04_[21-26]_허재영_CPVR hwp

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1 Current Photovoltaic Research 6(1) (2018) pissn DOI: eissn X ALD ZnO 버퍼층증착온도가전착 Cu 2 O 박막태양전지소자특성에미치는영향 조재유ㆍ트란휴만ㆍ허재영 * 전남대학교신소재공학과 The Influence of Deposition Temperature of ALD n-type Buffer ZnO Layer on Device Characteristics of Electrodeposited Cu 2 O Thin Film Solar Cells Jae Yu Cho Man Hieu Tran Jaeyeong Heo* Department of Materials Science and Engineering and Optoelectronics Convergence Center, Chonnam National University, Gwangju 61186, Korea Received February 14, 2018; Revised March 20, 2018; Accepted March 20, 2018 ABSTRACT: Beside several advantages, the PV power generation as a clean energy source, is still below the supply level due to high power generation cost. Therefore, the interest in fabricating low-cost thin film solar cells is increasing continuously. Cu 2 O, a low cost photovoltaic material, has a wide direct band gap of ~2.1 ev has along with the high theoretical energy conversion efficiency of about 20%. On the other hand, it has other benefits such as earth-abundance, low cost, non-toxic, high carrier mobility (100 cm 2 /Vs). In spite of these various advantages, the efficiency of Cu 2 O based solar cells is still significantly lower than the theoretical limit as reported in several literatures. One of the reasons behind the low efficiency of Cu 2 O solar cells can be the formation of CuO layer due to atmospheric surface oxidation of Cu 2 O absorber layer. In this work, atomic layer deposition method was used to remove the CuO layer that formed on Cu 2 O surface. First, Cu 2 O absorber layer was deposited by electrodeposition. On top of it buffer (ZnO) and TCO (AZO) layers were deposited by atomic layer deposition and rf-magnetron sputtering respectively. We fabricated the cells with a change in the deposition temperature of buffer layer ranging between 80 C to 140 C. Finally, we compared the performance of fabricated solar cells, and studied the influence of buffer layer deposition temperature on Cu 2 O based solar cells by J-V and XPS measurements. Key words: Cu 2 O, CuO, ZnO, Buffer layer, Atomic layer deposition nomenclature E g : band gap, ev T sub. : substrate temperature, C V OC : open-circuit voltage, V J SC : short-circuit current density, ma/cm 2 R s : series resistance, Ω cm 2 R sh : shunt resistance, Ω cm 2 subscript CZTS : Cu 2 ZnSnS 4 *Corresponding author: jheo@jnu.ac.kr CIGS : Cu(In,Ga)Se 2 DEZ : Diethylzinc XRD : X-ray Diffraction FE-SEM: Field Emission Scanning Electron Microscopy TCO : Transparent Conduction Oxide FF : Fill Factor XPS : X-ray Photoelectron Spectroscopy 1) 1. 서론 최근화석연료기반에너지자원의지역적인편중으로인한수급불안문제와한정된매장량으로인한고갈가능성때문에태양광발전의중요성이더욱대두되고있다 1,2). 그러나태양광발전기술은화석연료기반발전방식에비해발전단가의경제 c 2018 by Korea Photovoltaic Society This is an Open Access article distributed under the terms of the Creative Commons Attribution Non-Commercial License ( 1)Corresponding author: jheo@jnu.ac.kr which permits unrestricted non-commercial use, distribution, and reproduction in any medium, provided the original work is properly cited. Received 21

