특성화사업참가결과보고서 작성일 학과전자공학과 참가활동명 EATED 3.0 프로그램지도교수진성훈교수님 연구주제명 Low Frequency Noise Characteristic of Semiconducting Carbon Nanotube Network

실험 5

실험. OP Amp 의기초회로 Inverting Amplifier OP amp 를이용한아래와같은 inverting amplifier 회로를고려해본다. ( 그림 ) Inverting amplifier 위의회로에서 OP amp의 입력단자는 + 입력단자와동일한그라운드전압, 즉 0V를유지한다. 또한 OP amp 입력단자로흘러들어가는전류는 0 이므로, 저항에흐르는전류는다음과같다.

Microsoft Word - Lab.4

Lab. 1. I-V Lab. 4. 연산증폭기 Characterist 비 tics of a Dio 비교기 ode 응용 회로 1. 실험목표 연산증폭기를이용한비교기비교기응용회로를이해 응용회로를구성, 측정및평가해서연산증폭기 2. 실험회로 A. 연산증폭기비교기응용회로 (a) 기본비교기 (b) 출력제한 비교기 (c) 슈미트트리거 (d) 포화반파정류회로그림 4.1. 연산증폭기비교기응용회로

(b) 미분기 (c) 적분기 그림 6.1. 연산증폭기연산응용회로

Lab. 1. I-V Characteristics of a Diode Lab. 6. 연산증폭기가산기, 미분기, 적분기회로 1. 실험목표 연산증폭기를이용한가산기, 미분기및적분기회로를구성, 측정및 평가해서연산증폭기연산응용회로를이해 2. 실험회로 A. 연산증폭기연산응용회로 (a) 가산기 (b) 미분기 (c) 적분기 그림 6.1. 연산증폭기연산응용회로 3. 실험장비및부품리스트

실험 5

실험. apacitor 및 Inductor 의특성 교류회로 apacitor 의 apacitance 측정 본실험에서는 capacitor를포함하는회로에교류 (A) 전원이연결되어있을때, 정상상태 (steady state) 에서 capacitor의전압과전류의관계를알아본다. apacitance의값이 인 capacitor의전류와전압의관계는다음식과같다. i dv = dt

2-32

Itroductio The field effect trasistor(fet) is a uiolar device because, ulike biolar trasistor that use both electro ad hole curret, they oerate oly with oe tye of charge carrier. (BJT) (FET). The two mai

실험. Multimeter 의사용법및기초회로이론 Multimeter 의사용법 멀티미터 (Multimeter) 는저항, 전압, 전류등을측정할수있는계측기로서전면은다음그림과같다. 멀티미터를이용해서저항, 전압, 전류등을측정하기위해서는다음그림과같은프로브 (probe) 를멀티미터

실험. Multimeter 의사용법및기초회로이론 Multimeter 의사용법 멀티미터 (Multimeter) 는저항, 전압, 전류등을측정할수있는계측기로서전면은다음그림과같다. 멀티미터를이용해서저항, 전압, 전류등을측정하기위해서는다음그림과같은프로브 (probe) 를멀티미터의전면패널에꼽는다. 통상적으로검은색프로브는전면패널의검은단자 (COM) 에꼽으며, 빨간색프로브는빨간색단자에꼽는다.

Microsoft PowerPoint - lec06_2007

Opertil Ampliier A µa74 itegrted circuit h eight cectig pi 주요한단자. iertig iput. iertig iput. utput 4. pitie pwer upply 5. egtie pwer upply b The crrepdece betwee the circled pi umber the itegrted circuit

전자회로 실험

전자회로실험 2 조 고주현허영민 BJT의고정바이어스및 부품 * 실험목적 1) 고정바이어스와 회로의직류동작점을결정한다. 다이오드의특성 * 실험장비 계측장비 - Digital Multi Meter 부품 -저항 다이오드의특성 부품 - 트랜지스터

#³óÃÌ°æÁ¦ 64È£-Ä®¶ó¸é

¾Èµ¿±³È¸º¸ÃÖÁ¾

¾Ë±â½¬¿îÀ±¸®°æ¿µc03ÖÁ¾š

& 01 02 03 04 05 06 07 08 09 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 & 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 & 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 & 55 56 57 58 59 60 61 62 63

KMC.xlsm

제 7 장. /S 에필요한내용 1] IGBT 취급시주의사항 ) IGBT 취급시주의 1) 운반도중에는 Carbon Cross로 G-E를단락시킵니다. 2) 정전기가발생할수있으므로손으로 G-E 및주단자를만지지마십시요. 3) G-E 단자를개방시킨상태에서직류전원을인가하지마십시요. (IGBT 파손됨 ) 4) IGBT 조립시에는사용기기나인체를접지시키십시요. G2 E2 E1

untitled

한눈에-아세안 내지-1

I 12 I 13 14 I 15 16 I 17 18 II 20 II 21 22 II 23 24 II 25 26 II 27 28 II 29 30 II 31 32 II 33 34 II 35 36 III 38 III 39 40 III 41 42 III 43 44 III 45 46 III 47 48 III 49 50 IV 52 IV 53 54 IV 55 56 IV

