1. 교육목표 1) LED 산업의현장중심적실무능력함양 2) LED 산업신규인력의선실무지식습득 3) LED 제조공정실습을통한신기술개발 GaP & GaN LED 제조공정단기간교육 ( 이론 : 4 시간, 실습 12 시간 ) 제 1 강 Epitaxy (pn junction)
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- 기영 마
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1 2012 Educational Program for LED Manufacturing Practice LED 제조공정실무 김선태 한밭대학교정보전자부품소재연구소
2 1. 교육목표 1) LED 산업의현장중심적실무능력함양 2) LED 산업신규인력의선실무지식습득 3) LED 제조공정실습을통한신기술개발 GaP & GaN LED 제조공정단기간교육 ( 이론 : 4 시간, 실습 12 시간 ) 제 1 강 Epitaxy (pn junction) 제 2 강 Photolithography & Etching 제 3 강 Metallization 제 4 강 Characterization
3 2. 교육과정 Day Time Lecture Instructor D1 (TUE) D2 (FRI) 18:00-18:50 Lecture I (Introduction & Epitaxy) Prof. S.T. Kim 19:00-22:00 LED Lab. I (p-n junction) Dr. C.S. Byun 18:00-18:50 Lecture II (PL & Etching) Prof. S.T. Kim 19:00-22:00 LED Lab. II (PL & Etching) Dr. C.S. Byun 09:00-09:50 Lecture III (Metallization) Prof. S.T. Kim D3 (SAT) 10:00-12:50 LED Lab. III (Metallization) Dr. C.S. Byun 14:00-14:50 Lecture IV (Characterization) Prof. S.T. Kim 15:00-18:00 LED Lab. IV (Characterization) Dr. C.S. Byun
4 3. LED 제조공정 Module Package Epitaxy Chip Process Substrate
5 4. LED 제조실습 GaP LED GaN LED n-gap substrate p-n juncion by Zn diffusion p-n junction isolation p-gan on Al 2 O 3 substrate p-n juncion by n-zno deposition PhotoLitho for n-layer mesa etch PhotoLitho for electrode pattern Front process End process Al metal contact formation Dicing Chip bonding Wire bonding Characterization
6 5. Cleanroom Service Room White Room Yellow Room XPS Lab ㅍ N 2 Purifier 2. RF Sputter 3. Chiller 4. E-Beam Evaporator 5. Wet Station 6. Screen Printer 7. Wafer Dicing Saw 8. DI Water Generator 9. Solar Cell I-V Meas. 10. Solar Cell IPCE Meas. System 11. Chiller 12. RF Sputter 13. DC Sputter 14. RTP Furnace 15. Oxidation / Diffusion Furnace 16. Clean Bench 17. Wafer Sawing Machine 18. Hall Effect Tester 19. Spin Coater 20. SEM-EDX 21. AFM 22. LCR Meter 23. HP-4155B 24. Probe Station 25. Microscope 26. Ellipsometer 27. Toxic Gas Burner 28. Gas Cabinet 29. Gas Cabinet 30. Contact Mask Aligner 31. Dry Etcher 32. Dual-source XPS
7 2012 Educational Program for LED Manufacturing Practice ( ) LED 제조공정실무 제 1 강제조공정개요 & Epitaxy 김선태 한밭대학교정보전자부품소재연구소
8 2012 Educational Program for LED Manufacturing Practice ( ) LED 제조공정실무 Light Emitting Diode 광방출다이오드 pn 접합다이오드 반도체 반도체물리반도체재료반도체소자반도체공정
9 0. LED Application
10 0. LED type SDP-300W (China)
11 Contents 1. Introduction 2. LED 동작원리 3. Epitaxy (pn junction) 4. GaN epitaxy 5. Practice
12 I. Introduction 1. Lighting - lead human civilization - 70,000 BC : first oil wick lamp (=torch, Gk) - 3,000 BC : the first candle by Egyptians : Argand - the first oil lamp relied on research (1859 : Kerosene) : Murdock - the first commercial coal gas lighting : Limelight - the first solid-state lighting device : Jablochkoff candle - the first electric lighting device : Edison Bulb - incandescent filament lamp : Fluorescent Lamps : Halogen Lamps
13 I. Introduction 2. LED history : EL observed in SiC (Carborundum) - H.J. Round : EL from SiC metal-semiconductor rectifier O.V. Lossev : EL from p-n SiC diode - K. Lehovec : Visible EL in GaP G.A. Wolff, et al : Visible EL from GaAsP N. Holonyak & S.F. Bevacgua : Blue EL from GaN J. Pankove : 1 Candela Blue InGaN LED S. Nakamura : First commercial white LED - Nichia
