포커스 포커스 적외선 (IR) 이미지기술 문현찬 * 적외선은전자방사로서절대온도인영도 (0K 또는 -273C) 이상의온도를갖고있으며, 물체에서는원자와분자의진동, 회전에의해적외선에너지 ( 열방사에너지 ) 를발생한다. 적외선파장의범위가 0.75 μm에서 1,000 μm으로마이크로영역의파장까지나오므로, 적용하고자하는파장의범위를선택해야한다. 적외선렌즈의재질은굴절률이매우크고온도에따른굴절률의변화가크다. 또한공기와의굴절률차이가커서표면반사가크기때문에광투과율을높이기위한무반사코팅 (anti-reflection coating) 이필요하다. 다음은일반적으로사용되는적외선렌즈의재질의특징에대해기술하였다. 목 차 I. 적외선이란? I. 적외선이란? II. 적외선영상시스템 III. 적외선카메라개발동향 IV. 응용범위 * 전자부품연구원나노센서연구센터 / 수석연구원 적외선은전자방사로서절대온도인영도 (0K 또는 -273C) 이상의온도를갖고있으며, 예를들어드라이아이스 195K, 인체 310K, 용해철 1,800K, 태양표면 6,000K 등이러한물체에서는원자와분자의진동, 회전에의해적외선에너지 ( 열방사에너지 ) 를발생한다. 적외선은물리적인매질중에있는열의대류또는전도에의해운반되는것이아니고빛과같이광원에서나와직진하여진공에서는물론이고공기, 기체또는고체와같은물리적인매질중에서도전파된다. 1800 년에 William Herschell 경이가시스펙트럼의끝인파장측으로부터열효과가큰부분이있음을발견하고, 1835 년에 A. Amphere 가이것이가시광선과같은광파로되어있음을발표하여현재의 1
주간기술동향통권 1351 호 2008. 6. 18. Visible Garsms rays X-rays Ultraviolet Infrared Radio EHF SHF UHF VHF HF MF LF VLF 0.1l 1l 10l 100l 0.1l 1μ 10μ 100μ 0.1cm1cm 10cm 1m 10m 100m 1km 10km100km Wavelength 3 10 19 3 10 17 3 10 15 3 10 13 3 10 11 3 10 9 3 10 7 3 10 5 3 10 3 Frequency, Hz Visible VB SVOR Near Infrared Middle Infrared Far Infrared Extreme Infrared 0.4 0.6 0.8 1 1.5 2 3 4 6 8 10 15 20 30 Wavelength, μ 25,000 10,000 5,000 2,500 1,000 500 Wavenumber, cm -1 ( 그림 1) 가시광선및적외선영역의스펙트럼분포 적외선에대한기초를구축하게되었다. 적외선은약 0.75~1,000 μm의파장대역의전파를말하며, 일반적으로 0.75~3 μm까지를근 적외선 (near infrared), 3~6 μm까지를중적외선 (middle infrared), 6~15 μm까지를원적외선 (far infrared) 이라고하고, 15 μm이상 1,000 μm이하까지를극원적외선 (extreme infrared) 이라고한 다. 가시광선및적외선영역의스펙트럽분포는 ( 그림 1) 과같다 [1]. 파장별방출되는복사에미턴스즉, 분광에미턴스 (spectral radiant emittance) 는물체가 lamvertian source 와흑체 (blackbody) 라는가정아래플랑크의복사법칙 (Planck s blackbody radation law) 으로표현될수있다. 2 2πhc 1 3 W (, T ) [ watt / cm ] 5 λ λ = ch / λkt (1) λ e 여기서 Wλ(λ, T) 는흑체의온도가절대온도 T 일때그흑체가외부로방출되는단위시간 당, 단위면적당의파장별복사에너지를의미하며 c 는진공중의빛의속도즉, c=2.99792458 10 10 [cm s -1 ] 이고, h 는플랑크상수 (Planck s constant: h=6.6256 10-34 [W ㆍ s 2 ]), k 는볼츠 만상수 (Boltzmann s constant: k = 1.38054 10[W s K -1 ], λ 는특정파장 ([cm]) 을의미한다. 흑체가특정한온도를가지고있을때파장별분광복사에미턴스를 ( 그림 2) 에나타내었다. 이다. 온도별최대복사파장은빈의변위법칙 (Wien s displacement law) 으로표현할수있다. 즉, λ m T = α (2) 2
