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- 현택 순
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1 , PC, TV 100, LG 50%. (CRT) 2000 (LCD) (PDP) LCD PDP LCD 70%. LCD (TFT), (OLED) LCD. 8, TFT. TFT 0.5 cm 2 /Vs, (low temperature poly silicon, LTPS) 80 cm 2 /Vs IC. LPTS /, TFT InGaZnO TFT, TFT. 1) LTPS, /. (unintentional) n
2 Fig. 1. Frame rate TFT. 10 cm 2 /Vs,.,, 4,000 x 2, Hz frame rate 70. (Fig. 1). TFT. TFT LCD, LCD Fortunato 20cm 2 /Vs ZnO. 2) ZnO, TFT. InSnO InZnO, In DC,. InGaZnO 2004 Nature. s. (disordering) s 1/10 10 cm 2 /Vs (Fig. 2). InGaZnO. In 2O 3, ZnO, Ga 2O 3, 2.1. ZnO, In 2O 3, InZnO, ZnSnO, InGaZnO, ZnGaSnO. ZnO, UV, LED, SAW, TFT Fig. 2. InGaZnO. 16
3 . 3) InGaZnO In TFT In-O Zn-O, Ga-O., OFF. In : Ga, OFF Trade-off (Fig. 3). 4) LG,, AUO IGZO, TFT LCD (Fig. 4,5). 5-7) In Ga In, Ga. 8,9) ZnO, SnO 2 ZnSnO. 10,11) Sn,, ZnSnO InGaZnO TFT. InZnSnO (IZTO) TFT. Fig FPD IGZO TFT 70 UD 3D LCD. Fig. 5. BOE 2013 IGZO TFT UHD 65 LCD. IZTO TFT In 2O 3 component In In IGZO. ETRI In:Zn:Sn = 20:40: cm 2 /Vs, V th -0.4V, I on/off ratio >10 9, SS 0.12 V/decade IGZO Fig. 3. IGZO In TFT. Fig. 6. Zn:In:Sn (40:20:40) IZTO TFT. 17
4 (Fig. 6). 12), bias LCD TFT TFT (bottom gate), (back channel etch, BCE) (etch stop, ES). BCE. TFT. Fig. 7 BCE. / IGZO, TFT (Transfer Characteristics). In-O, 3nm In segregation Fig. 7. (a) BCE (b) ES. Fig. 8. BCE S/D TFT. (Fig. 8). 13), N 2O. / ES,,. ES /, S/D. 14,15) ES ES PECVD ES,. TFT. TFT OFF... TFT., (Fig. 9). (Shallow Donor)., ZnO 18
5 Fig. 9. IGZO TFT. (Deep State). NBIS. (Fig. 10). 16) Turn-off.. LCD CCFL, LED Back Light Unit., 5%,. Blue Light TFT ) TFT. 1 frame Turn-on FHD1/2000. OFF NMOS (Fig. 11). Duration Negative Gate Bias Stress (NBS)Negative Gate Bias Illumination Stress (NBIS). Fig. 10. IGZO TFT Negative bias illumination stress (NBIS) 19
6 Fig. 11. (a), (b) (c) timing diagram. TFT NBIS. Positive Bias Illumination Stress (PBIS) TFT (Fig. 12). PBS MIS NBS (Fig. 13). PBIS screening. -., PBIS.. NBIS Fig. 13., /.. Fig. 12. ZnO TFT (b) PBIS (d) NBIS. Fig. 13. PBIS NBIS. NBIS. (Trapping). Fig. 14 SiN x SiO 2 20
7 Fig. 15. (a) (b) vacancy. Fig. 14. (a) SiNx (b)sio2 IGZO TFT NBISIV. NBIS. 18) SiN x NBIS SiO 2. SiO ev GI/. SiO 2 IGZO NBIS. SiNx SiNx,. NBIS, Deep State V O 2+ (Fig. 15). 19) 2+ V O relaxation NBIS V O Fig. 16. (a) Unpassivated (b) Passivated. (c) photo-desorption (d).. ZnO Persistent Photo-conductivity (PPC), IGZO. 20), NBIS. 21) Fig. 16 NBIS 21
8 NBIS (Fig. 16) NBIS NBIS SiO 2 Al 2O IGZO Ga NBIS. ZTO Zr. 22). Percolation Conduction.. 23) NBIS. 24,25) 30 cm 2 /Vs In 50%IZO. 26), NBIS TFT NBIS Trade-off.,.. IZO ITO. (10 cm 2 /Vs) IGZO IZO IGZO/IZO (Fig. 17). 50 cm 2 /Vs 0V Bias (Fig. 18). 27) 5nm. NBIS. Fig
9 5nm Sn, Sn Sn Sn-free. Snfree NBIS. Fig. 18. TFT (a) PBTS (b) NBTS. Sn (Fig. 19). 28) LCD TFT,. IGZO, C-axis aligned IGZO, IT. IGZO 10~20 cm 2 /Vs. IZTO. TFT TV PMOS 80 cm 2 /Vs. LG. Fig. 19. Sn. 1. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Room-temperature Fabrication of Transparent Flexible Thin-film Transistors Using Amorphous Oxide Semiconductors, Nature, (2004). 23
10 2. E. M. C. Fortunato, P. M. C. Barquinha, A. C. M. B. G. Pimentel, A. M. F. Goncalves, A. J. S. Marques, R. F. P. Martins, and L. M. N. Pereira, Wide-bandgap High-mobility ZnO Thin-film Transistors Produced at Room Temperature, Appl. Phys. Letts., (2004). 3. H. Hosono, Ionic Amorphous Oxide Semiconductors: Material Design, Carrier Transport, and Device Application, J. Non-Cryst. Solids, (2006). 4. J. K. Jeong, J. H. Jeong, H. W. Yang, J. S. Park, Y. G. Mo, and H. D. Kim, High Performance Thin Film Transistors with Cosputtered Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Channel, Appl. Phys. Letts., (2007). 5. H. Yabuta, M. Sano, K. Abe, T. Aiba, T. Den, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono, High-mobility Thin-film Transistor with Amorphous InGaZnO 4 Channel Fabricated by Room Temperature Rfmagnetron Sputtering, Appl. Phys. Letts., (2006). 6. M. Kim, J. H. Jeong, H. J. Lee, T. K. Ahn, H. S. Shin, J. S. Park, J. K. Jeong, Y. G. Mo, and H. D. Kim, High Mobility Bottom Gate InGaZnO Thin Film Transistors with SiO x Etch Stopper, Appl. Phys. Letts., (2007). 7. J. K. Jeong, J. H. Jeong, H. W. Yang, J. S. Park, Y. G. Mo, and H. D. Kim, High Performance Thin Film Transistors with Cosputtered Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Channel, Appl. Phys. Letts., (2007). 8. E. M. C. Fortunato, L. M. N. Pereira, P. M. C. Barquinha, A. M. B. Rego, G. Gonçalves, A. Vilá, J. R. Morante, and R. F. P. Martins, High Mobility Indium Free Amorphous Oxide Thin Film Transistors, Appl. Phys. Letts., (2008). 