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1 Polymer Science and Technology Vol. 24, No. 2 특집 용액공정용 OLED 재료의최근현황 Current Status of Solution-Processable OLED Materials 이재민 Jaemin Lee Solar Energy/Materials Research Group, Division of Advanced Materials, Korea Research Institute of Chemical Technology, P.O Box 107, 141 Gajeong-Ro, Yuseong-Gu, Daejeon , Korea jminlee@krict.re.kr 1. 서론 지난 2012 년미국라스베이거스에서열린소비자가전쇼 (CES) 에서는국내기업인삼성과 LG 가나란히 55 인치 대형유기발광다이오드 (organic light-emitting diode, OLED) TV 시제품을전시하여소형뿐만아니라주력대 형디스플레이제품에도 OLED 가충분한경쟁력이있음을보여준바있다. 이어올 2013 년들어서는국내에서 OLED TV 가판매되기시작하였으며, 이웃일본에서도소니와파나소닉에서 56 인치 OLED TV 시제품을발표 함으로써향후수년이내에국가간기업간 OLED TV 분야에서의경쟁이본격적으로불붙을것으로기대되고 있다. 특히파나소닉의경우, 56 인치 4k2k 해상도 (3,840 2,160) 의 OLED TV 를적녹청인쇄공정으로제작하였음을밝혀 OLED 제작공정측면에서기존의진공증착방식과는다른새로운가능성을보여주었다 ( 그림 1). 1 지금으로부터약 26 년전미국코닥의 Ching Tang 에의해시작된 2 OLED 의연구개발과정에서, 진공증착 이아닌용액상태로부터유기박막을형성하여 OLED 를만들기위한노력은계속되어왔다. 최초의 OLED 이 후약 3 년여후에영국의캠브리지대학에서공액계고분자인 poly(p-phenylnene vinylene)(ppv) 를이용하여 용액공정으로유기발광소자를제작하는데성공하였고, 3 이후 1990 년대에는진공증착방식의 OLED 와더불어 공액계고분자를기반으로하는용액공정방식의 OLED 연구가아주활발히진행되었다. 당시에는저분자재 료는진공증착, 고분자재료는용액공정이라는이분법적인분류가통용되었으나, 2000 년대중반이후용액공정 OLED 의새로운방식으로용해성저분자재료를이용한용액공정 OLED 연구가관심을끌게되어현재는많은 기관에서저분자재료기반의용액공정 OLED 연구에도열을올리고있다. 이미진공증착방식을통해 OLED 가상용화되었음에도용액공정 OLED 에대한기대를저버리지않는것은 가격 ( 또는공정성 ) 과대형화및고해상도화에서의장점때문이라고할수있다. 용액공정과인쇄공정을결합하면 OLED 화소제조시에원하는곳에만유기재료용액을인쇄할수있게되어, 진공챔버전체에서유기재료를기화 시키는진공증착방식대비유기재료의사용효율이높아진다 ( 유기재료의소모가줄어든다 ). 또한진공증착에 비해서상대적으로설비투자비용이낮으므로결과적으로용액공정의경우가격경쟁력이진공증착보다더높은것으로알려져있다. 다음으로, 온전한풀칼라디스플레이를만들기위해서는일반적으로적녹청의삼원색을각각패터닝하여단위픽셀을만드는데, 진공증착형 OLED의경우지금까지주로미세금속마스크 (fine metal mask, FMM) 을통해오픈된특정부분에만유기재료를증착하는방법을사용해왔다. 4 다만전체적인작업기 이재민 1999 KAIST 화학과 ( 학사 ) 2001 KAIST 화학과 ( 석사 ) 2005 KAIST 화학과 ( 박사 ) LG화학기술연구원과장 2007-현재 한국화학연구원선임연구원 Vol. 24, No

특집 용액공정용 OLED 재료의최근현황 판의크기가점점커지고요구되는해상도가높아지면서이러한 FMM 방식으로구현할수있는공정조건에제약이생기기때문에, 그대안으로인쇄공정을통한유기재료의직접패터닝이주목을받고있는것이다. 물론이러한장점에도현실적으로는여전히진공증착방식의 OLED가당분간상용화에서우위에있을것은분명하다.