10-4 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 포커스 Spectral radiant emittance. Watts cm -2 μm -1 10 5 10 4 10 3 10 2 10 1 1 10-1 10-2 10-3 5,000 K 4,000 K 2,000 K 1,000 K 500 K 300 K 200 K Wavelength, micrometers ( 그림 2) 특정온도를갖는흑체의분광복사에미턴스 여기서 T 는흑체의절대온도이고 λ m 은방출되는최대복사에미턴스의파장이고 α 는상수로써 2897.8[ μmㆍ K] 이다. 식 (2) 로부터일반적인물체즉 300K 정도의상온에존재하는최대복사에미턴스방출파장은 10 μm정도로통상원적외선영역에존재함을알수있다. 적외선영역에서의복사에너지는대기중의가스분자및분자덩어리 (aerosols), 비, 눈이나 Near Infrared Middle Infrared Far Infrared 100 80 Transmittance 60 40 20 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 Wavelength(microns) O 2 H 2O CO 2 H 2O CO 3 O 2 Hi 2O CO 2 O 2 Hi 2O CO 2 CO 3 AESORBING MOLECULE ( 그림 3) 대기투과특성의예 (1.8km 거리 ) 3
주간기술동향통권 1351 호 2008. 6. 18. 연무, 안개, 아지랑이등수증기성분에의해흡수되거나산란되어그양이감쇄된다. 그밖의흡수분자로는이산화탄소, 오존등이존재한다. 이러한흡수분자들에의해특성파장에대해서대기투과특성에심하게영향을미쳐 2 개의투과특성이우수한영역이형성된다. ( 그림 3) 에서보듯이 3~5 μm영역과 8~14 μm의영역이대기중의투과율이좋은현상을볼수있는데, 이이유로인해두영역의파장영역을대기창이라고한다. 따라서, 열상장비는일반적으로관측대상물의온도와두대기창의영역을비교하여적당한파장을선택하여설계하게된다. II. 적외선영상시스템 적외선영상시스템이란모든물체에서나오는적외선을적외선감지소자를이용하여측정하고측정된적외선은이미지소스인 CCD 또는 CMOS 소자를이용하여영상으로변환시키는시스템이다. 여기에서적외선감지소자는적외선광신호를전류나전압과같은다루기쉬운정보형태로바꾸어주는변환기 (transducer) 라할수있다. 적외선감지소자는적외선을감지해내는원리에따라광자형감지소자 (photon detector) 와열형감지소자 (thermal detector) 로나눌수있다. 1. 광자형감지소자 [2] 광자형감지소자 (photon detector) 는입사되는적외선이재료내부에있는전자를높은에너지준위로여기시킴으로서얻어지는전기적신호를이용하는감지기이다. 광자형감지소자에이용되는재료는모두반도체이다. 즉반도체의에너지띠간격 (energy bandgap) 보다큰에너지를가진적외선이재료에입사되면가전자대 (valence band) 에서전도대 (conduction band) 로전자가여기된다. 전자의여기에의해생성된전자와정공쌍 (electron-hole pair: EHP) 을전기적신호로이용하게된다. 그러므로입사되는적외선의에너지에대응되는에너지띠간격을가진반도체를사용하여야한다. 단원소또는 2 원소반도체재료중에는에너지띠간격이 0.1eV 인재료가존재하지않는다. 이에따라 Ge 에 Au 나 Hg 와같은불순물을첨가한재료가연구되었으나이들은 30K 의극저온으로냉각시켜야만하는것이큰단점이다. 현재많이이용되고있는적외선검출기의재료로서대표적인예는 MCT(HgCdTe), PtSi, InSb 를들수있다. 이중 PtSi, InSb 는민수용열상카메라에 HgCdTe 는군용장비에많이이용되고있다. 특히 HgCdTe 의경우큰밴드갭에너지를갖는 CdTe(1.6eV) 와 0 의밴드갭에너지를갖는 HgTe 의조성비를조절하여적절한밴드갭에너지를갖게할수있어다양한파장대역에서의이용이가능하게되 4