14 I. Introduction 3. Evolution of LED (1) An LED s power conversion (wall-plug) efficiency varies inversely with its optical output power. Wall-plug efficiency can exceed 100%, the unity efficiency, at low applied voltages and high temperatures. Image credit: Santhanam, et al American Physical Society
15 I. Introduction 3. Evolution of LED (2)
16 I. Introduction 4. LED materials - IV-IV : SiC, SiGe - III-V : GaN, GaAs, GaP - II-VI : ZnO, ZnSe
17 I. Introduction 5. LED color and materials White InGaN/GaN White (GaN) (x=0.32/y=0.31) White (InGaN) (x=0.32/y=0.31) InGaAlP Green Yellow Verde Green 505 nm Yellow (InGaAlP) 587 nm True Green (InGaN) 525nm Pure Green (InGaAlP) 560nm Green (InGaAlP) 570 nm Orange Orange (InGaAlP) 605 nm Blue (InGaN) Blue (GaN) Blue 470 nm 466 nm Orange Red Org. Red (InGaAlP) 617 nm Red Super Red (InGaAlP) 630 nm Hyper Red (GaAlAs) 645 nm
18 I. Introduction 6. LED value chain LED 모듈 / 시스템 광학기구, 시스템제어기 RGB, W, UV LED 형광체 패키징 칩공정 LED chip 에피웨이퍼 AlGaAs( 적, IR)/ InGaAlP( 적, 황 )/InGaAlN( 청, 녹, UV) 에피장비 에피성장 기판 GaP, GaAs, GaN, Sapphire, SiC
19 I. Introduction 7. LED chip processes 에피웨이퍼 pn junction packaging LED chip 전처리진공증착전극형성 Etching 개별화외관검사특성검사 세척 전면증착 PR 코팅 금속에칭 Passivation 외관선별 전기적특성 Etching 후면증착 노광 PR 제거 Dicing 광학적특성 건조 현상 열처리 Expanding
20 2. LED 동작원리 1. Semiconductor materials 1a 2a 3b 4b 5b 6b 7b 8 1b 2b 3a 4a 5a 6a 7a LED Materials Terminology - elemental semiconductor (Si, Ge) - compound semiconductor (GaAs, GaN, ZnS) - pure semiconductors - impurity semiconductors - n-, p-type semiconductors - direct-, indirect band gap semiconductors Science and Technology - formation (solid, liquid & gas phases) - application (electronics & optoelectronic devices)
21 2. LED 동작원리 2. Pure semiconductors (Silicone, Si)
22 2. LED 동작원리 3. n-, p-type semiconductors (a) n-type Arsenic doped Silicone (Si:As) (b) p-type Boron doped Silicone (Si:B)
23 2. LED 동작원리 4. Compound semiconductors - GaAs Donor impurity : S, Se, Te à As 치환 Acceptor impurity : Zn, Mg à Ga 치환 Amphoteric impurity ; Si à As 치환 : p-type à Ga 치환 : n-type
24 2. LED 동작원리 5. Direct-, Indirect band gap semiconductors
25 2. LED 동작원리 6. LED materials
26 2. LED 동작원리 7. pn junction p n B - h+ M Metallurgical Junction Neutral p-region E Neutral n-region o As+ e- (a) (b) log(n), log(p) W p M W n Space charge region p po n no n i (c) n po r net x = 0 M p no x en d -W p W n x (d) -en a
27 2. LED 동작원리 8. LED action (1) Electron energy E c E F E v p n + E g ev o ev o Distance into device Electron in CB Hole in VB (a) E c E F E v E g p n + V (b) hu E g (a) 바이어스전압이없는경우 (b) 순방향바이어스 V 가인가된경우. 접합부근그리고 p 쪽에서전자들의확산거리내에서의재결합에의해서광자가방출된다.
28 2. LED 동작원리 8. LED action (2)
29 2. LED 동작원리 9. LED characteristics (1) CB VB (a) E g E c E v E Electrons in CB Holes in VB Carrier concentration per unit energy (b) 2kT 1 /2 kt Relative intensity E g + kt 1 (2.5-3)kT 0 hu 1 hu 2 hu 3 E g hu (c) Relative intensity 1 0 l 2 l 3(d) (a) Recombination in energy band (b) CB 내에서의전자들과 VB 내에서의정공들의에너지분포. 가장높은전자의농도는 E c 보다 1/2 kt 만큼더위에존재한다. (c) (b) 를기반으로광자에너지의함수로서나타낸빛의상대적인세기. (d) (b) 와 (c) 를기반으로하여출력스펙트럼에서파장의함수로나타낸상대적세기. l 1 hu l
30 2. LED 동작원리 9. LED characteristics (2) (a) 적색 GaAsP LED 로부터의전형적인출력스펙트럼 (b) 전형적인출력광전력대순방향전류. (c) 적색 LED 의전형적인 I-V 특성. Turn-on 전압은약 1.5 V 이다.
