(72) 발명자 이헌주 경기도용인시기흥구향린 1 로 88 번길 6-13, A 동 204 호 ( 동백동, 청라빌라 ) 유의선 서울특별시성북구화랑로 111-8, 603 호 ( 하월곡동 ) 고태준 서울특별시관악구남부순환로 1805, 901 호 ( 봉천동, 에이스에이존 ) 오
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- 한선 하
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1 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C23C 26/00 ( ) C23C 16/50 ( ) C23C 14/40 ( ) C23C 14/46 ( ) (21) 출원번호 (22) 출원일자 2013 년 03 월 14 일 심사청구일자 전체청구항수 : 총 14 항 2013 년 03 월 14 일 (11) 공개번호 (43) 공개일자 2014 년 09 월 24 일 (71) 출원인 한국과학기술연구원 서울특별시성북구화랑로 14 길 5 ( 하월곡동 ) (72) 발명자 문명운 서울특별시관악구관악로 125, 102 동 1003 호 ( 봉천동, 삼성아파트 ) 김성진 서울특별시성북구화랑로 14 길 5, B 동 301 호 ( 하월곡동, 한국과학기술연구원기숙사 ) ( 뒷면에계속 ) (74) 대리인 박장원 (54) 발명의명칭친수성이향상된알루미늄표면의제조방법및친수성알루미늄표면체 (57) 요약 본발명의일실시예에따른친수성알루미늄표면의제조방법은, 반응성가스를이용하여알루미늄 (aluminu m) 의표면을도핑 (doping) 처리하여활성화된표면을갖는도핑 - 알루미늄을제조하는활성화단계, 그리고상기도핑 - 알루미늄을산화시켜상기알루미늄의표면에침상, 판상또는점 (dot) 형상의나노돌기구조를포함하는나노패턴을형성하는구조형성단계를포함한다. 상기방법에의하면, 소수성을띄는알루미늄을인공적으로친수성또는초친수성알루미늄으로제조할수있고, 시효효과가거의나타나지않고오랫동안친수성알루미늄표면특성이유지되는알루미늄표면체를제공할수있다. 대표도 - 도 1
2 (72) 발명자 이헌주 경기도용인시기흥구향린 1 로 88 번길 6-13, A 동 204 호 ( 동백동, 청라빌라 ) 유의선 서울특별시성북구화랑로 111-8, 603 호 ( 하월곡동 ) 고태준 서울특별시관악구남부순환로 1805, 901 호 ( 봉천동, 에이스에이존 ) 오규환 서울특별시서초구신반포로 15 길 19, 110 동 202 호 ( 반포동, 신반포아파트 ) 이광렬 서울특별시서초구신반포로 33 길 15, 103 동 2010 호 ( 잠원동, 동아아파트 ) 이발명을지원한국가연구개발사업 과제고유번호 부처명 지식경제부 연구관리전문기관 한국산업기술평가관리원 연구사업명 글로벌전문기술개발 ( 주력, 신산업 ) 연구과제명 자연모사응용스마트물 / 용제순환기술 기여율 1/1 주관기관 한국기계연구원 연구기간 ~
3 특허청구의범위청구항 1 반응성가스를이용하여알루미늄 (aluminum) 표면의일부또는전부를도핑 (doping) 처리하여활성화된표면을갖는도핑-알루미늄을제조하는활성화단계, 그리고상기도핑-알루미늄을산화시켜상기알루미늄표면의일부또는전부에나노돌기구조를포함하는나노패턴을형성하여친수성알루미늄표면을제조하는구조형성단계를포함하는, 친수성알루미늄표면의제조방법. 청구항 2 제1항에있어서, 상기도핑처리는대기압플라즈마처리법, 플라즈마 (plasma) 화학기상증착법, 이온빔 (ion beam) 증착법, 플라즈마이온주입법또는스퍼터 (sputter) 공정을이용하는것인, 친수성알루미늄표면의제조방법. 청구항 3 제1항에있어서, 상기도핑-알루미늄은알루미늄표면의일부또는전부가 F, Cl 및이들의조합으로이루어진군에서선택된어느하나의원소로도핑된것인, 친수성알루미늄표면의제조방법. 청구항 4 제1항에있어서, 상기반응성가스는, CHF 3, C 2 F 6, C 2 Cl 2 F 4, C 3 F 8, C 4 F 8, SF 6 및이들의조합으로이루어진군에서선택된어느하나를포함하는것인, 친수성알루미늄표면의제조방법. 청구항 5 제1항에있어서, 상기도핑처리는, 2 Pa 내지 10 Pa의압력과 100 W 내지 300 W의전원조건에서수행되는것인, 친수성알루미늄표면의제조방법. 청구항 6 제1항에있어서, 상기도핑처리는, RF(radio frequency) 전원을이용한플라즈마화학증착법 (PACVD, Plasma-assisted chemical vapor deposition) 으로수행되는것인, 친수성알루미늄표면의제조방법. 청구항 7 제1항에있어서, 상기구조형성단계에서의산화는물을포함하는반응액또는이의증기와상기도핑-알루미늄이접촉하여이루어지는것인, 친수성알루미늄표면의제조방법. 청구항 8 제7항에있어서, 상기구조형성단계에서의산화는, 70 내지 90 의상기반응액또는이의증기와상기도핑-알루미늄이접촉하여이루어지는것인, 친수성알루미늄표면의제조방법.
4 청구항 9 제1항에있어서, 상기나노돌기구조는침상, 판상또는점형상의나노돌기를포함하고, 상기나노돌기는보헤마이트 {boehmite, ALO(OH)}, 산화알루미늄 (Al 2 O 3 ) 및이들의조합으로이루어진군에서선택된어느하나를포함하는것인, 친수성알루미늄표면의제조방법. 청구항 10 제1항에있어서, 상기친수성알루미늄표면은순수 ( 純水 ) 를이용한접촉각이 10도이하인초친수성을가지는것인, 친수성알루미늄표면의제조방법. 청구항 11 표면의일부또는전부에나노돌기구조를포함하는나노패턴이형성된알루미늄으로, 상기나노돌기구조는침상, 판상또는점형상의나노돌기를포함하는것으로, 상기침상또는판상의나노돌기는높이가 10 nm 내지 100 nm인것이며, 상기나노돌기는보헤마이트 {boehmite, ALO(OH)}, 산화알루미늄 (Al 2 O 3 ) 및이들의조합으로이루어진군에서선택된어느하나를포함하는것인, 친수성알루미늄표면체. 청구항 12 제11항에있어서, 상기알루미늄의표면은, 순수를이용하여측정한접촉각이 10도이하인초친수성을가지는것인, 친수성알루미늄표면체. 청구항 13 제11항에따른친수성알루미늄표면체를포함하는제습기. 청구항 14 제11항에따른친수성알루미늄표면체를포함하는수분수집기. 명세서 [0001] 기술분야본발명은친수성이향상된알루미늄표면의제조방법및친수성알루미늄표면체에관한것으로, 열교환기튜브 (tube), 휜 (Fin) 등에사용되는알루미늄에젖음성 (wettability) 이현저히낮을뿐만아니라순수 (deionized water) 와같은유체의접촉각 (contact angle) 이작은친수성또는초친수성알루미늄표면을인공적으로제조하는방법및그표면체에관한것이다. [0002] [0003] 배경기술습도가높고온도가높은환경에서, 공기중의수분을제거하는제습등에사용되는소재의개발은, 에너지저감및제습능력향상에있어서매우중요한연구내용이다. 특히가정뿐만아니라산업현장에서의습기는, 부품과장비의고장을일으키는가장중요한요인이다. 그러나, 현재의제습시스템은환경의유해성을일으키는프레온가스를사용하거나높은온도의가열이필요한흡착제를사용하고있어제품의단가를높이고환경을오염시키고있는실정이다. 에너지사용량을저감시키고제습효율을향상시키기위해서는, 제습기나열교환기의표면에사용되는소재인알루미늄과같은소재표면에, 습기가잘붙을수있는친수특성을가지게하는것이중요하며, 또한, 소재에부여된친수성에대한지속적내구성을가지는표면소재의개발이강조되고있다.
