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- 윤미 독고
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1 1.1 물질의일반적인성질 반도체물질 단원소반도체 General Semiconductor Ge Classification (1) Elemental C (2) Compounds (a) IV-IV (b) III-V Symbol Si SiC AlP AlAs Name Carbon Silicon Germanium AlSb GaN GaAs GaSb InP 화합물반도체 Silicon carbide Aluminum phosphide Aluminum arsenide Aluminum antimonide Gallium nitride Gallium arsenide Gallium antimonide Indium phosphide InAs Indium arsenide InSb Indium antimonide 1/1
2 1.1 물질의일반적인성질 화합물반도체 (c) II-VI ZnO Zinc oxide ZnS ZnSe ZnTe CdS CdSe (d) IV-VI PbTe (3) Alloys (a) Binary (b) Ternary (c) Quaternary CdTe HgS PbS PbSe Si1-xGex Alx Ga1-xAs Alx In1-xAs GaAs1-xPx Hg1-xCdxTe AlxGa1-xAsy Sb1-y GaxIn1-xAs1-yPy 혼합물반도체 Zinc sulfide Zinc selenide Zinc telluride Cadmium sulfide Cadmium selenide Cadmium telluride Mercury sulfide Lead sulfide Lead selenide Lead telluride x, y는 0과 1사이의분수임 Al 0.3 Ga 0.7 As는 10As원자마다 3Al과 7Ga를의미 2/1
3 1.1 물질의일반적인성질 축약된원소의주기율표 4 Be 베릴륨 B C 붕소 II III IV V VI Mg 마그네슘 30 Zn 아연 탄소 48 Cd 카드뮴 13 Al 알루미늄 31 Ga 갈륨 49 In 인듐 14 Si 규소 32 Ge 게르마늄 50 Sn 주석 7 N 질소 15 P 인 33 As 비소 51 Sb 안티몬 8 O 산소 16 S 황 34 Se 셀렌 52 Te 텔루르 80 Hg 수은 81 Tl 탈륨 82 Pb 납 83 Bi 비스무트 84 Po 풀로늄 3/1
4 1.1 물질의일반적인성질 순수한반도체의순도 불순물원자의미소한개입은반도체의전기적성질에큰영향을미침 dopant : 전도도를높이기위해의도적으로불순물원자를첨가 (10 8 ~10 3 중하나 ) 순수한 Si 반도체의불순물농도 : Si 10 9 개중다른원자 1 개 구조 미국전역에 15m 간격으로단풍나무를심었는데그중 25 개의사과나무가발견되는정도 LCD 의스위칭소자 MOSFET 의 Gate (a) Amorphous (b) Polycrystalline (c) Crystalline 4/1
5 1.2 결정구조 Unit cell 개념 단위셀 : 결정을복원해낼수있는조그만조각 그림 (d) 도 (a) 의단위셀에해당 : 단위셀이기본셀 ( 가능한최소의셀 ) 과동일할 2 차원격자구조의예 : 그림참조 그림 (b) 의단위셀을복사하여규칙적으로쌓아올리면 (a) 의격자재생 필요는없음 5/1
6 1.2 결정구조 3 차원단위셀 1 개의원자 (52%) (a) Simple cubic 2개의원자 (68%) (b) Pedantically correct simple cubic 3 개의원자 (74%) (c) Body-centered cubic (d) Face-centered cubic 6/1
7 1.2 결정구조 반도체격자구조 상온의실리콘은 5.43Å (1Å =10-10 m) 따라서 5x10 22 atoms/cm 3 (a) 다이아몬드격자구조 (b) 섬아연강격자구조 7/1 (c) 다이아몬드격자구조에서가장이웃한 4 개의결합구조
8 1.2 결정구조 Miller index 6inch wafer, 두께 0.625mm 8inch wafer, 두께 0.725mm 단결정 Si wafer 의전형적인초기기판 8/1
9 1.2 결정구조 Miller index 입방체결정의표본 : (632) 평면, (001) 평면, (221) 평면 단위셀의모서리를따라좌표계를구성하고, 표준화된결과의교차값을 x, y, z 의 순으로기록 교차값의역수를취함 적당한수를곱하여 (1/ 교차값 ) 들을최소정수의집합형태로변환 정수집합을둥근괄호로표현 9/1
10 1.3 결정성장 초순수 Si 를얻는방법 Silica or Siligate Very impure Silicon SiCl 4 (liquid) Ultrapure SiCl 4 Ultrapure polycrystalline Si Reduced in 실리카 (SiO 2 ) 와실리게이트 (Si+O+ 다른원소 ) 로부터탄소와가열처리함 presence of C Ferro Si 은염소처리되어액상인 SiCl 4 와 SiHCl 3 로변환 반복된증류과정과액체정화과정을거쳐초순수 SiCl 4 를얻음 고순도할로겐화합물은수소환경에서가열하여제거함 SiCl 4 + 2H 2 = 4HCl + Si Chlorinated Distilled, etc. Reduced in hydrogen atmosphere 10/1
11 1.3 결정성장 단결정형성 : 도가니속의결정성장 가동대역속에서의용융과응고 용융체한끝에서의응고 ( 수평 bridgeman 방식 ) 11/1
12 1.3 결정성장 단결정형성 : Czochralski 방법 지름 8inch, <100> 방향의 Si 결정의인상 결정성장과정의개요도 12/1
13 1.3 결정성장 단결정형성 : Czochralski 방법 Czochralski 방법에의해성장된 Si 결정 1950 년대의 1inch 주괴와현재의 8inch 주괴의비교 13/1
14 1.3 결정성장 단결정형성 : 대역정제의부유대역성장 Monsanto 사의부유대역성장 Si 결정 14/1
15 1.3 결정성장 단결정형성 : 실제의 puller 사진 실리콘결정을생산하는장비와성장된단결정 15/1
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Chapter 1. Crystal Properties and Growth of Semiconductors ( 결정체성질과반도체결정의성장 ) 1.1 반도체재료 반도체란? 금속과절연체와의중간정도의전기전도도를갖는일군의물질 단, 전기전도도가온도, 광학적인여기상태및불순물함유량에따라크게 변할수있음. 전기적성질의융통성때문에반도체재료가전자소자연구를위한대상물질로 각광을받고있음.