COVER.HWP

이슈분석 2000 Vol.1

i ii iii iv 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66

가볍게읽는-내지-1-2

I 01. 10 11 12 02. 13 14 15 03. 16 17 18 04. 19 20 21 05. 22 23 24 06. 25 26 27 07. 28 29 08. 30 31 09. 32 33 10. 34 35 36 11. 37 12. 38 13. 39 14. 40 15. 41 16. 42 43 17. 44 45 18. 46 19. 47 48 20. 49

kbs_thesis.hwp

- I - - II - - III - - IV - - 1 - - 2 - - 3 - - 4 - - 5 - - 6 - - 7 - - 8 - - 9 - - 10 - - 11 - - 12 - - 13 - - 14 - - 15 - - 16 - - 17 - - 18 - - 19 - - 20 - - 21 - - 22 - - 23 - - 24 - - 25 - - 26 -

½½¶óÀ̵å Á¦¸ñ ¾øÀ½

0.2 완전차동 (fully dfferental) OP amp Dfferental nput, Dfferental output Easy to cascade OP amps nsenstve to supply nose Hgh gan Fully dff OP amp requres CMFB Hgh Speed CMOS IAB, POSTECH 0.2. NMOS 입력완전차동

실험 5

실험. OP Amp 의기본특성 이상적 (ideal) OP Amp OP amp는연산증폭기 (operational amp) 라고도불리며, 여러개의트랜지스터로구성이된차동선형증폭기 (differential linear amplifier) 이다. OP amp는가산, 적분, 미분과같은수학적연산을수행하는회로에사용될수있으며, 비디오, 오디오증폭기, 발진기등에널리사용되고있다.

II. TECHNICAL APPROACH 위의사진은 IGZO 칩의 L과 W에따른배치표입니다. 그리고소자에열처리를하였는데 CTA (Convention Temperature Annealing ) 600 도에서 30분간일반적인열처리방법을사용한소자를사용하였는데이외의방식으로 R

특성화사업참가결과보고서 작성일 2017 12.22 학과전자공학과 참가활동명 EATED 3.0 프로그램지도교수박종태 연구주제명 Device Degradation of Amorphous InGaZno Thin Film Transistor under NBIS 학번 201301171 성명최종 I. OBJECTIVES 최근 IGZO 를활성화층으로이용한 IGZO TFT

PowerPoint Presentation

신호조절 (Signal Conditioning) 메카트로닉스 시스템의 구성 ECU 인터페이스 회로 (시그널 컨디셔닝) 마이컴 Model of 기계 시스템 인터페이스 회로 (드라이빙 회로) 센서 액츄에이터 (구동기) 기계 시스템 PN 접합 다이오드 [1] 다이오드의 DC 해석과 등가모델 [1] 다이오드의 DC 해석과 등가모델 [1] 다이오드 응용회로 [1] 다이오드

Microsoft PowerPoint - ICCAD_Analog_lec01.ppt [호환 모드]

Chapter 1. Hspice IC CAD 실험 Analog part 1 Digital circuit design 2 Layout? MOSFET! Symbol Layout Physical structure 3 Digital circuit design Verilog 를이용한 coding 및 function 확인 Computer 가알아서해주는 gate level

보고싶었던 Deep Learning과 OpenCV를이용한이미지처리과정에대해공부를해볼수있으며더나아가 Deep Learning기술을이용하여논문을작성하는데많은도움을받을수있으며아직배우는단계에있는저에게는기존의연구를따라해보는것만으로도큰발전이있다고생각했습니다. 그래서이번 DSP스마

특성화사업참가결과보고서 작성일 2017 12.22 학과전자공학과 참가활동명 EATED 30 프로그램지도교수최욱 연구주제명 Machine Learning 을이용한얼굴학습 학번 201301165 성명조원 I. OBJECTIVES 사람들은새로운사람들을보고인식을하는데걸리는시간은 1초채되지않다고합니다. 뿐만아니라사람들의얼굴을인식하는인식률은무려 97.5% 정도의매우높은정확도를가지고있습니다.

<4D F736F F F696E74202D F FB5BFBACEC7CFC0CCC5D820B1E8BFA9C8B22E BC8A3C8AF20B8F0B5E55D>

Back Metal 면이 Drain 인 Vertical channel MOSFET 의 Wafer Test 에서 Chuck 을사용하지않는 RDSON 측정방법 동부하이텍검사팀김여황 I RDSON II Conventional Method III New Method IV Verification (Rdson) V Normal Test Item VI Conclusion

제목을 입력하십시오

위상제어정류기 Prf. ByungKuk Lee, Ph.D. Energy Mechatrnics Lab. Schl f Infrmatin and Cmmunicatin Eng. Sungkyunkwan University Tel: 8212994581 Fax: 8212994612 http://seml.skku.ac.kr EML: bkleeskku@skku.edu 위상제어정류회로

Microsoft Word - LAB_OPamp_Application.doc

실험. OP Amp 의기본응용회로 Voltage Follower/Impedance Buffer 위의 OP amp 회로에서출력전압신호는입력전압신호와항상같으므로, voltage follower라고불린다. 이회로는어떤기능을가지는회로에부하저항을연결하였을때, 부하저항이미치는영향을최소화하기위해서사용될수있다. 예를들면 low-pass filter 회로에부하저항이연결된다음과같은회로를고려해본다.

