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산호 신
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1 제출문 교육과학기술부장관귀하 이보고서를 교육과학기술부 - 미공군과학연구실간국가간합의사업 의보고서로제출합니다 년 04 월 10 일 주관연구기관명 : 울산과학기술대학교주관연구책임자 : 백종범연구원 : 전인엽연구원 : 최현정연구원 : Mahmood Javeed 연구원 : 배서윤연구원 : 김민정연구원 : 서정민연구원 : 정선민 협동연구기관명 : Case Western Reserve University 협동연구책임자 : Liming Dai 1

2 보고서요약서 과제고유번호 해당단계연구기간 단계구분 (1)/(1) 연구사업명 연구과제명 중사업명세부사업명대과제명세부과제명 과학기술국제화사업 교육과학기술부 - 미공군과학연구실간국가간합의사업 고성능연료전지산소환원촉매용무금속무산소그래핀제조 연구책임자 백종범 해당단계참여연구원수 총연구기간참여연구원수 총 : 8 명내부 : 8 명외부 : 명 총 : 8 명내부 : 8 명외부 : 명 해당단계연구비 총연구비 정부 : 207,800천원기업 : 천원계 : 207,800천원정부 : 207,800천원기업 : 천원계 : 207,800천원 연구기관명및소속부서명 국제공동연구 울산과학기술대학교 / 친환경에너지공학부 상대국명 : 미국 참여기업명 상대국연구기관명 : Case Western Reserve University 위탁연구 연구기관명 : 연구책임자 : 요약보고서면수 : 37 1) 흑연의선택적기능화 : 고순도그래핀의대량생산공정이필요. PPA/P 2O 5 반응매질에서흑연의가장자리만선택적으로다양한관능기를가진유기물과반응. 유기물은흑연의가장자리를기능화시키면서흑연의층과층사이를벌려주는분자쐐기역할을함. 2) 가장자리가기능화된흑연의박리 : 기능화된흑연은한장의그래핀뿐만아니라여러층을가진그래핀이공존. Autoclave 공정을이용고온 - 고압 ( 임계조건 ) 에서쐐기에의해넓어진층과층사이로용매가침투하여층과층사이를더박리시켜그래핀분산용액제조. 3) 대면적의그래핀박막제조 : 그래핀분산용액으로코팅된기판을열처리하여유기물질을탄화시켜대면적의그래핀필름제조 4) N- 도핑된그래핀제조 : 열처리시암모니아가스주입으로 N- 도핑된그래핀제조 5) 그래핀응용연구 : 대면적그래핀필름의 ITO 및실리콘대체물질응용및 N- 도핑된그래핀의산소환원촉매연구. 색인어 한글 영어 흑연, 그래핀, 가장자리기능화, 고분자인산, 유기물쐐기, 박리, 연료전지, 산소환원, 무금속 Graphtie, Graphene, Edge functionalization, Polyphosphoric acid, Organic wedges, Exfoliation, Fuel cell, Oxygen reduction, Metal-free 2

3 요약문 Ⅰ. 제목고성능연료전지산소환원촉매용무금속무산소그래핀제조 Ⅱ. 연구개발의목적및필요성 - PPA/P 2 O 5 반응매질에서흑연의가장자리만선택적으로기능화 - 기능화된흑연의박리로고순도의그래핀제조 - 박리된그래핀을다양하게열처리하여대면적그래핀박막및 N-도핑된그래핀제조 - 대면적그래핀박막을 ITO 및실리콘대체물질로응용 - N(nitrogen)-도핑된그래핀을연료전지산소환원촉매로응용 Ⅲ. 연구개발의내용및범위 (1) 흑연의선택적기능화 : 고순도그래핀의대량생산공정이필요. PPA/P 2O 5 반응매질에서흑연의가장자리만선택적으로다양한관능기를가진유기물과반응. 유기물은흑연의가장자리를기능화시키면서흑연의층과층사이를벌려주는분자쐐기역할을함. (2) 가장자리가기능화된흑연의박리 : 기능화된흑연은한장의그래핀뿐만아니라여러층을가진그래핀이공존. Autoclave 공정을이용고온-고압 ( 임계조건 ) 에서쐐기에의해넓어진층과층사이로용매가침투하여층과층사이를더박리시켜그래핀분산용액제조. (3) 대면적의그래핀박막제조 : 그래핀분산용액으로코팅된기판을열처리하여유기물질을탄화시켜대면적의그래핀필름제조 (4) N-도핑된그래핀제조 : 열처리시암모니아가스주입으로 N-도핑된그래핀제조 (5) 그래핀응용연구 : 대면적그래핀필름의 ITO 및실리콘대체물질응용및 N-도핑된그래핀의산소환원촉매연구. Ⅳ. 연구개발결과본연구팀은지난 3년의연구기간동안 SCI급논문 26편, 초청강연 11건, 학술대회논문발표국내36건, 국제 5건및국내특허출원 2건, 국외특허출원 2건의연구성과를이뤘다. v 대표연구실적 5건 (1) Jeon, I.-Y. et. al. Journal of the American Chemical Society 2013,135, (2) Sohn, G.-J. et. al. ACS Nano 2012,6, (3) Jeon, I.-Y. et. al. Proceedings of the National Academy of Sciences, USA 2012,109, (4) Bae, S.-Y. et. al. ACS Nano 2011,5(6), (5) Choi, E,-K. et. al. Chemical Communications 2010, 46(34), Ⅴ. 연구개발결과의활용계획본연구팀이개발한가장자리기능화를통한그래핀의제조방법은간단하며, 고순도의그래핀을대량생산할수있어산화된흑연방법을대체할수있음. 대면적의그래핀필름은 ITO를대체할투명전극및실리콘대체반도체소재로써응용이가능함. N-도핑된그래핀은연료전지에서일산화탄소의피독에취약한고가의백금촉매를대체할수있는산소환원촉매로사용될수있음. 3