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Chapter 1. Crystal Properties and Growth of Semiconductors ( 결정체성질과반도체결정의성장 ) 1.1 반도체재료 반도체 (Semiconductor) 란? 금속과절연체의중간정도의전기전도도를갖는일련의물질 단, 전기전도도가온도변화, 광학적인여기상태및불순물함유량에 따라크게변할수있음. 전기적성질의융통성때문에반도체재료가전자소자연구를위한
2-32
1. (Introduction to Semiconductors) 1 * Semiconductor Semiconductor (Conductor) (Insulator) (Conductivity) Pentium chip, Memory chip, Transistor, Diode (Switch), (Rectification), (Amplification), (Charge
(p47~53)SR
2014.8 Semiconductor Network 47 48 Semiconductor Network 2014.8 2014.8 Semiconductor Network 49 50 Semiconductor Network 2014.8 2014.8 Semiconductor Network 51 52 Semiconductor Network 2014.8 SN 2014.8
Hein and Arena
Chap 6. Nomenculature ( 화학명명법 : 화학의언어 ) 무기화합물의분류 1 이온의분류 2 화학명명법 (Chemical Nomenclature) 유기화합물 (Organic compounds) 은탄소 (carbon) 를지니는화합물로독특한명명법이있다 ( 유기화학에서공부 ). 여기에서는무기화합물 (inorganic compounds) 의명명법에관해서만살펴본다.
(72) 발명자 김창욱 경기 용인시 기흥구 공세로 150-20, (공세동) 박준석 경기 용인시 기흥구 공세로 150-20, (공세동) - 2 -
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (11) 공개번호 10-2014-0034606 (43) 공개일자 2014년03월20일 (51) 국제특허분류(Int. Cl.) H01M 4/525 (2010.01) H01M 4/505 (2010.01) H01M 4/48 (2010.01) H01M 4/131 (2010.01) (21) 출원번호 10-2012-0101151
Chap3.SiliconOxidation.hwp
반도체공정 Chap3. Silicon Oxidation 1 Chap. 3. Silicon Oxidation 주요내용 : - silicon dioxide(sio2) 를형성하기위한산화공정 - 산화공정과정의불순물의재분포현상 - SiO2 file의특성과두께측정방법 Why silicon in modern integrated circuit? Ge : 1950년대주로사용
2 0 1 1 4 2011 1 2 Part I. 1-1 1-2 1-3 1-4 1-5 1-6 1-7 1-8 Part II. 2-1 2-2 2-3 2-4 2-5 2-6 2-7 2-8 2-9 2-10 2-11 2-12 2-13 2-14 2-15 2-16 2-17 2-18 2-19 2-20 2-21 2-22 2-23 2-24 2-25 2-26 2-27 2-28
세계 비지니스 정보
1.... 1 2. /2005... 3 3.... 6 4.... 8 5. /... 9 6....12 7. /...17 8....23 9. /...26 10....28 11....29 12....30 13. /...31 14....32 15....33 16. /...35 17....39 - i 18....43 19....46 20....51 21....53 22....56
[96_RE11]LMOs(......).HWP
![[96_RE11]LMOs(......).HWP](/thumbs/40/20522352.jpg "[96_RE11]LMOs(......).HWP")
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2 ㆍ 大 韓 政 治 學 會 報 ( 第 20輯 1 號 ) 도에서는 고려 말에 주자학을 받아들인 사대부들을 중심으로 보급되기 시작하였고, 이후 조선시대에 들어와서는 국가적인 정책을 통해 민간에까지 보급되면서 주자 성리학의 심 화에 커다란 역할을 담당하였다. 1) 조선시대
대한정치학회보 20집 1호 2012년 6월: 77~99 세종과 소학( 小 學 ) : 민풍( 民 風 ) 과 사풍( 士 風 ) 의 교화* 1) 박홍규 ㆍ송재혁 고려대학교 요 약 2 기존 소학 에 대한 연구들은 주로 중종( 中 宗 ) 시대 사림( 士 林 ) 과의 연관선상에서 소학 의 의미를 모색하고 있다. 그러나 소학 에 대한 존숭 의식은 이미 조선 전기 관학파들도
untitled
Chapter 12. : - --------,,. -. 12.1 (galvanic cell, vltaic cell) (electrlytic cell) 6,, Cu(s) Cu 2+ (aq) + 2e - Ag + (aq) + e - Ag(s) ----------------------------------- Cu(s) + 2Ag + (aq) Cu 2+ (aq) +
untitled
Synthesis and structural analysis of nano-semiconductor material 2005 2 Synthesis and structural analysis of nano-semiconductor material 2005 2 . 2005 2 (1) MOCVD ZnO (2) MOCVD gallium oxide < gallium
붙임2-1. 건강영향 항목의 평가 매뉴얼(협의기관용, '13.12).hwp
