특허청구의범위청구항 1 적어도하나의발광칩과금속와이어를매개로연결되는한쌍의리드프레임 ; 상기리드프레임이일체로고정되고, 상부로개방된캐비티를형성하도록형성되는패키지본체 ; 상기패키지본체의외부실장면하부로하향절곡되어형성되는리드프레임 ; 상기발광칩을덮으면서상기캐비티에충진되는투광성투명

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1 (51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) H01L 33/00 ( ) (21) 출원번호 (22) 출원일자 2008 년 12 월 24 일 심사청구일자 (30) 우선권주장 없음 년 12 월 24 일대한민국 (KR) 전체청구항수 : 총 6 항 (54) 발광다이오드패키지 (11) 공개번호 (43) 공개일자 2009년06월29일 (71) 출원인 삼성전기주식회사 경기도수원시영통구매탄동 314 (72) 발명자 편인준 경기용인시수지구풍덕천동 1060 신정마을주공 7 단지 707 동 402 호 김홍민 경기도의왕시오전동선경무궁화아파트 104 동 1304 호 (74) 대리인 특허법인씨엔에스 로고스 (57) 요약 발광다이오드패키지를제공한다. 본발명은적어도하나의발광칩과금속와이어를매개로연결되는한쌍의리드프레임 ; 상기리드프레임이일체로고정되고, 상부로개방된캐비티를형성하도록형성되는패키지본체 ; 상기패키지본체의외부실장면하부로하향절곡되어형성되는리드프레임 ; 상기발광칩을덮으면서상기캐비티에충진되는투광성투명수지 ; 상기캐비티의바닥면으로부터하부로함몰형성되어상기발광칩을탑재하는함몰부 ; 및상기함몰부및캐비티에형성되는형광체를포함하는투명수지 ; 를포함하는발광다이오드패키지를제공한다. 본발명에의하면, 캐비티내에충진되는투광성투명수지의충진사용량을줄여제조원가를절감하고, 수지높이를낮추어광휘도를향상시킬수있는한편, 패키지본체의높이를낮추어제품의소형화를도모할수있다. 대표도 - 도 3-1 -

2 특허청구의범위청구항 1 적어도하나의발광칩과금속와이어를매개로연결되는한쌍의리드프레임 ; 상기리드프레임이일체로고정되고, 상부로개방된캐비티를형성하도록형성되는패키지본체 ; 상기패키지본체의외부실장면하부로하향절곡되어형성되는리드프레임 ; 상기발광칩을덮으면서상기캐비티에충진되는투광성투명수지 ; 상기캐비티의바닥면으로부터하부로함몰형성되어상기발광칩을탑재하는함몰부 ; 및상기함몰부및캐비티에형성되는형광체를포함하는투명수지 ; 를포함하는발광다이오드패키지. 청구항 2 제1항에있어서, 상기함몰부의깊이는 50μm ~ 400μm인것을특징으로하는발광다이오드패키지. 청구항 3 제1항에있어서, 상기형광체는 YAG계, TAG계, Silicate계, sulfide계또는 Nitride계중적어도어느하나인것을특징으로하는발광다이오드패키지. 청구항 4 제1항에있어서, 상기함몰부는서로마주하는리드프레임의단부사이에일정깊이함몰형성되는요홈으로구비됨을특징으로하는발광다이오드패키지. 청구항 5 제4항에있어서, 상기발광칩의외부면과마주하는리드프레임단부에는상기발광칩의빛을반사시키는반사부재가구비되는하부경사면을구비함을특징으로하는발광다이오드패키지. 청구항 6 제1항에있어서, 상기캐비티는상기발광칩의빛을반사시키는반사부재가구비되는상부경사면을구비함을특징으로하는발광다이오드패키지. 명세서 발명의상세한설명 <1> 기술분야본발명은발광다이오드패키지에관한것으로, 더욱상세히는발광칩을보호하도록주입되는투광성투명수지의사용량을줄이고, 수지높이를낮추어광휘도를향상시킬수있도록개선한발광다이오드패키지에관한것이다. <2> <3> <4> 배경기술일반적으로발광다이오드 (Light Emitting Diode; LED) 는반도체의 p-n 접합구조를이용하여주입된소수캐리어 ( 전자또는양공 ) 를만들어내고, 이들의재결합 ( 再結合 ) 에의하여전기에너지를빛에너지로바꾸어주어발광시키는전자부품이다. 즉, 특정원소의반도체에순방향전압을가하면양극과음극의접합부분을통해전자와정공이이동하면서서로재결합하는데전자와정공이떨어져있을때보다작은에너지가되므로이때발생하는에너지의차이로인해빛을방출한다. 이러한발광다이오드는저전압으로고효율의광을조사할수있음으로가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종자동화기기등에사용된다. 도 1은일반적인발광다이오드패키지를도시한종단면도로서, 도시한바와같이, 종래의발광다이오드패키 - 2 -

