Microsoft PowerPoint - (실용공학).ppt
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- 슬기 이
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1 POF POF 21 21세기세기Digital/ 광통신광통신혁명 Multimedia 시대에대용량의정보 ( 음성,Data) 와동화상을어디서나실시간 (Real Time) 으로값싸게전송가능한핵심소재 Plastic Optical Fiber = 차세대통신혁명의 Best Solution Characteristics of POF 1.High Speed Communication : 광자의이동속도가전자의이동속도보다빠름 => 실시간 (Real Time) 으로동화상전송이가능 2. High Bandwidth : 10Gbps/channel 급 => 대용량전송가능 3. Large Core with good flexibility 4. Ease Processing and Handling 5. Low Cost
2 POF : 빛 ( 정보 ) 를전송하는플라스틱도파관 2θ GOF Silica Core : Up to 62.5µm POF Polymer Core : Up to 1mm Clad Core GOF : 깨지기쉽고 Connection 이어려움 POF : 대용량고속전송에적합하고 Connection 이쉬움
3 광섬유의구조 1,2 차피복보통합성수지로만들고광섬유부분을보호하는역할을한다. 클래딩코어와경계면에서굴절이큰부분으로빛이전반사하도록하여준다. 코어굴절률이큰유리 / 플라스틱이주재료로서빛이지나가는경로이다. 빛은코어속와클래딩부분의경계에서전반사하면서계속축선을중심으로진행한다
4 광섬유의도파원리 자옆의그림을통해서다시한번살펴보자. 앞에서설명한바와같이빛이굴절률이큰매질이에서그보다굴절률이작은매질로입사하는경우 (n1<n2) 를생각해보자. 그경우스넬의법칙에의해 1번광선에보이듯입사각보다굴절각이크게된다. 입사각이점점커지다 2번광선과같이그입사각이임계각 θc가되었을때굴절각이 90도가된다. 그리고 3번광선의경우와같이입사각이이임계각보다크게되면모든광선이굴절하지않고반사되게됩니다. 이런현상을전반사 (Total Internal Reflection) 라한다.
5 SI-POF 와 GI-POF 의비교 1) 계단형굴절율 (Step-Index) 광섬유 2) 구배형굴절율 (Graded-Index) 광섬유이광섬유는상대적으로넓은중심유리 (50-150μm) 와이광섬유는중심유리 (20-90μm) 의굴절율이클래딩굴절율이다른클래딩 ( 외부직경 μm ) 으로쪽으로나갈수록점차로감소되도록구성되어있습덮혀있습니다. 광섬유와연결된광원은섬유중심을니다. 그래서, 굴절율의변화때문에광선은지그재그통해빛을투사하게됩니다. 파란색이나분홍색빛만이경로를따르는대신에중심축둘레를부드럽게지그재그경로를따라서인도될것입니다. 그러나, 나선형으로움직입니다. 주로중거리도시들사이의빨간빛과같은다른빛들은클래딩에서굴절됩니다. 통신에널리이용됩니다. 클래딩안으로전달된빛은공기층에서다시반사되어섬유로인도될수있습니다. 이것은클래딩모드라고알려져있는데, 클래딩모드 (cmode) 로전달된빛은급격히약해지고, 장거리로보았을때소멸됩니다. 이것은가장싸지만장거리응용이되기에는몇가지단점이있습니다.
6 광섬유에서광손실의주요한원인 외적손실 내적손실 흡수손실 산란손실 흡수손실 - 전이금속불순물 - 유기불순물 - 수분 불순물 ( 먼지, 기포 ) 섬유구조의불안정성 - 코어 / 클래딩계면부정 - 코어직경의진원성변동 - 배향굴절률 - 자외전자전이흡수 C = O ( n π * ) & ( π π * ) PMMA : Loss < 1dB/km at 500nm PS : Loss < 10dB/km at 500nm Loss < 7dB/km at 600nm - 적외진동흡수 C - H bond ( Harmonic Overtone ) PMMA : Loss < 70dB/km at 570nm PMMA-d 8 : Loss < 20dB/km at 650nm Loss < 160dB/km at 750nm C - H : 2000dB/km C - D : 80dB/km C - F : 5 10dB/km C - Cl : 5 db 이하 /km 산란손실 - 밀도, 농도, 요동에의한 Rayleigh 산란
7 Photoreesist 반도체제조공정 1. 단결정성장 : 고순도로정제된실리콘용융액에 SPEED 결정을접촉, 회전시키면서단결정규소봉 (INGOT) 을성장시킴. 2. 규소봉절단 : 성장된규소봉을균일한두께의얇은웨이퍼로잘라낸다. 웨이퍼의크기는규소봉의구경에따라 3", 4", 6", 8" 로만들어지며생산성향상을위해점점대구경화경향을보이고있음 3. 웨이퍼표면연마 : 웨이퍼의한쪽면을연마하여거울면처럼만들어주며, 이연마된면에회로패턴을그려넣게됨. 4. 회로설계 : CAD(Com-puter Aided Design) 시스템을사용하여전자회로와실제웨이퍼위에그려질회로패턴을설계함. 5. MASK(RETICLE) 제작 : 설계된회로패턴을 E-beam 서리로유리판위에그려 MASK(RETICLE) 를만듬. 6. 산화 (OXIDATION) 공정 : 고온 (800~1200 ) 에서산소나수증기를실리콘웨이퍼표면과화학반응시켜얇고균일한실리콘산화막 (SiO2) 를형성시키는공정 7. 감광액 (PR;PhotoResist) 도포 : 빛에민감한물질인 PR 을웨이퍼표면에고르게도포시킴. 8. 노광 (EXPOSURE) : STE-PPER 를사용하여 MASK 에그려진회로패턴에빛을통과시켜 PR 막이형성된웨이퍼위에회로패턴을사진찍는공정 9. 현상 (DEVELOPMENT) : 웨이퍼표면에서빛을받은부분의막을현상시키는공정. ( 일반사진현상과동일 ). 10. 식각 (ETCHING) : 회로패턴을형성시켜주기위해화학물질이나반응성 GAS 를사용하여필요없는부분을선택적으로제거시키는공정. 이러한패턴형성과정은각패턴층에대해계속적으로반복됨. 포토리소그라피공정
8 11. 이온주입 (ION IMPLAN-TATION) 공정 : 회로패턴과연결된부분에불순물을미세한 GAS 입자형태로가속하여웨이퍼의내부에침투시킴으로써전자소자의특성을만들어줌. 이러한불순물주입은공온의전기로속에서불순물입자를웨이퍼내부로확산시켜주입하는 DIFFUSION( 확산 ) 12. 화학기상증착 (CVD; Chemical Vapor Deposition) 공정 : GAS 간의화학반응으로형성된입자들을웨이퍼표면에증착 ( 蒸着 ) 하여절연막이나전도성막을형성시키는공정. 13. 금속배선 (METALLIZATION) : 웨이퍼표면에형성된각회로를알루미늄선을연결시키는공정. 14. 웨이퍼자동선별 (EDS TEST) : 웨이퍼에형성된 IC 칩들의전기적동작여부를컴퓨터로검사, 불량품을자동선별하는공정. 15. 웨이퍼절단 (SAWING) : 웨이퍼상의수많은칩들을분리하기위해다이아몬드톱을사용하여웨이퍼를절단하는공정. 16. 웨이퍼표면연마 : 웨이퍼의한쪽면을연마하여거울면처럼만들어주며, 이연마된면에회로패턴을그려넣게됨. 17. 금속연결 (WIRE BONDING) : 칩내부의외부연결단자와리드프레임을가는금선으로연결하여주는공정. 18. 성형 (MOLDING) : 칩과연결금선부분을보호하기위해화학수지로밀봉해주는공정. 19. 최종검사 (FINAL TEST) : 성형된칩의전기적특성및기능을컴퓨터로최종검사하는공정으로최종합격된제품들은제품명과회사명을 MARKING 한후입고검사를거쳐최종소비자에게판매됨.
