세라믹비즈니스 124 제26회 도자기술심포지엄 Solar Technology Brief 126 태양광 해외기술정보 Technology Brief 128 세라믹스 해외기술정보 전시회 133 국내 최초 첨단신소재 전문 전시회 코리아 컴포짓 쇼 136 2013 전자정보통신산

C.O.V.E.R News in brief 050 Ceramic & Advanced Material News Interview 057 산화물반도체 석학 히데오 호소노(일본 도쿄공업대학 교수) Special_생태계 창조형 첨단 반도성세라믹 소재 기술개발(2) 062 반도성 세라믹 원료기술 개발 정재경_인하대학교 신소재공학과 교수 외 2인 074 반도성 세라믹 공정장비기술 윤명구_성균관대학교 신소재공학과 박사과정 외 2인 085 반도성 세라믹 박막 트랜지스터 공정 기술 박진성_한양대학교 신소재공학부 부교수 외 3인 Focus 096 2013 한국세라믹기술원 국가인력자원개발 컨소시엄 102 2013 코리아세라믹 신성장포럼 2차 모임 정책동향 104 미래부, 국가연구개발 성과평가 의 새로운 패러다임 제시 독자기고 106 일본 도쿄국제세라믹종합전 참관기_정봉용 한국세라믹기술원 선임연구원 기업 112 포세라(주) 준공식 생활과학 114 2013년도 과학기술인 명예의 전당 헌정대상자 선정 세라미스트광장 118 한국세라믹학회 추계총회 및 연구발표회 120 한국결정성장학회 추계학술대회 세라믹라이프 122 세라믹스 아트숍 1 ceramic korea

세라믹비즈니스 124 제26회 도자기술심포지엄 Solar Technology Brief 126 태양광 해외기술정보 Technology Brief 128 세라믹스 해외기술정보 전시회 133 국내 최초 첨단신소재 전문 전시회 코리아 컴포짓 쇼 136 2013 전자정보통신산업대전 개최 과학터치 138 원하는 모양으로 변형되는 광반응 구조체 문화 141 이달의 신간소개 단신 동정 142 단신 및 동정_취재부 Patent Information 144 세라믹스 원적외선 특허 공개목록, 내용 세라믹스 자료실 150 신설법인 캘린더 151 이달의 국내외 주요 행사 세라믹스 자료실 152 통 계 도자기류 수출실적(2013년 8월) 시멘트 수요 공급 현황(2013년 8월) 위생도기 업체별 생산 출하 현황(2013년 8월) 위생도기 품목별 생산 출하 현황(2013년 8월) 내장타일 생산업체별 생산 출하현황(2013년 8월) 바닥타일 생산업체별 생산 출하현황(2013년 8월) 유리품목별 생산 출하현황(2013년 8월) 내화벽돌 생산 출하현황(2013년 8월)

표지1 _ EXCO 표지2 _ 한국산업단지공단 표지3 _ 화신기계 표지4 _ 룩스커뮤니케이션 가리온 강원테크노파크 경동세라텍 대기리소스 대청세라믹 대한히타 대화프레스 동진기연 디엔텍 맥테크 미래세라텍 백상기계 복합재료전시회 삼양세라텍 삼조실업 삼화제도 세라빌인터네셔널 세린하이텍 신명 신성열연 아세아연마 아전가열 열전사 영월비철소재 RIS사업단 유로산업 진산아이티 코페코 크레퓨 태영전열 포세라 한국세라믹기술원 한국파인협회 한국화인썸 해륭물산 홍경산업 AMC KOBE SLEEL MDT SBB 발행인 겸 편집인 Publisher 황호연 Hwang Ho-Yun 상무이사 CFO Executive Director 서승종 Seo Seung-Jong 편집국 Editorial Dept. 편집국장 Editor in Chief 서승종 Seo Seung-Jong 취재차장 Senior Editor 김성희 Kim Sung-Hee 기자 Editor 양대규 Yang Dae-Gyu, 오은지 Oh Eun-Ji, 백진 Baek Jin (수습기자) 디자이너 Designer 박수야 Park Soo-Ya, 심미연 Shim Mi-Yeon 박자경 Park Ja-Kyung 광고사업부 AD & Event Dept. 부장 Advertising Manager 박중규 Park Joong-Kyu 대리 Assist. Manager 이광호 Lee Kwang-Ho 사원 Staff 박세은 Park Se-Eun 총무부 Managing Dept. 과장 Manager 정우석 Jung Woo-Suk 사원 Staff 백찬희 Back Chan-Hee 통신원 Correspondent. 김상호 Kim Sang-Ho (대구TP 나노융합실용화센터 미래전략기획실 책임연구원) 김왕현 Kim Wang-Hyun (강원TP 세라믹신소재산업클러스터사업단 기획조정팀 책임연구원) 박윤현 Park Yoon-Hyun (한국세라믹기술원 선임연구원) 방일환 Bang Il-Hwan (전남TP 세라믹산업종합지원센터 기업육성팀장) 백승우 Baik Seung-Woo (맥테크 부설기술연구소 소장) 이범재 Lee Beom-Jae (대전TP 바이오나노 융합산업본부 기획운영팀장) 출력 및 인쇄 (주)케이피알 인쇄인 김정운 발행처 (주)월간세라믹스 서울특별시 서초구 서초대로40길 42(서초동, 대호B/D 4층) (우)137-952 TEL : 02-3487-9982~6 FAX : 02-3487-9987 http : //www.cerazine.co.kr E-mail : ceramagazine@korea.com 구독료 권당 12,000원 6개월분 65,000원(일시불) 1년 정기구독료 120,000원(일시불) 매월 자동납부 10,000원 구독기간 신청방법 전화 또는 인터넷 홈페이지에서 신청하여 주십시오. 납입방법 아래 온라인 계좌로 송금 온라인번호 예금주_ (주)월간세라믹스 제일은행 : 176-10-046498 우 체 국 : 013227-01-001220 우리은행 : 005-253280-01-001 신한은행 : 140-001-559806 기업은행 : 025-031967-04-011 국민은행 : 086-01-0332-837 농 협 : 066-17-007494 카드결제 _ 우리회사 홈페이지에서 결제 자동납부_ 온라인 계좌를 선택하여 독자님 거래은행에서 자동이체 신청 과월호 구입 <월간세라믹스, 월간원적외선&찜질방> 독자 여러분의 요청에 따라 품절되지 않은 과월호를 할인판매하고 있사오니 많은 이용 바랍니다. (문의 : 본사 판매과) 해외구독 120,000(정기구독료) + 46,000(항공료) = 166,000 / 일본, 대만, 홍콩, 마카오, 중국 120,000(정기구독료) + 55,000(항공료) = 175,000 / 동남아시아 120,000(정기구독료) + 73,000(항공료) = 193,000 / 북미와 유럽 120,000(정기구독료) + 110,000(항공료) = 230,000 / 남미와 아프리카 TEL. (02)3487-9982~3 FAX. (02)3487-9987 서점 전국 유명서점 총판 명문사 (02)319-8663~6 화목서적 (051)327-0154 학원사 (054)247-3396 영남서적 (053)423-9193 월간도예 권당 10,000원 / 1년 108,000원 2003년 한국세라믹스연감 4 6배판 / 양장제본 / 890쪽 / 정가 100,000원 도예가를 위한 가마짓기와 번조기법 정동훈 지음 / 280쪽 / 정가 25,000원 이 책에 실린 어떤내용도 무단으로 복제해서 사용할 수 없습니다. 또한 인터넷 홈페이지에 무단활용을 금합니다. 복제나 활용이 필요시 저작권자와 협의 바랍니다.

Ceramic & Advanced Material News 2 0 1 3. 1 1 ETRI, 부품소재분야 히든챔피언 육성 한국전자통신연구원(ETRI 원장 김흥남)은 지난달 23일 원내 국제회의장에서 부품소재 분야 16개 중소 중견기업과 2년간 R&D 등 을 집중 지원하기로 하는 내용의 1실 1기업 맞춤형 기술지원 인정서 수여식을 개최했다. 주요 기술지원 분야는 디스플레이 나노 광전소재부품 광 RF부품 신소자 소 재 분야 등이다. 상용화 등에 어려움을 겪고 있는 애로기술을 해결하기 위해 현장에 연구 원을 파견한다. 특허 출원 문제도 맞춤형으로 지원한다. ETRI는 올해 부품소재분야부터 이 사업을 시 범 적용한 뒤 내년에는 전 연구원 차원으로 확대 추진할 계획이다. 올해 히든챔피언 은 1~2개 정도를 만들 계획이다. ETRI는 이외에도 연구진이 직접 기술이전한 회사에 파견해 기업의 애로를 청취해 상용화 를 도와주는 상용화 현장지원제도 를 5년째 시행 중이다. 10월 현재 538개 업체에 1273 명의 연구원을 파견했다. 현재 ETRI 부품소재연구부문에는 차세대디 스플레이, 나노광전집적, 광무선융합부품, IT 부품산업기술 등을 연구하고 있다. 남은수 ETRI부품소재연구부문 소장은 우리 나라 부품소재 산업분야 기술수준을 제고하 고, 나아가 글로벌 히든챔피언 을 육성하는 데 크게 기여할 것 으로 기대했다. 이날 인정서를 받은 이남호 기가레인 대표는 정부출연연구기관이 발 벗고 나서는 기업지 원 계획을 접하고 희망을 봤다 며 중소기업 이 강해야 나라가 강해진다는 말처럼 공동연 구는 물론이고 실효성 있는 상생 모델이 됐으 면 한다 고 덧붙였다. 창성, 철원에 나노소재 연구소 설립 강원도와 협약 소재 전문기업 창성(대표 배창환)이 강원도 철원에 나노소재연구소를 설립한다. 지난달 21일 강원도와 철원군에 따르면 창성 은 철원플라즈마산업기술연구원(원장 김성 인)에 나노소재 기술 상용화를 위한 나노소재 연구소를 설립하기로 하고 지난달 22일 강원 도청에서 도와 협약식을 맺었다. 이날 협약식에는 최문순 강원지사와 정호조 철원군수, 김성인 철원플라즈마산업기술연구 원장, 김인교 강원테크노파크 원장 등 도 측 인사와 배창환 창성 대표, 정인범 창성 부사 장 등이 참석했다. 창성은 철원 연구소 성과를 기반으로 나노소 재 기술을 활용한 방열 소재와 전자파 흡수체 상용화 등에 나설 예정이다. 도와 철원군은 대량 생산용 나노소재 파일럿 플랜트 구축 등 상용화를 위한 인프라 조성을 적극 지원한다. 1980년 설립된 창성은 금속분말, 자성코어, 도전성 페이스트, 클래드 메탈, 전자파 흡수 체, 방열소재 등을 전문으로 하는 소재기업으 로 지난해 2557억원의 매출을 올렸다. 창성 연구소가 들어서는 철원플라즈마산업기 술연구원은 나노분말 소재의 플라즈마 공정 에 특화된 곳으로 그동안 해외에 의존하던 나 노분말 소재를 생산 기능화 분산하는 플라 즈마 양산 공정을 국내 처음으로 개발해 주목 받았다. 최근에는 그래핀 분말을 나노 메탈과 합성하 는 신기술을 개발하기도 했다. 김성인 철원플라즈마산업기술연구원장은 이 번 협약으로 창성이 올해 말까지 연구 인력이 상주하는 기업연구소를 철원군에 설립한다 면서 기술이전이 원활히 이뤄지고 사업화에 성공하면 창성이 철원군에 생산 공장도 설립 할 예정 이라고 밝혔다. 서울대 차국헌 교수팀 등 친환경 양자점 LED 개발 서울대는 차국헌 화학생물공학부 이창희 전 기정보공학부 이성훈 화학부 교수 공동 연 구팀이 고휘도 고효율 친환경 양자점 LED 를 구현했다 며 차세대 총천연색 디스플레 이, 고효율 조명, 레이저 등 실제 생활에 사용 할 수 있는 LED 소자를 상용화 할 수 있을 것 이라고 지난달 17일 밝혔다. 지금까지 양자점 LED 연구는 주로 카드뮴 화 합물을 이용해 이뤄졌다. 환경과 인체에 유독 한 카드뮴은 세계적으로 사용이 엄격히 제한 돼 양자점 LED를 상용화하는데 걸림돌이 됐 다. 대체 소재인 인화인듐(InP)도 양자점을 합성한 사례가 드물고 발광소자에 적용하더 라도 효율이 매우 낮았다. 서울대 공동연구팀이 개발한 양자점 LED는 핵심 소재인 콜로이드 양자점 내부에 전자와 홀을 직접 주입했다. 전자와 홀이 결합해 빛 을 만들어내는 방식이다. OLED에 비해 우수 한 색순도와 효율을 지닌 총천연색 디스플레 이를 제작할 수 있다는 장점이 있다. 연구팀은 인화인듐 기반 친환경 양자점을 합 50 ceramic korea

Ceramic & Advanced Material New 2 0 1 3. 1 1 성하고 최적화된 LED 구조를 고안했다. 1.1 나노미터 크기 인화인듐 핵에 아연 셀레늄 황 합금 껍질을 만들어 높은 효율을 지닌 양자점을 만들었다. 전자와 홀 주입이 최적화된 다층소자구조에 친환경 양자점을 적용한 결과 높은 최대발광 효율과 최대밝기를 지닌 친환경 양자점 LED 를 유연성 기판에 구현하는데도 성공했다. 연 구결과는 해외에서도 주목받아 지난달 미국 화학회지 ACSNano 지에 게재됐다. 서울대 공동 연구팀은 지난해 이미 양자점을 발광체 로 한 고효율 적 녹 청색 고효율 LED를 개 발한 바 있다. 연구성과는 미래창조과학부가 지원하는 창의 적 연구지원사업, 세계수준의 연구중심대학 육성사업, 기후변화대응기술개발사업, 산업 통상자원부가 지원하는 고성능 황 화합물계 반도체 백플레인 및 카드뮴이 없는 고효율 유 무기 하이브리드 EL소재 소자 원천 기술개 발사업의 지원을 받았다. 상보, 업계 첫 CNT 투명전극 TSP 상용화 상보(대표 김상근)는 경기도 김포 CNT TSP 양산공장 준공과 더불어 TSP 카보렉스 를 출 시했다고 지난달 20일 밝혔다. 상보가 개발한 CNT TSP는 투과율이 85%, 면저항은 270옴(Ω)이다. 회로 선폭은 20μm 까지 구현할 수 있다. 패터닝 방식은 플라스 틱커버 일체형(P1F)으로, 하이브리드형 커버 유리일체형(G1F) 방식에서 유리를 플라스틱 소재로 바꿨다. 일본 닛토덴코가 공급하는 기 존 보급형 ITO 필름 시장을 대체할 수 있을 것 으로 예상된다. CNT는 ITO를 대체할 투명전극소재로 주목 받았다. ITO필름은 TSP 핵심 소재지만 일본 업체가 독점 공급하고 있어 수급난이 있었다. 희소금속인 인듐을 사용해 가격이 비싸다는 단점도 있다. CNT는 탄소를 이용하기 때문에 가격이 저렴하고 원료 조달이 편하지만 그동 안 양산에 이른 사례는 없었다. 상보는 TSP 전극 패터닝 기술까지 직접 개발했고, 터치센 서 칩 업체와 고객사 승인 절차를 밟고 있다. 김포 공장은 부지 4500평, 공장 2400평 규 모로 월 TSP 40만장을 양산할 수 있다. 향후 월 300만장 규모로 증축될 예정이다. CNT 분산액 제조부터 코팅 패터닝 등 TSP 일관 공정을 갖췄다. CNT 분산액은 하루 50kg까 지 생산이 가능하다. 정인상 신소재사업부문장은 지금은 중저가 형 ITO필름을 대체용으로 개발했지만 향후 고투과율 저저항성을 가진 CNT TSP를 출 시할 계획 이라고 말했다. 차세대 소재, 표준화 인증 제도 보완 시급 차량용 경량화 소재, 고성능 전기전도 소재 등 차세대 소재 기술 개발이 활발하게 이뤄지 고 있지만 한국이 표준화나 인증 분야에서는 선진국에 비해 크게 뒤쳐진다는 지적이다. 첨 단 탄소섬유와 특수 에폭시 소재 등에서 앞서 가고 있는 독일 일본 등 소재 선진국을 따라 잡기 위해서는 원재료 공정 기술 개발 외에 관련 기술 기준을 확립하는 게 시급하다는 목 소리다. 지난달 17일 경기 고양 킨텍스에서 열린 한 국첨단소재기술협회(SAMPE) 코리아 심포지 엄 2013 에서 박종수 국도화학 박종수 부회 장은 미국 보잉 등 항공사에 부분품용 에폭 시 레진을 공급하고는 있지만 국내 인증 제도 가 미흡해 대형 소재에는 진출하기 어렵다 고 말했다. 첨단 소재가 가장 먼저 도입 되는 항 공 산업은 까다로운 검증을 요구하는데 국내 에는 검증 방법이 없어 애로가 적지 않다는 설 명이다. 국도화학은 200만톤 규모의 전 세계 에폭시 시장에서 4분의 1을 점유하고 있다. 앞으로 연평균 10% 이상 고성장이 예상되는 탄소섬유 시장 역시 마찬가지다. 업계가 치열 한 시장 경쟁을 벌이는 사이 표준화 인증 등 제도가 뒷받침되지 못하는 것이다. GS칼텍 스, OCI, 효성 등이 탄소섬유 전구체 양산을 시작했고 탄소섬유를 제조하기 위한 방사 공 정 개발, 복합재료 성형 기술 개발 역시 활발 하게 이뤄지고 있지만 관련 제도는 미비하다. 박영빈 울산과학기술대 기계 및 신소재공학 부 교수는 탄소섬유는 민간에서 개발 투자 가 활발하게 이뤄지고 있는 것과 달리 제도적 여건은 걸음마 단계 라며 시장 발전을 위해 서라도 앞으로 관심을 가지는 게 필요하다 고 말했다. SAMPE코리아 심포지엄은 첨단 소재 산업 발전을 위해 산 학 연 관계자가 모이는 장 이다. 올해는 플로리안 고즈니 독일 SGL 박 사가 탄소섬유 제품의 새로운 지평 을 주제 로 기조 강연을 하는 등 탄소섬유 기술 개발 전반에 관한 주제 발표가 이어졌다. 삼성디스플레이 7년 후 코닝 최대 주주로, 삼성코닝정밀소재는 코닝이 지분 전량 인수 삼성디스플레이가 160년 역사의 세계 최대 무기화학 소재기업 코닝 의 최대주주가 된 다. 얼마 전 삼성이 독일 OLED 소재업체인 노발레드를 인수한 데 이어 소재사업 경쟁력 강화를 위한 두 번째 글로벌 빅딜이다. 지난달 23일 삼성디스플레이(대표 김기남)는 November 2013 51

Ceramic & Advanced Material New 2 0 1 3. 1 1 코닝 지분 7.4%(전환우선주)를 취득하고, 코 닝은 삼성디스플레이의 삼성코닝정밀소재 지 분 42.6%를 인수하는 계약을 체결했다고 밝 혔다. 이와 함께 코닝은 개인이 소유한 삼성 코닝정밀소재 지분 8%도 인수해 100% 지분 을 확보할 예정이다. 두 회사는 내년 1분기까 지 본계약을 마무리할 방침이다. 삼성디스플레이가 인수한 코닝의 7.4% 주식 은 신규 발행한 전환우선주로 7년 후에는 보 통주로 바뀔 수 있다. 현재 코닝의 최대주주 는 약 6900만주(6.07%)를 보유한 뱅가드그 룹이다. 이 지분율대로라면 7년 후 삼성디스 플레이가 최대주주가 된다. 지난 1851년 설립된 코닝은 특수유리와 세라 믹소재 기술에서 세계적인 기업이다. 이번 지 분 인수로 삼성은 유기화학 소재뿐만 아니라 무기화학 소재사업으로도 기반을 넓힐 수 있 게 됐다. 웬델 P 웍스 코닝 회장은 향후 4년간 누적 잉 여현금흐름 증액이 20억달러에 달하고 연간 늘어나는 매출도 약 20억달러(약 2조1130억 원)에 달할 것 이라며 이 계약은 코닝과 삼 성 모두에 재정적, 전략적 효과가 있다 고 내 다봤다. 김기남 사장은 삼성은 코닝의 선도적 유리 기술과 결합해 소비자가전을 비롯한 여러 산 업에서 새로운 시장 개척에 나설 것 이라고 말했다. 유해물질 취급기업 환경피해보험 의무화된다 2016년부터 환경오염 피해를 유발할 수 있 는 유해물질 취급 기업 보상보험 가입이 의무 화될 전망이다. 보험 미가입 시 시설 가동 금 지 및 3개월 영업정지 처분을 받고 사업장 인 허가도 받을 수 없다. 환경부 산하 한국환경 산업기술원은 환경오염 피해를 구제하는 기 업 대상 의무 보험상품을 마련 중이라고 28 일 밝혔다. 환경오염 피해 보험은 최근 불산누출 등 환경 사고가 빈번히 발생하고 있는 것과 관련해 피 해자 보상을 신속히 처리하는 게 목적이다. 이를 위해 환경오염 피해 구제에 관한 법률 안 을 마련하고 연내 국회통과를 추진하고 있 다. 이 법률안은 이완영 의원(새누리당)이 대 표 발의한 상태다. 법률안이 통과되면 시행 시기는 2016년이 될 전망이다. 법률안은 보험상품으로 환경피해 보상 기금 을 마련해 피해자에게는 신속한 보상을, 기업 에는 도산 위험을 방지하는 게 핵심이다. 그 동안 환경오염이 발생하면 피해자는 피해입 증 부담과 소송 장기화 등으로 즉각 보상을 받기 힘들었다. 피해자 보상에 피해복구 특별 법이 제정되고 세금이 투입되는 것이 관례였 다. 구미 불산사고에 세금 554억원이 피해보 상에 투입되기도 했다. 보험 가입 대상은 각종 오염물질 배출시설, 폐기물 처리시설 등 유해화학물질 영업자 및 위해관리계획 제출대상이다. 앞서 기술원은 기업 CEO, 산업계, 시민단체, 각종 협의회 등 과 총 11차례에 걸쳐 설명회를 갖는 등 공감 대 형성 작업을 펼쳐왔다. 법이 시행되면 환경오염 사고로 생기는 중소 기업 도산 문제도 줄어들 전망이다. 기업이 단독적으로 감내하기 힘든 수준의 대형 재난 이 발생할 때는 국가 재보험 도입 체계를 구 축할 예정이다. 중소기업에는 중소기업기본 법에 따라 보험료 일부가 보조된다. 기술원은 올해 보험제도 설계와 보험상품 개 발용역을 시작하고 내년 피해보상 기준을 마 련한다는 계획이다. 피해조사와 연구, 기금 운영 및 관리는 별도 조직을 설치해 전담토록 할 예정이다. 환경산업기술원 관계자는 지금 까지 대형 환경오염 피해는 보상시스템이 제 대로 갖춰져 있지 않아 빠른 보상이 어려웠 다 며 이번 보험 관련 법률안으로 우선 보상 체계를 갖추고 기업 보상 부담도 경감시킬 계 획 이라고 말했다. 크루셜엠스, 유리섬유 복합소재 적용한 강화케이스 양산 성공 스마트폰 케이스 제조업체 크루셜엠스가 유 리섬유 복합 소재 국산화에 성공했다. 기존 금속 복합소재 케이스보다 얇게 만들 수 있고, 가벼워 차세대 스마트폰에 적용될 것으 로 기대된다. 첨단 소재 기술 확보로 크루셜 엠스가 사업 구조를 고부가가치 중심으로 재 편할 수 있을지 주목된다. 크루셜엠스(대표 안건준)는 유리섬유 가공기 술 FPM(Fiber Polished Module)을 활용한 유리섬유 강화 케이스 양산에 성공했다고 지 난달 3일 밝혔다. 현재 프리미엄 스마트폰에는 마그네슘을 첨 가한 플라스틱 케이스가 주로 쓰인다. 얇고 가벼운 디자인을 구현하기 위해서다. 그러나 마그네슘 복합 케이스는 특수 레진을 써야 해 비용이 크게 늘어나는 문제가 있다. 크루셜엠스가 생산하는 유리섬유 강화 케이 스는 마그네슘 대신 유리섬유를 사용해 동일 한 강도를 구현했다. 양산성도 뛰어나 마그네 슘 복합소재 대비 30% 이상 제조 비용을 줄 52 ceramic korea

Ceramic & Advanced Material New 2 0 1 3. 1 1 일 수 있을 것으로 기대된다. 그동안 유리섬유 복합소재는 뛰어난 성능에 도 불구하고 생산성이 떨어진다는 평가를 받 았다. 후가공 중 불량이 잦아 대량 생산하기 어려운 탓이다. 크루셜엠스는 FPM 가공 기술 을 개발해 유리섬유 복합소재 불량률을 획기 적으로 줄였다. 크루셜엠스 관계자는 독자 개발한 유리섬유 복합소재는 대량 생산이 가능해 프리미엄 스 마트폰뿐 아니라 중저가 제품에도 적용할 수 있다 며 연내 여러 스마트폰 업체와 샘플 테 스트를 진행할 것 이라고 말했다. FPM은 크루셜엠스와 모기업 크루셜텍이 공 동 개발한 기술이다. 크루셜텍은 향후 스마트 TV용 리머컨, 바이오트랙패드(BTP) 제조에 도 유리섬유 복합소재를 적용할 계획이다. 크 루셜텍과 크루셜엠스는 유리섬유 복합소재처 럼 공동 프로젝트를 활발하게 진행해 경쟁력 을 배가할 계획이다. 크루셜엠스는 올 하반기부터 고부가 사업 구 조 개편에 박차를 가하고 있다. 대구와 중국 톈진 제2 공장에 전공정 클린룸 스마트폰 케 이스 공정을 구축했다. 올 상반기 사상 최대 매출인 1464억원을 기록했는데, 하반기는 이를 뛰어넘는 호실적을 기록할 것으로 예상 된다. 업계 관계자는 보다 저렴한 비용으로 스마 트폰을 경량화할 수 있는 기술이 요구되고 있 다 며 유리섬유 복합소재 기술을 확보함에 따라 기존 케이스 업체보다 월등한 기술력을 갖췄다 고 말했다. 한 독 소재부품 산업의 연결고리 만들자 지난달 10일 서울 삼정호텔에서 한국생산기 술연구원과 독일 NRW(Nortdrhein-Westfalen)연방주 경제개발공사 주최로 한 독 첨단 소재부품 생산기술 세미나 가 열렸다. 완 제품 조립 생산능력이 세계적으로 평준화되 면서 소재부품이 제품 성능과 가격을 결정하 는 핵심 요인으로 부상했다. 이번 세미나는 이번 세미나는 한국과 독일의 첨단 소재부품 생산 기술 동향을 파악하고, 미래 메가트렌드 를 공유하기 위해 마련됐다. 한국생산기술연구원 나경환 원장은 NRW연 방주는 각종 제조업과 첨단소재 산업회사가 몰려있는 곳 이라며 이번 세미나를 통해 한 국과 독일 산업의 긴밀한 국제적 협력관계를 높일 수 있는 자리가 됐으면 한다 고 말했다. NRW연방주는 독일 전체 민간소비 중 4분의 1을 차지하는 큰 규모의 지역으로, 제조 및 부 품 기업들이 다양하게 포진해 있다. 실제로 LG, 두산, 포스코 등 우리나라 기업들과 후 지, 3M, 포드, 에보닉, 바이엘 등 글로벌 기업 들의 유럽 본사가 집중해 있는 곳이다. 세미나 발표자인 아스트리드베커 아시아총괄 국장은 진입이 까다로운 유럽시장의 관문으 로 상품가치 제고에도 유리하다 며 유럽시장 진출을 통해 우리 기업의 주요 수출국인 미국 과 일본, 중국에서 탈피해 시장을 다변화 할 수 있다는 점을 강조했다. 에보닉 전은석 이 사는 자사의 제품과 전자소재에 대해 이야기 했고, 바이엘 김수완 상무는 전자산업에서 볼 륨 광학홀로그래피의 활용방안을 주제로 세 미나를 이어갔다. 한편 한국생산기술연구원 이상목 인천지역본 부장은 R&D성공률은 높지만, 실제 산업현 장에서 활용되는 비율이 같이 높아지기 위한 노력이 필요하다 고 지적했다. 실용화 과정 중에 발생하는 연구자-생산자-소비자 간의 사고체계가 다르다는 것이다. 본질적으로 소 비자의 욕구를 파악하고 접근하지 않으면 그 어떤 유용한 첨단기술도 사장되고 만다. 이상 목 본부장은 앞으로의 제조업은 다품종 대량 생산의 방향으로 나아갈 것이며, 정부와 기업 들이 미래 제조산업 정책에 있어 통섭과 강건 설계를 기반으로 한 지속적 발전방안을 마련 해야 한다 고 말했다. 과기정출연법 개정 공청회 지난 달 2일 국회 의원회관 2층 소회의실에 서 과기정출연법(과학기술분야 정부출연연 구기관등의 설립 운영 및 육성에 과한 법률) 개정 공청회가 열렸다. 이는 지난 7월 민병주 국회의원 외 9인이 기초기술연구회와 산업기 술연구회를 과학기술연구회로 통합해 정부출 연연구기관들의 융합, 지원, 관리 기능 내실 화를 위해 발의된 개정법률안을 살펴보는 자 리였다. 행사를 주최한 민병주 국회의원은 변화된 정 부조직에 발맞춰 융 복합 활성화를 위해 다 양한 정책적 지원방안을 모색하고 있다 며 이번 공청회에서 과학기술계의 목소리가 반 영될 수 있도록 다양하고 실효성 있는 제안들 을 나눌 수 있었으면 한다 고 전했다. November 2013 53

Ceramic & Advanced Material New 2 0 1 3. 1 1 이번 법안 발의는 정부조직개편에 따라 기초 기술 및 산업기술분야 출연기관의 감독관청 이 교육과학기술부와 지식경제부에서 미래부 로 일원화 됐음에도 지금까지 분리 운영되어, 연구기관 간 상호 협력과 융합연구가 활성화 되지 않고 있다는 점에서 출발했다. 또한 성 과가 탁월한 연구기관의 원장이 연임할 수 있 는 재선임 제도 내용도 포함돼 있다. 이는 자 율경영 및 책임경영체제를 확립하는데 도움 을 줄 수 있다고는 하나, 원장 임명 시 공정성 논란을 피해 갈 수 없을 것으로 보인다. 공청회 패널로 참석한 관계부처 책임자들과 교수, 시민단체들은 대체로 실질적 융합 위해 선 열린 조직으로서 내부 혁신이 있어야 진정 한 통합이 가능할 것이라는 의견이 대부분이 었다. 체제변화가 각 연구기관들에 영향을 주 기보다는 물리적인 변화에서 그칠 것이라는 지적도 있었다. 한 방청객은 현장에서는 전 혀 요구하지 않음에도 정권이 바뀔 때마다 합 치고 나누는 일이 반복되고 있어 혼란을 가중 시키고 있다 며 각 연구기관 스스로가 필요 에 의해 시스템의 갭을 줄여 나가는 방향으로 통합되어야 한다 고 말했다. 이건웅 한중탁 전기연 박사팀, 탄소나노 소재 고농도 분산기술 세계 첫 개발 탄소나노튜브 그래핀을 분산제 없이 고농도 로 분산할 수 있는 기술을 국내 연구진이 처 음 개발했다. 탄소나노소재 실용화에 걸림돌이던 분산 문 제 해결로 인쇄전자, 전도성 섬유, 전자파 차 폐, 고성능 나노복합체 등 고전도성 나노 페 이스트(Nano Paste)를 요구하는 다양한 분 야에서 탄소나노소재를 쉽게 응용할 수 있게 됐다. 한국전기연구원(KERI) 이건웅 한중탁 박사 팀은 최근 인쇄전자뿐 아니라 기존 나노복합 체 연구에 쉽게 응용할 수 있는 고전도성 탄 소나노소재 페이스트(paste) 기술을 세계 최 초로 개발했다. 이 연구개발은 KERI 자체 출연사업과 미래부 글로벌프론티어 나노기반소프트일렉트로닉 스 사업 참여로 이뤄졌다. 연구 결과는 지난 달 7일 네이처 자매지 네이처 커뮤니케이션 즈 온라인 판에 게재됐다. 탄소나노튜브, 그래핀 등 탄소나노소재는 전 도성이 매우 우수해 기존 금속 및 세라믹 도 전체를 대체할 수 있는 재료로 여겨져 왔다. 하지만 탄소나노소재를 고농도로 분산하려면 절연재료인 계면활성제를 사용하거나 표면에 기능기를 다수 도입해야 했다. 이럴 경우 탄 소나노소재 자체의 높은 전도성이 손상돼 실 용화에 걸림돌이 돼왔다. 연구팀은 생체 물질인 단백질이나 DNA나선 구조에서 쉽게 찾아볼 수 있는 다중수소결합 구조를 모방해 새로운 방법을 찾아냈다. 연구팀은 탄소나노소재의 손상을 최소화하고 4개의 수소결합이 동시에 이루어질 수 있는 기능기를 도입, 탄소나노소재 간 반데르발스 힘(분자 내 강한 인력) 을 극복하는 방법으로 고농도의 전도성 페이스트 제조에 성공했다. 탄소나노소재와 생체물질의 초분자구조가 만 나 기존 응용 한계를 뛰어넘은 신개념 원천기 술이 된 사례라고 할 수 있다. 한중탁 박사는 이번에 개발한 고전도성 페이 스트 제조기술은 제2 탄소나노소재 붐을 일 으킬 수 있는 획기적인 기술 이라고 말했다. 연구팀은 현재 원천특허와 응용특허를 국내 외에 출원하고 기술이전을 준비하고 있다. KERI는 올해 안으로 관련 기업체를 대상으로 기술설명회를 개최해 기술이전 및 사업화 방 안에 대한 협의를 진행할 예정이다. 일본계 중소 중견 소재 업체 한국에 지사 설립 지난달 14일 업계에 따르면 최근 3년 내 한 국후루야메탈, 한국나믹스, 후지쿠라컴퍼지 트코리아 등 국내에 새로 지사를 설립한 일본 소재업체가 대폭 늘었다. 나믹스는 반도체 후공정의 패키지 본딩에 쓰이는 보호소재 전문업체로 솔더볼 플 립칩 등을 기판에 실장할 때 쓰는 언더필 (Underfill) 세계 시장 1위 업체다. 한국에서 는 대리점을 통해 영업하다가 지난 2011년 지사를 설립하고 최근 영업을 강화하고 있다. 후루야메탈은 플라티나(Pt) 계열 금속소재 전 문업체로 터치스크린패널(TSP) 등에 쓰이는 타깃, 발광다이오드(LED) 원료 제작에 쓰이 는 도가니 소재 등을 만든다. 지난 2011년 한 국에 지사를 세우고 전자 시장 진입을 노리고 있다. 후지쿠라는 차량용 경량화 소재나 전자제품 에 쓰이는 특수고무, 반도체장비용 부품 등이 전문 분야다. 지난해 지사를 열고 한국 영업 에 주력하고 있다. 그동안 일본 대기업이 제조를 위해 한국에 진 출한 뒤 연구개발(R&D)센터를 설립하는 사 례는 있었지만 전문 분야 강소 중견 중소기 업이 우리나라에 적극 뛰어든 사례는 많지 않 았다. 이들이 한국 시장에 공을 들이는 이유 는 세계적인 불황에도 불구하고 전자 자동 차 등 주요 제조업 분야에서 산업 경쟁력이 탁월해 보다 빠른 대응이 필요하다는 판단에 서다. 지리적으로 가깝지만 좀 더 거리를 좁 히겠다는 것이다. 한국나믹스 관계자는 지금까지는 고객사가 찾아와서 제품을 파는 방식이었다면 이제는 고객사를 발굴하고 먼저 제안하는 쪽으로 전 략이 바뀌었다 고 설명했다. 54 ceramic korea

Ceramic & Advanced Material New 2 0 1 3. 1 1 근래 들어 국내에서도 소재산업 투자가 활발 해지면서 한국 시장 내 경쟁이 치열해진 까닭 도 있다. 편광판, 인듐주석산화물(ITO) 필름, 반도체 감광재(포토레지스터), 타깃, 특수 레 진 등은 일본이 장악한 시장이었지만 최근 몇 년간 국산화가 상당 부분 이뤄졌다. 한 일본 계 지사장은 소재마저 한국에 빼앗기는 게 아니냐는 우려가 나오고 있는 게 사실 이라고 토로하기도 했다. 업계 관계자는 갈수록 일본 첨단소재 업계와 국내 업체 간 합작사 설립 등 다양한 방식으 로 협력이 늘어날 것 이라고 예상했다. 소재부품 산업, 10분기 연속 200억달러 흑자 우리나라 소재부품 산업이 지난 상반기에 이 어 3분기에도 누적 기준으로 사상 최대 규 모 무역흑자를 달성했다. 분기별 흑자 규모는 10분기 연속 200억달러를 상회했다. 지난달 15일 산업통상자원부는 1~9월 소재 부품 수출과 수입은 전년 동기 대비 3.7%, 1.4% 늘어난 1955억달러와 1277억달러를 기록했다고 밝혔다. 무역흑자는 728억달러 로 7.8% 증가했다. 9월 수출 실적은 추석 연 휴에 따른 조업일수 감소로 인해 전년 대비 소폭 감소했지만 일평균 수출은 10억8000만 달러로 사상 최고치를 기록했다. 소재부품산업은 9월까지 우리나라 전 산업 수출 증가율 1.3%를 웃돌며 총 수출의 47%, 전체 무역흑자의 2.3배를 실현했다. 고질 적 문제점으로 지적된 대 일본 수입의존도는 21.0%로 9월 누적 기준 사상 최저치를 기록 했다. 조선 자동차 등 수요산업의 수입물량 둔화와 엔저에 따른 수입단가 하락 등이 영향 을 미친 것으로 풀이됐다. 업종별로는 비금속광물(27.5%) 전기기 계부품(15.0%) 전자부품(11.2%) 등이 높 은 수출 증가율을 보였다. 무역수지는 전자부 품 수송기계부품 전기기계 등은 흑자, 정 밀기기부품 비금속광물은 적자였다. 산업부 는 미국 출구전략과 연방정부 일시폐쇄, 중 국 경기회복 지연 등 경기 불안요인이 있지만 주요 수출 시장의 성장세 회복 시 2년 연속 무 역흑자 900억달러 돌파가 기대된다 고 예상 했다. 산업부는 소재부품 산업 경쟁력 강화를 뒷받침하기 위해 연내에 제3차 소재부품발전 기본계획 을 마련해 시행할 계획이다. 연도별 투자계획 (단위: 억원) 산업부, 노후산단 혁신 후속조치 및 산업 기술장비 활용도 제고 로 지역경제 활성화 촉진 산업부는 지난달 1일 김재홍 제1차관 주재로 17개 시 도 부단체장이 참석한 가운데 제2 차 지역실물경제정책협의회 를 개최하였다. 이날 협의회에서 산업부는 제3차 무투회의 (9.25 개최)에서 발표한 노후산업단지 혁신 방안에 따른 후속조치 계획을 설명하였다. 후속조치를 위해 산업부는 관계부처 합동으 로 구조고도화 사업 추진 노후산단 중 13년 말까지 2개 단지를 리모델링 단지로 선정할 계획으로, 융복합 집적지 사업을 통한 혁신가 능성, 산단 구성원의 자발적 개선 노력, 사업 타당성 진단 등이 대상단지 선정의 주요 판단 기준임을 밝혔다. 또한 이날 협의회에서 산업부는 장비의 공동 활용을 위한 산업기술개발장비 포털 시스템 을 발표했다. 이는 그간 공동활용을 목적으 로 구축한 12,051개(3천만원 이상 기준)의 장비를 외부 기업들이 손쉽게 검색, 장비사양 확인, 예약까지 가능한 산업기술개발장비 통 합관리플랫폼 이다. 산업부가 지난 2,000년 부터 약 3조원을 투자하여 중소기업들이 공 동 활용할 수 있도록 연구소, 테크노파크, 대 학 등에 공동활용장비를 구축해 놓았으나 통 합적인 정보제공과 활용절차 없이 다양한 장 비 보유기관이 제각각 장비정보를 제공 운 영하고 있어, 외부 사용자가 장비를 파악하고 활용하는 데에 불편하고 장비 활용율이 저조 하였다. 이번 플랫폼 구축으로 공동장비를 활용할 기 업들은 장비포털(www.etube.re.kr)에 접속 하여, 원하는 장비를 통합 검색하여 장비 보 유기관, 위치와 장비 세부사양과 이미지를 확 인하고, 온라인에서 사용 예약까지 가능하게 된다. 이 시스템의 활용으로 장비 사용자가 손쉽게 장비를 탐색 활용하게 되어 공동장비 의 활용률이 크게 높아지고, 기업의 기술개발 경쟁력도 높이게 될 것으로 기대된다. < 장비포털 이용방법 > 1. 포털 메인화면에서, 로그인 후 사용할 장비명 입력 2. 장비 같이써요 화면에서, 해당 장비 선택 3. 해당 장비의 기본정보, 이용정보, 설치기관, 담당자 등 확인 후 예약하기 4. 예약화면에서, 예약기간 및 시간 선택 후 예약하기 5. 장비 담당자로부터 SNS로 이용승인 메시지 확인 6. (장비 이용후) 해당 장비 정보화면에서, 사용후기 댓글 입력 November 2013 55

Special Contents Special 1_ Ceramic Korea 2013년 9월호(PP.74~97) 생태계 창조형 첨단 반도성세라믹 소재 기술개발(1) 첨단 반도성 세라믹 소재 개발 개요 및 필요성 조형균_성균관대학교 신소재공학부 교수 외 3인 첨단 반도성 세라믹 기술 및 시장 동향 조영훈_(주)더비엔아이 사업전략본부 본부장 외 1인 Interview_ Ceramic Korea 2013년 11월호(PP.57~61) 산화물반도체 석학 히데오 호소노(일본 도쿄공업대학 교수) Special 2_ Ceramic Korea 2013년 11월호(PP.62~95) 생태계 창조형 첨단 반도성세라믹 소재 기술개발(2) 반도성 세라믹 원료기술 개발 정재경_인하대학교 신소재공학과 교수 외 2인 반도성 세라믹 공정장비기술 윤명구_성균관대학교 신소재공학과 박사과정 외 2인 반도성 세라믹 박막 트랜지스터 공정 기술 박진성_한양대학교 신소재공학부 부교수 외 3인 Special 3_ 2014년 3월호(예정) 생태계 창조형 첨단 반도성세라믹 소재 기술개발(3) 차세대 메모리 분야 정두석 박사 (KIST) 외 발광다이오드 분야 장원근 박사 (광기술원) 외 오감센서 분야 김창열 박사 (KICET) 외 반도성세라믹 트랜지스터 평가 황치선 박사 (ETRI) 외 56 ceramic korea

Interview 히데오 호소노(일본 도쿄공업대학 교수) 반도성세라믹 원천소재 기술 및 융합기술 개발에 주력해야 <대담 및 정리> 유 상 임_ 서울대학교 재료공학부 교수 김 창 열_ 한국세라믹기술원 나노융합지능소재팀 팀장 2013년 10월 18일 제주 국제컨벤션센터에서 개최된 한국세 구에 보다 많은 관심을 가져야 한다고 강조하였다. 새로운 소 라믹학회 추계연구발표회에서 일본 동경공업대학의 세계적인 재를 찾는 자신의 전략은 초전도체 연구를 출발점으로 하고 석학 호소노 교수의 기조강연이 있었다. 강연 후에 학술대회 있다고 한다. 조직위원장인 서울대학교 유상임 교수와 한국세라믹기술원 호소노 교수는 이미 철계 세라믹 초전도체를 세계 최초 나노융합지능소재팀장 김창열 박사가 세라믹 소재에 대한 그 로 개발한 바 있다. 일본의 아주 우수한 대학원생들은 새로 의 소견을 듣는 시간을 가졌다. 이에 세라믹코리아는 반도성 운 초전도체 연구를 가장 선호한다며, 본인의 경우 새로운 초 세라믹 특집과 관련하여 한국세라믹기술원의 자료를 협조받 전도체 발견하려는 과정에서 신소재가 합성되면 초전도체에 아 대담내용을 게재하고자 한다. 만 집착하지 않고 이 소재에 대해 여러 다른 분야의 적용 가 호소노교수는 IGZO 투명 산화물반도체를 개발한 계기에 능성을 살펴봄으로서 보다 더 창의적인 연구결과를 얻는 동 대한 설명에서 통상의 비정질 광학 소재에서 산화물 비정질 력이 되고 있다고 한다. 둘째, 향 후 연구자가 어느 한 분야의 전자소재로 연구테마를 바꾸어 연구하던 중에 이 비정질 투 전문성으로 갖는 한계를 넘어 서로 다른 분야의 연구자와 융 명 산화물 반도체를 세계 최초로 개발할 수 있었다고 한다. 합함으로서 새로운 창의적인 연구결과를 얻을 수 있으므로 이러한 원천기술 개발 결과를 일본 기업에서는 전혀 관심을 독립연구보다 다양한 분야의 그룹연구를 통해 소재 발전이 두지 않았지만 디스플레이 소자로 발 빠르게 적용한 것이 놀 이루어 질 것으로 예측하고 있다. 셋째, 한국은 디스플레이 랍게도 한국의 대기업이라고 밝혔다. 국적을 떠나 본인의 연 및 반도체 분야에서 이미 세계적인 기업이 있기 때문에 이를 구결과가 실용화되는 것에 크게 만족하다고 소감을 밝혔다. 뒷받침할 수 있는 소재개발에 보다 더 많은 투자 및 지원이 본인의 소신은 소재의 응용과 제품화는 당연히 기업 주도 있어야 한다며, 이를 위해서 보다 많은 우수한 연구자들이 도 의 몫이고, 전문 연구자는 보다 원천적으로 새로운 소재의 개 전적이고 창의적인 연구를 통해 원천소재개발에 주력해야 한 발에 관심을 두어 도전함으로써 창의적인 연구결과를 얻을 다고 강조했다. 수 있다는 것이다. 실용화 연구는 여러 공학적 요소가 결합되 어야 하므로 기업이 잘할 수 있고 전문연구자는 이런 연구 주 Q : 얼마만의 한국방문이신가요? 그동안 한국의 연구자들과의 제에 대해 경쟁력이 떨어지므로 당연히 원천소재 개발에 초 교류에 대해 말씀해 주시겠습니까? 점을 맞추어야 하며, 더구나 실용화 연구보다도 훨씬 파급효 과가 크다는 것이다. 세라믹소재 발전을 위해서는 첫째, 기초 원천 창의소재 연 올 해 세 번째 방문으로 삼성, LG와 자주 교류하고 있다. 삼 성은 특히 자주 만나고 있으며, 삼성을 통하여서 좋은 협력관 November 2013 57

