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1 Industry Brief Analyst 지목현 ( ) 가전전자부품/디스플레이 Overweight Top pick LG디스플레이(034220) Buy, TP 40,000원 산화물TFT, 2013년 디스플레이의 뜨거운 감자 2013년 산화물TFT는 태블릿 중심으로 본격적인 적용 확대 - 산화물(oxide) TFT는 2013년에 태블릿 중심으로 적용이 본격화될 전망. 산화물TFT는 저비용 공정으로 태블릿PC 등 모바일기기의 고해상도와 저전력(경량화) 특성을 동시 에 만족할 수 있는 궁극적인 대안. Top pick LG디스플레이(034220), 나노신소재 나노신소재(121600) NR (121600). 투자포인트: 산화물TFT 태블릿 적용 확대 + 공정기술 개선으로 원가경쟁력 확보 년 산화물TFT의 태블릿 적용 가속화 전망. 고해상도 저전력 동시 해결 2013년 산화물TFT는 고성장이 예상되는 태블릿 시장을 중심으로 적용이 빠르게 확 대될 전망. 태블릿은 최근 고해상도와 저전력의 요구가 동시에 증가하고 있는 상황. 저전력 특성은 배터리 무게를 줄여 경량화 구현 가능. 애플은 뉴아이패드의 고해상 도와 아이패드 미니의 경량화 특성을 동시에 만족시킬 수 있는 솔루션으로 산화물 TFT 기반의 LCD패널 양산에 대한 요구가 커지고 있는 상황. 샤프, 삼성디스플레이, BOE 등 관련 패널업체가 2013년 공급을 목표로 준비중으로 파악. 2. 산화물TFT 공정은 최근 공정기술 개선으로 원가경쟁력 크게 향상 산화물TFT는 기존 6개 Mask 공정에서 최근 4개 Mask 공정으로 공정단계가 크게 축 소. 4Mask 공정은 기존 a-si TFT과 동일한 공정단계. 결과적으로 산화물TFT의 구현을 위해 기존 a-si TFT라인에서 공정변경을 위한 투자 최소화 가능. 이를 통해 고해상도 패널의 원가경쟁력을 높일 수 있을 것으로 판단. 3. Top pick LG디스플레이, 나노신소재 LG디스플레이는 기존에 확보된 OLED TV 구현을 위한 산화물TFT 공정기술을 고해상 도 LCD에 확대 적용이 가능할 것으로 예상. 나노신소재는 산화물TFT 핵심소재인 IGZO 스퍼터 타겟 제조업체로 향후 시장 성장 과정에서 수혜가 커질 전망.

2 [ 그림 1] 저해상도픽셀과 TFT 크기 [ 그림 2] 고해상도픽셀과 TFT 크기 TFT [ 표 1] 해상도에따른 Gate on time (240Hz 기준 ) 구분세로가로 Gate on time(us) 상대적소요시간 ( 배 ) 태블릿뉴아이패드 2,048 1, 아이패드 2 1, 스마트폰아이폰 4/4S 아이폰 3GS LCD TV UD 3,840 2, FHD 1,920 1, 주 ) Gate on time: TFT 에서 Gate 가켜지는시간간격 UD: ultra definition FHD: full high definition [ 그림 3] TFT 구분 TFT Si( 실리콘 ) Oxide( 산화물 ) Organic( 유기물 ) OLED/ 고해상도 LCD( 레티나 ) a-si Poly-Si LCD HTPS LTPS OLED/ 고해상도 LCD( 레티나 ) 메리츠종금증권리서치센터 2

3 [ 표 2] TFT 종류별비교 LTPS(Poly-Si) TFT Oxide TFT a-si TFT 반도체막 Polycrystalline Si Amorphous IGZO Amorphous Si TFT 균일도 중간 높음 높음 전자이동도 ~100 cm 2 /Vs 10~40 cm 2 /Vs 1 cm 2 /Vs 마스크공정단계수 5~8 4~6 4 공정온도 450~ ~ [ 그림 4] TFT 종류별 Mask 수및공정단계비교 TFT 구분 Mask 수공정단계 a-si 4 1. Gate 전극 2. Active 4. 보호막 5. 화소전극 Oxide 4 or 6 1. Gate 전극 2. Active( 열처리 ) 4. 보호막 5. 화소전극 LTPS 8 1. Active(LTPS) 2. Gate 전극 3. 이온주입 4. 데이터전극 5. 보호막 6. 화소전극 [ 그림 5] a-si TFT 구조 [ 그림 6] Oxide TFT 구조 [ 그림 7] LTPS TFT 구조 메리츠종금증권리서치센터 3

