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많이 이용하는 라면,햄버그,과자,탄산음료등은 무서운 병을 유발하고 비만의 원인 식품 이다. 8,등겨에 흘려 보낸 영양을 되 찾을 수 있다. 도정과정에서 등겨에 흘려 보낸 영양 많은 쌀눈과 쌀껍질의 영양을 등겨를 물에 우러나게하여 장시간 물에 담가 두어 영양을 되 찾는다

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특허청구의범위청구항 1 콘크리트전주의균열이발생한둘레면을감싸는메인시트 ; 상기메인시트와상기콘크리트전주의사이에개재되는타공성섬유시트 ; 상기메인시트의상하전면에접하는플레이트와, 상기플레이트에형성되어상기플레이트의둘레를조임으로써상기메인시트를상기콘크리트전주측으로가압하는클립밴드와,

특허청구의 범위 청구항 1 앵커(20)를 이용한 옹벽 시공에 사용되는 옹벽패널에 있어서, 단위패널형태의 판 형태로 구성되며, 내부 중앙부가 후방 하부를 향해 기울어지도록 돌출 형성되어, 전면이 오 목하게 들어가고 후면이 돌출된 결속부(11)를 형성하되, 이 결속부(11

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명세서청구범위청구항 1 일단이아래로경사지게형성되고타단의측면은제 1 링크 (11) 및제 2 링크 (12) 를갖는원형링크 (13) 의상기제 2 링크에연결되고상기원형링크를매개로회전가능한사용자의안착을위한좌석 (10); 일단이상기좌석의일단과상응하게아래로경사지게형성되고제 3 링크

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1. REACTOR TAP 90% 로변경, 제작공급한사유 - 고객요청사항은 REACTOR 80% 운전기준임. - 삼성테크윈에서사용하는표준 REACTOR 사양은 80%, 75%, 70% 로 STARTER 도면은표준사양으로제출됨. - 동프로젝트용모터사양서 / 성적서확인결과

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(72) 발명자 김화용 서울특별시관악구봉천 2 동동아아파트 109 동 803 호 강병희 서울특별시관악구봉천 11 동 번지미림연립 305 호 - 2 -

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특허청구의 범위 청구항 1 고유한 USB-ID를 가지며, 강제 포맷이나 프로그램 삭제가 불가능한 CD영역과 데이터의 읽기, 쓰기가 가능한 일 반영역으로 분할되어 있고 상기 CD영역에 임산부 도우미 프로그램이 임산부 PC(200)에 연결되면 자동 설치 및 실행되게 탑재된

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..액추에이터청정화기기모듈러F압력센서10-M series 미니어처피팅 구조도 바브 튜브삽입이용이한형상또한, 튜브유지가확실 몸체 무전해니켈도금처리 가스켓 가벼운체결토크확실한 Seal 사양 호스니플 튜브 봉투너트 손체결로튜브유지가확실또한, 느슨하게함으로써튜브이탈이용이무전해

(b) 연산증폭기슬루율측정회로 (c) 연산증폭기공통모드제거비측정회로 그림 1.1. 연산증폭기성능파라미터측정회로

브와 IP 인터콤의연결만으로시스템이간편하고용이하게확장될수있어확장성이증대되고, 특히선박에적용되어종래의 PA/GA 시스템구축에필요한많은전선에대한비용의절감과전선무게절감에의한선박중량감소로유류비의절감이도모될수있는기술적특징을갖는다. 본발명에따른이더넷기반 PA/GA 용인터콤스테이션

특허청구의범위청구항 1 알루미늄으로구성된내층및구리로구성된외층의이중층으로구성되되, 장측의구리층두께 (a) 가단측의구리층두께 (b) 보다작은사각바 (bar) 형으로, 구리대알루미늄의중량비가 10:90 내지 30:70인것을특징으로하는복합금속부스바. 청구항 2 제 1항에있어서

명세서 기술분야 본 발명은 2차 전지로부터 유가( 有 價 ) 금속을 회수하는 방법에 관한 것이며, 상세하게는, 폐( 廢 )리튬 이온 전지 및 리튬 이온 전지의 제조 불량품에 함유되는 코발트를 회수하는 리튬 이온 전지내의 코발트 회수 방법 및 코발트 회수 시스템에 관한

(72) 발명자 강경태 서울서초구반포본동반포주공아파트 110 동 105 호 이상호 서울관악구봉천 9 동 윤규영 인천남구용현동 신권용 서울구로구천왕동천왕이펜하우스 6 단지 601 동 1203 호 이발명을지원한국가연구개발사업 과제고유번호 ES-1