계를 맺고 있다. 내 포닥으로 있던 한국인 박사가 교수가 되 목했다. 그래서 산화물 반도체를 연구하게 된 계기가 되었 었는데, 그를 통하여 한국 연구자가 매우 우수하다는 것을 다. 보통 유리상 (비정질상, 결정질이 아닌 고체상태)을 만드 알 수 있었으며, 이미 5년 전부터 SKKU(성균관대)의 초빙교 는 사람들이 반도체에서는 필요 없다고 버리는데, 소재 디자 수로 있다. 인 개념에 대해 이미지를 만들어 봤다. 산화물반도체가 결정 산화물 반도체인 IGZO (In2O3-Ga2O3-ZnO)에 대한 연구 질과 유사한 정도로 전자 이동도 (전자가 일정전압을 인가하 는 JST를 통하여 연구비를 지원받았으며, 일본 업체들이 이 였을 때 빨리 움직이는 정도)를 보인다. 실리콘반도체는 SP오 소재를 양산화하는 데에는 흥미 있어 하지 않았고, 삼성디스 비탈에서 결정질이 돼서 빨리 움직이는데, 산화물 반도체의 플레이가 이를 양산화하는데 관심을 가졌다. 삼성일렉트로 경우 비정질이면서도 전자가 그런 구조 때문에 잘 움직인다 닉스가 IGZO TFT를 이용한 LCD에 관한 연구결과를 발표하 는 걸 알게 됐다. 이러한 산화물반도체 트랜지스터를 이용하 였으며, 기존의 비정질 실리콘으로 디스플레이를 구현하는데 여 플렉시블 일렉트로닉스에 응용하는데에 사람들은 관심을 충분하다고 생각하고 있었다. 이후 삼성의 발표를 통하여 다 갖게 되었다. 플렉시블 일렉트로닉스에 유기반도체 (organic 른 업체들도 여기에 참여하기 시작했다. semiconductor)를 사용하는데, 투명전극 위에 유기반도체 를 형성하기 위해서 원자수준으로 편평한 투명전극 ITO 소 Q : IDW삿포로(디스플레이 워크숍)때에 보니 일본 업체들도 옥 재를 코팅하는 연구를 진행하였다. 또한, 보통 인듐갈륨옥 사이드 TFT를 열심히 하고 있던데요? 사이드에서 전자의 이동도가 10cm2/VS의 속도를 갖는 것 을 실현하였는데, 이는 비정질 실리콘에 비하여 전자이동도 이유는 잘 모르겠지만 삼성도 아마 새로운 제품을 준비하고 가 100배 빠른 걸 의미한다. 유기 TFT는 전자의 이동도가 있을 거라고 알고 있다. 샤프는 이미 iphone용으로 양산을 0.1cm2/Vs로 매우 느린데, 한국 회사들이 신소재를 찾다가 시작한 것으로 알려졌다. 그것은 기업비밀이라 자세한 사항 IGZO TFT에 관심을 가지게 되었으며 지금은 산화물반도체 은 잘 모르겠다. TFT에 대한 수요가 생겨 많은 관심을 받고 있다. 비정질 광학소재에서 비정질 반도체 소재로 현재 중점연구분야는 p형 반도성세라믹소재, 연구분야를 전환 전력용 반도성소재와 초전도체 Q : 산화물반도체 분야에서 세계적 명성을 얻고 계신데, 이 분야 Q : 앞으로 산화물반도체 중에서 특히 중점적으로 연구개발이 집 를 연구하시게 된 계기 및 산화물반도체의 중요성에 대해 설명해 중되어야 할 분야는 어떤 분야로 보시는지요? 주세요. 우리 연구실이 지금 집중하고 있는 연구분야의 하나가 P 타 나의 박사과정에서 광학유리를 전공했다. 석사 때 지도교수 입 반도성 세라믹소재이다. CMOS가 가능하기 때문에 우리 인 카즈노부 타다나가 (ETL 일렉트로테크니컬 연구실) 비정 는 P타입 TFT의 선구자가 될 수 있다. P형 반도성 세라믹소 질반도체 전문가이다. 그는 비정질반도체의 선구자이다. 그의 재의 경우 전자이동도가 낮은 것이 가장 큰 문제이고, 다음 컨셉은 새로운 세션을 만드는 것이었으며 포토닉의 구조를 은 안정성이라고 할 수 있다. P타입 반도성 세라믹소재는 n형 바꾸는 게 목표였다. 그 당시 일본의 컨셉은 비정질반도체를 반도성소재에 비하면 그 종류가 매우 한정되어 있다. 산업에 적용하는 것에 중점을 두고 있었다. 박사를 마치고 연 미래에는 파워 일렉트로닉스도 아주 중요하다. 일본은 원 구소 생활 20년 후, 나고야에서 도쿄로 왔을 때 그 간의 연구 자력발전소 문제로 석유가 중요하다. 에너지 절약을 위해 파 분야를 모두 접고 새로운 분야인 전자소재에 대해 흥미를 갖 워 소모량이 중요하다. 산화물은 큰 밴드갭을 가져 전력용 반 고 연구하기 시작했다. 도체소재로서 매우 유용한 물질이라고 할 수 있다. 갈륨산화 비정질 실리콘을 대체할 수 있는 소재의 개발 필요성에 주 58 ceramic korea 물 Ga2O3 단결정으로 만드는 게 쉽다. SiC, GaN 단결정 보

다 월등히 쉽다. 갈륨산화물 같이 밴드갭이 큰 소재를 사용 Q : 산화물반도체 이외에 현재 연구하시는 분야는 어떤 것이 있는 하는 연구가 이루어지고 있다. SiC와 GaN의 경우 단결정으 지요? 로 만드는 게 어렵다는 것이 단점이고, 또한 이로 말미암아 소재제조 비용이 크다는 것이 문제이다. 하지만 산화갈륨의 초전도체에 대한 연구를 하고 있다. 우리는 철(Fe)계에 대한 경우 제조가 그에 비해 어렵지 않은 반면, 반도성 산화물 소 초전도체 소재조성에 대한 원천기술을 보유하고 있다. 초전도 재에서는 SiC, GaN와 같은 높은 전자이동도를 구현하는 것 체에 비하면, 반도체 소재에 대한 연구는 상대적으로 쉽다고 이 난제이다. IGZO 경우에는 전자이동도가 비정질 실리콘에 생각한다. 초전도체 소재에 대해서는 많은 한계를 돌파해야 비해서 높은 것을 구현하는 것이 가능했기 때문에 빨리 바 하는 어려운 연구분야이고 또한 경쟁도 심하지만 도전할만한 꿀 수 있었다. 우리는 실리콘 반도체와 비교했을 때 플렉시블 분야라고 생각된다. 이런 분야에서 스마트한 연구자들과 경쟁 전자시대에는 산화물반도체가 보다 더 유용하게 적용될 것 하는 것이 좋고 또한 새로운 아이디어를 내는 것이 나는 즐겁 으로 생각된다. 또한, 상온에서 열을 받았을 때 견딜 수 있는 다고 생각한다. 구리 베이스가 아니라 철 (Fe) 베이스로 처음 유일한 소재라는 장점도 갖고 있다. 발명한 다음, 이 소재에 대해 6000여편의 연구논문이 쏟아져 나오고 있다. 일본에서는 학생들 가운데 스마트한 학생의 경 Q : 2차원 전자화물 (Electride)에 관한 연구결과를 최근 한국 우 도전적인 주제인 초전도체에 대해서 연구하고자 한다. 한 연구팀과 함께 내놨다. 어떤 의미가 있고 응용분야는? 국에는 초전도체를 연구하고 있는 사람들이 많지 않다. 미국, 일본, 독일과 중국 연구자들이 많은 흥미를 갖고 연구하고 있 일렉트라이드는 신소재이며, 뉴프론티어라고 본다. 기초 과학 으며, 대규모 연구비가 지원되고 있다. 내가 신소재를 연구하 과 애플리케이션의 중간단계라고 본다. 일렉트론-일렉트라이 는 전략 중의 하나가 초전도체를 하면서 얻은 새로운 아이디 드는 산소-산화물의 관계와 같은 것이다. 이의 용도론는 2차 어를 반도체 분야에 적용하는 것이다. 한 분야에서 연구하다 원 전자화물에 촉매를 담지하여, 질소와 수소를 반응시켜 암 가 얻은 아이디어가 다른 분야에서 새롭게 적용될 수 있는 모니아를 생성하는 데에 적용이 가능하다. 것이다. 예를 들어서 초전도체를 연구하다가 IGZO라는 산화 물 반도체 조성을 새롭게 개발할 수 있었다. 너무 한 분야만 반도성세라믹소재-초전도체 소재 연구분야의 상호적용을 연구하면 새로운 소재를 찾을 포텐셜이 낮다고 할 수 있다. 통한 신소재 개발 기초원천소재 개발이 더 중요 November 2013 59

연구비의 경우 일본 JST에서만 지원을 받았다. 삼성 리서치는 펀딩과 상관 없이 결과를 요구하지 않는다. 삼성이 내놓은 아 주 훌륭한 디스플레이를 만드는 데 같이 협력을 했는데 좋은 결과를 얻을 수 있었다. 한국 학생들은 매우 훌륭하다. 한국 학생들은 항상 유행하는 토픽을 캐치하려고 하는데 기초 연 구가 훨씬 중요하다고 본다. 학생 때는 특히 그렇다. 애플리케 이션 리서치는 언제든지 할 수 있다. 미래 애플리케이션을 위 해서는 기초연구가 보다 더 중요하다고 할 수 있다. 히데오 호소노 교수가 지난달 18일 제주컨벤션센터에 열린 한국세라믹학회 추계연구발표회에서 기조강연을 하고 있다. 일본소재개발의 원천은 금속제련과 세라믹, 기초소재개발에 대한 정부지원 Q : 산화물 방식 디스플레이 등은 벌써 상용화 됐고 고부가가치 를 창출하고 있다. 산화물반도체의 미래를 어떻게 보는지? Q : 일본의 소재산업, 특히 세라믹 산업이 매우 강한데, 그 힘은 어디에 기인한다고 생각하시는지요? 일본 사람들은 보다 더 정교 내가 관심을 갖는 분야는 기초과학, 원천기술분야로 신소재 하고 작은 부분에 관심이 많기 때문에 소재기술이 강하다고 생각 를 발굴하는 것이다. 기본적으로 대학과 연구소는 원천소재 하는지? 기술을 개발하는 데에 많은 노력을 기울여야 하는 것으로 생 각한다. 기술을 상용화 하는 것은 기업과 산업계가 해야 할 일본의 소재의 근원은 금속제련에서 시작한다고 볼 수 있다. 일이라고 생각한다. IGZO는 이미 내 손을 떠났고, 이를 응용 광물로부터 금속성분을 제련한는 것으로부터 일본 소재가 한 상품화는 기업이 잘 수행할 것이라고 생각한다. 우리는 기 발전할 수 있었다고 생각한다. 도호쿠대학의 혼다 교수의 철 초분야에 관심이 있다. 이 분야에 집중적으로 연구개발 지원 강 제조가 소재개발의 시작이다. 1980부터 세라믹 열기가 일 하는 것이 매우 중요하다. 본에 불었다. 세라믹 엔진을 만들자고 했다. 그 프로젝트는 실패했다. 그래서 세라믹 리서치가 점점 줄어들게 됐다. 일본 Q : 정부지원은? 전자산업이 강하니까 전자소재분야가 강하다고 할 수 있다. 세라믹업계에서는 교세라와 무라타, NGK 등이 세계적인 기 20년간 정부 지원을 받아왔다. JST는 원천기술 연구에 대해 업들이 소재산업을 키워왔다고 생각한다. 서 재정을 지원하는 단체이다. 반면, 산업부는 기초연구에는 한국이 이제는 전자산업 분야에서 강국이 됐으니 소재에 지원을 하지 않는다. 오로지 상용화에 너무 관심을 갖고 열 대한 관심이 클 것으로 생각되고 이를 뒷받침할 수 있는 소 을 올리면 새로운 결과를 얻기 어렵다. 가장 중요한 것은 연 재산업이 발전해야 된다고 생각한다. 특히, 한국은 반도체산 구 결과물이라고 생각한다. 너무 상용화에 치우치면 신소재 업이 강하기 때문에 이에 대한 연구는 계속 진행해야 한다고 와 같은 새로운 연구결과물이 나올 수 없게 된다. 유행을 따 생각한다. 라가면 모두가 유사한 연구를 하게 된다. 그러면, 독창적인 연 개인적으로는 이런 소재분야의 기초적이면서 원천기술에 구를 하거나 선구자가 될 수 없다. 나는 많은 연구자가 선호 대한 투자가 이루어져야 한다고 생각한다. 또한, 기존의 것을 하는 인기있는 연구보다는 신소재를 찾는데 주력해 왔다고 카피하거나 잘 만드는 한계에서 벗어나 새로운 개념의 소재 할 수 있다. 들이 도입하여야 할 시기가 도래한 것으로 볼 수 있다. 이것 은 한국의 정부에서 추진하고 있는 창조경제와도 연계되어 Q : 향후 한국과 공동연구를 해보실 생각이 있으신지, 있다면 어 떠한 연구분야인지 궁금합니다. 60 ceramic korea 있다고 생각한다.

디스플레이, 반도체를 뒷받침할 소재원천기술 및 융합기술 개발 중요 of CuAlO2, Nature, 389, 939-942 (1997). 2. Nomura, K.; Ohta, H.; Ueda, K.; Kamiya, T.; Hirano, M.; Hosono, H., Thin-film transistor fabricated in single- Q : 한국의 세라믹소재 산업발전을 위한 제언을 해주신다면? crystalline transparent oxide semiconductor, Science 300, 1269-1272 (2003). 한국은 디스플레이, 반도체에서 세계적인 리딩 회사를 가지 3. Hayashi, K.; Matsuishi, S.; Kamiya, T.; Hirano, 고 있다. 이제 그 다음이 중요하다고 볼 수 있다. 중국은 엄청 M.; Hosono, H., Light-induced conversion of an 난 연구비 투자와 세계에 흩어져 있는 우수한 인력으로 인해 insulating refractory oxide into a persistent electronic 과학기술의 발전속도가 엄청나게 빠르다고 할 수 있다. 예를 conductor, Nature 419, 462-465 (2002). 들어서, 새로운 소재가 개발되어 연구논문이 발표되면, 일주 4. Matsuishi, S.; Toda, Y.; Miyakawa, M.; Hayashi, K.; 일 내에 중국에서도 같은 연구가 이루어져서 소재에 대한 분 Kamiya, K.; Hirano, M.; Tanaka, I.; Hosono, H., High- 석이 이루어지고 있는 것을 보고 놀란 적이 있다. 이러한 가 density electron anions in a nano-porous single 운데 디스플레이, TV, 메모리 반도체와 같은 시스템과 부품 crystal: [Ca24Al28O64]4+(4e-), Science 301, 626-629 의 제조 분야와 이를 뒷받침할 소재개발에 균형을 맞춰야 한 (2003). 다. 그리고 기초 연구 분야에 많은 투자를 하길 바란다. 소재 5. Nomura, K.; Ohta, H.; Takagi, A.; Kamiya, T.; Hirano, 개발에는 인내하고 인내하고 인내하라 고 조언하고 싶다. 소 M.; Hosono, H., Room-Temperature Fabrication of 재에 대한 연구성과를 얻으려면 수많은 인내와 중장기적인 Transparent Flexible Thin Film Transistors Using 연구투자가 필요하다. Amorphous Oxide Semiconductors, Nature 432, 488 연구개발 통계에 따르면, 신소재를 개발하는 데에는 평균 (2004). 18년이 걸리는 것으로 되어 있다. 그러나 이러한 연구기간이 6. Yoichi Kamihara, Takumi Watanabe, Masahiro 점점 짧아지고 있다. 인내하는 시간이 이제는 점점 줄어들고 Hirano, and Hideo Hosono: Iron-Based Layered 있으며, 경쟁관계가 보다 더 치열해지고 있다. 데이터마이닝 Superconductor La[O1-xFx]FeAs (x = 0.05-0.12) with 과 빅데이터 기술이 새로운 소재를 연구하는데 많은 도움을 Tc ~ 26 K; J. Am. Chem. Soc., 130, 3296 (2008). 주고 연구기간을 더 짧게 할 것으로 생각한다. 하지만 가장 7. Hiroki Takahashi, Kazumi Igawa, Kazunobu Arii, 중요한 건 연구자이다. 이제는 잘 하는 기술분야, 소재를 어떻 Yoichi Kamihara, Masahiro Hirano, Hideo Hosono: 게 융합할 수 있는가가 더 중요하다. Superconductivity at 43 K in an iron-based layered 한국은 디스플레이에서는 자이언트가 됐다. 중국이 매우 compound LaO1-xFxFeAs; Nature, 453, 376, (2008). 빨리 추격하고 있고, 미국, 유럽으로부터 많은 우수한 연구자 들이 중국으로 와서 반도체와 디스플레이를 개발하고 있다. 이제 새로운 기술의 독점은 3개월이면 끝난다. 차이니즈 아 메리칸이 매우 많고 중국인은 어디에나 있다. 이제 세라믹은 전통분야만 바라보아서는 안되며, 또한 세라믹 한 분야에만 머물러서도 안된다고 생각한다. 많은 유기소재와 세라믹 소 재는 융합화 될 것으로 보인다. 호소노 교수의 최근 주요 논문 1. Kawazoe, H.; Yasukawa, M.; Yanagi, H.; Hosono, H., P-type electrical conduction in transparent thin films Hideo Hosono Tokyo Institute of Technology Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering 4259 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama, 226-8502, JAPAN 연구실 홈페이지 http://www.khlab.msl.titech.ac.jp/ TopPage-e.html 현재 연구 분야 Oxide semiconductor, Nanostructured oxide crystal, Catalysis, Structure analysis by pulsed EPR, Thin film transistor, Light-emitting diode, Electron emitter November 2013 61

Special 생태계 창조형 첨단 반도성 세라믹 소재 기술 개발(2) 반도성 세라믹 원료기술 개발 정 재 경_ 인하대학교 신소재공학과 교수 김 효 진_ 인하대학교 신소재공학과 석사과정 권 장 연_ 연세대학교 글로벌융합공학부 교수 1. 서론 랜지스터, Thin Film Transistor)로서 응용성에 대 한 연구는 일본 동경대의 호소노 교수팀이 2004년 일반적으로 전이금속 산화물 박막은 양이온의 조합 Nature에 In-Ga-Zn-O 산화물을 상온에서 증착하 에 따라서 강유전체 (BaTiO3, PbZrO3 etc), 반도체 여 전계이동도 10 cm2/vs 이상의 트랜지스터 소자 (ZnO, InGaZnO etc) 및 전도체 (Sn-doped ITO, 를 발표한 이후부터 전세계적으로 집중되었다 [1]. Al-doped ZnO etc)등의 다양한 물성을 나타낸다. 한편, 정보 디스플레이 산업의 눈부신 성장에 발맞 최근 정보디스플레이 산업의 백플레인 구동소자 추어 초고화질, 초고선명 및 대형화 등을 포함하는 로 각광을 산화물 반도체소자는 ZnO 혹은 In2O3 최신 기술의 디스플레이 구동을 위해서는 4,000 x 와 같이 양이온을 기반으로 한다. 가장 대표적인 반 2,000 이상의 픽셀과 240 Hz 이상의 frame rate 및 도성 세라믹스로써 ZnO 물질은 결정 구조적 이방 70인치 이상의 화면 크기가 필요하다. 이러한 기술 성, 비화학양론적 결함구조, 넓은 밴드갭, 높은 굴절 적 요구사항을 만족하기 위해서는 각 픽셀에 영상 률 및 광전 비선형 광학계수를 갖는 재료이다. ZnO 정보를 기입하는 충전시간을 그림1에서와 같이 급 박막은 압전소자, 발광다이오드, 투명 전도막, 음향 격히 감소시켜야한다. 그러나 현재 대부분의 TFT- 파 소자, UV 센서 및 박막트랜지스터 등 그 이용범 LCD 디스플레이에 적용되고 있는 비정질 실리콘 위가 매우 다양하다. 특히 디스플레이 TFT (박막트 TFT는 전계이동도가 0.5cm2/Vs에 불과하여 상기 그림 1. 해상도 및 frame rate 증가에 따른 charging 시간 감소 62 ceramic korea

특성을 만족하는 것이 한계에 이르고 있다. 따라 의 이성분계 산화물 반도체를 이용한 투명 전극은 서 상기의 최신 기술의 디스플레이 소자에 적합한 높은 캐리어 농도 (1018~1021 cm-3)와 약 10 cm2/vs TFT 소자 특성을 구현하기 위해서 고이동도를 갖 이상의 전자 이동도를 나타낼 수 있다. 이러한 투명 는 신물질의 개발은 필수이다. 산화물 반도체 물질 전극의 뛰어난 전기적 특성은 Si 또는 GaAs와 같은 은 상대적으로 높은 전자 이동도 (3~50 cm /Vs) 공유결합성 반도체와 다른 전자 배치에 기인한다. 를 갖기 때문에 타 물질에 비해 많은 집중과 관심 산화물 반도체는 주양자수 (=n)가 5 이상인 (n-1) 을 가지고 있다 [1-2]. 뿐만 아니라, 대부분의 산화물 d10ns0 형태의 전자배치를 가지는 중금속 양이온을 반도체 물질은 비정질 상을 유지하기 때문에 균일 적어도 하나 이상 포함하고 있으며, 전도대가 금속 한 특성을 나타낼 수 있고 8세대 (기판크기 2,200 이온의 ns 궤도에서 형성되어 가전도대가 산소 음 2,500 mm) 이상 대형 기판에 증착기술이 확립 이온의 2p 궤도에서 형성된다. 특히 큰 반경의 금속 된 스퍼터링법에 의해 성막될 수 있기 때문에 대형 양이온은 인접한 양이온과 s-궤도의 중첩이 발생하 디스플레이 적용에 매우 적합한 장점을 가지고 있 게 되며 이러한 중첩으로 인해 비정질임에도 불구 다. 이러한 이유 때문에 산화물 반도체 특성을 보이 하고 전자의 이동이 중첩된 s-궤도를 따라 보다 쉽 는 물질 조성에 대한 연구가 매우 활발하게 진행되 게 이웃한 양이온으로 이동할 수 있다. 앞서 언급한 었으며 현재까지 ZnO, InZnO, ZnSnO, InGaO, In In2O3와 ZnO 및 SnO2 등의 이성분계 산화물 반도 ZnGaO, InZnSnO, ZnGaSnO와 같이 이성분계부 체의 광학적 밴드갭과 대표적인 광학적 투과도 그 터 사성분계까지 다양한 양이온 조합 및 조성을 갖 림을 아래 그림 2에 나타내었으며, 그림에 나타난 는 산화물 반도체를 채널로 갖는 TFT 소자가 개발 ZnO 박막의 경우, 가시광선 영역에서 약 80% 이상 되었다. 실제 산화물 트랜지스터 소자의 이동도, 문 의 광학적 투과도를 나타내는 투명한 물질임을 알 턱전압, 게이트 스윙 및 Ion/off 점멸비와 같은 파라 수 있다. 2 미터와 전기적, 광학적 신뢰성은 산화물 반도체 조 성에 매우 밀접하게 의존하는 것으로 알려져 있다. 본 기고에서는 산화물 반도체를 이성분계, 삼성분계 및 사성분계로 구분하여 양이온 component와 조 성의 변화에 따른 TFT 소자의 성능에 대한 연구결 과를 살펴보기로 한다. 2. 이성분계 산화물 반도체의 물성 그림 2. 대표적인 이성분계 산화물 반도체의 광학적 특성 산화물 반도체 물질 중에 이성분계로 구성되는 현재 이성분계 산화물 반도체의 경우 대부분 n형 In2O3와 ZnO 및 SnO2 등은 3 ev 이상의 넓은 밴드 특성을 보이고 있기 때문에 p형 특성을 가지는 산 갭 에너지를 가지기 때문에 가시광선 영역의 빛을 화물 반도체 물질이 개발될 경우, CMOS 형태의 소 모두 투과 시킬 수 있는 특성을 가지고 있다. 또 자 제작이 가능하고, OLED 구동에도 유리한 측면 한 산소 공공 등에 의한 자연적인 결함 때문에 비 이 많기 때문에 공정 중 도핑 조건의 변화 또는 앞 교적 높은 전자 전도도 (10-2~103/Ω cm)를 가지기 서 언급되지 않는 신물질의 개발 등을 통해 p형 산 때문에 투명 소자에 적합한 전극으로 각광을 받고 화물 반도체 연구도 활발히 진행 중에 있다 [4]. [3] 있다. 이러한 특성 때문에 In2O3와 ZnO 및 SnO2 등 November 2013 63

생태계 창조형 첨단 반도성 세라믹 소재 기술 개발(2) 2.1 ZnO 박막 특성 크게 산소 공공과 금속 공공, 두 가지로 분류할 수 있다. 일반적으로 ZnO에서 결함은 산소 공공 또는 기본적으로 ZnO는 Hexagonal wurtzite 구조 침입형 금속에 의해서 형성되며 이러한 결함은 모 를 가지며 격자 상수는 a=3.2495 Å, c=5.2069 두 박막 내 캐리어를 공급하는 역할을 한다. Å이다. Wurtzite는 구조는 두 개의 겹치는 HCP 이러한 ZnO 박막은 낮은 온도에서 손쉽게 형성 (Hexagonal Close Packed) 구조로 구성되어 있으 하여 높은 전자 이동도를 얻을 수 있는 장점 때문에 며 하나의 HCP 구조에 다른 HCP 구조가 c-축 방 많은 관심을 받고 있다. 향으로 이동되어 이루어 지는 구조이다. 이러한 구 특히 ZnO 박막은 형성 조건에 따라 박막 내 산 조의 특징은 하나의 원자가 다른 원자들에 의해 사 소 함량이 변하면서 이에 따라 비저항 특성이 폭넓 면체 구조를 이루고 둘러싸여 있는 것이다. 결과적 게 변화한다. 이러한 특성 변화 이용하여 사용자는 으로 Zn 층은 산소층에 비하여 상대적으로 큰 표면 원하는 물성을 가지는 박막을 손쉽게 얻을 수 있다. 에너지를가지며, 빠른 성장 속도와 높은 내부식성/ 하지만, 불순물이 첨가되지 않은 순수한 ZnO의 경 내마모성을 갖게 된다. 기존 연구에 따르면 ZnO가 우, 외부 노출에 따른 산소의 영향으로 Zn과 O의 n형 반도체 특성을 나타내는 이유는 박막이 성장하 정량비가 변함에 따라 전기적 특성이 변화하는 문 면서 화학양론적인 조성비가 이상적인 경우와 달라 제를 가지고 있다. 그림 3과 4에서 볼 수 있듯이, 외 지기 때문이다. 따라서 ZnO 내부에서 형성되는 결 부 노출에 의한 영향 이외에도 소자 동작이 지속되 함의 특성과 ZnO 박막의 전기적 특성은 서로 밀접 면서 발생할 수 있는 전압 스트레스에 의해서도 특 한 관계가 있다. ZnO에서 비화학양론적인 결합은 성이 변하는 문제가 발생한다 [5]. 따라서 이러한 문 제 해결을 위해 Al과 Ga 및 In 등을 첨가하여 외부 노출에도 안정적인 소자를 만들 뿐만 아니라 순수 한 ZnO보다 더 높은 전기적 특성을 갖는 물질 개 발이 활발히 진행 중에 있다. ZnO는 앞서 언급한 뛰어난 광학적 특성은 투명 전극으로서의 활용이 가능하다. 투명 전극은 차세 대 투명 디스플레이에 반드시 필요한 소재 중의 하 나로, 내부 전자 소자를 외부 영향으로부터 보호하 고, 전자 소자로 전기적 신호를 잘 전달하면서도 발 그림 3. 전압 스트레스에 따른 소자의 전기적 특성 변화 64 ceramic korea 그림 4. ZnO TFT 소자의 스트레스 시간에 따른 문턱전압 (Vth) 이동

그림 5. ZnO를 이용한 (좌)투명 박막 트랜지스터 구조와 전기적 특성 및 (우) 플렉시블 소자 생하는 빛을 저항 없이 전달해야만 한다. 따라서 높 (우)). 기존과 다르게 플라스틱 등의 유연한 재료를 은 빛 투과율과 우수한 전기 전도성은 투명 전극 기판으로 사용할 수 있기 때문에 곡면에의 적용이 의 필수 조건이며, 소자 제작 공정 중에 발생할 수 가능할 뿐만 아니라 접거나 구부릴 수 있어서 광범 있는 열에 특성이 변화하지 않는 우수한 열안정성 위한 적용성을 갖는 차세대 디스플레이 소자로 각 을 가져야 한다. 지금까지 대표적으로 사용되고 있 광을 받았다. 는 투명 전극인 ITO의 경우, 광학적 특성과 전기적 특성은 매우 우수하지만, 주원료인 In 의 생산 단 2.2 이성분계 산화물 반도체의 한계 가가 매우 높고, 낮은 열안정성 때문에 특성이 쉽게 변질되는 문제점을 가지고 있다. 이에 비해 ZnO의 뛰어난 전기적 특성에도 불구하고 In2O3와 ZnO 및 경우, 높은 광학적 특성과 전기적 특성 이외에 우 SnO2 물질은 다결정 구조를 가지기 때문에 발생 수한 열안정성과 비교적 저렴한 생산 단가로 인해 하는 대면적에서 불균일한 전기적 특성으로 인해 ITO를 대체하는 투명 전극으로 관심을 받고 있다. TFT의 채널 물질로 사용되기에는 부족하다 [1, 10- 이외에도 Mg 등의 첨가에 의한 밴드갭 조절을 이용 11]. 따라서 불균일한 특성을 극복하기 위해 위에서 한 자외선 영역의 레어져 발진 소자 및 광검출 소 언급한 개별적인 이성분계 산화물 반도체의 효과적 자, 광도파관 및 센서 등으로 활용이 가능하다 인 조합을 통해 넓은 면적에서도 균일도를 확보할. [6-9] 이러한 관심에 따라 포르투칼의 Fortunato 그룹 에서는 ZnO를 이용하여 성공적인 투명 박막 트랜 수 있는 비정질 산화물 반도체 물질의 합성이 중요 한 이슈가 된다. 지스터 연구 결과를 얻었다. 가시광선 영역에서의 투과율이 약 85%로서 투명 디스플레이 응용 가능 성을 제시하였다. 이 그룹에서는 ZnO 박막을 스퍼 3. 삼성분계 산화물 반도체의 물성 터링 방법으로 형성하였으며, 이 때 증착 조건 중에 하나인 증착 파워를 조절하여 불순물 없이 순수한 3.1 IZO 특성 ZnO만으로 반도체 특성을 확보하였다. 이에 따라 약 33 cm2/vs의 높은 전자 이동도와 더불어 107 이 비정질 상을 가지는 물질을 형성하는 주요한 원칙 상의 Ion/Ioff 비를 얻었다 (그림 5 (좌)). 동경 공대 중에 하나는 서로 다른 결정 구조를 가지는 다성분 의 Hosono 그룹에서도 ZnO를 이용하여 플렉시블 계 물질들을 혼합하는 것이며, 앞서 언급한 In2O3 투명 트랜지스터를 제작하여 발표하였다 (그림 5 와 ZnO 및 SnO2 물질은 위 조건에 만족한다. 예를 November 2013 65

생태계 창조형 첨단 반도성 세라믹 소재 기술 개발(2) 들어, In2O3와 ZnO는 각각 서로 다른 Bixbyite 와 를 가지는 반도체 특성을 나타낸다 [18]. 이러한 비저 Wurtzite 구조를 가지며, InO6와 ZnO4로 서로 다 항 특성 이외에도 비정질 IZO 물질은 600 C까지 매 른 수의 산소와 결합한다 [4]. 이러한 결과로 In2O3 우 우수한 열적 안정성을 보유한다 [19]. 이러한 비정 와 ZnO의 혼합은 비정질상을 가지는 IZO (In-Zn- 질 IZO의 우수한 특성으로 인해 디스플레이 응용 Oxide) 물질을 만들고 최소 500 열처리 온도에서 을 위한 반도체 채널과 투명 전극 물질로 IZO는 널 는 비정질상을 유지한다. 이러한 비정질 산화물 반 리 연구되고 있다. 하지만, IZO는 20 cm2/vs이 넘 도체의 전자 운송 특성은 ZnO 등의 이성분계 결정 는 우수한 전자 이동도 등의 뛰어난 특성에도 불구 질 산화물 반도체와 매우 유사한 것으로 알려져 있 하고, 전형적으로 고농도 캐리어 (>1017 cm-3) 때문 다 [4,12]. 대부분의 삼성분계 이상의 투명 산화물 반 에 캐리어 농도를 조절해야만 하는 큰 문제가 있다. 도체는 이온 결합 특성을 가지고 있다. 이온성 비정 고농도 캐리어로 인한 TFT 소자의 높은 off 전류는 질 산화물 반도체는 적절한 캐리어 농도 조건에서 소자 응용을 위해서 반드시 해결되어야 할 과제이 는 기존 공유결합성 반도체에서 나타나는 호핑 메 다 [11,20]. 커니즘이 아닌 밴드 전도 메커니즘으로 캐리어가 이동한다. 이러한 높은 캐리어 농도를 낮추기 위해 비정질 IZO 박막 내 Hf, Zr, Mg, Si과 Ga 등의 불순물을 첨 결과적으로 IZO 물질은 평판 디스플레이용 투명 가한 사성분계 산화물 반도체에 대한 연구가 활발 전극 뿐만 아니라 TFT의 채널층으로도 충분히 사 히 진행 중에 있다 [21-26]. 이에 발맞추어 최근에는 용될 수 있다고 여러 문헌들에서 보고되고 있다 [13- Al 함량에 따른 IZO TFT의 전기적 특성 변화가 보 16]. 특히 증착 조건과 IZO 내 In과 Zn의 조성변화 고되었고, 대표적 전기적 특성을 그림 6에 나타내었 에 따라 약 10-4부터 약 108 Ω cm에 이르는 폭넓 다 [27]. 은 비저항을 나타낸다. 따라서 IZO의 비저항을 조 절하면서 사용 용도에 적합한 물질 형성 (ex. 전 3.2 ITO 특성 극 물질 또는 채널 물질 등)이 가능한 장점이 있다. 실제로 10 wt.% ZnO를 가지는 IZO 물질 (In2O3 : 이성분계 산화물 반도체인 In2O3와 약 6~10 wt.% ZnO = 9 : 1)은 대부분의 경우에 전극 물질로 활용 의 SnO2를 혼합한 ITO는 대표적인 투명 전극 물질 이 가능하다 이다. ITO는 높은 전기전도도를 나타낼 뿐만 아니. [13,17] 반면에 In과 Zn과 약 6 : 4의 비율을 가지는 IZO 라 가시광선 투과도 역시 90%에 근접할 정도로 높 물질은 비저항이 약 10부터 약 108 Ω cm의 범위 다. 그러나, In 원소의 경우 지각에 존재하는 철의 1 ppm 정도로 매우 희소하게 존재하는 재료로 원료 수급 불안정에 따른 가격변동이 크기 때문에 이를 대체할 수 있는 물질에 대한 연구가 필요하다. 그 중에서 co-doping에 의해 획기적으로 In의 사용량을 줄일 수 있는 방법이 제안되었다. In2O3의 In3+ 자리에 Sn4+을 첨가할 경우, 여분의 전자로 인 해 자유전자가 생성되어 In2O3의 전기전도도는 증 가하게 되지만 Sn의 첨가량이 증가할 경우 생성되 는 전자를 보상하는 양이온 공공이 생성될 수 있으 며, 이로 인하여 Sn의 고용 한계는 제한되고 전기적 그림 6. Al 함량에 따른 IZO TFT의 전기적 특성 변화 66 ceramic korea 물성도 저하될 수 있다.

Co-doping 공정의 경우, 격자에너지를 낮추고 일함수를 조절할 수 있는 효과가 있어서 재료의 물 SnO2를 첨가한 ZTO 등의 여러 대체 가능한 물질들 의 연구가 진행 중에 있다. 성을 원하는 대로 조절할 수 있는 특징이 있다 [28]. 이러한 사실을 바탕으로 고용량에 영향을 주는 원 3.3 ZTO 특성 자가 및 이온반경을 고려하여 co-doping 공정을 IZO 이외에도 ZnO와 SnO2를 혼합하는 ZTO 물질 진행할 경우, In 절약형 n형 투명 전극을 개발할 수 도 주목을 받는 물질 중에 하나이다. IZO와 유사하 있을 것으로 예상되며, 앞서 언급한 IZO는 물론 게 ZnO와 SnO2는 서로 다른 구조 (ZnO: Wurtzite, 그림 7. HfOx/AlOx를 이용한 용액 공정법 ZTO TFT의 대표적 전기적 특성 그림 8. 측정 분위기에 따른 ZTO TFT의 전기적 특성 변화와 그에 따른 문턱 전압 변화 및 소자 구조 November 2013 67

생태계 창조형 첨단 반도성 세라믹 소재 기술 개발(2) SnO2: Rutile)와 산소 수 (ZnO4 / SnO6) 때문에 쉽 었고, 도핑되지 않은 순수한 IGO 박막의 밴드갭 에 게 비정질상이 형성된다 [10]. 이러한 ZTO는 뛰어난 너지는 약 3.3~3.4 ev로 알려져 있다. 이러한 IGO 전기적 특성 뿐만 아니라 희귀금속인 In 의 부재로 물질의 응용은 주로 투명 전극 분야에 한정되어 있 인해 공정 단가를 낮출 수 있는 장점을 가지고 있으 으며 타 투명 전극에 비해 우수한 투명도 특성을 나 며, 고농도의 산 분위기에서도 안정적인 소자 특성 타낸다 [35-36]. IGO TFT는 기존 산화물 TFT와 마찬 을 나타내고 (내산 특성), 물리적 강도가 뛰어난 것 가지로 매우 높은 전자 이동도를 나타낸다. 600 으로 알려져 있다 [29]. 에서 열처리한 IGO TFT의 경우 약 27 cm2/vs의 ZTO를 이용한 TFT의 경우, 후속 열처리 온도에 이동도를 나타낸다 [37]. 따라 다양한 전기적 특성을 나타낸다. 연구에 따르 면 ZnO와 SnO2의 몰비가 1:1 또는 2:1인 타겟으로 제작한 TFT의 전기적 특성은 서로 유사하다. 이는 4. 사성분계 산화물 반도체의 물성 ZTO의 전기적 특성이 Zn와 Sn의 조성비에 따라 크게 영향을 받지 않는다는 것을 의미한다. 이러한 4.1 ZITO 특성 ZTO의 특성은 실제 제품 양산 공정에 유리한 장점 으로 적용될 수 있다. 스퍼터링으로 증착한 ZTO 박 막의 표면은 매우 매끄럽고, 비정질 또는 약 5 nm 이하의 나노 결정 구조를 가진다 [30]. 또한 투명 전 극의 적용과 ZTO 표면의 효과적인 passivation을 위한 공정 연구가 진행되었다. 최근에는 게이트 절 연막을 고유전율을 가지는 HfO2와 Al2O3를 사용하 여 용액 공정법으로 제작한 ZTO TFT의 특성이 보 고되었다 [31]. 그림 7에 대표적인 전기적 특성을 나 타내었다. 이와 더불어 ZTO TFT의 전기적 특성 분 위기에 따른 소자 특성 변화가 보고되었고 대표적 특성을 그림 8에 나타내었다 [32]. 그림 9. DC sputtering 으로 제작된 ZITO 박막의 기판 온도에 따른 광학적 투과도 3.4 IGO 특성 IGO는 넓은 밴드갭을 갖는 n형 반도체 물질로 화 확양론적으로 In2xGa2-2xO3 (0<x<1)로 표현된다. IGO 박막을 다양한 분석 장비를 이용하여 분석하 였을 때, x < 0.43인 경우에는 β-ga2o3 격자 내로 In 치환이 일어나고, x > 0.95인 경우에는 In2O3 격 자 내로 Ga 치환이 일어난다 [33-34]. 또한 x가 이 사이의 경우에는 (0.43 < x < 0.95) β-ga2o3 상과 cubic In2O3 구조를 갖는 Ga2O3In2O3 상으로 상분리가 일어난다. IGO 박막은 비정 질 또는 β-ga2o3 결정 구조를 갖는 것으로 보고되 68 ceramic korea 그림 10. (a) cosputtering system 의 target과 substrate 구조도, (b) bottom gate 와 contact 구조를 가진 ZITO TFT 의 단면

수를 가지는 In2O3, ZnO, SnO2 (In2O3: Bixbyite, ZnO: Wurtzite, SnO2:Wurtzite) 의 혼합으로, 비교 적 비정질 구조의 형성이 용이하며, 가시광선 영역 에서 80%를 상회하는 투과도를 가지는 물질이다. (그림 9) [38] 이러한 ZITO 사성분계 산화물 반도체는 그림 10(a)와 같이 ITO, ZnO, SnO2 각각의 물질의 타깃 을 이용한 co-sputtering system 으로 제작된다. 그림 10(b)는 이렇게 제작된 바텀 게이트 구조의 ZITO 채널 디바이스의 단면도 이다 [39]. 그림 11. (a) In,Zn,Sn 양이온 조성 삼각형(A-J), (b) Channel 물질의 조성에 따른 transfer curve(in:a-e) ZITO 사성분계 산화물 반도체를 이용한 박막 트 랜지스터 에서, In2O3의 비율은 Field effect mobility를 결정하는 중요한 component로서, In의 비율 이 증가 할수록, 이동도가 향상되는데, 이러한 높 은 In의 비율은, 문턱전압의 불안정성을 야기 시키 기도 한다. 그림 11에서 In, Zn, Sn 세가지 양이온의 조성과, 조성에 따른 transfer curve 를 보면, 포인 트 A(In rich)에서 포인트 E 로 조성이 변화 할수록, 문턱전압은 -23V에서 0V로 점차 양호한 값으로 이 동하는 것을 확인 할 수 있다. 또한, In의 함량에 따 그림 12 (a) Channel 물질의 조성에 따른 transfer curve(sn:f-j), (b) ZITO 의 Sn 의 함량에 따른 mobility, Vth, SS 값의 변화 라 이동도는 최대 33.6 cm2/vs에서 15.4cm2/Vs 로 변화 하는데, 이는 In 원자가 net carrier generator 로서 뿐만 아니라, 이동도 enhancer 로도 쓰이는 것을 의미한다 [40]. ZITO 산화물 반도체에서 Sn의 함량의 변화에 따 라(그림 11(a): F-J), 이동도의 변화는 크게 발생 하 지 않았으나, 문턱전압이 다소 양의 방향으로 이동 하는 경향이 나타나고, SS 값이 크게 향상 되는 것 을 확인 할 수 있다(그림 12). SS 값의 경우 채널 벌크 또는 채널과 절연체 사 이의 전체 트랩 밀도에 의해 좌우 되는데, Sn에 따 그림 13 (a) 최적화된 Zn:In:Sn 비율(40:20:40)로 제작한 ZITO 박막 트랜지스터의 transfer curve, (b) output 특성 른 SS 값의 감소되는 현상을 통해, Sn 양이온이 ZnInSnO 산화물 반도체의 gap state를 감소시키는 최근 IGZO가 양산에 적용이 되면서, 사성분계 산 역할을 하는 것을 알 수 있다. 그러나, Sn의 함량이 화물 반도체에 대한 관심도 함께 증폭되고 있는 과도하게 많은 경우(>48%), 문턱 전압은 다시 음의 데, ZITO (Zn-In-Sn-O) 가 그 대표적인 예이다. 방향으로 이동하고, SS 값 또한 0.12 V/decade에서 ZnInSnO 의 경우, IZO, ZTO 와 같은 삼성분계 산 0.24 V/decade 로 증가 하는데, 이는 Sn의 과도한 화물 반도체와 마찬가지로, 각각 다른 구조와 산소 첨가에 따른 산소의 결핍과 이로 인한 net carrier November 2013 69

생태계 창조형 첨단 반도성 세라믹 소재 기술 개발(2) density 의 증가에 기인한 것으로 보고 있다. 다른 결과가 나타는 것과 같은 맥락으로, In/(In+Zn 다양한 연구를 통해 최적화된 Zn, In, Sn 의 비 +Ga)값이 감소하기 시작하면 CBM (Conduction 율로 제작한 ZITO 트랜지스터는(그림13), 이동도 Band Minimum) 근처에서더 높은 구조적 무질서 24.6 cm2/vs, Vth -0.4V, Ion/off ratio >109, SS 0.12 V/ 도가 나타나고, 이것은 trap state의 증가를 가져오 decade 로 매우 우수한 성능을 가지기 때문에, 새 로운 투명 산화물 반도체 소재로서 주목을 받고 있 고, 양이온 조성변화에 따른 bias 와 온도에 따른 신 뢰성에 대한 추가적인 연구가 지속적으로 진행되고 있다. 4.2 IGZO 특성 비정질 산화물 반도체의 대표 격인 비정질 InGa ZnO에서, In2O3는 이동도를 향상시키는 역할을 하 고, ZnO 는 network 를 형성하며, Ga2O3 는 네트 워크를 안정화 시키고, 전하를 억제시키는 역할을 각각 하기 때문에, 최초 발표된 2004년 부터 현재까 지 가장 우수한 신뢰성을 갖는 산화물 반도체 재료 로 손꼽히고 있다 [20]. 당시, Hosono 교수 그룹에서 는 산화물에서 금속의 최외각 전자중 방향에 따른 비등방성이 가장 작은 s-오비탈 파동함수의 중첩이 전자의 밴드전하 수송에 기여하는 것으로 보고, 이 그림 14 (a) 플라스틱 기판 위에 a-igzo 채널로 제작된 박막 트랜지스터, (b) R=30mm로 구부린 flexible 트랜지스터 (c) 플라스틱 기판위에 제작된 TFT array, (d) 구부러진 a-igzo 박막 트랜지스터의 output 특성 것을 박막임에도 고이동도(>10cm2/Vs) 를 가질 수 있는 원인으로 보았다 [1,11]. (그림 14) 산소와의 결합이 비교적 강한 Gallium 을 IZO 에 첨가 하였을 경우, IGZO 내에 Ga의 양이 증가함에 따라, back ground 캐리어 농도가 감소하여, Von 의 양의방향으로의 이동을 촉진 시킨다(그림 15). 따라서 Ga의 첨가는 In의 비율이 높은 IZO에서는 on/off 가 분명하게 구분되는 TFT의 제작을 가능 하게 하지만, In의 비율이 상대적으로 낮은 IZO의 경우에는, Von과 Δ Von 값을 높이고, 이동도를 급 격하게 저하시키기 때문에 적용이 바람직하지 않다 는 것을 알 수 있다. IGZO 의 조성에 따른 stability 의 경우, 그림 16에서 볼 수 있듯이, Δ VT 값이 크게 나타난 2:2:2, 2:2:1 비율의 IGZO 가 가장 불안정한 소자임을 확인 할 수 있다 [45]. 이는 앞서 Ga을 첨가 하였을때 In의 비율에 따라 70 ceramic korea 그림 15 (a) 150 C에서 annealing된 산화물 반도체의 조성에 따른 transfer 특성, (b) IndiumGallium-Zinc 산화물 계에서 각각의 조성에 따른 전계 이동도 및 (c) Von의 분포

경에 노출될 때 문턱전압의 이동하는 이슈가 있었 기 때문에 이를 개선하기 위한 조성 탐색이 진행되 었다. 가장 대표적인 개념은 Ga과 비슷한 전기음성 도를 갖는 Zr [22] 및 Hf [22] 등을 대신하여 도핑하여 전기적 안정성을 개선하는 방법이다. 동일한 정전류 스트레스를 인가했을때 기존 InGaZnO 소자에 비 해 Zr-doped InZnO 소자가 우수한 문턱전압 안정 성을 보임을 확인할수 있다 (그림 17). 그러나 전하 억제제가 과량 첨가되면 전자농도가 감소하기 때문 그림 16. 150 C에서 annealing 된 IGZO 소자에 5시간 동안 gate-bias stress를 가하였을때 문턱전압의 변화량 (VG=20V). 에 전계이동도가 감소하는 단점이 있기 때문에 최 적 조성의 실험적 결정이 중요하다. 고, 결국에는 소자의 stability를 저해하는 요인으 로 작용한다. 따라서 최적 Ga, In의 비율 조정은 소 자의 성능과 신뢰성의 확립 관점에서 결정되어야 한 6. 결 론 다. 그러나 이러한 안정성의 저하에도 불구하고, 조 성과 관계없이, stress를 가한 후 일정 시간이 지나 본 기고에서는 금속산화물 반도체를 이성분계, 삼 면, 특별한 열처리를 하지 않아도 초기의 상태로 회 성분계 및 사성분계로 구분하여 장단점을 살펴보았 복이 되는데, 이는 charge trapping mechanism 다. ZnO와 같은 이성분계 물질의 경우 박막의 결정 으로 설명이 가능한 것으로 보여진다 [41-44]. 화로 인해 결정입계 존재로 소자 특성의 불균일성 문제가 문제점으로 지적되었다. 이러한 결정화는 삼 4.2 X-IZO (X = Zr, Hf) 특성 성분계 시스템에서는 부분 해소될 수 있다. 대표적 인 삼성분계 물질은 ZnSnO 및 InZnO를 예로 들 비정질 InGaZnO 물질에서 Ga은 +3가를 띠면서 이 수 있다. ZnSnO 반도성 세라믹스의 경우 고가의 희 온반경이 작기 때문에 산소 음이온과 강한 결합을 유금속인 In, Ga을 배제할 수 있기 때문에 재료비 하고 있다. 따라서 Ga은 산소공공결함 생성을 억제 관점에서 매우 바람직하다. 반면 Sn이 함유된 채널 하는 전하 억제제 (carrier suppressor) 역할을 한 은 습식식각에 의한 패터닝시에 식각속도가 작고, 다. 기존 InGaZnO 반도체는 bias stress 및 외부 환 잔막이 제거되지 않는 공정 이슈가 있다. InZnO 반 도체는 기존에는 투명전도막 적용으로 활발히 연구 되었다가 최근에는 30 cm2/vs이상의 고이동도 반 도체 물질로의 가능성이 제시되고 있다. In의 비율 이 높을수록 산소공공 결함농도 증가로 인하여 광 바이어스 신뢰성이 저하되는 문제점은 향후 해결해 야할 과제이다. 마지막으로 사성분계 물질에서는 현 재 LG 디스플레이가 AMOLED TV 제품에 채용중 인 InGaZnO 물질이 대표적이다. InGaZnO의 경우 조성최적화 뿐만 아니라 소자 구조 및 공정의 최적 화가 가장 심도 깊게 연구되었다고 볼 수 있다. 특 그림 17. 정전류 드레인 스트레스 인가에 따른 문턱전압 이동량의 비교 히 최근에서 C-axis aligned InGaZnO 물질은 매 November 2013 71

생태계 창조형 첨단 반도성 세라믹 소재 기술 개발(2) 우 우수한 누설전류 및 광바이어스 신뢰성을 갖는 8. T. Makino, Y. Segawa, M. Kawasaki, A. 것으로 발표되었고, 일본의 Sharp사에서 고해상도 Ohtomo, R. Siroki, K. Tamura, T. Yasuda, and IT 모바일 제품에 양산을 진행하고 있다. 그러나 최 H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 78, 1237 (2001). 적화된 InGaZnO 물질의 전계 이동도는 양산기준 9. S. Choopun, R. D. Vispute, W. Yang, R. P. 10~20 cm /Vs 수준에 머물고 있기 때문에 향후 초 Sharma, T. Venkatesan, and H. Shen, Appl. 고행상도 및 high frame rate의 고부가 제품에 적용 Phys. Lett. 80, 1529 (2002). 2 가능할지는 미지수이다. 이러한 관점에서 ZnInSnO 와 같은 새로운 사성분계 물질에 대한 연구가 관 10. K. Ellmer, J. Phys. D: Appl. Phys. 34, 3097 (2001). 심을 모으고 있다. 궁극적으로 금속산화물 반도체 11. K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. 는 현재 모바일 AMOLED에 적용중인 폴리실리콘 Hirano, and H. Hosono, Science 300, 1269 TFT에 대응가능한 수준이 되어야 모바일 제품에서 (2003). TV까지를 포함하는 차세대 디스플레이 백플레이에 12. J. F. Wager, SID 07 Digest, 1824 (2007). 폭 넓게 적용될 수 있을 것이다 따라서 현재 PMOS 13. T. Minami, T. Kakumu, and S. Takata, J. Vac. 폴리실리콘 양산수준인 전계이동도 80 cm /Vs을 2 Sci. Technol. A14, 1706 (1996). 새로운 목표로 설정할 필요가 있을 것으로 판단되 14. B. Yaglioglu, H. Y. Yeom, R. Beresford, and D. 며, 이를 달성하기 위해서는 새로운 채널 조성 및 구 C. Paine, Appl. Phys. Lett. 89, 062103 (2006). 조에 대한 산학연 연구가 국가차원에서 기획되어야 15. J.-I. Song, J.-S. Park, H. Kim, Y.-W. Heo, J.- 할 것이다. H. Lee, J.-J. Kim, G. M. Kim, and B. D. Choi, Appl. Phys. Lett. 90, 022106 (2007). Reference 1. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature 432, 488 (2004). 2. K. Nomura, A. Takagi, T. Kamiya, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono, Jan. J. Appl. Phys. 45, 4303 (2006). 3. T. Minami, Semicond. Sci. Technol. 20, S35 (2005). 4. H. Hosono, Thin Solid Films 515, 6000 (2007). 5. R. B. M. Cross and M. M. DeSouza, Appl. Phys. Lett. 89, 263513 (2006). 6. A. Ohtomo, M. Kawasaki, T. Koida, K. 16. K. K. Banger, Y. Yamashita, K. Mori, R. L. Peterson, T. Leedham, J. Rickard, and H. Sirringhaus, Nat. Mater. 10, 45 (2011). 17. B. Yaglioglu, Y.-J. Huang, H.-Y. Yeom, and D. C. Paine, Thin Solid Films 496, 89 (2006). 18. N. Itagaki et al., Phys. Stat. Sol. A 205, 1915 (2008). 19. M. P. Taylor et al., Adv. Funct. Mater. 18, 3169 (2008). 20. H. Hosono, J. Non. Cryst. Solids 352, 851 (2006). 21. C.-J. Kim et al,, Appl. Phys. Lett. 95, 252103 (2009). Masubuchi, H. Koinuma, Y. Sakurai, Y. 22. J.-S. Park, K. S. Kim, Y.-G. Park, Y.-G. Mo, H. Yoshida, T. Yasuda, and Y. Segawa, Appl. D. Kim, and J. K. Jeong, Adv. Mater. 21, 329 Phys. Lett. 72, 2466 (1998). (2009). 7. A. K. Sharma, J. Narayan, J. F. Muth, C. W. Teng, C. Jin, A. Kvit, R. M. Kolbas, and O. W. Holland, Appl. Phys. Lett. 75, 3327 (1999). 72 ceramic korea 23. G. H. Kim et al., Appl. Phys. Lett. 96, 163506 (2010). 24. D. N. Kim, D. L. Kim, G. H. Kim, S. J. Kim, Y. S.

