EPR90 - LNK CVCC Charger

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1 제목사양애플리케이션작성자문서번호날짜 30W 단일출력플라이백컨버터 (LinkSwitch TM - HP LNK6766E 사용 ) 에대한참조디자인보고서 90VAC~265VAC 입력, 12V, 2.5A 출력 어댑터 애플리케이션엔지니어링부서 RDR 년 9 월 14 일 개정 1.2 요약및기능 ±5% 레귤레이션의 1 차측절연플라이백컨버터 132kHz 스위칭주파수를사용하여소형트랜스포머및소형출력필터사용 효율향상및출력커패시터리플전류감소를위한풀부하 CCM(Continuous Conduction Mode) 멀티모드로작동되어풀부하범위까지효율을극대화 230VAC 에서소비전력 30mW 미만 OVP, OTP, 브라운인 / 아웃, 입력과전압및레귤레이션상실 ( 오토-리스타트 ) 을포함한다양한보호기능 EN 및 CISPR-22 클래스 B 전도성 EMI 충족 (5dB 마진 ) IEC , 1kV/2kV 서지충족 특허정보여기에설명한제품및애플리케이션 ( 제품의외장트랜스포머구성및회로포함 ) 은하나이상의미국및해외특허의대상이되거나파워인테그레이션스 () 에서출원중인미국및해외특허신청의대상이될수있습니다. 파워인테그레이션스 () 의전체특허목록은 에서확인할수있습니다. 파워인테그레이션스 () 는고객에게 < 에명시된특정특허권에따라라이센스를부여합니다 Hellyer Avenue, San Jose, CA USA.

2 RDR W Single Output Flyback Supply 14-Sep-12 목차 1 소개 파워서플라이사양 회로도 회로설명 입력정류및필터링 LinkSwitch-HP 1 차측 차측 RZCD 클램프 출력정류 외부전류제한설정 피드백및보정네트워크 PCB 레이아웃 BOM 트랜스포머디자인스프레드시트 트랜스포머사양 전기적구성도 전기적사양 재료 트랜스포머제작구성도 히트싱크어셈블리 esip 히트싱크 esip 히트싱크제작도면 esip 히트싱크어셈블리도면 ESIP 및히트싱크어셈블리도면 다이오드히트싱크 다이오드히트싱크제작도면 다이오드및히트싱크어셈블리도면 성능데이터 액티브모드효율 무부하시의입력전력 라인레귤레이션 부하레귤레이션 전력제한 파형 정상작동시드레인전압및전류 과부하인가시드레인전압및전류 과부하인가시전압스트레스 드레인전압및전류스타트업프로파일 과도부하응답 출력리플및노이즈측정 Page 2 of 42

3 14-Sep-12 RDR W Single Output Flyback Supply 리플측정기술 리플및노이즈측정결과 보호기능 회로단락상태에서오토리스타트 과전압에서래칭보호 ( 오픈루프테스트 ) 브라운인및브라운아웃 (DC 입력소스를사용하여테스트 ) 입력과전압보호 (DC 입력소스를사용하여테스트 ) 써멀성능 (TAMBIENT = 25 C) AC 서지 ( 출력에서저항성풀부하 ) ESD( 출력에서저항성풀부하 ) 풀부하에서 EMI 테스트 EMI 결과 개정내역 중요사항 : 이기판은안전절연거리요구사항에맞도록디자인되었지만엔지니어링프로토타입은 아직기관승인을받지않은상태입니다. 따라서 AC 입력을프로토타입보드에 제공하도록절연트랜스포머를사용하여모든테스트를수행해야합니다. Page 3 of 42

4 RDR W Single Output Flyback Supply 14-Sep-12 1 소개 이보고서에서는 LinkSwitch-HP IC 제품군의 LNK6766E 를사용하는유니버셜입력, 12V, 30W 절연플라이백컨버터에대해설명합니다. 이보고서에는파워서플라이의전체사양, 세부회로도, 서플라이제작에필요한전체 BOM, 파워트랜스포머에대한다양한문서및가장중요한전기파형의파형선도및테스트데이터가포함되어있습니다. Figure 1 Prototype Top View. Figure 2 Prototype Bottom View. Page 4 of 42