도 1 특허청구의범위 청구항 1. 자성금속박막을형성하는단계 ; 상기자성금속박막위에알루미늄을증착하는단계 ; 증착된상기알루미늄위에자성금속을증착하여알루미나이드박막을형성하는단계 ; 그리고 상기알루미나이드박막위에자성금속박막을증착하는단계로이루어지고, 상기자성금속은 Co, Fe 및

등록특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) E03B 11/10 ( ) B01D 35/02 ( ) E03B 11/02 ( ) (52) CPC 특허분류

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도 3 은 본 발명에 따른 제거수단을 보인 사시도 도 4 는 본 발명에 따른 제거수단의 해파필터와 카본필터의 구성을 보인 개략단면도 <도면의 주요부분에 대한 부호의 설명> (1) : 케이싱 (1a) : 천연음이온 도료 (2) : 제거수단 (3) : UV살균장치 (4)

(72) 발명자 장승엽 경기 수원시 장안구 천천동 비단마을 베스트타운 740동 1702호 정원석 경기 용인시 기흥구 보정동 죽현마을 I-Park 208동 1802호 - 2 -

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(72) 발명자 김진근 울산광역시울주군삼남면가천리 818 삼성 SDI( 주 ) 김기민 울산광역시울주군삼남면가천리 818 삼성 SDI( 주 ) - 2 -

(72) 발명자 오인환 서울 노원구 중계로 195, 101동 803호 (중계동, 신 안동진아파트) 서혜리 서울 종로구 평창14길 23, (평창동) 한훈식 서울 강남구 언주로71길 25-5, 301호 (역삼동, 영 훈하이츠) 이 발명을 지원한 국가연구개발사업 과제고유번호

<30392DB1B3C1A45FBCF6C1A42DB1E8C3B6C8F E687770>

특허청구의범위청구항 1 환경미화에사용되는청소차량의배기통의열을이용해가열매체를가열시키는상기배기통을감싸도록형성되는히팅관 ; 상기청소차량수거함에발생되는오수의결빙을방지할수있도록상기히팅관을통해가열된공기로이루어진가열매체의열을상기수거함으로전달하는가열부 ; 상기가열매체가상기히팅관에서가

은힌지결합부측의세로프레임 (12) 에요홈 (13) 이형성되고, 반대편의세로프레임 (14) 에는문짝 (20) 의날개부 (21) 가수용되는단턱 (15) 이형성되되상기날개부 (21) 는문짝 (20) 의외판 (22) 과동일평면을이루고, 상기단턱 (15) 의내측에는문짝 (20)

실험 5

명세서청구범위청구항 1 갠트리의헤드로부터방사선을조사하는선형가속기에사용되고, 상기헤드에설치되고, 방사선이조사되는환자의치료중심을향해레이저를쏘고환자의체표면에서반사된레이저를감지하여환자의체표면까지의거리를측정하는레이저거리측정기 ; 상기레이저거리측정기의데이터를수신하여 SSD(sou

특허청구의 범위 청구항 1 외형이 육면체이며 원통 공으로 관통된 한쪽의 중앙부에 원형 공보다 직경이 더 큰 스플라인 홈이 설치되며, 원 통공의 축 중심과 직각방향으로 양쪽에 원통 홈이 설치되고, 원통 홈의 중간부에 상, 하로 핀 홀이 설치된 스플 라인 너트(01)와,

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Ⅳ. 알루미늄합금규격및제성질 358

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실용신안 등록청구의 범위 청구항 1 터치스크린이 구비된 휴대 단말기용 케이스에 있어서, 바닥편(2)과 덮개편(3)이 절첩편(4) 사이에 일체 형성된 플립형 케이스(1); 상부에 단말기(M) 몸체가 수납 고정되고 저면이 상기 바닥편(2)에 점착 고정되는 하드케이스(7);

(72) 발명자 권용남 경상남도 창원시 남양동 성원1차아파트 111동 502 호 김상우 경상남도 창원시 성산구 원이대로878번길 7, 재료 연구소 아파트 208호 (가음동) 김지훈 경상남도 창원시 성산구 원이대로878번길 7, 재료 연구소아파트 508호 (가음동) 이광

마이크로, TAS, 패키지, 범프, 관통홀 명세서 도면의 간단한 설명 도 1은 종래 기술에 따른 외부의 압력을 센싱하는 압력센서 패키지의 단면도 도 2a와 2b는 본 발명에 따라 마이크로 타스(TAS, Total Analysis System)칩이 실장된 패키지 단면도

