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1 , PC, TV 100, LG 50%. (CRT) 2000 (LCD) (PDP) LCD PDP LCD 70%. LCD (TFT), (OLED) LCD. 8, TFT. TFT 0.5 cm 2 /Vs, (low temperature poly silicon, LTPS) 80 cm 2 /Vs IC. LPTS /, TFT InGaZnO TFT, TFT. 1) LTPS, /. (unintentional) n

2 Fig. 1. Frame rate TFT. 10 cm 2 /Vs,.,, 4,000 x 2, Hz frame rate 70. (Fig. 1). TFT. TFT LCD, LCD Fortunato 20cm 2 /Vs ZnO. 2) ZnO, TFT. InSnO InZnO, In DC,. InGaZnO 2004 Nature. s. (disordering) s 1/10 10 cm 2 /Vs (Fig. 2). InGaZnO. In 2O 3, ZnO, Ga 2O 3, 2.1. ZnO, In 2O 3, InZnO, ZnSnO, InGaZnO, ZnGaSnO. ZnO, UV, LED, SAW, TFT Fig. 2. InGaZnO. 16

3 . 3) InGaZnO In TFT In-O Zn-O, Ga-O., OFF. In : Ga, OFF Trade-off (Fig. 3). 4) LG,, AUO IGZO, TFT LCD (Fig. 4,5). 5-7) In Ga In, Ga. 8,9) ZnO, SnO 2 ZnSnO. 10,11) Sn,, ZnSnO InGaZnO TFT. InZnSnO (IZTO) TFT. Fig FPD IGZO TFT 70 UD 3D LCD. Fig. 5. BOE 2013 IGZO TFT UHD 65 LCD. IZTO TFT In 2O 3 component In In IGZO. ETRI In:Zn:Sn = 20:40: cm 2 /Vs, V th -0.4V, I on/off ratio >10 9, SS 0.12 V/decade IGZO Fig. 3. IGZO In TFT. Fig. 6. Zn:In:Sn (40:20:40) IZTO TFT. 17

4 (Fig. 6). 12), bias LCD TFT TFT (bottom gate), (back channel etch, BCE) (etch stop, ES). BCE. TFT. Fig. 7 BCE. / IGZO, TFT (Transfer Characteristics). In-O, 3nm In segregation Fig. 7. (a) BCE (b) ES. Fig. 8. BCE S/D TFT. (Fig. 8). 13), N 2O. / ES,,. ES /, S/D. 14,15) ES ES PECVD ES,. TFT. TFT OFF... TFT., (Fig. 9). (Shallow Donor)., ZnO 18

5 Fig. 9. IGZO TFT. (Deep State). NBIS. (Fig. 10). 16) Turn-off.. LCD CCFL, LED Back Light Unit., 5%,. Blue Light TFT ) TFT. 1 frame Turn-on FHD1/2000. OFF NMOS (Fig. 11). Duration Negative Gate Bias Stress (NBS)Negative Gate Bias Illumination Stress (NBIS). Fig. 10. IGZO TFT Negative bias illumination stress (NBIS) 19

6 Fig. 11. (a), (b) (c) timing diagram. TFT NBIS. Positive Bias Illumination Stress (PBIS) TFT (Fig. 12). PBS MIS NBS (Fig. 13). PBIS screening. -., PBIS.. NBIS Fig. 13., /.. Fig. 12. ZnO TFT (b) PBIS (d) NBIS. Fig. 13. PBIS NBIS. NBIS. (Trapping). Fig. 14 SiN x SiO 2 20

7 Fig. 15. (a) (b) vacancy. Fig. 14. (a) SiNx (b)sio2 IGZO TFT NBISIV. NBIS. 18) SiN x NBIS SiO 2. SiO ev GI/. SiO 2 IGZO NBIS. SiNx SiNx,. NBIS, Deep State V O 2+ (Fig. 15). 19) 2+ V O relaxation NBIS V O Fig. 16. (a) Unpassivated (b) Passivated. (c) photo-desorption (d).. ZnO Persistent Photo-conductivity (PPC), IGZO. 20), NBIS. 21) Fig. 16 NBIS 21

8 NBIS (Fig. 16) NBIS NBIS SiO 2 Al 2O IGZO Ga NBIS. ZTO Zr. 22). Percolation Conduction.. 23) NBIS. 24,25) 30 cm 2 /Vs In 50%IZO. 26), NBIS TFT NBIS Trade-off.,.. IZO ITO. (10 cm 2 /Vs) IGZO IZO IGZO/IZO (Fig. 17). 50 cm 2 /Vs 0V Bias (Fig. 18). 27) 5nm. NBIS. Fig

9 5nm Sn, Sn Sn Sn-free. Snfree NBIS. Fig. 18. TFT (a) PBTS (b) NBTS. Sn (Fig. 19). 28) LCD TFT,. IGZO, C-axis aligned IGZO, IT. IGZO 10~20 cm 2 /Vs. IZTO. TFT TV PMOS 80 cm 2 /Vs. LG. Fig. 19. Sn. 1. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Room-temperature Fabrication of Transparent Flexible Thin-film Transistors Using Amorphous Oxide Semiconductors, Nature, (2004). 23

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