5 14-Sep-12 RDR W Single Output Flyback Supply 2 파워서플라이사양 아래표는디자인의최소허용성능을나타냅니다. 실제성능은결과섹션에나열되어있습니다. 설명 기호 최소 일반 최대 단위 설명 입력전압 V IN VAC 2 선 P.E. 없음 주파수 f LINE 47 50/60 64 Hz 대기시입력전력 30 mw 230VAC 출력 출력전압 V OUT V 리플전압 V RIPPLE 120 mvpp 일정상태부하에서 20MHz 대역폭 출력전류 I OUT A 오버슈트전압 VOVERSHOOT 18 V 대기부하및 AC 입력사이클링 총출력전력 연속출력전력 P OUT 0 30 W 효율 풀부하효율 85 % 90VAC 및풀부하 환경 전도성 EMI EN55022B 충족 5dB 마진 안정성 서지 ESD 주변온도 T AMB 0 40 IEC950, UL1950 클래스 II 를충족하도록디자인됨 DM 1 kv 1.2/50 서지, IEC , 직렬임피던스 : 디퍼렌셜모드 : 2 CM 2 커먼모드 : 12 공기 kv 출력커넥터로공중방전 접촉 -8 8 kv 출력커넥터로접촉방전 o C 자유대류, 임해고도 Page 5 of 42

6 RDR W Single Output Flyback Supply 14-Sep-12 3 회로도 Figure 3 Schematic. Page 6 of 42

7 14-Sep-12 RDR W Single Output Flyback Supply 4 회로설명 4.1 입력정류및필터링 브리지정류기 BR1 이 C2 로필터링되는 AC 입력을정류합니다. 인덕터 L4, C14 및 C2 가디퍼렌셜모드및커먼모드전도성 EMI 를감쇠시키는데사용됩니다. 커먼모드 EMI 변위전류를감소시키기위해트랜스포머 T1 구성에차폐기술이사용되었습니다. 이필터배열, 차폐기술은 IC 의주파수지터링기능과함께 Y- 커패시터및 1 차측 RZCD 클램프회로가포함된이솔루션에뛰어난 EMI 성능을제공합니다. 4.2 LinkSwitch-HP 1 차측 LNK6766E 디바이스 (U3) 는오실레이터, 에러증폭기와멀티모드컨트롤회로, 스타트업및보호회로, 고전압파워 MOSFET 을모두하나의모놀리식 IC 에통합하였습니다. 전력트랜스포머의한쪽은고전압버스에연결되어있고다른쪽은 U3 의 DRAIN(D) 핀에연결되어있습니다. 스위칭사이클시작시컨트롤러가파워 MOSFET 을켜고 1 차측권선에서전류가증가하여트랜스포머의코어에에너지를저장합니다. 해당전류가내부에러증폭기의출력에의해설정된제한기준값에도달하면 (COMPENSATION(CP) 핀전압 ), 컨트롤러가파워 MOSFET 을끕니다. 출력다이오드의방향및트랜스포머권선의위상으로인해저장된에너지가 2 차측권선의전압을유도하여, 출력다이오드를순방향으로바이어스하고저장된에너지가출력커패시터에공급됩니다. BYPASS(BP) 핀에연결된커패시터 C5(0.47 F) 가 OVP( 과전압보호 ) 및 OTP( 과열보호 ) 기능을래칭으로, 레귤레이션상실보호기능을지정된 OFF 기간 ( 일반적으로 1500ms) 후자동재시작시도 ( 오토리스타트 ) 로설정합니다 차측 RZCD 클램프 다이오드 D1, VR1, C3, R2 및 R3 은 LinkSwitch-HP 의전압스트레스를제한하는데사용되는 RZCD 스너버를구성합니다. 따라서피크드레인전압은일반적으로 265VAC 에서 540V 미만으로제한되어 650V 드레인전압 (BV DSS ) 에상당한마진을제공합니다. 제너 VR1 은스위칭사이클마다커패시터 C3 이완전히방전되는것을방지하여대기작업동안전력소비를줄여줍니다. 다이오드 D1, R2, VR1, C3, R5 및 R6 은 LinkSwitch-HP 의전압스트레스를제한하는데사용되는 RCD 스너버를구성합니다. 따라서피크드레인전압은일반적으로 265VAC 에서 580V 미만으로제한되어 700V 드레인전압 (BV DSS ) 에상당한마진을제공합니다. Page 7 of 42

