분 기 보 고 서 (제 66 기) 사업연도 2013년 01월 01일 2013년 03월 31일 부터 까지 금융위원회 한국거래소 귀중 2013년 05월 15일 회 사 명 : 에스케이하이닉스 주식회사 대 표 이 사 : 박 성 욱 본 점 소 재 지 : 경기도 이천시 부발읍 경

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1 목 분 기 보 고 서...1 대표이사 등의 확인...2 I. 회사의 개요 회사의 개요 회사의 연혁 자본금 변동사항 주식의 총수 등 의결권 현황 배당에 관한 사항 등...16 II. 사업의 내용...18 III. 재무에 관한 사항...43 IV. 감사인의 감사의견 등...52 V. 이사의 경영진단 및 분석의견...55 VI. 이사회 등 회사의 기관 및 계열회사에 관한 사항 이사회에 관한 사항 감사제도에 관한 사항 주주의 의결권 행사에 관한 사항 계열회사 등의 현황...64 VII. 주주에 관한 사항...76 VIII. 임원 및 직원 등에 관한 사항 임원 및 직원의 현황 임원의 보수 등...87 IX. 이해관계자와의 거래내용...89 X. 그 밖에 투자자 보호를 위하여 필요한 사항...91 XI. 재무제표 등...99 XII. 부속명세서 전문가의 확인 전문가의 확인 전문가와의 이해관계 차

2 분 기 보 고 서 (제 66 기) 사업연도 2013년 01월 01일 2013년 03월 31일 부터 까지 금융위원회 한국거래소 귀중 2013년 05월 15일 회 사 명 : 에스케이하이닉스 주식회사 대 표 이 사 : 박 성 욱 본 점 소 재 지 : 경기도 이천시 부발읍 경충대로 2091 (전 화) (홈페이지) 작 성 책 임 자 : (직 책) 재경실장 (성 명) 이 명 영 (전 화) ~8 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 1

3 대표이사 등의 확인 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 2

4 1. 회사의 개요 I. 회사의 개요 에스케이하이닉스는 이천, 청주의 국내 사업장을 비롯하여 중국 장쑤( 江 蘇 )성 우시( 無 錫 )시에 생산 공장과 10개 판매 법인 및 18개의 국내외 사무소를 두고 있는 글로벌 기업으로서 지속적인 연구개발 및 투자로 기술 및 원가 경쟁력을 확보하고 있으며, 세계 반도체시장을 선도하기 위해 노력하고 있 습니다. 당사의 개요와 관련한 보다 자세한 내용은 다음과 같습니다. 가. 연결대상 종속회사 개황 (단위 : 백만원) 상호 설립일 주소 주요사업 직전사업연 도말 자산총액 지배관계 근거 주요종속 회사 여부 에스케이하이이엔지(주) 경기도 이천시 부발읍 경충대로 2091 사업지원 47,917 에스케이하이스텍(주) 경기도 이천시 부발읍 경충대로 2091 사업지원 22,748 의결권 과반수 소유 의결권 과반수 소유 X X 아미파워(주) 경기도 이천시 부발읍 경충대로 2091 열병합 발전 15,283 의결권 과반수 소유 X SK hynix America Inc.(SKHYA) North First Street, San Jose, CA 95134, U.S.A. 반도체 판매 867,351 의결권 과반수 소유 Hynix Semiconductor Manufacturing America Inc.(HSMA) Willow Creek Circle, Eugene OR,97104, U.S.A. 반도체 생산 52,500 의결권 과반수 소유 SK hynix Deutschland GmbH(SKHYD) Am Prime Parc 13, Kelsterbacher Str.16, D Raunheim, Germany 반도체 판매 82,039 의결권 과반수 소유 SK hynix Europe Holding Ltd.(SKHYE) Brooklands Road, Weybridge, Surrey KT13 ORH, U.K. 해외현지 투자 지주회사 199,518 의결권 과반수 소유 SK hynix U.K. Ltd.(SKHYU) Brooklands Road, Weybridge, Surrey KT13 ORH, U.K. 반도체 판매 81,677 의결권 과반수 소유 SK hynix Asia Pte.Ltd.(SKHYS) Temasek Boulevard #42-02 Suntec City Tower1 Singapore 반도체 판매 146,471 의결권 과반수 소유 Unit 10, Level 8, Innovator Building, SK hynix Semiconductor India PrivateLtd.(SKHYIS) ITPB(International Technology Park Bangalore), Whitefield Road, Bangalore 반도체 판매 837 의결권 과반수 소유 X , India SK hynix Semiconductor Hong Kong Ltd.(SKHYH) Suite 2401, 24F., Central Plaza, 18 Harbour Road, Wanchai, Hong Kong 반도체 판매 326,673 의결권 과반수 소유 SK hynix Semiconductor (Shanghai) Co.,Ltd.(SKHYCS) Room , Maxdo Center, No.8, Xing Yi RD, Changning Zone, Shanghai, China 반도체 판매 54,294 의결권 과반수 소유 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 3

5 SK hynix Japan Inc.(SKHYJ) F SHIROYAMA TRUST TOWER, Toranomon, Minatoku, Tokyo 반도체 판매 194,729 의결권 과반수 소유 SK hynix Semiconductor Taiwan Inc.(SKHYT) F, No.392, Ruey Kuang Road, Neihu, Taipei11492, Taiwan, R.O.C. 반도체 판매 276,666 의결권 과반수 소유 SK hynix Semiconductor (China) Ltd.(SKHYCL) Lot K7, Wuxi Export Processing Zone in WuxiNew District, Wuxi, Jiangsu Province, China 웨이퍼 생산 및 판매 3,234,346 의결권 과반수 소유 SK hynix Semiconductor (Wuxi) Ltd.(SKHYMC) Lot K7, Wuxi Export Processing Zone in WuxiNew District, Wuxi, Jiangsu Province, China 웨이퍼 생산 및 판매 246,213 의결권 과반수 소유 SK hynix(wuxi) Semiconductor SalesLtd.(SKHYCW) Lot K7, Wuxi Export Processing Zone in WuxiNew District, Wuxi, Jiangsu Province, China 반도체 판매 933 의결권 과반수 소유 X SK hynix Italy S.r.l.(SKHYIT) V.le Colleoni 15, Palazzo Orione Agrate Brianza (MB), Italy 기술센타 3,240 의결권 과반수 소유 X SK hynix memory solutions Inc.(SKHMS) Walsh Avenue, Suite 200, Santa Clara, CA 기술센타 7,373 의결권 과반수 소유 X 주요 종속회사 판단기준: 직전 사업연도말 자산총액 500억원 이상 나. 회사의 법적ㆍ상업적 명칭 당사의 명칭은 에스케이하이닉스 주식회사이며, 영문으로는 SK hynix Inc.라고 표기합니다. 단, 약 식으로 표기할 경우에는 SK하이닉스 또는 SK hynix라고 표기합니다. 다. 설립일자 당사는 1949년 10월 국도건설 주식회사로 설립되어 1983년 2월 현대전자산업주식회사로 상호를 변경하였으며, 이후 2001년 3월 주식회사 하이닉스반도체로, 2012년 3월 에스케이하이닉스 주식회 사로 상호를 변경하였습니다. 회사가 발행한 주식은 한국거래소에 상장되어 유가증권시장에서 거래 되고 있으며, 종목코드는 '000660'입니다. 라. 본사의 주소, 전화번호, 홈페이지 주소 주소: 경기도 이천시 경충대로 2091 전화번호: 홈페이지: 마. 주요 사업의 내용 현재 당사의 주력 생산제품은 DRAM, NAND Flash 및 MCP(Multi-chip Package)와 같은 메모리 반 도체 제품이며, 2007년부터는 시스템 LSI 분야인 CIS(CMOS Image Sensor) 사업에 재진출하여 종 합반도체 회사로 그 영역을 넓혀가고 있습니다. 당사 정관에 근거하여 현재 회사가 영위하는 목적사업은 다음과 같습니다. -. 반도체소자 제조 및 판매 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 4

6 -. 반도체소자 기타 이와 유사한 부품을 사용하여 전자운동의 특성을 응용하는 기계, 기구 및 이에 사용되는 부품과 재료 등의 제작, 조립 및 판매 -. 컴퓨터 활용을 위한 소프트웨어 개발 및 임대업 -. 전자 전기, 통신기계, 기구 및 그 부품의 제작, 판매, 임대 및 관련 서비스업 -. 기계부분품 제조업 및 금형제조업 -. 기술연구 및 용역수탁업 -. 전자 전기기계, 기구의 임대업 -. 특수통신(위성통신 등) 방송관련 기기 제작, 판매, 임대업 및 서비스업 -. 정보서비스업 -. 출판업 -. 무역업 -. 부동산 매매 및 임대업 -. 발전업 -. 건설업 -. 전자관 제조업 -. 창고업 -. 주차장업 -. 위성통신사업 -. 전기통신회선설비 임대사업 -. 전자상거래 및 인터넷 관련사업 -. 전기 각호와 관련되는 사업 및 투자 사업부문별 보다 자세한 사항은 Ⅱ. 사업의 내용을 참조하시기 바랍니다. 바. 계열회사의 총수, 주요계열회사의 명칭 및 상장여부 (1) 기업집단의 명칭 : SK계열 (2) 기업집단에 소속된 회사 ( 일 기준 계열사 : 81개사) 업종 상장사 비상장사 지주회사(1) SK - 에너지ㆍ화학 (29) 정보통신/ 전기전자 (24) SK이노베이션, SK케미칼, SKC, SK가스, 부산도시가스 SK텔레콤, 로엔엔터테인먼트, SK커뮤니케이션즈, SK브로드밴드, SK C&C, SK하이닉스, 실리콘화일, SKC솔믹스 SK E&S, SK에너지, SK종합화학, SK루브리컨츠, 대한송유관공사, SK모바일에너지, 충청에너지서비스, 영남에너지서비스, 전북에너지서비스, 전남도시가스, 강원도시가스, 평택에너지서비스, SK사이텍, SK유화, SKC에어가스, 코원에너지서비스, 아미파워, SK더블유, 유베이스매뉴팩처링아시아, 울산아로마틱스, 김천에너지, 피엠피, 위례에너지서비스, 하남에너지서비스 SK텔레시스, SK텔링크, 인포섹, 커머스플래닛, SK하이스텍, 텔레비전미디어코리아, 서비스에이스, 서비스탑, 네트웍오앤에스, SKC라이팅, 에이앤티에스, 엘씨앤씨, SK플래닛, 매드스마트, 비젠, 피에스앤마케팅 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 5

7 건설/물류/서비스 (21) SK네트웍스 SK건설, SK해운, 행복나래, SK디앤디, 엠앤서비스, SK에스엠 에프앤유신용정보, SK네트웍스서비스, 리얼베스트, 엔카네트워크, 내트럭, 앤츠개발, SK신텍, 스피드모터스, SK하이이엔지, 엠케이에스개런티(유), SK임업, 대전맑은물, 광주맑은물, SK핀크스 금융(1) SK증권 - 기타(5) 유비케어 SK바이오팜, SK와이번스, 제주유나이티드FC, SK컨티넨탈이모션코리아 (*) 사명 변경 : 코원에너지서비스 ( 舊 대한도시가스 ), 울산아로마틱스 ( 舊 아로케미 ), 행복나래 ( 舊 엠알오코리아 ), 비젠 ( 舊 텔스크 ), SK하이스텍 ( 舊 하이스텍), SK하이이엔지 ( 舊 하이닉스엔지니어링) 사. 신용평가에 관한 사항 본 보고서 제출일 현재 당사의 신용등급은 다음과 같습니다. 구분 평가기관 현등급 최종평가일 NICE신용평가 A 국내 한국기업평가 A 한국신용평가 A 해외 Moody's Ba S&P BB 최근 3개 사업연도 신용등급과 관련한 상세 내역 및 각 등급에 따른 정의는 본 보고서 'Ⅱ. 11. 나. 최근 3년간 신용등급'을 참고하여 주시기 바랍니다. 2. 회사의 연혁 가. 설립 이후의 중요한 변동상황 (1) 회사의 주된 변동내용 국도건설 주식회사 설립 현대전자산업주식회사로 상호 변경 기업공개 및 상장 대표이사 김영환 외 이사 5인 변경 선임 이사 5인, 감사 1인 변경 선임 LG그룹과 LG반도체 주식 양수도 계약 체결 LG반도체 대주주 지분 인수 현대반도체 (구, LG반도체) 흡수합병 박종섭 대표이사 외 이사 1인, 감사위원 2인 변경 선임 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 6

