과목 : 전자회로실험과제명 : Diode의기본 ( 결과 ) 담당교수 : 손승대교수님학부전공 : 정보통신공학부전자전기공학전공 학 번 : 오영환 조호신

실험 5

실험. OP Amp 의기초회로 Inverting Amplifier OP amp 를이용한아래와같은 inverting amplifier 회로를고려해본다. ( 그림 ) Inverting amplifier 위의회로에서 OP amp의 입력단자는 + 입력단자와동일한그라운드전압, 즉 0V를유지한다. 또한 OP amp 입력단자로흘러들어가는전류는 0 이므로, 저항에흐르는전류는다음과같다.

Microsoft Word - Lab.4

Lab. 1. I-V Lab. 4. 연산증폭기 Characterist 비 tics of a Dio 비교기 ode 응용 회로 1. 실험목표 연산증폭기를이용한비교기비교기응용회로를이해 응용회로를구성, 측정및평가해서연산증폭기 2. 실험회로 A. 연산증폭기비교기응용회로 (a) 기본비교기 (b) 출력제한 비교기 (c) 슈미트트리거 (d) 포화반파정류회로그림 4.1. 연산증폭기비교기응용회로

실험 5

실험. apacitor 및 Inductor 의특성 교류회로 apacitor 의 apacitance 측정 본실험에서는 capacitor를포함하는회로에교류 (A) 전원이연결되어있을때, 정상상태 (steady state) 에서 capacitor의전압과전류의관계를알아본다. apacitance의값이 인 capacitor의전류와전압의관계는다음식과같다. i dv = dt

(b) 미분기 (c) 적분기 그림 6.1. 연산증폭기연산응용회로

Lab. 1. I-V Characteristics of a Diode Lab. 6. 연산증폭기가산기, 미분기, 적분기회로 1. 실험목표 연산증폭기를이용한가산기, 미분기및적분기회로를구성, 측정및 평가해서연산증폭기연산응용회로를이해 2. 실험회로 A. 연산증폭기연산응용회로 (a) 가산기 (b) 미분기 (c) 적분기 그림 6.1. 연산증폭기연산응용회로 3. 실험장비및부품리스트

(b) 연산증폭기슬루율측정회로 (c) 연산증폭기공통모드제거비측정회로 그림 1.1. 연산증폭기성능파라미터측정회로

Lab. 1. I-V Characteristics of a Diode Lab. 1. 연산증폭기특성실험 1. 실험목표 연산증폭기의전압이득 (Gain), 입력저항, 출력저항, 대역폭 (Bandwidth), 오프셋전압 (Offset Voltage), 공통모드제거비 (Common-mode Rejection Ratio; CMRR) 및슬루율 (Slew Rate) 등의기본적인성능파라미터에대해서실험을통해서이해

전자회로 실험

전자회로실험 2 조 고주현허영민 BJT의고정바이어스및 부품 * 실험목적 1) 고정바이어스와 회로의직류동작점을결정한다. 다이오드의특성 * 실험장비 계측장비 - Digital Multi Meter 부품 -저항 다이오드의특성 부품 - 트랜지스터

실험. Multimeter 의사용법및기초회로이론 Multimeter 의사용법 멀티미터 (Multimeter) 는저항, 전압, 전류등을측정할수있는계측기로서전면은다음그림과같다. 멀티미터를이용해서저항, 전압, 전류등을측정하기위해서는다음그림과같은프로브 (probe) 를멀티미터

실험. Multimeter 의사용법및기초회로이론 Multimeter 의사용법 멀티미터 (Multimeter) 는저항, 전압, 전류등을측정할수있는계측기로서전면은다음그림과같다. 멀티미터를이용해서저항, 전압, 전류등을측정하기위해서는다음그림과같은프로브 (probe) 를멀티미터의전면패널에꼽는다. 통상적으로검은색프로브는전면패널의검은단자 (COM) 에꼽으며, 빨간색프로브는빨간색단자에꼽는다.

실험 5

실험. OP Amp 의기본특성 이상적 (ideal) OP Amp OP amp는연산증폭기 (operational amp) 라고도불리며, 여러개의트랜지스터로구성이된차동선형증폭기 (differential linear amplifier) 이다. OP amp는가산, 적분, 미분과같은수학적연산을수행하는회로에사용될수있으며, 비디오, 오디오증폭기, 발진기등에널리사용되고있다.

KMC.xlsm

제 7 장. /S 에필요한내용 1] IGBT 취급시주의사항 ) IGBT 취급시주의 1) 운반도중에는 Carbon Cross로 G-E를단락시킵니다. 2) 정전기가발생할수있으므로손으로 G-E 및주단자를만지지마십시요. 3) G-E 단자를개방시킨상태에서직류전원을인가하지마십시요. (IGBT 파손됨 ) 4) IGBT 조립시에는사용기기나인체를접지시키십시요. G2 E2 E1

Microsoft Word - LAB_OPamp_Application.doc

실험. OP Amp 의기본응용회로 Voltage Follower/Impedance Buffer 위의 OP amp 회로에서출력전압신호는입력전압신호와항상같으므로, voltage follower라고불린다. 이회로는어떤기능을가지는회로에부하저항을연결하였을때, 부하저항이미치는영향을최소화하기위해서사용될수있다. 예를들면 low-pass filter 회로에부하저항이연결된다음과같은회로를고려해본다.

