형 기판에 포토 레지스트를 패터닝하여 마이크로 와이어를 형성하는 마이크로 와이어 형성 단계, 마이크로 와이 어가 형성되지 않은 영역에 나노 와이어를 형성하는 나노 와이어 형성 단계, 제 1 도전형 기판, 마이크로 와이 어 및 나노 와이어에 POCl₃를 도핑하여 제 2 도전형의 상부, 하부 에미터층 및 PSG를 형성하는 POCl₃ 도핑 단 계, PSG를 제거하여 상부 및 하부 에미터층을 노출되도록 하는 PSG 제거 단계, 하부 에미터층을 제거하여 제 1 도전형 기판 및 상부 에미터층이 노출되도록 하는 에미터층 식각 단계, 노출된 제 1 도전형 기판 및 상부 에미 터층에 전극을 형성하는 전극 형성 단계를 포함할 수 있다. 여기서, 마이크로 와이어 및 나노 와이어는 제 1 도전형 기판의 동일 면상에 형성될 수 있다. 그리고 나노 와이어는 마이크로 와이어가 형성되지 않은 영역에 AgNO₃를 증착 및 식각시켜 형성할 수 있다
4 [0011] [0012] [0013] [0014] [0015] [0016] 또한, AgNO₃는 KOH 용액에 의해 식각될 수 있다. 또한, 나노 와이어는 제 1 도전형 기판 상의 마이크로 와이어가 형성된 영역 주위를 감싸도록 형성될 수 있다. 또한, POCl₃의 도핑은 820 내지 880 에서 이루어질 수 있다. 또한, 에미터층은 400nm 내지 600nm로 형성될 수 있다. 또한, 마이크로 와이어의 표면은 에미터층에 의해 PN 접합을 형성할 수 있다. 본 발명에 따른 태양전지는 상기 본 발명에 따른 태양 전지의 제조 방법에 의해 제조될 수 있다. [0017] 발명의 효과 본 발명에 의한 균일성이 확보된 POCl₃ 기반 도핑 공정을 이용한 나노/마이크로 실리콘 복합구조체 태양 전지 의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지는 POCl₃ 도핑 공정을 통하여 평판 형태가 아닌 라디얼한 형태의 PN 접합 영역을 갖는 다수의 마이크로 와이어 및 다수의 나노 와이어로 나노/마이크로 복합구조체의 태양전지를 형성함 으로써, 태양전지의 고효율화에 기여할 수 있다. [0018] 도면의 간단한 설명 도 1은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 도시한 플로우 차트이다. 도 2a 내지 도 2i는 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도이다. 도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지에서 POCl₃ 도핑 공정의 온도를 820, 840, 860 및 880 로 변화시키며 면저항을 측정한 그래프이다. 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지에서 POCl₃ 도핑 후 깊이에 따른 원자의 농도를 도핑 온도의 변화에 따라 측정한 그래프이다. 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지에서 POCl₃ 도핑 전, 후의 캐리어 수명을 식각 시간에 따라 측정한 그래프이다. [0019] 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 본 발명이 속하는 기술분야에 있어서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람 직한 실시예를 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다. [0020] [0021] 도 1은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 도시한 플로우 차트이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법은 제 1 도전형 기판 준비 단계(S1), 포토 레지스트 형성 단계(S2), 마이크로 와이어 형성 단계(S3), AgNO₃ 증착 단계(S4), 나노 와이어 형성 단계 (S5), POCl₃ 도핑 단계(S6), PSG 제거 단계(S7), 에미터층 식각 단계(S8), 전극 형성 단계(S9)를 포함한다. [0022] 도 2a 내지 도 2i는 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도이다. 이하에 서는 도 1을 함께 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 설명하도록 한다. [0023] 도 1 및 도 2a를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지를 제조하기 위해 제 1 도전형 기판(100)을 준비 하는 제 1 도전형 기판 준비 단계(S1)가 이루어진다. 상기 제 1 도전형 기판(100)은 실리콘 반도체 기판에 주기 율표의 13족 원소인 붕소(B) 또는 갈륨(Ga)과 같은 불순물이 도핑된 P형 실리콘 반도체 기판일 수 있다. [0024] 도 1 및 도 2b를 참조하면, 상기 제 1 도전형 기판(100)의 상부에 포토 레지스트(PR1, PR2)를 도포하고 패터닝 - 4 -
5 하는 포토 레지스트 형성 단계(S2)가 이루어진다. 상기 포토 레지스트(PR1, PR2)는 제 1 포토 레지스트(PR1) 및 제 2 포토 레지스트(PR2)를 포함한다. [0025] [0026] 한편, 도면에는 2개의 포토 레지스트(PR1, PR2)가 도시되어 있지만, 상기 포토 레지스트(PR1, PR2)는 평면의 형 태가 바둑판 라인 또는 매트릭스 형태일 수 있다. 즉, 상기 제 1 도전형 기판(100) 중 네 개의 둘레 영역 내측 에서 상기 포토 레지스트(PR1, PR2)는 다수의 바둑판 라인 형태 또는 매트릭스 형태로 형성된다. 상기 제 1 및 제 2 포토 레지스트(PR1, PR2)는 이후 제 1 및 제 2 마이크로 와이어(111, 112)가 형성될 영역에 대응되도록 형성된다. 또한 상기 제 1 및 제 2 마이크로 와이어(111, 112) 사이에는 이후 나노 와이어(120)가 형성될 수 있도록 상기 제 1 및 제 2 포토 레지스트(PR1, PR2)는 서로 이격되어 형성된다. [0027] [0028] 도 1 및 도 2c를 참조하면, 상기 제 1 도전형 기판(100)을 식각하여 마이크로 와이어(111, 112)를 형성하는 마 이크로 와이어 형성 단계(S3)가 이루어진다. 이 때, 도면에 도시되지는 않았지만 상기 제 1 도전형 기판(100)의 하부에는 보호막이 형성될 수 있으며, 식각 등의 공정 시 제 1 도전형 기판(100)을 보호하는 역할을 한다. 보호 막은 통상의 절연층, 금속층 및 이의 등가물 중 어느 하나일 수 있으며, 식각 용액과 반응하지 않는 재료라면 어느 것이나 상관 없다. 