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Microsoft Word - PLC제어응용-2차시.doc

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(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) H01M 2/30 (2006.01) H01M 2/26 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-0039503 (22) 출원일자 2010 년 04 월 28 일 심사청구일자 2010 년 04 월 28 일 (65) 공개번호 10-2011-0120022 (43) 공개일자 2011 년 11 월 03 일 (56) 선행기술조사문헌 KR1020020043258 A* KR1020080107047 A* * 는심사관에의하여인용된문헌 (45) 공고일자 2012년03월27일 (11) 등록번호 10-1124964 (24) 등록일자 2012년03월02일 (73) 특허권자 주식회사이아이지 충남천안시직산읍모시리제 4 차지방산업단지 16-1 블럭 (72) 발명자 김지수 서울특별시관악구난향동관악산휴먼시아아파트 104 동 2001 호 조명훈 경기도안성시공도읍진사리우림아파트 108 동 904 호 (74) 대리인 김태선전체청구항수 : 총 7 항심사관 : 김연경 (54) 발명의명칭이차전지의양극리드또는음극리드를외부부재와연결하는방법 (57) 요약 본발명은양극판 / 분리막 / 음극판구조의스택형또는스택 / 폴딩형전극조립체 ; 상기전극조립체를구성하는각각의양극판및음극판에전기적으로연결된양극탭및음극탭 ; 상기양극탭및음극탭이각각적층되어전기적으로연결된양극리드및음극리드 ; 및 상기양극리드및음극리드의일부가외부로돌출하도록상기전극조립체를수납하는케이스를포함하여이루어진이차전지의상기양극리드또는음극리드를외부부재와연결하는방법에있어서, 상기양극리드또는음극리드와상기외부부재는 SEAM 용접방식으로연결되는것인이차전지의양극리드또는음극리드를외부부재와연결하는방법을제공한다. 대표도 - 도 1-1 -

특허청구의범위청구항 1 양극판 / 분리막 / 음극판구조의스택형또는스택 / 폴딩형전극조립체 ; 상기전극조립체를구성하는각각의양극판및음극판에전기적으로연결된양극탭및음극탭 ; 상기양극탭및음극탭이각각적층되어전기적으로연결된양극리드및음극리드 ; 및상기양극리드및음극리드의일부가외부로돌출하도록상기전극조립체를수납하는케이스를포함하여이루어진이차전지의상기양극리드또는음극리드를외부부재와연결하는방법에있어서, 상기양극리드또는음극리드와상기외부부재는 SEAM 용접방식으로연결되고, 상기양극리드는알루미늄또는알루미늄합금을함유하는심재와상기심재를둘러싸는금속도금층으로이루어지고, 상기음극리드는알루미늄, 알루미늄합금, 구리또는구리합금중어느하나를함유하는심재와상기심재를둘러싸는금속도금층으로이루어진것을특징으로하는이차전지의양극리드또는음극리드를외부부재와연결하는방법. 청구항 2 제 1항에있어서, 상기양극리드또는상기음극리드를상기외부부재와 SEAM 용접시사용되는인가전류가 100A 내지 7000A인것을특징으로하는이차전지의양극리드또는음극리드를외부부재와연결하는방법. 청구항 3 제 1 항에있어서, 상기양극리드또는상기음극리드를상기외부부재와 SEAM 용접시용접부의폭은 0.5mm 내지 5mm이고, 상기용접부의길이는 1mm 내지 300mm인것을특징으로하는이차전지의양극리드또는음극리드를외부부재와연결하는방법. 청구항 4 제 1 항에있어서, 상기양극리드또는상기음극리드를상기외부부재와 SEAM 용접시용접부의용접오버랩이 30% 내지 90% 인것을특징으로하는이차전지의양극리드또는음극리드를외부부재와연결하는방법. 청구항 5 제 1항에있어서, 상기양극리드또는상기음극리드를상기외부부재와 SEAM 용접시발생하는열을발산시키기위하여수냉식또는공냉식칠러 (Chiller) 를사용하는것을특징으로하는이차전지의양극리드또는음극리드를외부부재와연결하는방법. - 2 -