5 [0004] [0005] [0006] [0007] [0008] 순수 (pure water) 와의친화도가좋은친수성표면또는초친수성표면은, 집수 (water harvesting) 용, 흐림방지 (anti-fog) 용, 항균 (anti-bacteria) 용또는세포를성장시키기위한용도로, 또는재료표면의특성을개질하여다른재료와의접합특성을향상시킬목적으로지속적으로연구되고있다. 재료의표면에이러한친수성또는초친수성표면을형성시키는방법으로는습식식각 (wet etching), UV 처리또는플라즈마 / 이온처리등이이용된다. 특히, 표면의거칠기를증가시키고, 친수성성질을가진재료를이용하여표면화학적성질을조절하면, 친수또는초친수표면을얻을수있다고알려져있다. 다양한소재및박막표면에서이러한친수특성을구현하려는시도가이루어지고있으나, 표면친수성은쉽게사라지는단점이있다. 이는, 친수표면의표면에너지가상대적으로높아서, 표면에너지를낮추기위하여공기중의물분자또는탄화수소와같은미세입자와쉽게결합하려는경향을가지게되고, 이러한결합이이루어지면표면에너지가낮아지면서친수성이상실되는것이다. 이때문에종래에알려져있는방법에의한대부분의친수또는초친수처리는수시간또는수일내에효과가상실되므로, 친수또는초친수특성이오랫동안유지되도록하는연구가다양하게진행되고있다. 산소또는질소플라즈마등으로처리된표면은친수성이증가하지만표면이열역학적으로불안정하여소수성으로되돌아가려는성질때문에시효효과 ( 시효효과, aging effect) 가나타나는것으로알려져있다 [Roy et al, Diamond and Related Materials, 16 (2007), ]. 시효효과를방지하는기술은생체에대한적용이필요한분야에대한응용은물론, 욕실의거울, 추운겨울에쓰는안경, 자동차유리등의김서림등을억제하는코팅기술등에사용될수있다. 또한, 냉동기의증발기표면의열전달효율을높일수있는기술이나, 공조기의제습기표면과같이습도를제어하는열교환기휜등에사용되는등다양한분야에응용이가능한표면이될수있다. 또한, 배관의내관에적용될경우, 세균증식을억제하고유속저항을감소시키는등특수위생배관등의적용도가능하다. 최근에개발된초친수성표면제작방법으로는 TiO 2 코팅을증착하여나노크기의기공이많은재료를개발하 는방법, TiO 2 입자, SiO 2 입자등의나노크기의입자를적절한비율로혼합하여친수성표면을제작하는방법등이있다 [FC Cebeci, Langmuir 22 (2006), 2856]. 그러나, 이러한방법으로제작된표면소재는대면적화나대량생산이쉽지않은단점이있으며, 코팅물질과모재 ( 母材, base material) 와의접착력등도문제가있을수있다. [0009] [0010] [0011] 냉동기나공조시스템의열교환기 ( 증발기 ) 의경우, 시스템의성능이나효율은열교환기의열전달면적에비례한다. 이에여러가지형태의휜을부착하여열전달면적을늘여준다. 냉동이나제습시스템에서그성능및효율을떨어뜨리는가장문제는증발기표면의결로 ( 서리 ) 현상으로써, 응축하여생긴액적 (droplet) 이얼어서열교환면적을줄이거나, 휜과휜사이에액적들이엉겨붙어공기측유로를막음으로써열교환유량을떨어뜨리고, 송풍기부하를증가시키게된다. 뿐만아니라, 열교환이원활하지못하게되어증발기외부표면에계속적인결로현상으로공기측유로가막히고, 송풍기과부하등고장의원인이되며, 심한경우에는시스템이멈추게된다. 이에, 외부로부터부과적인열을공급하여제상 (defrosting) 하거나, 주기적으로냉매를역순환시켜증발기를가열하여제상하는등부과적인에너지공급으로시스템효율을떨어뜨리는문제가있어왔다. 이에, 증발기외부표면을친수성으로처리하여열교환기표면에액적생성을억제하며, 항시균일한얇은수막을형성하여일정한열교환성능을유지시켜줄수있는해법이연구되어왔다 [C.CWang, International Journal of Heat and MassTransfer 41 (1998), 3109]. 위의냉동기나공조기와같은원리로, 액체식제습액을사용하지않는제습기에포함되고그표면에서응축이일어나수분을포집하는증발기에있어서도, 증발기의표면이친수성으로처리되었을경우제습기성능과효율이높아진다 [G-R Kim, Experimental Thermal and Fluid Science 27 (2002), 1-10]. 그러나, 친수성표면처리의내구성문제가항시대두되어왔으며, 친환경적이며처리비용이저렴한친수성표면처리기법이요구되어왔다. 이에본발명은그처리공정이친환경적이며, 기존에어떠한표면처리기법보다도내구성이향상되며, 비교적간단한장비로형상에관계없이표면처리가가능한기법을제시한다. 발명의내용 [0012] 해결하려는과제 본발명의목적은친수성이향상된알루미늄표면의제조방법및친수성알루미늄표면체를제공하는것으로,
6 상기알루미늄표면체는순수 ( 물 ) 와의접촉각이작은친수성을가지며, 이러한친수성특성이지속성을가지 는알루미늄소재를제공하는것이다. [0013] [0014] [0015] [0016] 과제의해결수단상기목적을달성하기위하여, 본발명의일실시예에따른친수성알루미늄표면의제조방법은, 반응성가스를이용하여알루미늄 (aluminum) 표면의일부또는전부를도핑 (doping) 처리하여활성화된표면을갖는도핑- 알루미늄을제조하는활성화단계, 그리고상기도핑-알루미늄을산화시켜상기알루미늄표면의일부또는전부에나노돌기구조를포함하는나노패턴을형성하여친수성알루미늄표면을제조하는구조형성단계를포함한다. 상기도핑처리는대기압플라즈마처리법, 플라즈마 (plasma) 화학기상증착법, 이온빔 (ion beam) 조사법, 플라즈마이온주입법또는스퍼터 (sputter) 공정을이용하는것일수있다. 상기도핑-알루미늄은알루미늄의표면이 F 나 Cl 및이들의조합으로이루어진군에서선택된어느하나의원소로도핑된것일수있다. 상기반응성가스는, CHF 3, C 2 F 6, C 2 Cl 2 F 4, C 3 F 8, C 4 F 8, SF 6 및이들의조합으로이루어진군에서선택된어느하 나를포함하는것일수있다. [0017] [0018] [0019] [0020] [0021] 상기도핑처리는, 2 Pa 내지 10 Pa의압력과 100 W 내지 300 W의전원조건에서수행되는것일수있다. 상기도핑처리는, RF(radio frequency) 전원을이용한플라즈마화학증착법 (PACVD, Plasma-assisted chemical vapor deposition) 으로수행되는것일수있다. 상기구조형성단계의산화는물을포함하는반응액또는이의증기와상기도핑-알루미늄이접촉하여이루어지는것일수있다. 상기구조형성단계에서의산화는, 70 내지 90 의상기반응액또는이의증기와상기도핑-알루미늄이접촉하여이루어지는것일수있다. 상기나노돌기구조는침상, 판상또는점 (dot) 형상의나노돌기를포함하고, 상기나노돌기는보헤마이트 {boehmite, ALO(OH)}, 산화알루미늄 (Al 2 O 3 ) 및이들의조합으로이루어진군에서선택된어느하나를포함하는 것일수있다. [0022] [0023] [0024] [0025] [0026] 상기친수성알루미늄표면은순수를이용한접촉각이 10도이하인초친수성을가지는것일수있다. 