상기 제 1 도전형 기판(100)은 상기 포토 레지스트(PR1, PR2)를 마스크로 하여 식각된다. 그 결과 상기 포토 레 지스트(PR1, PR2)가 형성되지 않은 영역은 제거되고, 상기 제 1 및 제 2 포토 레지스트(PR1, PR2)가 형성된 영 역에는 제 1 및 제 2 마이크로 와이어(111, 112)가 형성된다. 상기 제 1 및 제 2 마이크로 와이어(111, 112)는 상기 제 1 및 제 2 포토 레지스트(PR1, PR2)에 의해 상기 제 1 도전형 기판(100) 상에 서로 이격되어 형성된다. 상기 제 1 및 제 2 마이크로 와이어(111, 112)는 폭이 마이크로 단위로 대략 1 내지 3μm, 높이가 대략 3 내지 5μm로 형성될 수 있다. 그러나 이는 본 발명의 이해를 위한 일례일 뿐이며, 이것으로 본 발명을 한정하지는 않 는다. [0029] 도 1 및 도 2d를 참조하면, 상기 제 1 도전형 기판(110) 상부의 마이크로 와이어(111, 112)가 형성되지 않은 영 역, 즉 상기 마이크로 와이어 형성 단계(S3)에서 식각된 영역에 AgNO₃를 증착시켜 AgNO₃층(115')을 형성하는 AgNO₃ 증착 단계(S4)가 이루어진다. 상기 AgNO₃층(115')은 이후 식각되어 나노 와이어(115)를 형성시킨다. [0030] [0031] 도 1 및 도 2e를 참조하면, 상기 AgNO₃층(115')에 의해 상기 제 1 도전형 기판(110)이 식각되어 나노 와이어 (115)를 형성하는 나노 와이어 형성 단계(S5)가 이루어진다. 이 때, 식각액으로는 KOH를 사용할 수 있다. 식각 과정에서 상기 AgNO₃층(115')의 Ag 입자는 KOH와 격렬한 반응을 일으킬 수 있다. 따라서 Ag 입자가 증착된 영 역은 KOH와의 격렬한 반응에 의해 상기 제 1 도전형 기판(110)이 더욱 많이 식각이 되고, 그렇지 않은 영역은 상대적으로 적게 식각이 된다. 도 2e의 나노 와이어(115)의 높이가 일정하지 않게 형성된 것이 바로 이 때문이 다. 상기 나노 와이어(115)는 폭이 나노 미터 단위로 대략 1 내지 100nm이고, 높이가 대략 1 내지 3μm로 형성 될 수 있다. 그러나 이는 본 발명의 이해를 위한 일례일 뿐이며, 이것으로 본 발명을 한정하지는 않는다. 더불어, 상기 나노 와이어 형성 단계(S5)에서는 상기 포토 레지스트(PR1, PR2)와 보호막 등이 식각되어 없어질 수 있다. [0032] [0033] [0034] 도 1 및 도 2f를 참조하면, 이후 상기 제 1 도전형 기판(110), 마이크로 와이어(111, 112) 및 나노 와이어(11 5)에 POCl₃를 도핑하는 POCl₃ 도핑 단계(S6)가 이루어진다. 태양전지는 PN 접합을 기본으로 이용하기 때문에, 예를 들면 P-타입의 제 1 도전형 기판에 N-타입 층을 형성하 기 위하여 POCl₃, H₃PO₄ 등을 고온에서 증착 및 확산시켜준다. 그리고 이 때 형성되는 N-타입 층을 에미터 (emitter)층이라고 한다. 본 발명에서는 POCl₃를 도핑하여 에미터층을 형성시킨 것을 기준으로 설명하도록 한 다. 상기 POCl₃ 도핑 단계(S6)는 크게 1 단계인 선증착(Pre-deposition)과 2 단계인 850 이상의 고온에서 불순물 을 실리콘 속으로 밀어 넣는(drive-in) 확산 과정으로 이루어진다. 선증착 과정에서는 810 정도의 온도에서 상기 제 1 도전형 기판(110), 마이크로 와이어(111, 112) 및 나노 와이어(115)에 POCl₃를 주입시킨다. 이 과정 - 5 -
6 에서 상기 제 1 도전형 기판(110), 마이크로 와이어(111, 112) 및 나노 와이어(115)의 표면에 P₂O5 산화막이 형성된다. 이후 확산 과정에서는 820 내지 860 정도의 온도에서 열처리를 하여 P₂O5 층의 P를 제 1 도전형 기판의 Si 속으로 확산시킴으로써, N-타입 층인 에미터층(120a, 120b)이 형성된다. 상기 에미터층(120a, 120b) 은 상기 마이크로 와이어(111, 112) 및 나노 와이어(115)에 형성된 상부 에미터층(120a) 및 상기 제 1 도전형 기판(110)의 하면과 측면에 형성된 하부 에미터층(120b)을 포함한다. [0035] [0036] [0037] 상기 POCl₃ 도핑 단계(S6)의 도핑 깊이는 대략 0.5μm일 수 있다. 따라서 상기 마이크로 와이어(111, 112)의 상부 에미터층(120a)에는 라디얼(radial)한 형태의 PN 접합(junction) 영역이 형성되는 반면, 상기 나노 와이어 (115)는 실질적으로 전체가 N-타입 영역이 된다. 본 발명의 실시예에 따른 태양전지의 제조 방법은 상기 제 1 도전형 기판(110) 위에 바둑판 형태 또는 매트릭스 형태의 마이크로 와이어(111, 112)가 형성된다. 상기 마이크로 와이어(111, 112)에는 평판 형태가 아닌 라디얼 한 형태의 PN 접합 영역이 형성된다. 이에 따라 PN 접합 영역의 면적이 증가되므로 태양 전지의 효율이 향상될 수 있다. 또한, 상기 마이크로 와이어(111, 112)의 주변에는 마이크로 와이어(111, 112)를 둘러싸도록 다수의 나노 와이어(115)가 형성된다. 상기 나노 와이어(115)는 PN 접합 영역으로 동작하지는 않지만, 태양 전지로 입 사되는 빛의 경로를 증가시켜 광자 구속(photon confinement)과 같은 양자효과를 발생시킴으로써 전류값이 증가 되어 태양전지의 고효율화에 기여할 수 있다. 한편, 인(P)이 함유된 화합물을 이용하여 도핑 공정이 진행될 경우, 상기 에미터층(120a, 120b)의 형성과 함께 상기 제 1 도전형 기판(110), 마이크로 와이어(111, 112) 및 나노 와이어(115) 표면에는 PSG(Phosphorous Silicate Glass)(125)가 형성될 수 있다. 상기 PSG(125)는 다음 공정에서 제거되어야 한다. [0038] 도 1 및 도 2g를 참조하면, 상기 PSG(125)를 제거하는 PSG 제거 단계(S7)가 이루어진다. 상기 PSG(125)는 5~10% 정도로 희석된 불산(HF) 용액에 15초 내외로 넣어서 처리함으로써 제거할 수 있다. [0039] 도 1 및 도 2h를 참조하면, 상기 하부 에미터층(120b)을 제거하는 에미터층 식각 단계(S8)가 이루어진다. 상기 에미터층 식각 단계(S8)로부터 상기 하부 에미터층(120b)에 의해 형성된 상기 제 1 도전형 기판(110) 하면 및 측면의 PN 접합 영역이 식각되어 제거된다. 이를 통해 태양 전지 동작 중의 누설 전류를 방지할 수 있다. 