도 1 은본발명에사용되는증착장치의모식도이다. 도 2 및도 3 은본발명에실시예에의하여합성된탄소나노복합체박막의투과전자현미경 (TEM) 단면사진으로, 각각니켈을 30 초및 60 초동안증착하여니켈나노도트를형성시킨경우를나타낸다. 도 4 은순수한경질탄소박막과본발명에의하여합성된탄소

도 1 특허청구의범위 청구항 1. 자성금속박막을형성하는단계 ; 상기자성금속박막위에알루미늄을증착하는단계 ; 증착된상기알루미늄위에자성금속을증착하여알루미나이드박막을형성하는단계 ; 그리고 상기알루미나이드박막위에자성금속박막을증착하는단계로이루어지고, 상기자성금속은 Co, Fe 및

(51) Int. Cl. G11B 5/31 (2006.01) (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2007 년 05 월 09 일 10-0716104 2007 년 05 월 02 일 (21) 출원번호 10-2003-0075402 (65) 공개번호 10-2005-0040248 (22)

공개특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 (43) 공개일자 2013년09월25일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B65D 25/14 ( ) C23

(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 10-2013-0104189 (43) 공개일자 2013년09월25일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B65D 25/14 (2006.01) C23C 16/26 (2006.01) C08J 7/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0025472 (22) 출원일자

특허청구의 범위 청구항 1 복수개의 프리캐스트 콘크리트 부재(1)를 서로 결합하여 연속화시키는 구조로서, 삽입공이 형성되어 있고 상기 삽입공 내면에는 나사부가 형성되어 있는 너트형 고정부재(10)가, 상기 프리캐스 트 콘크리트 부재(1) 내에 내장되도록 배치되는 내부

(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) E01D 19/12 (2006.01) E01D 2/00 (2006.01) E01D 21/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0036938 (22) 출원일자 2011년04월20일 심사청구일자 2011년04월20일 (65) 공개번호 10-2012-0119156

공개특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 (43) 공개일자 2014년06월11일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B65D 81/24 ( ) B65

(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 10-2014-0071307 (43) 공개일자 2014년06월11일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B65D 81/24 (2006.01) B65D 25/14 (2006.01) B65D 1/40 (2006.01) B32B 27/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2014-0058932(

Characteristic of Stainless Steel 304 vs. 316 STS 비교 스테인리스강화학성분비교 (ASTM A 479 Standard) Type UNS No. C Si 304 S S max 0.08

304 vs. 316 STS 비교 304 316 스테인리스강화학성분비교 (ASTM A 479 Standard) Type UNS No. C Si 304 S30400 316 S31600 0.08 0.08 1.00 1.00 Mn P S Cr 2.00 2.00 0.045 0.045 0.050 0.050 18.00 20.00 16.00 18.00 Ni 8.00 10.5

(72) 발명자 김창욱 경기 용인시 기흥구 공세로 150-20, (공세동) 박준석 경기 용인시 기흥구 공세로 150-20, (공세동) - 2 -

(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (11) 공개번호 10-2014-0034606 (43) 공개일자 2014년03월20일 (51) 국제특허분류(Int. Cl.) H01M 4/525 (2010.01) H01M 4/505 (2010.01) H01M 4/48 (2010.01) H01M 4/131 (2010.01) (21) 출원번호 10-2012-0101151

16<C624><D22C><ACFC><D0D0> <ACE0><B4F1><BB3C><B9AC><2160>_<BCF8><CC45>.pdf

I I 02 03 04 05 06 II 07 08 09 III 10 11 12 13 IV 14 15 16 17 18 a b c d 410 434 486 656 (nm) Structure 1 PLUS 1 1. 2. 2 (-) (+) (+)(-) 2 3. 3 S. T.E.P 1 S. T.E.P 2 ) 1 2 (m) 10-11 10-8 10-5 C 10-2 10

특허청구의범위청구항 1 반도체층 ; 상기반도체층위에형성된전도성질화물로이루어진사이층 ; 및상기전도성질화물사이층위에형성되며, 상기전도성질화물사이층을통해상기반도체층에스핀을주입하는, 강자성재료로이루어진스핀주입전극층 ; 을포함하여이루어지며, 상기반도체층과상기전도성질화물사이층의계

(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H01L 27/105 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0070334( 분할 ) (22) 출원일자 2008 년 07 월 18 일 심사청구일자 2008 년 07 월 18 일 (65) 공개번호 10-2008-0070806 (43) 공개일자 2008 년 07 월

(72) 발명자 김도규 서울특별시성북구장위 3 동 박준일 서울특별시강서구등촌동 서광아파트 103 동 803 호 유형규 경기도광명시광명 4 동한진아파트 101 동 1801 호 - 2 -

(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) F25B 30/06 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0088941 (22) 출원일자 2008 년 09 월 09 일 심사청구일자 전체청구항수 : 총 7 항 2008 년 09 월 09 일 (54) 지중열교환기의공급파이프 (11) 공개번호 10-2010-0030143

(52) CPC 특허분류 B01D 53/62 ( ) Y02C 10/10 ( ) (72) 발명자 이정현 대전광역시서구대덕대로 246 넥서스밸리 B 동 1417 호 박영철 대전광역시유성구반석동로 33 반석마을 5 단지아파트 505 동 201 호 이발명

(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B01D 53/22 (2006.01) B01D 53/62 (2006.01) (52) CPC 특허분류 B01D 53/225 (2013.01) B01D 53/228 (2013.01) (21) 출원번호 10-2015-0076621 (22) 출원일자 2015 년

(72) 발명자 강경태 서울서초구반포본동반포주공아파트 110 동 105 호 이상호 서울관악구봉천 9 동 윤규영 인천남구용현동 신권용 서울구로구천왕동천왕이펜하우스 6 단지 601 동 1203 호 이발명을지원한국가연구개발사업 과제고유번호 ES-1

(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2013년11월20일 (11) 등록번호 10-1331589 (24) 등록일자 2013년11월14일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) H01L 21/28 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0052189 (22) 출원일자 2012 년 05 월 16 일 심사청구일자

(72) 발명자오규환서울시서초구반포동반포아파트 110동 202호김현종서울시관악구봉천6동 층 102호 신경민 서울시서대문구홍제동 459 번지홍제원현대아파트 113 동 1702 호 류재우 경기도김포시북변동

(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) A61L 27/08 (2006.01) A61F 2/82 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0015001 (22) 출원일자 2009 년 02 월 23 일 심사청구일자 2009 년 02 월 23 일 (65) 공개번호 10-2010-0095942 (43) 공개일자

실험 5

실험. OP Amp 의기초회로 Inverting Amplifier OP amp 를이용한아래와같은 inverting amplifier 회로를고려해본다. ( 그림 ) Inverting amplifier 위의회로에서 OP amp의 입력단자는 + 입력단자와동일한그라운드전압, 즉 0V를유지한다. 또한 OP amp 입력단자로흘러들어가는전류는 0 이므로, 저항에흐르는전류는다음과같다.

