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- 정남 감
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1 GaN 기판제작공정 시스넥스기술연구소 박기연
2 내 용 1. 시스넥스및 HVPE 장비소개 2.GaN 기판제작개요 3. GaN Epi 공정 (HVPE 방법 ) 4. GaN LLO 공정 5. GaN polishing 공정
3 시스넥스소개 (4-1) 회사연혁및사업분야 회사설립 x2 GaN MOCVD 개발 ( 국내및중국납품 ) x2 HVPE 장비개발 ( 국내 S그룹등납품 ) x2 상압 GaN MOCVD 개발 ( 국내 S그룹등납품 ) x2 ZnO MOCVD 개발 ( 국내대학납품 ) 자체운영 GaN + ZnO_ 2 Chamber MOCVD 개발 자체운영 HVPE 장비개발완료 시스넥스주력제품 : MOCVD, HVPE, Wafer bonder, Gas cabinet, Gas scrubber
4 시스넥스소개 (4-2) MOCVD ( 상압, 저압 ) 제품명 : 유기금속화학기상증착기 (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 모델명 : Marvel series ( 6 x 2 ) 용도 : 질화물반도체 (GaN : Gallium Nitride) 박막성장 주요구성 : 반응기 (Reactor), 공정가스공급장치 (Gas Delivery System), 제어부 응용분야 : 청색, 녹색, 백색고휘도 LED 제조핵심공정
5 시스넥스소개 (4-3) HVPE 제품명 : 수소화합물기상증착기 (Hydride Vapor Phase Epitaxy) 모델명 : Wonder series 용도 : 질화물반도체후막성장 응용분야 : 질화갈륨 (GaN) 기판 (Wafer) 제조 8x2 Two Flow HVPE 1x2 Vertical HVPE 3x2 Horizontal HVPE
6 시스넥스소개 (4-4) ZnO MOCVD 제품명 : 산화아연유기금속기상증착기 (MOCVD for Zinc Oxide) 모델명 : Zeus series 사용온도 : < 1200 Heating Type : RF 사용 Source : DEZn, Cp2Mg, TEGa, TEP. 사용가스 : O 2, N 2 O, N 2, Ar, H 2.
7 GaN 기판제작개요 (7-1) 질화물반도체 (GaN) 기술개요 세계 LED & Lamp 시장 -2 Bonding -기판표면처리 -GaN표면처리 조명시장 => 2012년약2천억불시장을형성 LED로광원교체 => 조명시장확대예상 => 미국 2025년조명기구 50 % 대체 * 관련근거 : Global Information. Inc,
8 GaN 기판제작개요 (7-2) 질화물반도체기판의필요성 Heteroepitaxy No GaN Substrate Homoepitaxy GaN LED Al 2 O 3 GaN LED (5 μm ) Al 2 O 3 GaAs LED GaAs Sub Large Lattice Mismatch Difference in Thermal Expansion Threading Defect Residual Strains 내부 / 외부양자효율특성저하 LED/ LD 특성향상기간지연 Low defect -GaN 기판요구 1. HVPE ( 수소화기상증착법 ) - 성장률이빠르고대용량가능 - 현재가장각광을받고있는방법 Cf. 고온고압법
9 GaN 기판제작개요 (7-3) GaN 기판제작을위한 HVPE 장치의개략도 HVPE ( Hydride Vapor Phase Epitaxy ) Reaction 2HCl(g) 2HCl(g) + + 2Ga(l) 2Ga(l) 2GaCl(g) 2GaCl(g) + + H 2 (g) 2 (g) GaCl(l) GaCl(l) + + NH NH 3 (g) 3 (g) GaN(s) GaN(s) + + HCl(g) HCl(g) + + H 2 (g) 2 (g) Materials HCl, NH 3, N 2, DCS, Metal Ga, MO-source(available) -. NH 3 : HCl ratio is typically 30 : 1 -. Growth rate typically 100 μm /hr -. Low cost, High growth rate -. Possibility of Expanding to Multi-Wafer Processing
10 GaN 기판제작개요 (7-4) GaN 기판제작을위한고온고압장치의개략도 HPS( High Pressure Solution ) GaN melting at high nitrogen pressure ( 6 GPa ) high temperature ( 2497 K ) Experimental conditions - high nitrogen pressure ( 2 GPa ) - high temperature ( 2000 K ) Internal diameter : 4, 6, 10 cm Cryst. Res. Technol. 42, No. 12, (2007) XRD FWHM (002) 20 ~ 30 arcsec for 1mm crystal 30 ~ 40 arcsec for 1 3 mm
11 GaN 기판제작개요 (7-5) TopGaN offers high-quality HVPE GaN crystals. Properties: Transparent and colorless Dislocation density : 10 7 cm -2 XRD rocking curve : arcsec Thickness : mm Surface area up to : 400 mm 2 The resulting surfaces have an RMS surface roughness less than 5 Â with a clearly visible atomic step structure. The resistivity of GaN : Fe is greater than 10^8 ohm-cm at room temperature, as shown in the COREMA resitivity map.
