Microsoft Word - 오창석

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정민 모
5 years ago
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1 전자소자및반도체패키징기술동향 오창석 * 최근, 중국은정부차원에서대규모의펀드를조성하여반도체산업육성에나서면서추격의속도를높이고있으며, 이는대한민국의반도체산업에대한차세대고성능반도체소자및재료개발의중요성을부각시키고있다. 본고는차세대전자소자및반도체산업의근간이될패키징재료분야에초점을맞추어각재료별보유한물성및요구되는특성을조사하였고, 앞으로차세대전자소자및패키징시장을주도할재료의동향을살펴보고자한다. 목차 Ⅰ. 서론 Ⅱ. 반도체제조공정 Ⅲ. 전자소자및반도체패키징재료 Ⅳ. 결론 * HENKEL PD&E/Sr. Process Engineer I. 서론 반도체산업에대한중국정부의전폭적인지원이시작되면서국내반도체기업에대한중국기업의투자가활발하다. 이미복수의국내반도체회사에대한중국기업의지분투자가이루어졌고, 최근또다른국내반도체회사에대한중국자본의투자소문이업계에퍼지고있다. 최근, 언론보도에따르면중국정부는반도체산업육성을위해앞으로 10 년간 1 조위안 ( 약 180 조원 ) 을투자할것으로알려졌다 [1] 년기준중국메모리반도체수입액은 2,313 억달러로단일품목기준가장많다. 중국최대 LCD 기업인 BOE 가메모리반도체시장진출을발표한점은상징 정보통신기술진흥센터 1

2 주간기술동향 적이다. 정부지원으로 LCD( 액정표시장치 ), LED 산업육성에어느정도성공한중국이반도체영역까지넘보는것이다. 다만중국이이미성숙산업인반도체분야에서어느정도성과를낼지는장담할수없다. 반도체는크게데이터저장용도의메모리반도체와데이터처리용도의비메모리반도체로분류되며, 메모리반도체의경우, 빠른속도로데이터를처리하지만전원을끄면데이터가지워지는 D 램반도체, 그리고속도는느리지만많은양의데이터를영구적으로저장하는낸드플래시반도체로구분된다. D 램시장에서는국내기업인삼성전자와 SK 하이닉스가합계 83% 로난공불락의점유율을지키고있다. 하지만여러업체가난립한낸드플래시시장에서는삼성전자를제외하고는뚜렷한강자가없는상황이다. 이에중국의 반도체굴기 가본격화된것은이낸드플래시시장으로, 중국칭화유니그룹이최근 21 조원을들여우회인수한샌디스크가 3 분기매출을전분기대비 18% 늘리면서미국마이크론을밀어내고단숨에업계 3 위에올랐다. 중국은정부차원에서대규모의펀드를조성하여반도체산업육성에나서면서추격의속도를높이고있으며, 이는한국의반도체산업에대한차세대고성능반도체소자및재료개발의중요성을부각시키고있다. 본고는차세대전자소자및반도체산업의근간이될패키징재료분야에초점을맞추어각재료별보유한물성및요구되는특성을조사하였고, 앞으로차세대전자소자및패키징시장을주도할재료의동향을살펴보고자한다. II. 반도체제조공정 오늘날전자제품의급속한발달을가능하게한 4 가지핵심기술로는반도체, 반도체패키징, 제조, 소프트웨어기술을들수있다. 반도체기술은마이크론이하의선폭, 백만개이상의셀, 고속의처리능력, 충분한열방출효율등으로발달하고있으나상대적으로이를실장하는패키징기술은낙후되어있다. 이는반도체의전기적성능이반도체자체의성능보다는패키징과이에따른전기접속에의해결정된다는것을나타낸다. 실제고속전자제품의전기신호지연의경우 50% 이상이칩과칩사이에서발생하는패키지지연에의해발생하며, 이는향후시스템의크기가큰경우, 80% 이상예상되고있으므로패키징기술의중요성이더하고있다. 또한, 반도체와패키지기술의발달을가 2

