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- 서균 어금
- 5 years ago
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1 LED 제조공정및공정기술 (Sapphire 결정과응용 ) DK 아즈텍 박종관
2 Contents LED 산업의소개 Sapphire, Single Crystal Sapphire 응용범위 GaN chip 공정소개 결론및토론
3 Introduction 지구온난화현상과녹색성장 Clean 에너지생산 / 에너지절약 LED 산업의핵심소재 : Sapphire, GaN, SiC, AlN etc 최종제품 (LED TV, LED Light) LED Module (BLU, 조명 ) LED Chip MOCVD 장비 Wafer ( 기판 ) 단결정성장 Ingot Grower 3 기판용원자재
4 LED 와 GaN epitaxy 파란색으로빛의삼원색구현!!! 무궁무진한응용가능 GaN 의발명과기술혁명 빛의삼원색 White 의구현 - 무한한응용범위 - 저소비전력 - 녹색성장 기판재료 사파이어 etc 4
5 LED 시장전망 at Year 년이후 LED 조명시장의대두 - 연평균성장율 (CAGR) >5% 예상 년이후 LED 조명부각 년이후 45% 이상차지 Ref Industry outlook, 메리츠종금증권 5
6 LED 조명기구의변화및기존기구와의비교 대박산업?? 10 조원 년 3 조원 년 10 조원초월예상 6
![09 년 11 월 17 일자 [ 그림 ] LED 후방소재투자집중현상 1 년후.](/docs-images/91/105380010/images/7-1.jpg ". Sapphire over-supply [ 그림 ] MOCVD 증가수와전년대비증가율 [ 그림 ]")
7 From Supply Market to Demand Market Ref. Yole report 2010 [ 그림 ] 2010 년초기사파이어잉곳의수요공급예측 출처 : 09년 11월 17일전자신문 전자신문 09 년 11 월 17 일자 [ 그림 ] LED 후방소재투자집중현상 1 년후.. Sapphire over-supply [ 그림 ] MOCVD 증가수와전년대비증가율 [ 그림 ] 사파이어의과잉투자에따른수요자주도시장 Ref. Americas: Clean Energy: LED, Goldman Sachs,
8 Sapphire Trend in LED Market 품귀현상 흑자시장공급초과 적자시장 [ 그림 ] 사파이어잉곳의가격추이 $/mm ( 10~ 13 현재, Yole report 2012) New entrants 공급초과공급초과 Biz. 재편중 8 [ 그림 ] 사파이어공급과수요 ( 13 현재, Yole 2013)
9 However, LED Market is growing.. - LED light demand is growing fast - 조명시장이 LED 산업의 Main Stream [ 그림 ] LED 와조명시장의요구 (die 수 ) - 1 st step : 가격드라이브 / 양적성장 - 2 nd step : 성능드라이브 / 품질향상 - 3 rd step : saturation / 시장안정화 Ref. Americas: Clean Energy: LED, Goldman Sachs, 2011 [ 그림 ] Multi-stage adoption in LED light 9
![02% 탄소배출감축율백열전등사용금지 [ 그림 ] 백열전등사용비율및사용금지실행연도 LED 개발 Target [ 그림](/docs-images/91/105380010/images/10-1.jpg "]world leading 회사와 LED 의밝기정도 (lm/w) 및이익율관계 Ref.")
10 There are many things to do 골드만 52 - 저탄소배출 / 저소비전력기기장려 - Green Industry를위한정책실행 - 한국환경정책 (2013): 전년대비 3.02% 탄소배출감축율백열전등사용금지 [ 그림 ] 백열전등사용비율및사용금지실행연도 LED 개발 Target [ 그림 ]world leading 회사와 LED 의밝기정도 (lm/w) 및이익율관계 Ref. Americas: Clean Energy: LED, Goldman Sachs,
11 Sapphire Ingot 시장과한국의 Position 26% world share 62% for LED 2010 break down reported by Yole % Cylinder 23% Wafer 11
12 Sapphire Ingot 시장동향및전망 6 market will take over year 2015, 8 sapphire will be introduced Ref. Yole Development 1212 [ 그림 ]LED Sapphire Revenue forecast by diameter break down 12
13 Winners-take-all market 승자독식시대 : 예 ) Mobile Phone 시장 Trend 사파이어시장의예측과준비가필요한시대 [ 그림 ] 연도별 Mobile Phone Supplier 점유율 Ref. STC발표자료 전문가초청세미나 LED 업황이어떻게진행중인가? 13
14 Contents LED 산업의소개 Sapphire, Single Crystal Sapphire 응용범위 GaN chip 공정소개 결론및토론
15 Sapphire, where it comes from.. 고순도알루미나 Bauxite 수입과이의정제를통한알루미나원소재제조 ( 국내 ) Al(OH)3 를이용한 NaOH 로녹여, 정제하는기술 사파이어단결정 LED 재료 Non-LED 재료 기판 (LED, 휴대폰 ), LED 조명 LED TV 의 BLU(Back Light Unit) 방산 / 휴대폰 / 투명 window Green 소재로써 LED, Non-LED 재료로응용증가 / Hand phone 소재까지.. 파인세라믹스 전기전자재료촉매 / 담체연마제비산화물생체, 생화학재료 전자부품 ( 콘덴서, 센서 ), 형광체자동차연소 / 배기가스정화필터 AIP, 초미립알루미나파우더 AlN, 기타복합비산화물의료장비, 인공치근, 인공관절 15
16 Back-ground Study : Why single crystal? Single crystal : 소재고유의특징을공업적으로활용 (application) 하기위한수단 How to grow single crystal, continuous and unbroken crystal lattice by the nature Mechanism Growth Method Examples Vapor phase growth CVD/ PVD/ Sublimation/ PLD etc GaN, ITO, SiC etc Solid state growth Stain anneal/ Sintering Pb, whisker etc Solution growth Flux / Hydro-thermal / Sol-gel growth SiO 2, CaCO 3 etc Melt growth Freezing/ Zone melting/ Crystal pulling Si, GaAs, Al 2 O 3 etc Growth from the melt is the easy way to get bulky crystal Si single crystal is based on ignition of semi-conducting era. 16
17 Guide line for crystal growth( 단결정성장방법선택기준 ) What do you want to grow? 융액 [ Melt] No Crucible FZ 법 Vernueil 법 Pedestral 법 Stoichiomatic Material Melt Growth Solidification in Crucible Bridgman 법 Scull 법 Soluble Solidification out of Crucible EFG 법 Ky 법 Cz 법 Sapphire Single Crystal Growth Non-stoichiomatic Material 용액 [solution] Solution Growth Growth Without Seed Growth from Seed Flux 법 Hydro-thermal 법 Zone Melting 법 Evaporable Using Flux Solvent growth Non-soluble Non-evaporable 17 Carrier Gas Vapor growth GaN Sintering법 Abnormal- Grain Growth법
