hwp
|
|
|
- 인기 태
- 5 years ago
- Views:
Transcription
1 특집 Nanoelectronics 탄소나노튜브전자소자 박완준 서 지난반세기에걸쳐전자산업의주력기술의위치를점하고있는실리콘기반의반도체기술은정보처리양의급격한증가로인한전자소자성능의고속화와고집적화요구로인해기술의한계점에근접해가고있다. 무어의법칙 1) 에의하면앞으로 10년이내에최소선폭 2) 이 10 nm 이하인소자기술이불가피할것으로전망된다. 반도체기술에서선폭의미세화는전통적인제조공정기술, 소자특성, 신뢰성등전분야에기술적인한계를초래할것으로예상된다. 제조공정기술은포토리소그라피 (Photo-lithograpy) 공정이대표적인한계기술로현재반도체공정에적용되는광원은집적화증가에의해요구되는정도의미세화패턴을제공할수없다. 보다작은파장의광원으로전자빔이나 X-선등이연구되고있으나, 이는고가의기술및장비의적용과생산성의저하가불가피하다. 기술의한계점에대한위기는소자특성과신뢰성분야에서더욱심각하다. 반도체회로는트랜지스터와트랜지스터를연결하는금속배선으로이루어진다. 전통적인구조의실리콘트랜지스터는양자역학적터널현상에의한누설전류와동작시발생하는열이집적화를제한하는기술적요인이다. 금속배선에서도선폭의미세화로기인되는증가된전류밀도는기존의금속물질 ( 알루미늄이나구리선 ) 이허용하는범위를초과하고있다. 이와같은기술의한계를극복하기위한대안으로탄소나노튜브 (Carbon Nanotube) 를기반으로한전자소자가개발중에있다. 탄소나노튜브는첫째, 재료적관점으로극미세구조에서양질의반도체혹은금속의성질을만족하며, 둘째, 공정관점에서부분적, 혹은전체적으로자기조립 (Self Assembly) 공정을통해포토리소그라피 (Photo-lithograpy) 한계에자유로울가능성이있고, 셋째, 소자성능의관점에서탄소나노튜브트랜지 박완준박사는 University of Utah 물리학이학박사 (1997) 로서 LG 반도체에서근무하였고 ( ), Michigan State University, Physics and Astronomy 에서 Post Doc.( ) 을거쳐 1999 년부터삼성종합기술원에재직중이다. (wanjun@samsung.com) 론 스터의경우기존의실리콘기반의트랜지스터보다잠재적으로 10배이상큰전자이동도를보이므로전력소모와동작시발생하는집적회로의발열을줄일수있고, 금속배선으로적용할시구리배선에비해 1000배이상의전류밀도를허용할수있다. 탄소나노튜브 1. 탄소나노튜브의원자구조와전기적특성주기율표상에 6번째원소이고 4족에속해있는탄소원자는공유결합을기반으로하는원자간의결합구조에따라물질의특성이다양하며, 0차원에서 3차원까지의원자구조가모두자연계에존재하는유일한원소이다 ( 표 1). 탄소나노튜브는 2차원구조의흑연 (Graphite) 면을둥글게말아놓은구조이며직경은 1-20 nm가전형적이다. 흑연은결합배열이독특하여흑연면이튼튼하고평탄한육각형판상막구조를하고있다. 이막의상하부는자유전자로채워져있으며전자는이산상태에서막과평행운동을한다. 탄소나노튜브는그림 1에서와같이하나의흑연판에서 O-A, B-B' 이만나모서리에서결합을이루어나선모양으로감기면서형성된다. 이때 O-A를잇는선에서카이럴벡터 (Chiral Vector) 3) 를정의한다. 탄소나노튜브의전기적특성은자유전자의운동방식이바뀌게되어나선형또는카이랄성 (Chirality) 4) 에의존한다. 그예로카이럴벡터 (n,m) 에대하여, n-m이 3의배수가되면자유전자의운동이완전히자유로워나노튜브가금속처럼반응하고, n-m이 3의배수가아니면반도체처럼밴드갭 (Band Gap) 이형성되어 1) Moore s Low, 인텔의창립자인 Gorden Moore가주장한것으로오랜기간반도체시장의추이를관찰하여얻은결론이실리콘기반의반도체제품의집적도가 3년마다 4배씩증가한다는내용. 2) 반도체칩을구성하는배선요소중가장작은배선의너비로트랜지스터게이트의너비나금속배선의너비의크기로디자인룰 (Design Rule) 로표시됨. 3) Chiral Vector: C h=4a 1+2a 2 혹은 (4,2) 4) Chirality: 광학이성질체, 손대칭성. 20 물리학과첨단기술 June 2004
![이중겹탄소나노튜브 (Double-wall Carbon Nanotube) 로육각형의꼭지점에탄소원자가놓여있다. [2] 그림 1. 탄소나노튜브의카이랄성 (Chirality). 의직경이클경우단일겹 (Single-wall) 보다는다중겹 (Multi-wall) 의탄소나노튜브가성장되고이는전기적으로금속성이다.](/docs-images/92/108903655/images/2-1.jpg "그림 3은탄소원자가육각형구조로결합하여이중겹나노튜브 (Double-wall Nanotube) 로성장되는예시이다. 2.")
2 표 1. 탄소의다양성. Dimension 0-D 1-D 2-D 3-D 종류 C 60 Nanotube Graphite Diamond 전기적특성 반도체 금속 / 반도체 금속 부도체 B B T = 4a 1-5a 2 A O C h = 4a 1 + 2a 2 Chiral vector a 1 a 2 그림 3. 이중겹탄소나노튜브 (Double-wall Carbon Nanotube) 로육각형의꼭지점에탄소원자가놓여있다. [2] 그림 1. 탄소나노튜브의카이랄성 (Chirality). 의직경이클경우단일겹 (Single-wall) 보다는다중겹 (Multi-wall) 의탄소나노튜브가성장되고이는전기적으로금속성이다. 그림 3은탄소원자가육각형구조로결합하여이중겹나노튜브 (Double-wall Nanotube) 로성장되는예시이다. 2. 탄소나노튜브의물리적성질 1991년일본의이지마박사가탄소의결합구조를연구하던중처음으로튜브형태의탄소구조를발견한이래 ( 그림 4), 탄소나노튜브가새로운소재로주목받는것은극단적인 (Extreme) 전기적, 물리적특성을갖고있기때문이다. 먼저 (a) 금속성탄소나노튜브 (b) 반도체성탄소나노튜브그림 2. 탄소나노튜브의밴드구조. 반도체성탄소나노튜브는일반적인반도체와같이상위밴드 (Conduction Band) 와하위밴드 (Valence Band) 사이에전자가있을수없는에너지갭이존재한다. [2] 전자가이동하기위해서는이를극복해야할만큼의에너지가외부에서공급되어야한다. 그림 2는금속성탄소나노튜브와반도체성탄소나노튜브의밴드구조를나타낸다. 반도체성탄소나노튜브에서밴드갭의크기는일반적으로튜브의지름크기에반비례하는것으로알려져있다. 이론적으로가장클수있는밴드갭에너지는 4.6 ev 5) 로부도체영역부터직경이커짐에따라밴드갭이존재하지않는금속탄소나노튜브까지모든영역의전기적특성이가능하다. 특히튜브 5) 다이아몬드의밴드갭에너지 : 5.5 ev 그림 4. 이지마에의해처음으로발견된다중겹탄소나노튜브의고해상도투과전자현미경 (HRTEM) 사진 ( 네이쳐지, 1991). [3] 물리학과첨단기술 June
3 표 2. 탄소나노튜브의물리적성질비교. 물리적성질탄소나노튜브비교재료 50 nm 미세공정크기 nm ( 직경 ) ( 전자빔리소그라피 ) 밀도 g/cm g/cm 3 ( 알루미늄 ) 인장강도 Pascal Pascal ( 고강도스틸합금 ) 허용전류밀도 A/cm A/cm2 ( 구리선 ) 열전도율 내열성 6000 W/mK 2800 도 3320 W/mK ( 다이아몬드 ) 도 ( 일반금속선 ) 크기가나노재료에합당하게적으며, 전기적으로매우좋은도체이고, 다이아몬드보다좋은열전달물질이다. 원자구조로는공유결합으로탄소-탄소의결합강도가높아인장강도가고강도합금에비해 20배이상우수하고허용전류밀도가어떤금속보다크다. 또한내열성및단위부피당표면적이넓다 ( 표 2 참조 ). 한편나노기술과관련하여튜브형태의 1차원적으로물질이구성되어원리적으로구조적결함이없도록할수있기때문에높은온도에서도양자역학적인간섭현상 (Quantum Interference) 을줄일수있다. 즉, 미래에다가올기술로기대되는양자전자소자의재료로도기대가되어진다. 이와같은극단적인물리적성질은다양한응용분야에적용 될수있다. 본고의주제인전자소자분야에트랜지스터와금속배선등전자소자의구성단위소자뿐아니라, 나노전자소자구현을위한로직어레이 (Logic Array), 메모리어레이 (Memory Array), 또는이를조합한칩 (Chip) 형태의시스템분야에응용잠재력이있다. 광학소자분야에서는나노크기의광원구현이가능하여디스플레이, 가시광원, X선, 발광다이오드응용분야가있고, 수소저장매체로에너지분야및나노기술과관련된나노저울, 나노집게, 나노탐침등수많은응용분야를개척할수있다. 3. 탄소나노튜브의제조탄소나노튜브는레이저증착법 (laser-ablation), 아크방전법 (arc discharge) 또는, CVD( 화학기상증착 ) 법에의해제조가된다. 레이저증착법과아크방전법은촉매금속과강력한레이저 / 아크방전으로탄소과녁물질을순간적으로가열한다. 이때형성된기화탄소는가스상태에서반응챔버 (Chamber) 벽이나맞은편전극에나노튜브를형성한다. CVD법은원하는위치에선택적으로나노튜브를성장시키기에적합한제조법 ( 그림 5) 으로탄소공급원료로아세틸렌, 메탄, 일산화탄소등을사용하며, 촉매입자를적용하여촉매표면에서이루어지는촉매분자의해리에의해탄소원자가촉매입자속에서녹아재배열이이루어지면서나노튜브가형성된다. CVD 방법은기존의반도체공정의증착기술과호환성이있고, 원하는기판과원하는위치에나노튜브를제조할수있는장점으로특히전자소자응용을위한중요한제조방법을제공한다. 탄소나노튜브는성장조건 ( 가스혼합물, 플라즈마인가, 촉매유형등 ) 에따라금속입자가기판과붙어있는상태에서그위로탄소섬유가생성하는성장방식 (Base Growth) 이나탄소가흡착 (a) (b) 그림 5. CVD( 화학기상증착법 ) 으로제조된탄소나노튜브, (a) 촉매에미세공정을적용하여원하는위치에나노튜브를성장하는방법에대한설명도, (b) 선택성장된나노튜브의전자현미경사진 ( 사이언스지, 1999). [4] 22 물리학과첨단기술 June 2004