2 특집 용액공정용 OLED 재료의최근현황 판의크기가점점커지고요구되는해상도가높아지면서이러한 FMM 방식으로구현할수있는공정조건에제약이생기기때문에, 그대안으로인쇄공정을통한유기재료의직접패터닝이주목을받고있는것이다. 물론이러한장점에도현실적으로는여전히진공증착방식의 OLED가당분간상용화에서우위에있을것은분명하다. 용액공정 OLED의경우전체적인소자성능, 수명, 균일도등에서아직해결해야할문제들이많이남아있기때문이다. 보통의 OLED는하부의 ITO(indium-tin oxide) 투명전극 ( 양극 ), 유기재료층, 그리고상부의금속전극 ( 음극 ) 으로이루어지며, 두전극사이의유기재료층은다시각각의역할에따라수층이적층된구조를갖는다. 이에 용액공정 OLED 라는표현에대해상황에따라그범위가다를수있고궁극적으로는전극을포함하여모든구성요소가용액공정으로제작되는것이진정한 용액공정 OLED 이겠으나, 본총설에서는각각의전극은제외하고유기재료층의용액공정여부에따라 용액공정 OLED 로분류하고자한다. 그리고최근에발표된이와관련된문헌들을바탕으로각기능층별용액공정용 OLED 재료에대해좀더자세히서술하고자한다. 지면의한계로인하여 OLED의기본구조, 원리, 재료등에관한기초적인내용은따로설명하지못했는데, 기존에알려진문헌들을통해미리참고하면본총설의이해에좀더도움이될수있을것이다. 5,6 2. 본문 2.1 정공주입층재료용액공정 OLED의대표적인 HIL(Hole-Injection Layer, 정공주입층 ) 재료로는독일의 Bayer에서개발된전도성고분자인 PEDOT:PSS (Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly (styrenesulfonate)) 를꼽을수있다 ( 그림 2(a)). PEDOT:PSS의가장큰특징중의하나는화학구조적으로일종의 polyelectrolyte 이기때문에수용성이라는점이다. 따라서이미형성된 PEDOT:PSS 박막위에다시유기용매에녹는유기박막의코팅이가능하 다. 또한가시광영역에서의투과도가높기때문에상부의발광층에서발광되는빛에영향을주지않는다. 이와함께 PEDOT:PSS 로인하여상부유기재료와의전기적접촉이향상되고 ITO 전극으로부터의정공의주입도원활해진다. 부가적으로 PEDOT:PSS 코팅시 ITO 전극표면을평탄하게해주는효과도있는것으로알려져있다. 반면에 PEDOT:PSS 의단점도여전히존재하는데, 물질자체가수용성이므로만들어진박막의흡습성도상대적으로높은편이고이는수분과공기에취약한 OLED에있어서안좋은영향을끼칠수있다. 또한 PSS로인한 PEDOT:PSS의강한산성 (ph=1.2~2.2) 은 7 하부 ITO 전극의식각및인듐이온의유기박막으로의확산등의문제를일으킬수도있고, 8 PEDOT:PSS 와상부유기박막의계면에서 exciton quenching에의한성능저하를일으킨다는보고도있다. 9 최근에는이러한 PEDOT:PSS의약점을개선하기위하여 PEDOT:PSS 용액에 Nafion 과같은불소계 ionomer (perfluorinated Ionomer, PFI) 를섞어주는시도가있었다 ( 그림 2(b)). 10 그결과박막형성과정에서상대적으로소수성인 PFI가박막상층부로이동하면서전체적인 PEDOT:PSS 박막의일함수의경사도 (gradient) 가생겨서정공주입에더욱효과적이었으며, 불소계 PFI가풍부한계면으로인하여 exciton quenching을막아주는효과도있었다. 이밖에도미국의 Plextronics 에서는 PEDOT 대신에상대적으로높은 ph 값을가지는 (ph=2.2~2.8) S-P3MEET (sulfonated Poly(thiophene-3-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]- 2,5-diyl)) 를개발하여 HIL 재료로판매하고있으며 ( 그림 2(c)), 독일의 Navaled는자사고유의도핑방법을적용한용액공정용 p-doped HTL(hole-transporting layer, 정공수송층 ) 을이용하여 PEDOT:PSS 와비교한 OLED 소자결과를보고한바있다 정공수송층재료앞서 PEDOT:PSS 의특성을설명하면서도잠깐언급하였지만, 용액공정 OLED 소자를제작함에있어서기존의진공 그림 1. CES 2013 에서파나소닉이발표한 56 인치 printing OLED TV 시제품. 그림 2. (a) PEDOT:PSS, (b) Nafion PFI, (c) s-p3meet 의화학구조. 136 고분자과학과기술 Polymer Science and Technology

이재민 증착방식과의가장큰차이점중의하나가바로어떻게다층의적층구조를구현할것인가하는점이다. 용액공정을통한박막형성과정에서하부층이상부코팅용액에녹는경우, 두층간계면에서각재료의혼합이일어날수도있고원하는대로적층구조를만드는데어려움이있을수있기때문이다. 하지만수용성의 PEDOT:PSS를제외하고는대부분의 OLED 유기재료들은상대적으로비극성이고공정에쓸수있는용매의종류가제한적이다.

