Dual- Gate FET T he Analysis and Applications of Nonlinear Characteris tics of Dual- Gate FET
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1 Dual- Gate FET T he A naly s is and A pplication of Nonlinear Characteris tics of Dual- Gate FET 199 9
2 Dual- Gate FET T he Analysis and Applications of Nonlinear Characteris tics of Dual- Gate FET
3
4
5 Abstract. 1. Dual- Gate FET DC RF Dual- Gate FET Dual- Gate FET mode Dual- Gate FET Gate Harmonic Balance Method Harmonic Balance Analysis Generalized Harmonic Balance Analysis FET mode Variable Gain Amplifier
6 < > 1. Dual- Gate FET 2 2. VDS Dual- Gate FET bi- dimensional DC 4 4. Dual- Gate FET 4 mode 5 5. VG2 mode 7 6. VGS1 mode 8 7. VGS1/VG2 VDS mode 8 8. Dual- Gate MOSFET 9 9. Dual- Gate FET Harmonic Balance Method Algorithm Predistortion BF904 Dual- Gate MOSFET Model VDS=6V BF904 mode Gate 2 S11 S Gate 2 S Gate 2 S12 32
7 dB dB VG P1dB simulation IP3 simulation IP
8 ABST RACT In this thesis, a simple method of identifying operating modes in Dual- Gate FET and reducing the variations of S- parameters due to termination conditions of Gate 2 is suggested. Based on the proposed method, the variable gain amplifier, w hose input as w ell as output return losses are below - 20dB w ithin the 10dB gain variation, is designed and fabricated. In order to investigate the nonlinear characteristic of the fabricated amplifier, nonlinear circuit analysis is performed using the w ell- know n harmonic balance analysis method. Based on the predicted nonlinear characteristics, the IP3 as w ell as P1dB of the designed variable gain amplifier is analyzed. T he experimental results of the nonlinear characteristics of the variable gain amplifier agree w ith the theoretical results. An IM generator, applicable to the predistortion linearizer, w hich is made of tw o hybrids and tw o variable gain amplifiers show s that at least 20dB of the main signals are rejected below the third order IM signals w ith the 15dB of dynamic range up to 12dBm/tone.
9 Dual- Gate FET, Gate 2 S- parameter. 10dB - 20dB (Variable Gain Amplifier),. Harmonic Balance, HPA(High Pow er Amplifier) Predistotor, 3 20dB Dynamic range 12dBm/tone 15dB.
10 . Dual- Gate FET Gate 4, 70., (VGA)[1][2], [3][4], phase shifter[5].,,., Gate 2, Drain, P1dB,, S- parameter,., Harmonic.,, Dual- Gate FET Single Gate FET.,. Dual- Gate FET DC, mode, Gate 2 RF, =0,, Gate 2 bias S- parameter,. Harmonic Balance Gate 2 P1d,, HPA(High Pow er Amplifier) Predistortion (IM Generator)
11 . Dual- Gate FET DC RF 2.1. Dual- Gate FET Dual- Gate FET mode[6][7] Dual- Gate FET 1 (b) FET cascode. Dual- Gate FET FET, VGS1, VG2, VDS, ID, D1 VDS1. VDS1 FET, Dual- Gate FET. VDS Dual- Gate FET - 2 -
![1. Dual- Gate FET mode[6][7] Dual- Gate FET 1 (b) FET](/docs-images/44/20542510/images/page_11.jpg "cascode.")
12 2. VDS1 2 RC, (2.1.1). R c l 2 l 1 + l 2 * V DS I D V GS 1 = V GS2 0. 8V at V DS 0 (2.1.1) l 1, l 2 FET channel length. D V D - I D R C, V DS1 = V D - 2 I D R C. OP amp inverting input i 1 = I D R C R, i 2 = V O - ( V D - I D R c ) R (2.1.2) R ( i 1 + i 2 ) = V D - I D R C (2.1.3) (2.1.2) (2.1.3) V O - ( V D - I D R c ) = V D - 2 I D R C (2.1.4) OP Amp D VDS1. VDS1 3 bi- dimensional DC
13 3. Dual- Gate FET bi- dimensional DC channel length, VDS1. FET mode. FET cascode 4 4 mode. FET, I D1 = I D2 = I D (2.1.5) V DS = V DS 1 + V DS2 (2.1.6) V GS2 = V G2 - V DS1 (2.1.7) FET. I D = 0 V GS - V T < 0 = ( V GS - V T ) 2 0 < V GS - V T < V DSsat = [ 2 ( V GS - V T )V DS - V 2 DS ] 0 < V DS sat < V GS - V T (2.1.8) - 4 -
14 4. Dual- Gate FET 4 mode mode, mode A : FET, common Source common Gate cascode. V DS1 > V DS1sat, V DS2 > V DS2sat (2.1.9) ( V GS1 - V T ) 2 = ( V GS2 - V T ) 2 (2.1.10) V GS1 = V GS 2, (2.1.8) V DS1 = V G2 - V GS1 (2.1.11) I D = ( V GS1 - V T ) 2 (2.1.12). VDS1 ID, - 5 -
15 VGS1 VG2. Drain current ID VGS1 VDS1 T 2 VGS2. mode B : T 1, T 2 T 1 T 2 Source. 0 < V DS1 < V DS1sat, V DS2 > V DS2sat I D1 = I D2 = I D I D = [ 2 ( V GS1 - V T )V DS1 - V 2 DS1 ] = ( V GS 2 - V T ) 2 = ( V G2 - V DS1 - V T ) 2 VDS1 2 V DS1 = 0. 5[ ( V GS1 - V T ) + V G2 - V T - ( ( V GS 1 - V T ) + V G2 - V T ) 2-2( V G2 - V T ) 2 ] I D = ( V G2 - V T - V DS 1 ) 2 VDS1 VGS1 VG2. Drain current ID VDS, T 1 (RDS1) VGS1, Drain current ID VG2. mode C : T 2, T 1. V DS1 > V DS 1sat, V DS2 < V DS 2sat V DS1 = V G2 - V T - ( V DS + V T - V G2 ] 2 + ( V GS 1 - V T ) 2 I D = ( V GS1 - V T ) 2-6 -
16 mode Drain current ID VDS VG2, VGS1. mode D : T 1 T 2. 0 < V DS1 < V DS1sat, 0 < V DS 2 < V DS2sat V DS1 = 0. 5( V GS1 + V G2 ) - V T - [ V DS + V T ( V GS1 + V G2 )] 2 - V DS ( V T - V GS V DS ) I D = [ 2 ( V GS 1 - V T ) V DS1 - V 2 DS 1] Drain current ID VDS, VG2, VGS1. DC mode 5 6, VGS1 VG VG2 mode - 7 -
17 6. VGS1 mode 7. VGS1/VG2 VDS mode - 8 -
18 Dual- Gate FET [2][8] 8. Dual- Gate MOSFET 8 Dual- Gate MOSFET. Dual- Gate FET Single- Gate Gate Gate Drain. 9. Gate 2 RF, FET, cascode Amplifier. cascode Amplifier Single- Gate FET feedback,. S12 S22. FET vds RDS2 feedback, common Gate Amplifier 1 g m 2, - 9 -