제 1 장 집적회로 개요

실험 #2-A 반도체다이오드의특성실험 1. 실험목적 다이오드의특성에대해조사한다. 2. 서론 모든반도체다이오드는단향적특성을가지고있다. 순방향저항은매우낮은반면에역방향저항은매우높기때문이다. 다이오드에대한전압대전류의곡선을그려가며구체적으로그특성을조사한다. 3. 관련이론 다이오드내부저항 V D V D V T r D Ideal diode I D I D 다이오드의순방향저항

part3[11-15장].hwp

실험 11. 폐로전류 방정식 1. 실험 목적 1) 폐로전류 방정식에 대한 개념을 이해한다. 2) 실험을 통하여 폐로전류 방정식에 의한 계산 결과를 확인한다. 3) 이론에 의한 계산값과 컴퓨터 시뮬레이션 결과 그리고 실험에 의한 측정 결과값을 상호 비교 검토한다. 2. 관련 이론 회로가 여러개의 전원 및 저항소자에 의한 폐회로로 구성이 될 때, 각 저항소 자에

제목을 입력하십시오

위상제어정류기 Prf. ByungKuk Lee, Ph.D. Energy Mechatrnics Lab. Schl f Infrmatin and Cmmunicatin Eng. Sungkyunkwan University Tel: 8212994581 Fax: 8212994612 http://seml.skku.ac.kr EML: bkleeskku@skku.edu 위상제어정류회로

제목을 입력하십시오

포워드, 플라이백컨버터 Prof. ByoungKuk ee, Ph.D. Energy echaronics ab. chool of Informaion and Communicaion Eng. ungkyunkwan Universiy Tel: 823299458 Fax: 823299462 hp://seml.skku.ac.kr E: bkleeskku@skku.edu Forward

Microsoft PowerPoint - Ch8

Ch. 8 Field-Effect Transistor (FET) and Bias 공핍영역 D G S 채널 8-3 JFET 바이어스 자기바이어스 (self-bias) R G - 접지로부터 AC 신호를분리 I D I G = 0 G = 0 D I D I S S = I S R S I D R S S I S = G - S = 0 I D R S = - I D R S D

½½¶óÀ̵å Á¦¸ñ ¾øÀ½

0.2 완전차동 (fully dfferental) OP amp Dfferental nput, Dfferental output Easy to cascade OP amps nsenstve to supply nose Hgh gan Fully dff OP amp requres CMFB Hgh Speed CMOS IAB, POSTECH 0.2. NMOS 입력완전차동

Microsoft PowerPoint - 3. BJT

BJT (Bipolar Junction Transistor) BJT 의구조및동작모드 BJT 의구조및동작모드 실제 BJT 는그림 3-1(a) 와같이이미터영역과컬렉터영역의기하학적구조가다르며, 세영역의도핑농도도각기다르게만들어진다. 도핑농도 : ( 이미터 )>( 베이스 )>( 컬렉터 ) 이미터 : 전류운반캐리어 ( 전자또는정공 ) 를제공 컬렉터 : 베이스영역을지나온캐리어가모이는영역

Microsoft Word - Lab.7

Lab. 1. I-V C Lab. 7. Characterist tics of a Dio 능동필터 ode 1. 실험목표 연산증폭기를이용한저역통과필터 (low-pass filter), filter), 대역통과필터 (band-pass filter) 회로를구성, 연산증폭기능동필터회로를이해 고역통과필터 (high-pass 측정및평가해서 2. 실험회로 A. 연산증폭기능동필터

5_10.hwp

실험 8. 트랜지스터스위칭실험 8.1 실험목적 트랜지스터의스위칭특성을이해한다. 트랜지스터의무접점스위치로의응용원리를이해한다. 트랜지스터의디지털소자로의응용원리를이해한다. 8.2 실험이론 8.2.1 트랜지스터스위칭특성 포화동작영역은트랜지스터의베이스입력전류가커서입력전류에따라전류증폭률 β배만큼비례적으로증폭하여컬렉터전류로출력하지못하고, 출력이트랜지스터가흘릴수있는최대컬렉터전류

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RL 과 RC 회로의완전응답 기초회로이론 학습목표 2/42 RL 혹은 RC 회로를해석하는방법 완전해, 등차해, 특수해 RL 혹은 RC 회로에서완전응답, 과도응답, 정상상태응답을얻는방법 목차 3/42 1. RL 혹은 RC 회로의해석 2. 1차미분방정식의해 3. 무전원응답 4. 시정수 5. RL 혹은 RC 회로의 DC 전원응답 6. 연속스위칭회로 Section

2001/1학기 공학 물리 중간고사

2011/2 학기물리전자기말고사담당교수 : 김삼동 성명 학번 분반 e = 1.6 10-19 C, ε ox = 3.9, ε Si = 11.7,ε o = 8.85 10-14 F/cm 2, kt (300 K) = 0.0259 ev,, n i (Si, 300 K) =1.5x10 10 /cm 3 1. PN diode의 I-V 특성은아래의그림과같은거동을보인 (I) 다.