表紙（化学）

수험 번호 성 명 2013년 일본 공과대학 학부 유학생 파견 선발 시험 화 학 (90분 100점) 주 의 1 시험시작의 지시가 있을 때까지 열지 마시오. 2 해답은 해답용지의 지정된 난 안에 알아보기 쉽게 기입하시오. 3 해답에 한글이 포함되면 채점되지 않습니다. 필요한 경우, 아래의 값을 사용하시오. 원자량 H 1.0, C 12, N 14, O 16, Cu

<4D F736F F F696E74202D20352E20C7D1BFEBB1D420B0F8C1A4B1E2C3CAB1B3C0B B3E22031BFF929>

Plasma Display Panel 의공정기술 한용규 dbgmaco79@gmail.com Charged Particle Beam & Plasma Lab. / PDP Research Center Department of Electrophysics, Kwangwoon University, Seoul, Korea Contents 1. 개요 2. PDP의구조 3.

(b) 미분기 (c) 적분기 그림 6.1. 연산증폭기연산응용회로

Lab. 1. I-V Characteristics of a Diode Lab. 6. 연산증폭기가산기, 미분기, 적분기회로 1. 실험목표 연산증폭기를이용한가산기, 미분기및적분기회로를구성, 측정및 평가해서연산증폭기연산응용회로를이해 2. 실험회로 A. 연산증폭기연산응용회로 (a) 가산기 (b) 미분기 (c) 적분기 그림 6.1. 연산증폭기연산응용회로 3. 실험장비및부품리스트

특허청구의범위청구항 1 투입된음식물을분쇄하는분쇄기 ; 상기분쇄된음식물을가열할수있는마그네트론 ; 및탈취작용을하는저온촉매필터를포함하는음식물처리기에있어서, 상기마그네트론이상기저온촉매필터를일정온도로가열할수있는것을특징으로하는, 청구항 2 제 1 항에있어서, 상기음식물처리기는상기

(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) F26B 3/347 (2006.01) F23G 5/00 (2006.01) B09B 3/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0104077 (22) 출원일자 2009 년 10 월 30 일 심사청구일자 (30) 우선권주장 없음 2020090010354 2009

..........

통권 제101호(2007년 10월호) 특허가족 건강길라잡이(비만 시리즈4) 특허가족 건강길라잡이 (비만 시리즈 4) 변리사 김 일 성 킴스국제특허법률사무소 2. 비만과 영양소 4. 무기질(Minerals) 무기질은 단백질, 당질, 지질들과 달리 에너지를 낼 수 없고, 비타민류와 달리 조리과정에서 파괴되지 않는다. 그러나 물에 용해되므로 조리 중의 용액을 버리

특허청구의범위청구항 1 방열판 ; 상기방열판상부에형성된세라믹박막 ; 및상기세라믹박막상부에형성된회로패턴을포함하여이루어지는방열기판. 청구항 2 제1항에있어서, 상기방열판은 Al, Cu, Mo, W, Ti, Mg 중에서선택된어느하나의물질로이루어지는것을특징으로하는방열기판. 청

(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) H01L 33/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0140279 (22) 출원일자 2007 년 12 월 28 일 심사청구일자 전체청구항수 : 총 10 항 2007 년 12 월 28 일 (54) 방열기판및이를구비한발광다이오드패키지 (11) 공개번호 10-2009-0072226

[Fig. 4] (a) Properties of OLED as IWO films as anode. (b)fabrication process of QDLED and image of QDLED device using IWO films as anode. [Fig. 3] 정보

바이오인터페이스 기술의 현재와 미래 성균관대학교 정보재료소자연구실(IMDL) 김한기 최근 정보통신 분야의 발전에 따라 기존의 다양한 어플 리케이션들은 평면성을 벗어나 이전부터 요구된 투명유 연하고 깨지지 않는 특성과 더불어 신축성을 가진 특성까 지 요구되고 있다. 이러한 흐름 속에서 투명 전극은 투명 하면서 전도성을 가지고 있는 전극 물질로서 디스플레이, 터치센서,

현대대학물리학 36(545~583p)

원자물리학 원서 38장 무엇을 배우는가 36.1 스펙트럼선 36.2 보어의 원자모형 보기문제 36.1 스펙트럼선 궤도각운동량의 양자화 36.3 보어 모형의 스펙트럼선 수소 전자의 파동함수 구형대칭 해 보기문제 36.2 수소 파동함수의 규격화 각운동량 36.4 완전해 다른 원자들 보기문제 36.3 헬륨 원자의 이온화에너지 36.5 엑스선 생성 레이저 유도방출과

유기 발광 다이오드의 전하주입 효율 향상을 통한 발광효율 향상 연구

- i - - ii - - iii - - iv - - v - - vi - 그림차례 - vii - - viii - - 1 - 5). - 2 - - 3 - 유기발광다이오드 ( 고분자또는저분자 ) 무기발광다이오드 (p-n junction LED) - + cathode ETL EML HTL HIL anode 발광 두께 : 100 ~ 200 nm 양극 ( 투명전극,

본 발명은 중공코어 프리캐스트 슬래브 및 그 시공방법에 관한 것으로, 자세하게는 중공코어로 형성된 프리캐스트 슬래브 에 온돌을 일체로 구성한 슬래브 구조 및 그 시공방법에 관한 것이다. 이를 위한 온돌 일체형 중공코어 프리캐스트 슬래브는, 공장에서 제작되는 중공코어 프

(51) Int. Cl. E04B 5/32 (2006.01) (19)대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2007년03월12일 10-0693122 2007년03월05일 (21) 출원번호 10-2006-0048965 (65) 공개번호 (22) 출원일자 2006년05월30일 (43) 공개일자 심사청구일자

- 1 -

- 1 - - 2 - - 3 - - 4 - 장비구성 : - 5 - - 6 - 치 - 7 - μ - 8 - - 9 - 고체흡착관의안정화방법및기기 (Tube conditioner) - 10 - - 11 - - 12 - - 13 - - 14 - - 15 - - 16 - - 17 - 전기냉각저온농축장치 (TD) GC/FPD - 18 - GC/FID Headspace

(72) 발명자 강문진 경기 고양시 일산구 일산3동 후곡마을 영풍한진 201-203 김정한 서울 서초구 방배4동 847-34 - 2 -

(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) B23K 9/133 (2006.01) B23K 9/28 (2006.01) B23K 9/26 (2006.01) (21) 출원번호 10-2006-0133016 (22) 출원일자 2006년12월22일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 2006년12월22일 (45) 공고일자 2007년10월26일

01 증착의종류 증착은금속증기를만드는원리에따라화학적기상증착 (Chemical Vapor Deposition, ) 과물리적기상증착 (Physical Vapor Deposition, PVD) 으로나뉜다. 화학적기상증착은공정압력과주입원의상태, 에너지원등에따라나뉘고물리적기상증

ABS 소재개발팀이수경 lsklg@lgchem.com 증착기술소개 우리일상에서 증착 이이용된제품을찾는것은어렵 지않다. 금속이아니면서은빛을내는알루미늄포장지와램프하우징 (lamp housing) 을비롯하여반도체, OLED 는모두금속을증착한제품이다. 증착 (deposition) 이란기체상태의금속입자를금속, 플라스틱과같은물체표면에수마이크로미터의얇은고체막을입히는방법이다.

