제 7 장. /S 에필요한내용 1] IGBT 취급시주의사항 ) IGBT 취급시주의 1) 운반도중에는 Carbon Cross로 G-E를단락시킵니다. 2) 정전기가발생할수있으므로손으로 G-E 및주단자를만지지마십시요. 3) G-E 단자를개방시킨상태에서직류전원을인가하지마십시요. (IGBT 파손됨 ) 4) IGBT 조립시에는사용기기나인체를접지시키십시요. G2 E2 E1 G1 C1 Carbon Cross ( 저항성분이있음 ) E2 C2E1 B) IGBT 체크 DM 또는아날로그테스터로 IGBT 불량을판별할때는계측기내부전압이 2dc 미만의것을사용해야합니다. IGBT의점검은저항모드와다이오드모드로 G(gate), C(collector), E(emitter) 의세단자를체크하여이상유무를확인합니다. 게이트드라이브의시그널선은오픈시켜게이트드라이버구동회로상의임피던스가나타나지않는상태에서측정해야하므로시그널은제거합니다.
제 7 장. /S 에필요한내용 2] IGBT 양 / 부판별법 (DIODE 측정모드 ) ) IGBT(DUL-TYPE) 는두개의 IGBT가하나의모듈로구성되어있으며각각의 IGBT에는 Free Wheel Diode/FWD( 환류다이오드 ) 가등가회로와같이병렬로구성되어있습니다. 보통 IGBT가파손되면, FWD도함께파손되므로 FWD 체크로간단하게 IGBT 양 / 부를판별할수있습니다. C2 E1 C1 E2 G1 E1 G2 E2 B) 양 / 부판별을하고자하는 IGBT 를아래그림과같이놓고, DM 을 DIODE 측정 모드로설정합니다. MIN MX RNGE m m IEW MEM (Push) 1 MX 1 CT Ⅲ 1
제 7 장. /S 에필요한내용 2] IGBT 양 / 부판별법 (DIODE 측정모드 ) C) 아래그림과같이 C1-E1 의 DIODE 값을정극성으로측정하십시요. 정상인제품은약.3 정도측정되며, 불량품은 OL( ) 이측정됩니다. MIN MX m RNGE m IEW MEM 1 MX 1 CT Ⅲ 1 D) 아래그림과같이 C1-E1 의 DIODE 값을역극성으로측정하십시요. 정상인제품은 OL( ) 이측정되며, 불량품은단락전압 가측정됩니다. MIN MX m RNGE m IEW MEM 1 MX 1 CT Ⅲ 1
제 7 장. /S 에필요한내용 2] IGBT 양 / 부판별법 (DIODE 측정모드 ) E) 아래그림과같이 C2-E2 의 DIODE 값을정극성으로측정하십시요. 정상인제품은약.3 측정되며, 불량품은단락전압 가측정됩니다. MIN MX RNGE m m IEW MEM 1 MX 1 CT Ⅲ 1 F) 아래그림과같이 C2-E2 의 DIODE 값을역극성으로측정하십시요. 정상인제품은 OL( ) 이측정되며, 불량품은단락전압 가측정됩니다. MIN MX RNGE m m IEW MEM 1 MX 1 CT Ⅲ 1
제 7 장. /S 에필요한내용 2] IGBT 양 / 부판별법 (DIODE 측정모드 ) G) 아래그림과같이 C1-E2 의 DIODE 값을정극성으로측정하십시요. 정상인제품은약.7 측정되며, 불량품은단락전압 가측정됩니다. MIN MX m RNGE m IEW MEM 1 MX 1 CT Ⅲ 1 H) 아래그림과같이 C1-E2 의 DIODE 값을역극성으로측정하십시요. 정상인제품은 OL( ) 이측정되며, 불량품은단락전압 가측정됩니다. MIN MX m RNGE m IEW MEM 1 MX 1 CT Ⅲ 1
제 7 장. /S 에필요한내용 3] IGBT 양 / 부판별법 ( 저항측정모드 ) I) DM 을저항측정모드로설정합니다. UTO M MIN MX RNGE m m IEW MEM 1 MX 1 CT Ⅲ 1 J) 아래그림과같이 G-E 의저항값을측정하십시요. 정상인제품은 R GE 값 (47K) 이측정되며, 불량품은단락이나 OL( ) 이측정됩니다. K K UTO MIN MX RNGE m m IEW MEM 1 MX 1 CT Ⅲ 1
제 7 장. /S 에필요한내용 3] IGBT 양 / 부판별법 ( 저항측정모드 ) K) 아래그림과같이 ZENER DIODE 의저항값을정극성으로측정하십시요. 정상인제품은약 4M 이측정되며, 불량품은단락이나 OL( ) 이측정됩니다. M M UTO MIN MX RNGE m m IEW MEM 1 MX 1 CT Ⅲ 1 L) 아래그림과같이 ZENER DIODE 의저항값을정극성으로측정하십시요. 정상인제품은약 4M 이측정되며, 불량품은단락이나 OL( ) 이측정됩니다. M M UTO MIN MX RNGE m m IEW MEM 1 MX 1 CT Ⅲ 1
제 7 장. /S 에필요한내용 3] IGBT 양 / 부판별법 ( 저항측정모드 ) M) 아래그림과같이 R G 저항값을측정하십시요. 정상인제품은 RG 저항값이측정되며, 불량품은단락이나 OL( ) 이측정됩니다. UTO MIN MX RNGE m m IEW MEM 1 MX 1 CT Ⅲ 1