19 1 1 / / R g DS1 m 2 g m 2, common Source Amplifier, 1. T 1 Gate vgs1 Drain vds1. Gate 2, CGS2 vds1, gm2 gm1. CDS v ds - v ds1 * R DS2 1 g m 2 = v ds1 = v ds v ds1 = 1 + g m * R DS vds1 vds Cgd1 feedback., Cgd2 Gate 2 RF feedback. vds vds1 T 1 RDS1. 9. Dual- Gate FET
20 Gate 2 [2] Dual- Gate FET 4, Source 3. Variable Gain Amplifier Dual- Gate FET Gate 1 RF, Gate 2 gm1., Gate L b 2 = a ' = - 1 L a 2 = S 21 a 1 + S 22 a 2 (2.1.13) a 2 = ( - 1 L - S 22 ) - 1 S 21 a 1 (2.1.14) b 1 = S 11 a 1 + S 12 a 2 = ( S 11 + S 12 ( - 1 L - S 22 ) - 1 S 21 )a 1 (2.1.15) 2, 1 S- parameter 3 2 S- parameter
21 S- parameter 3*3, 2*2 S 11 S 12 S 13 S 21 S 22 S = [ [ S 11 ] [ S 12 ] ] [ S 21 ] [ S 22 ] S 31 S 32 S 33 (2.1.16) (2.1.15) b [ 1 = ( [ S b 2 ] 11 ] + [ S 12 ]( = [ [ S 11 S 12 ] + [ S 13 ] S 21 S 22 S 23 ( [ [ S ]) - 1 [ S ]) [ a 1 ] a ] - [ S ]) - 1 [ S S ]] [ a 1 ] a 2 = S 11 + S 21 + S 13 S S 33 3 S 12 + S 23 S S 33 3 S 22 + S 13 S S 33 3 S 23 S S 33 3 [ ] a 1 a 2 (2.1.17) 3 S- parameter,,, 3. Variable Gain Amplifier port 3 parameter 3=0, (2.1.17)
22 (2.1.18) port 3 b [ 1 = b 2 ] [ S 11 S 12 ] a S 21 S 22 [ 1 ] a 2 (2.1.18) 12 Gate 2 =0 50. DC, RF =0 50 DC Block C. 12. Gate
23 2.2. Harmonic Balance Method[9][10][11] Harmonic Balance Volterra- Series. Harmonic Balance. P1dB Harmonic, Mixer (LO) (RF), Harmonic Balance, Large- Signal- Small- Signal. Harmonic Harmonic Balance. Volterra- Series,. Generalized Harmonic Balance.,.. Dual- Gate FET Gate 2 bias P1dB, Harmonic Balance Generalized Harmonic Balance Harmonic Balance Analysis Harmonic Balance Analysis, FET Harmonic, P1dB,
24 ,., FFT port, port. Z S ( ) Z L ( ),. I/V,
25 Harmonic Balance Method 13 Kirchhoff' s Current Law port Harmonic. N, K Harmonic, I 1, 0 I 1, 1 : I 1, K I 2, 0 I 2, 1 : I 2, K : I N, K + I 1, 0 I 1, 1 : I 1, K I 2, 0 I 2, 1 : I 2, K : I N, K = 0 (2.2.1) I n, k port n k harmonic, Y- matrix port. I n, k port. I 1 Y 1, 1 Y 1, 2... Y 1, N Y 1, N + 1 Y 1, N + 2 V 1 I 2 Y 2, 1 Y 2, V 2 : = : : : : : : : (2.2.2) I N + 1 Y N + 1, 1 Y N + 1, 2... Y N + 1, N Y N + 1, N + 1 Y N + 1, N + 2 V N + 1 I N + 2 Y N + 2, 1 Y N + 2, 2... Y N + 2, N Y N + 2, N + 1 Y N + 2, N + 2 V N
26 (2.2.2) vector I (2.2.3) subvector. I n, 0 I n, 1 I n = I n, 2 : (2.2.3) I n, K I n n port harmonic vector. vector V subvector. V n, 0 V n, 1 V n = V n, 2 : (2.2.4) V n, K (2.2.2) Y- matrix (2.2.3) (2.2.4) (N+2)*(N+2) K*K submatrix. submatrix p p., diagonal matrix. p, Y- matrix
27 Y m, n = diag [ Y m, n ( k w p ) ], k = 0, 1, 2..., K (2.2.5) Y m, n ( 0) Y m, n ( w p ) Y m, n = 0 0 Y m, n ( 2w p )... 0 : : :... : Y m, m ( K w p ) (2.2.6) subvector V N + 1 V N + 2 = V b 1 V S 0 : 0 V b : 0 (2.2.7) V b 1, V b 2 bias bias, Vs. N+2, N,, N port
28 I 1 Y 1, N + 1 Y 1, N + 2 Y 1, 1 Y 1, 2... Y 1, N V 1 I 2 : = Y 2, N + 1 Y 2, N + 2 : V N + 1 V N Y 2, 1 Y 2, 2... Y 2, N : :... : V 2 : (2.2.8) I N Y N, N + 1 Y N, N + 2 Y N, 1 Y N, 2... Y N, N V N I = I S + Y N N V (2.2.9) (2.2.8)
29 capacitance conductance. capacitance, capacitance charge (2.2.10) port q n ( t) = f qn ( v 1 ( t), v 2 ( t),..., v N ( t) ) (2.2.10) (2.2.10) fourier- transform port capacitance charge vectors. ( q n ( t ) ) Q n Q = Q 1 Q 2 Q 3 : Q N = Q 1, 0 Q 1, 1 : Q 1, K Q 2, 0 : Q 2, K : Q N, K (2.2.11) capcitance charge w aveform, j. i c, n ( t) = d q n ( t) dt - j k w p Q n, k (2.2.12) I c = j Q (2.2.13)
30 capacitance (2.2.13). main diagonal (0, 1, 2,... K) p N diagonal matrix. = w p w p : : : : K w p : : : : : :... 0 w p : : : : : : : : K w p (2.2.14) conductance i g, n ( t) = f n ( v 1 ( t), v 2 ( t), v 3 ( t),... v n ( t) ) (2.2.15) ( i g, n ( t ) ) I G, N (2.2.16) I G, 1 I G = I G, 2 : (2.2.17) I G, N (2.2.9), (2.2.13), (2.2.17) (2.2.1)
31 F ( V ) = I S + Y N N V + j Q + I G = 0 (2.2.18) (2.2.18) Harmonic Balance Equation, (2.2.18) vector V. F(V) current- error vector, Optimization, Splitting Methods, New ton' s Method, Reflection Algorithm. Fast Fourier T ransform(fft ) algorithm,. 15 HP- eesof Libra Harmonic Balance Method
32 15. Harmonic Balance Method Algorithm
33 Generalized Harmonic Balance Analysis harmonic, harmonic. Generalized Harmonic Balance Analysis, Harmonic Balance Analysis. harmonic p1, p2, K k = 0, 1, 2,... K - 1 (2.2.19) 0=0, harmonic,. k = m p1 + n p2; m, n =..., - 2, - 1, 0, 1, 2,... (2.2.20) Harmonic Balance k p harmonic. (2.2.18) (2.2.6) (2.2.14) k p (2.2.19) (2.2.20) k. (2.2.7)
34 V N + 1 V N + 2 = V b 1 V S. 1 V S. 2 0 : 0 V b : 0 (2.2.21) F(V)=0 V FFT, brute force almost- periodic Fourier
35 . [12][13] Gate 2 P1dB (IP3). P1dB (IP3). HPA(High Pow er Amplifier) Predistortion 16 main Amplifier,. 16. Predistortion
36 17. overdriving Predistortion ( 16 ) P1dB, main Amp P1dB back- off, main Amplifier., main Amp. 17 ( 16 ), P1dB, overdriving. 17, 3, 5 Single Gate FET,. Phase Shifter., P1dB, 3. Single- Gate FET Dual- Gate FET, 17 B Gate 2, E Dual- Gate FET. Single- Gate FET,. Dual- Gate FET Gate 2,
37
38 . Philips Dual- Gate MOSFET BF904, Dual- Gate FET mode, Gate 2 Variable Gain Amplifier,, HP ADS(Advanced Design System) simulation.,. 18 simulation. 18. BF904 Dual- Gate MOSFET Model