- 2 -

- 2 - - 3 - - 4 - - 5 - - 6 - - 7 - - 8 - - 9 - 가 ) 가 ) 가 ) 가 ) - 10 - - 11 - 길이 피시험기기 주전원 절연지지물 케이블지지용절연물 접지면 발생기 - 12 - 길이 가능한경우 절연지지물 절연지지물 접지면 전자계클램프 감결합장치 - 13 - - 14 - - 15 - - 16 - - 17 - - 18 -

실용신안 등록청구의 범위 청구항 1 톤백마대가 설치될 수 있도록 일정간격을 두고 설치되는 한 쌍의 지지프레임과, 상기 지지프레임과 지지프레임의 상부를 서로 연결하는 한 쌍의 연결프레임과, 상기 연결프레임의 상부에 일정간격을 두고 다수 설치되어 상기 톤백마대와 그 투입구

(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개실용신안공보(U) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) B65B 67/12 (2006.01) B65D 88/16 (2006.01) (21) 출원번호 20-2012-0003587 (22) 출원일자 2012년05월01일 심사청구일자 2012년05월01일 (11) 공개번호 20-2013-0006479 (43) 공개일자

특허청구의범위청구항 1 반도체층 ; 상기반도체층위에형성된전도성질화물로이루어진사이층 ; 및상기전도성질화물사이층위에형성되며, 상기전도성질화물사이층을통해상기반도체층에스핀을주입하는, 강자성재료로이루어진스핀주입전극층 ; 을포함하여이루어지며, 상기전도성질화물사이층에전이금속이 1

(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H01L 27/105 (2006.01) (21) 출원번호 10-2006-0128886 (22) 출원일자 2006 년 12 월 15 일 심사청구일자 2006 년 12 월 15 일 (65) 공개번호 10-2008-0055492 (43) 공개일자 2008 년 06 월 19 일

Microsoft Word - Lab.4

Lab. 1. I-V Lab. 4. 연산증폭기 Characterist 비 tics of a Dio 비교기 ode 응용 회로 1. 실험목표 연산증폭기를이용한비교기비교기응용회로를이해 응용회로를구성, 측정및평가해서연산증폭기 2. 실험회로 A. 연산증폭기비교기응용회로 (a) 기본비교기 (b) 출력제한 비교기 (c) 슈미트트리거 (d) 포화반파정류회로그림 4.1. 연산증폭기비교기응용회로

(72) 발명자 김진근 울산광역시울주군삼남면가천리 818 삼성 SDI( 주 ) 김기민 울산광역시울주군삼남면가천리 818 삼성 SDI( 주 ) - 2 -

(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) G06F 3/041 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0067375 (22) 출원일자 2008 년 07 월 11 일 심사청구일자 전체청구항수 : 총 12 항 2008 년 07 월 11 일 (54) 터치스크린패널및그제조방법 (11) 공개번호 10-2010-0006987

(72) 발명자 박민수 서울서초구우면동 16 번지 LG 전자전자기술원 강은석 서울서초구우면동 16 번지 LG 전자전자기술원 좌용호 경기안산시상록구사 1 동 1271 번지한양대학교화학공학과 류병길서울서초구우면동 16번지 LG전자전자기술원박덕해서울서초구우면동 16번지 LG

(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 10-2008-0011055 (43) 공개일자 2008년01월31일 (51) Int. Cl. H01J 17/49 (2006.01) H01J 11/02 (2006.01) H01B 3/10 (2006.01) H01J 17/16 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0067000

PowerPoint 프레젠테이션

교육문의 : 031-546-6245( 수원 ), 054-479-2185( 구미 ), 052-217-2640( 울산 ) 일월화수목금토 1 2 3 4 5 6 7 나노내부결정분석 8 9 10 11 12 13 14 나노박막증착공정 15 16 17 18 19 20 21 나노표면특성분석 나노결정물질구조및성분분석기술 22 23 24 25 26 27 28 29 30 나노광소자공정

(72) 발명자 김화용 서울특별시관악구봉천 2 동동아아파트 109 동 803 호 강병희 서울특별시관악구봉천 11 동 번지미림연립 305 호 - 2 -

(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2010년04월09일 (11) 등록번호 10-0951955 (24) 등록일자 2010년04월01일 (73) 특허권자 (51) Int. Cl. 재단법인서울대학교산학협력재단 C02F 1/72 (2006.01) C02F 11/06 (2006.01) 서울특별시관악구봉천7동산4의 2번지

(b) 연산증폭기슬루율측정회로 (c) 연산증폭기공통모드제거비측정회로 그림 1.1. 연산증폭기성능파라미터측정회로

Lab. 1. I-V Characteristics of a Diode Lab. 1. 연산증폭기특성실험 1. 실험목표 연산증폭기의전압이득 (Gain), 입력저항, 출력저항, 대역폭 (Bandwidth), 오프셋전압 (Offset Voltage), 공통모드제거비 (Common-mode Rejection Ratio; CMRR) 및슬루율 (Slew Rate) 등의기본적인성능파라미터에대해서실험을통해서이해

<5BB0EDB3ADB5B55D32303131B3E2B4EBBAF12DB0ED312D312DC1DFB0A32DC0B6C7D5B0FAC7D02D28312E28322920BAF2B9F0B0FA20BFF8C0DAC0C720C7FCBCBA2D3031292D3135B9AEC7D72E687770>

고1 융합 과학 2011년도 1학기 중간고사 대비 다음 글을 읽고 물음에 답하시오. 1 빅뱅 우주론에서 수소와 헬륨 의 형성에 대한 설명으로 옳은 것을 보기에서 모두 고른 것은? 4 서술형 다음 그림은 수소와 헬륨의 동위 원 소의 을 모형으로 나타낸 것이. 우주에서 생성된 수소와 헬륨 의 질량비 는 약 3:1 이. (+)전하를 띠는 양성자와 전기적 중성인 중성자

10: 전면글라스 11: 유지전극 11a: 투명전극 11b: 버스전극 12: 유전체 13: 보호층 20: 후면글라스 21: 격벽 21a: 블랙매트릭스 22: 어드레스전극 23: 형광체막 24: 잉크젯헤드 25: 형광체잉크 31: 압전체 32: 다이아프램 33: 잉크챔버

