슬라이드 1

Size: px
Start display at page:

Download "슬라이드 1"

Transcription

1 GaN 기판제작공정 시스넥스기술연구소 박기연

2 내 용 1. 시스넥스및 HVPE 장비소개 2.GaN 기판제작개요 3. GaN Epi 공정 (HVPE 방법 ) 4. GaN LLO 공정 5. GaN polishing 공정

3 시스넥스소개 (4-1) 회사연혁및사업분야 회사설립 x2 GaN MOCVD 개발 ( 국내및중국납품 ) x2 HVPE 장비개발 ( 국내 S그룹등납품 ) x2 상압 GaN MOCVD 개발 ( 국내 S그룹등납품 ) x2 ZnO MOCVD 개발 ( 국내대학납품 ) 자체운영 GaN + ZnO_ 2 Chamber MOCVD 개발 자체운영 HVPE 장비개발완료 시스넥스주력제품 : MOCVD, HVPE, Wafer bonder, Gas cabinet, Gas scrubber

4 시스넥스소개 (4-2) MOCVD ( 상압, 저압 ) 제품명 : 유기금속화학기상증착기 (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 모델명 : Marvel series ( 6 x 2 ) 용도 : 질화물반도체 (GaN : Gallium Nitride) 박막성장 주요구성 : 반응기 (Reactor), 공정가스공급장치 (Gas Delivery System), 제어부 응용분야 : 청색, 녹색, 백색고휘도 LED 제조핵심공정

5 시스넥스소개 (4-3) HVPE 제품명 : 수소화합물기상증착기 (Hydride Vapor Phase Epitaxy) 모델명 : Wonder series 용도 : 질화물반도체후막성장 응용분야 : 질화갈륨 (GaN) 기판 (Wafer) 제조 8x2 Two Flow HVPE 1x2 Vertical HVPE 3x2 Horizontal HVPE

6 시스넥스소개 (4-4) ZnO MOCVD 제품명 : 산화아연유기금속기상증착기 (MOCVD for Zinc Oxide) 모델명 : Zeus series 사용온도 : < 1200 Heating Type : RF 사용 Source : DEZn, Cp2Mg, TEGa, TEP. 사용가스 : O 2, N 2 O, N 2, Ar, H 2.

7 GaN 기판제작개요 (7-1) 질화물반도체 (GaN) 기술개요 세계 LED & Lamp 시장 -2 Bonding -기판표면처리 -GaN표면처리 조명시장 => 2012년약2천억불시장을형성 LED로광원교체 => 조명시장확대예상 => 미국 2025년조명기구 50 % 대체 * 관련근거 : Global Information. Inc,

8 GaN 기판제작개요 (7-2) 질화물반도체기판의필요성 Heteroepitaxy No GaN Substrate Homoepitaxy GaN LED Al 2 O 3 GaN LED (5 μm ) Al 2 O 3 GaAs LED GaAs Sub Large Lattice Mismatch Difference in Thermal Expansion Threading Defect Residual Strains 내부 / 외부양자효율특성저하 LED/ LD 특성향상기간지연 Low defect -GaN 기판요구 1. HVPE ( 수소화기상증착법 ) - 성장률이빠르고대용량가능 - 현재가장각광을받고있는방법 Cf. 고온고압법

9 GaN 기판제작개요 (7-3) GaN 기판제작을위한 HVPE 장치의개략도 HVPE ( Hydride Vapor Phase Epitaxy ) Reaction 2HCl(g) 2HCl(g) + + 2Ga(l) 2Ga(l) 2GaCl(g) 2GaCl(g) + + H 2 (g) 2 (g) GaCl(l) GaCl(l) + + NH NH 3 (g) 3 (g) GaN(s) GaN(s) + + HCl(g) HCl(g) + + H 2 (g) 2 (g) Materials HCl, NH 3, N 2, DCS, Metal Ga, MO-source(available) -. NH 3 : HCl ratio is typically 30 : 1 -. Growth rate typically 100 μm /hr -. Low cost, High growth rate -. Possibility of Expanding to Multi-Wafer Processing

10 GaN 기판제작개요 (7-4) GaN 기판제작을위한고온고압장치의개략도 HPS( High Pressure Solution ) GaN melting at high nitrogen pressure ( 6 GPa ) high temperature ( 2497 K ) Experimental conditions - high nitrogen pressure ( 2 GPa ) - high temperature ( 2000 K ) Internal diameter : 4, 6, 10 cm Cryst. Res. Technol. 42, No. 12, (2007) XRD FWHM (002) 20 ~ 30 arcsec for 1mm crystal 30 ~ 40 arcsec for 1 3 mm

11 GaN 기판제작개요 (7-5) TopGaN offers high-quality HVPE GaN crystals. Properties: Transparent and colorless Dislocation density : 10 7 cm -2 XRD rocking curve : arcsec Thickness : mm Surface area up to : 400 mm 2 The resulting surfaces have an RMS surface roughness less than 5 Â with a clearly visible atomic step structure. The resistivity of GaN : Fe is greater than 10^8 ohm-cm at room temperature, as shown in the COREMA resitivity map.

12 GaN 기판제작개요 (7-6) C-Plane, N-Type Gallium Nitride (GaN) Substrates - 2" rounds, 18x18mm and 10x10mm squares C-Plane, Semi-Insulating Gallium Nitride (GaN) Substrates - 18x18mm and 10x10mm squares Non-polar, N-Type Gallium Nitride (GaN) Substrates - 5x10mm and 7x15mm bars - M-plane [1-100], A-plane [11-20] - Other planes available on request Nothing information of GaN substrate

13 GaN 기판제작개요 (7-7) GaN -HVPE grown Single Crystal Substrate (0001), 5 x 5 x 0.3 mm, one side polished (1sp) $ GaN -HVPE grown Single Crystal Substrate (0001), 10 x 10 x 0.32 mm, $1, one side polished (1sp) Specifications of Substrate Orientation: <0001> +/-0.5 edge : (11-20) Dimension: 10x10 x /-0.05 mm Dislocation density: <5x10 6 / cm 2 Microscpic defect density: < 10 / cm 2 Usable surface area: > 95% Polished: One side epi polished by CMP Roughness: Ra < 10 A Surface Roghness: < 10 A by AFM Conductivity: N type Resistivity: ohm-cm Therer-conductivity: 220 W/ m-k

14 GaN Epi 공정 (HVPE) (8-1) Sysnex HVPE system 1 Capacity : 1x2 Gas Flow : Vertical Flow type Growth Rate : ~200um/h Source Temp. : Max 800 Growth Temp. : Max 1200 Gas : N 2, HCl, NH 3 [Input Flange] [Wafer Unloading]

15 GaN Epi 공정 (HVPE) (8-2) Sysnex HVPE system 2 HCl Ga N 2 N 2 NH 3 NH 3 Growth condition Source Temp. : ~ 700 Growth Temp. : ~ 1050 HCl flow : ~ 100 sccm NH 3 flow : ~ 1000 sccm Growth rate : ~ 200 um / hr Rotation speed : ~ 10 rpm GaCl GaN Rotation Vertical HVPE Schematic

16 GaN Epi 공정 (HVPE) (8-3) HVPE-GaN (~20 um)/mocvd-gan (1 um)/sapphire Microscope SEM X 100 XRD Intensity (arb. units) XRD Intensity (arb. units) XRD (002) Angle (arcsec) FWHM 339 arcsec (102) Angle (arcsec) FWHM 365 arcsec

17 GaN Epi 공정 (HVPE) (8-4) HVPE-GaN ( 20 um )/Sapphire Microscope X 500 SEM XRD Intensity (arb. units) XRD Intensity (arb. units) XRD Angle (arcsec) FWHM 406 arcsec FWHM 375 arcsec (002) (102) Angle (arcsec)