12 GaN 기판제작개요 (7-6) C-Plane, N-Type Gallium Nitride (GaN) Substrates - 2" rounds, 18x18mm and 10x10mm squares C-Plane, Semi-Insulating Gallium Nitride (GaN) Substrates - 18x18mm and 10x10mm squares Non-polar, N-Type Gallium Nitride (GaN) Substrates - 5x10mm and 7x15mm bars - M-plane [1-100], A-plane [11-20] - Other planes available on request Nothing information of GaN substrate
13 GaN 기판제작개요 (7-7) GaN -HVPE grown Single Crystal Substrate (0001), 5 x 5 x 0.3 mm, one side polished (1sp) $ GaN -HVPE grown Single Crystal Substrate (0001), 10 x 10 x 0.32 mm, $1, one side polished (1sp) Specifications of Substrate Orientation: <0001> +/-0.5 edge : (11-20) Dimension: 10x10 x /-0.05 mm Dislocation density: <5x10 6 / cm 2 Microscpic defect density: < 10 / cm 2 Usable surface area: > 95% Polished: One side epi polished by CMP Roughness: Ra < 10 A Surface Roghness: < 10 A by AFM Conductivity: N type Resistivity: ohm-cm Therer-conductivity: 220 W/ m-k
14 GaN Epi 공정 (HVPE) (8-1) Sysnex HVPE system 1 Capacity : 1x2 Gas Flow : Vertical Flow type Growth Rate : ~200um/h Source Temp. : Max 800 Growth Temp. : Max 1200 Gas : N 2, HCl, NH 3 [Input Flange] [Wafer Unloading]
15 GaN Epi 공정 (HVPE) (8-2) Sysnex HVPE system 2 HCl Ga N 2 N 2 NH 3 NH 3 Growth condition Source Temp. : ~ 700 Growth Temp. : ~ 1050 HCl flow : ~ 100 sccm NH 3 flow : ~ 1000 sccm Growth rate : ~ 200 um / hr Rotation speed : ~ 10 rpm GaCl GaN Rotation Vertical HVPE Schematic
16 GaN Epi 공정 (HVPE) (8-3) HVPE-GaN (~20 um)/mocvd-gan (1 um)/sapphire Microscope SEM X 100 XRD Intensity (arb. units) XRD Intensity (arb. units) XRD (002) Angle (arcsec) FWHM 339 arcsec (102) Angle (arcsec) FWHM 365 arcsec
17 GaN Epi 공정 (HVPE) (8-4) HVPE-GaN ( 20 um )/Sapphire Microscope X 500 SEM XRD Intensity (arb. units) XRD Intensity (arb. units) XRD Angle (arcsec) FWHM 406 arcsec FWHM 375 arcsec (002) (102) Angle (arcsec)
18 GaN Epi 공정 (HVPE) (8-5) MOCVD-GaN ( 2 um )/HVPE-GaN ( 10 um)/sapphire Microscope X 100 X 500 SEM HVPE GaN 위에 MOCVD GaN 성장시 Crack 발생 * Crack 방지를위한최적화필요
19 GaN Epi 공정 (HVPE) (8-6) 후막 GaN 성장 ( 보고자료 ) GaN GaN * S 사 data GaN GaN intermediate layer sapphire sapphire Crack free Thick GaN 성장을위한 Key points GaN 와 sapphire 사이의 stress 완화층성장필요 표면처리, Bowing 최소화필요 ( Epi crack, LLO 적용시 crack 발생줄임 )