3 능하게한또하나의핵심기술로는이들을저가로안정적인생산을할수있게한생산기 술이있었으며, 위의세가지기술을바탕으로제조된전자하드웨어를소비자가간편히 사용가능하게한소프트웨어기술이있다. < 표 1> 반도체제조를위한공정별기술공정별기술 단결정성장 규소봉절단 (Slicing) 웨이퍼표면연마 (Wafer Grinding) 회로설계 (Circuit Design) 내용 고순도로정제된실리콘용융액에시드 (Seed) 결정을접촉하고회전시키면서단결정규소봉 (Ingot) 을성장시킨다. 성장된규소봉을균일한두께의얇은웨이퍼로잘라낸다. 웨이퍼의크기는규소봉의구경에따라결정되며 6 인치, 8 인치, 12 인치로만들어진다. 최근에는 18 인치대구경웨이퍼로기술이발전하고있다. 웨이퍼의한쪽면을연마 (Grinding) 하여거울면처럼만들어주며, 이연마된면에회로패턴을형성한다. CAD(Computer Aided Design) 시스템을사용하여전자회로와실제웨이퍼위에그려질회로패턴을설계한다. 마스크 (Mask) 제작설계된회로패턴을유리판위에그려마스크를만든다. 산화 (Oxidation) 감광액도포 (Photo Resist Coating) 노광 (Lithography) 800~1,200 의고온에서산소나수증기를실리콘웨이퍼표면과화학반응시켜얇고균일한실리콘산화막 (SiO 2 ) 을형성한다. 빛에민감한물질인감광액 (Photo Resister) 을웨이퍼표면에고르게도포시킨다. 노광기 (Stepper) 를사용하여마스크에그려진회로패턴에빛을통과시켜감광막이형성된웨이퍼위에회로패턴을형성한다. 현상 (Development) 웨이퍼표면에서빛을받은부분의막을현상시킨다. 식각 (Etching) 이온주입 (Ion Implantation) 화학기상증착 (Chemical Vapor Deposition: CVD) 금속배선 (Metallization) 웨이퍼자동선별 (Wafer Inspection) 웨이퍼절단 (Wafer Dicing) 칩실장 (Chip Mounting) 금속연결 (Wire Bonding) 성형 (Molding) < 자료 >: Henkel 자체작성, 회로패턴을형성시켜주기위해화학물질이나반응성가스를사용하여필요없는부분을선택적으로제거시키는공정이다. 회로패턴과연결된부분에불순물을미세한가스입자형태로가속하여웨이퍼의내부에침투시킴으로써전자소자의특성을만들어주며, 이러한불순물주입은고온의전기로속에서불순물입자를웨이퍼내부로확산시켜주입하는확산공정에의해서도이루어진다. 반응가스간의화학반응으로형성된입자들을웨이퍼표면에증착하여절연막이나전도성막을형성시키는공정이다. 웨이퍼표면에형성된각회로를금또는알루미늄선으로연결시키는공정이며, 최근에는알루미늄대신에구리선을사용하는배선방법이개발되고있다. 웨이퍼에형성된 IC 칩들의전기적동작여부를컴퓨터로검사하여불량품을자동선별한다. 웨이퍼상의수많은칩들을분리하기위해다이아몬드톱혹은레이저조사를통한웨이퍼를전달한다. 낱개로분리되어있는칩중웨이퍼자동선별테스트에서정상품으로판정된칩을리드프레임혹은기판위에붙이는공정이다. 칩내부의외부연결단자와리드프레임혹은기판을금속선으로연결하여주는공정이다. 연결금선부분을보호하기위해화학수지로밀봉해주는공정으로반도체소자가최종적으로완성된다. 정보통신기술진흥센터 3