39 4.1. FET mode Variable Gain Amplifier bias VDS=6V, IDS=10mA, VG2=4V. VGS1 1.5V. 19 VDS 6V mode. VG2 2.3V mode A mode B. 19. VDS=6V BF904 mode
40 Variable Gain Amplifier Gate 2 bias, RF Gate 2 RF. 3. Variable Gain Amplifier, VG2 Gate 2 S- parameter, 3 = 0. 20, 21, 22 VG2 1.5V 4.2V, Gate 2 RF 3 = 0 S- parameter. RF cascode S12, S22. S- Parameter, 3 = 0 RF, RF S22 1, 3 = Gate 2 S11 S
41 . 21. Gate 2 S Gate 2 S
42 4.2. Variable Gain Amplifier : Philips BF904 Dual- Gate MOSFET : MHz (KMT - CDMA ) : 10dB VSWR : 1.2 (return Loss:- 20dB) VSWR : 1.2 (return Loss:- 20dB) dB - 2.5dB Variable Gain Amplifier Gate 2 3 = 0. VSW R dB, - 2.5dB dB
43 dB 25 VG2 simulation. Gate 2 0.2V. 25. VG2-34 -
44 26 VG2 P1dB simulation dBm/tone, VG2 IP3 simulation. 26. P1dB simulation 27. IP3 simulation
45 28, VG2 IP IP ,. Dual- Gate FET Gate 2 3V, - 10dBm/tone 12dBm/tone VG2 phase shifter dB - 3dBm/tone 12dBm/tone 15dB Dynamic Range
46
47
48 . Dual- Gate FET DC, mode. Gate 2 RF, Gate 2 S- parameter 3=0, Variable Gain Amplifier. Variable Gain Amplifier Philips BF904 Dual- Gate MOSFET, KMT - CDMA 10dB - 20dB. Variable Gain Amplifier (P1dB, IP3), HP ADS(Advanced Design System) simulation. simulation mode A, mode B. mode (VG2=2.3V)., IP3, mode, bias ID. VG2. Simulation Body Effect, FET 4. conversion error,. Variable Gain Amplifier. Single- Gate FET, 15dB 20dB
49 [1] M. Maeda and Y. Minai, Microw ave variable- gain amplifier w ith dual- gate GaAs FET, IEEE T rans. Microw ave T heory T ech., vol. MT T - 22, pp , Dec [2] C. A. Liechti, Performance of Dual- Gate GaAs MESFET ' s as Gain- Controlled Low - Noise Amplifiers and High- Speed Modulators, IEEE T rans. Microw ave T heory T ech., vol. MT T - 23, pp , June [3] S. C. Crippss, O. Nielsen, D. Parker, and J. A. T urner, An experimental evaluation of X- band GaAs FET mixers using single- and dual- gate devices, MT T - S International Microw ave Symposium Digest, pp , [4] R. E. Miles and M. J. How es, Large- Signal Equivalent- Circuit Model of a GaAs Dual- Gate MESFET Mixer, IEEE T rans. Microw ave T heory T ech., vol. MT T - 33, pp , May [5] I. D. Robertson, MMIC Design, Chap. 7, T he Institution of Electrical Engineers, [6] C. T sironis and R. Meierer, Microw ave Wide- Band Model of GaAs Dual Gate MESFET ' s, IEEE T rans. Microw ave T heory T ech., vol. MT T - 30, pp , Mar [7] R. A. Minasian, Modelling DC characteristics of dual- gate GaAs MESFET s, IEE Proc. Solid- State Electron., vol.130, pp , Aug
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. 서론,, [1]., PLL.,., SiGe, CMOS SiGe CMOS [2],[3].,,. CMOS,.. 동적주파수분할기동작조건분석 3, Miller injection-locked, static. injection-locked static [4]., 1/n 그림
![. 서론,, [1]., PLL.,., SiGe, CMOS SiGe CMOS [2],[3].,,. CMOS,.. 동적주파수분할기동작조건분석 3, Miller injection-locked, static. injection-locked static [4]., 1/n 그림](/thumbs/87/96061008.jpg ". 서론,, [1]., PLL.,., SiGe, CMOS SiGe CMOS [2],[3].,,. CMOS,.. 동적주파수분할기동작조건분석 3, Miller injection-locked, static. injection-locked static [4]., 1/n 그림")
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Back Metal 면이 Drain 인 Vertical channel MOSFET 의 Wafer Test 에서 Chuck 을사용하지않는 RDSON 측정방법 동부하이텍검사팀김여황 I RDSON II Conventional Method III New Method IV Verification (Rdson) V Normal Test Item VI Conclusion
Small-Cell 2.6 GHz Doherty 표 1. Silicon LDMOS FET Table 1. Comparison of silicon LDMOS FET and GaN- HEMT. Silicon LDMOS FET Bandgap 1.1 ev 3.4 ev 75 V
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 2016 Feb.; 27(2), 108 114. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2016.27.2.108 ISSN 1226-3133 (Print) ISSN 2288-226X (Online) Small-Cell
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. vol. 29, no. 6, Jun , [6]. E- [9],[10]. E- 3D EM(electromagnetic),,
![THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. vol. 29, no. 6, Jun , [6]. E- [9],[10]. E- 3D EM(electromagnetic),,](/thumbs/91/106238556.jpg "THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. vol. 29, no. 6, Jun , [6]. E- [9],[10]. E- 3D EM(electromagnetic),,")
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 2018 Jun.; 29(6), 401 406. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2018.29.6.401 ISSN 1226-3133 (Print) ISSN 2288-226X (Online) E-
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. vol. 29, no. 10, Oct ,,. 0.5 %.., cm mm FR4 (ε r =4.4)
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 2018 Oct.; 29(10), 799 804. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2018.29.10.799 ISSN 1226-3133 (Print) ISSN 2288-226X (Online) Method
10신동석.hwp
(JBE Vol. 21, No. 5, September 2016) (Regular Paper) 21 5, 2016 9 (JBE Vol. 21, No. 5, September 2016) http://dx.doi.org/10.5909/jbe.2016.21.5.760 ISSN 2287-9137 (Online) ISSN 1226-7953 (Print) LED a),
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE Sep.; 26(10),
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 2015 Sep.; 26(10), 876 884. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2015.26.10.876 ISSN 1226-3133 (Print) ISSN 2288-226X (Online) Design
고주파의 이해