(51) Int. Cl. 7 H01J 9/20 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 (43) 공개일자 10-2005-0057809 2005 년 06 월 16 일 (21) 출원번호 10-2003-0090000 (22) 출원일자 2003년12월11일 (71) 출원인엘지전자주식회사서울특별시영등포구여의도동 20 번지 (72)

특허청구의범위청구항 1 복수개의관통비아홀이형성된웨이퍼의하나이상의관통비아홀을포함하는전도영역에전도층을형성하는전도층형성단계 ; 상기전도층을포함한웨이퍼전체영역에절연층을증착하는절연층증착단계 ; 상기전도층의상부에감광제를도포하고, 상기관통비아홀이형성된위치에관통비아홀의단면적보다작은단

(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H01L 21/60 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-0028172 (22) 출원일자 2010 년 03 월 29 일 심사청구일자 2010 년 03 월 29 일 (65) 공개번호 10-2011-0108779 (43) 공개일자 2011 년 10 월 06 일 (56)

2001/1학기 공학 물리 중간고사

2011/2 학기물리전자기말고사담당교수 : 김삼동 성명 학번 분반 e = 1.6 10-19 C, ε ox = 3.9, ε Si = 11.7,ε o = 8.85 10-14 F/cm 2, kt (300 K) = 0.0259 ev,, n i (Si, 300 K) =1.5x10 10 /cm 3 1. PN diode의 I-V 특성은아래의그림과같은거동을보인 (I) 다.

(52) CPC 특허분류 B01J 6/00 ( ) C01B 33/02 ( ) C01P 2004/64 ( ) 공지예외적용 : 있음 - 2 -

(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2016년07월22일 (11) 등록번호 10-1641839 (24) 등록일자 2016년07월15일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C01B 31/36 (2006.01) B01J 19/08 (2015.01) B01J 6/00 (2006.01) C01B 33/02 (2006.01)

No Slide Title

저속 고토크 유압 모터 JS,JH, 시리즈 2K / J2K, 6k / J6K 시리즈 2005-1 B137 001-02 June 2000 JH 시리즈 특징 스풀 밸브 및 지로터가 있는 컴팩트한 디자인. 수입 고압 용량 샤프트 씰, 다 양한 범위의 마운팅 플랜지, 샤프트, 포트, 속도가 설계 유연성을 제공합 니다. 샤프트 회전 방향 및 속도는 쉽고 부드럽게 제어할

특허청구의범위청구항 1 복수의영상검출부로부터출력되는영상의히스토그램 (histogram) 을계산하는단계 ; 상기복수의영상검출부로부터출력되는영상을히스토그램평활화 (histogram equalization) 하는단계 ; 상기복수의영상검출부중하나의영상검출부를선택하는단계 ; 및

(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2014년12월18일 (11) 등록번호 10-1473415 (24) 등록일자 2014년12월10일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) G06T 5/40 (2006.01) H04N 5/217 (2011.01) (21) 출원번호 10-2012-0156871 (22) 출원일자 2012

(72) 발명자 강경태 서울서초구반포본동반포주공아파트 110 동 105 호 강희석 경기용인시수지구풍덕천동삼성쉐르빌 102 동 202 호 박문수 경기용인시기흥구신갈동도현마을현대 호 박승인 경기수원시영통구영통동 층 - 2 -

(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) B81B 7/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0007106 (22) 출원일자 2007 년 01 월 23 일 심사청구일자 2007 년 01 월 23 일 (65) 공개번호 10-2008-0069416 (43) 공개일자 2008 년 07 월 28 일 (56)

본 발명은 난연재료 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 케이블이나 전선의 시스체로 쓰이는 저발연, 저독성을 가진 열가소성 난연재료 조성물에 관한 것이다. 종래의 선박용 케이블은 그 사용 용도와 장소에 따라 다양한 제품들로 구별된다. 근래 들어 해양 구조물 및 선박에

(51) Int. Cl. 7 C08L 31/04 (19)대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2005년03월08일 10-0473564 2005년02월17일 (21) 출원번호 10-2001-0074372 (65) 공개번호 10-2003-0043291 (22) 출원일자 2001년11월27일 (43)

(72) 발명자 류명관 경기도용인시수지구신봉 2 로 26, LG 신봉자이 1 차아파트 124 동 1002 호 ( 신봉동 ) 이상윤 서울특별시서초구서초중앙로 200, 13 동 707 호 ( 서초동, 삼풍아파트 ) 이광희 경기수원시영통구망포동벽산아파트 김태

(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 10-2012-0021454 (43) 공개일자 2012년03월09일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) H01L 29/786 (2006.01) G02F 1/136 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-0074404 (22) 출원일자 2010 년 07 월 30 일

PowerPoint Presentation

전자회로 SEMICONDUCTOR P 1 @ INDEX 1. Conductors, Insulators, Semiconductors 2. Conduction in Semiconductors 3. The N-Type and P-Type Semiconductors 4. The PN Junction P 2 1.1 Conductors Insulators Semiconductors

(72) 발명자 박세웅 서울특별시관악구신림동산 56-1 서울대학교뉴미디어통신공동연구소 최진구 서울특별시영등포구당산동 2 가대우메종아파트 101 동 909 호 - 2 -

(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H04B 7/26 (2006.01) H04B 7/155 (2006.01) H04Q 7/30 (2006.01) H04Q 7/20 (2006.01) (21) 출원번호 10-2006-0085572 (22) 출원일자 2006 년 09 월 06 일 심사청구일자 2006 년 09 월

Microsoft PowerPoint - Ch8

Ch. 8 Field-Effect Transistor (FET) and Bias 공핍영역 D G S 채널 8-3 JFET 바이어스 자기바이어스 (self-bias) R G - 접지로부터 AC 신호를분리 I D I G = 0 G = 0 D I D I S S = I S R S I D R S S I S = G - S = 0 I D R S = - I D R S D

이 발명을 지원한 국가연구개발사업 과제고유번호 A1100-0801-2739 부처명 지식경제부 연구관리전문기관 연구사업명 IT핵심기술개발 연구과제명 융합형 포털서비스를 위한 이용자 참여형 방송기술개발 기여율 주관기관 전자부품연구원 연구기간 2008년 03월 01일 ~ 2

(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) G06Q 30/00 (2006.01) G06Q 50/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0133476 (22) 출원일자 2008년12월24일 심사청구일자 2008년12월24일 (65) 공개번호 10-2010-0074918 (43) 공개일자 2010년07월02일

Introductiuon

대면적및고속증착을위한원통형타겟타입 pulsed dc magnetron sputtering 에서두께변화에따른 AZO 박막의 특성변화 신범기 a, 이태일 a, 박강일 b, 안경준 b, 명재민 a 연세대학교신소재공학부, SNTEK Thickness dependence of Al-doped ZnO film properties prepared by using the

Microsoft Word - Lab.7

Lab. 1. I-V C Lab. 7. Characterist tics of a Dio 능동필터 ode 1. 실험목표 연산증폭기를이용한저역통과필터 (low-pass filter), filter), 대역통과필터 (band-pass filter) 회로를구성, 연산증폭기능동필터회로를이해 고역통과필터 (high-pass 측정및평가해서 2. 실험회로 A. 연산증폭기능동필터