8 전장사업부문 (주)현대오토넷으로 분사 모니터사업부문 "현대이미지퀘스트(주)"로 분사 주식회사 하이닉스반도체로 상호 변경 박상호 대표이사 선임 외 이사 2인, 감사위원 2인 변경 선임 통신단말기 사업부문 "현대큐리텔"로 분사 통신 ADSL 사업부문 "현대네트웍스"로 분사 통신 네트워크 사업부문 "현대시스콤"으로 분사 현대그룹으로부터 계열분리 채권금융기관 공동관리 시작 현대큐리텔, '팬텍 컨소시엄'에 지분 매각 현대시스콤, '쓰리알'에 지분 매각 시러스 로직 社 와 파운드리 전략적 장기공급 계약체결 박종섭 대표이사 사임 최대주주 변경(현대상선(주) (주)한국외환은행) 우의제 대표이사 선임 외 이사 2인, 감사위원 2인 변경 선임 현대네트웍스, '엠비엔'에 지분 매각 박상호 대표이사 사임 STMicro 社 와 낸드플래시 메모리 공동 개발 및 파운드리 공급 계약 체결 환경/안전/보건 기술연구소 설립 매그나칩반도체 유한회사와 비메모리 사업부문 영업양도계약 체결 중국 장쑤( 江 蘇 )성 우시( 無 錫 )시와 중국 현지공장설립 협력계약 체결 비메모리 사업부문 영업양도 STMicro 社 와 중국 현지 합작공장설립을 위한 협력계약 체결 황학중, 김덕수, 민형욱, 이준호 사외이사 선임 박시룡, 장윤종 사외이사 임기만료 퇴임 채권금융기관 공동관리 조기종료 현대이미지퀘스트(주), (주)빅터스캐피탈코리아에 지분 매각 (주)현대오토넷 지분매각 완료 출자전환주식 공동관리협의회 1차 공동 지분매각(해외유통GDR발행 및 국내 블록세일 ) 권오철 이사, 손방길 사외이사 선임, 정형량 이사 임기만료 퇴임 중국 현지생산법인(HSMC) 설립 출자전환주식 공동관리협의회 2차 공동 지분매각(해외유통GDR발행 및 국내 블록세일 ) mm 연구소(R3 R&D Fab) 개소 김종갑 대표이사 외 이사 1인 신규 선임, 사외이사 8인(감사위원회 위원 4인 포함) 선 임 -. 이사 선임: 김종갑, 최진석 -. 사외이사 선임: 박종선, 김경한, 조동성, 김형준 -. 감사위원회 위원이 되는 사외이사 선임: 황학중, 민형욱, 손방길, 손성호 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 7

9 우의제 대표이사 임기만료 퇴임 이사 1인(오춘식), 사외이사 4인(김범만, 김수창, 이선, 이준호) 임기만료 퇴임 청주 신규 M11(300mm) 공장 착공 공정거래 자율준수프로그램 도입 환경운동연합과 '환경경영검증위원회' 협약 체결 '일하는 이사회'를 위한 신( 新 )이사회 제도 도입 김경한 사외이사 중도 퇴임 사외이사 8인(감사위원회 위원 3인 포함) 선임 -. 사외이사 선임: 박종선, 조동성, 김형준, 정홍원, 최장봉 -. 감사위원회 위원이 되는 사외이사 선임: 손성호, 홍형표, 백경훈 사외이사 3인(황학중, 민형욱, 손방길) 임기만료 퇴임 정홍원 사외이사 중도 퇴임 권오철 이사 재선임 외 이사 1인 신규 선임, 사외이사 8인(감사위원회 위원 3인 포함) 선임 -. 이사 선임: 권오철, 박성욱 -. 사외이사 선임: 박종선, 조동성, 김형준, 최장봉, 한부환 -. 감사위원회 위원이 되는 사외이사 선임: 손성호, 홍형표, 백경훈 중국 후공정 합작사 HITECH 설립 최대주주 변경((주)한국외환은행 한국정책금융공사) 최대주주 변경(한국정책금융공사 미래에셋자산운용투자자문(주)) 권오철 대표이사외 이사 1인 신규 선임, 김종갑 이사 재선임 사외이사 9인(감사위원회 위원 3인 포함) 선임 -. 이사 선임: 김종갑, 권오철, 김민철 -. 사외이사 선임: 박종선, 전인백, 한부환, 최장봉, 정병태, 김형준 -. 감사위원회 위원이 되는 사외이사 선임: 백갑종, 송재용, 김창호 중국 후공정 합작공장 HITECH 준공 최대주주 변경(미래에셋자산운용투자자문(주) 한국정책금융공사) 최대주주 변경(한국정책금융공사 국민연금공단) 사외이사 9인(감사위원회 위원 3인 포함) 선임 -. 사외이사 선임: 한부환, 전인백, 정병태, 이달곤, 김갑회, 정상환 -. 감사위원회 위원이 되는 사외이사 선임: 백갑종, 송재용, 조현명 정상환 사외이사 중도 퇴임 최대주주 변경(국민연금공단 에스케이텔레콤(주)) 사외이사 5인(감사위원회 위원 3인 포함) 선임 -. 이사 선임: 최태원, 하성민, 박성욱 -. 사외이사 선임: 김두경, 박영준, 윤세리, 김대일, 이창양 -. 감사위원회 위원이 되는 사외이사 선임: 김두경, 김대일, 이창양 낸드플래시 개발업체 아이디어플래시(Ideaflash S.r.l.) 인수, 이탈리아 기술센터(SK Hynix Italy S.r.l.) 전환 설립 미 컨트롤러 업체 LAMD(Link_A_Media Devices) 인수 본계약 체결 플래시 솔루션 디자인 센터 설립 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 8

10 김준호 사내이사 1인 신규 선임 (2) 주요종속회사의 주된 변동내용 미국 현지법인(HSA) 설립 독일 현지법인(HSD) 설립 싱가폴 현지법인(HSS) 설립 홍콩 현지법인(HSH) 설립 영국 현지법인(HSE) 설립 영국 현지판매법인(HSU) 설립 미국 생산법인(HSMA) 설립 대만 현지법인(HST) 설립 일본 현지법인(HSJ) 설립 사업지원 서비스부문 "(주)현대아스텍" 분사 LCD 사업부문 "(주)현대디스플레이테크놀로지"로 분사 중국 현지판매법인(HSCS) 설립 "에스알씨(주)" 분사 "(주)현대디스플레이테크놀로지" TFT-LCD 사업부문 매각 중국 합작법인(HSSL) 설립 에스알씨(주) (주)큐알티반도체 사명 변경 (주)현대아스텍 (주)아스텍 사명 변경 중국 현지생산법인(HSMC) 설립 중국 현지생산법인(HSMC) 준공 인도 현지법인(HSIS) 설립 (주)아스텍에서 (주)하이닉스인재개발원 분할 (주)아스텍에서 (주)하이스텍으로 분할 (주)아스텍에서 (주)하이로지텍으로 분할 (주)아스텍에서 (주)하이닉스엔지니어링으로 분할 (주)하이닉스엔지니어링에서 (주)아미파워로 분할 중국 현지판매법인(HSCW) 설립 "(주)현대디스플레이테크놀로지" 청산, 주요종속회사 제외 "프로모스엔에이치유한회사, 티와이프로주식회사, 외환은행특정금전신탁" 청산, 주요 종속회사 제외 (주)하이닉스엔지니어링, (주)큐알티반도체 흡수합병 (주)하이스텍, (주)하이로지텍/(주)하이닉스인재개발원 흡수합병 (주)하이닉스엔지니어링 에스케이하이이엔지(주) 사명 변경 (주)하이스텍 에스케이하이스텍(주) 사명 변경 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 9

11 나. 상호의 변경 현대전자산업주식회사로 상호 변경 주식회사 하이닉스반도체로 상호 변경 에스케이하이닉스 주식회사로 상호 변경 다. 합병, 분할(합병), 포괄적 주식교환 이전, 중요한 영업의 양수 양도 등 현대반도체 (구, LG반도체) 흡수합병 비메모리 사업부문 영업양도 에스케이텔레콤, 하이닉스반도체 지분인수계약 라. 생산설비의 변동 중국 장쑤( 江 蘇 )성 우시( 無 錫 )시에 C2(300mm), C1(200mm)공장 준공 미국 유진 공장 E1(200mm) 가동 중단 청주 신규 NAND Flash 전용 M11공장(300mm) 준공 이천 M7(200mm) 및 청주 M9(200mm) 공장 가동 중단 중국 C1(200mm) 공장 가동 중단 중국 후공정 합작공장 HITECH 준공 청주 신규 NAND Flash 전용 M12공장(300mm) 준공 마. 경영활동과 관련된 중요한 사실의 발생 전력 소모 30% 줄인 서버용 메모리 모듈 개발 대만 프로모스 社 와 전략적 제휴를 위한 본계약 체결 GB DDR2-667 노트북용 모듈 업계 최초 인텔 社 인증 획득 당사 출자전환 주식 공동관리 협의회와 '특별 약정' 체결 JEDEC 표준형 8GB DDR2 R-DIMM과 2GB DDR VLP R-DIMM 개발 Mb GDDR4 DRAM 개발 나노 512Mb DDR2 DRAM 인텔 社 인증 획득 Mbps 512Mb 모바일 DRAM 개발 60나노급 1Gb DDR2 기반 1GB DDR2 800Mbps 모듈 개발 ECC회로 적용한 185Mbps 512Mb 모바일 DRAM 개발 퓨전메모리 제품 DOC(Disk On Chip) H3 양산 나노 DDR3 1Gb DRAM 단품 및 모듈 인텔 社 인증 획득 초박형(25μm) 20단 낸드플래시 MCP(Multi-chip Package) 개발 Mbps 1Gb 모바일 DRAM 개발 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 10

12 이노베이티브 실리콘 社 와 신개념 메모리 'ZRAM' 라이선스계약 체결 초박형(25μm) 24단 낸드플래시 MCP(Multi-chip Package)개발 오보닉스 社 와 차세대 메모리 'PRAM' 기술 라이선스 계약 체결 Gb GDDR5 개발 50나노급 1Gb DDR2 DRAM 인텔 社 인증 획득 실리콘화일 社 와 CMOS 이미지 센서(CIS) 사업 추진을 위한 협력 계약 체결 나노급 1GB/2GB DDR2 모듈 인텔 社 인증 획득 피델릭스 社 와 전략적 제휴를 위한 협력계약 체결 그란디스 社 와 'STT-RAM' 라이선스 및 공동개발계약 체결 프로모스 社 와 포괄적 제휴 협력 계약 체결 파이슨 社 와 낸드플래시 응용제품 기술에 대한 사업협력계약 체결 실리콘화일 社 지분취득 결정 및 기존 파운드리 계약범위 확대 3중셀(X3) 기술 기반 32Gb 낸드플래시 개발 씨엔에스테크놀로지 社 와 시스템반도체 공동개발 및 파운드리 협력계약 체결 뉴모닉스 社 와 낸드플래시 기술 및 제품 공동 개발 협력계약 체결 16GB 서버용 모듈 개발 단 적층 낸드플래시 개발 50나노급 2Gb 고용량 모바일 DRAM 개발 DDR3 서버용 모듈 4GB ECC UDIMM 인텔 社 인증 획득 나노급 DDR3 DRAM 개발 뉴모닉스 社 및 파이슨 社 와 낸드플래시 응용제품용 컨트롤러 3자 공동개발 계약 체결 중국 장쑤( 江 蘇 )성 우시( 無 錫 )시에 무석산업발전집단유한공사와 합작 반도체 후공정 전문회사 설립을 위한 본계약 체결 GB 1333Mbps 노트북용 모듈 외 10건 인텔 社 DDR3 전용 플래폼 인증획득 대만 프로모스 社 와 전략적 제휴 협력계약 종결 나노급 4Gb 모바일 DRAM 인텔 社 인증 획득 세대 1Gb DDR3 개발 나노급 2Gb GDDR5 개발 나노급 2Gb 모바일 DRAM 개발 나노급 64Gb 낸드플래시 개발 휴렛팩커드(HP) 社 와 Re램 공동개발 계약 체결 나노급 4Gb DDR3 개발 나노급 2Gb DDR4 개발 도시바 社 와 STT-MRAM 공동개발 및 합작사 설립을 위한 공동생산 계약 체결 나노급 2Gb DDR3 저탄소제품 인증 획득 스팬션 社 와 특허사용 크로스라이선스 및 SLC낸드플래시 공급계약 체결 IBM 社 와 PC램 공동개발 및 기술 라이선스 계약 체결 나노급 64Gb 낸드플래시 저탄소제품 인증 획득 나노급 4Gb 그래픽 DDR3 개발 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 11

13 3. 자본금 변동사항 가. 증자(감자)현황 (기준일 : 2013년 03월 31일 ) (단위 : 원, 주) 주식발행 (감소)일자 발행(감소) 형태 주식의 종 류 수량 발행(감소)한 주식의 내용 주당 주당발행 액면가액 (감소)가액 비고 2008년 01월 23일 2008년 07월 16일 2009년 01월 17일 2009년 02월 18일 주식매수선택 권행사 주식매수선택 권행사 유상증자(일반 공모) 주식매수선택 권행사 보통주 45,200 5,000 5,000 보통주 328,962 5,000 5,000 우리사주매수 선택권행사 보통주 60,000,000 5,000 5,400 보통주 18,260 5,000 5, 년 05월 06일 전환권행사 보통주 12 5,000 24, 년 05월 19일 2009년 06월 23일 유상증자(일반 공모) 주식매수선택 권행사 보통주 70,000,000 5,000 10,350 보통주 4,600 5,000 5, 년 08월 13일 전환권행사 보통주 8,731 5,000 23, ~ 년 09월 22일 주식매수선택 권행사 보통주 3,740 5,000 5, 년 12월 14일 2010년 01월 04일 2010년 04월 01일 2010년 07월 08일 2010년 10월 29일 2011년 01월 13일 2011년 04월 01일 전환권행사 보통주 428 5,000 23,328 전환권행사 보통주 28,608 5,000 23, ~ 전환권행사 보통주 565,120 5,000 23, ~ 전환권행사 보통주 44,150 5,000 23, ~ 전환권행사 보통주 115 5,000 23, ~ 전환권행사 보통주 434,385 5,000 23, ~ 전환권행사 보통주 1,460,643 5,000 23, ~ 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 12