3 지 (1) 는전원인가시빛을발생시키는발광원인발광칩 (15) 이중앙영역에탑재된다. <5> <6> <7> <8> <9> <10> <11> <12> <13> 상기발광칩 (15) 은간격을두고배치되는한쌍의리드프레임 (13,14) 과금속와이어 (16,17) 를매개로하여와이어본딩되어전기적으로연결된다. 상기음, 양극리드프레임 (13, 14) 은몸체대부분이수지물로사출성형되는패키지몸체 (11) 에일체로고정되지만단부는외부전원과연결될수있도록상기패키지몸체 (11) 의외부면으로노출된다. 상기패키지몸체 (11) 는사출성형시상기발광칩 (15) 이탑재되고상기금속와이어 (16, 17) 와와이어본딩되는리드프레임 (13, 14) 을외부노출시키도록상부로개방된캐비티 (C) 를구비한다. 이러한상기캐비티 (C) 에는상기발광칩 (15) 및금속와이어 (13, 14) 를외부환경으로부터보호할수있도록투광성투명수지 (18) 를충진하게되며, 이러한투광투명수지 (18) 에는구현하고자하는발광다이오드의색상에따라다양한형광체가선택적으로포함될수있다. 그리고, 상기캐비티 (C) 의내부경사면에는상기발광칩 (15) 에서발생되는광의반사율을높일수있도록반사물질이코팅되는반사부재 (12) 를구비할수도있다. 한편, 이러한발광다이오드패키지의특성을결정하는기준으로는색, 휘도및휘도세기의범위등이있는데, 이는 1차적으로상기발광칩 (15) 의자체특성에의해영향을받게되지만, 2차적인요소로상기발광칩 (15) 을실장하는패키지몸체 (11) 의구조, 투광성투명수지 (18) 의충진량에의해서도영향을받게된다. 도 2는일반적인발광다이오드패키지에서투광성투명수지의도팅 (dotting) 량변화에따른광휘도변화를도시한그래프로서, a) 는 0.6T 발광다이오드패키지의경우이고, b) 는 0,8T 발광다이오드패키지의경우이다. 도 2(a)(b) 에도시한바와같이, 상기패키지본체 (11) 의캐비티 (C) 에충진되는투광성투명수지 (18) 의도팅량이적을수록광휘도가높아짐을알수있었다. 그러나, 상기투광성투명수지 (18) 의도팅량을줄이면광휘도가높아지는장점이있지만상기투명수지 (18) 의높이가낮아지면서금속와이어 (16,17) 가외부로노출되는문제점이있었다. 발명의내용 <14> 해결하고자하는과제따라서, 본발명은상기한문제점을해결하기위해안출한것으로, 그목적은캐비티에충진되는투광성투명수지의충진사용량을줄이면서수지의충진높이를낮추어광휘도를향상시킬수있고, 패키지의크기를줄여소형화를도모하고자하는발광다이오드패키지를제공하고자한다. <15> <16> <17> <18> <19> <20> 과제해결수단상기한목적을달성하기위한구체적인수단으로서, 본발명은적어도하나의발광칩과금속와이어를매개로연결되는한쌍의리드프레임 ; 상기리드프레임이일체로고정되고, 상부로개방된캐비티를형성하도록형성되는패키지본체 ; 상기패키지본체의외부실장면하부로하향절곡되어형성되는리드프레임 ; 상기발광칩을덮으면서상기캐비티에충진되는투광성투명수지 ; 상기캐비티의바닥면으로부터하부로함몰형성되어상기발광칩을탑재하는함몰부 ; 및상기함몰부및캐비티에형성되는형광체를포함하는투명수지 ; 를포함하는발광다이오드패키지를제공한다. 또한, 본발명에따른발광다이오드패키지의상기함몰부의깊이는 50μm ~ 400μm일수있다. 또한, 본발명에따른발광다이오드패키지의상기형광체는 YAG계, TAG계, Silicate계, sulfide계또는 Nitride계중적어도어느하나일수있다. 또한, 본발명에따른발광다이오드패키지의상기함몰부는서로마주하는리드프레임의단부사이에일정깊이함몰형성되는요홈으로구비될수있다. 또한, 본발명에따른발광다이오드패키지의상기발광칩의외부면과마주하는리드프레임단부에는상기발광칩의빛을반사시키는반사부재가구비되는하부경사면을구비할수있다. 또한, 본발명에따른발광다이오드패키지의상기캐비티는상기발광칩의빛을반사시키는반사부재가구비 - 3 -