2 22 J.Y. Cho et al. / Current Photovoltaic Research 6(1) (2018) 성이확보되지않아아직까지보급확대수준이미미한상황이며이에따라태양전지발전시스템의경제성확보를위한초저가형태양전지에대한많은연구가반드시필요한상황이다 3). 현재초저가형태양전지의흡수층으로적용되는대표적인물질은 Cu 2 ZnSnS 4 (CZTS) 로비교적높은효율이꾸준히보고되고있으나 4원계시스템으로조성컨트롤문제나 2차상형성제어에관련된문제가계속해서화두로떠오르고있다 4,5). 이에따라 2원계시스템에대한연구가많은관심을받고있으며그중 Cu 2 O는약 2.1 ev의직접천이형밴드갭을가지며이론적으로 20% 에달하는효율을낼수있고매장량이풍부하여값이저렴하다는장점이있다 6-8). 또한 Pb나 Cd 등의독성원소를포함하고있지않기때문에태양전지흡수층으로서매력적인특성들을갖고있다 9). Cu 2 O 태양전지에관련된연구는미국이나일본, 유럽등에서꾸준히이루어지고있다 10, 11). 그중일본의 T. Minami 그룹에서지난 2017년약 8.1% 의효율을갖는 Cu 2 O 태양전지를제작하였다고보고하였다 12). 하지만이는 1,000 C 이상의온도에서열산화를통해흡수층을제작하고 PLD 법을이용하여버퍼층을제조하기때문에소면적에국한되고있다 12,13). 이러한단점때문에대면적화와양산성이고려된전착법 (electrodeposition) 을통한 Cu 2 O 태양전지제작에대한연구도활발히이루어지고있다 14,15). 전착법기반 Cu 2 O 태양전지연구는 Harvard/MIT 공동연구팀에서 Ga 2 O 3 버퍼층을적용하여약 4% 에달하는효율을보고하였으나이를제외하면대부분보고되는효율은약 1-2% 에그치고있다 14,16). 이론적인효율이 20% 에달함에도불구하고이렇게낮은효율만이보고되고있는이유중하나는 Cu 2 O 흡수층제작후대기중에노출이될경우 Cu 2 O 흡수층표면에 CuO가형성된다는것이다 8,16,17). Fig. 1과같이 Cu 2 O 흡수층표면에형성된 CuO는약 1 nm로그두께가매우얇지만이는흡수층과버퍼층사이에서 defect로작용하여 V OC 의감소와셀효율저하로이어지게된다. CuO를제거하기위해표면에칭등다양한방법이적용될수있지만 CuO 층이제거된다해도대기에노출이될경우다시 CuO Fig. 1. Schematic representation of Cu 2 O thin film solar cell structure 가형성되기때문에 n 타입버퍼층형성과동시에 in-situ 방법으로표면 CuO를환원시킬수있는화학적인방법이필요한상황이다 11,18). 이와관련하여 Harvard/MIT 공동연구팀이 ALD-ZTO (ZnSnO) 버퍼층이적용된 Cu 2 O 박막태양전지를제작하였고이때 ALD 전구체의산화반응이더안정한물질을사용하여 in-situ 방법으로 CuO를제거한결과를보고하였다 8,17). 하지만이연구는산화제로산화력이강한과산화수소수 (H 2 O 2 ) 를사용하였고 70 C 의낮은온도에서버퍼층증착시약 2.85% 의효율을보였으며버퍼층증착온도가증가함에따라효율이감소하는결과를보였다 17). 본연구에서는 Harvard/MIT 연구와다르게과산화수소수에비해산화력이약한 DI water를산화제로사용하였고조금더고온공정에서안정된결과를얻을수있는지알아보기위한실험을진행하였다. 또한두꺼운버퍼층증착시장시간공정에도안정한결과를얻을수있는지알아보기위한실험을진행하였다. 이때버퍼층물질로 ZnO를적용하여증착온도에따른효율변화를확인하였고 Cu 2 O 흡수층 / 버퍼층계면상태를 XPS 분석을통해확인하며최적의증착온도를확립하였다. 2. 실험조건 Cu 2 O 흡수층제작에앞서 copper sulfate (CuSO 4, 0.35M) 16 g과 lactic acid (CH 3 CH(OH)COOH, 3M) 46 g, sodium hydroxide (NaOH, 5M) 수용액을혼합하여 ph 12의용액을제조하였다. 2 cm 2 cm 크기의 SiO 2 /Si 기판위에 rf-sputtering 방법을이용하여 adhesion layer로 Ti 30 nm를증착하였고그위에 Au를 300 nm 증착하여전도성기판 ( 작업전극, working electrode) 으로사용하였다. Cu 2 O 박막의전착은 3 전극법으로전기화학분석기 (Autolab, PGTAT204) 를이용하여 -1.5 ma부터 -5 ma까지일정전류를인가하여진행하였으며최적의조건을찾기위한실험을선행하였다. 이때기준전극 (reference electrode) 으로는포화 Ag/AgCl 전극을, 대전극 (counter electrode) 으로는직경 1 mm, 길이 10 cm의백금선 (Pt wire, 99.99%) 을사용하였고용액의온도는 60 C로설정하여약 µm의흡수층을제작하였다. 이때제작된흡수층의기본적인특성을분석하기위해 X선회절분석 (XRD, PANalytical, X pert Pro MPD, Gonio scan, ) 과전계방출형주사현미경 (FE-SEM, Jeol, JSM-6700F) 을이용해박막의미세구조및표면특성을확인하였다. ZnO 버퍼층은원자층증착법 (atomic layer deposition) 을이용하여제작하였는데이때 Zn 전구체로 diethylzinc (DEZ, UP chemical) 를, 산화제로 deionized water (DI water, H 2 O) 를사용하였다. 증착순서는 DEZ 0.2초 pulse, 10초 N 2 purge, H 2 O 0.2 초 pulse, 20초 N 2 purge를한사이클로공정을진행하였다. ZnO 버퍼층의두께는 50 nm로증착하였고이때증착온도는 C로변화를주며각조건에대한태양전지특성을확인하였다.