환경영향평가서내위생 공중보건항목작성을위한건강영향항목의평가매뉴얼 - 협의기관용 - 2013. 12 환경부환경보건정책관실 - i - - ii - - iii - - iv - - v - - vi - 제 1 장건강영향평가의개요 건강영향평가의정의건강영향평가제도의필요성건강영향평가의목적및기능건강영향평가의원칙건강결정요인 - 1 - - 2 - - 3 - 제 2 장건강영향평가제도의시행방안
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통권 제101호(2007년 10월호) 특허가족 건강길라잡이(비만 시리즈4) 특허가족 건강길라잡이 (비만 시리즈 4) 변리사 김 일 성 킴스국제특허법률사무소 2. 비만과 영양소 4. 무기질(Minerals) 무기질은 단백질, 당질, 지질들과 달리 에너지를 낼 수 없고, 비타민류와 달리 조리과정에서 파괴되지 않는다. 그러나 물에 용해되므로 조리 중의 용액을 버리
12¿ù06ƯÁý-06
21..,.. SOI(Silicon on Insulator) SOI IC., Sub-systemisolation.. SiC, GaN, AlN, ZnO SiC,,, (Silicon Carbide) 21. 1) 1000~2700 (Fig. 1). 3C, 4H, 6H, 15R, 200, Hexagonal type. 2),, Micropipe, Fig. 1. SiC.
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전자회로 SEMICONDUCTOR P 1 @ INDEX 1. Conductors, Insulators, Semiconductors 2. Conduction in Semiconductors 3. The N-Type and P-Type Semiconductors 4. The PN Junction P 2 1.1 Conductors Insulators Semiconductors
KAERIAR hwp
- i - - ii - - iii - - iv - - v - - vi - Photograph of miniature SiC p-n and Schottky diode detector Photograph SiC chip mounted on a standard electrical package Photograph of SiC neutron detector with
이슈분석 2000 Vol.1
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가볍게읽는-내지-1-2
I 01. 10 11 12 02. 13 14 15 03. 16 17 18 04. 19 20 21 05. 22 23 24 06. 25 26 27 07. 28 29 08. 30 31 09. 32 33 10. 34 35 36 11. 37 12. 38 13. 39 14. 40 15. 41 16. 42 43 17. 44 45 18. 46 19. 47 48 20. 49
한눈에-아세안 내지-1
I 12 I 13 14 I 15 16 I 17 18 II 20 II 21 22 II 23 24 II 25 26 II 27 28 II 29 30 II 31 32 II 33 34 II 35 36 III 38 III 39 40 III 41 42 III 43 44 III 45 46 III 47 48 III 49 50 IV 52 IV 53 54 IV 55 56 IV
kbs_thesis.hwp
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LCD
, PC, TV 100, LG 50%. (CRT) 2000 (LCD) (PDP) LCD PDP LCD 70%. LCD (TFT), 3. 2010 (OLED) LCD. 8, TFT. TFT 0.5 cm 2 /Vs,. 1990. (low temperature poly silicon, LTPS) 80 cm 2 /Vs IC. LPTS /, TFT. 2004 InGaZnO
*통신1802_01-도비라및목차1~11
ISSN 25-2693 218. 2 218. 2 214 215 216 217 2.6 2.9 1.5 1.8 1.2 3.1 3.2 1.3 2.1 1.8 2.6 2.5 2.8 2.4.4 1.4.9 1.4 1.5 2.9 2.5 7.3 6.9 6.7 6.8 6.9 6.9 6.8 2.8 14 2.6 13 2.4 12 2.2 2. 11 1.8 1.6 1.4
untitled
200 180 ( ) () 1,060 1,040 160 140 120 / () 1,020 1,000 980 100 960 80 940 60 920 2005.1 2005.2 2005.3 2005.4 2006.1 2006.2 2006.3 2006.4 2007.1 2007.2 2007.3 150000 () (% ) 5.5 100000 CD () 5.4 50000
<30352D30312D3120BFB5B9AEB0E8BEE0C0C720C0CCC7D82E687770>
IT법률컨설팅 강의교안 (상) 영문계약의 이해 소프트웨어 자산관리기법 영문계약의 이해 - 1 - - 2 - - 3 - - 4 - - 5 - - 6 - - 7 - - 8 - - 9 - - 10 - - 11 - - 12 - - 13 - - 14 - - 15 - - 16 - - 17 - - 18 - - 19 - - 20 - - 21 - - 22 - - 23 -
Introductory Chemistry: Concepts & Connections 4th Edition by Charles H. Corwin
Introductory Chemistry: Concepts & Connections 4 th Edition by Charles H. Corwin Chapter 4 물질과 에너지 Christopher G. Hamaker, Illinois State University, Normal IL 2005, Prentice Hall 4.1 물질의물리적상태 물질 : 부피를차지하면서질량을가지는것.
