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루시아 전
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1 김범준 조정호 숭실대학교유기신소재 파이버공학과 Organic Thin Film Transistors Fabricated by Printing Process Beom Joon Kim and Jeong Ho Cho Department of Organic Materials and Fiber Engineering Abstract: 가격이저렴하고충격에의해깨지지않으며구부리거나접을수있는미래형디스플레이의구현을위해이를구성하는기본단위소자인유기박막트랜지스터 (organic thin film transistors) 의개발이아주중요한연구분야로대두되고있다. 이러한유기박막트랜지스터의실질적인응용을위해저가이며용액공정이가능한고성능전자소재 ( 절연체, 반도체, 전도체 ) 의개발과개발된소재를프린팅공정을통해종이나플라스틱위에패턴하는기술이절실히요구된다. 본고에서는유기박막트랜지스터제작에사용되는다양한프린팅공정에대한소개와연구동향에대해논하고자한다. Keywords: organic thin film transistors, printing process, flexible display, low cost, mass production 1. 서론 1) 미래형디스플레이소자는소형화, 박형화및복합화의경향을거쳐휘어질수있으며 (flexible) 착용할수있는 (wearable) 전자소자로발전해나가고있다. 특히현재상용화되고있는여러디스플레이소자들의성능을보완함으로써실질적인적용측면에서주목받고있는단위소자중의하나가유기박막트랜지스터 (organic thin film transistor, OTFT) 이다. 유기박막트랜지스터에관한연구는 1980년대초반부터시작되었으나반도체특성을보이는유기소재를이용한소자에대한관심이고조되면서근래에들어유기반도체를이용한트랜지스터에대한연구가활발히진행되고있다. 소자의제조공정이간단하고비용이저렴하며외부충격에의해깨지지않고구부리거나접을수있는플렉서블디스플레이가미래기반산업에필수적인요소가될것으로예상되고있으며이러한요구를충족시킬수있는유기박막트랜지스터의 주저자 ( jhcho94@ssu.ac.kr) 개발은매우중요한차세대연구분야로각광받고있다. 저가의플렉서블유기박막트랜지스터의실현을위해서는높은소자성능을가능하게하는용액공정용전자소재 ( 전도체 (conductor), 절연체 (insulator), 반도체 (semiconductor)) 의개발과개발된각각의소재를프린팅공정을통해패턴하는기술이요구된다. 유기전자소자의경제성은대면적의종이나플라스틱기판위에각각의전자소재를 roll-to-roll 공정에적합한고출력의프린팅을이용한패턴에의해달성될수있다. 따라서지금까지많은연구자들에의해전도체, 반도체, 그리고절연체특성을지닌다양한고성능잉크의개발이진행되고있고플라스틱기판위에이러한전기소재의프린팅또한많은발전을거듭하고있다. 하지만향상된프린팅성능과소자성능을위한소재개발및최적의프린팅기술의개발은아직많은도전을필요로하고있다. 따라서본고에서는플렉서블유기박막트랜지스터제작을위해사용되는다양한프린팅공정에관한소개와연구동향에관해논의하고자한다. KIC News, Volume 13, No. 3,

Figure 2. 유기박막트랜지스터의구조. Figure 1. 저가의대량생산이가능한 flexible electronics. 2. 유기박막트랜지스터의동작원리 유기박막트랜지스터는두개의전극사이의전류흐름을게이트에인가되는전압을통해제어하여전류가흐르는상태와흐르지않는상태를제어해주는스위치소자이다.

일반적으로 p형트랜지스터의경우게이트전극에음의전압을가하게되면게이트절연체의분극현상에의해유기반도체와게이트절연체계면에서양전하가모이게되고이때드레인전극에음의전압을가하게되면소스에서드레인전극으로양의전하가이동하는원리를가진다. 반대로 n형트랜지스터의경우게이트와드레인전극에양의전압을가해전자의이동을유도한다.