포커스 었다. 이와같은광자형감지소자는주사방식이아닌 staring-type 의 FPA(Focal Plane Array) 로제작되어영상검출기로사용되고있으며, 1978 년 32 32 배열크기로부터현재까지최대 1,024 1,024 배열크기까지확장되었고앞으로 HDTV 의화소수준까지발전할전망이다. 그러나광자형검출기의단점으로는특정파장대역에서감도가있는파장의존성이있으며, 빠른응답속도 (1 μm이하 ) 와높은감지능력 (D*=1,010~1,012cmHz1/2/W) 에도불구하고잡음의영향을감소시키기위해서반드시저온동작을시켜야하는단점이있다. 즉냉각제나전자냉동소자등으로냉각이필요하기때문에장비가대형이고고가가될수밖에없으므로, 소형화에문제가있다. 2. 열형감지소자 [3] 열형감지소자 (thermal detector) 에흡수된적외선의에너지는소자의온도를상승시키게된다. 온도의상승은적외선감지소자의전기전도도나열팽창과같은온도의존성이높은물리적성질을변화시키게되며이것을측정함으로서물체로부터발산되는적외선의존재여부를판단하게된다. 열형감지소자의종류에는 thermopile, bolometer, golay cell, 초전센서 (pyroelectric sensor) 등이있으며 < 표 1> 에이들의적외선감지특성에대해요약하였다. 간단하게열형감지소자의종류별특성에대해알아보자. 먼저, Thermopile 은초기의적외선감지소자의하나이며온도의변화에의해두개의다른도체의접합부에서전압이발생되는 < 표 1> 여러다른열형적외선감지소자의적외선감지특성 Detector Thermal Detector Mode of Operation Thermopile-metal film on heat sink Thermopile-Thin film on Polymer backing Thermopilesemiconductor Bolometer- Thermistor Bolometer-Cooled Ge Cut-off Wavelength( μm ) Operating Temp(K) Responsivity (VW -1 ) D* (cmhz 1/2 W -1 ) Response Time (µs) 50 300 5 3 10 9 10,000 50 300 5 10-6 1 10 6 0.03 50 300 10 2 3 10 6 100 300 300 10 6 2 10 6 1,000 1,000 4 2 0 4 7 10-16 (NEP) 300 Golay Cell 1,000 300 10 6 2 10-10 (NEP) 10,000 Pyroelectric-TGS 300 300 10 6 1 10 7 1,000 Pyroelectric-iTaO3 500 300 10 6 1 10 6 0.1 5
주간기술동향통권 1351 호 2008. 6. 18. 현상인 Seebeck 효과를이용한것이다. Thermopile 용재료로는 bismuth-silver, copperconstantan, bismuth-bismuth/tin 합금등이이용된다. Bolometer 는저항체로서온도계수가큰재료로만들어진다. 흡수된적외선은 bolometer 의저항을크게변화시키며이를이용하여적외선을측정한다. Bolometer 를작동시키기위해서는정확하게조절된 bias 전류가저항체를통하여공급되어야한다. 반도체 bolometer 중에는 thermistor 가있으며침입자경보와화재경보용으로많이사용된다. 초전 (Pyroelectric) 센서는초전체 (pyroelectric material) 의양면에전극을증착하여 capacitor 를만들고전극간에높은임피던스의부하를접속한것이다. 적외선이초전센서에조사되면초전체의온도가변화한다. 이변화에따라유발된 capacitor 의전압을측정함으로써적외선의입사여부를측정하게된다. 3. 영상센서영상센서는광자형또는열형적외선감지소자를이용하여적외선의영상을만드는장치이다. 영상센서를이용하면야간에도다른광원의도움없이물체의영상을 TV 화면과같이볼수있다. 이론적으로는하나의소자 ( 단소자 ) 만을이용하여도이미지센서를만들수있지만, 실제로는여러개의소자 ( 다소자 : array) 를이용하는것이더효율적이다. 영상센서의기본구성을먼저단소자 (single element) 를이용한이축주사 (dual-axis scan) 방식을예로들어설명하면다음과같다. 이축주사장치는전체시계내의영상정보가순간시계 (instantaneous field of view) 의영상정보로분활되어순차적으로적외선감지소자에입사되도록함으로써하나의감지소자를가지고 2 차원의영상을재현할수있게한것이다. 적외선감지소자는주사장치의이동에따라입사되는물체의적외선복사조도에대응되는전기적신호를연속적으로발생시키며, 신호처리부에서는모니터에재현하기적절하도록증폭하고주사장치와동기를일치시킨다. 4. 적외선영상센서의광학계적외선렌즈는일반렌즈와는달리적외선영역의파장을통과시키고, 나머지영역은 cutoff 시켜야한다. 하지만, 적외선파장의범위가 0.75 μm에서 1,000 μm으로마이크로영역의파장까지나오므로, 적용하고자하는파장의범위를선택해야한다. 적외선렌즈의재질은굴절률이매우크고온도에따른굴절률의변화가크다. 또한공기와의굴절률차이가커서표면반사가크기때문에광투과율을높이기위한무반사코팅 (anti-reflection coating) 이필요하다. 다음은 6