4 주간기술동향 반도체관련기술은고속도와집적도를위해끊임없이진척되어왔고앞으로도그러할것이다. 배선물질을금또는알루미늄대신에구리를재료로사용하기위한노력이라든지 10nm 급이하의디자인룰을적용하기위한노력등은그러한예의단편이라고할수있을것이다. 또한, 이러한기술과관련하여기존의세로 300nm(12 인치 ), 가로 450nm(18 인치 ) 웨이퍼로대체될추세이며, 웨이퍼의특성이양호한 SOI(Silicon On Insulator) 도앞으로주목받을것으로예상된다. 이와같이반도체소자의고속도와집적도를위한다양한기술들을제시한 < 표 1> 을통해각반도체공정별기술을정리하였다. 유수의종합반도체기업 (Integrated Device Manufacturer: IDM) 들은고속의처리능력, 집적효율향상을위한연구개발에박차하고있으나, 현재와같은방식에서는전자소자및반도체에집적되는수많은트랜지스터들이한꺼번에과도한전기를요구하여과부하가걸리는등물리적인한계에직면한상황이다. 그동안집중해온반도체기술만이아닌반도체패키징기술의중요성을시사하고있으며, 다음절을통해반도체패키징기술의필수적요소들을알아보고자한다. III. 전자소자및반도체패키징재료 전자소자및반도체패키징재료는주로반도체및 IC(Integrated Circuit) 등의전자 부품들을외부충격이나부식으로부터보호하기위해서개발되었다. 전자소자및반도체 패키징재료에는기판, 접착제 (Adhesive), 솔더 (Solder), 본딩와이어 (Bonding Wire), EMC < 표 2> 반도체패키징의중요기능과핵심기술 중요기능 전력공급 신호연결 열방출 환경으로부터의보호 < 자료 >: Henkel 자체작성, 핵심기술 패키징은전자소자및반도체에필요한전력을공급한다. 저잡음, 접지회로구현, 관련재료, 공정등은패키징기술과긴밀한상관성을갖는다. 패키징은전자소자및반도체간의신호적연결성을부여한다. 신호의전달속도, 연결의신뢰성을유지하기위한회로설계, 접속기술등이중요해진다. 패키징은소자에서발생되는열을방출시키는역할을갖는다. 소자에서발생되는열은소자의성능을저하시키고궁극적으로는신뢰성에중대한영향을주므로적절한설계와제조를통한소자의동작과신뢰성을보장할수있어야한다. 자연적, 화학적, 온도적환경변화에견디고소자를보호하는기능을가진다. 물리적인신뢰성을보장할수있는설계기술, 신뢰성기술이필요하다. 4

5 (Epoxy Molding Compound) 등이있고, 이러한재료는 SP, GA, QFN, DFN 등여러종류의패키징기술에의해제조된다. 패키징기술은능동소자 ( 반도체칩 ) 와수동소자 ( 저항, 콘덴서등 ) 로이루어진하드웨어관련기술을통칭하는매우광범위하고소자의신뢰성을결정짓는중요한기술이다. 반도체패키징의중요기능과이에따른핵심기술은 < 표 2> 와같이크게 4 가지로분류된다. 상기의핵심기술을기반으로부품의소형화지향은휴대형제품에응용되는전자소자및반도체부문에서특히두드러지고있다. 이는휴대용 PC 와스마트폰에대한소비자의경박단소화요구가핵심부품인반도체를더욱작게만들도록유도하고있으며, 시장의수요를충족시키기위한다기능화, 고집적화기반의마이크로 BGA 패키징 (Ball Grid Array Packaging) 및웨이퍼레벨패키징 (Wafer Level Packaging) 기술의발전을가져왔다. 그동안적용되어온일반적인반도체패키지는리드프레임위에완성된칩을실장하고칩과외부배선 (Lead) 을연결한후, 이를다시에폭시몰딩컴파운드 (Epoxy Molding Compound: EMC) 로밀봉하는매우복잡한형태이지만웨이퍼레벨패키징은웨이퍼에서칩으로절단하여낱개의칩을패키징하던칩레벨패키징공정대신웨이퍼상태에서패키징과테스트한후낱개의완제품으로절단하는패키징방법으로기존패키징방법보다공정이줄고웨이퍼상태로모든공정을거치게되므로비용절감을가능하게한다. 또한, 패키지의크기도칩크기와동일하여 (Chip Scale Package) 전자기기를소형화하는데큰이점이있다. 1. 리드프레임리드프레임 (Lead Frame) 은전자소자를구성하는핵심부품으로서반도체칩과기판의전기적신호를전달하고, 외부의습기, 충격등으로부터칩을보호하며, 지지해주는역할을한다 (( 그림 1) 참조 ). 이는칩을외부와연결하는다이패드 (Die Pad) 와리드 (Lead) 로구성된다. 웨이퍼로부터잘려진칩들은금 (Au) 선으로연결단자에와이어본딩을통해물리적접촉이이루어진다. 대부분의리드프레임은합금으로만들어지는데다음과같은특징이있다. 1 우수한화학적접착성, 2 우수한열확장성및전도성, 3 높은강도로제조되는리드프레임중가장많이사용되는합급비율은 Alloy42(57.7% Fe, 41% Ni, 0.8% Mn, and 0.5% Co) 이며, 정보통신기술진흥센터 5