4 DRAM half-pitch (nm) MPU physical gate length (nm) Classical CMOS limitation Non-classical CMOS Simple shrinkage Red Brick Wall SOI, Strained, Vertical, FinFET, Double gate Physical Limitation New technologies New technology Introduction : CNT, Si nano-wire, SET etc. Technology platform change 그림 6. 기술개발기준으로예측된트랜지스터기술로드맵. 현재의주류기술인실리콘기판의표면에형성하는평면형트랜지스터제조기술은미세화의영향발생하는누설전류등으로인해더이상적용불가능하며, 이시점을더이상동일한방식으로는기술이연장되지않는다는의미에서 Red Brick Wall 로표현한다. 대안기술로입체구조를갖는트랜지스터가적용될것으로예측되나, 이러한구조역시향후 10년내에기술적한계 (Physical Limitation) 가예상된다. 따라서나노기술을적용한신기술전자소자의개발이궁극적인해결방안으로제시되고있다. 되는면이촉매금속위쪽에존재하고, 탄소석출은아래면에서이루어져, 금속입자아래로탄소섬유의성장을유도하는방식 (Tip Growth) 으로구별된다. 탄소나노튜브를이용한전자소자 1. 나노전자소자의필요성나노전자소자는 1 nm ~ 100 nm 6) 크기의재료로전자소자의기본구성요소인트랜지스터, 스위치, 저항, 캐페이시터 (Capacitor), 배선을구현하고, 이들구성요소를조합하여, 로직회로, 마이크로프로세서, 메모리등에적용되는기존의실리콘반도체기반의고집적화기술에서예상되는한계의대안을제공하는기술을의미한다. 보다포괄적으로는모든물질은나노크기로작아지면, 양자역학적현상이물리적성질을좌우하게된다. 전기적인성질로나타나는양자역학적인현상을이용하면전자소자에합당한기능을갖도록할수있고, 이는기능적인의미의나노전자소자의정의가된다. 이러한기능을현실적으로이용하기위해서는양자역학이지배하는전기적성질을전자소자의목적에맞게제어할수있어야한다. 국제적인반도체기술예측기관인 ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors) 에따르면앞으로 10년내에전자소자구성요소중가장중요한트랜지스터를제작하기위해 15 6) 1 nm는 10억분의 1 m nm의선폭기술을예상하고있다. 이는실리콘기반의전통적인트랜지스터제작기술로는그림 6에서와같이실현이불가능한것으로여겨지고, 현재까지구현된적이없는나노전자소자개념의새로운기술의도입이필요한상황이다. 이상기술된나노전자소자의후보기술로특정한전도특성을갖는무기 / 유기분자나양자점 (Quantum Dot) 으로표현되는수나노크기의금속혹은반도체에서나타나는단전자효과 (Single Electron Effect) 를이용하여분자수준의크기에서, 또는전자의스핀제어를이용한전자소자특히스위치를포함한트랜지스터기능을구현하려는여러가지기술이시도되고있다. 이런기술은학술적으로많은발전을이루어오고는있지만, 실용화측면에서기술이성숙되기에는아직도많은시간이필요하다. 적어도 10년내에집적화가가능한일정수준의트랜지스터가되기위해서는특성의재현성및균일성과함께구동방식, 신호처리방식등현재의전자회로기술을적용할수있을정도의전기적특성을보유하고있어야한다. 또다른실용화의요건은특성이실온에서실현이되어야한다는것이다. 나노전자소자를가능하게하는대부분의물리적특성은양자현상 (Quantum Phenomenon) 을근간으로하나온도가증가함에따라양자간섭 (Quantum Interference) 로인해고유한전기적특성이소멸된다. 이런관점에서 1차원적구조를갖는반도체물질로형성된나노선 (Nano-wire) 과탄소나노튜브가비교적멀지않은미래에응용이가능할것이고, 나노전자소자트랜지스터가구현될것으로기대된다. 반도체나노선은반도체물질을 10~50 nm 직경으로성장한것으로나노튜브와는달리속이차여져있는구조를하고있다, 예를들어실리콘나노선 물리학과첨단기술 June
5 그림 7. 탄소나노튜브트랜지스터모식도. 탄소나노튜브트랜지스터는소오스 (Source) 와드레인 (Drain) 간에전류가흐르도록실리콘표면을대체하여반도체성탄소나노튜브를적용. 으로탄소나노튜브와유사한크기의트랜지스터제작이가능하다. 2. 탄소나노튜브 FET(Field Effect Transistor) 상온에서탄소나노튜브를이용한 FET(Field Effect Transistor) 는 1998년네덜란드의데커 (Dekker) 그룹에의해최초로시연된이후실리콘기반의트랜지스터기술의대안으로주목받고있다. 탄소나노튜브 FET은그림 7에서와같이기판에형성한탄소나노튜브를트랜지스터의채널 (Channel) 로, 탄소나노튜브의양끝단에금속전극을부착하여전자 (Electron) 나전공 (Hole) 의소오스 (Source) 와드레인 (Drain) 을, 게이트 (Gate) 절연막과게이트를순차적으로형성한다. 전자회로구성요소로써트랜지스터는스위치와신호증폭기의두가지기능을수행한다. 이는게이트의전압에따라소오스와드레인사이에흐르는전류의양을제어할수있기때문이다. 탄소나노튜브트랜지스터의게이트전압의존성을보면, 음의전압을게이트에인가했을경우 (V g < 0), 소오스 / 드레인간전류가증가하다평형치에도달하며, 양의전압을게이트에인가했을경우 (V g > 0), 탄소나노튜브채널을통한전류가감소된다. 이로부터채널내에서의전류는주로정공에의해일어남을알수있고, 이는일반적인 p형실리콘트랜지스터와동일하다. 다른한편으로알카리족 7) 원소인칼륨 (K) 을탄소나노튜브와결합시키면전자의이동으로인한전류를얻게되어 n형트랜지스터가가능하다. p형과 n형트랜지스터의선택적인제조가가능하다는사실은탄소나노튜브의전자회로응용가능성에매우중요한요소이다. 이로써현재의실리콘반도체집적회로기술의연장선에서새로운개념의도입이없이도 CMOS 회로기술에탄소나노튜브트랜지스터를적용할수있게되는것이다. 실제로매우초보단계이기는하지만 CMOS 인버터와동일기능을하는탄소나노 7) 주기율표에서 1족에위치한원소. 8) Carrier: 전자나전공을통합하여지칭함. 그림 8. p형-, n형-탄소나노튜브트랜지스터의전류-전압곡선과이를조합하여제작한탄소나노튜브인버터의특성곡선은반도체 CMOS 인버터와동일한특성을보인다. (2001, APL) [5] 튜브인버터가시연되었고 ( 그림 8), 트랜지스터의증폭기능에의해작동하는 CMOS 링오실레이터 (Ring Oscillator) 가탄소나노튜브트랜지스터의조합으로시연된바있다. 트랜지스터의채널 (Channel) 이작아지게되면캐리어 (Carrier) 8) 가지날수있는경로도작아지게되어캐리어의이동도 (Mobility) 가큰물질의선택이필수적이다. 이동도가증가되기위해서는개별캐리어가이동하는매질이나, 캐리어상호간에산란이억제되어야하고이를물리학에서는발리스틱전자수송 (Ballistic Transport) 이라고표현한다. 트랜지스터응용에서크기의미세화관점외에탄소나노튜브의장점은원자구조의결함을제거하는정도에따라원리적으로발리스틱전자수송이가능하다. 실제로탄소나노튜브트랜지스터에서측정된캐리어이동도는실리콘에비해 5배정도크고, 효과적으로결함을제거하는기술의발전으로더큰이동도를기대할수있다. 이상에서기술한집적회로응용외에, 탄소나노튜브트랜지스터는메모리칩을구성하는코아셀 (Core Cell) 에응용가능하다. 메모리셀은개별셀을선택하는스위치기능의트랜지스터와데이터를저장하는저장부로구성된다. 현재반도체메모리는전자의전하량을저장하거나제거하는것을주류기술로하나, 최근들어자성체응용, 상변화에의한물질의저항변화및니노구조응용등다양한새로운기술이개발중이다. 이러한신기술과탄소나노튜브를결합한구조를통해현재메모리보다 1000배이상의집적도를도달하게하는나노크기의메모리셀이구현가능하다. 3. 탄소나노튜브전도체반도체기술로드맵 (ITRS) 은 2013년까지배선전류밀도 ( A/cm 2 ) 를예측하고있다. 이이상의배선전류밀도를충족시킬수있는배선재료는금속성탄소나노튜브에서만구현이 24 물리학과첨단기술 June 2004