18 GaN Epi 공정 (HVPE) (8-5) MOCVD-GaN ( 2 um )/HVPE-GaN ( 10 um)/sapphire Microscope X 100 X 500 SEM HVPE GaN 위에 MOCVD GaN 성장시 Crack 발생 * Crack 방지를위한최적화필요

19 GaN Epi 공정 (HVPE) (8-6) 후막 GaN 성장 ( 보고자료 ) GaN GaN * S 사 data GaN GaN intermediate layer sapphire sapphire Crack free Thick GaN 성장을위한 Key points GaN 와 sapphire 사이의 stress 완화층성장필요 표면처리, Bowing 최소화필요 ( Epi crack, LLO 적용시 crack 발생줄임 )

20 GaN Epi 공정 (HVPE) (8-7) 후막 GaN 성장방향 1 ( 시스넥스 HVPE ) Growth condition Microscope Source Temp. : ~ 700 Growth Temp. : 950 ~ 1050 HCl flow : ~ 100 sccm NH 3 flow : ~ 1000 sccm X 100 Growth rate : ~ 150 um / hr Rotation speed : ~ 10 rpm Thick GaN ( ~ 300 um ) - unloading speed : 5 rpm / ~ 90 min - run to run growth time : 8 hr Intermediate layer Intermediate layer -Low Temp

21 GaN Epi 공정 (HVPE) (7-7) GaN / Sapphire Bowing (1) (2) 에서의 bowing 측정 두께편차 : 15 um 633 sapphire GaN GaN sapphire Deflection ( um ) Crack free GaN(100um)/sapphire(430um) Length ( mm ) Bowing 최소화필요 ( Epi crack, LLO 적용시 crack 발생줄임 )

22 GaN LLO 공정 (HVPE) (1-1) Laser Lift off process Laser Lift off : 355nm Nd-YAG laser ( ~ 780mJ/cm 2 ) Operation laser power : ~ 450 mj/cm 2 Problems ( During the laser lift -off ) Crack free 400 μm GaN / Sapphire => Wafer broken Wafer : temp. up to the ~ 800 => Wafer broken 355nm Nd-YAG laser laser lift -off and wafer bonding Bonding materials Epoxy, In-Pd, SeS2, BCB, ethyl cyanoacrylate(c6h7no2) Thin film GaN LED (backside) Thin film GaN (backside) Thick GaN

23 GaN polishing (2-2) Polished GaN Microscope Polished freestanding GaN AFM Polished freestanding GaN X 100 RMS : 3 A TEM image Before ICP ( ~ 3000A ) Before ICP ( ~ 3000A ) After ICP ( ~ 3000A ) ~ 2000A Polished freestanding GaN

untitled

untitled Synthesis and structural analysis of nano-semiconductor material 2005 2 Synthesis and structural analysis of nano-semiconductor material 2005 2 . 2005 2 (1) MOCVD ZnO (2) MOCVD gallium oxide < gallium

More information

구리 전해도금 후 열처리에 따른 미세구조의 변화와 관련된 Electromigration 신뢰성에 관한 연구

구리 전해도금 후 열처리에 따른 미세구조의 변화와 관련된 Electromigration 신뢰성에 관한 연구 工學碩士學位論文 Electromigration-resistance related microstructural change with rapid thermal annealing of electroplated copper films 2005 年 2 月 仁荷大學校大學院 金屬工學科 朴賢皒 - 1 - 工學碩士學位論文 Electromigration-resistance related

More information

KAERIAR hwp

KAERIAR hwp - i - - ii - - iii - - iv - - v - - vi - Photograph of miniature SiC p-n and Schottky diode detector Photograph SiC chip mounted on a standard electrical package Photograph of SiC neutron detector with

More information

14.fm

14.fm Journal of the Korean Ceramic Society Vol. 44, No. 2, pp. 93~97, 2007. Preparation of High Purity Si Powder by SHS Chang Yun Shin, Hyun Hong Min, Ki Seok Yun, and Chang Whan Won Engineering Research Center

More information

1. 교육목표 1) LED 산업의현장중심적실무능력함양 2) LED 산업신규인력의선실무지식습득 3) LED 제조공정실습을통한신기술개발 GaP & GaN LED 제조공정단기간교육 ( 이론 : 4 시간, 실습 12 시간 ) 제 1 강 Epitaxy (pn junction)

1. 교육목표 1) LED 산업의현장중심적실무능력함양 2) LED 산업신규인력의선실무지식습득 3) LED 제조공정실습을통한신기술개발 GaP & GaN LED 제조공정단기간교육 ( 이론 : 4 시간, 실습 12 시간 ) 제 1 강 Epitaxy (pn junction) 2012 Educational Program for LED Manufacturing Practice LED 제조공정실무 2012. 05. 31-06. 02 김선태 한밭대학교정보전자부품소재연구소 1. 교육목표 1) LED 산업의현장중심적실무능력함양 2) LED 산업신규인력의선실무지식습득 3) LED 제조공정실습을통한신기술개발 GaP & GaN LED 제조공정단기간교육

More information

歯김유성.PDF

歯김유성.PDF BIT/ST/LSCO/MgO Variations of Microstructures and Electrical Properties of BIT/ST/LSCO/MgO Epitaxial Films by Annealing 2003 2 BIT/ST/LSCO/MgO Variations of Microstructures and Electrical Properties of

More information

17(1)-06.fm

17(1)-06.fm Krean J. Crystallgraphy Vl., N. 1, pp.14~18, 006 LP-MOCVD w ZnO ù Ÿw p Á yá * w w» w» l Structural and Optical Prperties f ZnO Nanwires Synthesized by LP-MOCVD Prcess Yung-Jin Chi, Jae-Hwan Park and Jae-Gwan

More information

<313630313032C6AFC1FD28B1C7C7F5C1DF292E687770>

<313630313032C6AFC1FD28B1C7C7F5C1DF292E687770> 양성자가속기연구센터 양성자가속기 개발 및 운영현황 DOI: 10.3938/PhiT.25.001 권혁중 김한성 Development and Operational Status of the Proton Linear Accelerator at the KOMAC Hyeok-Jung KWON and Han-Sung KIM A 100-MeV proton linear accelerator

More information

I. 회사의 개요 1. 회사의 개요 1. 연결대상 종속회사 개황(연결재무제표를 작성하는 주권상장법인이 사업보고서, 분기ㆍ 반기보고서를 제출하는 경우에 한함) 상호 설립일 주소 주요사업 직전사업연도말 자산총액 지배관계 근거 주요종속 회사 여부 (주)이수엑사보드 2004년

I. 회사의 개요 1. 회사의 개요 1. 연결대상 종속회사 개황(연결재무제표를 작성하는 주권상장법인이 사업보고서, 분기ㆍ 반기보고서를 제출하는 경우에 한함) 상호 설립일 주소 주요사업 직전사업연도말 자산총액 지배관계 근거 주요종속 회사 여부 (주)이수엑사보드 2004년 분 기 보 고 서 (제 40 기) 사업연도 2011년 01월 01일 2011년 09월 30일 부터 까지 금융위원회 한국거래소 귀중 2011년 11월 14일 회 사 명 : (주)이수페타시스 대 표 이 사 : 홍정봉 본 점 소 재 지 : 대구광역시 달성군 논공읍 본리리 29-54 (전 화) 053-610-0300 (홈페이지) http://www.petasys.com

More information

가. 회사의 법적, 상업적 명칭 당사의 명칭은 주성엔지니어링 주식회사라고 표기합니다. 또한 영문으로는 JUSUNG Engineering Co., Ltd. 라 표기합니다. 나. 설립일자 및 존속기간 당사는 반도체, FPD, 태양전지, 신재생에너지, LED 및 OLED 제

가. 회사의 법적, 상업적 명칭 당사의 명칭은 주성엔지니어링 주식회사라고 표기합니다. 또한 영문으로는 JUSUNG Engineering Co., Ltd. 라 표기합니다. 나. 설립일자 및 존속기간 당사는 반도체, FPD, 태양전지, 신재생에너지, LED 및 OLED 제 분 기 보 고 서 (제 18 기) 사업연도 2012년 01월 01일 2012년 03월 31일 부터 까지 금융위원회 한국거래소 귀중 2012 년 5 월 15 일 회 사 명 : 주성엔지니어링(주) 대 표 이 사 : 황 철 주 본 점 소 재 지 : 경기도 광주시 오포읍 능평리 49 (전 화) 031-760-7000 (홈페이지) http://www.jseng.com

More information

00....