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Chapter 1 Chapter 1 Chapter 1 Chapter 2 Chapter 2 Chapter 2 Chapter 2 Chapter 2 Chapter 3 Chapter 3 Chapter 3 Chapter 3 Chapter 3 Chapter 3 Chapter 3 Chapter 3 Chapter 4 Chapter 4

01....b74........62

4 5 CHAPTER 1 CHAPTER 2 CHAPTER 3 6 CHAPTER 4 CHAPTER 5 CHAPTER 6 7 1 CHAPTER 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50

(291)본문7

2 Chapter 46 47 Chapter 2. 48 49 Chapter 2. 50 51 Chapter 2. 52 53 54 55 Chapter 2. 56 57 Chapter 2. 58 59 Chapter 2. 60 61 62 63 Chapter 2. 64 65 Chapter 2. 66 67 Chapter 2. 68 69 Chapter 2. 70 71 Chapter

2007백서-001-특집

00목차

Microsoft PowerPoint 상 교류 회로

3상교류회로 11.1. 3 상교류의발생 평등자계중에놓인회전자철심에기계적으로 120 씩차이가나게감은코일 aa, bb,cc 를배치하고각속도의속도로회전하면각코일의양단에는다음식으로표현되는기전력이발생하게된다. 11.1. 3 상교류의발생 여기서 e a, e b, e c 는각각코일aa, bb, cc 양단에서얻어지는전압의순시치식이며, 각각을상 (phase) 이라한다. 이와같이전압의크기는같고위상이

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신호조절 (Signal Conditioning) 메카트로닉스 시스템의 구성 ECU 인터페이스 회로 (시그널 컨디셔닝) 마이컴 Model of 기계 시스템 인터페이스 회로 (드라이빙 회로) 센서 액츄에이터 (구동기) 기계 시스템 PN 접합 다이오드 [1] 다이오드의 DC 해석과 등가모델 [1] 다이오드의 DC 해석과 등가모델 [1] 다이오드 응용회로 [1] 다이오드

Microsoft PowerPoint - 6. FET 증폭기

FET 증폭기 E-al: hjun@hanyan.ac.kr http://web.ynse.ac.kr/hjun FET 증폭기 MOFET 증폭기는동작측면에서 4 장에서설명한 BJT 증폭기와유사. BJT 증폭기에비해입력저항이매우커서, 증폭단사이신호전달이보다효율적임. 공통소오스증폭기 공통드레인증폭기 공통게이트증폭기 E-al: hjun@hanyan.ac.kr http://web.ynse.ac.kr/hjun

exp

exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp log 第 卷 第 號 39 4 2011 4 투영법을 이용한 터빈 블레이드의 크리프 특성 분석 329 성을 평가하였다 이를 위해 결정계수값인 값 을 비교하였으며 크리프 시험 결과를 곡선 접합 한 결과와 비선형 최소자승법으로 예측한 결과 사 이 결정계수간 정도의 오차가 발생하였고

Microsoft PowerPoint - lec06_2007

Opertil Ampliier A µa74 itegrted circuit h eight cectig pi 주요한단자. iertig iput. iertig iput. utput 4. pitie pwer upply 5. egtie pwer upply b The crrepdece betwee the circled pi umber the itegrted circuit

G20040214.hwp

= ``...(2011), , (.)''

Finance Lecture Note Series 사회과학과 수학 제2강. 미분 조 승 모2 영남대학교 경제금융학부 학습목표. 미분의 개념: 미분과 도함수의 개념에 대해 알아본다. : 실제로 미분을 어떻게 하는지 알아본다. : 극값의 개념을 알아보고 미분을 통해 어떻게 구하는지 알아본다. 4. 미분과 극한: 미분을 이용하여 극한값을 구하는 방법에 대해 알아본다.

온습도 판넬미터(JTH-05) 사양서V1.0

온습도 조절기 Model:JTH-05 1. 제품 사양. [제품 구분] JTH-05A(입력 전원 AC), JTH-05D(입력 전원 DC) [전원 사양] JTH-05A 입력 전압 출력 전원 소비 전력 JTH-05D AC 90~240V DC 10~36V 12Vdc / Max.170mA Max.2W [본체 사이즈] ~ 온/습도 범위(본체): 사용 [0 ~ 50, 85%RH

,,,,,, (41) ( e f f e c t ), ( c u r r e n t ) ( p o t e n t i a l difference),, ( r e s i s t a n c e ) 2,,,,,,,, (41), (42) (42) ( 41) (Ohm s law),

1, 2, 3, 4, 5, 6 7 8 PSpice EWB,, ,,,,,, (41) ( e f f e c t ), ( c u r r e n t ) ( p o t e n t i a l difference),, ( r e s i s t a n c e ) 2,,,,,,,, (41), (42) (42) ( 41) (Ohm s law), ( ),,,, (43) 94 (44)

1_12-53(김동희)_.hwp

본논문은 2012년전력전자학술대회우수추천논문임 Cascaded BuckBoost 컨버터를 이용한 태양광 모듈 집적형 저전압 배터리 충전 장치 개발 472 강압이 가능한 토폴로지를 이용한 연구도 진행되었지만 제어 알고리즘의 용의성과 구조의 간단함 때문에 BuckBoost 컨버터 또는 Sepic 컨버터를 이용하여 연구 가 진행되었다[10][13]. 태양광 발전

장연립방정식을풀기위한반복법 12.1 선형시스템 : Gauss-Seidel 12.2 비선형시스템 12.1 선형시스템 : Gauss-Seidel (1/10) 반복법은초기근을가정한후에더좋은근의값을추정하는체계적인절차를이용한다. G-S 방법은선형대수방정