본발명의다른일실시예에따른친수성알루미늄표면체는, 표면의일부또는전부에나노돌기구조를포함하는나노패턴이형성된알루미늄으로, 상기나노돌기구조는높이가 10 nm 내지 100 nm인침상, 또는판상이거나점 (dot) 형상의나노돌기를포함한것이다. 상기나노돌기는보헤마이트 {boehmite, ALO(OH)}, 산화알루미늄 (Al 2 O 3 ) 및이들의조합으로이루어진군에서선택된어느하나를포함하는것일수있다. 상기알루미늄의표면은, 순수를이용하여측정한접촉각이 10도이하인초친수성을가지는것일수있다. 본발명의또다른일실시예에따른제습기는상기친수성알루미늄표면체를포함한다. 본발명의또다른일실시예에따른수분수집기는상기친수성알루미늄표면체를포함한다. [0027] [0028] [0029] [0030] [0031] 이하, 본발명을보다상세하게설명한다. 본발명은, 순수 ( 물 ) 와의접촉각이작으며, 이러한작은접촉각이시효효과의영향을받지않고지속성을가지는표면의알루미늄소재를제조하는방법및그알루미늄표면체에대한것이다. 본발명에서알루미늄이라함은, 그형상이나두께, 다른소재와의결합여부와상관없이, 알루미늄을포함하여이루어진재료및물품을의미하며, 순수한알루미늄으로이루어진소재로한정하는것은아니다. 본발명의일실시예에따른친수성알루미늄표면의제조방법은, 활성화단계, 그리고구조형성단계를포함한다. 상기활성화단계는, 반응성가스를이용하여알루미늄 (aluminum) 의표면을도핑 (doping) 처리하여활성화된표
7 면을갖는도핑 - 알루미늄을제조하는과정을포함한다. [0032] [0033] [0034] [0035] [0036] 상기도핑-알루미늄은알루미늄의표면이 F, Cl 및이들의조합으로이루어진군에서선택된어느하나의원소로도핑된것일수있고, 이렇게알루미늄의표면이활성화되면, 이후구조형성단계에서표면산화반응에의하여침상, 판상또는점형상의나노돌기구조를형성할수있다. 상기도핑처리는, 상기알루미늄의표면에상기원소들을도핑되어도핑-알루미늄이제조될수있는것이라면적용할수있으나, 바람직하게, 반응성가스를이용한플라즈마, 이온빔, 또는스퍼터공정을이용할수있다. 상기플라즈마공정은, 대기압플라즈마증착법, 플라즈마화학증착법, 이온빔증착법, 플라즈마주입법등이적용될수있다. 상기도핑처리를위해서, 플라즈마화학증착법 (PACVD, Plasma-assisted chemical vapor deposition) 이적용될수있으며, 이는도핑하려는전구체를플라즈마형태로변환한후알루미늄과같은기판표면에증착혹은도핑하는방법으로, 이를적용하는경우에는증착혹은도핑시공정변수를쉽게제어할수있으며, 기존습식공정에비해서유해성이현저히줄어드는유리한효과를얻을수있다. 상기도핑처리는, 2 Pa 내지 10 Pa의압력과 100 W 내지 300 W의전원조건에서수행되는것일수있다. 상기압력및전원의조건에서이루어지는경우에는코팅공정변수의정확한제어가가능하여표면활성처리가안정적으로이루어질수있다. 상기반응성가스는, CHF 3, C 2 F 6, C 2 Cl 2 F 4, C 3 F 8, C 4 F 8, SF 6 및이들의조합으로이루어진군에서선택된어느하 나를포함하는것일수있다. 상기반응성가스를상기도핑처리에이용하는경우에는, 알루미늄표면에도 핑이더효과적으로이루어질수있다. [0037] [0038] [0039] [0040] [0041] [0042] 상기구조형성단계는, 상기도핑-알루미늄을산화시켜상기알루미늄의표면에나노패턴을형성하는과정을포함한다. 상기나노패턴은나노돌기구조를포함하는것이고, 상기나노돌기구조는복수개의나노돌기가형성되어있는구조이며, 상기나노돌기는침상, 판상또는점형상의형태를가진것일수있다. 상기구조형성단계의산화는물을포함하는반응액또는이의증기와상기도핑-알루미늄이접촉하여이루어지는것일수있다. 상기물은, 증류수, 탈이온수및이들의조합을포함하는것일수있으며, 상기반응액은물로이루어진것이거나, 물과함께산, Cl을포함하는염 (salt) 및이들의조합을포함하여이루어진것일수있다. 상기 Cl을포함하는염으로는예를들어염화나트륨 (NaCl) 이적용될수있다. 상기활성화단계를거친알루미늄의표면은, 도핑처리에의하여그표면이산화되기쉬운상태가된다. 이렇게, 도핑에의하여전기화학적으로산화반응이촉진된알루미늄의표면은, 물을포함하는반응액또는이의증기와의접촉에의하여그표면에침상의나노돌기가형성된나노돌기구조인나노패턴을형성한다. 그리고, 반응액또는그증기에포함된물또는수증기와의도핑알루미늄표면이접촉하면서산화반응이일어나고, 상기침상의나노돌기들이자라나면서판상의나노돌기가빽빽하게형성된나노돌기구조의나노패턴이형성될수있다. 특히, 물을포함하는반응액내에서상기구조형성단계가이루어지는경우에는, 알루미늄표면에형성된산화알루미늄이반응액에존재하는기포에의해서공격받아나노돌기구조형성이촉진될수있다. 상기반응액또는그의증기는, 바람직하게 70 내지 90 인것일수있다. 상기나노돌기구조는보헤마이트 {boehmite, ALO(OH)}, 산화알루미늄 (Al 2 O 3 ) 및이들의조합으로이루어진군 에서선택된어느하나를포함하는것이고, 보헤마이트, 산화알루미늄및이들의조합으로이루어진군에서 선택된어느하나로이루어진것일수있다. [0043] [0044] 상기나노돌기가침상인경우에는, 그길이방향이알루미늄의표면과실질적으로수직하고, 길이방향의일끝단은알루미늄의표면과화학적으로결합되어있으며, 다른일끝단은친수화알루미늄의표면을이루면서공기와접해있는구조를가진다. 또한, 상기나노돌기구조가판상 (nano-flake) 인경우에는, 알루미늄의표면과실질적으로수직한높이방향의일끝단은알루미늄과화학적으로결합되어있고, 다른일끝단은친수화처리된알루미늄표면체의표면을이루면서공기와접해있는구조로, 상기판상인나노돌기구조의형상은나뭇잎이나꽃잎과유사한형태이다. 또한, 상기판상의나노돌기구조는공기와접하는끝단부분이톱니형상을가진것일수있다. 상기알루미늄의표면이, 이와같은나노돌기구조를포함하는나노패턴으로이루어진경우에는, 미세한나
8 노패턴에의하여소수성인알루미늄표면이친수성으로변화한다. 또한, 상기나노패턴은내구성이우수하 고화학적으로안정하여, 친수성이오랫동안유지될수있다. [0045] [0046] [0047] [0048] 상기나노돌기는, 침상인경우에는높이가 10 nm 내지 100 nm인것일수있고, 판상인경우에는그높이가 10 nm 내지 100 nm이고, 폭이 10 nm 내지 100 nm인것일수있다. 상기친수성알루미늄표면의제조방법에의하여처리된알루미늄은순수를이용한접촉각이 20도이하인친수성인표면을가지는것일수있고, 10도이하인초친수성표면을가지는것일수있다. 상기친수성알루미늄표면의제조방법에의하면, 친수성폴리머등의별도의첨가물을코팅한코팅막을형성하지않고도, 소수성을띄는알루미늄을인공적으로친수성또는초친수성알루미늄으로제조할수있다. 이렇게처리된친수성또는초친수성알루미늄은, 향상된제습기능을가지며, 집수 (water harvesting) 용, 흐림방지 (anti-fog) 용, 자기세정, 항균 (anti-bacteria) 용또는세포를성장시키기위한용도로활용될수있다. 또한, 상기제조방법에의하여처리한친수성알루미늄은시효효과가거의나타나지않고오랫동안친수성특성이유지되며, 친수성코팅제를사용하지않으면서도친수성표면을얻을수있다. 