Rim, W. H. Jeong, and H. J. Kim, Appl. Phys. Lett. 97, 192105 (2010). 25. Y. Choi, G. H. Kim, W. H. Jeong, J. H. Bae, H. J. Kim, J.-M. Hong, and J.-W. Yu, Appl. Phys. Lett. 97, 162102 (2010) 26. E. Chong, S. H. Kim, and S. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 97, 252112 (2010). 27. S. M. Park et al., Microelectronic Engineering 109, 189 (2013). 28. T. Yamamoto, Thin Solid Films, 420-421, 100 (2002). 29. T. Minami, S. Takata, H. Sato, and H. Sonhana, J. Vac. Sci. Technol. A14, 1706 (1996). 30. H. Q. Chiang, R. L. Hoffman, J. Y. Jeong, J. F. Wager, and D. A. Keszler, Appl. Phys. Lett. 40. M. K. Ryu, S. H. Yang, S. H. K. Park, C. S. Hwang and J. K. Jeong, Appl. Phys. Lett. 95, 173508 (2009). 41. J. F. Wager, D. A. Keszler, R. E. Presley, Transparent Electronics, Springer, New York (2008). 42. P. Gorrn, P. Holzer, T. Riedl, W. Kowalsky, J. Wang, T. Weimann, P. Hinze, S. Kipp, Appl. Phys. Lett. 90, 063502 (2007). 43. J. K. Jeong, H. W. Yang, J. H. Jeong, Y. G. Mo, H. D. Kim, Appl. Phys. Lett. 93, 123508 (2008). 44. R. B. M. Cross, M. M. De Souza, Appl. Phys. Lett. 89, 263513 (2006). 45. E. Fortunato, P. Barquinha, and R. Martins, Adv. Mater. 24, 2945 (2012). 86, 013503 (2005). 31. Y. G. Kim, C. Avis, and J. Jang, ECS Solid State Letters 1, Q23 (2012). 32. Y. -C. Chen et al., ECS Solid State Letters 2, Q72 (2013). 33. C. Vigreux, L. Binet, D. Gourier, and B. Piriou, J. Sol. State Chem. 157, 94 (2001). 정재경 2002 서울대학교 재료공학부 박사 2004~2009 삼성 SDI 중앙연구소 책임연구원 2009~현재 인하대학교 신소재공학과 교수 34. D. D. Edwards, P. Folkins, and T. Mason, J. Amer. Cer. Soc. 80, 253 (1997). 35. T. Minami, Y. Takeda, T. Kakumu, S. Takata, 김효진 and I. Fukuda, J. Vac. Sci. Technol. A15, 958 2007~2011 SK 하이닉스 연구원 (1997). 2012~현재 인하대학교 신소재공학과 석사과정 36. R. Cava, J. Philips, J. Kwo, G. A. Thomas, R. B. van Dover, and S. A. Carter, Appl. Phys. Lett. 64, 2071 (1994). 37. H. Q. Chiang et al., J. Vac. Sci. Technol. B 24, 2702 (2006). 38. D. J. Son et al., Bull. Korean Chem. Soc. 32, 2011 (2010). 39. M. K. Ryu, S. H. Yang, S. H. K. Park, C. S. 권장연 2002 서울대학교 재료공학부 박사 2003~2010 삼성종합기술원 수석연구임연구원 2011~현재 연세대학교 글로벌융합공학부 교수 Hwang and J. K. Jeong, Appl. Phys. Lett. 95, 072104 (2009). November 2013 73

Special 생태계 창조형 첨단 반도성 세라믹 소재 기술 개발(2) 반도성 세라믹 공정장비기술 윤 명 구_ 성균관대학교 신소재공학과 박사과정 안 철 현_ 성균관대학교 첨단소재 기술연구소 박사 후 연구원 조 형 균_ 성균관대학교 신소재공학부 교수 1. 박막 형성 기술의 대분류: PVD와 CVD 2. 스퍼터링 방법 박막을 기판 위에 형성하는 기술은 크게 물리적 기 스퍼터링 방법은 PVD 기술에 속하는 박막 형성법 상 성장(Physical Vapor Deposition, PVD) 기술 으로서 고속 입자를 타깃에 충돌시켜서 타깃 입자 과 화학적 기상 성장(Chemical Vapor Deposition, 를 떼어내어 박막을 형성하는데 이때 영어의 스퍼 CVD) 기술로 대별된다. PVD 기술에서는 목적하 터(sputter)라는 단어는 탁탁 튀기다, 침이나 음식 는 박막의 구성 원자로 이루어진 고체 타깃에 물리 물을 튀기다 라는 뜻으로 가속된 입자에 의해 타깃 적인 작용(증발 승화, 스퍼터링)을 가하여 기판 방 입자들이 튀어나가는 모습을 묘사한다. 향으로의 운동량을 가진 원자 분자 클러스터 상 태로 만들고, 이들이 기판 표면에 도달하여 물리적 2.1. 스퍼터링 방법의 기본 원리 [1-3] 흡착(반데르발스힘, 정전기력 등) 또는 화학적 흡착 (공유 이온 금속결합) 과정을 거쳐 박막을 형성한 그림 1에 스퍼터링 방법 중 가장 기본적인 2극 DC 다 [1, 2]. 글로우방전 스퍼터링 과정 중에 일어나는 현상들을 한편, CVD 기술에서는 목적하는 박막의 구성 원 나타내었다. 예를 들어, 10mtorr의 Ar 분위기에서 자를 포함하는 원료 가스(할로겐화물, 황화물, 수소 전극 간에 수 kv의 직류 전압을 인가하면 그에 의해 화물 등)를 기판이 놓여진 공간(챔버)에 공급하고 가속된 전자들이 Ar 기체입자와 충돌하여 Ar 원자 이에 열 빛 전자기파 등의 에너지를 가하여, 기체 를 이온화시킨다(충돌이온화). 이 과정에서 나온 전 상태에서 혹은 기판 표면에서 원료 가스분자의 화 자들 또한 다음 충돌이온화에 참여하고 결국 Ar 양 학적 반응(열분해 산화 환원 중합 또는 기상화합 이온과 전자의 수는 지수함수적으로 증가하게 되는 반응 등)이 일어나도록 만든다 데 이로써 글로우 방전이 발생하고 Ar 플라즈마가. [1, 2] 그리고 이를 통해 만들어지는 분해 중간 최종 형성된다. 생성물들이 기판 표면에서 물리화학적 흡착 추가 이 플라즈마 속의 Ar 양이온은 음극 근방의 음극 적인 화학적 반응 해리를 거치면서 박막을 형성한 전위 강하 (cathode fall potential) 및 인가한 전압 다 에 의해 가속되어 타깃 음극 표면에 충돌, 타깃 입. [1, 2] 74 ceramic korea

그림 1. 2극 DC 글로우방전 스퍼터링의 기본 단계 [3] 자들을 스퍼터 증발 (sputtering evaporation)시 킨다. 또한 타깃으로부터 2차 전자를 방출시켜 다 시 글로우 방전을 위한 씨앗으로 이용한다. 만일 입 그림 2. 스퍼터링 방법의 분류 [2] 사하는 Ar 양이온의 에너지가 수 100 ev 이하이면 혹은 RF, 전극의 개수에 따라 2극 혹은 3극, 자기장 스퍼터되는 입자들의 대부분은 타깃을 이루고 있 을 사용하면 마그네트론이라는 단어를 붙여 그 스 는 중성의 원자이고 이온화된 입자, 분자상 혹은 클 퍼터링 방법의 특징을 나타낸다. 이들에 대해서는 러스터상의 입자가 일부 섞여있다. 이렇게 스퍼터된 후에 자세히 설명하도록 하겠다. 입자들은 기판 방향의 운동량을 가지고 기판으로 한편, 고속 입자를 발생시키는 또 하나의 방법은, 이동하여 침착, 타깃 재료로 이루어진 박막을 형성 이온원에서 발생한 이온빔을 고진공의 스퍼터실 내 한다. 에 놓여진 타깃에 충돌시켜서 증착 입자를 발생시 키는 방법이 있는데 그에 따라 이온빔 스퍼터링이라 2.2. 스퍼터링 방법의 종류 [1-5] 고 부른다. 이온빔 스퍼터링에서 이온원으로서 보통은 열 음 스퍼터링 방법에는 많은 종류가 있으며 크게는 고 극형의 카우프만 이온원을 사용하는데 이온원으로 속 입자를 발생시키는 방법, 인가 전원의 종류, 전 전자 사이클로트론 공명형 이온원을 사용하는 경 극의 구조 등에 따라 그림 2와 같이 분류한다. 고 우에는 특별히 ECR 스퍼터링이라고 부른다. 이온빔 속 입자를 발생시키는 방법에는 크게 두 가지가 있 스퍼터링 방법은 성막속도가 느린 결점이 있지만 고 는데, 하나는 글로우 방전(플라즈마)에 의해 발생된 순도의 박막을 제어성 좋게 증착시킬 수 있기 때문 양이온이 플라즈마와 플라즈마 내 물체 사이에 자 에 연구용으로 많이 이용하고 있다. 발적으로 존재하는 음극강하영역(sheath) 및 인가 앞서 설명한 스퍼터 증착 장치의 시초라고 할 수 된 바이어스에 의해 가속되는 글로우방전 스퍼터링 있는 2극 DC 스퍼터링 장치는 작업압력이 상당히 방법이다. 높아서(5~100mtorr), 후에 설명할 RF 스퍼터링 장 플라즈마를 이용하는 이 방법은 연구 산업현장 치나 마그네트론 스퍼터링 장치만큼의 빠른 성막속 에서 보편적으로 이용되고 있는 방법이기 때문에 도 및 고품질의 박막을 얻는 데에는 근본적인 한계 보통은 글로우방전이란 말은 생략하고 그냥 스퍼터 가 있다. 따라서 작업압력을 낮추면서 동시에 전자 링 방법이라고 부르고 인가전원의 종류에 따라 DC 에 의한 충돌 이온화율을 높이려는 노력이 경주되 November 2013 75

생태계 창조형 첨단 반도성 세라믹 소재 기술 개발(2) 어 왔는데 그 하나가 바로 보조 열 음극을 추가로 용되어 오던 전자빔 증착 장치에 비해 전극의 스텝 설치해서 이온화에 기여하는 전자를 추가적으로 발 커버리지가 우수할 뿐만 아니라 스퍼터 방전으로 생시키는 3극 스퍼터링 장치이다. 이에 더하여 자기 인한 반도체 디바이스의 손상도 실용상 문제가 없 장을 인가하여 열 음극에서 나온 전자들이 양극 및 다. 게다가 SiO2, Si3N4 등 반도체 디바이스에서 폭넓 보조양극에 도달하기까지 이동하는 유효 경로를 길 게 사용되는 절연층의 증착도 균질하고 손쉽게 할 게 만들어 기체분자와의 충돌기회를 늘려 이온화 수 있어 반도체 IC, TFT-LCD 백플레인, OLED 백 율을 높여 작업압력을 0.1~1mtorr까지 낮추기도 플레인 공정 등 최첨단 전자 디바이스 제작에 폭넓 한다. 게 이용되고 있다. 한편, DC 스퍼터링 장치에서 절연체 타깃을 사용 할 경우에는 타깃 표면으로부터의 2차전자 방출로 2.3 스퍼터링 장치의 발전 방향 및 기술 개발 동향 인해 양전하가 계속 쌓이게 되는데 이로 인해 플라 즈마와 타깃 표면 간의 전위차가 점차 줄어들게 되 모든 장치 산업이 그러하듯 스퍼터링 장치 산업 또 어 글로우 방전을 지속할 수 없게 된다. 따라서 타 한 산업계의 요구에 발맞추어 발전되어 왔다. 따라 깃은 금속이나 반도체로 국한된다. 이를 해결하기 서 앞서 설명한 스퍼터링 방법 중 RF 스퍼터링과 마 위하여 나온 장치가 바로 RF 스퍼터링 장치이다. 이 그네트론 스퍼터링 방법의 발명은 스퍼터 역사에서 장치는 직류 전원을 고주파(radio-frequency, RF, 어쩌면 당연한 흐름이었는지도 모른다. 13.56 MHz)의 교류 전원으로 대체하여 절연체 타 이러한 산업계의 요구들을 구체적으로 살펴보면 깃 표면에 이온과 전자가 교대로 충돌하게 함으로 1)대량 생산, 2)비용 절감, 3)기판의 대면적화, 4)박 써 절연체 타깃 표면의 양전위로의 대전을 방지하 막의 고품질화 등이 있다. 이를 달성하기 위해서는 여 타깃 표면을 지속적으로 스퍼터할 수 있다. 개별적인 스퍼터링 장치의 발전뿐만 아니라 이들의 또한 고주파 방전에서는 방전 공간의 전자가 고주 시스템화가 중요하다고 할 수 있다. 따라서 여러 층 파 전기장에 의해 전극 간을 빠르게 왕복 진동하여 의 박막을 증착 시 진공을 깨뜨리지 않고 연속적으 전자의 충돌이온화가 직류방전에 비해 효과적으로 로 박막을 증착할 수 있도록 하는 연속 공정 시스템 일어나 1mtorr대의 낮은 작업압력 하에서도 성막 은 대량 생산 및 비용 절감 측면에서 반드시 도입해 이 가능하다. 이렇듯 고주파 글로우 방전을 이용하 야 하는 시스템이다. 는 스퍼터링 장치는 금속부터 절연체에 이르는 임 연속 공정을 위한 스퍼터링 시스템은 그림 3과 같 의의 재료를 고품질로 보다 빠르게 박막화할 수 있 이 롤투롤(roll-to-roll) 방식, 일괄처리(batch) 방 다는 장점을 바탕으로 1970년대부터 DC 스퍼터링 식, 직렬(in-line) 방식, 클러스터(cluster) 방식 등이 장치를 제치고 지금까지 스퍼터링 장치의 주류가 있는데 롤투롤 방식은 하나의 기다랗고 유연한 필 될 수 있었다. 름 형태의 기판을 롤러(roller)로 이동시키면서, 일 마지막으로 마그네트론 스퍼터링 장치는 타깃 표 괄처리 방식은 드럼에 기판을 여러 장 장착하고 드 면에서 Ar 양이온의 충돌로 발생한 2차 전자를 자 럼을 움직이면서 박막 증착을 연속적으로 진행한 기장을 이용하여 방전 공간 안에 가둬둠으로써 매 다. 그리고 직렬 방식의 경우는 여러 장의 작은 기 우 효과적으로 플라즈마를 형성할 수 있어 1mtorr 판 혹은 상당한 크기의 평판 유리 기판을 트레이 이하의 매우 낮은 작업압력 하에서도 성막이 가능 (tray)에 장착하여 직렬로 연결된 여러 개의 진공 챔 해 고품질의 박막을 재현성 있게 빠른 속도로 얻을 버 사이를 이동시키면서 넣고 닫고 증착, 열고 빼는 수 있는 장점이 있다. (load/lock/deposition/unlock/unload) 과정을 또한 이 종류의 스퍼터링 장치는 기존에 널리 사 76 ceramic korea 반복하여 박막을 연속적으로 증착하는 방식이다.

PECVD를 활용한 비정질 실리콘 TFT에 ITO 및 을 깨지 않은 채, 이동용 챔버 중앙에 장착한 로봇 금속 박막을 연속 증착하기 위해 LCD 공정에서 널 팔로 기판을 증착용 챔버에 넣고 닫고 증착, 열고 리 쓰이던 이 방식은, 스퍼터링 방법을 이용하여 제 빼는 과정을 반복하여 박막을 형성한다. 이러한 연 작하는 반도성 세라믹 소자인 InGaZnO TFT를 활 속 공정 시스템은 스퍼터링 증착 외에도 진공 증착 용한 OLED 공정에서는 기존의 LCD 설비를 보완 이나 CVD 기술 등과 결합해 하나의 복합공정을 이 투자하여 계속 이용한다는 측면에서 더욱 중요하다 루어 태양전지 같은 반도성 전도성 절연성 세라믹 고 할 수 있다. 및 금속 등의 다층 박막 형성 시 활용하고 있다 [7]. 마지막으로 클러스터 방식의 스퍼터링 시스템은 기판의 대면적화는 특히 디스플레이 산업에서 중 기판 이동용 챔버(transfer chamber)를 중심으로 요한데 박막 두께 및 특성의 균일성 확보가 관건이 몇 개의 증착용 챔버를 주변에 배치 연결하여 진공 라 할 수 있다. 이와 더불어 박막의 고품질화를 위 해서는 스텝 커버리지 향상, 막 두께의 균일성 확보, 증착 시 기판의 온도를 균일하게 하고 기판에 도달 하는 타깃 입자의 에너지가 적절하도록 제어해야 한다. 이를 위한 핵심 기술은 자기장을 이용하여 플 라즈마를 제어하는 기술인데, 이를 통해 작업 압력 을 낮추고 기판에 도달하는 타깃 원자의 이온화율 을 높여 증착 속도를 향상시킴과 동시에 박막의 고 품질화를 이루어내고, 타깃을 효율적으로 사용하도 록 하여 비용을 절감할 수 있다. 그림 4의 왼쪽은 외부에 전자석 링을 추가하여 자기장을 변화시키는 비평형 마그네트론 방법으로 서 오른쪽의 평형 마그네트론 방법과는 달리 플라 즈마가 더 이상 타깃 근처에서만 머물지 않고 기판 쪽으로 흐르게 만들어 이온 전류를 크게 하여 박막 그림 3. 연속 공정 스퍼터링 시스템 의 접착력과 증착 속도 및 품질을 향상시킬 수 있어 현재 널리 이용되고 있다 [8]. 2.4 스퍼터링 방법을 이용한 반도성 세라믹 박막 의 용도 및 응용 표 1에 타깃을 구성하는 재료와 그것으로부터 얻은 반도성 세라믹 박막의 용도와 응용을 기술하였는데 보는 바와 같이 스퍼터링 방법은 형 발광소자, 기록 소자, 열전 초전 압전소자, 태양전지 수광소자 제 작을 위한 반도성 세라믹 박막 증착에 널리 이용되 고 있다. 이 중 몇 가지 응용 사례들을 아래에 소개 하기로 하겠다. 그림 4. 평형 마그네트론과 비평형 마그네트론에서의 플라즈마 속박 상태 [8] November 2013 77

생태계 창조형 첨단 반도성 세라믹 소재 기술 개발(2) (1) ZnO 압전 박막 하지만 실제 상업적으로 적용 가능할 정도로 바 산화물의 대표격이라고 할 수 있는 ZnO 결정은 c 이어스와 광조사에 대한 안정성을 보여주는 물질은 축 방향으로 압전 특성을 나타낸다. 또한 낮은 온도 현재까지 IGZO가 유일하여 LG나 일본 Sharp사에 에서도 c축 배향의 결정화가 쉽게 일어나기 때문에 서는 IGZO를 현재 시판되는 디스플레이에 채택하 스퍼터를 이용하여 쉽게 ZnO 압전 박막을 얻을 수 여 사용하고 있다. 있다. 이러한 ZnO 압전 박막을 이용한 벌크 초음파 이들 제조사들이 IGZO 증착 시 적용하는 공정 장치의 경우, UHF대의 초음파 변환기나 복합 진동 이 바로 스퍼터 공정인데, 특히 Sharp사에서는 c축 자가 있고 이를 활용하여 유량센서나 초음파 현미 우선배향 결정성을 가지는 CAAC(C-Axis Aligned 경이 개발되었다. Crystal)-IGZO를 스퍼터 성장하여 안정성 및 소비 또 다른 응용 사례로 ZnO 박막 탄성 표면파 장치 전력을 대폭 개선시켰다 [9]. 가 있는데 이는 기존의 수정과 같은 압전 단결정 이뿐만 아니라 샤프에서는 CAAC-IGZO를 TFT 을 사용한 벌크 탄성 표면파 장치에 비해 특성이 외에도 메모리나 CPU에 적용하여 소비전력 등의 성 우수하여 최근 주목을 받고 있다. 이 탄성 표면파 능을 개선시키는 결과를 보여주었다. 이러한 결과들 (Surface Acoustic Wave, SAW) 장치는 10MHz에 은 기존 비정실 실리콘이나 LTPS를 대체할 수 있는 서 수 GHz에 걸친 넓은 주파수 범위의 신호를 필터 기술로서 스퍼터 증착된 IGZO를 더욱 주목받게 하 링, 공진, 지연 등에 사용하는 정보통신에서는 필수 였고 이 기술이 보편화된다면 스퍼터링 장치 산업 불가결한 장치이다 또한 이전 LCD 산업의 중흥기 때처럼 다시 한 번. [1, 2] 크게 발전할 것이다. (2) InGaZnO(IGZO) TFT 2003년 일본의 Hosono 그룹에 의해 단결정의 (3) SiC IGZO를 이용한 TFT 제작, 2004년 동 그룹에 의해 스퍼터로 성장한 SiC 다결정막은 103 Ω cm 수준 실온에서 성장한 비정질 IGZO를 이용한 우수한 특 의 저항을 갖는 n형 반도체로서 500도 혹은 그 이 성의 TFT 제작의 보고 이후, IGZO를 필두로 하여 상에서도 안정된 저항온도 특성을 나타내어 넓은 ZnSnO, InZnO, HfInZnO, InSnZnO 등 많은 다성 온도 범위에 걸친 고온용 박막 서미스터로서 실용 분계 산화물이 TFT의 활성층으로서 연구되어 왔다. 되고 있다. 또한 SiC 박막은 high-power switching 을 위한 Schottky diode, Junction transistor, 표 1. 스퍼터링 타깃 재료와 용도 및 응용 MOSFET 그리고 최근에 개발된 Thyristor(전류 제 어 기능을 지닌 반도체 소자) 등 파워 일렉트로닉 스 분야에서도 널리 사용되고 있다 [1, 2]. (4) 다이아몬드 박막 익숙하진 않지만 다이아몬드는 넓은 밴드갭(5.5 ev)을 가진 반도성 세라믹 중 하나로서 기계적 특 성, 반도체 물성, 전기적 특성, 내방사성 등이 매우 우수하기 때문에 이를 박막화하여 다이오드, 트랜 지스터, 자외선 센서, 방사선 센서, 압력 센서를 만 들어 실용화하려는 노력들이 진행되어 왔다. 스퍼 터로 다이아몬드 박막을 성장한 첫 사례는 1971년 78 ceramic korea

Aisenberg에 의해 이온빔 스퍼터로 실온에서 Si 기 근에는 원자층 증착(Atomic Layer Deposition, 판 위에 미결정의 다이아몬드를 포함한 비정질 탄 ALD)의 기술이 주목받고 있다. ALD 기술은 단원자 소 박막을 얻은 것이 최초이다 [1, 2]. 층 수준에서 박막 증착이 조절이 가능하고, 기이학 적인 형상의 3차원구조물에서도 균일도가 높은 박 막을 층착할 수 있다. 또한, 나노급 소자를 제조하 3. ALD 공정 기 위해서는 나노수준의 박막을 성장중에 발생될 수 있는 기판 혹은 하부박막과의 계면에서의 확산 반도성 세라믹은 디지털과 정보화시대를 견인해온 과 산화가 일어나지 않게 증착온도를 충분히 낮게 핵심기술 및 제품을 주도하며 고부가가치 산업의 발 가져가야 가능하다. ALD 기술은 CVD의 공정에 비 전에 큰 기여를 하였다. 현대사회에서의 다양한 종 해 낮은 온도에서도 고품질의 박막의 형성할 수 있 류의 전기 전자 기기들은 시공간에 구애를 받지 않 어 고집적화를 위한 소자제조의 필수적인 증착기술 고 어디서나 정보 및 업무를 볼 수 있는 유비쿼터스 로 주목받고 있다. (Ubiquitous) 시대를 열어 가는데 큰 공헌을 하고 있다. 이러한 기술 발전의 배경에는 다양한 정보제 3.1. ALD 원리 및 공정 품들의 초소형화, 고속화, 네트워킹화 등과 같은 기 술과 정보저장 기술의 발전에 의한 것으로, 즉 반도 ALD 기술은 1977년에 핀란드의 Suntola에 의해서 체 산업의 미세화 기술 및 집적화 기술의 발전에 의 Atomic Layer Epitaxy (ALE) 이라는 이름으로 처 해 이루어질 수 있었다. 소자의 특성을 유지하거나 음 소개되어, 초기에는 II-VI, III-V 화합물 반도체나 향시키기면서 단위면적 당 소자를 고집적화가 가능 LED 계열의 박막이 주로 연구되었다 [10]. 해 짐에 따라 소자의 응용 용도와 규모가 급속도로 확대되고 있다. 최근에는 반도체 분야의 다양한 박막 제조 및 촉 매, 나노구조 제작 및 디스플레이 분야에 이용되고 현재까지의 반도체 소자의 제조의 대표적인 공정 있다 [11,12]. ALD 증착기술은 기존의 CVD법과 달리 기술은 물리적 증착법(Physical Vapor Deposition, 각각의 반응 전구체(Precursors)를 반응챔버에 차 PVD) 또는 화학적 증착법 (Chemical Vapor De- 례대로 주입(Pulse)하는 방법으로 각각의 전구체가 position, CVD)이다. 1950년대 말 Gordon Moore 기판표면 혹은 성막의 표면에서 자기제한적인(Self- 가 LSI(Large scale integration)의 집적도는 약 20 limiting) 반응을 통해 박막을 성장하는 방법이다. 개월 마다 2배로 증가한다는 Moore의 법칙을 제안 자기제한적인 반응은 전구체가 기판의 표면에서만 한 후에, 집적회로의 근간이 되는 반도체 소자의 크 반응을 하여 원자단위에서 성막의 제어가 가능하 기가 계속 작아지고 있고, 90 nm 이하의 고집적화 여 두께 및 박막의 조성제어가 용이한 장점을 가지 를 위한 많은 연구가 이루어지고 있다. 고 있다. 이러한 자기제한적인 반응을 통한 증착은 향후, 나노급 초고집적화된 소자를 제조하기 위 해서는 종래의 기술로는 물리적 한계를 보이고 있 기존의 CVD 증착기술의 전구체들 간의 반응에 의 한 성장보다 성장온도를 낮출 수 있다. 어 이를 해결하기 위한 방안들이 제시되고 있다. 반 그림 5은 ALD증착법에 대한 공정 모식도를 보 도체 소자의 나노급의 소형화와 빠른 응답속도 및 여주고 있다. ALD에 의한 증착은 준비된 기판위에 낮은 전력소모량과 저가격화를 위한 연구개발이 요 MX의 전구체를 반응 챔버에 공급해주면 (Pulse), 구됨에 따라 증착되는 박막은 원자의 단위에서 제 MX는 기판의 표면에만 반응하여 화학적 흡착을 하 어할 필요성이 대두되고 있다. 그로 인해, 종래의 기 게 된다. 여분의 MX의 전구체를 비활성 가스로 제 술로는 이러한 요구조건을 충족시키지 못하여 최 거한 후에, OY의 전구체를 공급하여 MO의 화합물 November 2013 79

생태계 창조형 첨단 반도성 세라믹 소재 기술 개발(2) 인 재료로는 실리콘 산화물(SiO2)이다. 하지만, 반도체 소자의 크기가 감소함에 따라 얇 고 매우 균일하고 재현성을 만족시키는 공정기술이 요구되었다. 또한, 대표적으로 사용되고 있는 게이 트 유전막인 실리콘 산화물(SiO2)는 소자의 고집적 화를 위한 소자의 크기가 감소됨에 따라 얇은 게이 트 유전막이 요구되고 있지만 두께가 감소됨에 따 라 누설전류는 지수적으로 증가하는 문제점을 극 그림 5. ALD 공정의 모식도 복하기 힘들다. 나노스케일의 집적소자의 제조를 의 단일막이 형성되고 XY의 부산물은 비활성 가스 위해 최근 ALD 기술을 이용하여 산화물 유전체을 에 의해 제거되는 방법으로, 이러한 공정을 1 cycle 형성하고자 하는 연구들이 이루어지고 있다. 이라고 하며 공정의 반복을 통해 증착공정이 이루 이러한 이유에는 소자의 극 미세화와 더불어 새 어진다. 즉, ALD 증착기술은 기판 표면에서의 주입 로운 형태의 소자가 제안됨에 따라 복잡한 형태의 된 전구체의 화학적 흡착 (Chemisorption)과 부 구조에 원자층 단위에서 두께가 조절되는 공정의 산물의 탈착 (Desorption)의 과정을 기초로 한다. 필요성과 다른 증착법에 비해 ALD 기술이 비교적 ALD 공정은 자기제한적인 반응을 이용하기 때문 저온공정을 가져갈 수 있다는 장점으로 인해 많은 에 증착되는 박막은 결함이 적은 (Pin-Hole Free) 연구가 이루어지고 있다. 초기에는 열 산화를 통해 고품질의 막을 형성할 수 있으며, 넓은 면적에 복잡 얻었던 실리콘 산화물을 ALD공정을 통해 고품질의 한 표면 형상을 가지는 기판일지라도 일정한 두께 절연체를 얻고자 하였으나, 많은 불순물로 인한 높 로 결함이 적은 막을 형성할 수 있는 장점을 가지고 은 누설전류를 보였다 [14]. 있다. 하지만, 공정의 특성상 증착 속도가 느린 단점 하지만, 최근에는 기존의 누설전류의 문제점을 으로 인해 게이트 유전막, 커패시터 유전막, Metal 보이는 SiO2를 대체하기 위해 고유전율 물질로서 Barrier 등과 같은 우수한 막질을 가지면서 매우 얇 Ta2O5, TiO2, Al2O3, ZrO2, HfO2 등과 같은 다양한 은 막을 제어하여 박막증착이 필요한 분야에 활용 산화물의 적용연구가 되고 있다. 이들 물질들은 유 하기 위한 연구가 주로 이루어졌다. 하지만, 최근 들 전율 상수(k) 값이 3.9인 SiO2에 비하여 유전율은 어 소자의 회로선폭이 점점 더 작아지면서 100 nm 수배~수십 배 큰 값을 가지고 있다. 최근에는 높은 이하로 내려가 ALD 공정의 필요성이 더욱 증가되고 유전율 상수(k=24~40)를 가진 HfO2에 대한 연구 있는 사항이고 얇은 막을 정밀하게 제어해야하는 들이 많이 이루어 졌지만 높은 누설전류의 문제를 박막의 증착 공정뿐만 아니라 나노구조의 표면 개 보여 공정의 최적화와 적절한 반응소스를 개발하는 질 개선 및 나노구조체 제작에 대한 연구도 활발히 것이 필요하다. 이루어지고 있다 [12, 13]. 최근에는 두 가지의 고유전율 물질을 alloy 형 태로 증착하거나 두 물질을 교대로 나노적층 3.2. ALD를 이용한 산화물 증착 및 적용분야 (Nanolaminate)형태의 유전막을 이용하고자 하 는 연구가 이루어지고 있으며, 대표적으로 HfSiOx, 1) 절연성 산화물 증착 기술 HfAlO, HfO2-Al2O3, Al2O3-TiO2 등의 다양한 물질 절연성 산화물 소재는 반도체 소자에 있어 게이트 이 연구되고 있다. 유전체(Dielectric)로 이용되어 왔으며, 대부분 절연 특히, 나노적층된 유전막은 단일막에 비해 낮은 성 산화물은 열 산화를 통해 성장해 왔으며 대표적 누설전류를 보이고 있다. 또한, 이러한 나노적층막 80 ceramic korea

은 유기반도체의 수명을 단축시키는 수분의 침투를 의 반도체 소자의 크기를 줄이기 위해, 최근 인텔에 효과적으로 막는 특성을 보여 봉지기술로도 활용하 서 서라운드 게이트를 활용하여 22 nm급 트랜지스 고자 많은 연구가 이루어지고 있다. 터를 소개하였으며, 14 nm급 소자를 구현하기 위 최근에는 기존의 평판 구조의 반도체 소자가 아 해 개발하고 있다. 이러한 3D구조는 소자의 크기를 닌 서라운드 게이트 소자 등 3차원 구조의 반도체 물리적 한계보다 줄일 수 있어 향후 소자의 초고집 소자에 원자층 증착을 이용한 절연막에 관한 응용 적화가 가능할 것으로 기대되고 있다. 예가 보고되고 있다 (그림 6 참조) [15]. 물리적 한계 2) 반도성 산화물 반도체 증착 기술 ALD 기술을 이용한 반도성 산화물은 기존에 CVD 에 의해 연구개발이 되었던 우수한 물리적 화학적 특성으로 인해 다양한 응용분야에 적용할 수 있는 대표적인 N형 산화물 반도체인 ZnO, In2O3, TiO2, SnO2 등과 같은 이원계 산화물 물질에 대한 연구가 이루어졌다. ALD방법은 CVD법에 비해 공정 온도를 낮출 수 있어, 저온공정에서의 고품질 이원계 산화물 반도 체를 성장하기 위한 연구를 기초로, 기존의 상용화 된 ITO 투명전극(Transparent conducting oxide, TCO)을 대체하고자 III족 IV족이 도핑된 ZnO에 대 한 연구가 이루어졌고, 최근에는 ALD에 의해 성장 된 ZnO 산화물 반도체를 이용한 N형 박막 트랜지 스터 (Thin-film transistor, TFT)에 대한 매우 많 은 결과들이 발표되었고, AMOLED의 백플레인으 로 사용할 수 있는 우수한 결과가 보고되었다. ALD 그림 6. 차세대 메모리 및 트랜지스터 소자 에 의해 증착된 산화물 반도체를 이용한 TFT 소자 는 100 nm 이하의 두께로도 충분하기 때문에, 발 광다이오드 및 태양전지와 같은 100 nm 이상의 두 께의 반도체 박막이 요구되는 소자에 보다 응용이 가능한 분야 중에 하나이다. 2009년에 ETRI에서 발표한 AMOLED의 백플레 인용 소자로 발표된 150~200 oc의 공정온도에서 제작된 ~ 20 nm의 두께의 ZnO 기반 TFT는 ~ 4 cm2/vs의 이동도를 보고하였고, 이는 기존에 상용 화되어 사용되고 있는 비정질 실리콘(a-Si) TFT의 이동도보다 약 4배 이상으로 향상된 결과를 보여 주었다 (그림 7 참조)[16]. 또한, Kodak에서 발표한 상압 ALD를 개발하여 ZnO TFT를 제작하여 12.9 그림 7. (위) 진공 ALD 및 (아래)상압 ALD에 의해 제작된 ZnO TFT의 특성 cm2/vs의 높은 이동도를 보여주어 디스플레이의 November 2013 81

생태계 창조형 첨단 반도성 세라믹 소재 기술 개발(2) 그림 8. ZnO/Al2O3 초격자구조 박막의 미세구조 및 이를 활용한 TFT 소자의 게이트 바이어스 스트레스에 대한 안정성 백플레인용 소자로 활용 가능성을 보여주었으며[17], 라 ZnO의 결정성을 향상된 결과로 인해 이동도의 최근에는 ALD기술이 Roll-to-Roll이 가능한 기술 향상과 Al2O3의 보호층에 의한 고신뢰성을 보여주 이 개발됨에 따라, 향후 플렉시블 디스플레이와 같 고 있어, 향후 디스플레이용 백플레인용 소자로 활 은 저온공정이 요구되는 소자 개발에 응용될 것으 용 가능할 것으로 기대되고 있다. 로 기대되고 있다. 하지만, ZnO에 비해 높은 이동도로 차세대 TFT 3.3. ALD 공정의 장단점 및 기술 개발 동향 소재로 주목 받고 있는 비정질 IGZO (In-GaZn-O) 소재는 ALD 기술에 의한 성장이 아직 현실 ALD공정은 전구체를 기판위에서 주기적으로 공급 적으로 어렵다. 과 배출을 반복함으로써, 전구체가 기판과 화학적 이러한 이유에는 ALD 증착에 사용되는 전구체 반응이 이루어져 원자 단위의 매우 얇은 박막 형성 들의 공정 범위가 달라 고품질의 다성분계 산화물 이 가능하고, 박막의 정확한 두께 및 조성제어가 용 을 증착에 제약이 따르고 있다. 산화물 반도체 기 이하다. 또한, CVD법에서 발생할 수 있는 기상 반 반 TFT는 차세대 디스플레이 구동소자로 주목받 응에 의한 파티클 오염 및 열확산에 의한 소자 특 고 있지만, 게이트 바이어스 및 온도, 빛에 대한 문 성 저하를 배제할 수 있어 다른 증착에 비해 상대 턱전압의 불안정성으로 인한 문제를 해결해야 하는 적으로 우수한 물리적, 전기적 특성을 보이고 있다. 과제가 있다. 또한, 산화물은 수분과 산소 분자들의 더욱이, 기존의 증착방법인 PVD와 CVD 방법보다 흡착과 탈착에 의한 전도성의 변화를 보여주어, 소 복잡한 형상의 기판에서도 100%에 가까운 Step- 자의 특성에 변화없이 증착할 수 있는 표면 보호층 coverage 형성이 가능하며, 특히 소자의 크기가 감 (Passivation layer)의 형성 기술이 필요로 하고 있 소됨에따라, 컨택 홀 또는 트렌치의 종횡비가 크게 다 [18]. 증가하고 있어 ALD 방법이 PVD 또는 화학 기상 증 최근, 본 연구진은 ALD 기술을 이용하여 증착된 착 방법보다 매우 실용적이라고 할 수 있다 [20]. ZnO/Al2O3의 초격자구조의 TFT 소자가 ZnO TFT 또한, ALD 기술은 금속 산화물이외에도 금속황 보다 우수한 이동도와 높은 신뢰성을 보이는 결과 화물 및 금속셀렌화물 등의 다양한 물질을 성장할 를 보고하였다(그림. 8) [19]. 수 있어, 그 응용분야는 더욱 넓어질 것으로 기대된 이는 ZnO와 Al2O3를 초격자구조로 적층하여 다. 하지만, ALD는 적절한 전구체의 선택이 어려울 ZnO의 양자구속효과를 유도할 수 있을 뿐만 아니 뿐만 아니라, 최근 주목받고 있는 다양한 다성분계 82 ceramic korea

의 박막 형성에 적용할 경우 물질마다 ALD 공정온 ALD는 반응기체의 반응성을 높임으로써, 공정온도 도 범위가 달라 성장하기 어려움이 있다. 이를 해결 범위를 넓혀 다성분 다층 박막을 보다 용이하게 구 하기 위해서는 새로운 전구체를 개발하는 것이 시 현이 가능하고 불순물을 억제할 수 있어 박막 물성 급하며 많은 연구가 이루어져야 할 것이다. 도 향상시킬 수 있는 기술로 많은 연구가 진행되고 이를 반영하듯이 ALD기술에 대한 논문 및 특허 있다. 이 밖에 대면적 웨이퍼에 적용하기 위한 자기 는 공정기술 혹은 새로운 전구체에 대한 것이 다수 장을 이용한 자기 ALD 및 원료를 샤워헤드 방식으 보고되고 있다. 최근, ALD 공정의 중요성이 강조되 로 균일하게 분사하는 방법 등이 연구되고 있다. 면서 양산성이 높고 박막의 막질을 개선할 수 있는 기술 개발의 필요성이 요구되고 있지만, 느린 증착 속도와 전구체에 포함되어 있는 불순물이 박막내에 참고문헌 다량으로 함유되는 문제를 해결해야 한다. 이러한 [1] 히라오 다카시 외, 박막기술과 응용, 겸지사, 문제를 극복하기 위해 국내외 장비업체에서 향상 된 ALD 증착 장비를 개발을 하고자 많은 연구가 진 행 중이다. 그 중의 느린 증착속도를 극복하기 위한 방법으로, 생산성을 높이기 위해 배치타입(batch type)으로 한 증착 장비로 여러 장의 웨이퍼를 동시 에 처리하여 장당 평균처리 시간을 단축하는 것이 다. 배치 형태의 장비는 한번에 다량의 웨이퍼를 처 2005년 8월 [2] 와사 기요타카 외, 박막화 기술, 겸지사, 2007 년 5월 [3] 김홍배, 박막공학 : Thin Film Technology, 서훈, 2013년 6월 [4] 최시영 외, 박막공학의 기초, 일진사, 2003년 1 월 리 가능하여 높은 생산성을 지니고 있어 생산성이 [5] K. Wasa et al., Handbook of Sputter 낮은 ALD 공정의 단점을 극복하기에는 최적의 방 Deposition Technology 2nd Edition, 식으로 인식되고 있다 William Andrew,. [21, 22] 또 다른 방법으로는 플라즈마를 이용하는 방법 [6] M. E. Alf et al., Chemical vapor deposition 으로, 두 번째 반응물을 공급시 플라즈마를 적용 of conformal, functional, and responsive 하여 원료분해와 첫 번째 원료와의 반응을 촉진 polymer films, Adv. Mater. 2010, 22, 1993 함으로써 공정시간을 단축하는 방법이다 (Plasma 2027 Enhanced PEALD). 또한, 플라즈마를 적용한 [23] [7] 정재인 외, 박막제조 기술의동향과 전망, Journal of the Korean Magnetics Society, Volume 21, Number 5, October 2011 [8] P. J. Kelly et al., Closed field magnetron sputter deposition of carbide and nitrides for optical applications, Vacuum, 56, 159172 (2000) [9] S. Yamazaki, A Possibility of Crystalline Indium-Gallium-Zinc-Oxide to very large scale integraion, ECS Transactions, 54(1), 85-96 (2013) 그림 9. 양산성 및 응용분야 확대를 위한 ALD 시스템 (왼:배치타입의 ALD 시스템, 오: Spatial ALD 시스템) [10] T. Suntola, J. Antson, U.S. Patent 4,058,430 (1997) November 2013 83