9. A. Chipman, The Flat-screen Television Boom Has Materials Scientists Scrambling to Replace the Valuable Metal Oxide that Coats the Screens,Nature (London), (2007). 10. H. Q. Chiang, J. F. Wager, R. L. Hoffman, J. Jeong, and D. A. Keszler, High Mobility Transparent Thinfilm Transistors with Amorphous Zinc Tin Oxide Channel Layer," Appl. Phys. Letts., (2005). 11. W. B. Jackson, R. L. Hoffman, and G. S. Herman, High-performance Flexible Zinc Tin Oxide Fieldeffect Transistors, Appl. Phys. Letts., (2005). 12. M. K. Ryu, S. H. Yang, S. H. K. Park, C. S. Hwang, and J. K. Jeong, High Performance Thin Film Transistor with Cosputtered Amorphous Zn-In-Sn-O Channel: Combinatorial Approach, Appl. Phys. Letts., (2009). 13. J. C. Park, S. W. Kim, C. J. Kim, S. I. Kim, I. H. Song, H. Yin, K. K. Kim, S. H. Lee, K. H. Hong, J. C. Lee, J. K. Jung, E. H. Lee, K. W. Kwon, and Y. S. Park, High-performance Amorphous Gallium Indium Zinc Oxide Thin-film Transistors through N 2O Plasma Passivation, Appl. Phys. Letts., (2008). 14. M. K. Kim, J. H. Jeong, H. J. Lee, T. K. Ahn, H. S. Shin, J. S. Park, J. K. Jeong, Y. G. Mo, and H. D. Kim, High Mobility Bottom Gate InGaZnO Thin Film Transistors with SiO x Etch Stopper, Appl. Phys. Letts., (2007). 15. J. H. Jeong, H. W. Yang, T. K. Ahn, M. K. Kim, K. S. Kim, B. S. Gu, H. J. Chung, J. S. Park, Y. G. Mo, H. D. Kim, H. K. Chung, and J. K. Jeong, 12.1-in. WXGA AMOLED Display Driven by InGaZnO Thin-film Transistors, J. Soc. Inf. Disp., (2009). 16. J. S. Park, J. K. Jeong, Y. G. Mo, H. D. Kim, and C. J. Kim, Control of Threshold Voltage in ZnO- Based Oxide Thin Film Transistors, Appl. Phys. Letts., (2008). 17. J. H. Shin, J. S. Lee, C. S. Hwang, S. H. K. Park, W. S. Cheong, M. K. Ryu, C. W. Byun, J. I. Lee, and H. Y. Chu, Light Effects on the Bias Stability of Transparent ZnO Thin Film Transistors, ETRI J (2009). 18. K. H. Ji, J. I. Kim, Y. G. Mo, J. H. Jeong, S. H. Yang, C. S. Hwang, S. H. K. Park, M. K. Ryu, S. Y. Lee, and J. K. Jeong, Comparative Study on Light-Induced Bias Stress Instability of IGZO Transistors With SiNx and SiO2 Gate Dielectrics, IEEE Electron Device Lett., (2010). 19. A. Janotti and C. G. V. Walle, Native Point Defects in ZnO, Phys. Rev. B, (2007). 20. B. K. Ryu, H. K. Noh, E. A. Choi, and K. J. Chang, O-vacancy as the Origin of Negative Bias Illumination Stress Instability in Amorphous In-Ga-Zn-O Thin Film Transistors, Appl. Phys. Letts., (2010). 21. S. H. Yang, D. H. Cho, M. K. Ryu, S. H. K. Park, C S. Hwang, J. Jang, and J. K. Jeong, Improvement in the Photon-induced Bias Stability of Al-Sn-Zn-In-O Thin Film Transistors by Adopting AlOx Passivation Layer, Appl. Phys. Letts., (2010). 24
11 22. B. S. Yang, M. S. Huh, S. H. Oh, U. S. Lee, Y. J. Kim, M. S. Oh, J. K. Jeong, C. S. Hwang, and H. J. Kim, Role of ZrO 2 Incorporation in the Suppression of Negative Bias Illumination-induced Instability in Zn-Sn-O Thin Film Transistors, Appl. Phys. Letts., (2011). 23. S. H. Yang, K. H. Ji, U. K. Kim, C. S. Hwang, S. H. K. Park, C. S. Hwang, J. Jang, and J. K. Jeong, Suppression in the Negative Bias Illumination Instability of Zn-Sn-O Transistor Using Oxygen Plasma Treatment, Appl. Phys. Letts., (2011). 24. K. H. Ji, J. I. Kim, H. Y. Jung, S. Y. Park, R. Choi, U. K. Kim, C. S. Hwang, D. S. Lee, H. S. Hwang, and J. K. Jeong, Effect of High-pressure Oxygen Annealing on Negative Bias Illumination Stressinduced Instability of InGaZnO Thin Film Transistors, Appl. Phys. Letts., (2011). 25. B. S. Yang, S. H. Park, S. H. Oh, Y. J. Kim, J. K. Jeong, C. S. Hwang, and H. J. Kim, Improvement of the Photo-bias Stability of the Zn-Sn-O Field Effect Transistors by an Ozone Treatment, J. Mater. Chem., (2012). 26. S. Y. Park, J. H. Song, C. K. Lee, B. G. Son, C. K. Lee, H. J. Kim, R. Choi, Y. J. Choi, U. K. Kim, C. S. Hwang, H. J. Kim, and J. K. Jeong, Improvement in Photo-Bias Stability of High-Mobility Indium Zinc Oxide Thin-Film Transistors by Oxygen High-Pressure Annealing, IEEE Electron Device Lett., (2013). 27. S. I. Kim, C. J. Kim, J. C. Park, I. H. Song, S. W. Kim, H. Yin, E. H. Lee, J. C. Lee, and Y. S. Park, High Performance Oxide Thin Film Transistors with Double Active Layers, IEDM Tech. Dig., 73 1 (2008). 28. H. Y. Jung, Y. H. Kang, A. Y. Hwang, C. K. Lee, S. W. Han, D. H. Kim, J. U. Bae, W. S. Shin, and J. K. Jeong, Origin of the Improved Mobility and Photo- Bias Stability in a Double-channel Metal Oxide Transistor, Scientific Rep., (2014). 25
03 ¹ÚÁø¼º-OLED¿ë »êÈ�¹°
LCD (Liquid Crystal Display) OLED (Organic Light Emitting Diode) TV,,. 1) OLED LCD OLED LCD Fig. 1. OLED TV 2013 LG 55 OLED TV. SID (Society of Information Display) OLED (Fig. 2). OLED LCD, TFT. TFT 3.
