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효선 하
7 years ago
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1 Qspeed 제품군 1V, 4 A 커먼-캐소드 다이오드 제품 요약 다이오드당 I F(AVG) 2 A V RRM 1 V Q RR(12 C 일반) 33.6 nc I RRM(12 C 일반) 1.86 A Softness t b/t a(12 C 일반).7 TO-22AB LQA4T1C 핀 지정 A1 A2 TO-263AB K LQA4B1C RoHS 준수 본 패키지는 IEC 에 따라 무연 도금 및 할로겐 프리 "친환경" 몰드 컴파운드를 사용합니다. 일반 설명 이 디바이스의 Q RR 는 1V 실리콘 다이오드 중에서 가장 낮습니다. 리커버리 특성으로 인해 효율성이 증대되고 EMI 가 줄어들며 스너버가 필요 없습니다. 애플리케이션 AC/DC 및 DC/DC 출력 정류 출력 및 프리휠링 다이오드 모터 드라이브 회로 DC-AC 인버터 특징 낮은 Q RR, 낮은 I RRM, 낮은 t RR 높은 di F /dt 가능 소프트 리커버리 이점 효율성 증대 스너버 회로가 필요 없음 EMI 필터 부품 크기 및 부품 수 절감 매우 빠른 스위칭 가능 최대 정격 절대값 최대 정격 절대값은 디바이스가 손상되거나 가용 수명이 저해될 때보다 높은 값입니다. 이러한 조건에서 작동된다는 의미는 아닙니다. 기호 파라미터 조건 등급 V RRM 피크 반복 역 전압 T J = 2 C 1 V I F(AVG) 평균 순방향 전류 다이오드당, T J = 1 C, T C = A 단위 디바이스당, T J = 1 C, T C = A I FSM 비반복 피크 서지 전류 다이오드당, 6Hz, ½ 사이클 17 A I FSM 비반복 피크 서지 전류 다이오드당, ½ 사이클 t = 28µs 사인파, T C = 2 C 3 A T J 작동 정션 온도 범위 ~ 1 C T STG 보관 온도 ~ 1 C 리드 납땜 온도 케이스에서 1.6mm 리드, 1 초 3 C P D 전력 손실 T C = 2 C 6.8 W 214 년 12 월

리커버리 특성으로 인해 효율성이 증대되고 EMI 가 줄어들며 스너버가 필요 없습니다.

2 써멀 저항 기호 저항 측정 위치: 조건 등급 단위 R θja 정션과 주변 사이 TO-22AB 만 해당 62 C/W R θjc 다이오드당 1.9 C/W 정션과 케이스 사이 디바이스당 1. C/W Rev 1. 12/14 2

3 전기적 사양 - T J = 2 C(특별히 지정되지 않은 경우) 기호 파라미터 다이오드당 DC 특성 조건 최소 일반 최대 I R 다이오드당 역방향 전류 V R = 1V, T J = 2 C - - µa 단위 V R = 1V, T J = ma V F 다이오드당 순방향 전압 I F = 2 A, T J = 2 C V C J 다이오드당 정션 커패시턴스 다이오드당 동적 특성 t RR 다이오드당 역회복 시간 di F/dt = 1A/µs V R = 1V, I F = 2 A Q RR 다이오드당 역회복 전하량 di F/dt = 1A/µs V R = 1V, I F = 2 A I RRM 다이오드당 최대 역회복 전류 S 다이오드당 Softness = tb ta I F = 2 A, T J = V V R = 1V, 1MHz pf di F/dt = 1A/µs V R = 1V, I F = 2 A di F/dt = 1A/µs V R = 1V, I F = 2 A T J = 2 C ns T J = ns T J = 2 C nc T J = nc T J = 2 C A T J = A T J = 2 C T J = 부품 엔지니어 참고 사항: Q-Series 다이오드는 디자인과 구조에 쇼트키 기술이 적용되었습니다. 따라서 부품 엔지니어는 기존 쇼트키 테스트 설정과 유사하게 테스트 설정을 해야 합니다. (자세한 내용은 애플리케이션 노트 AN- 3 참조) VR L1 D1 DUT I F di F/dt t a t RR t b Pulse generator 1V + Rg Q1.1xI RRM I RRM 그림 1. 역회복 정의 그림 2. 역회복 테스트 회로 3 Rev 1. 12/14