주간기술동향 2016. 1. 20. Side Rail Location Hole Lead Finger (Inner Lead) Die-Pad Dam-Bar Out-Lead Lead Tip 2 nd Bond pt. < 자료 >: http://kcchao.wikidot.

특히, 저렴한가격과작은크기, 그리고우수한전기및열특성때문에 LED 및휴대용제품에많이사용된다. 2. 인쇄회로기판인쇄회로기판 (Printed Circuit Board: PCB) 은회로부품을유지하는기판으로써구리배선이가늘게인쇄된판을의미한다. 반도체, 컨덴서, 저항등각종부품을실장할수있도록설계되어부품상호간을연결시키는전자재료이다.

6 주간기술동향 Side Rail Location Hole Lead Finger (Inner Lead) Die-Pad Dam-Bar Out-Lead Lead Tip 2 nd Bond pt. < 자료 >: 이용하여재구성 Cutting Zone Fish Tail(Support Bar) ( 그림 1) 리드프레임및구성요소이물질은패키지재료들에대해접착성과열확장성이우수하다고알려져있다. 대체로구조가상대적으로간단한전형적인패키지구조에사용되며, 출력단자수가적은소자에적합하다. 특히, 저렴한가격과작은크기, 그리고우수한전기및열특성때문에 LED 및휴대용제품에많이사용된다. 2. 인쇄회로기판인쇄회로기판 (Printed Circuit Board: PCB) 은회로부품을유지하는기판으로써구리배선이가늘게인쇄된판을의미한다. 반도체, 컨덴서, 저항등각종부품을실장할수있도록설계되어부품상호간을연결시키는전자재료이다. 인쇄회로기판은전기배선을효율적으로설계함으로써전자소자및기기의경박단소화를가능하게하고성능을높이는역할을한다. 구조적으로는여러종류의많은부품을페놀수지및에폭시수지등의절연판한쪽면또는양쪽면에동박 (Copper Foil) 을압착시킨후회로에따른배선을형성하고, 불필요한부분은부식 (Etching) 시켜동박을제거하여회로를구성한다. 이인쇄회로기판에부품의리드의관통을위한구멍 (Through Hole) 이나윗면 (Top Layer) 과아랫면 (Bottom Layer) 사이의배선을연결하기위한구멍 (Via) 를뚫어도금을하고, 윗면과아래면을 Photo Solder Resist(PSR) 잉크로도포하면인쇄회로기판이완성된다. 사용하는대부분의전자부품이인쇄회로기판위에실장되며, 부착밀도나기기의형태등의조건에따라인쇄회로기판의모양을정할수있으므로다른부품에비해제품선 6