3 J.Y. Cho et al. / Current Photovoltaic Research 6(1) (2018) 23 이렇게버퍼층까지제작후 rf-sputtering 방법을이용하여 Al doped ZnO (AZO, TCO layer) 를약 300 nm 증착하였고증착온도는흡수층과버퍼층에영향을최소화하기위해실온에서진행되었으며이때의면저항은약 40 Ω/ 로측정되었다. 마지막으로전극은 e-beam evaporator를이용하여 Ni/Ag를두께 30 nm/1 µm 타겟으로증착하여 Fig. 1과같은구조를갖는 cell 면적 0.31 cm 2 의소자를제작하였다. 최종적으로제작된 Cu 2 O 박막태양전지의특성을확인하기위해 solar simulator (SAN-EI ELECTRIC, XES-301S) 와 Keithley 2400 SourceMeter를이용하여 light J-V를측정하였다. 또한, HP4155B Semiconductor Parameter Analyzer를활용하여 dark J-V 측정을진행하였다. Cu 2 O 흡수층과 ZnO 버퍼층사이계면에서의화학적결합상태를확인하기위해 X-ray photoelectron spectroscopy (XPS, ThermoVG Scientific, VG Multilab 2000) 분석을진행하였다. 3. 결과 앞서언급한바와같이태양전지제작에앞서흡수층제작조건을확립하기위해작업전극에인가되는전류를 -1.5 ma부터 -5 ma까지변화를주며각조건에따른특성을확인하였다. Fig. 2와 3은각각인가되는전류에따라증착된 Cu 2 O 박막의 XRD 분석결과와 FE-SEM image이다. Fig. 2를먼저확인해보면모든조건에서 (200) 피크는관찰되지않으며 36.5 o 부근에서 (111) 피크 (Cu 2 O, Cubic, JCPDS card # ) 만이관찰됨을확인할수있고작업전극에인가되는전류가증가할수록 (111) 피크의강도가점점작아지는것을확인할수있다. 그리고 Fig. 3을확인했을때낮은전류 (Fig. 3(a)) 가인가되었을때결정의크기가큰박막이증착됨을보이며인가되는전류가 -3 ma (Fig. 3(b)), -5 ma (Fig. 3(c)) 로증가할수록결정크기는작아짐을확 인할수있다. 이렇게작업전극에인가되는전류가낮을때, 즉증착속도가낮을때결정이성장하기에충분한시간이주어지기때문에결정이크고밀하게성장하지만증착속도가점점증가하면서결정립이성장하기에충분한시간이주어지지않기때문에결정크기가점점작아지고결정성도저하되기때문에 XRD 피크의강도도작아지는것으로판단하였다 19). 또한 Fig. 3(a) 와 (b) 는같이낮은전류에서 Cu 2 O 박막의표면이평평한것을확인할수있다. 일반적으로 Cu 2 O 박막태양전지제작시 Pt 작업전극과 Au 작업전극이주로사용되는데 Au 작업전극의경우 (111) 면의표면에너지가약 N/m로 Pt 작업전극 ((111) plane : N/m, (100) plane : N/m) 에비해매우안정하다 20). 이로미루어볼때낮은표면에너지로인해낮은전류가인가될때, 즉증착속도가느릴때박막이울퉁불퉁하지않고평평하게증착되는것이라고판단하였다. 위와같은결과를통해 -1.5 ma를최적조건으로설정하고 Cu 2 O 흡수층을제작하였고버퍼층은원자층증착법을이용하여증착온도를 80 C부터 140 C까지조절하며 ZnO를, TCO층은 rf-sputtering 방법을이용하여실온에서 AZO를증착하였다. 최종적으로제작된 cell의표면, 단면 SEM image를확인했을때 Fig. 4(a) 에서확인할수있듯 Cu 2 O 흡수층표면과비슷한형상을보이는것을확인할수있고흡수층의두께는약 3.79 µm, ZnO/ AZO의두께는약 394 nm, Ni/Ag 전극의두께는약 812 nm인것을확인할수있다 (Fig. 4(b)). Fig. 5는버퍼층증착온도를달리한 Cu 2 O 박막태양전지의 1-sun illumination 조건에서의 J-V 곡선과 dark 조건에서의 J-V 곡선이고 Table 1에추출된성능파라미터를요약하였다. 결과를통해확인할수있듯증착온도가 80 C에서 100 C로증가할때모든특성들이향상되어최고 0.53% 의효율을보인것을확인할수있고이는기존 Harvard/MIT 공동연구에의해보고된 Fig. 3. Surface FE-SEM images of Cu 2 O thin films obtained for applied current of ((a) -1.5 ma, (b) -3 ma, (c) -5 ma) Fig. 2. XRD patterns of Cu 2 O thin films deposited at different applied current Fig. 4. (a) SEM image of AZO surface and (b) cross-sectional SEM image of fabricated Cu 2 O thin film solar cell