경제통상 내지.PS
CONTENTS I 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 II 38 39 40 41 42 43 III 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 IV 62 63 64 65 66 67 68 69 V
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CONTENTS I 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 II 38 39 40 41 42 43 III 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 IV 62 63 64 65 66 67 68 69 V
우루과이 내지-1
U R U G U A Y U r u g u a y 1. 2 Part I Part II Part III Part IV Part V Part VI Part VII Part VIII 3 U r u g u a y 2. 4 Part I Part II Part III Part IV Part V Part VI Part VII Part VIII 5 U r u g u a
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10 (10.1) (10.2),,
Chapter 16 Precipitation Equilibria Copyright 2001 by Harcourt, Inc. All rights reserved. Requests for permission to make copies of any part of the work should be mailed to the following address: Permissions
피아노는 첨단기술과 예술의 완벽한 시너지를 통 해 세상에 나옵니다. 피아노는 연주자의 감성을 반영하는 사운드를 만들 수 있습니다. 피아노 생산의 마지막 단계를 보이싱(Voicing) 이라고 부릅니다. 이 과정을 통해 악기에 호흡을 불어넣고 진정한 음악을 만듭니다. 이를
피아노는 첨단기술과 예술의 완벽한 시너지를 통 해 세상에 나옵니다. 피아노는 연주자의 감성을 반영하는 사운드를 만들 수 있습니다. 피아노 생산의 마지막 단계를 보이싱(Voicing) 이라고 부릅니다. 이 과정을 통해 악기에 호흡을 불어넣고 진정한 음악을 만듭니다. 이를 위해 고 도로 숙련된 전문가들은 각각의 부분에 자신의 집중력과 감성을 집중하여 피아노 줄을
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Chapter 1. Crystal Properties and Growth of Semiconductors ( 결정체성질과반도체결정의성장 ) 1.1 반도체재료 반도체란? 금속과절연체와의중간정도의전기전도도를갖는일군의물질 단, 전기전도도가온도, 광학적인여기상태및불순물함유량에따라크게 변할수있음. 전기적성질의융통성때문에반도체재료가전자소자연구를위한대상물질로 각광을받고있음.
Microsoft Word - Report_합본__도시광산.doc
EUGENE Small-Cap 212년 스몰캡 Idea (13) 211. 11.1 Urban Mining 광부가 됩시다 자원의 무기화 지난 9월, 우리 정부(지식경제부)는 도시광산 활성화 포럼 을 개최. 도시광산은 폐가 전제품, 산업폐기물에 축적된 금속자원을 회수, 재활용할 광물을 얻는 것 희토류 생산의 96%를 차지하는 중국은 올해 11월부터 희토류 세율을
<692E E EB4EBB1E2BFC0BFB0C5C2B5BF5FB9FDB7C9BAAFC3B55FC0FCB8C12E687770>
( 97) ( 90) ( 99) ( 94) ( 96) ( 97) ( 97) ( 98) ( 99) ( 99) ( 00) ( 02) ( 02) ( 02) ( 99) ( 00) (SO 2) (ppm) (CO) (ppm) (NO 2) (ppm) (/) (TSP) (PM 10) (O 3) (ppm) (HC) (ppm) (Pb) (/) 1978
2004math2(c).PDF
3 2004 1,,,, 2 1 1. LCD ( )? () ( ) 2. 100 () () 3. < > (1) (2) (3) ( ) < > < >(1)(3) < > (), (3)< >()? ()... () A. B. C. (3), A, B, A, B, C 4. (), () < >? < >? [2]..,.,,,,,...,,,,, 2 5. < > (1), (2) (3)
제 1 장웨이퍼성장및가공 1. Introduction 반도체기술발달의역사 1800's: 초기반도체발견 (PbS, ZnSb, AgS) 1874: Ferdinand Braun 이 PbS 의 point-contact 다이오드에서의정류작용을보고. Marconi 와함께그다이오드
제 1 장웨이퍼성장및가공 1. Introduction 반도체기술발달의역사 1800's: 초기반도체발견 (PbS, ZnSb, AgS) 1874: Ferdinand Braun 이 PbS 의 point-contact 다이오드에서의정류작용을보고. Marconi 와함께그다이오드를라디오에응용하는업적으로 1909 년에노벨상수상 1906: 처음으로실리콘사용 1930's:
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GaN 기판제작공정 시스넥스기술연구소 박기연 내 용 1. 시스넥스및 HVPE 장비소개 2.GaN 기판제작개요 3. GaN Epi 공정 (HVPE 방법 ) 4. GaN LLO 공정 5. GaN polishing 공정 시스넥스소개 (4-1) 회사연혁및사업분야 2000. 05 회사설립 2001. 05 6x2 GaN MOCVD 개발 ( 국내및중국납품 ) 2004.
What’s semiconductor?