청구항 6 삭제청구항 7 삭제청구항 8 제 1항에있어서, 상기금속도금층은니켈, 니켈합금, 철및서스로구성된그룹으로부터선택되는금속으로이루어진것을특징으로하는이차전지의양극리드또는음극리드를외부부재와연결하는방법. 청구항 9 제 8 항에있어서, 상기금속도금층의두께가 1μm내지 20μm이고, 상기금속도금층을포함하는양극리드또는음극리드전체의두께는 10μm내지 5mm인것을특징으로하는이차전지의양극리드또는음극리드를외부부재와연결하는방법. 명세서 [0001] 기술분야본발명은이차전지의양극리드또는음극리드를외부부재와연결하는방법에관한것으로, 보다구체적으로전극조립체를수납하는케이스를포함하여이루어진이차전지의양극리드또는음극리드와외부부재가 SEAM 용접방식으로연결되는것을특징으로하는이차전지의양극리드또는음극리드를외부부재와연결하는방법에관한것이다. [0002] [0003] 배경기술통상적으로, 이차전지 (secondary battery) 는충전이불가능한일차전지와는달리, 충전및방전이가능한전지를말하는것으로서, 셀룰러폰, 노트북컴퓨터, 캠코더등의첨단전자기기분야에서널리사용되고있다. 이차전지는여러가지형상으로제조되고있는데, 대표적형상으로는원통형과각형, 파우치형을들수있다. [0004] 이중파우치형이차전지는전극조립체와, 이전극조립체를수납하는케이스를포함하여이루어진다. 상기전극조립체는전기를발생하는전지부와, 이전지부의양극및음극과각각전기적으로연결된양극탭과음극탭및이탭들이적층되어각각전기적으로연결되고그일부가상기케이스외부로돌출된양극리드와음극리드를구비한다. 외부로돌출된양극리드및음극리드는보호회로기판같은외부소자의양극및음극단자와각각전기적으로결합하여상기전지부에서발생한전기를외부로인출하는역할을한다. [0005] [0006] [0007] 그런데, 종래의이차전지의음극리드는통상니켈또는니켈을도금한구리를사용하여납땜이용이하지만, 기존의양극리드는알루미늄재질로서납땜이불가능하고염수에잘부식되는문제가있었다. 이에따라, 양극리드와외부부재의양극단자를직접납땜하지못하고, 알루미늄과니켈을압연하여만든알루미늄-니켈클래드를매개로하여양극리드와외부부재의양극단자를연결하고있다. 따라서, 별도의부품을제조하여부품들을서로연결하여야하므로, 전지의제조시간및제조단가가상승하는문제가있었다. 나아가, 필요로하는전지의용량이커져여러개의전지를직렬혹은병렬구조로연결하여사용하여야할경우, 상기양극탭의비효율적인접합문제는생산성과직결되는사항이된다. 더욱이, 최근에는전기자동차의전원으로서고출력의전지가사용되는경우나기타다양한환경에서전극리드의내식성이더욱요구되는실정 - 3 -

