등록특허 특허청구의범위청구항 1 1) MWCNT 음극에 5~6ms의펄스주기를갖는 10~15V의펄스직류전류와 17~30kV의전위차를갖는전자방출디바이스 (EFE) 의고전위차전류를공급하여 MWCNT 음극으로부터전자가방출되도록하는단계, +5 2) 상기방출된전
|
|
- 인성 옹
- 6 years ago
- Views:
Transcription
1 등록특허 (51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) C02F 1/70 ( ) C02F 1/46 ( ) C02F 101/16 ( ) (21) 출원번호 (45) 공고일자 2011년11월11일 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2011년11월07일 (73) 특허권자 태극아이비에이 ( 주 ) 경기성남시분당구야탑동 151 분당테크노파크 E 동 702 호 (72) 발명자 (22) 출원일자 2009년11월02일안길홍심사청구일자 2009년11월02일부산동래구온천2동 7809번지 (65) 공개번호 안덕호 (43) 공개일자 2011년05월11일부산광역시동래구온천동 (56) 선행기술조사문헌김용서 KR A 경기성남시분당구야탑동 151번지성남아파트 KR B1 형공장마동 702호 KR A KR A (74) 대리인특허법인이룸 전체청구항수 : 총 9 항 심사관 : 이강옥 (54) 다중벽탄소나노튜브음극의전자방출에의한직접환원공정을이용한전기화학적폐수탈질방법, 및그탈질장치 (57) 요약 본발명은다중벽탄소나노튜브 (MWCNT) 음극의전자방출에의한직접환원공정을이용한전기화학적폐수탈질방법, 및그탈질장치에관한것이다. 본발명에따른전기화학적폐수탈질방법은 MWCNT 음극에 5~6ms 의펄스주기를갖는 10~15V 의펄스직류전류와 17~30kV 의전위차를갖는전자방출디바이스 (EFE) 의고전위차전류를공급하여 MWCNT 음극으로부터전자가방출되도록하고, 상기방출된전자에의하여폐수내질소산화물을질소가스로변환시켜방출하는것으로, 직접환원공정을이용한것을특징으로한다. 대표도 도 2 1
2 등록특허 특허청구의범위청구항 1 1) MWCNT 음극에 5~6ms의펄스주기를갖는 10~15V의펄스직류전류와 17~30kV의전위차를갖는전자방출디바이스 (EFE) 의고전위차전류를공급하여 MWCNT 음극으로부터전자가방출되도록하는단계, +5 2) 상기방출된전자를폐수내질소산화물의 NO 3 이온의 N 양전하와반응시켜질소산화물을질소가스로변환시켜방출하는단계를포함하는, 다중벽탄소나노튜브음극의전자방출에의한직접환원공정을이용한전기화학적폐수탈질방법. 청구항 2 제 1항에있어서, 상기 1) 단계에서 MWCNT 음극은불용성금속판을표면조도가 50~75μm되도록블라스팅한후, 상기블라스팅한불용성금속판에폴리실록세인과 MWCNT의혼합용액을코팅한다음, 코팅된도막을 200~250 에서 6~8시간동안열처리하여제작되는것을특징으로하는전기화학적폐수탈질방법. 청구항 3 제 2항에있어서, 상기코팅된도막의두께는 130~150μm인것을특징으로하는전기화학적폐수탈질방법. 청구항 4 제 2항에있어서, 상기불용성금속은티타늄인것을특징으로하는전기화학적폐수탈질방법. 청구항 5 1) 3상교류전력을직류로변환하여평탄파전류를출력하는직류정류기 (9), 상기평탄파전류를구형파전류로변환시키는 GTO(Gate turnoff) 싸이리스터 (10), 상기구형파전류를펄스전류로변환시키는펄스변환기 (11) 가순차적으로연결되고, 상기 GTO 싸이리스터 (10) 의구형파전류를에너지원으로하는전자방출디바이스 (EFE)(12) 가추가적으로연결된에너지공급원장치, 2) 상기에너지공급원장치후면에연결된산화반응조 ( 질산화반응조 ) (13), 및 3) 상기산화반응조 ( 질산화반응조 ) 후면에연결된환원반응조 ( 탈질반응조 )(14) 로이루어진탈질장치. 청구항 6 제 5항에있어서, 상기에너지공급원장치중펄스변환기 (11) 에 RC 적분방전회로를적용한것을특징으로하는탈질장치. 청구항 7 제 5항에있어서, 상기환원반응조 ( 탈질반응조 )(14) 는양극 (15) 과음극 (16), 및양극과음극사이에분리격막 (17) 을설치하여이루어진것을특징으로하는탈질장치. 청구항 8 제 7항에있어서, 상기음극 (16) 은직경 10~15mm의구멍을펀칭한것을특징으로하는탈질장치. 청구항 9 제 7항에있어서, 상기음극 (16) 은방해판유로 (baffled channel) 구조로설계된것을특징으로하는탈질장치. 명세서 발명의상세한설명 기술분야 2
3 등록특허 [0001] 본발명은다중벽탄소나노튜브음극의전자방출에의한직접환원공정을이용한전기화학적폐수탈질 방법, 및그탈질장치에관한것이다. [0002] [0003] 배경기술폐수의탈질반응은반드시전자에의하여이루어지는반응으로서, 종래기술로는크게 2가지로나뉠수있다. 하나는생물전기화학적반응에의한미생물에서배출되는전자를이용한미생물공정이며, 다른하나는용출형전극을사용하여전해용출된금속이온을매개체로하여전자가발생하도록한간접전기화학적공정이다. 미생물공정은질소의자연계에서의순환과정을적용하여혐기성미생물이먹이공급원인탄소를섭취하고, 미생물세포질내에서짝이중결합을이루는파이 (π) 전자나펩티드결합에의해교차결합되어있는단백질이전자터널링을한다는반도체적특성을응용한공정으로, 대사작용에의하여먹이인탄소를섭취구에서섭취하고탄소의전자는세포질의전자터널링작용을통하여배설구에서배출되어전자공여체로써작용하는미생물의생물전기화학적에너지변환과정을이용한공정이다. 그러나, 미생물은온도가섭씨 20~35 에서적절한활동을하기때문에온도관리가어려우며, 이러한온도를유지하기위하여지하에탈질반응조를설치하는경우가있는데이에는많은시설비와관리에어려움이있다. 그리고미생물의활동에적합한범위는 ph 6~8에해당되는데, 이를조정하기위하여약품을투입하여야되므로운영비의추가및투입약품으로인한물질수지의변동이일어날수있는문제점을내포하고있다. 또한미생물의먹이가되는탄소의양과배출되는전자에의한탈질양을조정하여야하므로, 탄소의양 / 탈질양의비율을맞춰주어야하는제약사항이따른다. 그리고탈질과 정중 NO 3 는전자친화력 (electron affinity) 을가지고있어전위차를가진음극에특이흡착하는특성을가지는데, 전기의옴의법칙인 V=iR에서미생물에서는내부저항이거의없어전위차가형성되지못하여전위차에 의하여이동하는 NO 3 이온의특이흡착하는과정이일어나지못하므로미생물과의접촉확률을높이기위하여탈질반응조에서활성슬러지를교반하여주는공정이필요하다. 그러나, 상기교반공정을수행하기위해서는거대한시설규모가필요하며, 반응시간이오래걸리고, 효율성에서도한계를가지게된다. 따라서, 이를보완하기위한방안으로미생물전기화학적공정 (bioelectrochemical process) 을이용한연구가진행되어왔다 ( 대한민국등록특허공보제 호, 제 호및제 호, 미국특허제 7,250,288호 ). 그러나, 상기미생물전기화학적공정은전극사이에절연체인활성슬러지를사용하므로전류의효율성이낮게나오는단점이있다. [0004] 간접전기화학적공정은아연, 철, 알루미늄, 구리등과같은용출형전극을사용하여하기반응식 1과같이전해용출된금속이온이매개체가되어물이전기분해되면서발생하는 OH 이온과반응하여전자를발생하는공정이다. 그러나, 이러한간접환원공정은전해에따른전극의소모수명을예측하기어렵고, 금속의용출로인한추가적인 2차오염을야기할수있는우려가있다 ( 대한민국등록특허공보제 호및제 호 ). 반응식 1 [0005] [0006] M + OH > MO + H 2 O + e 따라서, 상기언급한탈질반응의문제점을개선하고폐수중에고농도로함유되어있는질소화합물을적은에 너지로신속하게처리할수있는폐수탈질방법에대한개발의필요성이요구되고있다. 발명의내용 [0007] 해결하고자하는과제본발명자들은기존의탈질반응의문제점을개선하고폐수중에고농도로함유되어있는질소화합물을적은에너지로신속하게처리할수있는폐수탈질방법에대해연구하던중, 펄스직류전류와전자방출디바이스의고전위차전류를 MWCNT 음극에공급하여 MWCNT 음극으로부터전자가방출되도록하고, 상기방출된전자에의하여폐수내질소산화물이질소가스로변환하여방출됨을확인하고, 본발명을완성하였다. [0008] 과제해결수단 본발명은다중벽탄소나노튜브음극의전자방출에의한직접환원공정을이용한전기화학적폐수탈질 3
4 등록특허 방법, 및그탈질장치를제공하고자한다. [0009] [0010] [0011] 발명의실시를위한구체적인내용본발명은 1) MWCNT 음극에 5~6ms의펄스주기를갖는 10~15V의펄스직류전류와 17~30kV의전위차를갖는전자방출디바이스 (EFE) 의고전위차전류를공급하여 MWCNT 음극으로부터전자가방출되도록하는단계, +5 2) 상기방출된전자를폐수내질소산화물의 NO 3 이온의 N 양전하와반응시켜질소산화물을질소가스로변 환시켜방출하는단계를포함하는, 다중벽탄소나노튜브음극의전자방출에의한직접환원공정을이용한전 기화학적폐수탈질방법을제공한다. [0012] [0013] [0014] [0015] [0016] [0017] [0018] [0019] [0020] 또한, 본발명은 1) 3상교류전력을직류로변환하여평탄파전류를출력하는직류정류기 (9), 상기평탄파전류를구형파전류로변환시키는 GTO(Gate turnoff) 싸이리스터 (10), 상기구형파전류를펄스전류로변환시키는펄스변환기 (11) 가순차적으로연결되고, 상기 GTO 싸이리스터 (10) 의구형파전류를에너지원으로하는전자방출디바이스 (EFE)(12) 가추가적으로연결된에너지공급원장치, 2) 상기에너지공급원장치후면에연결된산화반응조 ( 질산화반응조 ) (13), 및 3) 상기산화반응조 ( 질산화반응조 ) 후면에연결된환원반응조 ( 탈질반응조 )(14) 로이루어진탈질장치를제공한다. 이하, 본발명에대해상세히설명한다. 본발명에따른전기화학적폐수탈질방법은 MWCNT 음극에 5~6ms의펄스주기를갖는 10~15V의펄스직류전류와 17~30kV의전위차를갖는전자방출디바이스 (EFE) 의고전위차전류를공급하여 MWCNT 음극으로부터전자가방출되도록하고, 상기방출된전자에의하여폐수내질소산화물을질소가스로변환시켜방출하는것으로, 직접환원공정을이용한것을특징으로한다. 상기 MWCNT 음극은 MWCNT를불용성금속판에코팅하여제작된다. 구체적으로는, 불용성금속판을표면조도가 50~75μm되도록블라스팅한후, 상기블라스팅한불용성금속판에 [SiOSi]n 기본구조를갖는폴리실록세인 (polysiloxane) 과 MWCNT의혼합용액을분사기로코팅한다. 