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4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 1. S. Kim, H. Y. Jeong, S. K. Kim, S. Y. Choi and K. J. Lee, Nano Lett. 11, 5438 (2011). 2. E. Menard, K. J. Lee, D. Y. Khang, R. G. Nuzzo and J. A. Rogers, Appl. Phys. Lett. 84,
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Fig. 1 2.5%. 51.5%, 46.0%,.. /, Table 1 (U.V.; Ultraviolet 10-400 nm)/ (NIR; Near Infrared 700 nm - 5 µm) ( TiO 2, WO 3, ZnO, CeO, ATO, Sb 2O 3-ZnO, ITO.) (400 nm - 780 nm). /. Fig. 1.. 23 Table 1. / /
AMOLED 용산화물 TFT 기술 [ 표 1] 디스플레이용 TFT 특성비교표도 30cm 2 /V.s 이상을요구하게될것이라고기대한다. 이에따라, 대면적공정에서고이동도특성을균일하게가질수있는신규 TFT를요구하게되었으며이에대한방안으로산화물 TFT가연구되고있다. 반면, 고이동도
![AMOLED 용산화물 TFT 기술 [ 표 1] 디스플레이용 TFT 특성비교표도 30cm 2 /V.s 이상을요구하게될것이라고기대한다. 이에따라, 대면적공정에서고이동도특성을균일하게가질수있는신규 TFT를요구하게되었으며이에대한방안으로산화물 TFT가연구되고있다. 반면, 고이동도](/thumbs/86/94059785.jpg "AMOLED 용산화물 TFT 기술 [ 표 1] 디스플레이용 TFT 특성비교표도 30cm 2 /V.s 이상을요구하게될것이라고기대한다. 이에따라, 대면적공정에서고이동도특성을균일하게가질수있는신규 TFT를요구하게되었으며이에대한방안으로산화물 TFT가연구되고있다. 반면, 고이동도")
기술특집 AMOLED 용산화물 TFT 기술 박상희 ( 한국전자통신연구원융합부품소재연구부문신소자 / 소재연구부산화물전자소자연구팀 ) Ⅰ. 서론 자발광형디스플레이로서저전압구동이가능하고종이와유사한두께로제작이가능하며동작속도가매우빠를뿐만아니라감성적인색구현이가능한 OLED는아이폰의열풍과함께스마트폰의발전에힘입어모바일용디스플레이에서 AMOLED 소자로빠른성장세를보이고있다.
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OLED OLED OLED Interlayer λ OLED OLED PM OLED α PM OLED Getter Cover glass Substrate Organic film structure Light emission Anode Sealant ~10VDC Glass Substrate Column: Data line Row: Scan line Metal
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Current Photovoltaic Research 3(1) 27-31 (2015) pissn 2288-3274 Sulfurization 온도와 Cu/(In+Ga) 비가 Cu(In,Ga)Se 2 박막 내 S 함량에 미치는 영향 고영민ㆍ김지혜ㆍ신영민ㆍR. B. V. Chalapathyㆍ안병태* 한국과학기술원 신소재공학과, 대전시 유성구 대학로 291, 305-338
융합WEEKTIP-2016-2-4data_up
2016 FEBRUARY vol.08 08 융합 OLED 봉지기술 (Encapuslation ) 의 현황과 전망 김의권 융합연구정책센터 발행일 2016. 02. 29 발행처 융합정책연구센터 융합 2016 FEBRUARY vol.08 OLED 봉지기술(Encapuslation )의 현황과 전망 김의권 융합연구정책센터 개요 봉지기술은 적용분야와 관계없이 OLED
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J. of the Korean Sensors Society Vol. 18, No. 2 (2009) pp. 168 172 p k ù p p l xá xá ³ Á *Á w * Fabrication of the CNT-FET biosensors with a double-gate structure Byunghyun Cho, Byounghyun Lim, Jang-Kyoo
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한 국 어 사용설명서 LCD 모니터 사용전에 안전을 위한 주의사항을 반드시 읽고 정확하게 사용하세요. LCD 모니터 모델 목록 W2286L W2486L W2486LP www.lg.com 1 6 7 8 10 11 OSD(On Screen Display) OSD(On Screen Display) MENU 13 16 16 17 19 20 22 24 25 26 27
DISPLAY CLASS Electronic Information Displays CRT Flat Panel Display Projection Emissive Display Non Emissive Display Cathode Ray Tube Light Valve FED
2002. 4. 4. DISPLAY CLASS Electronic Information Displays CRT Flat Panel Display Projection Emissive Display Non Emissive Display Cathode Ray Tube Light Valve FED VFD PDP OLED ELD LED LCD ECD DMD DC Type
가. 회사의 법적, 상업적 명칭 당사의 명칭은 주성엔지니어링 주식회사라고 표기합니다. 또한 영문으로는 JUSUNG Engineering Co., Ltd. 라 표기합니다. 나. 설립일자 및 존속기간 당사는 반도체, FPD, 태양전지, 신재생에너지, LED 및 OLED 제
분 기 보 고 서 (제 18 기) 사업연도 2012년 01월 01일 2012년 03월 31일 부터 까지 금융위원회 한국거래소 귀중 2012 년 5 월 15 일 회 사 명 : 주성엔지니어링(주) 대 표 이 사 : 황 철 주 본 점 소 재 지 : 경기도 광주시 오포읍 능평리 49 (전 화) 031-760-7000 (홈페이지) http://www.jseng.com
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Industry Brief Analyst 지목현 (6309-4650) mokhyun.ji@meritz.co.kr 가전전자부품/디스플레이 2012. 11.28 Overweight Top pick LG디스플레이(034220) Buy, TP 40,000원 산화물TFT, 2013년 디스플레이의 뜨거운 감자 2013년 산화물TFT는 태블릿 중심으로 본격적인 적용 확대
2 목차 3 안전을 위한 주의 사항 3 제품 설치 시 주의사항 4 전원 및 AC 어댑터 관련 주의사항 6 제품 이동 시 주의사항 6 제품 사용 시 주의사항 7 화면 잔상 시 주의사항 7 제품 청소 시 주의사항 9 라이선스 18 사용자 설정 18 메인 메뉴 활성 19 사
사용자 설명서 LED 모니터 * ** LED 모니터는 LED 백라이트를 사용한 LCD 제품입니다. 사용전에 안전을 위한 주의사항을 반드시 읽고 정확하게 사용하세요. GS-27 Display Accessory 2 목차 3 안전을 위한 주의 사항 3 제품 설치 시 주의사항 4 전원 및 AC 어댑터 관련 주의사항 6 제품 이동 시 주의사항 6 제품 사용 시 주의사항
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3D 나노-마이크로 프린팅 기술의 현황 홍 기 현 한국기계연구원 부설 재료연구소 표면기술 연구본부 3D Nano-micro Printing Technology Kihyon Hong Korea Institute of Materials Science, Gyeongnam 642-831, Korea Abstract: 최근 3D 프린팅 기술을 이용하여 마이크로, 나노
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디스플레이기술비교 : OLED 와 LCD 구조및동작원리, 특징비교 박기찬 명암비 (Contrast Ratio) 응답속도 (Response Time) 시야각 (Viewing Angle) Black Image OLED 는매우낮고균일한 black level 구현이가능하고, 시야각에따른빛샘도없음. AMOLED Black 휘도 구분 CR (Static) F.W.