3 이재민 증착방식과의가장큰차이점중의하나가바로어떻게다층의적층구조를구현할것인가하는점이다. 용액공정을통한박막형성과정에서하부층이상부코팅용액에녹는경우, 두층간계면에서각재료의혼합이일어날수도있고원하는대로적층구조를만드는데어려움이있을수있기때문이다. 하지만수용성의 PEDOT:PSS를제외하고는대부분의 OLED 유기재료들은상대적으로비극성이고공정에쓸수있는용매의종류가제한적이다. 따라서유기박막을적층하기위해서는기존에알려진 OLED 재료와는달리특별한기능성을필요로하게되는데, 가장대표적인것이경화성 (cross-linking) 을갖는재료를이용하는것이다. 경화성작용기를포함하는 HTL의종류가흔치않다보니, 기존의비경화성재료를그대로이용하여적층구조구현에적용한사례들도몇가지있다. 그중가장잘알려진비경화성 HTL 재료로는 Poly(2,7-(9,9-di-n-octylfluorene)-alt-(1,4-phenylene- ((4-sec-butylphenyl)imino)-1,4-phenylene))(TFB) 가있다 ( 그림 3(a)). TFB를 PEDOT:PSS와형광고분자발광층사이에넣어줌으로써 exciton quenching을막아줘서소자효율이향상되고 12 수명이증가하였으며, 13 인광소자에서도 TFB 가발광층으로의정공주입을향상시켜구동전압을낮추고소자효율이향상된결과가있었다. 14 최근에는 TFB의경화특성을개선하기위하여 TFB 고분자자체에열경화성 styrene 기를도입한고분자 (PFO-TPA) 가보고되기도하였다 ( 그림 3(b)). 15 이밖에도진공증착으로널리쓰이는 4,4,4 -Tris (N-carbazolyl)-triphenylamine (TCTA) 16 또는 1,1-Bis(4-(N,N - di(p-tolyl)amino)phenyl)cyclohexane (TAPC) 17 등의저분자재료를그자체로스핀코팅하여용액공정 HTL로사용하기도하였으나, 이와같은방법은상부발광층코팅시에 HTL 두께의감소및발광층과의층간섞임등의문제점을본질적으로해결했다고볼수는없다. 비경화성재료의문제점을해결하기위해서다양한경화성 HTL 재료들이개발되었는데, 대표적으로 styrene기를 그림 3. (a) TFB 및 (b) PFO-TPA 의화학구조. 그림 4. (a),(b) Styrene 경화기를포함하는 HTL 재료의화학구조및 (c) VB-TCTA 가적용된용액공정백색 OLED 소자의효율특성. 그림 5. (a),(b) BCB 또는 (c),(d) TFVE 경화기를포함하는 HTL 재료의화학구조. Vol. 24, No

4 특집 용액공정용 OLED 재료의최근현황 포함하는 HTL 재료들을들수있다. 이러한 styrene 계 HTL 재료들은열에의해라디칼중합반응이일어나게되 며, 경화온도는대략 150~180 정도이다. PFO-TPA 와같 은고분자재료이외에도진공증착형저분자 HTL 재료로 잘알려진 TCTA 나 4,4,4 -tris(3-methylphenylphenylamino) triphenylamine(m-mtdata) 등의코어구조에경화성을위 한 styrene 기를도입한 VB-TCTA, 18 VB-DATA 19 등이보고된 바있다 ( 그림 4(a),(b)). 특히 VB-TCTA 는 Os(fppz) 2 (PPhMe 2 ) 2, Ir(ppy) 3, FIrpic 의적녹청인광발광재료가혼합된용액공 정백색 OLED 소자에적용되었는데, HTL 이없는경우와 비교할때대략두배이상의효율향상을이루었다 ( 그림 4(c)). Styrene 뿐만아니라 benzocylobutene(bcb) 20,21 또는 triflouorovinylether(tfve) 22 등의열경화성작용기도 HTL 재료에도입되었는데 ( 그림 5), 열경화조건측면에서볼때, BCB 는약 180~200, TFVE 는약 230~240 의상대적으 로높은온도와수십분에서수시간의상대적으로긴경화시간이공정측면에서약점으로지적될수있다. 이에최근에는 BCB를포함하는 TCz II( 그림 5(b)) 를급속열처리 (rapid thermal processing) 방식으로빠르게열경화하여 (300 5 분 ) 용액공정녹색인광 OLED에적용한결과가보고되기도하였다. 19 그림 6. (a) Silane 경화기를포함하는 HTL 재료의화학구조및 (b) 졸 - 겔 prepolymer 타입 HTL 재료의화학구조. 