4 [ 그림 8] a-si TFT 세부공정 1. Gate 전극 2. Active 4. 보호막 5. 화소전극 Gate 전극증착 절연막증착 S/D 전극증착 보호막증착 화소전극증착 Gate 전극패터닝 (Mask 1) a-si 증착 a-si, S/D 패터닝 (Mask 2) (Mask 3) 화소전극패터닝 (Mask 4) [ 그림 9] Oxide TFT 세부공정 1. Gate 전극 2. Active 4. 보호막 5. 화소전극 Gate 전극증착 절연막증착 S/D 전극증착 보호막증착 화소전극증착 Gate 전극패터닝 (Mask 1) IGZO 증착 a-si, S/D 패터닝 (Mask 4) 화소전극패터닝 (Mask 6) 열처리 IGZO 패터닝 (Mask 2) ESL 증착 ESL 패터닝 (Mask 3) 메리츠종금증권리서치센터 4

5 [ 그림 10] LTPS TFT 세부공정 1. Active 2. Gate 전극 3. 이온주입 4. 데이터전극 5. 보호막 6. 화소전극 차단층 (SiO2) Gate 절연막증착 PMOS 이온주입 (Mask 3) 층간절연막증착 보호막증착 화소전극증착 a-si 증착 Gate 전극증착 NMOS 이온주입 (Mask 4) (Mask 5) (Mask 7) 화소전극패터닝 (Mask 8) 탈수소화 Gate 전극패터닝 (Mask 2) 이온활성화 (RTA) S/D 전극증착 LTPS 공정 S/D 전극패터닝 (Mask 6) Poly-Si 패터닝 (Mask 1) 메리츠종금증권리서치센터 5

6 [ 표 3] TFT 종류별공정단계, 소재, 장비요약 a-si TFT Oxide TFT LTPS TFT 단계세부단계소재장비 Mask 공정 1. Gate 전극 Gate 전극증착 Cu, Ti, Al, Mo Sputter Gate 전극패터닝 Photo 장비, Wet etcher Mask 1 2. Active Gate 절연막증착 SiN PECVD a-si 증착 a-si( 모노실란 ) PECVD Source/Drain 전극증착 Cu, Ti, Al, Mo Sputter a-si, Source/Drain 패터닝 Photo 장비, Wet etcher Mask 2 4. 보호막보호막증착 SiN PECVD Photo 장비, Dry etcher Mask 3 5. 화소전극화소전극증착 ITO/IZO Sputter 화소전극패터닝 Photo 장비, Wet etcher Mask 4 단계세부단계소재장비 Mask 공정 1. Gate 전극 Gate 전극증착 Cu, Ti, Al, Mo Sputter Gate 전극패터닝 Photo 장비, Wet etcher Mask 1 2. Active Gate 절연막증착 SiN/SiO2 PECVD IGZO 증착 IGZO Sputter 열처리 (350 도 ) 열처리장비 IGZO 패터닝 Photo 장비, Wet/Dry etcher Mask 2 ESL 증착 SiO2 PECVD ESL 패터닝 Photo 장비, Dry etcher Mask 3 Source/Drain 전극증착 Cu, Ti, Al, Mo Sputter Source/Drain 패터닝 Photo 장비, Wet etcher Mask 4 4. 보호막보호막증착 SiO2 PECVD Photo 장비, Dry etcher Mask 5 5. 화소전극화소전극증착 ITO/IZO Sputter 화소전극패터닝 Photo 장비, Wet etcher Mask 6 단계세부단계소재장비 Mask 공정 1. Active 차단층증착 SiO2 PECVD a-si 증착 a-si( 모노실란 ) PECVD 탈수소화 (450 도 ) LTPS 공정 열처리장비 (Batch type) ELA/SGS Poly-Si 패터닝 Photo 장비, Wet etcher Mask 1 2. Gate 전극 Gate 절연막증착 SiO2 PECVD Gate 전극증착 Cu, Ti, Al, Mo Sputter Gate 전극패터닝 Photo 장비, Wet etcher Mask 2 3. 이온주입 PMOS 이온주입 B Ion Implanter, Photo 장비, Dry etcher Mask 3 4. 데이터전극 NMOS 이온주입 P Ion Implanter, Photo 장비, Dry etcher Mask 4 이온활성화 층간절연막증착 SiN, SiO2 PECVD RTA(Rapid Thermal Annealing) Photo 장비, Dry etcher Mask 5 Source/Drain 전극증착 Cu, Ti, Al, Mo Sputter Source/Drain 패터닝 Photo 장비, Wet etcher Mask 6 5. 보호막보호막증착 SiN PECVD 수소화 열처리장비 (Batch type) Photo 장비, Wet etcher Mask 7 6. 화소전극화소전극증착 ITO/IZO Sputter 화소전극패터닝 Photo 장비, Wet etcher Mask 8 메리츠종금증권리서치센터 6