제 7 장. /S 에필요한내용 4] FUSE 양 / 부판별법 ( 도통측정모드 ) ) DM 을도통측정모드로설정합니다. 전원이연결되지않은상태에서측정하며, 정상인제품은부져소리가납니다. MNUL MIN MX RNGE m m (Push) IEW MEM 1 MX 1 CT Ⅲ 1 B) DM 을도통측정모드로설정합니다. 전원이연결되지않은상태에서측정하며, 불량품은 OL( ) 이측정됩니다. MNUL MIN MX RNGE m m IEW MEM 1 MX 1 CT Ⅲ 1
제 7 장. /S 에필요한내용 ] FUSE 양 / 부판별법 ( 전압측정모드 ) C) DM 을 전압측정모드로설정합니다. 전원이연결된상태에서측정하며, 정상인제품은 가표시됩니다. UTO MIN MX m RNGE m IEW MEM 1 MX 1 CT Ⅲ 1 D) DM 을 전압측정모드로설정합니다. 전원이연결된상태에서측정하며, 불량품은회로전압이표시됩니다. UTO MIN MX m RNGE m IEW MEM 1 MX 1 CT Ⅲ 1
제 7 장. /S 에필요한내용 6] DIODE 양 / 부판별법 (DIODE 측정모드 ) ) 삼상 DIODE MODULE(BRIDGE-TYPE) 은여섯개의 DIODE 가하나의모듈로구성되어있으며, 3개의교류입력단자와, - 각각의단자로등가회로와같이구성되어있습니다. 보통 DIODE의파손여부는저항값으로도체크가가능하지만, DM의 DIODE 측정모드로 DIODE의양 / 부를판별하는방법을설명하겠습니다. ~ (1) ~ (2) ~ (3) (4) -() B) DM 을 DIODE 측정모드로설정합니다. MIN MX RNGE m m IEW MEM (Push) 1 MX 1 CT Ⅲ 1 (6RI7E-8)
제 7 장. /S 에필요한내용 6] DIODE 양 / 부판별법 (DIODE 측정모드 ) C) 아래그림과같이 와 - 의 DIODE 값을정극성으로측정하십시요. 정상인제품은약.9 정도측정되며, 불량품은단락이나 OL( ) 이측정됩니다. MIN MX RNGE m m IEW MEM 1 MX 1 CT Ⅲ 1 (6RI7E-8) D) 아래그림과같이 ~ 와 - 의 DIODE 값을정극성으로측정하십시요. 정상인제품은약. 정도측정되며, 불량품은단락이나 OL( ) 이측정됩니다. MIN MX RNGE m m IEW MEM 1 MX 1 CT Ⅲ 1 (6RI7E-8)
제 7 장. /S 에필요한내용 6] DIODE 양 / 부판별법 (DIODE 측정모드 ) E) 아래그림과같이 와 ~ 의 DIODE 값을정극성으로측정하십시요. 정상인제품은약. 정도측정되며, 불량품은단락이나 OL( ) 이측정됩니다. MIN MX RNGE m m IEW MEM 1 MX 1 CT Ⅲ 1 (6RI7E-8) F) 아래그림과같이 ~ 와 - 의 DIODE 값을역극성으로측정하십시요. 정상인제품은 OL( ) 이측정되며, 불량품은단락전압 가측정됩니다. MIN MX RNGE m m IEW MEM 1 MX 1 CT Ⅲ 1 (6RI7E-8)
제 7 장. /S 에필요한내용 6] DIODE 양 / 부판별법 (DIODE 측정모드 ) G) 아래그림과같이 와 ~ 의 DIODE 값을역극성으로측정하십시요. 정상인제품은 OL( ) 이측정되며, 불량품은단락전압 가측정됩니다. MIN MX m RNGE m IEW MEM 1 MX 1 CT Ⅲ 1 (6RI7E-8)
제 7 장. /S 에필요한내용 7] SCR 양 / 부판별법 ( 저항측정모드 ) ) SCR(DUL-TYPE) 은두개의 SCR이직렬로하나의모듈로아래등가회로와같이구성되어있습니다. SCR의양 / 부를판별하기위해서는 Gate(G) 에 전원을인가하여 node() 와 Cathode(K) 의도통여부로판별하여야하지만, DM의저항측정모드로간략히양 / 부판별을하는방법을설명하겠습니다. K1 G1 K2 G2 () 2 (-) 1 (~) B) DM 을저항측정모드로설정합니다. UTO M MIN MX RNGE m m IEW MEM 1 MX 1 CT Ⅲ 1 (PK13FG8)
제 7 장. /S 에필요한내용 7] SCR 양 / 부판별법 ( 저항측정모드 ) C) node() 와 Cathode(K) 의저항값은 M 이측정됩니다. 정상인제품은약 1.M 정도측정되며, 불량품은단락이나 OL( ) 이표시됩니다. M M UTO MIN MX m RNGE m IEW MEM 1 MX 1 CT Ⅲ 1 (PK13FG8) D) node() 와 Cathode(K) 의저항값은 M 이측정됩니다. 정상인제품은약 3M 정도측정되며, 불량품은단락이나 OL( ) 이표시됩니다. M M UTO MIN MX m m RNGE IEW MEM 1 MX 1 CT Ⅲ 1 (PK13FG8)
제 7 장. /S 에필요한내용 7] SCR 양 / 부판별법 ( 저항측정모드 ) E) Gate(G) 와 Cathode(K) 의저항값은 1~ 정도측정됩니다. 정상인제품은약 4 정도측정되며, 불량품은단락이나 OL( ) 이표시됩니다. UTO MIN MX RNGE m m IEW MEM 1 MX 1 CT Ⅲ 1 (PK13FG8) F) Gate(G) 와 Cathode(K) 의저항값은 1~ 정도측정됩니다. 정상인제품은약 4 정도측정되며, 불량품은단락이나 OL( ) 이표시됩니다. UTO MIN MX RNGE m m IEW MEM 1 MX 1 CT Ⅲ 1 (PK13FG8)