8 RDR W Single Output Flyback Supply 14-Sep 출력정류 다이오드 D8 에서 12V 출력의출력정류를제공하고커패시터 C12, C21 및인덕터 L5 와 C22 에서필터링을제공합니다. R13 및 C13 으로구성된스너버는 EMI 개선을위한높은주파수필터링을제공합니다. 4.5 외부전류제한설정 - 최대사이클단위전류제한은 PROGRAM(PD) 핀에연결된저항 R8 에의해설정됩니다. 이디자인에서는 23.2k 저항이최대전류제한을 LNK6766E 의기본전류제한의 60% 로설정합니다. 4.6 피드백및보정네트워크 플라이백기간동안출력전압은바이어스권선및저항분배기 (R19 및 R20) 를통해센싱됩니다. 센싱된출력전압은 FEEDBACK(FB) 핀기준값과비교해출력을레귤레이션하거나과전압상태가감지될경우스위칭을중지합니다 (OVP). 이 1 차측레귤레이션 (PSR) 솔루션은 LinkSwitch-HP 로디자인된파워서플라이로써옵토커플러 ( 파워서플라이의수명을크게감소시킴 ) 가필요하지않으므로시스템의수명을늘려줄뿐아니라시스템비용도줄여줍니다. 파워 MOSFET 온타임동안버스전압을간접적으로모니터링하기위해전압드라이버 R19 및 R20 도사용되었습니다. 스타트업시버스전압이일반적으로 100V( 브라운인기준값 ) 에도달한경우에만 IC 에서스위칭할수있습니다. 예를들어, 브라운아웃상태에서버스전압이일반적으로 40V 아래로떨어지면디바이스에서스위칭을중지합니다 ( 브라운아웃보호 ). 버스전압이과도한수준에도달하면 ( 예 : 라인서지로인해 ) 디바이스에서스위칭을중지합니다. 또한, 사이클단위전류제한은입력에따라보정되어사용가능한과부하전력을제한합니다. 자세한내용은디바이스데이터시트를참조하십시오. FB 핀에서센싱된전압은 CP 핀에서컨트롤전압을생성합니다. 저항 R7 및커패시터 C7 과 C8 은컨트롤루프보정을위해사용됩니다. 1 차측동작피크전류와동작스위칭주파수는 CP 핀전압에의해결정됩니다. Page 8 of 42

9 14-Sep-12 RDR W Single Output Flyback Supply 5 PCB 레이아웃 Figure 4 PCB Top/Bottom Side 2.76 (70.1 mm) x 1.16 (29.4 mm). Page 9 of 42