![리소그라피공정 [ POSITIVE TONE ] Substrate Resist Mask Development Transfer Pattern Strip Resist Film Resist coating Exposure 포토레지스트도포 [ NEGATIVE TONE ] < 참고사진 > 반도체리소그라피공정은일반적인사진공정과유사하며, 노광 (Exposure), 현상](/docs-images/100/144370587/images/9-0.jpg "(Development) 및식각 (Etching) 공정으로이루어진다 (Figure1).2,3 즉, 특정파장을갖는에너지를포토레지스트에선택적으로조사하여광화학반응을유발시키고 ( 노광 ), 현상액과반응하여선택적용해가일어나게하고 ( 현상 ), 화학약품이나플라즈마처리를하여패턴을최종하부막에전사하고 ( 식각 ) 마지막으로남은레지스트를제거하는공정으로이루어진다.")
9 리소그라피공정 [ POSITIVE TONE ] Substrate Resist Mask Development Transfer Pattern Strip Resist Film Resist coating Exposure 포토레지스트도포 [ NEGATIVE TONE ] < 참고사진 > 반도체리소그라피공정은일반적인사진공정과유사하며, 노광 (Exposure), 현상 (Development) 및식각 (Etching) 공정으로이루어진다 (Figure1).2,3 즉, 특정파장을갖는에너지를포토레지스트에선택적으로조사하여광화학반응을유발시키고 ( 노광 ), 현상액과반응하여선택적용해가일어나게하고 ( 현상 ), 화학약품이나플라즈마처리를하여패턴을최종하부막에전사하고 ( 식각 ) 마지막으로남은레지스트를제거하는공정으로이루어진다. 현상시사용하는화학약품은보통 0.262N 농도의 TMAG(Tetra-Methyl Ammonium Hydroxide) 용액을사용하여진행된다.
10 포토레지스트 1) DNQ(diazonaphthoquinone)-Novolak 포토레지스트기본수지를크레졸노볼락수지와감광물질 (PAC: Photo active compound) 을사용하는레지스트로감광물질로서는 DNQ (diazonaphtoquinone) 화합물을주성분으로하는 DNQ-Novolak Photoresist가그것이다. 이포토레지스트는 436nm(G-line) 및 365nm (I-line) 파장에감응한다. 이레지스트의기본반응메커니즘은, DNQ 는현상액에대한용해억제제로작용하는데, 빛이조사될경우산으로바뀌어현상액에대한용해도가급증하게된다. 2) 화학증폭형포토레지스트 248nm KrF 엑시머레이저를사용할경우흡광도가너무높은단점을가진 DNQ-노볼락레지스트와달리화학증폭형 (chemical amplification) 레지스트가제안되었다. 화학증폭이란광자 (photon) 1개의작용으로생성된활성종이연쇄적화학반응을일으켜결과적으로양자수율이대폭적으로증폭되는현상을말한다. PHS(polyhydroxystyrene) 수지의일부를 t-boc(tert-bu- toxycarbonyl) 그룹으로적당한비율만큼치환하여현상액에대한용해도를제어한것을기본매트릭스수지로하고있다. 노광에의해광산발생제 (PAG: PhotoAcid Generator) 로부터형성된산은가열할경우연속반응이폭발적으로진행되게되어적은에너지로도화학반응을일으킬수있기때문에고감도화가가능하게된다.
11 종류특성 극 성 광반응메커니즘 노광원 반도체산업에서 포지티브 (positive) 레지스트 : 빛이조사된부분이현상액에녹는레지스트 네거티브 (negative) 레지스트 : 빛이조사된부분이현상액에녹지않은레지스트 예 가교반응형 : 빛에의한가교반응이일어남으로써현상액에대한용해도를감소시키는레지스트, 주로네거티브형 분해반응형 : 빛에의하여고분자의주쇄절단이일어나게함으로써현상액에대한용해도를감소시키는레지스트종류, 특성상포지티브레지스트에해당되며, 전자선레지스트가많이속한다. 변성형 : 고분자사슬내의특성극성을갖는부분이빛에의하여용해도변화를일으키는레지스트종류, 현재사용되는대부분의포토레지스트가이범주에속한다. 광레지스트 : 반도체제조에주로사용되는레지스트로, 가시광선 (436nm), 자외선 (365nm, 248nm, 193nm) 및원자외선 (157nm), 극자외선 (13nm) 의특정파장의빛에너지에감응성이좋다. 단파장화가이루어지는이유는해상도를높이기위한것이며, 436nm, 365nm 는가압수은등에서얻고, 248nm, 193nm, 157nm 는각각 KrF, ArF, F 2 엑시머레이저를이용하고있으며 13nm 는방사광입자가속기나, 레이저및방전플라즈마로부터얻는다. 전자선레지스트 : 수십 A 크기로집속된전자선에너지에반응성이좋은레지스트로, 포토마스크제조에널리사용된다. 현재차세대리소그라피노광기술중의하나로연구되고있다. X- 선레지스트 : 0.6~44A 파장대의 X- 선에반응성이좋은레지스트. Ion-Beam 레지스트 : 전자빔에의해이온들이가속되며 Ga +, H +, He + 등이사용된다. 노볼락레지스트 : 기본수지를크레졸노볼락수지를사용하는레지스트로주로 436nm, 365nm 용포토레지스트가이에해당된다. 화학증폭형레지스트 : 248nm 이하의단파장화에대응할수있는노볼락레지스트를대체한양자수율이 1 이상인포토레지스트 포토레지스트의 분류
12 유기 EL 유기 EL? ->OLED(Organic Light Emitting Diode) 혹은 OELD(Organic ElectroLuminescence Display) -> 전기발광하는소재를이용해외부전기장이유기발광물질에인가되어유기물내에서전자와홀이결합하여빛을내는자체발광현상을이용한것 60 년대분자반도체단결정에서전기발광 (Electroluminescence) 현상이발견된이래 70 년대박막소자화가시도되었고, 90 년대제품화에성공하였다. 21 세기다양한디스플레이들이확실한자리매김을위해고유의특징들을내세우고있는시점에서 CRT, LCD 등과비교해새로운디스플레이기술로주목받고있다. 유기 EL 은응답속도, 시야각, 선명도, 소비전력, 부피와무게, 생산성, 가격등에서현재잠재적인우월성을보이고있다.
13 Structure 유기 LED 는기본적으로아래그림에보인바와같이기판 ( 유리, 플라스틱등 ) 과상부및하부전극 ( 양극및음극 ), 그리고두전극내에유기발광층이삽입되어있는구조로되어있다. 동작조건이되면, 음극과양극에서각각전자와정공이유기층내로주입되고유기층내에서전자 - 정공의재결합과정을거쳐광이생성된다. 그림 (a) 에보인구조를한개의유기층이존재한다고하여단층구조가하며, 그림 (b) 에보인바와같이전하의주입을더욱활성화시키기위하여발광층의상부및하부에각각전자전송층, 정공전송층, 정공주입층등을적층화한구조를다층구조라한다.