6 그림 9. 집적회로에서탄소나노튜브로대체가가능한전자회로구성요소. 가능하다. 배선선폭의미세화에따라종래의알루미늄이나구리배선방식은입자와표면의산란효과및고전류밀도로인해배선저항이증가한다. 이는높은배선정전용량과함께집적회로에서의신호지연을초래하여전자소자의동작속도성능을제한한다. 한편집적회로에서발생하는열을충분히제거하는것이오늘날컴퓨터가안고있는큰문제거리이다. 탄소나노튜브의열전도도는다이아몬드에비해 2배, 구리에비해 15배가량높아, 현재까지알려진어떤물질보다좋은열제거를위한열전달기능을한다. 순수탄소나노튜브에적절한불순물을주입하면전도성이더욱향상되기때문에배선저항이감소하고전류수용용량이커진다. 또한탄소나노튜브는구조적강도가탁월하기때문에배선에서신뢰성문제를야기하는전자이동 (Electromigration) 이나절연기판으로의확산이없으며구리배선에필수적인다마신공정 (Copper Dual Damascene) 에서확산방지막을사용할필요가없는이점이있다. 배선분야에서금속배선대체물질외에다른중요한응용분야로배선과배선사이를연결하는공정에적용가능하다. 이때두배선간은금속으로채워진미세한구멍 (Contact Hole) 으로연결되는데, 고집적화의미세화요구에따라금속으로채워져야할구멍의지름대길이비 (Aspect ratio) 가증가한다. 기존의컨택공정에간단한 CVD법을이용하여수직배열된금속성탄소나노튜브를전도체로사용하면, 미세화에따른공정의한계를극복할수있을뿐아니라적은접촉저항을유지할수있다. 그림 9에서는다기능집적회로에서적용이가능한전자회로구성요소로써의탄소나노튜브응용을도식화하였다. 밴드갭 (Eg) 을갖는반도체특성이나금속특성을갖게할수있지만, 완벽한조절기술이아직알려져있지않다. 부분적으로는반도체성나노튜브만을정제하는방식이몇가지제안되고있으나, 아직정제효율이 100% 에이르지못한다. 둘째, 전자소자는구성요소간의전기적연결이필수적이며, 이를위해서는구성요소의위치제어가필요하다, 이는나노기술이안고있는공통적인문제점이기도한데, 자기조합 (Self-assembly) 기술로이를해결하려는시도가있다. 탄소나노튜브도이러한기술을적용하여규칙적인배열을하는방법이제안되고기술적발전이지속적으로이루어지고있다. 다른방법으로촉매의위치를제어하여원하는곳에탄소나노튜브를선택성장하는방식이있으나, 이는포토리소그라피 (Photo lithography) 기술을피할수없기때문에연구의목적으로적용이가능하나궁극적인해결방법이라고할수는없다. 셋째, 결함이없는탄소나노튜브는산란이없이전자의이동이가능한구조이나, 결함없는나노튜브의성장이가능하더라도전극형성후계면에서이와같은이점이상쇄된다. 즉높은접촉저항으로인해소자전체의저항이나노튜브의저항이아니라접촉저항의지배를받으므로캐리어의이동도소실을유발하여전자소자로서요구되는필요한전기특성을제공하는데어려움이있다. 맺음말실리콘반도체전자소자로드맵은향후 10년이내에현재기술의한계를예상하고있고탄소나노튜브가많은기술적불확실성을내포하고있음에도불구하고기존반도체기술의대안으로주목받는것은재료가가지고있는물리적성질이기존의반도체나금속에비해우수하여, 미세화에기인하는기존물질의물리적한계를극복할수있는가능성이그어느후보기술보다높기때문이다. 탄소나노튜브전자소자의비전은트랜지스터, 저항, 배선, 메모리셀등모든전자회로구성요소를나노튜브로제작하여고성능, 고집적다기능집적회로 (MPU), 메모리소자등을구현하는것이다. 반도체전자산업에서기존기술의틀속에서부분적인개선기술의개발로경쟁력을유지할수있는시대는향후 10년내에한계에도달할것이다. 우리나라가반도체분야의경쟁력을유지하고확대하기위해서는그대안기술의주체가되어야한다. 대안기술이탄소나노튜브이건다른나노전자소자후보기술이건, 기술적불확실성을제거하기위한기초연구가필요한때이다. 4. 탄소나노튜브전자소자의문제점탄소나노튜브는물리적특성의우수성으로나노크기의전자소자응용분야에적합한잠재성을갖고있으나, 또한실질적인응용을위해서는다양한문제점을갖고있는것도사실이다. 해결이필요한많은문제점중에특히전자소자응용기술의성공여부를결정지을기초기술은다음과같이기술될수있다. 첫째, 탄소나노튜브는카이랄성 (Chirality) 에따라서다양한 참고문헌 [1] G. E. Moore, Electronics 38(8), April (1965). [2] P. G. Collins and P. Avouris, Scientific American 62, December (2000). [3] S. Iijima, Nature 354, 56 (1991). [4] Fan et al., Science 283, Issue 5401, 512 (1999). [5] Liu et al., Appl. Phys. Lett. 79, 3329 (2001). 물리학과첨단기술 June
Microsoft PowerPoint - Chapter4&6(강의용)
h. 4 반도체소자 반도체 : 상온에서도체와부도체의중간쯤에해당하는전기전도도를가지는물질 불순물첨가 (doping) 또는결함으로인해서전기전도도가매우크게변함. 주기율표에서 4 족, 3-5 족, 2-6 족화합물 (Si, Ge, GaAs, AlAs etc. ) c = 6.708 Å 1 원자가규칙적정렬을하는고체에서전자의상태 : 에너지밴드 E U E g a E V a 0
유기 발광 다이오드의 전하주입 효율 향상을 통한 발광효율 향상 연구
- i - - ii - - iii - - iv - - v - - vi - 그림차례 - vii - - viii - - 1 - 5). - 2 - - 3 - 유기발광다이오드 ( 고분자또는저분자 ) 무기발광다이오드 (p-n junction LED) - + cathode ETL EML HTL HIL anode 발광 두께 : 100 ~ 200 nm 양극 ( 투명전극,
Microsoft PowerPoint - 6. FET 증폭기
FET 증폭기 E-al: hjun@hanyan.ac.kr http://web.ynse.ac.kr/hjun FET 증폭기 MOFET 증폭기는동작측면에서 4 장에서설명한 BJT 증폭기와유사. BJT 증폭기에비해입력저항이매우커서, 증폭단사이신호전달이보다효율적임. 공통소오스증폭기 공통드레인증폭기 공통게이트증폭기 E-al: hjun@hanyan.ac.kr http://web.ynse.ac.kr/hjun
KAERIAR hwp
- i - - ii - - iii - - iv - - v - - vi - Photograph of miniature SiC p-n and Schottky diode detector Photograph SiC chip mounted on a standard electrical package Photograph of SiC neutron detector with
16<C624><D22C><ACFC><D0D0> <ACE0><B4F1><BB3C><B9AC><2160>_<BCF8><CC45>.pdf
I I 02 03 04 05 06 II 07 08 09 III 10 11 12 13 IV 14 15 16 17 18 a b c d 410 434 486 656 (nm) Structure 1 PLUS 1 1. 2. 2 (-) (+) (+)(-) 2 3. 3 S. T.E.P 1 S. T.E.P 2 ) 1 2 (m) 10-11 10-8 10-5 C 10-2 10
탄소연속섬유복합체 제조기술 본분석물은교육과학기술부과학기술진흥기금을지원받아작성되었습니다.
탄소연속섬유복합체 제조기술 본분석물은교육과학기술부과학기술진흥기금을지원받아작성되었습니다. 머리말 제 1 장서론 1 제 2 장기술의개요 5 제 3 장기술동향분석 42 - i - 제 4 장탄소복합섬유시장전망 88 - ii - 제 5 장결론 107 참고문헌 111 표목차 - iii - 그림목차 - iv - - v - 1 서론 2 출처 : 한국섬유산업연합회, 최신섬유기술동향,
2001/1학기 공학 물리 중간고사
2011/2 학기물리전자기말고사담당교수 : 김삼동 성명 학번 분반 e = 1.6 10-19 C, ε ox = 3.9, ε Si = 11.7,ε o = 8.85 10-14 F/cm 2, kt (300 K) = 0.0259 ev,, n i (Si, 300 K) =1.5x10 10 /cm 3 1. PN diode의 I-V 특성은아래의그림과같은거동을보인 (I) 다.