이뿐만아니라경화성작용기로서졸-겔 (sol-gel) 반응을이용하는 silane 유도체들도알려져있다. 특히반응성이큰 chlorosilane 유도체는일반대기중에서스핀코팅하는동시에경화가되므로공정측면에서매우간편하다고할수있다. Chlorosilane 유도체자체만을사용하거나 23 비경화성고분자인 TFB와경화성 chloroisilane 유도체를혼합하여 siloxane 네트워크안에 TFB를가두는방식을사용하기도하였고 ( 그림 6(a)), 24 alkoxysilane 유도체를일부졸-겔반응시켜얻어진 prepolymer(tevs-tpd polymer) 용액을코팅 / 경화시켜상부의용액공정녹색인광 OLED에적용한사례도있다 ( 그림 6(b)). 25 이밖에도 ethynyl(c C) 기를이용하여열경화성 HTL 고분자를합성한결과도최근에보고되었다 ( 그림 7). 26 세분자의 ethynyl기가열처리과정에서벤젠고리를형성하는방식으로경화가일어나며, 경화조건은 240, 50분이었다. 지금까지몇몇대표적인열경화성 HTL 재료들에대해알아보았는데, 열경화뿐만아니라빛을이용한광경화방식도또다른대안이될수있다. 포토마스크를이용해서원하는부분만선택적으로패터닝이가능하다는점이열경화와는다른광경화의장점이라고할수있으며, 부가적으로공정시간이상대적으로짧은것도유용한점이다. 다만노광기및포토마스크등의추가적인설비가필요하다는점도간과할수는없다. 광경화성 HTL 재료로가장잘알려진것으로는 oxetane 계재료들인데, oxetane 은광산개시제 (photoacid initiator) 존재하에자외선조사에의해양이온개환중합이일어나게된다. 다만 HTL 조성물에추가적인광개시제가들어가기때문에 OLED 소자에서문제를일으킬여지는남아있다고할수있다. Oxetane 이포함된다양한아릴아민재료중에서, 최근에는 FIrpic을사용한용액공정청색인광소자에적용하기위해높은삼중항에너지를갖는 X-TAPC 재료들이개발되었다 ( 그림 8(a)). PEDOT:PSS로부터 HTL, HTL부터발광층으로의정공주입장벽과 OLED 소자효율간의상관관계를설명하였는데 ( 그림 8(b)), 화학구조별로효율의증감 그림 7. Ethynyl 경화기를포함하는 HTL 재료의화학구조. 그림 8. (a) Oxetane 경화기를포함하는 HTL 재료의화학구조및 (b) 재료의 HOMO 에너지레벨과 OLED 소자효율의상관관계. 138 고분자과학과기술 Polymer Science and Technology

5 이재민 경향에대해서는잘설명하였으나 HTL 이없는경우와비교해서소자효율측면에서는약간향상되는정도에그쳤다. 27 또다른광경화성 HTL 재료로서액정광배향막등에사용 되었던 cinnamate 기를이용한재료들이있는데, cinnamate 는자외선조사에의해이합체화반응이일어난다. 이때광 개시제등과같은첨가물이필요없다는점에서는 oxetane 계재료들에비해서장점일수있지만, cinnamate 를포함하 는 HTL 재료자체가직접광반응에참여하게되므로 HTL 재료의손상 (photodamage) 에유의해야하는면도존재한 다. 대표적으로 poly-tpd-f 와같은측쇄형고분자가있으 며, 용액공정녹색인광소자에적용되기도하였다 ( 그림 9) 발광층재료 OLED 의발광원리측면에서볼때, 발광층재료는형광 과인광재료로나눌수있다. 형광에비해인광발광의경우 고효율소자구현이가능하기때문에인광발광재료에대한관심이더욱더커지고있으며, 용액공정 OLED 분야에서도인광발광재료에대한요구가훨씬큰실정이다. 인광발광재료는크게삼중항엑시톤 (exciton) 에의한실제발광에관여하는도판트재료와발광층내에서의전하의주입 / 수송, 엑시톤의전이등에관련된호스트재료로나눌수있으며이들의혼합박막이발광층으로사용된다. 일부예외가있으나대부분의도판트재료는이리듐계착화합물이주를이루고있으며, 호스트재료는정공과전자수송특성을 고르게갖춘양극성 (bipolar) 방향족유기화합물또는고분자가대부분이다. 이리듐계발광도판트의화학구조를알아보는데있어서녹색인광발광을하는 Ir(ppy) 3 (Tris[2-phenylpyridinato- C 2,N]iridium(III)) 는그기준이되는물질이라고할수있다 ( 그림 10(a)). Ir(ppy) 3 를포함하여대다수이리듐계착화합물은제한적이지만최소한의용해도는확보되기때문에, 증착형도판트재료를그대로용매에녹여서용액공정에적용하는경우도상당히있다. 