이다. [0008] 이에고출력이요구되는전지의집전방법으로서적합한방법으로융접 ( 融接 ) 인용접이주목받고있다. 용접은압력이나용가재를사용하거나사용없이적정온도로열을가하여 2개이상의금속재료를접합시키는기술로, 용접방법으로는종래부터레이저용접법, 초음파용접법, 저항용접법의방법이알려져있다. 3 종류의용접방법에는일장일단이있지만, 생산성및경제성을고려하면금속간용접법으로널리사용되고있는저항용접법이가장뛰어나다. [0009] [0010] 저항용접법은접합에필요한열이접합부의전기저항으로접촉면에발생하게하는용접법으로, 용접은양쪽에 1개씩있는두전극로울러를통해접합부에가해지는힘과함께저전압? 고전류전원을사용하여비교적짧은시간 ( 보통 0.2초 ) 사이에이루어진다. 저항용접법은다시 4가지로분류되는데, 그중점용접 (spot welding) 은겹쳐진박판위에일정한간격으로점을형성하며, 접합강도는용접의횟수와크기에따라결정된다. 심용접 (seam welding) 은일련의겹침점이나연속이음매를만들기위해접합부에연속적으로전류펄스를가하는연속용접이다. 이방법은점용접으로는불충분한컨테이너나구조물에사용된다. 이밖에모재의한쪽또는양쪽에작은돌기를만들어이부분에대전류와압력을가하는프로젝션용접 (projection welding), 용접할부분을고정시키고양끝을서서히접근시킨뒤이를분리시키면서아크나불꽃을일으키는플래시용접 (flash welding) 등이있다. [0011] 기존단위전지내에서양극및음극리드의전기적연결은점용접 (spot welding) 방식을사용하는것이일반적 이었다. 그런데점용접방법을사용하여접합할경우, 접합부의내구성이떨어져외부의진동또는충격에의 하여쉽게파손되고, 접합성이약하여고율방전에서열이발생하여고출력이불가능하다는문제점이있었다. 발명의내용 [0012] 해결하려는과제상기와같은문제점을해결하기위하여본발명은양극리드또는음극리드와외부부재를 SEAM 용접방식으로접합하는방식으로저항을최소화하여고출력을가능하게하고, 외부의진동또는충격하에서도접합성을유지하여고신뢰성및고안전성을구비하는이차전지의양극리드또는음극리드를외부부재와연결하는방법을제공하는것을그목적으로한다. [0013] [0014] [0015] [0016] [0017] [0018] 과제의해결수단상기의목적을달성하기위하여, 본발명에따른이차전지의양극리드또는음극리드를외부부재와연결하는방법은양극판 / 분리막 / 음극판구조의스택형또는스택 / 폴딩형전극조립체 ; 상기전극조립체를구성하는각각의양극판및음극판에전기적으로연결된양극탭및음극탭 ; 상기양극탭및음극탭이각각적층되어전기적으로연결된양극리드및음극리드 ; 및상기양극리드및음극리드의일부가외부로돌출하도록상기전극조립체를수납하는케이스를포함하여이루어진이차전지의상기양극리드또는음극리드를외부부재와연결하는방법에있어서, 상기양극리드또는음극리드와상기외부부재는 SEAM 용접방식으로연결되는것이다. [0019] 본발명에있어서, 상기양극리드또는상기음극리드를상기외부부재와 SEAM 용접시사용되는인가전류가 100A 내지 7000A 인것을특징으로한다. - 4 -

[0020] 본발명에있어서, 상기양극리드또는상기음극리드를상기외부부재와 SEAM 용접시용접부의폭은 0.5mm 내 지 5mm 이고, 용접부의길이는 1mm 내지 300mm 인것을특징으로한다. [0021] 본발명에있어서, 상기양극리드또는상기음극리드를상기외부부재와 SEAM 용접시용접부의용접오버랩이 30% 내지 90% 인것을특징으로한다. [0022] 본발명에있어서, 상기양극리드또는상기음극리드를상기외부부재와 SEAM 용접시발생하는열을발산시키 기위하여수냉식또는공냉식칠러 (Chiller) 를사용하는것을특징으로한다. [0023] 본발명에있어서, 상기양극리드는알루미늄또는알루미늄합금을함유하는심재와상기심재를둘러싸는금 속도금층으로이루어진것을특징으로한다. [0024] 본발명에있어서, 상기음극리드는알루미늄, 알루미늄합금, 구리또는구리합금중어느하나를함유하는심 재와상기심재를둘러싸는금속도금층으로이루어진것을특징으로한다. [0025] 본발명에있어서, 상기금속도금층은니켈, 니켈합금, 철및서스로구성된그룹으로부터선택되는금속으로 이루어진것을특징으로한다. [0026] 본발명에있어서, 상기금속도금층의두께가 1 μm내지 20 μm이고, 상기금속도금층을포함하는양극리드또 는음극리드전체의두께는 10 μm내지 5mm 인것을특징으로한다. [0027] 발명의효과본발명에의하면외부의진동또는충격하에서도접합성을유지하여고신뢰성및고안전성을구비하며, 저항을최소화하여열발생을줄여고출력을가능하게하는이차전지의양극리드또는음극리드를외부부재와연결하는방법을제공할수있다. [0028] 도면의간단한설명 도 1 은본발명의일실시예에따른이차전지의측면도이다. 도 2는본발명의일실시예에따른이차전지의양극또는음극리드와외부부재가연결된것을나타내는도면이다. 도 3은본발명의일실시예에따른이차전지와외부부재를나타내는사시도이다. 도 4는본발명의일실시예에따른이차전지의정면도이다. 도 5는본발명의일실시예에따른이차전지의양극또는음극리드와외부부재가용접되는부분을나타내는도면이다. 도 6은실험예 1에따른인장강도측정결과 (a) 비교예 1, (b) 비교예 2,3, (c) 실시예 1,2,3을나타내는그래프이다. 도 7은실험예 2에따른방전전류에따른온도측정결과 (a) 온도변화 1, (b) 온도변화 2, (c) 온도변화 3, (d) 온도변화 4를나타내는그래프이다. - 5 -