4 SUMMARY Ⅰ. Project Title Metal-free and Oxygen-free Graphene as Oxygen Reduction Catalysts for Highly Efficient Fuel Cells Ⅱ. Research Goal - The edge of graphite can be selectively functionalized in the reaction medium, PPA/P 2O 5. - The edge-functionalized graphite (EFG) will be used as a precursor for the exfoliation of graphite into graphene. - The large-area high-quality graphene thin film and N-doped graphene can be prepared via various annealing methods. - The large-area graphene thin film can be alternative emerging materials to replace ITO and Si electrodes. - N-doped graphene can be used as metal-free and oxygen-free catalysts for the oxygen reduction in fuel cells. Ⅲ. Research Contents (1) Edge-functionalized graphite (EFG): It is necessary to produce high quality graphene in large quantity to use in practice. Edge of eraphite can be selectively functionalized with a various 4-substituted benzoic acids as organic wedges in PPA/P 2O 5 medium. The edges are functionalized with organic molecules with many different functionalities and thus, the edges are delaminated due to the molecular wedges. (2) Exfoliation of EFG: EFG contains not only a single layered graphene but a few layered graphene-like platelets. By using the autoclave process, The EFG can be fully exfoliated under critical condition in the presence of proper solvent. As a result, the EFG can be efficiently exfoliated in large quantity. (3) Large-area graphene film formation: Heat treatment to solution processed graphene thin film is necessary. During pyrolying (charring) process, the carbon fragments (anions, cations and radicals) generated from wedge moiety heal defects and weld EFG each other to form large-area high-quality graphene thin film. (4)N-doped graphene formation: While graphene thin film was heat-treated in the presence NH 3 gas, large-area N-doped graphene thin film is formed. (5) Graphene application study: The evaluation of graphene films as a strong candidate to replace ITO and Si electrodes. The N-doped graphene will be evaluated for the metal-free and oxygen free catalysts for the oxygen reduction in fuel cells. Ⅳ. Results SCI Journal; 26, Patent; 4 (Domestic;2, US;2), Presentations;41 (Domestic;36, International;5), Invited talk; 5 Five Significant Publications (1) Jeon, I.-Y. et. al. Journal of the American Chemical Society 2013,135, (2) Sohn, G.-J. et. al. ACS Nano 2012,6, (3) Jeon, I.-Y. et. al. Proceedings of the National Academy of Sciences, USA 2012,109, (4) Bae, S.-Y. et. al. ACS Nano 2011,5(6), (5) Choi, E,-K. et. al. Chemical Communications 2010, 46(34), Ⅴ. Expected Research Outputs Since a large production of physical and chemical exfoliation of graphite is limited to be used in practice, the edge-functionalization of graphite is one of remaining hopeful options for high-quality, large-quantity graphene synthesis. Large-scale and high-quality graphene thin films can be prepared from EFG and they can be used as new generation materials to replace ITO electrode and Si semiconductor. Furthermore, N-doped graphene can be used as catalyst for the oxygen reduction in fuel cells instead of Pt catalyst, which is not only expensive but unstable to CO poisoning. 4