Lecture 2 집적회로란 : 무어의법칙, 집적화의장점, 종류, 반도체칩의일생 원광대학교이재철 http://edu.idec.or.kr Semiconductor? Conductor: Low resistivity Easily conducts Electrical Current Metals(copper, gold, sliver, etc.) Insulator: High
나. 광종별 현황 1. 금 가) 수급현황 (품위 : Au 99.9%, 단위 : KG ) 구분 누계 2006. 1-04 2007. 1-04 2006.04 2007.04 당월 생산 15,661 13,215 4,834 4,202 공급 수입 13,970 19,518 3,469 5,437 이월 1,163 432 4,198 6,608 합계 30,794 33,165 12,501
Sn & Sn-Alloy
Basic Information for Sn Name: Tin Symbol: Sn Atomic Number: 50 Atomic Mass: 118.71 amu Melting Point: 231.9 C (505.05 K) Boiling Point: 2270.0 C (2543.15 K) Number of Protons/Electrons: 50 Number of Neutrons:
i ii iii iv v vi vii viii 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 XXXXXXXX 22 24 25 26 27 28 29 30 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61
- i - - ii - - i - - ii - - i - - ii - - iii - - iv - - v - - vi - - vii - - viii - - ix - - x - - xi - - 1 - - 2 - - 3 - - 4 - - 5 - - 6 - - 7 - - 8 - - 9 - - 10 - - 11 - - 12 - - 13 - - 14 - - 15 -
CONTENTS.HWP
i ii iii iv v vi vii viii ix x xi - 1 - - 2 - - 3 - - 4 - - 5 - - 6 - - 7 - - 8 - - 9 - - 10 - - 11 - - 12 - - 13 - - 14 - - 15 - - 16 - - 17 - - 18 - - 19 - - 20 - - 21 - - 22 - - 23 - - 24 - - 25 -
INDUS-8.HWP
i iii iv v vi vii viii ix x xi 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64
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Atom arrangements in solid state Material structure Crystalline ( 결정질 ) single crystal ( 단결정 ) polycrystalline ( 다결정 ) Noncrystalline or Amorphous ( 비정질 ) Crystallographic Labeling convention ( 표기규약 )
553호
소통과 화합 환자중심 연구중심 친절한 병원 제 553호 2012년 7월 12일 발행인 송은규 편집인 김윤하 주소 광주광역시 동구 제봉로 42 홈페이지 http://www.cnuh.com Tel 062-220-5092 FAX 062-222-8092 원무과 내과 23일 새롭게 선 보입니다 1동 1 2층으로 각각 이전 수술장 공사 28일 마감 전남대병원의 1동 리모델링
IT R&D Global Leader IT- 에너지 : 박막태양광에너지기술동향및전망 김제하 차세대태양광연구본부
IT R&D Global Leader IT- 에너지 : 박막태양광에너지기술동향및전망 2008. 10. 30. 김제하 (jeha@etri.re.kr) 차세대태양광연구본부 발표순서 u 태양광산업개요 u 태양전지기술분류 u CIS/CIGS 태양전지기술현황 u 태양전지산업현황및전망 u 맺음말 - 2 - 왜태양광에너지인가? u 지구에들어오는태양에너지 (12만 TW)
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반도체검출기를이용한감마선측정 서범경 (bumja@kaeri.re.kr) 한국원자력연구원 자에너지 충만대 : 전자가결정내의격자에결합되어있는에너지대역전1. 반도체 - 원자가전자대 ( 충만대 ) 와전도대사이의에너지간격 (gap) 이작아서상온에서도열적인여기에의해충만대에있던전자가전도대로이동할수있어미량의전류를흘릴수있는물질 - 진성 ( 원형, 또는고유 ) 반도체 : 불순물을포함하지않는순수한반도체
2 A A Cs A C C A A B A B 15 A C 30 A B A C B. 1m 1m A. 1 C.1m P k A B u k GPS GPS GPS GPS 4 2
www.ebsi.co.kr 2 A A 1 133 Cs 1 11 1 A C C A A B A B 15 A C 30 A B A C B. 1m 1m A. 1 C.1m P k A B u k GPS GPS GPS GPS 4 2 www.ebsi.co.kr A B t B A ;2!;t v v= = (3_t)+(6_0.5t) v=4 m/s t+0.5t 3 m/s 6 m/s
Alloy Group Material Al 1000,,, Cu Mg 2000 ( 2219 ) Rivet, Mn 3000 Al,,, Si 4000 Mg 5000 Mg Si 6000, Zn 7000, Mg Table 2 Al (%
http://wwwtechnonetcokr (Aluminum & Aluminum BasedAlloy) : LG 1 Aluminum Table 1, 2 1000 7000 4 Al 990% Al 1XXX AlCu 2XXX AlMn 3XXX AlSi 4XXX AlMg 5XXX AlMgSi 6XXX AlZn(Mg, Cu) 7XXX 8XXX ( ) 9XXX Fig 1