상기 에미터층 식각 단계(S8)에 의해 예를 들면 상기 제 1 도전형 기판(110)의 하면에는 제 1 도전형 영역(P), 상면 에는 제 2 도전형 영역(N)만이 존재하게 된다. [0040] [0041] 도 1 및 도 2i를 참조하면, 제 1 전극(130) 및 제 2 전극(135)을 형성하는 전극 형성 단계(S9)가 이루어진다. 일례로 상기 제 1 도전형 기판(110)의 하면에는 알루미늄 및 그 등가물 중 하나로 상기 제 1 전극(130)이 형성 될 수 있다. 또한 상기 마이크로 와이어(111, 112)의 표면에는 실버 및 그 등가물 중 하나로 상기 제 2 전극 (135)이 형성될 수 있다. 여기서 상기 제 1 전극(130)은 콜렉터 전극을 의미하며, 상기 제 2 전극(135)은 에미 터 전극을 의미한다. 상기 전극 형성 단계(S9)는 스크린 프린팅 방식으로 금속 분말을 인쇄한 후 건조 및 소성 공정을 통해 전극을 형성하도록 이루어진다. [0042] 상술한 것처럼, 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법은 POCl₃ 도핑 공정을 통하여 라디얼한 형태의 PN 접합 영역을 갖는 다수의 마이크로 와이어(111, 112) 및 다수의 나노 와이어(115)로 나노/마이크로 복합구조 체의 태양전지를 형성한다. 따라서 나노/마이크로 복합 구조 형성을 통해 빛을 흡수하는 부분에서 내부로 입사 되는 빛의 경로를 증가시켜 태양전지의 고효율화에 기여할 수 있다. [0043] [0044] 이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 여러 조건에 따른 특성에 대해 설명하도록 한다. 표 1은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지에서 POCl₃ 도핑 과정의 조건을 나타낸 것이다
7 [0045] 도핑 과정 Ramp up Stability Pre depo. Drive in1 Drive in2 Ramp down time O₂ 300sccm 100sccm 300sccm x 100sccm 300sccm N₂ 1L 1L 1L 1L 1L 5L POCl₃ x 200sccm x x 200sccm x 시간(min) 표 1 [0046] 도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지에서 POCl₃ 도핑 공정의 온도를 820, 840, 860 및 880 로 변화시키며 면저항을 측정한 그래프이다. 온도 변화에 따른 면저항 측정을 통해 나노/마이크로 복합 구조 체의 태양전지 적용에 필요한 최적 온도를 도출하였다. 그 결과, 860 에서 평균 면저항이 로 현재 상 용 제품의 면저항과 제일 유사한 값을 보였다. 한편, 880 에서는 면저항이 로 제일 낮은 값을 보였지 만 낮은 면저항은 불순물이 많다는 것을 의미하기도 한다. 따라서 누설 전류의 양이 많아질 수 있으므로 880 에서의 도핑 공정은 부적합하다. 즉, 상용 제품의 면저항과 가장 유사한 값을 보인 860 의 도핑 공정이 제일 적합하다는 것을 알 수 있다. [0047] [0048] 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지에서 POCl₃ 도핑 후 깊이에 따른 원자의 농도를 도핑 온도의 변화에 따라 측정한 그래프이다. 이 과정은 SIMS Profile을 통해 이루어졌으며, 가장 최적화된 마이크로 와이어 PN 접 합의 깊이를 얻을 수 있었다. 도 4를 참조하면, POCl₃ 도핑 후 깊이에 따른 원자의 농도는 온도에 비례하며, 깊이가 깊어질수록 대체적으로 감소한다는 것을 알 수 있다. 또한, 최적 온도인 860 에서의 측정값으로부터 가장 최적화된 마이크로 와이어 PN 접합의 깊이는 0.5μm임을 알 수 있다. [0049] 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지에서 POCl₃ 도핑 전, 후의 캐리어 수명을 식각 시간에 따라 측정한 그래프이다. POCl₃ 도핑 전에는 캐리어 수명이 10μm정도였던 반면, POCl₃ 도핑 후에는 약 300μm의 캐리어 수명을 얻을 수 있었다. [0050] 이상에서 설명한 것은 본 발명에 의한 태양 전지 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지를 실시하기 위한 하나의 실 시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같 이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다. [0051] 부호의 설명 110; 제 1 도전형 기판 111, 112; 마이크로 와이어 115; 나노 와이어 120a, 120b; 에미터층 125; PSG 130; 제 1 전극 135; 제 2 전극 - 7 -
8 도면 도면1 도면2a 도면2b - 8 -
9 도면2c 도면2d 도면2e 도면2f - 9 -
10 도면2g 도면2h 도면2i 도면3a
11 도면3b 도면3c 도면3d
12 도면4 도면5-12 -
(72) 발명자 김준기 경기 군포시 광정동 한양목련아파트 1226동 805호 유세훈 인천광역시 연수구 송도동 성지리벨루스 110동 50 1호 방정환 인천 연수구 연수동 578-1 고용호 인천광역시 연수구 해송로30번길 송도 웰카운티 4 단지 20 (송도동) 407동 4
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) H05K 3/34 (2006.01) B23K 1/19 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0091105 (22) 출원일자 2012년08월21일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 JP2004172398 A JP2004255426 A KR1020080083127
More information특허청구의 범위 청구항 1 복수개의 프리캐스트 콘크리트 부재(1)를 서로 결합하여 연속화시키는 구조로서, 삽입공이 형성되어 있고 상기 삽입공 내면에는 나사부가 형성되어 있는 너트형 고정부재(10)가, 상기 프리캐스 트 콘크리트 부재(1) 내에 내장되도록 배치되는 내부
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) E01D 19/12 (2006.01) E01D 2/00 (2006.01) E01D 21/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0036938 (22) 출원일자 2011년04월20일 심사청구일자 2011년04월20일 (65) 공개번호 10-2012-0119156