10 RDR W Single Output Flyback Supply 14-Sep-12 6 BOM Item Qty Ref Des Description Mfg Part Number Mfg 1 1 BR2 600 V, 2 A, Bridge Rectifier, SMD, DFS DF206ST-G Comchip Technology 2 1 C2 68 F, 400 V, Electrolytic, (18 x 20) ERT686M2GL20RR Samxon 3 1 C3 10 nf, 630 V, Ceramic, X7R, 1206 C1206C103KBRACTU Kemet 4 1 C5 470 nf, 50 V, Ceramic, X7R, 0805 GRM21BR71H474KA88L Murata 5 1 C6 22 F, 16 V, Ceramic, X7R, 0805 C2012X5R1C226K TDK 6 1 C7 100 nf, 25 V, Ceramic, X7R, 0603 VJ0603Y104KNXAO Vishay 7 1 C8 100 pf 50 V, Ceramic, NPO, 0603 CC0603JRNPO9BN101 Yageo 8 1 C F, 16 V, Electrolytic, Low ESR, 8 x 20) 16MCZ100M8X20 Rubycon 9 1 C pf 100 V, Ceramic, NPO, 0603 CGA3E2C0G2A681J TDK 10 1 C nf, 275 VAC, Film, X2 LE154-M OKAYA 11 1 C nf, Ceramic, Y1 440LD22-R Vishay 12 1 C nf, 50 V, Ceramic, X7R, C472KAT2A AVX 13 1 C22 10 F, 16 V, Ceramic, X7R, 1206 C3216X7R1C106M TDK 14 1 C23 10 pf, 50 V, Ceramic, NPO, 0805 C0805C100J5GACTU Kemet 15 1 D1 600 V, 1 A, Rectifier, Fast Recovery, MELF (DL-41) DL F Diodes, Inc D2 250 V, 0.2 A, Fast Switching, 50 ns, SOD-323 BAV21WS-7-F Diodes, Inc D8 100 V, 30 A, Schottky, TO-220AB STPS30100ST ST Micro 18 1 F1 2 A, 250 V, Slow, Long Time Lag, RST RST 2 Belfuse 19 2 FL1 FL2 PCB Terminal Hole, #22 AWG N/A N/A 20 2 J1 J3 Test Point, RED, Miniature THRU-HOLE MOUNT 5000 Keystone 21 2 J2 J4 Test Point, BLK, Miniature THRU-HOLE MOUNT 5001 Keystone 22 1 L4 Common Mode Choke Toroidal P/N T S Fontaine Tech 23 1 L5 Core, K5, Toroidal, 10 mm O.D. x 4 mm Th x 6 mm I.D. K5B T 10*4*6 Kingcore Taiwan 24 1 R2 100, 5%, 1/2 W, Thick Film, 1210 ERJ-14YJ101U Panasonic 25 1 R3 3 k, 5%, 1/4 W, Thick Film, 1206 ERJ-8GEYJ302V Panasonic 26 1 R7 100 k, 5%, 1/8 W, Thick Film, 0805 ERJ-6GEYJ104V Panasonic 27 1 R k, 1%, 1/8 W, Thick Film, 0805 ERJ-6ENF2322V Panasonic 28 1 R9 4.3 k, 5%, 1/8 W, Thick Film, 0805 ERJ-6GEYJ432V Panasonic 29 1 R13 20, 5%, 1/8 W, Thick Film, 0805 ERJ-6GEYJ200V Panasonic 30 1 R k, 1%, 1/4 W, Thick Film, 1206 ERJ-8ENF4122V Panasonic 31 1 R k, 1%, 1/4 W, Thick Film, 0805 ERJ-6ENF1022V Panasonic 32 1 R28 27 k, 5%, 1/4 W, Thick Film, 1206 ERJ-8GEYJ273V Panasonic 33 2 R29 R M, 5%, 1/4 W, Thick Film, 1206 ERJ-8GEYJ335V Panasonic 34 1 T1 Bobbin, RM8, Vertical, 12 pins RM8/12/1 Schwartzpunkt 35 1 TE1 Terminal, Eyelet, Tin Plated Brass, Zierick PN Zierick 36 1 U3 LinkSwitch-HP, esip-7f LNK6766E Power Integrations 37 1 VR1 130 V, 1.25 W, 5%, DO214AC (SMA) BZG03C130TR Vishay Page 10 of 42