7 Compliance Notice 동자료는작성일현재사전고지와관련한사항이없습니다. 당사는동자료에언급된종목과계열회사의관계가없으며 2012년 11월 28일현재동자료에언급된종목의유가증권 (DR, CB, IPO, 시장조성등 ) 발행관련하여지난 6개월간주간사로참여하지않았습니다. 당사는 2012년 11월 28일현재동자료에언급된종목의지분을 1% 이상보유하고있지않습니다. 당사의조사분석담당자는 2012년 11월 28일현재동자료에언급된종목의지분을보유하고있지않습니다. 본자료에게재된내용들은본인의의견을정확하게반영하고있으며, 외부의부당한압력이나간섭없이작성되었음을확인합니다. ( 작성자 : 지목현 ) 동자료는투자자들의투자판단에참고가되는정보제공을목적으로배포되는자료입니다. 동자료에수록된내용은당사리서치센터의추정치로서오차가발생할수있으며정확성이나완벽성은보장하지않습니다. 동자료를이용하시는분은동자료와관련한투자의최종결정은자신의판단으로하시기바랍니다. 투자등급관련사항 1. 종목추천관련투자등급 ( 추천기준일종가대비 4등급 ) 아래종목투자의견은향후 6개월간추천기준일종가대비추천종목의예상목표수익률을의미함. ㆍStrong Buy : 추천기준일종가대비 +50% 이상. ㆍBuy : 추천기준일종가대비 +15% 이상 ~ +50% 미만. ㆍHold : 추천기준일종가대비 +5% 이상 ~ +15% 미만. ㆍReduce : 추천기준일종가대비 +5% 미만. 2. 산업추천관련투자등급 ( 추천기준일시장지수대비 3등급 ) 아래산업투자의견은시가총액기준산업별시장비중대비보유비중의변화를추천하는것. ㆍ비중확대 (Overweight). ㆍ중립 (Neutral). ㆍ비중축소 (Underweight) LG 디스플레이 (034220) 의투자등급변경내용 추천확정일자자료의형식투자의견목표주가담당자주가및목표주가변동추이 산업브리프 Buy 48,000 문현식 기업분석 Buy 52,000 문현식 기업브리프 Buy 52,000 문현식 담당애널리스트변경 기업분석 Buy 50,000 지목현 산업분석 Buy 50,000 지목현 산업분석 Buy 50,000 지목현 산업분석 Buy 50,000 지목현 산업브리프 Buy 50,000 지목현 산업분석 Buy 50,000 지목현 산업분석 Buy 40,000 지목현 기업브리프 Buy 40,000 지목현 기업브리프 Buy 32,000 지목현 산업분석 Buy 32,000 지목현 기업브리프 Buy 40,000 지목현 산업분석 Buy 40,000 지목현 산업분석 Buy 40,000 지목현 산업분석 Buy 40,000 지목현 산업분석 Buy 33,000 지목현 기업브리프 Buy 33,000 지목현 기업브리프 Buy 40,000 지목현 산업분석 Buy 40,000 지목현 60,000 50,000 주가 목표주가 40,000 30,000 20,000 10, 메리츠종금증권리서치센터 7