4 되는상부경사면을구비할수있다. <21> 효과상기한구성의본발명에의하면, 발광칩의탑재를위해리드프레임또는서로마주하는리드프레임사이에함몰부를구비함으로써패키지본체의높이를낮추어캐비티내에충진되는투광성투명수지의충진사용량을줄이여제조원가를절감하고, 또한광휘도를향상시킬수있는한편, 제품의소형화를도모할수있는것이다. <22> <23> <24> <25> <26> <27> <28> <29> <30> <31> <32> <33> <34> <35> <36> <37> 발명의실시를위한구체적인내용이하, 본발명에대해첨부된도면에따라보다상세히설명한다. 도 3는본발명에따른발광다이오드패키지의제1실시예를도시한단면도이다. 본발명의제1 실시예에따른패키지 (100) 는발광칩 (111), 리드프레임도 (112, 113), 패키지본체 (115), 투광성투명수지 (116) 및상기발광칩 (111) 이탑재되는함몰부 (118) 를구비한다. 상기발광칩 (111) 은전원인가시빛을발생시키는발광소자로구비되며, 이러한발광칩 (111) 는 P극과 N극이칩상부면에수평형으로구비된다. 이러한발광칩 (111) 은한쌍의금속와이어 (114a,114b) 의각일단부와본딩접속되고, 상기리드프레임 (112,113) 은상기한쌍의금속와이어 (114a,114b) 의각타단부와각각본딩접속된다. 그리고, 상기패키지본체 (115) 는바닥면을밀폐되고상부는개방된캐비티 (117) 를형성하도록수지물로사출성형되는성형구조물이다. 여기서, 상기캐비티 (117) 는일정각도로경사진상부경사면을구비하고, 상기상부경사면에는상기발광칩 (111) 에서발생된빛을반사시킬수있도록 Al, Ag, Ni과같이반사율이높은금속소재로이루어진반사부재 (117a) 를구비할수도있다. 이러한패키지본체 (115) 는상기한쌍의리드프레임 (112,113) 가일체로성형되어이를고정하고, 상기리드프레임 (112,113) 의일단부상부면일부는캐비티 (117) 의바닥면을통해외부로노출된다. 상기리드프레임 (112,113) 의타단부는외부전원과연결될수있도록상기패키지본체 (115) 의외부면에노출된다. 상기함몰부 (118) 는한쌍의리드프레임 (112,113) 중상기발광칩 (111) 이탑재되는리드프레임 (112) 에형성될수있다. 도 4는본발명에따른발광다이오드패키지의제2실시예를도시한단면도이다. 도 4를참조하면, 제2실시예의발광다이오드패키지는제1실시예의상기함몰부 (118) 와는달리서로마주하는한쌍의리드프레임 (112,113) 의단부사이에상기패키지본체 (115) 의성형시캐비티 (117) 의바닥면으로부터일정깊이함몰형성되는요홈 (118a) 을구비한다. 이외의구성요소는제1실시예와동일하다. 한편, 상기투광성투명수지 (116) 는상기발광칩 (111) 및금속와이어 (114a,114b) 을덮어외부환경으로부터보호하도록상기캐비티 (117) 에충진되는에폭시, 실리콘및레진등과같은투명한수지재로이루어진다. 여기서, 상기투광성투명수지 (116) 에는상기발광칩에서발생된빛을백색광으로변환시킬수있는 YAG계, TAG 계, Silicate계, Sulfide계또는 Nitride계중어느하나의파장변환수단인형광물질이포함될수있다. YAG 및 TAG계형광물질에는 (Y, Tb, Lu, Sc,La, Gd, Sm)3(Al, Ga, In, Si, Fe)5(O, S)12:Ce 중에서선택하여사용가능하며, Silicate계형광물질에는 (Sr, Ba, Ca, Mg)2SiO4: (Eu, F, Cl) 중에서선택사용가능하다. 또한 Sulfide계형광물질에는 (Ca,Sr)S:Eu, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu 중에서선택하여사용가능하며, Nitride계형광체는 (Sr, Ca, Si, Al, O)N:Eu ( 예, CaAlSiN4:Eu β-sialon:eu) 또는 Ca-α SiAlON:Eu계인 (Cax,My)(Si,Al)12(O,N)16, 여기서 M 은 Eu, Tb, Yb 또는 Er 중적어도하나의물질이며 0.05<(x+y)<0.3, 0.02<x<0.27 and 0.03<y<0.3, 형광체성분중에서선택하여사용할수있다. 상기백색광은청색 (B) LED 칩에황색 (Y) 형광체또는녹색 (G) 및적색 (R) 형광체또는황색 (Y), 녹색 (G), 적색 (R) 를포함할수있다. 황색, 녹색및적색형광체는, 청색 LED 칩에의해여기되어각각황색광, 녹색광및적색광을발하며, 이황색광, 녹색광및적색광은청색 LED 칩으로부터방출된일부청색광과혼색되어백색광 - 4 -