[0029] 발명을실시하기위한구체적인내용 이하에서는, 본발명이속하는기술분야에서통상의지식을가진자가본발명을용이하게실시할수있도록하 기위하여, 본발명의바람직한실시예들에관하여첨부된도면을참조하여상세히설명하기로한다. [0030] 이차전지는양극 / 분리막 / 음극구조의전극조립체가어떠한구조로이루어져있는지에따라분류될수있는바, 대표적으로소정크기의단위로절취한다수의양극과음극들을분리막을개재한상태로순차적으로적층한스택형 ( 적층형 ) 전극조립체, 소정단위의양극과음극들을분리막을개재한상태로적층한바이셀 (Bi-cell) 또는풀셀 (Full cell) 들을권취한구조의스택 / 폴딩형전극조립체로구분된다. [0031] [0032] 본발명은도 1에서볼수있는바와같이, 상기전극조립체 (10), 전극조립체를구성하는각각의양극판및음극판들로부터연장되어전기적으로연결된양극탭및음극탭 (20), 상기양극탭및음극탭이적층되어각각전기적으로연결된양극리드및음극리드 (30) 및상기양극리드및음극리드의일부가외부로돌출하도록상기전극조립체를수납하는케이스 (40) 를포함하여이차전지모듈이이루어진다. 상기와같은이차전지는외부로양극및음극리드가돌출되어있는바, 상기양극및음극리드가외부부재 (50) 와전기적으로연결되면서전지부에서발생한전기를외부로인출한다. 본발명은상기와같이양극리드또는음극리드를외부부재와연결하는방법에있어서, 상기양극리드또는음극리드와상기외부부재가 SEAM 용접방식으로연결되는방법을제공한다. [0033] [0034] 본발명에있어서 SEAM 용접은원형의전극로울러를회전시켜, 전극로울러와피용접물간발생하는저항열에의한점용접을연속적으로행하는용접법이다. 구체적으로, 양극리드또는음극리드와외부부재의일측변을서로중첩한후, 2개의전극로울러로가압하여로울러사이로전류를흐르게한다 ( 가압통전 ). 이후전극로울러를회전하여중첩부위를따라통과시키면서그때의저항열에의해두소재사이에너게트 (nugget), 즉용접금속을형성시켜연속적으로점용접을행하는방법으로, 측변부를따라하나의연속된선모양의용접부가나오게끔한다. [0035] 이때사용되는인가전류는 100A 내지 7000A인것이바람직하나, 반드시이에한정되는것은아니다. SEAM 용접은전극로울러와피용접물간발생하는저항열에의하여용접되는것인바, 전류가너무적으면소재간겹침부분에서너게트 (nugget) 가충분히형성되지않아용접이되지않고, 전류가너무크면불꽃이심하게발생되어전극로울러를손상시키고용접부가취약하게되어용접부파열의우려가있기때문에인가전류를제어하는것이바람직하다. [0036] 상기양극리드와음극리드의주를이루는심재는통상양극및음극리드에사용되는재료이면어떤것이라도사용할수있으며, 특별히한정되는것은아니다. 이차전지전극리드의재료로는저저항화를실현하기위해통상구리 ( 구리합금 ) 또는알루미늄 ( 알루미늄합금 ) 이사용되나, 구리 ( 구리합금 ) 및알루미늄 ( 알루미늄합금 ) 은그특성상전기저항이작고열전도율이크기때문에용접하기위해서는매우큰에너지가필요하게된다. 따라서본발명에있어서는도 2에도시된바와같이, 양극리드는알루미늄또는알루미늄합금을함유하는심재 (31) 와상기심재를둘러싸는금속도금층 (32) 으로이루어지는것이바람직하다. 상기음극리드또한알루미늄, 알루미늄합금, 구리또는구리합금중어느하나를함유하는심재 (31) 와상기심재를둘러싸는금속도금층 (32) 으로이루어진것이바람직하다. 저항용접이가능하기위해서는피용접물의재질강도가충분히높아야하는바, 기존에전극리드에사용되었던재료자체만의강도는약하기때문에, 전극리드상에금속도금층을입혀서저항용접이가능하게한것이다. [0037] 상기양극리드및음극리드의심재를둘러싸는금속도금층 (32) 은양극및음극모두니켈, 니켈합금, 철및 서스로구성된그룹으로부터선택되는금속으로이루어지는것이바람직하나, 반드시이에한정되는것은아니 - 6 -