7 택의폭이넓다. 인쇄회로기판을재료로전자부품을제조하였을때얻어지는일반적인장점은다음과같다. 1 대량생산의용이성 ( 양산성 ), 2 제품의균일성및신뢰성, 3 화학적안정성, 4 배선의단순성등이다. 하지만결정된회로로설계된인쇄회로기판은설계변경이나다른회로에적용하기어렵고, 소량다품종생산이요구되는경우기종변경에어려움이있다. 3. 에폭시 / 페이스트 반도체접착용도로광범위하게사용되고있는에폭시 / 페이스트 (Epoxy/Paste) 는무기 물기반 (Inorganic Structure) 접착제와고분자기반 (Polymer Structure) 접착제로나뉘어 지며, 대부분범용으로사용되는고분자기반 의접착제는크게열경화성수지 (Thermoset Polymer) 와열가소성수지 (Thermoplastic Polymer) 로나눌수있다. 열경화성수지의 경우수지의단량체 (Monomer) 가가열 / 성형된 후삼차원망상구조 (Cross linked Structure) 를가지며다시가열하여도연화되지않는 다. 이와달리열가소성수지의경우는가열 에의한선형고분자 (Linear Polymer) 의구 조를가질수있다 (( 그림 2) 참조 ). 또한, 이두가지성분을혼합시켜만든하이브리드형 도있으나, 사실상기후및환경변화에민감한반도체제품의보호를위해대부분의재료 개발은열경화성수지기반의형태로이루어지고있다. < 자료 >: 이용하여재구성 접착제가전기적전도성을요하는경우는은 (Ag) 과같이전도성을갖는무기질충전물 (Inorganic Filler) 을첨가하고, 이와반대로실리카 (Silica) 를첨가하여접착제전체가절연 성을나타내도록특성을부여할수있다. 또한, 다기능집적회로와같이많은열을발산하 는부품의경우알루미나 (Alumina) 혹은다이아몬드와같은충전제를첨가하여전기적절 연성과동시에열을방출시킴으로써소자의오동작을방지할수있다. Cross linked polymer Linear polymer ( 그림 2) 삼차원망상구조와선형폴리머 일반적으로사용되는에폭시 / 페이스트의경우, 용기의형태에따라 Syringe 형과 Jar 형태로나누어지며수지 (Resin) 와경화제 (Hardener) 가교반 (Mixing) 되어있는일액형이 정보통신기술진흥센터 7

주간기술동향 2016. 1. 20. 대부분이다. 이액형의경우는사용자의요구에따라이들을서로분리시켜사용할수있도록설계되어있다. 대부분의전자소자및반도체조립업계에서는접착제의생산, 관리적측면을고려하여 ( 그림 3) 과같은 Syringe 형태의접착제를사용하는추세이며, 지속적인경박단소화를지향하 < 자료 >: www.henkel.

이것은미세한금속선으로반도체칩의끝부분과다른전기적연결단자와연결함으로써가능하게하는데미세한칩의표면에선을붙이는것은어려운공정이다. 초창기전기적접속방법은칩에직접납땜하는방법이었으나, 낮은생산성으로인한문제를야기하였다. 또한, 반도체물질과의접합부위가취약하기때문에소자의성능을떨어뜨리는결과를가져오기도하였다.

8 주간기술동향 대부분이다. 이액형의경우는사용자의요구에따라이들을서로분리시켜사용할수있도록설계되어있다. 대부분의전자소자및반도체조립업계에서는접착제의생산, 관리적측면을고려하여 ( 그림 3) 과같은 Syringe 형태의접착제를사용하는추세이며, 지속적인경박단소화를지향하 < 자료 >: ( 그림 3) Syringe 형상의에폭시 / 페이스트접착제 는시장의요구에따라서필름형상의접착제기술이발현되고있다. 4. 본딩와이어전자소자및반도체제품의원활한동작을위해서는내부의칩이외부와전기적으로연결되어야한다. 이것은미세한금속선으로반도체칩의끝부분과다른전기적연결단자와연결함으로써가능하게하는데미세한칩의표면에선을붙이는것은어려운공정이다. 초창기전기적접속방법은칩에직접납땜하는방법이었으나, 낮은생산성으로인한문제를야기하였다. 또한, 반도체물질과의접합부위가취약하기때문에소자의성능을떨어뜨리는결과를가져오기도하였다. 칩연결에쓰이는와이어는시간이지나도본연의성능을구현할수있도록전기적연결이좋아야하며, 이러한문제점을개선하기위해반도체칩과리드에매우가는고순도금 (Au), 알루미늄 (Al), 구리 (Cu) 선으로연결하는와이어본딩공정을사용하고있다 (( 그림 4) 참조 ). 본딩와이어의기계적특성은인장강도와연신율로표현할수있다. 인장강도는와이어를잡아당겼을때견딜수있는최대응력을뜻하고연신율은와이어를당겼을때 < 자료 >: 이용하여재구성 ( 그림 4) 본딩와이어 8