이때, 도막두께가 130~150μm되도록한다. 그다음, 코팅된도막을 200~250 에서 6~8시간동안열처리하여 MWCNT 음극을제작한다. 상기제작된금속성반도체 MWCNT 음극은환원반응조 ( 탈질반응조 ) 의전극으로사용한다. 상기불용성금속은티타늄이바람직하나, 이에한정되지않는다. 상기 MWCNT는평균직경이 10~40nm, 길이가 1~25μm, 밀도가 0.03~0.06g/ cm3, 비표면적이 150~250m2 /g으로서 sp 2 본드구조를이룬파이전자전달매개체이며, 강도는약 48,000KN m kg 1 으로서철강재보다약 300 배이상의 강도를가지며, 전도전류밀도는약 A/ cm2으로서구리보다약 1,000 배이상높다. [0021] [0022] [0023] [0024] MWCNT 음극은금속성반도체물질로서, 전해액인폐수와접촉하면도 1과같은구조를갖는다. 즉, 불용성금속 (1) 과 MWCNT(2) 는쇼트키접합 (Schottky contact) 을이루며, 금속전극에주입된전도전자는쇼트키장벽 (barrier) 을터널링효과 (tunneling effect) 에의해통과하여 MWCNT로주입되어전해액폐수 (3) 와의계면인 MWCNT 계면에서전자과잉상태로된다. 본발명의 MWCNT 음극의부 () 전위분극시에너지밴드 (energy bandgap) 및전자방출에의한탈질메카니즘에관하여도 2를참조하여하기에상세히설명한다. MWCNT는금속성반도체물질로서, 부 () 전위분극을하게되면전도전자가에너지밴드구조에의하여전해액폐수와의계면에전자과잉상태가되며, MWCNT 계면과전해액폐수와의가우스면 (Gaussian surface) 은전해액폐수 (3) 측에헬름홀츠층 (Helmholtz plane) 이라고불리우는흡착전기이중층이형성된다. 불용성금속 ( 예를들어, 티타늄 ) 과 MWCNT를접합할시전기이중층으로서의공간전하영역의일함수 (work function) 는 5.23eV [ 티타늄일함수 (4.33eV) + MWCNT 일함수 (0.90eV)] 로서, 약 joule 의전기적에너 4
5 등록특허 지이상이면에너지장벽을양자역학적으로터널을통과한다. 이때공간전하층의폭은 1.45A [ 티타늄원자반경 (0.68A ) + MWCNT 원자반경 (0.77A )] 이된다. 이를전류밀도로나타내면하기수학식 1과같으며, Fowler Nordheim 식 ( 이하 'FN 식 ' 이라함 ) 에해당한다 [Niels de Jonge, JeanMark Bonard, "Carbon nanotube electron sources and application", Phil. Trans. Soc. Lond. A,2004, ; JeanMark bonard et al., "Field emission from singlewall carbon nanotube films", Applied Physics Letters, 1998, vol.73, No.7, ]. 수학식 1 [0025] [0026] J : 전류밀도, E : 전장, Φ/e : 공간전하층의일함수 [0027] [0028] 이와같이쇼트키장벽을터널링효과에의하여통과한전도전자는파이전자전달매개체인 MWCNT 계면에서전자과잉상태로되고, MWCNT의에너지밴드갭은약 0.4~0.9eV로서매우낮으므로, 이때부 () 전위분극한 MWCNT의밴드갭은전해액계면으로굽은상태로나타나게된다. 즉, 페르미준위 (5) 를기준으로하여전도대 (4) 에있는전자는 MWCNT 계면으로이동하게된다. 한편, 전자방출디바이스 (EFE) 는 3~10MΩ의저항치를가진고저항으로제작되어, 이에서출력되는전압은전위차가약 17~30kV에이르므로 MWCNT 도막두께가 130~150μm이면고전계가형성되어 MWCNT 계면에축적된과잉전자가방출된다. 전계 (E) 는하기수학식 2로계산된다. 수학식 2 [0029] [0030] [0031] [0032] V : 전위차, d : MWCNT 도막두께. 반도체 MWCNT 전극의표면전위는금속전극을사용하였을때와는달리 MWCNT 내부에걸쳐서평형을이루고있는전위로서, 계면에어떠한것이접촉되더라도관계가없고, 다만 MWCNT 계면에있어서의전위장벽의높이만이관계가있다. 즉, 반도체 MWCNT 표면전위는전극의내부와평형을유지하고있으므로상기수학식 2의전계 (E) 가전해액폐수와의접촉계면에도적용될수있다. 구체적으로는, 부 () 전위분극된 MWCNT 음극이전해액인폐수와접촉하게되면 MWCNT 표면에서는물의단분자 +5 쌍극자가배향하며, NO 3 이온의특이흡착도일어난다. MWCNT 계면의과잉전자와 NO3 이온의 N 양전하와전자 교환이일어난다 [N.V.Korovin et al., "Adatoms influence on overvoltage of Hydrogen", J.Res.Inst.Catalysis,Hokkaido Univ.,1981,Vol.29,No.1, 1724; G.Rikken et al., "Schottky effect at a metalpolymer interface", Appl. Phys. Lett. 1994, Vol.65.2, ]. NO 3 이온의전자친화력은 3.0eV로서 +5 매우높은이온에해당하며, NO 3 이온의양전하를띄는 N 는내부헬름홀츠면 (6)( 이하 'I.H.P' 라함 : Inner Helmholtz Plane) 에위치하여음극에서방출된전자를수용하여계가평형에달할때까지 2(N +5 +e)>2(n +4 +e) >2(N +3 +e)>2(n +2 +e)>2(n +1 +e)>n 2 로진행한다. 이때, MWCNT 음극계면에특이흡착한이온직경 5.2A 인 NO 3 의중심은 MWCNT 음극계면으로부터약 3A 떨어져있는 I.H.P 위에위치하며, 수화된 H + 이온의중심은외부헬름홀츠면 (7)( 이하 'O.H.P' 라함 : Outer Helmholtz Plane) 에위치한다. [0033] 상기한바와같이, MWCNT 음극계면의과잉전자와상대적으로에너지레벨이높은수화 H + 양이온간의전기적인력에의하여양자역학적으로전자가전계방출되는데, 이러한전자방출을쇼트키효과에의한고전계전자전계방출 (electron field emission) 이라고한다 [Xiomara CalderonColon et al., "A Carbon nanotube field emission cathode with high current density and longterm stability", 2009 Nanotechnology
6 등록특허 (PP5)]. [0034] 상기수학식 1('FN 식 ') 은로간략히나타낼수있는데, 이는전계 (E) 와더불어전자방출이급증한다는것을의미한다 (A,b는물질상수 ). 이때 MWCNT 음극계면과 I.H.P 사이의물의쌍극자단분자층을제1 수층이라고하며, 이의유전상수는 6으로서 MWCNT 계면으로부터방출된전자는거의방해를받지않으면서전자 의평균자유행정 3A 으로호핑 (hopping) 전도 (8) 를하여특이흡착된 NO 3 이온과전자반응을일으킨다. 이를전자친화력과전해액에서이루어지는이온전도성의관점에서살펴보면, H + 이온의전자친화력은 0.76eV로서 NO 3 + (3.0eV) 보다적기때문에전자와의반응은 NO 3 에서먼저전자부착이일어나며, H 는양전하운반체로전극계면과는콘덴서로기능하여변위전류 (displacement current) 를형성하므로전하이동반응에의하여 H + 는양전하를음극에주어전하를상실하고자신은 H 2 로방출된다. 이는평탄파를가진정류기의직류에의한전하이동과정으로서전해질내에서양전하에서음전하로이동하는전하의이동만있기때문에전자가관여하는폐수의탈질환원반응이일어나지않는근본요인이된다. [0035] 따라서, 본발명의탈질방법은 MWCNT 음극이전자공여체로작용하고, NO 3 이온은전자수용체로작용하여직 접환원에의해탈질반응을하게되며, 하기반응식 2 로나타낸다. 반응식 2 [0036] [0037] 2NO e + 12H + > N2 + 6H 2 O (28.73 kcal / mol ) 반응식 2 는부 () 전위분극한음극의 MWCNT 계면에서방출된전자에의한환원반응을하기반응식 3 과같이나 타내는것과같은의미를갖는다. 반응식 3 [0038] A( 전해액 sol) + e ( 반도체계면에서방출된전자 ) > D( 전해액 sol 환원 ) [0039] [0040] [0041] [0042] [0043] 상기한본발명의전기화학적탈질방법에는반드시에너지가있어야하며, 에너지원으로는전기를사용한다. 본발명의탈질장치를도 3 내지도 5를참조하여상세히설명한다. 본발명의탈질장치는, 1) 3상교류전력을직류로변환하여평탄파전류를출력하는직류정류기 (9), 상기평탄파전류를구형파전류로변환시키는 GTO(Gate turnoff) 싸이리스터 (10), 상기구형파전류를펄스전류로변환시키는펄스변환기 (11) 가순차적으로연결되고, 상기 GTO 싸이리스터 (10) 의구형파전류를에너지원으로하는전자방출디바이스 (EFE)(12) 가추가적으로연결된에너지공급원장치, 2) 상기에너지공급원장치후면에연결된산화반응조 ( 질산화반응조 ) (13), 및 3) 상기산화반응조 ( 질산화반응조 ) 후면에연결된환원반응조 ( 탈질반응조 )(14) 로이루어지며, 도 3에나타내었다. 상기에너지공급원장치는기본에너지원으로 3상교류전력 (380V) 을사용하여직류정류기 (9) 를통해직류로변환하여 10~15V의평탄파전류를출력한다. 그러나, 상기평탄파전류는전자방출에기여할수없으므로평탄파전류를 GTO (Gate turnoff) 싸이리스터 (10) 를거쳐구형파전류로변환시키고, 그다음펄스변환기 (11) 를거쳐 5~6ms의펄스주기를갖는펄스전류를출력한다. 동시에 MWCNT 음극에서의전자방출을용이하도록하기위해 MWCNT 음극의부전위를낮추어 17~30kV의전위차를가진전자방출디바이스 (EFE)(12) 가추가적인음전류를공급하여준다. 상기직류 정류전류를펄스로전환하는펄스변환기 (11) 에 RC 적분방전회로를적용한펄스변환장치의적분방전전기회로도는도 4에나타내었으며, 하기에구체적으로설명한다. 3상교류전원으로부터입력된전력을직류정류기 (9) 에의하여 10~15V인평탄파전류로변환하고, 평탄파전류는 GTO 싸이리스터 (10) 에의하여구형파전류로변환되어펄스변환기 (11) 의저항 R1에의하여콘덴서 (C) 에충전되며, 콘덴서 (C) 에충전된전하의 63% 는분류저항 R2 및 R3로방전되어져산화반응조 ( 질산화반응조 )(13) 및 6