14 2012년 01월 27일 전환권행사 보통주 855 5,000 23, ~ 년 02월 14일 유상증자(제 3자배정) 보통주 101,850,00 0 5,000 23, 년 02월 15일 2012년 04월 06일 전환권행사 보통주 4,159 5,000 23, ~ 전환권행사 보통주 3,000 5,000 23, 년 05월 02일 주식매수선택 권행사 보통주 93,500 5,000 22,800 우리사주매수 선택권행사 2012년 05월 04일 2012년 08월 20일 전환권행사 보통주 428 5,000 23,328 전환권행사 보통주 21 5,000 23, 년 10월 30일 주식매수선택 권행사 보통주 30,300 5,000 22,800 우리사주매수 선택권행사 2012년 12월 07일 2013년 02월 13일 전환권행사 보통주 3,016 5,000 23, ~ 전환권행사 보통주 9,527 5,000 23, ~ 결산기 이후 발생한 증자(감자) 현황은 다음과 같습니다. [제출일 현재] (단위 : 원, 주) 주식발행 (감소)일자 발행(감소) 형태 종류 수량 발행(감소)한 주식의 내용 주당 주당발행 액면가액 (감소)가액 비고 2013년 04월 01일 2013년 04월 02일 2013년 04월 03일 2013년 04월 05일 2013년 04월 09일 2013년 04월 17일 2013년 04월 22일 전환권행사 보통주 210 5,000 23,328 전환권행사 보통주 368 5,000 23,328 전환권행사 보통주 1,071 5,000 23,328 전환권행사 보통주 85 5,000 23,328 전환권행사 보통주 4 5,000 23,328 전환권행사 보통주 30 5,000 23,328 전환권행사 보통주 8,186 5,000 23,328 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 13

15 2013년 04월 25일 전환권행사 보통주 857 5,000 23,328 나. 미상환 전환사채 발행현황 (기준일 : ) (단위 : 원, 주) 종류\구분 발행일 만기일 권면총액 전환대상 주식의 종류 전환청구가 능기간 전환조건 전환비율 전환가액 (%) 미상환사채 전환가능주식 권면총액 수 비고 제207회 국내 공모 무보증 전환사채 2008년 09월 05일 2013년 09월 05일 500,000,000,000 보통주 ~ , ,023,970,000 18,862,482 - 제7회 해외 공모 무보증 전환사채 2010년 05월 14일 2015년 05월 14일 US$500,000,000 보통주 ~ ,394 US$500,000,000 16,482,526 - 합 계 ,345,008 - 상기 '권면총액'은 최초발행시의 권면총액이며, '미상환사채의 권면총액'은 기준일 현재의 잔액 기준임. 4. 주식의 총수 등 가. 주식의 총수 2013년 03월 31일 본 보고서 작성기준일 현재 당사의 발행할 주식의 총수는 9,000,000,000주이며, 발행한 주식의 총수는 보통주 5,688,143,138주입니다. 보통주 이외에 발행한 다른 종류의 주식은 없습니다. 당기말 현재의 유통주식수는 보통주 694,165,294주 입니다. (기준일 : 2013년 03월 31일 ) (단위 : 주) 구 분 주식의 종류 보통주 우선주 합계 비고 Ⅰ. 발행할 주식의 총수 9,000,000,000-9,000,000,000 - Ⅱ. 현재까지 발행한 주식의 총수 5,688,143,138-5,688,143,138 - Ⅲ. 현재까지 감소한 주식의 총수 4,993,977,844-4,993,977, 감자 4,990,449,799-4,990,449, , 주식병합(21:1) 2. 이익소각 3,528,045-3,528, , 이익소각 3. 상환주식의 상환 기타 Ⅳ. 발행주식의 총수 (Ⅱ-Ⅲ) 694,165, ,165,294 - Ⅴ. 자기주식수 Ⅵ. 유통주식수 (Ⅳ-Ⅴ) 694,165, ,165,294 - 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 14

16 결산일 이후 제207회 국내 전환사채의 전환권 행사로 10,811주가 발행되어 제출일 현재의 발행주식 총수는 보통주5,688,153,949주이며, 유통주식수는 694,176,105주입니다. [제출일 현재] 구 분 주식의 종류 보통주 우선주 합계 비고 Ⅰ. 발행할 주식의 총수 9,000,000,000-9,000,000,000 - Ⅱ. 현재까지 발행한 주식의 총수 5,688,144,876-5,688,144,876 - Ⅲ. 현재까지 감소한 주식의 총수 4,993,977,844-4,993,977, 감자 4,990,449,799-4,990,449, , 주식병합(21:1) 2. 이익소각 3,528,045-3,528, , 이익소각 3. 상환주식의 상환 기타 Ⅳ. 발행주식의 총수 (Ⅱ-Ⅲ) 694,176, ,176,105 - Ⅴ. 자기주식수 Ⅵ. 유통주식수 (Ⅳ-Ⅴ) 694,176, ,176,105 - 나. 이익소각 현황 당사는 주주에게 배당할 이익으로서 주식을 소각할 수 있는 바, 2000년 3월 31일자로 3,528,045주 를 이익소각한 바 있습니다. 5. 의결권 현황 (기준일 : 2013년 03월 31일 ) (단위 : 주) 구 분 주식의 종류 주식수 비고 발행주식총수(A) 의결권없는 주식수(B) 정관에 의하여 의결권 행사가 배제된 주식수(C) 기타 법률에 의하여 의결권 행사가 제한된 주식수(D) 의결권이 부활된 주식수(E) 의결권을 행사할 수 있는 주식수 (F = A - B - C - D + E) 보통주 694,165,294 - 우선주 - - 보통주 - - 우선주 - - 보통주 - - 우선주 - - 보통주 - - 우선주 - - 보통주 - - 우선주 - - 보통주 694,165,294 - 우선주 - - 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 15

17 6. 배당에 관한 사항 등 가. 배당에 관한 사항 정관에 의거한 배당에 관한 당사의 중요한 정책은 다음과 같습니다. (1) 제52조(이익배당) 1 이익의 배당은 금전, 주식 및 기타의 재산으로 할 수 있다. 2 제1항의 배당은 매 결산기말 현재의 주주명부에 기재된 주주 또는 등록된 질권자에게 지급한다. 3 이익의 배당을 주식으로 하는 경우 회사가 종류주식을 발행한 때에는 주주총회 결의로 그와 다른 종류의 주식으로 배당 할 수 있다. (2) 제54조(중간배당) 1 회사는 7월 1일 0시 현재의 주주에게 상법의 규정에 의한 중간배당을 금전, 주식 및 기타의 재산 으로 할 수 있다. 2 제1항의 중간배당은 이사회의 결의로 하되, 중간배당의 구체적인 방법, 한도 등에 대해서는 상법 등 관련 법령에서 정하는 바에 따른다. 3 사업년도 개시일 이후 제1항의 기준일 이전에 신주를 발행한 경우(준비금의 자본전입, 주식배당, 전환사채의 전환청구, 신주인수권부사채의 신주인수권행사를 포함한다) 중간배당에 관해서는 당해 신주는 직전 사업년도 말에 발행된 것으로 본다. 4 중간배당을 할 때에는 종류주식에 대하여도 보통주식과 동일한 배당률을 적용한다. 5 제53조(배당금 지급청구권의 소멸시효)는 중간배당의 경우에 준용한다. 나. 최근 3사업연도 배당에 관한 사항 구 분 주식의 종류 제66기 1분기 제65기 제64기 주당액면가액 (원) 5,000 5,000 5,000 당기순이익 (백만원) 178, ,795-55,971 주당순이익 (원) 현금배당금총액 (백만원) 주식배당금총액 (백만원) 현금배당성향 (%) 현금배당수익률 (%) 주식배당수익률 (%) 주당 현금배당금 (원) 주당 주식배당 (주) 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 16

18 연결재무제표 기준으로 작성되었으며, 주당순이익은 기본주당 순이익입니다. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 17

19 II. 사업의 내용 1. 사업의 개요 가. 업계의 현황 (1) 산업의 특성 반도체는 모든 IT제품의 필수불가결한 핵심 부품으로서, 컴퓨터를 비롯해 통신장비 및 통신시스템, 자동차, 디 지털 가전제품, 산업기계 그리고 컨트롤 시스템 등 그 적용 분야가 매우 광범위 합니다. 시장 조사기관인 가트 너(Gartner, 2013년 3월, 금액기준)에 따르면, 지난 2012년 세계 반도체 시장규모는 US$2,986억에 이르렀으 며, 이중 메모리 제품은 US$560억의 시장규모를 기록하며 전체 반도체 시장의 약 19% 수준에 달하였습니다. 또한 메모리 반도체 시장에서 가장 큰 비중을 차지하는 DRAM은 지난 2012년 US$262억을 기록하며 전체 메모 리 시장의 약 47%를 차지하였고, 그 뒤를 이어 낸드플래시가 US$236억으로 42%, 노어플래시가 US$35억으로 6%를 차지하였습니다. 아래 표에 나타낸 바와 같이 반도체 산업은 우리 나라 산업 생산 및 수출에 있어서 매우 중요한 기간 산업 중 하 나입니다. 2012년에는 세계 경기 침체로 인해 전세계 반도체 시장 규모가 축소되었음에도 불구, 프로세서와 콘 트롤러 등의 성장에 힘입어 반도체 수출이 전년 대비 0.1p% 증가하였습니다. 또한 우리 나라 전체 수출액 중 반도체의 비중은 9.3%로 중요 수출품의 자리를 차지하고 있습니다. 전체 수출중 반도체 비중 (단위: 백만USD, %) 구분 총수출 548, , , , ,007 반도체 50,949 50,879 51,464 31,918 32,792 전년비 증감율 비중 출처 : 관세청, 2013년 1월 특히, 반도체 수출의 대부분은 메모리 반도체 산업을 통해 이룬 것으로, 메모리 반도체는 우리나라 최대의 수출 산업입니다. 이러한 메모리 반도체 산업은 제품 설계 기술, 공정 미세화 및 투자효율성 제고에 의한 원가 경쟁 력 확보가 매우 중요한 산업으로서 기술력 및 원가경쟁력을 갖춘 소수 IDM(Integrated Device Manufacturer)업체 중심으로 점차 과점화되고 있는 추세입니다. 반도체 제품을 직접 설계하고 제조, 판매까지 하는 업체들을 가리켜 IDM이라고 하는데 이들은 자체 디자인 능 력, 제조 노하우(know-how) 및 생산 설비 등을 바탕으로 비 IDM(non-IDM) 업체들에 비해 독자적 기술개발력 과 제조 경쟁력을 확보함으로써 산업 내에서의 위치를 더욱 확고히 하고 있습니다. (DRAM 상위4개 업체의 시 장 점유율: 1990년 49% 2012년 90%, 출처: 가트너, 매출액 기준) 가) 메모리 반도체 정보를 저장하고 기억하는 기능을 하는 메모리 반도체는 일반적으로 '휘발성(Volatile)' 과 '비휘발성(Nonvolatile)'으로 분류됩니다. 휘발성 메모리 제품은 전원이 끊어지면 정보가 지워지는 반면, 비휘발성제품은 휴대 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 18

20 전화에 전화번호가 저장되는 것처럼 전원이 끊겨도 저장된 정보가 계속 남아 있습니다. 당사는휘발성 메모리인 DRAM과 비휘발성 메모리인 플래시메모리를 생산하고 있습니다. [DRAM(Dynamic Random Access Memory)] DRAM은 전원이 켜져 있는 동안에만 정보가 저장되는 휘발성(Volatile) 메모리로 주로 컴퓨터의 메인 메모리 (Main Memory), 동영상 및 3D 게임 구현을 위한 그래픽 메모리(Graphics Memory)로 사용되고 있으며, 가전 제품의 디지털화에 따라 스마트 TV, 스마트 냉장고 그리고 프린터 등에도 사용이 확대되고 있습니다. 또한 각 종 이동통신 기기의 폭발적 성장에 따라 스마트폰 및 태블릿 PC 등에도 모바일용 DRAM의 채용량이 급증하고 있습니다. [플래시메모리(Flash Memory)] 플래시메모리는 전원이 공급되지 않아도 저장된 데이터가 지워지지 않는 비휘발성 메모리로 크게 노어 (NOR)형(Code저장형)과 낸드(NAND)형(Data저장형)으로 나눌 수 있습니다. 이중 당사가 생산하는 낸드플래 시는 순차적(Sequential) 정보 접근이 가능한 비휘발성 메모리 칩으로서, 디지털 비디오나 디지털 사진과 같은 대용량 정보를 저장하는데 매우 적합합니다. 낸드플래시 제품이 주로 적용되는 분야는 디지털 카메라, USB드라이브, MP3플레이어, 차량용 네비게이션, SSD(Solid State Drive) 그리고 스마트폰, 태블릿 PC와 같은 모바일 기기 등입니다. 플래시메모리 사업은 DRAM 공정의 활용이 가능하므로 DRAM팹(FAB) 보유업체들에게는 신규투자를 최소화하여 수익성을 높이고 DRAM 사업 변동성을 다소 보완할 수 있는 장점이 있습니다. 한편, 최근 플래시 메모리는 일반적인 범용 메모 리 보다는 고객지향적인 제품의 수요가 늘어나고 있어 이런 추세에 부합하는 적극적인 응용 제품개발 및 철저 한 고객대응의 중요성이 커지고 있습니다. 나) 비메모리 반도체 [CIS(CMOS Image Sensor)] 논리적 연산 등 정보처리기능을 담당하는 비메모리 반도체 중에서도, 이미지센서는 빛 에너지를 감지하여 그 세기의 정도를 영상 데이터로 변환해 주는 반도체 소자로서 디지털 촬영 기기에서 필름 역할을 하고 있습니다. 이미지센서는 제조 과정과 신호를 읽는 방법에 따라 CCD(Charge Coupled Device)와 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 두 가지 타입으로 나뉩니다. 최근 CMOS 이미지센서의 기술이 크게 향상되고 디 지털 촬영기기가 소형화됨에 따라, 크기가 작고 전력 소모가 적은 CMOS 이미지 센서의 활용 범위가 점차 확대 되고 있으며, 디지털 일안 반사식 카메라와 캠코더 등 고화질을 요구하는 고가 제품에도 많이 사용되는 추세입 니다. 이에 따라 CIS 시장에서는 기술 경쟁력과 원가 경쟁력이 점차 중요한 성공 요인으로 부각되고 있습니다. (2) 산업의 성장성 메모리 반도체 산업은 2007년 이후 공급 과잉에 따른 판매 가격의 급격한 하락과 2008년 미국 신용위기에 따 른 세계 경제 침체의 영향으로 2009년까지 다소 저조한 성장세를 보였으나, 2010년 이후 새로운 IT 기기의 등 장과 디지털 기기의 모바일화, 스마트화로 역대 최대 매출을 기록하였습니다. 2012년에도 2011년과 마찬가지 로 유럽 재정 위기 해소가 더디게 진행됨에 따라 시장 성장세가 다소 주춤했으나, 하반기 이후 반등하는 양상을 보이고 있습니다. 또한 DRAM 수요는 PC에서 모바일 영역으로, NAND 수요는 모바일에서 PC영역으로 확대됨 에 따라 향후 지속적인 성장이 예상됩니다. 시장의 지속 성장 전망에 반해 생산(공급) 측면에서는 어려움이 예상됩니다. 공정 미세화 기술은 한계에 다다르 고 있으며, 생산 및 연구 개발을 위한 투자 비용 급증, 고객들의 요구 성능과 품질 수준은 더욱 다양화, 고도화 되고 있어 선발업체와 후발업체의 기술 및 원가 경쟁력 격차가 점차 확대되고 있습니다. 이에 기존과 같이 외형 경쟁을 위한 공급 확대는 제한적일 것으로 보입니다. 향후 메모리 반도체 산업은 안정적 수요와 제한적인 공급 으로 인해 메모리 신성장의 기회가 더욱 증대할 것으로 예상됩니다. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 19