Microsoft PowerPoint 상 교류 회로

3상교류회로 11.1. 3 상교류의발생 평등자계중에놓인회전자철심에기계적으로 120 씩차이가나게감은코일 aa, bb,cc 를배치하고각속도의속도로회전하면각코일의양단에는다음식으로표현되는기전력이발생하게된다. 11.1. 3 상교류의발생 여기서 e a, e b, e c 는각각코일aa, bb, cc 양단에서얻어지는전압의순시치식이며, 각각을상 (phase) 이라한다. 이와같이전압의크기는같고위상이

Microsoft PowerPoint - Ch13

Ch. 13 Basic OP-AMP Circuits 비교기 (Comparator) 하나의전압을다른전압 ( 기준전압, reference) 와비교하기위한비선형장치 영전위검출 in > 기준전압 out = out(max) in < 기준전압 out = out(min) 비교기 영이아닌전위검출 기준배터리 기준전압분배기 기준전압제너다이오드 비교기 예제 13-1: out(max)

API 매뉴얼

PCI-DIO12 API Programming (Rev 1.0) Windows, Windows2000, Windows NT and Windows XP are trademarks of Microsoft. We acknowledge that the trademarks or service names of all other organizations mentioned

유기 발광 다이오드의 전하주입 효율 향상을 통한 발광효율 향상 연구

- i - - ii - - iii - - iv - - v - - vi - 그림차례 - vii - - viii - - 1 - 5). - 2 - - 3 - 유기발광다이오드 ( 고분자또는저분자 ) 무기발광다이오드 (p-n junction LED) - + cathode ETL EML HTL HIL anode 발광 두께 : 100 ~ 200 nm 양극 ( 투명전극,

Microsoft Word - Lab.7

Lab. 1. I-V C Lab. 7. Characterist tics of a Dio 능동필터 ode 1. 실험목표 연산증폭기를이용한저역통과필터 (low-pass filter), filter), 대역통과필터 (band-pass filter) 회로를구성, 연산증폭기능동필터회로를이해 고역통과필터 (high-pass 측정및평가해서 2. 실험회로 A. 연산증폭기능동필터

16<C624><D22C><ACFC><D0D0> <ACE0><B4F1><BB3C><B9AC><2160>_<BCF8><CC45>.pdf

I I 02 03 04 05 06 II 07 08 09 III 10 11 12 13 IV 14 15 16 17 18 a b c d 410 434 486 656 (nm) Structure 1 PLUS 1 1. 2. 2 (-) (+) (+)(-) 2 3. 3 S. T.E.P 1 S. T.E.P 2 ) 1 2 (m) 10-11 10-8 10-5 C 10-2 10

Microsoft PowerPoint - lec06_2009_회로이론1 [호환 모드]

Opertl Ampler A µa7 tegrted rut h eght etg p 주요한단자. ertg put. ertg put. utput. pte pwer upply 5. egte pwer upply b The rrepdee betwee the rled p umber the tegrted rut d the de the pertl mpler. NC : et

10신동석.hwp

(JBE Vol. 21, No. 5, September 2016) (Regular Paper) 21 5, 2016 9 (JBE Vol. 21, No. 5, September 2016) http://dx.doi.org/10.5909/jbe.2016.21.5.760 ISSN 2287-9137 (Online) ISSN 1226-7953 (Print) LED a),

(b) 연산증폭기슬루율측정회로 (c) 연산증폭기공통모드제거비측정회로 그림 1.1. 연산증폭기성능파라미터측정회로

Lab. 1. I-V Characteristics of a Diode Lab. 1. 연산증폭기특성실험 1. 실험목표 연산증폭기의전압이득 (Gain), 입력저항, 출력저항, 대역폭 (Bandwidth), 오프셋전압 (Offset Voltage), 공통모드제거비 (Common-mode Rejection Ratio; CMRR) 및슬루율 (Slew Rate) 등의기본적인성능파라미터에대해서실험을통해서이해

< 서식 5> 탐구보고서표지 제 25 회서울학생탐구발표대회보고서 출품번호 유글레나를이용한산소발생환경의탐구 소속청학교명학년성명 ( 팀명 ) 강서교육청서울백석중학교 3 임산해 [ 팀원이름 ]

< 서식 5> 탐구보고서표지 제 25 회서울학생탐구발표대회보고서 출품번호 유글레나를이용한산소발생환경의탐구 2010. 09. 28. 소속청학교명학년성명 ( 팀명 ) 강서교육청서울백석중학교 3 임산해 [ 팀원이름 ] 목 차 Ⅰ. 탐구주제 02 Ⅱ. 탐구하게된동기 02 Ⅲ. 배경이론 02 1. 유글레나의특징가. ph 나. 온도 Ⅳ. 선행연구고찰 03 1. 산소결핍과인체에미치는영향

5_10.hwp

실험 8. 트랜지스터스위칭실험 8.1 실험목적 트랜지스터의스위칭특성을이해한다. 트랜지스터의무접점스위치로의응용원리를이해한다. 트랜지스터의디지털소자로의응용원리를이해한다. 8.2 실험이론 8.2.1 트랜지스터스위칭특성 포화동작영역은트랜지스터의베이스입력전류가커서입력전류에따라전류증폭률 β배만큼비례적으로증폭하여컬렉터전류로출력하지못하고, 출력이트랜지스터가흘릴수있는최대컬렉터전류

*통신1604_01-도비라및목차1~12

ISSN 25-2693 216. 4 216. 4 213 214 215 1.5 2.4 2.4.6 3.9 2. 1.4 -.3.9 1.6 2.3 1.6 1.2 1.3 1.4..5 4.6-1.4 1.4-1.1 7.7 7.3 6.9 7. 7. 6.9 6.8 14 13 12 11 1 9 8 7 5 4 3 2 1 i 4 4 3 3 2. 1.5 1. 2.