7 등록특허 환원반응조 ( 탈질반응조 )(14) 로공급된다. 이때, R1, R2, R3의저항치는같도록하여충전과방전시정수가같도록한다. 즉, 시정수 τ = RC로서 3상교류를사용하여 GTO 싸이리스터 (10) 에전류를공급하게되면 1/180초로, 펄스변환기 (11) 에서적분방전에의하여펄스주기가 5~6ms, 바람직하게는 5.5ms인펄스전류를얻게된다. 이때환원반응을일으키는환원반응조 ( 탈질반응조 )(14) 에공급되는전자방출디바이스 (EFE)(12) 의전위차 17~30kV인전류가양극에영향을끼치지않도록저항 R4를설치하며, R4는동시에 R3로방전하여양극에공급된전류를부전위로낮추어음극에공급하여주는역할을한다. 그리고저항 R4와전자방출디바이스 (EFE) (12) 의저항이병렬효과에따른전압강하현상을방지하기위하여 R4의전류는콘덴서에서의방전전류를에너지원으로하며, 전자방출디바이스 (EFE)(12) 의전기에너지원은 GTO 싸이리스터 (10) 의구형파전력을에너지원으로한다. [0044] [0045] [0046] [0047] [0048] [0049] [0050] [0051] 본발명의환원반응조 ( 탈질반응조 )(14) 에서전해액을전기분해하면양극 (15) 에서는산소가발생하고, 음극 (16) 에서는수소가발생하게되는데, 수소와산소의재결합을최대한억제하기위하여양극 (15) 과음극 (16) 사이에분리격막 (17) 을설치한다. 상기환원반응조 ( 탈질반응조 ) 의음극은직경 10~15mm의구멍을펀칭하고방해판유로 (baffled channel) 구조로설계되며, 전류는직렬로흐르도록하여폐수의흐름이원활하면서전극과의접촉면적이최대로되게설계하여전류효율성을높인다. 본발명의탈질환원반응조의전극배치도는도 5에나타내었다. 이하, 본발명의이해를돕기위하여바람직한실시예를제시한다. 그러나하기의실시예는본발명을보다쉽게이해하기위하여제공되는것일뿐, 실시예에의해본발명의내용이한정되는것은아니다. 실시예 1 : 본발명의다중벽탄소나노튜브음극의전자방출에의한직접환원공정을이용한전기화학적폐수탈질방법 1. MWCNT 음극의제작 MWCNT를불용성티타늄판에코팅하여 MWCNT 음극을제작하였다. 구체적으로는, 티타늄판을표면조도가 50~75 μm되도록블라스팅한후, 상기블라스팅한티타늄판에폴리실록세인과 MWCNT의혼합용액을분사기로코팅하였다. 이때, 도막두께가 130~150μm되도록하였다. 그다음, 코팅된도막을 200~250 에서 6~8시간동안열처리하여 MWCNT 음극을제작하였다. 상기제작한 MWCNT 음극을환원반응조 ( 탈질반응조 ) 의전극으로사용하였다. 상기제작한 MWCNT 음극의전자주사현미경사진은도 6에나타내었다. 2. 폐수탈질방법산화반응조 ( 질산화반응조 ) 에폐수 20Lt를넣고, 암모니아수로서 NH 3 의함유량을 45mg /Lt로정량한다음공급 전력 [ 전류 : 10V/15A, 전류밀도 : 10.7mA/ cm2, 5.5ms 펄스 ] 을가하여 30분동안질산화반응을수행하였다. 질산 화반응후폐수내 NO 3 의함유량이 150mg /Lt가되도록하고, 이를환원반응조 ( 탈질반응조 ) 에넣고공급전력 [ 전류 : 10V/35A, 전류밀도 : 25mA/ cm2, 5.5ms 펄스 ] 과 EFE에의한공급전력 [ 전위차 30kV, 25mA, 5.5ms 구형파 ] 을가하여 30분동안탈질반응을수행하였다. 탈질후의폐수내총질소의농도를자외선흡광광도법으로측정하였다. 자외선흡광광도법은시료중의질소화합물을알카리성과황산칼륨의존재하에 120 에서질산성질소로산화시킨후자외선 220nm로질산성질소를측정하여총질소를정량하는방법이다. [0052] 결과는표 1 에나타내었다. [0053] 표 1 항목 폐수중초기 NO 3 농도탈질후의 NO3 농도 ( 최종농도 ) TN( 총질소 ) 150ppm 불검출 [0054] 표 1 에나타난바와같이, 초기 NO 3 농도가 150ppm 인폐수를본발명의전기화학적탈질방법으로처리하면 탈질후의 NO 3 농도 ( 최종농도 ) 가검출되지않음을확인하였다. 7
8 등록특허 [0055] [0056] 실시예 2 : 폐수탈질방법 상기실시예 1 에서폐수내 NH 3 의함유량을 90 mg /Lt 로정량하여질산화반응을수행한후 NO 3 의함유량이 300 mg /Lt 가되도록한것을제외하고는, 상기실시예 1 과동일하게하여탈질후의폐수내총질소의농도를측정하 였다. [0057] 결과는표 2 에나타내었다. [0058] 표 2 항목 폐수중초기 NO 3 농도탈질후의 NO3 농도 ( 최종농도 ) TN( 총질소 ) 300ppm 12.59ppm [0059] 표 2 에나타난바와같이, 초기 NO 3 농도가 300ppm 인폐수를본발명의전기화학적탈질방법으로처리하면 탈질후의 NO 3 농도 ( 최종농도 ) 가 12.59ppm 으로검출되었다. 따라서, 본발명의전기화학적폐수탈질방법은 폐수내고농도로함유되어있는질소화합물을적은에너지로신속하게처리할수있음을알수있다. [0060] 산업이용가능성본발명에따른다중벽탄소나노튜브 (MWCNT) 음극의전자방출에의한직접환원공정을이용한전기화학적폐수탈질방법은, 에너지원으로전기를사용하므로탈질의균일성과안정성을이룰수있으며, 온도및 ph에영향을받지않고, 슬러지발생량을최소화할수있으며, 폐수중의고농도질소화합물을적은에너지로신속하게처리할수있는효과가있다. [0061] [0062] [0063] [0064] [0065] [0066] [0067] [0068] [0069] [0070] [0071] [0072] [0073] [0074] [0075] [0076] 도면의간단한설명도 1은금속성반도체물질인 MWCNT 음극이전해액인폐수와접촉시구조를나타낸도이다. 도 2는 MWCNT 음극의부 () 전위분극시에너지밴드및전자방출에의한탈질메카니즘을개략적으로나타낸도이다 ( 복크리스데바나탄뮐러에의한전기이중층모형에의함 ). 도 3은본발명의탈질장치를개략적으로나타낸도이다. 도 4는직류 정류전류를펄스로전환하는펄스변환기의적분방전전기회로도이다. 도 5는본발명의환원반응조 ( 탈질반응조 ) 의전극배치도이다. 도 6은 MWCNT 음극의전자주사현미경사진이다. < 도면의주요부분에대한부호의설명 > 1. 불용성금속 2. MWCNT 3. 전해액폐수 4. 전도대 5. 페르미준위 6. 내부헬름홀츠층 7. 외부헬름홀츠층 8. 호핑전도 9. 직류정류기 10. GTO 싸이리스터 11. 펄스변환기 12. 전자방출디바이스 (EFE) 13. 산화반응조 ( 질산화반응조 ) 14. 환원반응조 ( 탈질반응조 ) 15. 양극 16. 음극 17. 분리격막 8
9 등록특허 도면 도면 1 도면 2 9
10 등록특허 도면 3 도면 4 10
11 등록특허 도면 5 도면 6 11
특허청구의 범위 청구항 1 복수개의 프리캐스트 콘크리트 부재(1)를 서로 결합하여 연속화시키는 구조로서, 삽입공이 형성되어 있고 상기 삽입공 내면에는 나사부가 형성되어 있는 너트형 고정부재(10)가, 상기 프리캐스 트 콘크리트 부재(1) 내에 내장되도록 배치되는 내부
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) E01D 19/12 (2006.01) E01D 2/00 (2006.01) E01D 21/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0036938 (22) 출원일자 2011년04월20일 심사청구일자 2011년04월20일 (65) 공개번호 10-2012-0119156
More information(72) 발명자 정종수 서울특별시 서대문구 모래내로 319, 101동 405호 (홍은동, 진흥아파트) 김정환 서울특별시 구로구 구로동로21길 7 (구로동) - 2 -
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) B01J 23/34 (2006.01) B01J 37/02 (2006.01) B01J 37/08 (2006.01) B01D 53/86 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-0098306 (22) 출원일자 2010년10월08일 심사청구일자 2010년10월08일
More information- 2 -
- 2 - - 3 - - 4 - - 5 - - 6 - - 7 - - 8 - - 9 - 가 ) 가 ) 가 ) 가 ) - 10 - - 11 - 길이 피시험기기 주전원 절연지지물 케이블지지용절연물 접지면 발생기 - 12 - 길이 가능한경우 절연지지물 절연지지물 접지면 전자계클램프 감결합장치 - 13 - - 14 - - 15 - - 16 - - 17 - - 18 -
More information유기 발광 다이오드의 전하주입 효율 향상을 통한 발광효율 향상 연구
- i - - ii - - iii - - iv - - v - - vi - 그림차례 - vii - - viii - - 1 - 5). - 2 - - 3 - 유기발광다이오드 ( 고분자또는저분자 ) 무기발광다이오드 (p-n junction LED) - + cathode ETL EML HTL HIL anode 발광 두께 : 100 ~ 200 nm 양극 ( 투명전극,
More information많이 이용하는 라면,햄버그,과자,탄산음료등은 무서운 병을 유발하고 비만의 원인 식품 이다. 8,등겨에 흘려 보낸 영양을 되 찾을 수 있다. 도정과정에서 등겨에 흘려 보낸 영양 많은 쌀눈과 쌀껍질의 영양을 등겨를 물에 우러나게하여 장시간 물에 담가 두어 영양을 되 찾는다
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개실용신안공보(U) A23L 1/307 (2006.01) C02F 1/68 (2006.01) (21) 출원번호 20-2011-0002850 (22) 출원일자 2011년04월05일 심사청구일자 2011년04월05일 (11) 공개번호 20-2011-0004312 (43) 공개일자 2011년05월03일
More information특허청구의범위청구항 1 물을여과하는필터부 ; 상기필터부에물을유동시키는정수관 ; 상기정수관에설치되고, 상기정수관의수류를이용하여전기를발생시키는발전모듈 ; 및상기정수관에배치되고, 상기발전모듈에서발생된전기가공급되고, 상기정수관을따라유동되는정수를전기분해하여살균하는살균모듈 ; 을