00.... Fig. 1 2.5%. 51.5%, 46.0%,.. /, Table 1 (U.V.; Ultraviolet 10-400 nm)/ (NIR; Near Infrared 700 nm - 5 µm) ( TiO 2, WO 3, ZnO, CeO, ATO, Sb 2O 3-ZnO, ITO.) (400 nm - 780 nm). /. Fig. 1.. 23 Table 1. / /

More information

<BACEBDBAC5CD20BAEAB7CEBCC52D A2DC3D6C1BE2D312D E6169>

<BACEBDBAC5CD20BAEAB7CEBCC52D A2DC3D6C1BE2D312D E6169> DOOCH PUMP Intelligent pressure boosting system 5Hz BOOSTER PUMP SYSTEM Water supply system Pressure boosting system Irrigation system Water treatment system Industrial plants 두크펌프 www.doochpump.com CONTENTS

More information

歯4.PDF

歯4.PDF 21 WDM * OADM MUX/DEMUX EDFA Er + Doped Fiber Isolator Isolator GFF WDM Coupler 1.48 um LD 1.48 um LD Transmitter Receiver MUX EDFA OADM DEMUX Switch Fiber Optics Micro Optics Waveguide Optics Isolator,

More information

19(1) 02.fm

19(1) 02.fm Korean J. Crystallography Vol. 19, No. 1, pp.7~13, 2008 Ÿ (ICISS) w š t w (2): t w y w œw Surface Structure Analysis of Solids by Impact Collision Ion Scattering Spectroscopy (2): Atomic Structure of Semiconductor

More information

한국콘베어-AP8p

한국콘베어-AP8p K O R E A C O N V E Y O R K.C AP APRON CONVEYOR Apron Conveyors are used for conveying various bulk materials. They are particulary suitable for conveying hot materials such as clinker. K.C Apron Conveyors

More information

4.fm

4.fm Journal of the Korean Ceramic Society Vol. 46, No. 1, pp. 30~34, 2009. Optimization of Glass Wafer Dicing Process using Sand Blast Won Seo, Young-mo Koo*, Jae-Woong Ko**, and Gusung Kim Department of Electronic

More information

DISPLAY CLASS Electronic Information Displays CRT Flat Panel Display Projection Emissive Display Non Emissive Display Cathode Ray Tube Light Valve FED

DISPLAY CLASS Electronic Information Displays CRT Flat Panel Display Projection Emissive Display Non Emissive Display Cathode Ray Tube Light Valve FED 2002. 4. 4. DISPLAY CLASS Electronic Information Displays CRT Flat Panel Display Projection Emissive Display Non Emissive Display Cathode Ray Tube Light Valve FED VFD PDP OLED ELD LED LCD ECD DMD DC Type

More information

Microsoft PowerPoint - dev6_TCAD.ppt [호환 모드]

Microsoft PowerPoint - dev6_TCAD.ppt [호환 모드] TCAD: SUPREM, PISCES 김영석 충북대학교전자정보대학 2012.9.1 Email: kimys@cbu.ac.kr k 전자정보대학김영석 1 TCAD TCAD(Technology Computer Aided Design, Technology CAD) Electronic design automation Process CAD Models process steps

More information

( )-91.fm

( )-91.fm Journal of the Korean Ceramic Society Vol. 46, No. 6, pp. 673~678, 2009. DOI:10.4191/KCERS.2009.46.6.673 Effect of MgO Buffer Layer on the Structural Properties of Sputter-grown ZnO Thin Film Young Soo

More information

www.ezled.co.kr EZ COB LIGHTING 2015 SUNIL ELECOMM NEW COB 01 COB (Chip-on-Board) LED란? COB (CHIP ON BOARD) 한 개의 Module에 여러 개의 LED Chip을 Packaging한 것으로 여러 개의 부품을 하나의 기판 위에 일체화함으로써 발광부가 집약적으로 설계되어 고출력의

More information

Microsoft Word - SRA-Series Manual.doc

Microsoft Word - SRA-Series Manual.doc 사 용 설 명 서 SRA Series Professional Power Amplifier MODEL No : SRA-500, SRA-900, SRA-1300 차 례 차 례 ---------------------------------------------------------------------- 2 안전지침 / 주의사항 -----------------------------------------------------------

More information

슬라이드 1

슬라이드 1 APR1400 KNF/ / 2008. 4. 11 13 Table of Contents 1. APR1400 LBLOCA (Now vs. Before) 2. 3. 4. 13 2 1. APR1400 LBLOCA (Now vs. Before) Now Before 13 3 1. APR1400 LBLOCA (Now vs. Before) PCT Before Now SIT

More information

(Table of Contents) 2 (Specifications) 3 ~ 10 (Introduction) 11 (Storage Bins) 11 (Legs) 11 (Important Operating Requirements) 11 (Location Selection)

(Table of Contents) 2 (Specifications) 3 ~ 10 (Introduction) 11 (Storage Bins) 11 (Legs) 11 (Important Operating Requirements) 11 (Location Selection) SERVICE MANUAL (Table of Contents) 2 (Specifications) 3 ~ 10 (Introduction) 11 (Storage Bins) 11 (Legs) 11 (Important Operating Requirements) 11 (Location Selection) 12 (Storage Bins) 12 (Ice Machine)

More information

2

2 02 1 1 22 36 38 46 5 1 54 61 65 77 81 2 _ 3 4 _ 5 6 _7 8 _ 9 1 0 _ 11 1 2 _ 13 1 4 _ 15 1 6 _ 17 1 8 _ 19 2 0 _ 21 2 2 www.kats.go.kr www.kats.go.kr _ 23 Scope of TC/223 Societal security International

More information

Vertical Probe Card Technology Pin Technology 1) Probe Pin Testable Pitch:03 (Matrix) Minimum Pin Length:2.67 High Speed Test Application:Test Socket

Vertical Probe Card Technology Pin Technology 1) Probe Pin Testable Pitch:03 (Matrix) Minimum Pin Length:2.67 High Speed Test Application:Test Socket Vertical Probe Card for Wafer Test Vertical Probe Card Technology Pin Technology 1) Probe Pin Testable Pitch:03 (Matrix) Minimum Pin Length:2.67 High Speed Test Application:Test Socket Life Time: 500000

More information

82-01.fm

82-01.fm w y wz 8«( 2y) 57~61, 2005 J. of the Korean Society for Environmental Analysis p w w Á Á w w» y l Analysis of Influence Factors and Corrosion Characteristics of Water-pipe in Potable Water System Jae Seong