특성화사업참가결과보고서 작성일 학과전자공학과 참가활동명 EATED 3.0 프로그램지도교수진성훈교수님 연구주제명 Multilayer MoS2 Depletion Load Enabled Photo Sensitive inverters with GaN FE

특성화사업참가결과보고서 작성일 2017 12. 25 학과전자공학과 참가활동명 EATED 3.0 프로그램지도교수진성훈교수님 연구주제명 Multilayer MoS2 Depletion Load Enabled Photo Sensitive inverters with GaN FET drivers 학번 201301151 성명장원 I. OBJECTIVES 본격적인측정에들어가기에앞서

50 50 50 64 20 1 047 14 65 1 000 30 40 65 4

The Next Plan 50 50 50 64 20 1 047 14 65 1 000 30 40 65 4 50 50 42 9 38 5 42 3 50 50 4 5 4 50 50 6 50 50 50 50 1 4 4 50 4 8 7 4 4 4 8 SAM Start Again Mentoring 50 50 SAM 50 1 50 2 5 8 5 3 SAM 50 2 9 50

Microsoft PowerPoint - Ch8

Ch. 8 Field-Effect Transistor (FET) and Bias 공핍영역 D G S 채널 8-3 JFET 바이어스 자기바이어스 (self-bias) R G - 접지로부터 AC 신호를분리 I D I G = 0 G = 0 D I D I S S = I S R S I D R S S I S = G - S = 0 I D R S = - I D R S D

Microsoft PowerPoint - Ch16

Ch. 16 Oscillators Crystal-Controlled Oscillators 수정발진기 (Crystal-Controlled Oscillators): 안정되고정확한발진기 압전효과 (Piezoelectric effects): 기계적충격에의해서진동하는주파수에서전압을발생 교류전압이인가하면주파수로진동 압전효과물질 : 수정 - 매우높은 Q 값 ( 수천 )

2014년 3월 모의고사(문제 및 정답).hwp

2014년도 3월 31일 고졸 검정고시 모의고사 제 1 교시 국 어 세종검정고시학원 수험번호 ( ) 성 명 ( ) 다음 글을 읽고 물음에 답하시오. (가)살어리 살어리랏다 ᄀ쳥산( 靑 山 )애 살어리랏다. 멀위랑 래랑 먹고 쳥산( 靑 山 )애 살어리랏다. 얄리얄리 얄랑셩 얄라리 얄라 우러라 우러라 ᄂ새여 자고 니러 우러라 새여. 널라와 시름 한 나도 자고 니러

전자실습교육 프로그램

제 5 장 신호의 검출 측정하고자 하는 신호원에서 발생하는 신호를 검출(detect)하는 것은 물리측정의 시작이자 가장 중요한 일이라고 할 수가 있습니다. 그 이유로는 신호의 검출여부가 측정의 성패와 동의어가 될 정도로 밀접한 관계가 있기 때문입니다. 물론 신호를 검출한 경우라도 제대로 검출을 해야만 바른 측정을 할 수가 있습니다. 여기서 신호의 검출을 제대로

<4F E20C7C1B7CEB1D7B7A5C0BB20C0CCBFEBC7D120B5A5C0CCC5CD20BAD0BCAE20B9D720B1D7B7A1C7C120B1D7B8AEB1E F416E616C F616E645F47726

Origin 프로그램을이용한데이터분석및그래프그리기 "2-4 단일코일에의해형성되는자기장의특성측정 " 실험을예로하여 Origin 프로그램을이용한데이터분석및그래프그리기에대해설명드리겠습니다. 먼저 www.originlab.com 사이트를방문하여회원가입후 Origin 프로그램데모버전을다운로드받아서설치합니다. 설치에필요한액세스코드는회원가입시입력한 e-mail로발송됩니다.

그룹웨어와 XXXXX 제목 예제

데이터통신 부호화 (encoding) 부호화 (Encoding) 의개념 정보 Encoder 신호 1 Digital - to - Digital 2 Analog - to - Digital 3 Digital - to - Analog 4 Analog - to - Analog 2 1 Digital-to-Digital Encoding Digital 정보를 Digital

구 분 사업 시행자 성 명 주 소 비고 송도테크노파크 확대조성단지 ( 재) 송도테크노파크 인천광역시 연수구 송도동 7-50 변경없음 - 2 -

세계최고의 R&BD 자족형 기술생태계로 육성하고자 개발중인 송 도테크노파크 확대조성단지의 원활한 사업추진을 위해 복합지원용지 (Sm1~Sm3)에 대한 교통처리계획 변경사항 등을 경제자유구역의 지정 및 운영에 관한 특별법 제 9조 규정에 의한 실시계획에 반영하고자 함 - 1 - 구 분 사업 시행자 성 명 주 소 비고 송도테크노파크 확대조성단지 ( 재) 송도테크노파크

airDACManualOnline_Kor.key

5F InnoValley E Bldg., 255 Pangyo-ro, Bundang-gu, Seongnam-si, Gyeonggi-do, Korea (Zip 463-400) T 031 8018 7333 F 031 8018 7330 airdac AD200 F1/F2/F3 141x141x35 mm (xx) 350 g LED LED1/LED2/LED3 USB RCA