<312E20B9DDB5E5BDC320BECFB1E2C7D8BEDF20C7D220C8ADC7D020B9DDC0C0BDC42E687770>
반드시암기해야할화학반응식 제 1 류위험물 1. 염소산칼륨분해반응식 (400 C) - 2KClO KClO + KCl + O ( 염소산칼륨 ) ( 과염소산칼륨 ) ( 염화칼륨 ) ( 산소 ) 2. 염소산칼륨분해반응식 (540 C~560 C) - 2KClO 2KCl + 3O ( 염소산칼륨 ) ( 염화칼륨 ) ( 산소 ) 3. 염소산칼륨 + 황산 - 6KClO +
공제_조합_제도_개선_방안_등_연구(111226).hwp
- i - 2006 2007 2008 2009 2010 2011 4 5 0 4 2 1 16 442 4,108 0 13,285 1,934 1,151 20,920 24.7 304 0 95.6 137.3 55.9 617.5 0 1 1 0 1-3 0 71,000 15,183 0 2,695-88,878 0 604.0 285.0 0 53.0-942.0 9 9 4 5 2-29
제 출 문 환경부장관 귀하 본 보고서를 폐기물관리 규제개선 방안연구 에 관한 최종보고서로 제출합니다 연구기관 한국산업폐기물처리공제조합 연구책임자 연 구 원 연구보조원 이 남 웅 황 연 석 은 정 환 백 인 근 성 낙 근 오 형 조 부이사장 상근이사 기술팀장 법률팀장 기
최종보고서 폐기물관리 규제개선방안 연구 ( 업계 건의사항 및 질의사례 중심) 2006. 9 환 경 부 제 출 문 환경부장관 귀하 본 보고서를 폐기물관리 규제개선 방안연구 에 관한 최종보고서로 제출합니다 연구기관 한국산업폐기물처리공제조합 연구책임자 연 구 원 연구보조원 이 남 웅 황 연 석 은 정 환 백 인 근 성 낙 근 오 형 조 부이사장 상근이사 기술팀장
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작품번호 37 Solar material 로쓰일수있는검정색물질의재발견! 출품분야학생부출품부문화학 2009. 5. 13 시 군 학교 ( 소속 ) 학년 ( 직위 ) 성 명 성남시풍생중학교 2 김호기, 이희원 지도교사풍생중학교교사김경원 - 1 - - 2 - - 3 - - 4 - - 5 - - 6 - - 7 - 석탄은주로탄소로구성되어있고, 수소와산소가들어있다. 이밖에질소
특허청구의 범위 청구항 1 Na-알지네이트(Na-alginate), 합성 제올라이트(synthetic zeolite)와 분말활성탄(powdered activated carbon) 을 혼합하여 2 ~ 6 %의 CaCl 2 용액에서 경화시켜 만들어진 직경 1 ~ 5 mm의
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) C02F 3/10 (2006.01) (21) 출원번호 10-2006-0053240 (22) 출원일자 2006년06월13일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 JP01207193 A KR1020030092674 A 2006년06월13일 (45) 공고일자 2007년10월29일
분 기 보 고 서 (제 60 기) 사업연도 2014년 01월 01일 2014년 09월 30일 부터 까지 금융위원회 한국거래소 귀중 2014 년 11 월 28 일 제출대상법인 유형 : 면제사유발생 : 주권상장법인 해당사항 없음 회 사 명 : (주)대유에이텍 대 표 이 사
목 분 기 보 고 서...1 대표이사 등의 확인...2 I. 회사의 개요...3 1. 회사의 개요...3 2. 회사의 연혁...8 3. 자본금 변동사항...12 4. 주식의 총수 등...13 5. 의결권 현황...14 6. 배당에 관한 사항 등...15 II. 사업의 내용...16 III. 재무에 관한 사항...48 IV. 감사인의 감사의견 등...53 V.
CONTENTS C U B A I C U B A 8 Part I Part II Part III Part IV Part V Part VI Part VII Part VIII Part IX 9 C U B A 10 Part I Part II Part III Part IV Part V Part VI Part VII Part VIII Part IX 11 C U B
I 154
152 I 154 1 154 ! 155 @ 156 ! 157 C F G B D E A A E D F B 158 @ 159 # 160 (the characteristic octave) 161 $ ppppppppppppppppppppppppppppppppp 1. 2. 3. 162 II 164 1 164 ! 165 166 167 Ut que-ant la - xis
Microsoft PowerPoint - ch02-1.ppt
2. Coodinte Sstems nd Tnsfomtion 20 20 2.2 Ctesin Coodintes (,, ) () (b) Figue 1.1 () Unit vectos,, nd, (b) components of long,, nd. 직각좌표계에서각변수 (,, ) 들의범위 < < < < < < (2.1) 직각좌표계에서임의의벡터 는,, 가그림 1.1 에서와같이,,
KEIT PD(15-10)-내지.indd
/ KEIT PD / KEIT PD / SUMMARY,, 13 300, 15 341, 17 367 5.2% 13 6,000 2%, 90%,,,,,,, ㆍ ㆍ,,, KEIT PD Issue Report PD ISSUE REPORT OCTOBER 2015 VOL 15-10 1. (AC DC, DC AC), (, ),, MOSFET, IGBT(Insulated Gate
Chapter 4: The Structure of Crystalline Solids
Chapter 4: 결정질고체의구조 (The Structure of Crystalline Solids) 학습목표 면심입방격자, 체심입방격자, 육방조밀격자 면심입방및체심입방의격자구조에서모서리길이, 원자반지름, 금속의밀도계산 염화나트륨 (NaCl), 염화세슘 (CeCl), 페로브스카이트등의단위격자와원자구조의설명 세라믹의성분과이온반경을이용한결정구조예측 조밀충진면이생기는과정.