1,,,,, UHF ( 300MHz, 1m ),?, 1MHz 300m FR-4 137m cm, 1MHz,, 1GHz? 1MHz 1/1000 30cm, FR-4 137cm cm,,,, W, dbm(0dbm=1mw) 2 S Parameter(Scattering Parameter), Y Parameter, Smith Chart S Parameter S21 S11
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE Jul.; 27(7),
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 2016 Jul.; 27(7), 625634. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2016.27.7.625 ISSN 1226-3133 (Print)ISSN 2288-226X (Online) Near-Field
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檀 國 大 學 校 第 二 十 八 回 학 술 발 표 第 二 十 九 回 특 별 전 경기도 파주 出 土 성주이씨( 星 州 李 氏 ) 형보( 衡 輔 )의 부인 해평윤씨( 海 平 尹 氏 1660~1701) 服 飾 학술발표:2010. 11. 5(금) 13:00 ~ 17:30 단국대학교 인문관 소극장(210호) 특 별 전:2010. 11. 5(금) ~ 2010. 11.
박선영무선충전-내지
2013 Wireless Charge and NFC Technology Trend and Market Analysis 05 13 19 29 35 45 55 63 67 06 07 08 09 10 11 14 15 16 17 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 36 37 38 39 40
11 함범철.hwp
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 2012 Aug.; 23(8), 958 966. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2012.23.8.958 ISSN 1226-3133 (Print) LTCC Bluetooth/WiFi A Bluetooth/WiFi
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58 59 북로남왜 16세기 중반 동아시아 국제 질서를 흔든 계기는 북로남 왜였다. 북로는 북쪽 몽골의 타타르와 오이라트, 남왜는 남쪽의 왜구를 말한다. 나가시노 전투 1. 16세기 동아시아 정세(임진전쟁 전) (1) 명 1 북로남왜( 北 虜 南 倭 ) : 16세기 북방 몽골족(만리장성 구축)과 남쪽 왜구의 침입 2 장거정의 개혁 : 토지 장량(토지 조사)와
04 김영규.hwp
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 214 Nov.; 25(11), 1121 1127. http://dx.doi.org/1.5515/kjkiees.214.25.11.1121 ISSN 1226-3133 (Print) ISSN 2288-226X (Online) Planar
2
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 60.27(2.37) 490.50(19.31) 256.00 (10.07) 165.00 111.38 (4.38) 9.00 (0.35) 688.00(27.08) 753.00(29.64) 51.94 (2.04) CONSOLE 24CH 32CH 40CH 48CH OVERALL WIDTH mm (inches) 1271.45(50.1)
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Stability and Frequency Compensation (Ch. 10) 김영석충북대학교전자정보대학 2010.3.1 Email: kimys@cbu.ac.kr 전자정보대학김영석 1 Basic Stability 10.1 General Considerations Y X (s) = H(s) 1+ βh(s) May oscillate at ω if βh(jω)
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논문 10-35-03-03 한국통신학회논문지 '10-03 Vol. 35 No. 3 원활한 채널 변경을 지원하는 효율적인 IPTV 채널 관리 알고리즘 준회원 주 현 철*, 정회원 송 황 준* Effective IPTV Channel Control Algorithm Supporting Smooth Channel Zapping HyunChul Joo* Associate
No Title
F eedb a ck V H F 100W a t t T h e Design of VHF Br oadb an d 100W at t P ow er Am plifier s By F eedb ack Cir cuit 2001 F eedb a ck V H F 100W a t t T h e Design of VHF Br oadb an d 100W at t P ow er
4 CD Construct Special Model VI 2 nd Order Model VI 2 Note: Hands-on 1, 2 RC 1 RLC mass-spring-damper 2 2 ζ ω n (rad/sec) 2 ( ζ < 1), 1 (ζ = 1), ( ) 1
: LabVIEW Control Design, Simulation, & System Identification LabVIEW Control Design Toolkit, Simulation Module, System Identification Toolkit 2 (RLC Spring-Mass-Damper) Control Design toolkit LabVIEW
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사 용 설 명 서 SRA Series Professional Power Amplifier MODEL No : SRA-500, SRA-900, SRA-1300 차 례 차 례 ---------------------------------------------------------------------- 2 안전지침 / 주의사항 -----------------------------------------------------------
24 GHz 1Tx 2Rx FMCW ADAS(Advanced Driver Assistance System).,,,. 24 GHz,, [1] [4]. 65-nm CMOS FMCW 24 GHz FMCW.. 송수신기설계 1 1Tx 2Rx FMCW (Local Oscillat
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THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 2018 Oct.; 29(10), 758 765. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2018.29.10.758 ISSN 1226-3133 (Print) ISSN 2288-226X (Online) 24
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THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 2018 Feb.; 29(2), 93 98. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2018.29.2.93 ISSN 1226-3133 (Print) ISSN 2288-226X (Online) UHF-HF
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Dynamic Analog ircuits (h. 5) 김영석 충북대학교전자정보대학 0.3.. Email: kimys@cbu.ac.kr 전자정보대학김영석 5- ontents 5. The MOSFET Switch 5. Fully Differential ircuits 5.3 Switched-apacitor ircuit 전자정보대학김영석 5- 5. The MOSFET
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Localization Algorithms Using Wireless Communication Systems For efficient Localization Based Services, development of accurate localization algorithm has to be preceded. In this paper, research trend
8-VSB (Vestigial Sideband Modulation)., (Carrier Phase Offset, CPO) (Timing Frequency Offset),. VSB, 8-PAM(pulse amplitude modulation,, ) DC 1.25V, [2
VSB a), a) An Alternative Carrier Phase Independent Symbol Timing Offset Estimation Methods for VSB Receivers Sung Soo Shin a) and Joon Tae Kim a) VSB. VSB.,,., VSB,. Abstract In this paper, we propose
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THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 2016 Oct.; 27(10), 926 934. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2016.27.10.926 ISSN 1226-3133 (Print) ISSN 2288-226X (Online) Multi-Function
- 2 -
- 1 - - 2 - 전기자동차충전기기술기준 ( 안 ) - 3 - 1 3 1-1 3 1-2 (AC) 26 1-3 (DC) 31 2 37 3 40-4 - 1 14, 10,, 2 3. 1-1 1. (scope) 600 V (IEC 60038) 500 V. (EV : Electric Vehicle) (PHEV : Plug-in Hybrid EV).. 2. (normative