생태계 창조형 첨단 반도성 세라믹 소재 기술 개발(2) [11] S. M. George, Atomic layer deposition: An Overview, Chem. ReV. 110, 111-131 (2010) [12] 신현정, 원자층 (Atomic layer deposition)을 [21] E. Granneman et al., Batch ALD: Characteristics, comparison with single wafer ALD, and examples, Surface and Coatings 이용한 나노 구조물 제작, 전기전자재 료 학 Technology, 201, 8899-8907 (2007) 회, 박막공정기술 특집, 제 23권 2p 3호 (2010 [22] 김용현, 배치식 종형 ALD장치의 현황 및 전망 년 3월), 세라미스트, 제9권 제4호 (2006년 8 월) [13] 맹완주 외, 산화물 원자층 증착의 나노 기술 [23] 정승환, 플라즈마 원자층 박막증착 기술과 유 에의 응용,세라미스트, 제9권 제4 호 (2006년 전 박막에의 응용, 세라미스트, 반도체 소자 8월) 의 유전체 기술 및 원자층 증착법 특집, 제 9 [14] 이원준, 실리콘 산화물 박막의 원자층 증착기 권, 제 4호 (2006년 8월) 술, 세라미스트, 반도체소자의 유전체 기술 및 원자층 증착법 특집, 제 9권, 제 4호 (2006 년 8월) [15] S. K. Kim et al., Al-doped TiO2 Films with ultralow leakage current for next generation DRAM capacitor, Adv. Mater. 20, 1429-1435 (2008) [16] S. H. K. Park et al., Transparent and Photostable ZnO Thin-film Transistors to Drive 윤명구 an Active Matrix Organic-light-emitting- 2013 성균관대학교 신소재공학과 석사학위 diode display panel, Adv. Mater. 21, 678682 (2009) 2013~현재 성균관대학교 신소재공학과 박사과정 [17] D. H. Levy et al., Stable ZnO thin film transistors by fast open air atomic layer deposition, Appl. Phys. Lett. 92, 192101 (2008) 안철현 [18] J. K. Jeong et al., The status and perspec- 2009 성균관대학교 신소재공학과 석사학위 tives of metal oxide thin-film transistors 2013 성균관대학교 신소재공학과 박사학위 for active matrix flexible displays, Semicond. Sci. Technol. 26, 034008 (2011) 2013~현재 성균관대학교 첨단소재 기술연구소 박사 후 연구원 [19] C. H. Ahn et al., Artificial semiconductor/ insulator superlattice channel structure for high-performance oxide thin-film transistors,scientific reports, 3, 2737 (2013) [20] 황철주, 최첨단 반도체에서의 ALD 증착 기 술, 물리학과 첨단기술 January/February (2012) 84 ceramic korea 조형균 2002 한국과학기술원 재료공학과 박사 2002~2005 동아대학교 신소재공학과 교수 2005~현재 성균관대학교 신소재공학부 교수

Special 생태계 창조형 첨단 반도성 세라믹 소재 기술 개발(2) 반도성 세라믹 박막 트랜지스터 공정 기술 박 진 성_ 한양대학교 신소재공학부 부교수 전 혜 지, 이 광 호, 배 재 윤_ 한양대학교 신소재공학부 석사과정 반도성 세라믹을 활용한 응용기술은 해를 거듭 믹인 InGaZnO를 이용한 박막 트랜지스터 기반으 할수록 눈부시게 진화하고 있다. 특히 2013년에 로 패널을 제작하였다. 금번 양산에 적용된 비정질 는 반도성 세라믹이 디스플레이 시장에서 처음으 InGaZnO 반도체는 2004년 일본의 호소노 그룹이 로 선을 보인 한 해 였다. LG전자는 올 1월에 55인 nature 논문에 보고한 이후로, 10년동안의 연구기 치 AMOLED (유기발광다이오드, Active Matrix 간을 지나 디스플레이 시장에 모습을 드러낸 역동 Organic Light Emitting Diode) TV를 시장에 출시 적인 세라믹 소재로 판단된다. 그림1은 비정질 산화 하였고, 6월에 휘어진 AMOLED TV를 반도성 세라 물 반도체 재료를 활용한 디스플레이 연구 및 개발 그림 1. 지난 10년간의 산화물 반도체 (InGaZnO등)를 활용한 박막 트랜지스터 및 디스플레이 패널 기술의 연구 흐름도 November 2013 85

생태계 창조형 첨단 반도성 세라믹 소재 기술 개발(2) 현황에 대하여 정리한 것이다 [1]. 그림2와 같이 LG 디스플레이의 AMOLED TV 양 산은 과거에 삼성 디스플레이, 대만의 AUO, 일본 의 Sharp와 Sony등에서 산화물 반도체 기반의 박 막 트랜지스터 연구 개발을 집중적으로 진행해왔었 으며, 그 기간 동안 박막 트랜지스터로 적용하기 위 하여 많은 시행착오를 겪어오면서, 마침내 그 결과 의 첫발을 양산 TV로 내 딛을 수 있었던 것은 큰 의미가 있다고 할 수 있다. 과거에 Sharp가 비정질 그림 2. (a) 2012년 CES에서 발표된 55인치 LG 디스플레이의 AMOLED TV 패널 (b) 2013년 IFA에서 발표된 77인치 LG 디스플레이의 AMOLED TV 패널 표1. 박막 트랜지스터들의 반도체별 특성 비교 InGaZnO를 기반으로 한 박막트랜지스터를 활용하 여 Apple사의 i-pad2에 적용한 LCD 패널이 세계 최초 양산에 기여한 기술이였다. 이후 양산 패널 공 급이 중단되고 산화물 반도체 기반의 양산 방향과 가능성에 대하여 회의적이였지만, LG 디스플레이의 OLED TV 양산은 짧은 역사를 가진 산화물 반도체 에서는 획기적인 전환점으로 판단될 수 있다. 현재 디스플레이 분야에 널리 사용되고 있는 비 정질 실리콘 (amorphous silicon, a-si)은 우수한 균일성과 낮은 제조 비용으로 인하여 산업의 전반 반도체를 형성하는 물질의 종류에 따라 a-si TFT, 을 이끌어 나가고 있다. 하지만, 낮은 이동도와 전기 LTPS TFT, Organic TFT, Oxide TFT 등으로 구분 광학 스트레스에 대한 소자의 신뢰성이 낮은 단점 된다. 이 중, Oxide TFT 소자 구조의 경우, 게이트, 으로 인하여 OLED적용에는 매우 회의적이였다. 그 드레인 및 소스 3개의 전극을 갖는데 3개의 전극들 이후 우수한 이동도와 신뢰성을 갖는 저온 다결정 의 위치하는 형태에 따라서 크게 스태거드(Stag- 실리콘 (low temperature poly-silicon, LTPS)은 gered) 구조와 코플라나(Coplanar) 구조로 분류 OLED 패널 및 고품위 LCD 적용에 높은 가치를 부 되는데, a-si TFT에서는 역 staggered형이 주로 사 여 받았다. 다만, 레이저를 이용한 결정화 기술과 이 용된다. 역 staggered 형에는 BCE (Back Channel 온도핑 및 열처리 공정 그리고 대면적 장비 개발 및 Etched) 구조와 ES (Etch Stopper) 구조가 있다. 투자비등은 양산에 어려운 요소였다. 이에 산화물 (그림3) 반도체는 두 반도체간의 장점을 취하고 단점을 버 표2는 각 구조의 특징에 대하여 정리하였다. 릴 수 있는 반도체 재료로 부상하였고, 연구를 진행 Oxide TFT도 a-si TFT와 동일한 구조를 이용하여 하면서 기술적 이슈와 해결 방법들에 대하여 논의 되고 있다. 표 1은 세 반도체 재료를 기반으로 하는 TFT 소자의 특성을 비교하였다. 먼저, TFT 공정 기술을 이해하기 위해서는 소 자의 구성에 대하여 이해해야 한다. TFT는 게이 트 (gate) 전극, 절연막 (insulator), 반도체, 소스 (source)/드레인(drain) 전극, 그리고 보호막 (passivation)등으로 구성되어 있으며, 이 중에서 특히 86 ceramic korea 그림 3. TFT 의 구조 (좌) 역 staggered 형 BCE 구조 (우) 역 staggered 형 ES 구조

표2. Oxide TFT 구조에 따른 특징들 공정이 진행되고 있으며, a-si 반도체를 산화물 반 등을 이용하여 ZnO TFT를 제작하였다. Masuda 도체로 대체하는 구조를 갖고 있다. 특히, a-si TFT et al. 은 물리적 증기 증착법을 이용하여 Si기반의 와 달리 oxide TFT에서는, 구조에 따라 특성 변화 기판에 Bottom-gate 구조의 ZnO 채널 레이어를 가 나타나는 특징이 존재한다. 먼저, BCE 구조의 경 보고하였고, 이 결과는 낮은 캐리어농도 (<5 1016 우에는 Source/Drain 전극 패턴시 산화물 반도체 cm 3) 및 1cm2/Vs의 이동도를 가진다.[2] Hoff- 와 에칭 용액간의 상호작용 또는 잔류물에 의하여 man 연구 그룹은 이온 빔 스퍼터 방법을 이용하여 반도체 특성의 변화가 발생할 수 있다. ES구조의 경 2.5cm2/Vs의 소자 특성을 지니고 있다. 이러한 전 우에는 상기의 반도체 특성 변화를 억제할 수 있지 기적 특성 향상은 ZnO의 결정화 향상으로 증명되 만, mask 수가 하나 늘어나서 공정이 복잡해지는 어지고 있지만 다른 application에 적용하기에는 높 단점을 가지고 있다. 현재, BCE 구조에 대한 연구를 은 온도에서 열처리 공정이 진행되므로 문제가 되어 가장 많이 진행하는 곳은 삼성전자가 있다. 이를 위 지고 있다. [3] 또한 Carcia 그룹에서는 고주파 마그 하여 새로운 source/drain 에칭 용액과 반도체 재 네트론 스퍼터링 방법을 이용하여 상온에서 ZnO 료 개발 등을 진행하고 있다. 한편, OLED를 구동하 박막을 성장시켰고, 이는 2cm2/Vs이상의 높은 이 기 위해 Oxide TFT를 개발하고자 하는 LG 디스플 동도를 가지는 결과를 보고한 바가 있다.[4] 하지만 레이, Sharp, AUO, BOE등 에서는 소자의 신뢰성과 ZnO 박막은 증착과정에서 결정화가 쉽게 발생하여 균일도를 확보하기 위해서 ESL을 도입한 구조로 개 대면적에 적합한 비정질 상을 얻기가 쉽지않고, 결 발을 하고 있다. 정입계의 존재로 소자의 이동도 등의 균일도가 일 정하지 않은 문제가 발생할 수 있는 단점이 있다. 또 Oxide TFT의 채널층 (반도체층) 한 SnO2, In2O3, TiOx와 같은 이원계 구조도 많은 2003년 산화물 반도체 기반의 TFT 응용 가능성 연구가 진행되었지만, 이 또한 여러가지 문제로 상 을 소개한 이후로, 산화물 TFT의 연구개발은 산화 용화하기에는 어려움을 가지고 있다. 물 반도체 신규 조성의 탐색, TFT 신규 구조 개발, 비정질 산화물 반도체의 가장 대표적 조성은 Oxide 반도체 성막법, TFT의 소스/드레인 물질, IGZO이며 이는 In, Ga, Zn 의 조성의 변화에 따 소자의 안정성과 관련된 메카니즘 연구, 회로 설계 라서 특성도 모두 다르게 나타나므로 다양한 조 및 그 외 Oxide TFT의 신규 응용분야에 관한 방 성의 IGZO TFT가 보고되고 있다. Nomura et al. 향으로 진행되고 있다. 대표적인 이원계 산화물로는 은 2003년 80cm2/Vs의 높은 이동도를 가지는 단 ZnO, SnO2, In2O3, TiOx 등이 있고, 다원계 비정 결정 InGaO3(ZnO)5 TFT를 제작하였다.[5] 기존 질 산화물로는 InZnO (IZO), IGO, IGZO, ZTO 물 에 보고되었던 ZnO TFT와는 달리 소자의 구조 질 등이 주로 연구되고 있다. 많은 연구 그룹에서는 는 coplanar-top gate로 구성되었다. 120nm 두께 최초로 박막 트랜지스터의 반도체로 적용된 이원 의 InGaO3(ZnO)5 를 epitaxial 성장을 시키기 위해 계 구조인 ZnO 기반의 산화물 TFT에 대한 연구가 서 yttria-stabilized zirconia 기판을 사용하였고, 진행되었다. 많은 연구 그룹들이 rf sputtering, ion 700OC 에서 PLD를 이용하여 성장시키고 1400OC beam sputtering, pulsed latser deposition (PLD) 의 높은 온도에서 열처리를 하여 형성 시켰다. 또한, November 2013 87

생태계 창조형 첨단 반도성 세라믹 소재 기술 개발(2) Nomura et al.은 2004년 flexible 기판에 상온 공 비정질 산화물 반도체가 비정질 실리콘의 이동도에 정을 이용하여 IGZO TFT를 제작하였는데, 이는 비 비해 상당히 높은 이동도를 갖게 한다고 설명하였 정질의 다성분계 금속 산화물 물질을 이용한 최초 다. InGaZnO 반도체 재료는 In2O3는 이동도 향상, 의 연구 결과이다. 채널층 30nm두께를 갖는 비정 ZnO는 네트워크 형성제, Ga2O3는 전하억제 및 안 질 IGZO를 상온에서 PLD를 이용하여 200 두께 정제로 역할을 하기 때문에 가장 우수한 신뢰성을 의 PET 기판위에 형성하였다. 이는, 6-9cm /Vs의 갖는 산화물 반도체 재료중에 하나이고, 우수한 이 이동도를 가지고, 굽힘 테스트에서도 안정적인 모 동도의 특성을 가지고 TFT 특성 최적화도 비교적 습을 보여주었다. 비정질 물질은 낮은 온도에서 형 용이하여 삼성전자와 LG디스플레이 등 대기업에서 성이 가능하고 매우 균일한 표면을 가지고, grain 연구 및 개발이 진행되어 왔다. 하지만 이러한 장점 boundary가 없기 때문에 실제 생산에 있어서 큰 에도 불구하고 In 과 Ga 원자들은 가격이 높기 때 장점을 갖지만, 일반적인 전기적 특성이 결정질 물 문에 최근에는 In, Ga을 포함하지 않은 새로운 채 질에 비해서 떨어진다는 단점을 갖는다. Hosono 널 재료 탐색에 관심이 쏠리고 있다. 2 교수 그룹은 a-igzo 와 같은 비정질 산화물 반도 이러한 문제점을 해결하기 위해서 ZnO와 SnO2의 체는 공유결합으로 이루어진 실리콘과 같은 일반 이성분계 산화물인 ZnSnO 반도체 재료에 연구가 적인 반도체 물질과는 달리 sp3 결합이 아닌 post- 진행되고 있다. ZnSnO (ZTO) TFT 역시 rf sput- transition metal cation의 큰 ns 오비탈 끼리의 중 tering, reactive dc sputtering, PLD 등을 통해 제 첩에 의해 전도가 일어나 비정질 박막임에도 불구 작되어 왔다. 최초 ZTO TFT는 chiang 연구 그룹이 하고 10cm /Vs 이상의 높은 이동도를 가질수 있다 2005년 bottom-gatm staggered 구조로 제작하였 고 제안하였다. 따라서 이러한 결합 방식의 차이가 다. ZTO channel layer는 rf magnetron sputter- 2 표3. 채널층 물질과 공정 방법에 따른 소자의 이동도와 공정 온도 정리 결과 [1] (PLD: Pulsed Laser Deposition, ND: No Data, R. T.: Room Temperature) Channel Materials Deposition Method mobility (cm2/v.s) Subthreshold Swing (V/decade) Process Temperature (oc) a-znon Reactive Sputter 10 0.8 350 p-znon ALD 6.7 0.67 150 MgZnO MOCVD 40 0.25 450 a-inzno Sputter 20 1.2 R.T. a-inzno Sputter 4.5 0.87 40 a-inzno Sputter 27 (19) ND 600 (200) a-ingazno PLD 9 ND R.T. a-ingazno Sputter 12 0.2 R.T. a-ingazno Sputter 35.9 0.59 350 350 ZrInZnO Sputter 3.9 0.98 a-hfinzno Sputter 10 0.23 200 a-sninzno Sputter 24.6 0.12 300 a-alsninzno Sputter 31.4 0.14 250 SiInZnO Sputter 21.6 1.52 150 a-znsno Sputter 5-15 (20-50) ND 300 (600) a-znsno PLD 10 1.4 450 ZnSnO Sputter 14 1.6 250 AlZnSnO Sputter 10.1 0.6 180 GaZnSnO Sputter 24.6 0.38 300 ZrZnSnO Sputter 8.9 0.7 350 88 ceramic korea

ing을 이용하여 증착하였고, 후속열처리를 300 구가 시작되었다. 대표적인 용액 공정으로는 스핀 와 600 의 후속 열처리 온도를 거쳐 제작된 ZTO 코팅과 잉크젯 프린팅이 있다. 이러한 공정은 진공 TFT는 5-15 cm2/vs 와 0-15V의 turn-on voltage 공정에 비하여 낮은 비용이 필요하고 막의 형성이 및 20-50 cm2/vs 의 이동도 및 -5-5V의 turn-on 간단하고 쉬우며 대면적화가 가능하다는 장점을 가 voltage를 각각 보여주었다. 하지만 ZnSnO 이성분 지고 있다. 표4는 용액기반으로 제조된 산화물 반도 계 만으로 기존 InGaZnO TFT 소자특성 및 신뢰 체 결과를 정리해두었다. 성에 근접한 특성을 확보할 수 있는지의 여부는 확 용액 기반의 산화물 박막 트랜지스터는 초기 실치 않다 [6]. 표3은 다양한 다성분계 산화물 반도 Zinc nitrate 를 금속 전구체로 이용하고 스핀코팅 체 재료에 대한 연구 결과를 정리하였다. 을 이용하여 600OC 열처리 공정에서 ZnO 박막 트 한편, 앞서 소개한 oxide TFT는 주로 sputtering, 랜지스터를 제작하였다. [7] 제작된 트랜지스터는 0.2 PLD (Pulsed Laser Deposition) 등의 진공 공정을 cm2/vs의 이동도와 107의 on-to-off current ratio 통해 제작되었다. 진공 공정을 통해 제작된 Oxide 를 보여주었다. 2007년 Ong et al.은 내부 유기물을 TFT는 낮은 공정온도에서도 우수한 이동도를 보여 제거하고, ZnO의 결정성을 확보하기 위해서 500에 주었다. 하지만 진공 공정은 고가의 진공 장비가 필 서 열처리 한 결과 (002) 면의 우선 배향성을 갖는 요하고 증착 시간이 오래 걸린다는 단점을 가지고 박막을 형성하였다. 그 결과 5.25cm2/Vs의 향상된 있다. 이러한 진공 공정의 단점을 보완하기 위하여 이동도를 얻었다. 이 이외에도 IZO, IGZO, ZTO막 용액 공정을 이용하여 산화물 박막을 형성하는 연 을 금속 전구체를 이용하여 산화물 반도체 트랜지 스터의 반도체 층으로 사용하였다. 표4. 용액공정을 이용한 산화물 박막 트랜지스터의 특성 정리 결과 [1] 최근에는, 용액공정과 관련하여 높은 이동도 그리 Material Coating solut. Type µ (cm2/vs) Temp. (oc) ZnO SC Precursor 0.2 700 ZnO CBD Precursor 0.25 100 Kim et al.은 용액을 이용한 박막에 자외선 파장대 고 낮은 열처리 공정에 관련된 보고가 되고있다.[8] ZnO SC Precursor 5.25 500 를 이용하여 광화학 활성화를 통해 좋은 연구 성 ZnSnO SC/IJ Precursor 16 600 과를 나타내었다. 이로 만들어진 박막은 낮은 온도 ZnInO IJ Precursor 7.4 600 ZnO IJ Precursor 1.8 150 ZnZrO SC Precursor 0.0042 300 이고, 응축시키는 효과를 보였다. 특히, 자외선 조 에서 자외선 파장대를 조사하여 박막의 밀도를 높 InZnO SC Precursor 7.3 500 사를 통해 휘어지는 기판위에서의 a-igzo TFT가 nc-igzo SC Precursor 7.84 400 IZTO IJ Precursor 30 600 잘 동작되었으며, 14cm2/Vs의 높은 이동도를 가지 AIO SC Precursor 19.6 350 a-znsno SC Precursor 5 500 을 사용한 TFT는 7cm2/Vs의 이동도 특성을 가진 고, 유리기판 그리고 폴리머 기판에 Al2O3 절연막 a-inzno SC Precursor 5 350 다. 이 결과는 이는 진공장비의 결과에 근접한 전기 ZnInSnO SC Precursor 10~100 400 InGaZnO SC Precursor 2.3 95 적인 특성을 얻은 것이다. 이처럼 용액 공정은 간단 SC Precursor 10 <250 SC Precursor 3.37 <250oC 1.76 <250oC In2O3 SC Precursor 2.62 200 a-izo a-igzo In2O3 a-inzno 하고 저렴하다는 장점을 가지고 있지만 진공 공정 에 비하여 그 특성이 안정적이지 못하다. 따라서 용 액공정의 산화물 반도체의 이동도 및 신뢰성 부분 에서는 더욱더 많은 연구가 필요하다. ZnO SC Precursor 1.7 140 Li-ZnO SC Precursor 11.45 300 배선재료 (게이트, 소스/드레인 전극) a-igzo SC Precursor 3.7 <100 산화물 반도체를 이용한 TFT에서 배선 재료는 크 November 2013 89

생태계 창조형 첨단 반도성 세라믹 소재 기술 개발(2) 게 게이트 전극과 소스/드레인 전극으로 나눌 수 있 표5. 배선재료의 물질별 특성 다. 두 재료의 공통적 요구사항은 저저항과 대면적 공정 안정성과 패터닝 등을 고려할 수 있다. 이러한 요구사항에 맞춰 Mo, Al, Ti 기반에서 Cu 재료로의 움직임은 최근에 일어나고 있는 흐름이다. 표 5는 각 배선 재료에 대한 물성들을 정리하였다. 하지만, 재료의 선택과 함께 중요한 이슈로는 산 화물 반도체와 접합을 이루는 소스/드레인 전극이 다. 즉 이러한 컨택은 TFT 소자 특성 값에 큰 영향 을 미치기 때문에 연구가 많이 진행되어 왔다. 산화 물 반도체는 실리콘 반도체와 달리 안정적인 컨택 물질이 존재하지 않는다. 이종 재료를 활용하여 컨 택을 형성하여야 하므로 컨택저항의 크기 조절이 소자의 특성과 크게 직결됨이 확인되었고 이를 향 상하기 위한 연구가 진행되어 왔다. 먼저, IGZO 산화물 반도체는 금속 전극과 결합 할 경우, 사이에 저항을 낮출 수 있는 동일 재료의 었다. 특히, 대면적 기판에 적용하고자 할 경우, Ar high doping layer가 없고, 이종 재료로 인한 일함 plasma 노출 시간이나 수소 노출 공정 시간 등에 수의 차이가 기존의 금속-금속 결합보다 커서 쇼 따라 생성된 전자의 량과 일함수가 변할 수 있기 때 트키 장벽이 크게 생겨나게 된다. 이는 전하 주입이 문에, 소자 특성의 불균일을 초래하기 때문이다. 하 용이하지 못하고, 이로 인하여 반도체 소자의 이동 지만, 산화물 반도체의 컨택 저항에 대한 연구는 이 도가 떨어지는 컨택 저항 증가 현상이 발생하게 된 로 인하여 깊게 진행되고 지금도 연구중이다. 다. 이를 극복하기 위한 대안으로, 삼성에서는 Ar 이후, 배선 재료의 종류에 따라 컨택 저항의 변화 plasma를 IGZO 표면에 노출하여 산소 결합을 제 와 소자 이동도의 영향을 비교하였다. 하지만, Ti, 거하는 기법을 적용하였다. 이러한 기법은 산화물 Mo, ITO, Al등의 다양한 일함수를 갖는 재료가 전 반도체가 갖는 자연 전자 발생 원리 개념을 살펴보 극으로 적용하여 oxide TFT의 특성 변화의 상관관 면 이해할 수 있다. 일반적으로 산화물 반도체는 산 계를 확인하였으나, 저항이 낮은 재료와 일함수 차 소 결핍으로 인한 전자 발생과 박막내 수소 결합으 이가 적은 배선 재료의 경우에 소자의 특성 향상이 로 인한 전자 증가 그리고 양이온의 구조 결함으로 예상되었으나, 그 차이는 크지 않았다. 특히, Cu 배 인한 전자 증가 등이 알려져 있다. Ar plasma 기법 선을 소스/드레인에 적용한 연구 결과에서는 오히 은 산소 결핍으로 통한 표면의 전하 농도를 극대화 려 Cu 배선을 적용한 경우에 이동도가 더 낮게 나 시켜서 금속 배선과 산화물 반도체 사이의 일함수 오고 결과를 보였다. Cu 는 저온에서 확산이 매우 와 전하 주입을 수월하게 해주려는 시도였으며, 컨 잘 일어나고, 산화물 반도체 내에 Cu 이온이 들어 택 저항이 5배 이하로 감소하는 결과를 보였다. 한 갈 경우, 전자를 보상시켜 농도를 감소시키거나 소 편, 수소를 산화물 반도체 컨택 층에 주입하는 연 자 내에 깊은 준위 결함 에너지를 형성하여 결함발 구 결과도 있었다. 이 경우, Ar plasma를 적용할 경 생을 유도하고, 이로 인하여 이동도 등의 소자 특성 우보다 2배이상 감소시켰다. 하지만, 두 가지 방 을 열화 시키는 약점을 가지고 있다. 이를 위해서 확 법은 생산 공정에 적용하기에는 문제점을 갖고 있 산을 방지해야 하는 층이 필요하게 된다. 이는 앞서 [9] [10] 90 ceramic korea

언급한 저저항 배선 적용에서 oxide TFT의 새로운 Near-noble metal은 Cu와 250~450, Si과는 고민을 안겨주게 된다. 100~450 의 저온에서 반응하므로 결국 Cu와 Si이 이에 따라 산화물 반도체와 Cu 배선사이에 확산 반응이 일어나면서 failure가 일어난다. Refractory 방지막 연구 개발이 최근 큰 이슈로 떠오르고 있다. metal은 Cu와 750 이상에서, Si과는 525~650 기존의 Cu 확산 방지막의 물질들의 종류는 크게 범위의 비교적 고온에서 반응이 일어나므로, near- 다음과 같은 세가지 방법으로 접근을 하고 있다. noble metal에 비해서는 더 높은 온도까지 안정하 다. Refractory metal은 입계를 통한 Cu 확산에 의 1) Stable (passive) barrier 해 failure가 일어난다고 알려져 있다. 물질 A 및 B에 대해 화확적으로 안정하고 A, B의 이러한 전이 금속류 확산 방지막은 그 구성 원소 용해도가 낮은 물질로서 대체로 산화물이나 질화 에 따라 안정한 온도가 200 에서 650 까지 다양 물 등과 같이 형성에너지가 커다란 음의 값을 갖는 하게 보고되었으며, 같은 원소에 대해서도 보고된 물질들이 이 계통에 속한다. 결과들이 많은 차이가 있다. 일반적으로 전이 금속 으로 이루어진 확산 방지막은 Cu와 Si 사이에서 안 2) Reactive (sacrificial) barrier 정하다고 하기 힘들다. 물질 A, B에 대해 화학적으로 반응하지만 반응속도 나 반응 활성화에너지 등이 알려져 있어서 주어진 (2)전이금속 합금류 온도, 시간 하에서 예측된 life time동안 사용될 수 보통 near-noble metal과 refractory metal의 합금 있는 물질이다. 으로 이루어지며, Ti-W, Ni-Nb, Ni-Mo, Ir-Ta, IrZr 등이 연구되고 있다. 이러한 전이금속 합금류 확 3) Stuffed barrier 산 방지막은 다결정 또는 비정질로 증착되며, 비정 Stable (passive) barrier의 grain boundary나 다 질로 증착된 경우에도 고온에서 쉽게 결정화된다. 른 구조적 결함 부분에 O, N 등과 같은 불순물을 전이금속 확산 방지막에 비해 더 고온까지 안정하 채워넣어 이들 부분이 빠른 확산 통로 역할을 하 여, 종류에 따라 다르지만 최소한 500 까지는 안 지 못하도록 함으로써 전체적으로 내확산 특성을 정하다고 알려져 있다. 종류에 따라 Si과의 반응이 보다 향상시킨 물질들이다. 현재까지 연구된 Cu 확 나 입계를 통한 Cu 확산에 의해 failure가 일어난다. 산 방지막들은 그 구성 원소에 따라 크게 다섯 부 류로 나눌 수 있으며, 대부분 sputtering, e-beam, (3) 전이금속-Si 류 evaporation 등의 물리증착법으로 제조되었으나 다결정의 metal silicide와 비정질 metal-si 혼합 CVD로 증착된 경우도 보고되고 있다. 같은 물질로 물을 포함하며, TiSi2, CoSi2, CrSi2, TaSi2, 비정질 이루어진 확산 방지막이라도 증착방법의 차이에 따 W-Si, 비정질 Ta-Si 등이 연구되었다. Si없이 전이금 라 그 결합 구조 즉 입계 구조가 달라지므로 확산 속만을 사용한 확산 방지막에 비해 10~200 정도 방지 특성에 많은 차이가 있을 것으로 생각된다. 각 더 높은 온도까지 안정하며, Cu와의 반응이나 입계 부류의 확산 방지막에 대해 그 종류의 특성을 간단 를 통한 Cu 확산에 의해 failure가 일어난다. Near- 히 살펴보면 다음과 같다. noble metal-si 혼합물보다 refractory metal-si 혼 합물이 더 높은 온도까지 안정하다. (1) 전이금속류 Cr, Co, Ni, Pd, Pt 등의 near-noble metal과 (4) 전이금속-N, -O, -B 류 Mo, Ta, W 등의 refractory metal이 연구되었다. 역시 다결정의 화합물, 즉 전이금속 nitride, oxide, November 2013 91

생태계 창조형 첨단 반도성 세라믹 소재 기술 개발(2) boride와 비정질 혼합물이 모두 연구되었다. 전이금속-N 확산 방지막으로는 TiN, HfN, Ta-N, W-N 등이 연구되었으며, 보고마다 많은 차이는 있 지만 500~800 범위의 고온까지 안정하다고 알려 져 있다. 전이금속-N 확산 방지막의 높은 안정성은 Cu가 N, Ta, W와 반응성이 없기 때문이다. 고온에 서 Si과 반응하거나 입계 등의 결함을 통한 Cu 확산 에 의해 failure가 일어난다. 전이금속-O 확산 방지막으로는 전기 전도성 물 질인 RuO2, Mo-O가 연구되었으며, Cu와의 계면에 서 Cu oxide가 형성되어 500~600 의 온도 범위 에서 failure가 일어난다. 며 750 이상의 온도에서 Cu 확산에 의해 failure가 그림 4. Gate insulator 종류에 따른 ZnO TFT의 이동도를 산소 분압의 관점에서 정리한 결과. (100 nm and 430nm SiNx:H 두께에서 이동도 [u(100) and u(430)], sputtered SiNx and SiO2이동도 [ u(sin) and u(sio2)]) [11] 일어난다. (subtreshold gate swing, S.S), 또는 이동도를 변화 전이금속-B 확산, 방지막으로 TiB2가 연구되었으 시키기 때문에 많은 관심을 받고 있다. (5) 삼원계 류 그 중에서 Silicon oxide과 silicon nitride 은 비정질의 Ti-Si-N, Ta-Si-N, W-Si-N, Mo-Si-N, W- oxide TFT에서 가장 널리 사용되는 gate insulator B-N, W-Re-B, Ti-P-N 등이 연구되어졌으며, 결정 재료이다. 이 둘을 비교했을 때 TFT의 특성은 많 화 온도가 높아 가장 우수한 확산 방지 특성을 보 은 차이를 갖는다. P. F. Carcia et al. 에서의 Silicon 인다. oxide과 silicon nitride 비교 실험을 통해 게이트 Ti-P-N 확산 방지막은 고온에서 TiN이 응집 인슐레이터와 oxide TFT 특성 관계를 알 수 있다 (agglomeration)되어 입자 크기가 증가하면서 [1]. 산소 분압을 이용한 ZnO를 통해 TFT의 이동도 failure가 일어나고, 나머지 비정질 확산 방지막들 를 조절하며 게이트 인슐레이터의 선택에 따른 변 은 Cu overlayer에 의해 결정화가 가속화가 되어 화를 볼 수 있다. PECVD로 공정한 SiNx박막의 경 failure가 일어난다. Ta30Si14N50 확산 방지막의 경우 우 SiH4/H2/NH3 가스의 사용으로 SiOx에 비해 박 950 까지 안정하다고 보고되었다. 막내의 다수의 수소를 포함하고 있다. 하지만, 아직 산화물 반도체에 적합한 확산 방지 그에 비해 sputtering로 증착된 gate insulator 막은 개발 중이거나 탐색중으로 알려져 있다. 이미 는 낮은 수소함량을 갖는다. 그림 4와 같이, gate 일부 삼성과 LG에서는 Cu 배선을 적용하고 확산 방 insulator에 따른 이동도의 차이가 확연하게 볼 수 지막을 적용하고 있다는 보고가 있으나, 앞에서 언 있다. Silicon oxide 와 sputtering을 통해 증착된 급된 전이금속 등을 활용하는 것으로 알려져 있다. silicon nitride는 산소 분압을 높임에 따라 이동도 의 큰 감소를 볼 수 있었다. 하지만 PECVD로 증 절연 재료 (Gate Insulator, Passivation) 착된 수소 함량이 많은 silicon nitride은 낮은 산 Oxide TFT에서 절연재료는 소자의 특성 향상 소분압에서 높은 이동도를 갖음과 동시에 산소분 및 신뢰성 개선에서 매우 중요한 역할을 한다. 특 압을 증가시켰을 때도 낮은 감소폭을 보였다. 이러 히, gate insulator의 공정 방법과 재료 선택에 따 한 gate insulator의 공정과 재료선택은 실제 oxide 라 문턱전압 (threshold voltage, Vth), 게이트 스윙 TFT의 특성에 큰 영향을 미친다. 92 ceramic korea

최근에 들어서 SiO2 과 SiNx 외에 고유전율 (high 료의 high-k gate insulator가 실제 응용 소자에 -k) 재료의 gate insulator가 주목을 받고 있다. 반 서는 적합한 것으로 판단된다. 최근, Al2O3, Y2O3, 도체에서의 구동전압은 캐패시턴스에 의해 좌우 BaSrTiO와 Ta2O5 등과 같은 다양한 high-k 재료들 되는데, 이는 gate insulator의 유전상수와 두께에 이 연구되어지고 있다. 이러한 재료들 중에 ZrO2와 따라 바뀌게 된다.이러한 캐패시턴스는 Ci=ε HfLaO gate insulator는 높은 이동도( 25 cm2/ 0 (ka/d)로 나타내며 k는 유전상수, A는 전극의 넓이 Vs)와 좋은 S.S값을 보였다 [23, 24]. 그러나 높은 유전 그리고 d는 인슐레이터의 두께이다. 특히, high-k 상수 재료인 BiZnNbO (k=51)가 적용된 경우에는 gate insulator가 주목받는 이유는 구동전압을 낮 예상과 다르게 낮은 이동도 (1.52 cm2/vs)를 보였다 출 수 있기 때문이다. 이를 활용한 구동전압의 감 [25] 소는 모바일 디스플레이의 한정적인 배터리 문제 료의 포논 산란과 분극으로 기인되는 쿨롱 산란 메 의 해결책으로 모색될 수 있다. SiO2와 Si3N4는 많 커니즘에 의해 채널의 이동도를 제한 할 수 있다. 따 이 사용되어 공정이 쉽지만 높은 증착 온도와 낮 라서, high-k gate insulator를 이용하기 위해서는 은 유전상수 등의 문제점을 안고 있다. 비록 두께 누설전류, 밴드갭, 계면에서의 트랩 등에 대한 많은 를 낮추면 높은 캐패시턴스를 가질 수 있지만, 이 연구가 요구된다. [12-14]. 이는 이론적인 관점으로 보았을 때 high-k 재 또한 물리적 절연 특성 한계에 도달하고 있다. 한 Oxide TFT에서 Passivation층은 주로 절연체 재 편, 고분자 gate insulator도 낮은 유전상수로 인해 료가 많이 활용되고 있다. 산화물 반도체는 수분과 각광받지 못하지만, 몇몇 보고에 의하면 낮은 구동 산소분자의 흡착으로 인하여 전하의 주입과 상쇄 전압 실현하기도 했다. (i.e., SAM(selfassembled 현상이 발생되는 매우 민감한 특성을 나타내고 있 monolayer) [15, 16], SAS (self-assembled superlat- 다. 특히, TFT의 경우, 외부로부터의 수분이나 산소 tice) [17], CPB (cross-linked polymer blend) [18], 그리고 불순물 등을 막아주지 못하면 소자의 특성 PVA[poly(vinyl alcohol)], PMMA [poly(methyl 에 치명적인 열화가 발생하게 된다. 그림5는 pas-, and PVP [poly(4-vinylphe- sivation층에 따른 IGZO TFT의 대표 특성 곡선을 nol)] [21, 22]). 하지만, 한정적인 기판, 표면처리 그리 나타내었다. 이 결과 이해를 위해서는 먼저 산화물 고 매우 얇은 두께로 인해 신뢰성을 갖는 무기물 재 반도체가 외기에 노출되어 있을 때 발생되는 원리 methacrylate)] [19] [20] 를 이해해야 한다. passivation층이 없는 경우, 산화 물 반도체 층에서 산소의 흡착으로 인한 전자의 활 성화는 gate insulator와 반도체 층 경계에 공핍층 (depletion layer)을 형성한다. 하지만 passivation 층의 존재는 이런 산소의 흡착을 막아줌으로써 반 도체 층의 제 역할을 찾을 수 있게 해주며, 문턱전 압의 이동을 나타내게 된다. 반대로 수분이 흡착되 는 경우에는 전자의 주입으로 인하여 반도체 층에 축적된 전하 층 (accumulation layer)이 생성되고, 이로 인하여 문턱전압의 변화가 발생할 수 있다. 특히, 진공에서 증착(e-beam, sputtering)되는 passivation층은 공기와의 접촉을 억제하는 것 외 에도, 공정 중 발생되는 다양한 양이온-산소이온 그림 5. 다양한 passivation 재료에 따른 비정질 InGaZnO TFT의 대표 특성 곡선들 [26] 등의 라디칼 등에 의하여 산화물 반도체 층에 직접 November 2013 93

생태계 창조형 첨단 반도성 세라믹 소재 기술 개발(2) 적인 영향을 주기도 한다. 따라서, SiO2 sputtering 참고문헌 과 e-beam SiO2, MgF2의 passivation 공정 이후에 [1] J. S. Park, H. Kim, and I. D. Kim, J. 소자의 문턱전압과 반도체 물성에 큰 변화가 일어 electroceram. Doi 10.1007/s10832-013- 난다. 한편, 유기물을 이용한 passivation 층(SU-8) 9858-0 (2013) 의 경우, 본 연구결과에서는 가장 좋은 소자 특성 [2] S. Masuda, K. Kitamura, Y. Okumura, S. 을 나타내었다. 특히 상압의 상태에서 스핀코팅과 Miyatake, H. Tabata, T.Kawai, J. Appl. Phys. 같은 솔루션방식으로 만들어졌고, 후열처리 없이도 93, 1624 (2003) SU-8 passivation의 TFT는 안정적인 문턱전압 특 성을 보였다. 이외에도 다양한 passivation 층을 이용하여 소 [3] R.L. Hoffman, B.J. Norris, J.F. Wager, Appl. Phys. Lett. 82, 733 (2003) [4] P.F. Carcia, R.S. McLean,M.H. Reilly, G. 자의 특성 향상과 신뢰성 비교 연구들이 최근 몇 년 Nunes, Appl. Phys. Lett. 82, 1117 (2003) 동안 다양하게 진행되어져 왔다. 산화물 반도체 재 [5] K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya,M. 료는 스스로 안정적인 보호층을 생성할 수 없는 재 Hirano, H. Hosono, Nature 432, 488 (2004) 료로 구성되어 있기 때문에, 모든 passivation 층과 [6] Chiang H. Q., Hoffman R. L., Jeong J. Y., gate insulator 층들이 이종의 절연체를 활용해야 Wager J. F., Keszler D. A., Appl. Phys. Lett. 한다. 앞서 언급한 것과 같이, 절연체를 형성하는 공 86, 013503 (2005) 정 방법과 조건에 따라 소자의 특성이 크게 영향을 [7] B.J. Norris, J. Anderson, J.F.Wager, D.A. 받고, 재료의 선택에 따라 산화물 반도체 층에 직간 Keszler, J. Phys. D. Appl. Phys. 36, L105 접적으로 영향을 미치게 된다. (2003) 2013년 1월부터 시작되었던 oxide TFT를 활용한 [8] Y.-H. Kim, J.-S. Heo, T.-H. Kim, S. 대면적 TV 양산은 앞으로 많은 기대와 숙제를 안 Park,M.-H. Yoon, J. Kim,M.S. Oh, G.-R. Yi, 겨주고 있다. 10년여 남짓한 연구 개발 이후, 상용화 Y.-Y. Noh, S.K. Park, Nature 489, 128 (2012) 과정을 거쳐서 소비자에게 이미 다가선 산화물 반 [9] J. S. Park, J. K. Jeong, Y. G. Mo, H. D. Kim, 도체는 미완의 재료인 것에는 부정할 수 없다. 과거 and S. I. Kim, Appl. Phys. Lett. 90, 262106 비정질 실리콘 반도체가 20여년의 인고의 세월을 (2007) 딛고 수소화처리를 개발하면서 안정적으로 소자제 [10] B. D. Ahn, H. S. Shin, H. J. Kim, J. S. Park, 작이 가능하고, 이후 LCD 디스플레이 시장에서 맹 and J. K. Jeong, Appl. Phys. Lett. 93 203506 주를 차지했던 것과 비교한다면, 산화물 반도체의 (2008) 진행속도는 매우 빠르다고 판단할 수 있다. 아직도 [11] P. F. Carcia, R. S. McLean, M. H. Reilly, M. K. 이해하지 못하고 있는 소자 특성 열화 기구 및 재료 Crawford, E. N. Blanchard, A. Z. Kattamis, 와 공정에 따른 특성의 변화 관계 등은 향후 시장 and S. Wagner, J. Appl. Phys. 102, 074512 을 지배하기 위해서는 필수적으로 이해되어야만 하 (2007). 는 과정으로 생각된다. [12] C.D. Dimitrakopoulos, S. Purushothaman, J. Kymissis, A. Callegari, J.M. Shaw, Science 283, 822 (1999) [13] L.A. Majewski, R. Shreoder, M. Grell, Adv. Mater. 17, 192 (2005) 94 ceramic korea

[14] M. Halik, H. Klauk, U. Zschieschang, G. Schmid, C. Dehm, M.Schutz, S. Maisch, 박진성 F. Effemberger, M. Brunnbauer, F. 1997년 KAIST 재료공학과 공학사 Stellacci,Nature 431, 963 (2004) 1999년 KAIST 재료공학과 공학석사 [15] S.A. DiBenedetto, A. Facchetti, M.A. Ratner, T.J. Marks, Adv. Mater. 21, 1407 (2009) [16] T. Miyadera, T. Minari, S.D. Wang, K. 2002년 KAIST 재료공학과 공학박사 2003년~2005년 Harvard 대학, Post Doctor Tsukagoshi, Appl. Phys.Lett. 93, 213302 2005년~2008년 삼성 SDI, 중앙연구소, 책임연구원 (2008) 2008년~2009년 삼성 모바일디스플레이, 기술센터, 책임연구원 [17] L. Wang, M.-H. Yoon, G. Lu, Y. Yang, A. Facchetti, T.J. Marks, Nat. Mater. 5, 893 (2006) [18] M.H. Yoon, H. Yan, A. Facchetti, T.J. Marks, J. Am. Chem. Soc. 127, 10388 (2005) 2009년~2013년 단국대학교 신소재공학과 조교수 2013년~현재 한양대학교 신소재공학부 부교수 2010년~현재 한국정보디스플레이 학회 기획이사 [19] G.W. Hyung, J. Park, J.R. Koo, K.M. Choi, S.J. Kwon, E.S. Cho, Y.S. Kim, Y.K. Kim, Solid 전혜지 State Electron. 69, 27 (2012) 2013년 단국대학교 신소재공학과 공학사 [20] D.H. Kim, S.-H. Choi, N.G. Cho, Y. Chang, H.-G. Kim, J.-M. Hong, I.-D. Kim, Elec- 2013년~현재 한양대학교 신소재공학부 석사과정 trochem. Solid State Lett. 12, H296 (2009) [21] K. Lee, G. Ko, G.H. Lee, G. Han, M.M. Sung, T.W. Ha, J.H. Kim, S. Im, Appl. Phys. Lett. 97, 082110 (2010) [22] P.K. Nayak, J. Kim, C. Lee, Y. Hong, Phys. Status Solidi A 207, 1664 (2010) [23] D.-H. Cho, S. Yang, C. Byun, J. Shin,M. 이광호 2013년 단국대학교 신소재공학과 공학사 2013년~현재 한양대학교 신소재공학부 석사과정 K. Ryu, S.-H.K. Park, C.- S. Hwang, S.M. Chung, W.-S. Cheong, S.M. Yoon, H.-Y. Chu, Appl. Phys. Lett. 93, 142111 (2008) [24] E.M.C. Fortunato, L.M.N. Pereira, P.M.C. Barquinha, A.M.B. do Rego, G. Gonçalves, A. Vilà, J.R. Morante, R.F.P. Martins, Appl. Phys. Lett. 92, 222103 (2008) 배재윤 2013년 단국대학교 응용물리학과 공학사 2013년~현재 한양대학교 신소재공학부 석사과정 [25] S.-Y. Han, D.-H. Lee, G.S. Herman, C.-H. Chang, J. Disp. Technol. 5, 520 (2009) [26] P. Barquinha, PhD Thesis, Universidade Nova de Lisboa, Lisbon (2010) November 2013 95