More information이 발명을 지원한 국가연구개발사업 과제고유번호 08921-01304 부처명 방송통신위원회 연구사업명 방송통신기술개발사업 연구과제명 안전한 전자파환경 조성 주관기관 한국전자통신연구원 연구기간 2008.01.01 ~ 2012.12.31-2 -
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) H05K 9/00 (2006.01) H04B 1/38 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0134285 (22) 출원일자 2011년12월14일 심사청구일자 없음 기술이전 희망 : 기술양도, 실시권허여, 기술지도 전체 청구항 수 : 총 1 항 (54)
More information도 1 명세서 도면의 간단한 설명 도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 비접촉 USB 리더기의 블럭도를 나타낸다. 도 2는 도 1의 비접촉 USB 리더기를 이용한 인프라 구축 시스템의 개략도를 나타낸다. 도 3은 도 1의 비접촉 USB 리더기를 이용한 이용 방법에 대한
(51) Int. Cl. G06K 7/00 (2006.01) (19)대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2006년11월01일 10-0639964 2006년10월24일 (21) 출원번호 10-2004-0077732 (65) 공개번호 10-2006-0028855 (22) 출원일자 2004년09월30일
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(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) B25J 9/06 (2006.01) B25J 19/02 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0079361 (22) 출원일자 2011년08월10일 심사청구일자 2011년08월10일 (65) 공개번호 10-2013-0017122 (43) 공개일자 2013년02월20일
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(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개실용신안공보(U) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) B65B 67/12 (2006.01) B65D 88/16 (2006.01) (21) 출원번호 20-2012-0003587 (22) 출원일자 2012년05월01일 심사청구일자 2012년05월01일 (11) 공개번호 20-2013-0006479 (43) 공개일자
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(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) B01J 23/34 (2006.01) B01J 37/02 (2006.01) B01J 37/08 (2006.01) B01D 53/86 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-0098306 (22) 출원일자 2010년10월08일 심사청구일자 2010년10월08일
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(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) G01N 3/30 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0090352 (22) 출원일자 2008년09월12일 심사청구일자 2008년09월12일 (65) 공개번호 10-2010-0031318 (43) 공개일자 2010년03월22일 (56) 선행기술조사문헌 KR200430499
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(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (11) 공개번호 10-2014-0008486 (43) 공개일자 2014년01월21일 (51) 국제특허분류(Int. Cl.) G08B 25/08 (2014.01) G08B 21/02 (2006.01) G08B 13/196 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0075069 (22) 출원일자
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(51) Int. Cl. 7 H01L 21/60 (19)대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2005년10월07일 10-0519222 2005년09월28일 (21) 출원번호 10-2003-0085619 (65) 공개번호 10-2005-0051933 (22) 출원일자 2003년11월28일 (43)
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(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개실용신안공보(U) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) A45C 11/00 (2014.01) (21) 출원번호 20-2012-0006075 (22) 출원일자 2012년07월11일 심사청구일자 전체 청구항 수 : 총 4 항 2012년07월11일 (54) 고안의 명칭 휴대 단말기용 케이스 (11) 공개번호 20-2014-0000448
More information16<C624><D22C><ACFC><D0D0> <ACE0><B4F1><BB3C><B9AC><2160>_<BCF8><CC45>.pdf
I I 02 03 04 05 06 II 07 08 09 III 10 11 12 13 IV 14 15 16 17 18 a b c d 410 434 486 656 (nm) Structure 1 PLUS 1 1. 2. 2 (-) (+) (+)(-) 2 3. 3 S. T.E.P 1 S. T.E.P 2 ) 1 2 (m) 10-11 10-8 10-5 C 10-2 10
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(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) B23K 9/133 (2006.01) B23K 9/28 (2006.01) B23K 9/26 (2006.01) (21) 출원번호 10-2006-0133016 (22) 출원일자 2006년12월22일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 2006년12월22일 (45) 공고일자 2007년10월26일