- 2 -
작품번호 37 Solar material 로쓰일수있는검정색물질의재발견! 출품분야학생부출품부문화학 2009. 5. 13 시 군 학교 ( 소속 ) 학년 ( 직위 ) 성 명 성남시풍생중학교 2 김호기, 이희원 지도교사풍생중학교교사김경원 - 1 - - 2 - - 3 - - 4 - - 5 - - 6 - - 7 - 석탄은주로탄소로구성되어있고, 수소와산소가들어있다. 이밖에질소
제목을 입력하십시오
포워드, 플라이백컨버터 Prof. ByoungKuk ee, Ph.D. Energy echaronics ab. chool of Informaion and Communicaion Eng. ungkyunkwan Universiy Tel: 823299458 Fax: 823299462 hp://seml.skku.ac.kr E: bkleeskku@skku.edu Forward
슬라이드 1
반도체소자 2012 학년도 2 학기 담당교수 : 김태환 ( 소속 : 융합전자공학부 ) 강의시간 : 1) 월 10:30-12:00 (H27-0209) 수 14:30-16:00 (H27-0209) Office : 공업센터별관 503-1 Office hour : 수요일 10:30 ~ 12:30 수업조교 : 안준성 (joon.ahn86@gmail.com, Tel :
<30322DC0CCC1A4BFC02E687770>
KIC News, Volume 12, No. 4, 2009 13 기획특집 - CNT (carbon nano tube) 기술 탄소나노튜브기반센서의동향및향후전망이정오 한국화학연구원화학소재단 Recent Progresses and the Prospect in Carbon Nanotube-based Sensors Jeong-O Lee Advanced Materials
실험 5
실험. OP Amp 의기초회로 Inverting Amplifier OP amp 를이용한아래와같은 inverting amplifier 회로를고려해본다. ( 그림 ) Inverting amplifier 위의회로에서 OP amp의 입력단자는 + 입력단자와동일한그라운드전압, 즉 0V를유지한다. 또한 OP amp 입력단자로흘러들어가는전류는 0 이므로, 저항에흐르는전류는다음과같다.
<5BB0EDB3ADB5B55D32303131B3E2B4EBBAF12DB0ED312D312DC1DFB0A32DC0B6C7D5B0FAC7D02D28312E28322920BAF2B9F0B0FA20BFF8C0DAC0C720C7FCBCBA2D3031292D3135B9AEC7D72E687770>
고1 융합 과학 2011년도 1학기 중간고사 대비 다음 글을 읽고 물음에 답하시오. 1 빅뱅 우주론에서 수소와 헬륨 의 형성에 대한 설명으로 옳은 것을 보기에서 모두 고른 것은? 4 서술형 다음 그림은 수소와 헬륨의 동위 원 소의 을 모형으로 나타낸 것이. 우주에서 생성된 수소와 헬륨 의 질량비 는 약 3:1 이. (+)전하를 띠는 양성자와 전기적 중성인 중성자
PowerPoint Presentation
전자회로 SEMICONDUCTOR P 1 @ INDEX 1. Conductors, Insulators, Semiconductors 2. Conduction in Semiconductors 3. The N-Type and P-Type Semiconductors 4. The PN Junction P 2 1.1 Conductors Insulators Semiconductors
PowerPoint Presentation
디지털 CMOS 인버터의동작및특성 IT CookBook, 최신 VLSI 설계, 조준동, 성균관대학교 학습목표 CMOS 인버터의동작과구조를익힌다. CMOS 인버터의출력전류, 출력전압의특성을알아본다. 노이즈마진을구한다. 목차 1.CMOS 인버터의동작및구조 2.CMOS 인버터의출력전류 / 전압특성 Section 01 CMOS 인버터의동작및구조 1.1 CMOS 인버터의동작.
5_10.hwp
실험 8. 트랜지스터스위칭실험 8.1 실험목적 트랜지스터의스위칭특성을이해한다. 트랜지스터의무접점스위치로의응용원리를이해한다. 트랜지스터의디지털소자로의응용원리를이해한다. 8.2 실험이론 8.2.1 트랜지스터스위칭특성 포화동작영역은트랜지스터의베이스입력전류가커서입력전류에따라전류증폭률 β배만큼비례적으로증폭하여컬렉터전류로출력하지못하고, 출력이트랜지스터가흘릴수있는최대컬렉터전류
12권2호내지합침
14 OPTICAL SCIENCE AND TECHNOLOGY April 2008 15 16 OPTICAL SCIENCE AND TECHNOLOGY April 2008 17 18 OPTICAL SCIENCE AND TECHNOLOGY April 2008 19 20 OPTICAL SCIENCE AND TECHNOLOGY April 2008 21 22 OPTICAL
PowerPoint 프레젠테이션
Heinrich Rudolf Hertz (1857 1894) proved the existence of the electromagnetic waves theorized by James Clerk Maxwell's electromagnetic theory of light. Guglielmo Marconi (1874 1937) 1909 Nobel Prize in
PowerPoint Presentation
Test 1. 일반적인측정용어 1.1 면저항 1.2 누설전류 1.3 파괴시험 1.4 Resolution 2. 산화막평가 2.1 확산층평가 2.2 산화막중의전하 2.3 절연파괴강도 2.4 장기신뢰성평가 3. Photo-etch 검사측정기술 3.1 검사측정기술 3.2 Selectivity, Etch-rate, Anisotropy 4. 박막평가 4.1 관련용어 a.
013년도 전주ᆞ완주 탄소산업 : ( ) : ( ) : ( ) : ( ) : ( ) : ( ) : ( ) : ( ) : ( ) : ( ) ~ ~ 1. 최종 사업목표 및 내용 탄소 관련산업동향과 국가정책에 부응하여 탄소산업 중심의 테마형 집적화단지(Carbon Valley) 조성을 위한 탄소기업 유치 및 육성, 산업기반의 구축 등에 관한 전략적 접근이 필요함
7.3 Ampee 의주회법칙 Mwell 방정식 Ampee 의주회법칙 Ampee 의주회법칙은폐경로의주변을따른 의접선성분에대한선적분은폐경로에의해둘러싸이는순전류 enc 와같다. 즉 의회전은 enc 와같다. dl enc Ampee 의법칙의적분형 Ampee 의주회법칙유도 enc
Electomgnetics 전자기학 제 7 장 : 정자기장 Po. Young Chul ee 초고주파시스템집적연구실 Advnced F stem ntegtion A http://cms.mmu.c.k/wiuniv/use/f/ Advnced F stem ntegtion A. Young Chul ee 7.3 Ampee 의주회법칙 Mwell 방정식 Ampee 의주회법칙
실험. Multimeter 의사용법및기초회로이론 Multimeter 의사용법 멀티미터 (Multimeter) 는저항, 전압, 전류등을측정할수있는계측기로서전면은다음그림과같다. 멀티미터를이용해서저항, 전압, 전류등을측정하기위해서는다음그림과같은프로브 (probe) 를멀티미터
실험. Multimeter 의사용법및기초회로이론 Multimeter 의사용법 멀티미터 (Multimeter) 는저항, 전압, 전류등을측정할수있는계측기로서전면은다음그림과같다. 멀티미터를이용해서저항, 전압, 전류등을측정하기위해서는다음그림과같은프로브 (probe) 를멀티미터의전면패널에꼽는다. 통상적으로검은색프로브는전면패널의검은단자 (COM) 에꼽으며, 빨간색프로브는빨간색단자에꼽는다.