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) B01D 35/00 (2006.01) C02F 1/461 (2006.01) C02F 1/467 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0019000 (22) 출원일자 2009 년 03 월 05 일 심사청구일자 없음 전체청구항수 : 총 4 항 (54) 정수기 (11)
More information<3132BEC6BBEAC1F6BFAA2E687770>
아산지역부식지도 12-1. 수환경에대한채취및조사표 농촌 해안지방인아산지역의수도수, 하천수, 인공산성비, 해수등의 4가지환경에 서부식시험을수행하였다. 수도수및해수는충남아산시인주면에위치한아산만방조 제에서채취하였고, 하천수는아산시곡교천에서채취하였다. 인공산성비는주어진용액 조제방법을이용하여아산과가장근접한대전지역을중심으로 ph4.9의용액을조제하 여사용하였다. 각시험용액의채취날짜,
More information(52) CPC 특허분류 B01D 53/62 ( ) Y02C 10/10 ( ) (72) 발명자 이정현 대전광역시서구대덕대로 246 넥서스밸리 B 동 1417 호 박영철 대전광역시유성구반석동로 33 반석마을 5 단지아파트 505 동 201 호 이발명
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B01D 53/22 (2006.01) B01D 53/62 (2006.01) (52) CPC 특허분류 B01D 53/225 (2013.01) B01D 53/228 (2013.01) (21) 출원번호 10-2015-0076621 (22) 출원일자 2015 년
More informationMicrosoft PowerPoint - 9주차.pptx [읽기 전용]
환경화학 (Environmental Chemistry) 충북대학교환경공학과 담당교수 : 임동희교수, E8-10 동 803 호 E-mail: limkr@cbnu.ac.kr 충북대학교환경공학과환경화학 (Environmental Chemistry), 임동희 1 학습목표 6 장물오염물질과물오염 (On-line class: Ch.6-4) 중요개념정리 생물학적산소요구량
More information<5BB0EDB3ADB5B55D32303131B3E2B4EBBAF12DB0ED312D312DC1DFB0A32DC0B6C7D5B0FAC7D02D28312E28322920BAF2B9F0B0FA20BFF8C0DAC0C720C7FCBCBA2D3031292D3135B9AEC7D72E687770>
고1 융합 과학 2011년도 1학기 중간고사 대비 다음 글을 읽고 물음에 답하시오. 1 빅뱅 우주론에서 수소와 헬륨 의 형성에 대한 설명으로 옳은 것을 보기에서 모두 고른 것은? 4 서술형 다음 그림은 수소와 헬륨의 동위 원 소의 을 모형으로 나타낸 것이. 우주에서 생성된 수소와 헬륨 의 질량비 는 약 3:1 이. (+)전하를 띠는 양성자와 전기적 중성인 중성자
More information본 발명은 중공코어 프리캐스트 슬래브 및 그 시공방법에 관한 것으로, 자세하게는 중공코어로 형성된 프리캐스트 슬래브 에 온돌을 일체로 구성한 슬래브 구조 및 그 시공방법에 관한 것이다. 이를 위한 온돌 일체형 중공코어 프리캐스트 슬래브는, 공장에서 제작되는 중공코어 프
(51) Int. Cl. E04B 5/32 (2006.01) (19)대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2007년03월12일 10-0693122 2007년03월05일 (21) 출원번호 10-2006-0048965 (65) 공개번호 (22) 출원일자 2006년05월30일 (43) 공개일자 심사청구일자
More information이 발명을 지원한 국가연구개발사업 과제고유번호 A1100-0801-2739 부처명 지식경제부 연구관리전문기관 연구사업명 IT핵심기술개발 연구과제명 융합형 포털서비스를 위한 이용자 참여형 방송기술개발 기여율 주관기관 전자부품연구원 연구기간 2008년 03월 01일 ~ 2
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) G06Q 30/00 (2006.01) G06Q 50/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0133476 (22) 출원일자 2008년12월24일 심사청구일자 2008년12월24일 (65) 공개번호 10-2010-0074918 (43) 공개일자 2010년07월02일
More information탄소연속섬유복합체 제조기술 본분석물은교육과학기술부과학기술진흥기금을지원받아작성되었습니다.
탄소연속섬유복합체 제조기술 본분석물은교육과학기술부과학기술진흥기금을지원받아작성되었습니다. 머리말 제 1 장서론 1 제 2 장기술의개요 5 제 3 장기술동향분석 42 - i - 제 4 장탄소복합섬유시장전망 88 - ii - 제 5 장결론 107 참고문헌 111 표목차 - iii - 그림목차 - iv - - v - 1 서론 2 출처 : 한국섬유산업연합회, 최신섬유기술동향,
More information16<C624><D22C><ACFC><D0D0> <ACE0><B4F1><BB3C><B9AC><2160>_<BCF8><CC45>.pdf
I I 02 03 04 05 06 II 07 08 09 III 10 11 12 13 IV 14 15 16 17 18 a b c d 410 434 486 656 (nm) Structure 1 PLUS 1 1. 2. 2 (-) (+) (+)(-) 2 3. 3 S. T.E.P 1 S. T.E.P 2 ) 1 2 (m) 10-11 10-8 10-5 C 10-2 10
More information주지스님의 이 달의 법문 성철 큰스님 기념관 불사를 회향하면서 20여 년 전 성철 큰스님 사리탑을 건립하려고 중국 석굴답사 연구팀을 따라 중국 불교성지를 탐방하였습 니다. 대동의 운강석굴, 용문석굴, 공의석굴, 맥적산석 굴, 대족석굴, 티벳 라싸의 포탈라궁과 주변의 큰
불교학과반(1년 과정) 기초교리반(6개월 과정) 매주 화요일 저녁 7시 매주 목요일 오후 2시 / 저녁 7시 5월 5일 5월 12일 5월 19일 5월 26일 어린이날 휴강 인도불교사 2 / 이거룡 교수님 인도불교사 3 / 이거룡 교수님 중국불교사 1 / 이덕진 교수님 5월 7일 5월 14일 5월 21일 5월 28일 백련암 예불의식 및 기도법 / 총무스님 성철
More informationJournal of Life Science 2011, Vol. 21. No μ μ
Journal of Life Science 2011 Vol. 21. No. 8. 1120~1126 ISSN : 1225-9918 DOI : http://dx.doi.org/10.5352/jls.2011.21.8.1120 μ μ μ α β Journal of Life Science 2011, Vol. 21. No. 8 1121 μ μ 1122 생명과학회지 2011,
More information- 2 -
작품번호 37 Solar material 로쓰일수있는검정색물질의재발견! 출품분야학생부출품부문화학 2009. 5. 13 시 군 학교 ( 소속 ) 학년 ( 직위 ) 성 명 성남시풍생중학교 2 김호기, 이희원 지도교사풍생중학교교사김경원 - 1 - - 2 - - 3 - - 4 - - 5 - - 6 - - 7 - 석탄은주로탄소로구성되어있고, 수소와산소가들어있다. 이밖에질소
More information기술인 10월호b63뼉?일
www.keea.or.kr 10 2014 Vol. 386 CONTENTS OCTOBER 2014 02 09 12 14 16 28 32 36 40 42 44 50 52 56 56 64 2 Electric Engineers OCTOBER 3 4 Electric Engineers OCTOBER 5 6 Electric Engineers OCTOBER 7 8 Electric
More information특허청구의범위청구항 1 복수의영상검출부로부터출력되는영상의히스토그램 (histogram) 을계산하는단계 ; 상기복수의영상검출부로부터출력되는영상을히스토그램평활화 (histogram equalization) 하는단계 ; 상기복수의영상검출부중하나의영상검출부를선택하는단계 ; 및
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2014년12월18일 (11) 등록번호 10-1473415 (24) 등록일자 2014년12월10일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) G06T 5/40 (2006.01) H04N 5/217 (2011.01) (21) 출원번호 10-2012-0156871 (22) 출원일자 2012
More information2001/1학기 공학 물리 중간고사
2011/2 학기물리전자기말고사담당교수 : 김삼동 성명 학번 분반 e = 1.6 10-19 C, ε ox = 3.9, ε Si = 11.7,ε o = 8.85 10-14 F/cm 2, kt (300 K) = 0.0259 ev,, n i (Si, 300 K) =1.5x10 10 /cm 3 1. PN diode의 I-V 특성은아래의그림과같은거동을보인 (I) 다.
More information15<C624><D22C><C911><B4F1><ACFC><D559><2460>-2_<AD50><C0AC><C6A9><D2B9><BCC4><BD80><B85D>.pdf
Contents 02 08 32 01 04 1. 2. 3. 02 1. 2. 3. 1. 2. 3. 03 05 60 C 50 40 30 20 10 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1. 2. 3. 1. 2. 3. 4. 5. 02 43 06 08 80 C 60 40 20 0 5 1. 2. 3. 4. 1. 2. 3. 09 07 1. 2. 3. 4. 1. 2. 3.