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THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 2016 Jun.; 27(6), 495 503. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2016.27.6.495 ISSN 1226-3133 (Print) ISSN 2288-226X (Online) Design
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식민지 조선에 있어서 농촌진흥운동기의 경신숭조( 敬 神 崇 祖 ) -조선총독부의 신사정책과 관련하여- 아오노 마사아키( 青 野 正 明 ) 모모야마가쿠인대학( 桃 山 学 院 大 学 ) 번역:이화진 들어가는 말 본고에서는 주로 1930 년대 전반에 조선총독부에 의해 실시된 농촌진흥운동 1 에 있어서, 신사정책( 神 社 政 策 )과 관계가 있다고 예상되는 농본주의(
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE Apr.; 28(4),
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 2017 Apr.; 28(4), 298308. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2017.28.4.298 ISSN 1226-3133 (Print)ISSN 2288-226X (Online) Reduction
1 Nov-03 CST MICROWAVE STUDIO Microstrip Parameter sweeping Tutorial Computer Simulation Technology
1 CST MICROWAVE STUDIO Microstrip Parameter sweeping Tutorial Computer Simulation Technology wwwcstcom wwwcst-koreacokr 2 1 Create a new project 2 Model the structure 3 Define the Port 4 Define the Frequency
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THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 2018 Jun.; 29(6), 457463. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2018.29.6.457 ISSN 1226-3133 (Print)ISSN 2288-226X (Online) Sigma-Delta
6 10 GHz InGaAs 0.15 μm 27 dbm GHz,, DAADetection And Avoid,. UWB. UWB 41.3 dbm/ MHz.,,, PRFPulse Repetition Frequency., UWB IC. UWB PA [1]
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THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 2018 Oct.; 2910, 766 772. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2018.29.10.766 ISSN 1226-3133 Print ISSN 2288-226X Online 6 10 GHz
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE Jan.; 27(1), ISSN
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 216 Jan.; 27(1), 17. http://dx.doi.org/1.5515/kjkiees.216.27.1.1 ISSN 1226-3133 (Print)ISSN 2288-226X (Online) Switch 1.5 GHz
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법을 알고 기사 쓰기 62 논쟁적 주제 다룰 땐 단정적으로 보도하지 말아야 과학적 사실에 대한 보도 시 주의할 점 양재규 언론중재위원회 정책연구팀장 변호사 기자도 전문가 시대다. 의학전문기자, 경제전문기자 라는 말은 이미 익숙하고 이 외에도 책전문기자, 등 산전문기자, IT전문기자, 스포츠전문기자, 자동차 전문기자 등 다양한 분야의 전문기자들이 있다. 과학
며 오스본을 중심으로 한 작은 정부, 시장 개혁정책을 밀고 나갔다. 이에 대응 하여 노동당은 보수당과 극명히 반대되는 정강 정책을 내세웠다. 영국의 정치 상황은 새누리당과 더불어 민주당, 국민의당이 서로 경제 민주화 와 무차별적 복지공약을 앞세우며 표를 구걸하기 위한
4.13 총선, 캐머런과 오스본, 영국 보수당을 생각하다 정 영 동 중앙대 경제학과 자유경제원 인턴 우물 안 개구리인 한국 정치권의 4.13 총선이 한 달도 남지 않았다. 하지만 정당 간 정책 선거는 실종되고 오로지 표를 얻기 위한 이전투구식 경쟁이 심 화되고 있다. 정말 한심한 상황이다. 정당들은 각 당이 추구하는 이념과 정강 정책, 목표를 명확히 하고,
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE Dec.; 25(12),
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 2014 Dec.; 25(12), 12281235. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2014.25.12.1228 ISSN 1226-3133 (Print)ISSN 2288-226X (Online)
입장
[입장] 20대 총선 여성 비정규직 청년정책 평가 여성 정책 평가: 다시 봐도 변함없다 (p.2-p.4) 비정규직 정책 평가: 사이비에 속지 말자 (p.5-p.7) 청년 일자리 정책 평가: 취업준비생과 노동자의 분열로 미래를 논할 순 없다 (p.8-p.11) 2016년 4월 8일 [여성 정책 평가] 다시 봐도 변함없다 이번 20대 총선 만큼 정책 없고, 담론
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2013 소외계층 독서 인문학 프로그램 결과보고서 - 2 - 2013 소외계층 독서 인문학 프로그램 결과보고서 c o n t e n t s 5 22 44 58 84 108 126 146 168 186 206 220 231 268 296 316 꽃바위 작은 도서관 꿈이 자라는 책 마을 기적의 도서관 남부 도서관 농소 1동 도서관 농소 3동 도서관 동부 도서관
<4D F736F F F696E74202D20BEC6B3AFB7CEB1D7B9D7C6C4BFF64943BFF6C5A9BCA55F FBEC8B1E6C3CA2E707074>
아날로그및파워 IC 워크샵 저전력아날로그 IC 설계기술 서강대학교전자공학과안길초 Contents 2 1 2 Introduction Low-Power Design Techniques 3 Conclusions 1. Introduction 3 Why Low-Power? (1) 4 Increasing demand for mobile applications Longer
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정신문화연구 2001 겨울호 제24권 제4호(통권 85호) pp. 75 96 企劃論文 退溪學派의 經濟的 基 : 財産 形成과 所有 規模를 중심으로 1) Ⅰ. 머리말 Ⅱ. 財産 形成 문 숙 자* Ⅲ. 財産 所有 規模 Ⅳ. 맺음말 Ⅰ. 머리말 退溪學派 는 지역, 당색, 학문상의 이론적 배경 등 다양한 의미를 내포한 용어이 며, 시기에 따라서 지칭하는 의미에 차이가
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE Dec.; 27(12),
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 2016 Dec.; 27(12), 1036 1043. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2016.27.12.1036 ISSN 1226-3133 (Print) ISSN 2288-226X (Online)
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Performance Optimization of SCTP in Wireless Internet Environments The existing works on Stream Control Transmission Protocol (SCTP) was focused on the fixed network environment. However, the number of
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친일인명사전 수록대상자 명단 친일인명사전편찬위원회 ㄱ ㄴ ㄷ ㄹ ㅁ ㅂ ㅅ ㅇ ㅈ ㅊ ㅋ ㅌ ㅍ ㅎ 이 명단은 친일인명사전 수록대상자의 후손 또는 연고자로부터 이의신청을 받기 위해 작성 되었습니다. 이 인물정보를 무단 복사하여 유포하거나 인터넷을 통해 전 파하는일체의행위는법에저촉될수있습니다. 주요 훈포상 약어 1. 병합기념장 2. 대정대례기념장 3. 소화대례기념장
伐)이라고 하였는데, 라자(羅字)는 나자(那字)로 쓰기도 하고 야자(耶字)로 쓰기도 한다. 또 서벌(徐伐)이라고도 한다. 세속에서 경자(京字)를 새겨 서벌(徐伐)이라고 한다. 이 때문에 또 사라(斯羅)라고 하기도 하고, 또 사로(斯盧)라고 하기도 한다. 재위 기간은 6
동경잡기東京雜記 권1 진한기辰韓紀 경상도는 본래 진한(辰韓)의 땅인데, 뒤에 신라(新羅)의 소유가 되었다. 여지승 람(輿地勝覽) 에 나온다. 진한은 마한(馬韓)의 동쪽에 있다. 스스로 말하기를, 망 명한 진(秦)나라 사람이 난리를 피하여 한(韓)으로 들어오니 한이 동쪽 경계를 분할 하여 주었으므로 성책(城栅)을 세웠다. 하였다. 그 언어가 진나라 사람과 비슷하다.