포커스 일반적으로사용되는적외선렌즈의재질의특징에대해기술하였다. 가. Germanium(Ge) Germanium 은 2~12 μm에서의적외선시스템에서렌즈와윈도로서가장넓게사용되며투과율은온도에따라매우민감하다. ( 그림 4) 와 < 표 2> 는 Germanium 의투과율과굴절률을파장에따라알아본자료로서, 근적외선과원적외선에서널리사용됨을알수있다. 가시광선영역에서사용되는광학소자와는달리투과율이뛰어나지않아무반사코팅이요구된다. 하지만, 파장영역에대하여굴절률의변화가적음을알수있다. 100 Transmittance. % 80 60 40 20 0 1 2 5 10 20 30 Wavelength(micrometers) ( 그림 4) Germanium 의투과율과파장의관계 < 표 2> Germanium 의파장에따른굴절률 wavelength μm 2.06 1.15 2.44 2.58 3.00 3.42 4.36 6.24 8.66 9.72 11.04 13.02 Refractive Index 4.10 4.09 4.07 4.06 4.05 4.03 4.02 4.01 4.00 4.00 4.00 4.00 나. Silicon(Si) Silicon 은 1.5 μm에서 8 μm의영역에서 infrared reflector 와윈도로일반적으로사용된다. 9 μm에서는 CO 2 로인한강한흡수가발생하여투과율이저하되기때문에사용하기에는부적절하지만, mirror 로서사용되기도한다. ( 그림 5) 와 < 표 3> 은 Silicon 의특성을나타낸자료로서, 근적외선과중적외선의투과율이좋은것을알수있다. 원적외선에서는투과율이좋지못하지만굴절률의변화가크지않아 mirror 등에사용가능함을알수있다. 7
주간기술동향통권 1351 호 2008. 6. 18. 100 Transmittance. % 80 60 40 20 0.1.2.5 1 2 5 10 20 50 100 Wavelength(micrometers) ( 그림 5) Silicon 의투과율과파장의관계 < 표 3> Silicon 의파장에따른굴절률 wavelength μm 1.40 1.50 1.66 1.82 2.05 2.50 3.50~5.00 6.00~25.00 Refractive Index 4.10 4.09 4.07 4.06 4.05 4.03 4.02 4.01 다. Zinc Selenide(ZnSe) Zinc Selenide 는적외선에서부분적으로 optical windows, lenses, mirrors 그리고 prism 으로사용된다. 투과파장의범위는 0.55 μm에서 22 μm으로사용범위가넓다. < 표 4> 에 Zinc Selenide 의파장에따른굴절률의변화를보였다. 표에서알수있듯이근적외선과중적외선영역에서굴절률의변화가적음으로인하여사용하기에적절하다. < 표 4> Zinc Selenide 의파장에따른굴절률의변화 wavelength μm Refractive Index 2.75 5.00 7.50 9.50 11 12.5 13.5 15.0 16.0 16.9 17.8 18.6 19.3 20.0 2.44 2.43 2.42 2.41 2.4 2.39 2.38 2.37 2.36 2.35 2.34 2.33 2.32 2.31 라. Quartz(SiO 2 ) Quartz 는일반적으로 prism 으로사용되며, ultra-violet 영역에서렌즈나윈도로사용되기도한다. 이물질의투과영역은 0.18 μm에서 2.5 μm이며, 굴절률은투과영역에따라 1.65~1.55 까지다양하다. ( 그림 6) 은 Quartz 의투과율을보여주고있다. 다른광학소자에비해투과율이아주좋은것을알수있다. 근적외선과중적외선영역은물론이며, 자외선영역까지널리사용된다. 따라서, 의료용이나산업용에많이사용되고있다. 8