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(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 2011년03월02일 (11) 등록번호 10-1017970 (24) 등록일자 2011년02월21일 (73) 특허권자 (51) Int. Cl. 삼성전자주식회사 H04L 9/20 (2006.01) H04L 9/28 (2006.01) 경기도 수원시 영통구 매탄동 416 (21) 출원번호
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(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (11) 공개번호 10-2013-0082991 (43) 공개일자 2013년07월22일 (51) 국제특허분류(Int. Cl.) G06Q 10/06 (2012.01) (21) 출원번호 10-2011-0142753 (22) 출원일자 2011년12월26일 심사청구일자 없음 전체 청구항 수 : 총 1 항 (54)
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(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) E03B 3/03 (2006.01) E03F 1/00 (2006.01) C02F 1/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0136139 (22) 출원일자 2011년12월16일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 KR100795918 B1* KR101036279
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(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) A63F 13/2145 (2014.01) A63F 13/20 (2014.01) (21) 출원번호 10-2012-0094000 (22) 출원일자 2012년08월28일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 JP2002301267 A* JP2006129942 A* 2012년08월28일
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(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) G01F 23/02 (2006.01) G01F 23/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0096769 (22) 출원일자 2007년09월21일 심사청구일자 전체 청구항 수 : 총 5 항 (54) 지하수위 관측장치 2007년09월21일 (11) 공개번호 10-2009-0031004
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(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) G06F 9/22 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0020563 (22) 출원일자 2012년02월28일 심사청구일자 2012년02월28일 (65) 공개번호 10-2013-0098775 (43) 공개일자 2013년09월05일 (56) 선행기술조사문헌
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(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) G06Q 30/00 (2006.01) G06Q 50/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0133476 (22) 출원일자 2008년12월24일 심사청구일자 2008년12월24일 (65) 공개번호 10-2010-0074918 (43) 공개일자 2010년07월02일
More information(72) 발명자 방하연 울산 남구 대암로 82, 201동 701호 (야음동, 신정 현대홈타운2단지아파트) 하지현 대구 동구 둔산로 311-1, 3동 504호 (검사동, 공군 관사) 최지혜 대구 수성구 노변공원로 22, 102동 1403호 ( 시지동, 동서우방아파트) -
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) A61F 5/03 (2006.01) A61F 5/02 (2006.01) A61F 5/01 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0127357 (22) 출원일자 2012년11월12일 심사청구일자 2012년11월12일 (65) 공개번호 10-2014-0060713
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(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) E02D 31/02 (2006.01) E02B 11/02 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-0116402 (22) 출원일자 2010년11월22일 심사청구일자 전체 청구항 수 : 총 11 항 2010년11월22일 (11) 공개번호 10-2012-0054975
More information항은 발명의 상세한 설명에는 그 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자 (이하 통상의 기술자 라고 한다)가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 그 발명의 목적 구성 및 효과를 기재하여야 한다고 규정하고 있다. 이는 특허출원된 발명의 내용을 제 3자가 명세서만으로
대 법 원 제 2 부 판 결 사 건 2013후518 권리범위확인(특) 원고, 상고인 코오롱인더스트리 주식회사 소송대리인 변리사 경진영 외 2인 피고, 피상고인 토요보 가부시키가이샤(변경 전: 토요 보세키 가부시키가이샤) 소송대리인 변호사 박성수 외 4인 원 심 판 결 특허법원 2013. 1. 25. 선고 2012허6700 판결 판 결 선 고 2015. 9.