5 CONTENTS Chapter 1. Introduction of Project - 7 Part1. Purpose - 7 Part2. Importance Technical aspect Economical aspect Social aspect - 8 Chapter 2. Present situation of technical development - 9 Part1. World class Japan USA Europe - 9 Part2. Domestic class - 9 Part3. Present situation of research development - 12 Chapter 3. Contents and results - 14 Part1. Study range and method Year Year Year 3-16 Part2. Contents and results Year Year Year 3-27 Chapter 4. Achievements of objective and contribution to the related fields - 28 Chapter 5. Application plan - 29 Chapter 6. Overseas science technology information -31 Chapter 7. Research facilities - 36 Chapter 8. References -37 5

6 목차 제1장. 연구개발과제의개요 - 7 1절. 연구개발의목적 - 7 2절. 연구개발의과학적경제적중요성 기술적측면 경제적 산업적측면 사회 문화적측면 - 8 제2장국내외기술개발현황 - 9 1절. 세계적수준 일본 미국 유럽 - 9 2절. 국내수준 - 9 3절. 국내외연구현황 - 12 제3장연구개발수행내용및결과 절. 연구범위및연구수행방법 차년도 차년도 차년도 절. 연구수행내용및결과 차년도 차년도 차년도 - 27 제4장목표달성도및관련분야에의기여도 - 28 제5장연구개발결과의활용계획 - 29 제6장연구개발과정에서수집한해외과학기술정보 -31 제7장연구시설ㆍ장비현황 - 36 제8장참고문헌

7 제 1 장연구개발과제의개요 7

8 8

9 제 2 장국내외기술개발현황 9

10 10

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13 화학적방법은흑연으로부터그래핀을박리해내는 top-down 방식과탄소원자를가지는물질을기반으로하여그래핀을합성해내는 bottom-up 방식으로나누어진다. Top-down 방법에는대표적으로산화그래핀법 [8] 과층간삽입법 [9] 등이있다. 산화그래핀법은보통 19세기 Hummers가제안한방법에따라많이만들어지는데황산과같은강산과산화제를이용하여흑연을산화시켜표면이나가장자리에수산기와에폭시기, 카르복실기와같은기능기가만들어지게된다. 이렇게기능기가생긴산화흑연은초음파분쇄법 (ultrasonic agitation) 에의해쉽게박리되고박리된산화흑연을다시환원제나열처리를통해환원시키면산화그래핀을얻을수있는방법이다. 이방법을이용하면다량의그래핀을얻어낼수있으며산소기능기를통해다양한응용이가능하다는이점을가지고있지만한번산화되었던그래핀은그표면에결함이생기면서그래핀특유의전자구조를파괴하고그특성또한저하시키는문제점을지니게된다. 또한환원과정에서전체의기능기중 70% 정도만이환원되고나머지 30% 는그대로남기때문에추가적인고온 (~1000 ) 이필요하게되며그래핀의합성중사용되는산화제와환원제, 강산은유해한물질로환경에심각한오염을초래할수있다. 이러한이유로가장많은연구가진행되어진산화그래핀법이지만아직산업화가이루어지기에는해결해야할문제가아직많이남아있다. Bottom-up 방식에서가장잘알려진예로는화학증기증착법 (Chemical vapor deposition; CVD 법 ) [10] 과에피택시합성법 [11] 이있다. 이두방법모두고온의조건에서탄소가촉매층을따라그래핀을형성한다는공통점을가지고있다. CVD 법은 Ni, Cu, Pt등과같은탄소가잘흡착되는전이금속을촉매층을사용하여 1000 이상의고온에서 CH 4, H 2, Ar의혼합가스를주입하면서탄소가촉매층과반응하면급랭시켜그래핀을성장시키는방법이다. CVD 법을이용하여만들어진그래핀은대면적으로합성되어지며고품질이기때문에 FET, 투명전극 (transparent electrode), 태양전지 (solar cell) 등필름형태로만들어지는소자에많이쓰이고있다. 투명전극분야에서많이이용되는 ITO를대체할수있는물질로그래핀이각광을받고있고이를만족시킬수있는그래핀제조방법으로 CVD법이집중적인관심을받고있는것은화학적박리법에의해만들어진그래핀필름에비해월등한면저항및투과도특성때문이다. 한예로 2010년 nature nanotechnology에보고된연구에서면저항이 ~50 Ω/로측정되었는데, 이값은현재사용되는 ITO의특성과비슷한값이고머지않아 ITO를대체할수있다는가능성을보여주었다. 하지만, 이렇게뛰어난장점을가지고많은응용분야에서관심을가지며널리알려진 CVD 법도산업화를위해서는몇가지해결해야할문제가있다. CVD 법으로합성된그래핀은촉매의종류와두께, 반응시간, 냉각속도, 반응가스의농도등을조절함으로써그래핀층수를조절할수있으나반응가스의흐름속도나촉매의두께에따라그래핀의품질이달라져공정이까다로운단점이있다. 또한, 그래핀제조시사용된금속촉매층을완전히제거하기어렵고고온에서합성하는공정이어렵고까다롭기때문에합성된그래핀의가격이높고대량생산이어렵다는단점을가진다. 에피택시합성법은 CVD 법과같이고온에서그래핀을합성해내지만실리콘카바이드 (SiC) 와같이탄소가결정에흡착되거나포함되어있는재료를바로기판으로사용한다. 이기판을 1500 의고온에서열처리를하여탄소가표면의결을따라성장하도록하여그래핀을얻어낼수있다. 이방법을통해얻어진그래핀은 CVD 법이나스카치테이프법에비해그래핀보다그특성이뛰어나지못할뿐아니라재료도비싸고제작이어렵다는단점이있다. 13