18 Crystal defects ( 결정결함이란..) Crystal defect is the everything interrupting in arrangement of atom or molecules in crystalline solidified in a periodic crystal structure. ( 결정결함이란, 규칙적으로배열된구조의원자및분자규칙을깨는모든것 ) Point defects planar defects/ Stacking fault A B C A B C A B A B C A B C Line defects Void/ Bubbles/ inclusion/ precipitant all kind of 3D defect(s) 18
19 History of Sapphire 1890년대 : Auguste V. L. Verneuil(1856~1913), Commercial Scale의 Sapphire & Ruby 제조 (Flame Fusion) 1929년 : watch glass를 sapphire로적용 1930년대 : S. K. Popov(1903~1953), 현재수준의 Flame Fusion 법완성 1960년대 : Czochralski Method for Sapphire Laser Material 개발 Stepanov가 Stepanov Method개발 (EFG) H. Labelle (U.S.) 가 EFG Method 발표 military application 1967년 : F.Schmid & D. Viechnicki, HEM Method 발명 1970년대상업화 1970년대 : M. Musatov, Kyropoulos Method (GOI Crystal Growth Method) 개발 1970 년 : Silicon on Sapphire 개발 1992년 : First Blue LED성공 (S. Nakamura, Nichia Ltd.) 1999년 : BLU등의 mobile application 증가 2010년 : LCD TV증가로인한 BLU shortage/ Sapphire 공급부족발생 2012년 : LED 저성장 (Sapphire excess capacity), Cell phone등적용 19 [ 그림 ] sapphire application
20 Characteristics of Single Crystal Sapphire Source from Kyocera. Ltd Mechanical Characteristics Electrical Characteristics Crystallographic Structure Reference Density Vickers Hardness Flexural Strength Tensile Strength Compressive Strength Hexagonal System, a=4.763å c=13.003å Rhombohedral Single crystal kg/m3 22.5GPa(HV1(Load=9.807N) 690MPa 2250MPa 2,940MPa Dielectric strength Volume Resistance Dielectric Constant Dielectric Loss Angle V/m Optical Characteristics Index of Reflection 20 >1014Ω cm Ω cm 11.5(1MHz, // Caxis) 9.3(1MHz, C axis <1( 10-4)(1MHz) No=1.768 Young's Modulus 470GPa Optical Transmission Refer to the Fig. below Poisson's Ratio 0.18~0.29 Thermal Characteristics Melting Point 2,053 Coefficient of Linear Thermal Expansion / (40~400 // Caxis) / (40~400 C axis) Thermal Conductivity 20 42W/ (m k) Specific Heat J/ (kg K) Emittance <0.02(λ=2.6~3.7μm880 ) Transmission vs. Wave Length
![[ LED 용 Substrate M/S 채택율 ] Developed](/docs-images/91/105380010/images/21-4.jpg "in Russia, and grown by Unite State,")
21 Sapphire 단결정 Ingot 제조 제조방법및업체 Kyropoulos Rubicon, Monocrystal, DK AZTEC, Hansol Tech, SSLM, Siltron etc EFG Kyocera, Namiki, RSA, Saint- Gobain Czochralski Kyocera, Saint- Gobain HEM Arc Energy, GT Solar VHGF Sapphire Tech. [ LED 용 Substrate M/S 채택율 ] Developed in Russia, and grown by Unite State, pulling up by Asia 21
22 Brief Review of Growth Method of Sapphire Ingot EFG Czochralski HEM VHGF Kyropoulos 잉곳 Seed pulling Seed pulling Down to up Down to up Up to down 특성 온도구배법 a 축성장 도가니재사용 결정질 bad 생산성우수 온도구배법 c 축성장 도가니 (Ir) 선택성 자연냉각법 a 축성장 1 회성도가니 He gas 사용 낮은수율 자연냉각법 a 축성장 1 회성도가니 생산성우수 pulling + 자연냉각법 a 축성장 도가니 (W) 재사용 낮은수율 개발현황 3 인치개발 4 인치이상진행중 Ir 이외도가니개발중 HZ 의수명 4 인치개발완성 c 축성장개발 >6 가능 4 인치개발 6 인치진행중 ~200kg 개발 가장보편적성장법 >6 가능
23 c-axis 성장 a-axis 성장 Wafer Extraction from Sapphire Ingot c-axis c-axis c-axis 23
24 Contents LED 산업의소개 Sapphire, Single Crystal Sapphire 응용범위 GaN chip 공정소개 결론및토론 24
25 Sapphire for GaN-epitaxial LED (LED 용사파이어개발이유 ) 청색 LED의핵심소재인 GaN를증착시키기위한기판소재 - 타기판재와비교해, 저가이며공급이용이 - 대구경화가용이 ( 실적존재 ) - LED 산업성장과더불어대량공급가능소재에부합 25
26 Larger diameter, more chips ( 경제논리와 LED 산업 ) [ 표 ] wafer 의크기와생산 chip 수 Larger sapphire Simpler process Less labor More chips Low price Commercialization Broad Use 26
27 Sapphire 성장소개 (Kyropoulos) 완전용융된 Al 2 O 3 융체에 Seed 를이용하여 touch 후, pulling 과온도강하를통해고화를유도하고, target 크기이후에서자연냉각으로결정을성장시키는공정으로이루어짐 알루미나 (Al 2 O 3 ) 재료장입 Melting Seeding Shouldering 도가니 Growing 사파이어잉곳추출 27 Core Drilling & 외경가공 Wafer 가공
28 Sapphire 가공공정 : 그흐름과대구경화의핵심기술 Core drill Wire saw Lapping Bevel waxing a-axis ingot 에만필요 Diamond pad Fine polishing CMP Inspection Cleaning 공정간 Annealing 유무
29 Core tech. 1: Multi wire sawing M/C 국산화 높은수입의존도및 wire 및 slurry 의소모품존재 공정가공도요구 : pitch 간두께, 소재손실제어, 효율성 etc ( 대구경화에필수 ) 국산화율 0%!! 공정기술 ( 높은장비의존도 ) - BOW( 휨 ), TTV( 두께편차 ) 등의제어기술 - 공정 throughput time saving ( 장비회사특허 ) - 공정재현성 장치 / 소재기술 - 고속가공기 ( 좌우, 역 / 순방향회전등 ) - Wire saw ( 형상, 두께, 강도 etc) - Slurry 및 coolant ( 공정효율및장비보호 ) 29