. 선형시스템 : GussSedel. 비선형시스템. 선형시스템 : GussSedel (/0) 반복법은초기근을가정한후에더좋은근의값을추정하는체계적인절차를이용한다. GS 방법은선형대수방정식을푸는반복법중에서 가장보편적으로사용되는방법이다. 개의방정식에서 인 ( 대각원소들이모두 0 이아닌 ) 경우를다루자. j j b j j b j j 여기서 j b j j j 현재반복단계

슬라이드 1

장연립방정식을 풀기위한반복법. 선형시스템 : Guss-Sedel. 비선형시스템 . 선형시스템 : Guss-Sedel (/0) 반복법은초기근을가정한후에더좋은근의값을추정하는체계적인절차를이용한다. G-S 방법은선형대수방정식을푸는반복법중에서 가장보편적으로사용되는방법이다. 개의방정식에서 인 ( 대각원소들이모두 0 이아닌 ) 경우를다루자. j j b j b j j j

Microsoft PowerPoint - lec06_2009_회로이론1 [호환 모드]

Opertl Ampler A µa7 tegrted rut h eght etg p 주요한단자. ertg put. ertg put. utput. pte pwer upply 5. egte pwer upply b The rrepdee betwee the rled p umber the tegrted rut d the de the pertl mpler. NC : et

Microsoft PowerPoint - Ch13

Ch. 13 Basic OP-AMP Circuits 비교기 (Comparator) 하나의전압을다른전압 ( 기준전압, reference) 와비교하기위한비선형장치 영전위검출 in > 기준전압 out = out(max) in < 기준전압 out = out(min) 비교기 영이아닌전위검출 기준배터리 기준전압분배기 기준전압제너다이오드 비교기 예제 13-1: out(max)

Microsoft Word - KSR2015A135

2015 년도한국철도학회추계학술대회논문집 KSR2015A135 PSCAD/EMTDC 를이용한직류전기철도급전계통모델링 Modeling for power feeding system of DC electric railway using the PSCAD/EMTDC 정현기 * Hyun-Ki Jung * 초록직류전기철도는 DC 1,500V 전차선로등급전계통에서단락또는지락사고발생시

< 서식 5> 탐구보고서표지 제 25 회서울학생탐구발표대회보고서 출품번호 유글레나를이용한산소발생환경의탐구 소속청학교명학년성명 ( 팀명 ) 강서교육청서울백석중학교 3 임산해 [ 팀원이름 ]

< 서식 5> 탐구보고서표지 제 25 회서울학생탐구발표대회보고서 출품번호 유글레나를이용한산소발생환경의탐구 2010. 09. 28. 소속청학교명학년성명 ( 팀명 ) 강서교육청서울백석중학교 3 임산해 [ 팀원이름 ] 목 차 Ⅰ. 탐구주제 02 Ⅱ. 탐구하게된동기 02 Ⅲ. 배경이론 02 1. 유글레나의특징가. ph 나. 온도 Ⅳ. 선행연구고찰 03 1. 산소결핍과인체에미치는영향

물의 증기압과 증발 엔탈피 실험 일자 : 2016년 1월 11일 (월) 공동실험자 : 이주찬, 이주찬 제 출 자 : 이주찬 실험 개요 I 실험 목적 온도에 따른 물의 증기압을 실험으로 측정한다. 측정 결과를 이용하여 물의 증발

물의 증기압과 증발 엔탈피 실험 일자 : 2016년 1월 11일 (월) 공동실험자 : 14088 이주찬, 14088 이주찬 제 출 자 : 14088 이주찬 실험 개요 I. 1.1. 실험 목적 온도에 따른 물의 증기압을 실험으로 측정한다. 측정 결과를 이용하여 물의 증발 엔탈피를 구한다. 1.2. 이론적 배경 증기압 증기가 고체 또는 액체와 동적 평형 상태에

NCV8871 을이용한 Sepic 회로설계 VO 와같다. 그림 4 는인덕터전류및전압파형 을나타낸것이다. 전압 시간평형원리에따르면다음 과같은값들을얻을수있다. 1 인덕터 L1 의경우 V L1 I C1 C1 V D1 D1 L1 V C1 I D1 V IN C IN V S1 S

TECHNICAL REPORT EE NCV8871을 이용한 Sepic 회로 설계 최근에는 자동차 시스템에서 점점 더 많은 전자 장치들이 사용되고 있는데, 이것은 파워서플라이에 더 많은 요구사항, 예를 들면 더 높은 출력 전류나 다양한 출력 전압 등이 요구된다는 것을 의미한다. 자동차 시스템 에서 가장 인기있는 파워 서플라이는 선형 레귤레이터와 스텝다운 스위칭

Microsoft PowerPoint - Ch3

Ch. 3 Special Purpose Diodes 3-4. 광학다이오드 (Optical diodes) 광학다이오드 광방출다이오드 (LED) : 빛을방출하는다이오드 광다이오드 (Photodiode) : 빛을검출하는다이오드 광방출다이오드 (LED: light emitting diode) 전계발광 (electroluminescence): 순방향바이어스 : n영역의자유전자

그림 1 DC 마이크로그리드의구성 Fig. 1 Configuration of DC Micro-grid 그림 2 전력흐름도 Fig. 2 Power Flow of each component 그림 3 전력관리개념 Fig. 3 Concept of Energ Management Unit 1 Unit 2 Output Impedence z1 Output Impedence

