이창민, 이우석, 채희엽 1. 들어가는글 1983년 AT&T Bell laboratory의 Louis Brus에의해 Small Semiconductor Crystallites 라는이름으로명명되며개념이도입된콜로이드양자점 (quantum dot, QD) 은 [1,2] 지난 30여년간괄목할만한발전을보이고있다. 여러가지가능성을가지고있는양자점은태양전지 [3], 바이오센서 [4], 조명 [5], 디스플레이 [6] 및의학분야 [7] 등의분야에적용가능성들이시험되고있다. Cd과 Se로대표되는 Ⅱ-Ⅵ족양자점들은뛰어난성능을보이며현재양자점이차세대디스플레이재료로자리잡는데가장큰역할을해왔다. 하지만 Cd이가지고있는독성의 [8] 대안으로활발하게연구되어지고있는양자점들중 Ⅲ-Ⅴ족양자점을대표하는 InP와그외 Pb 을중심금속으로사용하는 Perovskite QD 또한 Cd에비하여상대적으로낮은독성을주장하며널리개발되고있다. 이처럼여러가지재료들이여러가지분야로의적용이검토되고있으나, 그중에서도가장각광을받는영역은디스플레이영역이라고할수있다. 합성시크기조절을통해밴드캡을조절하며광학적특성을변화시킬수있으며, 양자점크기를일정하게제어함으로써높은색순도를얻을수있다 [9,10]. 또한추가적인보완을통하여다양한용매에분산시킬수있어여러가지공정 에적용할수있다. 이러한양자점의특성은디스플레이영역에서차세대재료로주목받고있으며, 이미놀라운성과들이보고되고있다. 3년전첫상품화이후지금은이미디스플레이의한축을확보하고있다. 양자점은이들의광발광 (Photo-luminescence) 현상과전계발광 (Electro-luminescence) 현상을이용하여디스플레이분야에적용이되며, 특히최초의 QD 상품화는광발광을이용한제품으로 2013년 Nanosys와 3M 에의해 QDEF 상품명으로출시되었다. Liquid Crystal Display(LCD) 의 Back Light Unit(BLU) 에 film 형태로적용되어색변환을통하여휘도향상및넓은색재현성을구현할수있었으며, 이듬해에 2014년삼성전자에서비 Cd계인 InP 양자점필름을적용한 TV를상품화하여 QLED TV라는상품명으로지금까지시장에나오고있다. 이글에서는양자점의여러적용처중디스플레이의현상황을분석하고그정보를기반으로이후의시간들을예측하려고한다. 2. 양자점물질의크기가작아지면전자의 potential wall이커지면서에너지준위를이동하는데제약을받아분자궤도함수가분리되고, band gap이커지는현상이발생하는 < 저자약력 > 이창민저자는 2004 년광운대학교화학과에서석사학위를받고 2006 년부터 2015 년까지삼성 SDI 에서근무하였으며, 2015 년부터성균관대학교화학공학과에서양자점합성및응용에관하여연구하고있다. (cm2nara@skku.edu) 이우석저자는 2009 년광주과학기술원신소재공학과에서석사학위를받고, 2009 년부터현재까지삼성 SDI 에서근무중이며 2016 년부터성균관대학교화학공학과에서양자점발광다이오드를연구하고있다. (ws.lee@skku.edu) 채희엽저자는 2000 년미국 MIT 에서박사학위를받고, 2004 년까지 Applied Material 에서근무하였으며, 2004 년부터현재까지성균관대학교화학공학과교수로재직중이다. 양자점및양자점발광소자, 플라즈마식각및공정연구, 플라즈마진단연구를진행중이다. (hchae@skku.edu) 29