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(51) Int. Cl. H04B 1/40 (2006.01) (19)대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2006년11월23일 10-0646983 2006년11월09일 (21) 출원번호 10-2004-0053063 (65) 공개번호 10-2006-0004082 (22) 출원일자 2004년07월08일
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전자회로 SEMICONDUCTOR P 1 @ INDEX 1. Conductors, Insulators, Semiconductors 2. Conduction in Semiconductors 3. The N-Type and P-Type Semiconductors 4. The PN Junction P 2 1.1 Conductors Insulators Semiconductors
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(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) H04J 11/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0038191 (22) 출원일자 2012년04월13일 심사청구일자 2012년04월13일 (65) 공개번호 10-2013-0115668 (43) 공개일자 2013년10월22일 (56) 선행기술조사문헌
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(51) Int. Cl. E04B 5/32 (2006.01) (19)대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2007년03월12일 10-0693122 2007년03월05일 (21) 출원번호 10-2006-0048965 (65) 공개번호 (22) 출원일자 2006년05월30일 (43) 공개일자 심사청구일자
More information(72) 발명자 최종무 경기도 용인시 수지구 죽전동 단국대학교 컴퓨터학 과 김은삼 서울시 마포구 상수동 72-1 홍익대학교 컴퓨터공학 과 T동708호 현철승 서울시 동대문구 전농동 90 서울시립대학교 공과대 학 컴퓨터과학부 오용석 경기도 과천시 과천동 152-3 - 2
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 2010년07월16일 (11) 등록번호 10-0970537 (24) 등록일자 2010년07월08일 (51) Int. Cl. G06F 12/06 (2006.01) G06F 12/02 (2006.01) G06F 12/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0115607
More information<5BB0EDB3ADB5B55D32303131B3E2B4EBBAF12DB0ED312D312DC1DFB0A32DC0B6C7D5B0FAC7D02D28312E28322920BAF2B9F0B0FA20BFF8C0DAC0C720C7FCBCBA2D3031292D3135B9AEC7D72E687770>
고1 융합 과학 2011년도 1학기 중간고사 대비 다음 글을 읽고 물음에 답하시오. 1 빅뱅 우주론에서 수소와 헬륨 의 형성에 대한 설명으로 옳은 것을 보기에서 모두 고른 것은? 4 서술형 다음 그림은 수소와 헬륨의 동위 원 소의 을 모형으로 나타낸 것이. 우주에서 생성된 수소와 헬륨 의 질량비 는 약 3:1 이. (+)전하를 띠는 양성자와 전기적 중성인 중성자
More information(72) 발명자 오인환 서울 노원구 중계로 195, 101동 803호 (중계동, 신 안동진아파트) 서혜리 서울 종로구 평창14길 23, (평창동) 한훈식 서울 강남구 언주로71길 25-5, 301호 (역삼동, 영 훈하이츠) 이 발명을 지원한 국가연구개발사업 과제고유번호
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 2014년04월14일 (11) 등록번호 10-1384704 (24) 등록일자 2014년04월07일 (51) 국제특허분류(Int. Cl.) F16L 9/18 (2006.01) F17D 1/00 (2006.01) F16L 3/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0113933
More informationuntitled
13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 2) 2호 주거지 주거지는 해발 58.6m의 조사지역 중앙부 북쪽에 3호 주거지와 중복되어 위치하고 있다. 주거지는 현 지표층인 흑갈색사질점토층(10YR 2/3)을 제거하자 상면에 소토와 목탄이
More information(72) 발명자 신일훈 경기 수원시 영통구 영통동 황골마을1단지아파트 151동 702호 나세욱 서울 용산구 용산동2가 18-5 김효준 경기 용인시 기흥구 상갈동 금화마을주공아파트 407동 1204호 윤송호 경기 용인시 수지구 풍덕천2동 삼성5차아파트 523-702 신동
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) G11C 16/10 (2006.01) G11C 16/34 (2006.01) (21) 출원번호 10-2006-0112411 (22) 출원일자 2006년11월14일 심사청구일자 2006년11월14일 (65) 공개번호 10-2008-0043633 (43) 공개일자 2008년05월19일
More information대 표 도 - 2 -
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (11) 공개번호 10-2013-0062307 (43) 공개일자 2013년06월12일 (51) 국제특허분류(Int. Cl.) G06Q 30/02 (2012.01) (21) 출원번호 10-2013-0053925(분할) (22) 출원일자 2013년05월13일 심사청구일자 2013년05월13일 (62) 원출원
More information특허청구의범위청구항 1 복수개의관통비아홀이형성된웨이퍼의하나이상의관통비아홀을포함하는전도영역에전도층을형성하는전도층형성단계 ; 상기전도층을포함한웨이퍼전체영역에절연층을증착하는절연층증착단계 ; 상기전도층의상부에감광제를도포하고, 상기관통비아홀이형성된위치에관통비아홀의단면적보다작은단
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H01L 21/60 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-0028172 (22) 출원일자 2010 년 03 월 29 일 심사청구일자 2010 년 03 월 29 일 (65) 공개번호 10-2011-0108779 (43) 공개일자 2011 년 10 월 06 일 (56)
More information(72) 발명자 장승엽 경기 수원시 장안구 천천동 비단마을 베스트타운 740동 1702호 정원석 경기 용인시 기흥구 보정동 죽현마을 I-Park 208동 1802호 - 2 -
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) E01B 25/30 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0065197 (22) 출원일자 2007년06월29일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 JP2004346733 A* JP55040028 U KR100198968 B1 2007년06월29일 *는 심사관에