31 3. Epitaxy (pn junction) 1. pn junction fabrication method (a) diffusion (b) ion implantation (c) epitaxy ( arrangement on ~ ) - Homoepitaxy : Si on Si, GaAs on GaAs, GaN on GaN - Heteroepitaxy : GaAs on Si, GaN on Al 2 O 3, GaAs 1-x P x /GaAs
32 3. Epitaxy (pn junction) 2. Diffusion Acceptor dopant Zn into n-type GaAs, GaP & GaAs 1-x P x etc. (a) Zn diffused pn junction in GaAs 1-x P x LEDs (b) Zn diffusion ampoule (c) Zn diffusion profile in GaP
33 3. Epitaxy (pn junction) 3. Epitaxy - 액상성장법 (LPE; Liquid Phase Epitaxy) - 유기금속기상성장법 (MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition) - Hydride 기상성장법 (HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) - 분자선성장법 (MBE; Molecular Beam Epitaxy) Main Gas Flow Diffusion Boundary Layer 1 반응기내로 source 주입 transport to surface gas phase reaction surface diffusion desorption of precursor desorption of reaction product 2 source가증착영역으로확산이동 3 precursor가성장표면으로이동 4 precursor가성장표면위에흡착 5 precursor가성장위치로확산 6 박막성장 Adsorption of Precursor Nucleation and Island Growth Step Growth 7 표면반응부산물은표면밖으로탈착
34 3. Epitaxy (pn junction) 4. Mismatch A. Lattice mismatch 격자정수의불일치에기인하는부정합으로서 homoepitaxy 의경우에도불순물의도핑에의해서도발생
35 3. Epitaxy (pn junction) 4. Mismatch B. Thermal expansion coefficient mismatch 기판과박막사이의열팽창계수차이에의해발생 (a) at growth temperature (lattice match) (b) at room temperature (lattice mismatch)
36 3. Epitaxy (pn junction) 4. Mismatch C. Crystallographic mismatch 기판과박막사이의결정구조차이에의해발생
37 3. Epitaxy (pn junction) 4. Mismatch D. Electron valency mismatch 결합을이루는원자들의전자가가전하중성화조건을만족하지못하는경우에발생 ZnSe/GaAs 의경우 Ga 이표면에배열된경우 Zn 보다는 Se 이먼저부착되는경향이크고, 일단 Ga-Se 결합이형성되면표면이매우안정하게되어 3 차원적인성장이진행됨으로써결함이낮은양질의박막을성장하는것이곤란하다.
38 3. Epitaxy (pn junction) 5. LPE (1) (a) First LPE of Ge by RCA 1963 년 RCA 에서발명 - 열평형상태에서성장 - 양호한결정성보장 - 매우빠른성장속도 - 급준한계면제어의어려움 - 얇은박막의성장이제한 (b) Phase diagram of the Ga-As system
39 3. Epitaxy (pn junction) 4. LPE (2) (a) Vertical dipping LPE of GaAs:Si (b) Horizontal slider LPE of Ga 1-x Al x As
40 3. Epitaxy (pn junction) 5. HVPE GaCl + NH 3 GaN + HCl + H 2 (a) VPE of Ga 1-x Al x As in a vertical reactor (b) VPE of GaN in a horizontal reactor 열평형상태에가까운조건에서성장다양한성장기법이가능비교적양호한결정성보장비교적빠른성장속도얇은박막의성장가능
41 3. Epitaxy (pn junction) 6. MOCVD (a) Growth of GaAs by MOCVD Step coverage 우수양질의결정성장비교적성장속도가빨라생산성이좋음 현재현장에서널리쓰이는성장방법 (b) GaN Growth system by Nichia Chem.