More information

Coriolis.hwp

Coriolis.hwp MCM Series 주요특징 MaxiFlo TM (맥시플로) 코리올리스 (Coriolis) 질량유량계 MCM 시리즈는 최고의 정밀도를 자랑하며 슬러리를 포함한 액체, 혼합 액체등의 질량 유량, 밀도, 온도, 보정된 부피 유량을 측정할 수 있는 질량 유량계 이다. 단일 액체 또는 2가지 혼합액체를 측정할 수 있으며, 강한 노이즈 에도 견디는 면역성, 높은 정밀도,

More information

1 n dn dt = f v = 4 π m 2kT 3/ 2 v 2 mv exp 2kT 2 f v dfv = 0 v = 0, v = /// fv = max = 0 dv 2kT v p = m 1/ 2 vfvdv 0 2 2kT = = vav = v f dv π m

1 n dn dt = f v = 4 π m 2kT 3/ 2 v 2 mv exp 2kT 2 f v dfv = 0 v = 0, v = /// fv = max = 0 dv 2kT v p = m 1/ 2 vfvdv 0 2 2kT = = vav = v f dv π m n dn dt f v 4 π m kt 3/ v mv exp kt f v dfv 0 v 0, v /// fv max 0 dv kt v p m / vfvdv 0 kt vav. 8v f dv π m k m 0 v / R0 4 T vav.45 0 cm / sec M M p v v fvdv 0 3 fvdv 0 kt m / 3kT v v. 5 m rms v p n dn

More information

GLHPS-D

GLHPS-D Digital Hot Plate & Stirrer GLHPS-D 글로벌랩의 제품을 구입하여 주셔서 감사드립니다. 제품을 사용하시기 전에 안전을 위한 준비사항 을 읽고 올바르게 사용해 주십시오. 이 사용설명서는 제품을 직접 사용하시는 분에게 보내어지도록 하여 주십시오. 사용 전 주의 사항 제품을 올바르게 사용하여 위험이나 재산상의 피해를 막기 위한 내용으로 반드시

More information

CERIUM OXIDE Code CeO CeO 2-035A CeO 2-035B CeO REO % CeO 2 /REO % La 2 O 3 /REO %

CERIUM OXIDE Code CeO CeO 2-035A CeO 2-035B CeO REO % CeO 2 /REO % La 2 O 3 /REO % 희토류 SPEC CERIUM OXIDE Code CeO 2-040 CeO 2-035A CeO 2-035B CeO 2-025 REO % 99 99 98 97.5 CeO 2 /REO % 99.99 99.98 99.95 99.50 La 2 O 3 /REO % 0.004 0.01 0.03 0.1 0.01 (1) Pr 6 O 11 /REO % 0.003 0.004 0.015

More information

歯140김광락.PDF

歯140김광락.PDF 2001 / Separation of Hydrogen Isotopes/Helium Using Gas Chromatography,,,, 150 196 C / He, H 2 D 2 Abstract In the hydrogen isotope facility and the fuel cycle of the fusion reactor, an effective means

More information

TEL:02)861-1175, FAX:02)861-1176 , REAL-TIME,, ( ) CUSTOMER. CUSTOMER REAL TIME CUSTOMER D/B RF HANDY TEMINAL RF, RF (AP-3020) : LAN-S (N-1000) : LAN (TCP/IP) RF (PPT-2740) : RF (,RF ) : (CL-201)

More information

REVERSIBLE MOTOR 표지.gul

REVERSIBLE MOTOR 표지.gul REVERSIBLE MOTOR NEW H-SERIES REVERSIBLE MOTOR H-EX Series LEAD WIRE w RH 1PHASE 4 POLE PERFORMANCE DATA (DUTY : Min.) MOTOR OUTPUT VOLTAGE (V) FREQUENCY (Hz) INPUT CURRENT (ma) RATING SPEED (rpm) STARTING

More information

Development of culture technic for practical cultivation under structure in Gastrodia elate Blume

Development of culture technic for practical cultivation under structure in Gastrodia elate Blume Development of culture technic for practical cultivation under structure in Gastrodia elate Blume 1996. : 1. 8 2. 1 1998. 12. : : ( ) : . 1998. 12 : : : : : : : : : : - 1 - .. 1.... 2.. 3.... 1..,,.,,

More information

유기 발광 다이오드의 전하주입 효율 향상을 통한 발광효율 향상 연구

유기 발광 다이오드의 전하주입 효율 향상을 통한 발광효율 향상 연구 - i - - ii - - iii - - iv - - v - - vi - 그림차례 - vii - - viii - - 1 - 5). - 2 - - 3 - 유기발광다이오드 ( 고분자또는저분자 ) 무기발광다이오드 (p-n junction LED) - + cathode ETL EML HTL HIL anode 발광 두께 : 100 ~ 200 nm 양극 ( 투명전극,

More information

歯174구경회.PDF

歯174구경회.PDF 000 KALIMER - Creep-Fatigue Damage Evaluation of KALIMER Reactor Internal Structures for Elevated Temperature, 150 KALIMER ASME Code Case N-01-4 0 - - - Abstract In this paper, the design limits of the

More information

대표이사등의 확인, 서명 I. 회사의 개요 1. 회사의 개요 가. 회사의 법적, 상업적 명칭 당사의 명칭은 '엘아이지에이디피주식회사'('LIG에이디피주식회사'라 칭하며), 영문으 로는 'LIG ADP Co.,Ltd.'(약호 LIG ADP)라 표기합니다. 나. 설립일자

대표이사등의 확인, 서명 I. 회사의 개요 1. 회사의 개요 가. 회사의 법적, 상업적 명칭 당사의 명칭은 '엘아이지에이디피주식회사'('LIG에이디피주식회사'라 칭하며), 영문으 로는 'LIG ADP Co.,Ltd.'(약호 LIG ADP)라 표기합니다. 나. 설립일자 사 업 보 고 서 (제 10 기) 사업연도 2010년 01월 01일 2010년 12월 31일 부터 까지 금융위원회 한국거래소 귀중 2011년 3월 31일 회 사 명 : 엘아이지에이디피주식회사 대 표 이 사 : 허광호 본 점 소 재 지 : 경기도 성남시 상대원동 333-5 (전 화) 031-778-1114 (홈페이지) http://www.ligadp.com 작

More information

<4D F736F F F696E74202D20B3AAB3EBC8ADC7D0B0F8C1A4202DB3AAB3EBB1E2BCFA2E BC8A3C8AF20B8F0B5E55D>

<4D F736F F F696E74202D20B3AAB3EBC8ADC7D0B0F8C1A4202DB3AAB3EBB1E2BCFA2E BC8A3C8AF20B8F0B5E55D> NANOTECHNOLOGY 2008. 3. 13 ( 목 ) 이길선 나노기술 (Nano Technology) 나노미터 (1nm = 1x10-9 m : 10억분의 1미터 ) 크기의물질을조작하고제어하는기술 나노 : 그리스어로난쟁이를의미함 지구 백두산 사람핀머리적혈구 DNA 원자 10 3 km km m ( 백만 ) ( 천 ) (1) mm (1/ 천 ) μm (1/

More information

02 Reihe bis 750 bar GB-9.03

02 Reihe bis 750 bar GB-9.03 Water as a tool High-Pressure Plunger Pumps 02-Line (up to 750 bar) 252 702 1002 1502 1852 2502 Technical Data High-Pressure Plunger Pump Type 252 / 702 approx. 1.8 l approx. 50 kg net 45 mm/1.77 inch

More information

untitled

untitled [ ] œwz, 21«6y(2008) J. of the Korean Society for Heat Treatment, Vol. 21, No. 6, (2008) pp. 300~306 š y w p x*, **Á **Áy y* * ** w œ w œw, w» gœ Solid State Diffusion Brazing of the Aluminum Alloy Castings