9 최대로늘어난길이를뜻한다. 본딩와이어제조과정중, 열처리량이적은경우는와이어의경도가높아져와이어본딩공정에서의루프형성이어려우며, 열처리량이너무과도한경우에는본딩된와이어가무른성질을갖게되어추후, 몰딩공정중인접한와이어와전기적단락를야기시킨다. 일반적으로동일한크기의와이어의경우, 순도에따라전기전도도가결정되며, 금선의경우 4N(99.99%), 3N(99.9%), 2N(99%) 의함량으로구분된다. 최근반도체의경박단소화로소자의크기는점점작아지고, 칩위에더많은입 / 출력회로가집적됨에따라반도체패키징공정에사용되는와이어의직경은 25 μm에서 15 μm로미세화되는추세이다. 5. DAF 기존의범용패키지에적용해오던전통적인접착제는에폭시 / 페이스트상으로이루어진액상형접착제로서개별칩들을기판이나리드프레임에접착시, 디스펜싱 (Dispensing) 이라는접착제도포방식을취하고있다. 칩접착공정 (Die Bonding Process) 을위해서는 ( 그림 5) 와같은디스펜싱공정이별도로추가되어야하며, 접착후접착제를경화시켜야하는등상당한공정비용이필요하다. 특히, 디스펜싱방식의물리적한계와정밀성부족으로인해접착제의도포량과두께를제어하기가힘들고, 접착후에도그도포의균일성을보장받기어렵다. IT 관련전기전자부품의경박단소화가요구되는각종모바일단말기기의핵심부품인반도체칩의적층기술 (Stack Die Technology) 은매우중요한핵심기술로부상하고있다. 이는반도체칩을구조적으로여러장적층하여집적도와밀도를높이는동시에부품실장면적을줄이면서도전체적인두께를박형으로유지하는첨단기술로써실제이러한적층기술이적용된반도체패키지들이널리적용되고있다. 그중대표적인것이바로 CSP Substrate Dispense Epoxy Pick Die Place Die Reflow < 자료 >: Henkel 자체작성, ( 그림 5) 페이스트를이용한칩접착공정 정보통신기술진흥센터 9

주간기술동향 2016. 1. 20. (Chip Scale Package) 이다. 반도체패키지의핵심기술은바로실장면적을이용하여각칩들을서로접착시켜적층하는기술이다. 칩위에또다른칩을더얹어패키지의부피가증가없이도메모리의용량을배가시키거나, 하나의칩으로통합시키기어려운복합기능을한패키지안에서해결할수있게하는기술이다.

10 주간기술동향 (Chip Scale Package) 이다. 반도체패키지의핵심기술은바로실장면적을이용하여각칩들을서로접착시켜적층하는기술이다. 칩위에또다른칩을더얹어패키지의부피가증가없이도메모리의용량을배가시키거나, 하나의칩으로통합시키기어려운복합기능을한패키지안에서해결할수있게하는기술이다. 적층기술은반도체패키지의효용과성능을좌우하는매우중요한핵심기술이며, 이는궁극적으로칩과칩, 또는칩과기판을어떻게잘접착시키느냐의문제로귀결된다. 만일적층된칩사이의계면접착력이약해서패키지의치수안정성이떨어지거나외부의수분혹은열과같은응력에의해쉽게변형된다면전기적연결부위인와이어에대한손상또는회로가입혀진칩의전면에손상을주어패키지의신뢰성을크게저하시킬수도있기때문이다. 따라서현실적한계를가진액상도포방식의페이스트를대체하고, 적층된칩계면을충실히접착할수있는층간접착제로서의 DAF(Die Attach Film) 의역할이부각되고있다. 반도체의칩적층용접착제로주로사용되고있는 DAF 인 ( 그림 6) 은소자의소형화, 고집적화가요구되는소형전자기기에주로사용되는재료로서각광받고있다. 기존의페이스트접착제를빠르게대체하고 있는이접착필름은일본의 Hitachi, Nitto 사그리고독일의 Henkel 사가세계적인기술과시장을과점하 < 자료 >: ( 그림 6) DAF 고있다. 또한, 최근적층기술및시장에서다이싱테이프일체형인 DDF(Dicing Die Attach Film) 가주도적인제품으로자리매김하고있다. 접착성이우수하게설계된 DAF(Die Attach Film) 를통한칩접착공정은웨이퍼가공단계에서웨이퍼이면에부착된후, 다이싱 (Dicing) 공정을거쳐바로접착공정으로이어 < 자료 >: Henkel 자체작성, Substrate Pick Die with DAF Place Die ( 그림 7) DAF 를이용한칩접착공정 10