42 3. Epitaxy (pn junction) 7. MBE (a) Principle of MBE for growth of Ga 1-x Al x As 비평형상태에서의성장성장속도가느려급준한계면제어및아주얇은박막성장가능초고진공으로불순물이적은양질의결정성장가능 RHEED 장비를이용하여결정성장과정을실시간관찰가능비싼유지비, 느린성장속도로인한생산성의저하
43 3. Epitaxy (pn junction) 8. Epitaxy methods comparison 성장방법 특징 제한 LPE 기판위에과포화용액에의해성장 기판크기제한및아주얇은층성장제어곤란 HVPE 성장하기위한이송재로 Metal Halide 사용 Al 포함되지않은화합물성장, 두꺼운층만성장 MOCVD Source로유기금속화합물사용 AsH 3 와같은아주독성의 Source를사용 MBE 초고진공상태에서증착 높은증기압을가지는재료의성장은어려움 장점 단점 LPE 매우고품질의재료성장 정확한합금조성을위한거의평형상태에서성장 상대적으로저가격 기판크기제한및아주얇은층성장제어곤란 HVPE 극히고품질의재료성장 Al 포함되지않은화합물만성장, 두꺼운층만성장 MOCVD MBE 비평형상태의시스템으로성장 고품질의재료성장 원자적으로급격한계면가능 주의를요하는비싼성장기술
44 4. GaN Epitaxy 1. GaN blue LED GaN heteroepitaxy on Sapphire substrate : large lattice & thermal coefficient mismatch
45 4. GaN Epitaxy 2. GaN/Al 2 O 3 heteroepitaxy (a) Lattice mismatch with orientation of GaN (b) Planes of Sapphire (c) GaN on c-plane Al 2 O 3 (d) GaN on a-plane Al 2 O 3 (e) GaN on r-plane Al 2 O 3
46 4. GaN Epitaxy 3. GaN/Al 2 O 3 heteroepitaxy roadblock (1) A. Dislocation Large lattice mismatch overcome with low temperature buffer technology 1986 Akasaki et al. AlN buffer for MOCVD growth of GaN on Al 2 O S. Nakamura et al. GaN buffer for MOCVD growth of GaN on Al 2 O 3
47 4. GaN Epitaxy 3. GaN/Al 2 O 3 heteroepitaxy roadblock (1) B. Dislocation management (1) ELO (epitaxially lateral overgrowth) mask mask mask mask mask mask mask mask mask substrate substrate substrate T.S. Zheleva, et al. JCG 222, 706 (2001)
48 4. GaN Epitaxy 3. GaN/Al 2 O 3 heteroepitaxy roadblock (1) B. Dislocation management (2) PE (pendeo epitaxy) seed GaN substrate AlN buffer SiN x mask R.F. Davis, et al. JCG 225, 134 (2001) PE GaN PE GaN K.A. Dunn, et al. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5S1, W2.11 (2000).
49 4. GaN Epitaxy 3. GaN/Al 2 O 3 heteroepitaxy roadblock (2) A. Heat dissipation Thermal conductivity GaN: 1.3 W/Kcm Sapphire: 0.26 W/Kcm Copper: 3.98 W/Kcm 1. Peak broadening 2. EL intensity decreasing 3. Peak energy red-shift S. Figge, et al. JCG 281, 101 (2005)
50 4. GaN Epitaxy 3. GaN/Al 2 O 3 heteroepitaxy roadblock (2) B. Thermal management (1) LED on free-standing GaN substrate K. Akita, et al. PSS (a)201, 2624 (2004)
51 4. GaN Epitaxy 3. GaN/Al 2 O 3 heteroepitaxy roadblock (2) B. Thermal management (2) Flip-chip LED using LLO T. Ueda, et al. PSS (c)0, 2219 (2003)
52 4. GaN Epitaxy 3. GaN/Al 2 O 3 heteroepitaxy roadblock (2) B. Thermal management (3) LED by substrate transfer technique D.S. Wuu, et al. PSS (a)201, 2699 (2004)
53 4. GaN Epitaxy 3. GaN/Al 2 O 3 heteroepitaxy roadblock (3) C. Efficiency Non-polar GaN growth Transparent Ohmic contact Patterned Sapphire substrate Roughened surface 2011 ICNS, by Samsung High efficient InGaN/GaN blue LED on 8 inch (111) Si substrate
54 4. GaN Epitaxy 4. GaN/Al 2 O 3 LED
55 5. Practice 1. n-zno on p-gan/al 2 O 3 LED p-gan on Al 2 O 3 substrate size : 10x10mm p-n juncion by n-zno deposition 1st PhotoLitho for n-layer pattern 2nd PhotoLitho for electrode pattern RF sputter deposition, 1hr mesa wet etching lift-off Al metal by DC sputtering annealing n-mgo p-gan Al 2 O 3 Al Dicing size : 2x2mm Chip bonding Ag paste Wire bonding Characterization I-V, I-L
56 5. Practice 2. Zn diffused p-n GaP LED n-gap substrate size : 10x10mm p-n juncion by Zn 750 o C for 30 min, Zn 10mg p-n junction isolation mechanical removal 1nd PhotoLitho for electrode pattern Al metal by E-beam evaporation lift-off & annealing p-gap n-gap Al Al Dicing size : 2x2mm Chip bonding Ag paste Wire bonding Characterization I-V, I-L
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분 기 보 고 서 (제 18 기) 사업연도 2012년 01월 01일 2012년 03월 31일 부터 까지 금융위원회 한국거래소 귀중 2012 년 5 월 15 일 회 사 명 : 주성엔지니어링(주) 대 표 이 사 : 황 철 주 본 점 소 재 지 : 경기도 광주시 오포읍 능평리 49 (전 화) 031-760-7000 (홈페이지) http://www.jseng.com
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차 례 Ⅰ. 에너지관리 1. 홈에너지닥터를 이용해 연 1회 에너지진단을 받자 1 2. 에너지 가계부를 쓰자 1 3. 에너지효율 1등급 가전제품을 사용하자 6 4. 대기전력 마크가 부착된 가전제품을 사용하자 8 확인학습 9 Ⅱ. 신재생 에너지 5. 소형 풍력발전시스템을 설치하자 13 6. 태양열 시스템을 설치하자 16 7. 태양광 시스템을 설치하자 19 8.