2 Figure 2. 유기박막트랜지스터의구조. Figure 1. 저가의대량생산이가능한 flexible electronics. 2. 유기박막트랜지스터의동작원리 유기박막트랜지스터는두개의전극사이의전류흐름을게이트에인가되는전압을통해제어하여전류가흐르는상태와흐르지않는상태를제어해주는스위치소자이다. 유기박막트랜지스터는 Figure 2에서보는바와같이소스 (source), 드레인 (drain), 그리고게이트 (gate) 전극과유기반도체 (organic semiconductor) 와게이트절연체 (gate insulator) 로이루어진다. 일반적으로 p형트랜지스터의경우게이트전극에음의전압을가하게되면게이트절연체의분극현상에의해유기반도체와게이트절연체계면에서양전하가모이게되고이때드레인전극에음의전압을가하게되면소스에서드레인전극으로양의전하가이동하는원리를가진다. 반대로 n형트랜지스터의경우게이트와드레인전극에양의전압을가해전자의이동을유도한다. 유기박막트랜지스터의전기적특성은 Figure 3 에서와같이소스와드레인전극사이에전압 (V DS ) 을고정하고게이트전압 (V GS ) 의변화에대한소스와드레인사이의전류 (I DS ) 변화를나타내는전달특성 (Transfer Characteristics) 과 V DS 에대한 I DS 의변화를각각의 V GS 에대해나타내는출력특성 (Output Characteristics) 을측정하여평가한다. 유기박막트랜지스터의성능을나타내는요소인 field-effect mobility, on/off current ratio, threshold voltage와 subthreshold swing은 saturation 영 Figure 3. 유기박막트랜지스터의전기적특성그래프 ; (a) 전달특성, (b) 출력특성. 역에서소자의전달특성을측정함에의해결정된다. 그중에서 field-effect mobility는아래방정식을통해유도된다. 여기서, µ: field-effect mobility, V th : threshold voltage, C i : specific capacitance, W: channel width, L: channel length이다. 그리고 on/off current ratio 는소자의 switch on 상태와 off 상태의전류의비를말하고 threshold voltage 는소자가켜지기시작하는시점에서의전압이며, subthreshold swing은전류를한오더증가시키는데, 필요한전압의변화를말한다. 이러한각각의요소는트랜지스터를구성하는고성능전극, 게이트절연체, 유기반도체소재를선택하고, 각각의필름형성기술및후처리공정을최적화함에의해제어가가능하다. 3. 연구동향 에관한연구는저가 (low-cost) 이고, 대량생산 (mass 24 공업화학전망, 제 13 권제 3 호, 2010

3 Table 1. 다양한프린팅공정을통해제작된유기박막트랜지스터의성능 Printing method Printed materials Resolution (µm) Semiconductor Mobility (cm 2 /Vs) On/Off Screen Ag composite 250 pentacene P1/P3HT 75 P3HT 0.01~ µcp Au 1 pentacene PEDOT 5~20 F8T Inkjet Soluble Pentacene - - > P3OT MIMIC Polyaniline 25 P3HT Thermal imaging Polyaniline/SWNT 22 pentacene production) 이가능하며종이나플라스틱과같은다양한기판이적용이가능하다는다양한장점때문에많은연구가진행중이다. 유기박막트랜지스터제작에사용되는프린팅공정은잉크젯프린팅 (Ink-Jet Printing), 레이저전사프린팅 (Laser-induced thermal imaging), 미세접촉프린팅 (µcontact Printing), 에어로졸젯프린팅 (Aerosol Jet Printing), 스크린프린팅 (Screen Printing), 그라비아 (Gravure Printing), 그리고플렉소그래피프린팅 (Flexography Printing) 등이있으며원리및유기전자소자제작으로의적용에관한연구동향은다음과같다 잉크젯프린팅 (Ink-Jet Printing) 지금까지잉크젯프린팅은가정이나오피스에서전기적인신호를종이에전달하는수단으로많이사용되어왔다. 하지만최근들어많은산업적인제조공정에서소량의소재를원하는위치에도포하기위한방법으로많은관심을받고있다. 또한유기발광소자나유기박막트랜지스터와같은유기전자소자제작에가장많이사용되는프린팅방법이기도하다. 잉크젯프린팅은피에조방식과버블젯방식이많이사용되는데, 피에조방식은노즐바로위에피에조소자 ( 전압에의해변형되는소자 ) 를배치하고여기에전기적인신호를전달해잉크를밀어내잉크방울을내뿜는방식으로마치케첩튜브를눌러케첩을짜내는것과마찬가지의원리이다. 버블젯은잉크에열을가해순간적으로기포를발생시켜그압력에의해잉크가 토출되는방식이다. 피에조방식의경우잉크에열을가하지않아도되기때문에헤드의수명이나다양한잉크의적용측면에서유기전자소자제작에더적합한방식으로알려져있다. 이러한잉크젯프린팅공정은재료의소모량이적고상대적으로정밀도가뛰어나며노즐이기판에닿지않는비접촉인쇄방법이기때문에접촉에의한소자의손상을배제할수있다는장점이있다. 하지만기판의표면에너지에따른잉크의번짐이나균일하고연속적이패턴을형성할수없다는단점이있다. 또한패턴을순서대로형성해야하기때문에속도가느리므로고속인쇄를위한다노즐화, 노즐의고밀도화, 주파수의고주파화등의개발이절실히요구된다. 잉크젯공정으로제작된유기박막트랜지스터의몇가지예를살펴보면 Cambridge 대학의 H. Sirringhaus 그룹에서는패턴된폴리이미드 (polyimide) 기판위에서잉크젯프린팅을통해도포된전도성고분자용액의 dewetting 현상을이용해유기박막트랜지스터를제작하였으며두개의트랜지스터를연결하여인버터소자를제작하는데성공하였다 (Figure 4). 그리고일본동경대의 T. Someya 그룹에서는잉크젯프린팅을이용해서브마이크론스케일로형성된 Ag 소스 / 드레인전극을보고하였다. 또한포항공대조길원교수연구팀은용액공정이가능한펜타센유도체를잉크젯프린팅함에있어함께넣어준용매의종류와기판의표면에너지가패턴된펜타센유도체의결정구조와표면몰폴로지및소자특성에미치는영향을체계적으로연구한바있다. KIC News, Volume 13, No. 3,