30 Core tech. 2: Polishing M/C 내재화 공정진보진행중 높은수입의존도및 wire 및 slurry 의소모품존재 공정기술 ( 대구경화에따른필요성 ) - 고속가공기술 ( 평탄도및스트레스최소화 ) : 추가 annealing 공정방지 - 공정재현성 ( 대형장비에서의균일 performance) Diamond polishing 2nd polishing CMP (fine polishing)
![non-uniformity 문제 [ 그림 ]](/docs-images/91/105380010/images/31-2.jpg "TTV/LTV : thickness uniformity")
![PSS shot 문제 [ 그림 ] Wafer 상태별](/docs-images/91/105380010/images/31-3.jpg "LED 명도비교 [ 그림 ] Particle:")
31 CTQ(Critical To Quality) for wafering process 모든 wafering 공정은후공정에문제기인해소를 target 으로진행 [ 그림 ] BOW : flatness of wafer non-uniformity 문제 [ 그림 ] TTV/LTV : thickness uniformity PSS shot 문제 [ 그림 ] Wafer 상태별 LED 명도비교 [ 그림 ] Particle: defect PSS coating fail 문제 31
32 NonLED Sapphire 응용범위소개 Sapphire 특성으로본다양한응용영역과기술수준 Smart phone 적용에대한시장파괴력높음 ( 기술장벽 : 가격 ) 32 Yole report 2013
33 방산용사파이어소재응용분야 - 방산용사파이어의시장규모및응용분야추정약 4300만 $(400억원 ) 규모 (cf. 스마트폰시장 =400조원이상 ) 고온안정, 경도및장파장투명소재로주목 - 장벽 : 1. 대구경사파이어제조불가 세계소수국에서생산 2. 제조단가가높다 방산관련고부가가치산업 3. 국산화요구, 엄격한품질기준 극한소재기준엄격 - Trend 진입장벽이높아제한적공급예상사파이어적용증가할것으로예상 - 분야 (4가지로구분 ) 이미지감시 / Targeting, 기만시스템 방탄소재 (vessel): Transparent Armor Missile domes: 추적, target시스템 전자감시시스템 : EVS, IRCM etc [EOTS & EOIR System] 33
34 Contents LED 산업의소개 Sapphire, Single Crystal Sapphire 응용범위 GaN chip 공정소개 결론및토론
35 GaN on Sapphire GaN (Wurtzite structure) Structure and plane direction of sapphire crystal Sapphire-GaN lattice mismatch : 16% Thermal expansion mismatch : 25% Dislocation 발생율 : about 10 8 ~10 10 cm -2 GaN on Sapphire 35
36 GaN LED Chip Process 모식도 36
37 Patterened Sapphire Substrate (PSS) PSS PR pattern Patterned Sapphire Substrate process PSS pattern - 표면난반사를이용한광추출효율 (extraction efficiency) 최대 70% 이상향상. - Threading dislocation 의감소에의한내부양자효율증가. 37
38 Polar and Non-polar GaN Blue shift 비극성 GaN - GaN 에피층의방향을 M면으로성장. - 분극현상이일어나지않아내부양자효율의증가, 도핑의용이성, bule shift가발생치않음. - 기판의부재및 Epi. 성장의어려움이문제. 비극성 GaN 성장용 R면사파이어기판개발필요성 - M면 GaN 에피층을재현성있게상업화하는기술개발을위해규격표준화된 R면사파이어기판필요. (R면기판의두께, off각도와 roughness등의규격화필요 ) 38
39 Lateral LED and Vertical LED Lateral LED Light emission area - loss of N-contact area ESD/Vf - local current concentration - low reliability Substrate - sapphire(insulating, low thermal conductivity) ESD : Definition of electrostatic discharge vertical LED Light emission area - Emission from whole chip surface (increase of # of chip per wafer) ESD/Vf - Uniform current spreading (low voltage) - Improved ESD Substrate - Metal (high thermal and electrical conductivity) 39
40 Contents LED 산업의소개 Sapphire, Single Crystal Sapphire 응용범위 GaN chip 공정소개 결론및토론
41 Summary Sapphire Ingot Sapphire Wafer LED Chip LED Module Device(s) LED 분야에서전방산업 (Sapphire 결정및가공 ) 에많은과제존재 Sapphire 결정에서다양한응용범위존재 41
42 자유토론 LED 조명의다양화및특정상품화 사파이어산업의종속성 : LED 뿐만아니라타산업으로의 penetration GaN 잉곳, 수직형 LED, COB 팩키지등을통한경쟁력!! 광효율 (lm/w) 을증대시키기위한공정개선!! 기판재료의지속적인개발 : SiC, Free-standing GaN 등의도전 42
43 Thank you for your kind listening
KAERIAR hwp
- i - - ii - - iii - - iv - - v - - vi - Photograph of miniature SiC p-n and Schottky diode detector Photograph SiC chip mounted on a standard electrical package Photograph of SiC neutron detector with
67~81.HWP
기술현황분석 나노 기공성 에어로겔 제조기술 및 응용현황 안 영 수 / 기능소재연구센터 요 약 나노 기공성 에어로겔 제조기술 및 응용현황 한국에너지기술연구원 Property Value Bulk Density Internal surface area % solid Mean pore diameter Primary particle diameter Index of refraction
Vertical Probe Card Technology Pin Technology 1) Probe Pin Testable Pitch:03 (Matrix) Minimum Pin Length:2.67 High Speed Test Application:Test Socket
Vertical Probe Card for Wafer Test Vertical Probe Card Technology Pin Technology 1) Probe Pin Testable Pitch:03 (Matrix) Minimum Pin Length:2.67 High Speed Test Application:Test Socket Life Time: 500000
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GaN 기판제작공정 시스넥스기술연구소 박기연 내 용 1. 시스넥스및 HVPE 장비소개 2.GaN 기판제작개요 3. GaN Epi 공정 (HVPE 방법 ) 4. GaN LLO 공정 5. GaN polishing 공정 시스넥스소개 (4-1) 회사연혁및사업분야 2000. 05 회사설립 2001. 05 6x2 GaN MOCVD 개발 ( 국내및중국납품 ) 2004.
