2015 년도반도체장비 재료성능평가사업공고품목및사양 ( 10, 14, 5 ) Photo/PR KrF LED WEE 노광장비 Reticle particle 검사Unit ARF i NTD BARC KrF Positive PR Etch TSV Gas Chiller 냉매 Di

Size: px

Start display at page:

Download "2015 년도반도체장비 재료성능평가사업공고품목및사양 ( 10, 14, 5 ) Photo/PR KrF LED WEE 노광장비 Reticle particle 검사Unit ARF i NTD BARC KrF Positive PR Etch TSV Gas Chiller 냉매 Di"

진아 하
4 years ago
Views:

1 2015 년도반도체장비 재료성능평가사업공고품목및사양 ( 10, 14, 5 ) PhotoPR KrF LED WEE 노광장비 Reticle particle 검사Unit ARF i NTD BARC KrF Positive PR Etch TSV Gas Chiller 냉매 Diff SiC Susceptor SiC Pre Heat Ring Multi Point OES 고온용 Hallogen Lamp EPD Multi Zone 진단시스템 ESC AlN Heater TF 고온 ESC Al target Ti target Edge 산포개선 ACL 설비 C&C Slurry 재생장치 Cu CMP PVA Brush 질소나노버블발생기 MI TSV Via 측정기 LASER 국산화 PKG Wafer Full Cut Laser Saw 장비 PKG Laser Saw 장비 Test High Speed PCard Solution Fine Pitch BI Board Solution Chem 황산대체 Chemical 개발 Gas NF3 대체 Clean 용 Gas HCL 국산화 Spec

2 평가품목및평가항목도출 _Photo_2 건 대상품목 KrF LED WEE 노광장비 Reticle particle 검사 Unit 수요업체 S, H, D D, S, H KrF 248nm 파장 Power >1500mW 검출력 laser 출력안정성 Profile Verticle lifetime >20000Hr lifetime >1year 검출력및해상력 PC size <=5um 평가품목및평가항목도출 _PR_2 건 대상품목 ARF i NTD BARC KrF Positive PR 수요업체 S, H D, S, H DOF >100nm Res : <110nm Etch rate Particle DOF : >0.3um 두께 : 0.3~0.65um 두께 < 1000A 환경안전물질 환경안전물질 Defect free CD variation <3nm Yield Defect free CD Variation<3nm 경시성확인 Pitch: LS = NA: 0.64~0.70 (Ann), PSM - 2 -

3 평가품목및평가항목도출 _Etch_6 건 대상품목 TSV Chiller Gas Chiller 냉매 수요업체 S, H S S, H, D Uniformity 1% Etch rate 1~10ummin Profile 87~90 Set Temp ± 0.5 Response time > 1 sec 추후제시 UPH 20~30매 Hr MTBF : 1000Hr Yield : 동등수준 Transfer : 10K wfs 기존 Chiller 대비가변온도대응속도개선 친환경 No error 기존냉매와동등성능 친환경 (No Error) 대상품목 Multi Point OES EPD 진단시스템 Multi Zone ESC 수요업체 S, H, D S, H, D S, H Resolution < 0.5nm 측정거리 > 150mm 측정파장 200nm~800nm Multi Point 측정 (Bulk à Point Plasma) ex. TopMiddleCenter Multi Point 동시측정방식을통해, Wafer Uniformity 측정 View Port Grid에의한간섭없음 Intensity High Open Area 1 ~ 5% 이내측정가능 OES 파장 + FDC Parameter 조합 : Unetch방지, CDThicnkess 예측하여 APC (Auto Process Control) 기능 Zone 간온도간섭최소 High Temp ESC ( ~120 ) Temp Uniformity <1% Symmetry map 4Zone ESC 이상 Extreme Edge Control 수요업체 : D( 동부하이텍 ), S( 삼성전자 ), H(SK 하이닉스 ) - 3 -

4 평가품목및평가항목도출 _Diff_4 건 대상품목 SiCSusceptor SiC Pre Heat Ring 수요업체 D, S, H D, S, H 고순도그래파이트 두께 Uni. 1.5% 이하 Rs Uni. : 2.0% 이하 Design accuracy Flatness : 이하 Concave : 이하 Life Time 유지 고순도그래파이트 두께 Uni. 1.5% 이하 Rs Uni. : 2.0% 이하 Design accuracy Flatness : 이하 Life Time 유지 양산 고순도유지 고순도유지 성능 표면 SiC Coating 유지 표면 SiC Coating 유지 표면온도유지 표면온도유지 대상품목 고온용 Hallogen Lamp AlN Heater 수요업체 D, S, H S,H 개별 두께 Uni : 1.5% 이하 Rs Uni : 2.0% 이하 120V 4000kwh이상 Design accuracy 700 이상에서내열성 온도변화에대한 lifetime 확인 Non pattern wafer 평가 ( 두께, 산포평가 ) Life Time 유지인증양산 Pattern wafer 평가 보호관 Contamination 없음성능 ( 두께, 산포, 특성평가 ) 고온에서의 life time 평가 - 4 -