More informationzb 3) zb 4) zb 5) zb 6) 다음 zb 7) 염화나트륨은 zb8) 다음 zb 9) 그림은원자 A 가이온으로변화된모습이다. 원자 A 에대한설명으로옳은것은? 중이온이만들어지는과정이바른것은? 고체상태에서는전류가흐르지않지만, 물에녹으면전류가잘흐른다. 그이유로가장
zb 1) zb 2) 2-3. 원자와이온 중 2 2-3-2. 이온의형성 (01) 이현주 (alisabet@zocbo.com) 콘텐츠산업진흥법시행령 제33조에의한표시 1) 제작연월일 : 2013-02-02 2) 제작자 : 교육지대 3) 이콘텐츠는 콘텐츠산업진흥법 에따라최초제작일부터 5년간보호됩니다. 콘텐츠산업진흥법 외에도 저작권법 에의하여보호되는콘텐츠의경우,
More informationMicrosoft Word - KSR2015A135
2015 년도한국철도학회추계학술대회논문집 KSR2015A135 PSCAD/EMTDC 를이용한직류전기철도급전계통모델링 Modeling for power feeding system of DC electric railway using the PSCAD/EMTDC 정현기 * Hyun-Ki Jung * 초록직류전기철도는 DC 1,500V 전차선로등급전계통에서단락또는지락사고발생시
More information(72) 발명자 나리사꼬 마꼬또 일본 후꾸이껭 쯔루가시 와까이즈미쪼 1반찌 제이 엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 쯔루가 고오죠오 내 나까무라 야스오 일본 후꾸이껭 쯔루가시 와까이즈미쪼 1반찌 제이 엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 쯔루가 고오죠오 내 야마오
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) H01M 10/54 (2006.01) H01M 10/0525 (2010.01) B09B 3/00 (2006.01) H01M 4/36 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0087017 (22) 출원일자 2011년08월30일 심사청구일자 2011년08월30일
More informationPowerPoint Presentation
전자회로 SEMICONDUCTOR P 1 @ INDEX 1. Conductors, Insulators, Semiconductors 2. Conduction in Semiconductors 3. The N-Type and P-Type Semiconductors 4. The PN Junction P 2 1.1 Conductors Insulators Semiconductors
More information한것으로스마트단말기에의하여드론조종앱을설치하는제 1 단계 ; 스마트단말기에의하여드론의불루투스통 신부에부여된고유식별번호를입력저장하고드론의불루투스를인식하며드론의블루투스통신부로부터회신되 는신호의수신레벨을분석하여최대통신거리를확인하여저장하는제 2 단계 ; 스마트단말기에의하여최대통
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B64C 13/20 (2006.01) B64C 39/02 (2006.01) G05D 1/00 (2006.01) H04M 1/725 (2006.01) (52) CPC 특허분류 B64C 13/20 (2013.01) B64C 39/024 (2013.01) (21)
More information<4D F736F F F696E74202D2035BBF3C6F2C7FC5FBCF8BCF6B9B0C1FA2E BC8A3C8AF20B8F0B5E55D>
5. 상평형 : 순수물질 이광남 5. 상평형 : 순수물질 상전이 phase transition 서론 ~ 조성의변화없는상변화 5. 상평형 : 순수물질 전이열역학 5. 안정성조건 G ng ng n G G 자발적변화 G < 0 G > G or 물질은가장낮은몰Gibbs 에너지를갖는상 가장안정한상 으로변화하려는경향 5. 상평형 : 순수물질 3 5. 압력에따른Gibbs
More information등록특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) G01R 29/08 ( ) (21) 출원번호 (22) 출원일자 2011 년 12 월 28 일 심사
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) G01R 29/08 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0144999 (22) 출원일자 2011 년 12 월 28 일 심사청구일자 2011 년 12 월 28 일 (65) 공개번호 10-2013-0076416 (43) 공개일자 2013 년 07
More information72 Chap 4 : Acids and Bases 4.1 Arrhenius acids and bases 4.2 Brϕnsted-Lowry acids and bases 4.3 Acid dissociation constants, pk a, and strengths of a
72 hap 4 : Acids and Bases 4.1 Arrhenius acids and bases 4.2 BrϕnstedLowry acids and bases 4.3 Acid dissociation constants, pk a, and strengths of acids and bases 4.4 The position of equilibrium in acidbase
More information36 Chap 20 : Conjugated Systems 20.1 Stability of Conjugated Dienes Diene : 2 개의 C=C 이중결합을가진화합물 C 1,4-Pentadiene 1,3-Pentadiene 1,2-Pentadiene (unconj
36 Chap 20 : Conjugated Systems 20.1 Stability of Conjugated Dienes Diene : 2 개의 C=C 이중결합을가진화합물 C 1,4-Pentadiene 1,3-Pentadiene 1,2-Pentadiene (unconjugated diene) (conjugated diene) (cumulated diene)
More information현대대학물리학 36(545~583p)
원자물리학 원서 38장 무엇을 배우는가 36.1 스펙트럼선 36.2 보어의 원자모형 보기문제 36.1 스펙트럼선 궤도각운동량의 양자화 36.3 보어 모형의 스펙트럼선 수소 전자의 파동함수 구형대칭 해 보기문제 36.2 수소 파동함수의 규격화 각운동량 36.4 완전해 다른 원자들 보기문제 36.3 헬륨 원자의 이온화에너지 36.5 엑스선 생성 레이저 유도방출과
More information제 11 장전자파해석
제 11 장전자파해석 11-1 개요 1) 전자파 - 전기및자기의흐름에서발생하는전자기에너지 - 전기장과자기장이반복하면서파도처럼퍼져나감 2) 맥스웰 - 전자파성질을분석할수있는기본방정식유도 - 전자파의파동성밝힘 - 전자파의속도 = 진공속에서광속, 빛도전자파의일종 3) 헤르쯔 (Hertz) - 전자파의존재사실을실험을통해검증 11-2 전류의자계현상 (1) 비오 - 사바르의법칙
More information- 1 -
- 1 - - 2 - - 3 - - 4 - 장비구성 : - 5 - - 6 - 치 - 7 - μ - 8 - - 9 - 고체흡착관의안정화방법및기기 (Tube conditioner) - 10 - - 11 - - 12 - - 13 - - 14 - - 15 - - 16 - - 17 - 전기냉각저온농축장치 (TD) GC/FPD - 18 - GC/FID Headspace
More information1127(¿¬·áÀüÁöÀÚµ¿Â÷°³¹ßÁ¤Ã¥).hwp
연료전지자동차의 구조 초기 연료전지 버스와 승용차 불소계이온교환막의 구조식 전해질막의 마이크로구조와 클러스터 구조 연료전지의 전극과 다공질탄소막 연료전지 셀 구조 연료전지 스택구조 고체고분자형 연료전지 스택재료비용(1 $ = 120
More information개인용전기자극기의 안전성및성능평가가이드라인
개인용전기자극기의 안전성및성능평가가이드라인 2014. 3 목 차 1 서론 - 1 - - 2 - - 3 - 2 개인용전기자극기개요 - 4 - - 5 - - 6 - - 7 - - 8 - - 9 - - 10 - 범례 해설: GZJ [통증완화용경피전기신경자극기]: 100개 IPF [재활치료용전동식근육자극기]: 92개 NGX [근육운동용전동식근육자극기]: 28개
More informationREVIEW CHART
Rev.6, 29. June 2015 보호및절연협조 2015. 06. 29 한국철도시설공단 REVIEW CHART 1 2 Ω 3 4 5 6 단락보호과전류방식 단락보호 지락보호비율차동방식 단락보호과전류방식 지락보호지락과전류 7 8 9 10 I inrush FLA 배at sec 11 12 I pickup Slope P I n 여기에서 I n 변류기 차정격전류
More information실용신안 등록청구의 범위 청구항 1 톤백마대가 설치될 수 있도록 일정간격을 두고 설치되는 한 쌍의 지지프레임과, 상기 지지프레임과 지지프레임의 상부를 서로 연결하는 한 쌍의 연결프레임과, 상기 연결프레임의 상부에 일정간격을 두고 다수 설치되어 상기 톤백마대와 그 투입구
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개실용신안공보(U) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) B65B 67/12 (2006.01) B65D 88/16 (2006.01) (21) 출원번호 20-2012-0003587 (22) 출원일자 2012년05월01일 심사청구일자 2012년05월01일 (11) 공개번호 20-2013-0006479 (43) 공개일자
More information특허청구의범위청구항 1 투입된음식물을분쇄하는분쇄기 ; 상기분쇄된음식물을가열할수있는마그네트론 ; 및탈취작용을하는저온촉매필터를포함하는음식물처리기에있어서, 상기마그네트론이상기저온촉매필터를일정온도로가열할수있는것을특징으로하는, 청구항 2 제 1 항에있어서, 상기음식물처리기는상기
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) F26B 3/347 (2006.01) F23G 5/00 (2006.01) B09B 3/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0104077 (22) 출원일자 2009 년 10 월 30 일 심사청구일자 (30) 우선권주장 없음 2020090010354 2009
More information특허청구의범위청구항 1 방열판 ; 상기방열판상부에형성된세라믹박막 ; 및상기세라믹박막상부에형성된회로패턴을포함하여이루어지는방열기판. 청구항 2 제1항에있어서, 상기방열판은 Al, Cu, Mo, W, Ti, Mg 중에서선택된어느하나의물질로이루어지는것을특징으로하는방열기판. 청
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) H01L 33/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0140279 (22) 출원일자 2007 년 12 월 28 일 심사청구일자 전체청구항수 : 총 10 항 2007 년 12 월 28 일 (54) 방열기판및이를구비한발광다이오드패키지 (11) 공개번호 10-2009-0072226
More information(71) 출원인 나혜원 대구 달서구 도원동 1438 대곡사계절타운 305-1502 나혜리 대구 달서구 도원동 1438 대곡사계절타운 305-1502 (72) 발명자 나혜원 대구 달서구 도원동 1438 대곡사계절타운 305-1502 나혜리 대구 달서구 도원동 1438 대
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) E02D 17/20 (2006.01) E02B 3/12 (2006.01) E02D 3/10 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0131302 (22) 출원일자 2008년12월22일 심사청구일자 전체 청구항 수 : 총 4 항 (54) 제직형 지오셀 2008년12월22일
More information산화와환원 1
산화와환원 1 Oxidation Reduction: The Transfer of Electrons Electrons from copper metal are transferred to silver ions. Silver metal is formed, and the solution turns blue from copper(ii) ions formed. 출처 1
More information(72) 발명자 권욱현 서울특별시관악구관악로 1, 서울대학교자동화연구소 133 동 306 호 ( 신림동 ) 신수용 서울특별시양천구목동동로 130, 목동아파트 동 1201 호 ( 신정동 ) 최재영 서울특별시관악구서림 11 길 23, 308 호 ( 신림동 ) 이
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) H04L 12/28 (2006.01) (21) 출원번호 10-2006-0016507 (22) 출원일자 2006 년 02 월 21 일 심사청구일자 2011 년 01 월 19 일 (65) 공개번호 10-2007-0083321 (43) 공개일자 2007 년 08
More information(72) 발명자 장종산 대전 중구 수침로 138, 103동 204호 (태평동, 유등 마을쌍용아파트) 박용기 대전 유성구 어은로 57, 119동 302호 (어은동, 한 빛아파트) 황동원 경기 안양시 만안구 양화로147번길 7, 102동 403호 (박달동, 박달동동원베네스
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (11) 공개번호 10-2015-0069268 (43) 공개일자 2015년06월23일 (51) 국제특허분류(Int. Cl.) B01J 20/10 (2006.01) B01D 53/62 (2006.01) B01J 20/282 (2006.01) (21) 출원번호 10-2013-0155502 (22) 출원일자
More information실험 5
실험. apacitor 및 Inductor 의특성 교류회로 apacitor 의 apacitance 측정 본실험에서는 capacitor를포함하는회로에교류 (A) 전원이연결되어있을때, 정상상태 (steady state) 에서 capacitor의전압과전류의관계를알아본다. apacitance의값이 인 capacitor의전류와전압의관계는다음식과같다. i dv = dt
More information(72) 발명자 서세욱 서울강남구논현동 강남하이츠 401 호 윤용준 서울영등포구당산동 5 가 41 반도보라빌 101 호 30 3 호 최진원 서울동대문구전농 3 동 SK 아파트 101 동 1504 호 이병석 경기수원시영통구매탄 4 동 1230 번지신원천주공아