Ⅰ. 석면 1 1) American Geological Institute, Glossary of geology, 2008, http://glossary.agiweb.org 2) US OSHA standard 29CFR1910.1001(b) 2 석면분석전문가양성교육교재 : 편광현미경을이용한고형시료중석면분석 1) Cornelis Klein, The Manual
Microsoft PowerPoint - energy_materials( ) [호환 모드]
![Microsoft PowerPoint - energy_materials( ) [호환 모드]](/thumbs/88/117123890.jpg "Microsoft PowerPoint - energy_materials( ) [호환 모드]")
Types of Fuel Cell Types of Fuel Cell 인산염연료전지 (PAFC) -제1세대연료전지 -전해질로액체인산염사용하고탄화규소 (SiC) 매트릭스에함침시켜사용 -저온 (170~220 o C) 에서작동 -전해질내에수소이온이이동 -음극, 양극반응은앞의기본연료전지구조와동일 인산염연료전지 알칼리연료전지 (AFC) -전해질로알칼리 (KOH) 용액
Microsoft PowerPoint - Ch8
Ch. 8 Field-Effect Transistor (FET) and Bias 공핍영역 D G S 채널 8-3 JFET 바이어스 자기바이어스 (self-bias) R G - 접지로부터 AC 신호를분리 I D I G = 0 G = 0 D I D I S S = I S R S I D R S S I S = G - S = 0 I D R S = - I D R S D
Microsoft PowerPoint - 26.pptx
이산수학 () 관계와그특성 (Relations and Its Properties) 2011년봄학기 강원대학교컴퓨터과학전공문양세 Binary Relations ( 이진관계 ) Let A, B be any two sets. A binary relation R from A to B, written R:A B, is a subset of A B. (A 에서 B 로의이진관계
반도체 i ii iii iv v 2011 산업기술로드맵 정보통신 반도체분야 . 개요 3 2011 산업기술로드맵 정보통신 반도체분야 . 산업의환경변화 7 2011 산업기술로드맵 반도체분야 8 . 산업의환경변화 9 2011 산업기술로드맵 반도체분야 10 . 산업의환경변화 11 2011 산업기술로드맵 반도체분야 12 . 산업의환경변화 13 2011
<4D F736F F F696E74202D2035BBF3C6F2C7FC5FBCF8BCF6B9B0C1FA2E BC8A3C8AF20B8F0B5E55D>
5. 상평형 : 순수물질 이광남 5. 상평형 : 순수물질 상전이 phase transition 서론 ~ 조성의변화없는상변화 5. 상평형 : 순수물질 전이열역학 5. 안정성조건 G ng ng n G G 자발적변화 G < 0 G > G or 물질은가장낮은몰Gibbs 에너지를갖는상 가장안정한상 으로변화하려는경향 5. 상평형 : 순수물질 3 5. 압력에따른Gibbs
도 1 은본발명에사용되는증착장치의모식도이다. 도 2 및도 3 은본발명에실시예에의하여합성된탄소나노복합체박막의투과전자현미경 (TEM) 단면사진으로, 각각니켈을 30 초및 60 초동안증착하여니켈나노도트를형성시킨경우를나타낸다. 도 4 은순수한경질탄소박막과본발명에의하여합성된탄소
(51) Int. Cl. 7 C23C 14/34 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2005 년 09 월 13 일 10-0514347 2005 년 09 월 05 일 (21) 출원번호 10-2003-0038361 (65) 공개번호 10-2004-0107536 (22) 출원일자 2003년06월13일
<3132BEC6BBEAC1F6BFAA2E687770>
아산지역부식지도 12-1. 수환경에대한채취및조사표 농촌 해안지방인아산지역의수도수, 하천수, 인공산성비, 해수등의 4가지환경에 서부식시험을수행하였다. 수도수및해수는충남아산시인주면에위치한아산만방조 제에서채취하였고, 하천수는아산시곡교천에서채취하였다. 인공산성비는주어진용액 조제방법을이용하여아산과가장근접한대전지역을중심으로 ph4.9의용액을조제하 여사용하였다. 각시험용액의채취날짜,
KAERI/AR-636/2002 : 技術現況分析報告書 : 방사선 계측기술 및 중성자 계측기 기술 개발 현황
KAERI Radiation Gas ions - electrons + Gas-filled Detector Power Supply V Voltmeter Log(Pulse Height) Ionisation Chamber Proportional Counter Geiger-Müller Counter High initial Ionisation Low
Chap3.SiliconOxidation.hwp
반도체공정 Chap3. Silicon Oxidation 1 Chap. 3. Silicon Oxidation 주요내용 : - silicon dioxide(sio2) 를형성하기위한산화공정 - 산화공정과정의불순물의재분포현상 - SiO2 file의특성과두께측정방법 Why silicon in modern integrated circuit? Ge : 1950년대주로사용
28 저전력복합스위칭기반의 0.16mm 2 12b 30MS/s 0.18um CMOS SAR ADC 신희욱외 Ⅰ. 서론 Ⅱ. 제안하는 SAR ADC 구조및회로설계 1. 제안하는 SAR ADC의전체구조
Journal of The Institute of Electronics and Information Engineers Vol.53, NO.7, July 2016 http://dx.doi.org/10.5573/ieie.2016.53.7.027 ISSN 2287-5026(Print) / ISSN 2288-159X(Online) 논문 2016-53-7-4 c Abstract
Microsoft PowerPoint 상 교류 회로
3상교류회로 11.1. 3 상교류의발생 평등자계중에놓인회전자철심에기계적으로 120 씩차이가나게감은코일 aa, bb,cc 를배치하고각속도의속도로회전하면각코일의양단에는다음식으로표현되는기전력이발생하게된다. 11.1. 3 상교류의발생 여기서 e a, e b, e c 는각각코일aa, bb, cc 양단에서얻어지는전압의순시치식이며, 각각을상 (phase) 이라한다. 이와같이전압의크기는같고위상이
Contents Why YEST? Chapter 01_ Investment Highlights Chapter 02_ Growth Strategy Chapter 03_ Financial Highlights Appendix
Youngin Equipment Solution Technology Contents Why YEST? Chapter 01_ Investment Highlights Chapter 02_ Growth Strategy Chapter 03_ Financial Highlights Appendix Why YEST? 01, YEST 38.3%, YEST 580 2015
?춎?숏
066 068 072 074 076 082 084 088 092 096 104 114 120 122 124 126 130 133 134 136 138 142 144 148 152 154 Photo News 004 DECEMBER + 2012 National Assembly Review 005 Photo News 006 DECEMBER + 2012 008 010
논리회로설계 3 장 성공회대학교 IT 융합학부 1
논리회로설계 3 장 성공회대학교 IT 융합학부 1 제 3 장기본논리회로 명제 참인지거짓인지정확하게나타낼수있는상황 ( 뜻이분명한문장 ) 2진논리 참과거짓 두가지논리로표시하는것 0 / 1 로표현가능 논리함수 여러개의 2진명제를복합적으로결합시켜표시하고, 이를수학적으로나타낸것 디지털논리회로 일정한입력에대하여논리적인판단을할수있는전자회로로구성 - 입력된 2진논리신호들에대해적당한
(Hyunoo Shim) 1 / 24 (Discrete-time Markov Chain) * 그림 이산시간이다연쇄 (chain) 이다왜 Markov? (See below) ➀ 이산시간연쇄 (Discrete-time chain): : Y Y 의상태공간 = {0, 1, 2,..., n} Y n Y 의 n 시점상태 {Y n = j} Y 가 n 시점에상태 j 에있는사건
BS-K1217-M□□-3012_ProductGuide_KR_PDF
READER/WRITER MADE IN JAPAN System [ASLINK ] S-K1217-M-3012..,.,....,,. S-K1217-M08-3012 S-K1217-M12-3012 S-K1217-M18-3012 S-K1217-M30-3012 2() () / 1 2 1 DC..,,.,,,..,....... ' ARW-04 (Ver.04-1.01 ),
Microsoft PowerPoint Relations.pptx
이산수학 () 관계와그특성 (Relations and Its Properties) 2010년봄학기강원대학교컴퓨터과학전공문양세 Binary Relations ( 이진관계 ) Let A, B be any two sets. A binary relation R from A to B, written R:A B, is a subset of A B. (A 에서 B 로의이진관계
PowerPoint Presentation
신호조절 (Signal Conditioning) 메카트로닉스 시스템의 구성 ECU 인터페이스 회로 (시그널 컨디셔닝) 마이컴 Model of 기계 시스템 인터페이스 회로 (드라이빙 회로) 센서 액츄에이터 (구동기) 기계 시스템 PN 접합 다이오드 [1] 다이오드의 DC 해석과 등가모델 [1] 다이오드의 DC 해석과 등가모델 [1] 다이오드 응용회로 [1] 다이오드
목차 Ⅰ. 기술성분석 1 1. 기술의개요 1 2. 기술동향 2 3. 경쟁및신규 대체기술현황 4 가. 경쟁기술현황 4 나신규및대체기술현황 7 Ⅱ. 시장성분석 9 1. 시장특성 9 가. 시장정의 9 나. 시장개요및특성 9 다. 시장진입장벽 시장현황 12 가. 국
기술정보유통의중심 FirstSteptoTechnologyInformation www.firstep.or.kr 기술시장동향 탄소나노튜브응용기술 ( 인덕터소자 ) ( 색인어 : 탄소나노튜브, 반도체기판, 배선공정, 인덕터, 확산방지막 ) 2009.01. 정보제작기관 : 넥스트원국제특허법률사무소 부서 : 기술정보팀정태경 (nextwonip@naver.com) 본자료는기술평가정보유통활성화를지원할목적으로작성된것으로서,
Organic Chemistry