Focus 2013 세라믹기술원 국가인력자원개발 컨소시엄 - 정원 10명 내외, 세라믹 맞춤식 직무 교육 실시 - 교육비 식비 전액 무료 국비 지원 대부분이 중소기업들로 이뤄진 세라믹 기업들은 그 동안 금전적 인력적인 이유 등으로 신기술이나 신제품개발에 힘을 쏟기 힘들었다. 한국세라믹기술원은 노동부와 함께 중소 세라믹 기업들의 경쟁력 향상을 위한 국비지원 세라믹 맞춤형 직무교육을 지난 9월부터 진행했다. 양대규기자 daegyu_yang@naver.com 국가인적자원개발 컨소시엄사업 창립총회 한국세라믹기술원(원장 김민)은 지난 9월 30일 서울 독산 노보텔에서 국가인적자원개발 컨소시엄 사업 창립총회 를 개최했다. 이번 창립총회에는 세라믹관련 산 학 연 정 인사 70여명이 참석해, 세라믹 업체를 위한 맞춤식 직무교육 사업 인 국가인력자원개발 컨소시엄 사업에 큰 관심을 보였다. 창립총회는 먼저 한국세라믹기술원 기업지원본부 채재 홍 본부장의 인사말로 시작됐다. 채재홍 본부장은 인사말을 통해 이번 사업은 12개의 교육 프로그램을 통해 연말까지 480명 교육 예정 이라며, 컨소시엄 사업을 통해 국내세라믹 산업의 경쟁력이 강화되는 계기가 되기를 바란다. 고 밝혔다. 이후 고용노동부 관악센터 최상철 기획총괄과장과 산업통 상자원부 섬유세라믹과 박수진 사무관의 축사가 있었다. 산 업부 섬유세라믹과 박수진 사무관은 21세기 국가핵심기술 중 하나인 소재산업에서 세라믹에 대한 지원이 아직 부족하 다. 면서 이번 세라믹 고기능화를 위한 맞춤형 장비 교육을 통해 중소기업에 대한 현장교육과 눈높이 교육을 기대한 다. 고 밝혔다. 마지막으로 한국세라믹기술원 기업협력센터 김경자 센터 장의 사업소개가 있었다. 김경자 센터장은 사업소개를 통해 국가인적자원개발 컨 96 ceramic korea

한국세라믹기술원 기업지원본부 채재홍 본부장이 인사말을 하고 있다. 산업통상자원부 섬유세라믹과 박수진 사무관의 축사 소시엄 사업이 기존의 직업교육과 다른 점은 수요자 중심의 맞춤형 교육으로 세라믹 기업들이 원하는 직무교육을 진행 할 예정이라고 밝혔다. 그리고 사업의 개요와, 사업관련 협력기업과 참여기업에 대한 설명과 올해 있을 세부 교육에 대한 설명으로 현장에 있던 유관기관 및 세라믹관련 업체들에게 알기 쉽게 사업에 대한 설명을 진행했다. 지난 9월부터 시작한 한국세라믹기술원의 국가인적자원 개발 컨소시엄사업 은 세라믹기업체의 수요에 따른 맞춤식 직무교육을 제공하는 것을 목적으로 시작했다. 대부분이 다 품종 소량생산 위주의 중소기업들로 이뤄진 세라믹 산업계 는 경제적이나 규모적인 면에서 자체적으로 신기술 신제품 개발에 투자여유가 부족하다. 이러한 업계상황에서 세라믹 기술원의 이번 컨소시엄 사업은 기업체들에게 큰 도움이 될 것으로 기대된다. 첫째, 이번 사업은 전액무료로 진행된다. 교육과 관련된 기 업체나 교육생은 다른 부담없이 모든 비용은 전액 국가에서 지원된다. 기존의 세라믹 관련 교육 수업료가 비싸서 중소기 업들이 대부분인 세라믹 업체들이 선뜻 지원을 하기는 어려 웠다. 하지만 이번 컨소시엄 사업은 교육비 전액과 점심 식대 까지 전액 국비로 지원이 되어, 중소기업들도 부담 없이 지 원가능하다. 두 번째로 이번 교육은 소수의 인원으로 진행된다. 이틀 동안 강의로 진행되는 세라믹최신기술 및 시장동향 을 제외 한 다른 현장 장비 실습교육들은 모두 10인 내외의 교육생 표1. 국가인적자원개발 컨소시엄사업 - 교육에 대한 접근 방식 구분 기존 교육 컨소시엄 사업 정책대상영역 교육체제 내 인적자원 수요부문 포함 [사회 각 부문] 학교/사회관계 분리, 유리, 상호단절 산학협력, 지역사회 참여 정책수립 실천주체 접근전략 교육부 소관, 정부주도 교사 교육과 정 교육시설 중심의 개선전략 관계부처 공동 참여 학계 교육계 산업계 참여 기업수요 및 맞춤형 교육정상화 표2. 국가인적자원개발 컨소시엄사업 -권역별 참여 협력기관 및 교육내용 권역 참여기관 협력기관수 교육내용 교육분류 수도권 경북권 호남권 한국세라믹기술원(서울/이천) 한국나노기술원(수원) 경북하이브리드부품연구원(경북) 세라믹산업 종합지원센터(목포) 240개사 (80%) 30개사 (10%) 30개사 (10%) 세라믹장비 공정 / 분석 세라믹 섬유 세라믹 원료소재 융합 공정 한국세라믹기술원 기업협력센터 김경자 센터장이 사업소개를 하고 있다. 국가인적자원개발 컨소시엄 사업 November 2013 97

세라믹최신기술 및 시장동향 수업의 모습 5명의 교육생들이 세라믹제품 품질관리 및 신뢰성 평가 수업에서 ICP기기 조작을 준비하고 있다. 들이 참여한다. 기존 유료 교육조차 15~30인의 많은 인원으 로 이뤄져, 실제 모든 학생이 장비를 실행할 수는 없었다. 그 러나 이번 교육은 10명 내외의 인원을 대상으로, 교육생 모 두가 실제 장비를 만지고 가동해보면서 교육의 효율을 극대 화할 수 있다. 세 번째로 이전에는 운영기관의 편의에 맞춰 기획 진행해, 실제 기업이 원하는 수요를 충족하기 힘들었다. 하지만 이번 사업은 사전조사를 통해 세라믹 기업들이 원하는 수업진행 이 가능하다. 컨소시엄 사업의 한 담당자는 세라믹기술원에 서도 수요조사를 하지만, 수동적인 조사는 좋은 결과를 얻 기 힘들다. 며, 세라믹기업들이 자신들이 원하는 교육이 무 엇인지 적극적으로 기술원에 알려주기를 바란다. 고 세라믹 업체들의 적극적인 참여를 독려했다. 마지막으로 이번 교육은 한해만 하는 단기적인 교육이 아 니다. 노동부와의 협약을 통해 장기적으로 진행되며, 향후 5~10년 후, 노동부와 협약이 끝나더라도 세라믹기술원에서 는 장기적인 전략사업으로 지속적으로 세라믹산업의 육성 을 위해 지속할 예정이다. 세라믹기술원 기업협력센터 박주석 책임연구원은 올해는 재직자의 직무교육 위주로 진행되고 있지만, 앞으로는 미취 업자의 직업교육도 진행될 예정이다. 며, 많은 고급인력들을 세라믹업계로 유입해 세라믹 업체들의 경쟁력을 향상을 기 대하고 있다. 한편 이번 컨소시엄 사업은 산업체 재직자 중 고용보험 가 입자들을 대상으로 진행되며, 9:00~18:00까지 출퇴근으로 진행된다. 이번 교육에 관련 자세한 문의는 한국세라믹기술 원 국가인적자원개발컨소시엄 사업 교육담당(강상화 연구 원, 02-3282-7871)으로 가능하다. 2013 한국세라믹기술원 국가인적자원개발 컨소시엄 교육과정 안내 1.세라믹최신기술 및 시장 동향 교육 장소 : 한국세라믹기술원 본관(서울) 교육 기간 : 2일(1일 8H) 교육 내용 : 세라믹스 산업 전반의 신기술 및 시장 동향에 대한 정보 전달 시간 일자 9/26~27 10/1~2 10/14~15 11/14~15 11/21~22 12/12~13 1교시 2교시 3교시 4교시 점심 5교시 6교시 7교시 8교시 2H 2H 1H 2H 2H 파인세라믹스 산업동향 중소기업지원시책 구조세라믹스 산업기술 및 시장동향 구조세라믹스 산업기술 및 시장동향 전기 전자 세라믹 최신기술 및 시장동향 파인세라믹스 산업동향 중소기업지원시책 나노/첨단/바이오 세라믹 기술 및 시장동향 나노/첨단/바이오 세라믹 기술 및 시장동향 구조세라믹스 산업기술 및 시장동향 파인세라믹스 산업동향 중소기업지원시책 전기 전자 세라믹 최신기술 및 시장동향 전기 전자 세라믹 최신기술 및 시장동향 나노/첨단/바이오 세라믹 기술 및 시장동향 파인세라믹스 산업동향 중소기업지원시책 구조세라믹스 산업기술 및 시장동향 구조세라믹스 산업기술 및 시장동향 전기 전자 세라믹 최신기술 및 시장동향 파인세라믹스 산업동향 중소기업지원시책 나노/첨단/바이오 세라믹 기술 및 시장동향 나노/첨단/바이오 세라믹 기술 및 시장동향 구조세라믹스 산업기술 및 시장동향 파인세라믹스 산업동향 중소기업지원시책 전기 전자 세라믹 최신기술 및 시장동향 전기 전자 세라믹 최신기술 및 시장동향 나노/첨단/바이오 세라믹 기술 및 시장동향 98 ceramic korea

2. 첨단세라믹융합 연구개발 장비 실습 교육 장소 : 한국세라믹기술원 본관(서울) 교육 기간 : 5일 (1일 8H) / 10.21~25, 10.28~11.1, 11.11~15, 11.25~29, 12.16~20 교육 내용 : 시험 제작 장비를 활용해, 각 공정의 이론 습득과 장비 운영상 핵심 사항 습득 및 시제품제작을 통한 현장지향형 교육 시간 일자 1교시 2교시 3교시 4교시 점심 5교시~8교시 2H 2H 1H 4H 1일차 Hot Press 이론 및 응용사례 Hot Press 실습 2일차 Spark Plasma Sintering 이론및 응용사례 Spark Plasma Sintering 실습 3일차 Spray Dryer 이론 및 응용사례 Spray Dryer 실습 4일차 Cold Isostatic Press 이론 및 응용사례 Cold Isostatic Press 실습 5일차 Ceramic Injection Molder 이론 및 응용사례 Ceramic Injection Molder 실습 3. 세라믹제품 품질관리 및 신뢰성 평가 교육 장소 : 한국세라믹기술원 본관(서울) 교육 기간 : 5일 (1일 8H) / 10.14~18, 10.28~11.1, 11.4~8, 11.18~22, 12.2~6 교육 내용 : 세라믹 제품의 품질관리 및 신뢰성 평가를 위한 장비의 운영 및 분석 기술교육 시간 일자 1일차 2일차 3일차 4일차 5일차 1교시 2교시 3교시 4교시 점심 5교시~8교시 ICP 이론 및 응용 -ICP 구조와 원리 XRF 이론 및 응용 -XRF 구조와 원리 XPS 이론 및 응용 GC/MS 이론 및 응용 -PML 구조와 원리 입도분석 이론 및 응용 -입도분석 원리 2H 2H 1H 4H ICP 실습 -시료별 세부 전처리 XRF 실습 -시료 전처리 및 시편 제작 XPS 실습 -시료 전처리 및 시편제작 GC/MS 실습 -시료별 세부 전처리 입도분석 실습 -시료별 세부 전처리 ICP 실습 -시료별 세부 전처리 -기기조작 시연 및 직접조작 XRF 실습 -시료별 전처리 및 시편제작 -기기조작 시연 및 직접조작 XPS 실습 -시료별 전처리 및 시편제작 -기기조작 시연 및 직접조작 GC/MS 실습 -시료별 전처리 및 시편제작 -기기조작 시연 및 직접조작 입도분석 실습 -시료별 전처리 및 시편제작 -기기조작 시연 및 직접조작 4. 파인세라믹스 재료물성 시뮬레이션 교육 장소 : 한국세라믹기술원 창업보육센터(서울) 교육 기간 : 5일 (1일 8H) / 10.21~25, 11.4~8, 11.25~29, 12.9~13 교육 내용 : 파인세라믹스 재료물성의 시뮬레이션 기법을 이용한 기술 시간 1교시~4교시 점심 5교시 6교시 7교시 8교시 일자 4H 1H 2H 2H 1일차 분말 사출 이론 및 시뮬레이션 이론 유변학적 물성평기 시뮬레이션 기본 사용법 2일차 3일차 4일차 기초시뮬레이션 (좌표계, 기본 인터페이스) Solver (성형조건 입력 및 해석 수행) 응용 Pre-processor (Gate 설계 방법 관련 교육) 기초 Pre-processor (Cavity 3D 모델링, 분할작업, Mold Design) 기초 Pre-processor (해석 결과 분석) 응용 Pre-processor (해석 결과 분석) 5일차 후처리 기법 및 Post-processor 질의 응답, 실적용 사례 및 분석 5. 대형세라믹 제조공정 최적화 교육 장소 : 한국세라믹기술원 분원(이천) 교육 기간 : 5일 (1일 8H) / 9.23~27, 10.14~18, 11.4~8, 12.9~13 교육 내용 : 대형 세라믹 제조공정 최적화 November 2013 99

시간 일자 1교시 2교시 3교시 4교시 점심 5교시~8교시 2H 2H 1H 4H 1일차 기초이론 혼합공정 실습 분말 혼합 2일차 과립제조 세라믹 성형 실습 3일차 세라믹 소결 (공정이해) 세라믹 소결 (Hot Press) 4일차 5일차 세라믹 소결 (방전 플라즈마 소결) 세라믹 코팅 (코팅 공정의 이해) 세라믹 소결 (초고온 진공소결 및 평가) 세라믹 코팅 열플라즈마 코팅) 6. 전자세라믹소재 제조공정 최적화 교육 장소 : 한국세라믹기술원 분원(이천) 교육 기간 : 5일 (1일 8H) / 10.28~11.1, 11.11~15, 11.25~29, 12.16~20 교육 내용 : 전자세라믹 제조공정 최적화 시간 1교시 2교시 3교시 4교시 점심 5교시~8교시 일자 2H 2H 1H 4H 1일차 기초이론 전자세라믹 원료처리 공정 2일차 전자세라믹 원료 혼합 (바스켓 밀) 전자세라믹 원료 혼합 (나노 밀) 3일차 전자세라믹 제조 (코터) 4일차 전자세라믹 제조 (잉크젯 Printer) 전자세라믹 제조 (고감도 인쇄 시스템) 5일차 전자세라믹 제조 (레이져 펀치) 전자세라믹 제조 (적층기) 7. 질화알루미늄 부품소재 제조공정실습 교육 장소 : 세라믹산업종합지원센터(목포) 교육 기간 : 5일 (1일 8H) / 9.23~27, 11.11~15 교육 내용 : 질화알루미늄 소재 Pilot production급 제조장비 운영기술 및 공정기술 교육 시간 1교시 2교시 3교시 4교시 점심 5교시 6교시 7교시 8교시 일자 1H 1H 1H 1H 1H 1H 1H 1H 1H 1일차 상압소결 메카니즘 및 제조실무 교육 점심 현장안전교육 원료선정교육 혼합공정 현장실습교육 2일차 과립제조 실무이론 및 장비설명 장비운전 시연 질화알루미늄 과립실습 3일차 분말성형프레스교육 냉간정수압성형기 장비교육 실습용 재료를 이용한 성형공정 교육 실습사항 애로사항 분석 및 보충교육 4일차 분위기 탈지기술 교육 고온진공소결 장비교육 (시료 직접제작 및 장입실습) 5일차 소결체 가공공정 실습교육 밀도 및 기공률 평가 미세구조 분석교육 8. 반응소결 탄화규소 제조공정 실습 교육 장소 : 세라믹산업종합지원센터(목포) 교육 기간 : 5일 (1일 8H) / 10.21~25, 12.9~13 교육 내용 : 반응소결 탄화규소 소재제조장비 운영기술 및 공정기술 교육 시간 1교시 2교시 3교시 4교시 점심 5교시 6교시 7교시 8교시 일자 1H 1H 1H 1H 1H 1H 1H 1H 1H 1일차 반응소결 메커니즘 및 실무제조 교육 현장 안전교육 원료선정 교육 혼합공정 현장실습 교육 2일차 과립제조 실무이론 및 장비 설명 장비운전 시연 탄화규소 과립 실습 3일차 분말성형프레스교육 냉간정수압성형기 장비교육 실습용 재료를 이용한 성형공정 교육 실습사항 애로사항 분석 및 보충교육 4일차 분위기 탈지기술 교육 고온진공소결 장비교육 (시료 직접제작 및 장입실습) 5일차 소결체 가공공정 실습교육 밀도 및 기공률 평가 미세구조 분석교육 9. 세라믹부품소재 표면분석 교육 장소 : 한국나노기술연구원(수원) 교육 기간 : 5일 (1일 8H) / 9.9~12, 10.15~18, 11.11~14, 12.3~6, 12.16~19 100 ceramic korea

교육 내용 : 세라믹부품소재 표면분석에 대한 산업체 인력의 재교육 시간 일자 1교시 2교시 3교시 4교시 점심 5교시 6교시 7교시 8교시 1H 1H 1H 1H 1H 1H 1H 1H 1H 1일차 진공플라즈마 스퍼터링 원리 현장안전교육 박막세라믹 제작실습 전처리 커팅 2일차 전처리 마운팅, 폴리싱, 코팅 장비 운전시연 구조관찰 및 동작원리 설명 3일차 SEM 시연 및 실습 EDS 시연 및 실습 SEM 실습평가 실습 애로사항 분석 및 보충교육 4일차 SOM 시료준비 구조 및 동작원리 설명 5일차 AFM 시연 및 실습 EDS 시연 및 실습 LFM 시연 및 실습 10. 세라믹부품소재 내부구조분석 교육 장소 : 한국나노기술연구원(수원) 교육 기간 : 5일 (1일 8H) / 10.21~25, 11.25~29 교육 내용 : 세라믹부품소재 내부구조분석 분야 재교육을 실시해 산업기술 인력의 경쟁력 향상 시간 일자 1교시 2교시 3교시 4교시 점심 5교시 6교시 7교시 8교시 1H 1H 1H 1H 1H 1H 1H 1H 1H 1일차 시료제작교육 (진공플라즈마 스퍼티링) 박막형성교육 2일차 투과현미경의 구조 및 분석기법교육 FIB 장비구조 및 원리교육 (imaging, cutting, deposition 등 활용법) 3일차 투과현미경의 구조 및 분석기법교육 FIB 동작시연 및 실습교육 4일차 이온밀링을 이용한 시료제작 시연 및 실습 FIB를 활용한 TEM용 시료제작 5일차 FIB, TEM 활용에 대한 교육생 실습평가 애로사항 해결 11. 세라믹단결정 소재기술 교육 장소 : 경북하이브리드(영천) 교육 기간 : 4일 (1일 8H) / 10.21~24, 11.18~21, 12.9~12 교육 내용 : Si 단결정 Growing 공정기술, Wafering 공정기술 시간 일자 1일차 1교시 2교시 3교시 4교시 점심 5교시 6교시 7교시 8교시 1H 1H 1H 1H 1H 1H 1H 1H 1H Si 단결정 Growing 공정기술 폴리실리콘 제조공정, 실리콘단결정 특징 및 결정결함, Czochralski growing system 이해 Si 단결정 Growing 공정기술 단결정 성장방법 및 Seed 제작 Si 단결정 Growing 공정기술 도핑기술, 결정성장방향 이해, 단결정 성장 기술동향 2일차 Si 단결정 Growing 공정기술, 공정최적 설계인자 Si 단결정 Growing 공정기술 도가니 및 실드 설계기술, 열유동 해석 3일차 Wafering 공정기술 실리콘단결정웨이퍼 에칭 Wafering 공정기술 이해 Wafering 공정기술 Epi wafer Wafering 공정기술 GOI 특성, SOI wafer 4일차 Wafering 공정기술 wafer 열처리기술 Wafering 공정기술 각단위별 공정기술 12. 세라믹섬유 설계 및 제조 교육 장소 : 경북하이브리드(영천) 교육 기간 : 4일 (1일 8H) / 10.28~31, 11.25~28, 12.16~19 교육 내용 : 탄소섬유 개발현황 및 미래, 탄소섬유 복합체 해석실무 시간 일자 1일차 1교시 2교시 3교시 4교시 점심 5교시 6교시 7교시 8교시 1H 1H 1H 1H 1H 1H 1H 1H 1H 탄소섬유 현황 및 전망 (역사, 이론, 용도 등) 2일차 수지의 종류 및 특성 탄소섬유 복합재 해석결과 분석 3일차 시험이론 인장시험 실습 압축시험 실습 4일차 VARTM이론 현장실습(ATC 현장견학, 실습) 탄소섬유 특성과 표면처리 직물 탄소섬유의 자동차 적용 현황 기술 이종 재료와의 고속성형기술 리사이클기술 안전설계기술 접합기술 November 2013 101

Focus 2013 코리아세라믹 신성장포럼 2차 모임 - 서남권, 세라믹 원료의 문제와 해결방안 - 중부권, 기능성 화학소재플랫폼 구축 및 상용화 - 동남권, 세라믹 국제 전시회의 효용성 한국 세라믹산업의 발전을 위해, 지역 주제별로 특화된 이슈로 진행하는 코리아세라믹 신성장포럼 셀 세미나는 과거 전국적인 대형 모임에서는 불가능한, 참여주체가 만들고 스스로 발전하는 살아있는 포럼운영을 지향, 산 학 연 관의 소중한 의견을 한 그릇에 담을 수 있는 공감과 소통의 장을 마련해, 정책반영의 근거 마련을 목표로 하고 있다. 중부권 셀은 지난 7월 12일 강릉TP에서 (세라믹코리아 8월호 수록), 서남권 셀은 지난 8월 13일 전남TP에서(세라믹코리아 9월호 수록), 동남권 셀은 지난 8월 22일 대구TP에서(세라믹코리아 9월호 수록) 각각 그 첫 번째 모임을 성공적으로 열렸다. 그리고 지난달에는 서남 중부 동남 세 권역의 두 번째 셀모임이 각각 15일 목포, 18일 대전, 24일 대구에서 열려, 권역별 세라믹산업의 발전에 대한 열띤 토론의 시간을 가졌다. 양대규기자 daegyu_yang@naver.com / 백진기자 baekjin24@naver.com 서남권 셀 2차 모임, 전남TP 세라믹산업종합지원센터 지난 달 15일 전남TP 세라믹산업종합지원센터에서 세라믹원료의 문제점과 해결방안 에 대해 토의하기 위해 서남권 셀 2차 회의가 진행됐다. 이소결성 알루미나 및 특수 알 루미나를 생산하는 세라믹 원료 업체 (주)CIS 이성오 대표가 발 표를 맡았다. 이 대표 발표에서 고순도 알루미나 수요는 2015년 까지 52% 성장률을 보일 것으 로 예상되고, 이익률이 떨어지는 LED보다는 투광용 사파이어, 분 리막 코팅제 위주로 시장이 편성 될 것 이라고 예측했다. 또한 경 쟁이 치열한 원료시장 특성 상 상생, 공존의 마인드가 부족 한 게 현실이다 고 지적하며 기업 간 Win-Win전략으로 소 재산업의 파이를 키워야 한다 는데 무게를 두었다. CIS의 이성오 대표가 발표를 하고 있다. 이어진 토론회에서 사회를 맡은 목포대학교 신소재공학과 이상진 교수는 현재 서남권 세라믹 산업단지에서는 세라믹 원료에 대한 문제가 가장 시급하다 며 업체들 스스로가 모 여 업계의 상황, 애로, 문제점들을 제시하고 토론했으면 한 다 고 전했다. 가장 많이 나온 의견은 단연 인증의 시스템화 가 필요하 다는 것. 한 업체 관계자는 입찰경쟁에 참여할 수 있는 기회 를 얻기 위해 제품 테스트만 거의 1년이 걸린다. 특히 지역 업체는 인증을 받으려면 서울까지 가야하는데, 지역적 거리 적 한계가 있다 고 토로했다. 전남TP 세라믹산업종합지원센 터 김광진 센터장은 센터에서도 이것과 관련된 사업을 구상 중에 있다. 때문에 업체들 간의 일관된 요구와 목소리가 있 어야 정부 차원에서도 적극 방안을 마련할 수 있다 고 답변 했다. 한편 수요기업으로서 포럼에 참가한 DK아즈텍 공정개 발팀 박종관 부장은 채산성 맞지 않는 사업을 줄이고 수요 처를 다변화해, 대기업이 불가능한 응용분야를 개발해야 희 망이 있다. 며 다양성 추구할 수 있는 업체를 소개해 주거 나 연결하는 통로 마련해야 할 시점 이라고 말했다. 중부권 셀 2차 모임, 대전TP 기능성화학소재실용화센터 지난달 18일 대전TP 기능성화학소재실용화센터에서 열린 중부권 셀 2차 모임은 대전TP 바이오나노융합산업본부 이 정민 본부장의 발표로 시작됐다. 이 본부장은 기능성 화학 소재플랫폼 구축 및 상용화 지원 사업에 대해 설명했다. 이 지원 사업은 전국 테크노파크 기관들이 중소기업들에 제품 102 ceramic korea

개발, 시제품 제작, 상용화 등을 일괄 지원 할 수 있도록 설계됐다. 이 본부장은 통합지원 시스템 은 그린공정체제 구축을 목표로 한다. 며, 적절한 모델이 선정 되 면 표준화 작업을 거쳐 성과를 공 유할 예정이다 고 밝혔다. 이어 충남대학교 재료공학과 서 동수 명예교수가 강연자로 나섰 대전TP 바이오나노융합산업본부 이정민 본부장의 발표 다. 서 교수는 활성마그네타이트 를 CO 2 와 합성하면, 기존의 수소 환원법보다 안전하고 경제 적인 공정을 실현할 수 있다 며 그린공정에 활용해 청정에 너지를 자원화 한다는 점에서 온실가스 규제정책에 큰 도움 될 것 이라며 꾸준한 연구의 필요성을 강조했다. 이어진 토 론에선 중국 세라믹 산업의 국내시장 잠식을 우려하는 목소 리가 많았다. 이정민 본부장은 세라믹 소재는 나노 복합소 재로서 다양한 특성가진 물질을 만들어내는데 용이해 앞으 로 사용범위나 적용범위가 커질 것 으로 보고 관련 산업과 의 유기적 관계를 강조했다. 대한 토론을 진행했다. 오리엔트세라믹 백종호 대표는 중국전시회에 가서 특별 성과를 얻지 못했다. 고 전시회 참석에 부정적인 견해를 밝 히며, 중국의 기술력이 이미 대구 기업들보다 좋다. 이제는 가격뿐만 아니라 품질에서 밀리기 때문에 중국수출은 매우 어렵다. 고 급속히 성장하는 중국 시장의 위험을 경고했다. 대동정밀세라믹 윤석보 대표도 전시회는 실제 세라믹 제품 을 사러가는 것보다는 기술동향을 보러가는 것이다. 며, 주 문생산 업체는 그곳에서는 주문을 받기 힘들다. 경비대비 효 과는 미미하다. 고 역시 부정적인 의견을 밝혔다. 그리고 대 동세라믹스 추창호 대표는 전시회를 가는 이유는 타사의 다른 제품의 정보를 얻기 위해서 간다. 다른 제품을 보면 열 심히 해야겠다는 마음가짐을 얻고 왔다. 며, 대부분의 일반 인들은 스치듯 지나가고, 제품에 물어보는 사람들은 관련관 계자들이다. 고 일부 긍정적인 의견을 밝혔으나, 비용대비 효 과에 대해서는 부정적인 견해를 밝혔다. 참석자들은 전시회 대신 다른 업체나 연구소 방문 등 다양한 방안을 제시했다. 이후, 대경협의회 사단법인화 진행 등 동남권 세라믹 업체들 의 다양한 이슈를 다뤘다. 한편, 지난달 30일 3차 모임을 진행한 중부권을 외의 동남 서 남권 셀 모임은 이번 달에 최종 3 차 모임을 진행하며, 2013 코리아 세라믹 신성장포럼 셀모임 행사 를 종료할 예정이다. 이후 정책셀 에서 권역별 셀의 의견을 종합해, 지역 세라믹산업이 발전할 수 있 는 방법을 정리할 예정이다. (사)한국기업평가원 임득수 원장의 강연 동남권 셀 2차모임, 대구TP 나노융합실용화센터 지난달 24일 대구TP 나노융합실용화센터에서 열린 동남권 셀 2차 모임은 (사)한국기업평가원 임득수 원장의 회계학 강연으로 시작됐다. 대경파인세라믹스협의회의 사단법인화 와 관련된 회계 문제 및 중소 세라믹기업들이 평소에 고민하 고 있는 회계 관련 내용에 대한 질문을 주고받았다. 임득수 원장의 강연이 끝나고 동남권 참가업체들은 주제토론의 시 간을 가졌다. 이날은 국제전시회와 국내전시회가 대부분이 중소기업인 대경지역 세라믹업체들에 큰 도움의 되는지에 November 2013 103

정책동향 미래부, 국가연구개발 성과평가 의 새로운 패러다임 제시 - 연구개발사업은 질적 성과 중심으로 성과목표 달성도에 따라 평가 - 출연연구기관은 고유임무 중심으로 기관장 임기에 맞추어 평가 미래창조과학부(장관 최문기)는 지난달 18일 국가과학기술 심의회(위원장 국무총리, 민간 공동위원장 이장무) 심의를 통해 국가연구개발 성과평가 개선 종합대책 (이하 종합대 책)을 확정하였다고 밝혔다. 그 동안 우리나라 연구개발은 양적 측면에서는 크게 성장하였으나 질적 수준은 이에 못 미친다는 지적이 있어 왔다. 또한 연구기관 평가에서 기관별 특성 반영이 확대되어야 한다는 의견도 제기되어 왔다. 미래부는 이러한 양적 성과와 질적 성과 간 괴리를 해결하 고 연구기관의 자율과 책임경영을 강화하기 위해서, 관련 내 용을 박근혜 정부 국정과제로 선정하고 국가연구개발 성과 평가 패러다임 전환을 추진하여 왔다. 미래부는 종합대책을 수립하기 위해, 지난 5월부터 9월까지 산학연 전문가 37명 이 참여한 연구개발 성과평가 개선 협의체 회의 6회, 연구 자 및 평가 담당자와의 간담회 9회, 연구현장 공청회 2회 개 최 등 다양한 의견수렴 과정을 거쳤다. 국가연구개발 사업평가 1. 국가연구개발사업 성과평가는 양적 성과 중심에서 질적 성과 중심 으로 패러다임을 전환하고, 성과평가 항목 중 성 과의 질적 우수성에 대한 비중을 대폭적으로 높여 나간다. - 이를 위해, 논문 수, 특허 수와 같은 양적 성과지표 활용을 축소하고, 논문 게재 학술지의 표준 영향력 지수, 특허 가치 평가, 경상기술료, 기술 수준과 같은 질적 성과지표의 활용 도를 제고한다. 2. 연구현장에서 용이하게 활용할 수 있도록 다양한 질적 성 과지표를 개발 보급하여 질적 성과평가의 조기 정착을 추진 한다. - 현재 연구개발 5대 성과분야에서 109개 질적 성과지표를 개발하였으며, 추가 보완작업을 통해 금년 말까지 국가연구 개발 표준성과지표로 확정하고 내년부터 본격 적용한다. - 향후 연구개발사업별로 5대 성과분야에서 3개 내외의 성 과지표를 선택하고 가중치를 부여하여 활용한다. 5대 성과분야 1 과학적 성과 2 기술적 성과 3 경제적 성과 4 사회적 성과 5 인프라 성과 주요 성과지표 (논문) 표준 영향력 지수, 피인용도, (생명자원/화합물) 등록 활용 등 (특허) 3극특허, 가치평가, (기술혁신) 선진국 대비 기술수준 등 (기술료) 계약액(로열티), (기술활용 효과) 매출액/ 순이익 기여 등 (인력) 대학/훈련기관 인력양성, (일자리창출) 창업, 고용확대 등 (시설장비구축 활용) 가동률, 공동활용률, 서비스 만족도 등 3. 또한, 이번 종합대책에는 선도형 연구개발로의 전환 등을 지원하기 위한 조치도 포함하였다. - 창의 도전적 연구를 목적으로 하는 혁신도약형 사업과 복 합적 현안 해결을 위한 다부처공동기획사업에 대해서는 차 별화된 평가 방안을 적용한다. - 연구사업이 종료되더라도 우수성과가 사장되지 않고 확산 될 수 있도록 종료평가와 추적평가도 활성화한다. 출연연구기관 평가 1. 과학기술 분야 정부 출연연구기관에 대한 평가는 현행 공 통 기준에 의한 평가에서 기관별고유임무에 따른 맞춤형 평 가로 전환한다. - 각 연구기관은 기관 설립 목적, 세계적 기관으로의 발전 104 ceramic korea

전략 등에 따라 5대 임무유형을 고려하여 임무 포트폴리오 를 마련한다. 5대 임무유형 특 징 1 기초 미래선도형(R형) 기초연구, 미래원천기술 확보 등 2 공공 인프라형(R&D형) 공공연구, 국책사업, 인프라 지원 등 3 실용화형(R&BD형) 기술사업화, 창업, 중소기업 기술지원 등 4 연구 교육형(R&E형) 이공계 우수 인력양성 등 5 정책연구 지원형(R&P형) 국가정책연구, 국가시책지원 등 - 기관장 취임 시, 각 연구기관은 기관장 책임 하에 고유임 무와 경영목표가 반영된 경영성과계획서를 수립하여 이사회 의 승인을 거쳐 확정한다. 2. 현행 매년 모든 연구기관을 동시에 평가하던 방식에서 탈 피하고, 자율과 책임경영을 강화하기 위하여 기관장 임기 주 기에 따라 평가시기를 조정한다. - 기관장 취임 시 작성한 경영성과계획서를 바탕으로 임기 중간에 컨설팅형 중간평가를 실시하고, 임기 종료 전에는 경 영과 연구성과 전반에 대한 종합평가를 실시하여 책임경영 실적을 최종 확인한다. 3. 창조경제와 관련한 출연연구기관의 역할 확대를 유도하기 위하여, 기관임무 특성을 고려한 기술사업화, 중소기업 지원 실적 등을 평가에 확대 반영한다. - 아울러 기관 간 융합 협동연구 실적, 산학연 인력교류 실 적 등 연구생태계에 관한 내용도 평가 시에 고려한다. 미래부는 이번 종합대책의 내용을 보다 구체화한 2014년 성과평가 실시계획 을 금년 말까지 수립하고, 2014년 국가연 구개발 성과평가부터 본격적으로 적용한다고 밝혔다. <5대 성과분야 주요 질적 성과지표> 1. 과학적 성과 - 순수과학 또는 응용 개발과의 연관성이 적은 분야 성과 주요성과유형 논 문 생명자원/ 화합물 속 성 게재 학술지의 우수성 논문의 우수성 저자의 역할 활용도 주요 성과지표 성과지표 표준화된 영향력 지수 피인용도, 고피인용도 논문 수 등 제1저자, 제2저자 및 교신저자 등 생명자원/화합물 활용 실적 포 상 민간 또는 정부 포상 포상의 권위/등급, 정부 선정 우수성과 등 2. 기술적 성과 - 직 간접적 산업적용을 목표로 하는 기술 개발 분야 성과 주요 성과지표 주요성과유형 속 성 성과지표 해외 주요국 출원 3극 특허 건수 특허 및 질적평가(특허청), 특허의 잠재적 가치 지식재산 SMART(한국발명진흥회) 등 非 특허 지식재산 가치 가치평가 기술혁신 기술 노하우 선진국 대비 기술 수준 생산 혁신 공정혁신(불량률 감소), 원가 절감 등 서비스개발 비즈니스 모델 서비스 프로세스 개선(만족도 등) 제품개발 제품화 단계 시제품 제작(실증 완료), 공인인증 획득 등 3. 경제적 성과 - 유 무형 연구개발 산출물에 대한 시장거 래 등을 통해 발생한 경제적 가치 및 기업이 창출한 성과 주요 성과지표 주요성과유형 속 성 성과지표 기술료 지식재산 계약 기술료(정액, 정률, 현재가치로 평가) 등 기술지도 자문계약 기술지도 및 자문료 수입 등 기술활용 효과 기술활용기업의 성과향상 매출액 기여, 원가절감 기여 등 중소기업 지원 자원 투입 및 효과 매출액 및 원가절감 기여, 장비지원 규모 등 기술사업화 新 서비스, 新 상품 매출액/순이익 기여 플랜트 수주 계약액/엔지니어링 규모 4. 사회적 성과 - 인력양성, 공공분야, 과학문화 확산 분야 등의 성과 주요 성과지표 주요성과유형 속 성 성과지표 인력양성 대학 주관/ 전문훈련기관 졸업/수료자수, 취업자 수 등 공공서비스 서비스 개선 서비스 수혜자 수, 서비스 만족도 과학대중화 홍 보 언론 홍보 건수, 행사 규모 및 참여자 수 과학문화 학생/일반인 대상 행사 규모 및 저작물 등 일자리 창출 창업 또는 기존 기업의 고용 신규 고용 규모 및 추가 고용 규모 등 5. 인프라 성과 - 연구시설장비 구축 활용, 국방 분야 등의 성과 주요 성과지표 주요성과유형 속 성 성과지표 연구시설장비 시설 구축 계획 대비 공정률 장비 운용 서비스 서비스 건수, 만족도, 가동률, 공동활용률 등 전산시스템 데이터베이스 정보 활용도, 서비스 만족도 초고속계산 시스템 가동률, 서비스 만족도 국방무기체계 작전운용성능 시험인증 통과 여부, 성능 달성도 November 2013 105

독자기고 2013 일본 도쿄 국제세라믹종합전 참관기 정 봉 용_ 한국세라믹기술원 에코바이오융합팀 선임연구원 들어가며 2년 반 전에 갑자기 발생한 후쿠시마 원자력 발전소 붕괴 사고로 세계를 떠들썩하게 했던 그 엄청난 국가, 그리고 그 나 라의 총리는 지금도 여전히 원전 방사능에 관련된 안전에는 별 문제 없다고 아니 없을 거라는 그저 희망사항만을 중얼 거리고 있는 나라, 그러나 엄연한 선진공업국 중의 하나이며 특히 세라믹 산업분야에서는 전 세계 시장의 과반 이상의 압도적인 점유율을 차지하고 있는 자타공인 세라믹 강국, 그런 일본의 심장부에서 개최되는 2013 일본 도쿄 국제세라 믹종합전(ICE 2013) 참가를 목적으로 도쿄행 비행기에 올랐다. 하필이면 나리타 공항에서 대면했던 그날의 하늘은 을 씨년스러운 빗방울을 흩뿌리고 있었다. ICE 전시회는 매 2년마다 개최된다. 이번에도 어김없이 세라믹 원료분야(고기능성 산화물 및 비산화물, 복합분말 원 료 등), 세라믹 제조장치 및 시스템 분야, 세라믹 응용분야 및 시스템 분야(에너지, 환경, 전기, 정보통신, 운송항공, 환 경, 주택, 건축자재, 제조 산업, 의료보건, 생활 일용품 등)가 주요 전시 품목으로 되어 있다. 아니 그렇게 되어 있었다고 믿고 싶었다. 왜냐하면 카탈로그에 인쇄되어 있는 그런 분야들의 상당 부분이 크게 축소되거나 아예 나타나지 않았기 때문이다. 결과적으로 이번 ICE 전시회 주최측의 대략적인 통계로는 총 34개사가 66개 규모의 부스로 참가했으며 방문 자 수 6027명, 바이어 방문 399건, 상담액 8553천불, 계약추진액 1900천불로 집계했다고 한다. 필자는 도쿄 빅싸이트 전시홀에서 개최되는 세라믹종합전이 초행이었지만, 매번 참가하는 업체 관계자들의 전언에 의하면 금년도가 역대 최소 규모라 해도 과언이 아니라고 한다. 이것은 필시 후쿠시마 원전 사고의 여파가 영향을 주고 있는 것이라는 짐작이다. 전시회라는 무대 자체는 업체 입장에서는 필요는 하지만 반드시 해야만 하는 것은 아닌 까닭 이다. 전시회는 자사의 신기술과 신제품을 홍보하고 전시 관람객들을 잠재적 고객 혹은 소위 대박을 칠 수 있는 파워풀 한 바이어로 여기며 마케팅 기회로 십분 활용할 수 있는 좋은 기회임은 분명한 사실이다. 그러나 경기 침체 및 회사 사 정이 여의치 않을 때는 즉각적으로 그 규모를 축소하거나 아예 참가조차 하지 않는 것 또한 좋은 전략이다. 그에 따른 결과가 바로 이번 도쿄 국제세라믹종합전의 규모를 초라하게 만들었다는 분석에 큰 무리가 없다고 여겨진다. 106 ceramic korea

도쿄 빅싸이트의 전경은 역피라미드를 기하학적으로 연결한 형상의 웅장한 외관을 자랑하는 도쿄의 명물 중 하나다. 그러나 과거의 영광은 차치하고 이번 전시회 때의 그 내부 모습은 사진과 같이 텅 빈 공간이 여기저기 산재하여 볼품이 없으니, 이 정도면 조금 과장해서 이율배반이라 해도 과언은 아닐 것이다. 겨우 전시홀 2개를 사용하면서도 그 중에서 세라믹 분야 전시는 고작 20%를 넘지 못한 규모에 불과했으니 말이다. 그나마 동시에 개최된 공장 근대화전, 센서 엑스 포, 지구환경보호 국제산업세정전 및 측정계측전이 있었기에 망정이지, 만일 단독으로 열었다면 개최 자체가 힘들었을 수도 있었겠다는 생각이 들 정도다. 그럼에도 불구하고 지난 9월 25일부터 27일까지 3일간 열린 전시회의 이모저모를 소개하고자 한다. 한국관 참가업체 및 전시부스 이번 ICE 2013에는 총 15개의 업체 및 유관기관이 한 국관 공동부스를 꾸려 참가했으며, 각각의 세부 내용 은 아래의 표와 같다. 국내 유일의 세라믹 전문 종합 연구기관인 한국세라믹기술원 외 4개 기관이 업체 지 원을 위해 나섰고, 산화물 및 비산화물 세라믹 원료 와 소재, 부품 전문 업체와 미세 홀 가공 기술을 바탕 으로 한 반도체 테스트 지그 제조업체, 고분자 분산형 액정 디스플레이 전문 업체 등이 저마다의 주요 품목 들을 전시하여 3일 내내 활발한 마케팅 및 기술 상담 을 벌였다. 한편, 한국세라믹기술원에서는 산화물 반 도체 기반 투명 다이오드 기술과 필자가 연구개발 중 인 PVD 멀티코팅을 통한 초고경도 세라믹 박막 제조 기술을 출품하여 심도 있는 기술 상담에 임하였다. 기업 및 유관기관 (주)미래세라텍 (주)미코 쌍용머티리얼(주) 포스코엠텍 KC(주) (주)맥테크 MPT (주)씨이케이 코아텍 (주)카이엔디스플레이 (사)한국파인세라믹스협회 강원TP 신소재산업클러스터사업단 전남TP 세라믹산업종합지원센터 (재)영월청정소재산업진흥원 한국세라믹기술원 주요 생산품목 지르코니아 코팅용 니켈 메시 반도체 장비용 세라믹 부품 메탈라이징 부품 외 전기,전자,반도체 등의 공정 원료 세라믹 원료(수산화알루미늄) 구조세라믹, 알루미나, 지르코니아, 탄화규소 반도체 테스트 지그, PCB 검사용 홀 가공 등 세라믹 부품 유전체세라믹 통신부품 고분자 분산형 액정 PDLC 파인세라믹스 산업 종합 지원 산화물 세라믹 및 관련 신소재 비산화물 세라믹산업 종합 지원 비철소재 세라믹 소재 및 관련 기술 한국관 참가 업체 및 유관기관 일행 한국관 공동부스 전경 November 2013 107

한국세라믹기술원 부스, 필자 그리고 전시품 두드리면 열리리라 전시회는 그야말로 세계 각지에서 특정 분야의 관심사를 나누고 서로가 필요한 그 무엇을 교환하기 위해 한 자리에 모 이는 일종의 시장이다. 그렇기에 참가 업체는 전시 부스라는, 소위 좌판을 펼쳐놓고 고객에게 어떻게든 물건을 팔든지 또는 최소한 홍보는 한다는 목적이 분명해야 하며, 관람객은 그저 구경꾼이거나 혹은 매의 눈을 가진 바이어로서 최적 의 물건을 구하기 위해 열심히 발품을 팔아야 한다. 이때, 구매자를 상대하는 판매자의 입장에서 남들 보다 한 발 앞선 발상의 전환이 요즘 같은 치열한 경쟁 시대에서는 필히 요구되는 기업인의 덕목이라 하겠다. 이번 전시회에서 그런 사례 를 목격했기에 널리 알리고자 한다. M사의 S차장은 벌써 중국과 일본 등의 전시회에 수차례의 경험을 쌓은 베테랑이다. 필자도 중국 세라믹 전시회에 두 차례 동행한 바 있었는데, 그때마다 그는 매사에 긍정적인 마인드와 적극적인 자세로 회사 제품 홍보와 마케팅에 열심 인 모습이었다. 이번에 그는 발상의 전환을 통한 치밀한 준비를 도모했고 그 결과를 확실히 수확하는 장면을 결국 만 들어냈다. 이번 전시회 참가를 준비하면서 그는 평소에 네트워크가 있던 바이어와 업체 관련자들에게 일일이 사전 연락 을 취했다. 이러이러한 제품들을 전시할 테니 전시회에 내방하여 자사의 기술과 제품에 대한 상담에 응해달라고 직접적 이고 노골적으로 선제적인 제안을 던진 것이다. 다른 참가 업체들이 미처 신경 쓰지 못한 부분이 아닐 수 없다. 그 결과 과거의 전시회 때와는 차별되는 숫자의 고객이 M사의 전시부스를 찾았고, S차장은 기대 이상의 성과를 거두게 된 것이 다. 결론적으로 M사는 일본의 A사와 연 5억원 규모의 계약을 체결하기로 합의 및 중장기 거래까지 보장을 받기에 이르 렀다. 또한, M사를 방문한 그 외 다수의 업체들로부터 샘플 제공 및 견적 조율이 진행 중이라고 한다. 앉아서 기다리지 영업 상담(MAX TECH) 기술 미팅(KICET) 108 ceramic korea