More information

09.249~256(07-087).fm

09.249~256(07-087).fm [ ] w Á wz (J. Kor. Inst. Met. & Mater.) Vol. 46, No.4, pp. 249~256 (2008) 3' p rl w"m v ;O0 Ÿ w p e w 1 Á x 1 Á w 1 Á½k 2 Á½ x 1, * 1 û w œw 2w» Ÿ ù q Effect of oxygen partial pressure on the optical

More information

3GA1Æ2Æ3 /4GA1Æ2Æ3 Series B-137

3GA1Æ2Æ3 /4GA1Æ2Æ3 Series B-137 3GA1Æ2Æ3 /4GA1Æ2Æ3 Series B-137 4GA1 1 0 C6 E2 P 1 3GA1 1 0 C6 E2 P 1 3GA123/4GA123 Series 1 2 3 4 5 1 11 C4 C6 C8 C10 M5 06 08 E0 E00 E01 E02 E03 E2 E20 E21 E22 E23 E0N E2N E3 E1 E01J E02J E03J E21J E22J

More information

국706.fm

국706.fm Carbon Science Vol. 7, No. 4 December 2006 pp. 271-276 Effect of Heating Rate and Pressure on Pore Growth of Porous Carbon Materials Kwang Youn Cho, Kyong Ja Kim and Doh Hyung Riu Division of Nano Materials

More information

실적 및 전망 09년 하반 PECVD 고객 다변화에 따른 실적개선 10년 태양광 R&D 장비 매출을 반으로 본격적인 상업생산 시작 1. 09년 3Q 실적 동사는 09년 3Q에 매출과 영업이익으로 각각 142 억원(YoY 16.7%, QoQ 142%), 6 억원(흑전환)

실적 및 전망 09년 하반 PECVD 고객 다변화에 따른 실적개선 10년 태양광 R&D 장비 매출을 반으로 본격적인 상업생산 시작 1. 09년 3Q 실적 동사는 09년 3Q에 매출과 영업이익으로 각각 142 억원(YoY 16.7%, QoQ 142%), 6 억원(흑전환) KRP Report (3회차) GOLDEN BRIDGE Research - 스몰켑 - Not Rated 테스 (095610) 공정미세화 추세의 수혜, 태양광 장비의 매출 가시화로 견조한 성장 작성일: 2009.11.18 발간일: 2009.11.19 3Q 실적 동사의 3분에 매출과 영업이익은 각각 141.5 억원(QoQ 142%), 6 억원(흑전)이다. 목표가

More information

INDUCTION MOTOR 표지.gul

INDUCTION MOTOR 표지.gul INDUCTION MOTOR NEW HSERIES INDUCTION MOTOR HEX Series LEAD WIRE TYPE w IH 1PHASE 4 POLE PERFORMANCE DATA (DUTY : CONTINUOUS) MOTOR TYPE IHPF10 IHPF11 IHPF IHPF22 IHPFN1U IHPFN2C OUTPUT 4 VOLTAGE

More information

DC Link Application DC Link capacitor can be universally used for the assembly of low inductance DC buffer circuits and DC filtering, smoothing. They

DC Link Application DC Link capacitor can be universally used for the assembly of low inductance DC buffer circuits and DC filtering, smoothing. They DC Link Capacitor DC Link Application DC Link capacitor can be universally used for the assembly of low inductance DC buffer circuits and DC filtering, smoothing. They are Metallized polypropylene (SH-type)

More information

1 Nov-03 CST MICROWAVE STUDIO Microstrip Parameter sweeping Tutorial Computer Simulation Technology

1   Nov-03 CST MICROWAVE STUDIO Microstrip Parameter sweeping Tutorial Computer Simulation Technology 1 CST MICROWAVE STUDIO Microstrip Parameter sweeping Tutorial Computer Simulation Technology wwwcstcom wwwcst-koreacokr 2 1 Create a new project 2 Model the structure 3 Define the Port 4 Define the Frequency

More information

: : : : : : : : : : : : - 1 -

: : : : : : : : : : : : - 1 - : : : : : : : : : : : : - 1 - Ⅰ Ⅱ Ⅲ - 2 - Ⅳ - 3 - Ⅴ - 4 - - 5 - - 6 - - 7 - - 8 - 제 1 장 연구개발과제의개요 μm mm cm cm - 9 - - 1 - - 11 - - 12 - - 13 - - 14 - 제 2 장 국내외기술개발현황 - 15 - - 16 - - 17 - - 18 - - 19 -

More information

DBPIA-NURIMEDIA

DBPIA-NURIMEDIA 한국소음진동공학회 2015추계학술대회논문집년 Study of Noise Pattern and Psycho-acoustics Characteristic of Household Refrigerator * * ** ** Kyung-Soo Kong, Dae-Sik Shin, Weui-Bong Jeong, Tae-Hoon Kim and Se-Jin Ahn Key Words

More information

- 1 -

- 1 - - 1 - - 2 - - 3 - - 4 - - 5 - - 6 - ι κ λ β β β β β - 7 - - 8 - - 9 - - 1 - - 11 - 마. - 12 - - 13 - - 14 - - 15 - - 16 - - 17 - - 18 - - 19 - - 2 - - 21 - - 22 - - 23 - - 24 - ι κ λ β β - 25 - - 26 - -

More information

page 1end

page 1end C 0.0.2 ma Cr 14.5~16.5 Co 2.5 max Iron 4~7 Mn 1 max Mo 15 ~ 17 Ni Balance P 0.03 max Si 0.08 max S 0.03 max W 3 ~ 4.5 V 0.35 max 8.89g/cm 3 Multipurpose corrosion resistance of NickelMolybdenumChrome.

More information

Corporation Limited MODEL 제 품 제 원 스텐레스장축 NS_100 10A -사용압력 : 5.0 MPa -사용온도: -196 ~+60 -사용유체 : LN₂, LO₂, LAr, -사용용도 : 초저온배관, 초저온 저장탱크, 기타 50A Cryogenic

Corporation Limited MODEL 제 품 제 원 스텐레스장축 NS_100 10A -사용압력 : 5.0 MPa -사용온도: -196 ~+60 -사용유체 : LN₂, LO₂, LAr, -사용용도 : 초저온배관, 초저온 저장탱크, 기타 50A Cryogenic ( 주 ) 엔에스티이 GAS MARKET Corporation Limited MFR Cryogenic Valve Multi-Functional Regulator for Cryogenic Storage -MFR-ELP( 감압 / 승압기능 ) -MFR-EL( 기액절제방식감압 ) MC 500 Regulator (sus belows type) - 대유량 (300~700N

More information

nano(편집) hwp

nano(편집) hwp Regular Paper J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng. Vol. 28, No. 10, pp. 652-657 October 2015 DOI: http://dx.doi.org/10.4313/jkem.2015.28.10.652 ISSN 1226-7945 (Print), 2288-3258 (Online) 충남대학교에너지과학기술대학원에너지과학기술학과

More information

untitled

untitled Huvitz Digital Microscope HDS-5800 Dimensions unit : mm Huvitz Digital Microscope HDS-5800 HDS-MC HDS-SS50 HDS-TS50 SUPERIORITY Smart Optical Solutions for You! Huvitz Digital Microscope HDS-5800 Contents

More information

한국전지학회 춘계학술대회 Contents 기조강연 LI GU 06 초강연 김동욱 09 안재평 10 정창훈 11 이규태 12 문준영 13 한병찬 14 최원창 15 박철호 16 안동준 17 최남순 18 김일태 19 포스터 강준섭 23 윤영준 24 도수정 25 강준희 26