나아가, 대면적알루미늄에적용이가능한방법이면서도상대적으로저진공또는상압에서공정이가능하여대랑생산이가능한방법이며, 산성용액과같은유독물질의사용을최소화하여친환경적인방법으로친수성알루미늄을제공할수있다. 본발명의다른일실시예에따른친수성알루미늄표면체는, 그표면의일부또는전부에나노돌기구조를포함하는나노패턴이형성된알루미늄이다. 상기나노돌기구조는, 높이가 10 nm 내지 100 nm의침상, 또는판상의나노돌기를포함하며, 상기나노돌기는보헤마이트 {boehmite, ALO(OH)}, 산화알루미늄 (Al 2 O 3 ) 및이 들의조합으로이루어진군에서선택된어느하나가포함될수있으며, 이들로이루어진것일수있다. [0049] [0050] [0051] 상기나노돌기구조가판상인경우에는그폭이 10 nm 내지 100 nm인것일수있다. 또한, 상기친수성알루미늄표면체는순수를이용하여측정한접촉각이 20도이하인친수성을가진것일수있고, 10도이하인초친수성을가진것일수있다. 상기친수성알루미늄표면체는, 알루미늄표면의미세구조를제어하는기술로친수화처리된것이므로, 단순한코팅이나표면활성화처리와비교하여월등하게오랫동안친수성또는초친수성이유지될수있다. 아울러, 알루미늄의표면과화학적으로결합된나노패턴에의하여친수성이부여되는것이고, 이러한나노패턴은에너지적으로안정하여, 친수성알루미늄표면체의내구성도우수하다. 본발명이또다른일실시예에따른제품은상기친수성알루미늄표면체를포함한다. 상기제품은, 친수성알루미늄표면이부품의전부또는일부에적용되는것이라면족한데, 공업용또는가정용제습기 ; 위생배관 ; 감이서리지않는거울또는유리 ; 에어컨, 냉장고, 냉동고와같은각종열교환기 ; 와같은제품이이에해당한다. [0052] 발명의효과본발명의친수성알루미늄표면의제조방법및친수성알루미늄표면체는, 접촉각이작아소수성을띄는알루미늄을인공적으로친수성또는초친수성알루미늄으로제조할수있고, 시효효과가거의나타나지않고오랫동안친수성이유지되는알루미늄표면체를제공할수있다. 또한, 친수성코팅제를사용하지않으면서도알루미늄표면에우수한친수성을부여할수있다. 상기제조방법은, 대면적알루미늄에적용이가능한방법이면서도상대적으로저진공또는상압에서공정이가능하여대랑생산이가능한방법이며, 산성용액과같은유독물질의사용을최소화하여친환경적인방법이다. [0053] 도면의간단한설명 도 1 은본발명의일실시예에따른친수성알루미늄표면의제조방법을설명하는개략도이다. 도 2는친수성알루미늄표면처리가되지않은일반적인알루미늄표면의접촉각을촬영한사진 ( 위 ) 과본발명에의한친수성알루미늄표면처리를한알루미늄표면의접촉각을촬영한사진 ( 아래 ) 이다. 도 3은도 2의 ( 위 ) 에해당하는일반적인알루미늄 ( 순도 Al=99.9%) 의표면을대하여촬영한전자현미경사진이다. 도 4는도 2의 ( 아래 ) 에해당하는판상의나노돌기구조 (nano-flake 형태 ) 가형성된알루미늄표면을확대하
9 여촬영한전자현미경사진이다. 도 5는상기도 3의사진을더욱확대하여꽃잎형태의구조가관찰되는전자현미경사진이다. 도 6은본발명의일실시예에따른나노돌기구조가형성된알루미늄표면을플라즈마도핑시간을달리하여제조하고이를확대하여촬영한전자현미경사진이다. 도 7은상기도2의나노돌기구조의성분이알루미늄산화층 (boehmite) 임을이있음을나타내는 XPS 성분분석을결과이다. 도 8은각각표시된압력및전압의조건에서플라즈마공정을이용하여활성화단계를거친후에구조형성단계를수행한실시예 3을이용하여알루미늄표면에서측정한순수에대한접촉각의변화를나타내는그래프이다. 도 9, 및도 10은친수성알루미늄표면을공기중에보관하여시간에따른순수에대한접촉각의변화를나타낸그래프이다. 도 9에서, 은비교예 1의알루미늄의접촉각변화를측정한결과를나타내고, 은본발명의실시예에의하여처리된친수성알루미늄의접촉각변화를측정한결과를나타낸다. 또한, 도 10에서 은활성화처리없이끓는물로만처리한알루미늄표면의접촉각의변화를측정한결과이고, 은본발명의실시예에의하여처리된친수성알루미늄의시간에따른접촉각변화를나타낸결과이다. [0054] 발명을실시하기위한구체적인내용이하, 본발명이속하는기술분야에서통상의지식을가진자가용이하게실시할수있도록본발명의실시예에대하여첨부한도면을참고로하여상세히설명한다. 그러나본발명은여러가지상이한형태로구현될수있으며여기에서설명하는실시예에한정되지않는다. [0055] [0056] [0057] < 실시예 1> 이하, 본발명의친수성알루미늄표면의제조방법에의하여알루미늄표면판상의나노돌기구조가형성된친수성알루미늄표면을제조하는방법을도 1을참고하여설명한다. 반응성가스로 CF 4 가스를사용하여플라즈마도핑 (plasma doping) 처리로알루미늄의표면을활성화하였다. 알루미늄은 99.9% 순도의판재를사용하였고, 플라즈마공정은 r.f. PACVD 를이용하였으며, 식각압력이 2 Pa 내지 5 Pa 이며, r.f. 전원이 100 W 내지 300 W 인조건에서 30 초동안처리하여, F 원소가알루미늄표면에도 핑되어있는도핑 - 알루미늄을제조하였다. [0058] [0059] [0060] 상기도핑-알루미늄은끓는물에담그고, 10 분동안유지한후에물에서빼내서나노패턴이형성된친수성알루미늄표면을가진알루미늄을제조하였다. 도 4 및도 5는상기실시예 1에의하여제조된알루미늄의친수성알루미늄표면을전자현미경으로촬영한사진이다. 상기도 4 및도 5를참조하면, 판상의나노돌기구조가빽빽하게형성된나노패턴이형성되어있다는점을확인할수있다. 또한, 상기나노판상구조는 10 nm 내지 100 nm의두께를가지는것임을확인할수있다. 도 7은상기실시예 1의나노돌기구조의 XPS 성분분석결과로, 나노돌기구조의성분은 AlOOH로분석되며, 나노구조에서는산소의양이상대적으로많아짐을알수있다. 본구조는기존문헌에보고된알루미늄산화물질인boehmite 구조와유사함을알수있다. [Kloprogge, Journal of colloid and interface science 296 (2006) ] [0061] [0062] [0063] < 실시예 2> 상기실시예 1과동일하게알루미늄의표면을친수화처리하였다. 다만, 알루미늄표면에플라즈마도핑시간, 30초, 1분, 10분, 30분으로다양하게처리하였다. 상기실시예 2에의하여제조된친수성알루미늄표면의전자현미경사진을도 6에나타냈고, 나도돌기구조가시간에따라서변화함을알수있으며, 처리시간이짧은경우넓적한판상의나노구조가형성되고, 10분이상의경우판상나노구조보다는끝이뾰족한침상이나타나며, 30분에서는점 (dot) 의형태를가지는것을