특허청구의범위청구항 1 강화상이포함된 Al-Si계합금을가열하여용융시켜용탕을제조하는단계 ( 단계 1); 상기단계 1에서제조된용탕에금속잉곳또는합금잉곳을첨가한후교반하여혼합용탕을제조하는단계 ( 단계 2); 및상기단계 2에서제조된혼합용탕을가스와함께분무하여금속복합분말을제조하는단계

(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 10-2011-0067910 (43) 공개일자 2011년06월22일 (51) Int. Cl. B22F 9/08 (2006.01) B22F 1/00 (2006.01) B22D 27/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0124694 (22) 출원일자 2009 년 12

슬라이드 1

나노융합 2020 사업 _ 한양대반도체재료연구실 Semiconductor Materials Laboratory Department of Materials Science & Engineering Hanyang University 전형탁 hjeon@hanyang.ac.kr Tel : 02-2220-0387 1/59 Semiconductor Materials Laboratory

BN H-00Kor_001,160

SPD-SHD/SPD-0SHD BN68-008H-00 ..... 6 7 8 8 6 7 8 9 0 8 9 6 8 9 0 6 6 9 7 8 8 9 6 6 6 66 67 68 70 7 7 76 76 77 78 79 80 80 8 8 8 8 8 86 87 88 89 90 9 9 9 9 9 96 96 98 98 99 0 0 0 0 06 07 08 09 0 6 6

도 3 은본발명의제조장치에사용되는캡의개략적인평면도이다. 도 4 는본발명의제조장치에사용되는클램프의개략적인평면도이다. 도 5 는본발명의제조장치에사용되는고정판의개략적인정면도이다. 도 6 은본발명의제조장치에사용되는심봉의개략적인정면도이다. 도 7 은본발명의제조장치를나타낸개략적인

(51) Int. Cl. 7 B01D 39/20 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2005 년 08 월 30 일 10-0511071 2005 년 08 월 22 일 (21) 출원번호 10-2001-0032641 (65) 공개번호 10-2001-0079024 (22) 출원일자 2001년06월05일

- 4 - - 5 - - 6 - - 7 - - 8 - - 9 - - 10 - [ 513] 이륜자동차의제동능력기준 (6714 ㆍ 12 22 ) 1.. (): ( ) ( ) ( km /h) (m) (m/s 2 ) ( km /h) (m) (m/s 2 ) (N) ) 1. V: ( km /h) 60(40) 90 0.1V+0.0087V 2 (0.1V+0.0143V 2

붙임2-1. 건강영향 항목의 평가 매뉴얼(협의기관용, '13.12).hwp

환경영향평가서내위생 공중보건항목작성을위한건강영향항목의평가매뉴얼 - 협의기관용 - 2013. 12 환경부환경보건정책관실 - i - - ii - - iii - - iv - - v - - vi - 제 1 장건강영향평가의개요 건강영향평가의정의건강영향평가제도의필요성건강영향평가의목적및기능건강영향평가의원칙건강결정요인 - 1 - - 2 - - 3 - 제 2 장건강영향평가제도의시행방안

<303720C0CCB5BFC8C62E687770>

Journal of the Korean Society of Safety, Vol. 31, No. 3, pp. 42-46, June 2016 Copyright@2016 by The Korean Society of Safety (pissn 1738-3803, eissn 2383-9953) All right reserved. http://dx.doi.org/10.14346/jkosos.2016.31.3.42

특허청구의범위청구항 1 물을여과하는필터부 ; 상기필터부에물을유동시키는정수관 ; 상기정수관에설치되고, 상기정수관의수류를이용하여전기를발생시키는발전모듈 ; 및상기정수관에배치되고, 상기발전모듈에서발생된전기가공급되고, 상기정수관을따라유동되는정수를전기분해하여살균하는살균모듈 ; 을

(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) B01D 35/00 (2006.01) C02F 1/461 (2006.01) C02F 1/467 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0019000 (22) 출원일자 2009 년 03 월 05 일 심사청구일자 없음 전체청구항수 : 총 4 항 (54) 정수기 (11)

Chap3.SiliconOxidation.hwp

반도체공정 Chap3. Silicon Oxidation 1 Chap. 3. Silicon Oxidation 주요내용 : - silicon dioxide(sio2) 를형성하기위한산화공정 - 산화공정과정의불순물의재분포현상 - SiO2 file의특성과두께측정방법 Why silicon in modern integrated circuit? Ge : 1950년대주로사용

Asia-pacific Journal of Multimedia Services Convergent with Art, Humanities, and Sociology Vol.9, No.8, August (2019), pp

Vol.9, No.8, August (2019), pp. 0-0 http://dx.doi.org/10.35873/ajmahs.2019.9.8.001 순수한 박막과산소분위기속의재증착된 박막의성장변화패턴에관한연구 정진 요약 본연구는박막을이상의두께로실리콘기판위에증착한후에동일한조건에서제작된시료를산소분위기에서소결한후순수한박막과산소분위기에서소결된박막의성장패턴의변화와박막의입자모양의변화에대하여분석하고광전기적특성과연관하여설명하였다순수한니오븀이도핑된산화티타늄박막과산소분위기에서소결된니오븀이도핑된산화티타늄의경우모두정방정계구조였다산소분위기에서소결된니오븀이도핑된산화티타늄박막과순수한니오븀이도핑된산화티타늄박막의결정세기는변화되었다선회절분석에서산화티타늄박막의아나타제의위치는도이지만산소분위기에서소결된산화티타늄박막의경우도로이동되어서산소분위기에서성장된산화티타늄의박막의성장방향변화가달라짐이확인되었다도산소분위기에서소결된니오븀이산화티탄박막의선회절패턴에서는니오븀피크가나타나서증착온도도보다높은고온에서산화티타늄과니오븀이반응되는모습이나타났다박막의전자현미경사진에서입자의형상은대부분균일한모습을보였지만일부입자는뭉쳐져있거나각진모양과둥근모양등이나타나서다양한모습이관찰되었다박막의입자와입자사이의빈공간이보이는할로우구조도나타났다니오븀이도핑된순수한산화티타늄박막과산소분위기에서소결된니오븀이도핑된산화티타늄박막의입자의크기도박막의생성조건에의하여변화되는모습이관찰되었다

(72) 발명자 권욱현 서울특별시관악구관악로 1, 서울대학교자동화연구소 133 동 306 호 ( 신림동 ) 신수용 서울특별시양천구목동동로 130, 목동아파트 동 1201 호 ( 신정동 ) 최재영 서울특별시관악구서림 11 길 23, 308 호 ( 신림동 ) 이