20 GaN Epi 공정 (HVPE) (8-7) 후막 GaN 성장방향 1 ( 시스넥스 HVPE ) Growth condition Microscope Source Temp. : ~ 700 Growth Temp. : 950 ~ 1050 HCl flow : ~ 100 sccm NH 3 flow : ~ 1000 sccm X 100 Growth rate : ~ 150 um / hr Rotation speed : ~ 10 rpm Thick GaN ( ~ 300 um ) - unloading speed : 5 rpm / ~ 90 min - run to run growth time : 8 hr Intermediate layer Intermediate layer -Low Temp
21 GaN Epi 공정 (HVPE) (7-7) GaN / Sapphire Bowing (1) (2) 에서의 bowing 측정 두께편차 : 15 um 633 sapphire GaN GaN sapphire Deflection ( um ) Crack free GaN(100um)/sapphire(430um) Length ( mm ) Bowing 최소화필요 ( Epi crack, LLO 적용시 crack 발생줄임 )
22 GaN LLO 공정 (HVPE) (1-1) Laser Lift off process Laser Lift off : 355nm Nd-YAG laser ( ~ 780mJ/cm 2 ) Operation laser power : ~ 450 mj/cm 2 Problems ( During the laser lift -off ) Crack free 400 μm GaN / Sapphire => Wafer broken Wafer : temp. up to the ~ 800 => Wafer broken 355nm Nd-YAG laser laser lift -off and wafer bonding Bonding materials Epoxy, In-Pd, SeS2, BCB, ethyl cyanoacrylate(c6h7no2) Thin film GaN LED (backside) Thin film GaN (backside) Thick GaN
23 GaN polishing (2-2) Polished GaN Microscope Polished freestanding GaN AFM Polished freestanding GaN X 100 RMS : 3 A TEM image Before ICP ( ~ 3000A ) Before ICP ( ~ 3000A ) After ICP ( ~ 3000A ) ~ 2000A Polished freestanding GaN
untitled
Synthesis and structural analysis of nano-semiconductor material 2005 2 Synthesis and structural analysis of nano-semiconductor material 2005 2 . 2005 2 (1) MOCVD ZnO (2) MOCVD gallium oxide < gallium
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工學碩士學位論文 Electromigration-resistance related microstructural change with rapid thermal annealing of electroplated copper films 2005 年 2 月 仁荷大學校大學院 金屬工學科 朴賢皒 - 1 - 工學碩士學位論文 Electromigration-resistance related
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2012 Educational Program for LED Manufacturing Practice LED 제조공정실무 2012. 05. 31-06. 02 김선태 한밭대학교정보전자부품소재연구소 1. 교육목표 1) LED 산업의현장중심적실무능력함양 2) LED 산업신규인력의선실무지식습득 3) LED 제조공정실습을통한신기술개발 GaP & GaN LED 제조공정단기간교육
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BIT/ST/LSCO/MgO Variations of Microstructures and Electrical Properties of BIT/ST/LSCO/MgO Epitaxial Films by Annealing 2003 2 BIT/ST/LSCO/MgO Variations of Microstructures and Electrical Properties of
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양성자가속기연구센터 양성자가속기 개발 및 운영현황 DOI: 10.3938/PhiT.25.001 권혁중 김한성 Development and Operational Status of the Proton Linear Accelerator at the KOMAC Hyeok-Jung KWON and Han-Sung KIM A 100-MeV proton linear accelerator