BS-K1217-M□□-3012_ProductGuide_KR_PDF

READER/WRITER MADE IN JAPAN System [ASLINK ] S-K1217-M-3012..,.,....,,. S-K1217-M08-3012 S-K1217-M12-3012 S-K1217-M18-3012 S-K1217-M30-3012 2() () / 1 2 1 DC..,,.,,,..,....... ' ARW-04 (Ver.04-1.01 ),

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디지털 CMOS 인버터의동작및특성 IT CookBook, 최신 VLSI 설계, 조준동, 성균관대학교 학습목표 CMOS 인버터의동작과구조를익힌다. CMOS 인버터의출력전류, 출력전압의특성을알아본다. 노이즈마진을구한다. 목차 1.CMOS 인버터의동작및구조 2.CMOS 인버터의출력전류 / 전압특성 Section 01 CMOS 인버터의동작및구조 1.1 CMOS 인버터의동작.

형명및정격 (MCCB) 배선용차단기 (AB - 시리즈 ) 프레임의크기 50AF Type 형명 정격 극수 (Pole) 정격전류 (In) A 정격전압 (Ue) AC (V) DC (V) 정격절연전압 (Ui) V 정격임펄스전압 (Uimp) kv 정격차단전류 (ka) 주1) A

0F 정격 극수 (Pole) C () 정격임펄스전압 (Uimp) k 정격차단전류 (k) 주1) C K SC 821 (Sym) 4/00 IEC0947-2 (lcu) 41 2 DC 순시트립동작특성내구수명 ( 회 ) 기계적전기적 c1 주2) c2 주2) 부속장치 보조접점 X L 부족 UT 외부조작 표면부착형 (D) 핸들 확장형 (E) 단자커버 Long Short

유기 발광 다이오드의 전하주입 효율 향상을 통한 발광효율 향상 연구

- i - - ii - - iii - - iv - - v - - vi - 그림차례 - vii - - viii - - 1 - 5). - 2 - - 3 - 유기발광다이오드 ( 고분자또는저분자 ) 무기발광다이오드 (p-n junction LED) - + cathode ETL EML HTL HIL anode 발광 두께 : 100 ~ 200 nm 양극 ( 투명전극,

3. 다음은카르노맵의표이다. 논리식을간략화한것은? < 나 > 4. 다음카르노맵을간략화시킨결과는? < >

. 변수의수 ( 數 ) 가 3 이라면카르노맵에서몇개의칸이요구되는가? 2칸 나 4칸 다 6칸 8칸 < > 2. 다음진리표의카르노맵을작성한것중옳은것은? < 나 > 다 나 입력출력 Y - 2 - 3. 다음은카르노맵의표이다. 논리식을간략화한것은? < 나 > 4. 다음카르노맵을간략화시킨결과는? < > 2 2 2 2 2 2 2-3 - 5. 다음진리표를간략히한결과

Microsoft PowerPoint - Ch12

Ch. 12 Operational Amplifier (OP-AMP) 개요 기호및단자 Symbol Invert Noninvert V- 1 8 NC V+ Output Typical Package 개요 이상적인 OP-Amp Z in = ; A v = ; bandwidth = ; Z out = 0 실제적인 OP-Amp Z in = very high (MΩ); A v

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Signal Processing & Systems ( 신호및시스템 ) 연속시스템 ( 최재영교수 ) 학습목표 연속시스템정의, 다양한분류학습 연속선형시불변시스템의특징, 시스템해석법학습 컨벌루션적분에대한연산방법연습 연속선형시불변시스템의기본적인특징이외에추가되는특징학습 미분방정식을이용하여연속선형시불변시스템의해석학습 목차 1. 연속시스템과분류 2. 연속선형시불변시스템

Turbine Digital Flowmeter SEMI U+ 특징 PVC, PTFE, P.P, PVDF 등 다양한 재질 Size, 유량, Connection별 주문제작 정밀성, 내화학성이 우수 4~20mA, Alarm, 통신(RS485) 등 출력 제품과 Controll

Turbine Digital Flowmeter SEMI U+ 특징 PVC, PTFE, P.P, PVDF 등 다양한 재질 Size, 유량, Connection별 주문제작 정밀성, 내화학성이 우수 4~20mA, Alarm, 통신(RS485) 등 출력 제품과 Controller의 장착 및 사용이 편리 Specification (사양) 적용유체 : 액체 (D.I or

<B4EBC7D0BCF6C7D02DBBEFB0A2C7D4BCF62E687770>

삼각함수. 삼각함수의덧셈정리 삼각함수의덧셈정리 삼각함수 sin (α + β ), cos (α + β ), tan (α + β ) 등을 α 또는 β 의삼각함수로나 타낼수있다. 각 α 와각 β 에대하여 α >0, β >0이고 0 α - β < β 를만족한다고가정하 자. 다른경우에도같은방법으로증명할수있다. 각 α 와각 β 에대하여 θ = α - β 라고놓자. 위의그림에서원점에서거리가

<4D F736F F F696E74202D F FB5BFBACEC7CFC0CCC5D820B1E8BFA9C8B22E BC8A3C8AF20B8F0B5E55D>

Back Metal 면이 Drain 인 Vertical channel MOSFET 의 Wafer Test 에서 Chuck 을사용하지않는 RDSON 측정방법 동부하이텍검사팀김여황 I RDSON II Conventional Method III New Method IV Verification (Rdson) V Normal Test Item VI Conclusion