Fiugre 4. 잉크젯프린팅과이를이용해제작된유기박막트랜지스터와인버터소자. 3.2.

레이저가가해질경우열변환층에의하여발생된열과레이저의압력에의해도너필름위의유기물이기판으로이동하게된다. 이러한드라이패턴전사방식의장점은유기용매의오염없이고해상도, 다층박막의패턴이가능하다는것이다. 하지만열에의한유기반도체소재의손상을피하기힘들고패턴전사가기판의거칠기에많은영향을받는다는단점이있다. 따라서전사되는필름과기판의계면접착력제어가중요한변수가된다.

4 Fiugre 4. 잉크젯프린팅과이를이용해제작된유기박막트랜지스터와인버터소자 레이저전사프린팅 (Laser-induced Thermal Patterning) 레이저전사프린팅은 3M과삼성 SDI가 LCD 용칼라필터를패턴하기위해개발한방법으로레이저의초점을열변환층 (light-to-heat conversion layer) 에맞추어도너필름에코팅된소재를기판에전사하는방식이다. 레이저가가해질경우열변환층에의하여발생된열과레이저의압력에의해도너필름위의유기물이기판으로이동하게된다. 이러한드라이패턴전사방식의장점은유기용매의오염없이고해상도, 다층박막의패턴이가능하다는것이다. 하지만열에의한유기반도체소재의손상을피하기힘들고패턴전사가기판의거칠기에많은영향을받는다는단점이있다. 따라서전사되는필름과기판의계면접착력제어가중요한변수가된다. 기판위에필름을형성한후원하지않는부분을레이저로제거하여원하는패턴만을남기는방법인레이저어브레이젼 (laser ablation) 방법또한유기전자소자제작에이용가능하다. 삼성 SDI의서민철박사그룹은 Figure 5 에서보는바와같은 LED용유기반도체를레이저전사프린팅공정을이용해패턴하는데성공하였다. 그리고 Naval Research Lab의 A. Pique 그룹에서는같은방법을사용해금속또는금속산화 Figure 5. 레이저전사프린팅방법과이를통해제작된 LED용유기반도체패턴및유기박막트랜지스터용전극패턴. 물패턴을전사하였다. 또한, 듀폰의 G. B. Banchet 그룹에서는레이저전사프린팅공정을이용해 polyaniline과 single wall carbon nanotube 복합체로이루어진소스와드레인전극을패턴하였고이를통해 Figure 5에서보는바와같은대면적의 TFT backplane을제작하였다 미세접촉프린팅 (µ-contact Printing) 미세접촉프린팅은스탬프를용액에담그거나도너필름에찍어스탬프패턴의양각에도포시킨후스탬프를기판에밀착시켜패턴을전사하는프린팅방법이며현재까지유기발광소자나유기박막트랜지스터소자제작에두루적용되었다. 독일의 M. Leufgen 그룹에서는유기박막트랜지스터의 Au/Ti 소스 / 드레인전극을미세접촉프린팅을이용해제작하였고가해주는압력을변화시킴에의해패턴의 resolution을제어하였다. 또한미국 UIUC 대학의 J. A. Rogers 그룹에서는패턴된 poly(dimethylsiloxane) (PDMS) 를사용하는 micromolding in capillaries (MIMIC) 방법을이용해 mercury 전극을패턴하여유기박막트랜지스터를제작하였다. 26 공업화학전망, 제 13 권제 3 호, 2010