00-1표지
summary _I II_ summary _III 1 1 2 2 5 5 5 8 10 12 13 14 18 24 28 29 29 33 41 45 45 45 45 47 IV_ contents 48 48 48 49 50 51 52 55 60 60 61 62 63 63 64 64 65 65 65 69 69 69 74 76 76 77 78 _V 78 79 79 81
untitled
기술 자습서 Part IV 02 p. 35 01 p. 16 01 02 03 04 05 06 07 08 01 02 03 04 05 06 07 01 01 02 03 05 06 07 02 03 04 06 08 110 V 01 p. 56 01 02 03 04 05 06 01 02 03 04 06 02 p. 67 01 02 03 04 05 06 07 01 02 03
슬라이드 1
9. 화학결합 I: 공유결합 < Essential oncept > Lewis 기호 (, dot) S 이온결합, 격자에너지 공유결합 전기음성도, 산화수 Lewis 구조쓰기 ( 그리기 ) 형식전하와 Lewis 구조공명의개념 8 전자계규칙및예외 결합에너지 열화학 Mg S 8 Mg Yakko, Wakko, and Dot K r 7 Ni Br 111 Au u 화학결합
Quark License Administrator 4.0 사용 안내서
à à, à II IV VI VIII X 2 4 cd Quark License Administrator/Server./QLAServer /etc/rc2.d/s12linkqlaserver 6 1 2 3 4 1 2 3 4 1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 22 1 2 1 2 24 1 2 1 2 1 2 26 1
19(1) 02.fm
Korean J. Crystallography Vol. 19, No. 1, pp.7~13, 2008 Ÿ (ICISS) w š t w (2): t w y w œw Surface Structure Analysis of Solids by Impact Collision Ion Scattering Spectroscopy (2): Atomic Structure of Semiconductor
2004math2(a).PDF
3 2004 1..,,,..,. 2. 1.. 1.. LCD ( )? () ( ) 2. 100. () () 3... < > (1). (2). (3) ( ) < > < >(1)(3). < > (), (3)< >()? ()... () A.. B.. C.. (3), A, B, A, B, C 4. (), (). < >? < >? [2] ..,.,,,,,
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. vol. 28, no. 1, Jan GaN MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circui
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 2017 Jan.; 28(1, 1 9. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2017.28.1.1 ISSN 1226-3133 (Print ISSN 2288-226X (Online ETRI 0.25 μm
00....
Fig. 1 2.5%. 51.5%, 46.0%,.. /, Table 1 (U.V.; Ultraviolet 10-400 nm)/ (NIR; Near Infrared 700 nm - 5 µm) ( TiO 2, WO 3, ZnO, CeO, ATO, Sb 2O 3-ZnO, ITO.) (400 nm - 780 nm). /. Fig. 1.. 23 Table 1. / /
COMPANY INITIATION
(3649) 27 411 COMPANY INITIATION 2) 3772-1594 2) 3772-1514 david.min@goodi.com mhyun@goodi.com KOSPI : 1499.16p KOSDAQ : 674.41p : 224.2 : 5 : 9. : 6.5 (72.5%) 52 / : 24,95 /12,8 (6 ) : 128,134 (6 ) :
14.fm
Journal of the Korean Ceramic Society Vol. 44, No. 2, pp. 93~97, 2007. Preparation of High Purity Si Powder by SHS Chang Yun Shin, Hyun Hong Min, Ki Seok Yun, and Chang Whan Won Engineering Research Center
18(3)-10(33).fm
Journal of Korean Powder Metallurgy Institute Vol 18 No 3 011 DOI: 10150/KPMI01118383 e x 5Mg(OH) MgSO 3H O x w MgO NH OH w a báv y aá½xk aá½ aá½ cá½ bá½ a * aw» l bš w œw ck Effect of MgO and NH OH on
Intermolecular Forces ( 분자간힘 ) & Liquids and Solids ( 액체및고체 ) Chapter 11
Intermolecular Forces ( 분자간힘 ) & Liquids and Solids ( 액체및고체 ) Chapter 11 목차 1. 액체와고체의분자운동론 2. 분자간힘 3. 액체의특성 4. 결정구조 5. 결정에의한 X-선회절 6. 결정의형태 7. 비결정질고체 8. 상변화 9. 상평형그림 액체와고체의분자운동론 상 (phase) 은그계의다른부분과접해있지만분명한경계로구분되어있는균일한부분
정치사적
2014-2 역사학의 이론과 실제 수업 지도 교수: 조범환 담당 교수: 박 단 신라 중대 말 갈항사와 진골 귀족 20100463 김경진 I. 머리말 II. 승전과 갈항사 창건 III. 갈항사와 원성왕 외가 IV. 원성왕 외가와 경덕왕 V. 맺음말 목 차 I. 머리말 葛 項 寺 는 신라 고승 勝 詮 이 700년 전후에 경상북도 김천시 남면 오봉리에 건립한 사찰이
03 ¹ÚÁø¼º-OLED¿ë »êÈ�¹°
LCD (Liquid Crystal Display) OLED (Organic Light Emitting Diode) TV,,. 1) OLED LCD OLED LCD Fig. 1. OLED TV 2013 LG 55 OLED TV. SID (Society of Information Display) OLED (Fig. 2). OLED LCD, TFT. TFT 3.
태양전지용규소잉곳성장기술동향 김영관 인천대학교신소재공학과 j XUG ½ Œ YUG Œ wl ZUG ƒ µ s [UG p Ž SG 1. 신 재생에너지 1.1. 정의 재생에너지 : 태양열, 태양광발전, 바이오매스, 풍력, 소수력, 지열, 해양에너지, 폐기물에너지 (8 개분야 ) 신에너지 : 연료전지, 석탄액화가스화, 수소에너지 (3 개분야 ) 1.2. 특성 1.