대표이사등의 확인, 서명 I. 회사의 개요 1. 회사의 개요 가. 회사의 법적, 상업적 명칭 당사의 명칭은 '엘아이지에이디피주식회사'('LIG에이디피주식회사'라 칭하며), 영문으 로는 'LIG ADP Co.,Ltd.'(약호 LIG ADP)라 표기합니다. 나. 설립일자
사 업 보 고 서 (제 10 기) 사업연도 2010년 01월 01일 2010년 12월 31일 부터 까지 금융위원회 한국거래소 귀중 2011년 3월 31일 회 사 명 : 엘아이지에이디피주식회사 대 표 이 사 : 허광호 본 점 소 재 지 : 경기도 성남시 상대원동 333-5 (전 화) 031-778-1114 (홈페이지) http://www.ligadp.com 작
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Chapter 1. Crystal Properties and Growth of Semiconductors ( 결정체성질과반도체결정의성장 ) 1.1 반도체재료 반도체 (Semiconductor) 란? 금속과절연체의중간정도의전기전도도를갖는일련의물질 단, 전기전도도가온도변화, 광학적인여기상태및불순물함유량에 따라크게변할수있음. 전기적성질의융통성때문에반도체재료가전자소자연구를위한
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백색 LED를 사용한 조명용 광원의 설계 및 분석
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Journal of the Korean Ceramic Society Vol. 46, No. 1, pp. 30~34, 2009. Optimization of Glass Wafer Dicing Process using Sand Blast Won Seo, Young-mo Koo*, Jae-Woong Ko**, and Gusung Kim Department of Electronic
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한국전지학회 춘계학술대회 Contents 기조강연 LI GU 06 초강연 김동욱 09 안재평 10 정창훈 11 이규태 12 문준영 13 한병찬 14 최원창 15 박철호 16 안동준 17 최남순 18 김일태 19 포스터 강준섭 23 윤영준 24 도수정 25 강준희 26
2015 한국전지학회 춘계학술대회 2일차 한국전지학회 춘계 학술대회(신소재 및 시장동향 관련 주제 발표) 시간 제목 비고 세션 1 차세대 이차전지용 in-situ 분석기술 좌장 : 윤성훈 09:00~09:30 Real-time & Quantitative Analysis of Li-air Battery Materials by In-situ DEMS 김동욱(한국화학연구원)
12¿ù06ƯÁý-06
21..,.. SOI(Silicon on Insulator) SOI IC., Sub-systemisolation.. SiC, GaN, AlN, ZnO SiC,,, (Silicon Carbide) 21. 1) 1000~2700 (Fig. 1). 3C, 4H, 6H, 15R, 200, Hexagonal type. 2),, Micropipe, Fig. 1. SiC.
Vol. 234 2012. August 04 28 38 54 KCC Inside Special Theme KCC Life KCC News 04 KCC 하이라이트Ⅰ KCC 울산 신공장 준공식 거행 06 KCC 하이라이트Ⅱ 김천공장 통전식 및 안전 기원제 실시 08 KCC
www.kccworld.co.kr 08 2012. August vol. 234 KCC Inside_ KCC 하이라이트Ⅰ KCC 울산 신공장 준공식 거행 Special Theme_ Essay 편한 마음으로 여름을 이기자 KCC Life_ 책과 함께Ⅰ 스티븐 호킹의 시간의 역사 & 위대한 설계 KCC News_ KCC News KCC건설 News Vol. 234
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[ 화학 ] 과학고 R&E 결과보고서 나노입자의표면증강을이용한 태양전지의효율증가 연구기간 : 2013. 3 ~ 2013. 12 연구책임자 : 김주래 ( 서울과학고물리화학과 ) 지도교사 : 참여학생 : 원승환 ( 서울과학고 2학년 ) 이윤재 ( 서울과학고 2학년 ) 임종찬 ( 서울과학고 2학년 ) 소재원 ( 서울과학고 2학년 ) 1,.,.,.... surface
2001/1학기 공학 물리 중간고사
2011/2 학기물리전자기말고사담당교수 : 김삼동 성명 학번 분반 e = 1.6 10-19 C, ε ox = 3.9, ε Si = 11.7,ε o = 8.85 10-14 F/cm 2, kt (300 K) = 0.0259 ev,, n i (Si, 300 K) =1.5x10 10 /cm 3 1. PN diode의 I-V 특성은아래의그림과같은거동을보인 (I) 다.