14 Principle 원리 : 투명전극인 ITO(Indium Tin Oxide) 와전도성 polymer 로이루어진양극, phenylene vinylene(ppv) 등의발광물질로구성된발광층, 그리고칼슘음극으로구성된 polymer LED 를나타내었다. 음극과양극으로부터 polymer 막내부로전자와정공이주입되며, 이들은유기층내에서재결합되어빛을생성하게된다. LCD 와비교했을시장점 : 보다넓은표면을좋은시야각으로확보할수있다.
15 유기 EL 의장점 다른디스플레이와비교했을때상대적으로우수한점을표로나타내었다.
16 Materials 아래그림은 Hole-transfort layer 에사용되는물질을오른쪽그림은 Hole-injection layer 에일반적으로사용되는물질을나타내었다. (Structure 참고 )
17 Application 현재유기 EL 이디스플레이시장을석권하기에는무리가있다고보고있으나유기 EL 이가지는고유한특성을통해핸드폰이나디지털카메라등에많이응용되고있다. 그러나지속적인연구는현재 LCD 디스플레이대체품으로의발전가능성을보이고있으며현재저분자량물질뿐만아니라고분자를이용한 PLED(Polymer Light Emitting Display) 에대한연구도이루어지고있다.
18 Polymer Electrolyte - Cathode reaction : Li x CoO 2 C n + x Li + + x e - LiCoO 2 + C n charge discharge - Anode reaction : - Net reaction : charge charge discharge discharge Li 1-x CoO 2 + x Li + + x e - C n Li x Li 1-x CoO 2 +C n Li x 리튬 2차전지의발전메커니즘. 화학에너지를전기에너지로변환하기위해서는양극의화학물질 ( 양극활물질 cathode) 과음극의화학물질 ( 음극활물질 anode) 의페어가필요하다. 전지가부하 (A, ex: 전구 ) 에연결되면스위치를넣으면음극활물질이음극에서산화되어전극내에전자 ( 일렉트론 ) 가발생한다. 이렇게발생된일렉트론은외부회로를통해부하에도달하고, 이로써전등을밝히거나모터를돌리는등의일을해서양극으로부터내부로돌아오며, 양극활물질을환원하는것에의해일렉트론은소멸한다. 또일렉트론과반대인흐름을전기의흐름 ( 전류 ) 라고한다. 방전시 (discharge) anode에서리튬의산화로전자의방출. 전자는외부도선을따라서 cathode로전달. 리튬이온은전해질을따라 cathode로이동. Cathode에서전자를받아환원. 충전시 (charge) 방전시와반대로작용.
19 Why lithium? Lithium : 환원전위가높고, 안정적으로다룰수있는금속중가장가볍다. - 무게당에너지가가장높은이점이있어이동통신용기기에응용되기에적합한에너지원중하나로꼽히고있다. -Lightest metal (relative atomic mass = 6.94) -High specific capacity (3.86 Ahg -1 ) -Much negative electrochemical reduction potential (-3.04V) 에너지밀도 : 전기의에너지량은 (Wh) 로표시. 전압 (V) 과용량 (Ah) 의곱 (Wh=V*Ah). 전지를크게하면에너지량을단위체적당 (Wh/l) 또는단위중량당 (Wh/kg) 으로나눈값을에너지밀도라한다.
20 Advantages of the lithium 2 nd polymer battery Producibility Useless of Hard case : Slim Battery (<1mm) Flexibility of cell design : Simplification of process High energy density 3.6V (average voltage) per unit cell (Ni-Cd battery x 3, MH battery x 1.5) => Compact effect Long life 500 ~ 1000 cycles Safety No leakage and low risk of exploision Low self-discharge < 5% at 20 o C (Ni-Cd or MH battery : about 15%) Information and Communication Materials Lab.
21 Comparison of lithium Batteries Lithium Ion Lithium Ion Polymer Lithium Metal Polymer Anode Carbon Carbon Lithium Electrolyte Organic solvent Gel-type polymer Solid-type polymer Cathode Metal oxide (LiCoO 2, LiN 2 O 2, LiMn 2 O 4 etc.) Metal oxide (LiCoO 2, LiN 2 O 2, LiMn 2 O 4 etc.) Metal oxide, Organic Sulfur,Conducting polymer Voltage 3.6V 3.6V 2.0~3.6V Energy density High High Very High Cycle Excellent High Poor Low temp. Good Medium Poor Safety Poor Medium Good Flexibility of Cell design Poor Good Good Application and commerization * 3C market Sony (1991) 3C market Ultralife (1997) 3C, EV(high capacity) developing
22 Components of the lithium 2 nd polymer battery Anode Current Collectors Polymer Electrolyte Cathode 리튬 2 차전지의구성과분류. cathode 에는코발트산리튬 (Li x CoO 2 ) 을대표적예로하는전이금속산화물의리튬화합물을, 음극에는카본을사용하며전해액으로유기용매를사용하면, 리튬이온전지, 합성고분자 gel 을사용하면리튬폴리머이온전지, 고체고분자전해질을사용하면리튬폴리머전지로구분한다. Current collector : Cu, Al foil Anode : Carbon + Polymer binder (Li metal) S P E : Polymer matrix + (solvent) + Li salt + etc Cathode : Metal Oxide material + Polymer binder + Carbon black
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작품번호 37 Solar material 로쓰일수있는검정색물질의재발견! 출품분야학생부출품부문화학 2009. 5. 13 시 군 학교 ( 소속 ) 학년 ( 직위 ) 성 명 성남시풍생중학교 2 김호기, 이희원 지도교사풍생중학교교사김경원 - 1 - - 2 - - 3 - - 4 - - 5 - - 6 - - 7 - 석탄은주로탄소로구성되어있고, 수소와산소가들어있다. 이밖에질소
김준학97.PDF
, 1 1.. Ni- MH,, (,, ),,. 2, Zn/ Air 2, 2 2. IT 2,, 2,.,, PDA IT, 2 IT,, 2. Doping Carbon / Carbon Accumulator Zn/ Air 2. 2. 156 , 2010 2 1 2 2 6. ` 2 ( )' 1), 2 2 2 HEPS (Hybrid Electric Power System
연구팀은리튬이온배터리의새로운전극재료로써황 - 금속 ( 몰리브데늄 ) 화 합물에주목하고이를이용해현재의리튬이온배터리의양극재보다무게당 용량이최대 6 배향상되고 ( 에너지밀도 3 배 ) 충 방전 2,500 회동안초기성능 의 90% 이상유지할수있는새로운실시간전기화학적처리를개발하
GIST( 광주과학기술원 ) 보도자료 http://www.gist.ac.kr 보도일시배포즉시보도부탁드립니다. 보도자료 담당 대외협력팀김미연팀장 062-715-2020 / 010-5302-3620 대외협력팀이나영행정원 062-715-2024 / 010-2008-2809 자료문의신소재공학부엄광섭교수 062-715-2313 전기차주행거리 3 배늘릴리튬이온배터리개발
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Dry etch 1. Wet etch and dry etch 2. Wet etch and dry etch의장. 단점 3. Dry etch의종류 4. Plasma etch의특성 5. Dry etch에서고려하여야할점 6. Film etch 6.1 Si etch 6.2 SiO 2 etch 6.3 Si 3 N 4 etch 6.4 Al etch 6.5 Silicide