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) C02F 3/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0003918 (22) 출원일자 2008 년 01 월 14 일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 KR100417761 B1 KR1020020080285 A JP05084490 A JP60150886 A
More information제목을 입력하십시오
포워드, 플라이백컨버터 Prof. ByoungKuk ee, Ph.D. Energy echaronics ab. chool of Informaion and Communicaion Eng. ungkyunkwan Universiy Tel: 823299458 Fax: 823299462 hp://seml.skku.ac.kr E: bkleeskku@skku.edu Forward
More informationMicrosoft PowerPoint - ch4note
강의개요 Chapter 4 Reactions in Aqueous Solution ( 수용액중의반응 ) 농도의종류와계산 수용액중의반응 Pb(NO 3 (aq) + 2KI (aq) HCl (aq) + NaOH (aq) Alka-Selter/Water Cu wire/ag(no 3 ) (aq) 침전반응산 - 염기중화반응기체생성반응산화환원반응 용액 (Solution)
More information(b) 미분기 (c) 적분기 그림 6.1. 연산증폭기연산응용회로
Lab. 1. I-V Characteristics of a Diode Lab. 6. 연산증폭기가산기, 미분기, 적분기회로 1. 실험목표 연산증폭기를이용한가산기, 미분기및적분기회로를구성, 측정및 평가해서연산증폭기연산응용회로를이해 2. 실험회로 A. 연산증폭기연산응용회로 (a) 가산기 (b) 미분기 (c) 적분기 그림 6.1. 연산증폭기연산응용회로 3. 실험장비및부품리스트
More information특허청구의 범위 청구항 1 도로, 주차장, 고가교량, 빌딩, 하폐수처리장의 배수부를 통해 유입되는 오염수를 수질정화시스템에 공급하는 오염수유입부와; 상기 오염수유입부에 연결되어 공급된 오염수 중에 함유된 비중 큰 토사류 및 고형물류와 입 자가 큰 협잡물, 각종 쓰레기
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) C02F 1/00 (2006.01) C02F 1/32 (2006.01) C02F 1/78 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0095616 (22) 출원일자 2008년09월29일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 KR100808388 B1 KR100773811
More information(72) 발명자 변영철 경상북도포항시남구중앙로 131 번길 22 ( 해도동 ) 장유미 경상북도포항시남구대이로 15 번길 5, 명기빌 50 1 호 ( 대잠동 ) - 2 -
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2013년04월17일 (11) 등록번호 10-1254969 (24) 등록일자 2013년04월10일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B01D 53/34 (2006.01) B01D 53/50 (2006.01) B01D 53/64 (2006.01) (73) 특허권자재단법인포항산업과학연구원경북포항시남구효자동산-32번지
More information특허청구의 범위 청구항 1 앵커(20)를 이용한 옹벽 시공에 사용되는 옹벽패널에 있어서, 단위패널형태의 판 형태로 구성되며, 내부 중앙부가 후방 하부를 향해 기울어지도록 돌출 형성되어, 전면이 오 목하게 들어가고 후면이 돌출된 결속부(11)를 형성하되, 이 결속부(11
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) E02D 29/02 (2006.01) E02D 17/20 (2006.01) E02B 3/14 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-0089517 (22) 출원일자 2010년09월13일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 JP2006037700 A* KR100920461
More information도 3 은 본 발명에 따른 제거수단을 보인 사시도 도 4 는 본 발명에 따른 제거수단의 해파필터와 카본필터의 구성을 보인 개략단면도 <도면의 주요부분에 대한 부호의 설명> (1) : 케이싱 (1a) : 천연음이온 도료 (2) : 제거수단 (3) : UV살균장치 (4)
(51) Int. Cl. 7 A61L 9/20 (19)대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2005년05월25일 10-0491080 2005년05월13일 (21) 출원번호 10-2004-0022173 (65) 공개번호 10-2004-0037034 (22) 출원일자 2004년03월31일 (43)
More information제 5 강. 도체계와정전용량 1
제 5 강. 도체계와정전용량 1 3 장도체계와정전용량 3-1 콘덴서 - 절연된도체에전하 Q 를주면그도체의전위는이전의전위보다 V 만큼증가 대전된도체의전하량이증가할수록도체의전위는높아지는데, 이는도체의형상, 크기, 배치상태, 매질의종류에따라결정 - 한개의고립된도체에전하 Q[C] 를주었을때의전위를 V[V] 라하면 Q 와 V 는비례하여 또는 (3-1) - 이비례상수
More information명세서청구범위청구항 1 갠트리의헤드로부터방사선을조사하는선형가속기에사용되고, 상기헤드에설치되고, 방사선이조사되는환자의치료중심을향해레이저를쏘고환자의체표면에서반사된레이저를감지하여환자의체표면까지의거리를측정하는레이저거리측정기 ; 상기레이저거리측정기의데이터를수신하여 SSD(sou
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) A61N 5/10 (2006.01) (21) 출원번호 10-2014-0107105 (22) 출원일자 2014 년 08 월 18 일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 JP2012024909 A* JP2012501792 A* US20100280374 A1
More information실험 5
실험. OP Amp 의기초회로 Inverting Amplifier OP amp 를이용한아래와같은 inverting amplifier 회로를고려해본다. ( 그림 ) Inverting amplifier 위의회로에서 OP amp의 입력단자는 + 입력단자와동일한그라운드전압, 즉 0V를유지한다. 또한 OP amp 입력단자로흘러들어가는전류는 0 이므로, 저항에흐르는전류는다음과같다.
More information1. REACTOR TAP 90% 로변경, 제작공급한사유 - 고객요청사항은 REACTOR 80% 운전기준임. - 삼성테크윈에서사용하는표준 REACTOR 사양은 80%, 75%, 70% 로 STARTER 도면은표준사양으로제출됨. - 동프로젝트용모터사양서 / 성적서확인결과
1. REACTOR TAP 90% 로변경, 제작공급한사유 - 고객요청사항은 REACTOR 80% 운전기준임. - 삼성테크윈에서사용하는표준 REACTOR 사양은 80%, 75%, 70% 로 STARTER 도면은표준사양으로제출됨. - 동프로젝트용모터사양서 / 성적서확인결과기동전류가 400% 이하로표준모터의 650% 대비상당히낮은기동특성을가지고있어, 압축기운용시기동시간등을감안하여
More information사진 24 _ 종루지 전경(서북에서) 사진 25 _ 종루지 남측기단(동에서) 사진 26 _ 종루지 북측기단(서에서) 사진 27 _ 종루지 1차 건물지 초석 적심석 사진 28 _ 종루지 중심 방형적심 유 사진 29 _ 종루지 동측 계단석 <경루지> 위 치 탑지의 남북중심
하 출 입 시 설 형태 및 특징 제2차 시기 : 건물 4면 중앙에 각각 1개소씩 존재 - 남, 서, 북면의 기단 중앙에서는 계단지의 흔적이 뚜렷이 나타났으며 전면과 측면의 중앙칸에 위치 - 동서 기단 중앙에서는 계단 유인 계단우석( 階 段 隅 石 ) 받침지대석이 발견 - 계단너비는 동측면에서 발견된 계단우석 지대석의 크기와 위치를 근거로 약 2.06m - 면석과
More information서 인코딩한 데이터를 무선으로 송신하기 위한 무선 송신 수단; 및 통화중 상기 입력 수단으로부터의 음원 데이터 전송신 호에 따라 상기 저장 수단에 저장되어 있는 해당 음원 데이터를 상기 디코딩 수단에 의해 디코딩하고, 상기 디코딩한 음원 데이터와 상기 입력 수단을 통해
(51) Int. Cl. H04B 1/40 (2006.01) (19)대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2006년11월23일 10-0646983 2006년11월09일 (21) 출원번호 10-2004-0053063 (65) 공개번호 10-2006-0004082 (22) 출원일자 2004년07월08일
More information이발명을지원한국가연구개발사업 과제고유번호 부처명 미래창조부 연구관리전문기관 한국산업기술평가관리원 연구사업명 산업융합원천기술개발 연구과제명 단일노드 48TB 이상을지원하는개방형하둡스토리지어플라이언스 (Hadoop Storage Appliance) 개발 기
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2015년12월03일 (11) 등록번호 10-1573375 (24) 등록일자 2015년11월25일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) G06F 12/08 (2006.01) (21) 출원번호 10-2013-0131411 (22) 출원일자 2013 년 10 월 31 일 심사청구일자
More information특허청구의 범위 청구항 1 일반전화를 이용한 위험 알림시스템 및 실시간 영상전송 장치에서 CID(콜백넘버) 장치를 포함한 서버 및 그 장 비를 포함하며, 영상서버와 연동한 형태를 상황실에 전송하여 출동하는 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 일반전화를 이용한 위험 알
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (11) 공개번호 10-2014-0008486 (43) 공개일자 2014년01월21일 (51) 국제특허분류(Int. Cl.) G08B 25/08 (2014.01) G08B 21/02 (2006.01) G08B 13/196 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0075069 (22) 출원일자
More information- 1 - - 2 - - 3 - - 4 - - 5 - 회수국 회수전지 회수책임 경비 처리 (90,91 자료 ) 재활용계획 오스트리아 모든전지 전지회사 $ 0.8/ kg 90 : 동독매립지 91 : 저장 아연정련회사일정등투자경비미정 노르웨이 지자체 $ 0.5/ 전지 - - 스웨덴 지차제 $ 4 kg / 버튼 Ni-Cd 전지 저장 / 매립 - 스위스 전지회사 $
More informationpart3[11-15장].hwp
실험 11. 폐로전류 방정식 1. 실험 목적 1) 폐로전류 방정식에 대한 개념을 이해한다. 2) 실험을 통하여 폐로전류 방정식에 의한 계산 결과를 확인한다. 3) 이론에 의한 계산값과 컴퓨터 시뮬레이션 결과 그리고 실험에 의한 측정 결과값을 상호 비교 검토한다. 2. 관련 이론 회로가 여러개의 전원 및 저항소자에 의한 폐회로로 구성이 될 때, 각 저항소 자에
More information(72) 발명자 김도규 서울특별시성북구장위 3 동 박준일 서울특별시강서구등촌동 서광아파트 103 동 803 호 유형규 경기도광명시광명 4 동한진아파트 101 동 1801 호 - 2 -
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) F25B 30/06 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0088941 (22) 출원일자 2008 년 09 월 09 일 심사청구일자 전체청구항수 : 총 7 항 2008 년 09 월 09 일 (54) 지중열교환기의공급파이프 (11) 공개번호 10-2010-0030143
More information이 발명을 지원한 국가연구개발사업 과제고유번호 08921-01304 부처명 방송통신위원회 연구사업명 방송통신기술개발사업 연구과제명 안전한 전자파환경 조성 주관기관 한국전자통신연구원 연구기간 2008.01.01 ~ 2012.12.31-2 -
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) H05K 9/00 (2006.01) H04B 1/38 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0134285 (22) 출원일자 2011년12월14일 심사청구일자 없음 기술이전 희망 : 기술양도, 실시권허여, 기술지도 전체 청구항 수 : 총 1 항 (54)
More information최민지 / 세계무역기구과 / :16:24-2 -
- 2 - - 3 - - 4 - - 5 - - 6 - - 7 - - 8 - - 9 - - 10 - - 11 - - 12 - - 13 - - 14 - - 15 - - 16 - - 17 - - 18 - 안식향산안식향산나트륨안식향산칼륨안식향산칼슘 파라옥시안식향산메틸파라옥시안식향산에틸 0.6 이하 ( 안식향산으로서, 파라옥시안식향산에틸또는파라옥시안식향산메틸과병용할때에는안식향산으로서사용량과파라옥시안식향산으로서사용량의합계가
More informationMicrosoft PowerPoint - (공개)의료기기제작1-3.ppt [호환 모드]
의료기기제작실습 II 이름 : 이기영 (Lee, Ki Young) 전공 : 의공학 (Medical Engineering) 연구실 : 강릉캠퍼스 50주년기념관 514호이메일 : kylee@kd.ac.kr 학과홈 : http://cms.kd.ac.kr/user/bme/index.html 1 수업계획서 1주 필터회로의분석 2주 필터회로의구현 3주 반전 / 비반전증폭기
More information<3130BAB9BDC428BCF6C1A4292E687770>
檀 國 大 學 校 第 二 十 八 回 학 술 발 표 第 二 十 九 回 특 별 전 경기도 파주 出 土 성주이씨( 星 州 李 氏 ) 형보( 衡 輔 )의 부인 해평윤씨( 海 平 尹 氏 1660~1701) 服 飾 학술발표:2010. 11. 5(금) 13:00 ~ 17:30 단국대학교 인문관 소극장(210호) 특 별 전:2010. 11. 5(금) ~ 2010. 11.