II. 한국영화산업-최종

Korean Film Yearbook 2008 1997 59 60 431 271 331 1998 43 43 296 244 287 1999 49 42 348 233 275 2000 59 62 427 277 339 2001 65 52 355 228 280 2002 78 82 266 192 274 2003 80 65 271 175 240 2004 82 74 285

Microsoft Word - 000 Circuit KOR rev6_20150901_한영일치

[국제캠퍼스 실험 전용] 2-06. 직류 회로 및 교류 회로 Objective 전자 회로를 구성하는 기본 소자인 저항(Resistor), 축전기(Capacitor), 인덕터(Inductor)를 이해하고, 직류 및 교류 특성을 확인한다. 또한, 축전기와 인덕터가 포함된 회로에서 교류 신호의 공명 진동수를 확인한다. Theory -----------------------------

Sequences with Low Correlation

레일리페이딩채널에서의 DPC 부호의성능분석 * 김준성, * 신민호, * 송홍엽 00 년 7 월 1 일 * 연세대학교전기전자공학과부호및정보이론연구실 발표순서 서론 복호화방법 R-BP 알고리즘 UMP-BP 알고리즘 Normalied-BP 알고리즘 무상관레일리페이딩채널에서의표준화인수 모의실험결과및고찰 결론 Codig ad Iformatio Theory ab /15

1

삼성경제연구소 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68

PowerPoint Presentation

디지털 CMOS 인버터의동작및특성 IT CookBook, 최신 VLSI 설계, 조준동, 성균관대학교 학습목표 CMOS 인버터의동작과구조를익힌다. CMOS 인버터의출력전류, 출력전압의특성을알아본다. 노이즈마진을구한다. 목차 1.CMOS 인버터의동작및구조 2.CMOS 인버터의출력전류 / 전압특성 Section 01 CMOS 인버터의동작및구조 1.1 CMOS 인버터의동작.

Microsoft PowerPoint - MonthlyInsighT-2018_9월%20v1[1]

* 넋두리 * 저는주식을잘한다고생각합니다. 정확하게는주식감각이있다는것이맞겠죠? 예전에애널리스트가개인주식을할수있었을때수익률은엄청났었습니다 @^^@. IT 먼쓸리가 4주년이되었습니다. 2014년 9월부터시작하였으니지난달로만 4년이되었습니다. 4년간누적수익률이최선호주는 +116.0%, 차선호주는 -29.9% 입니다. 롱-숏으로계산하면 +145.9% 이니나쁘지않은숫자입니다.

제 1 장 집적회로 개요

실험 #2-A 반도체다이오드의특성실험 1. 실험목적 다이오드의특성에대해조사한다. 2. 서론 모든반도체다이오드는단향적특성을가지고있다. 순방향저항은매우낮은반면에역방향저항은매우높기때문이다. 다이오드에대한전압대전류의곡선을그려가며구체적으로그특성을조사한다. 3. 관련이론 다이오드내부저항 V D V D V T r D Ideal diode I D I D 다이오드의순방향저항

»êÇÐ-150È£

Korea Sanhak Foundation News VOL. 150 * 2011. 12. 30 논단 이슈별 CSR 활동이 기업 충성도에 미치는 영향 : 국가별 및 산업별 비교분석 최 지 호 전남대 경영학부 교수 Ⅰ. 서론 Ⅰ. 서론 Ⅱ. 문헌 고찰 및 가설 개발 2. 1. 호혜성의 원리에 기초한 기업의 사회적 투자에 대한 소

정치사적

2014-2 역사학의 이론과 실제 수업 지도 교수: 조범환 담당 교수: 박 단 신라 중대 말 갈항사와 진골 귀족 20100463 김경진 I. 머리말 II. 승전과 갈항사 창건 III. 갈항사와 원성왕 외가 IV. 원성왕 외가와 경덕왕 V. 맺음말 목 차 I. 머리말 葛 項 寺 는 신라 고승 勝 詮 이 700년 전후에 경상북도 김천시 남면 오봉리에 건립한 사찰이

<3235B0AD20BCF6BFADC0C720B1D8C7D120C2FC20B0C5C1FE20322E687770>

25 강. 수열의극한참거짓 2 두수열 { }, {b n } 의극한에대한 < 보기 > 의설명중옳은것을모두고르면? Ⅰ. < b n 이고 lim = 이면 lim b n =이다. Ⅱ. 두수열 { }, {b n } 이수렴할때 < b n 이면 lim < lim b n 이다. Ⅲ. lim b n =0이면 lim =0또는 lim b n =0이다. Ⅰ 2Ⅱ 3Ⅲ 4Ⅰ,Ⅱ 5Ⅰ,Ⅲ

완벽한개념정립 _ 행렬의참, 거짓 수학전문가 NAMU 선생 1. 행렬의참, 거짓개념정리 1. 교환법칙과관련한내용, 는항상성립하지만 는항상성립하지는않는다. < 참인명제 > (1),, (2) ( ) 인경우에는 가성립한다.,,, (3) 다음과같은관계식을만족하는두행렬 A,B에