時 習 說 ) 5), 원호설( 元 昊 說 ) 6) 등이 있다. 7) 이 가운데 임제설에 동의하는바, 상세한 논의는 황패강의 논의로 미루나 그의 논의에 논거로서 빠져 있는 부분을 보강하여 임제설에 대한 변증( 辨 證 )을 덧붙이고자 한다. 우선, 다음의 인용문을 보도록
과 임제 신해진(전남대) 1. 머리말 세조의 왕위찬탈과 단종복위 과정에서의 사육신을 소재로 한 작품은 남효온( 南 孝 溫 )의 (1492년 직전?), 임제( 林 悌 )의 (1576?), 김수민( 金 壽 民 )의 (1757) 등이 있다. 1) 첫 작품은 집전( 集
cls46-06(심우영).hwp
蘇 州 원림의 景 名 연구 * 用 典 한 경명을 중심으로 1)심우영 ** 목 차 Ⅰ. 서론 Ⅱ. 기존의 경명 命 名 法 Ⅲ. 귀납적 결과에 따른 경명 분류 1. 신화전설 역사고사 2. 文 辭, 詩 句 Ⅳ. 결론 Ⅰ. 서론 景 名 이란 景 觀 題 名 (경관에 붙인 이름) 의 준말로, 볼만한 경치 지구와 경치 지 점 그리고 경치 지구 내 세워진 인공물에 붙여진
38--18--최우석.hwp
古 詩 源 < 顔 延 之 > 篇 譯 註 * 崔 宇 錫 1) 1. 序 文 2. 古 詩 源 < 顔 延 之 > 篇 譯 註 3. 結 語 1. 序 文 沈 德 潛 (1673-1769)의 字 는 確 士 이고 號 는 歸 愚 이다. 江 南 長 洲 (현재의 江 蘇 省 蘇 州 ) 사람으로 淸 代 聖 祖, 世 宗, 高 宗 삼대를 모두 거쳤다. 특히 시를 몹 시 좋아한
교사용지도서_쓰기.hwp
1. 재미있는 글자 단원의 구성 의도 이 단원은 도비와 깨비가 길을 잃고 헤매다 글자 공부의 필요성을 느끼고 글자 공부를 하게 되는 것으로 시작된다. 자칫 지겨울 수 있는 쓰기 공부를 다양한 놀이 위주의 활동으로 구성하였고, 학습자 주변의 다양한 자료들을 활용함으로써 학습에 대한 흥미를 갖고 활동할 수 있게 하였다. 각 단계의 학습을 마칠 때마다 도깨비 연필을
E1-정답및풀이(1~24)ok
초등 2 학년 1주 2 2주 7 3주 12 4주 17 부록` 국어 능력 인증 시험 22 1주 1. 느낌을 말해요 1 ⑴ ᄂ ⑵ ᄀ 1 8~13쪽 듣기 말하기/쓰기 1 ` 2 ` 3 참고 ` 4 5 5 5 ` 6 4 ` 7 참고 ` 8 일기 ` 9 5 10 1 11, 3 [1~3] 들려줄 내용 옛날 옛날, 깊은 산골짜기에 큰 호랑이 한 마리가 살고 있었습 이
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조 례 익산시 조례 제1220호 익산시 주민감사 청구에 관한 조례 일부개정조례 1 익산시 조례 제1221호 익산시 제안제도 운영조례 일부개정조례 3 익산시 조례 제1222호 익산시 시채에 관한 조례 폐지조례 12 익산시 조례 제1223호 익산시 시세 감면 조례 전부개정조례 13 익산시 조례 제1224호 익산시 행정기구설치조례 19 익산시 조례 제1225호 익산시
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권2 동경잡기 東京雜記 동경잡기 173 권2 불우 佛宇 영묘사(靈妙寺) 부(府)의 서쪽 5리(里)에 있다. 당 나라 정관(貞觀) 6년(632) 에 신라의 선덕왕(善德王)이 창건하였다. 불전(佛殿)은 3층인데 체제가 특이하다. 속설에 절터는 본래 큰 연못이었는데, 두두리(豆豆里) 사람들이 하룻밤 만에 메 우고 드디어 이 불전을 세웠다. 고 전한다. 지금은
조선왕조 능 원 묘 기본 사료집 -부록 : 능 원 묘의 현대적 명칭표기 기준안 차 례 서 장 : 조선왕실의 능 원 묘 제도 11 제 1부 능 원 묘 기본 사료 Ⅰ. 능호( 陵 號 ) 및 묘호( 廟 號 )를 결정한 유래 1. 건원릉( 健 元 陵 ) 21 2. 정릉( 貞 陵 ) 22 3. 헌릉( 獻 陵 )
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해제 면양행견일기 沔 陽 行 遣 日 記 이 자료는 한말의 개화파 관료, 김윤식 金 允 植 (1835~1922)이 충청도 면천 沔 川 에 유배하면서 동학농민혁명 시기에 전문 傳 聞 한 것을 일일이 기록한 일기책 이다. 수록한 부분은 속음청사 續 陰 晴 史 의 권 7로 내제 內 題 가 면양행견일기 沔 陽 行 遣 日 記 로 되어 있는 부분 가운데 계사년 癸 巳 年
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민주장정 100년, 광주 전남지역 사회운동 연구 노동운동사 정 호 기 농민운동 1 목 차 제1장 연구 배경과 방법 07 1. 문제제기 2. 기존 연구의 검토 3. 연구 대상의 특성과 변화 4. 연구 자료와 연구 방법 07 10 12 16 제2장 이승만 정부 시대의 노동조합운동 19 1. 이승만 정부의 노동정책과 대한노총 1) 노동 관련 법률들의 제정과 광주