- 2 -

- 2 - - 3 - - 4 - - 5 - - 6 - - 7 - - 8 - - 9 - 가 ) 가 ) 가 ) 가 ) - 10 - - 11 - 길이 피시험기기 주전원 절연지지물 케이블지지용절연물 접지면 발생기 - 12 - 길이 가능한경우 절연지지물 절연지지물 접지면 전자계클램프 감결합장치 - 13 - - 14 - - 15 - - 16 - - 17 - - 18 -

< 목차 > Ⅰ. 연구동기 1 Ⅱ. 연구목적 1 Ⅲ. 연구내용 2 1. 이론적배경 2 (1) 직접제작한물질의기본구조 2 (2) 회절격자의이론적배경 3 (3) X-선회절법-XRD(X-Ray Diffraction) 3 (4) 브래그의법칙 (Bragg`s law) 4 (5)

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와플-4년-2호-본문-15.ps

1 2 1+2 + = = 1 1 1 +2 =(1+2)+& + *=+ = + 8 2 + = = =1 6 6 6 6 6 2 2 1 1 1 + =(1+)+& + *=+ =+1 = 2 6 1 21 1 + = + = = 1 1 1 + 1-1 1 1 + 6 6 0 1 + 1 + = = + 7 7 2 1 2 1 + =(+ )+& + *= + = 2-1 2 +2 9 9 2

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FGB-P8-3 8 학번수학과권혁준 8 년 5 월 9 일 Lemma p 를 C[, ] 에속하는음수가되지않는함수라하자. 이때 y C, C[, ] 가미분방정식 y t + ptyt, t,, y y 을만족하는해라고하면, y 는, 에서연속적인이계도함수를가지게확 장될수있다. Proof y 은 y 의도함수이므로미적분학의기본정리에의하여, y 은 y 의어떤원시 함수와적분상수의합으로표시될수있다.

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제 5 강리만적분 리만적분 정의 : 두실수, 가 을만족핚다고가정하자.. 만일 P [, ] 이고 P 가두끝점, 을모두포함하는유핚집합일때, P 을 [, ] 의분핛 (prtitio) 이라고핚다. 주로 P { x x x } 로나타낸다.. 분핛 P { x x x } 의노름을다음과같이정의핚다. P x x x. 3. [, ] 의두분핛 P 와 Q 에대하여만일 P Q이면 Q

1. 되먹임회로 -되먹임회로는출력의일정부분을입력부분에다시넣어주는역할 -전압이득이 인증폭기에되먹임율 인되먹임회로를연결 -되먹임율 는 0에서 1사이의값을가진다 -혼합기에서나오는신호 는입력신호 와되먹임신호 의합 - 을 에대입하면전압이득 는 - 는연산증폭기의열린이득 (open

1. 연산증폭기 -연산증폭기(operational amplifier) 는증폭기를 IC(integrated circuit, 집적회로 ) 로꾸민것이다. -입력임피던스가크고, 출력임피던스가작으며, 증폭률이아주큰특징을가지는증폭기로집적된것이다. -연산증폭기중에서가장널리이용되고있는 741에는 20개의트랜지스터, 11개의저항, 1개의축전기가크기 3mm 3mm에집적되어있다.

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II. TECHNICAL APPROACH 위의사진은 IGZO 칩의 L과 W에따른배치표입니다. 그리고소자에열처리를하였는데 CTA (Convention Temperature Annealing ) 600 도에서 30분간일반적인열처리방법을사용한소자를사용하였는데이외의방식으로 R

특성화사업참가결과보고서 작성일 2017 12.22 학과전자공학과 참가활동명 EATED 3.0 프로그램지도교수박종태 연구주제명 Device Degradation of Amorphous InGaZno Thin Film Transistor under NBIS 학번 201301171 성명최종 I. OBJECTIVES 최근 IGZO 를활성화층으로이용한 IGZO TFT

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1. REACTOR TAP 90% 로변경, 제작공급한사유 - 고객요청사항은 REACTOR 80% 운전기준임. - 삼성테크윈에서사용하는표준 REACTOR 사양은 80%, 75%, 70% 로 STARTER 도면은표준사양으로제출됨. - 동프로젝트용모터사양서 / 성적서확인결과

1. REACTOR TAP 90% 로변경, 제작공급한사유 - 고객요청사항은 REACTOR 80% 운전기준임. - 삼성테크윈에서사용하는표준 REACTOR 사양은 80%, 75%, 70% 로 STARTER 도면은표준사양으로제출됨. - 동프로젝트용모터사양서 / 성적서확인결과기동전류가 400% 이하로표준모터의 650% 대비상당히낮은기동특성을가지고있어, 압축기운용시기동시간등을감안하여

Slide 1

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i - ii - iii - iv - 1 - 2 - 3 - 4 - 5 - 6 - 7 - φ λ 8 - 9 - 10 - δ ⁸ δ max max max 11 -../data/1 data_directory ---- 1 top output_file_head(fohead) ---- 2 4 number_of_channel ---- 3 VV VH HV HH output_channel_head

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의료기기제작실습 II 이름 : 이기영 (Lee, Ki Young) 전공 : 의공학 (Medical Engineering) 연구실 : 강릉캠퍼스 50주년기념관 514호이메일 : kylee@kd.ac.kr 학과홈 : http://cms.kd.ac.kr/user/bme/index.html 1 수업계획서 1주 필터회로의분석 2주 필터회로의구현 3주 반전 / 비반전증폭기

AVSHH100B10 IM.~20.