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Electro Deionization: EDI Systems. Electro Pure EDI, Inc.: High technology water tm www.cswaters.co.kr : EDI Electro Deionization 1. EDI Pure Water System? 2. EDI? 3. EDI? 4. EDI? 5. EDI? Slide 2 EDI 1.
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12-17 총설.qxp
실감나는 3D 가상스피커 개발 사용자가 원하는 소리를 특정 공간에 선택적으로 구현해 주는 가상 스피커 시스템이 국내 연구진에 의해 개발됐다. 한국과학기술원(KAIST) 기계공학과 김양한, 최정우 교 수 연구팀은 공동으로 3차원 공간상에 자유롭게 가상스피 커를 배치할 수 있는 사운드 볼 시스템 을 개발했다. 사운 드 볼 시스템은 여러 개의 스피커를 이용해 공간상의
세계 비지니스 정보
1.... 1 2. /2005... 3 3.... 6 4.... 8 5. /... 9 6....12 7. /...17 8....23 9. /...26 10....28 11....29 12....30 13. /...31 14....32 15....33 16. /...35 17....39 - i 18....43 19....46 20....51 21....53 22....56
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THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 2017 Jan.; 28(1, 1 9. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2017.28.1.1 ISSN 1226-3133 (Print ISSN 2288-226X (Online ETRI 0.25 μm
서강대학교 기초과학연구소대학중점연구소 심포지엄기초과학연구소
2012 년도기초과학연구소 대학중점연구소심포지엄 마이크로파센서를이용한 혈당측정연구 일시 : 2012 년 3 월 20 일 ( 화 ) 14:00~17:30 장소 : 서강대학교과학관 1010 호 주최 : 서강대학교기초과학연구소 Contents Program of Symposium 2 Non-invasive in vitro sensing of D-glucose in
전기일반(240~287)
1 242 1. 1 X [][] [][] 2. 380760[nm] (luminous flux) F lumen[] U[J/S] F[lm] 243 3. [] (luminous intensity) I (candela, [cd]) 3 F[lm] x```[] I I=:::F x :`[cd] [] 4. (illuminance) E (lux, [lx]) 4 I[cd] r[m]
Microsoft Word - Report_합본__도시광산.doc
EUGENE Small-Cap 212년 스몰캡 Idea (13) 211. 11.1 Urban Mining 광부가 됩시다 자원의 무기화 지난 9월, 우리 정부(지식경제부)는 도시광산 활성화 포럼 을 개최. 도시광산은 폐가 전제품, 산업폐기물에 축적된 금속자원을 회수, 재활용할 광물을 얻는 것 희토류 생산의 96%를 차지하는 중국은 올해 11월부터 희토류 세율을
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World Top 10 by 2030 CONTENTS CONTENTS 02 03 PRESIDENT S MESSAGE 04 05 VISION GOALS VISION GOALS STRATEGIES 06 07 HISTORY 2007 2008 2009 2010 2011 08 09 UNIST POWER 10 11 MPI USTC UNIST UCI UTD U-M GT
기능.PDF
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1508 고려 카달록
트레이용난연케이블의특징 0./1kV XLPE Insulated and Tray FlameRetardant PVC ed Cable (TFRCV) 0./1kV XLPE Insulated and Tray FlameRetardant PVC ed Aluminium Power Cable (TFRCV/AL) 0./1kV XLPE Insulated HalogenFree Flame
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LC/MS, LC/MS/MS 기초개론 LC LC/MS(Liquid Chromatography/Mass Spectrometry) 액상의분석물질을기화및이온화하여고진공관에서원하는질량 (m/z) 이나질량범위만검출하여정량 정성분석하는시스템 High vacuum PC/Software Ion source Mass Analyzer Detector ESI APCI APPI
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개최요강
55 2009. 5. ( ) ( ) < > 1. 1 2. 2. 2. 3 1) 3 2) 3 3) GC-MS 4. 5 1) 5 2) 5 3) ICP-OES 6 3. 7. 7 1) 7 2) 10. 13 1) 1g 13 2),,, 14 3), 15 4),, 15 4. 17 19 < > [ 1] 2 [ 2] ICP-OES 6 [ 3] 13 [ 4] 1g 13 [ 5]
00.1
HOSPA Chipboard screws with countersunk head Material: Drive: Cross recess PZ galvanized yellow chromatized nickel plated burnished Partly threaded, galvanized or yellow chromatized dk k L d m Head Ø dk
Introduction Capillarity( ) (flow ceased) Capillary effect ( ) surface and colloid science, coalescence process,