과 위 가 오는 경우에는 앞말 받침을 대표음으로 바꾼 [다가페]와 [흐귀 에]가 올바른 발음이 [안자서], [할튼], [업쓰므로], [절믐] 풀이 자음으로 끝나는 말인 앉- 과 핥-, 없-, 젊- 에 각각 모음으로 시작하는 형식형태소인 -아서, -은, -으므로, -음
![과 위 가 오는 경우에는 앞말 받침을 대표음으로 바꾼 [다가페]와 [흐귀 에]가 올바른 발음이 [안자서], [할튼], [업쓰므로], [절믐] 풀이 자음으로 끝나는 말인 앉- 과 핥-, 없-, 젊- 에 각각 모음으로 시작하는 형식형태소인 -아서, -은, -으므로, -음](/thumbs/39/20096158.jpg "과 위 가 오는 경우에는 앞말 받침을 대표음으로 바꾼 [다가페]와 [흐귀 에]가 올바른 발음이 [안자서], [할튼], [업쓰므로], [절믐] 풀이 자음으로 끝나는 말인 앉- 과 핥-, 없-, 젊- 에 각각 모음으로 시작하는 형식형태소인 -아서, -은, -으므로, -음")
. 음운 [ㄱ] [국], [박], [부억], [안팍] 받침의 발음 [ㄷ] [곧], [믿], [낟], [빋], [옫], [갇따], [히읃] [ㅂ] [숩], [입], [무릅] [ㄴ],[ㄹ],[ㅁ],[ㅇ] [간], [말], [섬], [공] 찾아보기. 음절 끝소리 규칙 (p. 6) [ㄱ] [넉], [목], [삭] [ㄴ] [안따], [안꼬] [ㄹ] [외골], [할꼬]
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6 6 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 과천심상소학교 졸업증서(문헌번호 03-004) 일제강점기 과천초등학교의 유일한 한국인 교장이었던 맹준섭임을 알 수 있다.
<C3D6C1BE5FBBF5B1B9BEEEBBFDC8B0B0DCBFEFC8A32831333031323120C3D6C1BEBABB292E687770>
우리 시의 향기 사랑하는 일과 닭고기를 씹는 일 최승자, 유 준 서울예술대학교 문예창작과 강사/문학평론가 한 숟갈의 밥, 한 방울의 눈물로 무엇을 채울 것인가, 밥을 눈물에 말아먹는다 한들. 그대가 아무리 나를 사랑한다 해도 혹은 내가 아무리 그대를 사랑한다 해도 나는 오늘의 닭고기를 씹어야 하고 나는 오늘의 눈물을 삼켜야 한다.
초등국어에서 관용표현 지도 방안 연구
80 < 관용 표현 인지도> 남 여 70 60 50 40 30 20 10 0 1 2 3 4 5 6 70 < 관용 표현 사용 정도> 남 여 60 50 40 30 20 10 0 4학년 가끔쓴다 써본적있다 전혀안쓴다 5학년 가끔쓴다 써본적있다 전혀안쓴다 6학년 가끔쓴다 써본적있다 전혀안쓴다 70 < 속담 인지도> 남 여 60 50 40 30 20 10 0 1 2
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176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 (2) 양주조씨 사마방목에는 서천의 양주조씨가 1789년부터 1891년까지 5명이 합격하였다. 한산에서도 1777년부터 1864년까지 5명이 등재되었고, 비인에서도 1735년부터 1801년까지 4명이 올라있다. 서천지역 일대에 넓게 세거지를 마련하고 있었 던 것으로
제주어 교육자료(중등)-작업.hwp
여는말 풀꽃, 제주어 제주어는 제주인의 향기입니다. 제주인의 삶의 손끝에서 피어나는 삶의 향기이고, 꿈의 내음입니다. 그분들이 어루만졌던 삶이 거칠었던 까닭에 더욱 향기롭고, 그 꿈이 애틋했기에 더욱 은은합니다. 제주어는 제주가 피워낸 풀잎입니다. 제주의 거친 땅에 뿌리를 내리고 싹을 틔우고, 비바람 맞고 자랐기에 더욱 질박합니다. 사철 싱그러운 들풀과 들꽃향기가
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정보나눔 섭이와 함께하는 여행 임강섭 복지과 과장 여름이다. 휴가철이다. 다 들 어디론가 떠날 준비에 마음 이 들떠 있는 시기가 아닌가 싶다. 여행 매니아까지는 아니 지만, 나름 여행을 즐기는 사 람으로서 가족들과 신나는 휴 가를 보낼 계획에 살짝 들떠 있는 나에게 혼자만 신나지 말 고 같이 좀 신났으면 좋겠다며 가족들과 같이 가면 좋은 여행 눈이 시리도록
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연구보고서 210-4 해방 후 한국여성의 정치참여 현황과 향후 과제 한국여성개발원 목 차 Ⅰ 서 론 Ⅱ 국회 및 지방의회에서의 여성참여 Ⅲ 정당조직내 여성참여 및 정당의 여성정책 Ⅳ 여성유권자의 투표율 및 투표행태 Ⅴ 여성단체의 여성정치참여 확대를 위한 운동 Ⅵ 여성의 정치참여 확대를 위한 향후 과제 참고문헌 부 록 표 목 차 Ⅰ 서 론 . 서론 1.