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2006 2 Creating the future of Display and Energy Samsung SDI 2006. 7. 25 1 06 2 ( ) 06.2Q QoQ 06.1Q 05.2Q YoY 16,250-962 17,212 18,382-2,132 221-189 410 347-126 (%) (1.4%) (2.4%) (1.9%) 171 1) - 480
한국전지학회 춘계학술대회 Contents 기조강연 LI GU 06 초강연 김동욱 09 안재평 10 정창훈 11 이규태 12 문준영 13 한병찬 14 최원창 15 박철호 16 안동준 17 최남순 18 김일태 19 포스터 강준섭 23 윤영준 24 도수정 25 강준희 26
2015 한국전지학회 춘계학술대회 2일차 한국전지학회 춘계 학술대회(신소재 및 시장동향 관련 주제 발표) 시간 제목 비고 세션 1 차세대 이차전지용 in-situ 분석기술 좌장 : 윤성훈 09:00~09:30 Real-time & Quantitative Analysis of Li-air Battery Materials by In-situ DEMS 김동욱(한국화학연구원)
2 목차 목차 3 조립 및 준비 27 바른 자세 3 제품 구성 4 제품 부품 및 버튼 설명 6 모니터 설치 6 - 스탠드 베이스 조립 6 - 스탠드 베이스 분리 7 - 스탠드 바디 분리 (벽면 설치시) 7 - 테이블에 설치 8 - 벽면에 설치 27 제품을 사용하는 바른
한국어 사용 설명서 LED LCD 모니터 사용전에 안전을 위한 주의사항을 반드시 읽고 정확하게 사용하세요. LED LCD 모니터 모델 목록 E1951S E2051S E2251S E1951T E2051T E2251T E2351T E2251VR E2351VR E2251VQ E2351VQ www.lg.com 2 목차 목차 3 조립 및 준비 27 바른 자세 3 제품
Lumbar spine
Lumbar spine CT 32 111 DOI : 10.3831/KPI.2010.13.2.111 Lumbar Spine CT 32 Received : 10. 05. 23 Revised : 10. 06. 04 Accepted : 10. 06. 11 Key Words: Disc herniation, CT scan, Clinical analysis The Clinical
12-17 총설.qxp
실감나는 3D 가상스피커 개발 사용자가 원하는 소리를 특정 공간에 선택적으로 구현해 주는 가상 스피커 시스템이 국내 연구진에 의해 개발됐다. 한국과학기술원(KAIST) 기계공학과 김양한, 최정우 교 수 연구팀은 공동으로 3차원 공간상에 자유롭게 가상스피 커를 배치할 수 있는 사운드 볼 시스템 을 개발했다. 사운 드 볼 시스템은 여러 개의 스피커를 이용해 공간상의
대표이사등의 확인, 서명 I. 회사의 개요 1. 회사의 개요 가. 회사의 법적, 상업적 명칭 당사의 명칭은 '엘아이지에이디피주식회사'('LIG에이디피주식회사'라 칭하며), 영문으 로는 'LIG ADP Co.,Ltd.'(약호 LIG ADP)라 표기합니다. 나. 설립일자
사 업 보 고 서 (제 10 기) 사업연도 2010년 01월 01일 2010년 12월 31일 부터 까지 금융위원회 한국거래소 귀중 2011년 3월 31일 회 사 명 : 엘아이지에이디피주식회사 대 표 이 사 : 허광호 본 점 소 재 지 : 경기도 성남시 상대원동 333-5 (전 화) 031-778-1114 (홈페이지) http://www.ligadp.com 작
DBPIA-NURIMEDIA
한국소음진동공학회 2015추계학술대회논문집년 Study of Noise Pattern and Psycho-acoustics Characteristic of Household Refrigerator * * ** ** Kyung-Soo Kong, Dae-Sik Shin, Weui-Bong Jeong, Tae-Hoon Kim and Se-Jin Ahn Key Words
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Synthesis and structural analysis of nano-semiconductor material 2005 2 Synthesis and structural analysis of nano-semiconductor material 2005 2 . 2005 2 (1) MOCVD ZnO (2) MOCVD gallium oxide < gallium
Analyses the Contents of Points per a Game and the Difference among Weight Categories after the Revision of Greco-Roman Style Wrestling Rules Han-bong
Analyses the Contents of Points per a Game and the Difference among Weight Categories after the Revision of Greco-Roman Style Wrestling Rules Han-bong An 1 & Kyoo-jeong Choi 2 * 1 Korea National Wrestling
semi(편집)6-10.hwp
Regular Paper J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng. Vol. 29, No. 1, pp. 6-10 January 2016 DOI: http://dx.doi.org/10.4313/jkem.2016.29.1.6 ISSN 1226-7945 (Print), 2288-3258 (Online) 광운대학교재료공학과 Effects
KEIT PD(15-8)-8.26.indd
/ KEIT PD / KEIT PD / SUMMARY Society for Information Display(SID) Display Week 2015 R&D `SID 2015' Flexible Display, E-paper, Wearables, Digital signage, Printed electronics, 275 185, (Curved), 2~3, SID
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http://kfaexpo.kr/ The 40th Korea Franchise Business Expo 2017 JUNE - Vol.23 2017 JUNE - Vol.23 2017 in Busan COVER STORY SPEACIAL REPORT GUIDE POST PEOPLE & STORY ASSOCIATION NEWS Ҷ
12-17 ??????.qxp
기획 꿈과미래를열어가는신산업기술 디스플레이의메가트랜드, 산화물 (Oxide) TFT 기술 박상희ㅣ한국전자통신연구원부품소재연구부문차세대디스플레이단산화물 TFT 연구실 Ⅰ. 서론클라우드컴퓨팅시대가열리고, 또한전자기기간의상호인터렉션이확대되고있으며, 초고속네트워크가진화해가는현재에기기와사람, 사람과사람, 그리고기기간을연결해주는디스플레이는모든생활의중심에있다고해도과언이아니다.