(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) H04L 12/28 (2006.01) (21) 출원번호 10-2006-0016507 (22) 출원일자 2006 년 02 월 21 일 심사청구일자 2011 년 01 월 19 일 (65) 공개번호 10-2007-0083321 (43) 공개일자 2007 년 08

제목을 입력하십시오

포워드, 플라이백컨버터 Prof. ByoungKuk ee, Ph.D. Energy echaronics ab. chool of Informaion and Communicaion Eng. ungkyunkwan Universiy Tel: 823299458 Fax: 823299462 hp://seml.skku.ac.kr E: bkleeskku@skku.edu Forward

많이 이용하는 라면,햄버그,과자,탄산음료등은 무서운 병을 유발하고 비만의 원인 식품 이다. 8,등겨에 흘려 보낸 영양을 되 찾을 수 있다. 도정과정에서 등겨에 흘려 보낸 영양 많은 쌀눈과 쌀껍질의 영양을 등겨를 물에 우러나게하여 장시간 물에 담가 두어 영양을 되 찾는다

(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개실용신안공보(U) A23L 1/307 (2006.01) C02F 1/68 (2006.01) (21) 출원번호 20-2011-0002850 (22) 출원일자 2011년04월05일 심사청구일자 2011년04월05일 (11) 공개번호 20-2011-0004312 (43) 공개일자 2011년05월03일

Microsoft Word - Report_합본__도시광산.doc

EUGENE Small-Cap 212년 스몰캡 Idea (13) 211. 11.1 Urban Mining 광부가 됩시다 자원의 무기화 지난 9월, 우리 정부(지식경제부)는 도시광산 활성화 포럼 을 개최. 도시광산은 폐가 전제품, 산업폐기물에 축적된 금속자원을 회수, 재활용할 광물을 얻는 것 희토류 생산의 96%를 차지하는 중국은 올해 11월부터 희토류 세율을

이 발명을 지원한 국가연구개발사업 과제고유번호 08921-01304 부처명 방송통신위원회 연구사업명 방송통신기술개발사업 연구과제명 안전한 전자파환경 조성 주관기관 한국전자통신연구원 연구기간 2008.01.01 ~ 2012.12.31-2 -

(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) H05K 9/00 (2006.01) H04B 1/38 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0134285 (22) 출원일자 2011년12월14일 심사청구일자 없음 기술이전 희망 : 기술양도, 실시권허여, 기술지도 전체 청구항 수 : 총 1 항 (54)

(72) 발명자 김종훈 서울특별시동대문구전농 3 동 67-3 이승구 서울특별시노원구중계 4 동주공 2 단지아파트 206 동 211 호 - 2 -

(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 10-2013-0097339 (43) 공개일자 2013년09월03일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C12Q 1/68 (2006.01) G01N 27/26 (2006.01) C12N 15/115 (2010.01) B82Y 15/00 (2011.01) (21) 출원번호 10-2012-0018925

등록특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) G01R 29/08 ( ) (21) 출원번호 (22) 출원일자 2011 년 12 월 28 일 심사

(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) G01R 29/08 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0144999 (22) 출원일자 2011 년 12 월 28 일 심사청구일자 2011 년 12 월 28 일 (65) 공개번호 10-2013-0076416 (43) 공개일자 2013 년 07

zb 3) zb 4) zb 5) zb 6) 다음 zb 7) 염화나트륨은 zb8) 다음 zb 9) 그림은원자 A 가이온으로변화된모습이다. 원자 A 에대한설명으로옳은것은? 중이온이만들어지는과정이바른것은? 고체상태에서는전류가흐르지않지만, 물에녹으면전류가잘흐른다. 그이유로가장

zb 1) zb 2) 2-3. 원자와이온 중 2 2-3-2. 이온의형성 (01) 이현주 (alisabet@zocbo.com) 콘텐츠산업진흥법시행령 제33조에의한표시 1) 제작연월일 : 2013-02-02 2) 제작자 : 교육지대 3) 이콘텐츠는 콘텐츠산업진흥법 에따라최초제작일부터 5년간보호됩니다. 콘텐츠산업진흥법 외에도 저작권법 에의하여보호되는콘텐츠의경우,

(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) C08G 85/00 ( ) C08J 5/14 ( ) (21) 출원번호 (22) 출원일자 2008 년 10 월 16 일 심사청구일자

(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) C08G 85/00 (2006.01) C08J 5/14 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0101580 (22) 출원일자 2008 년 10 월 16 일 심사청구일자 2008 년 10 월 16 일 (65) 공개번호 10-2010-0042436 (43) 공개일자

(72) 발명자 정종수 서울특별시 서대문구 모래내로 319, 101동 405호 (홍은동, 진흥아파트) 김정환 서울특별시 구로구 구로동로21길 7 (구로동) - 2 -

(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) B01J 23/34 (2006.01) B01J 37/02 (2006.01) B01J 37/08 (2006.01) B01D 53/86 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-0098306 (22) 출원일자 2010년10월08일 심사청구일자 2010년10월08일

항은 발명의 상세한 설명에는 그 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자 (이하 통상의 기술자 라고 한다)가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 그 발명의 목적 구성 및 효과를 기재하여야 한다고 규정하고 있다. 이는 특허출원된 발명의 내용을 제 3자가 명세서만으로

대 법 원 제 2 부 판 결 사 건 2013후518 권리범위확인(특) 원고, 상고인 코오롱인더스트리 주식회사 소송대리인 변리사 경진영 외 2인 피고, 피상고인 토요보 가부시키가이샤(변경 전: 토요 보세키 가부시키가이샤) 소송대리인 변호사 박성수 외 4인 원 심 판 결 특허법원 2013. 1. 25. 선고 2012허6700 판결 판 결 선 고 2015. 9.

상기산소의중량비율로서 0.1 내지 10.0 인것인, 산화그래핀을제공할수있고, 이를제조하는방법으로, 금 속박 (foil) 및기판을준비하는단계 ; 상기금속박을열처리하여, 결정립 (grain) 의크기를증가시키고금속박내 의산소함유량을조절하는단계 ; 상기결정립의크기가증가된금속박

(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C01B 31/04 (2006.01) (21) 출원번호 10-2014-0102603 (22) 출원일자 2014 년 08 월 08 일 심사청구일자 전체청구항수 : 총 25 항 2014 년 08 월 08 일 (54) 발명의명칭산화그래핀및그제조방법 (11) 공개번호

명세서청구범위청구항 1 갠트리의헤드로부터방사선을조사하는선형가속기에사용되고, 상기헤드에설치되고, 방사선이조사되는환자의치료중심을향해레이저를쏘고환자의체표면에서반사된레이저를감지하여환자의체표면까지의거리를측정하는레이저거리측정기 ; 상기레이저거리측정기의데이터를수신하여 SSD(sou

(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) A61N 5/10 (2006.01) (21) 출원번호 10-2014-0107105 (22) 출원일자 2014 년 08 월 18 일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 JP2012024909 A* JP2012501792 A* US20100280374 A1