한국전지학회 춘계학술대회 Contents 기조강연 LI GU 06 초강연 김동욱 09 안재평 10 정창훈 11 이규태 12 문준영 13 한병찬 14 최원창 15 박철호 16 안동준 17 최남순 18 김일태 19 포스터 강준섭 23 윤영준 24 도수정 25 강준희 26 2015 한국전지학회 춘계학술대회 2일차 한국전지학회 춘계 학술대회(신소재 및 시장동향 관련 주제 발표) 시간 제목 비고 세션 1 차세대 이차전지용 in-situ 분석기술 좌장 : 윤성훈 09:00~09:30 Real-time & Quantitative Analysis of Li-air Battery Materials by In-situ DEMS 김동욱(한국화학연구원)

More information

<4D F736F F F696E74202D20454D49A3AF454D43BAEDB7CEBCC52EBBEABEF7BFEBC6F7C7D428BBEFC8ADC0FCC0DA >

<4D F736F F F696E74202D20454D49A3AF454D43BAEDB7CEBCC52EBBEABEF7BFEBC6F7C7D428BBEFC8ADC0FCC0DA > Materials Material Grades : PL Series Applicaton : Power transformer and Inductor Grades μi Freq. (MHz) Pcv 1) (Kw/ m3 ) Bs 2) (mt) Materials Characteristics PL-7 2,400 ~ 0.2 410 390 Mn-Zn Low loss PL-9

More information

본문.PDF

본문.PDF ' Zr-Nb-Sn-Fe-X Evaluation of Corrosion and Mechanical Properties of Zr-Nb-Sn-Fe-X Alloys for Fuel Claddings,,, 15 36 LiOH 4 Zr-Nb-Sn-Fe-X. LiOH Zr-Nb-Sn-Fe-X, LiOH Zircaloy-4.. 47 52. Abstract The corrosion

More information

한약재품질표준화연구사업단 단삼 ( 丹參 ) Salviae Miltiorrhizae Radix 생약연구과

한약재품질표준화연구사업단 단삼 ( 丹參 ) Salviae Miltiorrhizae Radix 생약연구과 한약재품질표준화연구사업단 단삼 ( 丹參 ) Salviae Miltiorrhizae Radix 생약연구과 - 1 - KP 11 CP 2015 Salvia miltiorrhizae Radix Salviae Miltiorrhizae Radix et Rhizoma Salvia miltiorrhiza Bunge Salvia miltiorrhiza Bunge salvianolic

More information

fm

fm [ ] w wz DOI: 10.3740/MRSK.2009.19.12.692 Kor. J. Mater. Res. Vol. 19, No. 12 (2009) y INCONEL 718w Gas Tungsten Arc Welding» p sƒ ½»y Á *Á *Á y** ( ) d lj p wœq, *w wœ» q **( ) d lj p t Mechanical Properties

More information

윤활유 개발 동향 및 연구 사례

윤활유 개발 동향 및 연구 사례 0.3% 3.4% 40,530 4.9% 71,000 4,414 '00 '06 '10 HMC KMC ( ( 195 ( 125 ( ( ( EUROPE ASIA N. AMERICA AFRICA Hyundai Kia S. AMERICA Overseas Plant India OCEANIA : 300,000 Turkey : 200,000 China : 500,000 U.S.A

More information

[ 화학 ] 과학고 R&E 결과보고서 나노입자의표면증강을이용한 태양전지의효율증가 연구기간 : ~ 연구책임자 : 김주래 ( 서울과학고물리화학과 ) 지도교사 : 참여학생 : 원승환 ( 서울과학고 2학년 ) 이윤재 ( 서울과학고 2학년 ) 임종

[ 화학 ] 과학고 R&E 결과보고서 나노입자의표면증강을이용한 태양전지의효율증가 연구기간 : ~ 연구책임자 : 김주래 ( 서울과학고물리화학과 ) 지도교사 : 참여학생 : 원승환 ( 서울과학고 2학년 ) 이윤재 ( 서울과학고 2학년 ) 임종 [ 화학 ] 과학고 R&E 결과보고서 나노입자의표면증강을이용한 태양전지의효율증가 연구기간 : 2013. 3 ~ 2013. 12 연구책임자 : 김주래 ( 서울과학고물리화학과 ) 지도교사 : 참여학생 : 원승환 ( 서울과학고 2학년 ) 이윤재 ( 서울과학고 2학년 ) 임종찬 ( 서울과학고 2학년 ) 소재원 ( 서울과학고 2학년 ) 1,.,.,.... surface

More information

2019 년차세대디스플레이연구센터 공정및사용료 ( 안 ) ~ 차세대디스플레이연구센터 -

2019 년차세대디스플레이연구센터 공정및사용료 ( 안 ) ~ 차세대디스플레이연구센터 - 2019 년차세대디스플레이연구센터 공정및사용료 ( 안 ) 2019.01.01 ~ 12.31 - 차세대디스플레이연구센터 - - 차례 - Ⅰ. 일반적요율원칙 Ⅱ. 공정, 장비이용요율및분석료 1. 공정및장비이용요율 가 ) 15 X 15 cm 2 급자동화공정나 ) 15 X 15 cm 2 급 LC 셀제작공정다 ) Organic 증착공정라 ) 단위공정 2. 측정, 시뮬레이션및공정개발요율

More information

CD-6208_SM(new)

CD-6208_SM(new) Digital Amplifier MA-110 CONTENTS Specifications... 1 Electrical parts list... 2 top and bottom view of p.c. board... 10 Application... 12 block Diagram... 13 Schematic Diagram... 14 Exploded view of cabinet

More information

64.fm

64.fm Journal of the Korean Ceramic Society Vol. 44, No. 7, pp. 375~380, 2007. Tribological Properties of Carbon Layers Produced by High Temperature Chlorination in Comparison with DLC Coating Hyun-Ju Choi,

More information

2015 년도반도체장비 재료성능평가사업공고품목및사양 ( 10, 14, 5 ) Photo/PR KrF LED WEE 노광장비 Reticle particle 검사Unit ARF i NTD BARC KrF Positive PR Etch TSV Gas Chiller 냉매 Di

2015 년도반도체장비 재료성능평가사업공고품목및사양 ( 10, 14, 5 ) Photo/PR KrF LED WEE 노광장비 Reticle particle 검사Unit ARF i NTD BARC KrF Positive PR Etch TSV Gas Chiller 냉매 Di 2015 년도반도체장비 재료성능평가사업공고품목및사양 ( 10, 14, 5 ) PhotoPR KrF LED WEE 노광장비 Reticle particle 검사Unit ARF i NTD BARC KrF Positive PR Etch TSV Gas Chiller 냉매 Diff SiC Susceptor SiC Pre Heat Ring Multi Point OES 고온용

More information

저작자표시 - 비영리 - 변경금지 2.0 대한민국 이용자는아래의조건을따르는경우에한하여자유롭게 이저작물을복제, 배포, 전송, 전시, 공연및방송할수있습니다. 다음과같은조건을따라야합니다 : 저작자표시. 귀하는원저작자를표시하여야합니다. 비영리. 귀하는이저작물을영리목적으로이용할수없습니다. 변경금지. 귀하는이저작물을개작, 변형또는가공할수없습니다. 귀하는, 이저작물의재이용이나배포의경우,

More information

(specifications) 3 ~ 10 (introduction) 11 (storage bin) 11 (legs) 11 (important operating requirements) 11 (location selection) 12 (storage bin) 12 (i

(specifications) 3 ~ 10 (introduction) 11 (storage bin) 11 (legs) 11 (important operating requirements) 11 (location selection) 12 (storage bin) 12 (i SERVICE MANUAL N200M / N300M / N500M ( : R22) e-mail : jhyun00@koreacom homepage : http://wwwicematiccokr (specifications) 3 ~ 10 (introduction) 11 (storage bin) 11 (legs) 11 (important operating requirements)