11 14-Sep-12 RDR W Single Output Flyback Supply 7 트랜스포머디자인스프레드시트 ACDC_LinkSwitch- HP_051612; Rev.0.13; Copyright Power Integrations 2012 INPUT OUTPUT UNIT LinkSwitch-HP Flyback Transformer Design Spreadsheet ENTER APPLICATION VARIABLES VACMIN V Minimum AC Input Voltage VACMAX V Maximum AC Input Voltage fl Hz AC Mains Frequency VO V Output Voltage (main) PO W Output Power n Efficiency Estimate Z Loss Allocation Factor VB V Bias Voltage tc 3 3 ms Bridge Rectifier Conduction Time Estimate CIN uf Input Filter Capacitor ENTER LINKSWITCH-HP VARIABLES LinkSwitch-HP LNK6766E LNK6766E Selected LinkSwitch-HP ILIMITMIN A Minimum Current limit ILIMITMAX A Maximum current limit KI A Current limit reduction factor ILIMITMIN_EXT A External Minimum Current limit ILIMITMAX_EXT A External Maximum current limit fs Hz LinkSwitch-HP Switching Frequency: Choose between 132 khz and 66 khz fsmin Hz LinkSwitch-HP Minimum Switching Frequency fsmax Hz LinkSwitch-HP Maximum Switching Frequency KP Ripple to Peak Current Ratio (0.4 < KP < 6.0) VOR V Reflected Output Voltage Voltage Sense VUVON V Undervoltage turn on VUVOFF V Undervoltage turn off VOV V Overvoltage threshold FMAX_FULL_LOAD Hz Maximum switching frequency at full load FMIN_FULL_LOAD Hz Minimum switching frequency at full load TSAMPLE_FULL_LOAD 3.51 us Minimum available Diode conduction time at full load. This should be greater than 2.5 us TSAMPLE_LIGHT_LOAD 1.76 us Minimum available Diode conduction time at light load. This should be greater than 1.11 us Rpd k-ohm Program delay Resistor Cpd nf Program delay Capacitor Total programmed delay 0.03 sec Total program delay VDS V LinkSwitch-HP on-state Drain to Source Voltage VD V Output Winding Diode Forward Voltage Drop VDB V Bias Winding Diode Forward Voltage Drop ENTER TRANSFORMER CORE/CONSTRUCTION VARIABLES Core Type RM8 Core #N/A Selected Core Custom Core Enter name of custom core is applicable AE cm^2 Core Effective Cross Sectional Area LE cm Core Effective Path Length AL nh/t^2 Ungapped Core Effective Inductance BW mm Bobbin Physical Winding Width M mm Safety Margin Width (Half the Primary to Secondary Creepage Distance) L Number of Primary Layers Page 11 of 42

12 RDR W Single Output Flyback Supply 14-Sep-12 NS Number of Secondary Turns DC INPUT VOLTAGE PARAMETERS VMIN V Minimum DC Input Voltage VMAX V Maximum DC Input Voltage CURRENT WAVEFORM SHAPE PARAMETERS DMAX 0.51 Maximum Duty Cycle IAVG 0.36 A Average Primary Current IP 0.99 A Peak Primary Current IR 0.59 A Primary Ripple Current IRMS 0.51 A Primary RMS Current TRANSFORMER PRIMARY DESIGN PARAMETERS LP_TYP 693 uh Typical Primary Inductance LP_TOL 7 7 % Primary inductance Tolerance NP 56 Primary Winding Number of Turns NB 6 Bias Winding Number of Turns ALG 221 nh/t^2 Gapped Core Effective Inductance BM 2368 Gauss Maximum Flux Density at PO, VMIN (BM<3000) BP 3189 Gauss Peak Flux Density (BP<3700) BAC 699 Gauss AC Flux Density for Core Loss Curves (0.5 X Peak to Peak) ur 1333 Relative Permeability of Ungapped Core LG 0.27 mm Gap Length (Lg > 0.1 mm) BWE 15 mm Effective Bobbin Width OD mm Maximum Primary Wire Diameter including insulation INS 0.06 mm Estimated Total Insulation Thickness (= 2 * film thickness) DIA 0.34 mm Bare conductor diameter AWG 28 AWG Primary Wire Gauge (Rounded to next smaller standard AWG value) CM 161 Cmils Bare conductor effective area in circular mils CMA 313 Cmils/Amp Primary Winding Current Capacity (200 < CMA < 500) FEEDBACK SENSING SECTION RFB k-ohms Feedback divider upper resistor RFB k-ohms Feedback divider lowerr resistor TRANSFORMER SECONDARY DESIGN PARAMETERS (SINGLE OUTPUT EQUIVALENT) Lumped parameters ISP 7.96 A Peak Secondary Current ISRMS 4.04 A Secondary RMS Current IO 2.50 A Power Supply Output Current IRIPPLE 3.18 A Output Capacitor RMS Ripple Current CMS 809 Cmils Secondary Bare Conductor minimum circular mils AWGS 21 AWG Secondary Wire Gauge (Rounded up to next larger standard AWG value) DIAS 0.73 mm Secondary Minimum Bare Conductor Diameter ODS 0.71 mm Secondary Maximum Outside Diameter for Triple Insulated Wire INSS mm Maximum Secondary Insulation Wall Thickness VOLTAGE STRESS PARAMETERS VDRAIN 605 V Peak voltage acoss drain to source of Linkswitch-HP PIVS 59 V Output Rectifier Maximum Peak Inverse Voltage PIVB 50 V Bias Rectifier Maximum Peak Inverse Voltage TRANSFORMER SECONDARY DESIGN PARAMETERS (MULTIPLE OUTPUTS) 1st output VO1 12 V Output Voltage IO A Output DC Current PO W Output Power VD1 0.5 V Output Diode Forward Voltage Drop NS Output Winding Number of Turns Page 12 of 42