[Fig. 1] 양자점의구조. 데이를양자구속효과라고하며이양자구속효과를기반으로여러가지로응용이되고있다 [11]. 양자점은코어 (core), 쉘 (shell) 및리간드 (ligand) 로이루어진다. 코어는실질적으로발광이일어나는부분으로코어의크기가발광파장을결정한다. 양자구속효과를받기위해서는 exciton Bohr radius보다작은크기여야하며, 해당크기에서 optical band gap을가져야한다. 양자점의 shell은 core의양자구속효과를촉진하고양자점의안정성을결정한다. 일반적으로코어 / 쉘 (core/ shell) 형태로양자점을합성하며, shell을이용해코어의산화를방지하고코어표면의 trap 에너지준위를줄일수있으며, 이를통해광량자를코어에집중시킴으로써양자효율을높일수있다. 리간드는양자점의분산성및서로뭉치는현상을막아주는역할을한다. 최근리간드로특정기능을부여하여양자점의전기적, 광학적성질을변화시켜주는연구도활발히진행되고있다 [12]. 양자점이차세대디스플레이재료로서성능관련이슈로는아래의세가지를꼽을수있다. 1. 양자점의성능 2. 양자점의안정성 3. 친환경양자점양자점의성능은다양한연구들을통한보고들이있다. 양자점은좁은발광반치폭에서기인되는높은색순도를표현할수있어서새롭게제안된색좌표인 REC.2020을만족시킬수있는가장유력한후보이며, 우수한광학적성질을보여준다 [13, 14]. 또한양자점은유기발광소자에적용되는유기물에비하여상대적으로높은안정성을보여주고있지만다양한적용을위해서는열, 빛, 수분및산소에대하여보다높은안정성을요구받고있다. 이러한결과를얻기위하여양자점을실리카와같은무기물을이용하여봉지하는방법 [15], 하나의고분자비드에여러개의양자점을넣는방법 [16], 복합고분자를이용한봉지방법 [17] 등의방법이제안되었다. 현재가장뛰어난광학적성질을보여주는양자점은카드뮴을기반으로한물질이지만, 카드뮴의독성때문에비카드뮴계양자점의연구가활발히이루어지고있으며, 최근삼성전자에서출시하는 TV에는비카드뮴계양자점이적용되고있다. 디스플레이재료로가장주목받고있는비카드뮴계양자점으로는 Ⅲ-Ⅴ족인 InP가각광을받고있으며 [18], InP로색표현이어려운청색발광체로는 ZnSe [19] 등의물질이대안으로보고되고있으나그수준이낮아향후많은연구가필요한부분이다. 비카드뮴계양자점인 InP는색재현성에서는카드뮴계의약 90% 수준이표현가능하지만, 전계발광분야에서는아직그효과가미미한수준이다. 3. 양자점적용 LCD 양자점은광발광및전계발광이가능하며, LCD 기반으로는광발광을이용하여고휘도, 고색재현이가능한디스플레이를구현하고있다. 이미상품화된색변환필름은필름내의양자점이백라이트인청색 GaN LED를각각녹색및적색으로변환시키고청색빛이일부그대로투과되어색순도가높은백색빛을생성시키고이로인해높은휘도와색재현성을구현할수있다 [20]. 최근까지 LCD 백라이트에색변환을위해제안되고있는양자점의성형방법은크게아래와같이네가지로분류될수있다. 1. 레일타입 2. 필름타입 3. 온칩타입 4. 포토레지스트타입 30 진공이야기 Vacuum Magazine 2017 06 June
3-1. 양자점레일타입광발광양자점레일은엣지청색 LED 백라이트앞에지름이수 mm인유리관내에양자점을넣고밀봉한것으로도광판을통하여백색빛을발광시키는성형법이다. 이방법은양자점이적게사용되어상대적으로저렴하고대량생산이가능한성형법이지만레일의가공이까다롭고발열하는청색 LED 바로앞에양자점이위치하여내열성향상이과제이다. 특히물리적으로엣지부분에레일이위치하게됨으로써베젤의두께가민감한형태의디스플레이에서는사용하기어렵다. 이러한방법으로 QD Vision과 Sony에서 TV 및모바일폰에적용하여상품을출시한바있으나 [21] 현재는연구된보고가많지않다. [Fig. 2] 양자점필름의제작공정개념도. 가장널리상품화에사용되는방법은필름타입이며현재 TV 등에적용되어상품화되고있다. 양자점필름들은현재수분산소베리어필름사이에무용제타입의경화물과양자점혼합물을넣고광경화방식으로제조하고있다. 이러한방식은기존 LCD에사용되고있는프리즘시트와비슷한제조방법으로미래나노텍, 글로텍과같은기존프리즘시트회사들이양산을하고있으며, 중국, 대만을포함한다른프리즘시트제조사들도양자점필름의제조를준비하고있다. 수분산소베리어필름은양자점의수분과산소에대한취약점을보완하기위해사용되며 [17], 실리콘옥사이드나알루미늄옥사이드와같은무기물이기재필름 (PET) 에코팅되어있는형태이다. 최근에는양자점자체의안정성도향상되고, 필름을이루고있는매트릭스에도베리어성능이추가되어베리어필름자체의성능을낮추어양자점필름자체의생산가격을경쟁력있게가져가려고하는움직임이있다. 