Photolithography - Photo: light, Litho: stone, Graphy: writing Image Transferring - Steps of Photolithography Process
제 9 장 Lithography I 1. Introduction Optical Lithography 기술의발달과정 Year of 1st DRAM Shipment 1997 1999 2003 2006 2009 2012 DRAM Bits/Chip 256M 1G 4G 1G 64G 256G Minimum Feature Size nm Isolated Lines (MPU)
실적 및 전망 09년 하반 PECVD 고객 다변화에 따른 실적개선 10년 태양광 R&D 장비 매출을 반으로 본격적인 상업생산 시작 1. 09년 3Q 실적 동사는 09년 3Q에 매출과 영업이익으로 각각 142 억원(YoY 16.7%, QoQ 142%), 6 억원(흑전환)
KRP Report (3회차) GOLDEN BRIDGE Research - 스몰켑 - Not Rated 테스 (095610) 공정미세화 추세의 수혜, 태양광 장비의 매출 가시화로 견조한 성장 작성일: 2009.11.18 발간일: 2009.11.19 3Q 실적 동사의 3분에 매출과 영업이익은 각각 141.5 억원(QoQ 142%), 6 억원(흑전)이다. 목표가
16<C624><D22C><ACFC><D0D0> <ACE0><B4F1><BB3C><B9AC><2160>_<BCF8><CC45>.pdf
I I 02 03 04 05 06 II 07 08 09 III 10 11 12 13 IV 14 15 16 17 18 a b c d 410 434 486 656 (nm) Structure 1 PLUS 1 1. 2. 2 (-) (+) (+)(-) 2 3. 3 S. T.E.P 1 S. T.E.P 2 ) 1 2 (m) 10-11 10-8 10-5 C 10-2 10
ETC Electrolytic Technologies Corporation Electrolytic Technologies Corporation (ETC) (High Strength Sodium Hypochlorite). ETC.,. ETC,,. - (Cl2) (NaOH
Innovator in Water Disinfection Solution 고농도차염 (NaOCl) 발생시스템 Klorigen K-Series Klorigen M-Series Generate Sodium Hypochlorite On-site and On-demand ETC Electrolytic Technologies Corporation Electrolytic
- 1 - - 2 - - 3 - - 4 - - 5 - 회수국 회수전지 회수책임 경비 처리 (90,91 자료 ) 재활용계획 오스트리아 모든전지 전지회사 $ 0.8/ kg 90 : 동독매립지 91 : 저장 아연정련회사일정등투자경비미정 노르웨이 지자체 $ 0.5/ 전지 - - 스웨덴 지차제 $ 4 kg / 버튼 Ni-Cd 전지 저장 / 매립 - 스위스 전지회사 $
융합WEEKTIP-2016-2-4data_up
2016 FEBRUARY vol.08 08 융합 OLED 봉지기술 (Encapuslation ) 의 현황과 전망 김의권 융합연구정책센터 발행일 2016. 02. 29 발행처 융합정책연구센터 융합 2016 FEBRUARY vol.08 OLED 봉지기술(Encapuslation )의 현황과 전망 김의권 융합연구정책센터 개요 봉지기술은 적용분야와 관계없이 OLED
2005 4 Creating the future of Display and Energy Samsung SDI 2006. 1. 18 1 05 4 05 4 ( ) 19,656 22,156 + 2,500 12.7% 1,155 1,424 + 269 23.3% (%) (5.9%) (6.4%) 1,101 803-298 -27.1% (%) (5.6%) (3.6%) 1,242
Chap3.SiliconOxidation.hwp
반도체공정 Chap3. Silicon Oxidation 1 Chap. 3. Silicon Oxidation 주요내용 : - silicon dioxide(sio2) 를형성하기위한산화공정 - 산화공정과정의불순물의재분포현상 - SiO2 file의특성과두께측정방법 Why silicon in modern integrated circuit? Ge : 1950년대주로사용
Microsoft Word - 오창석
전자소자및반도체패키징기술동향 오창석 * 최근, 중국은정부차원에서대규모의펀드를조성하여반도체산업육성에나서면서추격의속도를높이고있으며, 이는대한민국의반도체산업에대한차세대고성능반도체소자및재료개발의중요성을부각시키고있다. 본고는차세대전자소자및반도체산업의근간이될패키징재료분야에초점을맞추어각재료별보유한물성및요구되는특성을조사하였고, 앞으로차세대전자소자및패키징시장을주도할재료의동향을살펴보고자한다.
DBPIA-NURIMEDIA
특집 : TSV 를이용한 3 차원전자접합 차원실장을위한 의 충전및 칩적층기술 Cu Filling into TSV and Si Dice Stacking for 3 Dimension Packaging Myong-Hoon Roh, Sang-Yoon Park, Wonjoong Kim and Jae-Pil Jung 1. 서론 최근전자제품의소형화 다기능화의요구가증가함
BC6HP Korean.ai
제품설명서 BC6HP Microprocessor controlled highperformance rapid charger/discharger with integrated balancer, 250watts of charging power USB PC link and Firmware upgrade, Temperature sensor Charge current up
. 0.. Planck : sec : sec : : m in radian m in ln sec 심장 발 기압
. 0.. Planck : sec : sec : : sec sec A . 0.. Planck : sec : sec : : m in radian m in ln sec 심장 발 기압 . 0. sec π . 0.. Planck : sec : sec : : sec sec sec sec . 0.. Planck : sec : sec : : m p = 1u=931.5 MeV
Vertical Probe Card Technology Pin Technology 1) Probe Pin Testable Pitch:03 (Matrix) Minimum Pin Length:2.67 High Speed Test Application:Test Socket
Vertical Probe Card for Wafer Test Vertical Probe Card Technology Pin Technology 1) Probe Pin Testable Pitch:03 (Matrix) Minimum Pin Length:2.67 High Speed Test Application:Test Socket Life Time: 500000
CERIUM OXIDE Code CeO CeO 2-035A CeO 2-035B CeO REO % CeO 2 /REO % La 2 O 3 /REO %
희토류 SPEC CERIUM OXIDE Code CeO 2-040 CeO 2-035A CeO 2-035B CeO 2-025 REO % 99 99 98 97.5 CeO 2 /REO % 99.99 99.98 99.95 99.50 La 2 O 3 /REO % 0.004 0.01 0.03 0.1 0.01 (1) Pr 6 O 11 /REO % 0.003 0.004 0.015
歯03-ICFamily.PDF
Integrated Circuits SSI(Small Scale IC) 10 / ( ) MSI(Medium Scale IC) / (, ) LSI(Large Scale IC) / (LU) VLSI(Very Large Scale IC) - / (CPU, Memory) ULSI(Ultra Large Scale IC) - / ( ) GSI(Giant Large Scale
acdc EQ 충전기.hwp
www.sjproporc.com DIGITAL CHARGER & DISCHARGER Intelligent Balancer SJPROPO 서울특별시 강남구 일원동 642-11 대도빌딩 202호 2006 SJPROPO INC. SJ INCORPORATED 사용 설명서 제품 구성물 동작 중 표시 화면 B L C : B A L A N C E R C O N N E C
삼성SDI_SR국문_최종