Introduction Capillarity( ) (flow ceased) Capillary effect ( ) surface and colloid science, coalescence process, Introduction Capillary forces in practical situation Capillary Model A Capillary Model system,
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- 1 - - 2 - - 3 - - 4 - - 5 - - 6 - ι κ λ β β β β β - 7 - - 8 - - 9 - - 1 - - 11 - 마. - 12 - - 13 - - 14 - - 15 - - 16 - - 17 - - 18 - - 19 - - 2 - - 21 - - 22 - - 23 - - 24 - ι κ λ β β - 25 - - 26 - -
I. 회사의 개요 1. 회사의 개요 1. 연결대상 종속회사 개황(연결재무제표를 작성하는 주권상장법인이 사업보고서, 분기ㆍ 반기보고서를 제출하는 경우에 한함) 상호 설립일 주소 주요사업 직전사업연도말 자산총액 지배관계 근거 주요종속 회사 여부 (주)이수엑사보드 2004년
분 기 보 고 서 (제 40 기) 사업연도 2011년 01월 01일 2011년 09월 30일 부터 까지 금융위원회 한국거래소 귀중 2011년 11월 14일 회 사 명 : (주)이수페타시스 대 표 이 사 : 홍정봉 본 점 소 재 지 : 대구광역시 달성군 논공읍 본리리 29-54 (전 화) 053-610-0300 (홈페이지) http://www.petasys.com
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APR1400 KNF/ / 2008. 4. 11 13 Table of Contents 1. APR1400 LBLOCA (Now vs. Before) 2. 3. 4. 13 2 1. APR1400 LBLOCA (Now vs. Before) Now Before 13 3 1. APR1400 LBLOCA (Now vs. Before) PCT Before Now SIT
Contents SKKU OASIS' News 03 인사말 04 사진으로 읽는 뉴스 SKKU RIS-RIC의 2014년 08 방문을 환영합니다! 10 인물포커스 반도체&MEMS팀 김윤식 팀장 14 참여기관 탐방 반월도금사업협동조합 Cover Story 5월 15일(목)
성균관대학교 스마트부품 도금산업 고부가가치화 지원사업단(RIS) 정보통신용 신기능성 소재 및 공정연구센터(RIC) SKKU OASIS' News 2014년 6월, Vol.13_No. 발행일 2014년 6월 발행인 서수정 발행처 성균관대학교 RIS-RIC (경기도 수원시 장안구 서부로 2066 제1종합연구동 4층) TEL 031-290-5640 FAX 031-290-5644
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Journal of the Korean Ceramic Society Vol. 46, No. 6, pp. 673~678, 2009. DOI:10.4191/KCERS.2009.46.6.673 Effect of MgO Buffer Layer on the Structural Properties of Sputter-grown ZnO Thin Film Young Soo
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KOPEC, a Global Leading Engineering Company Humaneering KOPEC Nuclear Power NUCLEAR POWER 06 07 Isolation Valve Rupture Disk To Containment Atmosphere Throttle Valve Pressurizer Steam Generator Reactor
전기정보 11월(내지).qxp
463-835 경기도 성남시 분당구 야탑로 338(야탑동 191) T.(031) 724-6100(代) 등록일자 1976년 3월 18일 등록번호 서울 라 11267 www.kemc.co.kr 11 2014 통권474 Power Tech AC 직결형 LED 구동회로 설계 스마트 리뉴어블(Smart Renewable) EMS 운영 결과 분석 발전기 온라인 통합 감시진단
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act Switches SPECIICAIONS RAING: ma, VDC ELECRICAL LIE:, cycles for gf, gf,gf,, cycles for gf, gf CONAC RESISANCE: m max INSULAION RESISANCE: M min. VDC DIELECRIC SRENG: VAC/ min OPERAION ORCE: gf Yellow
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Heinrich Rudolf Hertz (1857 1894) proved the existence of the electromagnetic waves theorized by James Clerk Maxwell's electromagnetic theory of light. Guglielmo Marconi (1874 1937) 1909 Nobel Prize in
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표면물리 분야에서의 전자구조 계산 홍 석 륜 들어가기 - 표면물리 계산분야의 중요성 20세기 말부터 정보통신의 중요성이 크게 인식되면서 그 기반 을 제공하는 반도체소자에 대한 연구가 더욱 중요하게 되었 다. [1,2] 정보통신사회를 지향해 나가고 있는 현대 산업사회에서는 더욱 많은 양의 정보를 더욱 빠른 속도로 처리, 저장, 전달할 필요 성이 증가되어 왔고,
