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특허청구의범위청구항 1 반도체층 ; 상기반도체층위에형성된전도성질화물로이루어진사이층 ; 및상기전도성질화물사이층위에형성되며, 상기전도성질화물사이층을통해상기반도체층에스핀을주입하는, 강자성재료로이루어진스핀주입전극층 ; 을포함하여이루어지며, 상기전도성질화물사이층에전이금속이 1

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(72) 발명자 박민수 서울서초구우면동 16 번지 LG 전자전자기술원 강은석 서울서초구우면동 16 번지 LG 전자전자기술원 좌용호 경기안산시상록구사 1 동 1271 번지한양대학교화학공학과 류병길서울서초구우면동 16번지 LG전자전자기술원박덕해서울서초구우면동 16번지 LG

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특허청구의범위청구항 1 복수개의관통비아홀이형성된웨이퍼의하나이상의관통비아홀을포함하는전도영역에전도층을형성하는전도층형성단계 ; 상기전도층을포함한웨이퍼전체영역에절연층을증착하는절연층증착단계 ; 상기전도층의상부에감광제를도포하고, 상기관통비아홀이형성된위치에관통비아홀의단면적보다작은단

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전기일반(240~287)

태양광 기업들 '떠난다' vs '기회다' 명암 시장은 재편 중 일 업계에 따르면 최근 태양광 사업에서 손을 떼거나 휴업을 결정하는 기업들이 늘고 있다. LG실트론은 지난달 22일 열린 이사회에서 150MW급 태양광 웨이퍼 사업을 정리하기로 했다.

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실적 및 전망 09년 하반 PECVD 고객 다변화에 따른 실적개선 10년 태양광 R&D 장비 매출을 반으로 본격적인 상업생산 시작 1. 09년 3Q 실적 동사는 09년 3Q에 매출과 영업이익으로 각각 142 억원(YoY 16.7%, QoQ 142%), 6 억원(흑전환)

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1. 기술성분석 1. 기술의내용및특징 기술의정의 그림 1. 일함수제어를위한그래핀의유기분자기능시설계개념도 흑연으로부터화학적으로박리된산화그래핀을유기분자로기능화하여환원시키면 일함수를 6.0 ev ~ -2.5 ev로제어할수있어서이를이용하여 조명에서 의각층에적절한일함수를가진기능

도 1 특허청구의범위 청구항 1. 자성금속박막을형성하는단계 ; 상기자성금속박막위에알루미늄을증착하는단계 ; 증착된상기알루미늄위에자성금속을증착하여알루미나이드박막을형성하는단계 ; 그리고 상기알루미나이드박막위에자성금속박막을증착하는단계로이루어지고, 상기자성금속은 Co, Fe 및

(72) 발명자 황병준 강원도원주시단계동 강경태 서울시서초구반포본동반포주공아파트 110 동 10 5 호 이낙규 인천광역시연수구송도동 23-3 더샵센트럴파크 동 902 호 조영준 경기도용인시기흥구보정동연원마을삼성명가타운아파트 110 동 1303 호

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구리 전해도금 후 열처리에 따른 미세구조의 변화와 관련된 Electromigration 신뢰성에 관한 연구

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2) 디스플레이의산업적특성 3) 차세대디스플레이의특성 2-2. 차세대디스플레이기술동향 1) 분야별기술개발현황과전망 (1) LCD (2) OLED (3) 플렉시블디스플레이 (4) 신기능디스플레이 (5) 융합디스플레이 2) 2017년주요연구개발사례 (1) OLED (2)

(72) 발명자 최석문 서울관악구봉천 6 동우성아파트 장범식 경기성남시분당구정자동한솔마을청구아파트 110 동 301 호 정태성 경기화성시반월동신영통현대 4 차아파트

(72) 발명자 강경태 서울서초구반포본동반포주공아파트 110 동 105 호 이상호 서울관악구봉천 9 동 윤규영 인천남구용현동 신권용 서울구로구천왕동천왕이펜하우스 6 단지 601 동 1203 호 이발명을지원한국가연구개발사업 과제고유번호 ES-1

Transcription:

01 고특성 OLED 박막봉지기술 기술보유기관한국전자통신연구원 출원번호 OLED 박막봉지, PA-ALD, 무기 / 무기, Atomic Layer Deposition PA-ALD를이용하여배리어특성을갖는 Al2O3 박막을형성하고, PECVD를이용하여 SiNx의보호막을형성하여최종적으로무기 / 무기형태의 OLED 박막봉지를형성함 OLED 디바이스의투명도를유지하고두께를최소화하면서, 외부홖경으로산소및수분등의침투를최소화할수있는박막봉지기술유기봉지수준의투습투산소특성을확보할수있는 PAALD / PECVD 방식의 OLED 박막봉지기술 PA-ALD에의해형성된 Al2O3의박막의치밀성우수경쟁기술인스퍼터기술대비성능이우수하게평가되고있음최근 PA-ALD H/W 기술에있어대면적대응이가능해지고있음 ( 인프라향상 )

02 OLED 고효율광추출기판기술 기술보유기관한국전자통신연구원 출원번호 고효율 OLED 조명기판, AMOLED 디스플레이, 태양전지등의집광형소자 저소비전력특성으로기존백열등대비 60 ~ 90% 의전력절감효과를가지는신개념 의 OLED 면조명기술 기판과공기사이의전반사효과에의한손실을줄이기위한외부광추출과기판과 OLED 소자의박막사이의 wave-guiding 효과에의한손실을줄이기위한내부광추출 OLED 조명소자의외부발광효율을 2배이상증대시켜소자의휘도, 전력효율및수명이 2배이상증가됨 Random 마스크형성기판 etching 마스크제거 Nano random pattering W/O Photolithography Planarization layer w/ high refractive indexy OLED 제조 고굴절평탄층코팅

03 편광용또는정보보호용필름의제조방법 기술보유기관고려대학교출원번호 10-2006-0010445 고효율 OLED 조명기판, AMOLED 디스플레이 폴리머패턴및전도층패턴상에투명보호막을형성하는단계를포함하는것을특징 으로하는편광용또는정보보호용필름의제조방법및그제조방법에의해제조된편 광용또는정보보호용필름에관핚발명 수십나노선폭의패턴을가지는편광필름을손쉽게제조핛수있음전기도금법을통해금속층의높이를조절하여최적의편광필름및정보보호필름으로사용가능디펙트 (defect) 감소, 효율및강도향상을가져올수있으며, 폴리머패턴의균일성을높여서대면적에도적용이가능하다는장점을가짐 상세기술발명공정 Polymer patterns 형성기술 Glass substrate ITO layer Glass substrate 1. Preparing glass subs. 2. ITO deposition Polymer patterns ITO layer Glass substrate 3. Fabricating polymer patterns using NIL Polymer patterns ITO layer Glass substrate 4. Remove residue by dry etching Nano Imprint Lithography (NIL) 기술을이용하여 ITO/Glass 기판위에 polymer patterns 형성

04 유연성유기발광소자기술 기술보유기관광운대학교출원번호 10-2010-0080596 기술완성단계프로토타입제품개발완료 디스플레이광원 / 착용컴퓨터 / 의료기기 / 미용기기 / 장식용액세서리 / 인테리어 유연성유기발광소자 (FOLED : Flexible Organic Light-Emitting Diodes) 에서키이슈 (key issue) 는유연성기판에투명전극을형성하는공정기존 ITO(Indium-tin-oxide) 는투명전극 ( 애노드 ) 에널리사용되고있으나유연성기판상에서그취약성때문에안정된애노드특성을제공하지못하고있음 ITO를대체하기위해폴리아닐린 (polyaniline), 폴리파이롤 (polypyrrole), 폴리티오펜 (polythiophene) 과같은폴리머계전극재에대핚광범위핚연구가진행되고있음유연성유기발광소자에 15V에서부터 18V 내지 20V까지의전압을 FOLED 소자에전기장어닐링을실시함으로써높은전류효율과높은휘도를갖는유연성유기발광소자를효율적으로제작높은전기장의세기로처리하는 E-어닐링은이온불순물들을전극들쪽으로효율적으로이주하도록유도핛수있고이로인해반대방향으로형성된내부전기장은이온간거리증가로약화됨이온불순물들이트랩핑되는접합 (junction) 형성에의해고정될수있음 EL 층과전극들사이에트랩핑된이온종들은경계층을가로지르는전기장을강화시킬수있으며, 표면전위의변화를유도핛수도있음 Solution Processable Organic Light-Emitting Devices Highly Efficiency Polymer Organic Solar Cells. (PCE : 5.5%) High mobility Organic Thin film Transistor Simple fabricated method by spin coating, H-dipping. Polymer Solar cell with highly power conversion efficiency (power conversion efficiency : 5.5%, fill factor : 56.81%). Organic thin film transistor with highly mobility (mobility:0.252 cm 2 /Vs, on/off ratio : 1.4 x 10 5 ) Simple fabricated method by spin coating, H-dipping. Polymer Solar cell with highly power conversion efficiency (power conversion efficiency : 5.5%, fill factor : 56.81%). Organic thin film transistor with highly mobility (mobility:0.252 cm 2 /Vs, on/off ratio : 1.4 x 10 5 )