10 확인할수있었다. [0064] 상기실시예 1 및 2의결과에서알수있듯이. 상기도핑-알루미늄은그표면에 F 원소가도핑되어있는상태이기때문에, 물과의반응시급속한산화반응이일어나게되고, 이에의하여침상혹은판상구조의나노패턴이형성되게된다. 상기도핑의시간을조절하여침상의나노돌기구조가형성되는지, 판상의나노돌기구조가형성되는지, 또는점형태의나노돌기구조가형성되는지조절할수있다. [0065] [0066] < 실시예 3> 상기실시예 1과동일하게알루미늄의표면을친수화처리하였다. 다만, 도핑처리시의조건을도 8에표시된것과같이변경하면서처리하였고, 각각의샘플을도 8에표시된시간에따라이알루미늄표면에플라즈마도핑시간을달리하면서처리하고, 처리된샘플의순수에대한접촉각을측정하여나타내었다. [0067] [0068] < 비교예 1> 실시예 1에서사용한순도 99.9% 의알루미늄에친수성알루미늄표면처리를하지않은것을비교예 1로하여전자현미경사진및접촉각을측정하였다. 비교예 1인미처리알루미늄의전자현미경사진을도 3에나타내었고, 나노패턴이형성되지않은평평한구조의표면을가지고있다는것을확인하였다. [0069] [0070] [0071] [0072] < 비교예 2> 실시예 1과동일하게, 반응성가스로알루미늄에 F 도핑처리를하여도핑-알루미늄을제조하였다. 다만, 실시예 1과다르게여기에구조형성단계를수행하지않고, 표면이활성화된알루미늄의상태로표면의구조및접촉각을측정하였다. 비교예 2의알루미늄표면은나노돌기구조가형성되지않은것으로확인되었고, 또한순수를이용한접촉각이약 60도로나타나서, 비교예1에서측정한일반알루미늄표면의접촉각과유사하였으며, 친수성이나타나지않았음을확인하였다. [0073] [0074] < 비교예 3> 실시예 1과동일하게처리하되, 도핑처리에의한활성화단계를거치지않고, 끓는물에알루미늄을담구는구조형성단계만을수행하여비교예 3의샘플을제조하였다. 비교예 3의샘플은시간의경과에따른접촉각의변화를측정하여도 10에나타내었다. [0075] [0076] [0077] < 실험예 : 실시예및비교예의접촉각측정 > 이하, 이렇게제작된표면체의친수성특성측정방법및그결과에대하여구체적으로살펴보도록한다. 접촉각의측정은 Goniometer(Data Physics instrument Gmbh, OCA 20L) 를이용하여수행하였다. 이장비는, 표면의고착된물방울 (sessile droplet) 의광학적이미지와접촉각을측정가능하게해준다. 정적접촉각 (static contact angle) 은표면에 5ml 물방울을조심스럽게위치 (gentle landing) 함으로써측정하였다. [0078] [0079] 1) 비교예 1 및실시예 1의순수에대한접촉각측정도 2는친수성알루미늄표면처리가되지않은일반적인알루미늄표면 ( 비교예 1) 의접촉각을촬영한사진 ( 위 ) 과본발명에의한친수성알루미늄표면처리를한알루미늄표면 ( 실시예 1) 의접촉각을촬영한사진 ( 아래 ) 이다. 상기도 2의사진들을참고하면, 비교예 1의사진은접촉각이약 60도로측정되었으나, 실시예 1은약 12도로측정되어서알루미늄이친수성알루미늄표면으로처리되었음을확인할수있다. [0080] 2) 플라즈마처리의전압에따른비교예 1 및실시예 3 의알루미늄표면구조제조및순수에대한접촉각측
11 정 [0081] [0082] 도 8은각각표시된압력및전압의조건만을다르게하고다른조건들은실시예 1과동일하게적용하여플라즈마공정에의한활성화단계를거친후, 구조형성단계를수행한실시예 3을이용하여알루미늄표면에서측정한순수에대한접촉각을측정한그래프이다. 상기도 8을참조하면, 플라즈마처리시의압력및전압에따라서접촉각이미세하게변하기는하지만, 압력과전압을변경하여실시한 6번의실시예3의결과에서모두약 10도미만의초친수성표면이형성되었다는점을확인할수있었다. 또한, 플라즈마처리의시간에따른접촉각의변화를살펴도, 6 번의실험에서모두약 10도미만의초친수성이얻어진다는점을확인할수있었다. 상기결과는, 나노패턴이형성되지않은평활한알루미늄표면에서측정된접촉각이약 60도인것과비교하여, 식각압력, 전압, 그리고활성화처리시간과무관하게, 나노패턴이형성된실시예들의표면은모두순수와의접촉각이 10도이하를값을가지는초친수성표면인것으로나타났다. [0083] [0084] [0085] [0086] [0087] 3) 시효효과의평가도 9 및도10는친수성알루미늄표면을공기중에보관하여시간에따른순수에대한접촉각의변화를나타낸그래프이다. 도 9에서, 으로표시한것은비교예 1인미처리알루미늄의접촉각을나타낸결과이고, 으로나타낸것은본발명의실시예 1에의하여처리된친수성알루미늄의시간에따른접촉각변화를나타낸결과이다. 상기도 9를참조하면, 공기중에보관한실시예 1의친수성을가진알루미늄표면은, 10도미만의접촉각이 60일동안유지되는것을확인할수있었다. 반면에, 비교예 1의미처리알루미늄표면은약 70도의접촉각이유지되어소수성특성을나타내는것이확인되었다. 도 10에서, 은활성화처리없이끓는물로만처리한비교예 3의알루미늄표면을샘플로하여, 순수에대한접촉각의변화를측정한결과이고, 은본발명의실시예에의하여처리된친수성알루미늄의시간에따른접촉각변화를나타낸결과이다. 비교예 3의샘플은, 공기중에서방치한후 7일경부터순수에대한접촉각이커지기시작해서, 약 30일이경과한이후에는미처리알루미늄과동일하게약 70도의접촉각을나타내는것을확인하였다. 그러나, 본발명의실시예의결과인 은 60일까지접촉각의변화가거의없는것으로나타나서, 본발명에의하여제조된알루미늄표면은, 시효효과없이친수성을유지하는것이확인되었다. 이러한결과는본발명에의하여처리된알루미늄표면은우수한친수성을가지도록표면처리가되었으며, 처리된표면의내구성이우수하며, 시효효과가나타나지않는것으로생각된다. [0088] 이상에서본발명의바람직한실시예에대하여상세하게설명하였지만본발명의권리범위는이에한정되는 것은아니고다음의청구범위에서정의하고있는본발명의기본개념을이용한당업자의여러변형및개량 형태또한본발명의권리범위에속하는것이다. 도면 도면 1
12 도면 2 공개특허
13 도면 3 공개특허
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15 도면 5 공개특허
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공개특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 (43) 공개일자 2013년09월25일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B65D 25/14 ( ) C23
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 10-2013-0104189 (43) 공개일자 2013년09월25일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B65D 25/14 (2006.01) C23C 16/26 (2006.01) C08J 7/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0025472 (22) 출원일자
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(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H01L 21/60 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-0028172 (22) 출원일자 2010 년 03 월 29 일 심사청구일자 2010 년 03 월 29 일 (65) 공개번호 10-2011-0108779 (43) 공개일자 2011 년 10 월 06 일 (56)