19(1) 02.fm
Korean J. Crystallography Vol. 19, No. 1, pp.7~13, 2008 Ÿ (ICISS) w š t w (2): t w y w œw Surface Structure Analysis of Solids by Impact Collision Ion Scattering Spectroscopy (2): Atomic Structure of Semiconductor
2005 4 Creating the future of Display and Energy Samsung SDI 2006. 1. 18 1 05 4 05 4 ( ) 19,656 22,156 + 2,500 12.7% 1,155 1,424 + 269 23.3% (%) (5.9%) (6.4%) 1,101 803-298 -27.1% (%) (5.6%) (3.6%) 1,242
특허청구의 범위 청구항 1 영상표시기기에 있어서, 외부로부터 입력되는 영상을 디스플레이하는 디스플레이 패널; 상기 디스플레이 패널 전면으로 빛을 공급하는 백라이트; 상기 백라이트에 구동 전원을 공급하는 백라이트 구동부; 적어도 하나의 밝기 조정 테이블을 저장하고 있는
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) G02F 1/133 (2006.01) G09G 3/36 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0053994 (22) 출원일자 2008년06월10일 심사청구일자 없음 전체 청구항 수 : 총 15 항 (54) 영상표시기기 및 그의 제어 방법 (11) 공개번호 10-2009-0128021
Microsoft Word - 류제현.doc;_기업분석_20050426_57.doc
Research Center 2005.4.26 에이디피 (079950) 2005년, 두 마리 토끼를 잡는다 Analyst 류제현 (02) 3774-1418 jayryu@miraeasset.com Initiate BUY Target Price 13,600원 Price(4/25) 9,840원 6개월 목표주가 13,600원, BUY 의견으로 Initiate 목표주가
Microsoft Word - 20160120225843637_2
Sector Report 216.1.21 디스플레이 16년 1월 패널가격 및 시장동향 디스플레이 (OVERWEIGHT) 종목 투자의견 목표주가 (원) LG디스플레이 BUY (M) 3 (M) What s new? 저해상도 핸드셋패널 제외한 모든 패널 가격하락 TV패널이 5~7% 하락하며 가장 큰 폭의 하락 보임 IT패널은 1~2% 하락세에 그침 용 Our view
386-390.hwp
386 HANYANG MEDICAL REVIEWS Vol. 29 No. 4, 2009 우리나라 미숙아의 통계와 의료비용 Statistics and Medical Cost of Preterm in Korea 윤혜선 을지대학교 노원을지병원 소아청소년과학교실 Hye Sun Yoon, M.D., Ph.D., Department of Pediatrics, Nowon
(Microsoft Word - 150316_\271\335\265\265\303\274_\300\314\264\326\303\326\301\276.docx)
산업분석 반도체/디스플레이 이베스트투자증권 어규진입니다. 작년부터 반도체/디스플레이 업황이 뜨겁습니다. Gate 가 부족하기 때문이죠. 반도체와 디스플레이의 수급이 타이트하다는 의미입니다. 과거 반도체/디스플레이 1 차 업황호조가 공격적인 투자집행에 따른 대규모 라인증설 때문이었다면, 금번 2 차 업황호조는 대규모 투자에 따른 과다경쟁 없이도 공정의 미세화,
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Suseong gu Council Daegu Metropolitan City www.suseongcouncil.daegu.kr Contents SUSEONG GU COUNCIL DAEGU METROPOLITAN CITY 10 www.suseongcouncil.daegu.kr 11 SUSEONG GU COUNCIL DAEGU METROPOLITAN CITY
제목 차례
목 차 Ⅰ. 인쇄전자 기술, 시장현황 및 소재 장비동향 35 1. 인쇄전자 정의 및 개요 35 1-1. 인쇄전자 정의 및 개념 35 1) 인쇄전자 정의 35 2) 인쇄전자산업의 구조와 특징 39 3) 인쇄전자 산업분류 40 (1) 소재 41 (2) 장비 41 (3) 소자 41 4) 인쇄전자의 장단점 41 (1) 인쇄전자의 장점 41 (2) 인쇄전자의 단점 42
Microsoft PowerPoint - 주간 NEWS-395회(2014.05.11) [호환 모드]
![Microsoft PowerPoint - 주간 NEWS-395회(2014.05.11) [호환 모드]](/thumbs/39/20076813.jpg "Microsoft PowerPoint - 주간 NEWS-395회(2014.05.11) [호환 모드]")
반도체 디스플레이 시장서 소재-장비 협업이 사업 성패 가른다 반도체 디스플레이 시장에서 소재 장비 간 협업이 성패를 가를 수 있는 중요한 요소로 떠올랐다. 향후 반도체 디스플레이 관련 연구개발(R&D) 프로젝트도 양대 후방 산업의 협력을 통해 시너지를 내는 방향으로 진행돼야 한다는 게 전문가들 의견이다. 11일 업계에 따르면 최근 반도체 디스플레이 시장에서
전기정보 11월(내지).qxp
463-835 경기도 성남시 분당구 야탑로 338(야탑동 191) T.(031) 724-6100(代) 등록일자 1976년 3월 18일 등록번호 서울 라 11267 www.kemc.co.kr 11 2014 통권474 Power Tech AC 직결형 LED 구동회로 설계 스마트 리뉴어블(Smart Renewable) EMS 운영 결과 분석 발전기 온라인 통합 감시진단
Ⅰ 개요 1 기술개요 1. OLED OLED(Organic Light Emitting Diodes),,,, LCD, [ 그림 ] OLED 의구조 자료 : TechNavio, Global Organic Light-emitting Diode (OLED) Materials
![Ⅰ 개요 1 기술개요 1. OLED OLED(Organic Light Emitting Diodes),,,, LCD, [ 그림 ] OLED 의구조 자료 : TechNavio, Global Organic Light-emitting Diode (OLED) Materials](/thumbs/93/113240747.jpg "Ⅰ 개요 1 기술개요 1. OLED OLED(Organic Light Emitting Diodes),,,, LCD, [ 그림 ] OLED 의구조 자료 : TechNavio, Global Organic Light-emitting Diode (OLED) Materials")
OLED 시장 연구개발특구기술글로벌시장동향보고서 2018.1 Ⅰ 개요 1 기술개요 1. OLED OLED(Organic Light Emitting Diodes),,,, LCD, [ 그림 ] OLED 의구조 자료 : TechNavio, Global Organic Light-emitting Diode (OLED) Materials Market, 2017-2 -
유기 발광 다이오드의 전하주입 효율 향상을 통한 발광효율 향상 연구
- i - - ii - - iii - - iv - - v - - vi - 그림차례 - vii - - viii - - 1 - 5). - 2 - - 3 - 유기발광다이오드 ( 고분자또는저분자 ) 무기발광다이오드 (p-n junction LED) - + cathode ETL EML HTL HIL anode 발광 두께 : 100 ~ 200 nm 양극 ( 투명전극,