歯김유성.PDF
BIT/ST/LSCO/MgO Variations of Microstructures and Electrical Properties of BIT/ST/LSCO/MgO Epitaxial Films by Annealing 2003 2 BIT/ST/LSCO/MgO Variations of Microstructures and Electrical Properties of
12¿ù06ƯÁý-06
21..,.. SOI(Silicon on Insulator) SOI IC., Sub-systemisolation.. SiC, GaN, AlN, ZnO SiC,,, (Silicon Carbide) 21. 1) 1000~2700 (Fig. 1). 3C, 4H, 6H, 15R, 200, Hexagonal type. 2),, Micropipe, Fig. 1. SiC.
실적 및 전망 09년 하반 PECVD 고객 다변화에 따른 실적개선 10년 태양광 R&D 장비 매출을 반으로 본격적인 상업생산 시작 1. 09년 3Q 실적 동사는 09년 3Q에 매출과 영업이익으로 각각 142 억원(YoY 16.7%, QoQ 142%), 6 억원(흑전환)
KRP Report (3회차) GOLDEN BRIDGE Research - 스몰켑 - Not Rated 테스 (095610) 공정미세화 추세의 수혜, 태양광 장비의 매출 가시화로 견조한 성장 작성일: 2009.11.18 발간일: 2009.11.19 3Q 실적 동사의 3분에 매출과 영업이익은 각각 141.5 억원(QoQ 142%), 6 억원(흑전)이다. 목표가
00....
Fig. 1 2.5%. 51.5%, 46.0%,.. /, Table 1 (U.V.; Ultraviolet 10-400 nm)/ (NIR; Near Infrared 700 nm - 5 µm) ( TiO 2, WO 3, ZnO, CeO, ATO, Sb 2O 3-ZnO, ITO.) (400 nm - 780 nm). /. Fig. 1.. 23 Table 1. / /
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Prologue 01 마그네슘 합금의 장점 및 적용 분야 02 다이캐스팅 이란? 1. About 장원테크 01 Company Overview 02 사업영역 핵심기술력 04 국내 사업장 05 베트남 법인 06 업계 Top Tier 고객사 확보 2. Cash-Cow 모바일 부품 01 Products 02 시장점유율 베트남법인 성장 본격화 04 우호적인 업황 3.
2005 4 Creating the future of Display and Energy Samsung SDI 2006. 1. 18 1 05 4 05 4 ( ) 19,656 22,156 + 2,500 12.7% 1,155 1,424 + 269 23.3% (%) (5.9%) (6.4%) 1,101 803-298 -27.1% (%) (5.6%) (3.6%) 1,242
분 기 보 고 서 (제34기 1분기) 사업연도 2016.01.01 부터 2016.03.31 까지 금융위원회 한국거래소 귀중 2016년 5월 16일 제출대상법인 유형 : 면제사유발생 : 주권상장법인 해당사항 없음 회 사 명 : (주)웅진 대 표 이 사 : 이 재 진 본
목 분 기 보 고 서...1 대표이사 등의 확인...2 I. 회사의 개요...3 1. 회사의 개요...3 2. 회사의 연혁...6 3. 자본금 변동사항...8 4. 주식의 총수 등...9 5. 의결권 현황...10 6. 배당에 관한 사항 등...10 II. 사업의 내용...12 III. 재무에 관한 사항...49 1. 요약재무정보...49 2. 연결재무제표...51
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213. 4. 14 Sector Update (OVERWEIGHT) LG쇼 2부 WHAT S THE STORY? Event: LG전자 목표주가를 13,원으로 상향하고 supply chain 수혜주를 찾는다. Team Analyst 조성은 sharrison.jo@samsung.com 2 22 7761 이종욱 jwstar.lee@samsung.com 2 22 7793
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Synthesis and structural analysis of nano-semiconductor material 2005 2 Synthesis and structural analysis of nano-semiconductor material 2005 2 . 2005 2 (1) MOCVD ZnO (2) MOCVD gallium oxide < gallium
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Fastener 독일 EJOT 社에서 만든 최고의 Plastic 전용 Screw 아세아볼트 CO., LTD. 대한민국 정식 라이센스 생산 업체 EJOT GmbH & Co. KG DELTA PT März 2003 Marketing TEL : 032-818-0234 FAX : 032-818-6355 주소 : 인천광역시 남동구 고잔동 645-8 남동공단 76B 9L
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제 출 문 농림수산식품부장관 귀하 본 보고서를 트위스트 휠 방식 폐비닐 수거기 개발 과제의 최종보고서로 제출 합니다. 2008년 4월 24일 주관연구기관명: 경 북 대 학 교 총괄연구책임자: 김 태 욱 연 구 원: 조 창 래 연 구 원: 배 석 경 연 구 원: 김 승 현 연 구 원: 신 동 호 연 구 원: 유 기 형 위탁연구기관명: 삼 생 공 업 위탁연구책임자:
2005 1 Creating the future of Display and Energy Samsung SDI 2005 420 2005 1 05 1 ( ) 22,449 18,634-17.0% - 392 (%) (- 1.7%) 156 (0.8%) N/A - 480 (%) (- 2.1%) 414 (2.2%) N/A 342 (%) (1.5%) 541 (2.9%)
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Huvitz Digital Microscope HDS-5800 Dimensions unit : mm Huvitz Digital Microscope HDS-5800 HDS-MC HDS-SS50 HDS-TS50 SUPERIORITY Smart Optical Solutions for You! Huvitz Digital Microscope HDS-5800 Contents
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2 APTIV Film Versatility and Performance APTIV Film Versatility and Performance 3 4 APTIV Film Versatility and Performance APTIV Film Versatility and Performance 5 PI Increasing Performance PES PPSU PSU
태양광 기업들 '떠난다' vs '기회다' 명암 시장은 재편 중 2013.06.02 2일 업계에 따르면 최근 태양광 사업에서 손을 떼거나 휴업을 결정하는 기업들이 늘고 있다. LG실트론은 지난달 22일 열린 이사회에서 150MW급 태양광 웨이퍼 사업을 정리하기로 했다.