4 전기적 사양 - T J = 2 C(특별히 지정되지 않은 경우) I F (A) 4 3 Tj=12C Tj=2C V F (V) I F (A) 1..9 Tj=12C Tj=2C V F (V) 그림 3. 일반 I F vs V F 그림 4. 일반 I F vs V F C j (pf) V R (V) I F(AV) (A) Case Temperature, T C ( o C) 그림. 일반 C j vs V R 그림 6. DC 전류 경감 곡선 Q RR (nc) 4 4 di F /dt=1a/us I F (A) t RR (ns) di F /dt=1a/us I F (A) 그림 7. 일반 Q RR vs I F - T j=12 C 그림 8. 일반 t RR vs I F - T j=12 C Rev 1. 12/14 4

일반 I F vs V F C j (pf) 3 2 2 1 1 2 4 6 8 1 12 14 16 18 V R (V) I F(AV) (A) 4 4 3 3 2 2 1 1 2 7 1 12 1 Case Temperature, T C ( o C) 그림.

5 P (W) Case Temperature, T C ( o C) 그림 9. 전력 경감 곡선 I F (PEAK) (A) T C ( C) 그림 1. IF(피크 피크) vs TC, f = 7kHz duty cycle=1% duty cycle=3% duty cycle=% DC LQA4x1C 1 D=. D =.3 D=.1.1 D=. Zth(j-c)/Rth(j-c) D=.2 D=.1 D=..1 D=.2 Single Pulse.1 1.E-6 1.E- 1.E-4 1.E-3 1.E-2 1.E-1 1.E+ t1(sec) 그림 11. 일반적 최대 과도 써멀 임피던스 Rev 1. 12/14

6 치수 표시 외형 도면 TO-22AB E A A1 밀리미터 Q øp 치수 최소 최대 A D A A D1 b b b2 L1 C D D E e L e b c L L1 3.9 e e1 A2 ØP Q 기계적 마운팅 방법 최대 토르크 / 압력 규격 패키지 홀을 통해서 고정 시 1 뉴턴 미터(nm) 또는 8.8 인치-파운드(lb-in) 패키지 본체에 고정 시 12.3kgf/cm 2 또는 17lbf/in 2 TO-263AB 치수 밀리미터 최소 최대 A A1..2 A b.77.9 b c D E e 2.4 BSC 2.4 BSC H L L L2 1.7 L3.2 BSC.2 BSC L4 2. BSC 2. BSC Θ 8 Θ1 9 Θ2 1 Rev 1. 4/13 6

8 인치-파운드(lb-in) 패키지 본체에 고정 시 12.3kgf/cm 2 또는 17lbf/in 2 TO-263AB 치수 밀리미터 최소 최대 A 4.4 4.7 A1..2 A2 2.9 2.79 b.77.9 b2 1.23 1.36 c2 1.22 1.

7 납땜 시간 및 온도: 이 제품은 고온 무연 납용으로 사용되도록 디자인되었습니다. 부품 리드는 최대 온도 3 C 로 1 초까지 허용됩니다. 자세한 내용은 애플리케이션 노트 AN- 33 을 참조하십시오. 주문 정보 부품 번호 패키지 패키징 LQA4T1C TO-22AB 튜브 당 개 LQA4B1C TO-263AB 릴 당 8 개 본 문서에 나온 정보는 공지 없이 변경될 수 있습니다. 7 Rev 1. 12/14