5 을출력한다. <38> <39> <40> <41> <42> <43> <44> <45> <46> <47> <48> <49> 상기청색 LED 칩은통상적으로사용되는 3족질화물계반도체를사용할수있다. 상기질화물계반도체의기판으로는사파이어, 스피넬 (MgA1204), SiC, Si, ZnO, GaAs, GaN 기판중어느하나로부터선택될수있다. 상기기판상에버퍼층을더포함할수있으며, 상기버퍼층은, 질화물반도체계, 카바이드계중어느하나로부터선택되는것이바람직하다. 상기버퍼층상에 n형질화물반도체층이형성되어지며, 상기 n형질화물반도체층은 n형 GaN계반도체층과 n형초격자층을포함하여구성될수있다. 또한상기 n형질화물반도체층은, 언도프 (un-dopped) GaN 층 ; n형 GaN 콘택층 ; n형 GaN 콘택층상의 n형 GaN 층 ; 및상기 n형 GaN 층상의 n형초격자층을포함하여구성될수있다. 이때, 상기 n형초격자층은, GaN/InGaN계, AlGaN/GaN계, AlGaN/GaN/InGaN계의다층반복구조로구성될수있으며, 상기 n형 GaN계반도체층상에는 n형전극을더포함하여구성될수있다. 그리고, 상기 n형 GaN계반도체층의단면에는 V-형상의왜곡구조가형성될수도있다. 상기 V-형상의왜곡구조는, 평평한성장면과, 경사진성장면이함께존재한다. 도 5는본발명에따른발광다이오드층에형성되는 V-형상의왜곡구조를나타낸것으로, (a) 는평평한성장면과경사진성장면을도시한단면모식도이고, (b) 는경사진성장면이점선표시된단면실물사진이며, (c) 는표면요철이나타난평면사진이다. 발광칩 (111) 은 N형질화물반도체층으로, V-형상의왜곡구조 (125) 는편평한성장면 (127) 과경사진성장면 (129) 로이루어진다. 도 5의 (b) 에서는경사진성장면이점선표시로나타나있다. 상기 n형질화물반도체층상에는활성층이형성되며, 상기활성층은적어도하나이상의양자우물층을가지며, 상기양자우물층은 InGaN 또는 GaN 로구성될수있으며, 또한상기활성층은적어도하나의양자장벽층을더포함할수있다. 상기양자장벽층은 InGaN, GaN 또는 AlGaN로구성될수있으며양자장벽층의밴드갭은양자우물층보다는큰것이특징이다. 상기활성층상에는 p형질화물반도체층이형성되어지며상기 p형질화물반도체층은 p형초격자층과, p형 GaN계반도체층을포함하여구성되며, 상기 p형초격자층은, GaN/InGaN계, AlGaN/GaN계, AlGaN/GaN/InGaN계의다층반복구조로구성될수있다. 또한상기 p형질화물반도체층은, p형초격자층 ; 상기 p형초격자층상의 p 형 GaN 층 ; 및상기 p형 GaN 층상의 p형 GaN 콘택층을포함하여구성될수있다. 그리고, 상기 p형질화물반도체층상에투명전극및본딩전극을더포함하여구성된다. 상기투명전극은투광성의산화물도전층일수있다. 또한상기 V-형상의왜곡구조는, 상기 n형반도체층, 활성층, p형반도체층중적어도어느한층에연속하여형성될수있다. 상기 V-형상의왜곡구조는관통전위의주위에형성될수있으며, 이영역의저항을높임으로써, 상기관통전위에의한누설전류를막아, ESD 효과를향상시킬수있다. 뿐만아니라, 상기 V-형상의왜곡구조로인한반도체표면에요철구조가형성되어지고이로인한휘도향상효과도얻을수있다. 즉, 사파이어기판과그상부에형성되는 GaN 반도체와의격자부정합에의해관통전위 (threading dislocation) 가발생되고, 상기관통전위는정전기가인가될때, 전류가집중되어누설전류의원인이된다. 따라서, 종래에는누설전류의원인이되는관통전위를줄여 ESD 에의한파손을줄이고자다양한연구들이연구가진행되어왔다. 즉, 본발명에서는, 상기관통전위의주위에임의로 V-형상의왜곡구조를형성하여, 상기관통전위가존재하는영역의저항을높여줌으로써, 이영역에집중되는전류를차단함으로써, ESD의내성을향상시키는효과도얻을수있다. 이때, 상기 V-형상의왜곡구조층은, 600 ~ 900 의낮은성장온도또는화학적에칭과재성장을통해형성할수있다. 이렇게하여완성된청색LED칩은기판의두께를연마또는에칭법등으로조절하여상기청색LED칩의전체두께를 50um ~ 400um가되도록조절할수있다. 상기백색광출력을위한적색형광체로는, N( 예,CaAlSiN 3 :Eu) 을포함하는질화물 (Nitride) 계형광체를사용할 수있다. 이러한질화물계적색형광체는황화물 (Sulfide) 계형광체보다열, 수분등의외부환경에대한신뢰성이우수할뿐만아니라변색위험이작다. 특히, 고색재현성을얻기위해특정범위 (430 ~ 465nm) 로한정한청색 LED 칩의주파장에서높은형광체여기효율을갖는다. 기타, Ca 2 Si 5 N 8 :Eu 등의다른질화물계형광체나황화물계형광체가적색형광체로사용될수도있다. 녹색형광체로는, β-sialon:eu의질화물계또는 - 5 -