차세대 반도체 공정, 노광에서 식각 증착 등으로 무게 이동 핀펫(FinFET) 3차원(3D) 낸드플래시 등 차세대 반도체 시장을 놓고 국내 장비 업체들의 기대감이 커지고 있다. 그동안 반도체 미세공정을 주도한 핵심 장비는 노광기였으나, 해외 선두 장비 업체들이 극자외선(EUV) 등 차세대 노광기 개발에 한계를 보이면서 반도체 업체들은 최근 화학 증기증착(CVD)
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240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 256 257 An Application for Calculation and Visualization of Narrative Relevance of Films Using Keyword Tags Choi Jin-Won (KAIST) Film making
서강대학교 기초과학연구소대학중점연구소 심포지엄기초과학연구소
2012 년도기초과학연구소 대학중점연구소심포지엄 마이크로파센서를이용한 혈당측정연구 일시 : 2012 년 3 월 20 일 ( 화 ) 14:00~17:30 장소 : 서강대학교과학관 1010 호 주최 : 서강대학교기초과학연구소 Contents Program of Symposium 2 Non-invasive in vitro sensing of D-glucose in
국내 디지털콘텐츠산업의 Global화 전략
Digital Conents Contents Words, Sound, Picture, Image, etc. Digitizing : Product, Delivery, Consumption NAICS(, IMO Digital Contents Digital Contents S/W DC DC Post PC TV Worldwide Digital Contents
유기 발광 다이오드의 전하주입 효율 향상을 통한 발광효율 향상 연구
- i - - ii - - iii - - iv - - v - - vi - 그림차례 - vii - - viii - - 1 - 5). - 2 - - 3 - 유기발광다이오드 ( 고분자또는저분자 ) 무기발광다이오드 (p-n junction LED) - + cathode ETL EML HTL HIL anode 발광 두께 : 100 ~ 200 nm 양극 ( 투명전극,
Microsoft Word - 교보-10월탑픽_20131001.doc
1 월 Oct 1, 213 Mid-SmallCap 연구위원 김영준 3771-969 yjkim63@iprovest.com 연구위원 김갑호 3771-9734 kh122@iprovest.com 연구위원 최성환 3771-9355 gnus87@iprovest.com 책임연구원 심상규 3771-9751 aimhhigh@iprovest.com 책임연구원 정유석 3771-9351
전기정보 11월(내지).qxp
463-835 경기도 성남시 분당구 야탑로 338(야탑동 191) T.(031) 724-6100(代) 등록일자 1976년 3월 18일 등록번호 서울 라 11267 www.kemc.co.kr 11 2014 통권474 Power Tech AC 직결형 LED 구동회로 설계 스마트 리뉴어블(Smart Renewable) EMS 운영 결과 분석 발전기 온라인 통합 감시진단
Microsoft Word - IO_2009_메모리반도체.doc
메모리 반도체 SemiconductorMemory Chips 2009.1 평가1실 조수희 애널리스트 7872321 suhee.cho@kisrating.com 평가1실 박춘성 연구위원 7872341 cspark@kisrating.com 평가1실 손재형 실장 7872250 jaihyoung.son@kisrating.com Summary 공급과잉 상태가 지속되는
Microsoft Word - 111130_삼성SDI
삼성SDI 삼성SDI (64) BUY (Maintain) 주가(11/29) 131,5원 목표주가 19,원 211.11.3 울트라북, 2차전지 시장지형을 바꾼다 지금까지의 통념을 깨고 성능이 뛰어나면서도 싸고 가벼운 노트북이 등장했다. 울트라북이다. 울트라북은 모바일 인터넷 시대에 대응한 노트북의 진화이며, 215년에 전체 노트북의 45%를 차지하며 급성 장할
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Microsoft Word - 0900be5c802da7d2.docx
212. 11. 26 Company Update (411) Back to basics WHAT S THE STORY? Event: 3분기 어닝쇼크로 실적가시성이 크게 하락. Impact: 기본적인 1) 수익배분 구조, 2) 비용 분석, 3) 가장 큰 수익원이 되는 일본 음 악 시장 분석을 통해 실적 예측성을 높이고자 함. Action: 추가적인 수익성 개선은
뉴욕 이코노믹클럽 연설을 통하여 비둘기파적 색채를 드러낸 옐런 Jr.Economist 전병하 2. 3779-8633 byunghajeon@ebestsec.co.kr 매크로 216. 3. 3 Implication Implication 현재 상황에 대한 인식 혼조적 - R
216년 3월 3일 매크로 전병하 경제/투자전략 뉴욕 이코노믹클럽 연설을 통하여 비둘기파적 색채를 드러낸 옐런 탐방 정홍식 유비쿼스 안정적인 네트워크 장비 업체 최석원 유니셈 업황 업데이트 이슈 (기업) 배은영 POSCO 영업 환경 및 실적 점검 성종화 엔씨소프트 주요 포인트 업데이트 이슈 (산업) 유지웅 자동차 전일 BYD 주가 급등, 앞으로 봐야할 것들
대표이사등의 확인, 서명 I. 회사의 개요 1. 회사의 개요 가. 회사의 법적, 상업적 명칭 당사의 명칭은 '엘아이지에이디피주식회사'('LIG에이디피주식회사'라 칭하며), 영문으 로는 'LIG ADP Co.,Ltd.'(약호 LIG ADP)라 표기합니다. 나. 설립일자
사 업 보 고 서 (제 10 기) 사업연도 2010년 01월 01일 2010년 12월 31일 부터 까지 금융위원회 한국거래소 귀중 2011년 3월 31일 회 사 명 : 엘아이지에이디피주식회사 대 표 이 사 : 허광호 본 점 소 재 지 : 경기도 성남시 상대원동 333-5 (전 화) 031-778-1114 (홈페이지) http://www.ligadp.com 작