5 평가품목및평가항목도출 _TF_3 건 대상품목고온 ESC Al target Ti target Edge 산포개선 ACL 설비 수요업체 S, H D, S, H S,H 개별 고온 chucking (500C~) worn-out 내구성 leakage 최소화 Purity impurity 환경안전평가 비저항 grainsize Sputtering uniformity NO-Ring 조건 Edge 1mm <1% PES Step SKIP Depo+INSITU Bevel Etch기능 인증 Arcing 최소화 film uniformity, 특성치 qual & 수율평가 RsTHK Unif Reflectivity Qual Pass 수율동등수준 PES Vs면적당투자비우수 PC개선조건확보 PES Ch BN 해결 평가품목및평가항목도출 _C&C_3 건 대상품목 Slurry 재생장치 Cu CMP PVA Brush 질소나노버블발생기 수요업체 D, S, H D, S, H D, S, H RR 동일 CMP Particle 동일 Scratch 동일 Contamination 동일 CMP Particle 동일 Scratch 동일 Contamination 동일 Contamination 동일 Particle 동일 Scratch 동일 Patter Damage Free 기존제품성능대비동일수준유지 양산제품생산에따른품질확보 ( 재질, 견고성, 규격, 불량률관리 ) ROI, COO 적합 기존제품성능대비동일수준유지 양산제품생산에따른품질확보 ( 재질, 견고성, 규격, 불량률관리 기존제품성능대비동일수준유지 양산제품생산에따른품질확보 ( 재질, 견고성, 규격, 불량률관리 - 5 -

6 평가품목및평가항목도출 _Mi_2 건 대상품목 TSV Via 측정기 LASER 국산화 수요업체 H D,H Aspect Ratio 1:13 TSV Via Top CD 3um TSV Via Bottom CD 3um TSV Via Depth 150um Ar LASER (633nm) UV LASER (355nm) 계측 Accuracy 1σ 1% T-put 개별 : 50 WP ( 조건 :9points per wafer, 인증 Dual Stage) MTBF >1,000 시간 MTTR <40 시간 Too-to-Tool Matching 90% Lifetime >1 년 Beam Alignment 기술 ZIG 제작기술 MAM Time 10sec point FAB 자동화 (300mm 용 ) 평가품목및평가항목도출 _PKG_2 건 대상품목 Wafer Full Cut Laser Saw장비 PKG Laser Saw장비 수요업체 H H 기초 성능 Die Strength : Blade대비 95% Top Side chipping : 5um Saw Speed : 200mmsec Scribe Lane Width:40μm 절단반복성정밀도 :±2μm Dimension 정확도 :±2μm 개별양산 Wafer Thickness:50μm Throughput:35secSub 인증성능 WPH(50um) : 10 장 (64UnitSub기준) Yield :99.99% ChipVoid Vision Inspection Top chipping : 20um Conversion Kit Auto Change - 6 -

7 평가품목및평가항목도출 _Test_2 건 High Speed PCard Fine Pitch BI 대상품목 Solution Board Solution 수요업체 H, S H, S Alignment(20um), Planarity(25um) Electrical 특성 Correlation(2% 이내 ) 0.35mm Solution Temp.(Hot,~95도 ) Speed: 100MHz Speed: 1GHz, Hot Temp:120도 128Para Concept Meet시평가필요 Meet시평가필요 수요업체 : D( 동부하이텍 ), S( 삼성전자 ), H(SK하이닉스 ) 평가품목및평가항목도출 _Chemical_1 건 대상품목 수요업체 황산대체 Chemical 개발 S, H Bulk PR Strip Time (<1min) Dose [> e13) 他막질 (SiO2, SiN등 ) attack free Single Type Recycle (>10회) Defect (50ea@45nm) 전기적특성 YLD Ÿ Ÿ 친환경 ( 폐수 ) - 7 -

8 평가품목및평가항목도출 _Gas_2 건 대상품목 NF3 대체 Clean 용 Gas HCL 국산화 수요업체 D, H, S D, H, S 기초 PurityImpurity 환경안전평가 PurityImpurity 환경안전평가 성능 세부추후공지 (3 사관리 spec) 세부추후공지 (3 사관리 spec) 단위공정평가 (Particle, CD, PCM) 1,2 단계양산평가 (Yield, 신뢰성 ) 단위공정평가 (Particle, CD, PCM) 1,2 단계양산평가 (Yield, 신뢰성 ) - 8 -

Vertical Probe Card Technology Pin Technology 1) Probe Pin Testable Pitch:03 (Matrix) Minimum Pin Length:2.67 High Speed Test Application:Test Socket

Vertical Probe Card for Wafer Test Vertical Probe Card Technology Pin Technology 1) Probe Pin Testable Pitch:03 (Matrix) Minimum Pin Length:2.67 High Speed Test Application:Test Socket Life Time: 500000