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(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B01D 53/22 (2006.01) B01D 53/62 (2006.01) (52) CPC 특허분류 B01D 53/225 (2013.01) B01D 53/228 (2013.01) (21) 출원번호 10-2015-0076621 (22) 출원일자 2015 년
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(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) G06F 1/20 (2006.01) H01L 23/34 (2006.01) F28D 15/02 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0087354 (22) 출원일자 2009년09월16일 심사청구일자 2009년09월16일 (65) 공개번호 10-2011-0029605
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(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) B01J 23/34 (2006.01) B01J 37/02 (2006.01) B01J 37/08 (2006.01) B01D 53/86 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-0098306 (22) 출원일자 2010년10월08일 심사청구일자 2010년10월08일
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(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2013년11월20일 (11) 등록번호 10-1331589 (24) 등록일자 2013년11월14일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) H01L 21/28 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0052189 (22) 출원일자 2012 년 05 월 16 일 심사청구일자
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(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개실용신안공보(U) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) B65B 67/12 (2006.01) B65D 88/16 (2006.01) (21) 출원번호 20-2012-0003587 (22) 출원일자 2012년05월01일 심사청구일자 2012년05월01일 (11) 공개번호 20-2013-0006479 (43) 공개일자
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(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) A61L 27/08 (2006.01) A61F 2/82 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0015001 (22) 출원일자 2009 년 02 월 23 일 심사청구일자 2009 년 02 월 23 일 (65) 공개번호 10-2010-0095942 (43) 공개일자
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작품번호 37 Solar material 로쓰일수있는검정색물질의재발견! 출품분야학생부출품부문화학 2009. 5. 13 시 군 학교 ( 소속 ) 학년 ( 직위 ) 성 명 성남시풍생중학교 2 김호기, 이희원 지도교사풍생중학교교사김경원 - 1 - - 2 - - 3 - - 4 - - 5 - - 6 - - 7 - 석탄은주로탄소로구성되어있고, 수소와산소가들어있다. 이밖에질소
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대 법 원 제 2 부 판 결 사 건 2013후518 권리범위확인(특) 원고, 상고인 코오롱인더스트리 주식회사 소송대리인 변리사 경진영 외 2인 피고, 피상고인 토요보 가부시키가이샤(변경 전: 토요 보세키 가부시키가이샤) 소송대리인 변호사 박성수 외 4인 원 심 판 결 특허법원 2013. 1. 25. 선고 2012허6700 판결 판 결 선 고 2015. 9.
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(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C23F 13/00 (2006.01) C23F 13/04 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0139800 (22) 출원일자 2011 년 12 월 22 일 심사청구일자 2011 년 12 월 22 일 (65) 공개번호 10-2013-0072406
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(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) F26B 3/347 (2006.01) F23G 5/00 (2006.01) B09B 3/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0104077 (22) 출원일자 2009 년 10 월 30 일 심사청구일자 (30) 우선권주장 없음 2020090010354 2009
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(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H01L 23/12 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0057147 (22) 출원일자 2007 년 06 월 12 일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 JP2004014722 A US6861288 B2 2007 년 06 월 12 일 (45) 공고일자 2008년10월24일
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ABS 소재개발팀이수경 lsklg@lgchem.com 증착기술소개 우리일상에서 증착 이이용된제품을찾는것은어렵 지않다. 금속이아니면서은빛을내는알루미늄포장지와램프하우징 (lamp housing) 을비롯하여반도체, OLED 는모두금속을증착한제품이다. 증착 (deposition) 이란기체상태의금속입자를금속, 플라스틱과같은물체표면에수마이크로미터의얇은고체막을입히는방법이다.