4 24 J.Y. Cho et al. / Current Photovoltaic Research 6(1) (2018) 70 C의증착온도에비해높은온도에서안정한결과를보였다 17). 또한증착온도가계속해서증가할때모든특성들이다시점차저하되는것을확인할수있으며 Fig. 5(b) 를통해다이오드특성또한점차저하되며 140 C에서증착한샘플은다이오드특성이거의사라진것을확인할수있다. 이러한결과에대해흡수층과버퍼층사이의계면에형성되어있는 CuO를원인으로예상하였고정확한분석을위해 XPS 측정을진행하였다. 이때흡수층과버퍼층사이의계면특성을확인하기엔버퍼층의두께가 50 nm로다소두껍기때문에 Cu 2 O 흡수층위에동일한조건으로 3 nm의 ZnO를증착하여분석을진행하였고 Fig. 6과같은결과를얻었다. Fig. 6(a) 의 as-grown Cu 2 O 박막의측정결과를확인해보면 934 ev, 940 ev, 943 ev, 954 ev 부근에 CuO에해당하는 Cu 2+ 피크가발견된것을볼수있다. 그리고 Fig. 6(b) 의각증착온도별 ZnO 공정이후결과를확인했을때 940 ev 부근의피크는모두사라졌으며 934 ev 부근의피크는낮은강도로나타나며여전히남아있는것을확인할수있다. 특히낮은온도인 80 C와 100 C 조건에서 943 ev, 954 ev 부근의피크는발견되지않았으나 120 C 이상의온도에서공정이진행되었을경우피크가발견되며온도증가에따라강도도함께증가함을확인할수있다. 또한 Fig. 6에표시하지않았으나 O1s 피크는모든결과에서 531 ev 부근에서나타났다. Fig. 6의 140 C의결과에대하여피크가낮은 binding energy 방향으로약 1 ev 가량이동된것을확인할수있는데이는이구간의피크뿐만아니라전체적인피크가이동된것을확인하였고따라서이는측정상의오차로인한결과로판단하였다. 이결과에대해 100 C 이하의낮은온도에서 DEZ 전구체는 Cu 2 O 박막표면에형성된 CuO와반응하여 ZnO로산화되고, CuO는 Cu 2 O로환원되며제거될수있는데이는 DEZ 전구체의산화반응이 CuO Cu 2 O 반응의깁스프리에너지보다더안정하기때문이고증착온도가증가할수록산화제로사용된 H 2 O 가고온에서산화반응을더잘일으키기때문에 CuO가형성되는것이다 17). 또한 H 2 O 2 에비해 H 2 O의산화력이약하기때문에 H 2 O 2 를사용한결과보다높은온도에서 CuO의재산화가일어나는것으로판단하였다 21). 따라서고온에서형성된 CuO가흡수층과버퍼층사이의계면에서 defect로작용하여온도증가에따라 V OC 가감소하고, 효율또한함께감소하는것으로판단하였다. Fig. 5. J-V curves of the Cu 2 O thin film solar cells under (a) light (1-sun illumination) and (b) dark condition with the change in ZnO buffer layer deposition temperature Fig. 6. XPS analysis results of (a) as-grown Cu 2O and (b) Cu 2 O absorber layer surface with ZnO deposition temperature Table 1. Performance parameter of the Cu 2O thin film solar cells as a function of buffer layer deposition temperature T sub. ( C) V OC (mv) J SC (ma/cm 2 ) FF (%) Eff. (%) R s (Ω cm 2 ) R sh (Ω cm 2 ) Fig. 7. XPS analysis results of Cu 2 O absorber layer with chamber holding time after ZnO process at 80 C

5 J.Y. Cho et al. / Current Photovoltaic Research 6(1) (2018) 25 Fig. 6에서얻은 XPS 분석결과에서 ZnO는 3 nm 만증착되기때문에짧은시간동안공정이이루어지나실제본연구에서증착된버퍼층은약 50 nm의두께로증착되었기때문에약 3시간이상의긴공정시간이필요하다. 이에추가적으로 ZnO를 80 C 조건에서 3 nm 증착하고챔버내에서 4시간홀드시킨후 XPS 분석을진행하였고그결과를 Fig. 7에나타내었다. Fig. 6(a) 의 as-grown Cu 2 O의분석결과와 Fig. 7의챔버내대기시간의차이를두고분석한 XPS 결과를확인해보면챔버대기시간에따라차이를보이지않음을확인할수있다. 결국이결과를통해 Cu 2 O 흡수층표면의 CuO 형성은공정온도에만의존한다는것을알수있다. 4. 결론 Cu 2 O 박막태양전지는다양한장점과 20% 에달하는이론적효율에도불구하고여전히낮은효율만이보고되고있다. 이에대한이유중하나는 Cu 2 O 흡수층제작후대기중에노출이될경우 Cu 2 O 흡수층표면에 CuO가형성된다는것이다. 우리는이러한문제를해결하기위해원자층증착법을활용한 ZnO 버퍼층을증착하였고이때증착온도를 80 C부터 140 C까지변화를주며각조건에대한결과를분석하였다. Cu 2 O 태양전지의특성은버퍼층증착온도가 100 C를넘어가면서부터저하되었고그에대한원인으로 XPS 분석을통해저온공정시 DEZ의산화반응으로인해 CuO가제거되지만 H 2 O가고온에서산화반응을더잘일으키기때문에높은공정온도에서다시 CuO가형성이되기때문인것으로판단하였다. 이는 H 2 O 산화제를사용함으로써이전에보고된버퍼층증착온도에비해조금더높은온도에서안정화된특성을보이는결과이며추후더향상된특성을갖는 Cu 2 O 태양전지제작이가능하게할것으로기대된다. 