하지만 Ir(ppy) 3 가용액공정용도판트로서완벽하지만은않기때문에용해도, 용액공정성, 박막특성, 소자특성등을개선하기위하여리간드에치환기를도입하는시도들이있었다. 페닐피리딘리간드의페닐기에알킬기를도입함으로써, 박막내에서호스트분자와의상호작용개선, 상분리억제, 균일성향상등을통해치환기가없는 Ir(ppy) 3 보다높은소자효율을보이는것이보고되었다 ( 그림 10(b),(c)). 29,30 마찬가지로적색또는주황색이리듐화합물에서도리간드에알킬기를도입하여용액공정에적용한사례가있다 ( 그림 10(d),(e)). 31,32 알킬치환기외에좀더 bulky한방향족치환기를도입하기도하였는데, m-terphenyl 덴드론을기존에알려진적녹청이리듐화합물에각각도입하여용액공정에적용하였다 그림 11. (a) m-terphenyl 덴드론이도입된적, 녹, 청색이리듐발광재료 (R=2-ethylhexyl) 및 (b) 방향족치환기가도입된이리듐발광재료의화학구조. 그림 9. Cinnamate 경화기를포함하는 HTL 재료의화학구조. 그림 10. (a) Ir(ppy) 3 및 (b)~(e) 알킬기가도입된이리듐발광재료의화학구조. 그림 12. 보조리간드에의해용앵공정성이향상된이리듐발광재료의화학구조. Vol. 24, No

6 특집 용액공정용 OLED 재료의최근현황 ( 그림 11(a)). 33,34,35 또한페닐피리딘리간드에 xylyl 36 또는 tetraphenylsilyl 37 치환기등을도입함으로써용해도향상과 더불어도판트의 aggregation 감소에따른고농도도핑에 의해소자효율이향상된결과가보고되기도하였고, 리간드 양쪽에페닐과트리메틸실릴치환기가각각도입되기도하였다 ( 그림 11(b)). 38 이밖에도보조 (ancillary) 리간드가용해도및용액공정성에영향을미칠수도있는데, 예를들어청색도판트인 FCNIrpic( 그림 12(a)) 의경우, 보조리간드가없는동종리간드착물 (homoleptic complex) 과비교해서극성의 picolinic acid 보조리간드에의해방향족유기용매에대한용해도가증가한다고알려져있다. 39 최근에는 picolinic acid에추가적으로 ethylene oxide를도입하여용해도를올리고도판트재료의무정형성, 성막특성, 호스트와의상용성등을증가시킨결과도보고되었다 ( 그림 12(b)). 40 용액공정용인광호스트재료로문헌상에서가장널리쓰이고있는물질은바로 PVK(Poly(N-vinylcarbazole)) 이다. PVK는주사슬인비닐고분자에전기적특성을나타내는카바졸기가곁사슬형태로붙어있는일종의측쇄형 (side-chain) 고분자라할수있다. 인광호스트재료의가장중요한요구물성중의하나는도판트보다높은삼중항에너지레벨인데, 이는발광을하는도판트에서비발광의호스트로삼중항엑시톤이역전이 (back-transfer) 되는것을방지하기위해서이다. 이러한삼중항에너지레벨은필연적으로분자의공액길이가길어질수록낮아지게마련이고, 기존에많이연구되었던주쇄형공액계고분자의경우아무래도높은삼중항에너지레벨을갖는것이매우어려운편이다. 이는결국고에너지발광, 즉청색에맞는인광호스트의구현이그만큼어려 움을뜻한다. 따라서특히청색인광에있어서는공액계고분자에비해상대적으로제한된공액길이를가지는저분자형재료가좀더유리한측면이있다. 저분자용액공정호스트재료로는, 앞서도판트의경우와마찬가지로, 기존의진공증착형호스트재료의구조를바탕으로추가적인치환기도입을통해용액공정에적합하도록만든사례들이보고되었다 ( 그림 13(a),(b)). 41,42 또한일부재료들의경우는진공증착형재료자체로도충분한용해도가확보되어용액공정에바로적용될수있는데, 특히최근에각광을받고있는 phosphine oxide 계통의호스트재료는알코올과같은극성용매또는일반방향족유기용매에도잘녹는것으로알려져있다 ( 그림 13(c),(d)). 43, 전자수송층재료지금까지알아본용액공정용정공수송층및발광층재료와달리, 용액공정용전자수송층 (electron-transporting layer, ETL) 재료는상대적으로그리많이알려져있지는않다. 왜냐하면발광층위에또다시용액공정으로 ETL을올리기위해서는결국 ETL의용해도도중요하지만발광층의요구물성 ( 경화성 ) 에따라가능여부가결정되기때문이다. 실제로용액공정 OLED 관련많은문헌에서아직까지 ETL은진공증착으로형성하거나아니면아예없이 EML 위에바로 cathode가있는경우가많은편이다. 다만자세한내용이공개되지는않았으나 General Electric, Konica-Minolta 등에서는 ETL까지용액공정으로제작한용액공정 OLED 조명에대해발표한적이있다. 현재까지보고된용액공정용 ETL 재료로는진공증착형 ETL 재료인 TPBI(1,3,5-Tris(1-phenyl-1H-benzimidazol-2-yl) 그림 13. (a)~(d) 저분자용액공정용호스트재료및 (e)~(g) 용액공정용 ETL 재료의화학구조. 140 고분자과학과기술 Polymer Science and Technology