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총선 이후 우리 교육의 방향 당 체제에서 우리 교육의 전망과 교육행정가들의 역할 박 호 근 서울시의회 의원 교육위원회 위원 서론 년 월 일 제 대 국회의원 선거가 치러졌다 선거는 바로 민의 의 반영이기 때문에 총선결과를 살펴보고 왜 이러한 결과가 나왔는가를 분석해 본 후 년 월 일을 기점으로 제 대 국회의원들의 임기가 시 작되는 상황에서 우리 교육이 어떻게
목 차 營 下 面 5 前 所 面 71 後 所 面 153 三 木 面 263 龍 流 面 285 都 已 上 條 367 同 治 六 年 (1867) 正 月 日 永 宗 防 營 今 丁 卯 式 帳 籍 범례 1. 훼손 등의 이유로 판독이 불가능한 글자는 로 표기함. 단, 비정 이 가능한 경우는 ( ) 안에 표기함. 2. 원본에서 누락된 글자는 [ ] 안에 표기함. 단, 누락된
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제639호 [주간] 2014년 12월 15일(월요일) http://gurotoday.com http://cafe.daum.net/gorotoday 문의 02-830-0905 대입 준비에 지친 수험생 여러분 힘내세요 신도림테크노마트서 수험생과 학부모 600명 대상 대입설명회 구로아트밸리서는 수험생 1,000명 초대 해피 콘서트 열려 구로구가 대입 준비로 지친
교육 과 학기 술부 고 시 제 20 11-36 1호 초 중등교육법 제23조 제2항에 의거하여 초 중등학교 교육과정을 다음과 같이 고시합니다. 2011년 8월 9일 교육과학기술부장관 1. 초 중등학교 교육과정 총론은 별책 1 과 같습니다. 2. 초등학교 교육과정은 별책
교육과학기술부 고시 제 2011 361호 [별책 3] 중학교 교육과정 교육 과 학기 술부 고 시 제 20 11-36 1호 초 중등교육법 제23조 제2항에 의거하여 초 중등학교 교육과정을 다음과 같이 고시합니다. 2011년 8월 9일 교육과학기술부장관 1. 초 중등학교 교육과정 총론은 별책 1 과 같습니다. 2. 초등학교 교육과정은 별책 2 와 같습니다. 3.
시험지 출제 양식
2013학년도 제2학기 제1차 세계사 지필평가 계 부장 교감 교장 2013년 8월 30일 2, 3교시 제 3학년 인문 (2, 3, 4, 5)반 출제교사 : 백종원 이 시험 문제의 저작권은 풍암고등학교에 있습니다. 저 작권법에 의해 보호받는 저작물이므로 전재와 복제는 금지 되며, 이를 어길 시 저작권법에 의거 처벌될 수 있습니다. 3. 전근대 시기 (가)~(라)
우리나라의 전통문화에는 무엇이 있는지 알아봅시다. 우리나라의 전통문화를 체험합시다. 우리나라의 전통문화를 소중히 여기는 마음을 가집시다. 5. 우리 옷 한복의 특징 자료 3 참고 남자와 여자가 입는 한복의 종류 가 달랐다는 것을 알려 준다. 85쪽 문제 8, 9 자료
통합 우리나라 ⑵ 조상님들이 살던 집에 대 해 아는 어린이 있나요? 저요. 온돌로 난방과 취사를 같이 했어요! 네, 맞아요. 그리고 조상님들은 기와집과 초가집에서 살았어요. 주무르거나 말아서 만들 수 있는 전통 그릇도 우리의 전통문화예요. 그리고 우리 옷인 한복은 참 아름 답죠? 여자는 저고리와 치마, 남자는 바지와 조끼를 입어요. 명절에 한복을 입고 절을
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::: 해당사항이 없을 경우 무 표시하시기 바랍니다. 검토항목 검 토 여 부 ( 표시) 시 민 : 유 ( ) 무 시 민 참 여 고 려 사 항 이 해 당 사 자 : 유 ( ) 무 전 문 가 : 유 ( ) 무 옴 브 즈 만 : 유 ( ) 무 법 령 규 정 : 교통 환경 재
시 민 문서번호 어르신복지과-1198 주무관 재가복지팀장 어르신복지과장 복지정책관 복지건강실장 결재일자 2013.1.18. 공개여부 방침번호 대시민공개 협 조 2013년 재가노인지원센터 운영 지원 계획 2013. 01. 복지건강실 (어르신복지과) ::: 해당사항이 없을 경우 무 표시하시기 바랍니다. 검토항목 검 토 여 부 ( 표시) 시 민 : 유 ( ) 무
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1 2 3 4 5 6 또한 같은 탈북자가 소유하고 있던 이라고 할수 있는 또 한장의 사진도 테루꼬양이라고 보고있다. 二宮喜一 (니노미야 요시가즈). 1938 년 1 월 15 일생. 신장 156~7 센치. 체중 52 키로. 몸은 여윈형이고 얼굴은 긴형. 1962 년 9 월경 도꾜도 시나가와구에서 실종. 당시 24 세. 직업 회사원. 밤에는 전문학교에
화이련(華以戀) 141001.hwp
年 花 下 理 芳 盟 段 流 無 限 情 惜 別 沈 頭 兒 膝 夜 深 雲 約 三 십년을 꽃 아래서 아름다운 맹세 지키니 한 가닥 풍류는 끝없는 정이어라. 그대의 무릎에 누워 애틋하게 이별하니 밤은 깊어 구름과 빗속에서 삼생을 기약하네. * 들어가는 글 파르라니 머리를 깎은 아이가 시린 손을 호호 불며 불 옆에 앉아 있다. 얼음장 같은 날씨에 허연 입김이 연기처럼
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사람 안간힘을 다해 행복해지고 싶었던 사람, 허세욱을 그리다 - 허세욱 평전 작가 송기역 - 서울 평통사 노동분회원 허세욱. 효순이 미선이의 억울한 죽음에 대 해 미국은 사죄하라는 투쟁의 현장에 서 그 분을 처음 만났다. 평택 대추리 의 넓은 들판을 두 소녀의 목숨을 앗 아간 미군들에게 또 빼앗길 순 없다며 만들어 온 현수막을 대추초교에 같이 걸었다. 2007년
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1.? 1.?,..,.,. 19 1.,,..,. 20 1.?.,.,,...,.,..,. 21 1,.,.,. ( ),. 10 1? 2.5%. 1 40. 22 1.? 40 1 (40 2.5% 1 ). 10 40 4., 4..,... 1997 ( ) 12. 4.6% (26.6%), (19.8%), (11.8%) 23 1. (?).. < >..,..!!! 24 2.
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제3편 정 치 제3편 정치 제1장 의회 제1절 의회 기구 제2절 의회기구 및 직원 현황 자치행정전문위원회 자치행정전문위원 산업건설위원회 산업건설전문위원 제1장 의회 321 제3절 의회 현황 1. 제1대 고창군의회 제1대 고창군의회 의원 현황 직 위 성 명 생년월일 주 소 비 고 322 제3편 정치 2. 제2대 고창군의회 제2대 고창군의회 의원 현황 직 위
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법 률 국회에서 의결된 공직선거법 일부개정법률을 이에 공포한다. 대 통 령 이 명 박 2012년 2월 29일 국 무 총 리 김 황 식 국 무 위 원 행정안전부 맹 형 규 장 관 (중앙선거관리위원회 소관) 법률 제11374호 공직선거법 일부개정법률 공직선거법 일부를 다음과 같이 개정한다. 제21조제1항에 단서를 다음과 같이 신설한다. 다만,세종특별자치시의 지역구국회의원
DBPIA-NURIMEDIA
박건수 *, 서태영 **, 김종욱 *** ". 요약 Abstract The induction melting furnace using electric generator has been introduced since 1920s, and it began to be widely applied to industrial applications due to increasing