않고 먼저 두드린 그의 노력으로 많은 비즈니스 기회가 열릴 수 있었던 사례를 귀감으로 삼아 우리 업체들 또한 향후의 모든 해외 전시회 참가 시 마케팅 전략으로 이를 적극 활용한다면 더 바람직한 성과 창출에 기여할 수 있을 것이다. 일본의 주요 세라믹 업체 쿄세라(Kyocera)는 명실공히 일본을 대표하는 거대한 세라믹 기업이면서 동시에 세계 시장을 석권하고 있는 절대 강자 의 위치를 견고히 유지하고 있다. 얼마 전, 우리나라에서 개최된 소재 관련 전시회에도 그들의 주력 품목들을 전시하며 기술력과 품질을 조용히 그러나 임팩트 있게 홍보하고 있는 모습을 보았다. 그들이 볼 때, 한국 시장은 여전히 매력적이 기 때문이겠다. 우리가 만들지 못하는 것들을 그들은 제조하고 있으니 어서 와서 비싼 가격에 구매하라는 웅변이다. 자 기네 소재와 부품을 조립한 완성품을 만들어 메이드 인 코리아 상표로 세계 시장에 얼마든지 팔아도 좋다는 자신감이 다. 아니, 실상은 한국이 그런 식으로 달러를 벌어들일수록 일본은 오히려 더 큰 돈을 챙기는, 우리에겐 탐탁지 않은 구 조가 과거부터 지금까지도 계속 이어지고 있기 때문이다. 그런 형태를 가마우지 효과 라고 빗대며 크게 우리 스스로 자극을 받고 있는 것 또한 불편한 사실이다. 노리다께(Noritake)는 도자식기류 등의 전통세라믹 기술을 기반으로 그라 인딩 및 폴리싱 공구 등의 산업 및 엔지니어링 제품과 세라믹 소재 등으로 그 저변을 빠르게 신장시키고 있는 기업으로 서 그 인지도는 가히 세계적이다. 쿄세라는 그러나 정작 자국에서 개최된 이번 전시회에는 그저 생색내기용 참가에 그친 듯한 느낌이다. 그들은 전시품 목으로서 태양전지, SOFC, LED 등을 들고 나왔다. 노리다께 또한 연료전지용 가열장치와 SOFC용 원소재 관련 기술 등으로 매우 단출한 전시 부스를 꾸리는데 머물렀다. 부스 또한 기본 조립 부스 수준으로서 기존의 독립부스에 비하면 지극히 초라한 지경이다. 이 두 업체의 모습을 통해 근래 일본 세라믹 산업의 대략적인 분위기를 읽을 수 있겠다는 생 각은 그저 막연한 침소봉대일까? 쿄세라와 노리다께 토소 일본의 주요 연구기관 조금 과장을 보탠다면, 일본의 NIMS(National Institute for Materials Science)와 AIST(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)는 우리나라의 KICET(한국세라믹기술원)과 그 성격과 기능이 대동소 이하다고 할 수 있겠다. 물론 연 예산 2500억원, 직원 1500여명의 NIMS와 연구원 2300여명에 8000억원의 예산을 운 용하는 AIST를 350여명의 연구 인력과 430억원 예산의 KICET과 직접적으로 비교한다는 것은 어쩌면 어불성설일지 모르나, 세라믹과 관련 소재는 물론 물질의 기초연구와 개발 및 재료과학 자체의 기술 수준을 진보시키려는 노력과 열 정 그리고 그 트랙에서 쉼 없이 경주하고 있다는 측면에서 그렇다는 얘기다. 물질과 소재, 부품 및 엔지니어링 기술 향상을 위한 연구개발을 미션으로 하는 일본의 양대 연구소인 AIST와 NIMS 도 이번 전시회에 참가했다. 사진에서 보듯이 그 규모는 전술한 쿄세라와 마찬가지로 생색내기에 지나지 않았다. 지난 November 2013 109

여름, 킨텍스에서 있었던 나노코리아 및 국제부품소재산업전에서의 KICET, KIMS, KIST 등의 대형 독립부스를 떠올리니 그들의 전시 모습은 더욱 비교하기 힘든 수준이라고 하겠다. 이 또한 일본 산업계에서는 물론 연구기관들에게까지도 경 제 불황의 여파를 적나라하게 보여주는 사례가 아닐 수 없을 것이다. AIST NIMS 일본 문화 체험 사실 필자는 이번이 도쿄 첫 방문이다. 그래서 그곳의 풍경과 문화가 몹시 궁금했으며, 전시장에서의 업무를 마친 저녁 과 자투리 시간을 긁어모아 몇 군데 탐방을 감행했다. 도쿄의 전철과 지하철은 유명하다. 마치 거미줄을 연상시키는 꽤 복잡한 노선이 상하좌우로 얽혀있으며, 비록 군데군데 한글이 병행 표기되어 있기는 하지만 도움 없이 노선도를 짚어가 며 찾아다니는 일은 그리 만만치 않은 일이었다. 낡은 레일을 바라보며, 미개한 나라 조선에 선진 문물인 철도와 기차를 놓아줬으니 고마워해야 하지 않느냐는 어느 일본인의 망언이 불쑥 떠올랐다. 그리고 찾아간 곳은 유흥 1번가로 불리는 신주쿠다. 우리나라에는 보기 힘든 낯선 풍경들이 선하다. 험상궂은 근육질 흑인들이 옆구리에 달라붙어 술과 섹시한 여자를 외치며 호객행위에 여념이 없고, 대형 광고판은 남자 접대부와 미소녀들 사진으로 도배되어 있다. 감히 기웃거릴 엄두도 나지 않았지만 온갖 오타쿠 문화가 범람하는 일본의 속살을 보는 것 같은 묘한 기분이었다. 도쿄 스카이트리는 일본이 야심차게 건설한 명물이다. 기존 도쿄타워의 높이가 낮아 전파 송출에 문제가 생기자 곧바 로 만들어낸 세계 최고인 634m 높이를 자랑하는 전파탑이다. 2만원의 입장료를 내고 2시간여를 줄을 서서 대기하는 고 생을 무릅쓰고 오른 350미터 전망대에서 바라보는 도쿄 시내의 전경은 나름 장관이었다. 우리나라 남산 타워에서의 서 울 모습과는 많이 다르다는 느낌이었다. 한참을 물끄러미 시선을 던져 놓았다. 일본의 심장부에서 눈에 비치는 풍경은 그 러나 그 감흥이 오래가진 않았으니, 역사적으로 너무나 깊은 한이 어려 있는 나라인 탓도 있겠지만, 역사 인식과 과거사 문제에 있어서 그들은 왜 독일처럼 담대하게 행동하지 못하는가에 대한 괜한 짜증이 밀려들었기 때문이기도 했다. 한 세 110 ceramic korea

대가 더 지나면 그리 될 수 있을지조차 자신이 없으니 그저 우리나라가 어서 그들을 뛰어넘는 힘센 나라가 되는 수밖에 없음을 확인할 뿐이다. 전시회 참가 후기 일본은 명실상부한 소재 강국이다. 특히, 세라믹 분야에서는 전 세계 세라믹 소재부품의 약 65% 이상을 점유하는 그야 말로 세라믹 산업계의 공룡이다. 우리나라의 사정 또한 일본의 그런 위치로 인해 과거부터 현재까지도 일본 세라믹 기술 의 그늘에 가려진 체 힘겨운 싸움을 계속하고 있는 상황이다. 얼마 전까지만 해도 대일 무역수지 적자의 상당 부분을 소 재 부품 특히, 세라믹 분야가 차지하고 있었다는 점은 한동안 불명예스러운 훈장과도 같았다. 오죽하면 우리나라가 반도 체 등으로 수출이 늘어갈수록 일본의 소재부품 및 시스템 제조 기업들의 수익이 우리보다 훨씬 더 크게 증가하는 기현 상이 벌어지기에 그것을 비꼬아 가마우지 신세라고 자조 섞인 탄식을 하곤 했었다. 근래 들어 그러한 부분은 상당히 많 이 개선되고는 있지만 여전히 일본에 대한 세라믹 기술 종속은 쉽게 벗어나지 못하고 있는 실정인 것 또한 사실이다. 매 2년 마다 개최되는 도쿄 국제세라믹종합전은 그래서 시사하는 바가 크다. 세계의 세라믹 기술이 모여 그 자웅을 겨 루는 마당이기 때문이다. 일본의 기술을 알고 따라잡기 위해 반드시 참관해야 하는 세라믹 전문 전시회 중 하나였다. 그 러나 요즘은 분위기가 크게 바뀌었음을 이번 세라믹전 참가를 통해 피부로 느낄 수 있었다. 얼마 전 동일본 대지진으로 원전이 붕괴되는 사고로 인해 일본 경제는 크게 영향을 받고 있으며 그 여파의 하나로 각종 전시회 규모 또한 눈에 띄게 축소되고 있는 게 사실이었다. 이번의 세라믹전시회 또한 예외가 아니었다. 어쨌든, 15개의 세라믹 업체와 유관 지원 기관 및 한국세라믹기술원이 참가했던 이번의 전시회는 기대 이하였으며, 향 후 참가 여부에 대해 제고할 필요가 있다고 보인다. 함께 참가한 세라믹 업체 관련자들 또한 이구동성으로 같은 의견이었 다. 역시 중국이 낫다는 평가다. 지난번의 중국 상하이 전시회 때에는 그야말로 문전성시를 이루었으며, 전시장 규모 또 한 비교도 되지 않을 정도로 엄청났기 때문이다. 아울러 향후의 해외 전시회 참가 시 보다 흥미롭고 새로운 기술과 전시 품 및 사전에 바이어나 관련 업체, 기관 등과 조율을 통해 전시회 마당에서 대면할 수 있는 기회를 적극적으로 만들어가 는 자세가 필요할 것이다. 그것은 바로 효율 및 성과의 극대화에 직결되기 때문이다. November 2013 111

기 업 포세라(주) 준공식 창업보육기업 벤처공장입주 신규공장 준공 강릉과학산업단지의 모범적인 성공사례 요즘 전세계적인 경기침체에 많은 기업들이 확장보다는 구조조정 등의 수단을 통한 축소경영을 지향하는 추세이다. 그러나 강릉산업단지에 있는 한 세라믹 업체는 이러한 위기 속에서 새로운 공장을 준공하며, 수출 목표 300만 달러를 눈앞에 두고 있다. 2000년 설립 이후, 강릉 파인세라믹 보육센터 입주기업에서 강릉과학단지 벤처기업으로, 그리고 이제는 강릉과학산단 신 공장 입주기업으로 큰 도약을 한 포세라(주)(대표 박지호)가 그 주인공이다. 양대규기자 daegyu_yang@naver.com 큰성공은 작은 성공을 거듭한 결과이다. 한걸음 더 나은 삶을 위해 내딛는 그 한걸음을 지금 이곳에서 부터, 직원들의 공모로 선택된 포세라 건물 현관의 문구는 사업에 대한 포세라의 진지한 의지를 느끼게 해 준다. 사진은 준공식 테이프 커팅 장면. 지난달 16일, 강릉과학산단에서 다공성 세라믹 제조 전문업 체 포세라(주)의 신 공장 준공식이 있었다. 2000년 10월 16 일 설립한 포세라는 13번째 창립기념일에 준공식을 진행했 다. 이날 준공식에는 최명희 강릉시장과 김화묵 강릉시의회 의장 등 강릉시 유력인사들과 강원TP 신소재클러스터사업 단 박상엽 단장, 생산기술연구원 김원용 강원권지역본부장, 파인세라믹스협회 유성근 전무 등 세라믹관련 산 학 연 인 사들 100여명이 참석해 자리를 빛냈다. 이번 준공식에서 포세라(주) 박지호 대표는 기념사를 통해 강릉시와 강릉TP 등의 지원기관을 통해 생산장비를 지원받 아 이렇게 성장할 수 있었다. 며 지역 기관들에 감사를 표하 며, 국내 최초로 고분자 첨가제를 생산하여, 2010년에는 100 112 ceramic korea

포세라(주) 박지호 대표가 준공식 기념사를 하고 있다. 박지호 대표(가운데)가 내빈들과 테이프 커팅을 하고 있다. (사진 왼쪽 최명희 강릉시장, 오른쪽 김화묵 강릉시의회의장) 박지호 대표와 내빈들이 기념식수를 하고 있다. (사진 오른쪽 박상엽 강릉TP 신소재클러스터 사업단장) 만불 수출의 금자탑을 이뤘으며, 앞으로도 기술적 우위로 시 장주도 및 성장을 이뤄내겠다. 며 사업 포부를 밝혔다. 그리고 정부는 기업들에 많은 고용을 원하지만, 포세라는 고용의 질을 높이는 데 중점을 두고 있다. 17명의 직원 모두 가 정규직으로 다수의 불안한 고용보다 현 직원들의 안정된 고용을 지향한다. 고 안정된 고용에 대한 자신의 경영철학을 밝혔다. 이후 최명희 강릉시장과 김화묵 강릉시의회의장, 박상엽 신소재클러스터사업단장의 축사가 있었다. 박상엽 단장은 축사에서 포세라는 기술집약적인 기업으로 10년 동안의 연 구로 제품의 상용화를 성공시켰다. 면서, 강릉시의 지원으 로 과학산업단지에서 포세라와 같은 기업이 생겨났고, 앞으 로도 더 많은 기업들이 태어날 것이다. 라고 강릉시의 지원 에 고마움을 표현했다. 축사가 끝나고, 포세라의 준공을 축하하며 발전을 기원하 는 테이프 커팅식과 기념식수 행사를 진행했다. 이후 간단한 다과와 참석한 내빈들의 공장견학으로 준공식 행사를 마쳤 다. 준비된 행사를 마치고, 포세라 박지호 대표는 준공식의 진정한 주인공인 포세라 직원 17명을 불러 단체사진 촬영 을 했다. 박지호 대표는 시장 상황이 좋지 않더라도 원래 계 획대로 신 공장 준공을 진행했다. 지속적인 거래처를 보유하 고 있어서 걱정은 없지만, 새로 내 집을 마련한 입장에서 책 임감을 느끼고 있다. 라고 말하며, 가족과 같은 직원들과 함 께 2010년 100만불 수출에 이어, 올해 300만불 수출을 달 성하겠다. 고 직원들에 대한 강한 신뢰와 함께 성장의 의지 를 나타내 보였다. 한편, 포세라(주)의 신 공장은 총 부지면적 5,865m 2 의 부 지에 건축면적 2,418m 2 중 공장동 3동 2000m 2 의 규모로, 이곳에서 기존의 고분자 첨가제, 다공성 세라믹과 함께 생활 세라믹 사업을 일궈낼 예정이다. 양대규기자 daegyu_yang@naver.com 공장 견학 중에 박지호 대표가 내빈들에게 현재 연구개발 중인 생활도자기 사업에 대해 설명하고 있다. 우리직원들은 흔히 밖에서들 이야기하는 스펙이 높은 편은 아니지만, 이 분야에서 일을 가장 잘하는 직원들이고 그에 대한 상당한 프라이드를 가지고 있습니다. 박지호 대표가 자랑스러워하는 17명의 포세라 직원들과 단체사진을 찍고 있다. 포세라 설립 전부터 물심양면으로 힘써준 박상엽 클러스터사업단장에게 감사패를 증정하고 있다. November 2013 113

생활과학 2013년도 과학기술인 명예의 전당 헌정대상자 선정 - 최석정 (조선후기 유학자 수학자), 한만춘 (전 연세대 이공대학장) 미래창조과학부(장관 최문기)와 한국과학기술한림원(원장 박성현)은 조선후기 유학자이자 수학자인 최석정 선현과 우리나라 전기전 자공학분야를 개척한 한만춘 박사를 2013년도 과학기술인 명예의 전당 헌정대상자로 최종 선정했다고 지난달 7일 발표했다. 최석정( 崔 錫 鼎 ) (1646~1715) 최석정 선현은 조선후기 현종, 숙종대의 문신이며 학자로서 저서 구수략( 九 數 略 )* 에서 세계 최초로 9 차 직교라틴방진을 발견했으며, 이를 활용해 마방진을 만들었다. 이러한 업적은 세계적인 수학자인 오일 러 (Euler)의 발견보다도 60여년 이상 앞선 것으로 알려지고 있으며, 국제적으로도 소개된 바 있다. 구수략은 조선시대 수학책이며, 기본연산에 대한 내용뿐만 아니라 마방진( 魔 方 陣 )의 연구 등을 소개하고 있다. 마방진은 가로, 세로 n x n 칸에 1부터 n의 제곱까지의 수를 한번씩 써 넣어 각 행과 열, 대각선의 각 방향의 합이 모두 같도록 만든 정방행렬을 말한다. 라틴방진은 가로, 세로 n x n 칸에 각 행과 열에 서로 다른 n개의 수를 한번씩 쓰도록 배치한 것이며, 만약 두 개의 n차 라틴방진을 하나의 방진으로 포개놓았을 때 모든 경우의 수를 표현할 수 있다면 이를 n차 직교라틴방진이라 한다. 직교라틴방진은 오늘날 여러 가지가 조합된 실험에서 최소의 실험횟수를 구상하는 실험디자인 을 위해 널리 쓰이고 있으며, 이동통신시스템 설계 및 컴퓨터과학 등의 다양한 과학기술 분야에서도 활용되고 있다. 라틴방진, 직교라틴방진, 마방진 예시 2 3 1 2 1 3 3 1 2 4 9 2 1 2 3 1 3 2 2 3 1 3 5 7 3 1 2 3 2 1 1 2 3 8 1 6 <라틴방진> <직교라틴방진> <마방진> 한만춘( 韓 萬 春 ) (1921~1984) 한만춘 박사는 연세대학교에서 초대 공학부장, 이공대학장, 산업대학원장을 역임한 우리나라 전기전자 공학 분야의 개척자이다. 한만춘 박사는 연세 101 아날로그 전자계산기* 를 직접 제작해 전력계통의 해 석과 원자력 발전의 안전성 연구에 활용하게 하는 등 우리나라 전기전자공학분야의 발전에 크게 기여 한 공로를 인정받았다. 114 ceramic korea

연세 101 아날로그 전자계산기(문화재청 등록문화재 제 557호) 는 한만춘 박사가 지난 1961년 제작한 것으로 진공관식 전자장치를 사용 하여 고등 미적분 계산을 실시간으로 할 수 있는 기능을 갖추고 있으며 제어공학분야에서 교육 연구에 활용되었다. 디지털 컴퓨터가 도입 되기 이전인 지난 1960~70년대 우리나라 과학기술 발전에 크게 기여했으며 컴퓨터 기술 개발의 토대를 마련했다. 과학기술인 명예의 전당사업 은 탁월한 과학기술 업적으 로 국가발전과 국민복지 향상에 기여한 과학기술인의 업적 을 과학기술인명예의전당 에 헌정하고 이를 항구적으로 기 리기 위한 사업이다. 현재 국립과천과학관에 위치하고 있는 과학기술인명예의전당 은 어린이, 청소년 등 연간 25만명이 찾고 있는데 세종대왕, 장영실, 허준, 우장춘 등 총 29인의 업적이 헌정되어 있으며, 이번 헌정대상자를 포함 총 31인의 업적이 전시될 예정이다. 자세한 내용은 과학기술인명예의 전당 홈페이지(http://kast.or.kr/HALL/)에서 살펴볼 수 있 다. 조낙현 미래부 과기인재기반과장은 탁월한 업적을 보유 한 우리 과학기술인을 지속적으로 발굴하여 그 업적을 항구 적으로 보전함으로써, 과학기술인들의 명예와 자긍심을 고 취시키고 청소년들에게 우리 과학기술의 우수성을 알리겠 다 고 말했다. 과학기술인명예의전당 헌정대상자 현황 순번 성명 주 요 경 력 주 요 공 적 생존연대 1 이 순 지 판중추원사 조선의 천문학을 세계 수준으로 올려놓은 천문학자 중국, 아라비아 천문학을 연구하여 과학적 관측과 계산을 통해 역사상 처음으로 한양을 표준으로 하는 독자적인 역법체계를 갖추는데 기여함 1406-1465 2 최 무 선 고려말 지문하부사 판군기시사 사후 의정부 우정승, 영성부원군에 추증됨 우리나라 최초로 화약을 만들고 화약무기를 개발한 고려말의 장군이자 과학자 당시 첨단기술이었던 화약제조법을 자체 개발하였으며, 화통도감을 설치하여 화약무기 연구개발에 앞장섬 1325-1395 3 이 천 호조판서 지중추원사 평안도 도절제사 판중추원사 세종시대 여러 과학기술의 업적을 주도한 무신이자 과학기술자 세계 수준의 천문기구 제작, 금속활자 갑인자 주조, 화약무기 개발, 악기 개량, 도량형 표준화 등 탁월한 업적을 남김 1376-1451 4 장 영 실 노비 출신, 상의원 별좌 상호군 ( 上 護 軍, 종 3품) 세종시대 우리 역사상 가장 찬란했던 과학기술문화를 꽃피우는데 기여함 세계 최초의 측우기, 물시계인 자격루와 옥루, 해시계인 앙부일구, 천문관측기구인 혼천의 등의 제작에 참여함 조선전기 5 허 준 선조의 내의 및 어의 호종공신 3등에 책록 양평군 정일품 보국숭록 대부로 책봉 동의보감으로 조선과 중국의 전통 의학을 종합함 산과, 응급의학, 전염병학의 핵심을 한글로 펴내 의학 대중화에 기여함 1539-1615 6 홍 대 용 실학자 사헌부감찰 영천군수 서양과학을 받아들이고자 노력한 조선후기의 대표적인 과학사상가 전통적인 우주관을 비판하고 지동설과 무한우주의 관념을 제시했으며, 여러 천문기구와 기계장치를 제작함 1731-1783 7 김 정 호 실학자, 지도학자 사료가 거의 없음 전통지도학을 완결시킨 지리학자 대표적인 업적인 대동여지도는 조선시대 지도학 발달사의 절정을 이룬 성과물이며, 오늘날 지도와 비교해도 거의 일치하는 정밀성을 보여줌 약1804-1866 8 우 장 춘 원예시험장 초대 장장 한국농업과학연구소 소장 종의 합성 이론을 실험적으로 입증한 세계적인 유전육종학자 채소, 감자, 귤 등의 우량종자를 개량하여, 종자 자급을 실현하는데 기여했고, 연구인력을 배출하여 우리나라 농학의 뿌리를 다짐 1898-1959 November 2013 115

9 이 원 철 국립중앙관상대 초대 대장 대한민국학술원 회원 인하공대 초대 학장 우리나라 최초의 이학박사로 천문학과 기상학 분야를 개척하는데 앞장선 과학자 연희전문학교 교수로 천문학 교육에 힘썼으며, 중앙관상대 초대 대장으로 우리나라의 기상업무체계를 구축함 1896-1963 10 이 태 규 일본 교토대학 교수 미국 유타대학교 교수 KAIST 교수 리-아이링 이론 등 우수한 논문을 내놓으며, 국제적으로 인정받은 이론화학자 미국 유타대학교와 한국과학기술원에서 후학 양성에 많은 공헌을 하여 우리 화학계의 성장에 기여함 1902-1992 11 안 동 혁 경성공업전문학교 교장 중앙공업연구소 소장 상공부 장관 대한민국학술원 부회장 산업기술의 기반을 앞장서서 닦은 화학공학자 1950년대 상공부 장관으로 재직하면서 자금, 에너지, 비료를 중심으로 한 3F 산업정책을 추진해 경제 발전의 토대를 마련함 1907-2004 12 현 신 규 농촌진흥청 청장 대한민국학술원 회원 서울대학교 교수 우리 국토를 푸르게 가꾸는데 일생을 바친 임목육종학자 리기테다 소나무와 현사시 나무의 개발 등 세계적 수준의 성과를 얻었으며, 한국 임목육종학의 기틀을 다짐 1911-1986 13 최 형 섭 과학기술처 장관 한국과학재단 이사장 한국과학기술단체총연합회 회장 한국과학기술연구소 (KIST) 설립과 운영에 기여했으며, 과학기술처 장관으로 대덕연구단지 건설 등 현대적 과학기술체제를 마련함 개발도상국들의 과학기술 정책 수립에 도움을 줌 1920-2004 14 이 호 왕 서울대학교 / 고려대학교 교수 대한민국학술원 회장 미국과학한림원 외국회원 유행성출혈열의 병원체인 한탄바이러스와 서울바이러스를 세계 최초로 발견하고, 예방백신과 진단법을 개발한 미생물학자 그의 연구성과에 힘입어 바이러스학의 영역이 확대되었으며, 유행성출혈열의 공포로부터 벗어남 1928 - 현재 2003년 헌정 (14인) 15 김 동 일 서울대학교 공대 학장 대한민국학술원 회원 섬유, 요업, 에너지분야에서 이용후생의 실학정신을 계승, 실천한 과학기술자 해방 직후와 6.25전쟁의 혼란기에 과학기술 인재를 양성했으며, 우리나라 과학기술 진흥체제 구축에 힘씀 1908-1998 16 김 순 경 서울대학교 교수 미국 템플대학교 교수 재미과학기술자협회 회장 우리나라 화학교육과 연구의 기초를 다졌으며, 세계가 인정한 학술업적을 남긴 우리 화학계의 선구자 재미과학기술자협회를 창립하는 등 우리나라 과학기술 발전에 기여함 1920-2003 2004년 헌정 (2인) 17 서 호 수 관상감 제조 도승지. 진하겸사은부사 조선 후기 천문역산 사업의 대부분을 책임지고 수행한 대표적인 과학자 천문역산의 개혁을 주도하고 서양의 수학과 천문학 이론을 해설하여 국내에 전파하였으며, 농업기술을 체계적으로 정리함 1736-1799 18 장 기 려 서울대학교 / 부산대학교 교수 가톨릭의과대학 교수 우리나라 간장외과 발전에 기여한 의학자 의료 인재 양성에 공헌했으며, 청십자 병원을 설립하는 등 박애와 봉사의 삶을 삶 1911-1995 19 이 휘 소 펜실베니아대 / 뉴욕주립대 교수 페르미 국립가속기연구소 이론물리학부장 소립자 물리학 분야에서 세계 정상급의 이론물리학자 게이지 이론의 재규격화와 참입자의 예견과 관련된 연구를 통해 소립자 물리학 분야의 발전에 공헌함 1935-1977 2005년 헌정 (3인) 20 김 점 동 보구여관 의사 평양 기홀병원 의사 우리나라 여성으로서 최초로 서양 의학을 공부한 선구자 우리나라 최초의 여성전문 병원인 보구여관과 평양의 기홀병원에서 헌신적인 의료활동을 펼침 1876-1910 21 이 임 학 서울대학교 교수 브리티시컬럼비아대 교수 우리나라 수학교육을 정립하고, 리군 이론으로 세계수학사에 업적을 남긴 수학자 8권의 한글판 수학교과서를 출판함 1922-2005 116 ceramic korea

22 김 재 근 서울대학교 교수 대한조선학회 회장 대한민국학술원 부회장 우리나라의 조선공학을 개척하고, 교육과정을 만든 조선공학자이자 선박역사학자 거북선을 비롯한 조선군선 연구의 개척자로 우리나라 선박 역사를 집대성함 1920-1999 23 조 백 현 서울대학교 농대 학장 한국농학회 회장 한국과학기술단체총연합회 명예회장 우리 농업의 과학화와 현대화에 앞장선 농학자 서울대학교 교수로 후진 양성에 힘썼으며, 해외 선진 농법을 도입하여 농업의 과학화와 현대화에 앞장섬 1900-1994 2006년 헌정 (4인) 24 조 순 탁 한양대학교 / 서울대학교 교수 한국물리학회 회장 한국과학원 원장 대한민국학술원 회원 조-울렌백 이론 으로 국제적으로 명성을 얻은 우리나라 최초의 이론물리학자 40여년간 교수로 재직하며 인재를 양성하였으며, 한국물리학회 회장을 역임하며 우리니라 과학기술발전에 기여함 1925-1996 2007년 헌정 (1인) 25 석 주 명 송도고등보통학교 박물교사 수원농사시험장 병리곤충부장 과학박물관 동물학부장 근대적 나비분류학을 정립한 선구자 일제강점기와 해방직후 나비 연구를 통해 우리나라 근대 생물학 정립에 크게 기여함 1908-1950 2008년 헌정 (1인) 26 세 종 조선 4대왕 천문학, 수학, 의약학, 지리학, 농업기술, 인쇄술, 군사기술 등 조선시대 전통과학기술 발전에 기여함 과학적인 문자체계인 훈민정음 을 창제함 1397-1450 2009년 헌정 (1인) 27 허 문 회 한국작물학회 회장 서울대학교 명예교수 1970년대 당시 벼 육종기술상 불가능한 것으로 판단되었던 원연종간 삼원교잡 을 통해 통일벼 를 개발함으로써 우리 역사상 최초로 주곡 (쌀)을 자급화할 수 있게 함 1927-2010 2010년 헌정 (1인) 28 윤 일 선 서울대학교 총장 대한민국학술원 초대 회장 대한병리학회 초대 회장 우리나라에 근대의학을 도입하고, 과학을 태동시킨 한국 최초의 병리학자 일제강점기에 병리학을 비롯한 기초의학 전반을 정립하는 등 우리나라 의과학의 기틀을 다짐 1896-1987 2011년 헌정 (1인) 29 정 약 전 승문원부정자 병조좌랑 우리나라 수산학 및 해양생물학을 창도한 학자 조선 후기 탁월한 과학사적 성과로 인정받고 있는 자산어보 를 저술, 우리나라 해양 생물학 발전에 크게 기여함 1758-1816 2012년 헌정 (1인) 30 최 석 정 영의정 좌의정 우의정 조선후기 현종, 숙종대의 문신이며 학자 저서 구수략 ( 九 數 略 )에서 세계 최초로 9차 직교라틴방진을 발견했으며, 이를 활용해 마방진을 만들었음 이러한 업적은 세계적인 수학자인 오일러 (Euler)의 발견보다도 60여년 이상 앞선 것이며, 국제적으로도 소개된 바 있음 1646-1715 31 한 만 춘 대한민국학술원 정회원 한국과학기술단체총연합회 부회장 대한전기학회 회장 연세대학교 교수 우리나라 전기전자공학 분야의 개척자 연세대학교에서 초대 공학부장, 이공대학장, 산업대학원장을 역임하며, 우리나라 전기전자공학분야의 발전에 크게 기여함 연세 101 아날로그 전자계산기 를 직접 제작하여 전력계통의 해석과 원자력 발전의 안전성 연구 등에 활용 1921-1984 2013년 헌정 (2인) November 2013 117

세라미스트 광장 한국세라믹학회 추계총회 및 연구발표회 AOCF 국제 학술대회 동시 열려 총 753건 연구발표, 역대 최대 인원 936명 등록 한국세라믹학회(학회장 김해두)는 지난달 16일부터 18일까지 3일간 제주국제컨벤션센터에서 한국세라믹학회 추계 총회 및 연구발표회를 열었다. 이번 행사는 AOCF 국제학술대회(Asia-Oceania Ceramic Federation Conference) 와 함께 열렸다. 기조강연 2건, 단기강좌 4건, 초청강연 273건을 포함한 구두발표 409건과 포스터발표 344건 등 총 753건의 국내외 세라믹관련 수준 높은 강연과 발표로 역대 최대 인원인 936명이 이번 행사에 등록을 했다. 또 이번 학회 행사에는 2013년도 여성세라미스트 워크샵이 함께 이뤄져, 많은 여성 세라미스트들이 참석할 기회 를 만들었다. 그리고 소재강국 Ceramic 이라는 표제로 진행된 이번 행사에는 정부인사들을 초청한 정책포럼에서 2013년 이공분야 미래부 R&D 사업소개, 연료전지 산업동향, 소재분야 R&D 정책 등의 내용을 발표하며, 점점 커 져가는 소재산업의 위상과 함께 세라믹 산업의 중요성을 한번 더 일깨웠다. 118 ceramic korea

여성세라미스트 워크샵 세라믹 정책포럼 성옥상을 수상한 연세대 현상훈 교수의 기념강연 한국세라믹학회 추계총회 한국세라믹학회 김해두 학회장(가운데)과 수상자들 동경대 호소노 교수의 특별강연 이후 17일 저녁에는 한국세라믹학회 춘계총회 행사를 진행했다. 2013년도 중간사업 보고와 함께 2014년도 사업계 획 및 예산안 승인과 2014년도 임원 임준의 건 등을 진행했다. 또, 행사기간 동안 이뤄진 투표를 통해 세라믹학회의 새 로고가 결정됐다. 총회 후에는 만찬과 함께 시상식이 진행됐다. 행사 마지막 날인 18일에는 일본 동경공업대의 세계적인 석학 호소노 교수의 특별강연이 있었다. Electride: Materials and Properties 라는 주제로 신소재 2차원 전자화물(Electride)에 대한 강연이 있었다. 마지막으로 포스터 시상에 앞서, 1분 구두발표를 통해 대학원생들이 발표를 할 기회를 제공했다. 세라믹학회 김해 두 학회장은 사회적으로 세라믹에 대한 인식이 올라가고 있다. 지난 3년간 세라믹학회 회원 수가 급격히 증가를 했 다. 며, 이번 가을학회의 성황은 세라믹의 인식이 좋아졌다는 증거이다. 이럴 때 일수록 학회의 적극적인 활동이 필 요하다. 고 학회의 성공적인 행사를 축하했다. 양대규기자 daegyu_yang@naver.com 행사장 홍보 부스 November 2013 119

세라미스트 광장 2013 한국결정성장학회 추계학술대회 Phosphor Safari 2013 한국결정성장학회(학회장 심광보)는 지난달 20일부터 22일까지 3일간 제주도 더호텔에서 2013 한국결정성장학회 추계학술대회 를 개최했다. 이번 학술대회는 국제적인 심포지엄인 Phosphor Safari 2013 과 함께해 국내외 결정성 장 관련연구 전문가 150여명이 참석했다. 이번 학술대회는 LED와 OLED를 큰 주제로 LED application of Phosphor Chemistry, Phosphor for Next Generation Display and Lighting, Spectroscopic and Theoretical Phosphor materials and Synthesis, Inorganic, Bio-inorganic and Coordination Phosphor Chemistry, Industrially Relevant Phosphor 120 ceramic korea

Compounds, Luminescence crystal in material science and nanotechnology 등을 소주제로 발표를 진행했다. 특히 이번 학술대회에는 Phosphor Safari를 만든 일등 공신인 Yamamoto 박사를 기념하기 위해 도교대 Masato Kakihana 박사가 의장으로, 니이가타 대학 Kenji Toda 박사의 Design Concept of Red Emitting LED Oxide Phosphors, 중앙대 유재수 박사의 The Influence of Phosphor Properties on the Optical Performance of White LED, 그리고 일본산업기술총합연구소(AIST)의 Tomoko Akai 박사의 Technologies Related to Phosphor Materials Developed in Rare Metal Substitute Materials Development Project 를 발표했다. 한편 이번 학술대회는 총 40편의 구두발표와 54개의 포스터발표(중 30개는 개별발표)가 있었다. 내년의 Phosphor Safari 2014는 내년 중국에서 5월경에 있을 예정이다. 양대규기자 daegyu_yang@naver.com November 2013 121

세라믹스 비즈니스 제26회 도자기술심포지엄 제8회 아시안 세라믹웨어 심포지엄 한국세라믹학회 도자기부회(부회장 김형태)는 지난달 11일 한국세라믹기술원 이천분원에서 제26회 도자기술 심 포지엄 을 개최했다. 한국세라믹학회와 한국세라믹기술원, 중국 경덕진 도자대학, 중국도자기협동조합, 대한도자기타 일공업협동조합이 공동 주최한 이번 심포지엄은 제8회 아시안 세라믹웨어 심포지엄 과 같이 진행했다. 국제적인 도자기술 심포지엄인 이번 행사에는 한국의 산 학 연 도자기술 전문가들 뿐만 아니라, 중국 경덕진대, 알프레드대 William M. Carty 교수 사가현요업센터 Kiyoshi Soejima 박사 124 ceramic korea

화난기술대, 샹시과학기술대, 중국건축도자연구소, 일본 사가현 요업센터, 미국 알프레드대 등 세계 각국의 도자기술 전문가들이 참석해 자리를 빛냈다. 이번 심포지엄은 경덕진대 Qing Feng 교수의 경덕진가마의 구조가 가마내 가스 층류에 미치는 영향에 관한 연구 와 알프레드대 William M. Carty 교수의 고려청자 소성온도 분석, 사가현요업센터 Kiyoshi Soejima 박사의 도자기 디자인에서 디지털 기술의 활용 등 중 미 일 도자기술 전문가들의 발표를 시작으로 다양한 주제의 15건의 논문 발 표가 있었다. 미국 최고의 도예대학인 알프레드 대학의 William 교수는 고려청자의 소성온도 분석 을 통해 청자의 온도와 시간 에 대한 상관관계를 집중적으로 분석을 했고, 사가현 요업센터의 Soejima 박사는 도자기 디자인에서 디지털 기술의 활용 에서 디지털 디자인 프로세스 모델과 쉐이프 데이터 빌딩 메소드 등 도예에서 사용될 다양한 디지털 기법들을 소개했다. 100여명의 한 중 일 미 도자기술 전문가들이 참석한 이번 심포지엄에는 도자 타일의 역사, 소재, 기법, 소성온도, 색 등 도자기술과 관련된 다양한 주제가 발표되어 참석자들의 많은 관심을 끌었다. 양대규기자 daegyu_yang@naver.com 표. 도자기술심포지엄 발표 주제와 연사 발표주제 발표자 소속 경덕진 장작가마의 구조가 가마내 가스 층류에 미치는 영향에 관한 연구 Qing Feng 경덕진대 고려청자의 소성온도 분석 William M. Carty 알프레드대 도자기 디자인에서 디지털 기술의 활용 Kiyoshi Soejima 사가현요업센터 위생도기 공정의 사용형 몰드 성질변화 성병욱 부장 대림 B&Co 도기질 벽타일 옆면 파손 개선연구 김상연 차장 IS 동서 중국의 도자기 제조설비 및 장치산업 Baiqing Zhang 경덕진대 세라믹 소성 공정에서의 에너지 절감기술 연구 Lingke Zeng 화난기술대 도자세라믹과 마이크로파 소결기술 신승도 박사 유니세라 고절수형 위생도기 성능 예측을 위한 트랩웨이 적산유량 계측에 관한 연구 이영림 교수 공주대 1차원 메조포러스 알루미나 소재의 수열합성 및 분석 Zhenfeng Zhu 샹시과학기술대 SiO 2-CaO 세라믹 폼의 제조 및 물성에 관한 연구 Kuang Feng-hua 중국건축도자연구소 동양 유약의 성립과 발전 서국진 대표 가마화수분 제강 슬래그를 이용한 세라믹 소재의 합성 및 분석 Jian Liang 경덕진대 촉매 및 약물투여 시스템을 위한 양이온/음이온 점토의 활용 양재훈 박사 이화여대 도자기 잉크젯용 세라믹 칼라 잉크의 합성 및 분석 한규성 박사 세라믹기술원 November 2013 125

Solar Technology Brief 태양광발전의 세 가지 과제: 용지, 연계, 안정가동 현재 일본 전국 각지에서 태양광발전과 관련된 수많은 건설 프로 젝트가 추진되고 있다. 2012년 7월부터 고정가격매입제도가 시 작되어 기업 및 지자체가 태양광발전을 추진하려는 움직임은 전 국 각지에 급속하게 확산되고 있다. 미이용 토지를 활용하여 안정 된 수익을 높이려고 하지만, 한편으로 다양한 과제가 대두되고 있 다. 자원에너지청에 의하면 2012년 7월에 고정가격매입제도를 개 시한 이후 발전능력이 1MW 이상의 메가솔라로 인정받은 건수는 8개월간(2013년 2월말 시점) 1,755건으로 1개 지자체당 40건 정도의 수치이다. 풍력발전출력 발전후보지 대형축전지 그림 1. 경작포기지의 태양광발전 잠재력 태양광발전출력 방전 충전 중앙급전지령소 (축전지 제어시스템 설치) 제어지령 그림 2. 대형 축전지를 사용한 태양광, 풍력발전의 출력변동 대책 축전지의 충방전에 따른 주파수변동 제어 주파수 접속상단위감시 태양광패널 집전상 계통 기상계사데이타 일사계 기온계 접속상 접속상 단위발전량 발전환경바로미터 (일사량 기온) 직류계사 데이타 데이터수집유닛 빨간색부분 : 원격감시시스템에 새로 필요한 기기 그림 3. 태양광 패널의 원격감시시스템 발전량 데이터 축적데이타 태양광발전은 다섯 종류의 재생가능 에너지 중에서 환경에 대해 영향이 가장 적고 발전설비를 도입하기까지의 프로세스가 짧다. 시장 확대에 따라 태양광 패널 가격도 저하되어 점점 도입하기 쉬 워졌다. 미이용 토지를 보유한 기업 및 지자체가 계속적으로 메가 솔라의 건설을 추진하고 있다. 그렇지만 해외 주요국과 비교하면 태양광발전을 포함한 일본 재생 가능 에너지의 도입량은 상당히 적다. 2012년도에 일본 전체의 총 발전량 중 겨우 1.6%를 차지할 뿐이다. 지금부터 상당한 속도로 증가시킬 필요가 있지만 일본 특유의 문제도 있어 계획대로 프로 젝트가 추진되지 않는 경우도 있다. 태양광발전에서 주의해야 할 과제는 세 가지가 있다. (1) 건설용지 의 문제이다. 광대한 공터가 있더라도 법률에 의해 건설이 인정되 지 않는 경우가 있다. (2) 전력회사의 송배전 네트워크에 접속할 수 없는 경우다. 상황에 따라 접속이 거부되어 발전한 전력을 판매 할 수 없을 수도 있다. (3) 처음에 계획한 발전량에 도달하지 않는 경우가 있다. 발전설비를 운전 개시한 후에 발생한다. 태양광 패널 에 이상이 발생하거나, 성능이 급속하게 노화되는 것이 자주 발생 한다. 그 결과 기대한 전력판매 수입을 얻을 수 없어 투자비를 회 수할 수 없는 경우가 발생한다. 용지에 관해서는 법률의 제약이 크다. 특히 문제가 된 것은 농지 법 이다. 건전한 농업의 발전을 목적으로 만들어진 법률로 농지 이 용법을 엄격하게 정하고 있다. 원칙적으로 농지로 지정되어 있는 토지를 농업 이외의 용도로 사용할 수 없다. 오랜 기간 농작물을 재배하지 않은 경작포기지 도 규제의 대상이 된다. 전국 각지의 지자체가 태양광발전을 도입할 가능성이 있는 장소를 조사해 보 면, 그 중에 경작포기지가 많이 있다. 농작물 대신에 태양광발전 126 ceramic korea

으로 수입을 얻을 수 있다면 경작포기지는 새로운 수익원으로 변 화될 것이다. 2013년 3월에 농림수산성이 새로운 방침을 발표하 여 일정 조건을 만족하면 농지에 태양광발전설비를 도입하는 것 이 가능케 된다. 태양광 패널을 설치하는 기둥을 높게 하여 패널 아래에서 농업을 지속할 수 있게 하는 조건이다. 단, 경작포기지의 처리에 관해서는 검토과제가 아직 남아 있어 농림수산성의 신속 한 대응이 필요하다. 송배전 네트워크의 접속은 점차 대책이 제시되고 있다. 태양광발 전과 풍력발전은 기후에 의해 출력이 안정되지 않기 때문에 발전 한 전력을 받아들이는 송배전 네트워크에 지장이 발생될 가능성 이 있다. 특히 규모가 큰 메가솔라가 증가하면 그 확률은 높아진 다. 발전설비를 송배전 네트워크에 접속시키는 것을 연계 라고 하 며, 설비를 건설하기 전에 전력회사와 연계협의 가 이루어져야 한 다. 이 협의를 통해 발전설비를 송배전 네트워크에 접속하기 위한 구체적인 방법을 결정할 필요가 있다. 송배전 네트워크에 지장이 발생할 것으로 판단되면 전력회사는 접속을 거부하는 것도 가능 하다. 실제 홋카이도에서는 메가솔라의 건설 프로젝트가 급증한 결과, 송배전 네트워크의 허용범위를 초과하는 상태에 이르렀다. 경제 산업성은 2013년 4월에 홋카이도 내에서 메가솔라의 건설을 자 제하도록 사업자에게 요청하였다. 그리고 긴급대책으로서 대형 축전지를 사용한 태양광발전 및 풍력발전에 의한 출력의 변동을 억제하는 실증시험을 전력회사가 추진하고 있다. 발전사업자 중 에서는 메가솔라의 설비에 축전지를 병설하는 경우도 있다. 그만 큼 설비비가 증가하지만, 사업 전체로 보면 수지가 맞을 수 있으 며, 메가솔라를 장기적으로 안정하게 가동시키기 위한 대책으로 서도 효과적이다. 운전을 개시한 후에 안정적인 가동을 지속하기 위해서는 다양한 대책이 필요하다. 특히 중요한 것은 발전설비의 점검과 보수이다. 메가솔라와 같은 규모가 되면 수천 장의 태양광 패널이 사용된다. 실외에 설치되어 있어 이상이 발생하여 발전할 수 없는 패널이 나 타나게 된다. 그것을 방치하면 당연히 발전량이 감소하게 된다. 이 상이 발생하지 않더라도 시간의 경과와 함께 성능이 노화된다. 제 품에 따라서 노화의 정도도 차이가 있다. 검사기관에 의하면 1년 안에 성능이 대폭 하락하는 태양광 패널도 있다. 이러한 사태를 대비하여 원격감시시스템을 이용하는 사업자가 증 가하고 있다. 태양광 패널로부터 발전량을 전용 장치로 계측하여 그 데이터를 모아 시스템에서 분석하는 방법이다. 또한 일사량 및 기온도 측정함으로써 적정한 발전량을 얻을 수 있는지 확인할 수 있다. 태양광발전은 기상조건에 따라 발전량이 변하지만, 그 변동 범위는 예측 가능하다. 즉, 연간 총 발전량을 지역별로 예상할 수 있다. 그것보다도 태양광 패널의 이상 및 잡초와 적설에 의한 태 양광의 차단 등 운용 면에서 발전량이 저하되는 경우가 더 크다. GTB 파워컨디셔너 70% 증강 山 洋 電 氣, 태양광 발전용 8월에 능력 월 2150대 山 洋 電 氣 는 8월에 태양광 발전으로 발생한 직류전력을 교류전 력으로 변환하는 파워컨디셔너(전력조정장치)의 생산능력을 현 재 대비 약 70% 늘어난 월 생산 2150대로 증강했다. 2012년 7 월에 시작한 재생가능 에너지 전량 매입 제도의 순풍도 있어 거래 가 급증하고 있다는 점에서 2013년 6월 시점에서 능력을 월 생산 1280대까지 확충했다. 또한 생산능력을 늘려 수요 증가에 한층 더 대응한다. 현재는 富 士 山 工 場 ( 長 野 縣 上 田 市 )를 중심으로 파 워컨디셔너를 생산하고 있다. 생산능력 증강에는 대규모 설비투 자는 하지 않았고 공장의 레이아웃을 변경함으로써 생산효율을 향상한다. 경험이 적은 사원이라도 제품의 조립이 가능하도록 작 업대 앞에 모니터를 설치하여 작업의 흐름을 표시하는 등 연구. 설 비투자액은 밝히지 않았다. 山 洋 電 氣 는 가정이나 점포에서의 사용을 상정한 출력 1.5킬로와 트, 동 5킬로와트의 소출력 모델 이외에 공장 등에서의 사용을 상 정한 동 10킬로-100킬로와트의 타입을 생산하고 있다. 어느 모 델이나 90% 이상의 변환효율이며 소출력 모델은 높은 방수, 방진 성능을 가진다는 것도 특징이다. 필리핀 공장에서는 새로 건물을 건설하고 있어 파워컨디셔너의 해외 생산도 계획하고 있다. 필리 핀 공장과 일본 국내 공장의 용도구분은 미정이다. 矢 野 經 濟 硏 究 所 의 조사에 따르면 새 에너지용 파워컨디셔너 시 장은 2013년도에 출하 금액 베이스로 1567억 엔(전년도 대비 66.7% 증가)으로 확대될 전망이다. 경합사들도 각기 증산을 추 진하고 있어 新 電 元 工 業 은 종래 대비 2배인 월간 3000대로 생산 을 끌어올렸다. 일간공업 November 2013 127