Figure 6. 미세접촉프린팅공정과이를통해제작된 TFT backplane. Figure 8. 에어로졸젯프린팅으로제작된 all printed OTFT array. Figure 7. 에어로졸젯프린팅기술. 3.4.

에어로졸젯프린팅의경우잉크젯프린팅과는달리연속적인라인패턴을형성할수있고기판과노즐의거리가 5 mm 정도를유지하기때문에곡면의기판위에도패턴이가능하다는장점이있다. 또한가스에의해노즐에서토출되기때문에사용하는잉크의점도에크게영향을받지않는다. 에어로졸젯프린팅공정을이용해제작된플렉서블유기박막트랜지스터에관한대표적인연구를살펴보면, 미네소타대학의 C. D.

다음으로고분자반도체인폴리사이오펜 (P3HT) 을채널부분에프린팅하였고, 이어높은전기용량 (~10 µf/cm 2 ) 을가지는이온젤게이트절연체를프린팅하였다.

5 Figure 6. 미세접촉프린팅공정과이를통해제작된 TFT backplane. Figure 8. 에어로졸젯프린팅으로제작된 all printed OTFT array. Figure 7. 에어로졸젯프린팅기술 에어로졸젯프린팅 (Aerosol Jet Printing) 에어로졸젯프린팅방법은 Figure 7에서보는바와같이 ultrasonic atomizer에서형성된에어로졸잉크를공급된가스에의해노즐로이동시키고다시노즐에공급되는가스에의해기판으로도포하여패턴을형성한다. 에어로졸젯프린팅의경우잉크젯프린팅과는달리연속적인라인패턴을형성할수있고기판과노즐의거리가 5 mm 정도를유지하기때문에곡면의기판위에도패턴이가능하다는장점이있다. 또한가스에의해노즐에서토출되기때문에사용하는잉크의점도에크게영향을받지않는다. 에어로졸젯프린팅공정을이용해제작된플렉서블유기박막트랜지스터에관한대표적인연구를살펴보면, 미네소타대학의 C. D. Frisbie 그룹에서는 Figure 8과같이폴리이미드기판위에한가지프린팅방법을이용해트랜지스터를구성하는각각의전자소재 ( 전도체, 절연체, 유기반도체 ) 를패턴하여저전압구동이가능한고성능유기박 막트랜지스터를보고하였다. 처음에 Au 나노입자를사용해폴리이미드기판위에소스 / 드레인전극을형성하였다. 다음으로고분자반도체인폴리사이오펜 (P3HT) 을채널부분에프린팅하였고, 이어높은전기용량 (~10 µf/cm 2 ) 을가지는이온젤게이트절연체를프린팅하였다. 마지막으로 poly (3,4-ethylenedioxythiophene) doped with poly (styrene sulfonate) (PEDOT: PSS) 전도성고분자를이용해채널영역에게이트전극을형성하였다. 본연구에서제작된소자는이온젤게이트절연체의높은전기용량으로인해 2V 이하의낮은전압에서높은전류를생성하였다. 또한카본저항을연결한인버터소자를제작하는데성공하였다 스크린프린팅 (Screen Printing) 스크린프린팅은 Figure 9와같이플라스틱이나스테인레스스틸등으로짜여진스크린망사 (mesh) 를틀에고정시켜그위에광화학적방법에의해제작된판막에의해필요한화상이외의부분을막고그안에인쇄잉크를부어 Squeegee라불리는주걱으로스크린내면을가압하면서움직이면잉크는판막이없는부분의망사를통과하여판밑에놓여있는종이나플라스틱기판에인쇄되는 KIC News, Volume 13, No. 3,

원리를이용한다. 잉크젯프린팅과마찬가지로재료의손실이적은공정으로 PDP나 OLED 등의소자제작을위해적용하기위한연구가진행되고있다. 몇가지예를살펴보면프랑스의 F. Garnier 그룹에서는그라비아프린팅으로형성된소스, 드레인, 그리고게이트전극을기반으로한전유기트랜지스터를제작보고한바있다. 또한미국의 Stanford 대학의 Z.