64.fm
Journal of the Korean Ceramic Society Vol. 44, No. 7, pp. 375~380, 2007. Tribological Properties of Carbon Layers Produced by High Temperature Chlorination in Comparison with DLC Coating Hyun-Ju Choi,
( )45.fm
Journal of the Korean Ceramic Society Vol. 46, No. 3, pp. 295~300, 2009. DOI:10.4191/KCERS.2009.46.3.295 Analysis of Oxide Coatings Formed on Al1050 Alloy by Plasma Electrolytic Oxidation Bae-Yeon Kim,
표1
i ii Korean System of National Accounts iii iv Korean System of National Accounts v vi Korean System of National Accounts vii viii Korean System of National Accounts 3 4 KOREAN SYSTEM OF NATIONAL ACCOUNTS
인덕션히팅해석의최신기술 (Induction Heating) ED&C 박기윤대리
인덕션히팅해석의최신기술 (Induction Heating) 2015.05.13 ED&C 박기윤대리 ky.park@ednc.com Induction Heating & RHCM(Steam 해석 ) 급열급냉 (Rapid Heat & Cool Molding) 의이란? RHCM 공정의기본원리는수지가금형내부로주입이될때금형온도를급속가열하여열변형온도이상을유지하고, 보압및냉각공정에서는제품의고화를촉진하기위하여금형의온도를급격히떨어뜨리는방식이다.
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[ ] œwz, 21«6y(2008) J. of the Korean Society for Heat Treatment, Vol. 21, No. 6, (2008) pp. 300~306 š y w p x*, **Á **Áy y* * ** w œ w œw, w» gœ Solid State Diffusion Brazing of the Aluminum Alloy Castings
Chapter 2
2 장원자결합과물성 배워야할주요내용 원자결합의근원은무엇인가? 어떤원자결합이있는가? 각각의원자결합은재료로하여금어떤성질을나타내게하는가? 1 원자의구조 : 원자핵 ( 양성자 + 중성자 )+ 전자 최외각의원자가전자 (Valence electrons) 가재료의성질을좌우한다!!! 1) 화학적 2) 전기적 3) 열적 4) 광학적 2 전자구조 (electronic structure)
02_4_특집_김태호_rev4_504-508.hwp
특 집 Polymer Science and Technology Vol. 23, No. 5 양자점 발광다이오드 Colloidal Quantum Dot Light-Emitting Diodes 김태호 Tae-Ho Kim Frontier Research Lab, Samsung Advanced Institute of Technology, 97, Samsung2-ro,
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Development of High-efficiency Thermoelectric Devices Using Nanowires Jong Wook Roh and Woo Young Lee Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University 1. 21.. (,,,, ). (thermoelectric
국제 원자재 지수
국제원자재지수 구성품목리스트및가중치요약 자료요약및정리 : Korea PDS May. 2016 DOW JONES UBS Commodity Index (Bloomberg Commodity Index) -1- DOW JONES-UBS Commodity Index 아연, 2.53% 니켈, 2.36% 커피, 생돈, 2.06% 원면, 1.49% 2.29% 캔자스소맥,
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Chap. 1 Information/Communication Technology 반도체칩제조공정및메모리반도체 Advanced Materials and Future Technology Fabrication Processes of Semiconductor Chips ( 반도체칩제조공정 ) IC (Integrated Circuit) Devices ( 집적회로소자
Gelest Commercializes Diiodosilane to Meet Global Demand for Next-Generation Semiconductors
Client: Gelest Media contact: Mike Rubin 732-982-8238 mike.rubin@hapmarketing.com For Immediate Release GELEST, INC. COMMERCIALIZES DIIODOSILANE TO MEET GLOBAL DEMAND FOR NEXT-GENERATION SEMICONDUCTORS
영암군 관광종합개발계획 제6장 관광(단)지 개발계획 제7장 관광브랜드 강화사업 1. 월출산 기( 氣 )체험촌 조성사업 167 (바둑테마파크 기본 계획 변경) 2. 성기동 관광지 명소화 사업 201 3. 마한문화공원 명소화 사업 219 4. 기찬랜드 명소화 사업 240
목 차 제1장 과업의 개요 1. 과업의 배경 및 목적 3 2. 과업의 성격 5 3. 과업의 범위 6 4. 과업수행체계 7 제2장 지역현황분석 1. 지역 일반현황 분석 11 2. 관광환경 분석 25 3. 이미지조사 분석 45 4. 이해관계자 의견조사 분석 54 제3장 사업환경분석 1. 국내 외 관광여건분석 69 2. 관련계획 및 법규 검토 78 3. 국내 외
israel-내지-1-4
israel-내지-1-4 1904.1.1 12:49 AM 페이지1 mac2 2015. 11 Contents S T A T E O F I S R A E L 8 Part I Part II Part III Part IV Part V Part VI Part VII Part VIII 9 S T A T E O F I S R A E L 10 Part I Part
<C8B2BCBABCF62DB8D4B0C5B8AEBFCDB0C7B0AD2E687770>
먹거리와 건강 황성수 인도주의실천의협의회(humandoctor.org) 황성수 의사님의 글 http://humandoctor.org/technote/main.cgi?board=whang 서적 곰탕이 건강을 말아먹는다 로도 출판되어 있음. lightworker.kr 편집 1. 이 글을 읽는 분들에게 황성수의 먹거리와 건강 을 읽는 모든 분들에게 인사드립니다.