Technology Brief 차량용 리튬전지 공동 개발 주행거리 2배로 2018년도 기점 시스템 상품화 GS유아사와 자동차 부품 최대 기업인 독일의 로버트 보쉬(슈투 트가르트시), 三 菱 商 社 는 플러그인 하이브리드 자동차(PHV)와 전기자동차(EV)용으로 차세대 리튬이온전지를 공동 개발한다. 2014년 1월에 합병회사를 설립, 현재보다 2배의 주행거리를 실현 할 전지시스템을 2018년까지 상품화할 것을 목표로 한다. 생산과 판매까지 포함한 차량탑재용 리튬이온전지 사업의 통합으로 이어 질 가능성도 있다. 합병회사의 출자 비율은 보쉬가 50%, GS유아사와 三 菱 商 社 가 25%씩. 자본금은 비공개. 각국에서 독점금지법에 관한 인가를 취득하면 설립한다. 본사는 독일의 슈투트가르트시에 두고, GS유 아사의 전지기술과 보쉬의 제어기술을 조합시킨 고성능 전지 시스 템의 개발을 추진한다. 생산은 GS유아사가 가진 경영자원을 활용 한다. 3사는 2012년 봄부터 협의를 개시. GS유아사에서는 올해에 들 어서 미국 보잉의 중형 여객기 787 과 三 菱 자동차용 전지에 결함 문제가 발생했지만 합병협의에 영향을 주었다고는 생각지 않는 다. 협의를 중단하지 않을 것 이라고 大 原 俊 夫 리튬이온전지 사업 부 개발본부 부장은 설명하고 있다. 일간공업 미립자 산화티탄 균일하게 내포 서브미크론 복합재로 日 本 板 硝 子 가 새로운 제법 화장품 원료 사업화 겨냥 日 本 板 硝 子 는 나노입자의 하나인 미립자 산화티탄(나노티타니 아)을 균일하게 비정질 실리카 안에 내포하여 복합재화(콤포지트 화)시키는 기술을 개발했다. 두께가 서브미크론인 플레이크 형상 으로 만들었다. 또 독자의 제법으로 생산성을 종래에 비해 10배 이상 높였다. 화장품 원료로 메이커에 제안을 시작했고, 조기의 사업화를 목표로 한다. 유럽에서는 나노매터리얼 규제로 올 여름부터 나노매터리얼의 소 재를 사용했을 경우에는 신고서와 패키지에 표시하는 일이 의무 화된다. 개발품은 미립자 산화티탄을 사용하고 있으며 나노의 기 능을 가지지만 위에 해당하지 않는다고 한다. 액체 속에 분산하는 콜로이드(졸)을 화학반응으로 젤리상 고체 (겔)로 만들어서 가열하여 산화물로 만드는 졸겔법 을 이용하고 새로 개발한 제법으로 완성시켰다. 서브미크론 오더의 두께에 대 응했다. 종래의 졸을 기판 위에 도포, 건조, 프레이크화시키는 도 포박리법( 塗 布 剝 離 法 ) 에서는 두께가 1마이크로미터 이상으로 생산성도 높다고는 할 수 없었다. 개발품은 3차원 용매 속에서 콤포지트프레이크를 형성하여 생산 성을 높였다. 종래 제법에서는 얻을 수 없었던 자외선(UV)차단과 가시광 투과율 등의 광학 특성을 갖는다. 티타니아 중량을 기준으 로 한 비교에서는 나노티타니아의 광학특성을 손상시키지 않고 콤퍼지트 프레이크화할 수 있었다. 화장품용으로 적합한 매끄러 운 텍스추어와 커버링 특성을 갖추었다. 뿌옇게 되는 느낌이 없는 투명성도 확보했다. 이 회사에서는 이번 기술을 응용하여 내포할 재료를 새롭게 선정하여 여러 가지 특성을 가진 콤포지트 프레이 크의 개발을 추진한다. 화장품 분야에 머물지 않고 산업분야로의 응용전개를 도모한다. 일간공업 Boron nitride 나노튜브 상온 양자 터널링을 가능케하다 트랜지스터는 벨연구소에서의 개발과 값싼 휴대용 라디오의 중추 로 거둔 첫 상업적 성공 이후로 먼 길을 왔다. 트랜지스터는 물론 모든 전산화 장치의 집적회로를 구성하는 심 장이기도 하며, 현재의 칩 제조기술과 재료들은 낮은 크기 한계에 부딪히기 시작하고 있다. 이는 많은 연구자들이 이 다음에 올 트 랜지스터 기술은 무엇이 될지 묻게 했다. 한 가지 답은 나노규모의 트랜지스터 기술을 개발하기 위해 오 크리지 국립연구소(Oak Ridge National Laboratory)의 연 구자들과 협력하고 있는 미시간 테크놀러지컬 대학(Michigan Technological University, MTU; Houghton)에서 온다. 보도자료에서 MTU의 연구 자 Yoke Khin Yap은 아이디 어는 나노규모의 금속이 위에 있는 절연체를 사용하여 트랜 지스터를 만드는 것이었다. 고 한다. 이 경우의 절연체는 질 전자들은 BNNT에 증착된 일련의 금 양자점을 따 화붕소 나노튜브였다. 탄소나 라, 하나씩 차례로 터널링 한다. 상온 터널링장치 들은 트랜지스터처럼 행동하지만 반도체가 포함되 노튜브와 흡사하지만 합성과 어있지 않다. 128 ceramic korea

사용이 더 까다롭다. MTU의 실험실은 레이저증착된 단 3nm 간 격의 금 양자점들이 올려진 BNNT arpet 로 구성된 장치를 개발 하였다. 장치에 전압이 가해지면 전자들은 양자터널링이라 알려 진 현상으로 인해 점에서 점으로 흐른다. Michigan Tech 물리학자 John Jaszczak에 의하면, 중대한 소 식은 상온에서의 장치내 양자 터널링 거동이다. 다른 터널링 장치 들은 오로지 액체 헬륨 온도에서만 작동한다, 고 한다. Yap은 이 기술에 대한 국제특허 출원을 하였다. 그는 이론적으로, 이러한 터널링 채널들은 전극들 사이의 거리가 극소 미크론으로 줄어들었을 때 실질적으로 0 차원으로 소형화될 수 있다. 고 말했다. 해당 연구는 Room-temperature tunneling behavior of boron nitride nanotubes functionalized with gold quantum dots, 라는 논문에 나와있으며 최근 Advanced Materials지에 온라인 상으로 게재되었다. ACB 산화갈륨 소자 개발 손실 3000분의 1 이하 차세대 디바이스로 情 報 通 信 硏 究 機 構 와 타무라 製 作 所, 光 波 ( 東 京 都 練 馬 區, 사장 中 島 康 裕 )는 산화갈륨을 사용한 트랜지스터를 세계 최초로 개발했 다. 현재 주류인 실리콘 트랜지스터에 비해 손실을 3000분의 1이 하로 할 수 있을 전망. 차세대의 전력 디바이스 절약으로 이어진 다. 산화갈륨은 실리콘 카바이드(SiC)와 질화갈륨 등 기존의 와이드 갭 반도체보다 큰 밴드갭을 가지며, 고내압( 高 耐 壓 ). 저손실 파워 디바이스 용도의 새로운 반도체 재료로 기대되고 있다. 또한 기존의 재료에서는 불가능한 융액( 融 液 )성장법 이라고 불 리는 방법으로 간단하게 단결정 기판을 만들 수 있다는 점에서 기 판을 대형화하기 쉽고, 저가로 저에너지 디바이스를 제작할 수 있 다. 기판 제작 시에 고온, 고압과 같은 조건도 필요치 않다. 기판의 단가는 앞으로는 SiC와 질화갈륨 기판의 100분의 1 이하의 가격 이 될 것으로 보고 있다. 이번에 새로운 디바이스 프로세스 기술을 개발, 가장 실용에 적합 한 트랜지스터의 일종인 MOS트랜지스터를 제작, 그 동작 실증에 세계 최초로 성공했다. 단순한 구조임에도 불구하고 높은 전류 온 오프비( 比 )등을 확인, 파워트랜지스터로서 실용 상 요구되는 성 능을 이미 만족시켰다고 한다. 디바이스 손실은 SiC와 질화갈륨 보다 10분의 1 정도로 낮출 수 있다. 송배전( 送 配 電 )과 철도 등의 고내압 분야부터 전기, 하이브리드 자동차 등 중내압 분야까지 폭넓게 사용할 수 있는 파워디바이스 가 될 것으로 보고 있다. 일간공업 이트륨계 초전도 선재 저가 제조 昭 和 電 線 케이블시스템은 國 際 超 傳 導 産 業 技 術 硏 究 센터(ISTEC) 와 공동으로 저가의 액상( 液 相 ) 프로세스를 사용하여 약 130미 터의 긴 이트륨계 초전도 선재를 제조하는 기술을 확립했다. 9월 을 기점으로 선재를 판매한다. 新 에너지ㆍ 産 業 技 術 總 合 開 發 機 構 (NEDO) 프로젝트의 일환으로 개발했다. ISTEC가 이트륨 초전도체 속에 나노 입자를 분산시켜서 특성을 향상한 새 선재를 개발. 昭 和 電 線 이 이것을 제조 가능한 프로세 스로 개량했다. 액체 질소로 냉각한 환경 하, 3만 가우스의 자장 속에서 임계전류 밀도는 선재 단위 단면적 당 세계 최고인 20만 암페어를 달성했다. 昭 和 電 線 케이블시스템의 長 谷 川 隆 大 상무는 회견에서 종래보다 약 10배 특성이 향상되었다며, 전기는 통과시키고 열은 통과시키 지 않는 산화물 초전도체 제품의 전류 리드에 응용하여 당장 올 가을부터 판매하고자 한다. 고 밝혔다. 일간공업 名 古 屋 工 大 가 고체전해질 600 이하에서 높은 이온전도성 아파타이트형 규산 랜턴 배향에 성공 名 古 屋 工 業 大 學 大 學 院 物 質 工 學 專 攻 의 福 田 功 一 郞 교수 연구팀 은 600 이하의 저온에서 높은 산화물 이온 전도성을 보이는 고 체전해질을 개발했다. 결정을 한 방향으로 일정하게 하는 것(배 향)이 어려웠던 아파타이트형 규산 랜턴의 배향에 세계 최초로 성 공했다. 저온 하에서의 전도도는 가정용 연료전지로 사용할 수 있 는 이트리아 안정화 지르코니아 전해질보다 높다. 개발한 재료를 가정용이나 자동차용 연료전지에 응용하면 전지의 장수명화와 저 가화로 이어진다. November 2013 129

아파타이트형 규산 랜턴은 저온에서 작동하여 연료전지의 심장부 인 고체전해질에 대한 응용이 기대된다. 단, 이온 전도도의 향상 이 과제였다. 福 田 교수 등은 화학조성이 다른 2종류의 규산랜턴 의 압분체( 壓 粉 體 )를 샌드위치 상태로 겹쳐서 공기 속에서 가열 하는 방법을 채용. 최적의 조성 비율로 전도성이 높은 결정배향전 해질을 제작했다. 550 에서의 산화이온 전도도는 1센티미터 당 0.031지멘스, 600 에서의 전도도는 동 0.042지멘스를 실현. 이 연구팀이 과 거에 제작한 규산 랜턴 결정체의 2배 이상의 전도도를 달성했다. 가정용 연료전지에 사용되고 있는 이트리아 안정화 지르코니아는 고온 하에서 높은 전도도를 보인다. 따라서 700 이상의 환경에 서 사용되고 있어 주변 부재에도 고가의 내열합금 재료가 필요하 다. 이번 개발로 600 이하에서 연료전지를 작동할 수 있게 되면 부재를 스테인리스 등으로 대용할 수 있어 대폭적인 원가 절감으 로 이어진다. 또한 장치의 기동 종료를 반복하는 전지 셀의 열응 력에 의한 열화도 경감할 수 있다. 福 田 교수 등은 전해질에 최적인 전극의 연구 등을 계속하여 실용화로 이어갈 생각이다. 일간공업 절연체 계면의 초슬림( 極 薄 ) 금속층 전자구조 해명 나노기능성 재료에 응용 大 阪 大 學 産 業 科 學 硏 究 所 의 菅 滋 正 특임교수 등 연구팀은 甲 南 大 學, 독일 부르츠부르그 대학 등과 공동으로 두 개의 절연체의 계 면에 생기는 초슬림 금속층의 전자구조를 해명했다. 나노사이즈 로 사용할 수 있는 기능성 재료 등에 대한 응용이 기대된다. 연구팀은 대형방사광 시설 스프링8의 광전자분광장치에 독일 에서 만든 3원산화물, 알루민산랜턴(LAO)와 티탄산스트론튬 (STO)의 시료를 넣은 결과, 금속층과 강자성을 재현할 수 있었다. 따라서 공명광전자분광이라는 전도대에 연( 軟 )X선 방사광 등의 빛으로 여기하는 방법을 이용하자 통상은 표면에서 볼 때 묻혀 있 는 계면을 고감도로 측정할 수 있었다고 한다. 지금까지 STO단결정 기판 위에 LAO박막을 성장시키면 계면에 초슬림 금속층이 생긴다는 것으로 알려져 있었다. 단, 물질의 전 자 상태를 조사하려면 광에너지도를 높게 할 필요가 있고 그렇게 하면 얇은 계면에서 수십 암페어까지 전자 상태의 정보도 얻게 되 어 버려 어려움이 있었다. 菅 특임교수 등은 LAO 표면에 생기는 산소 결함을 통해 전자가 LAO/STO 계면으로 이동하기 때문에 계면 금속층이 생기는 것이 라고 보고 있다. 일간공업 태양광 발전의 출력저하 박막 코트로 방지 産 總 硏 등 기술 개발 産 業 技 術 總 合 硏 究 所 太 陽 光 發 電 工 學 硏 究 센터의 增 田 淳 연대연 구체장 등 연구팀은 서스티너블 테크놀로지( 東 京 都 渋 谷 區, 사장 緖 方 四 郞 )과 공동으로 태양전지 모듈의 출력저하를 동반하는 열 화감소를 억제하는 기술을 개발했다. 모듈에 사용하는 유리 기판 에 산화티탄계 복합금속화합물 박막을 코팅함으로써 열화 감소의 주요인이 되는 나트륨이온 등이 유리 기판으로 확산되는 것을 억 제했다. 태양광 발전에서는 가동 이후 단시간에 출력이 급격하게 저하되 는 PID현상 이 보고된 바 있다. 재생가능 에너지의 보급을 위해 서도 현상의 메커니즘 해명과 저가라는 대책이 요구되고 있다. 신 개발 기술로 결정 실리콘을 이용한 태양전지 모듈의 신뢰성 향상 이 전망되어 메가솔라 등의 대규모 태양광 발전 시스템의 장기 운 용에 대한 공헌을 기대할 수 있다. 일간공업 수도물을 정화 장치 렌탈 오르가노, 배달되는 물에 대항 RO막 여과형, 가정용으로 오르가노는 수돗물을 역침투(RO)로 정화하는 시스템을 개발, 가 정용으로 빌려주는 렌탈서비스를 시작했다. 반도체 제조 등 산업 분야로 기른 물 처리기술을 활용, 장치 내에 세균일 발생하는 것 을 억제하는 독자 기능을 도입했다. 하루 약 10리터의 물을 정화 했을 경우의 1개월 당 요금은 4000엔. RO막으로 정화한 물을 배 달하는 타사 서비스에 비해 가격을 약 10분의 1로 낮추었다. 인터 넷을 통해서 판매하고 첫해 1000대의 렌탈을 목표한다. 가정용 정수시스템 오스모퓨어 는 수돗물을 활성탄과 RO막으 로 여과한다. 수돗물에 포함된 염소의 일부를 잔류시키는 독자 기 구를 채용하여 장치 내의 세균발생을 억제. 정기적으로 약품으로 세정하지 않고도 장치를 청결하게 유지할 수 있다. 130 ceramic korea

활성탄과 중공사막으로 정화하는 일반적인 가정용 정수기와 비 교하여 막의 공경( 孔 徑 )이 1000분의 1 이하로, 물에 녹은 이온성 불순물의 제거도 가능. RO막으로 여과한 물을 탱크에 넣어 택배 하는 서비스와 동등한 수질을 가정에서 만들어낼 수 있다. 렌탈 서비스는 본체 장치를 무료로 빌려주고, 1년 상당분의 여과 카트리지를 4만 8000엔에 판매한다. 장치는 설치가 용이한 구조 로 설계. 주문 후에 장치와 카트리지를 택배하고 고객이 스스로 장치를 설치한다. 장치의 치수는 폭 34센티 높이 42센티 깊 이 19센티미터. 무게는 약 10킬로그램으로 펌프를 작동하기 위해 50와트의 전력이 필요하다. 오르가노가 주력으로 하는 산업용 물 처리장치 사업은 고객의 일 본 내 생산 축소에 따라 수요가 불안정 해졌다. 2012년도부터 물 처리기술을 개인용으로 응용한 제품 개발을 본격화하여 병음료 수와 공기청정장치를 투입했다. 가정용 정수시스템은 그 제3탄이 되는 상품으로 2013년도는 개인용 상품의 판매 확대로 매상고 수 억 엔을 목표한다. 일간공업 탄소섬유 복합 재료 栗 本 鐵 工 所 가 참여 차량 부품 등에 채용 겨냥 栗 本 鐵 工 所 는 탄소섬유와 수지의 복합재료 분야에 참여한다. 수 지와 유리 섬유를 조합시킨 파이프, 판재의 독자 기술을 살려서 탄소섬유의 길이와 배향성, 수지와의 혼합 방식, 형상 등 폭넓은 요구에 대응할 수 있다는 점을 무기로 한다. 자동차의 구동계 부 품 이외에 전철의 차량, 배의 부재 등에 대한 채용 활동을 추진하 고 있으며, 조기의 수주를 목표로 한다. 제조, 가공기 등을 조합시 킨 프로세스로서도 제안해 나간다. 탄소섬유 복합재료는 강도가 있고 경량화가 가능하기 때문에 금 속으로부터 이행이 진행되고 있다. 栗 本 은 채용 실적을 만듦으로 써 앞으로의 성장의 견인차로 육성해 나갈 생각이다. 자동차용은 일본의 자동차 메이커에 채용되는 것을 목표로 한다. 栗 本 이 단조( 鍛 造 )기계를 납입하고 있는 기업에 대해 시작품 등을 제공하며 제품의 특징을 역설한다. 파이프 형상의 복합재 성형 기 술을 장점으로 하므로 프로펠라 샤프트와 같은 구동계 부품부터 채용 활동을 추진한다. 탄소섬유 복합재료는 해외의 자동차 메이 커에서 채용이 있을 것으로 보여져 가까운 장래에 6000억 엔의 시장이 전망된다고 한다. 섬유강화플라스틱(FRP)의 대체로서 전 철의 차량이나 선박에 대한 채용도 목표한다. 시작품을 메이커에 제공하여 성능 등을 검증받는다. 일간공업 유기박막을 이용해 고화질 이미지센서 富 士 필름이 개발 파나소닉과 공동으로 富 士 필름과 파나소닉은 유기박막을 탑재한 상보형( 相 補 型 ) 금속 산화막 반도체(CMOS) 이미지센서 기술을 개발했다. 실리콘 포 토다이오드에 대해 유기박막 센서는 높은 광 흡수 성능과 슬림한 센서로 밝은 부분에서의 색 변화가 매끄러워서 어두운 부분의 노 이즈도 개선한다. 디지털카메라와 휴대용 카메라 이외에 감시, 차 량용 카메라를 대상으로 상업화에 들어간다. 富 士 필름이 개발한 유기박막과 파나소닉의 반도체 디바이스 기술 을 조합했다. 유기박막은 두께 0.5마이크로미터로 실리콘제의 20% 이하. 수광 ( 受 光 ) 면적이 늘어나기 때문에 센서의 감도가 20% 향상되었다. 입사광선 범위가 종래의 30-40도에서 60도로 확대되었기 때문 에 렌즈의 소형화로도 이어진다. 광량( 光 量 )의 식별도 보다 정밀화했다. 다이내믹 렌즈는 88데시 벨로 전기신호의 포화값이 종래의 4배로 향상. 밝은 부분에서 뿌 옇게 들뜨는 현상이 잘 발생하지 않으며 어두운 부분에서 노이즈 를 억제할 수 있다. 자원 개발의 젊은이 육성 에너지 廳 2014년도 개산( 槪 算 ) 요구에 제안 經 濟 産 業 省 ㆍ 資 源 에너지 廳 은 2014년도 예산의 개산 요구에 일본 주변의 해양자원과 해외의 화석에너지, 레아메탈(희소금속) 등의 광물자원 개발에 없어서는 안 되는 차세대 전문 인재를 육성하는 새로운 틀을 짜 넣는 검토를 시작했다. 자원개발의 전문학부를 창 설하는 등 양성에 적극적인 대학을 예산과 프로그램으로 지원한 다. 자원개발은 정부의 성장전략의 기둥인데, 탐사기술과 인재의 개발이 해외 세력에 뒤늦어 있다. 세계 수준을 지향하며 발전과 제련과 같은 일본이 강세인 분야와 팩키지형 인프라 수출로 이어 나간다. 經 産 省 ㆍ 資 源 에너지 廳 은 지금까지 자원 개발 조사와 기술의 고도 November 2013 131

화, 재활용, 대체 재료와 고순도화 같은 기업의 연구개발을 지원 하는 예산을 조치해 왔다. 經 産 省 은 2014년도 예산의 개산 요구 에서 실제로 개발을 담당할 인재가 부족하다는 현상을 인정하여 에너지와 광물자원 조달처의 다양화를 뒷받침할 기반이 될 전문 인재의 육성을 자원정책의 골자로 할 방침이다. 구체적으로는 자원의 탐사와 시굴, 굴삭, 생산 등과 같은 자원개 발 기술의 전문 인재를 육성하고 있는 대학을 집중적으로 지원한 다. 지원책의 상세한 내용은 앞으로 계속 나오겠지만 탐사를 하는 기업이나 개발에 대해 잘 아는 해외 마이닝 컨트랙터 등과의 협엽 등, 산학관이 협력하는 조합 등을 상정한다. 일본은 5월에 국내에서 열렸던 일본 아프리카 자원 장관 회합 의 첫 회합에서 석유와 석탄, 광물자원 등이 풍부한 아프리카 지역 에 대해 5년 동안 20억 달러의 리스크 머니 공급과 자원분야에서 1000명의 인재 육성에 관한 협력을 표명. 각국의 찬동을 얻었다. 단, 일본은 국내에 광산과 자원개발 현장을 거의 갖고 있지 않기 때문에 현장력이 부족하다는 지적이 자민당( 自 民 党 )과 經 産 省 내 에서 나오고 있다. 2014년도 이후는 개발기술의 고도화와 함께 오랜 시간 혼미한 상태인 자원 개발의 전문 인재 육성을 시동. 성 장 전략의 구체화를 위해 경제계와 교육기관을 지원한다. 원자력발전소의 재가동을 전망할 수 없는 가운데 전력 공급을 화 력에 의존하여 연료 원가가 상승. 전력회사의 가격인상이 계속 이 어져 연료 조달처의 다양화와 자주 개발, 권익 확보와 같은 자원 개발의 중요성이 커지고 있다. 다이클로 할로겐램프 LED로 높은 발광 효율 두엘어소시에이트 올해 안에 100만 개 생산 두엘어소시에이트( 大 阪 市 西 區, 사장 綱 澤 正 泰 )와 日 本 네트워크 서포트( 大 阪 市 中 央 區, 사장 岸 田 哲 二 )는 발광다이오드(LED)형 다이클로 할로겐램프 ET2204, 동 ET2206 을 9월에 출하한 다. 복수의 LED칩을 패키지화하여 빛을 균일하게 하는 고집적 구 조를 채용했다. 높은 연색성과 발광효율을 양립했다. 지난 6월에 양산 체재를 정비하였고 올해 약 100만 개를 생산할 계획. 동 2204는 평균 연색 평가수(Ra) 90으로, 발광 효율 1와트 당 105루멘을 달성했다. 동 2206은 Ra 95로 발광효율은 1와트 당 83루멘. 모두 소비전력 5와트. E11형 마개로 사이즈는 직경 약 50밀리 높이 약 65밀리. 가격은 1개 4000엔대로 설정. 연색성 을 중시하는 화장품 매장 등을 중심으로 제안한다. 보통은 연색 수를 올리면 발광효율이 떨어진다. 그러나 빛의 투과 율을 낮추는 적색 소자를 거의 사용하지 않고 난색을 재현하여 연 색성과 발광효율을 양립했다. 독자의 소자 구성으로 점등 직후에 비해 30분 경과한 후에 연색 수가 상승한다. 커버 전체를 투명 글 라스로 하여 장식성도 높였다. 일간공업 세라믹스 기판 인도네시아에서 증산 노리타케 해외 거점 확충 차량 탑재 부품ㆍ의료기기용 노리타케 컴퍼니 리미티드는 인도네시아에서 차량 탑재 전자부 품과 의료기기 등 용도의 세라믹스 기판을 증산한다. 약 5억 엔을 투자하여 2014년 1분기까지 현지의 생산 자회사( 西 자와 市 )의 생 산 능력을 종래 대비 20% 끌어올린다. 松 阪 공장( 三 重 縣 松 阪 市 ) 에서 현지로 생산 이관도 추진한다. 현지 생산을 확대하여 아시아 등 신흥국을 중심으로 한 수요 증가에 대응한다. 생산하는 것은 후막( 厚 膜 ) 회로기판. 세라믹스 기판은 내열성이 높다는 것이 특징으로, 이 회사 제품도 차량 탑재용 전자부품을 중심으로 판매를 늘려나가고 있기 때문에 증산을 결정했다. 현재는 松 阪 공장과 일본 내 협력기업, 인도네시아 공장 등 모두 3 개 거점에서 이 기판을 제조한다. 연간 생산 규모는 매상고 베이 스로 32억 엔(2013년 1분기). 이 가운데 인도네시아 공장이 약 50%를 차지하고 있다고 한다. 노리타케는 해외 사업의 신장으로 해외 생산 거점의 확충을 서두 르고 있다. 2014년 1분기는 인도네시아 공장 이외에 태국의 다이 아몬드공구 공장을 증강. 중국에서 철강업계용으로 연삭지석을 만드는 새 공장도 가동한다. 2013년 1분기에 15%였던 해외 생산 비율을 2016년 1분기에 24%까지 높일 생각이다. 일간공업 132 ceramic korea

전시회 국내 최초 첨단신소재 전문 전시회 코리아 컴포짓 쇼 금속산업대전 2013 과 동시개최로 시너지 효과 기대 지난달 16일부터 19일 4일간, 일산 킨텍스에서 코리아 컴 포짓 쇼(Korea Composite Show) 가 열렸다. 한국첨단소재 기술협회(SAMPE Korea)와 한국전람 이 공동으로 주최한 이번 전시에서는 탄소복합소재, 나노복합소재, 친환경 천연 강화재, 그리고 이러한 신소재를 생산하기 위한 각종 기술과 기계들을 한 자리에서 만날 수 있었다. 전시 기간 내에 각종 기술세미나와 워크샵, 대규모 해외 바이어 초청 수출상담회 도 함께 진행됐다. 또한 기반 산업, 자본재 산업체들이 모인 한국금속산업대전 과 동시에 열려 첨단 신소재의 필요성이 점차 높아지는 해당 산업의 참가업체와 바이어를 연결하는 시너지 효과도 노렸다. 전체 부스 중 세라믹 관련 업체는 고산산업주식회사, (주) 케이엔테크, 백석엠텍, 주식회사SMA, (주)모건씨앤에프, 성 균관대스마트부품 도금산업 고부가가치화 지원사업단(RIS) 참여기업 등이 있었다. 주조용 내화물과 로, 원부자재 등을 취급하는 곳이 주를 이뤘고 세라믹 부품 및 도금 업체도 볼 수 있었다. 고산산업주식회사는 주조산업에 필요한 파인세라믹스 제 품들과 원부자재를 수입, 판매하는 업체다. 일본과 독일 기 업의 SiC히터튜브와 도가니, 고순도 알루미나 벽돌 및 각종 내화물, 단열보드, 첨단 세라믹 제품 등을 취급하고 있다. 세라믹 브러쉬, 연마용 휠 등을 제작하는 SMA는 수입품 November 2013 133

효성의 탄소섬유로 만들어진 자전거 프레임 케이엔테크의 에코전기용해로는 열선 교체방식으로 제작돼, 로 수리 시 발생하는 열손실을 획기적으로 줄였다. 백석엠텍의 주조용 세라믹 제품들은 1200 까지 견딜 수 있다. 금속을 흘려보내는 안쪽 부분엔 특수 코팅처리가 돼 있다. 오른쪽 제품은 흑연이 주재료다. 재료연구소 부스에서 볼 수 있었던 그래핀 기술 제품들 고산산업의 파인세라믹스 제품들. 세라믹 산업 강국인 일본과 독일에서의 수입이 활발하다. 134 ceramic korea

관람객들이 한국탄소융합기술원 입주기업의 제품을 살펴보고 있다. SDM의 신제품 다이아몬드 연마휠. 국내 세라믹 브러쉬 제작업체 숫자는 한손에 꼽을 정도로 적다. 만 존재하던 시장에 국내기술로 진입한 곳이다. 제품이 소 형화 될수록 적층된 부품들을 균일하게 눌러주는 브러쉬 공 정이 필수적이다. 업체 관계자는 국내 제품이 일본제품에 비해 저렴하고, 품질도 결코 뒤지지 않는다 고 자신감을 내 비쳤다. 케이앤테크는 내부열선을 교체형으로 제작한 에코 전기용 해보온로를 선보였다. 강용환 대표는 기존 제품사이에서 경 쟁하기보다, 기술개발과 투자를 통해 틈새시장을 공략하고 부가가치를 생산해야 업계에서 살아남을 수 있을 것 이라고 말했다. 한편 이번 전시에서 주목받았던 건 단연 탄소소재 제품들 이었다. 전북은 지역 신성장동력 산업으로 탄소를 선택, 탄 소밸리를 구축해왔다. 효성과 손잡고 약 3년여의 연구에 끝 에 탄소섬유개발에 성공하면서 상용화에 박차를 가하고 있 다. 이날 효성 부스에서는 의류, 잡화, 자전거, 스포츠 용품, 낚싯대, 항공우주조선 소재 등 탄소섬유로 만든 다양한 제 품들을 전시했고, 한국탄소융합기술원 지원기업들도 탄소섬 유를 이용한 제품들을 선보였다. KIST전북분원 복합소재기술연구소 박항래 담당관은 고 도의 생산기술이 필요한 첨단 신소재인 탄소섬유를 우리 기 술로 개발, 생산으로 수입대체효과와 더불어 우리 기술의 위 상을 높이고 한단계 높였다 며 정부 민간 연계사업의 좋은 선례로 남을 수 있도록 폭넓게 실용화 시키는 것이 목표 라 고 전했다. 백진기자 November 2013 135

전시회 전자산업기업, 여기 다 모였네! 국내 최대 규모 전자산업전시회 2013 전자정보통신산업대전 개최 련 국내 대기업과 글로벌 기업들의 부스가 눈에 띄었고, 많 은 이들이 방문했다. 그러나 전시회 전체적인 분위기가 대기업들에게 집중돼 있어 소규모 업체 부스로 향하는 관람객의 발길이 상대적 으로 적었던 것이 아쉬움으로 남는다. 세라믹 업체로는 미코 (구 코미코), 신성세라믹, 한송글로벌, (주)에이엔텍, HB테크 등이 참가 했는데, 전자산업 분야를 광범위하게 포괄한 이 번 전시회의 특성상 세라믹계의 참여가 적었다. 때문에 이 달 중순에 있을 국제희소금속/복합재료전시회 에서 다양한 업체들을 만나 볼 수 있을 듯하다. 20개국 800여개 업체가 참여해 2,300부스가 마련된 이 번 전시는 참관객 수 약 6만 명으로 국내 최대 규모로 치러 졌다. Creative It, Be in IT!(창조적인 IT, 그 세계로 오세요!) 를 주제로 해 부품, 소재, 장비부터 멀티미디어, ICT, S/W, Mobile, 스마트융합 등 전자IT산업의 뿌리부터 열매까지 한 눈에 볼 수 있도록 꾸며졌다. 주요 행사로 전자/IT의 날 기 념 IT유공자 시상식, 각종 산업전망 컨퍼런스와 세미나, 투자 올해 10월은 1일 디스플레이의 날 부터 시작해 전자정보 통신산업대전, 국제반도체대전, 국제정보디스플레이전 금 속산업대전 과 같은 산업전시회, 한국세라믹학회, 결정성장 학회 및 각종 세라믹 관련 학회들도 줄지어 학술대회를 열 었다. 행사로 가득한 풍성한 10월이었다. 지난 달 7일부터 10일까지 나흘간 일산 킨텍스에서 산업 부와 미래부, 경기도가 주최한 2013전자정보통신산업대전 이 열렸다. 삼성과 LG, SK, 머크, LIG, 퀄컴 등 전자산업 관 미코의 알루미나, 이산화이트륨 등 세라믹 소재 제품들. HB테크 관계자가 관련학과 학생들에게 제품에 대해 설명하고 있다. 136 ceramic korea

삼성과 LG의 곡선형 OLED TV에 관람객들의 관심이 뜨겁다. 설명회, 기술설명회, 비즈니스 포럼, 무역 상담회 등도 함께 열려 전시회의 내실을 알차게 했다. 전시에 출품된 세라믹 제품들은 업체별로 차이가 있었다. 미코는 세라믹 시트, 모듈, 웨이퍼, 에이엔텍은 석영렌즈, 지 르코니아 및 실리콘카바이드 제품들을 선보였다. HB테크 는 세라믹 정밀기계부품, 카본 및 엔지니어링 플라스틱을, 신 성세라믹은 세라믹 안테나와 센서, 내충격 세라믹 복합재 슈 트라이너를 가지고 나왔다. 한송글로벌은 자체 생산한 웨이 퍼용 연마재와 수입 판매하는 세라믹 파우더를 전시했다. 신성세라믹 이강희 차장은 업체들에서 중복으로 생산하 는 제품이 많다보니 가격경쟁력이 떨어지는 부분을 보완하 기 위해 제품개발에 힘쓰고 있다 고 밝혔다. 현재는 기존에 만들어오던 제품들보다 신제품 매출비중이 높다 며 신 시 장 개척으로 수요처를 다양화해야 업계에서 살아남을 수 있 다 고 전했다. 백진기자 신성세라믹의 세라믹 제품. 오른쪽이 화력발전소로 납품되는 세라믹 복합재 슈트라이너다. 글로벌 소재기업 머크의 제품과 재료들 November 2013 137

Focus 과학터치 한국연구재단 주관으로 마련된 금요일에 과학터치 는 국민의 세금으로 수행되는 연구결과를 국민들에게 되돌려주기 위해 마련된 강연이다. 세라믹코리아에서는 금요일에 과학터치 강연을 한국과학재단의 협조로 매달 1~2편 소개하고 있다. 이번호에서는 지난 9월 27일 대구광역시립중앙도서관에서 진행된 서울대학교 조맹효 교수의 원하는 모양으로 변형되는 광반응 구조체 를 소개한다. - 편집부 - 원하는 모양으로 변형되는 광반응 구조체 서울대학교 기계항공공학부 조맹효 교수 그림 1. 광반응 자가변형구조체 연구 개요도 연구 배경 문명의 시작에서부터 인류와 함께해 온 빛은 지구상의 모든 생명체를 유지시키는 에너지의 근원으로서 뿐만 아니라 보다 윤택한 삶을 영위할 수 있는 앞길을 제시해주고 자연계에 숨겨진 이치를 밝혀주는 과학기술적 등대의 역할을 해왔다. 특히 현대 과학기술 발전 이면에 존재하는 환경오염, 화석연료 고갈, 지구온난화같이 심각한 부작용에 대한 전 세계적인 우려는 빛에너지를 새로운 대안으로 활용할 수 있는 과학기술의 필요성에 대한 공감대를 형성시켰다. 하지만 빛을 활용하기 위한 연구는 빛을 가용한 에너지 형태로 변환하는 과정을 거쳐야 하는 어려움을 내포하고 있으며, 기상에 따른 가변적 공급, 빛 에너지 저장과 이동의 용이성 확보 등 극복해야할 여러 한계점들이 존재한다. 그러나 다른 형태로 여러 번에 걸쳐 전환되어 사용되는 기존의 에너지원과는 다르게 빛은 기계적 변형의 직접적 연결이 가능하다. 때문에 비교할 수 없는 고효율의 가능성을 시사하며, 나아가 자연 상태의 빛을 이용하는 생물체의 거동으로부터 착안된 생체모사기술(biomimetics)과의 결합을 통해 빛에너지 활용의 새로운 장을 열 수 있다. 이처럼 무궁한 가치와 잠 138 ceramic korea

재성을 지닌 빛-기계 연성의 다물리(multiphysics) 현상에 대한 연구는 지금까지 적절하고 명확한 방향과 해답이 제시되지 못한 상태지만, 머지않아 실질적 활용을 위한 한계를 극복할 수 있는 분야다. 강연내용 본 강연에서는 빛의 조사에 따라 변형을 일으키는 광반응구조체에 대해 살펴본다. 광반응을 일으키는 빛에 대한 설명과 더 불어, 최근 연구가 이루어지고 있는 광반응 구조체인 아조벤젠 액정 중합체나 폴리스티렌과 같은 광반응 재료들에 대한 이 해를 돕는다. 이 후에는 광반응 구조체의 상위 개념이라고 할 수 있는 지능 재료의 필요성 및 종류에 대해 살펴 본 후, 기존 의 지능 재료들에 비해 광반응 구조체가 가지는 장점인 원격 조정, 빠른 응답 속도 및 편광에 따른 변형 제어 등에 대해 설 명한다. 더불어 광반응 구조체를 이용한 자벌레의 운동 모사, 굴삭기, 투석기, 전동기의 구현과 같은 세계 각국의 광반응 구조체 연구에 대해 살펴본 후, 그림 2(뒷면)와 같은 패터닝 기술을 이용한 광반응 구조체의 복합 거동과 같은 본 연구단의 연구에 대한 내용을 전달한다. 이러한 연구들을 통해 수행한 약물 전달에 사용 가능한 지능 캡슐에 적용 가능한 순차적 접힘 구현 과 광반응 구조체를 이용한 쌍안정 구조물을 소개한다. 마지막으로 광반응 구조체의 활용 방안에 대해 살펴봄으로써 광반 November 2013 139

Focus 그림 2. 강화재 패터닝을 통한 광반응 물질의 말림/굽힘/접힘 변형 구현 응 구조체의 미래에 대해 살펴보면서 광반응 구조체의 유용성 및 앞으로의 가능성도 파악해보고자 한다. 연구팀 및 연구 소개 서울대학교 기계항공공학부 조맹효 교수 연구팀은 올해부터 미래창조과학부의 지원으로 리더 연구사업 광반응 자가변형 구조체 설계 및 구현 연구를 수행하고 있다. 조맹효 교수는 공학 분야에서 전문적 식견을 가진 석학으로서 새로운 접근법을 통해서 공학적, 물리적 현상을 해석하는 연구를 수행해왔다. 특히, 거시적인 공학 분야와 미시적인 물리, 화학 분야와의 연 계에 관한 연구에 집중하여 2009년 출간한 나노복합재의 멀티스케일 해석 에 대한 논문은 American Physical Society와 American Institute of Physics가 공동으로 주관 하여 응용물리학 분야에서 출판되는 논문 중 특 별히 중요성과 학문적 우수성이 높은 논문들을 선별하여 출판하는 Virtual Journal의 Nanoscale Science&Technology 분야(Vol.24, Issue 19)와 Bio Physics Research(Vol. 17, Issue 12)에 동시 에 선정되어 연구업적의 공학적 중요성을 입증 받 았다. 조맹효 교수 연구팀은 광반응 물질의 자가변형 조절을 위해 양자-분자-연속체 스케일의 해석/ 설계를 체계적이고 창의적으로 융합 하고, 다양한 기계적 변형을 구현하는 메커니즘을 미시적, 거시 적 수준에서 해석 설계 하는 일련의 과정을 구축 중이다. 또한 빛에 의한 물질의 단순 변형에서 무 궁무진한 기계적 변형의 조합을 이끌어내는 새로 운 원천기술 을 확립하고, 구축된 설계 기술로부터 광반응 자가변형구조체를 제작하여 구현 하는 것 을 최종 목표로 연구를 수행하고 있다. 140 ceramic korea

얼음의 나이_ 기후변화를 담아낸 책은 많다. 하지만 대부분 기후변화의 위협과 환경보호에 대한 경각심을 불러일으키는 데 그친다. 한편에 선 기후변화를 국가 간 정치적 아젠다나 비즈니 스로 본다. 먼 미래의 일이라는 낙관자의 시선도 있다. 이 책은 이러한 시선들 사이로 과학을 끌 어들인다. 또 해수면 상승과 고대 문명의 기원 시점, 노아의 홍수와의 연결 가능성 등 기후변화 에 대한 흥미로운 이야기들을 들려준다. 저자_ 오코우치 나오히코 출판사_ 계단 위대한 수학문제들_ 수학사를 뒤흔든 14가 지 수학 난제에 대해 풀어낸 책이다. 일반 독자 들도 이해할 수 있을 만큼 충실하게 설명하면서 도 난제가 가진 의미, 난제의 해결이 가져올 우 리의 미래, 또 난제를 풀기 위해 고군분투하는 수학자들의 에피소드를 다루었다. 저자인 이언 스튜어트 교수는 최고의 수학 대중화 필자 라는 평가에 걸맞게, 우리의 삶과 무관해 보이는 이 수학난제들이 실제 우리 삶과 어떻게 연관되어 있는지 흥미롭게 설명하고 있다. 저자_ 이언스튜어트 출판사_ 반니 발견을 예견하는 과학_ 평생을 과학자로 살 아온 저자는 과학의 흐름을 물질, 생명, 인간이 라는 세 차원으로 나눠 상세히 설명한다. 이를 위해 고대에서부터 현재까지 이어지는 과학자들 의 연구업적을 정리했다. 태초부터 오늘날 우리 인간의 환경조성 및 주변의 수많은 생명체들을 포함하는 우주의 여로를 다시 되새기는 계기를 마련하면서, 앞으로 예상되는 위험요소들을 그 동안 쌓은 과학의 산물을 통해 극복하고자 하는 저자의 의도가 엿보인다. 저자_ 존 매독스 출판사_ 나남출판 근대 엔지니어의 탄생_ 근대 엔지니어는 산 업 사회를 이끌었으며 물질적 토대를 만든 역사 의 주역이다. 이들이 이룬 혁신 기술은 자본가 에게 새로운 이윤을, 노동자에게 육체적 고통 을 덜어줬다. 이 책은 한국사회가 당면한 과학기 술, 엔지니어와 관련한 문제를 해결하기 위해서 는 엔지니어의 일반적인 특성과 문화에 대한 이 해가 필요하다는 지적에서부터 시작됐다. 프랑 스 독일 영국 미국 등 4개국 엔지니어 역사 를 조망하며 그동안 주목받지 못했던 엔지니어 집단을 성찰하고 있다. 저자_ 김덕호 외 출판사_ 에코리브르 펴냄 왜 시간은 앞으로만 갈까?_ 한가위 보름달 을 보면서 이런 생각을 해 본 적 있을까. 어릴 때 본 보름달이 더 컸던 것 같은데. 제대로 본 것 이다. 달은 매년 4cm씩 지구에서 멀어진다. 당 신이 쉰 살이라면 달은 당신이 태어날 때보다 2m나 멀어졌다. 이 책은 이처럼 단순하지만 심 오한 50여 가지 질문에 대한 명쾌한 과학적 해 답을 제시한다. 바다는 왜 파란가, 바람은 왜 불 까, 지구는 왜 둥글까. 책 제목에 대한 답은 우 주 탄생 이후 엔트로피(무질서)가 계속 증가하 는 열역학 제2법칙에 있다. 저자_ 조엘레비 출판사_ 씨네스트 4퍼센트 우주_ 우주에는 암흑물질 이라 불 리는 신비한 물질이 23퍼센트, 암흑에너지 라 불리는 훨씬 더 신비한 물질이 73퍼센트 존재한 다. 여기서 암흑 은 검다 나 블랙홀 을 의미하 는 것이 아니라 밝혀지지 않아 알 수 없는 무언 가 를 지칭한다. 다시 말해 지구, 태양, 행성, 은 하 등 우리가 익히 알고 있는 물질은 오로지 우 주의 4퍼센트에 불과한 셈이다. 저자는 방대한 조사와 집요한 취재를 바탕으로, 우주의 96퍼센 트를 차지하고 있지만 오직 중력을 통해서만 감 지되는 기이한 존재인 암흑물질 과 암흑에너 지 의 탐구 여정을 책에 담아냈다. 저자_ 리처드 파넥 출판사_ 시공사 November 2013 141

단신 및 동정 인사 산업통상자원부 기획재정담당관실 서기관 김윤기 기획재정담당관실 서기관 이승헌 행정관리담당관실 서기관 최만현 무역정책과 서 기관 김현철 투자정책과 서기관 김민정 산업정책과 서기관 박성준 기계로봇과 서기관 고상미 창의산업정책과 서기 관 심균택 지역경제총괄과 서기관 고현 산업기술시장과 서기관 한영열 통상협력총괄과 서기관 김영윤 통상협력총 괄과 서기관 한영로 자유무역협정상품과 서기관 윤정원 에너지자원정책과 서기관 정재환 석유산업과 서기관 김정예 석유산업과 서기관 배성준 산업정책과 기술서기관 송호기 전자부품과 기술서기관 박용민 철강화학과 기술서기관 권현철 섬유세라믹과 기술서기관 문철환 조선해양플랜트과 기술서기관 이진모 창의산업정책과 기술서기관 박종학 산업기술개발과 기술서기관 고광필 구주통상과 기술서기관 김용태 가스산업과 기술서기관 서성태 신재생에너지과 기 술서기관 남궁재용 에너지수요관리정책과 기술서기관 이혁재 에너지수요관리정책과 기술서기관 권덕중 미래창조과학부 대변인 정한근 과학기술정책국장 이동형 과학기술인재관 장석영 방송진흥정책관 박윤현 인터넷정책관 이진규 통신정책국장 김주한 심의관 마창환 국제전기통신연합(ITU) 전권회의 의장 민원기 국립과천과학관장 김선빈 ETRI(한국전자통신연구원) 융합기술연구부문 소장 김종대 전략기획본부 본부장 함진호 기초과학연구원 IBS 핵입자천체물리학 지하실험연구단 그룹리더 김용함 원자제어 저차원전자계연구단 그룹리더 조문호 원자제어 저 차원전자계연구단 그룹리더 최희철 식물 노화 수명 연구단그룹리더 황대희 한국산업기술진흥원 기술기반본부장 석영철 기업지원본부장 장필호 경영기획본부장 여인국 산학협력단장 김류선 소재부품단장 박상 이 국제기술협력단장 이상근 기술사업화단장 김성재 산업기술정책센터장 오명준 감사실장 허규 대외협력실장 직 무대행 변동철 기획예산실장 이찬영 경영지원실장 김병규 사업관리실장 조항민 부고 광주과학기술원 이관행 부총장 부친 10월 13일 별세 빈소 서울 강남구 일원동 삼성서울병원 장례식장 20호실 발인 2013. 10.15(화) 고려대학교 신소재공학부 이종흔 교수 부친 10월 14일 별세 빈소 부산시 수영구 광안2동 서호병원 장례식장 VIP실 발인 2013. 10.16(수) 142 ceramic korea