Sustainability Report 2008 Power to Imagine SAMSUNG SDI About Sustainability Report GRI G3 Tel 031) 8006-3366 Fax 031) 8006-3399 E-Mail sustainability@samsung.com http://www.samsungsdi.co.kr Global Network
DBPIA-NURIMEDIA
특집 : 3D 마이크로시스템패키징및장비 Cu Filling into TSV and non-pr Sn bumping for 3 Dimension Chip Packaging Sung-Chul Hong, Wang-Gu Lee, Jun-Kyu Park, Won-Joong Kim and Jae-Pil Jung 1. 서론 Limit Sensor Through 17개이상
CHEE 321 CHEMICAL REACTION ENGINEERING
WELCOME TO CHEMICAL REACTION ENGINEERING (Spring 2015) Joong Kee Lee http://aempl.kist.re.kr/ Course Structure/Outline Refer to Syllabus CHEE 309 - TEXTBOOKS/RESOURCES Recommended Text Elements of Chemical
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HTTP://WWW.PHICOM.COM Investor Relations 2004 A World of Possibility [ www.phicom.com ] CONTENTS 1. MARKET TREND 2. COMPANY INTRODUCTION 3. PRODUCTS LIST 4. MANAGEMENT PLAN 5. WHY PHICOM? _03 _09 _15 _22
Ⅰ. 석면 1 1) American Geological Institute, Glossary of geology, 2008, http://glossary.agiweb.org 2) US OSHA standard 29CFR1910.1001(b) 2 석면분석전문가양성교육교재 : 편광현미경을이용한고형시료중석면분석 1) Cornelis Klein, The Manual
(Microsoft PowerPoint - \301\24608\260\255 - \261\244\277\370\260\372 \300\347\301\372)
게임엔진 제 8 강광원과재질 이대현교수 한국산업기술대학교게임공학과 학습목차 조명모델 광원의색상설정 재질 분산성분의이해 분산재질의구현 경반사성분의이해 경반사재질의구현 조명 (Illumination) 모델 조명모델 광원으로부터공간상의점들까지의조도를계산하는방법. 직접조명과전역조명 직접조명 (direct illumination) 모델 물체표면의점들이장면내의모든광원들로부터직접적으로받는빛만을고려.
< > 1. 1 1.1 1 1.2 2 2. 3 2.1 3 2.2 3 2.2.1 3 2.2.2 3 2.2.3 4 2.2.4 (Competency Requirement) 4 2.3 4 3. 5 3.1 5 3.2 7 3.2.1 7 3.2.2 (Competency Requirement) 02 4. 49 < > 1. 4 1.1 2000,, 2011 6, ISO (Technical
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2002. 4. 4. DISPLAY CLASS Electronic Information Displays CRT Flat Panel Display Projection Emissive Display Non Emissive Display Cathode Ray Tube Light Valve FED VFD PDP OLED ELD LED LCD ECD DMD DC Type
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제 8 장 Counters 실험의목표 - Catalog counter 의동작원리에대하여익힌다. - 임의의 counter를통하여 FSM 구현방법을익힌다. - 7-segment display 의동작원리를이해한다. 실험도움자료 1. 7-segment display 7-segment는디지털회로에서숫자를표시하기위하여가장많이사용하는소자이다. 이름에서알수있듯이 7개의 LED(
Ⅰ 개요 1 기술개요 1. OLED OLED(Organic Light Emitting Diodes),,,, LCD, [ 그림 ] OLED 의구조 자료 : TechNavio, Global Organic Light-emitting Diode (OLED) Materials
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반 기 보 고 서 (제 13 기) 사업연도 2011년 01월 01일 2011년 06월 30일 부터 까지 금융위원회 한국거래소 귀중 2011년 08월 16일 회 사 명 : (주)이그잭스 대 표 이 사 : 조근호 본 점 소 재 지 : 경상북도 구미시 공단동 310 (전 화) 054-461-7395 (홈페이지) http://www.exax.co.kr 작 성 책 임
BC6DX Korean.ai
제품설명서 BC6DX * 제품의성능개선을위하여예고없이사양이변경될수있습니다. * 무단복제금지 제품의특징 - 운영프로그램 - 이중입력전원회로 - 방전중개별셀전압평균화 - 최대한의안전장치들 - 사이클충전 / 방전 (Cyclic charging/discharging) - USB 를이용한 PC 통신 - 2 - 외부장치들 -, 버튼 - DEC, INC 버튼 - START/
36 Chap 20 : Conjugated Systems 20.1 Stability of Conjugated Dienes Diene : 2 개의 C=C 이중결합을가진화합물 C 1,4-Pentadiene 1,3-Pentadiene 1,2-Pentadiene (unconj
36 Chap 20 : Conjugated Systems 20.1 Stability of Conjugated Dienes Diene : 2 개의 C=C 이중결합을가진화합물 C 1,4-Pentadiene 1,3-Pentadiene 1,2-Pentadiene (unconjugated diene) (conjugated diene) (cumulated diene)
(2) 설립일자 당사는 1999년 장("KOSDAQ")에 상장하였습니다. 12월 22일에 설립되었으며, 2002년 6월 25일에 한국거래소 코스닥시 (3) 본사의 주소, 전화번호, 홈페이지 주소 가. 본사의 주소 : 경상북도 구미시 공단동 310 나. 전화번호 : 05
분 기 보 고 서 (제 13 기) 사업연도 2011년 01월 01일 2011년 03월 31일 부터 까지 금융위원회 한국거래소 귀중 2011년 05월 16일 회 사 명 : (주)이그잭스 대 표 이 사 : 조근호 본 점 소 재 지 : 경상북도 구미시 공단동 310 (전 화) 054-461-7395 (홈페이지) http://www.exax.co.kr 작 성 책 임
(72) 발명자 김창욱 경기 용인시 기흥구 공세로 150-20, (공세동) 박준석 경기 용인시 기흥구 공세로 150-20, (공세동) - 2 -
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (11) 공개번호 10-2014-0034606 (43) 공개일자 2014년03월20일 (51) 국제특허분류(Int. Cl.) H01M 4/525 (2010.01) H01M 4/505 (2010.01) H01M 4/48 (2010.01) H01M 4/131 (2010.01) (21) 출원번호 10-2012-0101151
BC6DX-II Korean.ai
제품설명서 * 제품의성능개선을위하여예고없이사양이변경될수있습니다. * 무단복제금지 제품의특징 - 운영프로그램 - 이중입력전원회로 ( 주의!, 두개의입력전원을동시에사용하지마십시요.) - 방전중개별셀전압평균화 - 최대한의안전장치들 - 사이클충전 / 방전 (Cyclic charging/discharging) - USB 를이용한 PC 통신 - 2 - 기기외부장치들 -,
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Heinrich Rudolf Hertz (1857 1894) proved the existence of the electromagnetic waves theorized by James Clerk Maxwell's electromagnetic theory of light. Guglielmo Marconi (1874 1937) 1909 Nobel Prize in
2004math2(c).PDF