30cm 30cm 50cm 30cm ø ø 800 932.0 385 1270 1154 416 440 5mm A R H 90 O K1 K2 K3 K4 SW03 K5 K6 K7 K8 SW04 K5 K6 K7 K8 SW04 K5 K6 K7 K8 SW04 전기배선 작업 계속 전원연결 구성도 1. 단상 전원연결 16쪽 1-1 시스템 구성도 참조 단상 AC220V

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팬도캐드소개

제목 : 4 층 50Ω, 55Ω, 90Ω Diff,100Ω Diff (1.46T) PCB 재질 : FR4( Er = 4.4 ) 외층 / 내층 : 1 Oz PCB 두께 : 1.46T ±10% CCL= 1.2T C 1/1 L3 0.08mm 0.08mm 0.09mm 0.09mm 0.26mm 0.26mm 프리프레그 (PrePreg) : 1080 0.06 mm, 2116

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과정명 PLC 제어응용차시명 2 차시. 접점명령 학습목표 1. 연산개시명령 (LOAD, LOAD NOT) 에대하여설명할수있다. 2. 직렬접속명령 (AND, AND NOT) 에대하여설명할수있다. 3. 병렬접속명령 (OR, OR NOT) 에대하여설명할수있다. 4.PLC의접점명령을가지고간단한프로그램을작성할수있다. 학습내용 1. 연산개시명령 1) 연산개시명령 (LOAD,

SURGE PROTECTIVE DEVICE 전원 전원 전원 +E +E +N+E

전원 전원 전원 +E +E +N+E Use of spd +E 변전소 (Substation) (Application) 배전반주분전반 (Distributing board) 분전반 (Cabinet panel board) 설비 (Facilities) 중부하기기 (Heavy loading machine) 경부하기기 (ight loading machine) 106 권장

chap 5: Trees

5. Threaded Binary Tree 기본개념 n 개의노드를갖는이진트리에는 2n 개의링크가존재 2n 개의링크중에 n + 1 개의링크값은 null Null 링크를다른노드에대한포인터로대체 Threads Thread 의이용 ptr left_child = NULL 일경우, ptr left_child 를 ptr 의 inorder predecessor 를가리키도록변경

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h. 5 ctive Filters 기본적인필터응답 (asic filter response) 저역통과필터응답 (low-pass filter (LPF) response) v( db) log when X out s log > πf X f X log π X log ( πf) asic LPF response LPF with different roll-off rates

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양성자가속기연구센터 양성자가속기 개발 및 운영현황 DOI: 10.3938/PhiT.25.001 권혁중 김한성 Development and Operational Status of the Proton Linear Accelerator at the KOMAC Hyeok-Jung KWON and Han-Sung KIM A 100-MeV proton linear accelerator

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관성모멘트측정장치 ( 정밀급 ) ( Experimental Apparatus for Moment of nertia ) SG-556 SEGYE 세계과학 본사 : 서울특별시송파구가락동 4 덕봉 B/D 4층 Tel: 0) 430-0050 Fax: 0) 430-0049 nternet: http://www.sgs.co.kr E-mail: segye@sgs.co.kr

11장 포인터

누구나즐기는 C 언어콘서트 제 9 장포인터 이번장에서학습할내용 포인터이란? 변수의주소 포인터의선언 간접참조연산자 포인터연산 포인터와배열 포인터와함수 이번장에서는포인터의기초적인지식을학습한다. 포인터란? 포인터 (pointer): 주소를가지고있는변수 메모리의구조 변수는메모리에저장된다. 메모리는바이트단위로액세스된다. 첫번째바이트의주소는 0, 두번째바이트는 1, 변수와메모리

ISP and CodeVisionAVR C Compiler.hwp

USBISP V3.0 & P-AVRISP V1.0 with CodeVisionAVR C Compiler http://www.avrmall.com/ November 12, 2007 Copyright (c) 2003-2008 All Rights Reserved. USBISP V3.0 & P-AVRISP V1.0 with CodeVisionAVR C Compiler

Chapter 11 Rate of Reaction

Chapter 11 Rate of Reaction 11 11.1 ? Rate Law Kinetics : 11 11.2 CO(g) + NO 2 (g) CO 2 (g) + NO(g) E a =134 kj CO(g) + NO 2 (g) H = -226 kj CO 2 (g) + NO(g) 11 11.3 N 2 O 5 (g) 2NO 2 (g) + 1/2 O 2 (g)

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전자회로실험 (PSPICE 사용법 ) 대진대학교전자공학과 2010년 2 학기 Lecture #1 2010. 09. 10 목차 PSPICE 사용법 Q&A 공지사항 2 1 PSPICE의전체과정 1. 회로도그리기 (Schematic) (1) 소자가져오기 (Draw) (2) 결선 (Wire) (3) 기준 node의접지 2.Simulation (1) 조건설정 (Simulation/Setup)

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한국산학기술학회논문지 Vol. 10, No. 12, pp. 3626-3631, 2009 NMOSFET의 Hot-Carrier 열화현상 백종무 1, 김영춘 2*, 조문택 3 1 대원대학 전자정보통신과, 2 공주대학교 기계자동차공학부, 3 대원대학 전기전자계열 Hot-Carrier Degradation of NMOSFET Jong-Mu Baek 1, Young-Choon