또한실제공정과동일하게장시간챔버내에샘플을홀드시킨후 XPS 분석을진행한결과 Cu 2+ 피크는형성되지않는것을확인하였으며결국 Cu 2 O 흡수층표면의 CuO 형성은공정온도에만의존한다는결론을내렸다. 후기 이논문은 2017년도정부 ( 과학기술정보통신부 ) 의재원으로한국연구재단의지원을받아수행된기초연구사업임 (No. NRF-2015R1C1A1A ). 참고문헌 1. M. Hosenuzzaman, N. A. Rahim, J. Selvaraj, M. Hasanuzzaman, A. B. M. A. Malek, A. Nahar, Global prospects, progress, policies, and environmental impact of solar photovoltaic power generation, Renew. Sustain. Energy Rev., Vol. 41, pp , R. Baños, F. Manzano-Agugliaro, F. G. Montoya, C. Gil, A. Alcayde, J. Gómez, Optimization methods applied to renewable and sustainable energy: a review, Renew. Sustain. Energy Rev., Vol. 15, No. 4, pp , Q. Guo, S. J. Kim, M. Kar, W. N. Sharfarman, R. W. Birkmire, E. A. Stach, R. Agrawal, H. W. Hillhouse, Development of CulnSe 2 nanocrystal and nanoring inks for low-cost solar cells, Nano Lett., Vol. 8, No. 9, pp , W. Wang, M. T. Winkler, O. Gunawan, T. Gokmen, T. K. Todorov, Y. Zhu, D. B. Mitzi, Device characteristics of CZTSSe thin-film solar cells with 12.6% efficiency, Adv. Energy Mater., Vol. 4, No. 7, p , B. G. Mendis, M. C. J. Goodman, J. D. Major, A. A. Taylor, K. Durose, D. P. Halliday, The role of secondary phase precipitation on grain boundary electrical activity in Cu 2 ZnSnS 4 (CZTS) photovoltaic absorber layer material, J. Appl. Phys., Vol. 112, No. 12, p , T. Minami, Y. Nishi, T. Miyata, J. I. Nomoto, High-efficiency oxide solar cells with ZnO/Cu 2 O heterojunction fabricated on thermally oxidized Cu 2 O sheets, Appl. Phys. Express, Vol. 4, No. 6, p , A. Mittiga, E. Salza, F. Sarto, M. Tucci, R. Vasanthi, Heterojunction solar cell with 2% efficiency based on a Cu 2 O substrate, Appl. Phys. Lett., Vol. 88, p , Y. S. Lee, J. Heo, S. C. Siah, J. P. Mailoa, R. E. Brandt, S. B. Kim, R. G. Gordon, T. Buonassisi, Ultrathin amorphous zinc-tin-oxide buffer layer for enhancing heterojunction interface quality in metal-oxide solar cells, Energy Environ. Sci., Vol. 6, No. 7, pp , Y. Nishi, T. Miyata, T. Minami, The impact of heterojunction formation temperature on obtainable conversion efficiency in n-zno/p-cu 2 O solar cells, Thin Solid Films, Vol. 528, pp , T. K. S. Wong, S. Zhuk, S. Masudy-Panah, G. K. Dalapati, Current status and future prospects of copper oxide heterojunction solar cells, Materials (Basel)., Vol. 9, No. 4, p. 271, Y. Ievskaya, R. L. Z. Hoye, A. Sadhanala, K. P. Musselman, J. L. MacManus-Driscoll, Fabrication of ZnO/Cu 2 O heterojunctions in atmospheric conditions: Improved interface quality and solar cell performance, Sol. Energy Mater. Sol. Cells, Vol. 135, pp , M. Tadatsugu, N. Yuki, M. Toshihiro, Efficiency enhancement using a Zn 1 x Ge x -O thin film as an n-type window layer in Cu 2 O-based heterojunction solar cells, Appl. Phys. Express, Vol. 9, No. 5, p , T. Minami, Y. Nishi, T. Miyata, Heterojunction solar cell with 6% efficiency based on an n-type aluminum-gallium-oxide thin film and p-type sodium-doped Cu 2 O sheet, Appl. Phys. Express, Vol. 8, No. 2, p , M. Abdelfatah, J. Ledig, A. El-Shaer, A. Wagner, V.

6 26 J.Y. Cho et al. / Current Photovoltaic Research 6(1) (2018) Marin-Borras, A. Sharafeev, P. Lemmens, M. M. Mosaad, A. Waag, A. Bakin, Fabrication and characterization of low cost Cu 2 O/ZnO:Al solar cells for sustainable photovoltaics with earth abundant materials, Sol. Energy Mater. Sol. Cells, Vol. 145, pp , K. Mizuno, M. Izaki, K. Murase, T. Shinagawa, M. Chigane, M. Inaba, A. Tasaka, Y. Awakura, Structural and electrical characterizations of electrodeposited p-type semiconductor Cu 2 O films, J. Electrochem. Soc., Vol. 152, No. 4, pp. C179-C182, Y. S. Lee, D. Chua, R. E. Brandt, S. C. Siah, J. V. Li, J. P. Mailoa, S. W. Lee, R. G. Gordon, T. Buonassisi, Atomic layer deposited gallium oxide buffer layer enables 1.2 V open-circuit voltage in cuprous oxide solar cells, Adv. Mater., Vol. 26, No. 27, pp , S. W. Lee, Y. S. Lee, J. Heo, S. C. Siah, D. Chua, R. E. Brandt, S. B. Kim, J. P. Mailoa, T. Buonassisi, R. G. Gordon, Improved Cu 2 O-based solar cells using atomic layer deposition to control the Cu oxidation state at the p-n junction, Adv. Energy Mater., Vol. 4, p , Y. Ievskaya, R. L. Z. Hoye, A. Sadhanala, K. P. Musselman, J. L. MacManus-Driscoll, Improved heterojunction quality in Cu 2 O-based solar cells through the optimization of atmospheric pressure spatial atomic layer deposited Zn 1-x Mg x O, J. Vis. Exp., Vol. 113, p. e53501, S. Bijani, L. Martinez, M. Gabas, E. A. Dalchiele, J.-R. Ramos-Barrado, Low-temperature electrodeposition of Cu 2 O thin films : modulation of micro-nanostructure by modifying the applied potential and electrolytic bath ph, J. Phys. Chem. C, Vol. 113, pp , T. K. Galeev, N. N. Bulgakov, G. A. Savelieva, N. M. Popova, Surface-properties of platinum and palladium, React. Kinet. Catal. Lett., Vol. 14, No. 1, pp , R. Munter, Advanced oxidation processes - current status and prospect, Proc. Est. Acad. Sci. Chem., Vol. 50, No. 2, pp , 2001.