7 이재민 benzene) 가극성용매인알코올에녹는것으로알려져있고, TPBI 에 phenoxy 치환기가도입된 m-photpbi 의경우는 2- 부타논에녹는것으로알려져있다. 44 그밖에물이나알코올 에녹는공액계고분자들도전자주입층및전자수송층으로사용된사례가있다 ( 그림 13(e)~(g)) 맺음말 지금까지간략하게용액공정 OLED에적용되는정공주입층, 정공수송층, 발광층도판트, 발광층호스트, 전자수송층유기재료들의현황에대해알아보았다. OLED 연구개발초기에진공증착방식과용액공정방식이서로경쟁하던때를지나, 지금은이미진공증착방식을통해대형 OLED TV 를생산할정도로관련기술은발전하였다. OLED라는확실한기술안에서현재의진공증착방식의모자란부분을보완할수있다는점에서용액공정 OLED는여전히유효한키워드이며최근들어재조명되고있는분야이기도하다. 뿐만아니라 OLED가유기전자 (organic electronics) 라는분야의대표적성공사례이듯이, 용액공정 OLED는최근각광받는인쇄전자 (printed electronics) 분야의앞으로의성공을가늠할수있는척도가될것이라고생각된다. 특히재료측면에서여전히남겨진과제가많기때문에관련된연구자들의많은관심과노력을기대해본다. 20여년이상계속되어온용액공정용 OLED 재료분야의발전상을몇장분량의본총설을통해전부상세히설명하는것은애당초무리였을수있다. 지면의한계와정보의부족으로중요함에도불구하고미처못다뤄진내용들이있을수있음을밝히며, 최근에발표된관련논문들을참고하면더욱도움이될수있을것이다 참고문헌 1. en /en html 2. C. W. Tang, and S. A. VanSlyke, Appl. Phys. Lett., 51, 913 (1987). 3. J. H. Burroughes, D. D. C. Bradley, A. R. Brown, R. N. Marks, K. Mackay, R. H. Friend, P. L. Burns, and A. B. Holmes, Nature, 347, 439 (1990). 4. 최근상용화된 LG의 OLED TV와소니의시제품은 FMM 방식대신에백색 OLED와칼라필터를사용한것으로알려져있음. 5. 강영진, 이석종, 고분자과학과기술, 17, 43 (2006). 6. 손영훈, 박미진, 권장혁, 화학세계, 53(2), 48 (2013) M. P. de Jong, L. J. van IJzendoorn, and M. J. A. de Voigt, Appl. Phys. Lett., 77, 2255 (2000). 9. A. Van Dijken, A. Perro, E. A. Meulenkamp, and K. Brunner, Org. Electron., 4, 131 (2003). 10. T. H. Han, M. R. Choi, S. H. Woo, S. Y. Min, C. L. Lee, and T. W. Lee, Adv. Mater., 24, 1487 (2012). 11. M. Zöllner, Z. Wang, K. Lederer, U. Denker, T. Canzler, M. Burkhardt, and J. Birnstock, IDW/AD 12 Proceedings, 1837 (2012). 12. J. S. Kim, R. H. Friend, I. Grizzi, and J. H. Burroughes, Appl. Phys. Lett., 87, (2005). 13. T. W. Lee, M. G. Kim, S. Y. Kim, S. H. Park, O. Kwon, T. Noh, and T. S. Oh, Appl. Phys. Lett., 89, (2006). 14. S. A. Choulis, V. E. Choong, M. K. Mathai, and F. So, Appl. Phys. Lett., 87, (2005). 