3-2. 양자점필름타입광발광필름타입은현재가장널리사용되고있는방식으로 2013년 Amazon Kindle Fire HDX 7 에채용된이후로삼성전자에의해 2014년이후로색재현성이우수한 TV로시장에선보여지고있다. 양자점은필름내에고굴절의다른나노파티클들과함께필름을형성하여광발광으로생성된빛의확산을향상시켜휘도를올릴수있다. 현재는무기물이 PET위에올려진베리어필름을양자점필름의위, 아래에위치하여양자점을외부의수분과산소로부터보호하고있다. 이러한베리어필름은양자점필름타입광발광디스플레이의생산단가를올리는주범으로보다간단한형태의베리어필름으로대체하는연구들이기업체를중심으로활발히진행되고있다. 3-3. 양자점온칩타입광발광위와같이필름으로양자점형성시디스플레이되는전면적에넓게적용되므로양자점의사용량이많아지게되어생산단가가상승되게된다. 이를극복하기위한방법의하나로 GaN 청색 LED의 encapsulation 시현재사용되고있는 siloxane과양자점을섞어칩위에올려져디스플레이에적용되는모델이활발히연구되어지고있다. 이모델에서는양자점이 LED 빛및열에의해기능저하가일어나기때문에양자점의신뢰성이매우중요하게요구된다. 최근에는필름및온칩의중간형태로새롭게개발된무기인광체를온칩형태로넣고다른색의양자점을필름형태로하는광발광디스플레이가시장에소개되었다 [21]. 온칩형태의광발광은생산단가인하 31
및효율향상측면에서도장점이있어현재및향후에도꾸준히주목받으며연구가되어질것이라전망된다. 3-4. 양자점포토레지스트타입광발광일반적인구조의 LCD 패널의경우 BLU(Backlight unit) 로부터나오는빛의 2/3 정도가 color filter(cf) 에의해서흡수가이루어져서광효율측면에서좋지않다. [Fig. 3] 양자점색변환을적용한세가지유형의디스플레이개략도. (a) 기본구조 ; (b) 후면발광을재사용하기위한반사판 ; (c) 주변광에의한양자점의여기를방지하기위한 Color Filer 층 [23, 24]. 이런문제점을해결하기위한대안으로양자점을 CF로응용하는연구가진행중이다. 양자점 CF를적용한 LCD 의경우일반적인 LCD에비해광효율의향상뿐만아니라양자점의등방향발광특성으로시야각이좋아지며, 액정의두께를줄일수있어응답속도도향상된다고보고되었다 [22]. 하지만, 양산화를위해서는여전히극복해야할과제들이많다. 먼저양산적인관점에서고농도의양자점이분산되어있는 millbase 제작이어렵다. 일반적인양자점의경우리간드로긴탄소사슬을갖고있어용매선택에있어제한이있다. 따라서리간드치환을통해용매나원료들과상용성및안정성을향상시킬필요가있다. 패널제조공정에서는 R, G, B 패턴형성을위한 photo-lithography가필요한데공정중 post baking 공정의높은온도에양자점이노출이되기때문에열안정성이우수한양자점개발이나보다낮은온도에서진행가능한공정개발이필요하다. 다른한편, 디스플레이구동관점에서의문제점으로는완벽한색변환을위해서는양자점패턴의두께가 (~10μm 이상 ) 두꺼워야한다. 그밖에양자점의후면산란으로인한효율저하, 청색광원의빛샘및태양빛의흡수에의한양자점의발광으로인한명암비감소도반드시해결해야만하는과제들이다. 산업계와학계에서도관련연구가활발히진행중이다. 먼저후면산란의경우양자점 CF 뒷면에청색빛은투과하고적색과녹색빛을반사시키는반사판을삽입하면된다 ( 그림 2(b)). BLU로부터나오는청색빛은중간에흡수되지않고양자점 CF까지도달할수있게되며, 청색빛을흡수하여양자점으로부터적색과녹색빛이후면으로발광하더라도반사판을통해전면으로모두발산할수있다 [16]. 야외환경에서는태양으로부터오는짧은파장의빛에의해양자점이여기되어명암비가낮아지는문제가있는데이를해결하기위해일반적인 CF 패턴층을양자점 CF위에형성시킴으로써야외시인성을개선할수도있다 ( 그림 2(c)). 이경우공정이복잡해져서비용상승뿐만아니라지속적인 Photo-lithography 공정으로인해양자점의성능이떨어질수있다. 지금까지살펴본바와같이양자점 CF은 QDEF 기술에비해광효율이나구동측면에서도장점이있다. 하지만양산화를위해서난제들이산재해있어양자점소재뿐만아니라패널구조및공정개선등이병행되어야할것이다. 최근양자점의 32 진공이야기 Vacuum Magazine 2017 06 June