다. [0038] 상기금속도금층은두께가 1μm내지 20μm인것이바람직하며, 이금속도금층이도포된양극리드또는음극리드전체의두께는 10μm내지 5mm인것이바람직하다. 전극리드의두께를증가시키면, 자체강도증가와, 전류인가에따른저항감소또는발열효과의증대를기대할수있으나, 전극리드의모서리가직선절곡된구조로형성되어전극탭과전극단자의접속시찢김현상을유발하거나, 용접특성에악영향으로작용하여전지효율을저하시킬수있기때문이다. [0039] 상기외부부재 (50) 는이차전지와전기적으로연결되는모든부재를말한다. 예를들면보호회로기판같은 외부소자의양극및음극단자, 외부기기의연결단자, Fe 또는 Fe 합금, Cu 또는 Cu 합금, Ni 또는 Ni 합금등으 로된금속판자체일수있다. [0040] [0041] SEAM 용접시최적의용접조건은소재의강종과두께에따라결정된다. 상술한소재로양극리드및음극리드를구비할경우, SEAM 용접시전극로울러가가압통전하는부위인용접부 (60) 의폭은 0.5mm 내지 5mm이고, 용접부의길이는 1mm 내지 300mm이며, 용접부의용접오버랩 (61) 은 30% 내지 90% 일때최적의인장강도 (Tensil strength) 를얻을수있다. 가압되는용접부의아래에용접금속 (Nugget) 이형성되며, 이작은용접금속을연석시키거나또는복수층으로중복시킴에따라서소망하는범위에서소망하는두께의오버랩 (overlap) 용접이가능하다. 즉, 용접오버랩 (overlap) 은용융된금속이모재면에중복되어덮쳐진상태를말한다. 간헐적으로통전시키는용접동작을되풀이하여용접금속을다수연속시키거나또는중복시켜서필요한범위에걸쳐서필요한두께의점형상, 선형상또는면형상의용접오버랩을얻는다. [0042] 또한, 상기 SEAM 용접을진행하는동안발생하는열을외부로발산시키기위하여수냉식또는공냉식칠러 (Chiller) 를사용하여냉각시킬수도있다. [0043] 이러한 SEAM 용접을활용하여전류의집전효과를높일수있으며, 여타빔 (BEAM) 용접과는달리고가의용접기가필요하지않고제조기술도간단하다는장점이있다. 특히, 타용접법및점용접법에비하여용접부가연속적으로이어지므로, 접합부의강도가크게개선되어접합성이증가하고, 이에따라저항이작아져열발생이억제되므로고출력이가능해진다. [0044] 이하, 실시예를통하여본발명을보다상세히설명하고자한다. 본실시예는본발명을보다구체적으로설명 하기위한것이며, 본발명의범위가이들실시예에한정되는것은아니다. [0045] [0046] [0047] [0048] < 실시예 1> 스택형전극조립체에본발명에따른이차전지의양극리드또는음극리드를외부부재와연결하는방법을사용하여이차전지와연결된외부부재를제조하였다. 먼저, 도 1에서볼수있는바와같이, 양극리드의심재 (31) 로서알루미늄합금을, 음극리드의심재 (31) 로서구리합금을사용하고, 각각을니켈합금으로된둘러쌓아금속도금층 (32) 을제조하였다. 상기양극리드및음극리드의금속도금층의두께는약 10μm이고, 금속도금층을포함한양극리드및음극리드전체의두께는 4mm가되도록하였다. 외부부재 (50) 로서 Fe 또는 Fe합금, Cu 또는 Cu합금, Ni 또는 Ni합금으로된가로 50mm, 세로 30mm의크기의금속판을사용하였다. 상기금속도금층으로둘러쌓인양극리드및음극리드와상기금속판을중첩하여놓고, SEAM 용접으로접합시켰다. 용접시인가전류로서 3000A를인가하여, 폭 2mm 및길이 20mm, 오버랩 (Overlap) 30% 인용접부를형성하도 - 7 -