8 개정 참고 날짜 1. 최초 출시 12/14 Rev 1. 4/13 8

9 최신 업데이트에 대한 자세한 내용은 당사 웹사이트를 참고하십시오. Power Integrations 는 안정성 또는 생산성 향상을 위하여 언제든지 당사 제품을 변경할 수 있는 권한이 있습니다. 파워 인테그레이션스(Power Integrations)는 여기서 설명하는 디바이스나 회로 사용으로 인해 발생하는 어떠한 책임도 지지 않습니다. Power Integrations 는 어떠한 보증도 제공하지 않으며 모든 보증(상품성에 대한 묵시적 보증, 특정 목적에의 적합성 및 타사 권리의 비침해를 포함하되 이에 제한되지 않음)을 명백하게 부인합니다. 특허 정보 여기에 설명한 제품 및 애플리케이션(제품의 외장 트랜스포머 구성 및 회로 포함)은 하나 이상의 미국 및 해외 특허의 대상이 되거나 Power Integrations 에서 출원 중인 미국 및 해외 특허 신청의 대상이 될 수 있습니다. Power Integrations 의 전체 특허 목록은 에서 확인할 수 있습니다. Power Integrations 는 고객에게 명시된 특정 특허권에 따라 라이센스를 부여합니다. PI 로고, TOPSwitch, TinySwitch, LinkSwitch, LYTSwitch, InnoSwitch, DPA-Switch, PeakSwitch, CAPZero, SENZero, LinkZero, HiperPFS, HiperTFS, HiperLCS, Qspeed, EcoSmart, Clampless, E-Shield, Filterfuse, FluxLink, StackFET, PI Expert 및 PI FACTS 는 Power Integrations, Inc 의 상표입니다. 다른 상표는 각 회사 고유의 자산입니다. Copyright 214 Power Integrations, Inc. Power Integrations 전 세계 판매 지원 지역 세계 본사 24 Hellyer Avenue San Jose, CA 9138, USA. Main: 고객 서비스: 전화: 팩스: 독일 Lindwurmstrasse , Munich Germany 전화: 팩스: 일본 Kosei Dai-3 Building , Shin-Yokohama, Kohoku-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Japan 전화: 팩스: 대만 F, No. 318, Nei Hu Rd., Sec. 1 Nei Hu District Taipei 11493, Taiwan R.O.C. 전화: 팩스: taiwansales@powerint.com 중국(상하이 상하이) Rm 241, Charity Plaza, No. 88 North Caoxi Road, Shanghai, PRC 23 전화: 팩스: chinasales@powerint.com 인도 #1, 14 th Main Road Vasanthanagar Bangalore-62 인도 전화: 팩스: indiasales@powerint.com 한국 RM 62, 6FL Korea City Air Terminal B/D, 19-6 Samsung-Dong, Kangnam-Gu, Seoul, Korea 전화: 팩스: koreasales@powerint.com 영국 First Floor, Unit 1, Meadway Court, Rutherford Close, Stevenage, Herts. SG1 2EF United Kingdom 전화: +44 () 팩스: +44 () eurosales@powerint.com 중국(센젠 센젠) 17/F, Hivac Building, No. 2, Keji Nan 8th Road, Nanshan District, Shenzhen, China, 187 전화: 팩스: chinasales@powerint.com 이탈리아 Via Milanese 2, 3 rd. Fl. 299 Sesto San Giovanni (MI) Italy 전화: 팩스: eurosales@powerint.com 싱가포르 1 Newton Road, #19-1/ Goldhill Plaza Singapore, 389 전화: 팩스: singaporesales@powerint.com 애플리케이션 문의 전화 전 세계 통합 번호 애플리케이션 문의 팩스 전 세계 통합 번호 Rev 1. 12/14

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EPR90 - LNK364 3.75 CVCC Charger

EPR90 - LNK364 3.75 CVCC Charger Qspeed 제품군 1V, 1A 커먼-캐소드 다이오드 제품 요약 다이오드당 IF(AVG) 1 A VRRM 1 V QRR(12 C 일반) 21.4 nc IRRM(12 C 일반) 1.41 A Softness tb/ta(12 C 일반).9 핀 지정 일반 설명 이 디바이스의 QRR 는 1V 실리콘 다이오드 중에서 가장 낮습니다. 리커버리 특성으로 인해 효율성이 증대되고