3 2004 1,,,, 2 1 1. LCD ( )? () ( ) 2. 100 () () 3. < > (1) (2) (3) ( ) < > < >(1)(3) < > (), (3)< >()? ()... () A. B. C. (3), A, B, A, B, C 4. (), () < >? < >? [2]..,.,,,,,...,,,,, 2 5. < > (1), (2) (3)
2005 1 Creating the future of Display and Energy Samsung SDI 2005 420 2005 1 05 1 ( ) 22,449 18,634-17.0% - 392 (%) (- 1.7%) 156 (0.8%) N/A - 480 (%) (- 2.1%) 414 (2.2%) N/A 342 (%) (1.5%) 541 (2.9%)
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좋아유~보은!여러가지 체험으로자연을누려보세요 보은군 농촌체험산업협의회 맑은물 맑은공기비단강숲마을 영동군 비단강 숲마을 보은군은 전국 어디서나 찾아오기 쉬우며, 비단강 숲마을은 자연 그대로가 마을 곳곳에 녹아 잘 보존된 깨끗한 자연환경과 천년의 신비를 간직 흐르는 곳이다. 푸르른 들녘과 알록달록 익어 가는 과일, 한 속리산과 법주사, 장안면 아흔아홉간집, 서원계
현대대학물리학 36(545~583p)
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[ 화학 ] 과학고 R&E 결과보고서 나노입자의표면증강을이용한 태양전지의효율증가 연구기간 : ~ 연구책임자 : 김주래 ( 서울과학고물리화학과 ) 지도교사 : 참여학생 : 원승환 ( 서울과학고 2학년 ) 이윤재 ( 서울과학고 2학년 ) 임종
![[ 화학 ] 과학고 R&E 결과보고서 나노입자의표면증강을이용한 태양전지의효율증가 연구기간 : ~ 연구책임자 : 김주래 ( 서울과학고물리화학과 ) 지도교사 : 참여학생 : 원승환 ( 서울과학고 2학년 ) 이윤재 ( 서울과학고 2학년 ) 임종](/thumbs/103/161032648.jpg "[ 화학 ] 과학고 R&E 결과보고서 나노입자의표면증강을이용한 태양전지의효율증가 연구기간 : ~ 연구책임자 : 김주래 ( 서울과학고물리화학과 ) 지도교사 : 참여학생 : 원승환 ( 서울과학고 2학년 ) 이윤재 ( 서울과학고 2학년 ) 임종")
[ 화학 ] 과학고 R&E 결과보고서 나노입자의표면증강을이용한 태양전지의효율증가 연구기간 : 2013. 3 ~ 2013. 12 연구책임자 : 김주래 ( 서울과학고물리화학과 ) 지도교사 : 참여학생 : 원승환 ( 서울과학고 2학년 ) 이윤재 ( 서울과학고 2학년 ) 임종찬 ( 서울과학고 2학년 ) 소재원 ( 서울과학고 2학년 ) 1,.,.,.... surface
특허청구의범위청구항 1 복수개의관통비아홀이형성된웨이퍼의하나이상의관통비아홀을포함하는전도영역에전도층을형성하는전도층형성단계 ; 상기전도층을포함한웨이퍼전체영역에절연층을증착하는절연층증착단계 ; 상기전도층의상부에감광제를도포하고, 상기관통비아홀이형성된위치에관통비아홀의단면적보다작은단
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H01L 21/60 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-0028172 (22) 출원일자 2010 년 03 월 29 일 심사청구일자 2010 년 03 월 29 일 (65) 공개번호 10-2011-0108779 (43) 공개일자 2011 년 10 월 06 일 (56)
CD실행표지
November 30 (Wed) ~December 2 (Fri), 2011 Hanwha Phoenix Park, PyeongChang Organized by OSK / Photonics Division KICS / Optical Communication Division IEEK / Optical Wave and Quantum Electronics Division
(Microsoft PowerPoint - src.ppt [\300\320\261\342 \300\374\277\353] [\310\243\310\257 \270\360\265\345])
![(Microsoft PowerPoint - src.ppt [\300\320\261\342 \300\374\277\353] [\310\243\310\257 \270\360\265\345])](/thumbs/93/111436094.jpg "(Microsoft PowerPoint - src.ppt [\300\320\261\342 \300\374\277\353] [\310\243\310\257 \270\360\265\345])")
LC/MS, LC/MS/MS 기초개론 LC LC/MS(Liquid Chromatography/Mass Spectrometry) 액상의분석물질을기화및이온화하여고진공관에서원하는질량 (m/z) 이나질량범위만검출하여정량 정성분석하는시스템 High vacuum PC/Software Ion source Mass Analyzer Detector ESI APCI APPI
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PowerPoint 프레젠테이션
5 2004. 3. . 5.. Input. Output . 5 2004 7,, 1,000 5,. 40 2004.7 2005.7 2006.7 2007.7 2008.7 2011. 1,000 300 100 50 20 20 ( ) 0.01% 0.08% 0.36% 0.96% 3.07% 100% ( ) 5.3%(10.7%) 12.2%(17.3%) 21.9%(26.4%)
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크로마토그래피의원리와분석법 HPLC 의검출기및원리 Soonchunhyang University Department of Chemical Engineering Prof. Jungkyun Im 순천향대 나노화학공학과 임정균교수 HPLC 의 detector( 검출기 ) Detector( 검출기 ) 굴절률검출기 (RI Detector) UV/Vis 검출기 형광검출기
<30312E2028C3D6C1BEBAB8B0EDBCAD29BDB4C6DBBCB6C0AF5F E786C7378>
슈퍼섬유 1-No. 20130730 Multi Client Report 슈퍼섬유시장분석및성장전망 (2013) Jul., 2013 화학경제연구원 CHEMICAL MARKET RESEARCH INC. #1204, JnK Digital Tower, 111 Digital 26th, Guro-gu, Seoul 152-050, Korea TEL : +822-6124-6660
저작자표시 - 비영리 - 변경금지 2.0 대한민국 이용자는아래의조건을따르는경우에한하여자유롭게 이저작물을복제, 배포, 전송, 전시, 공연및방송할수있습니다. 다음과같은조건을따라야합니다 : 저작자표시. 귀하는원저작자를표시하여야합니다. 비영리. 귀하는이저작물을영리목적으로이용할수없습니다. 변경금지. 귀하는이저작물을개작, 변형또는가공할수없습니다. 귀하는, 이저작물의재이용이나배포의경우,
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NANOTECHNOLOGY 2008. 3. 13 ( 목 ) 이길선 나노기술 (Nano Technology) 나노미터 (1nm = 1x10-9 m : 10억분의 1미터 ) 크기의물질을조작하고제어하는기술 나노 : 그리스어로난쟁이를의미함 지구 백두산 사람핀머리적혈구 DNA 원자 10 3 km km m ( 백만 ) ( 천 ) (1) mm (1/ 천 ) μm (1/
2015 년도반도체장비 재료성능평가사업공고품목및사양 ( 10, 14, 5 ) Photo/PR KrF LED WEE 노광장비 Reticle particle 검사Unit ARF i NTD BARC KrF Positive PR Etch TSV Gas Chiller 냉매 Di
2015 년도반도체장비 재료성능평가사업공고품목및사양 ( 10, 14, 5 ) PhotoPR KrF LED WEE 노광장비 Reticle particle 검사Unit ARF i NTD BARC KrF Positive PR Etch TSV Gas Chiller 냉매 Diff SiC Susceptor SiC Pre Heat Ring Multi Point OES 고온용
그래핀투명전극 - OLED 전극활용 중앙대학교화학신소재공학부 김수영 인터넷의급속한발달로다양한형태의정보전달이가능해지고있으며, 이를구현해줄수있는디스플레이분야는매우중요한위치를차지하고있다. 최근몇년간 Liquid Crystal Display(LCD) 기술과 Plasma Dis