15. W. F. Su, R. T. Chen, and Yun Chen, J. Polym. Sci. Part A: Polym. Chem., 47, 2821 (2009). 16. J. J. Park, T. J. Park, W. S. Jeon, R. Pode, J. Jang, J. H. Kwon, E. S. Yu, and M. Y. Chae, Org. Electron., 10, 189 (2009). 17. J. Y. Liao, H. C. Yeh, T. C. Chao, J. S. Lin, and M. R. Tseng, Proceedings of SPIE, 8476, 84761K (2012). 18. Y. H. Niu, M. S. Liu, J. W. Ka, J. Bardeker, M. T. Zin, R. Schofield, Y. Chi, and A. K. Y. Jen, Adv. Mater., 19, 300 (2007). 19. W. Y. Hung, C. Y. Lin, T. L. Cheng, S. W. Yang, A. Chaskar, G. L. Fan, K. T. Wong, T. C. Chao, and M. R. Tseng, Org. Electron., 13, 2508 (2012). 20. B. Ma, F. Lauterwasser, L. Deng, C. S. Zonte, B. J. Kim, J. M. J. Fréchet, C. Borek, and M. E. Thompson, Chem. Mater., 19, 4827 (2007). 21. C. A. Zuniga, J. Abdallah, W. Haske, Y. Zhang, I. Coropceanu, S. Barlow, B. Kippelen, and S. R. Marder, Adv. Mater., 25, 1739 (2013). 22. Y. H. Niu, M. S. Liu, J. W. Ka, and A. K.-Y. Jen, Appl. Phys. Lett., 88, (2006). 23. W. Li, Q. Wang, J. Cui, H. Chou, S. E. Shaheen, G. E. Jabbour, J. Anderson, P. Lee, B. Kippelen, N. Peyghambarian, N. R. Armstrong, and T. J. Marks, Adv. Mater., 11, 730 (1999). 24. H. Yan, B. J. Scott, Q. Huang, and T. J. Marks, Adv. Mater., 16, 1948 (2004). 25. Y. Lim, Y. S. Park, Y. Kang, D. Y. Jang, J. H. Kim, J. J. Kim, A. Sellinger, and D. Y. Yoon, J. Am. Chem. Soc., 133, 1375 (2011). 26. B. G. Kang, H. Kang, N. G. Kang, C. L. Lee, K. Lee, and J. S. Lee, Polymer. Chem., 4, 969 (2013). 27. G. Liaptsis, and Klaus Meerholz, Adv. Funct. Mater., 23, 359 (2013). 28. Y. Zhang, C. Zuniga, S. J. Kim, D. Cai, S. Barlow, S. Salman, V. Coropceanu, J. L. Brédas, B. Kippelen, and S. Marder, Chem. Mater., 23, 4002 (2011). 29. W. Zhu, Y. Mo, M. Yuan, W. Yang, and Y. Cao, Appl. Phys. Lett., 80, 2045 (2002). 30. X. Yang, D. Neher, D. Hertel, and T. K. Däubler, Adv. Mater., Vol. 24, No