More information항은 발명의 상세한 설명에는 그 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자 (이하 통상의 기술자 라고 한다)가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 그 발명의 목적 구성 및 효과를 기재하여야 한다고 규정하고 있다. 이는 특허출원된 발명의 내용을 제 3자가 명세서만으로
대 법 원 제 2 부 판 결 사 건 2013후518 권리범위확인(특) 원고, 상고인 코오롱인더스트리 주식회사 소송대리인 변리사 경진영 외 2인 피고, 피상고인 토요보 가부시키가이샤(변경 전: 토요 보세키 가부시키가이샤) 소송대리인 변호사 박성수 외 4인 원 심 판 결 특허법원 2013. 1. 25. 선고 2012허6700 판결 판 결 선 고 2015. 9.
More informationBS-K1217-M□□-3012_ProductGuide_KR_PDF
READER/WRITER MADE IN JAPAN System [ASLINK ] S-K1217-M-3012..,.,....,,. S-K1217-M08-3012 S-K1217-M12-3012 S-K1217-M18-3012 S-K1217-M30-3012 2() () / 1 2 1 DC..,,.,,,..,....... ' ARW-04 (Ver.04-1.01 ),
More information<C4A3C8AFB0E6B3F3C0DAC0E7C0DAB0A1C1A6C1B6B9FD2831292DC4AEBDB72DB7F9C1BEBFF82E687770>
친환경농자재 자가제조 기술(1) - 칼슘 강원마이스트대학 원주캠퍼스 강사: 상지대 교수 류종원 Ⅰ. 서 언 토양 중에는 적어도 천개가 넘는 원소들이 존재하고 있으나 그 화학적 특 성에 의하여 복잡한 생물학적인 작용을 한다. 그러나 작물체의 구성 원소들 은 몇몇에 불과하다. 각각의 무기원소들은 작물체에서 대사작용을 하여 각자 의 독특하고 필수적인 역할을 한다.
More information도 1 특허청구의범위 청구항 1. 자성금속박막을형성하는단계 ; 상기자성금속박막위에알루미늄을증착하는단계 ; 증착된상기알루미늄위에자성금속을증착하여알루미나이드박막을형성하는단계 ; 그리고 상기알루미나이드박막위에자성금속박막을증착하는단계로이루어지고, 상기자성금속은 Co, Fe 및
(51) Int. Cl. G11B 5/31 (2006.01) (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2007 년 05 월 09 일 10-0716104 2007 년 05 월 02 일 (21) 출원번호 10-2003-0075402 (65) 공개번호 10-2005-0040248 (22)
More information연구팀은리튬이온배터리의새로운전극재료로써황 - 금속 ( 몰리브데늄 ) 화 합물에주목하고이를이용해현재의리튬이온배터리의양극재보다무게당 용량이최대 6 배향상되고 ( 에너지밀도 3 배 ) 충 방전 2,500 회동안초기성능 의 90% 이상유지할수있는새로운실시간전기화학적처리를개발하
GIST( 광주과학기술원 ) 보도자료 http://www.gist.ac.kr 보도일시배포즉시보도부탁드립니다. 보도자료 담당 대외협력팀김미연팀장 062-715-2020 / 010-5302-3620 대외협력팀이나영행정원 062-715-2024 / 010-2008-2809 자료문의신소재공학부엄광섭교수 062-715-2313 전기차주행거리 3 배늘릴리튬이온배터리개발
More informationMicrosoft PowerPoint - 27-Circuits.ppt
27. 회로 (circuits) 기전력 - Electromotive fore (emf) Kirchhoff 법칙 Loop ule (Energy is conserved) Junction ule (Chrge is conserved) ΔV closed i 저항연결 (esistors in Series & Prllel) 지난시간에 전류밀도 (J) 전기저항 (resistnce)
More information[ 화학 ] 과학고 R&E 결과보고서 나노입자의표면증강을이용한 태양전지의효율증가 연구기간 : ~ 연구책임자 : 김주래 ( 서울과학고물리화학과 ) 지도교사 : 참여학생 : 원승환 ( 서울과학고 2학년 ) 이윤재 ( 서울과학고 2학년 ) 임종
[ 화학 ] 과학고 R&E 결과보고서 나노입자의표면증강을이용한 태양전지의효율증가 연구기간 : 2013. 3 ~ 2013. 12 연구책임자 : 김주래 ( 서울과학고물리화학과 ) 지도교사 : 참여학생 : 원승환 ( 서울과학고 2학년 ) 이윤재 ( 서울과학고 2학년 ) 임종찬 ( 서울과학고 2학년 ) 소재원 ( 서울과학고 2학년 ) 1,.,.,.... surface
More information제목을 입력하십시오
위상제어정류기 Prf. ByungKuk Lee, Ph.D. Energy Mechatrnics Lab. Schl f Infrmatin and Cmmunicatin Eng. Sungkyunkwan University Tel: 8212994581 Fax: 8212994612 http://seml.skku.ac.kr EML: bkleeskku@skku.edu 위상제어정류회로
More information.4 편파 편파 전파방향에수직인평면의주어진점에서시간의함수로 벡터의모양과궤적을나타냄. 편파상태 polriion s 타원편파 llipill polrid: 가장일반적인경우 의궤적은타원 원형편파 irulr polrid 선형편파 linr polrid k k 복소량 편파는 와 의
lrognis II 전자기학 제 장 : 전자파의전파 Prof. Young Cul L 초고주파시스템집적연구실 Advnd RF Ss Ingrion ARSI Lb p://s.u..kr/iuniv/usr/rfsil/ Advnd RF Ss Ingrion ARSI Lb. Young Cul L .4 편파 편파 전파방향에수직인평면의주어진점에서시간의함수로 벡터의모양과궤적을나타냄.
More information?.,,,.. / OSHA( ) NFPA( ) ANSI/ISA( / ) TIA( ) IEC( ) CENELEC( ) IEEE( ).....?,,.. Fluke 160- FC %.,? NEC( ) 100 " / ". ( )....,,,, EMI, RFI.
, ?.,,,.. / OSHA( ) NFPA( ) ANSI/ISA( / ) TIA( ) IEC( ) CENELEC( ) IEEE( ).....?,,.. Fluke 160- FC.. 1 1. 0%.,? NEC( ) 100 " / ". ( )....,,,, EMI, RFI. . 0.. NFPA IEEE 5.0. NEC " NEC 50.56 5. 5.0.".?.??