<4D F736F F F696E74202D2035BBF3C6F2C7FC5FBCF8BCF6B9B0C1FA2E BC8A3C8AF20B8F0B5E55D>

5. 상평형 : 순수물질 이광남 5. 상평형 : 순수물질 상전이 phase transition 서론 ~ 조성의변화없는상변화 5. 상평형 : 순수물질 전이열역학 5. 안정성조건 G ng ng n G G 자발적변화 G < 0 G > G or 물질은가장낮은몰Gibbs 에너지를갖는상 가장안정한상 으로변화하려는경향 5. 상평형 : 순수물질 3 5. 압력에따른Gibbs

KMC.xlsm

제 7 장. /S 에필요한내용 1] IGBT 취급시주의사항 ) IGBT 취급시주의 1) 운반도중에는 Carbon Cross로 G-E를단락시킵니다. 2) 정전기가발생할수있으므로손으로 G-E 및주단자를만지지마십시요. 3) G-E 단자를개방시킨상태에서직류전원을인가하지마십시요. (IGBT 파손됨 ) 4) IGBT 조립시에는사용기기나인체를접지시키십시요. G2 E2 E1

서 인코딩한 데이터를 무선으로 송신하기 위한 무선 송신 수단; 및 통화중 상기 입력 수단으로부터의 음원 데이터 전송신 호에 따라 상기 저장 수단에 저장되어 있는 해당 음원 데이터를 상기 디코딩 수단에 의해 디코딩하고, 상기 디코딩한 음원 데이터와 상기 입력 수단을 통해

(51) Int. Cl. H04B 1/40 (2006.01) (19)대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2006년11월23일 10-0646983 2006년11월09일 (21) 출원번호 10-2004-0053063 (65) 공개번호 10-2006-0004082 (22) 출원일자 2004년07월08일

(72) 발명자 김동식 광주북구오룡동 1 번지광주과학기술원신소재공학과 이경재 광주북구오룡동 1 번지광주과학기술원신소재공학과 - 2 -

(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) B82B 3/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2006-0034056 (22) 출원일자 2006 년 04 월 14 일 심사청구일자 2006 년 04 월 14 일 (65) 공개번호 10-2007-0102204 (43) 공개일자 2007 년 10 월 18 일 (56)

공개특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 (43) 공개일자 2011년06월16일 (51) Int. Cl. B22F 3/20 ( ) (21) 출원번호 10-

(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 10-2011-0065788 (43) 공개일자 2011년06월16일 (51) Int. Cl. B22F 3/20 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0122442 (22) 출원일자 2009 년 12 월 10 일 심사청구일자 전체청구항수 : 총 6 항 2009 년 12

특허청구의범위청구항 1 구리나노콜로이드 ; 구리염 ; 및폴리비닐피롤리돈, 에틸렌디아민, 및디에틸렌아민을포함하는군으로부터선택되고, 상기구리염과반응을일으킬수있는고분자 ; 를포함하는전도성금속잉크를인쇄하여제조되는전도성금속막. 청구항 2 삭제청구항 3 제1항에있어서, 상기구리나

(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B22F 7/02 (2006.01) B22F 3/10 (2006.01) B22F 9/02 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-0121967 (22) 출원일자 2010 년 12 월 02 일 심사청구일자 2010 년 12 월 02 일 (65) 공개번호

기술인 10월호b63뼉?일

www.keea.or.kr 10 2014 Vol. 386 CONTENTS OCTOBER 2014 02 09 12 14 16 28 32 36 40 42 44 50 52 56 56 64 2 Electric Engineers OCTOBER 3 4 Electric Engineers OCTOBER 5 6 Electric Engineers OCTOBER 7 8 Electric

49(2)-08(정지원).fm

, pp. 195-199 DC 마그네트론스퍼터링방법에의해증착된 Mo 박막의특성 공선미 소우빈 김은호 정지원 인하대학교화학공학과 402-751 인천광역시남구용현동 253 (2010 년 4 월 8 일접수, 2011 년 1 월 3 일채택 ) Characteristics of Mo Thin Films Deposited by DC Magnetron Sputtering

실험 5

실험. apacitor 및 Inductor 의특성 교류회로 apacitor 의 apacitance 측정 본실험에서는 capacitor를포함하는회로에교류 (A) 전원이연결되어있을때, 정상상태 (steady state) 에서 capacitor의전압과전류의관계를알아본다. apacitance의값이 인 capacitor의전류와전압의관계는다음식과같다. i dv = dt

(72) 발명자 황병준 강원도원주시단계동 강경태 서울시서초구반포본동반포주공아파트 110 동 10 5 호 이낙규 인천광역시연수구송도동 23-3 더샵센트럴파크 동 902 호 조영준 경기도용인시기흥구보정동연원마을삼성명가타운아파트 110 동 1303 호

(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C23F 13/00 (2006.01) C23F 13/04 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0139800 (22) 출원일자 2011 년 12 월 22 일 심사청구일자 2011 년 12 월 22 일 (65) 공개번호 10-2013-0072406

(72) 발명자 김준기 경기 군포시 광정동 한양목련아파트 1226동 805호 유세훈 인천광역시 연수구 송도동 성지리벨루스 110동 50 1호 방정환 인천 연수구 연수동 578-1 고용호 인천광역시 연수구 해송로30번길 송도 웰카운티 4 단지 20 (송도동) 407동 4

(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) H05K 3/34 (2006.01) B23K 1/19 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0091105 (22) 출원일자 2012년08월21일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 JP2004172398 A JP2004255426 A KR1020080083127

특허청구의 범위 청구항 1 앵커(20)를 이용한 옹벽 시공에 사용되는 옹벽패널에 있어서, 단위패널형태의 판 형태로 구성되며, 내부 중앙부가 후방 하부를 향해 기울어지도록 돌출 형성되어, 전면이 오 목하게 들어가고 후면이 돌출된 결속부(11)를 형성하되, 이 결속부(11

(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) E02D 29/02 (2006.01) E02D 17/20 (2006.01) E02B 3/14 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-0089517 (22) 출원일자 2010년09월13일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 JP2006037700 A* KR100920461

DBPIA-NURIMEDIA

> 한국진공학회지제 15 권 3 호, 2006 년 5 월, pp.287~293 DLC 필름의마찰마모특성의습도의존성에대한연구 박세준 1* ㆍ이광렬 1 ㆍ이승철 1 ㆍ고대홍 2 1 한국과학기술연구원미래기술연구본부, 서울 136-791 2 연세대학교세라믹공학과, 서울 120-749 (2006 년 2 월 15 일받음 ) R.F. PACVD법을이용하여,