11 져칩과기판혹은리드프레임에직접부착되는방식이다. ( 그림 7) 과같이이미웨이퍼다이싱단계에서부터접착공정이이루어지기때문에기존의페이스트디스펜싱과같은별도의독립된접착공정이필요없고, 고상형필름형상을통한균일한두께및위치를확보할수가있어기존기술의한계를극복할수있다. DAF 를통한통상적인다이접착공정이개발됨에따라대폭적인공정단일화를구현하였으며, 패키징기업들의생산성및수율의향상을견인하는재료로써각광받고있다. IV. 결론 향후수년간전자소자및반도체산업은중국의거센투자및인력유출을통한전례없는경쟁이지속될것으로예측되며, 이를통한기술의발전역시고도화될것으로판단된다. 이러한고도성장을예상하게하는주요요인으로대용량고속서버산업의발전과정보공유및저장을위한소셜네트워크서비스 (SNS) 및클라우드서비스그리고초고속메모리용반도체기술을통한모바일산업을꼽을수있다. 또한, 스마트폰및웨어러블디바이스, 와이어리스인프라등이커뮤니케이션산업의성장을이끌고있으며, 이들산업의핵심은두말할것도없이반도체기술의발전이라해도과언이아니다. 반도체관련기술은고속도와집적도를위해끝임없는기술의진보가있을것이고, 이와더불어경박단소화및생산단가하락을위한노력도계속될것이다. 이러한기술변화의동향으로 450nm 웨이퍼공정기술개발, 고속동작을위한금속배선기술의개발, 미세선폭을만족시키기위한노광장비등여러공정장비및공정기술의개발그리고물리적한계를극복하기위한완성칩의소형화를위한패키징등여러분야에서끊임없는기술의진보가예상된다. 대한민국의반도체제조공정기술은세계메모리부문의점유율이대변하듯이세계를선도하는위치라고말하는데부족함이없다. 그러나, 앞서도언급했듯이중국등신흥국가의기술추격을뿌리치고수위의입지를더욱확고히하기위해서는소자제조기업에서는비메모리분야의설계기술확보를위한노력에박차를가해야하며, 반도체장비및재료기업과협업을통한고부가가치의재료개발에관심을가져야할것이다. 특히, 물리적한계에다다른반도체칩제조에대한대안으로핵심패키징장비및재료에대한국내개발및생산은우리의반도체산업발전의지속가능성장을위한필수요소임을재차강 정보통신기술진흥센터 11

12 주간기술동향 조하며본고를마무리짓는다. < 참고문헌 > [1] 중국이번엔반도체.. 국내기업투자봇물, 머니투데이, [2] 한태희, 차세대반도체공정 / 소자개발동향, 한국산업기술평가관리원, KEIT PD ISSUE VOL [3] 반도체재료기술로드맵조사 연구보고서, 한국반도체산업협회, [4] Market & Technology Reports, < * 본내용은필자의주관적인의견이며 IITP 의공식적인입장이아님을밝힙니다. 12

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<4D F736F F F696E74202D20B9DDB5B5C3BCB0F8C1A426B8DEB8F0B8AEBFEBBDC5BCD2C0E75FBEF7B7CEB5E52E707074> Chap. 1 Information/Communication Technology 반도체칩제조공정및메모리반도체 Advanced Materials and Future Technology Fabrication Processes of Semiconductor Chips ( 반도체칩제조공정 ) IC (Integrated Circuit) Devices ( 집적회로소자