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(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H01L 27/105 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0070334( 분할 ) (22) 출원일자 2008 년 07 월 18 일 심사청구일자 2008 년 07 월 18 일 (65) 공개번호 10-2008-0070806 (43) 공개일자 2008 년 07 월
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5. 상평형 : 순수물질 이광남 5. 상평형 : 순수물질 상전이 phase transition 서론 ~ 조성의변화없는상변화 5. 상평형 : 순수물질 전이열역학 5. 안정성조건 G ng ng n G G 자발적변화 G < 0 G > G or 물질은가장낮은몰Gibbs 에너지를갖는상 가장안정한상 으로변화하려는경향 5. 상평형 : 순수물질 3 5. 압력에따른Gibbs
More information등록특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) G01R 29/08 ( ) (21) 출원번호 (22) 출원일자 2011 년 12 월 28 일 심사
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) G01R 29/08 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0144999 (22) 출원일자 2011 년 12 월 28 일 심사청구일자 2011 년 12 월 28 일 (65) 공개번호 10-2013-0076416 (43) 공개일자 2013 년 07
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(51) Int. Cl. H04B 1/40 (2006.01) (19)대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2006년11월23일 10-0646983 2006년11월09일 (21) 출원번호 10-2004-0053063 (65) 공개번호 10-2006-0004082 (22) 출원일자 2004년07월08일
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(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) G06Q 30/00 (2006.01) G06Q 50/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0133476 (22) 출원일자 2008년12월24일 심사청구일자 2008년12월24일 (65) 공개번호 10-2010-0074918 (43) 공개일자 2010년07월02일
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(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 2013년08월12일 (11) 등록번호 10-1295372 (24) 등록일자 2013년08월05일 (51) 국제특허분류(Int. Cl.) D01F 8/12 (2006.01) D01D 5/00 (2006.01) D04H 1/42 (2006.01) (73) 특허권자 한국화학연구원 대전광역시
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(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) B81B 7/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0007106 (22) 출원일자 2007 년 01 월 23 일 심사청구일자 2007 년 01 월 23 일 (65) 공개번호 10-2008-0069416 (43) 공개일자 2008 년 07 월 28 일 (56)
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(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2010년04월09일 (11) 등록번호 10-0951955 (24) 등록일자 2010년04월01일 (73) 특허권자 (51) Int. Cl. 재단법인서울대학교산학협력재단 C02F 1/72 (2006.01) C02F 11/06 (2006.01) 서울특별시관악구봉천7동산4의 2번지
More informationKorean Patent No. KR
From the SelectedWorks of Adam Stephenson December 22, 2008 Korean Patent No. KR1020067027478 Adam R Stephenson Available at: https://works.bepress.com/adam_stephenson/8/ (51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR)
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(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) H04J 11/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0038191 (22) 출원일자 2012년04월13일 심사청구일자 2012년04월13일 (65) 공개번호 10-2013-0115668 (43) 공개일자 2013년10월22일 (56) 선행기술조사문헌
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(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2015년12월03일 (11) 등록번호 10-1573375 (24) 등록일자 2015년11월25일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) G06F 12/08 (2006.01) (21) 출원번호 10-2013-0131411 (22) 출원일자 2013 년 10 월 31 일 심사청구일자
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교육문의 : 031-546-6245( 수원 ), 054-479-2185( 구미 ), 052-217-2640( 울산 ) 일월화수목금토 1 2 3 4 5 6 7 나노내부결정분석 8 9 10 11 12 13 14 나노박막증착공정 15 16 17 18 19 20 21 나노표면특성분석 나노결정물질구조및성분분석기술 22 23 24 25 26 27 28 29 30 나노광소자공정
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(51) Int. Cl. 7 A61L 9/20 (19)대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2005년05월25일 10-0491080 2005년05월13일 (21) 출원번호 10-2004-0022173 (65) 공개번호 10-2004-0037034 (22) 출원일자 2004년03월31일 (43)
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(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) G01F 23/02 (2006.01) G01F 23/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0096769 (22) 출원일자 2007년09월21일 심사청구일자 전체 청구항 수 : 총 5 항 (54) 지하수위 관측장치 2007년09월21일 (11) 공개번호 10-2009-0031004
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(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H05K 3/14 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0132946 (22) 출원일자 2009 년 12 월 29 일 심사청구일자 2009 년 12 월 29 일 (65) 공개번호 10-2011-0076279 (43) 공개일자 2011 년 07 월 06 일 (56)
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(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B64C 13/20 (2006.01) B64C 39/02 (2006.01) G05D 1/00 (2006.01) H04M 1/725 (2006.01) (52) CPC 특허분류 B64C 13/20 (2013.01) B64C 39/024 (2013.01) (21)
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(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (11) 공개번호 10-2015-0069268 (43) 공개일자 2015년06월23일 (51) 국제특허분류(Int. Cl.) B01J 20/10 (2006.01) B01D 53/62 (2006.01) B01J 20/282 (2006.01) (21) 출원번호 10-2013-0155502 (22) 출원일자
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(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B25J 13/08 (2006.01) B25J 9/16 (2006.01) B25J 15/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0028017 (22) 출원일자 2012 년 03 월 20 일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 JP2002264059
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(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) H05K 3/34 (2006.01) B23K 1/19 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0091105 (22) 출원일자 2012년08월21일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 JP2004172398 A JP2004255426 A KR1020080083127
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(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2014년04월21일 (11) 등록번호 10-1379377 (24) 등록일자 2014년03월24일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C01B 3/26 (2006.01) B01D 53/54 (2006.01) B01J 19/24 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0122681
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(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 2014년04월14일 (11) 등록번호 10-1384704 (24) 등록일자 2014년04월07일 (51) 국제특허분류(Int. Cl.) F16L 9/18 (2006.01) F17D 1/00 (2006.01) F16L 3/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0113933
More information도면의간단한설명 도 1 은본발명의실시예 1 내지 3 에서합성한하이드로탈사이트의 X- 선회절패턴을나타내는그래프, 도 2 는본발명의실시예 1 내지 3 에서합성한나노하이드로탈사이트의투과전자현미경 (TEM) 사진, 도 3 은본발명의실시예 1 내지 3 에서합성한나노하이드로탈사이
(51) Int. Cl. B82B 3/00 (2006.01) (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2006 년 07 월 14 일 10-0601016 2006 년 07 월 07 일 (21) 출원번호 10-2003-0049850 (65) 공개번호 10-2005-0010610 (22)
More information<4D F736F F F696E74202D20342EBFADBFAAC7D02D32B9FDC4A22E BC8A3C8AF20B8F0B5E55D>
4. 열역학 : 제 2 법칙 이광남 열역학 : 제 2 법칙칙 1 엔트로피 자발적변화 (spontaneous change) ~ 시간에는무관 비자발적변화 (nonspontaneous change) 4.1 자발적인변화의방향 무질서해지려는에너지와물질의경향 물질의분산방향 에너지의분산방향 열역학 : 제 2 법칙칙 2 자발적인물리적과정 1. 물질이무질서해지려한다. 2.