열안정성이비약적으로개선되면서온칩타입의광발광기술이재조명을받고있다. 공정의단순함뿐만아니라가격측면에서도유리하기때문에온칩타입이양자점의광발광을응용하는다음디스플레이가될것이라예상된다. 4. 양자점전계발광양자점을활용하는디스플레이의마지막단계는전계발광특성을이용한 Quantum Dot Light Emitting Diodes(QLED) 라고해도과언이아니다. 1994년 A. P. Allivisatos 연구그룹에서 CdSe 기반양자점발광소자가학계에소개된이래로양자점합성및재료개발, 발광원리에대한이해, 소자구조의개발등많은연구를통해서현재상용화되어있는인광유기발광소자 (OLED) 에버금가는성능의연구결과들이발표되고있다.[25] 최초의 OLED 기술이발표된후, 상용화까지 30 년채걸리지않았고 QLED의경우발광층으로양자점을사용하는것을제외하고는 OLED와기본적인구조가동일하다. 이런관점에서 QLED의양산화는가까운미래에이루어질것이라고보여지지만, 해결해야할과제들이아래와같다. - 친환경청색발광체의개발 - ETL, HTL과같은공통층개발 - 고효율구동을위한구조최적화 - 각층및화소형성을위한기술 4-1. 전계발광의정의및 QLED 전계발광은 optical bandgap을갖는반도체물질에전자를주입하거나강력한전기장을걸어줄때발광하는것을의미한다. anode의정공과 cathode의전자가반도체물질로이동하여만나면여기자 (Exciton) 가형성되면서에너지가빛의형태로방출된다. 이러한원리에의해동작하는발광소자를발광다이오드라고명명하는데, 이는전류가한쪽방향으로흐르기때문이다. 발광하는반도체물질로양자점을사용하는경우양자점발광다이오드 (QD-LED) 라고명명한다. QD-LED는단순하게 Anode, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 그리고 Cathode로구성된다. 그밖에효율을높이기 위해추가로전하량의균형을맞추기위해부도체의고분자를삽입하거나기능성을부여하는계면층을도입하는경우도있다. 현재보고된 red, green, blue의양자점발광다이오드의효율은아래와같다. [Table.1] 색상별 EQE* Red Green Blue CdSe 양자점 21 [28] 21 [29] 15 [30] InP 양자점 2.5 [31] 3.46 [17] * EQE: External quantum efficiency 위의표 1에서나타낸바와같이비카드뮴계양자점을이용한청색발광소자는거의보고가되지않고있으며, 있더라도매우효율이낮아서이분야에대한집중연구가필요한상황이다. 4-2. 전계발광양자점소자구현기술앞에서도기술하였듯이, QLED는발광층을제외하고 OLED와구조적으로유사하여 OLED의양산노하우를적용하면큰어려움이없어보일지모른다. 하지만발광층인양자점의경우현재 OLED의기상증착공정으로는막을형성할수없다. 이때문에다양한막형성기술이연구되고있다. 고효율의소자를구현하기위해서는다층박막형태의구조가필요하며, 양자점이용매에분산되어있어양자점용매에대해아래의공통층들이파괴되지않아야하는기술이필요하다. 이는위에서언급한바와같이해결해야할이슈들중특히용액공정기반의 QLED를제작할경우, 양자점층상위막형성시에도용매에대한막이손상되지않아야한다. 이를위해적층되는성분들을서로 orthogonal solvent system으로막을형성하고있다. 효율적인다층박막을형성하기위해그림 2(a) 과같이양자점에 Hexamethyl disilazance (HMDS) 를섞어열경화시켜줌으로써표면거칠기개선및표면특성을소수성에서친수성으로개질시켜상부층용매에의한막의손상도막아주고 [26], Polyethylenimine ethoxylated (PEIE) 층을양자점과정공수송층 (HTL) 사이에삽입하여양자점층보호뿐만아니라, Lowest Unoccupied Molecular Level (LUMO) 의 Level도상승시켜보다정공의주입이용이하게소자를제작하여높은효율을보여준예도있다 33