포커스 100 Transmittance(%) 80 60 40 20 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 2.0 4.0 6.0 10 20 30 40 60 100 Wavelength( μm ) ( 그림 6) Quartz(SiO 2) 의투과율과파장의관계 III. 적외선카메라개발동향 일반적으로적외선열영상장비는크게두가지로구분할수있다. 첫째로, Active IR system 으로서이장비는별도의광원이나별빛또는달빛등의 light source 가필요하다. 일명 Starlight scope 라고도하며이의수명시간은 detector element( 검출소자 ) 의재질에따라상이하며, 고배율의렌즈를장착하더라도검출거리상의제약이있다 ( 약 200~300 미터이내 ). 둘째로, Passive IR system 으로서모든물체에서나오는복사에너지를아날로그파장의형태로검출하여이를온도분포영상으로재현해내는방식이다. 이장비의특성은거리상의제약이없으며무월광시에도정확한영상을구현한다. Passive IR system 은현재 5 세대까지개발된상태이며, 이의대략적인내역은다음과같다. 1 세대 Passive IR System 은기계적인 scanner system 으로서카메라내부에 scanning mirror 를전기모터로구동 ( 수평, 수직 mirror) 하여이를영상으로재현해내는방식으로서, 검출소자 (detector element) 의냉각이필요하다 ( 영하 196 도 ). 이의냉매로이용된것이액체질소이며, 사용시간의한계가있다. 냉매용기의크기에따라상이하나대략 2 시간정도사용후액체질소를카메라내부냉매용기에재충진해주어야한다 (1960 년대 ~1986 년 ). 장비의대형화에따른사용편의성은고려될수없었던시기이며냉매의충진으로인한사용상의불편함또한감수해야만한다. 2 세대 IR System 은장비의소형화와더불어온도분포를데이터화하여열영상및온도데이터를동시에구현해낼수있다. 이시기에냉매사용에따른불편함을해소하기위하여전자냉각방식검출소자 (Thermo- electrical cooled detector peltier element) 가개발되어장비의소 9
주간기술동향통권 1351 호 2008. 6. 18. 형화가가능하게되었고냉매사용에따른사용시간의제약에서벗어나게되었다 (1986 년 ). 그러나온도냉각의범위가액체질소보다작은관계로 ( 영하 75 도 ) 1 세대시스템에비하여선명한영상을구현해내지못하는단점이있었다. 3 세대 System 은장비의경량화및카메라본체로부터직접디지털방식으로신호처리가가능한 full digital image processing system 이다. 이전시스템은카메라로부터오는아날로그신호를컨트롤러에서디지털로변환하거나, 아날로그신호그대로처리하는방식으로서정확한영상을구현하는데제한이있다. 또한전자냉각방식의선명한영상을얻지못하는단점을보완하였으며장비의휴대성을향상시키고계속유지하기위하여소형헬륨가스용기가내장된냉각장치가채택되었다 (stirling cooler). 이의개발로액체질소와같은냉각온도를유지하면서장비의소형화를이룰수있었지만, 이또한냉장고의프레온가스처럼일정시간 (2,000~ 5,000 시간 ) 사용후헬륨가스를재충전해야하는단점이있다. 또한상기 1~3 세대시스템은기계적으로구동미러를돌려서영상을얻는관계로모터및미러의일정시간사용후교체를해야하는시스템이다 (1991 년 ). 4 세대 System 은냉각장치는 stirling cooler 를사용하고 IC 기술의발전으로인하여구동모터및미러가필요없는 IC Chip 형태의검출소자인 Focal Plane Array type 의시스템 (1995 년 ) 이다. Focal Plane Array(FPA) 는소자재료에따라 PtSi 혹은 InSb FPA 등이있으며, 초기에는거의군용목적으로사용되었으나이의편리성으로인하여민수용으로광범위하게사용되고있다. 이시스템에서는선명한영상의구현, 휴대용및정확한온도분포구현하고데이터취득등여러면에서이전의 1~3 세대장비보다획기적인발전을이루었다고볼수있다. 그러나 stirling cooler 의사용시간제한및재충진시의비용발생등사용자입장에서볼때불합리한면이있었다. 5 세대시스템은냉매가전혀필요없는비냉각방식으로서 4 세대장비의장점은모두수용하고장비의사용시간의제한이전혀없는새로운 FPA 소자 (Uncooled Micro-bolometer) 를채택하여상기단점들을모두보완한시스템 (1997 년 ) 이다. 기술발전추세로볼때상당기간이비냉각방식 FPA system 을능가하는장비는없으리라본다. 기계적인작동부위제거및냉매의재충진불필요, 이에따른장비의사용시간증대등, 다방면으로고려할때사용자의입장에서모든점을수용한장비이다. 현재군용및민수용으로급속히이전세대의모델들을대체해나가고있다. 위와별도로제조사및구분방법에따라 1,2 & 3 세대장비로대별하는경우도있다. 이경우는 1 세대는기계적인 scanning 을하여영상을구현해내는장비를총칭하며, 2 세 10