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(P)180.120-W(B07B 1/20) 특 허 심 판 원 제 심 10 부 결 심 판 번 호 2008원3530 사 건 의 표 시 2007년 특허출원 제96606 호 매립 폐기물 및 건축 폐기물 분쇄 청 구 인 백운석 분리 처리장치 의 거절결정불복 인천 서구 가좌동 대리인 변리사 김은구 4-2 범양아파트 105-1105 서울 강남구 역삼동 647-13 동궁빌딩
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More information이 발명을 지원한 국가연구개발사업 과제고유번호 10029896 부처명 지식경제부 연구사업명 차세대신기술개발사업 연구과제명 세라믹 하이브리드 라미네이트용 저항체 소재기술 개발 주관기관 전자부품연구원 연구기간 2007년07월31일~2009년07월30일 - 2 -
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) H01B 1/20 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0068732 (22) 출원일자 2009년07월28일 심사청구일자 2009년07월28일 (65) 공개번호 10-2011-0011197 (43) 공개일자 2011년02월08일
More information특허청구의 범위 청구항 1 일반전화를 이용한 위험 알림시스템 및 실시간 영상전송 장치에서 CID(콜백넘버) 장치를 포함한 서버 및 그 장 비를 포함하며, 영상서버와 연동한 형태를 상황실에 전송하여 출동하는 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 일반전화를 이용한 위험 알
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (11) 공개번호 10-2014-0008486 (43) 공개일자 2014년01월21일 (51) 국제특허분류(Int. Cl.) G08B 25/08 (2014.01) G08B 21/02 (2006.01) G08B 13/196 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0075069 (22) 출원일자
More information<353320B1E8B9AEC1A42DBECBB7E7B9CCB4BD20BEE7B1D8BBEAC8ADB8A620BBE7BFEBC7D12E687770>
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society Vol. 13, No. 10 pp. 4757-4761, 2012 http://dx.doi.org/10.5762/kais.2012.13.10.4757 알루미늄양극산화를사용한 LED COB 패키지 김문정 1* 1 공주대학교전기전자제어공학부 ED COB Package
More information도 1 은본발명에사용되는증착장치의모식도이다. 도 2 및도 3 은본발명에실시예에의하여합성된탄소나노복합체박막의투과전자현미경 (TEM) 단면사진으로, 각각니켈을 30 초및 60 초동안증착하여니켈나노도트를형성시킨경우를나타낸다. 도 4 은순수한경질탄소박막과본발명에의하여합성된탄소
(51) Int. Cl. 7 C23C 14/34 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2005 년 09 월 13 일 10-0514347 2005 년 09 월 05 일 (21) 출원번호 10-2003-0038361 (65) 공개번호 10-2004-0107536 (22) 출원일자 2003년06월13일
More information저작자표시 - 비영리 - 변경금지 2.0 대한민국 이용자는아래의조건을따르는경우에한하여자유롭게 이저작물을복제, 배포, 전송, 전시, 공연및방송할수있습니다. 다음과같은조건을따라야합니다 : 저작자표시. 귀하는원저작자를표시하여야합니다. 비영리. 귀하는이저작물을영리목적으로이용할
저작자표시 - 비영리 - 변경금지 2.0 대한민국 이용자는아래의조건을따르는경우에한하여자유롭게 이저작물을복제, 배포, 전송, 전시, 공연및방송할수있습니다. 다음과같은조건을따라야합니다 : 저작자표시. 귀하는원저작자를표시하여야합니다. 비영리. 귀하는이저작물을영리목적으로이용할수없습니다. 변경금지. 귀하는이저작물을개작, 변형또는가공할수없습니다. 귀하는, 이저작물의재이용이나배포의경우,
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< 서식 5> 탐구보고서표지 제 25 회서울학생탐구발표대회보고서 출품번호 유글레나를이용한산소발생환경의탐구 2010. 09. 28. 소속청학교명학년성명 ( 팀명 ) 강서교육청서울백석중학교 3 임산해 [ 팀원이름 ] 목 차 Ⅰ. 탐구주제 02 Ⅱ. 탐구하게된동기 02 Ⅲ. 배경이론 02 1. 유글레나의특징가. ph 나. 온도 Ⅳ. 선행연구고찰 03 1. 산소결핍과인체에미치는영향
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서울시재개발재건축구역현황 (2016.12월기준 ) 연번 자치구 구역명 시행단계 주소 면적 사업구분 1 종로구 무악2 착공 무악동 46 11,059 재개발 2 종로구 신영1 조합 신영동 158 15,669 재개발 3 종로구 옥인1 사업시행 옥인동 47 30,282 재개발 4 종로구 충신1 조합 충신동 1-1 9,602 재개발 5 종로구 이화1 구역지정 이화동
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(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2013년06월24일 (11) 등록번호 10-1278021 (24) 등록일자 2013년06월18일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B65G 1/12 (2006.01) B65G 1/06 (2006.01) H01L 21/677 (2006.01) B25J 5/00 (2006.01)
More information특허청구의범위청구항 1 콘크리트전주의균열이발생한둘레면을감싸는메인시트 ; 상기메인시트와상기콘크리트전주의사이에개재되는타공성섬유시트 ; 상기메인시트의상하전면에접하는플레이트와, 상기플레이트에형성되어상기플레이트의둘레를조임으로써상기메인시트를상기콘크리트전주측으로가압하는클립밴드와,
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) E04G 23/02 (2006.01) E04H 12/12 (2006.01) E04C 3/34 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0044279 (22) 출원일자 2009 년 05 월 21 일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 KR1020030059736
More information특허청구의범위청구항 1 환경미화에사용되는청소차량의배기통의열을이용해가열매체를가열시키는상기배기통을감싸도록형성되는히팅관 ; 상기청소차량수거함에발생되는오수의결빙을방지할수있도록상기히팅관을통해가열된공기로이루어진가열매체의열을상기수거함으로전달하는가열부 ; 상기가열매체가상기히팅관에서가
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) B65F 3/02 (2006.01) B65F 3/00 (2006.01) B65F 7/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0023273 (22) 출원일자 2009 년 03 월 18 일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 KR100172217 B1* KR100284275
More information특허청구의범위청구항 1 (a) 염화금산 (HAuCl 4 ) 수용액에환원제를첨가하여금나노입자의콜로이드용액을제조하는단계 ; 및 (b) 상기금나노입자의콜로이드용액에카르복실기를가진에틸렌글라이콜과하이드록실기를가진에틸렌글라이콜의혼합용액의유기흡착제를첨가하여표면개질하는단계 ; 를포함
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 10-2009-0087591 (43) 공개일자 2009년08월18일 (51) Int. Cl. B82B 3/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0012917 (22) 출원일자 2008 년 02 월 13 일 심사청구일자 전체청구항수 : 총 7 항 2008 년 02
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8) 의 팔찌장신구는 단위면적간의 간격을 일정하게 만들고, 이를 원형으로 배열하여 디자인하였다. 팔찌의 내 경을 60mm로 최소화하여 어린이나 손이 작은 성인여성을 대상으로 착용이 가능하도록 하였다. 장신구구조물의 내부 형태에 예각으로 조각부분을 주어 3D 프린터로 출력하였 다. 의 조형물은 내부공간을 최대한 비우고, ABS 소재의 가벼운
More information(52) CPC 특허분류 C25B 15/02 ( ) C25B 9/04 ( ) C25B 9/10 ( ) C25B 9/18 ( ) Y02E 60/366 ( ) 이발명을지원한국가연구개발사업 과제고유번호
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C25B 1/04 (2006.01) C25B 13/08 (2006.01) C25B 15/02 (2006.01) C25B 9/04 (2006.01) C25B 9/10 (2006.01) C25B 9/18 (2006.01) (52) CPC 특허분류 C25B 1/04
More information특허청구의범위청구항 1 선박의안티재머 (Anti-Jammer) 위성항법시스템으로서, GPS 신호및 DGPS 신호를자함의 INS(Intertial Navigation System) 신호와비교하여기준오차범위초과시수신되는 GPS 신호와 DGPS 신호를재밍 (Jamming)
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 10-2014-0044048 (43) 공개일자 2014년04월14일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) G01S 19/07 (2010.01) (21) 출원번호 10-2012-0109967 (22) 출원일자 2012 년 10 월 04 일 심사청구일자 없음 전체청구항수 : 총 4
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바이오인터페이스 기술의 현재와 미래 성균관대학교 정보재료소자연구실(IMDL) 김한기 최근 정보통신 분야의 발전에 따라 기존의 다양한 어플 리케이션들은 평면성을 벗어나 이전부터 요구된 투명유 연하고 깨지지 않는 특성과 더불어 신축성을 가진 특성까 지 요구되고 있다. 이러한 흐름 속에서 투명 전극은 투명 하면서 전도성을 가지고 있는 전극 물질로서 디스플레이, 터치센서,
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탄소연속섬유복합체 제조기술 본분석물은교육과학기술부과학기술진흥기금을지원받아작성되었습니다. 머리말 제 1 장서론 1 제 2 장기술의개요 5 제 3 장기술동향분석 42 - i - 제 4 장탄소복합섬유시장전망 88 - ii - 제 5 장결론 107 참고문헌 111 표목차 - iii - 그림목차 - iv - - v - 1 서론 2 출처 : 한국섬유산업연합회, 최신섬유기술동향,
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