1. 행렬의참, 거짓개념정리 1. 교환법칙과관련한내용, 는항상성립하지만 는항상성립하지는않는다. < 참인명제 > (1),, (2) ( ) 인경우에는 가성립한다.,,, (3) 다음과같은관계식을만족하는두행렬 A,B에대하여 AB=BA 1 가성립한다 2 3 (4) 이면 1 곱셈공식및변형공식성립 ± ± ( 복호동순 ), 2 지수법칙성립 (은자연수 ) < 거짓인명제 >

1_12-53(김동희)_.hwp

본논문은 2012년전력전자학술대회우수추천논문임 Cascaded BuckBoost 컨버터를 이용한 태양광 모듈 집적형 저전압 배터리 충전 장치 개발 472 강압이 가능한 토폴로지를 이용한 연구도 진행되었지만 제어 알고리즘의 용의성과 구조의 간단함 때문에 BuckBoost 컨버터 또는 Sepic 컨버터를 이용하여 연구 가 진행되었다[10][13]. 태양광 발전

Slide 1

Linear Technology Corporation Power Seminar LDO 2016. 10. 12. LTC Korea 영업강전도부장 010-8168-6852 jdkang@linear.com 기술박종만차장 010-2390-2843 jmpark@linear.com LDO 목차 1) LDO feedback 동작원리, 2) LDO 종류 3) LDO 특성

±â¾÷¼³¸íȸ

HTTP://WWW.PHICOM.COM Investor Relations 2004 A World of Possibility [ www.phicom.com ] CONTENTS 1. MARKET TREND 2. COMPANY INTRODUCTION 3. PRODUCTS LIST 4. MANAGEMENT PLAN 5. WHY PHICOM? _03 _09 _15 _22

<C3D6C0E7C3B528BAB8B5B5C0DAB7E1292D322E687770>

도서출판 폴리테이아 보도자료 정치가 최재천의 책 칼럼! 우리가 읽고 싶고 읽어야만 할 책, 153권에 대한 소개서이자 안내서! 최재천 지음 436쪽 15,000원 2011년 8월 출간 서울 마포구 합정동 417-3 (1층) / 편집 02-739-9929~30 / 영업 02-722-9960 / 팩스 02-733-9910 1 문자 공화국 을 살아간다. 말이 문자가

..........(......).hwp

START START 질문을 통해 우선순위를 결정 의사결정자가 질문에 답함 모형데이터 입력 목표계획법 자료 목표계획법 모형에 의한 해의 도출과 득실/확률 분석 END 목표계획법 산출결과 결과를 의사 결정자에게 제공 의사결정자가 결과를 검토하여 만족여부를 대답 의사결정자에게 만족하는가? Yes END No 목표계획법 수정 자료 개선을 위한 선택의 여지가 있는지

006 007 007 009 012 012 012 013 013 013 018 019 033 045 051 052 060 066 067 077 083 084 099 108 117 118 122 135 140 141 141 142 143 143 145 148 154 01 006 007 007 009 " # $ % 02 012 012 012 013 013 013

PJTROHMPCJPS.hwp

제 출 문 농림수산식품부장관 귀하 본 보고서를 트위스트 휠 방식 폐비닐 수거기 개발 과제의 최종보고서로 제출 합니다. 2008년 4월 24일 주관연구기관명: 경 북 대 학 교 총괄연구책임자: 김 태 욱 연 구 원: 조 창 래 연 구 원: 배 석 경 연 구 원: 김 승 현 연 구 원: 신 동 호 연 구 원: 유 기 형 위탁연구기관명: 삼 생 공 업 위탁연구책임자:

팬도캐드소개

제목 : 4 층 50Ω, 55Ω, 90Ω Diff,100Ω Diff (1.46T) PCB 재질 : FR4( Er = 4.4 ) 외층 / 내층 : 1 Oz PCB 두께 : 1.46T ±10% CCL= 1.2T C 1/1 L3 0.08mm 0.08mm 0.09mm 0.09mm 0.26mm 0.26mm 프리프레그 (PrePreg) : 1080 0.06 mm, 2116

PowerPoint 프레젠테이션

Verilog: Finite State Machines CSED311 Lab03 Joonsung Kim, joonsung90@postech.ac.kr Finite State Machines Digital system design 시간에배운것과같습니다. Moore / Mealy machines Verilog 를이용해서어떻게구현할까? 2 Finite State

MATLAB and Numerical Analysis

School of Mechanical Engineering Pusan National University dongwoonkim@pusan.ac.kr Review 무명함수 >> fun = @(x,y) x^2 + y^2; % ff xx, yy = xx 2 + yy 2 >> fun(3,4) >> ans = 25 시작 x=x+1 If문 >> if a == b >>

歯김유성.PDF

BIT/ST/LSCO/MgO Variations of Microstructures and Electrical Properties of BIT/ST/LSCO/MgO Epitaxial Films by Annealing 2003 2 BIT/ST/LSCO/MgO Variations of Microstructures and Electrical Properties of

<4D F736F F F696E74202D DC0FCB1E2C0FCC0DAC8B8B7CEB1E2C3CA>

전력전자 로봇 자동화공학부 www.dongyang.ac.kr 전기회로기초 - 학습내용 교류전압전류의표현방법 전력및역률 계측기사용법 전력용반도체소자및동작원리 전기회로기초 - 계측기사용법 함수발생기 함수발생기 (function generator) 또는신호발생기 (signal generator) 는디지털회로또는아날로그전자회로에정현파, 구형파, 삼각파등의신호를공급하는실험장비

Microsoft Word - AM-GYRO-P V02 메뉴얼.doc

2 축자이로센서플러스모듈 ( Model : AM-GYRO-P ) 메뉴얼 뉴티씨 (NEWTC) 1 AM-GYRO-P 소개 2축자이로 ( 각속도 ) 센서 (InvenSense사의 IDG-650/IXZ-650) 를이용한 Evaluation 보드 출력신호에 Low Pass Filter ( 약 2kHz) 구현 AM-GYRO 모듈과 AVR 보드와연결하여테스트할수있는보드입니다.