21 [DRAM] 시장 조사기관인 가트너(Gartner, 2013년 3월, 금액기준)에 따르면, DRAM 시장은 세계 경제 침체의 영향으로 인한 PC 수요 감소로 2012년에는 2011년 보다 11.3% 하락한 US$262억을 기록했습니다. 반면, 2013년에는 점진적 경기 회복 및 모바일 시장 확대, 수급 안정 등의 요인으로 전년대비 13% 상승한 $296억의 매출을 거둘 것으로 예상됩니다. 분야별로 살펴 보면, PC 시장은 경기 침체로 인한 저성장기조가 유지되어 DRAM 수요를 견인하는데 어려움을 겪고 있으나, 개인용 컴퓨터의 이동성(Mobility)에 대한 요구가 증가함에 따라 노트북 컴 퓨터로의 교체 및 신규 수요가 확대될 전망입니다. 이에 개인용 컴퓨터 중 울트라북을 포함한 노트북의 출하 비 중이 2012년 58%에서 2017년 65%로 증가할 것으로 업계는 예상하고 있습니다. 또한 디지털 기기의 스마트화 및 모바일화의 진전에 따라 스마트폰 및 태블릿 PC 등 모바일 기기의 확대가 예상되며, 대용량의 콘텐츠를 처 리할 수 있는 그래픽 메모리의 수요 또한 증가할 전망입니다. 이에 따라 DRAM 수량 확대 뿐만 아니라 개별 기 기의 탑재용량도 지속 증가할 것으로 예상됩니다. [낸드플래시(NAND Flash)] 낸드플래시는 디지털 미디어의 성장과 더불어 스마트폰, 태블릿 PC, 디지털 카메라, MP3 플레이어 그리고 기 타 멀티미디어 가전에 사용되는 플래시카드와 USB 드라이브, SSD와 같은 정보저장장치(Storage Devices)등 에 널리 사용되고 있습니다. 가트너(Gartner, 2013년 3월, 금액기준)의 전망에 따르면 낸드플래시 시장은 글로벌 경기 침체에도 불구하고 2011년에 약 18% 정도 성장하였습니다. 2012년에는 다소 성장이 정체되어 -3%로 역성장 하였으나, 2013년 에는 SSD 등 스토리지 분야 적용 확대를 통해 16%($273억)의 고성장이 전망됩니다. 또한 스마트폰을 포함한 휴대전화 시장에서의 메모리 카드 채용 및 울트라북의 노트북용 SSD, 응용복합 제품 등 향후 낸드플래시의 수 요를 견인할 제품 시장이 지속 성장하고 있어, 향후 지속적인 성장세를 유지할 것으로 예상됩니다. [CIS (CMOS Image Sensor)] 이미지센서는 1990년대 중반 디지털 카메라에 장착되어 일반 소비자에게 선보인 이후 PC 카메라, 자동차 블랙 박스, 휴대폰카메라, 감시카메라 등 다양한 분야에 활용되어 시장 규모도 크게 증가하는 추세입니다. 특히 DSLR 카메라 및 휴대폰 카메라 시장의 수요 증가로 시장이 지속 성장할 것으로 보입니다. 아이서플라이 (isuppli, 2013년 4월, 금액기준)의 전망에 따르면 이미지센서 시장은 2017년 US$134억 규모로 2012년 이래 연평균 4.7%의 성장이 예상되며, 특히 당사가 생산중인 CMOS이미지센서 시장은 다양한 응용기기로의 확대 적용과 수요 증가로 전체 이미지 센서 시장에서의 비중이 2012년 79%에서 2016년 93%까지 증가하며 연평균 9.1%의 높은 성장이 전망됩니다. (3) 경기변동의 특성 세계 반도체 시장은 지금까지 실리콘 사이클의 순환에 따라 호황과 불황을 반복해 왔으며 제품 수명주기가 매 우 짧은 특징을 가지고 있습니다. 아울러 대규모 장치 산업의 특성을 가짐과 동시에 주요 수요처인 미구주의 거 시경제 순환 사이클(Business Cycle)과의 연관성이 비교적 크게 나타났으나, 최근에는 중국 및 인도 등 신흥시 장의 비중이 확대되고 일부 경쟁력이 부족한 업체들의 구조조정 등으로 인해 반도체 산업 경기 변동 폭은 전과 비교하여 많이 줄어들었다고 볼 수 있습니다. [DRAM] DRAM은 PC 수요에 상당 부분 의존하고 있어, 세계 IT 경기 사이클의 영향을 크게 받아왔습니다. 그러나최근에 는 스마트폰 및 태블릿 PC 등 모바일 기기의 폭발적 성장에 따라 DRAM의 주요 수요처가 PC에서모바일로 이 동하고 있어, 경기 변동성이 과거에 비해 약화되는 모습을 보이고 있습니다. 한편, 수요의 계절성으로서는 미구주 지역의 신학기, 크리스마스 특수 및 중국 춘절 등의 수요 증가로 인한 매 출액 증가를 들 수 있습니다. 하지만 최근에는 아시아 시장의 성장으로 인한 판매시장의 다변화로 이 같은 전통 적인 수요의 계절성이 일부 약화되는 모습도 나타나고 있습니다 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 20

22 [낸드플래시(NAND Flash)] 낸드플래시는 과거 MP3 플레이어, 메모리카드 등의 수요증가에 힘입어 급속한 성장을 해왔습니다. 또한주요 공급업체들이 DRAM을 함께 생산하고 있어 DRAM 시장의 안정적 성장에도 우호적인 여건을 제공해 왔습니다. 하지만 최근에는 IT 기기가 스마트화됨에 따라 낸드플래시의 주 수요처가 emmc, SSD 등으로 바뀌고 있으며, 이들 제품은 경기에 민감한 소비재 제품이기 때문에 DRAM과 마찬가지로 세계 경제상황에 따라 NAND 시장이 함께 변동하는 특성을 가지고 있습니다. 전체적으로는 고용량 낸드플래시를 탑재하는 스마트폰 및 태블릿 PC 시장이 확대되고 노트북의 SSD 채택이 늘어남에 따라 세계 경기 회복과 더불어 향후 낸드플래시 시장의 지속 적인 성장이 예상됩니다. [CIS (CMOS Image Sensor)] 이미지 센서 시장은 스마트폰, DSLR 등 전통적인 수요처의 강세가 지속되는 가운데, 자동차용 블랙박스/후방 카메라, 스마트 TV 등 다양한 산업군과의 Convergence를 통해 시장이 더욱 확대되고 있습니다. 또한 이미지센 서 중 자사가 생산중인 CMOS 이미지센서는 휴대폰, 캠코더, PC 등 멀티미디어 기기 시장의 영향을 크게 받는 제품으로서 소비재의 특성상 경기변동과 기술변화에 매우 민감할 뿐만 아니라 라이프 사이클이 짧은 특징을 가 지고 있습니다. 따라서 가격경쟁력을 지닌 제품을 적시에 출시하여 시장을 선점하는 것이 사업 성공에 있어 매 우 중요한 요소라 할 수 있습니다. (4) 경쟁요소 반도체 사업의 핵심 경쟁력은 1. 인적자원(R&D 및 엔지니어링), 2. 기술 및 원가 경쟁력, 3. 고객확보 능력 4. 설비투자 능력 등이 있습니다. 최근 대량생산이 용이한 표준제품 위주에서 응용분야가 점차 다양화, 융복합화 함에 따라 시설투자와 생산성 향상을 통한 원가경쟁력 중심에서 제품 가치 증대를 통한 수익성 중심으로 경쟁 의 패러다임이 빠르게 전환되고 있습니다. 지금까지 생산능력 확대와 생산원가 절감이 주요 경쟁 목표였던 시 기에는 제조/공정기술, 대규모 설비투자, 규모의 경제 등이 중요한 사업 성공 요인이었지만, 공정 미세화의 난 이도 증가와 투자의 불확실성 증대 등 사업환경이 변화함에 따라 앞으로는 제품 경쟁력과 부가가치 증대를 위 해 선행기술 및 응용기술 개발, 마케팅 및 고객 만족 등이 더욱 중요한사업 경쟁력이 되고 있습니다. 이외에도 적기에 시장요구에 부합하는 제품을 출시할 수 있는 시장 대응력(Time to Market) 및 재무 건전성 확 보 등이 요구되고 있습니다. 나. 회사의 현황 (1) 영업개황 및 사업부문의 구분 (가) 영업개황 지난 2013년 1분기는 계절적 비수기임에도 불구하고 공급 감소로 인한 PC DRAM 가격 급등에 힘입어 큰 폭의 실적개선을 시현하였습니다. 당사의 연결 기준 매출은 전분기 대비 약 2% 증가한 약 2조 7천 8백 1십억원을 기록하였으며, 미세공정 전환 지속과 수율 개선을 바탕으로 한 원가절감 노력으로 연결 기준 영업이익이 전분기 대비 크게 증가한 약 3천 1백 7십억원을 기록하며 전년 동기 대비 흑자전환 하였습니다. 당기순이익 또한 전분기 대비 약 9% 증가한 약 1천 7백 9십억원을 기록하였습니다. (단위 : 백만원) 구 분 제66기 1분기 제65기 4분기 전기 대비 제65기 1분기 전년 동기 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 21

23 ( ~ ) ( ~ ) 증감 ( ~ ) 대비 증감 매출액 2,781,147 2,718, % 2,388, % 영업이익 316,951 54, % (263,545) 흑자전환 당기순이익 178, , % (271,223) 흑자전환 한국채택국제회계기준에 따라 작성된 연결기준 실적입니다. (나) 공시대상 사업부문의 구분 [제66기] (단위: 백만원) 구 분 매출액 매출액 비중 (%) 주 요 제 품 반도체 부문 2,781, % DRAM, NAND Flash, MCP 등 합계 2,781, % 당사는 한국표준산업분류표상의 소분류에 의한 '반도체 및 기타 전자부품 제조업(분류번호: 321)'에 해당하며, 반도체부문의 매출액이 총매출액의 90%를 초과하므로 반도체부문으로 기재함. (2) 시장점유율 등 구 분 '12년 '11년 '10년 '09년 '08년 DRAM 24.7% 22.8% 21.8% 22.9% 19.2% NAND Flash 11.8% 11.7% 9.5% 8.4% 12.6% 출처: IDC, 2013년 2월, 매출액 기준 (3) 시장 경쟁요소 및 회사의 경쟁력 (가) 메모리반도체 사업 [DRAM] 컴퓨팅 메모리(Computing Memory) 사업의 경우 범용적인 특성이 강한 데스크탑(Desktop)용 제품 비중은 점 차낮아지고 있으며, 가격이 높고 품질의 신뢰성이 바탕이 되어야 하는 고용량(High Density) 서버용 제품 비중 과 이동성 확대에 따른 노트북(Notebook) 및 울트라북(Ultrabook)용 제품의 비중이 확대되고 있습니다. 2012년은 지속적인 경제 불확실성 및 수요 모멘텀 부재로 작년 대비 성장률이 3.7% 감소하였습니다. 2013년 PC 시장은 계속되는 경기부진과 태블릿에 의한 PC 수요 잠식으로 인해 2012년과 유사한 수준의 PC 출하량이 예상되고 있습니다. 이 중 휴대성과 편의성이 강조된 울트라북은 판매 비중이 지속적으로 증가하여 태블릿 PC와 함께 긍정적인 성장이 전망됩니다. (출처: IDC). 서버 메모리(Server Momory)는 경우 클라우드 컴퓨팅(Cloud Computing)과 스마트 기기의 성장에 따른 인터 넷 데이터 트래픽의 폭발적인 증가로 인하여 지속적인 수요 증대가 전망됩니다. 특히 대형 인터넷 포털업체의 데이터 센터는 서버 시스템 수요를 빠르게 증가시키고 있는 추세입니다. 당사는 TCO(Total Cost of Ownership) 절감을 중요시하는 데이터 센터(Data Center)의 제품 효율성 요구에 부응하기 위해 고용량, 저전 력 서버용 모듈 제품군을 갖추고 있으며, 그 외에도 저전력 마이크로 서버용 제품군을 새롭게 개발하여 서버 메 모리 트렌드에 발 빠르게 대응하고 있습니다. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 22