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Huvitz Digital Microscope HDS-5800 Dimensions unit : mm Huvitz Digital Microscope HDS-5800 HDS-MC HDS-SS50 HDS-TS50 SUPERIORITY Smart Optical Solutions for You! Huvitz Digital Microscope HDS-5800 Contents
I. 회사의 개요 1. 회사의 개요 (1) 회사의 법적ㆍ상업적 명칭 당사의 명칭은 주식회사 이그잭스라고 표기합니다. 영문으로는 exax Inc.라 표기합니다. (2) 설립일자 당사는 1999년 장("KOSDAQ")에 상장하였습니다. 12월 22일에 설립되었으며, 200
반 기 보 고 서 (제 13 기) 사업연도 2011년 01월 01일 2011년 06월 30일 부터 까지 금융위원회 한국거래소 귀중 2011년 08월 16일 회 사 명 : (주)이그잭스 대 표 이 사 : 조근호 본 점 소 재 지 : 경상북도 구미시 공단동 310 (전 화) 054-461-7395 (홈페이지) http://www.exax.co.kr 작 성 책 임
Small-Cell 2.6 GHz Doherty 표 1. Silicon LDMOS FET Table 1. Comparison of silicon LDMOS FET and GaN- HEMT. Silicon LDMOS FET Bandgap 1.1 ev 3.4 ev 75 V
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 2016 Feb.; 27(2), 108 114. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2016.27.2.108 ISSN 1226-3133 (Print) ISSN 2288-226X (Online) Small-Cell
Analysis of objective and error source of ski technical championship Jin Su Seok 1, Seoung ki Kang 1 *, Jae Hyung Lee 1, & Won Il Son 2 1 yong in Univ
Analysis of objective and error source of ski technical championship Jin Su Seok 1, Seoung ki Kang 1 *, Jae Hyung Lee 1, & Won Il Son 2 1 yong in University & 2 Kang Won University [Purpose] [Methods]
(2) 설립일자 당사는 1999년 장("KOSDAQ")에 상장하였습니다. 12월 22일에 설립되었으며, 2002년 6월 25일에 한국거래소 코스닥시 (3) 본사의 주소, 전화번호, 홈페이지 주소 가. 본사의 주소 : 경상북도 구미시 공단동 310 나. 전화번호 : 05
분 기 보 고 서 (제 13 기) 사업연도 2011년 01월 01일 2011년 03월 31일 부터 까지 금융위원회 한국거래소 귀중 2011년 05월 16일 회 사 명 : (주)이그잭스 대 표 이 사 : 조근호 본 점 소 재 지 : 경상북도 구미시 공단동 310 (전 화) 054-461-7395 (홈페이지) http://www.exax.co.kr 작 성 책 임
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. vol. 26, no. 3, Mar (NFC: non-foster Circuit).,. (non-foster match
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 2015 Mar.; 26(3), 283 291. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2015.26.3.283 ISSN 1226-3133 (Print) ISSN 2288-226X (Online) Negative
Ⅰ. 머리말 제2차 세계대전 후 레이더의 성능을 개량하기 위해 서, 반도체 검파기의 개량이나 진공관 증폭기 반도체화 의 연구개발이 추진되어, 미국의 AT&T 벨 연구소에서 는 1939년에 레이더의 검파기로서 게르마늄 반도체 다 이오드가 발명되었다. 반도체 증폭기 개발
디스플레이용 박막 트랜지스터 기술의 이노베이션 Ⅰ. 머리말 Ⅱ. TFT 기술개발의 역사 Ⅲ. 향후의 장래 기술 전망 Ⅳ. 맺음말 유병곤 (B.-G. Yu) 박상희 (S.H. Ko Park) 황치선 (C.S. Hwang) 산화물 TFT 연구팀 책임연구원 산화물 TFT 연구팀 책임연구원 산화물 TFT 연구팀 팀장 액정 디스플레이의 산업 규모는 놀라운 속도로 확대되고
본문
Handover Gateway System: A Cell-edge Performance Booster for Next Generation Cellular Mobile Network Eui Chang Jung, Hyun Seok Ryu, Chung G. Kang Dept of Computer Electrical Engineering, Korea University
DC Link Application DC Link capacitor can be universally used for the assembly of low inductance DC buffer circuits and DC filtering, smoothing. They
DC Link Capacitor DC Link Application DC Link capacitor can be universally used for the assembly of low inductance DC buffer circuits and DC filtering, smoothing. They are Metallized polypropylene (SH-type)
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[ ] œwz, 21«6y(2008) J. of the Korean Society for Heat Treatment, Vol. 21, No. 6, (2008) pp. 300~306 š y w p x*, **Á **Áy y* * ** w œ w œw, w» gœ Solid State Diffusion Brazing of the Aluminum Alloy Castings
전기일반(240~287)
1 242 1. 1 X [][] [][] 2. 380760[nm] (luminous flux) F lumen[] U[J/S] F[lm] 243 3. [] (luminous intensity) I (candela, [cd]) 3 F[lm] x```[] I I=:::F x :`[cd] [] 4. (illuminance) E (lux, [lx]) 4 I[cd] r[m]
Electropure EDI OEM Presentation
Electro Deionization: EDI Systems. Electro Pure EDI, Inc.: High technology water tm www.cswaters.co.kr : EDI Electro Deionization 1. EDI Pure Water System? 2. EDI? 3. EDI? 4. EDI? 5. EDI? Slide 2 EDI 1.