[Fig. 4] Interlayer를적용한고효율소자들 [19,20]. [27]. 이는위에서언급한고효율구동소자를제조하기위한방법중 interlayer를이용하여전자와정공의이동도를조절하고, 최적의소자구조를만들어줄수있는기술중하나이다. 현재양자점발광소자에서는정공과전자의이동도차이가크고, 이로인해발광층에서의여기자생성이어려워져효율및성능에문제가있다. 이를해결하기위해매우얇은 Insulator를 Interlayer로전자수송층과발광층사이에도입하여전자와정공의이동도를조절하여양자점소자의효율을상승시킨연구보고가있다 [28]. 지금까지는유기발광소자에사용하기위해개발되었던정공수송층, 정공주입층, 전자수송층등의공통층을사용하여소자를제조, 연구하고있지만양자점발광소자에 대한관심이커지면서이에맞는공통층의개발요구가커지고있다. 몇몇국책과제등을시작으로이러한요구에맞는해결책을내놓기위한노력들이시도되고있으며, 양자점발광소자에대한관심이더욱커질수록산업계에서의재료개발참여가늘어날것이라고예측된다. 위에서언급된지식들을기반으로 full color display 를구현하기위해서는 R, G, B pixel을정교하게화소를형성할수있는기술이필요하다. 가장현실적인대안은 ink-jet 프린팅방법일것이다. 이미용액공정기반의 OLED 연구에있어상당부분기술이진척되어왔고, 용액공정이불가피한양자점에있어더할나위없이적합한공정이라고할수있다. 초기연구에있어서용액공정에따른용매에의한하부층의손상, coffee ring effect, pin-hole, 노즐막힘등 Ink-Jet 프린팅의원론적인문제에봉착하였으나최근이러한문제점을극복한연구사례들이발표되고있다. 용액공정에서다층박막을형성하기위해서는용매가아래층을손상하지않는 orthogonality가매우중요하다. 이런측면에서 ZnO 를전자수송층으로사용하는 inverted QLED는 ink-jet 프린팅에적합한플랫폼이라고할수있다 [32]. 여기에 polyetherimide(pei) 로 ZnO 표면개질을통해표면에너지를높이고, 적합한용매선정을통하여표면장력을줄여 wetting 성을개선함으로써균일한두께의양자점박막을보고한바있다 [33]. 이와같이공정적으로는상당부분개선이되었지만소자성능면에서는 cell 단위의소자에비해열등하다. 공정에서적용할수있는용매의확보도중요하며, 이를채우기위한 pixel define layer와의상용성등도중요하다. 하지만국내 / 외디스플레이제조사들도 ink-jet 프린팅을통한 QLED 상용화를위해공격적인투자를하고있기때문에빠른시일내양산화를할수있을것으로기대된다. 5. 산업계동향및맺음말 2020년 NHK가 BT2020의색재현이가능한방송을송출하게되고디스플레이업체들은이를구현할수있는기기를제공해야하는상황이다. 디스플레이업체들은 2019년에는상품이출시되야하므로현재쯤이면최종후보군을가지고보다효과적인구현방법을저울질하 34 진공이야기 Vacuum Magazine 2017 06 June
[Fig. 5] 양자점시장의예측수요 [34]. 고있을것이다. 양자점의 1 세대를이끌었던 QD vision, Nanosys, Nanoco 와같이기술을기반으로설립된미국, 영국회사들은글로벌기업들에게인수합병되거나, 꾸준 히유사소식들이들리고있다. 이와는대조적으로우리 나라를포함한중국및일본과같은동아시아국가에서는 새로운양자점제조사들이런칭을준비하고있으며, 특히 중국의경우산업계에서는공격적인투자를진행하고있 고학계에서도많은인원들이연구를진행하며각종학회 에서많은발표물들을산출하고있다. 오랜시간디스플 레이업계에서가장높은자리를차지하고있던우리나라 도현속도를살펴보면중국의추격을따돌리기는어려울 수있다는위기의식을가져야할때다. 