6 원리를이용한다. 잉크젯프린팅과마찬가지로재료의손실이적은공정으로 PDP나 OLED 등의소자제작을위해적용하기위한연구가진행되고있다. 몇가지예를살펴보면프랑스의 F. Garnier 그룹에서는그라비아프린팅으로형성된소스, 드레인, 그리고게이트전극을기반으로한전유기트랜지스터를제작보고한바있다. 또한미국의 Stanford 대학의 Z. Bao 그룹에서는폴리이미드게이트절연체와폴리알킬사이오펜 (poly(alkylthiophene)) 유기반도체를스크린프린팅으로제작한유기박막트랜지스터를보고하였다 플렉소그래피프린팅 (Flexography Printing) 플렉소그래피프린팅은 Figure 9와같이패턴된유연한수지판을이용한인쇄법이다. 처음에잉크공급장치에서공급된잉크가아니록스롤 (anilox roller) 에도포되고닥터블레이드를이용해롤의표면에균일하게펼쳐진후패턴된유연한수지판으로만든프린팅플레이트 (printing plate) 로감겨진플레이트실린더 (plate cylinder) 로이동된다. 마지막으로패턴된수지판양각의잉크는임프레션실린더 (impression cylinder) 에감겨진플라스틱기판위로전사된다. 이프린팅방법은 LCD 배향막을도포하는방법으로많이이용되는데, 플렉소그래피프린팅으로형성된균일한두께의폴리이미드막을러빙하여사용한다. 플렉소그래피프린팅은 roll-to-roll 공정에매우적합하고두꺼운필름의제작이가능하다는장점이있으나미세한패턴을형성하기는어렵다 그라비아프린팅 (Gravure Printing) 그라비아프린팅은요판인쇄의일종으로요철을형성한원통형판에잉크를묻혀볼록한부분에묻은잉크를긁어낸다음오목한부분에있는잉크를기판에전사하는방법이며지금까지잡지나카달로그사진등의인쇄에널리사용되어왔다. 인쇄농도는미세기공의깊이와밀도에의해결정되므로도포두께의제어가용이하고공정이단순하며생산성이좋은장점이있기때문에유기 Figure 9. 스크린프린팅과플렉소그래피프린팅. 전자소자제작에많이적용되고있지만플렉소그래피프린팅과마찬가지로미세한패턴을형성하기에는적합하지않다. 4. 결론현재저가의플렉서블유기박막트랜지스터실현을위해잉크젯프린팅 (Ink-Jet Printing), 레이저전사프린팅 (Laser-induced thermal imaging), 미세접촉프린팅 (µ-contact Printing), 에어로졸젯프린팅 (Aerosol Jet Printing), 스크린프린팅 (Screen Printing), 그라비아프린팅 (Gravure Printing), 그리고플렉소그래피프린팅 (Flexography Printing) 과같은다양한종류의프린팅공정이적용되고있다. 이러한각각의방법들은장단점이명확하고형성가능한패턴사이즈가다르기때문에사용하는공정에맞는프린팅방법을선택해야한다. 제작에있어, 전극형성의경우인쇄하는전극의 conductivity와 resolution, 그리고유기반도체와의계면안정성이고려되어야한다. 그리고게이트절연체의경우핀홀이나결함이없으며표면거칠기가작은얇은박막을형성하는것이중요하며마지막으로유기반도체프린팅의경우게이트절연체와마찬가지로균일한두께의표면거칠기가작 28 공업화학전망, 제 13 권제 3 호, 2010

은필름을형성할수있어야하고, 또한인쇄과정중외부의수분이나산소에의해유기반도체소재의손상을피할수있어야한다. 그리고인쇄이후 thermal annealing이나 solvent annealing과같은후처리공정에의한유기반도체분자의결정화와표면몰폴로지제어를통해소자성능을최적화해야한다. 참고문헌 1. Y.-Y. Noh, N. Zhao, M. Caironi, and H.