<BBF3BED020C7C3B6F3C1EEB8B620B9DFBBFDBFF8B8AE2E687770>

상압플라즈마방전원리 1. 서론 물질의상태는고체, 액체, 기체로나눌수있는데기체상태의물질에에너지를가해 주면원자나분자에서전자가분리되어전자와이온들이존재하는플라즈마상태가된다. 플라즈마는화학적으로반응성이큰매개체이다. 여기(activated) 되어지는방법과작동 에너지에따라낮거나혹은높은온도의환경을만들어낼수있으며, 각각저온플라즈마 또는열플라즈마로구분된다. 이러한넓은온도변화폭으로인해플라즈마기술은표면

특허청구의범위청구항 1 환경미화에사용되는청소차량의배기통의열을이용해가열매체를가열시키는상기배기통을감싸도록형성되는히팅관 ; 상기청소차량수거함에발생되는오수의결빙을방지할수있도록상기히팅관을통해가열된공기로이루어진가열매체의열을상기수거함으로전달하는가열부 ; 상기가열매체가상기히팅관에서가

(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) B65F 3/02 (2006.01) B65F 3/00 (2006.01) B65F 7/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0023273 (22) 출원일자 2009 년 03 월 18 일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 KR100172217 B1* KR100284275

그래핀투명전극 - OLED 전극활용 중앙대학교화학신소재공학부 김수영 인터넷의급속한발달로다양한형태의정보전달이가능해지고있으며, 이를구현해줄수있는디스플레이분야는매우중요한위치를차지하고있다. 최근몇년간 Liquid Crystal Display(LCD) 기술과 Plasma Dis

그래핀투명전극 - OLED 전극활용 중앙대학교화학신소재공학부 김수영 인터넷의급속한발달로다양한형태의정보전달이가능해지고있으며, 이를구현해줄수있는디스플레이분야는매우중요한위치를차지하고있다. 최근몇년간 Liquid Crystal Display(LCD) 기술과 Plasma Display Panel(PDP) 의상용화가급속히이루어지면서기존의브라운관을대체해가고있다. 특히,

17(1)-06.fm

Krean J. Crystallgraphy Vl., N. 1, pp.14~18, 006 LP-MOCVD w ZnO ù Ÿw p Á yá * w w» w» l Structural and Optical Prperties f ZnO Nanwires Synthesized by LP-MOCVD Prcess Yung-Jin Chi, Jae-Hwan Park and Jae-Gwan

DBPIA-NURIMEDIA

특집 : 3D 마이크로시스템패키징및장비 Warpage Study of Ultra Thin Package Used in Mobile Devices Cha-Gyu Song, Kyoung-Ho Kim and Sung-Hoon Choa 1. 서론 모바일제품에사용되는패키지는더작고 얇은동 시에고성능 다기능을요구하고있다 특히패키지두 께의감소가지속적으로요구되기때문에패키지의각

특허청구의범위청구항 1 청소차량의적재함에적재되는쓰레기로부터발생되는오수를처리하는오수탱크에있어서, 상기오수탱크내의오수결빙을방지하도록오수탱크를가열하는제1 가열부 ; 상기적재함과상기오수탱크를연결하는오수관내의오수결빙을방지하도록상기오수관을가열하는제2 가열부 ; 상기오수탱크로유입되

(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) B65F 3/02 (2006.01) B65F 3/00 (2006.01) B65F 7/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0023275 (22) 출원일자 2009 년 03 월 18 일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 KR100157834 B1* KR100172217

특허청구의 범위 청구항 1 맨홀 일부분에 관통되게 결합되는 맨홀결합구와; 상기 맨홀결합구의 전방에 연통되게 형성되어 토양속에 묻히게 설치되고, 외주면에는 지하수가 유입될 수 있는 다수의 통공이 관통 형성된 지하수유입구와; 상기 맨홀결합구의 후방에 연통되고 수직으로 세워

(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) G01F 23/02 (2006.01) G01F 23/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0096769 (22) 출원일자 2007년09월21일 심사청구일자 전체 청구항 수 : 총 5 항 (54) 지하수위 관측장치 2007년09월21일 (11) 공개번호 10-2009-0031004

공개특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 (43) 공개일자 2008년08월06일 (51) Int. Cl. H05H 1/34 ( ) H05H 1/24 (20

(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 10-2008-0072355 (43) 공개일자 2008년08월06일 (51) Int. Cl. H05H 1/34 (2006.01) H05H 1/24 (2006.01) H05H 3/02 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0010999 (22) 출원일자 2007 년 02

이발명을지원한국가연구개발사업 과제고유번호 LINC 부처명 교육과학기술부 연구관리전문기관 한국연구재단 연구사업명 산학협력선도대학육성사업기술개발과제 연구과제명 차세대자동차엔진마운팅브래킷용고강도알루미늄합금개발 기여율 1/1 주관기관 조선대학교산학협력단 연구기간

(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C22F 1/04 (2006.01) C22C 21/02 (2006.01) (21) 출원번호 10-2014-0023399 (22) 출원일자 2014 년 02 월 27 일 심사청구일자 2014 년 02 월 27 일 (65) 공개번호 10-2015-0101744

Microsoft Word - LAB_OPamp_Application.doc

실험. OP Amp 의기본응용회로 Voltage Follower/Impedance Buffer 위의 OP amp 회로에서출력전압신호는입력전압신호와항상같으므로, voltage follower라고불린다. 이회로는어떤기능을가지는회로에부하저항을연결하였을때, 부하저항이미치는영향을최소화하기위해서사용될수있다. 예를들면 low-pass filter 회로에부하저항이연결된다음과같은회로를고려해본다.

Microsoft PowerPoint - GC1-CH8_2016

General Chemistry I (Chapter 8) Periodic Relationships of Elements (CH 8.1 8.6) Tae Kyu Kim Department of Chemistry Rm. 301 (tkkim@pusan.ac.kr) http://plms.pusan.ac.kr SUMMARY (CHAPTER 7) -1- -2- Electron

특허청구의 범위 청구항 1 제1 내지 제6 암이 각각의 관절부를 가지며 형성되며, 상기 제1 내지 제6 암 각각은 제1 내지 제6 링크에 의해 링크되고, 상기 제1 내지 제6 암 내부에는 각각의 암을 구동하는 구동모듈이 각각 내장되며, 상기 구동모듈 각각의 선단에는 1

(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) B25J 9/06 (2006.01) B25J 19/02 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0079361 (22) 출원일자 2011년08월10일 심사청구일자 2011년08월10일 (65) 공개번호 10-2013-0017122 (43) 공개일자 2013년02월20일

임상검사를위한안구의움직임을검사함에있어외부에서자기장이형성되고, 이것을유도전류로측정하여안구의움직임에따른회전각도가그대로유도되는전압의크기로측정하므로, 복잡한신호의보정없이피검자의안구운동을편리하게검사할수있으며, 피검자가눈을감거나안구를가리는상황에서도안구의움직임을정확하게측정할수있다.

(51) Int. Cl. A61B 3/113 (2006.01) (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2006 년 09 월 25 일 10-0627929 2006 년 09 월 18 일 (21) 출원번호 10-2004-0032297 (65) 공개번호 10-2005-0107105 (22)