More information도 3 은 본 발명에 따른 제거수단을 보인 사시도 도 4 는 본 발명에 따른 제거수단의 해파필터와 카본필터의 구성을 보인 개략단면도 <도면의 주요부분에 대한 부호의 설명> (1) : 케이싱 (1a) : 천연음이온 도료 (2) : 제거수단 (3) : UV살균장치 (4)
(51) Int. Cl. 7 A61L 9/20 (19)대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2005년05월25일 10-0491080 2005년05월13일 (21) 출원번호 10-2004-0022173 (65) 공개번호 10-2004-0037034 (22) 출원일자 2004년03월31일 (43)
More information(72) 발명자 최석문 서울관악구봉천 6 동우성아파트 장범식 경기성남시분당구정자동한솔마을청구아파트 110 동 301 호 정태성 경기화성시반월동신영통현대 4 차아파트
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H01L 23/12 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0057147 (22) 출원일자 2007 년 06 월 12 일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 JP2004014722 A US6861288 B2 2007 년 06 월 12 일 (45) 공고일자 2008년10월24일
More information특허청구의 범위 청구항 1 다수개의 씨줄과 날줄이 교차하도록 도시된 보드판과, 두벌의 돌을 포함하는 바둑규칙을 활용한 대전용 보드게 임 도구에 있어서, 상기 보드판은 M개의 씨줄과 N개의 날줄이 상호 교차하도록 구성된 M N개의 착점을 가지며, 상기 M N개의 착 점
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) A63F 3/02 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0085197 (22) 출원일자 2007년08월23일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 KR 1020070055888 A* KR 1020040074894 A* KR 1020020080689 A* KR 1020020041170
More information특허청구의 범위 청구항 1 결제서버에서 단말로부터 고객의 정기분할납부 신청 정보 및 분할 희망 개월수 정보를 수신 및 등록하는 단계; 및 상기 결제서버에서 상기 고객이 신청한 납부일자에 매월 월정액의 카드매출을 자동으로 승인처리하고, 카드매출 승인에 따른 카드매출전표를
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) G06Q 40/00G0 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0121159(분할) (22) 출원일자 2007년11월26일 심사청구일자 2007년11월26일 (62) 원출원 특허 10-2007-0029139 원출원일자 심사청구일자 2007년03월26일 2007년03월26일
More information특허청구의 범위 청구항 1 발열원의 일면에 접촉 설치되며, 내부에 상기 발열원의 열에 의해 증발되는 작동유체가 수용되는 작동유체챔버 가 구비되고, 상기 작동유체챔버의 일측에 제1연결구가 형성된 흡열블록; 및 상기 흡열블록의 일측에 결합되며, 흡열블록과 결합되는 부분에
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) G06F 1/20 (2006.01) H01L 23/34 (2006.01) F28D 15/02 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0087354 (22) 출원일자 2009년09월16일 심사청구일자 2009년09월16일 (65) 공개번호 10-2011-0029605
More information본 발명은 난연재료 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 케이블이나 전선의 시스체로 쓰이는 저발연, 저독성을 가진 열가소성 난연재료 조성물에 관한 것이다. 종래의 선박용 케이블은 그 사용 용도와 장소에 따라 다양한 제품들로 구별된다. 근래 들어 해양 구조물 및 선박에
(51) Int. Cl. 7 C08L 31/04 (19)대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2005년03월08일 10-0473564 2005년02월17일 (21) 출원번호 10-2001-0074372 (65) 공개번호 10-2003-0043291 (22) 출원일자 2001년11월27일 (43)
More information(72) 발명자 원윤재 경기도 용인시 수지구 수지로 (상현 동, 심곡마을 현대 힐스테이트) 김선희 서울특별시 은평구 응암로5길 2-3 (응암동) 황규성 경기도 고양시 일산서구 주엽2동 문촌마을 동아아 파트 809동 1503호 이 발명을 지원한 국
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 2013년01월22일 (11) 등록번호 10-1225090 (24) 등록일자 2013년01월16일 (51) 국제특허분류(Int. Cl.) H02J 17/00 (2006.01) H02J 7/00 (2006.01) H04B 5/02 (2006.01) (73) 특허권자 전자부품연구원 경기도
More information(72) 발명자 김진근 울산광역시울주군삼남면가천리 818 삼성 SDI( 주 ) 김기민 울산광역시울주군삼남면가천리 818 삼성 SDI( 주 ) - 2 -
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) G06F 3/041 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0067375 (22) 출원일자 2008 년 07 월 11 일 심사청구일자 전체청구항수 : 총 12 항 2008 년 07 월 11 일 (54) 터치스크린패널및그제조방법 (11) 공개번호 10-2010-0006987
More information2015_학술 프로그램_2_4.21.indd
ISBN 978-89-88471-26-5-93530 2015 한국측량학회 정기학술발표회 KOREAN SOCIETY OF SURVEYING, GEODESY, PHOTOGRAMMETRY AND CARTOGRAPHY 일시 : 2015년 4월 23일(목) ~ 24일(금) 장소 : 경남대학교 한마미래관 주최 : 사단법인 한국측량학회 주관 : 경남대학교 공학대학 공학기술연구원
More information(72) 발명자 강경태 서울서초구반포본동반포주공아파트 110 동 105 호 이상호 서울관악구봉천 9 동 윤규영 인천남구용현동 신권용 서울구로구천왕동천왕이펜하우스 6 단지 601 동 1203 호 이발명을지원한국가연구개발사업 과제고유번호 ES-1
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2013년11월20일 (11) 등록번호 10-1331589 (24) 등록일자 2013년11월14일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) H01L 21/28 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0052189 (22) 출원일자 2012 년 05 월 16 일 심사청구일자