More information

목차 생활용품오염물질방출시험및방출특성연구 (IV) - 전기 전자제품방출오염물질권고기준 ( 안 ) 도출 - ⅰ ⅱ ⅲ Abstract ⅳ 환경기반연구부생활환경연구과 Ⅰ,,,,,, 2010 Ⅱ i

목차 생활용품오염물질방출시험및방출특성연구 (IV) - 전기 전자제품방출오염물질권고기준 ( 안 ) 도출 - ⅰ ⅱ ⅲ Abstract ⅳ 환경기반연구부생활환경연구과 Ⅰ,,,,,, 2010 Ⅱ i 목차 2010-33-1208 11-1480523-000711-01 생활용품오염물질방출시험및방출특성연구 (IV) - 전기 전자제품방출오염물질권고기준 ( 안 ) 도출 - ⅰ ⅱ ⅲ Abstract ⅳ 환경기반연구부생활환경연구과 Ⅰ,,,,,, 2010 Ⅱ i 목차 목차 Ⅲ Ⅳ i ii 목차 Abstract iii iv Abstract Ⅰ. 서론 Ⅰ iv 1 Ⅰ.

More information

( Full Automatic Printer ) 작용업종 : Tube Light ( 형광등 1.2m / 2.4m) 가로등조명. 인테리어산업용조명 Loader 1.2m Stencil Solder LED LD812V Reflow 8 to 10 Hot Air Convecti

( Full Automatic Printer ) 작용업종 : Tube Light ( 형광등 1.2m / 2.4m) 가로등조명. 인테리어산업용조명 Loader 1.2m Stencil Solder LED LD812V Reflow 8 to 10 Hot Air Convecti Autotronik-SMT GmbH LED Assembly 위한장비구성도 Printer LED Pick & Place Reflow V-Cutting Model 1 1.2m Tube LED " 양산 " 장비 Full Vision Auto Printer 1.2m LED Pick & Place LED Reflow 10 Zone LED Multi V-Cutting

More information

Slide 1

Slide 1 레이저미세가공서비스 Business Area 레이저미세가공서비스범위 ( 주 ) 코썸사이언스레이저미세가공서비스 10 년이상축적된독자적이고전문화된레이저응용기술을보유하고있어다양한 application 제공. 샘플의 thermal expansion 극소화로최대의가공정밀도와정확한테스트결과제공. Small volume Order Mass production Laser

More information

05-1Ưº°±âȹ

05-1Ưº°±âȹ OLED OLED OLED Interlayer λ OLED OLED PM OLED α PM OLED Getter Cover glass Substrate Organic film structure Light emission Anode Sealant ~10VDC Glass Substrate Column: Data line Row: Scan line Metal

More information

12.077~081(A12_이종국).fm

12.077~081(A12_이종국).fm J. of Advanced Engineering and Technology Vol. 1, No. 1 (2008) pp. 77-81 y w» e wx Á w œw Fabrication of Ceramic Batch Composition for Porcelain by Using Recycled Waste Ceramic Powder Hyun Guen Han, and

More information

기능.PDF

기능.PDF 1 1) 1 2) SK COMPLEX 1 Heating Cooling 3) 1 2 2 3 1) 2 2) 3 4 1) Floating Type Heat Exchanger 8 2) Fixed Type Heat Exchanger 11 3) U-Type Heat Exchanger 13 4) Air Fan Cooler 15 5) Double Pipe Heat Exchanger

More information

67~81.HWP

67~81.HWP 기술현황분석 나노 기공성 에어로겔 제조기술 및 응용현황 안 영 수 / 기능소재연구센터 요 약 나노 기공성 에어로겔 제조기술 및 응용현황 한국에너지기술연구원 Property Value Bulk Density Internal surface area % solid Mean pore diameter Primary particle diameter Index of refraction

More information

Promise for Safe & Comfortable Driving

Promise for Safe & Comfortable Driving AL. WHEEL CUTTING SOLUTION Promise for Safe & Comfortable Driving 17 AL. WHEEL CUTTING SOLUTION 19 22.5 L-AW SERIES AL WHEEL TURNING CENTER 01 03 02 01 01 L-AW SERIES AL WHEEL TURNING CENTER 02 03 L-AW

More information

16(5)-03(56).fm

16(5)-03(56).fm Journal of Korean Powder Metallurgy Institute DOI: 10.4150/KPMI.2009.16.5.316 ƒ w Fe œ w Cu wy SPS (I) I. ƒ wy y Á xá½ Á½ *Á½{ a w œw, a w» gœ Production of Fe Amorphous Powders by Gas-atomization Process

More information

Chap3.SiliconOxidation.hwp

Chap3.SiliconOxidation.hwp 반도체공정 Chap3. Silicon Oxidation 1 Chap. 3. Silicon Oxidation 주요내용 : - silicon dioxide(sio2) 를형성하기위한산화공정 - 산화공정과정의불순물의재분포현상 - SiO2 file의특성과두께측정방법 Why silicon in modern integrated circuit? Ge : 1950년대주로사용

More information

Business Area 레이저 미세가공 서비스 범위 (주)코썸사이언스 레이저 미세가공 서비스 Mass Production ü 10년 이상 축적된 독자적이고 전문화된 레이저 응용기술을 보유하고 있어 다양한 application 제공. ü샘플의 thermal expans

Business Area 레이저 미세가공 서비스 범위 (주)코썸사이언스 레이저 미세가공 서비스 Mass Production ü 10년 이상 축적된 독자적이고 전문화된 레이저 응용기술을 보유하고 있어 다양한 application 제공. ü샘플의 thermal expans 레이저 미세가공 서비스 Business Area 레이저 미세가공 서비스 범위 (주)코썸사이언스 레이저 미세가공 서비스 Mass Production ü 10년 이상 축적된 독자적이고 전문화된 레이저 응용기술을 보유하고 있어 다양한 application 제공. ü샘플의 thermal expansion 극소화로 최대의 가공 정밀도와 정확한 테스트 결과 제공. Small

More information

untitled

untitled X-Ray FLUORESCENCE NON-DESSTRUCTIVE & NON-CONTAC COATING THICKNESS TESTER EX-3000 Ex WIN Ver.1.00 INSTRUCTION MANUAL ELEC FINE INSTRUMENTS CO., LTD 2-31-5 CHUO, NAKANO-KU, TOKYO, JAPAN PHONE : (03) 3365-4411

More information

untitled

untitled Chapter 5 Gases 3 5.1 2 NaN 3 (s) 2Na(s) + 3N 2 (g) Air bag 45.5L sodium azide?,,? 3 5.2 ? 1.,,, 2. P, V, n, T ( ) 3. 3 5.3 5.1,, = 1L = 10 3 cm 3 = 10-3 m 3 m=m n ( ) T k = t c + 273.15 : psi, mmhg, atm(

More information

LYOUT O TH HIN (Dimensions in mm) ending radius R Lp Lf H ORDRING RKT TYP (ree nd racket)

LYOUT O TH HIN (Dimensions in mm) ending radius R Lp Lf H ORDRING RKT TYP (ree nd racket) LOW DUST LOW NOIS L HIN! Min Max nsb 020R lean Room Type nsb020r, nsb022r nsb028r, nsb035r rames are assembled at every link. nsb045r, nsb060r, nsb0r MTRIL hain material: PS-amide UL94-H Low Noise: TUV

More information

Using Material of High Quality! ST 044N LYOUT O TH HIN Ls: Stroke Lp: Loop Length Lf: Loop Projection Hs: Safe Space (Dimensions in mm) ending radius

Using Material of High Quality! ST 044N LYOUT O TH HIN Ls: Stroke Lp: Loop Length Lf: Loop Projection Hs: Safe Space (Dimensions in mm) ending radius Min Max ST 044N MTRIL hain material: PS-polyamide with glass fiber reinforced UL94-H Low Noise Low Mote Speed : 10m / sec Temperature : -30 ~ +130 Other installation Length: Vertical curve above= max 2.0m

More information

Microsoft Word - Shield form gasket.doc

Microsoft Word - Shield form gasket.doc Shield Form Gasket (P/N: UKB10-LS10-190-5, UKB6-LN6-200-5, UKU13-3-150-8, URB10-R5-200-D, URB5-1.5-200-4, URB8-4-180-4, URB9-1-200-D, URU10-3-150-8) 1 Shield form gasket ( 주 ) 뉴티씨 ( NewTC ) 1-1 Description

More information

(2) : :, α. α (3)., (3). α α (4) (4). (3). (1) (2) Antoine. (5) (6) 80, α =181.08kPa, =47.38kPa.. Figure 1.