14 제 3 장연구개발수행내용및결과 14

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20 μ μ 20

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23 Ω 23

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27 그림 18 그림 13. ball-milling 공정에의한다양한치환기를가진그래핀 nanoplatelet 의 개략도및산화환원반응특성 27

28 제 4 장목표달성도및관련분야에의기여도 - 본 28

29 제 5 장연구개발결과의활용계획 서이기능기에따라반도체성질을조절할수있을뿐만아니라고감도센서로의응용이가능하다. 29

30 30

31 제 6 장연구개발과정에서수집한해외과학기술정보 그래핀이 꿈의신소재 로주목을받기전부터탄소물질 [1] 에대한많은연구가이루어져왔었고흑연을화학적처리를통해그래핀에가까운다층의그래핀을얻어내는합성법에대한연구는진행되고있었다. 하지만, 이론적으로만알려져왔던한층의그래핀의우수한특성을실험적으로밝혀내기란쉽지가않았고, 안드레가임과노보셀로프교수가스카치테이프법을이용하여한층짜리의그래핀을분리해내그특성을실험적으로밝혀낸후에그래핀이지금과같은큰명성을얻게되었다. 그래핀이전세계의연구자뿐만아니라일반인들의관심의중심에서게된후부터그래핀을연구하는많은연구진들이고품질의그래핀을대량으로생산해내산업에적용하기위해다방면의노력이진행되어왔다. 지금부터그래핀의다양한합성법의현동향에대해설명하고자한다. 그래핀의합성방법은크게물리적방법과화학적방법으로나누어진다. 물리적방법의대표적인예는스카치테이프법 (scotch tape method) 이다. [2] 그래핀은 2차원평면구조로 3개의탄소원자들이강한공유결합을형성하는반면수직인방향으로는상대적으로약한반데르발스힘으로연결되어있어층사이의마찰계수가매우낮아스카치테이프의약한접착력으로도분리가가능해지는원리이다. 마치연필심에서얇은막이부드럽게벗겨져나오면서글씨가써지듯이마찰을이용해흑연결정으로부터그래핀을만들어내는이방법을이용하면이전의다른방법들과달리단층의그래핀을쉽게찾아볼수있다. 이방법은 2004년안드레가임과노보셀로프박사에의해 Nature지에소개되었고얻어진단층그래핀의반정수양자홀 (quantum hall) 효과를실험적으로분석해내면서그래핀의시대를앞당기는역할을하였다. 스카치테이프법이고품질의그래핀을생산해낼수있는반면, 그수율이매우작고크기가마이크로수준에불과하며크기와형태를제어하는데어려움이있기때문에소자로서의실제응용에많은제한점을지니고있다. 그림 20. 스카치테이프법을이용한그래핀의제조 화학적방법은흑연으로부터그래핀을박리해내는 top-down 방식과탄소원자를가지는물질을기반으로하여그래핀을합성해내는 bottom-up 방식으로나누어진다. Top-down 방법에는대표적으로산화그래핀법 [8] 과층간삽입법 [9] 등이있다. 산화그래핀법은보통 19세기 Hummers가제안한방법에따라많이만들어지는데황산과같은강산과산화제를이용하여흑연을산화시켜표면이나가장자리에수산기와에폭시기, 카르복실기와같은기능기가만들어지게된다. 이렇게기능기가생긴산화흑연은초음파분쇄법 (ultrasonic agitation) 에의해쉽게박리되고박리된산화흑연을다시환원제나열처리를통해환원시키면산화그래핀을얻을수있는방법이다. 이방법을이용하면다량의그래핀을얻어낼수있으며산소기능기를통해다양한응용이가능하다는이점을가지고있지만한번산화되었던그래 31