(2) 다중상태모형 (Hyunoo Shim) 1 / 2 (Coninuous-ime Markov Model) ➀ 전이가일어나는시점이산시간 : = 1, 2,, 4,... [ 연속시간 : 아무때나, T 1, T 2... * 그림 (2) 다중상태모형 ➁ 계산과정 이산시간 : 전이력 (force of ransiion) 정의안됨 전이확률 (ransiion probabiliy)

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고1 2015학년도 9월고수학 1 전국연합학력평가영역문제지 1 1 제 2 교시 수학영역 1. 두복소수, 에대하여 의값은? ( 단, ) [2 점 ] 1 2 3 4 5 3. 좌표평면위의두점 P, Q 사이의거리는? [2 점 ] 1 2 3 4 5 2. 두다항식, 에대하여 를간단히하면? [2점] 4. 에서이차함수 의최댓값을, 최솟값을 이라할때, 의값은? [3점] 1

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(1) 주제 의식의 원칙 논문은 주제 의식이 잘 드러나야 한다. 주제 의식은 논문을 쓰는 사람의 의도나 글의 목적 과 밀접한 관련이 있다. (2) 협력의 원칙 독자는 필자를 이해하려고 마음먹은 사람이다. 따라서 필자는 독자가 이해할 수 있는 말이 나 표현을 사용하여 독자의 노력에 협력해야 한다는 것이다. (3) 논리적 엄격성의 원칙 감정이나 독단적인 선언이

Microsoft PowerPoint - ch03ysk2012.ppt [호환 모드]

전자회로 Ch3 iode Models and Circuits 김영석 충북대학교전자정보대학 2012.3.1 Email: kimys@cbu.ac.kr k Ch3-1 Ch3 iode Models and Circuits 3.1 Ideal iode 3.2 PN Junction as a iode 3.4 Large Signal and Small-Signal Operation

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- 1 - - 2 - 전기자동차충전기기술기준 ( 안 ) - 3 - 1 3 1-1 3 1-2 (AC) 26 1-3 (DC) 31 2 37 3 40-4 - 1 14, 10,, 2 3. 1-1 1. (scope) 600 V (IEC 60038) 500 V. (EV : Electric Vehicle) (PHEV : Plug-in Hybrid EV).. 2. (normative

SEMI U+

SSENP FLOW METER 에스에스이엔피 경기도화성시새강 1 길 43 TEL : 031)8015-2452 FAX : 031)935-0452 E-mail : kelvin@ssenp.co.kr Turbine Digital Flow meter 특징 SEMI U+ PVC, PTFE, P.P, PVDF 등다양한재질 정밀성, 내화학성우수 4~20 ma, Alarm,

특성화사업참가결과보고서 작성일 학과전자공학과 참가활동명 EATED 3.0 프로그램지도교수진성훈교수님 연구주제명 Multilayer MoS2 Depletion Load Enabled Photo Sensitive inverters with GaN FE

특성화사업참가결과보고서 작성일 2017 12. 25 학과전자공학과 참가활동명 EATED 3.0 프로그램지도교수진성훈교수님 연구주제명 Multilayer MoS2 Depletion Load Enabled Photo Sensitive inverters with GaN FET drivers 학번 201301151 성명장원 I. OBJECTIVES 본격적인측정에들어가기에앞서

Microsoft PowerPoint - 8장_대칭성분(수정본 )2 [호환 모드]

. 학기 Ø 8. 대칭성분의정의 Ø 8. 임피던스부하의대칭성분네트워크 Ø 8. 직렬임피던스의대칭성분네트워크 Ø 8.4 상선로의대칭성분네트워크 Ø 8.5 회전기기의대칭성분네트워크 Ø 8.6 상 권선변압기의.u. 대칭성분모델 Ø 8.7 상 권선변압기의.u. 대칭성분모델 Ø 8.8 대칭성분네트워크에서의전력 대칭성분 : 상전압,, 에대하여 Forteue의대칭좌표법으로분해

<47656E F3520BBF3C8A3C0AFB5B5BFA120C0C7C7D820B9DFBBFDB5C7B4C220C0AFB5B5B1E2C0FCB7C220C3F8C1A4202D20C0DAB1E2C0E520B3BBBFA1BCAD20BFF8BFEEB5BFC7CFB4C220C0FCC0DAC0C720BAF1C0FCC7CF20C3F8C1A42E687770>

상호유도에의해발생되는유도기전력측정 / 자기장내에서원운동하는전자의비전하 () 측정 1. 실험목적 A. 상호유도에의해발생되는유도기전력측정 : Maxwell의방정식과 Faraday의유도법칙을이해하고, 변화하는자기력선속에의해유도되는유도기전력의크기를구한다. B. 자기장내에서원운동하는전자의비전하 () 측정 : 운동하는전자를자기장속에서휘게하여원운동을시켜원운동의반지름, 자기장의세기,

G Power

G Power 부산대학교통계학과조영석 1. G Power 란? 2. G Power 설치및실행 2.1 G Power 설치 2.2 G Power 실행 3. 검정 (Test) 3.1 가설검정 (Test of hypothesis) 3.2 검정력 (Power) 3.3 효과크기 (Effect size) 3.4 표본수산정 4. 분석 4.1 t- 검정 (t-test) 4.2