슬라이드 1
O 2, H 2 0 2015. 1 Copyright @ Methodology 본보고서는패널업체와장비업체, 재료업체, 연구소관계자과직접인터뷰하여정보를조사하였으며, 각종전시회와컨퍼런스등에직접참석하여주최사의동의하에입수한정보를유비산업리서치가보유하고있는 10년이상의 OLED 관련 data base와함께분석하여작성되었음. 본보고서의시장전망자료는유비산업리서치의 database를토대로
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Materials Material Grades : PL Series Applicaton : Power transformer and Inductor Grades μi Freq. (MHz) Pcv 1) (Kw/ m3 ) Bs 2) (mt) Materials Characteristics PL-7 2,400 ~ 0.2 410 390 Mn-Zn Low loss PL-9
139~144 ¿À°ø¾àħ
2 139 DOI : 10.3831/KPI.2010.13.2.139 2 Received : 10. 04. 08 Revised : 10. 04. 26 Two Case Report on Wrist Ganglion Treated with Scolopendrid Pharmacopuncture Accepted : 10. 05. 04 Key Words: Wrist Ganglion,
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/..... 1) 2012, /.,. 1.1% (2010).,..,......, 1%.., (HEV), (EV). 2-4),,., 90 [(BH) max]60.,. Fig. 1. N48 Nd-Fe-B 50 Alnico 9 1/54., Nd-Fe-B. HEV, EV,,... Dy Fig. 2. 5-7) Dy, Fig. 1.. Fig. 2....,,.,. Nd-Fe-B
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. vol. 29, no. 10, Oct ,,. 0.5 %.., cm mm FR4 (ε r =4.4)
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 2018 Oct.; 29(10), 799 804. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2018.29.10.799 ISSN 1226-3133 (Print) ISSN 2288-226X (Online) Method
8-VSB (Vestigial Sideband Modulation)., (Carrier Phase Offset, CPO) (Timing Frequency Offset),. VSB, 8-PAM(pulse amplitude modulation,, ) DC 1.25V, [2
VSB a), a) An Alternative Carrier Phase Independent Symbol Timing Offset Estimation Methods for VSB Receivers Sung Soo Shin a) and Joon Tae Kim a) VSB. VSB.,,., VSB,. Abstract In this paper, we propose
DBPIA-NURIMEDIA
논문 10-35-03-03 한국통신학회논문지 '10-03 Vol. 35 No. 3 원활한 채널 변경을 지원하는 효율적인 IPTV 채널 관리 알고리즘 준회원 주 현 철*, 정회원 송 황 준* Effective IPTV Channel Control Algorithm Supporting Smooth Channel Zapping HyunChul Joo* Associate
Company Report 2014. 07. 07 N/R 현재주가 (2014/07/04) 9,960원 목표주가 (6M) -원 신건식 미디어,엔터/스몰캡 (02) 3215-7503 gsshin@bsfn.co.kr 아이원스(114810) 선명해지는 실적 개선 반도체 및 디
Sector Report 2014. 07. 07 스몰캡 하반기 주목할 만한 중소형주 4선 선명해지는 실적 개선 신건식 미디어,엔터/스몰캡 (02) 3215-7503 gsshin@bsfn.co.kr 김태봉 퀀트/스몰캡 (02) 3215-1586 tbkim0901@bsfn.co.kr [아이원스] 반도체 및 디스플레이 정밀가공 부품업체로 투자 포인트는 다음과 같다.
CX2 Camera User Guide
카메라 설명서 본 제품의 시리얼 번호는 카메라 밑면에 기재되어 있습니다. 기본 조작 카메라를 처음 사용하실 때에는 이 장부터 읽으십시오. 이 장에서는 카메라에 대한 기본적인 정보, 즉 카메라 켜는 법, 사진 촬영하 는 법, 사진 재생하는 법을 설명하고 있습니다. 상세 조작 다양한 카메라 기능에 대해 보다 자세한 정보가 필요하시다면 이 장을 읽으 십시오. 이
Contents Why YEST? Chapter 01_ Investment Highlights Chapter 02_ Growth Strategy Chapter 03_ Financial Highlights Appendix
Youngin Equipment Solution Technology Contents Why YEST? Chapter 01_ Investment Highlights Chapter 02_ Growth Strategy Chapter 03_ Financial Highlights Appendix Why YEST? 01, YEST 38.3%, YEST 580 2015
패션 전문가 293명 대상 앙케트+전문기자단 선정 2010.1 Fashionbiz CEO Managing Director Creative Director Independent Designer
READY-TO-WEAR Fashionbiz 2010.1 패션 전문가 293명 대상 앙케트+전문기자단 선정 2010.1 Fashionbiz CEO Managing Director Creative Director Independent Designer READY-TO-WEAR Fashionbiz 2010.1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 9 2010.1 Fashionbiz
Microsoft Word - IR_121010_Display_K.doc
213 년 산업별 전망 212 년 1 월 1 일 디스플레이/가전 비중확대 고부가가치 LCD 부각과 OLED 속도조절 (유지) 비중확대 유지, Top picks : LG디스플레이, 삼성SDI, LG전자 213년 삼성전자와 애플의 스마트폰과 태블릿 PC 시장 패권경쟁 강화로 고부가가치 LCD수요급증이 예상되는 바, 디스플레이 산업에 대해 비중확대 를 유지한다.