6 (Ba x,sr y,mg z )SiO 4 :Eu 2+, F, Cl (0<x, y 2, 0 z 2, 0ppm F, Cl ppm) 의실리케이트 (Silicate) 계형광 체를사용할수있다. 이러한질화물계및실리케이트형광체도상기청색 LED 칩의주파장범위 (430 ~ 465nm) 에서높은여기효율을갖는다. <50> 바람직하게는, 청색 LED 칩의반치폭 (FWHM) 은 10~50nm 이고, 녹색형광체의반치폭은 30~150nm 이고, 적색형광체 의반치폭은 50~200nm 정도이다. 각광원이상기한범위의반치폭을가짐으로써, 보다좋은색균일성및색품질 의백색광을얻게된다. 특히, 청색 LED 칩의주파장과반치폭을각각 430 ~ 465nm 및 10~50nm 로한정함으로써, CaAlSiN 3 :Eu 적색형광체의효율과 β-sialon:eu계또는 (Ba x,sr y,mg z )SiO 4 :Eu 2+, F, Cl (0<x, y 2, 0 z 2, 0ppm F, Cl ppm) 계녹색형광체효율을크게향상시킬수있다. 상기청색 LED 칩은주파장범위가 380~430nm인자외선 (UV) LED칩으로바꿀수도있는데, 이경우백색광을출력하기위해서는투광성투명수지 (116) 에적어도청색, 녹색, 적색형광체가포함되어야한다. 청색형광체로는 (Ba, Sr, Ca) 5 (PO 4 ) 3 Cl:(Eu 2+, Mn 2+ ) 또는 Y 2 O 3 :(Bi 3+, Eu 2+ ) 들중에서선택하여사용할수있으며, 녹색및적색형광체는상기 YAG계, TAG계, Silicate계, Sulfide계또는 Nitride계중에서선택사용할수있다. <51> <52> <53> <54> <55> <56> <57> <58> <59> 백색광을출력하기위한백색LED는형광체를사용하지않고도만들수있다. 예를들면청색광을발하는질화물계의 InGaN 및 / 또는 GaN로구성된제1 양자우물층상및 / 또는하에상기청색광과는다른파장 ( 예, 황색광 ) 을내는제2 양자우물층을하나더형성함으로써상기청색광과의조합으로백색광을발하는 LED칩을만들수있다. 상기양자우물층은다중양자우물구조일수있으며, 우물층을형성하는 InGaN의 In양을조절하여제1 및제 2 양자우물층을만들수있다. 상기제1 양자우물층이 UV영역 (380 ~ 430nm) 의광을발한다면, 상기제 2 양자우물층은청색광을, 그리고제3양자우물층은황색광을발하게활성층의 In양을조절하여만들수있다. 