개요

Application Note (003) 시리얼인터페이스 (RS232/RS422/RS485) Version 1.0 솔내시스템주식회사 1. 개요 는 RS232, RS422, RS485등 3개의시리얼인터페이스를지원합니다. 사용자는 의설정용유틸리티인 ezconfig를이용해서 3개의인터페이스중에서하나를선택하여설정할수있습니다. 1.1. RS232 Ground를기준으로한전압을이용해서통신하는형태입니다.

Microsoft PowerPoint - dev6_TCAD.ppt [호환 모드]

TCAD: SUPREM, PISCES 김영석 충북대학교전자정보대학 2012.9.1 Email: kimys@cbu.ac.kr k 전자정보대학김영석 1 TCAD TCAD(Technology Computer Aided Design, Technology CAD) Electronic design automation Process CAD Models process steps

2009 - i - - ii - - iii - - iv - - v - - vi - - vii - - viii - - ix - - x - - xi - http://www.kedi.re.kr Ⅰ. 학교평가추진개요 3 2009 년도학교평가사업보고서 4 Ⅰ. 학교평가추진개요 5 2009 년도학교평가사업보고서 6 Ⅰ. 학교평가추진개요 7 2009 년도학교평가사업보고서

About

Web-based Software Company About Overview Our Service Strategy Consulting R&D Meta Service Meta Creative UI & UX Design Plan & Developme nt 철저한트랜드조사와연구개발에기반한메타브레인의창의적인제안을받아보십시오. History History Our Clients

I. 회사의 개요 1. 회사의 개요 1. 연결대상 종속회사 개황(연결재무제표를 작성하는 주권상장법인이 사업보고서, 분기ㆍ 반기보고서를 제출하는 경우에 한함) 상호 설립일 주소 주요사업 직전사업연도말 자산총액 지배관계 근거 주요종속 회사 여부 (주)이수엑사보드 2004년

분 기 보 고 서 (제 40 기) 사업연도 2011년 01월 01일 2011년 09월 30일 부터 까지 금융위원회 한국거래소 귀중 2011년 11월 14일 회 사 명 : (주)이수페타시스 대 표 이 사 : 홍정봉 본 점 소 재 지 : 대구광역시 달성군 논공읍 본리리 29-54 (전 화) 053-610-0300 (홈페이지) http://www.petasys.com

<4D F736F F F696E74202D20BBB7BBB7C7D15F FBEDFB0A3B1B3C0B05FC1A634C0CFC2F72E BC8A3C8AF20B8F0B5E55D>

뻔뻔한 AVR 프로그래밍 The 4 th Lecture 유명환 ( yoo@netplug.co.kr) 1 시간 (Time) 에대한정의 INDEX 2 왜타이머 (Timer) 와카운터 (Counter) 인가? 3 ATmega128 타이머 / 카운터동작구조 4 ATmega128 타이머 / 카운터관련레지스터 5 뻔뻔한노하우 : 레지스터비트설정방법 6 ATmega128

목차 Ⅰ. 과업의 개요 1. 과업의 배경 및 목적 2. 과업의 범위 및 내용 05 Ⅱ. 조사 및 분석 1. 현황조사 및 분석 2. 국외 우수사례 분석 3. 시사점 도출 11 Ⅲ. 간판설치계획 작성을 위한 가이드라인 1. 총칙 2. 가이드라인 적용방법 3. 간판설치 기본방향 및 원칙 4. 건축유형별 간판설치 가이드라인 31 Ⅳ. 가이드라인 실행 및 연계방안 1.

<3131313032365FBEC8B3BBB9AE2E6169>

Microsoft PowerPoint - ch25ysk.pptx

Dynamic Analog ircuits (h. 5) 김영석 충북대학교전자정보대학 0.3.. Email: kimys@cbu.ac.kr 전자정보대학김영석 5- ontents 5. The MOSFET Switch 5. Fully Differential ircuits 5.3 Switched-apacitor ircuit 전자정보대학김영석 5- 5. The MOSFET

Poison null byte Excuse the ads! We need some help to keep our site up. List 1 Conditions 2 Exploit plan 2.1 chunksize(p)!= prev_size (next_chunk(p) 3

Poison null byte Excuse the ads! We need some help to keep our site up. List 1 Conditions 2 Exploit plan 2.1 chunksize(p)!= prev_size (next_chunk(p) 3 Example 3.1 Files 3.2 Source code 3.3 Exploit flow

DIB-100_K(90x120)