핀은그표면에결함이생기면서그래핀특유의전자구조를파괴하고그특성또한저하시키는문제점을지니게된다. 또한환원과정에서전체의기능기중 70% 정도만이환원되고나머지 30% 는그대로남기때문에추가적인고온 (~1000 ) 이필요하게되며그래핀의합성중사용되는산화제와환원제, 강산은유해한물질로환경에심각한오염을초래할수있다.

32 핀은그표면에결함이생기면서그래핀특유의전자구조를파괴하고그특성또한저하시키는문제점을지니게된다. 또한환원과정에서전체의기능기중 70% 정도만이환원되고나머지 30% 는그대로남기때문에추가적인고온 (~1000 ) 이필요하게되며그래핀의합성중사용되는산화제와환원제, 강산은유해한물질로환경에심각한오염을초래할수있다. 이러한이유로가장많은연구가진행되어진산화그래핀법이지만아직산업화가이루어지기에는해결해야할문제가아직많이남아있다. 그림 21. 산화그래핀법을이용한그래핀의제조. Top-down 방법의또다른예로는층간삽입법이있다. 이방법은흑연을산화하지않고흑연의층과층사이에저분자물질을삽입하여팽창이가능한흑연을제조한다. 이흑연을고온으로처리하면층간에침투하였던저분자물질이가스상태로팽창하면서부피가급격히증가 ( 약 100~700배 ) 하게되고그래핀을박리해낼수있다. 이방법은단순히층간삽입및팽창을이용해서는저층의그래핀을생산해낼수없기때문에추가적인초원심분리 (ultracentrifugation) 법과초음파분쇄법을이용해단층의그래핀을분리해내어야한다. 이방법은산화그래핀법과비교하였을때산화를시키지않아환원공정이필요하지않다는장점이있지만그래핀의수율이낮고공정을위해사용되는층간삽입물질 ( 강산또는유기용매 ) 인유해한화학물질이고온공정을거치면서부식성을띠고유해한증기를발생시켜환경오염문제를초래한다는단점이있다. 또한, 이방법은산화그래핀법과마찬가지로기저면에손상을입으며그래핀특성의저하를가져온다. 32

CVD 법은 Ni, Cu, Pt등과같은탄소가잘흡착되는전이금속을촉매층을사용하여 1000 이상의고온에서 CH 4, H 2, Ar의혼합가스를주입하면서탄소가촉매층과반응하면급랭시켜그래핀을성장시키는방법이다. 그림 23. 화학증기증착법의과정및조절된그래핀층수이미지.

33 그림 22. 층간삽입법을통한그래핀의제조. a) 흑연 ; b) 층간삽입법에의해팽창된흑연 ; c) 초음파 처리된팽창흑연및원심분리된그래핀 nanoplatelet; d) STEM 이미지. Bottom-up 방식에서가장잘알려진예로는화학증기증착법 (Chemical vapor deposition; CVD 법 ) [10] 과에피택시합성법 [11] 이있다. 이두방법모두고온의조건에서탄소가촉매층을따라그래핀을형성한다는공통점을가지고있다. CVD 법은 Ni, Cu, Pt등과같은탄소가잘흡착되는전이금속을촉매층을사용하여 1000 이상의고온에서 CH 4, H 2, Ar의혼합가스를주입하면서탄소가촉매층과반응하면급랭시켜그래핀을성장시키는방법이다. 그림 23. 화학증기증착법의과정및조절된그래핀층수이미지. CVD 법을이용하여만들어진그래핀은대면적으로합성되어지며고품질이기때문에 FET, 투명전극 (transparent electrode), 태양전지 (solar cell) 등필름형태로만들어지는소자에많이쓰이고있다. 투명전극분야에서많이이용되는 ITO를대체할수있는물질로그래핀이각광을받고있고이를만족시킬수있는그래핀제조방법으로 CVD법이집중적인관심을받고있는것은화학적박리법에의해만 33

들어진그래핀필름에비해월등한면저항및투과도특성때문이다. 한예로 2010 년 nature nanotechnology 에보고된연구에서면저항이 ~50 Ω/ 로측정되었는데, 이값은현재사용되는 ITO 의 특성과비슷한값이고머지않아 ITO 를대체할수있다는가능성을보여주었다. [12] 그림 24. 투명전극으로응용되는그래핀.