록하였다. [0049] [0050] < 실시예 2> 본실시예는상기실시예 1 과모든조건을동일하게하나, 상기용접부의오버랩 (Overlap) 이 60% 가되게 하였다. [0051] [0052] < 실시예 3> 본실시예는상기실시예 1 과모든조건을동일하게하나, 상기용접부의오버랩 (Overlap) 이 90% 가되게 하였다. [0053] [0054] < 비교예 1> 본비교예는상기실시예 1 과모든조건을동일하게하나, 상기 SEAM 용접대신점용접 (Spot Welding) 을실시 하였으며, 점의크기는 3Point 로하였다. [0055] [0056] < 비교예 2> 본비교예는상기실시예 1 과모든조건을동일하게하나, 상기 SEAM 용접대신초음파용접 (Ultrasonic Welding) 을실시하였으며, 용접부의폭이 2mm, 길이가 20mm 가되도록하였다. [0057] [0058] < 비교예 3> 본비교예는상기실시예 1 과모든조건을동일하게하나, 상기 SEAM 용접대신초음파용접 (Ultrasonic Welding) 을실시하였으며, 용접부의폭이 3mm, 길이가 20mm 가되도록하였다. [0059] [0060] < 실험예 1> 인장강도 (Tensile Strength) 측정상기실시예 1, 2, 3 및상기비교예 1, 2, 3에의하여제조된이차전지와연결된외부부재에대하여, 인장강도를측정하는실험을진행하였다. 인장강도의측정설비로 Instron Model : 5543(500N) 을사용하였으며, 시편시료는 30 30mm이되게하였다. 실험결과는하기표 1과같다. 도 6은이결과를그래프로도시한다. [0061] 항목 조건 인장강도 (Tensile Strength) 비교예 1 Spot Welding (3Point) 144N 비교예 2 Ultrasonic Welding( 폭 2mm 20mm) 89N 비교예 3 Ultrasonic Welding( 폭 3mm 20mm) 104N 실시예 1 SEAM Welding( 폭 2mm 20mm), Overlap 30% 298N 실시예 2 SEAM Welding( 폭 2mm 20mm), Overlap 60% 301N 실시예 3 SEAM Welding( 폭 2mm 20mm), Overlap 90% 380N 표 1 [0062] [0063] 상기표 1 에서볼수있는바와같이, SEAM 용접시초음파용접에비하여인장강도가월등히높게나타났으며, 저항용접의다른방식인점용접에비하여도현저하게뛰어난인장강도를나타내었다. 또한, SEAM 용접에대한실험중에서는오버랩의범위가증가할수록인장강도가증가하는것으로나타났다. - 8 -

[0064] [0065] < 실험예 2> 방전전류별 (C-rate) 온도변화상기실시예 1, 3 및상기비교예 2에의하여제조된이차전지와연결된외부부재에대하여, 방전전류별 (Crate) 온도변화를측정하는실험을진행하였다. C-rate은방전전류를전지의정격용량으로나눈값으로, 전지의가능사용시간을예측하거나표기하기위한단위이다. 총 4개의회로를구비하고이들을연결시켜각각 C-rate 0.5, 1, 2, 3의전류를흐르게한후, 각회로에서온도차이를측정하였다. 실험결과는하기표 2과같다. 도 7은이결과를그래프로도시한다. [0066] 표 2 전류 (C-Rate) 별 & Temperature (Module 적용시험 ) 전류 (C- 비교예 ( 초음파용접 ) 실시예 1(Overlap 30%) 실시예 3(Overlap 90%) Rate) ΔT1 ΔT2 ΔT3 ΔT4 ΔT1 ΔT2 ΔT3 ΔT4 ΔT1 ΔT2 ΔT3 ΔT4 ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) 0.5 2.5 2.5 2.2 2.2 2.0 2.2 1.8 1.8 1.5 1.3 1.5 1.7 1 5.2 5.7 5.3 4.7 4.5 4.8 4.8 4.3 4.2 4.5 4.4 4.2 2 11.6 12.6 12.1 10.9 10.1 10.4 11.1 9.4 9.7 10.1 10.3 9.3 3 20.4 22.0 21.0 18.6 17.2 18.8 19.7 16.1 16.7 18.6 18.6 16.1 [0067] 상기표 2에서확인할수있듯이, 모든 C-rate에있어서비교예에비하여실시예 1, 2의온도상승이작게나타났다. 특히, 오버랩 90% 인실시예 2가오버랩 30% 인실시예 1에비하여온도상승의폭이작았다. 즉, SEAM 용접에의하면고율방전시초음파용접법에비하여열이덜발생하므로고출력이가능하다는것을확인할수있었다. 또한, 오버랩이클수록고율방전시열이덜발생하므로보다고출력이가능함을확인할수있었다. [0068] 부호의설명 10 전극조립체 20 양극탭 / 음극탭 30 양극리드 / 음극리드 40 케이스 50 외부부재 31 심재 32 금속도금층 A 용접이일어나는부분 60 용접부 61 용접오버랩 - 9 -

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