05 등기구용유기발광다이오드조명소자기술 기술보유기관조선대학교출원번호 10-2009-0120106 기술완성단계시제품제작단계 다양한물체에대한 OLED 조명기판, AMOLED 디스플레이 기판표면의불순물과이물질을제거하는기판세정단계로서불순물과이물질을제거된기판에금속마스크를부착전도성금속물질을증착하여선택적으로전도성금속물질이제거된애노드전극을형성하는기판에금속마스크를부착저분자유기물질을증착하여정공수송층과, 발광층과, 전자수송층을차례로형성된기판에금속마스크를부착하고, 그위에전도성금속물질을증착하여선택적으로전도성물질이제거된캐소드전극을형성공정을간소화하고, 초기투자비용및제조원가를절감기준휘도 (1000 nit) 에서의구동전압하에서조명소자의전력효율을상승조명소자에적층된물질이수분에의해오동작되는것을방지각단계별로사용되는금속마스크가안정되게부착되고, 각단계별로물질이균일하게증착 Insulator Cathode ITO Substrate Cathode ITO Substrate

06 디스플레이용플라스틱기판기술 기술보유기관대진대학교출원번호 10-2007-0121912 OLED 조명기판, AMOLED 디스플레이 디스플레이용플라스틱기판은플라스틱판의핚쪽면위에형성되는다층의무기막및상기다층의무기막위에형성되는고분자막을포함다층의무기막위에고분자막을더형성함으로써플라스틱기판의방습효과를더욱높일수있고, 또핚유연성을더욱증가 무기막위에고분자막을형성하여, 전자소자등에적용하기위해요구되는플라스 틱기판의방습특성을충분히얻을수있고, 또핚유연성을더욱증가시킬수있음

07 태양광과일치하는색온도제어기술 기술보유기관한국광기술원출원번호 10-2008-0073592 Display, LED BLU, LED 간판및조명등 LED 응용조명분야 포토센서를통해입사되는태양광을색온도에따른색좌표로나타내고, 색좌표에 따라 R,G,B 발광다이오드각각의색을변화시켜화이트 (White) 영역에서태양광과 일치하는색온도를표현 기존의태양광의색온도를하나의고정된색온도로표시하던조명방식을시간에 따라변화하는태양의색온도를나타냄으로써실시간으로태양광과동일한색을 나타내는조명장치를구현 전기에너지로변경하지않기때문에회로구현및제어가간단하며그에따른비용 감소 I2C 통신을통해외부에서발광다이오드의색온도를보정할수있기때문에제어가 편리해짐 기존의 R,G,B 발광다이오드외에 Y,W 발광다이오들추가하여연색성향상 Vref Vin Internal OSC 태양 Photo Sensor VCC SEN_R SEN_G ADC SEN_B PWM OVP OCP Register CCT Controller Calibration PWM DigitalControl PWM_R PWM_G PWM_B PWM_Y PWM_W Reset SDA SCL GND 조명모듈 CCT IC

08 양산용 IPVD 장비및공정핵심기술 기술보유기관한국전자통신연구원 출원번호 OLED, AMOLED, 태양전지 고밀도플라즈마와스퍼터링기술이결합된 IPVD(Ionized Physical Vapor Deposition) 를이용하여저온에서고특성 ( 고투과도, 저저항 / 고투과, 반도체 ) 의박막을형성할수있는기술다원계타겟소재를이용하여주로산화물반도체 / 산화물투명전극을형성할수있으며, 특히저온의고밀도플라즈마를이용하여막특성을개선하므로고투과 / 저저항의전극, 고투과반도체를형성할수있음 Ionized PVD 기술을이용한저온공정의산화물박막형성장비및공정기술저온플라즈마스퍼터공정기반의고특성산화물투명전도체, 산화물반도체및산화물절연체형성기술결정질구조의고투과저저항 OMO 전극및후식각특성확보 Damage Free IPVD 공정개발