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PCB ACF 77 GHz. X,,.,. (dip brazing), (diffusion bonding), (electroforming),, [1],[2].. PCB(Printed Circuit Board), (anisotropic conductive film: ACF)
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THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 2018 Oct.; 29(10), 752 757. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2018.29.10.752 ISSN 1226-3133 (Print) ISSN 2288-226X (Online) PCB
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w y wz 8«( 2y) 57~61, 2005 J. of the Korean Society for Environmental Analysis p w w Á Á w w» y l Analysis of Influence Factors and Corrosion Characteristics of Water-pipe in Potable Water System Jae Seong
NNFC 분석 / 특성평가장비의구성 구조 & 표면분석 Mechanical & Bio 분석 Electrical 특성측정 In-Line 측정 불량분석 RE 분석 FE-(S)TEM Cs-corrected STEM 3D FE-STEM In-situ TEM FE-SEM DB-F
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Microsoft PowerPoint - Chapter4&6(강의용)
h. 4 반도체소자 반도체 : 상온에서도체와부도체의중간쯤에해당하는전기전도도를가지는물질 불순물첨가 (doping) 또는결함으로인해서전기전도도가매우크게변함. 주기율표에서 4 족, 3-5 족, 2-6 족화합물 (Si, Ge, GaAs, AlAs etc. ) c = 6.708 Å 1 원자가규칙적정렬을하는고체에서전자의상태 : 에너지밴드 E U E g a E V a 0
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RUF * (A Simple and Efficient Antialiasing Method with the RUF buffer) (, Byung-Uck Kim) (Yonsei Univ. Depth of Computer Science) (, Woo-Chan Park) (Yonsei Univ. Depth of Computer Science) (, Sung-Bong
I. 회사의 개요 1. 회사의 개요 가. 연결대상 종속회사 개황(연결재무제표를 작성하는 주권상장법인이 사업보고서, 분기 ㆍ반기보고서를 제출하는 경우에 한함) 자본시장과 금융투자업에 관한 법률 시행령 부칙 <제20947호> 제23조에따라 2012년 1월 1일 이후 최초로
반 기 보 고 서 (제 31 기) 사업연도 2012년 01월 01일 2012년 06월 30일 부터 까지 금융위원회 한국거래소 귀중 2012년 8월 14일 회 사 명 : 엠케이전자(주) 대 표 이 사 : 최 윤 성 본 점 소 재 지 : 경기도 용인시 처인구 포곡읍 금어리 316-2 (전 화)031-330-1900 (홈페이지) http://www.mke.co.kr
책임연구기관
2009. 2. 책임연구기관 - i - - ii - - iii - - iv - 6.3.1 Sample Collection and Analysis 161 6.3.1.1 Sample Collection 161 6.3.1.2 Sample Analysis 161 6.3.2 Results 162 6.3.2.1 Dalian 162 6.3.2.2 Xiamen 163 6.3.3
- 2 -
- 1 - - 2 - 전기자동차충전기기술기준 ( 안 ) - 3 - 1 3 1-1 3 1-2 (AC) 26 1-3 (DC) 31 2 37 3 40-4 - 1 14, 10,, 2 3. 1-1 1. (scope) 600 V (IEC 60038) 500 V. (EV : Electric Vehicle) (PHEV : Plug-in Hybrid EV).. 2. (normative
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Innovator in Water Disinfection Solution 고농도차염 (NaOCl) 발생시스템 Klorigen K-Series Klorigen M-Series Generate Sodium Hypochlorite On-site and On-demand ETC Electrolytic Technologies Corporation Electrolytic
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SURGE PROTECTIVE DEVICE 전원 전원 전원 +E +E +N+E
전원 전원 전원 +E +E +N+E Use of spd +E 변전소 (Substation) (Application) 배전반주분전반 (Distributing board) 분전반 (Cabinet panel board) 설비 (Facilities) 중부하기기 (Heavy loading machine) 경부하기기 (ight loading machine) 106 권장
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(JBE Vol. 21, No. 5, September 2016) (Regular Paper) 21 5, 2016 9 (JBE Vol. 21, No. 5, September 2016) http://dx.doi.org/10.5909/jbe.2016.21.5.760 ISSN 2287-9137 (Online) ISSN 1226-7953 (Print) LED a),
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