Hankyong National University 3-1 이성질체 (Isomer) : 같은분자식을가지고있으나서로다른화합물 구성이성질체 (Constitutional Isomer) : 분자내원자들의연결순서가다른이성질체 입체이성질체 (Stereo Isomer) 혹은배치이성질체 (Configurational Isomer) : 원자의연결순서는동일, 공간상에서원자의배열방향이서로다른이성질체
[ 마이크로프로세서 1] 1 주차 1 차시. 마이크로프로세서개요 1 주차 1 차시마이크로프로세서개요 학습목표 1. 마이크로프로세서 (Microprocessor) 를설명할수있다. 2. 마이크로컨트롤러를성능에따라분류할수있다. 학습내용 1 : 마이크로프로세서 (Micropr
![[ 마이크로프로세서 1] 1 주차 1 차시. 마이크로프로세서개요 1 주차 1 차시마이크로프로세서개요 학습목표 1. 마이크로프로세서 (Microprocessor) 를설명할수있다. 2. 마이크로컨트롤러를성능에따라분류할수있다. 학습내용 1 : 마이크로프로세서 (Micropr](/thumbs/96/129916843.jpg "[ 마이크로프로세서 1] 1 주차 1 차시. 마이크로프로세서개요 1 주차 1 차시마이크로프로세서개요 학습목표 1. 마이크로프로세서 (Microprocessor) 를설명할수있다. 2. 마이크로컨트롤러를성능에따라분류할수있다. 학습내용 1 : 마이크로프로세서 (Micropr")
1 주차 1 차시마이크로프로세서개요 학습목표 1. 마이크로프로세서 (Microprocessor) 를설명할수있다. 2. 마이크로컨트롤러를성능에따라분류할수있다. 학습내용 1 : 마이크로프로세서 (Microprocessor) 1. 마이크로프로세서란? 1 작은실리콘칩위에트랜지스터를수천만개집적한소자 2 마이크로 [μ] 는매우작은크기, 프로세서는처리기혹은 CPU를뜻하므로
제 5 강. 도체계와정전용량 1
제 5 강. 도체계와정전용량 1 3 장도체계와정전용량 3-1 콘덴서 - 절연된도체에전하 Q 를주면그도체의전위는이전의전위보다 V 만큼증가 대전된도체의전하량이증가할수록도체의전위는높아지는데, 이는도체의형상, 크기, 배치상태, 매질의종류에따라결정 - 한개의고립된도체에전하 Q[C] 를주었을때의전위를 V[V] 라하면 Q 와 V 는비례하여 또는 (3-1) - 이비례상수
Ch 양자역학의응용 20 c 이후과학과기술의결합 ã ã ã ã ã 라디오, TV, 무선통신고체물리 반도체산업초전도체, 자성체레이저 광통신, 정밀측정핵 입자물리학 핵무기, 핵발전 ã 화학공학, 생명과학 ( 공학 ) 1
Ch. 6-4. 양자역학의응용 20 c 이후과학과기술의결합 라디오, TV, 무선통신고체물리 반도체산업초전도체, 자성체레이저 광통신, 정밀측정핵 입자물리학 핵무기, 핵발전 화학공학, 생명과학 ( 공학 ) 1 양자역학의응용 원자의전자궤도 화학결합 : 분자 고체물리 : 도체, 유전체, 반도체, 자성체 Laser 의발명과응용 핵에너지기술 핵무기, 원자로 2 상자안전자의에너지준위
학습목차 2.1 다차원배열이란 차원배열의주소와값의참조
- Part2- 제 2 장다차원배열이란무엇인가 학습목차 2.1 다차원배열이란 2. 2 2 차원배열의주소와값의참조 2.1 다차원배열이란 2.1 다차원배열이란 (1/14) 다차원배열 : 2 차원이상의배열을의미 1 차원배열과다차원배열의비교 1 차원배열 int array [12] 행 2 차원배열 int array [4][3] 행 열 3 차원배열 int array [2][2][3]
. 0.. Planck : sec : sec : : m in radian m in ln sec 심장 발 기압
. 0.. Planck : sec : sec : : sec sec A . 0.. Planck : sec : sec : : m in radian m in ln sec 심장 발 기압 . 0. sec π . 0.. Planck : sec : sec : : sec sec sec sec . 0.. Planck : sec : sec : : m p = 1u=931.5 MeV
제 1 장 집적회로 개요
실험 #2-A 반도체다이오드의특성실험 1. 실험목적 다이오드의특성에대해조사한다. 2. 서론 모든반도체다이오드는단향적특성을가지고있다. 순방향저항은매우낮은반면에역방향저항은매우높기때문이다. 다이오드에대한전압대전류의곡선을그려가며구체적으로그특성을조사한다. 3. 관련이론 다이오드내부저항 V D V D V T r D Ideal diode I D I D 다이오드의순방향저항
실험 5
실험. apacitor 및 Inductor 의특성 교류회로 apacitor 의 apacitance 측정 본실험에서는 capacitor를포함하는회로에교류 (A) 전원이연결되어있을때, 정상상태 (steady state) 에서 capacitor의전압과전류의관계를알아본다. apacitance의값이 인 capacitor의전류와전압의관계는다음식과같다. i dv = dt
가. 도트매트릭스제어하기 단일 LED와는다르게도트매트릭스를구동시는구동전류가프로세서에서출력되는전류보다사용량을더많이필요하기때문에 TTL 계열의 IC로구동시키기에는무리가따른다. 이러한문제를해결하기위해서사용전압, 전류정격이높은달링턴트랜지스터가어레이형태로들어있는 ULN2803을
CHAPTER 5 도트매트릭스제어하기 가. 도트매트릭스제어하기 가. 도트매트릭스제어하기 단일 LED와는다르게도트매트릭스를구동시는구동전류가프로세서에서출력되는전류보다사용량을더많이필요하기때문에 TTL 계열의 IC로구동시키기에는무리가따른다. 이러한문제를해결하기위해서사용전압, 전류정격이높은달링턴트랜지스터가어레이형태로들어있는 ULN2803을이용한다. 이 IC에는 8개의
PowerPoint 프레젠테이션
hap. 5 능동필터 기본적인필터응답 저역통과필터응답 (low-pass filter (LPF) response) A v( db) V 0log V when X out s 0log f X f X 0log X 0log f Basic LPF response LPF with different roll-off rates 기본적인필터응답 고역통과필터응답 (high-pass
96 경첩들어올림 347 타입 A Ø 타입 B Ø 신속하고쉬운도어탈착 모든금속구조재질및마감처리강철, 아연도금또는스테인리스스틸
96 경첩들어올림 347 6.35.1 Ø 6.35 31.7 25.4.1 6.35 25.4.1 6.35.1 Ø 6.35 6.35 31.7 모든금속구조강철, 아연도금또는스테인리스스틸 63.5 50.8 50.8 50.8 63.5 50.8 Ø 3.2 Ø 3.2 25.4 20.8 20.8 25.4 1.27 1.27 1.27 1.27 50.8 4 x Ø 3.2±0.1
MD-C-035-1(N-71-18)
MD-C-035-1(N-71-18) KEPIC 적용사례 : MD-C-035-1(N-71-18) ( 승인일자 : 2010. 8. 31) 제목 : 용접으로제조되는 KEPIC-MNF 의 1, 2, 3 및 MC 등급기기지지물의추가재 료 (KEPIC-MN) 질의 : 품목이용접으로제작될경우, KEPIC-MDP의부록 IA, IB, IIA, IIB 및 VI에나열된것이외에추가로어떤재료가
그래핀과나노패터닝 중앙대학교화학신소재공학부 김수영 그래핀의우수한전하수송특성에도불구하고그래핀의밴드갭이 kt 이상이되 지못하여전기소자로의적용이제한되고있다. [1] 즉그래핀이도체의성질을띄 기에반도체로사용하기에제한이따르는단점이있다. 이러한문제점을해결하고 자 quantum co
![그래핀과나노패터닝 중앙대학교화학신소재공학부 김수영 그래핀의우수한전하수송특성에도불구하고그래핀의밴드갭이 kt 이상이되 지못하여전기소자로의적용이제한되고있다. [1] 즉그래핀이도체의성질을띄 기에반도체로사용하기에제한이따르는단점이있다. 이러한문제점을해결하고 자 quantum co](/thumbs/94/118997308.jpg "그래핀과나노패터닝 중앙대학교화학신소재공학부 김수영 그래핀의우수한전하수송특성에도불구하고그래핀의밴드갭이 kt 이상이되 지못하여전기소자로의적용이제한되고있다. [1] 즉그래핀이도체의성질을띄 기에반도체로사용하기에제한이따르는단점이있다. 이러한문제점을해결하고 자 quantum co")
그래핀과나노패터닝 중앙대학교화학신소재공학부 김수영 그래핀의우수한전하수송특성에도불구하고그래핀의밴드갭이 kt 이상이되 지못하여전기소자로의적용이제한되고있다. [1] 즉그래핀이도체의성질을띄 기에반도체로사용하기에제한이따르는단점이있다. 이러한문제점을해결하고 자 quantum confinement 효과를이용하여그래핀의밴드갭을늘이고자하는노력이 많이경주되고있다. 전자선리소그래피를이용하여형성된그래핀나노리본의밴
특성화사업참가결과보고서 작성일 학과전자공학과 참가활동명 EATED 3.0 프로그램지도교수진성훈교수님 연구주제명 Multilayer MoS2 Depletion Load Enabled Photo Sensitive inverters with GaN FE
특성화사업참가결과보고서 작성일 2017 12. 25 학과전자공학과 참가활동명 EATED 3.0 프로그램지도교수진성훈교수님 연구주제명 Multilayer MoS2 Depletion Load Enabled Photo Sensitive inverters with GaN FET drivers 학번 201301151 성명장원 I. OBJECTIVES 본격적인측정에들어가기에앞서
(Microsoft PowerPoint - src.ppt [\300\320\261\342 \300\374\277\353] [\310\243\310\257 \270\360\265\345])
![(Microsoft PowerPoint - src.ppt [\300\320\261\342 \300\374\277\353] [\310\243\310\257 \270\360\265\345])](/thumbs/93/111436094.jpg "(Microsoft PowerPoint - src.ppt [\300\320\261\342 \300\374\277\353] [\310\243\310\257 \270\360\265\345])")
LC/MS, LC/MS/MS 기초개론 LC LC/MS(Liquid Chromatography/Mass Spectrometry) 액상의분석물질을기화및이온화하여고진공관에서원하는질량 (m/z) 이나질량범위만검출하여정량 정성분석하는시스템 High vacuum PC/Software Ion source Mass Analyzer Detector ESI APCI APPI
<4D F736F F D205F D F20C6AFC1FD325FB8F0C2F9BAF32CC1A4BFEBC1F82CC0D3BAB4B1D42CC8ABBCF8C7FC5F2E646F63>
특 집 탄소나노튜브 / 금속나노복합재료의제조공정및기계적 / 전기적특성 모찬빈 ᆞ 정용진 ᆞ 임병규 ᆞ 홍순형 1. 서론 1991년탄소나노튜브가최초로발견된이래, 탄소나노튜브의우수한특성을이용한다양한새로운기술분야들이형성되었고, 기존기술의한계들을극복할수있는방법들이제시되고있다. 그중기존소재의한계를뛰어넘을수있는복합재료의새로운강화재로서탄소나노튜브가큰주목을받고있다. 본논문에서는탄소나노튜브의특성,