More informationºÐ¸»¾ß±Ýȸº¸%1ȱÇ
KOREAN POWDER METALLURGY INSTITUTE I www.kpmi.or.kr ö ä, 기업소개 김덕주 새로운 미래를 열어가는 선도 기업 대광소결금속(주) 김덕주(대광소결금속(주)/대표이사) 1. 회사소개 대광소결금속은 1997년도 창립하여 지금까지 분말야 금만 매진해온 기업이다. 창립 당시 IMF 라는 혹독한 기업환경에서도
More information특허청구의범위청구항 1 반도체층 ; 상기반도체층위에형성된전도성질화물로이루어진사이층 ; 및상기전도성질화물사이층위에형성되며, 상기전도성질화물사이층을통해상기반도체층에스핀을주입하는, 강자성재료로이루어진스핀주입전극층 ; 을포함하여이루어지며, 상기반도체층과상기전도성질화물사이층의계
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H01L 27/105 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0070334( 분할 ) (22) 출원일자 2008 년 07 월 18 일 심사청구일자 2008 년 07 월 18 일 (65) 공개번호 10-2008-0070806 (43) 공개일자 2008 년 07 월
More informationKAERIAR hwp
- i - - ii - - iii - - iv - - v - - vi - Photograph of miniature SiC p-n and Schottky diode detector Photograph SiC chip mounted on a standard electrical package Photograph of SiC neutron detector with
More information(72) 발명자 강문진 경기 고양시 일산구 일산3동 후곡마을 영풍한진 201-203 김정한 서울 서초구 방배4동 847-34 - 2 -
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) B23K 9/133 (2006.01) B23K 9/28 (2006.01) B23K 9/26 (2006.01) (21) 출원번호 10-2006-0133016 (22) 출원일자 2006년12월22일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 2006년12월22일 (45) 공고일자 2007년10월26일
More information. 0.. Planck : sec : sec : : m in radian m in ln sec 심장 발 기압
. 0.. Planck : sec : sec : : sec sec A . 0.. Planck : sec : sec : : m in radian m in ln sec 심장 발 기압 . 0. sec π . 0.. Planck : sec : sec : : sec sec sec sec . 0.. Planck : sec : sec : : m p = 1u=931.5 MeV
More information저작자표시 - 비영리 - 변경금지 2.0 대한민국 이용자는아래의조건을따르는경우에한하여자유롭게 이저작물을복제, 배포, 전송, 전시, 공연및방송할수있습니다. 다음과같은조건을따라야합니다 : 저작자표시. 귀하는원저작자를표시하여야합니다. 비영리. 귀하는이저작물을영리목적으로이용할수없습니다. 변경금지. 귀하는이저작물을개작, 변형또는가공할수없습니다. 귀하는, 이저작물의재이용이나배포의경우,
More information레이아웃 1
2013 울산학연구논총 ISSN 1979-9355 제 8호 Part.1 Part.2 Part.3 Part.4 울산의 공단 인접지역 자연마을의 변화상 - 울주군 청량면 화창마을을 중심으로 - 울산의 민속놀이 실태조사 울산광역시 지하보도, 문화창작공간으로서의 활용방안 연구 - 지하보도 문화와 예술을 입고 소통의 길을 찾다 - 울주 사찰 문헌자료의 조사연구 2013
More information계단을 오르내리는 행위 쪼그려 앉기( 쪼그려 뛰기) 양반다리로 앉기 이러한 무릎에 무리를 주는 운동으로 무릎의 통증이 있는 경우 추천되어지는 운동치료방법은 목욕탕 안에서 평지를 걷는 것 3바퀴 정도 걷는 것 수영장에서 물 속에서 걷는 것 자전거타기 의자에 앉은 채 무릎
1. 운동, 잘하면 유익, 잘못하면 유해! 운동선수나 의사는 그 직업이 운동을 하고, 건강에 대해 잘 아는 사람이긴 하지만, 오래 사는 것과는 결코 무관하다. 오히려, 서울대 병원장이 암전문의였는데, 암에 걸리고, 우리가 잘 아는 복서인 무하마 드 알리는 파킨슨씨병으로 고생을 하고 있다. 그것 말고도 운동선수들은 오히려 부상도 많고, 뒤 늦게 여러 가지 병을
More information포천시시설관리공단 내규 제 24호 포천시시설관리공단 인사규정 시행내규 일부개정(안) 포천시시설관리공단 인사규정 시행내규 일부를 다음과 같이 개정 한다. 제17조(기간제근로자의 무기계약직 임용) 1 기간제근로자 관리규정 제16조 를 제19조 로 한다. 제20조(인사기록)
포천시시설관리공단 인사규정 시행내규 개정이유 및 주요내용 개정구분 :일부개정 개정이유 조항에 대한 오류 수정 및 근무성적평정 작성 기준 변경사항을 적용하여 인사관리 업무에 만전을 기하고자함 주요내용 신 구조문 대비표 참조 개정 규정안 :덧붙임 신 구조문 대비표 :덧붙임 그 밖에 참고사항 :덧붙임 포천시시설관리공단 인사규정시행내규(전문) 포천시시설관리공단 내규
More informationMicrosoft PowerPoint - Reference list for De-NOx system(Korean)-Blue Bird ( ).ppt [호환 모드]
SCR SYSTEM 질소산화물제거시스템 (SCR SYSTEM) REFERENCE LIST De-NO X TECHNOLOGY 질소산화물제거기술 (SCR SYSTEM) NO 1 2 PROJECT KO1 C/R EP & De-NOx System 제작및설치 KO2 C/R EP & De-NOx System 제작및설치공사 VOLUME (Nm 3 /hr) SITE 발주처년도적용처
More information특허청구의범위청구항 1 화재감시시스템에있어서, 상용전원 (AC 200V) 과수소전지나리듐이온배터리를예비전원으로함께사용하는전원부 (1) 와 ; 유선감지기 (7) 의경우저항을거쳐온 DC 24V 전압및전류를이용하여포토커플러 PC-1의출력 LOW 또는 HIGH의변화로단선유무를
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2010년03월23일 (11) 등록번호 10-0949176 (24) 등록일자 2010년03월16일 (51) Int. Cl. G08B 25/00 (2006.01) G08B 25/10 (2006.01) G08B 17/06 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0058586
More information물 1 리터당 5 내지 200g/l 의농도를갖는크롬화물및물 1 리터당 30 내지 200 ml /l 의농도를갖는불화물을포함하는, 금속소재에도금된주석또는주석합금의박리조성물. 청구항 2. 제 1 항에있어서, 상기금속소재는구리또는구리합금소재인것을특징으로하는주석또는주석합금의박리
(51) Int. Cl. C23F 1/26 (2006.01) C23F 1/16 (2006.01) (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2007 년 04 월 24 일 10-0710481 2007 년 04 월 16 일 (21) 출원번호 10-2004-0068850 (65) 공개번호 10-2006-0020100
More information특허청구의범위청구항 1 반도체층 ; 상기반도체층위에형성된전도성질화물로이루어진사이층 ; 및상기전도성질화물사이층위에형성되며, 상기전도성질화물사이층을통해상기반도체층에스핀을주입하는, 강자성재료로이루어진스핀주입전극층 ; 을포함하여이루어지며, 상기전도성질화물사이층에전이금속이 1
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H01L 27/105 (2006.01) (21) 출원번호 10-2006-0128886 (22) 출원일자 2006 년 12 월 15 일 심사청구일자 2006 년 12 월 15 일 (65) 공개번호 10-2008-0055492 (43) 공개일자 2008 년 06 월 19 일
More information7.3 Ampee 의주회법칙 Mwell 방정식 Ampee 의주회법칙 Ampee 의주회법칙은폐경로의주변을따른 의접선성분에대한선적분은폐경로에의해둘러싸이는순전류 enc 와같다. 즉 의회전은 enc 와같다. dl enc Ampee 의법칙의적분형 Ampee 의주회법칙유도 enc
Electomgnetics 전자기학 제 7 장 : 정자기장 Po. Young Chul ee 초고주파시스템집적연구실 Advnced F stem ntegtion A http://cms.mmu.c.k/wiuniv/use/f/ Advnced F stem ntegtion A. Young Chul ee 7.3 Ampee 의주회법칙 Mwell 방정식 Ampee 의주회법칙
More information(72) 발명자 이승원 강원도 고성군 죽왕면 오호리 245-7 정동호 강원도 고성군 죽왕면 오호리 245-7 이호생 강원도 고성군 죽왕면 오호리 245-7 이 발명을 지원한 국가연구개발사업 과제고유번호 PMS235A 부처명 국토해양부 연구사업명 해양자원개발 연구과제명
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) C02F 1/26 (2006.01) C02F 1/461 (2006.01) C02F 1/66 (2006.01) B01D 21/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010057345 (22) 출원일자 2012년05월30일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌
More information<4D F736F F F696E74202D FC0FCB7F9BFCD20C1F7B7F920B9D720B1B3B7F920C8B8B7CE28BCF6BEF7BFEB29205BC8A3C8AF20B8F0B5E55D>
제 장전류와직류회로 제 장전류와직류회로. 전류. 저항과옴의법칙. 초전도체.4 전기전도모형.5 전기회로에서에너지와전력.6 기전력원.7 저항기의직렬연결과병렬연결.8 키르히호프의법칙.9 C 회로.0 연결주제 : 도체로서의대기 . 전류 Electric Current 전류 (current): 주어진단면을통과하는전하량의흐름률즉, 단위시간당알짜전하량의변화 Q t ( 단위
More information(72) 발명자 오인환 서울 노원구 중계로 195, 101동 803호 (중계동, 신 안동진아파트) 서혜리 서울 종로구 평창14길 23, (평창동) 한훈식 서울 강남구 언주로71길 25-5, 301호 (역삼동, 영 훈하이츠) 이 발명을 지원한 국가연구개발사업 과제고유번호
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 2014년04월14일 (11) 등록번호 10-1384704 (24) 등록일자 2014년04월07일 (51) 국제특허분류(Int. Cl.) F16L 9/18 (2006.01) F17D 1/00 (2006.01) F16L 3/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0113933
More information(72) 발명자 박세웅 서울특별시관악구신림동산 56-1 서울대학교뉴미디어통신공동연구소 최진구 서울특별시영등포구당산동 2 가대우메종아파트 101 동 909 호 - 2 -
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H04B 7/26 (2006.01) H04B 7/155 (2006.01) H04Q 7/30 (2006.01) H04Q 7/20 (2006.01) (21) 출원번호 10-2006-0085572 (22) 출원일자 2006 년 09 월 06 일 심사청구일자 2006 년 09 월
More information전류 전류 (electric current) 란, 전하를띤입자의흐름 ; 단위시간당흐르는전하의양 전도전류 (conduction current): 전하를띤입자자체가이동 - 일반적인의미에서의전류 - 화학반응에서의양이온 / 음이온, 반도체에서의전자 / 정공 (hole), 금속
전하와전기장 전위와축전기 정전류 정전류에의한자기장 이장에서는... 1. 전류와전류밀도 2. Ohm 의법칙 3. 전기전도도 : Drude model 4. 저항의연결 5. Kirchhoff 의법칙 6. R-C 직류회로 1/14 http://phys.cau.ac.kr/w/jtseo 전류 전류 (electric current) 란, 전하를띤입자의흐름 ; 단위시간당흐르는전하의양
More information등록특허 (51) Int. Cl. C02F 1/46 ( ) (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2007 년 01 월 03 일 년
(51) Int. Cl. C02F 1/46 (2006.01) (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2007 년 01 월 03 일 10-0664749 2006 년 12 월 27 일 (21) 출원번호 10-2005-0055255 (65) 공개번호 10-2006-0135353 (22)
More information表紙(化学)
수험 번호 성 명 2013년 일본 공과대학 학부 유학생 파견 선발 시험 화 학 (90분 100점) 주 의 1 시험시작의 지시가 있을 때까지 열지 마시오. 2 해답은 해답용지의 지정된 난 안에 알아보기 쉽게 기입하시오. 3 해답에 한글이 포함되면 채점되지 않습니다. 필요한 경우, 아래의 값을 사용하시오. 원자량 H 1.0, C 12, N 14, O 16, Cu
More information지도서 14단원
14-1 14-2 14-3 14-4 14-1 14-2 14-2 14-3 14-3 14-4 14-1 Zn ± Zn ± 14-2 (-) (+) H H± H± H± H± W W e s 14-2 (+) (-) 1 S E B m 0 VIR V R I V I R DQ NqLDa DI NqLDa Dt Dt Da INqva q N PVI W P t PFv 14-3 F qe
More information산화환원정리 ( 교육청포함 ) 1] ] ] ]
산화환원 Final 정리 2012.7-2014.9. 평가원기출문제 & 2013.3.-2014.7 교육청문제 개정후산화환원문제는그렇게어렵게는출제되지않고있다. 그유형을보면산화수계산 산화제와환원제, 산화환원반응의구별간단한산화환원반응식의완결 계수맞추기금속과금속이온의반응성에서이온수의변화와금속의반응성간단한전기분해산화환원반응에서정량적인문제 계수확인필요하다. 은이온과 Al
More information