Operation Manual 사용설명서 Direct Box * 본 제품을 사용하기 전에 반드시 방송방식 및 전원접압을 확인하여 사용하시기 바랍니다. MADE IN KOREA 2009. 7 124447 사용하시기 전에 사용하시기 전에 본 기기의 성능을 충분히 발휘시키기 위해 본 설명서를 처음부터 끝까지 잘 읽으시고 올바른 사용법으로 오래도록 Inter-M 제품을

¹æ¼Û±â¼ú-pdf-Äõ¼öÁ¤

Broadcast Technical Research Contents 9 11 13 29 38 48 62 75 77 79 80 97 119 I 11 12 I I 13 14 I I 15 16 I I 17 18 I I 19 20 I I 21 22 I I 23 24 I I 25 26 I I 27 28 I I 29 30 I I 31 32 I I 33 34

KBS-¹æ¼Û±â¼ú¿¬±¸-1Àå-º°

Broadcast Technical Research Contents 5 7 12 27 31 33 47 56 62 73 75 79 93 I 7 8 I I 9 10 I I 11 12 I I 13 14 I I 15 16 I I 17 18 I I 19 20 I I 21 22 I I 23 24 I I 25 26 I I 27 28 I I 29 30 I I 33

유성감속기_K_170404

Precision Planetary Gearbox Precision Planetary Gearbox SAC Series SSS Series SSC Series SAS Series SSW Series SAW Series 02 SSS Series 6 ~ 11 SAS Series 12 ~ 17 SSW Series 18 ~ 23 SAW Series 24 ~ 29 SSC

PowerPoint 프레젠테이션

Motor Base 설비상태감시원리및 응용 모델 : MCM / PCM Version : 1.0-20070425 기계적 결함 + 전기적 결함 + 에너지 소모량 한 번에 3마리의 토끼를 잡는다! www.reliability.co.kr 전화: (031) 726-1672 팩스: (031) 726-1376 홈페이지 : www.reliability.co.kr 463-805

ApplicationKorean.PDF

Sigrity Application Notes Example 1 : Power and ground voltage fluctuation caused by current in a via passing through two metal planes Example 2 : Power/ground noise and coupling in an integrated-circuit

차 례 4

제 50 회전국과학전람회 2004. 07. 20 차 례 4 - 1 - 표 2. 천체의화각 표 1. 초점거리와화각 - 2 - 그림 1. 목성의표면구조 - 3 - 그림 2. 목성위성의상호현상 - 4 - π 공전속도 원궤도의반지름 π 그림 3. 케플러회전 - 5 - 표 3. 목성의궤도자료 표 4. 목성의물리자료 표 5. 4 대위성의궤도자료및물리자료 - 6 - 그림

Microsoft PowerPoint - Ch12

Ch. 12 Operational Amplifier (OP-AMP) 개요 기호및단자 Symbol Invert Noninvert V- 1 8 NC V+ Output Typical Package 개요 이상적인 OP-Amp Z in = ; A v = ; bandwidth = ; Z out = 0 실제적인 OP-Amp Z in = very high (MΩ); A v

Microsoft Word - SRA-Series Manual.doc

사 용 설 명 서 SRA Series Professional Power Amplifier MODEL No : SRA-500, SRA-900, SRA-1300 차 례 차 례 ---------------------------------------------------------------------- 2 안전지침 / 주의사항 -----------------------------------------------------------

Microsoft PowerPoint - 6. FET 증폭기

FET 증폭기 E-al: hjun@hanyan.ac.kr http://web.ynse.ac.kr/hjun FET 증폭기 MOFET 증폭기는동작측면에서 4 장에서설명한 BJT 증폭기와유사. BJT 증폭기에비해입력저항이매우커서, 증폭단사이신호전달이보다효율적임. 공통소오스증폭기 공통드레인증폭기 공통게이트증폭기 E-al: hjun@hanyan.ac.kr http://web.ynse.ac.kr/hjun

Microsoft PowerPoint - Chapter4&6(강의용)

h. 4 반도체소자 반도체 : 상온에서도체와부도체의중간쯤에해당하는전기전도도를가지는물질 불순물첨가 (doping) 또는결함으로인해서전기전도도가매우크게변함. 주기율표에서 4 족, 3-5 족, 2-6 족화합물 (Si, Ge, GaAs, AlAs etc. ) c = 6.708 Å 1 원자가규칙적정렬을하는고체에서전자의상태 : 에너지밴드 E U E g a E V a 0

28 저전력복합스위칭기반의 0.16mm 2 12b 30MS/s 0.18um CMOS SAR ADC 신희욱외 Ⅰ. 서론 Ⅱ. 제안하는 SAR ADC 구조및회로설계 1. 제안하는 SAR ADC의전체구조

Journal of The Institute of Electronics and Information Engineers Vol.53, NO.7, July 2016 http://dx.doi.org/10.5573/ieie.2016.53.7.027 ISSN 2287-5026(Print) / ISSN 2288-159X(Online) 논문 2016-53-7-4 c Abstract

저작자표시 - 비영리 - 변경금지 2.0 대한민국 이용자는아래의조건을따르는경우에한하여자유롭게 이저작물을복제, 배포, 전송, 전시, 공연및방송할수있습니다. 다음과같은조건을따라야합니다 : 저작자표시. 귀하는원저작자를표시하여야합니다. 비영리. 귀하는이저작물을영리목적으로이용할수없습니다. 변경금지. 귀하는이저작물을개작, 변형또는가공할수없습니다. 귀하는, 이저작물의재이용이나배포의경우,