24 그래픽 메모리(Graphics Memory)는 동영상 및 3D 그래픽 기술의 발전과 함께 꾸준한 성장세를 보이고있습니 다. 당사는 주요 그래픽 칩셋 업체들과의 전략적 관계강화를 통하여 데스크탑, 노트북용 등 PC 그래픽 및 기존 게임 외에 의료, 교육, 네트워크 커뮤니케이션 등 분야로 활용 영역을 넓히고 있는 차세대 게임콘솔 분야에서도 주도적인 위치를 공고히 하고 있습니다. 컨수머 메모리(Consumer Memory) 시장은 스마트 디지털TV, 디지털 셋톱박스(Set-top Box), 블루레이 플레 이어(Blu-ray player)등의 디지털 영상 가전제품과 프린터 등 PC주변기기 및 자동차용 네비게이션 제품 등에 다양하게 사용됩니다. 또 당사는 클라우드 컴퓨팅 확대에 따른 네트워크 인프라 장비에 맞는 고용량, 고속의 첨 단 컨수머 메모리를 개발하여 경쟁력 있는 제품을 시장에 공급하고 있으며, 고온 및저온에도 견딜 수 있는 극한 환경에 특성화된 IT(Industrial Temperature)와 AT(Automotive Temperature) 제품을 개발, 공급하는 등 고객의 다양한 요구에 적극적으로 대응하고 있습니다. 모바일 메모리(Mobile Memory)는 휴대전화뿐만 아니라 모바일 특성에 연산 기능이 향상된 태블릿 PC, 울트라 북에도 사용되고 있으며, 디지털 카메라, 네비게이션, MP3 플레리어 등과 같은 모바일 컨수머 제품에도 채용이 확대되고 있습니다. 라이프 스타일 변화에 따른 IT 수요 증가 및 무선 통신 환경의 발전, 정보통신 융합 (Convergence)의 가속화로 현재 가장 성장성이 높은 제품입니다. 이 중에서도 저전력, 고성능, 대용량 메모리 를 필요로 하는 스마트폰 및 태블릿 PC의 보급률 증가 추세는 향후에도 모바일 메모리 제품의 수요를 강하게 견인할 것으로 예상됩니다. [낸드플래시(NAND Flash)] 낸드플래시는 데이터 저장 용도로 쓰이는 대표적인 메모리 반도체로서, 빠른 테크놀로지의 진화로 매년 높은 성장률을 기록하였습니다. 낸드플래시 시장이 이렇게 성장을 지속하는 이유는 최첨단 IT기기 및 다양한 소비자 가전에서 낸드플래시 채용률이 지속적으로 높아지고 있기 때문입니다. 과거에는 플래시카드, USB 드라이브, MP3 플레이어, PMP 등이 낸드플래시 메모리의 주요 수요처였으나, 최근 에는 스마트폰, 태블릿 PC 등의 모바일 분야에서 멀티 미디어 기능의 확대로 낸드플래시 메모리에 대한 수요가 급증하고 있습니다. 또한 스마트TV, 스마트카 등의 신 개념 도입으로 인하여 과거에 저용량의 낸드플래시 메모 리만 사용했던 이들 시장에서도 고용량 낸드플래시 메모리에 대한 수요가 증가하고 있는 상황입니다. 최근에는 SSD(Solid State Drive)와 같은 낸드플래시를 기반으로 한 다양한 형태의PC Storage Solution이 노트북은 물 론이고 서버 시장에서도 주요 제품군으로 자리잡고 있어, 향후 낸드플래시 메모리시장의 지속적인 성장을 견인 할 것으로 것으로 전망되고 있습니다. 이와 같은 낸드플래시 시장에서 당사는 저용량부터 고용량까지 다양한 단품 및 응용 복합 제품을 기반으로 고 객의 수요에 보다 적극적으로 대응하고 있으며, 개발 및 양산 측면에서도 응용분야별 선택과 집중을 통하여 낸 드플래시 경쟁력을 확보하고 시장 지배력을 높여 가고 있습니다. 또한 적극적인 연구 개발 투자 및 제휴사와의 기술 협력을 통해 선두업체와의 기술 격차를 단축해 나가고 있습니다. (나) 비메모리반도체 사업 회사는 지난 2007년 11월, 제품 포트폴리오를 더욱 다양화하고, 기존 메모리 사업 역량을 활용하여 안정적인 수익성과 높은 투자효율성이 기대되는 CIS 사업에 재진출하였습니다. [CIS (CMOS Image Sensor)] CIS는 휴대 전화, 디지털 카메라, 노트북, 태블릿 PC, 웹캠 등 다양한 디지털 기기에서 촬영 필름 역할을 하는 반도체 소자이며, 2011~2016년까지 약 15%의 연평균 성장률이 예상되는 시장입니다. (출처: Techno- Systems Research, 출하량 기준) 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 23

25 현재는 휴대 전화와 노트북, 태블릿 PC에 가장 많이 쓰이고 있으나 주변 회로가 필요 없고 전력 소모가 적은 장 점과 함께 최근기술의 발전으로 화질이 크게 향상되면서 의료 기기, DSLR 및 캠코더, 자동차, 보안장비, 게임 기, 가전 제품 등으로 응용 범위가 급속히 확대되고 있습니다. 또한 최근 3G 통신용 휴대 전화에 사진 촬영과 화상 통화를 위해 두 개의 이미지 센서가 장착되고 있으며, 이러한 경향은 태블릿 PC에도 반영되어 기기당 이 미지 센서 탑재 비율 역시 늘어나는 추세입니다. 현재 당사의 CIS는 센서 중 가장 많은 수량 비중을 점유하고 있는 휴대전화 응용시장과 이와 유사한 센서특징 을 요구하고 있는 노트북 시장, 그리고 최근 급속한 성장세를 보이고 있는 태블릿 PC와 Toy 시장에 집중하고 있으며, 유사 응용시장으로의 전개를 통해 신규 시장 및 지역, 고객을 발굴하여 사업의 안정성 강화와 수익성을 개선하고 있습니다. 또한 새로운 시장 및 고객 창출을 위해 새로운 IP개발과 신기술 확보를 통해 기술 및 가격 경쟁력을 보유한 제품 개발에 박차를 가하고 있습니다. 당사는 국내와 중국, 일본 지역뿐만 아니라 2013년에는 한층 강화된 사업 역량을 바탕으로 미구주 지역의 고객 확대와 어플리케이션 다양화로 CIS시장에서의 입지를 확대해 나갈 계획입니다. (4) 조직도(제출일 기준) 다. 사업부문별 재무정보 당사는 반도체제조업부문의 매출액과 자산총액이 전체부문의 90%를 초과하는 지배적 단일사업부 문으로서 부문별 기재를 생략합니다. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 24

26 2. 주요 제품, 서비스 등 가. 주요 제품 등의 현황 (단위 : 백만원) 사업부문 매출유형 품 목 구체적용도 주요상표등 매출액(비율) 반도체 부문 제품 외 DRAM, NAND Flash, MCP 등 산업용 전자기기 SK하이닉스 2,781,147(100%) 합계 2,781,147(100%) 나. 주요 제품 등의 가격변동추이 (단위 : USD) 품 목 제66기 1분기 제65기 연간 제64기 연간 DRAM(COMPONENT) DRAM(MODULE) NAND Flash(COMPONENT) (1) 산출기준 : 시장판매가 기준(용량(Density)별 제품군의 단순 평균 가격) 상기 자료는 Density 변화를 감안하지 아니한(기준 Density에 대한 환산수량 미적용) 단순 평균 공급가격임. (2) 주요 가격변동원인 제품의 고급화 및 시장상황(수출)에 따른 판가변동 등 3. 주요 원재료에 관한 사항 당사의 메모리반도체 부문 생산공정에 투입되는 원재료는 크게 웨이퍼(Wafer), 리드프레임(Lead Frame) 및 섭스트레이트(Substrate), PCB(Printed Circuit Board) 그리고 기타 재료등으로 구성됩니 다. 웨이퍼는 집적회로(Integrated Circuit, IC)를 제작하기 위해 반도체 물질의 단결정을 성장시킨 기둥 모양의 규소(Ingot)를 얇게 절단하여 원판모양으로 만든 것으로서 반도체 소자를 만드는 데 사용되 는 핵심 재료입니다. 리드프레임은 반도체 IC를 구성하는 또 다른 주요 요소이며 반도체 칩과 PCB 기판간의 전기신호를 전달하면서 외부의 습기, 충격 등으로부터 칩을 보호하고 지지해주는 골격 역할을 하는 부품입니다. 섭스트레이트는 리드프레임과 같은 기능을 하지만 전기신호를 전달하는 역할을 하는 다리를 기존의 금속 다리가 아닌 공(Ball) 모양의 연결부분을 이용한 부품입니다. PCB는 그 위에 저항, 콘덴서, 코일, 트랜지스터, 집적회로, 대규모 집접회로(Large-Scale 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 25

27 Integration), 스위치 등의 부품을 장치하고 납땜하여 회로기능을 완성시키는 인쇄 배선판입니다. 그 외 가스 및 화학약품 등이 반도체 제조 공정에 투입되는 원재료로 소요됩니다. 가. 주요 원재료 등의 현황 (단위 : 백만원, %) 사업부문 매입유형 품 목 구체적용도 투입액 비율 비 고 Wafer F a b 125, 반도체 부문 원재료 Lead Frame& Substrate P K G 43, PCB M O D 32, 기타 304, 소계 506, 저장품 S/P, 부재료 271, 합 계 777, 나. 주요 원재료의 매입처 및 원재료 공급시장과 공급의 안정성 당사는 일본의 2개사, 독일의 1개사, 한국 2개사로부터 반도체 공정의 주요 원자재인 300mm 웨이 퍼 완제품을 수입 하고 있습니다. 당사는 당사와 거래하는 매입처 등과 일상적인 영업활동 이외의 특수한 관계를 갖고 있지 않습니다. 당사가 거래하고 있는 상기 5개사는 전체 300mm 웨이퍼 시장 의 100%를 차지하고 있습니다. 웨이퍼는 그 원재료가 되는 폴리 실리콘의 수급 동향에 따라 300mm 웨이퍼 완제품 가격이 큰 영향 을 받습니다. 특히, 폴리 실리콘은 웨이퍼 이외에도 태양전지(Solar Cell)의 원료로도 사용되기 때문 에 태양전지의 수요에 따라 폴리 실리콘의 일시적 부족현상이 발생하면 웨이퍼의 공급에 영향을 줄 수 있습니다. 따라서, 당사는 주요 원재료인 웨이퍼의 원활한 확보를 위해 유가 및 폴리 실리콘 시장 의 가격동향은 물론, 동일한 원재료를 사용하는 태양전지 수급동향을 지속적으로 모니터링하고 있 습니다. 4. 생산 및 설비에 관한 사항 가. 생산능력 및 생산능력의 산출근거 당사는 국내사업장 기준 4조3교대로 운영되고 있으며, 휴일(공휴일 포함)을 포함하여 2013년 1분기 총 가동일은 90일로, 각 지역별 팹(Fab)의 가동인원 및 수율을 고려하여 계산한 당사의 평균가동시 간은 월 11,718,720시간입니다. 생산능력은 "해당분기내 최대생산일의 생산량ⅹ누적일수ⅹ평균원가"의 방법으로 산출하고 있으며, 2013년 1분기 생산능력은 2,481,093백만원 입니다 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 26

28 (1) 생산능력 (단위 : 백만원 ) 사업부문 제66기 1분기 제65기 연간 제64기 연간 반도체 부문 2,481,093 9,942,732 11,773,104 한국채택국제회계기준에 따라 작성되었습니다. 제64기의 생산능력은 "당분기내 최대생산월의 생산량ⅹ누적개월수ⅹ평균원가"의 방법으로 산출 하였습니다. 나. 생산실적 및 가동률 당사의 2013년 1분기 생산실적은 2,481,093백만원으로 집계되었으며, 동 기간 생산설비의 평균가 동률은 100%를 유지하였습니다. (1) 생산실적 (단위 : 백만원) 사업부문 제66기 1분기 제65기 연간 제64기 연간 반도체 부문 2,481,093 9,942,732 10,414,567 한국채택국제회계기준에 따라 작성되었습니다. (2) 가동률 (단위 :시간, %) 사업부문 분기가동가능시간 분기실제가동시간 평균가동률 반도체 부문 35,156,160 35,156, % 가동률은 각 지역별 팹(Fab)의 가동인원 및 수율을 고려하여 계산함. 다. 생산설비의 현황 당사의 시설 및 설비의 장부가액은 작성기준일 현재 11조 5천 985억원이며, 상세 내역은다음과 같 습니다. (단위 : 백만원) 구 분 토지 건물 구축물 기계장치 차량운반구 기타의유형자산 건설중인자산 합계 취득원가 462,067 1,792, ,984 29,149,281 2, , ,254 32,989,721 감가상각누계액 467, ,441 19,817,741 2, ,509 21,058,919 손상차손누계액 23,877 19, ,950 2, ,587 정부보조금 8,023 8,023 기초순장부금액 462,067 1,301, ,615 9,033, , ,254 11,586,192 기중변동액 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 27