양자점디스플레이는추후발전가능성에이글에 서언급한바와같이다양한모델들이제시되고있으며, OLED 의가장큰대안이자차세대디스플레이라는데에 는이의를제기할자가없다고판단된다. 양자점디스플 레이시장은향후 10 년안에 5 배정도의성장을할것으 로예상되고있다. 지금까지는좋은위치에서시장을선 도하고있으나이를지켜나가기위해서는보다체계적이 고공격적인투자와연구가이루어져야할것이다. References [1] L. E. Brus, J. Chem. Phys., 79, p5566 (1983) [2] L. E. Brus, J. Chem. Phys., 80, p4403 (1984) [3] K. Gradkowski, N. Pavarelli, T.J. Ochalski, D.P. Williams, J. Tatebayashi, G. Huyet, D.L. Huffaker, Appl. Phys. Lett. 95,061102, (2009). [4] M. F. Frasco, Sensors, 9, p7266 (2009) [5] N. Kim, W. Na, W. Yin, H. Jin, T. Ahn, S. Cho, H. Chae, J. Mater. Chem. C., 4, p2457 (2016) [6] http://www.samsung.com/us/ [7] L. Shao, Y. Gao, F. Ya, Sensors, 11, p11736 (2011) [8] The Restriction of Hazardous Substances Directive 2002/95/EC [9] J. Kim, O. Voznyy, D. Zhitomirsky, E. Sargent, Adv. Mater., 25, p4986 (2013) [10] D. V. Talapin, J. Lee, M. V. Kovalenko, E. V. Shevchenko, Chem. Rev., 110, p389 (2010) [11] V. I. Klimov, Nanocrystal Quantum Dots CRC Press: 2010 [12] N. Kim, J. Lee, H. An, C. Pang, S. Cho, H. Chae, J. Mater. Chem., 2, p9800 (2014) [13] Y. Kang, Z. Song, X. Jiang, X. Yin, L. Fang, J. Gao, Y. Su, Fei Zhao, Nano. Res. Lett. 12, p154 (2017) [14] Jang E, Jun S, Jang H, Lim J, Kim B, Kim, Adv. Mater., 22, p3076 (2010) J. Park, P. Prabhakaran, K. Jang, Y. Lee, J. Lee, K. Lee, J. Hur, J. Kim, N. Cho, Y. D. Yang, K. Lee, Nano Lett., 10, p2310 (2010) [15] H. Wang, S. Lin, A. Tang, B. Singh, H. Tong, C. Chen, Y. Lee, T. Tsai, R. Liu, Angew.Chem. Int. Ed., 55,p7924 (2016) [16] Z. Ning, O. Voznyy, J. Pan, S. Hoogland, V. Adinolfi, J. Xu, M. Li, A. Kirmani, J. Sun, J. Minor, K. Kemp, H. Dong, L. Rollny, A. Labelle, G. Carey, B. Sutherland, I. Hill, A. Amassian, H. Liu, J. Tang, O. Bakr, E. Sargent, Nature materials, 13, p822 (2014) [17] J. Lim, M. Park, W. Bae, D. Lee, S. Lee, C. Lee, K. Char, ACS Nano, 7, p9019 (2013) [18] F. Pietra, N. Kirkwood, L. Trizio, A. Hoekstra, L. Kleibergen, N. Renaud, R. Koole, P. Baesjou, L. Manna, A.Houtepen, Chem. Mater., 10, 1021 (2017) [19] S. Díaz, F. Gillanders, K. Susumu, E. Oh, I. Medintz, T. Jovin, Chem. Eur. J., 23, p263 (2017) [20] J. R. Lakowicz Principles of Fluorescence Spectroscopy. Springer: 2007 [21] J. He, H. Chen, Y. Wang, S. Wu, Y. Dong, SID Symp. Dig. Tech. Papers, 47, p349, (2017) [22] J. P. Yang, E. L. Hsiang, H. M. Philip Chen, SID Symp. Dig. Tech. Papers, 47, p21, (2016) [23] H. J. Kim, M. H. Shin, J. S. Kim, Y. J. Kim, SID Symp. Dig. Tech. Papers, 47, p827, (2016) [24] X. Dai, Z. Zhang, Y. Jin, Y. Niu, H. Cao, X. Liang, J. Wang, X. Peng, Nature, 515, p96, (2014) [25] J. S. Steckel, P. Snee, S. Coe-Sullivan, J. P. Zimmer, J. E. Halpert, L.- A. Kim, V. Bulovic, M. G. Bawendi, Angew. Chem. Int. Ed., 45, p5796 (2006) [26] Y. Fu, D. K. Kim, H. S. Moon, H. Yang, H. Chae, J. Mater. Chem. C., 5, p522 (2017) [27] D. Kim, Y. Fu, W. Lee, H. K. Chung, H. Yang and H. Chae, ACS Nano, 11, p1982 (2017) [28] X. Dai, Z. Zhang, Y. Jin, Y. Niu, H. Cao, X. Liang, L. Chen, J. Wang, X. Peng, Nature, 515, p96 (2014) [29] A. Titov, K. Acharya, C. Wang, J. Hyvonen, J.Tokarz, P. Holloway, SID Symp. Dig. Tech. Papers, 47, p58, (2017) [30] L. Qian, Y. Yang, W. Cao, C. Xiang, X. Xie, Z. Liu, S. Chen, L. Wu, X. Yan, SID Symp. Dig. Tech. Papers, 47, p55, (2017) [31] J. Jo, J. Kim, K. Lee, C. Han, E. Jang, Y. Do, H. Yang, Opt. Lett., 41, p3984 (2016) [32] J. Han, D. Ko, M. Park, J. Roh, H. Jung, Y. Lee, Y. Kwon, J. Sohn, W. K Bae, B. D. Chin and C. Lee, J. Soc. Inf. Disp. 24, p545 (2016) [33] C. Jiang, Z. Zhong, B. Liu, Z. He, J. Zou, L. Wang, J. Wang, J. B. Peng and Y. Cao, ACS Appl. Mater. Interfaces. 8, p26162 (2016) 34. Touch Display Research homepage http://touchdisplayresearch. com/?page_id=2553 35