13 14-Sep-12 RDR W Single Output Flyback Supply ISRMS A Output Winding RMS Current IRIPPLE A Output Capacitor RMS Ripple Current PIVS1 59 V Output Rectifier Maximum Peak Inverse Voltage CMS1 809 Cmils Output Winding Bare Conductor minimum circular mils AWGS1 21 AWG Wire Gauge (Rounded up to next larger standard AWG value) DIAS mm Minimum Bare Conductor Diameter ODS mm Maximum Outside Diameter for Triple Insulated Wire Page 13 of 42

14 RDR W Single Output Flyback Supply 14-Sep-12 8 트랜스포머사양 8.1 전기적구성도 FL1 12V/2.5A PIN 9 6T-# 36 x 4 WDG2 PIN 9 1/2 Primary 24T 1x 26AWG WDG5 6T-#25 TIW x 2 WDG3 NC PIN 4 1/2 Primary 24T 1 x 26AWG WDG1 FL2 Two wires per pin termination PIN 7 5T -#33x5 VSENSE & VBIAS WDG4 PIN 6 PIN 전기적사양 Figure 5 Transformer Electrical Diagram. Electrical Strength 1 second, 60 Hz, from pins 1-3 to pins VAC Primary Inductance Pins 6-9, all other windings open, measured at 100 khz, 0.4 V RMS mh, ±7% Resonant Frequency Pins 6-9, all other windings open khz (Min.) Primary Leakage Pins 6-9, with all other pins shorted, measured at Inductance 100 khz, 0.4 V RMS. 15 H (Max.) 8.3 재료 Item Description [1] Core: RM8, NC-2H (Nicera) or Equivalent, gapped for ALG of 219 nh/t². [2] Bobbin: Vertical 12 pin. [3] Magnet Wire: #26 AWG. [4] Magnet Wire: #33, #36 AWG. [5] TIW Wire: #25 AWG. [5] Tape: 3M 1298 Polyester Film, 2.0 mils thick, 9.8 mm wide. Page 14 of 42

15 14-Sep-12 RDR W Single Output Flyback Supply 8.4 트랜스포머제작구성도 PIN 9 PIN 4 PIN 8 PIN 7 FL2 FL1 PIN 4 PIN 6 3 mm 3 mm 3 1/2 PRIMARY VBIAS+SENSE 12V TIW SECONDARY PIN 9 mm SHIELD 3 mm 1/2 PRIMARY 1 T 1 T 1 T 1 T 1 T 1 T 1 T RM8 12PIN BOBBIN Electrical Test Specifications Parameter Condition Spec Electrical Strength, VAC 60 Hz 1 second, from pins 5-9 to pins 1,2,3,4, Nominal Primary Inductance, µh Measured at 1 V pk-pk, typical switching frequency, between pin 6 to pin 9, with all other Windings open. 693 Tolerance, ±% Tolerance of Primary Inductance 10.0 Maximum Primary Leakage, µh Measured between Pin 6 to Pin 9, with all other Windings shorted. 15 Figure 6 Transformer Build Diagram. Page 15 of 42