한편상기함몰부 (118) 는상기캐비티 (117) 의바닥면에노출되는리드프레임 (112,113) 의상부면이하부로일정깊이함몰형성된다. 이러한상기함몰부 (118) 는적어도하나의발광칩 (111) 이탑재되는리드프레임 (112) 의일단부에하향절곡되는절곡부로구비되며, 이러한절곡부는상기발광칩 (111) 이탑재되는평평한탑재면과, 상기탑재면으로부터좌우양측으로일정각도상향경사지게연장되어상기발광칩 (111) 의외부면과마주하는좌우한쌍의하부경사면 (112a,112a) 으로구비된다. 이러한하부경사면 (112a,112a) 에는상기발광칩 (111) 의발광시발생된빛을반사시킬수있도록반사부재가구비될수도있다. 이러한함몰부 (118, 118a) 의형성깊이 (H) 는이에탑재되는발광칩 (111) 의높이 (h) 를고려하여 50μm ~400μm깊이이면충분한것이다. 이렇게함으로써, 패키지본체의캐비티의높이 (H) 를 150μm ~500μm로낮출수있으며, 캐비티내에충진되는투광성투명수지의충진사용량을줄여제조원가를절감하고, 또한광휘도를향상시킬수있는한편, 제품의소형화를도모할수있는것이다. 그리고, 상기요홈 (118a) 에탑재된발광칩 (111) 의외부면과마주하는리드프레임 (112,113) 단부에는상기발광칩 (111) 의발광시발생된빛을반사시킬수있도록반사부재가구비되는하부경사면 (112b,113b) 을각각구비하는것이바람직하다. 한편, 상기와같은구성을갖는발광다이어드패키지 (100,100a) 는캐비티 (117) 의정중앙에배치되는발광칩 (111) 이상기리드프레임 (112) 에하향절곡형성되는절곡부의탑재면에탑재되거나서로마주하는리드프레임 (112,113) 의서로마주하는단부사이에함몰형성되는요홈 (118a) 에탑재됨으로써, 상기리드프레임 (112,113) 과금속와이어 (114a,114b) 를매개로하여와이어본딩되는발광칩 (111) 의상부면은상기리드프레임 (112,113) 의상부면높이와대략적으로동일해지도록배치할수도있다. 이러한경우, 상기발광칩 (111) 과와이어본딩되는금속와이어 (114a,114b) 의최대높이는상기발광칩 (111) 의탑재높이가낮아진만큼낮출수있는것이다. 이에따라, 상기발광칩 (111) 및금속와이어 (114a,114b) 를보호하도록상기캐비티 (117) 에충진되는투광성투명수지 (116) 의충진량을줄일수있는한편, 상기투광성수지의충진높이 (H) 도상기발광칩 (111) 의탑재높이가낮아진만큼낮출수있고, 이로인하여상기발광칩의발광시발생된빛의광휘도를종래에비하여상대적으로높일수있는것이다