서보교육자료배포용.ppt
1. 2. 3. 4. 1. ; + - & (22kW ) 1. ; 1975 1980 1985 1990 1995 2000 DC AC (Ferrite) (NdFeB; ) /, Hybrid Power Thyrister TR IGBT IPM Analog Digital 16 bit 32 bit DSP RISC Dip SMD(Surface Mount Device) P,
인문사회과학기술융합학회
Vol.5, No.5, October (2015), pp.471-479 http://dx.doi.org/10.14257/ajmahs.2015.10.50 스마트온실을 위한 가상 외부기상측정시스템 개발 한새론 1), 이재수 2), 홍영기 3), 김국환 4), 김성기 5), 김상철 6) Development of Virtual Ambient Weather Measurement
2013년 시장 규모
R&D 전문기업 적합형 flexible display 기술 개발 조사 분석 미래창조과학부 약 문 1. 제목 : 특화된 R&D 전문기업 적합형 flexible display 기술 개발 조사 분석 2. 사업의 목적 및 필요성 현재 디스플레이 산업의 경우, LCD가 지배적이나 AMOLED를 거쳐 Flexible 한 형태로 진화할 예정 삼성 등에서 연구개발 수준의
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Development of High-efficiency Thermoelectric Devices Using Nanowires Jong Wook Roh and Woo Young Lee Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University 1. 21.. (,,,, ). (thermoelectric
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참여정부 정책보고서 2-07 차세대 성장동력산업 육성 - 미래산업 창출을 위한 블루오션 전략 - 2008 작성중인 초안자료 안보전략비서관: 박 선 원 행정관: 김 호 홍 외교부 북핵외교기획단 북핵정책과 : 손 창 호 발 간 사 참여정부가 혁신과 통합을 표방하며 출범한 지 5년, 이제 그 성과와 한계에 대한 스스로의 평가를 국민들 앞에 내놓을
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5 TV 43) 1. TV 211 1.1 TV 211 1.2 TV 212 2. TV 213 2.1 TV 213 2.2 218 2.3 220 3. TV 221 3.1 2003 221 3.2 224 4. TV 226 4.1 ITTV 226 4.2 TV 228 230 1. TV 1.1 TV TVTV. TV TV, SD( )HD() 40) TV. CRT( ), TFT-LCD(
Microsoft Word - 1-차우창.doc
Journal of the Ergonomics Society of Korea Vol. 28, No. 2 pp.1-8, May 2009 1 하이브리드 환경하의 인간기계시스템 제어실 평가에 관한 연구 차 우 창 김 남 철 금오공과대학교 산업시스템공학과 A Study of the Evaluation for the Control Room in Human Machine
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Digital TV 2004.9 sgkwon@empal.com 1.... 1 2. DIGITAL TV?... 1 3.... 2 3.1.... 2 3.1.1.... 2 3.1.2.... 3 3.1.3.... 5 3.1.4.... 6 3.1.5.... 7 3.2.... 9 3.2.1. DTV... 9 3.2.2. DTV... 10 3.2.3. DTV... 10
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J. of the Korean Sensors Society Vol. 18, No. 1 (009) pp. 8 3 VO w PCM yá Á Á Ÿ Built-in protection circuit module by using VO temperature sensors K. H. Song, J. B. Choi, M. W. Son, and K. S. Yoo Abstract
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표면물리 분야에서의 전자구조 계산 홍 석 륜 들어가기 - 표면물리 계산분야의 중요성 20세기 말부터 정보통신의 중요성이 크게 인식되면서 그 기반 을 제공하는 반도체소자에 대한 연구가 더욱 중요하게 되었 다. [1,2] 정보통신사회를 지향해 나가고 있는 현대 산업사회에서는 더욱 많은 양의 정보를 더욱 빠른 속도로 처리, 저장, 전달할 필요 성이 증가되어 왔고,
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TCAD: SUPREM, PISCES 김영석 충북대학교전자정보대학 2012.9.1 Email: kimys@cbu.ac.kr k 전자정보대학김영석 1 TCAD TCAD(Technology Computer Aided Design, Technology CAD) Electronic design automation Process CAD Models process steps
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Industry Brief Analyst 지목현 (6309-4650) mokhyun.ji@meritz.co.kr 2012. 01. 16 Overweight Top pick LG디스플레이(034220) Buy, TP 32,000원 가전전자부품/디스플레이 CES 2012 탐방 후기: Welcome OLED, Bye LCD! 결론: OLED 확산 가속화 예상. Top
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Trend and issues of the bulk FinFET Jong-Ho Lee and Kyu-Bong Choi FinFETs are able to be scaled down to 22 nm and beyond while suppressing effectively short channel effect, and have superior performance
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Regular Paper 961 J. KIEEME Vol. 23, No. 12, pp. 961-965, December 2010 DOI: 10.4313/JKEM.2010.23.12.961 다양한기판온도에서증착된투명전도성 IGZO 박막의특성 김미선 1, 김동영 1, 서성보 1, 배강 1, 손선영 1, 김화민 1,a 1 대구가톨릭대학교전자공학과 Properties
歯김유성.PDF
BIT/ST/LSCO/MgO Variations of Microstructures and Electrical Properties of BIT/ST/LSCO/MgO Epitaxial Films by Annealing 2003 2 BIT/ST/LSCO/MgO Variations of Microstructures and Electrical Properties of
Contents SKKU OASIS' News 03 인사말 04 사진으로 읽는 뉴스 SKKU RIS-RIC의 2014년 08 방문을 환영합니다! 10 인물포커스 반도체&MEMS팀 김윤식 팀장 14 참여기관 탐방 반월도금사업협동조합 Cover Story 5월 15일(목)
성균관대학교 스마트부품 도금산업 고부가가치화 지원사업단(RIS) 정보통신용 신기능성 소재 및 공정연구센터(RIC) SKKU OASIS' News 2014년 6월, Vol.13_No. 발행일 2014년 6월 발행인 서수정 발행처 성균관대학교 RIS-RIC (경기도 수원시 장안구 서부로 2066 제1종합연구동 4층) TEL 031-290-5640 FAX 031-290-5644
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Original Article Experiences of Unwed Mothers Choi, Yang-Ja 1) Kim, Kwuy-Bun 2) 1) Professor, Redcross College of Nursing, 2) Professor, Kyung Hee University, College of Nursing Science 1) 2) 1) 2) Purpose:
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Journal of the Korean Ceramic Society Vol. 44, No. 2, pp. 93~97, 2007. Preparation of High Purity Si Powder by SHS Chang Yun Shin, Hyun Hong Min, Ki Seok Yun, and Chang Whan Won Engineering Research Center
목원 한국화- 북경전을 준비하며 지난해부터 시작 된 한국의 목원대학교 한국화 전공의 해외미술체험은 제자와 스승의 동행 속에서 미술가로 성장하는 학생들의 지식에 샘을 채워주는 장학사업으로 진행되고 있으며, 한국의 우수한 창작인력 양성을 위해, 배움을 서로 나누는 스승들의
K o r e a n P a i n t i n g F i n e A r t s D e p t. A r t C o l l e g e M o k w o n U n i v e r s i t y 목원대학교 미술대학 한국화전공 우수창작인력양성 특성화장학생-제2차 해외미술체험 陌生的眼神看 展ː 望 목 원 한 국 화 -Beijing을 걷다- Korean Painting
Alloy Group Material Al 1000,,, Cu Mg 2000 ( 2219 ) Rivet, Mn 3000 Al,,, Si 4000 Mg 5000 Mg Si 6000, Zn 7000, Mg Table 2 Al (%
http://wwwtechnonetcokr (Aluminum & Aluminum BasedAlloy) : LG 1 Aluminum Table 1, 2 1000 7000 4 Al 990% Al 1XXX AlCu 2XXX AlMn 3XXX AlSi 4XXX AlMg 5XXX AlMgSi 6XXX AlZn(Mg, Cu) 7XXX 8XXX ( ) 9XXX Fig 1
5 34-1 5 TEL (02)458-3078, 3079 / FAX (02)458-3077 Homepage http://www.kiche.or.kr / E-mail : kiche@kiche.or.kr NICE NICE NICE O A - 1 P - 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 O