29 취득 99 1, , , ,501 종속기업취득 3, , ,515 처분 감가상각 12,863 4, , , ,004 대체 11,549 35,194 27, , , ,540 3 환율변동 등 428 8,916 4,000 95, ,354 기말순장부금액 474,143 1,329, ,754 8,947, , ,362 11,598, 취득원가 474,143 1,835, ,857 29,962,576 2, , ,362 33,939,568 감가상각누계액 482, ,141 20,721,903 2, ,757 22,001,103 손상차손누계액 23,877 19, ,018 2, ,708 정부보조금 355 7,876 8,231 기말순장부금액 474,143 1,329, ,754 8,947, , ,362 11,598,526 라. 투자계획 2013년 당사의 입고 기준 투자집행 실적은 다음과 같습니다. [입고기준] 구 분 투자대상자산 투자효과 투자 기간 기투자액 (제66기 1분기) (단위 : 십억원) 비 고 보완투자 기계장치 외 생산능력증가 ~ 합 계 매출에 관한 사항 가. 매출실적 (단위 : 백만원) 사업부문 매출유형 품 목 제66기 1분기 제65기 제64기 DRAM, 반도체 부문 제품 외 낸드플래시, 2,781,147 10,162,210 10,395,811 MCP 등 매출실적은 연결기준입니다. 합 계 2,781,147 10,162,210 10,395,811 한국채택국제회계기준에 따라 작성되었습니다. 나. 판매경로 및 판매방법 등 (1) 판매조직 국내에서는 마케팅 본부 내 국내영업팀 관할 하에 대리점 6개사를 운영하고 있습니다. 해외 판매 법인은 미국, 독일, 영국, 일본, 싱가포르, 인도, 대만, 중국 등에 10개법인이 소재하고 있으며 산하 에 18개 지사 및 22개 대리점을 두고 있습니다. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 28

30 (2) 판매경로 당사의 판매 경로는 크게 직판 거래와 대리점 거래로 나눌 수 있습니다. 직판 거래는 당사에서 일반 기업체 등 실 수요자에게 직접 판매를 하는 것이고, 대리점 거래는 당사가 대리점을통해서 일반 기 업체 등의 실 수요자에게 판매하는 것입니다. (3) 판매방법 및 조건 내수 판매는 국내 대리점 등의 수주 현황에 의거하여 현금 또는 어음 결제조건으로 거래하고있으며, 수출은 MASTER L/C 및 LOCAL L/C에 의거하여 신용장 또는 D/A, D/P 조건 등으로거래하고 있습 니다. (4) 판매전략 당사 판매 전략은 '비즈니스 포트폴리오 최적화', '수익 구조 개선', '고객 관계 유지', '지역별 포지셔 닝 유지' 등 4가지를 근간으로 하고 있습니다. 비즈니스 안정성을 위해서 포트폴리오의 최적화를 추진하고 있으며 서버, 그래픽, 모바일,컨수머 등 응용분야의 매출 확대를 위해 제품 구성을 다양화 하고 있습니다. 수익 구조 개선을 위해서 고부가가치 제품 판매를 확대하고 시장 통찰 능력을 강화하여 미래시장 발 굴을 추진하고 있습니다. 고객 관계 유지를 위해서 고객 가치 제안 활동을 강화하고 특화된 제품을 제공하여 고객 만족 제고 를 추진하고 있습니다. 지역별 특성을 고려하여 차별화된 제품 전략으로 지역별 전략 고객 매출 확대를 추진하고 있습니다. (5) 주요 매출처 반도체의 경우 IT 컨수머 제품 전체에 걸쳐 그 수요처가 다양하기 때문에 DELL, HP 등 세계 유수의 PC 및 서버 등 PC 관련 전자 업체와 Apple 등 세계적인 PC 및 스마트폰 제조업체, 메모리 모듈 업 체, 그리고 휴대용 저장장치와 메모리 카드 생산 업체 등에 제품을 공급하고 있습니다. 6. 수주상황 당사는 주요 고객사들과 월별 상호 합의에 따른 공급 물량 및 가격을 결정하고 있으며, 장기공급 계 약에 따른 수주 현황은 없습니다. 7. 시장위험과 위험관리 가. 시장위험 (1) 외환위험 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 29

31 연결회사는 국제적으로 영업활동을 영위하고 있어 외환위험, 특히 주로 달러화, 유로화 및 엔화와 관련된 환율변동위험에 노출되어 있습니다. 외환위험은 미래예상거래, 인식된 자산과 부채 및 해외 사업장에 대한 순투자와 관련하여 발생하고 있습니다. 외환위험은 미래예상거래 및 인식된 자산과 부채가 기능통화 외의 통화로 표시될 때 발생합니다. 보고기간 종료일 현재 다른 모든 변수가 일정하고 통화가 미국 달러화에 대해 10% 강세 및 약세를 가정할 경우, 당분기에 대한 법인세비용차감전순이익은 주로 미국 달러화로 표시된 매출채권, 매입 채무, 미지급금, 미지급비용, 차입금 등의 외화환산손익의 결과로 인하여 188,767백만원만큼 증가 또는 감소하였을 것이며 전분기에 대한법인세비용차감전순손실은 254,563백만원만큼 감소 또는 증 가하였을 것입니다. 보고기간 종료일 현재 다른 모든 변수가 일정하고 통화가 일본 엔화에 대해 10% 강세 및 약세를 가 정할 경우, 당분기에 대한 법인세비용차감전순이익은 주로 일본 엔화로 표시된 매출채권, 매입채무 등의 외화환산손익의 결과로 인하여 31,028백만원만큼 증가 또는 감소하였을 것이며 전분기에 대한 법인세비용차감전순손실은 44,690백만원만큼 감소 또는 증가하였을 것입니다. 보고기간 종료일 현재 다른 모든 변수가 일정하고 통화가 유로화에 대해 10% 강세 및 약세를 가정 할 경우, 당분기에 대한 법인세비용차감전순이익은 주로 유로화로 표시된 매출채권, 매입채무 등의 외화환산손익의 결과로 인하여 21,180백만원만큼 증가 또는 감소하였을 것이며 전분기에 대한 법인 세비용차감전순손실은 22,815백만원만큼 감소 또는 증가하였을 것입니다. (2) 가격위험 연결회사는 연결재무상태표상 매도가능금융자산으로 분류되는 보유 지분증권의 가격위험에 노출되 어 있습니다. 연결회사는 지분증권에 대한 투자로 인한 가격위험을 관리하기 위해 포트폴리오를 분 산투자하고 있습니다. 보고기간 종료일 현재 연결회사의 가격위험은 전기말 대비 중요한 변동이 없 습니다. (3) 이자율 위험 연결회사의 현금흐름 이자율 위험은 차입금에서 비롯됩니다. 변동이자율로 발행된 차입금으로 인하 여 연결회사는 현금흐름 이자율 위험에 노출되어 있으며 동 이자율위험의 일부는 변동이자부 현금 성 자산으로부터의 이자율위험과 상쇄됩니다. 연결회사는 현금흐름 이자율 위험을 변동이자수취/고정이자지급 스왑을 이용하여 관리하고 있습니 다. 이러한 이자율 스왑은 변동이자부 차입금을 고정이자부 차입금으로 바꾸는 경제적 효과가 있습 니다. 일반적으로, 연결회사는 변동이자율로 차입금을 발생시킨 후 고정이자율로 스왑을 하게 됩니 다. 스왑계약에 따라 연결회사는 거래상대방과 특정 기간(주로 분기)마다, 합의된 원금에 따라 계산 된 고정이자와 변동이자의 차이를 결제하게 됩니다. 연결회사는 보고기간 종료일 현재 순차입금 상태로 이자율 상승에 따라 순이자비용이 증가할 위험 에 일부 노출되어 있으나, 내부적으로 변동금리부 조건의 차입금과 예금을 적절히운영함으로써 이 자율 변동에 따른 위험을 최소화하고 있습니다. 보고기간 종료일 현재 다른 모든 변수가 일정하고 이자율이 100bp 하락 또는 상승시연결회사의 변 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 30

32 동금리부 차입금 및 금융자산으로부터의 이자수익과 이자비용으로 인하여 당분기에 법인세비용차 감전순이익은 4,370백만원만큼 증가 또는 감소하였을 것이며 전분기에 법인세비용차감전순손실은 3,627백만원만큼 감소 또는 증가하였을것입니다. 나. 회사의 위험관리 정책 당사는 보다 체계적이고 효율적인 환리스크 관리를 위하여 환위험 관리규정을 제정하고 외환관리위 원회 구성 및 환리스크 관리를 위한 별도의 전담 인원을 배정하여 운영하고 있습니다. (1) 위험관리의 일반적 전략 [위험관리규정] 당사는 환리스크 관리를 위한 외환거래에 있어 환관리시행규칙을 명문화하여 엄격히 시행하고 있으 며, 그 주요 내용은 1외환거래는 환 리스크를 회피하고 안정적 경영 수익을 확보하기 위해 실행되 어야 하며, 2실 수요와 공급에 의한 거래를 원칙으로 하고 3환위험 관리의 정책은 자연적 헤지 (Natural Hedge)를 기본으로 하되 필요시 선물환 등 외부적관리기법을 일부 시행하고, 4회사의 환 위험 관리는 주관부서에서 집중하여 관리하며, 주관부서는 환포지션을 파악하여 외환관리위원회가 설정한 지침에 따라 관리하고 있습니다. [파생상품계약 운용] 당사는 파생상품계약을 환위험 헤지 목적으로 운용하고 있습니다. (2) 위험관리조직 및 운영 현황 당사는 외환관리에 관한 의사결정기구로서 외환관리위원회를 설치 운영하고있으며, 외환관리위원 회의 주요 업무는 다음과 같습니다. 1 외환 관리 정책, 전략 심의 및 의결 2 외환 관리 규정의 제정 및 개정 3 환관리 목표와 허용 손실한도의 설정 4 환위험 헤지 범위 및 헤지 비율, 관리수단 등의 조정 5 환포지션, 환율 변동 영향, 환율 전망 등 환관련 정보의 공유 다. 위험관리 관련 추진사항 당사는 종합적 외화 자산 부채 관리의 일환으로 영업상의 환율 변동 영향을 축소하기 위해 파생상품 거래를 체결하고 있습니다. 파생상품 거래를 매매목적의 거래로 분류하여 회계처리 하고 있으며, 발 생된 손익은 기업회계기준에 따라 당기손익으로 인식하였습니다. 파생상품의 공정가액은 거래은행 이 제공한 평가내역을 이용하였습니다. 8. 파생상품 거래현황 연결회사는 이자 및 원금스왑, 선물환 매도계약, 이자율 스왑, 통화옵션계약 등을통하여 환율변동위 험, 현금흐름 이자율위험 등을 관리하고 있습니다. 또한 내재파생상품인 해외전환사채에 내재되어 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 31

33 있는 전환권옵션을 분리하여 공정가치로 평가하여 당기손익으로 인식하고 있습니다. 보고기간 종료일 현재 기타금융자산으로 계상되어 있는 파생금융자산은 0백만원(전기말: 198백만 원)이며 기타금융부채로 계상되어 있는 파생금융부채는 44,632백만원(전기말: 18,635백만원)입니 다. 당분기에 파생상품거래와 관련하여 인식한 평가이익 및 거래이익은 1,124백만원(전분기: 8,704백만 원)이며 평가손실 및 거래손실은 28,255백만원(전분기: 37,864백만원)입니다. 9. 경영상의 주요계약 등 계약 상대방 항목 내용 비고 계약 유형 미국 NAND 컨트롤러 업체인 LAMD 社 인수 Link_A_Media Devices Corp. 계약 기간 2012년 6월 19일~ DA 체결일 목적 및 내용 LAMD의 컨트롤러 기술과 전문 인력 확보로 고부가가치 NAND 솔루션 역량 확충 기타 주요내용 계약 유형 컨트롤러 공동개발 진행 및 컨트롤러 기술 리더쉽 확보 공동개발계약 및 기술라이선스 계약 계약 기간 2012년 5월 31일~ IBM Corp. 목적 및 내용 기타 주요내용 계약 유형 기업용 서버의 성능 향상 및 전력 소비완화를 위한 차세대 메모리인 PCRAM의 조기 상용화 PCRAM 공동개발 진행 IBM 社 의 PCRAM 기반기술 영구 라이선스 확보 지분인수 및 서비스 계약 계약 기간 2012년 4월 10일~ Italy 기술센터 목적 및 내용 기타 주요내용 계약 유형 Global R&D 체계 구축 및 R&D 역량 강화를 목적으로 Italy에 위치한 NAND 기술센터 인수 및 서비스 계약 체결 NAND Flash 공동개발 진행 공동개발계약 및 라이선스 연장 계약 기간 2011년 7월 13일~ Toshiba Corp. 목적 및 내용 기타 주요내용 계약 유형 차세대 메모리의 조기 상용화 및 시장 진입 기반 구축 개발비용 절감 및 투자 효율성 제고 STT-MRAM 공동개발 진행 공동개발 성공시 합작회사를 설립하여 STT-MRAM 공동 생산 공동 투자를 통한 반도체 후공정 전문합작회사 설립계약 계약 기간 2009년 5월 17일~ 무석산업발전집단유 한공사 목적 및 내용 기타 주요내용 중국 내 일괄생산체제 구축을 통한 제조 및 물류 효율성 증대 와 원가경쟁력 강화, 안정적 외주처 확보 양사의 협의로 합작법인을 후공정 전문회사로 장기 육성, '합작 사는 향후 5년간 하이닉스에 후공정 장기 외주 임가공 제공 및 장비운용/교육을 위한 인력파견 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 32