그래핀투명전극 - OLED 전극활용 중앙대학교화학신소재공학부 김수영 인터넷의급속한발달로다양한형태의정보전달이가능해지고있으며, 이를구현해줄수있는디스플레이분야는매우중요한위치를차지하고있다. 최근몇년간 Liquid Crystal Display(LCD) 기술과 Plasma Display Panel(PDP) 의상용화가급속히이루어지면서기존의브라운관을대체해가고있다. 특히,
1. Features IR-Compact non-contact infrared thermometer measures the infrared wavelength emitted from the target spot and converts it to standard curr
Non-Contact Infrared Temperature I R - Compact Sensor / Transmitter GASDNA co.,ltd C-910C, Bupyeong Woolim Lion s Valley, #425, Cheongcheon-Dong, Bupyeong-Gu, Incheon, Korea TEL: +82-32-623-7507 FAX: +82-32-623-7510
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韓 國 電 磁 波 學 會 論 文 誌 第 19 卷 第 8 號 2008 年 8 月 論 文 2008-19-8-19 K 대역 브릭형 능동 송수신 모듈의 설계 및 제작 A Design and Fabrication of the Brick Transmit/Receive Module for K Band 이 기 원 문 주 영 윤 상 원 Ki-Won Lee Ju-Young Moon
Edition 4(2006) Total Solution for Lightning Damages
Edition 4(2006) http://www.uijae.com Total Solution for Lightning Damages Bipolar Space Charge Dissipation Air Terminals Air Terminal Air Terminal Air Terminal Air Terminal Air Terminal Air Terminal
12.2 Molecular Spectroscopy ( 분자분광학 ) 분자에전자기복사선을쪼여주면분자가낮은에너지상태에서높은에너지상태로이동하게되며, 이때특정흡수진동수를이용하여분자의구조를알아낼수있다. Figure 12.1 : Absorption of energy in elec
39 hap 12 Infrared Spectroscopy ( 적외선분광학 ) 12.1 Electromagnetic radiation 12.2 Molecular spectroscopy 12.3 Infrared spectroscopy 12.4 Interpreting infrared spectra 12.5 Solving infrared spectral problems
물리 및 실험1
17 장. 상의형성 1 17.1 반사와상의형성 상 : 빛의반사 ( 거울 ) 나굴절 ( 렌즈 ) 에의해형성 기하광학 - 반사와굴절, 빛의직행적특성만을고려파동광학 - 간섭과회절, 양자성 파면 (wave front) : 파원으로부터나오는같은위상을갖는파의점 ( 최대진폭에서의점 ) 들을연결한면 광선의표시 : 파면에수직 - 파면의진행을기술 2 반사의법칙 빛이편평한표면으로부터반사될때,
PowerPoint 프레젠테이션
1. Sputter Film 형성 2. Gate Al 공정 3. S/D Al, Mo 공정 4. Cu 배선 5. 투명전도막 1 1) Gate 배선재료요구특성 Gate 배선물질로서요구되는특성과사용예는다음과같다. 구분재료의요구특성사용 Metal Gate 전극및배선 Glass와의밀착력우수 (Adhesion) Etching 가공성우수 배선저항이작을것 TCO (IZO
FTTH 기술발표
2 3 xdsl /UTP FTTH / 2002 2005 2010 2 Mbps 6 Mbps 100Mbps * 10 Mbps 45Mbps 155Mbps FTTO / FTTD / Digital (DBS) 53Mbps/4km LMDS ADSL : Asymmetric Digital Subscriber Line HDSL : High speed Digital Subscriber
CHAPTER 17: CORROSION AND DEGRADATION
( 부식 ) and Degradation Associate Professor Su-Jin Kim School of Mechanical Engineering Gyeongsang National University OCW Chemistry (Best 3min) https://youtu.be/t4psuflo9fk Lecture corrosion (10min) https://www.youtube.com/watch?v=il-abrhrzfy
Microsoft Word - 111130_삼성SDI
삼성SDI 삼성SDI (64) BUY (Maintain) 주가(11/29) 131,5원 목표주가 19,원 211.11.3 울트라북, 2차전지 시장지형을 바꾼다 지금까지의 통념을 깨고 성능이 뛰어나면서도 싸고 가벼운 노트북이 등장했다. 울트라북이다. 울트라북은 모바일 인터넷 시대에 대응한 노트북의 진화이며, 215년에 전체 노트북의 45%를 차지하며 급성 장할
I. 회사의 개요 1. 회사의 개요 1. 연결대상 종속회사 개황(연결재무제표를 작성하는 주권상장법인이 사업보고서, 분기ㆍ 반기보고서를 제출하는 경우에 한함) 상호 설립일 주소 주요사업 직전사업연도말 자산총액 지배관계 근거 주요종속 회사 여부 (주)이수엑사보드 2004년
분 기 보 고 서 (제 40 기) 사업연도 2011년 01월 01일 2011년 09월 30일 부터 까지 금융위원회 한국거래소 귀중 2011년 11월 14일 회 사 명 : (주)이수페타시스 대 표 이 사 : 홍정봉 본 점 소 재 지 : 대구광역시 달성군 논공읍 본리리 29-54 (전 화) 053-610-0300 (홈페이지) http://www.petasys.com
Creation of Colloidal Periodic Structure
광통신 (Optical Communication) 광통신의발전 - 봉화, 횃불, 등대 - 1870, J. Tyndall : 자유낙하하는물줄기에빛이가두어짐을발견 - 1880, A.G. Bell : 태양광으로 213m 소리전송 - 1962, T. Maiman : 반도체레이저개발 - 1966, 영국스탠더드통신연, K.C. Kao, Hockham : 광섬유원거리전송제안
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Industry Brief Analyst 이세철 (6309-4523) seicheol.lee@meritz.co.kr 2013. 06. 11 반도체 Overweight 공정변화 4: CMP(Chemical Mechanical Polishing) Top Picks 삼성전자 (005930) Buy, TP 1,970,000 원 SK 하이닉스 (000660) Buy,
라온피플 주식회사
Microbolometer 설계동향 라온피플 2011. 8 2011-08-10 1 Introduction Bolometer A device for measuring the power of incident electromagnetic radiation via the heating of a material with a temperature-dependent electrical
歯김유성.PDF
BIT/ST/LSCO/MgO Variations of Microstructures and Electrical Properties of BIT/ST/LSCO/MgO Epitaxial Films by Annealing 2003 2 BIT/ST/LSCO/MgO Variations of Microstructures and Electrical Properties of
Creating the future of Display and Energy Samsung SDI
2006 2 Creating the future of Display and Energy Samsung SDI 2006. 7. 25 1 06 2 ( ) 06.2Q QoQ 06.1Q 05.2Q YoY 16,250-962 17,212 18,382-2,132 221-189 410 347-126 (%) (1.4%) (2.4%) (1.9%) 171 1) - 480
가. 회사의 법적, 상업적 명칭 당사의 명칭은 주성엔지니어링 주식회사라고 표기합니다. 또한 영문으로는 JUSUNG Engineering Co., Ltd. 라 표기합니다. 나. 설립일자 및 존속기간 당사는 반도체, FPD, 태양전지, 신재생에너지, LED 및 OLED 제