소성해석
3 강유한요소법 3 강목차 3. 미분방정식의근사해법-Ritz법 3. 미분방정식의근사해법 가중오차법 3.3 유한요소법개념 3.4 편미분방정식의유한요소법 . CAD 전처리프로그램 (Preprocessor) DXF, STL 파일 입력데이타 유한요소솔버 (Finite Element Solver) 자연법칙지배방정식유한요소방정식파생변수의계산 질량보존법칙 연속방정식 뉴톤의운동법칙평형방정식대수방정식
<B3EDB4DC28B1E8BCAEC7F6292E687770>
1) 초고를읽고소중한조언을주신여러분들게감사드린다. 소중한조언들에도불구하고이글이포함하는오류는전적으로저자개인의것임을밝혀둔다. 2) 대표적인학자가 Asia's Next Giant: South Korea and Late Industrialization, 1990 을저술한 MIT 의 A. Amsden 교수이다. - 1 - - 2 - 3) 계량방법론은회귀분석 (regression)
1. REACTOR TAP 90% 로변경, 제작공급한사유 - 고객요청사항은 REACTOR 80% 운전기준임. - 삼성테크윈에서사용하는표준 REACTOR 사양은 80%, 75%, 70% 로 STARTER 도면은표준사양으로제출됨. - 동프로젝트용모터사양서 / 성적서확인결과
1. REACTOR TAP 90% 로변경, 제작공급한사유 - 고객요청사항은 REACTOR 80% 운전기준임. - 삼성테크윈에서사용하는표준 REACTOR 사양은 80%, 75%, 70% 로 STARTER 도면은표준사양으로제출됨. - 동프로젝트용모터사양서 / 성적서확인결과기동전류가 400% 이하로표준모터의 650% 대비상당히낮은기동특성을가지고있어, 압축기운용시기동시간등을감안하여
No Slide Title
저속 고토크 유압 모터 JS,JH, 시리즈 2K / J2K, 6k / J6K 시리즈 2005-1 B137 001-02 June 2000 JH 시리즈 특징 스풀 밸브 및 지로터가 있는 컴팩트한 디자인. 수입 고압 용량 샤프트 씰, 다 양한 범위의 마운팅 플랜지, 샤프트, 포트, 속도가 설계 유연성을 제공합 니다. 샤프트 회전 방향 및 속도는 쉽고 부드럽게 제어할
<4D F736F F F696E74202D DC0FCB1E2C0FCC0DAC8B8B7CEB1E2C3CA>
전력전자 로봇 자동화공학부 www.dongyang.ac.kr 전기회로기초 - 학습내용 교류전압전류의표현방법 전력및역률 계측기사용법 전력용반도체소자및동작원리 전기회로기초 - 계측기사용법 함수발생기 함수발생기 (function generator) 또는신호발생기 (signal generator) 는디지털회로또는아날로그전자회로에정현파, 구형파, 삼각파등의신호를공급하는실험장비
2006학년도 10월고3 전국연합학력평가 15번 2007학년도대학수학능력시험 9월모의평가 15번 5) 그림과같이직선도선이수 7) 그림과같이균일한자기장영역에금속레일을수평면에놓 평한책상면과수직으로장치되은후, 금속레일에금속막대를가만히올려놓고스위치를닫았어있다. 직선전선에전류가
물리 1 - 전류의자기작용 2006 학년도전국연합, 모의수능, 수능기출문제김태호선생님 2006 학년도 전류의자기작용 010-2017-2200 2007 학년도대학수학능력시험 17 번 1) 그림은무한히긴두직선도선 A, B 가 x 2007 학년도대학수학능력시험 7 번 축에수직으로 xy 평면에서로평행하게놓여있는것을나타낸것이다. A, B에는각각, 의전류가흐르며 x 축위의점
<3034B0AD5FBFB9BBF320B9AEC1A620C7AEC0CC E687770>
1. 오른쪽그림과같이아래에서위로향하는균일한자기장 B가있다. 그속에전류가지면으로들어가는방향으로흐르는도선을놓았을때 A, B, C, D점의자기장,,, 를바르게비교한것은? 3. 오른쪽그림과같이정육면체의두변을따라흐르는두직선전류가있다. a e 중정육면체의한꼭지점 P에서의자기장의방향은? 1a 2b 3c 4d 5e 1 = = = 2 = > = 3 > = > 4 = > >
06...._......
Development of High-efficiency Thermoelectric Devices Using Nanowires Jong Wook Roh and Woo Young Lee Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University 1. 21.. (,,,, ). (thermoelectric
18211.fm
J. of the Korean Sensors Society Vol. 18, No. 2 (2009) pp. 168 172 p k ù p p l xá xá ³ Á *Á w * Fabrication of the CNT-FET biosensors with a double-gate structure Byunghyun Cho, Byounghyun Lim, Jang-Kyoo
[Fig. 4] (a) Properties of OLED as IWO films as anode. (b)fabrication process of QDLED and image of QDLED device using IWO films as anode. [Fig. 3] 정보
![[Fig. 4] (a) Properties of OLED as IWO films as anode. (b)fabrication process of QDLED and image of QDLED device using IWO films as anode. [Fig. 3] 정보](/thumbs/91/105549830.jpg "[Fig. 4] (a) Properties of OLED as IWO films as anode. (b)fabrication process of QDLED and image of QDLED device using IWO films as anode. [Fig. 3] 정보")
바이오인터페이스 기술의 현재와 미래 성균관대학교 정보재료소자연구실(IMDL) 김한기 최근 정보통신 분야의 발전에 따라 기존의 다양한 어플 리케이션들은 평면성을 벗어나 이전부터 요구된 투명유 연하고 깨지지 않는 특성과 더불어 신축성을 가진 특성까 지 요구되고 있다. 이러한 흐름 속에서 투명 전극은 투명 하면서 전도성을 가지고 있는 전극 물질로서 디스플레이, 터치센서,
전자회로 실험
전자회로실험 2 조 고주현허영민 BJT의고정바이어스및 부품 * 실험목적 1) 고정바이어스와 회로의직류동작점을결정한다. 다이오드의특성 * 실험장비 계측장비 - Digital Multi Meter 부품 -저항 다이오드의특성 부품 - 트랜지스터
(b) 미분기 (c) 적분기 그림 6.1. 연산증폭기연산응용회로
Lab. 1. I-V Characteristics of a Diode Lab. 6. 연산증폭기가산기, 미분기, 적분기회로 1. 실험목표 연산증폭기를이용한가산기, 미분기및적분기회로를구성, 측정및 평가해서연산증폭기연산응용회로를이해 2. 실험회로 A. 연산증폭기연산응용회로 (a) 가산기 (b) 미분기 (c) 적분기 그림 6.1. 연산증폭기연산응용회로 3. 실험장비및부품리스트
형명및정격 (MCCB) 배선용차단기 (AB - 시리즈 ) 프레임의크기 50AF Type 형명 정격 극수 (Pole) 정격전류 (In) A 정격전압 (Ue) AC (V) DC (V) 정격절연전압 (Ui) V 정격임펄스전압 (Uimp) kv 정격차단전류 (ka) 주1) A
0F 정격 극수 (Pole) C () 정격임펄스전압 (Uimp) k 정격차단전류 (k) 주1) C K SC 821 (Sym) 4/00 IEC0947-2 (lcu) 41 2 DC 순시트립동작특성내구수명 ( 회 ) 기계적전기적 c1 주2) c2 주2) 부속장치 보조접점 X L 부족 UT 외부조작 표면부착형 (D) 핸들 확장형 (E) 단자커버 Long Short
hwp
특집 Nanoelectronics SONOS 형나노플래시메모리 김정우 김문경 이조원 서 디지털기술의발전과함께문자, 음성및영상등을복합적 / 일체적으로이용하고대화형으로교환하는시대가도래하면서, 계속적인미세화 집적화를거쳐서더많은정보를더욱빠르게처리할수있는능력을갖는반도체소자들이요구되어지고있다. 이를위해서는초고집적메모리가필요하게되며, 현재세계적으로 ULSI 반도체메모리기술은
LM 가이드
SR/SS 볼리테이너타입 가이드 B 제품치수제원 치수도, 치수표 SR-R 형, SR-R 형... SS-R 형, SS-R 형... SR- 형, SR- 형... SS- 형, SS- 형... SR-RH 형 ( 수주대응품 ), SR-RH 형 ( 수주대응품 ).. SS-RH 형 ( 수주대응품 ), SS-RH 형 ( 수주대응품 )... SR-H 형 ( 수주대응품 ),
6_5상 스테핑 모터_ _OK.indd
모델구성 적용모델 : 표준축형,, A 8K M 5 6 6 B Autonics motor 1: 은편축형만제공합니다. 2: Standard 결선방식은주문사양입니다. ( 단, 24각, A4K-G564(W), A8K-G566(W) 은제외입니다.) 모델구성 Q-42 모터형식 적용모델 : 기어드일체형,, 로터리액츄에이터형, 로터리액츄에이터 + A M 5 최대허용토크 모터상수
(72) 발명자 김우년 서울특별시강남구논현동 275 동부센트레빌 김웅 서울특별시강남구도곡 1 동 벨라빌 701 호 박종래 서울특별시관악구봉천 7 동산 4-2 서울대교수아파트 122G 동 201 호 박민 서울특별시노원구중계동건영아파트 103-6
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H01L 29/786 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0047693 (22) 출원일자 2008 년 05 월 22 일 심사청구일자 2008 년 05 월 22 일 (65) 공개번호 10-2009-0121677 (43) 공개일자 2009 년 11 월 26 일
< C6AFC1FD20BFF8B0ED2DB1B8C7F6C3B62E687770>
스핀트로닉스 스핀트랜지스터 DOI: 10.3938/PhiT.19.038 구현철 장준연 한석희 엄종화 Spin Transistor Hyun Cheol KOO, Joonyeon CHANG, Suk Hee HAN and Jonghwa EOM Controlling not only the charges but also the spins of electrons, spintronic
17(1)-06.fm
Krean J. Crystallgraphy Vl., N. 1, pp.14~18, 006 LP-MOCVD w ZnO ù Ÿw p Á yá * w w» w» l Structural and Optical Prperties f ZnO Nanwires Synthesized by LP-MOCVD Prcess Yung-Jin Chi, Jae-Hwan Park and Jae-Gwan