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몸이란? 자 기 반 성 유 형 밀 당 유 형 유 레 카 유 형 동 양 철 학 유 형 그 리 스 자 연 철 학 유 형 춤이란? 물 아 일 체 유 형 무 아 지 경 유 형 댄 스 본 능 유 형 명 상 수 련 유 형 바 디 랭 귀 지 유 형 비 타 민 유 형 #1
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(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) A61B 5/0496 (2006.01) A61B 5/18 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0051767 (22) 출원일자 2009년06월11일 심사청구일자 2009년06월11일 (65) 공개번호 10-2010-0133070 (43) 공개일자 2010년12월21일
More information**한빛소리07월호
No.224 2015.8~10 Hanbit C/O/N/T/E/N/T/S http://www hanbit co kr http://www hanbit co kr http://www hanbit co kr http://www hanbit co kr http://www hanbit co kr http://www hanbit co kr http://www
More information(72) 발명자 강경태 서울서초구반포본동반포주공아파트 110 동 105 호 강희석 경기용인시수지구풍덕천동삼성쉐르빌 102 동 202 호 박문수 경기용인시기흥구신갈동도현마을현대 호 박승인 경기수원시영통구영통동 층 - 2 -
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) B81B 7/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0007106 (22) 출원일자 2007 년 01 월 23 일 심사청구일자 2007 년 01 월 23 일 (65) 공개번호 10-2008-0069416 (43) 공개일자 2008 년 07 월 28 일 (56)
More information많이 이용하는 라면,햄버그,과자,탄산음료등은 무서운 병을 유발하고 비만의 원인 식품 이다. 8,등겨에 흘려 보낸 영양을 되 찾을 수 있다. 도정과정에서 등겨에 흘려 보낸 영양 많은 쌀눈과 쌀껍질의 영양을 등겨를 물에 우러나게하여 장시간 물에 담가 두어 영양을 되 찾는다
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개실용신안공보(U) A23L 1/307 (2006.01) C02F 1/68 (2006.01) (21) 출원번호 20-2011-0002850 (22) 출원일자 2011년04월05일 심사청구일자 2011년04월05일 (11) 공개번호 20-2011-0004312 (43) 공개일자 2011년05월03일
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(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (11) 공개번호 10-2010-0042502 (43) 공개일자 2010년04월26일 (51) Int. Cl. G06Q 50/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0101675 (22) 출원일자 2008년10월16일 심사청구일자 전체 청구항 수 : 총 13 항 2008년10월16일 (71)
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(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) A01K 97/22 (2006.01) A01K 97/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0098722 (22) 출원일자 2011년09월27일 심사청구일자 2011년09월27일 (11) 공개번호 10-2013-0033911 (43) 공개일자 2013년04월04일
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(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) H01J 49/24 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-7003613 (22) 출원일자(국제) 2010년03월30일 심사청구일자 없음 (85) 번역문제출일자 2012년02월10일 (86) 국제출원번호 PCT/GB2010/050533 (87) 국제공개번호
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(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C23F 13/00 (2006.01) C23F 13/04 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0139800 (22) 출원일자 2011 년 12 월 22 일 심사청구일자 2011 년 12 월 22 일 (65) 공개번호 10-2013-0072406
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(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) G01R 31/26 (2006.01) G01R 31/28 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0054000 (22) 출원일자 2008년06월10일 심사청구일자 전체 청구항 수 : 총 7 항 2008년06월10일 (54) 에스에스디(SSD) 로딩장치 (11) 공개번호
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(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 2012년07월04일 (11) 등록번호 10-1162451 (24) 등록일자 2012년06월27일 (51) 국제특허분류(Int. Cl.) H04W 56/00 (2009.01) (21) 출원번호 10-2010-0100413 (22) 출원일자 2010년10월14일 심사청구일자 2010년10월14일
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(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 10-2012-0021454 (43) 공개일자 2012년03월09일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) H01L 29/786 (2006.01) G02F 1/136 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-0074404 (22) 출원일자 2010 년 07 월 30 일
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(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) B21D 22/02 (2006.01) C21D 7/13 (2006.01) B23K 26/20 (2006.01) C22C 38/04 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0090880 (22) 출원일자 2011년09월07일 심사청구일자 2011년09월07일
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