포커스 대는 Linear Focal Plane Array 를이용한장비 (Linear Array), 3 세대는 Staring Focal Plane Array 를이용한장비 (Matrix Array) 이다. 참고로 FSI 사의 Thermovision 1000 model 은 Stirling cooled 냉각방식을채택한 3 세대시스템으로미공군의기지방어 project team 인 TASS 에서채택되어 000 대정도가운용되고있고, 미 8 군 / 육군에도공급되어있다. 또한한국공군의무인기지방어계획에도반영되어 OO 기지에 0 대가설치운용되고있다. 이장비의냉각장치의 MTBF 는 5,000~,8000 시간으로, 현재실사용한예로볼때 5,500~5,800 시간사용후냉매를재충진해주어야한다. 현재육군에서운용중인 TOD system 은 Canada SPAR 사의제품으로서국내 S 사에서생산하는모방품으로서 MTBF 가 2,000 시간미만인 2 세대장비이다. 또한 S 사와 Raytheon 사가제휴하여 K-1 Tank 에운용중인 Tank-sight 는 2 세대 Linear Array 를채택한시스템이다. Thermovision Sentry model 은 5 세대장비로서 1998 년 9 월에개발된모델로서, 미공군 TASS project 에반영되어 00 대가공급되었다. 타장비와달리카메라와 pan/tilt 가일체형인시스템으로서별도의 pan/tilt head 가필요없으며, 카메라자체에 Digital Micro Processor 가내장되어별도의 controller 가필요없이 Joy-Stick 으로모든조정이가능하다. 또한영상의구현방법에있어서, 다양한모드로선택이가능하다. Color/Rainbow, Ironbow & B/W etc 또한 option 의선택에따라, Auto-Tracking, GPS interface, CCD camera 등을카메라본체에붙일수있다. IV. 응용범위 1. 보안장치눈동자속의홍체가사람마다고유하다는특성을이용하여각개인의신원을파악하는장치로활용된다. 지문을이용하는것보다정확도가 1,000 배나높은첨단기술이다. 렌즈에눈을맞추면적외선카메라가눈동자속의홍체를파악해컴퓨터가신원을판별한다. 이같은첨단보안시스템은은행의현금자동인출기와기업체, 국가기관등의출입관리등에이용될전망이다. 첨단보안시스템시장은국내시장만 400 억원규모인데다공항과국방기관, 기업체들을중심으로세계시장이확대되고있어전망이밝은것으로분석되고있다. 사람의눈으로는아무것도보이지않는환경에서사물을구별할수있다는점을이용하여군사용또는민수용으로활용될수있다. 11
주간기술동향통권 1351 호 2008. 6. 18. 2. 후생안전용 (Public Safety) 완공된건물의부실여부를확인할경우, 불길속이나아주어두운곳에서위험에처해있는사람을찾을때, 야간에불법으로침입하는사람을감시할경우, 불안정한지질조사시, 캄캄한저녁에운행하는항공기에장착하여비행기간충돌위험방지공항을찾아낼때기기의이상여부확인시사용된다. ( 그림 7) 은안개속에싸인마을을적외선카메라로포착한것을나타낸다. ( 그림 7) 적외선영상으로본안개낀마을 또한, 공업용과연구용, 의학용기구, 적외선스펙트럼을이용한화학조성측정, 자동화된공장에서공정을모니터링, 오작동하는기계를분해하지않고검사할경우, 회로검사용으로도사용된다. ( 그림 8) 는보드의열을감지하여어느곳이동작하고어느곳이동작하지않는지를판단하여고장난곳이나단락된곳을찾아내는것을나타낸다. ( 그림 8) 완성된보드의과열부분측정 12
포커스 < 참고문헌 > [1] 홍석민, 송인섭 : 열상장비개요, 물리학과첨단기술, Vol.7, No.2, 1998. [2] S. W. Moon, S. H. Suh: Infrared Detectors (I): Photon Detectors, Bull of the Korean Inst. Of Met. & Mater. Vol.7, No.3, 1994. [3] S. W. Moon, S. H. Suh: Infrared Detectors (II): Thermal Detectors and Image Sensors, Bull of the Korean Inst. Of Met. & Mater. Vol.7, No.4, 1994. * 본내용은필자의주관적인의견이며 IITA 의공식적인입장이아님을밝힙니다. 13