개인용전기자극기의 안전성및성능평가가이드라인
개인용전기자극기의 안전성및성능평가가이드라인 2014. 3 목 차 1 서론 - 1 - - 2 - - 3 - 2 개인용전기자극기개요 - 4 - - 5 - - 6 - - 7 - - 8 - - 9 - - 10 - 범례 해설: GZJ [통증완화용경피전기신경자극기]: 100개 IPF [재활치료용전동식근육자극기]: 92개 NGX [근육운동용전동식근육자극기]: 28개
조사보고서 완본(최종인쇄본).hwp
뉴질랜드 농업투자환경조사보고서 ( 주 ) 제이앤드에이 Ÿ Ÿ Ÿ Ÿ Ÿ Ÿ Ÿ Ÿ Ÿ 2.3) Waipara Limestone Vineyard Estate 토양특성 [표 2-7] Waipara Limestone Vineyard Estate 부지 토양 특성 유효
< 목차 > Ⅰ. 연구동기 1 Ⅱ. 연구목적 1 Ⅲ. 연구내용 2 1. 이론적배경 2 (1) 직접제작한물질의기본구조 2 (2) 회절격자의이론적배경 3 (3) X-선회절법-XRD(X-Ray Diffraction) 3 (4) 브래그의법칙 (Bragg`s law) 4 (5)
[ 첨부 4] 작품설명서표지서식 작품번호 1143 LASER 의라우에패턴을통한입체모형의구조분석 출품분야물리출품부문학생 2011. 7. 7 구분성명 출품학생 지도교사 김성현 권채련 김서연 전종술 - 1 - < 목차 > Ⅰ. 연구동기 1 Ⅱ. 연구목적 1 Ⅲ. 연구내용 2 1. 이론적배경 2 (1) 직접제작한물질의기본구조 2 (2) 회절격자의이론적배경 3 (3)
歯_892-906_ 2001년도 회원사명단.doc
Polymer Science and Technology Polymer Science and Technology Polymer Science and Technology Polymer Science and Technology Polymer Science and Technology Polymer Science and Technology Polymer Science
Microsoft PowerPoint - Ch15-1
h. 5 ctive Filters 기본적인필터응답 (asic filter response) 저역통과필터응답 (low-pass filter (LPF) response) v( db) log when X out s log > πf X f X log π X log ( πf) asic LPF response LPF with different roll-off rates
도 1 특허청구의범위 청구항 1. 자성금속박막을형성하는단계 ; 상기자성금속박막위에알루미늄을증착하는단계 ; 증착된상기알루미늄위에자성금속을증착하여알루미나이드박막을형성하는단계 ; 그리고 상기알루미나이드박막위에자성금속박막을증착하는단계로이루어지고, 상기자성금속은 Co, Fe 및
(51) Int. Cl. G11B 5/31 (2006.01) (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2007 년 05 월 09 일 10-0716104 2007 년 05 월 02 일 (21) 출원번호 10-2003-0075402 (65) 공개번호 10-2005-0040248 (22)
.....6.ok.
Ⅳ 성은 인간이 태어난 직후부터 시작되어 죽는 순간까지 계속되므로 성과 건강은 불가분의 관계이다. 청소년기에 형성된 성가치관은 평생의 성생활에 영향을 미치며 사회 성문화의 토대가 된다. 그러므로 성과 건강 단원에서는 생명의 소중함과 피임의 중요성을 알아보고, 성매매와 성폭력의 폐해, 인공임신 중절 수술의 부작용 등을 알아봄으로써 학생 스스로 잘못된 성문화를
Microsoft PowerPoint - 3. BJT
BJT (Bipolar Junction Transistor) BJT 의구조및동작모드 BJT 의구조및동작모드 실제 BJT 는그림 3-1(a) 와같이이미터영역과컬렉터영역의기하학적구조가다르며, 세영역의도핑농도도각기다르게만들어진다. 도핑농도 : ( 이미터 )>( 베이스 )>( 컬렉터 ) 이미터 : 전류운반캐리어 ( 전자또는정공 ) 를제공 컬렉터 : 베이스영역을지나온캐리어가모이는영역
- 2 -
- 2 - - 3 - - 4 - - 5 - - 6 - - 7 - - 8 - - 9 - 가 ) 가 ) 가 ) 가 ) - 10 - - 11 - 길이 피시험기기 주전원 절연지지물 케이블지지용절연물 접지면 발생기 - 12 - 길이 가능한경우 절연지지물 절연지지물 접지면 전자계클램프 감결합장치 - 13 - - 14 - - 15 - - 16 - - 17 - - 18 -
제3장 21세기 제조업의 특징
제3장 21세기 제조업의 특징 김성혁 (전국금속노동조합 노동연구원) 제1절 수출의존형 성장의 한계 o '교역조건이 악화'되면서 실질무역손실이 발생 - 한국은 중고급 기술과 단가인하 효과로 세계시장에서 수출 경쟁력을 유지해 왔음. - 그러나 40년간 지속해 온 수출 단가인하 및 고환율 정책으로 인하여 교역조건 악화 가 누적되어, 2008년 임계치를 넘으면서
Microsoft Word - PLC제어응용-2차시.doc
과정명 PLC 제어응용차시명 2 차시. 접점명령 학습목표 1. 연산개시명령 (LOAD, LOAD NOT) 에대하여설명할수있다. 2. 직렬접속명령 (AND, AND NOT) 에대하여설명할수있다. 3. 병렬접속명령 (OR, OR NOT) 에대하여설명할수있다. 4.PLC의접점명령을가지고간단한프로그램을작성할수있다. 학습내용 1. 연산개시명령 1) 연산개시명령 (LOAD,
LM 가이드
R/RS 가이드 B 제품치수제원 치수도, 치수표 R-R 형, R-LR 형... RS-R 형, RS-LR 형... R-A 형, R-LA 형... RS-A 형, RS-LA 형... R-B 형, R-LB 형... RS-B 형, RS-LB 형... 레일의표준길이와최대길이... 옵션... LaS 및각종씰부착후 블록치수 (L 치수 ).. LaS 부착후의그리스니플증가치수..
Wire & Cable Àü·ÂÀÌÈÄ
제어용케이블 차폐케이블 0.6/1kV CVVS 0.6/1kV CCVS, CCES 0.6/1kV TFR-CVVS 0.6/1kV HFCCOS 0.6/1kV CVVSB 0.6/1kV TFR-CVVSB 0.6/1kV HFCCOSB 26 28 29 30 31 33 34 35 36 38 39 40 43 비차폐케이블 0.6/1kV CVV 0.6/1kV CCV, CCE 0.6/1kV
전기전자뉴스레터-여름호수정2
EE-Newsletter 2011. Volume 2 02 04 05 06 2011 / SUMMER 08 09 10 12 14 16 18 20 02 / EE Newsletter Korea Advanced Institute of Science and Technology / 03 04 / EE Newsletter Korea Advanced Institute of
물의 증기압과 증발 엔탈피 실험 일자 : 2016년 1월 11일 (월) 공동실험자 : 이주찬, 이주찬 제 출 자 : 이주찬 실험 개요 I 실험 목적 온도에 따른 물의 증기압을 실험으로 측정한다. 측정 결과를 이용하여 물의 증발
물의 증기압과 증발 엔탈피 실험 일자 : 2016년 1월 11일 (월) 공동실험자 : 14088 이주찬, 14088 이주찬 제 출 자 : 14088 이주찬 실험 개요 I. 1.1. 실험 목적 온도에 따른 물의 증기압을 실험으로 측정한다. 측정 결과를 이용하여 물의 증발 엔탈피를 구한다. 1.2. 이론적 배경 증기압 증기가 고체 또는 액체와 동적 평형 상태에
Journal of Life Science 2011, Vol. 21. No μ μ
Journal of Life Science 2011 Vol. 21. No. 8. 1120~1126 ISSN : 1225-9918 DOI : http://dx.doi.org/10.5352/jls.2011.21.8.1120 μ μ μ α β Journal of Life Science 2011, Vol. 21. No. 8 1121 μ μ 1122 생명과학회지 2011,
199
198 199 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 200 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 201 202 III 203 204 III 205 206 III 207 t r a c k a n d f i e l d 208 III 209
........b60......07.......
09 02 6 7 8 9 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 TIP 38 39 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 TIP 58 59 60 61 TIP 62 63 64 65 66 67 TIP 68 69 70 71
Vertical Probe Card Technology Pin Technology 1) Probe Pin Testable Pitch:03 (Matrix) Minimum Pin Length:2.67 High Speed Test Application:Test Socket
Vertical Probe Card for Wafer Test Vertical Probe Card Technology Pin Technology 1) Probe Pin Testable Pitch:03 (Matrix) Minimum Pin Length:2.67 High Speed Test Application:Test Socket Life Time: 500000
Edition 4(2006) Total Solution for Lightning Damages
Edition 4(2006) http://www.uijae.com Total Solution for Lightning Damages Bipolar Space Charge Dissipation Air Terminals Air Terminal Air Terminal Air Terminal Air Terminal Air Terminal Air Terminal
<4D F736F F F696E74202D20352E20C7D1BFEBB1D420B0F8C1A4B1E2C3CAB1B3C0B B3E22031BFF929>
Plasma Display Panel 의공정기술 한용규 dbgmaco79@gmail.com Charged Particle Beam & Plasma Lab. / PDP Research Center Department of Electrophysics, Kwangwoon University, Seoul, Korea Contents 1. 개요 2. PDP의구조 3.