(2) : :, α. α (3)., (3). α α (4) (4). (3). (1) (2) Antoine. (5) (6) 80, α =181.08kPa, =47.38kPa.. Figure 1. Continuous Distillation Column Design Jungho Cho Department of chemical engineering, Dongyang university 1. ( ).... 2. McCabe-Thiele Method K-value. (1) : :, K-value. (2) : :, α. α (3)., (3). α α (4) (4).

More information

solution map_....

solution map_.... SOLUTION BROCHURE RELIABLE STORAGE SOLUTIONS ETERNUS FOR RELIABILITY AND AVAILABILITY PROTECT YOUR DATA AND SUPPORT BUSINESS FLEXIBILITY WITH FUJITSU STORAGE SOLUTIONS kr.fujitsu.com INDEX 1. Storage System

More information

untitled

untitled Logistics Strategic Planning pnjlee@cjcci.or.kr Difference between 3PL and SCM Factors Third-Party Logistics Supply Chain Management Goal Demand Management End User Satisfaction Just-in-case Lower

More information

Introduction Capillarity( ) (flow ceased) Capillary effect ( ) surface and colloid science, coalescence process,

Introduction Capillarity( ) (flow ceased) Capillary effect ( ) surface and colloid science, coalescence process, Introduction Capillarity( ) (flow ceased) Capillary effect ( ) surface and colloid science, coalescence process, Introduction Capillary forces in practical situation Capillary Model A Capillary Model system,

More information

2

2 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 60.27(2.37) 490.50(19.31) 256.00 (10.07) 165.00 111.38 (4.38) 9.00 (0.35) 688.00(27.08) 753.00(29.64) 51.94 (2.04) CONSOLE 24CH 32CH 40CH 48CH OVERALL WIDTH mm (inches) 1271.45(50.1)

More information

Turbine Digital Flowmeter SEMI U+ 특징 PVC, PTFE, P.P, PVDF 등 다양한 재질 Size, 유량, Connection별 주문제작 정밀성, 내화학성이 우수 4~20mA, Alarm, 통신(RS485) 등 출력 제품과 Controll

Turbine Digital Flowmeter SEMI U+ 특징 PVC, PTFE, P.P, PVDF 등 다양한 재질 Size, 유량, Connection별 주문제작 정밀성, 내화학성이 우수 4~20mA, Alarm, 통신(RS485) 등 출력 제품과 Controll Turbine Digital Flowmeter SEMI U+ 특징 PVC, PTFE, P.P, PVDF 등 다양한 재질 Size, 유량, Connection별 주문제작 정밀성, 내화학성이 우수 4~20mA, Alarm, 통신(RS485) 등 출력 제품과 Controller의 장착 및 사용이 편리 Specification (사양) 적용유체 : 액체 (D.I or

More information

소개.PDF

소개.PDF (c) Process Pressure Measurement 1 Process Pressure Measurement Flow, Level, Temperature Flow, Level, Temperature, 2, 1) ( ),, A F F/A 2), 3 (a) (b) (a) (b) (c) 1 (a) (ABSOLUTE PRESSURE), 10 kg/cm 2 abs

More information

untitled

untitled 전방향카메라와자율이동로봇 2006. 12. 7. 특허청전기전자심사본부유비쿼터스심사팀 장기정 전방향카메라와자율이동로봇 1 Omnidirectional Cameras 전방향카메라와자율이동로봇 2 With Fisheye Lens 전방향카메라와자율이동로봇 3 With Multiple Cameras 전방향카메라와자율이동로봇 4 With Mirrors 전방향카메라와자율이동로봇

More information

PowerPoint 프레젠테이션

PowerPoint 프레젠테이션 ECO 조명 2014. 09. 19 2012. 07. 30 목차 1. ECO 조명 2. LED 개요 3. LED 요소기술 4. LED Applications 1. ECO 조명 정의 - 친환경, 고효율, 장수명의반도체광원을기반으로하는조명 - 일반조명, 수송기기, 농수산, 의료 / 환경, 정보통신등다양한분야에서활용하는조명 범위 - 반도체광원기반의조명기기, 이를구성하는광원

More information

01-베타전지용(25)

01-베타전지용(25) Journal of Radiation Industry 8 (3) : 141~146 (2014) Note 베타전지용 PN 접합반도체표면에도금된 Ni 후막의특성 김진주 엄영랑 * 박근용 손광재 한국원자력연구원동위원소이용연구부 Characteristics of Electroplated Ni Thick Film on the PN Junction Semiconductor

More information

e hwp

e hwp TITLE 'Dew Pressure Calculation for the Condenser Pressure' IN-UNITS ENG DEF-STREAMS CONVEN ALL DESCRIPTION " General Simulation with English Units : F, psi, lb/hr, lbmol/hr, Btu/hr, cuft/hr. Property

More information

슬라이드 1

슬라이드 1 LED 제조공정및공정기술 (Sapphire 결정과응용 ) DK 아즈텍 박종관 Contents LED 산업의소개 Sapphire, Single Crystal Sapphire 응용범위 GaN chip 공정소개 결론및토론 Introduction 지구온난화현상과녹색성장 Clean 에너지생산 / 에너지절약 LED 산업의핵심소재 : Sapphire, GaN, SiC,

More information

12(4) 10.fm

12(4) 10.fm KIGAS Vol. 12, No. 4, December, 2008 (Journal of the Korean Institute of Gas) l x CNG» v m s w ½ Á y w» œw (2008 9 30, 2008 12 10, 2008 12 10 k) Numerical Analysis for Temperature Distribution and Thermal

More information

Introductiuon

Introductiuon 대면적및고속증착을위한원통형타겟타입 pulsed dc magnetron sputtering 에서두께변화에따른 AZO 박막의 특성변화 신범기 a, 이태일 a, 박강일 b, 안경준 b, 명재민 a 연세대학교신소재공학부, SNTEK Thickness dependence of Al-doped ZnO film properties prepared by using the

More information

歯전용]

歯전용] 2001. 9. 6 1. 1. (1) (1) 1 (2) (2) 2 3 INVESTER PROFESIONAL ORGANIZATION GOVERNMENT CODE COMMITTEE SPECIFICATION CODE LAW LICENSE PERMIT PLANT 4 5 6 7 2. (1) 2. (1) 8 9 (2) (2) 10 (3) ( ). () 20kg/ (P70,

More information

CD-6208_K

CD-6208_K Operation Manual CD/MP3/WMA/WAV Player CD-610U POWER OFF CD-610U 1 2 CD-610U CD-610U 3 4 CD-610U CD-610U 5 26 CD-610U CD-610U 37 5 6 7 8 CD / MP3 / WMA / WAV PLAYER INSERT COMPACT DISC SELECT HIGH QUALITY

More information