동정 윤창현 전 청와대 과학기술비서관, 충남TP 8대 원장 내정 전임 원장 퇴임으로 1개월여 간 공석으로 있던 충남테크노파크 8대 원장에 윤창현 전 청와대 과학기 술비서관이 선임됐다. 윤창현 원장 내정자는 보성고와 서울대를 졸업한 뒤 미국 럿거스대에서 기계공 학 석사와 박사 학위를 받았다. 이후 한국기계연구소 기계공학연구부장, 과학기술처 기계연구조정관, 대통령비서실 경제수석실 과학기술비서관, 한국생산기술연구원 부원장, 송도테크노파크 원장 등을 역임했다. 성균관대 원병묵 교수, 네이처 자매지 편집위원 선임 성균관대학교 원병묵 교수(신소재공학부 및 나노과학기술대학원)가 사이언티픽 리포트(Scientific Reports) 의 유체 및 플라즈마 물리 분야 한국인 편집위원으로 처음 선임됐다. 사이언티픽 리포트는 세계적 과학저널 네이처의 자매지다. 원 교수는 2년 동안 유체 및 플라즈마 물리 분야에 투고된 논문에 대해 심사 게재 승인 여부를 결정한다. 원병묵 교수는 네이처 커뮤니케이션 표지논문과 물리학 분야의 저명 학술지 피지컬 리뷰 레터스 에 논문 6편을 잇따라 발표하는 등 X선 현미경을 이용해 연성물질 및 유체의 운동을 해석한 세계적 권위 자이다. 사이언티픽 리포트는 모든 과학 분야의 최신 연구논문을 출판하며 네이처와 네이처 자매지에 투고됐다가 옮겨진 우 수 논문을 게재한다. 한양대 이창희 교수, 대한금속 재료학회 제44대 회장 선출 대한금속ㆍ재료학회 제 44대 회장에 한양대학교 이창희 교수가 선출되었다. 이창희 신임회장은 지난달 24일 광주김대중컨벤션센터에서 개최된 대한금속ㆍ재료학회 정기총회에서 학회장에 선출됐으며, 임 기는 2014년 1월 1일부터 2014년 12월 31일까지이다. 이창희 신임회장은 지난 26년간 RIST, 포스코기술연구소, 한양대학교에서 연구에 정진하며, 철강재 료 및 용접야금 분야의 권위자로서 특히 표면개질 연구 분야에서 국제적으로 선도적 역할을 하여 왔 으며, 2007년부터 국가 철강기술 발전과 전문 기술인력 양성을 위한 포스코 철강전문 교수 및 석좌교 수로 임명, 현재까지 철강 분야에서의 수많은 활동을 통하여 학문적인 업적뿐만 아니라 국가 산업 발 전에도 현저한 업적을 세웠다. 그동안 국내외 저명 학술지에 260여편의 논문을 발표하였으며, Spray coating 및 Welding metallurgy 관련 국제전문학술회의에 수차례 초청되어 Keynote Speaker로 강연한 바 있다. 또한 용접접합편람 및 철강공 학 등 총 4권의 저술 활동을 한 바 있으며, 학문적, 산업적 업적들이 대내외적으로 인정되어, 여러 단체에서 학술상 및 논문 상등을 수상을 하였으며, 한양대학교 철강공정및응용연구소장, 한국과학기술학림원 정회원, 한국공학한림원의 정회원으로 선정, 현재 우리나라 재료공학계를 대표하는 학자이다. 결혼 (주)맥테크 김병학 대표(대경파인세라믹스협의회 회장) 장남 김재훈군 결혼 일시 11.17(일) 오후 1시 20분 장소 대구 인터불고호텔 엑스코 지하 1층 블루벨홀 November 2013 143

Patent Information 세라믹스 관련 주요 특허출원 공개목록 내국인 2013년 9월 1일 ~ 9월 30일 번 호 명 칭 출 원 인 10-2013-0104989 세라믹 분말의 합성방법 및 이로부터 합성되는 세라믹 분말, 소결체 및 세라믹 분말의 합성장치 (Ceramic powder and synthesis method, sintered body and device for synthesis of the same 주식회사 비츠로셀, 한국세라믹기술원 10-2013-0106196 적층 세라믹 커패시터용 내환원성 저온소성 유전체 세라믹 조성물 및 그의 제조방법 (Non-reducible low temperature sinterable dielectric ceramic composition for multi layer ceramic capacitor and manufacturing method thereof 삼화콘덴서공업주식회사 10-2013-0096855 생활폐기물 소각 바닥재와 정수 슬러지를 이용한 세라믹 제품의 제조방법 및 이를 이용한 제조된 세라믹 제품 (MANUFACTRUING METHOD FOR CERAMIC PRODUCTS BY USING MUNICIPAL SOLID WASTE INCINERATOR BOTTOM ASH AND WATER SLUDGE AND CERAMIC PRODUCTS MANUFACTURED BY THE METHOD 서울특별시, 명지대학교 산학협력단 10-2013-0102247 다공성 세라믹 코팅 방법 (METHOD FOR COATING POROUS TiO2) 한양대학교 산학협력단 10-2013-0106176 다공성 세라믹 담체를 활용한 가열식 가습기 (HEATING TYPE HUMIDIFIER USING POROUS CERAMIC SUPPORT) 최재구 10-2013-0099891 세라믹 부직포를 이용한 방열 패드 및 그의 제조방법 (HEAT DISSIPATION PAD USING NON-WOVEN CERAMIC FABRICS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF) 한국세라믹기술원 10-2013-0096852 세라믹 코팅제 및 이를 이용한 다공성 세라믹 주방기물 제조방법(Ceramic coating materials and manufacturing methods of porous ceramic based cooking ware) (주)세라켐, 박홍욱 외국인 2013년 9월 1일 ~ 9월 30일 번 호 명 칭 출 원 인 10-2013-0100132 폴리비닐 아세탈 수지, 그 슬러리 조성물, 세라믹 그린 시트 및 적층 세라믹 콘덴서(POLYVINYL ACETAL RESIN, SLURRY COMPOSITION PREPARED THEREFROM, CERAMIC GREEN SHEET, AND MULTILAYER CERAMIC CAPACITOR) 가부시키가이샤 구라레 10-2013-0103330 세라믹 형상화 연마 입자, 이의 제조 방법 및 이를 함유하는 연마 용품(CERAMIC SHAPED ABRASIVE PARTICLES, METHODS OF MAKING THE SAME, AND ABRASIVE ARTICLES CONTAINING THE SAME) 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파 니 10-2013-0098893 방전 램프용 세라믹 아크 튜브 및 제조 방법(CERAMIC ARC TUBE FOR A DISCHARGE LAMP AND METHOD OF MAKING SAME) 제너럴 일렉트릭 캄파니 10-2013-0097644 세라믹 타겟을 사용한 스파크 증착 방법(METHOD FOR SPARK DEPOSITION USING CERAMIC TARGETS) 오를리콘 트레이딩 아크티엔게젤샤프 트, 트뤼프바흐 10-2013-0103784 광변환용 세라믹 복합체 및 그 제조방법(CERAMIC COMPOSITE FOR PHOTOCONVERSION, AND METHOD FOR MANUFACTURE THEREOF) 우베 고산 가부시키가이샤 10-2013-0101016 세라믹 코팅부를 가지는 크리스탈 성장 장치 및 이의 용융물 파열 방지 방법(CRYSTAL GROWTH APPARATUS WITH CERAMIC COATING AND METHODS FOR PREVENTING MOLTEN MATERIAL BREACH IN A CRYSTAL GROWTH APPARATUS) 지티에이티 코포레이션 10-2013-0105818 가스-매개성 조립식 다공성 조립체를 통해 다공성 세라믹 필터 상에 차등층을 적용하는 방법 (METHOD FOR APPLYING DISCRIMINATING LAYER ONTO POROUS CERAMIC FILTERS VIA GAS-BORNE PREFABRICATED POROUS ASSEMBLIES) 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 144 ceramic korea

주요 등록특허 공개내용 2013년 9월 1일 ~ 9월 30일 저온 소성형 세라믹 코팅제 및 세라믹 코팅층 전사지 부착방법 출원번호 10-2011-0135100 등록번호 10-1307-2180000 특허권자 (주)세라켐, 박홍욱 발 명 인 박홍욱 본 발명은 저온 소성형 세라 믹 코팅제 및 전사지 부착방 법에 관한 것으로, 용제로서 메틸알콜, 에틸알콜, 이소프 로필 알콜 등 중 어느 하나 이상의 알콜계 물질, 무기안료 및 필러로 서 산화규소, 산화티탄, 산화철, 크롬 산화물, 또는 산화아연이 혼 합된 제1조성물 및 결합제로서 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡 시실란, 메틸트리이소프로폭시실란, 테트라메톡시실란, 테트라에 톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 디메틸메톡 시실란, 디메틸에톡시실란, 디페닐메톡시실란, 디페닐디에톡시실 란, 디페닐디메톡시실란 또는 이들의 조합으로 이루어진 군으로부 터 선택되는 하나 이상의 실란계 화합물, 반응제로서 증류수 또는 이온 교환수, 충진제로서 콜로이달 졸이 혼합된 제2조성물을 포함 하여 이루어지되, 상기 제2조성물은 총 중량 대비 결합제 35~45 중량%, 반응제 10~20 중량%, 충진제 5~15 중량%가 반응하도록 하여 상기 제1조성물의 필러 입자 크기 대비 50% 이하의 소입자를 형성하도록 함으로써, 세라믹 코팅층의 내열성, 내오염성, 내약품 성 등이 향상될 수 있게 함과 동시에 세라믹 코팅층 표면에 다수의 미세 기공을 형성하여 전사지의 부착력을 향상시킴으로써, 전사지 를 이용한 다양한 문양을 코팅층에 효과적으로 전사시킬 수 있는 저온 소성형 세라믹 코팅제 및 세라믹 코팅층 전사지 부착방법에 관한 것이다. 복합 세라믹 중공 섬유 이의 제조방법 및 이의 용도 출원번호 10-2007-7018016 등록번호 10-1312-3230000 특허권자 티센크루프 우데 게엠베하, 보르지히 프로세스 히트 익스체인저 게엠베하 발 명 인 베르트슈테펜 외 3명 본원 발명은, 산소 이송 세라믹 물질로 이루어진 하나 이상의 중공 섬유를 포함하는 복합체로서, 당해 세라믹 물질이 산소 음이온과 전자를 전도하는 세라믹 물질이거나, 산소 음이온을 전도하는 세 라믹 물질과 전자를 전도하는 세라믹 또는 비세라믹 물질과의 조 합이고, 중공 섬유의 외부 표면이 동일한 중공 섬유 또는 산소 이송 세라믹 물질의 또 다른 중공 섬유의 외부 표면과 접촉하며, 접촉부 가 소결에 의해 합체됨을 특징으로 하는, 복합체에 관한 것이다. 추가로, 본원 발명은, 산소 이송 세라믹 물질로 이루어진 하나 이상 의 중공 섬유를 포함하는 복합체로서, 당해 세라믹 물질이 산소 음 이온과 전자를 전도하는 세라믹 물질이거나, 산소 음이온을 전도 하는 세라믹 물질과 전자를 전도하는 세라믹 또는 비세라믹 물질 과의 조합이고, 유체를 도입 또는 방출하기 위한 접속 부재 1개 또 는 2개가 중공 섬유의 적어도 한쪽 말단면, 바람직하게는 양쪽 말 단면에 제공됨을 특징으로 하는, 복합체에 관한 것이다. 당해 복합체는 산소 함유 가스 혼합물로부터 산소를 분리하거나 산 화 반응을 수행하는 데 사용될 수 있다. 벌집형 세라믹 입자 여과담체 입자필터 여과시스템 및 그 제조방법 출원번호 10-2008-7005712 등록번호 10-1310-7870000 특허권자 윤난 필터 인바이런먼트 프로텍션 에스.&티.코포레이션 리미티드 발 명 인 첸 킹후아 외 2명 본 발명은 벌집형 세라믹 여과담체, 상 기 담체로 제조된 여과, 상기 여과로 제 조된 여과 시스템 및 그 제조방법에 관 한 것이다. 상기 담체는 SiC: 1; 점토: 0.05~0.5; 면분: 0.1~0.35; 유지: 0.025~0.05; 물: 0.2~0.35(비 율)를 포함하는 페이스트로 압출성형된다. 상기 소결된 담체는 4~62 cells/cm2의 셀 밀도를 가지는 벌집형 구조를 가진다. 상기 셀 벽 두께는 0.2~1.2mm이며 상기 셀 벽의 공극률은 40~70%이 다. 상기 셀 벽의 통공률은 30% 이상이고 상기 셀 벽의 미세기공 의 평균 직경분포는 1~50μm이다. 상기 담체는 단면이 사각형, 단일 곡선화된 사각형(one border curved square) 및 단일 곡선화된 삼각형(one border curved triangle) 등의 형태인 상이한 실린더 (cylinder)로 디자인(design)된다. 상기 담체를 부착한 후, 상기 필 터는 운송 입자필터로서 사용될 수 있다. 상기 필터를 밀봉한 후, 여과 시스템이 제조된다. 운송수단으로부터 오염되는 입자의 문제 점은 본 발명으로 해결될 수 있고, 인간의 건강에 해로운 디젤 배출 입자(diesel exhaust particulate)를 처리하는데 특히 효율적이다. November 2013 145

세라믹 복합 재료로 된 내마모성 피막 및 이것의 제조 방법 출원번호 10-2007-7025450 등록번호 10-1310-3380000 특허권자 스탠다드 에어로 리미티드 발 명 인 섕커카틱, 크라지안드레아그라지나 본 발명은 제품의 표면에 열분무하 기 위한 결합제 무함유 세라믹 공급 원료 조성물을 제공한다. 상기 조성 물은 산화물계 세라믹 분말과 붕화 물계 및/또는 탄화물계 세라믹 분말 을 포함한다. 상기 붕화물계 및/또는 탄화물계 세라믹 분말은 미크 론 크기의 입자로 이루어지며, 상기 산화물계 세라믹 분말의 부피 함량은 약 1 내지 약 85%의 범위이다. 본 발명은 열분무 공정에 의 하여 상기 결합제 무함유 세라믹 공급 원료 및 피복된 물품을 제조 하는 방법도 역시 제공한다. 오목한 비연삭 중간면을 갖는 세라믹 절삭 인서트 및 이러한 절삭 인서트의 제조 방법 출원번호 10-2008-7015588 등록번호 10-1315-5980000 특허권자 산드빅 인터렉츄얼 프로퍼티 에이비 발 명 인 블롬스테드트페르 본 발명은 정면 연삭 정 상면 (1) 및 날 (3) 에 인 접한 적어도 하나의 주 변 여유면 (2) 을 포함 하는 종류의 세라믹 절삭 인서트에 관한 것이고, 보강된, 경사진 모 따기면 (4a) 이 날로부터 안쪽으로 뻗어 있고, 보강 모따기면 (4a) 은 정상면 (1) 과 평행한 기준면 (P) 과 예각 (α) 을 형성한다. 정상 면 (1) 과 모따기면 (4a) 사이에, 비연삭 중간면 (7) 이 형성되고, 이는 모따기면보다 더 좁고, 정상면으로의 천이에서 모따기면과 상 기각 (α) 보다 더 큰 제 2 각 (β) 을 형성한다. 제 2 양태에서, 본 발 명은 또한 이러한 세라믹 절삭 인서트의 제조 방법에 관한 것이다. 무연 압전 세라믹 조성물 출원번호 10-2009-0125279 등록번호 10-1306-4720000 특허권자 울산대학교 산학협력단 발 명 인 이재신 외 6명 본 발명은 무연 압전 세라믹 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하 게는 (1-x) Bi1/2Na 1/2TiO 3 - x Bi 1/2K 1/ 2TiO 3 의 조성을 갖는 세 라믹 조성물에 Ta 2O 5, Nb 2O 5, ZrO 2, HfO 2 및 Y 2O 3 중 선택된 어느 하나 이상의 금속산화물이 첨가되는 것을 특징으로 하는 무연 압 전 세라믹 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 무연 압전 세라믹 조성 물은 인체에 유해하고 환경오염을 유발시키는 종래의 납 계통의 PZT 와는 달리 비스무스 계통의 압전 세 라믹 소재를 제공하므로 환경 친화 적이며, 소량의 금속산화물을 첨가함으로 인하여 전계를 인가할 때 높은 변형율을 나타내어 압전 특성을 향상시키는 효과가 있다. 세라믹 발열체가 구비된 자동점화 벽난로 출원번호 10-2011-0078065 등록번호 10-1309-9380000 특허권자 채수린 발 명 인 채수린 본 발명은 세라믹 발열체가 구비된 자동점화 벽난로에 관한 것으로, 실 내 사용 시 폭발위험이 없으며, 수명 이 길고 충격에 의한 내구성이 우수 한 세라믹 발열체를 그레이트 중앙 소정부에 장착하고, 예약 점화나 순 간 점화, 원격지에서 전화신호를 통 한 원격점화가 가능하게 함으로써 편 의성을 극대화시킨 세라믹 발열체가 구비된 자동점화 벽난로를 제공함에 그 목적이 있다. 본 발명을 적용하면, 벽난로의 사용 시 순간점화, 원격 점화, 예약 점화 등의 모드를 선택적으로 사용하여 편의성을 극대화시켰으며, 불쏘시개나 폭발 위험이 있는 가스토치를 사용하 지 않으면서도 내구성이 우수하고 견고한 세라믹 발열체로 점화하 므로 안전성과 경제성이 높다는 장점이 있다. 세라믹 세퍼레이터 형성방법 출원번호 10-2007-0057312 등록번호 10-1305-4600000 특허권자 삼성에스디아이 주식회사 발 명 인 한원철 본 발명은 세라믹 세퍼 레이터 형성방법에 관한 것으로, 활물질이 도포 된 극판 위에 세라믹 층 을 균일하게 코팅함으로써, 안전성을 향상시킬 수 있는 세라믹 세 퍼레이터 형성방법에 관한 것이다. 본 발명은 집전체에 활물질을 도포하여 형성된 극판의 일측에 세 146 ceramic korea

라믹 세퍼레이터용 페이스트에 첨가되는 용매를 코팅하여, 상기 활 물질의 간극을 상기 용매로 메우도록 하는 1차 코팅 단계, 상기 1 차 코팅된 극판에 세라믹 세퍼레이터용 페이스트를 코팅하는 2 차 코팅 단계 및 상기 2차 코팅된 극판을 건조시키는 단계를 포함 하는 세라믹 세퍼레이터 형성방법인 것을 특징으로 한다. 따라서, 세라믹 세퍼레이터용 페이스트를 도포하기 전에 다공막의 활물질 이 도포된 극판에 용매를 도포하는 과정을 거침으로써, 페이스트 (paste) 및 혼합 용매가 다공질의 간극 사이로 침투하여 표면에 발 생되는 핀 홀 현상을 방지할 수 있다. 또한, 세라믹 세퍼레이터 층을 균일하게 할 수 있으며, 안전성을 향상시킬 수 있다. 과, 상기 세라믹 제품의 바닥면 을 밀착 지지하는 복수의 조정 볼트를 포함하여 구성되는 지 지부와 상기 스톱 블록 및 상기 조정 볼트가 장착되는 장착대 및 상기 장착대에 고정되되, 상 기 세라믹 제품의 바닥면을 흡 착하여 고정할 수 있도록 구비된 진공 패드부를 포함하여 구성되 는 것을 특징으로 한다. 적층형 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 출원번호 10-2011-0077641 등록번호 10-1313-6990000 특허권자 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 발 명 인 오가와 마코토 외 3명 적층 세라믹 콘덴서의 외부전극을 부품 본체의 소정의 면상에 직접 도 금을 실시함으로써 형성했을 때, 외 부전극이 되는 도금막의 부품 본체 에 대한 고착력이 낮은 경우가 있다. 외부전극(16)으로서, 각 내부전극 (5)의 노출단을 기점으로 하여 석출 한 도금 석출물을 부품 본체(2)의 적어도 단면(12)상에 성장시켜 이루어지는 것으로, P 함유율이 중량 9% 이상인 Ni-P 도금막으로 이루어지는 제1의 도금층(18)을 우선 형성한다. 이어서, 제1의 도 금층(18)상에 P를 실질적으로 포함하지 않는 Ni 도금막으로 이루 어지는 제2의 도금층(19)을 형성한다. 바람직하게는 제1의 도금층 (18)은 무전해 도금에 의해 형성되고, 제2의 도금층(19)은 전해 도 금에 의해 형성된다. 세라믹 제품 고정 장치 출원번호 10-2011-0122588 등록번호 10-1314-1460000 특허권자 (주)제니스월드 발 명 인 남배송, 최성일 본 발명은, 다양한 형태 및 크기의 세라믹 제품을 용이하게 고정시 킬 수 있고, 세라믹 제품의 바닥면을 흡착하여 고정함으로써, 회 전 연마 중 세라믹 제품이 이탈되지 않도록 용이하게 고정시킬 수 있는 세라믹 제품 고정 장치에 관한 것으로서, 세라믹 제품의 측면 및 측면과 인접한 외측 바닥면을 밀착 지지하는 복수의 스톱 블록 성에 및 결로 방지용 다공성 세라믹 구조체 및 이를 포함하는 냉장 장치 출원번호 10-2011-0029308 등록번호 10-1315-0040000 특허권자 (주)엘지하우시스 발 명 인 임호연, 정승문 성에 또는 결로의 생성을 원천적으 로 제거할 수 있는 다공성 세라믹 구 조체 및 이를 포함하는 냉장 장치에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 냉 장 장치는 적어도 하나 이상의 저장 실; 상기 저장실의 개폐를 제어하는 도어 및 상기 저장실의 내부에 장착되어 성에 또는 결로를 제거하 는 다공성 세라믹 구조체를 포함하는 것을 특징으로 한다. 마사토 폐기물을 이용하여 제조되는 세라믹 및 그 제조방법 출원번호 10-2011-0122619 등록번호 10-1309-7130000 특허권자 주식회사 카멜 발 명 인 이종필 광업 폐기물인 마사토의 폐기물 과 몰리브덴에서 필요성분을 분 리하고 남은 몰리브덴 광미를 첨 가하여 2차상(Anorthite)을 형 성하여 저온에서 소성하여 일반 적으로 활용할 수 있는 흡수율과 강도를 지니는 마사토 폐기물을 이용하여 제조되는 세라믹 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명은 마사토에서 모래를 채취하고 남은 부산물에 몰리브덴 광미를 중량 10-30% 첨가하고, 분쇄 및 성형 후 1000 이하의 온도에서 소성공정을 거치는 것을 특징으로 하 며, 본 발명을 통하여 광업 폐기물인 부산물을 효과적으로 재활용 할 수 있으며, 저온에서 강도가 강한 세라믹을 얻을 수 있다. November 2013 147

정렬도가 향상된 칩 어레이형 세라믹 패키지 기판 및 그 제조방법 출원번호 10-2011-0106842 등록번호 10-1311-3870000 특허권자 비에이치 세미콘 발 명 인 장안재 외 2명 본 발명은 정렬도가 향상 된 칩 어레이 형 세라믹 패 키지 기판 및 그 제조방법 에 관한 것으로서, 보다 상 세하게는 세터위에서 세라 믹 패키지 기판을 열처리하는 방법에 있어서, 상기 세터위에 제1중 량기판을 거치하는 단계; 상기 제1중량기판위에 세라믹 패키지 기 판을 거치하는 단계; 상기 세라믹 패키지 기판위에 제2중량기판을 거치하는 단계 및 상기 제1중량기판, 세라믹 패키지 기판, 제2중량 기판이 순차적으로 적층된 적층체를 열처리하는 단계를 포함하여 구성되는 정렬도가 향상된 칩 어레이형 세라믹 패키지 기판의 제조 방법을 제공한다. 이상 본 발명에 따르면, 세라믹 패키지 기판을 단독으로 열처리하 는 경우에 발생되는 세라믹 패키지 기판의 휨 현상을 방지하여 어 레이 된 셀의 정렬도를 향상시킬 수 있고, 특히 세라믹 패키지 기판 과 전극층의 조합 및 전극층의 종류를 제1중량기판과 제2중량기판 에도 그대로 적용하여 세라믹 패키지 기판의 열처리 거동과 동일한 환경을 구축함으로써 어레이 된 셀의 정렬도의 향상을 극대화할 수 있다. 전기절연성과 열전도성을 갖는 세라믹 고분자 복합분말 및 그 제조방법 출원번호 10-2011-0105206 등록번호 10-1310-0720000 특허권자 한양대학교 에리카산학협력단 발 명 인 좌용호 외 3명 전기절연성과 열전도성을 갖는 세라 믹/고분자 복합분말 및 그 제조방법 이 개시된다. 본 발명의 세라믹/고분 자 복합분말은, 질화붕소를 습식분쇄 하여 입자를 미세화하고 표면을 박리 하는 단계; 습식분쇄된 질화붕소와 열가소성 고분자 비드를 알코올계 용매에 넣어 혼합함으로써 열가 소성 고분자 비드 표면에 습식분쇄된 질화붕소가 부착되도록 하는 단계 및 용매를 증발시켜 질화붕소가 표면에 부착된 고분자 비드인 질화붕소/고분자 복합분말을 분리하는 단계를 포함한다. 파이버세라믹 재료와 그 제조방법 출원번호 10-2011-7008795 등록번호 10-1310-5810000 특허권자 퓨얼 셀 에너지, 인크 발 명 인 유,챠오-이 외 2명 파이버 세라믹 재료는 서로 얽힌 복수 개의 파이버를 포함한다. 상기 파이버 세라믹 재료는 파이버 사이로 돌출된 적어도 1개의 커넥터를 갖는다. 상기 파이버의 적어도 일부분은 파이버 사 이로 신장된 커넥터를 갖고, 상기 파이 버를 다른 파이버에 부착한다. 파이버 세라믹 재료를 제조하는 방 법은 복수개의 파이버를 가진 선구체 재료를 제공하는 단계를 포함 한다. 상기 선구체 재료를 유지하기 위해 홀더가 제공된다. 선구체 재료는 홀더에 배치되며, 커넥터가 상기 파이버의 일부분으로부터 돌출하여 파이버를 다른 파이버에 부착하도록, 양쪽이 약 1500 내지 약 1700 사이로 가열되어 파이버 세라믹 재료를 형성한다. 투톤 세라믹 제조방법 출원번호 10-2012-0045973 등록번호 10-1312-2060000 특허권자 김문성 발 명 인 김문성 본 발명은 투톤 세라믹 제조방법에 관한 것 으로, 그 구성은 (a) 제1세라믹을 제1금형 에 위치시킨 뒤 프레스로 눌러서 외부 형 태를 형성하는 제1누름성형단계와, (b) 상 기 제1누름성형단계를 거친 제1세라믹을 1100 내지 1300 로 가열 고화시키는 제1고화단계와, (c) 상기 제1고화성형단계 를 거친 제1세라믹의 상면에 하방을 향해 서 파여진 홈인 상면홈을 형성시키는 홈형 성단계와, (d) 상기 상면홈과 대응되는 형 상이 내부에 포함된 제2금형에 상기 제1세라믹과 다른 색상을 가 지는 제2세라믹을 위치시킨 뒤 프레스로 눌러서 외부 형태를 형성 하는 제2누름성형단계와, (e) 상기 제2누름성형단계를 거친 제2세 라믹을 1100 내지 1300 로 가열 고화시키는 제2고화단계와, (f) 상기 상면홈의 밑면에 접착제를 도포하는 접착제도포단계와, (g) 상기 제2고화단계를 거친 상기 제2세라믹을 상기 상면홈의 밑 면에 도포된 접착제를 이용하여 상기 제1세라믹과 제2세라믹을 상 호 결합시키는 결합단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 것으로 서, 두 가지 색 이상의 컬러가 표현된 세라믹을 제조할 수 있어서 미 148 ceramic korea

관상 수려하며, 옥장판이나 전기장판에 부착되었을 때 화려한 색 상의 미감으로 판매를 촉진할 수 있으며, 원적외선을 방출하고 음 이온을 방출할 수 있는 효과가 있다. 세라믹 몸체의 가장자리에 패드가 형성된 정전기 척 출원번호 10-2011-0056728 등록번호 10-1310-1090000 특허권자 주식회사 엠와이에스 발 명 인 예재훈 본 발명은 정전기의 힘을 이용하여 웨이퍼를 수평으로 고정시키는 세 라믹 몸체를 포함하는 정전기 척에 있어서, 상기 세라믹 몸체의 직경보 다 작은 직경을 갖는 패드 형성 마스 크를 이용하여 세라믹 몸체 표면의 소정의 영역에 제1패드가 형성됨과 동시에 세라믹 몸체의 가장자리 원주상에 제2패드가 형성되어 있 는 것을 특징으로 하는 정전기 척을 제공한다. 상기와 같은 본 발명에 따르면, 세라믹 몸체의 직경보다 작은 직경 을 갖는 패드 형성 마스크를 이용하여 세라믹 몸체의 가장자리 원 주상에 패드를 형성하여 웨이퍼가 세라믹 몸체에 수차례 로딩시 발 생하는 접촉에 따른 세라믹 몸체의 가장자리 영역상의 세라믹 몸 체 표면의 마모량을 감소시킴으로써 정전기 척의 수명을 연장하는 효과가 있다. 치과 임플란트 픽스츄어 포장용 세라믹 하부시 출원번호 10-2011-0121170 등록번호 10-1306-3180000 특허권자 주식회사 디오 발 명 인 김영배 외 2명 본 발명은 픽스츄어 케이스를 이용 하여 임플란트 픽스츄어를 멸균 상 태로 포장할 때 일회용으로 사용되 어 버려지는 치과 임플란트 픽스츄 어 포장용 세라믹 하부시에 관한 것 으로서, 보다 구체적으로는 케이스 내부 하단에 결합된 상태로 픽스츄 어 하부와의 접지면적을 최소화 하 면서도 안정된 받침상태를 유지할 수 있도록 함, 아울러 고가의 티타늄 보다 저렴한 재질로 안전하게 임플란트 픽스츄어를 고정 지지할 수 있게 한 치과 임플란트 픽스 츄어 포장용 세라믹 하부시를 제공코자 하는 것이다. 즉, 본 발명은 티타늄 보다 상대적으로 가격이 저렴하면서도 기능 성을 유지할 수 있는 소성 제품인 세라믹으로 구성하며, 세라믹 하 부시의 중앙에는 홈이 원주상으로 형성되어 있는 스크루의 하단 형상에 부합하도록 걸림부가 형성된 고정홈을 스크루보다 큰 치수 로 구성하되, 고정홈의 바닥에는 픽스츄어의 스크루 하부면을 지지 하도록 반구형의 돌기를 형성하고, 걸림부에는 홈과 접하는 반호형 의 지지돌기를 형성하여 픽스츄어와의 접지면적을 최소화하면서도 안전하게 고정할 수 있게 한 것이다. 세라믹 필터 제조용 접합지그 출원번호 10-2011-0111470 등록번호 10-1306-2900000 특허권자 주식회사 칸세라 발 명 인 한대곤, 정훈 본 발명은 대형 세라믹 필터를 제조 하는데 적합한 세라믹 필터 제조용 접합 지그에 관한 것으로, 내부에 세 라믹 필터가 삽입되고, 내측면이 상 기 세라믹 필터의 외측면과 대응되 는 형상을 가지며, 세라믹 필터를 가 압하는 복수의 접합 가이드 및 접합 가이드의 외측면의 일부분에 설치되며, 서로 접하고 있는 접합 가이드들을 상호 결합시키는 결 합수단을 포함하여 구성된다. 내장 발열 부재를 포함하는 세라믹 칩 퓨즈 출원번호 10-2012-0052661 등록번호 10-1307-6340000 특허권자 (주)알엔투테크놀로지 발 명 인 손석호 외 5명 본 발명은, 동시 소성을 통하여 단순 화된 공정으로 형성할 수 있고, 짧은 퓨즈 용단시간을 가지는 내장 발열 부재를 포함하는 세라믹 칩 퓨즈를 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따 른 세라믹 칩 퓨즈는, 동시 소성에 의 하여 서로 일체화되는 복수의 세라 믹 시트들을 포함하는 세라믹 기판; 세라믹 기판 상에 위치한 퓨즈 부재; 세라믹 기판 내에 내장되고, 퓨즈 부 재와 중첩되도록 위치하고, 과전압 이 인가될 때 발열되어 퓨즈 부재를 용단하는 내장 발열 부재를 포 함한다. November 2013 149

신설법인 세라믹스 신설법인 회사명 대표자 자본금(백만원) 업 종 주 소 2013년 9월 12일 ~ 2013년 10월 9일 서울 솔마 정연철 1 반도체 재료 및 관련 케미칼 제조, 판매업 강남구 수서동 464-1번지 지브이퓨얼셀 권오웅 200 연료전지 제조 및 판매업 마포구 도화동 37번지 진도빌딩 801호 탈보솔루션즈코리아 주환 250 LED 조명기구 시스템 제조업 서초구 서초1동 1445-3번지 국제전자센터 10층 2호 씨에스아이앤디 채승리 50 타일 유통,도소매,수출입,무역 강남구 신사동 540-2번지 대성아파트 101호 솔마 정연철 1 반도체 재료 및 관련 케미칼 제조, 판매업 강남구 수서동 464-1번지 한국열기술 양상우 50 전기로 제조업 구로구 구로3동 197-7번지 에이스테크노타워2차 901호 세중산업 김동관 200 유리 및 태양 전지 묘듈 제조 판매 수출입업 강남구 대치1동 622-1번지 한일 상가 202호 지아이국제솔루션 김금실 100 조명용 고출력 LED 및 관련 소재와 부품의 제조 및 유통업 영등포구 영등포동8가 92번지 케이엔케이디지털타워 1808 인천 강원전장 나병삼 100 자동차부품제조업 남동구 고잔동 722번지 남동지식산업센터 302호 디에프라이트 김경남 10 엘이디 및 기타 조명기구의 제조,판매 및 설치 계양구 작전2동 868-40번지 3층 그린케미텍 김현기 200 UV경화형 레진 제조 및 판매업 서구 왕길동 408번지 6 백석엠텍 이형주 100 금속부자재,카본,세라믹 제조 및 도매 남동구 고잔동 350-11번지 알티원 나원근 60 열처리로 및 산업기계 제조업 남동구 논현동 746-4번지 에코타워 406호 대전 성현글로비스 조유형 100 알루미늄 합금업 중구 대흥동 517-3번지 에스엠나노바이오 황윤구 15 금속나노 용액 제조 및 도매 유성구 용산동 558번지 충남대학교 산학협력지원센터 엘이디나래 이동철 1 엘이디제품 제조 및 도,소매업 대덕구 신탄진동 126-1번지 2층 아이에스엠아이엔씨 진승민 20 광학기계기구 또는 렌즈 제조 및 판매업 유성구 장동 100번지 한국화약연구원 2동 110호 대구 상상네트웍스 이상철 50 일반용 LED조명 및 기구물 개발, 제조, 유통, 달서구 유천동 110-1번지 홍익빌딩 5층 판매에 관한 사업 휴먼인 박정하 50 자동차부품 제조업 수성구 범물2동 1374-3번지 대구은행 범물지점 2층 금장태양광 윤재영 50 태양광발전사업 달서구 월암동 1-121번지 케이엘피 현길남 30 전기, 전자부품 소재 제조업 달성군 다사읍 세천북로7길 16 광주 더블에스코리아 박용상 50 LED조명기구 제조업 서구 치평동 1213-3번지 전국교수공제회관 1206호 신일세라믹스 황경순 50 세라믹스 제조업 광산구 장덕동 974-3번지 영명 양선웅 50 시멘트 도.소매업 동구 남동 104-8번지 파코하이텍 이현창 200 엘이디(LED) 제조 및 판매업 서구 매월동 946번지 매월종합상가 207동 나라태양광발전 서경원 50 태양광 발전업 서구 치평동 1206-3번지 로잔티움파크 1층 106호 에스와이에너지 정성국 200 태양광 전력발전사업 광산구 소촌동 522-100번지 부산 해담에너지 신희성 2 태양광발전설비 및 주변기기 제조 사상구 모라1동 726-13번지 하나기업 1층 수아산전 임경숙 100 자동차 부품 제조업 강서구 화전동 595-6번지 울산 케이앤테크 정진태 5 자동차부품 제조업 울주군 웅촌면 고연리 484-6번지 삼성에스지엘탄소소재 박계홍 1,100 탄소섬유제품의 제조, 가공, 컨설팅 및 판매업 남구 부곡동 500번지 베스트플랜트 양주석 50 산업기계, 화공기계 제작 및 판매업 울주군 온산읍 이진리 261번지 유원테크 유갑수 9 자동차부품 제조업 남구 신정3동 463-11번지 150 ceramic korea

캘린더 이 달 의 세 라 믹 스 주 요 행 사 안 내 November Sun Mon Tue Wed Thu Fri Sat 27 28 29 30 31 1 2 3 4 5 6 7 8 9 한국신 재생에너지학회 2013 추계학술대회 일시_ 11.04~11.05 장소_ 제주 그랜드호텔 홈_ www.ksnre.or.kr The Eighth International Conference on High-Performance Ceramics (CICC-8) 일시_ 11.04~11.07 장소_ 중국 충칭 홈_ www.ccs-cicc.com/cicc-8/english/ Index.html 한국재료학회 추계학술대회 & 제 25회 신소재 심포지엄 일시_ 11.06~11.08 장소_ 제주 롯데호텔 홈_ www.mrs-k.or.kr ICNST 2013 일시_ 11.07~11.08 스마트 배터리 셀 포럼 2013 일시_ 11.06 장소_ 쉐라톤 서울 디큐브시티호텔 주최_ 전자신문 홈_ www.sek.co.kr/2013/sbattery 한국세라미스트 친선 골프대회 일시_ 11.07 장소_ 대호단양CC 주최_ 한국세라믹총협회 홈_ www.kocera.or.kr 장소_ 광주 조선대학교 홈_ www.icnst.com 10 11 12 13 14 15 16 11th CSE Symposium 일시_ 11.10~11.12 장소_ 일본 나가사키 문의_ 한국탄소학회 내화물부회심포지엄 일시_ 11.12 장소_ 한국과학기술회관 문의_ 02-584-0185 ICAE 2013 일시_ 11.12~11.15 장소_ 제주 국제컨벤션센터 주최_ 한국전자전기재료학회 제27회 첨단구조재료 심포지엄 일시_ 11.14~11.15 장소_ KIST 전북분원 복합소재기술연구소 홈_ www.icae.kr ACTSEA 2013 일시_ 11.10~11.13 장소_ 대만 타이페이 제1회 국제자원개발 및 원자재 종합전 일시_ 11.14~11.16 장소_ 코엑스 주최_ 국회, 산업통산자원부 홈_ www.intra.or.kr 17 18 19 20 21 22 23 제 8회 국제탄소페스티발 ICSE 2013 일시_ 11.18~11.21 장소_ 부산 해운대 그랜드호텔 홈_ www.icse2013.org 한국탄소학회 추계학술대회 일시_ 11.18~11.19 장소_ 전라북도청 대강당 홈_ www.carbon.or.kr 제30회 한일국제세라믹스세미나 일시_ 11.20~11.23 장소_ 일본 북 규슈 홈_ jkceramics. kenkyuukai.jp 한국복합재료학회 추계학술대회 일시_ 11.21~11.22 장소_ 국립 한국해양대학교 홈_ www.kscm.re.kr 2013 대구국제기계산업대전 일시_ 11.20~11.23 장소_ 대구 EXCO 홈_ www.damex.co.kr 24 25 26 27 28 29 30 한국전지학회 추계학술대회 일시_ 11.28~11.30 장소_ 제주 한화리조트 홈_ kobs.or.kr November 2013 151

세라믹스 자료실 통계 도자기류 수출실적 년 월 품 목 2013년 8월 31일 현재 (단위 : 천불) 식 기 타 일 위생도기 합 계 7 1,677 58 275 2,010 8 961 143 252 1,356 2012 9 10 1,337 1,174 235 41 212 479 1,784 1,694 11 925 270 479 1,674 12 1,414 151 176 1,741 1 744 12 497 1,253 2 823 109 267 1,199 3 1,113 83 463 1,659 2013 4 5 1,067 1,041 145 63 583 1,097 1,795 2,201 6 957 164 766 1,887 7 2,653 125 793 3,571 8 1,235 99 438 1,772 자료제공 : 관세청 시멘트 수요 공급 현황 2013년 8월 31일 현재 (단위 : 천톤) 년 월 항 목 수요 내 수 수 출 계 생 산 수 입 계 공급 재 고 7 3,478 752 4,230 4,408 41 4,449 730 8 2,981 605 3,586 3,636 75 3,711 820 2012 9 10 3,375 4,129 867 710 4,242 4,839 3,936 4,669 65 70 4,001 4,739 689 650 11 4,354 666 5,020 4,718 75 4,793 496 12 3,329 528 3,857 4,063 64 4,127 710 1 2,467 855 3,322 2,924 74 2,998 558 2 2,379 221 2,600 2,838 68 2,906 555 3 3,647 691 4,338 4,810 84 4,894 695 2013 4 5 4,433 4,644 681 768 5,114 5,412 5,104 5,452 80 102 5,184 5,554 716 810 6 4,338 560 4,898 4,898 50 5,074 689 7 3,690 688 4,378 4,353 66 4,419 656 8 3,457 764 4,221 4,127 57 4,184 577 자료제공 : 통계청, 관세청 위생도기 업체별 생산 출하 현황 2013년 8월 31일 현재 (단위 : 개) 업체명 구 분 전월재고 출 하 생 산 내 수 수 출 계 당 월 누 계 당 월 누 계 당 월 누 계 당 월 누 계 당월재고 계 림 요 업 204,575 32,933 257,611 47,416 239,438 0 0 47,416 239,438 190,092 대림비앤코 170,375 60,701 524,365 66,215 516,249 12 592 66,227 516,841 164,849 아이에스동서 36,621 46,313 309,783 45,328 330,218 0 0 45,328 330,218 37,606 세 림 산 업 171,576 21,374 228,998 30,516 211,061 0 0 30,516 211,061 162,434 계 583,147 161,321 1,320,757 189,475 1,296,966 12 592 189,487 1,297,558 554,981 자료제공 : 대한도자기 타일공업협동조합 152 ceramic korea

위생도기 품목별 생산 출하 현황 2013년 8월 31일 현재 (단위 : 개) 구 분 전월재고 생 산 출 하 내 수 수 출 계 당월재고 업 체 명 당 월 누 계 당 월 누 계 당 월 누 계 당 월 누 계 양 변 기 133,785 46,010 378,775 59,107 380,851 0 294 59,107 381,145 120,688 대 변 기 945 0 614 215 2,769 0 0 215 2,769 730 소 변 기 38,750 10,615 102,623 11,564 87,306 10 94 11,574 87,400 37,791 세 면 기 238,609 62,250 454,818 69,301 427,971 2 155 69,303 428,126 231,556 탱 크 101,035 22,117 213,082 26,761 208,528 0 20 26,761 208,548 96,391 기 타 70,023 20,329 170,845 22,527 189,541 0 29 22,527 189,570 67,825 계 583,147 161,321 1,320,757 189,475 1,296,966 12 592 189,487 1,297,558 554,981 자료제공 : 대한도자기 타일공업협동조합 내장타일 생산업체별 생산 출하 현황 2013년 8월 31일 현재 (단위 : m 2 ) 구 분 전월재고 생 산 출 하 내 수 수 출 계 당월재고 업 체 명 당 월 누 계 당 월 누 계 당 월 누 계 당 월 누 계 대동산업 1,341,028.00 566,572.00 4,225,919.00 542,817.00 4,177,586.00 - - 542,817.00 4,177,586.00 1,364,783.00 대보세라믹스 318,331.50 366,399.00 2,621,341.50 337,144.50 2,690,098.50 - - 337,144.50 2,690,098.50 347,586.00 삼영산업 290,179.00 188,180.00 1,492,215.00 247,188.00 1,552,415.00 - - 247,188.00 1,552,415.00 231,171.00 삼 현 291,887.42 307,706.85 1,943,495.22 303,954.75 1,967,616.75 - - 303,954.75 1,967,616.75 295,639.52 아이에스동서 202,661.00 197,811.00 1,661,149.00 192,677.00 1,728,428.00 - - 192,677.00 1,728,428.00 207,795.00 이화산업 4,827.89 152,923.66 421,403.41 145,815.45 553,968.01 - - 145,815.45 553,968.01 11,936.10 (주)KT세라믹 123,253.32 99,762.48 1,216,980.36 111,438.06 1,248,833.92 - - 111,438.06 1,248,833.92 111,577.74 태영세라믹 279,324.00 245,573.00 1,901,044.00 288,852.00 1,926,788.00 - - 288,852.00 1,926,788.00 236,045.00 계 2,851,492.13 2,124,927.99 15,483,547.49 2,169,886.76 15,845,734.18 - - 2,169,886.76 15,845,734.18 2,806,533.36 자료제공 : 대한도자기 타일공업협동조합 바닥타일 생산업체별 생산 출하 현황 2013년 8월 31일 현재 (단위 : m 2 ) 구 분 전월재고 생 산 출 하 내 수 수 출 계 당월재고 업 체 명 당 월 누 계 당 월 누 계 당 월 누 계 당 월 누 계 대동산업 520,519.00 341,589.00 1,736,683.00 249,837.00 1,600,580.00 - - 249,837.00 1,600,580.00 612,271.00 대보세라믹스 - - - - 16,239.00 - - - 16,239.00 - 삼영산업 56,711.00 82,143.00 442,866.00 80,008.00 473,556.00 - - 80,008.00 473,556.00 58,846.00 삼 현 78,164.37-266,237.40 13,633.95 299,747.25 - - 13,633.95 299,747.25 64,530.42 선경산업 94,542.50 150,887.00 1,195,065.30 156,633.40 1,168,932.60 - - 156,633.40 1,168,932.60 88,796.10 성일요업 215,360.00 181,570.00 1,526,918.00 185,634.00 1,349,891.00-35,013.00 185,634.00 1,384,904.00 211,296.00 아이에스동서 398,618.00 347,316.00 2,276,880.00 304,235.00 2,317,321.00 - - 304,235.00 2,317,321.00 441,699.00 (주)한보요업 516,803.10 269,633.10 2,039,654.10 338,065.20 2,211,339.90 - - 338,065.20 2,211,339.90 448,371.00 태영세라믹 7,269.00-54,429.00 1,739.00 56,864.00 - - 1,739.00 56,864.00 5,530.00 (주)KT세라믹 216,110.44 138,169.50 1,063,642.70 135,715.81 1,069,331.91 - - 135,715.81 1,069,331.91 218,564.13 계 2,104,097.41 1,511,307.60 10,602,375.50 1,465,501.36 10,563,802.66-35,013.00 1,465,501.36 10,598,815.66 2,149,903.65 자료제공 : 대한도자기 타일공업협동조합 November 2013 153

유리품목별 생산 출하 현황 2013년 8월 31일 현재 (단위 : 톤) 품목 구분 단위 출하 생산 재고 내수 수출 전월 당월 전월 당월 전월 당월 전월 당월 유리장섬유 M/T 10,081 9,655 6,434 5,634 2,046 2,158 23,088 25,149 차량용안전유리 m2 2,745,143 2,693,430 2,709,067 2,704,901 2,110 2,000 2,189,948 2,176,477 유리용기 M/T 57,088 57,581 60,661 52,517 1,315 2,175 110,554 113,426 자료제공 : 통계청 내화벽돌 생산 출하 현황 2013년 8월 31일 현재 (단위 : 톤) 년 월 항 목 생산 출하 내수 수출 계 재고 7 8,518 10,341 671 11,012 32,255 8 8,772 9,772 988 10,760 33,689 2012 9 10 8,756 8,861 11,279 10,301 936 827 12,215 11,128 33,551 34,746 11 8,171 13,951 785 14,736 30,855 12 8,010 12,000 3,986 15,986 31,452 1 10,249 8,260 874 9,134 34,527 2 8,134 8,630 183 8,813 33,844 3 8,498 8,235 884 9,119 33,228 2013 4 5 9,333 8,214 8,429 8,251 173 224 8,602 8,475 33,738 33,474 6 7,423 7,423 895 8,715 32,068 7 7,583 7,425 296 7,721 31,932 8 7,473 8,621 1,675 10,296 30,402 자료제공 : 통계청 154 ceramic korea