Microsoft Word - 2012년 7월 Mid Small-cap_final_.doc
212년 7월호 리서치센터 Mid Small-cap Corporate Day 후기 하반기 관심을 가져야 할 중소형 유망주 212. 6. 26 스몰캡분석 한화증권 Mid Small-cap Team은 5월 31일부터 6월 13일까지 17개 기업에 대해 Corporate Day 를 진행하였습니다. 이 기업들에 대한 IR 후기를 제시합니다. 최근 그리스 2차 총선에서
Microsoft PowerPoint - 100210_산조_LED&OLED 산업동향.ppt
Issue Briefing Vol. 2010-05 (2010. 02) 해외경제연구소 산업투자조사실 LED & OLED 산업동향 보고서 작성 : 책임연구원 강정화 (02-3779-5327) nicekang@koreaexim.go.kr 확인 : 실장 안상술 (02-3779-6679) ssahn@koreaexim.go.kr Summary(1/4) LED(Light
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. vol. 29, no. 10, Oct ,,. 0.5 %.., cm mm FR4 (ε r =4.4)
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 2018 Oct.; 29(10), 799 804. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2018.29.10.799 ISSN 1226-3133 (Print) ISSN 2288-226X (Online) Method
한국전지학회 춘계학술대회 Contents 기조강연 LI GU 06 초강연 김동욱 09 안재평 10 정창훈 11 이규태 12 문준영 13 한병찬 14 최원창 15 박철호 16 안동준 17 최남순 18 김일태 19 포스터 강준섭 23 윤영준 24 도수정 25 강준희 26
2015 한국전지학회 춘계학술대회 2일차 한국전지학회 춘계 학술대회(신소재 및 시장동향 관련 주제 발표) 시간 제목 비고 세션 1 차세대 이차전지용 in-situ 분석기술 좌장 : 윤성훈 09:00~09:30 Real-time & Quantitative Analysis of Li-air Battery Materials by In-situ DEMS 김동욱(한국화학연구원)
Alloy Group Material Al 1000,,, Cu Mg 2000 ( 2219 ) Rivet, Mn 3000 Al,,, Si 4000 Mg 5000 Mg Si 6000, Zn 7000, Mg Table 2 Al (%
http://wwwtechnonetcokr (Aluminum & Aluminum BasedAlloy) : LG 1 Aluminum Table 1, 2 1000 7000 4 Al 990% Al 1XXX AlCu 2XXX AlMn 3XXX AlSi 4XXX AlMg 5XXX AlMgSi 6XXX AlZn(Mg, Cu) 7XXX 8XXX ( ) 9XXX Fig 1
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G Journal of the Korea Concrete Institute Vol. 20, No. 4, pp. 531~539, August, 2008 š x y w m š gj p { sƒ z 1) * 1) w w Evaluation of Flexural Strength for Normal and High Strength Concrete with Hooked
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The Top Ten Moulding Problems
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HOSPA Chipboard screws with countersunk head Material: Drive: Cross recess PZ galvanized yellow chromatized nickel plated burnished Partly threaded, galvanized or yellow chromatized dk k L d m Head Ø dk
가. 회사의 법적, 상업적 명칭 당사의 명칭은 주성엔지니어링 주식회사라고 표기합니다. 또한 영문으로는 JUSUNG Engineering Co., Ltd. 라 표기합니다. 나. 설립일자 및 존속기간 당사는 반도체, FPD, 태양전지, 신재생에너지, LED 및 OLED 제
분 기 보 고 서 (제 18 기) 사업연도 2012년 01월 01일 2012년 03월 31일 부터 까지 금융위원회 한국거래소 귀중 2012 년 5 월 15 일 회 사 명 : 주성엔지니어링(주) 대 표 이 사 : 황 철 주 본 점 소 재 지 : 경기도 광주시 오포읍 능평리 49 (전 화) 031-760-7000 (홈페이지) http://www.jseng.com
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박 기 식 여주대학 토목과 (2001. 10. 24. 접수 / 2002. 6. 14. 채택) A Study on the Longitudinal Vibration of Finite Elastic Medium using Laboratory Test Ki-Shik Park Department of Civil Engineering, Yeojoo Institute of
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태양광 모듈 효율 실증 테스트 시스템 National Instrument Korea 전략마케팅 / 팀장 윤 동 원 1 회사 소개 소재: 미국 텍사스 오스틴 설립일: 1976년 지사 및 직원: 40여 개국의 지사, 4,300명의 직원 2007년 매출: $740M R&D 투자: 1) 사업비의 16% R&D 투자 2) 1,400명 이상의 R&D인력 대표 제품: LabVIEW,