34 들어진그래핀필름에비해월등한면저항및투과도특성때문이다. 한예로 2010 년 nature nanotechnology 에보고된연구에서면저항이 ~50 Ω/ 로측정되었는데, 이값은현재사용되는 ITO 의 특성과비슷한값이고머지않아 ITO 를대체할수있다는가능성을보여주었다. [12] 그림 24. 투명전극으로응용되는그래핀. 하지만, 이렇게뛰어난장점을가지고많은응용분야에서관심을가지며널리알려진 CVD 법도산업화를위해서는몇가지해결해야할문제가있다. CVD 법으로합성된그래핀은촉매의종류와두께, 반응시간, 냉각속도, 반응가스의농도등을조절함으로써그래핀층수를조절할수있으나반응가스의흐름속도나촉매의두께에따라그래핀의품질이달라져공정이까다로운단점이있다. 또한, 그래핀제조시사용된금속촉매층을완전히제거하기어렵고고온에서합성하는공정이어렵고까다롭기때문에합성된그래핀의가격이높고대량생산이어렵다는단점을가진다. 에피택시합성법은 CVD 법과같이고온에서그래핀을합성해내지만실리콘카바이드 (SiC) 와같이탄소가결정에흡착되거나포함되어있는재료를바로기판으로사용한다. 이기판을 1500 의고온에서열처리를하여탄소가표면의결을따라성장하도록하여그래핀을얻어낼수있다. 이방법을통해얻어진그래핀은 CVD 법이나스카치테이프법에비해그래핀보다그특성이뛰어나지못할뿐아니라재료도비싸고제작이어렵다는단점이있다. 이상으로그래핀합성에있어대표적인합성법들을알아보았다. 아직까지그래핀을상업화하기에는아직많은해결과제가남아있어이를해결하기위한연구가지금도지속적으로이어지고있다. 그래핀을우리가쓰는실생활에보급할수있도록상업화를하려면대량의고품질그래핀을얻어내야하며그래핀고유의특성을유지시켜주어야하고환경오염문제에서자유로워야하기때문에많은연구진들이이점에초점을맞추어연구하고있다. 34

35 표 1. 그래핀제조방법 제조명장점단점 기계적박리법 간편한시료준비 낮은수율 (mechanical exfoliation) 고순도의그래핀제작 대면적그래핀제작불가능 top -down 화학적박리법 (chemical exfoliation) 대량생산가능 값싼공정법 용액내에서의그래핀제조가능 대면적그래핀제작불가능 결함으로인한저순도그래핀형성 산 (acid) 사용으로인한환경문제 흑연층간삽입팽창법 (graphite intercalating expansion) 대량생산가능 용액내에서의그래핀제조가능 고온에서반응 (1000 C) 낮은수율 intercalating agent의제거어려움 화학증기증착법 고순도의그래핀제작 고온에서반응 (1000 C) (chemical vapor 그래핀층수조절가능 촉매사용 bottom -up deposition, CVD) 에피텍셜합성법 (epitaxy sythesis) 대면적그래핀제작가능 대면적그래핀제작가능 값비싸고어려운공정과정 고온 (1700 C) 고가의기판사용 유기합성법 (organic synthesis) 간편한제작법 대면적그래핀제작어려움 낮은수율 35

36 제 7 장연구시설 장비현황 36

37 제 8 장참고문헌 37

농림축산식품부장관귀하 본보고서를 미생물을활용한친환경작물보호제및비료의제형화와현장적용매뉴 얼개발 ( 개발기간 : ~ ) 과제의최종보고서로제출합니다 주관연구기관명 : 고려바이오주식회사 ( 대표자 ) 김영권 (

농림축산식품부장관귀하 본보고서를 미생물을활용한친환경작물보호제및비료의제형화와현장적용매뉴 얼개발 ( 개발기간 :2014. 7. 29 ~ 2016. 7. 28.) 과제의최종보고서로제출합니다. 2016. 7. 28. 주관연구기관명 : 고려바이오주식회사 ( 대표자 ) 김영권 ( 인 ) 협동연구기관명 : 목원대학교산학협력단 ( 대표자 ) 고대식 ( 인 ) 협동연구기관명