7 <60> <61> <62> <63> <64> <65> <66> 그리고, 상기캐비티 (117) 에충진되는투광성투명수지 (116) 의충진높이 (H) 를낮춤으로서상기패키지본체 (115) 몸체의상단높이도상기충진높이가낮아진만큼낮추어패키지의전체크기를보다소형화할수있는것이다. 도 6의 (a) 내지 (c) 은본발명에따른발광다이오드패키지에서외부의리드프레임을형성하는공정을도시한개략도이다. 도 6의 (a) 내지 (c) 를참조하면, 우선, 음, 양극리드프레임 (112, 113) 은몸체대부분이수지물로사출성형되는패키지몸체 (115) 에일체로고정되지만단부는외부전원과연결될수있도록상기패키지몸체 (115) 의외부면으로노출된다 ( 도 6의 (a)). 상기패키지몸체 (115) 의외부로하향노출된리드프레임 (112, 113) 은패키지의측면및 / 또는하면을통해절곡되어캐비티 (117) 가형성되어진발광면과는반대방향으로절곡되어형성되어진다. 본발명의패키지 (100) 에서는상기패키지외부로하향노출된리드프레임 (112, 113) 은패키지의실장면 ( 바닥면, 119) 의측면및 / 또는뒷면 ( 후방또는하부 ) 으로리드프레임이절곡형성되어있다. 형성과정은먼저패키지바닥면으로노출된리드프레임 (112) 의끝부분을 1차로절곡하여패키지 (100) 의측면쪽형상에맞추고그다음 ( 도 6의 (b)), 패키지바닥면 (119) 의후방으로절곡하여전체리드프레임 (112) 형상을완성한다 ( 도 6의 (c)). 본발명은특정한실시예에관하여도시하고설명하였지만, 당업계에서통상의지식을가진자라면이하의특허청구범위에기재된본발명의사상및영역을벗어나지않는범위내에서본발명을다양하게수정및변경시킬수있음을밝혀두고자한다. <67> <68> <69> <70> <71> <72> <73> <74> <75> <76> <77> <78> <79> 도면의간단한설명도 1은일반적인발광다이오드패키지를도시한단면도이다. 도 2는일반적인발광다이오드패키지에서투광성투명수지의도팅 (dotting) 량변화에따른광휘도변화를도시한그래프로서, (a) 는 0.6T 발광다이오드패키지의경우이고, (b) 는 0,8T 발광다이오드패키지의경우이다. 도 3은본발명에따른발광다이오드패키지의제1실시예를도시한단면도이다. 도 4는본발명에따른발광다이오드패키지의제2실시예를도시한단면도이다. 도 5는본발명에따른발광다이오드층에형성되는 V-형상의왜곡구조를나타낸것으로, (a) 는평평한성장면과경사진성장면을도시한단면모식도이고, (b) 는경사진성장면이점선표시된단면실물사진이며, (c) 는표면요철이나타난평면사진이다. 도 6의 (a) 내지 (c) 은본발명에따른발광다이오드패키지에서외부의리드프레임을형성하는공정을도시한개략도이다. < 도면의주요부분에대한부호의설명 > 111 : 발광칩 112,113 ; 리드프레임 <80> 114a,114b : 금속와이어 115 : 패키지본체 <81> <82> 116 : 투광성투명수지 117 : 캐비티 118 : 함몰부 100 : 발광다이오드패키지 - 7 -

8 도면 도면 1 도면 2-8 -

9 도면 3 도면 4-9 -

10 도면

11 도면

특허청구의 범위 청구항 1 복수개의 프리캐스트 콘크리트 부재(1)를 서로 결합하여 연속화시키는 구조로서, 삽입공이 형성되어 있고 상기 삽입공 내면에는 나사부가 형성되어 있는 너트형 고정부재(10)가, 상기 프리캐스 트 콘크리트 부재(1) 내에 내장되도록 배치되는 내부

특허청구의 범위 청구항 1 복수개의 프리캐스트 콘크리트 부재(1)를 서로 결합하여 연속화시키는 구조로서, 삽입공이 형성되어 있고 상기 삽입공 내면에는 나사부가 형성되어 있는 너트형 고정부재(10)가, 상기 프리캐스 트 콘크리트 부재(1) 내에 내장되도록 배치되는 내부 (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) E01D 19/12 (2006.01) E01D 2/00 (2006.01) E01D 21/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0036938 (22) 출원일자 2011년04월20일 심사청구일자 2011년04월20일 (65) 공개번호 10-2012-0119156