34 10. 연구개발활동 가. 연구개발 담당조직 당사는 보고서 제출일 현재, 미래기술연구원 및 DRAM개발본부, Flash Tech개발본부, Flash Solution개발본부, Mobile개발본부에서 연구개발 활동에 주력하고 있습니다. 나. 연구개발비용 (단위 : 백만원) 과 목 제66기 1분기 제65기 제64기 비 고 원 재 료 비 10,376 42,571 42,991 - 인 건 비 83, , ,890 - 감 가 상 각 비 30, , ,967 - 위 탁 용 역 비 22,172 43,117 33,191 - 기 타 92, , ,749 - 연구개발비용 계 238, , ,788 - 판매비와 관리비 195, , ,197 - 회계처리 제조경비 개발비(무형자산) 43, , ,592 - 연구개발비 / 매출액 비율 [연구개발비용계 당기매출액 100] 8.6% 9.2% 8.0% - 한국채택국제회계기준에 따라 작성되었습니다. 다. 연구개발 실적 구 분 연구과제명 기대효과 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 33

35 제66기 1분기 1) 4Gb GDDR5 2) 32/64/128/256GB msata SSD 3) 4/16/32/64GB e- NAND(eMMC4.5) 4) 2M 1/5"(130nm, 1.75um pixel, Hi-257) GDDR5 제품중 20나노 공정 기술을 적용한 첫 고용량 제품으 로서 그래픽 시장의 프레임 버퍼(Frame Buffer) Size 증가 요구 를 반영한 제품임. 저전력 고성능 구현으로 그래픽 시장을 리드 할 것으로 기대되는 프리미엄 제품으로, 하이브리드 설계구조 적용으로 원가 경쟁력을 위한 와이어 본딩/8Gbps 솔루션으로 Flip Chip 동시 지원 가능. 지난해 인수한 SKHMS와의 시너지를 통한 첫 자체 20나노 SSD(mSATA) 제품으로 기존 26나노 SSD 제품 대비 우수한 성 능과 원가 경쟁력을 가지고 있음. OEM향 노트북, 태블릿 시장 에서 다양한 고객 요구에 대응할 수 있는 제품을 확보함에 따라 매출과 수익성 확대에 크게 기여할 것으로 기대됨. 20나노 emmc4.5 제품으로 기존 20나노 emmc4.41 제품 대비 2배 이상 향상된 성능을 통해 Ci-MCP와 고용량 emmc 제품의 매출 증대와 수익성 향상에 기여할 것으로 기대됨. 중국 시장에서 저가형 스마트폰의 메인 카메라로 2M 제품 채용 이 확대되고 있는 시점에서 Net Die를 기존 제품 대비 40% 증 가시킨 제품으로서 당사의 시장점유율을 확고히 하는데 기여할 것으로 기대됨. 구 분 연구과제명 기대효과 제65기 1) 64Gb MLC NAND 2) 4Gb LPDDR3 3) 1Gb DDR3(x16) 4) 2Gb DDR3 5) 32Gb MLC NAND 6) 16Gb MLC NAND 2Y나노 공정을 적용한 핵심제품으로써 기존의 고용량 2X나노 64Gb 제품 대비 생산성이 40% 이상 향상되어 원가 경쟁력을 확보하였으며, 최근 크게 수요가 증가하고 있는 모바일향 솔루 션 제품 수익성 향상에 큰 기여를 할 수 있을 것으로 기대됨. 30나노급 기술을 적용한 LPDDR3 제품으로 기 양산중인 LPDDR2 제품 대비 고속 및 저전력 동작이 가능함. PC에 채용 되는 DDR3 제품의 속도를 구현할 수 있어 저전력 고속 동작을 요구하는 고사양 스마트폰 및 태블릿 PC에 채용될 예정임. 30나노급 기술을 적용한 컨수머 제품으로, 컨수머 어플리케이 션에서의 Long Term Supportability를 확보하기 위한 제품임. 자사 최초로 Array E-Fuse 기술이 적용된 제품으로 향후 모든 DRAM에 적용 가능한 Array E-Fuse 설계 요소 기술을 확보하 여 상용화를 달성하였으며, Cost Effective Test Baseline 구축 가능 효과가 있을 것으로 기대됨. 20나노급 공정을 적용한 DRAM 핵심제품으로 기존 30나노급 제품 대비 생산성이 크게 향상되어 원가 경쟁력을 확보하였으 며, 설계 및 소자 기술의 혁신으로 저전력, 초고속 특성이 확보 되어 수익성 향상에 큰 기여를 할 것으로 기대됨. 20나노급 공정을 적용한 emmc향 제품으로 모바일 기기의 Small PKG 대응을 통해 제품 경쟁력을 확보하여 모바일향 솔 루션 제품 수익성 향상에 크게 기여할 수 있을 것으로 기대됨. 20나노급 공정을 적용한 저용량 emmc 및 USD향 제품으로모 바일 기기의 저용량 제품 대응을 통해 20나노급 제품 포트폴리 오를 강화하여 모바일향 솔루션 제품 수익성 향상에 크게 기여 할 수 있을 것으로 기대됨. 7) 4Gb SLC NAND 30나노급 SLC 제품으로 기존 40나노급 제품 대비 생산성이크 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 34

36 게 향상되어 Mid/Lowend Smartphone향 MCP 제품 경쟁력 확 보 및 모바일 제품 수익성 향상에 크게 기여할 수 있을 것으로 기대됨. 20나노급 NAND를 사용 기존 20나노급 제품 대비 높은 성능과 8) 4/8/16/32GB e- 원가 경재력을 확보하여 고성능 대용량의 스마트폰과 태블릿 NAND(eMMC4.41) PC등의 모바일 시장에서 수익성 향상에 크게 기여할 것으로 기 대됨. 20나노급 NAND를 사용하여 만든 SSD(SATA 6.0Gbps) 제품 으로 자사 브랜드로는 최초의 사용화 제품임. 최근 급성장하는 9) 64/128/256GB STD2.5"SSD 데스크탑, 노트북등의 SSD 시장에서 고부가가치의 NAND 솔루 션 제품으로 수익성 향상에 큰 기여를 할 수 있을 것으로 기대 됨. 20나노급 NAND를 사용한 msata 규격(SATA 6.0Gbps)의 제 10) 32/64/128GB msata SSD 품으로 최근 급성장하는 울트라북 OEM향 SSD 시장에서제품 경쟁력을 확보하여 수익성 향상에 크게 기여할 것으로기대됨. 소니 社 의 고객 System 개발과 연계하여 Biz를 이어나갈 제품 으로 개발 되었으며 자사 최초로 Multi-Channel Wide 11) 1Gb CDR(x512) IO(x512) DRAM을 개발하였고, 향후 모바일 플랫폼의 주요 기 술인 Wide IO TSV기술 개발에 기여할 것으로 기대됨. 2012년까지 주력 제품이 될 High Density 제품으로 30나노급 에 이어 원가 및 퍼포먼스 측면에서 경쟁력 있는 20나노급을 개발함으로써 수익성 향상에 기여할 것으로 기대되며,특히 온 12) 4Gb DDR3 도에 따라 대기전류를 효율적으로 제어하는 기술을 통해 저전 력 시장요구에 부합하는 제품으로 향후 경쟁력 향상에 기여할 것으로 기대됨. 20나노 Base Emmc4.41 제품 확보로 Low Density 제품 라인 13) 2GB e-nand(emmc4.41) 업에도 경쟁력을 확보 함. 향후 컨수머향 Low Density 제품에 진입기회를 확보 할 수 있음. 20나노급 모바일 DRAM 기술을 적용하여 개발된 제품으로 최 14) 4Gb LPDDR2 근 스마트폰 시장에서 수요가 급증하고 있어 기존 30나노급 제 품 대비 수익성 향상에 기여할 수 있을 것으로 예상됨. 기 양산중인 Hi-255 제품을 기반으로 CSP 패키지가 가능하도 15) 2M MIPI CSP, 1.75um, 록 개발된 제품으로 향후 중국 시장 매출 확대에 기여할 것으로 130nm 기대됨. 그래픽&컨수머 시장의 주력 제품으로 30나노급 이후 20나노급 개발을 통해 수익성 향상에 기여한 제품으로, 특히 빠른 속도 16) 2Gb DDR3(x16) (1Ghz) 및 저전력(1.35V) 특성확보를 통해 그래픽&컨수머 시 장의 리더쉽을 유지하는데 기여할 것으로 기대됨. 20나노급 NAND 및 새로운 컨트롤러를 적용한 2.5" 스탠다드 17) 60/120GB STD 2.5" SSD (SATA 6.0Gbps) SSD 개발로 기존제품 대비 높은 성능과 안정 성을 제공할 것으로 예상됨. 30나노급 모바일 DRAM 기술을 적용하여 개발된 제품으로 중 18) 2Gb LPDDR 국향 저가 스마트폰에 채용되는 기존 40나노급 제품 대비수익 성 향상에 기여할 수 있을 것으로 예상됨. 구 분 연구과제명 기대효과 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 35

37 제64기 1) 2Gb DDR3 2) 1Gb LPDDR 3) 16Gb/32Gb/64Gb MLC enand 4) VGA 1.75um 130nm 5) 256Mb Combo Mobile 6) 4Gb DDR3 7) 2Gb DDR3(x16) 8) 1M, 2.0um, 130nm 9) 2Gb DDR5 30나노급 기술을 적용한 메인메모리 제품으로 서버, 데스크탑 PC, 노트북 등에 사용되는 제품임. 당사 최초로 6F2기술을 적 용하여 상용화한 제품으로 기존 40나노급 제품보다 월등히 생 산성이 높아지게 되어 경영실적에 크게 기여할것으로 예상됨. 30나노급의 기술 플랫폼을 구축하게 되었으며 향후 개발될 30나노급 파생제품의 개발을 선도할 제품임. 40나노급 기술을 적용한 모바일 메모리 제품으로 핸드폰, PMP, MID, 넷북, 게임 콘솔 등 다양한 모바일 어플리케이션에 대응 가능한 제품임. 특히 Small Package가 가능하도록제작되 어 점차 소형화 되고 있는 모바일 시장의 시장점유율확대에 기 여할 것으로 예상됨. 2X나노 기술을 적용한 응용복합 제품으로 스마트폰, 태블릿PC 등의 모바일 시장에 대응하기 위하여 개발된 제품임. emmc4.4 Spec 요건을 만족하고 있으며, 기존 30나노급 기술 대비 60% 이상의 생산성 향상으로 인해 수익성 향상에 크게 기여할 것으 로 예상됨. 1.75um 130나노 기술을 적용한 VGA 제품으로 중국시장내 가 격 경쟁력 심화에 대응하기 위한 제품으로 기존 제품 대비 생산 성이 14% 증가하였으며 중국 시장에서 VGA 제품의가격이 하 락하는 시점에서 시장 진입함으로써 수익성 유지를 목적으로 함. 40나노급 기술을 적용한 저사양 모바일폰 및 데이터카드,베이 스밴드향의 모바일 메모리 제품으로 기존 기술 대비 다이(die) 수 증가로 인한 원가 경쟁력 확보로 수익성 향상에 기여할 것으 로 예상됨. 당사 최초의 30나노급 4Gb 고용량 제품으로 PC용 메인메모리 뿐만 아니라 그래픽, 컨수머 시장에도 대응이 가능함. 32GB RDIMM과 64GB 수퍼 노바 DIMM 개발을 통해 고용량 모듈 지 원이 가능하여 수익성 확보 및 유지에 기여할 것으로 기대됨. 30나노급 기술을 적용한 그래픽, 컨수머 시장 주력 제품으로서 1GHz의 빠른 스피드 특성을 확보하여 시장지배력 유지에 기여 할 것으로 기대됨. 1.35V의 저전압에서도 900MHz의 속도를 확 보하여 Low Vdd 경쟁력도 갖추었음. 2.0um, HD format Pixel array를 적용하여 노트북 시장을 타켓 으로 개발한 제품임. 노트북용 카메라 시장이 베가에서1M HD 센서로 급격히 이동함에 따라 이에 대응하기 위한 제품으로 노 트북 시장 점유율 확대와 안정적 수익 창출에 기여할 것으로 예 상됨. 30나노급 기술을 적용한 그래픽 시장 주력 제품으로 저전력, 초고속, 고용량, 소형화가 요구되는 그래픽 시장 대응을 위한 제품임. 세계 최고 수준의 속도 구현 및 저전력, 고속동작지원 으로 기술의 리더쉽을 유지하는 독보적인 위치를 확보하였음. PC와 노트북 그래픽 카드 및 HPC(High Performance Computing)에 최적화된 제품임. 10) 512Mb LPDDR 40나노급 기술을 적용한 저사양 모바일폰 및 데이터카드, 베이 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 36