8 특집 용액공정용 OLED 재료의최근현황 16, 161 (2002). 31. Y. C. Chao, S. Y. Huang, C. Y. Chen, Y. F. Chang, H. F. Meng, F. W. Yen, I. F. Lin, H. W. Zan, and S. F. Horng, Synth. Met., 161, 148 (2011). 32. S. Y. Huang, H. F. Meng, H. L. Huang, T. C. Chao, M. R. Tseng, Y. C. Chao, and S. F. Horng, Synth. Met., 160, 2393 (2010). 33. T. D. Anthopoulos, M. J. Frampton, E. B. Namdas, P. L. Burn, and I. D. W. Samuel, Adv. Mater., 16, 557 (2004). 34. S. C. Lo, N. H. A. Male, J. P. J. Markham, S. W. Magennis,, P. L. Burn, O. V. Salata, and I. D. W. Samuel, Adv. Mater., 14, 975 (2002). 35. S. C. Lo, G. J. Richards, J. P. J. Markham, E. B. Namdas, S. Sharma, P. L. Burn, and I. D. W. Samuel, Adv. Funct. Mater., 15, 1451 (2002). 36. N. Rehmann, D. Hertel, K. Meerholz, H. Becker, and S. Heun, Appl. Phys. Lett., 91, (2007). 37. Y. You, C. G. An, D. S. Lee, J. J. Kim, and S. Y. Park, J. Mater. Chem., 16, 4706 (2006). 38. J. Lee, C. H. Park, J. Kwon, S. C. Yoon, L. M. Do, and C. Lee, Synth. Met., 162, 1961 (2012). 39. K. S. Yook, and J. Y. Lee, Org. Electron., 12, 1711 (2011). 40. T. Giridhar, W. Cho, J. Park, J. S. Park, Y. S. Gal, S. Kang, J. Y. Lee, and S. H. Jin, J. Mater. Chem. C, 1, 2368 (2013). 41. L. Hou, L. Duan, J. Qiao, W. Li, D. Zhang, and Y. Qiu, Appl. Phys. Lett., 92, (2008). 42. X. Gong, H. Benmansour, G. C. Bazan, and A. J. Heeger, J. Phys. Chem. B, 110, 7344 (2006). 43. K. S. Yook, S. E. Jang, S. O. Jeon, and J. Y. Lee, Adv. Mater., 22, 4479 (2010). 44. M. Nomura, Y. Shibasaki, M. Ueda, K. Tugita, M. Ichikawa, and Y. Taniguchi, Synth. Met., 151, 261 (2005). 45. F. Huang, Y. H. Niu, Y. Zhang, J. W. Ka, M. S. Liu, and A. K. Y. Jen, Adv. Mater., 19, 2010 (2007). 46. L. Duan, L. Hou, T. W. Lee, J. Qiao, D. Zhang, G. Dong, L. Wang, and Y. Qiu, J. Mater. Chem., 20, 6392 (2010). 47. C. Zhong, C. Duan, F. Huang, H. Wu, and Y. Cao, Chem. Mater., 23, 326 (2011). 48. C. A. Zuniga, S. Barlow, and S. R. Marder, Chem. Mater., 23, 658 (2011). 142 고분자과학과기술 Polymer Science and Technology

유기 발광 다이오드의 전하주입 효율 향상을 통한 발광효율 향상 연구

유기 발광 다이오드의 전하주입 효율 향상을 통한 발광효율 향상 연구 - i - - ii - - iii - - iv - - v - - vi - 그림차례 - vii - - viii - - 1 - 5). - 2 - - 3 - 유기발광다이오드 ( 고분자또는저분자 ) 무기발광다이오드 (p-n junction LED) - + cathode ETL EML HTL HIL anode 발광 두께 : 100 ~ 200 nm 양극 ( 투명전극,