Cui, and K. Varahramyan, Solid State Electron., 47, 1543 (2003). 5. H. Sirringhaus et al., Science, 290, 2123 (2000). 6. B. Comiskey, J. D. Albert, H. Yoshizawa, and J.

7 은필름을형성할수있어야하고, 또한인쇄과정중외부의수분이나산소에의해유기반도체소재의손상을피할수있어야한다. 그리고인쇄이후 thermal annealing이나 solvent annealing과같은후처리공정에의한유기반도체분자의결정화와표면몰폴로지제어를통해소자성능을최적화해야한다. 참고문헌 1. Y.-Y. Noh, N. Zhao, M. Caironi, and H. Sirringhaus, Nature Nanotech., 2, 784 (2007). 2. M. Berggren, D. Nilsson, and N. D. Robinson, Nature Mater., 6, 3 (2007). 3. Y. Xia and R. H. Friend, Appl. Phys. Lett., 90, (2007). 4. Y. Liu, T. Cui, and K. Varahramyan, Solid State Electron., 47, 1543 (2003). 5. H. Sirringhaus et al., Science, 290, 2123 (2000). 6. B. Comiskey, J. D. Albert, H. Yoshizawa, and J. Jacobson, Nature, 394, 253 (1998). 7. Z. Bao, A. Dodabalapur, and A. Lovinger, Appl. Phys. Lett., 69, 4108 (1996). 8. Y. Lin, D. Gundlach, S. Nelson, and T. Jackson, IEEE Trans. Electron Devices, 44, 1325 (1997). 9. H. Sirringhaus, T. Kawase, R. H. Friend, T. Shimoda, M. Inbasekaran, W. Wu, and E. P. Woo, Science, 290, 2123 (2000). 10. G. Gelinck, T. Geuns, and D. de Leeuw, Appl. Phys. Lett., 77, 1487 (2000). 11. H. Huitema, G. Gelinck, J. van der Putten, K. Kuijk, C. Hart, E. Cantatore, P. Herwig, A. van Breemen, and D. de Leeuw, Nature, 414, 599 (2001). 12. B. Crone, A. Dodabalapur, Y. Lin, R. W. Filas, Z. Bao, and A. La-Duca, Nature, 403, 521 (2000). 13. T. Jackson, Y. Lin, D. Gundlach, and H. Klauk, IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., 4, 100 (1998). 14. Gelnick et al., Nature Mater., 3, 106 (2004). 15. F. Garnier, A. Yassar, R. Hajlaoui, G. Horowitz, F. Dellofre, B. Servet, S. Ries, and P. Alnot, J. Am. Chem. Soc., 115, 8716 (1993). 16. B. S. Ong, Y. Wu, P. Liu, and S. Gardner, J. Am. Chem. Soc., 126, 3378 (2004). 17. J. H. Cho, J. Lee, Y. Xia, B. Kim, Y. He, M. J. Renn, T. P. Lodge, and C. D. Frisbie, Nature Materials, 7, 900 (2008). 18. J. H. Cho, J. Lee, Y. He, B. Kim, T. P. Lodge, and C. D. Frisbie, Advanced Materials, 20, 686 (2008). 김범준 2004~2010 숭실대학교유기신소재 파이버공학과학사 2010~ 현재숭실대학교유기신소재 파이버공학과석사과정 조정호 1994~2001 서강대학교화학공학과학사 2001~2003 포항공과대학교화학공학과석사 2003~2006 포항공과대학교화학공학과박사 2006~2008 University of Minnesota 화학공학과박사후연구원 2008~ 현재숭실대학교유기신소재 파이버공학과조교수 KIC News, Volume 13, No. 3,

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Microsoft Word - _ _ 특집_이화성,장윤석_.doc 특집 플렉서블디스플레이를위한인쇄공정기술의개발동향 이화성 ᆞ 장윤석 1. 서론미래형디스플레이소자는소형화, 박막화를거쳐휘어질수있고 (flexible), 착용이가능하며 (wearable), 접을수있는 (foldable) 전자소자로발전해가고있다. 1-3 실제로관련기업에서는향후 5 10 년이내에모바일기기에적용될플랙서블디스플레이패널의상용화가가능할것으로예측하고있다. 플렉서블디스플레이를구현하기위해서는실리콘기판이나금속전극과같이무기재료를기반으로하는전자소자를대체하여유기재료를기반으로하는전자소자,