38 스밴드향의 모바일 메모리 제품으로 기존 50나노급 기술 대비 다이(die) 수 증가로 인한 원가 경쟁력 확보로 수익성 향상에 기여할 것으로 예상됨. 11) 4Gb LPDDR2 12) 2Gb LPDDR2 13) 1Gb SLC NAND 14) 120GB msata SSD 15) 2M MIPI, 1.75um, 130nm 16) 3M, 1.4um, 90nm 30나노급 6F2 기술이 적용된 모바일 제품으로 고용량, 고속동 작이 가능한 제품임. 초박형 패키지로 제작되어 고사양 스마트 폰 및 태블릿 PC에 채용될 예정으로, 수익성 증대에 기여할 것 으로 예상됨. 30나노급 기술을 적용한 스마트폰 시장 주력 제품으로서 기존 800Mbps 동작 대비 향상된 1066Mbps 특성을 확보하여고사양 제품 채용도 가능하여 수익성 향상에 기여할 것으로예상됨. 30나노급 기술을 적용한 SLC 최초 4bit ECC 지원 제품으로 모 바일향으로 개발 되었으며, 매출 및 수익성 향상에 크게 기여할 것으로 예상됨. LTE 등 통신환경 개선으로 Data card 시장 성 장 예상과 중국에서 512Mb~1Gb SLC 제품을 채용하는 SOC가 신규 개발 예정되어 중화권 모바일 시장 확대가 전망됨. 20나노급 기술을 적용한 msata SSD 개발을 통해 자사 최초 로 SSD 시장진입을 달성함. 모바일과 함께 NAND 어플리케이 션 중 가장 가파른 성장이 예상되는 SSD 시장 진입에 성공함으 로써 매출 및 수익성 향상에 크게 기여할 것으로 예상됨. 기 개발된 130nm 1.75um 2M 제품에 MIPI 시리얼 인터페이스 를 추가한 제품으로 침셋업체의 MIPI 지원 제품의 본격적인 출 시와 Set 업체의 MIPI 지원에 대한 요구에 대응하기 위한 제품 임. 향후 MIPI 지원 제품의 수요가 급격히 증가할 것으로 예상 되어 매출 확대에 크게 기여할 것으로 전망됨. 1.4um 화소를 적용한 첫 90nm 코어 제품으로 향후 90nm 파생 제품 개발을 통한 제품 라인업 확대와 모바일폰에서 요구되는 소형화 추세에 대응하기 위한 제품임. 낮은 1.2V 전압에서 동작 하여 소비전력이 낮은 장점이 있으며, 개발 단계에서부터 고객 평가를 통한 요구사항을 적극 반영하여 개발 완료와 동시에 판 매로 이어져 매출 확대가 기대됨. 11. 기타 투자의사결정에 필요한 사항 가. 최근 3년간 신용등급 [국내] 평가일 평가대상 유가증권등 평가대상 유 가증권의 신용등급 평가회사 신용평가등 급범위 평가구분 회사채(정기평가) BBB+ NICE신평 AAA ~ D 정기평가 회사채(정기평가) BBB+ 한기평 AAA ~ D 정기평가 회사채(정기평가) BBB+ 한신평 AAA ~ D 정기평가 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 37

39 회사채(209) BBB+ NICE신평 AAA ~ D 본평가 회사채(209) BBB+ 한기평 AAA ~ D 본평가 회사채(209) BBB+ 한신평 AAA ~ D 본평가 회사채(210) BBB+ NICE신평 AAA ~ D 본평가 회사채(210) BBB+ 한기평 AAA ~ D 본평가 회사채(210) BBB+ 한신평 AAA ~ D 본평가 회사채(211) A- NICE신평 AAA ~ D 본평가 회사채(211) A- 한기평 AAA ~ D 본평가 회사채(211) A- 한신평 AAA ~ D 본평가 회사채(정기평가) A- NICE신평 AAA ~ D 정기평가 회사채(정기평가) A- 한기평 AAA ~ D 정기평가 회사채(정기평가) A- 한신평 AAA ~ D 정기평가 회사채(수시평가) A- 한신평 AAA ~ D 수시평가 회사채(수시평가) A- 한기평 AAA ~ D 수시평가 회사채(수시평가) A NICE신평 AAA ~ D 수시평가 회사채(수시평가) A 한기평 AAA ~ D 수시평가 회사채(수시평가) A 한신평 AAA ~ D 수시평가 회사채(정기평가) A NICE신평 AAA ~ D 정기평가 회사채(정기평가) A 한기평 AAA ~ D 정기평가 회사채(정기평가) A 한신평 AAA ~ D 정기평가 회사채(212) A 한신평 AAA ~ D 본평가 기업어음(본평가) A2 NICE신평 A1~D 본평가 기업어음(본평가) A2 한기평 A1~D 본평가 기업어음(본평가) A2 한신평 A1~D 본평가 회사채(213) A NICE신평 AAA ~ D 본평가 회사채(213) A 한기평 AAA ~ D 본평가 회사채(213) A 한신평 AAA ~ D 본평가 기업어음(정기평가) A2 NICE신평 A1~D 정기평가 기업어음(정기평가) A2 한기평 A1~D 정기평가 기업어음(정기평가) A2 한신평 A1~D 정기평가 [해외] 평가일 평가대상 유가증권등 평가대상 유 가증권의 신용등급 평가회사 신용평가등 급범위 평가구분 발행회사 B1 Moody's Aaa ~ C 수시평가 해외사채 B+ S & P AAA ~ D 수시평가 해외사채 BB- S & P AAA ~ D 수시평가 발행회사 Ba3 Moody's Aaa ~ C 수시평가 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 38

40 발행회사 BB S & P Aaa ~ D 수시평가 상기 S&P 및 Moody's의 본점 소재지는 미국임. [참고] 국내 신용평가사(NICE신용평가, 한국기업평가, 한국신용평가) 등급정의 신용등급 등급의 정의 AAA AA A BBB BB B CCC CC C D 원리금 지급확실성이 최고 수준임 원리금 지급확실성이 매우 높지만, AAA등급에 비하여 다소 낮은 요소가 있음 원리금 지급확실성이 높지만, 장래의 환경변화에 따라 다소 영향을 받을 가능성이 있 음 원리금 지급확실성이 있지만, 장래의 환경변화에 따라 저하될 가능성이 내포되어 있음 원리금 지급능력에 당면문제는 없으나, 장래의 안정성면에서는 투기적인 요소가 내포 되어 있음 원리금 지급능력이 부족하여 투기적임 원리금의 채무불이행이 발생할 위험요소가 내포되어 있음 원리금의 채무불이행이 발생할 가능성이 높음 원리금의 채무불이행이 발생할 가능성이 지극히 높음 현재 채무불이행 상태에 있음 AA ~ B등급까지는 상대적 우열에 따라 "+" 또는 "-"기호를 부여함. [참고] 국내 신용평가사(NICE신용평가, 한국기업평가, 한국신용평가) 기업어음의 등급정의 신용등급 A1 A2 A3 B C D 등급의 정의 적기상환능력이 최상이며, 상환능력의 안정성 또한 최상임 적기상환능력이 우수하나, 그 안정성은 A1에 비해 다소 열위임 적기상환능력이 양호하며, 그 안정성도 양호하나 A2에 비해 열위임 적기상환능력이 적정시되나, 단기적 여건변화에 따라 그 안정성에 투기적인 요소가 내 포되어 있음 적기상환능력 및 안정성에 투기적인 요소가 큼 상환 불능상태임 A2 ~ B등급까지는 상대적 우열에 따라 "+" 또는 "-"기호를 부여함. [참고] 해외 신용평가사 Moody's 등급 정의 신용등급 Aaa Aa A 등급의 정의 최소한의 신용 리스크를 보이며, 최고의 신용상태를 가진 것으로 판단됨. 신용상태가 우수한 것으로 판단되며 신용리스크가 매우 낮음. 중상위 등급으로 간주되며 신용 리스크가 낮음. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 39

41 Baa Ba B Caa Ca C 신용 리스크가 보통 수준임. 이들은 중위 등급으로 간주되며 그에 따라 일부 투기적 특 징을 가질 수 있음. 투기적 요소가 있는 것으로 판단되며 신용 리스크가 상당한 수준임. 투기적인 것으로 간주되며 신용 리스크가 높음. 신용상태가 불량한 것으로 판단되며 신용 리스크가 매우 높음. 투기성이 매우 높고 부도상태이거나 부도에 매우 근접해 있을 가능성이 높으며 원리금 회수 가능성이 어느 정도 있음. 채권의 최하 등급. 일반적으로 부도상태이고 원리금 회수 가능성이 거의 없음. Aa부터 Caa까지 각 일반 등급 분류에 1,2,3의 숫자를 부여함. 숫자 1은 해당 등급 분류 내에서 상위에 있음을, 숫자 2는 중위에, 숫자 3은 하위에 있음을 나타냄. [참고] 해외 신용평가사 S&P 등급 정의 신용등급 AAA AA A BBB BB B CCC CC D 등급의 정의 채무상환능력이 극히 높음. 최상 등급임. 채무상환능력이 매우 높음, 상위 등급과 크게 차이는 없으나 최고 수준은 아님. 채무상환능력이 높음, 상위 등급의 기업에 비해서는 경기침체와 시장환경변화의 영향 을 받기 쉬움. 채무상환능력은 충분하나, 상위 등급의 기업에 비해서는 경기침체와 시장환경변화의 영향을 받기 쉬움. 가까운 장래에 채무불이행이 발생할 가능성은 비교적 적으나, 경영상태, 재무상황, 경 제상황이 악화될 경우 채무불이행 가능성이 충분히 고려됨 현재로서는 채무상환능력이 있으나, 상위 등급의 기업에 비해 경영상태, 재무상황, 경 제상황이 악화될 경우 채무불이행 가능성이 높음. 현재 채무불이행 가능성이 있으며, 채무이행 능력은 경영, 재무, 경제 상황이 호의적일 경우에만 있다고 보여짐. 채무불이행 가능성이 현재로서 상당히 높음. 채무만기시 1건 이상의 채무를 상환하지 못한 기업을 의미함. AA등급에서 CCC등급까지는 해당 등급에서의 상대적인 위치에 따라 '+', '-'를 추가로 부여할 수 있음. 나. 회사의 고객관리 정책 당사는 IT 산업을 대표하는 글로벌 기업으로서 당사 매출기여도가 매우 높고 당사 판매 전략과 부합 하는 고객을 '전략 고객(Strategic Account, S/A)'으로 정하여 관리하고 있습니다. 당사의 S/A 고객 은 본 보고서 작성일 현재 총 13개사로 각 응용 분야별 전략 고객의 관리를 통하여 안정적인 매출 기 반을 확보함은 물론 제품 구성을 다양화하여 수익성을 극대화하고 있습니다. 다. 지식재산권 보유현황 2013년 3월 31일 현재 당사는 반도체와 관련하여 총 21,422건의 지식재산권을 보유하고있습니다. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 40

42 통상적으로 등록권리는 해마다 증가하나, 매년 기 등록된 권리를 평가하여 등록유지 또는 포기여부 를 결정하고 있어 포기된 권리로 인해 그 수치가 다소 감소할 수있습니다. 특허와 실용신안권은 각국의 특허법과 실용신안법에 근거하여 보호되고 있으며, 상표권은 각국의 상표법에 근거하여 보호되고 있습니다. 특허권의 존속기간은 출원일로부터 20년(실용신안은 10년), 상표는 등록일로부터 10년이며 상표권은 갱신등록절차를 통해 존속기한을 연장할 수 있습니다. 당사 지식재산권은 총 61인으로 구성된 전담조직에서 출원, 등록 및 사후관리, 분쟁대응등을 담당하 고 있습니다. 다양한 지식재산권이 당사 제품 생산 및 사업운영에 활용되고 있으며 각각의 세부사항 및 특허권의 상세한 내용은 영업비밀에 해당되므로 기술하지 않습니다. 라. 정부나 지방자치단체의 법률 규정 등에 의한 규제사항 '산업기술의 유출방지 및 보호에 관한 법률 제11조'에 의하여 국가핵심기술로 지정된 반도체 제조기 술을 해외로 이전하는 경우, 수출자는 산업통상자원부에 신고할 의무를 지니고 있습니다. 이에 당사 는 중국공장의 생산효율성을 극대화하고 현지 시장에서의 우위를 지속적으로 유지하기 위하여 중국 우시공장(SKHYCL)과 후공정 합작사인 HITECH에 디자인룰 25나노 DRAM 공정기술과 조립검사기 술의 이전에 대하여 관련법에 의한 국가핵심기술 신고절차를 준수하여 신고 수리를 완료하였으며, 미국 SKHYA 기술센터에 25나노 DRAM 응용제품 설계기술 이전에 관한 사항을 관련법을 준수하여 신고 수리를 완료하였습니다. 당사 경영계획 일정에 따른 적기 기술 이전을 통해 차질 없는 생산 전개로 경영목표를 원활하게 달 성해 나갈 것입니다. 마. 환경보호 정책 및 현황 (1) ESH경영시스템 인증 당사는 국제 인증규격인 ISO14001(환경경영시스템) & OHSAS18001(안전보건경영시스템)과 국내 인증규격인 KOSHA18001(안전보건경영시스템)을 취득하여 유지관리하고 있으며, 기업활동으로 인 해 발생하는 환경 및 안전보건 영향요인을 효율적으로 관리하기 위해전담조직을 구성하여 체계적으 로 관리하고 있습니다. (2) 기후변화 협약 대응 당사는 기후변화와 관련된 유.무형의 위험과 기회 관리를 위해 기후변화 관련 규제를 준수하며 적극 적으로 대응하고 있습니다. 또한 기후변화로 인해 발생할 수 있는 비용 및 제품 품질 관리를 위한 전 략을 마련하고 고객 및 정부의 신뢰도를 지속적으로 확보하여 환경에 대한 새로운 가치를 창출할 수 있도록 전사적 수준의 대응을 하고 있습니다. [온실가스 에너지 목표관리제] 당사는 정부에서 시행하는 온실가스 에너지 목표관리제 관리업체로서 2011년부터 당사의온실가스 배출량을 측정.검증하여 보고하고 있으며, 매년 온실가스 저감 목표를 수립하여달성을 위해 노력하 고 있습니다. 공정가스인 PFCs 배출 저감을 위해 대체가스 적용, PFCs 저감 장치 효율 관리를 위한 EPA 방법론 도입 및 운영, 공정 최적화, 촉매가스 활용 등 다양한 아이템을 지속적으로 추진하고 있 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 41