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2002 14 C Inventory An Estimation of 14 C Inventory on Each Unit of Wolsong NPP,,, 103-16 14 C 14 C Inventory 14 C Inventory 14 C 14 C, [Inventory] = [ 14 C ] - [ 14 C ] 14 C 14 C 13 C, 14 N 17 O [ 13
삼성SDI_SR국문_최종
Sustainability Report 2008 Power to Imagine SAMSUNG SDI About Sustainability Report GRI G3 Tel 031) 8006-3366 Fax 031) 8006-3399 E-Mail sustainability@samsung.com http://www.samsungsdi.co.kr Global Network
Contents Why YEST? Chapter 01_ Investment Highlights Chapter 02_ Growth Strategy Chapter 03_ Financial Highlights Appendix
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Ph.D, FRM, ick_chan_joo@lycos.co.kr IBK Economic Research Institute 1 1. 2. : ( ) ( ) 3. : 4. 5. & ( ) 6. 7. GDP :, 8. 1., 2004 10,222,000 bpd(barrel / day). 13.1%..,. OPEC 25 2,058,000 bpd, 20%, OPEC.,.,
I. 회사의 개요 1. 회사의 개요 1. 연결대상 종속회사 개황(연결재무제표를 작성하는 주권상장법인이 사업보고서, 분기ㆍ 반기보고서를 제출하는 경우에 한함) 상호 설립일 주소 주요사업 직전사업연도말 자산총액 지배관계 근거 주요종속 회사 여부 (주)이수엑사보드 2004년
분 기 보 고 서 (제 40 기) 사업연도 2011년 01월 01일 2011년 09월 30일 부터 까지 금융위원회 한국거래소 귀중 2011년 11월 14일 회 사 명 : (주)이수페타시스 대 표 이 사 : 홍정봉 본 점 소 재 지 : 대구광역시 달성군 논공읍 본리리 29-54 (전 화) 053-610-0300 (홈페이지) http://www.petasys.com
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차 례 Ⅰ. 에너지관리 1. 홈에너지닥터를 이용해 연 1회 에너지진단을 받자 1 2. 에너지 가계부를 쓰자 1 3. 에너지효율 1등급 가전제품을 사용하자 6 4. 대기전력 마크가 부착된 가전제품을 사용하자 8 확인학습 9 Ⅱ. 신재생 에너지 5. 소형 풍력발전시스템을 설치하자 13 6. 태양열 시스템을 설치하자 16 7. 태양광 시스템을 설치하자 19 8.
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Trans. of the Korean Hydrogen and New Energy Society(2013. 4), Vol. 24, No. 2, pp. 136~141 DOI: http://dx.doi.org/10.7316/khnes.2013.24.2.136 흡기관 분사식 수소 SI기관의 희박과급 적용에 관한 연구 이광주 1 ㆍ이종구 1 ㆍ이종태 2 1 성균관대학교
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5 34-1 5 TEL (02)458-3078, 3079 / FAX (02)458-3077 Homepage http://www.kiche.or.kr / E-mail : kiche@kiche.or.kr NICE NICE NICE O A - 1 P - 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 O
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歯전기전자공학개론
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세상의 중심에 서다 세상의 중심에 당당하게 선 대한민국 글로벌 리더! 귀하의 품격에 어울리는 작품이 서울의 중심에 등장합니다 용산과 서울역의 비전을 담은 센트레빌 아스테리움 서울, 이제 서울의 중심에서 미래서울을 만나보십시오 센트레빌 아스테리움 최고의 이름에만 허락합니다 아름다운 주거문화를 선도해 온 동부건설이 미래형 복합단지브랜드 센트레빌 아스테리움으로 또
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책을읽고(요약)1권 정허( 定 虛 ) 소개글 목차 1 뜻밖의 음식사(음식이야기) 5 2 맛있는 수다 8 3 병안걸리고 사는 법(신야 히로미) 10 4 大 長 今 (대장금) 12 5 소서노(고구려를 세운 여인) 14 6 토정 이지함(윤태현역사소설) 15 7 산.은.산 물. 은. 물 16 8 만해 (한용운) 채근담( 菜 根 譚 ) 2 18 9 만해 (한용운) 채근담(
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사 용 설 명 서 SRA Series Professional Power Amplifier MODEL No : SRA-500, SRA-900, SRA-1300 차 례 차 례 ---------------------------------------------------------------------- 2 안전지침 / 주의사항 -----------------------------------------------------------
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Sector Report 2014. 07. 07 스몰캡 하반기 주목할 만한 중소형주 4선 선명해지는 실적 개선 신건식 미디어,엔터/스몰캡 (02) 3215-7503 gsshin@bsfn.co.kr 김태봉 퀀트/스몰캡 (02) 3215-1586 tbkim0901@bsfn.co.kr [아이원스] 반도체 및 디스플레이 정밀가공 부품업체로 투자 포인트는 다음과 같다.