I. 회사의 개요 1. 회사의 개요 1. 연결대상 종속회사 개황(연결재무제표를 작성하는 주권상장법인이 사업보고서, 분기ㆍ 반기보고서를 제출하는 경우에 한함) 상호 설립일 주소 주요사업 직전사업연도말 자산총액 지배관계 근거 주요종속 회사 여부 (주)이수엑사보드 2004년
분 기 보 고 서 (제 40 기) 사업연도 2011년 01월 01일 2011년 09월 30일 부터 까지 금융위원회 한국거래소 귀중 2011년 11월 14일 회 사 명 : (주)이수페타시스 대 표 이 사 : 홍정봉 본 점 소 재 지 : 대구광역시 달성군 논공읍 본리리 29-54 (전 화) 053-610-0300 (홈페이지) http://www.petasys.com
가. 회사의 법적, 상업적 명칭 당사의 명칭은 주성엔지니어링 주식회사라고 표기합니다. 또한 영문으로는 JUSUNG Engineering Co., Ltd. 라 표기합니다. 나. 설립일자 및 존속기간 당사는 반도체, FPD, 태양전지, 신재생에너지, LED 및 OLED 제
분 기 보 고 서 (제 18 기) 사업연도 2012년 01월 01일 2012년 03월 31일 부터 까지 금융위원회 한국거래소 귀중 2012 년 5 월 15 일 회 사 명 : 주성엔지니어링(주) 대 표 이 사 : 황 철 주 본 점 소 재 지 : 경기도 광주시 오포읍 능평리 49 (전 화) 031-760-7000 (홈페이지) http://www.jseng.com
00....
Fig. 1 2.5%. 51.5%, 46.0%,.. /, Table 1 (U.V.; Ultraviolet 10-400 nm)/ (NIR; Near Infrared 700 nm - 5 µm) ( TiO 2, WO 3, ZnO, CeO, ATO, Sb 2O 3-ZnO, ITO.) (400 nm - 780 nm). /. Fig. 1.. 23 Table 1. / /
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TCAD: SUPREM, PISCES 김영석 충북대학교전자정보대학 2012.9.1 Email: kimys@cbu.ac.kr k 전자정보대학김영석 1 TCAD TCAD(Technology Computer Aided Design, Technology CAD) Electronic design automation Process CAD Models process steps
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02 1 1 22 36 38 46 5 1 54 61 65 77 81 2 _ 3 4 _ 5 6 _7 8 _ 9 1 0 _ 11 1 2 _ 13 1 4 _ 15 1 6 _ 17 1 8 _ 19 2 0 _ 21 2 2 www.kats.go.kr www.kats.go.kr _ 23 Scope of TC/223 Societal security International
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1 n dn dt = f v = 4 π m 2kT 3/ 2 v 2 mv exp 2kT 2 f v dfv = 0 v = 0, v = /// fv = max = 0 dv 2kT v p = m 1/ 2 vfvdv 0 2 2kT = = vav = v f dv π m
n dn dt f v 4 π m kt 3/ v mv exp kt f v dfv 0 v 0, v /// fv max 0 dv kt v p m / vfvdv 0 kt vav. 8v f dv π m k m 0 v / R0 4 T vav.45 0 cm / sec M M p v v fvdv 0 3 fvdv 0 kt m / 3kT v v. 5 m rms v p n dn
GLHPS-D
Digital Hot Plate & Stirrer GLHPS-D 글로벌랩의 제품을 구입하여 주셔서 감사드립니다. 제품을 사용하시기 전에 안전을 위한 준비사항 을 읽고 올바르게 사용해 주십시오. 이 사용설명서는 제품을 직접 사용하시는 분에게 보내어지도록 하여 주십시오. 사용 전 주의 사항 제품을 올바르게 사용하여 위험이나 재산상의 피해를 막기 위한 내용으로 반드시
CERIUM OXIDE Code CeO CeO 2-035A CeO 2-035B CeO REO % CeO 2 /REO % La 2 O 3 /REO %
희토류 SPEC CERIUM OXIDE Code CeO 2-040 CeO 2-035A CeO 2-035B CeO 2-025 REO % 99 99 98 97.5 CeO 2 /REO % 99.99 99.98 99.95 99.50 La 2 O 3 /REO % 0.004 0.01 0.03 0.1 0.01 (1) Pr 6 O 11 /REO % 0.003 0.004 0.015
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