분 기 보 고 서 (제 18 기) 사업연도 2012년 01월 01일 2012년 03월 31일 부터 까지 금융위원회 한국거래소 귀중 2012 년 5 월 15 일 회 사 명 : 주성엔지니어링(주) 대 표 이 사 : 황 철 주 본 점 소 재 지 : 경기도 광주시 오포읍 능평리 49 (전 화) 031-760-7000 (홈페이지) http://www.jseng.com
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전자회로 Ch3 iode Models and Circuits 김영석 충북대학교전자정보대학 2012.3.1 Email: kimys@cbu.ac.kr k Ch3-1 Ch3 iode Models and Circuits 3.1 Ideal iode 3.2 PN Junction as a iode 3.4 Large Signal and Small-Signal Operation
백색 LED를 사용한 조명용 광원의 설계 및 분석
1879 년백열등 1938 년형광램프 1964 년 HID 램프 1990 년대초 ( 신광원 ) 무전극방전램프 LED 램프 에너지절약기술개발활성화대두 Solid-State Lighting 고효율, 장수명, 고연색성, 에너지및자원절약 쾌적성, 안전성, 지구환경보호, 다양한색가변가능 1000 0.3 x CIE 비시감도곡선 (CIE) 발광효율
Microsoft Word - Report_합본__도시광산.doc
EUGENE Small-Cap 212년 스몰캡 Idea (13) 211. 11.1 Urban Mining 광부가 됩시다 자원의 무기화 지난 9월, 우리 정부(지식경제부)는 도시광산 활성화 포럼 을 개최. 도시광산은 폐가 전제품, 산업폐기물에 축적된 금속자원을 회수, 재활용할 광물을 얻는 것 희토류 생산의 96%를 차지하는 중국은 올해 11월부터 희토류 세율을
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1. (Plating)? PCB (Connection) Hole 2. (Plating Process) Desmear Black-Hole Panel Dry-Film Dry-Film Pattern (De-Smear) Smear [Smear ] : Smear Hole Wall 100% (Smear) 1. Desmear 2. Black-hole 3. Shadow
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2012 I Spring PLASTICS news HANWHA CHEMICAL CORPORATION http://hcc.hanwha.co.kr CONTENTS 04 09 26 44 48 59 2012 SPRING 3 한화뉴스 2012 Spring HANWHA NEWS TRC사 PV Cell 분석 세미나 (1월 17일) 한화케미칼 중앙연구소 분석팀 및 폴리실리콘연구센터에서는
(Vacuum) Vacuum)? `Vacua` (1 ) Gas molecular/cm 3
(Vacuum) Vacuum)? `Vacua` (1 ) Gas.5.5 10 19 molecular/cm 3 & Medium high vacuum High vacuum Very high vacuum 760 5 1 10-3 10-6 10-7 10-9 Low vacuum Medium vacuum High vacuum Very high vacuum Ultra-high
동아내지1수(A~E)-수정2
DFT-10A-10P FILE NO. Body : Polycarbonate Contact : Brass, Nickel Plated Cover : PS resin Current Rating : 10A Voltage Rating With standing Voltage : AC 2500V one minute Insulation Resistance : 100M over
2001/1학기 공학 물리 중간고사
2011/2 학기물리전자기말고사담당교수 : 김삼동 성명 학번 분반 e = 1.6 10-19 C, ε ox = 3.9, ε Si = 11.7,ε o = 8.85 10-14 F/cm 2, kt (300 K) = 0.0259 ev,, n i (Si, 300 K) =1.5x10 10 /cm 3 1. PN diode의 I-V 특성은아래의그림과같은거동을보인 (I) 다.
Electropure EDI OEM Presentation
Electro Deionization: EDI Systems. Electro Pure EDI, Inc.: High technology water tm www.cswaters.co.kr : EDI Electro Deionization 1. EDI Pure Water System? 2. EDI? 3. EDI? 4. EDI? 5. EDI? Slide 2 EDI 1.
5 34-1 5 TEL (02)458-3078, 3079 / FAX (02)458-3077 Homepage http://www.kiche.or.kr / E-mail : kiche@kiche.or.kr NICE NICE NICE O A - 1 P - 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 O
2 PX-8000과 RM-8000/LM-8000등의 관련 제품은 시스템의 간편한 설치와 쉬운 운영에 대한 고급 기술을 제공합니다. 또한 뛰어난 확장성으로 사용자가 요구하는 시스템을 손쉽게 구현할 수 있습니다. 메인컨트롤러인 PX-8000의 BGM입력소스를 8개의 로컬지
PX-8000 SYSTEM 8 x 8 Audio Matrix with Local Control 2 PX-8000과 RM-8000/LM-8000등의 관련 제품은 시스템의 간편한 설치와 쉬운 운영에 대한 고급 기술을 제공합니다. 또한 뛰어난 확장성으로 사용자가 요구하는 시스템을 손쉽게 구현할 수 있습니다. 메인컨트롤러인 PX-8000의 BGM입력소스를 8개의 로컬지역에
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Prologue 01 마그네슘 합금의 장점 및 적용 분야 02 다이캐스팅 이란? 1. About 장원테크 01 Company Overview 02 사업영역 핵심기술력 04 국내 사업장 05 베트남 법인 06 업계 Top Tier 고객사 확보 2. Cash-Cow 모바일
Prologue 01 마그네슘 합금의 장점 및 적용 분야 02 다이캐스팅 이란? 1. About 장원테크 01 Company Overview 02 사업영역 핵심기술력 04 국내 사업장 05 베트남 법인 06 업계 Top Tier 고객사 확보 2. Cash-Cow 모바일 부품 01 Products 02 시장점유율 베트남법인 성장 본격화 04 우호적인 업황 3.
[Fig. 4] (a) Properties of OLED as IWO films as anode. (b)fabrication process of QDLED and image of QDLED device using IWO films as anode. [Fig. 3] 정보
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바이오인터페이스 기술의 현재와 미래 성균관대학교 정보재료소자연구실(IMDL) 김한기 최근 정보통신 분야의 발전에 따라 기존의 다양한 어플 리케이션들은 평면성을 벗어나 이전부터 요구된 투명유 연하고 깨지지 않는 특성과 더불어 신축성을 가진 특성까 지 요구되고 있다. 이러한 흐름 속에서 투명 전극은 투명 하면서 전도성을 가지고 있는 전극 물질로서 디스플레이, 터치센서,
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기하광학 단학기물리학 ( 김수봉 ) 1 17.1 반사와상의형성 상 image : 빛의반사 ( 거울 ) 나굴절 ( 렌즈 ) 에의해형성 기하광학 - 반사와굴절 ( 광선추적 ) 파동광학 - 간섭과회절 파면 (wave front) : 파원으로부터나오는같은위상을갖는파의점 ( 최대진폭에서의점 ) 들을연결한면 광선 ray : 파면에수직 - 파면의진행을기술 2 빛의직진 :
Microsoft PowerPoint - 전자물리특강-OLED-Driving
Changhee Lee School of Electrical Engineering and Computer Science Seoul National Univ. chlee7@snu.ac.kr PMOLED and AMOLED 김기용박사 ( 엘리아텍 ) 1 PMOLED vs. AMOLED PMOLED 공통전극 (Cathode) AMOLED Scan Line Data