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[ 화학 ] 과학고 R&E 결과보고서 나노입자의표면증강을이용한 태양전지의효율증가 연구기간 : ~ 연구책임자 : 김주래 ( 서울과학고물리화학과 ) 지도교사 : 참여학생 : 원승환 ( 서울과학고 2학년 ) 이윤재 ( 서울과학고 2학년 ) 임종
![[ 화학 ] 과학고 R&E 결과보고서 나노입자의표면증강을이용한 태양전지의효율증가 연구기간 : ~ 연구책임자 : 김주래 ( 서울과학고물리화학과 ) 지도교사 : 참여학생 : 원승환 ( 서울과학고 2학년 ) 이윤재 ( 서울과학고 2학년 ) 임종](/thumbs/103/161032648.jpg "[ 화학 ] 과학고 R&E 결과보고서 나노입자의표면증강을이용한 태양전지의효율증가 연구기간 : ~ 연구책임자 : 김주래 ( 서울과학고물리화학과 ) 지도교사 : 참여학생 : 원승환 ( 서울과학고 2학년 ) 이윤재 ( 서울과학고 2학년 ) 임종")
[ 화학 ] 과학고 R&E 결과보고서 나노입자의표면증강을이용한 태양전지의효율증가 연구기간 : 2013. 3 ~ 2013. 12 연구책임자 : 김주래 ( 서울과학고물리화학과 ) 지도교사 : 참여학생 : 원승환 ( 서울과학고 2학년 ) 이윤재 ( 서울과학고 2학년 ) 임종찬 ( 서울과학고 2학년 ) 소재원 ( 서울과학고 2학년 ) 1,.,.,.... surface
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北 地 区 青 少 年 境 研 会 Международный детский симпозиум по проблемам экологии региона Северо-Восточной Азии. 1 2 5 6 7 9 1. 2. 11 12 13 13 14 15 16 . (Nature) 100.. 90%.. 3000 10% 385. 1 1, 500 2kg.........
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Chapter 1. Crystal Properties and Growth of Semiconductors ( 결정체성질과반도체결정의성장 ) 1.1 반도체재료 반도체란? 금속과절연체와의중간정도의전기전도도를갖는일군의물질 단, 전기전도도가온도, 광학적인여기상태및불순물함유량에따라크게 변할수있음. 전기적성질의융통성때문에반도체재료가전자소자연구를위한대상물질로 각광을받고있음.
(Table of Contents) 2 (Specifications) 3 ~ 10 (Introduction) 11 (Storage Bins) 11 (Legs) 11 (Important Operating Requirements) 11 (Location Selection)
SERVICE MANUAL (Table of Contents) 2 (Specifications) 3 ~ 10 (Introduction) 11 (Storage Bins) 11 (Legs) 11 (Important Operating Requirements) 11 (Location Selection) 12 (Storage Bins) 12 (Ice Machine)
Microsoft PowerPoint - ch03ysk2012.ppt [호환 모드]
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전방향카메라와자율이동로봇 2006. 12. 7. 특허청전기전자심사본부유비쿼터스심사팀 장기정 전방향카메라와자율이동로봇 1 Omnidirectional Cameras 전방향카메라와자율이동로봇 2 With Fisheye Lens 전방향카메라와자율이동로봇 3 With Multiple Cameras 전방향카메라와자율이동로봇 4 With Mirrors 전방향카메라와자율이동로봇
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The e-business Studies Volume 17, Number 6, December, 30, 2016:237~251 Received: 2016/11/20, Accepted: 2016/12/24 Revised: 2016/12/21, Published: 2016/12/30 [ABSTRACT] Recently, there is an increasing
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1 non-linear consumption 2 Whatever will change television will do so by re-defining the core product not just the tools we use to consume it. by Horace Dediu, Asymco 3 re-defining the core product not
미래의 리더에게 드리는 편지 Dear. 소중한 분께 전하고 싶은 메시지를 적어 <ACHIEVE> 매거진을 전해주세요.
Amway Success Business Partner _ February 2015 Vol.12 인생에는 많은 문이 있습니다. 하나를 지나면 또 다른 문이 있습니다. 묵묵히 문을 열며 앞으로 나아가는 리더. 고난도, 역경도 모두 지나온 당신 앞에 마지막 성공의 문이 기다립니다. 그 문을 누구와 함께 열겠습니까? 미래의 리더에게 드리는 편지 Dear. 소중한
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주지스님의 이 달의 법문 성철 큰스님 기념관 불사를 회향하면서 20여 년 전 성철 큰스님 사리탑을 건립하려고 중국 석굴답사 연구팀을 따라 중국 불교성지를 탐방하였습 니다. 대동의 운강석굴, 용문석굴, 공의석굴, 맥적산석 굴, 대족석굴, 티벳 라싸의 포탈라궁과 주변의 큰
불교학과반(1년 과정) 기초교리반(6개월 과정) 매주 화요일 저녁 7시 매주 목요일 오후 2시 / 저녁 7시 5월 5일 5월 12일 5월 19일 5월 26일 어린이날 휴강 인도불교사 2 / 이거룡 교수님 인도불교사 3 / 이거룡 교수님 중국불교사 1 / 이덕진 교수님 5월 7일 5월 14일 5월 21일 5월 28일 백련암 예불의식 및 기도법 / 총무스님 성철
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2011년도 부품 소재혁신연구회 MCT Global Scoreboard 제 출 문 한국산업기술진흥원장 귀 하 본 보고서를 2011년도 부품 소재혁신연구회 MCT Global Scoreboard (지원기간: 2012. 1. 2 ~ 2012. 3. 31) 과제의 최종보고서로 제출합니다. 2012. 3. 31 연구회명 : MCT K-Star 발굴 연구회 (총괄책임자)
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정진명 남재원 떠오르고 있다. 배달앱서비스는 소비자가 배달 앱서비스를 이용하여 배달음식점을 찾고 음식 을 주문하며, 대금을 결제까지 할 수 있는 서비 스를 말한다. 배달앱서비스는 간편한 음식 주문 과 바로결제 서비스를 바탕으로 전 연령층에서 빠르게 보급되고 있는 반면,
소비자문제연구 제46권 제2호 2015년 8월 http://dx.doi.org/10.15723/jcps.46.2.201508.207 배달앱서비스 이용자보호 방안 정진명 남재원 요 약 최근 음식배달 전문서비스 애플리케이션을 이용한 음식배달이 선풍적인 인기를 끌면서 배달앱서비스가 전자상거래의 새로운 거래유형으로 떠오르고 있다. 배달앱서비스는 소비자가 배달앱서비스를
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THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE Sep.; 30(9),
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 2019 Sep.; 30(9), 712 717. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2019.30.9.712 ISSN 1226-3133 (Print) ISSN 2288-226X (Online) MOS
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