16 RDR W Single Output Flyback Supply 14-Sep-12 9 히트싱크어셈블리 9.1 esip 히트싱크 esip 히트싱크제작도면 Page 16 of 42

17 14-Sep-12 RDR W Single Output Flyback Supply esip 히트싱크어셈블리도면 Page 17 of 42

18 RDR W Single Output Flyback Supply 14-Sep ESIP 및히트싱크어셈블리도면 Page 18 of 42

19 14-Sep-12 RDR W Single Output Flyback Supply 9.2 다이오드히트싱크 다이오드히트싱크제작도면 Page 19 of 42

20 RDR W Single Output Flyback Supply 14-Sep 다이오드및히트싱크어셈블리도면 Page 20 of 42

21 14-Sep-12 RDR W Single Output Flyback Supply 10 성능데이터 모든측정은실온에서 50Hz 입력주파수로수행됩니다 ( 별도로지정된경우제외 ). 모든테스트에서풀부하는 2.5A 입니다 액티브모드효율 VAC 230 VAC Efficiency (%) Load (%) Figure 7 Active mode Efficiency, Room Temperature 115 VAC 230 VAC V OUT (V) I OUT (A) P IN (W) ç V OUT (V) I OUT (A) P IN (W) ç % % % % % % % % Avg 86.88% Avg 86.58% Table 1 Four Point Average Efficiency (25%, 50%, 75% and 100%), Room Temperature. Page 21 of 42

22 RDR W Single Output Flyback Supply 14-Sep Efficiency (%) Input Voltage (VAC) Figure 8 Full Load Efficiency vs. Input Voltage, Room Temperature. Page 22 of 42

23 14-Sep-12 RDR W Single Output Flyback Supply 10.2 무부하시의입력전력 No-Load Input Power (mw) Input Voltage (VAC) Figure 9 No-Load Input Power vs. Input Line Voltage, Room Temperature. Page 23 of 42

24 RDR W Single Output Flyback Supply 14-Sep Input Power (W) Output Current (ma) Figure 10 Standby Performance at 230 VAC, Room Temperature. Page 24 of 42

25 14-Sep-12 RDR W Single Output Flyback Supply 10.3 라인레귤레이션 Output Voltage (V) Input Voltage (VAC) Figure 11 Line Regulation under Full Load, Room Temperature. Page 25 of 42

26 RDR W Single Output Flyback Supply 14-Sep 부하레귤레이션 Figure 12 Load Regulation, Room Temperature. Page 26 of 42

27 14-Sep-12 RDR W Single Output Flyback Supply 10.5 전력제한 Output Power (W) Input Voltage (VAC) Figure 13 Overload Power vs. Line Voltage. Page 27 of 42

28 RDR W Single Output Flyback Supply 14-Sep 파형 11.1 정상작동시드레인전압및전류 Figure VAC, Full Load. Upper: V DRAIN, 100 V / div. Lower: I DRAIN, 0.5 A / div., 10 s / div. Figure VAC, Full Load. Upper: V DRAIN, 200 V / div. Lower: I DRAIN, 0.5 A / div., 10 s / div 과부하인가시드레인전압및전류 Figure VAC, 38.8 W Overload Power. Upper: V DRAIN, 100 V / div. Lower: I DRAIN, 0.5 A / div., 10 s / div. Figure VAC, W Overload Power. Upper: V DRAIN, 200 V / div. Lower: I DRAIN, 0.5 A / div., 10 s / div. Page 28 of 42

29 14-Sep-12 RDR W Single Output Flyback Supply 11.3 과부하인가시전압스트레스 Figure VAC, Overload Power. Upper: V DRAIN, 200 V / div. Lower: PIV DIODE, 50 V / div., 2.0 s / div. Figure VAC, Overload Power. Upper: V DRAIN, 200 V / div. Lower: PIV DIODE, 50 V / div., 2.0 s / div 드레인전압및전류스타트업프로파일 Figure VAC, No-Load. Upper: I DRAIN, 0.5 A, 2 ms / div. Middle: V DRAIN, 100 V / div. Lower: V OUT, 5 V / div. Figure VAC, No-Load. Upper: I DRAIN, 0.5 A, 2 ms / div. Middle: V DRAIN, 200 V / div. Lower: V OUT, 5 V / div. Page 29 of 42

30 RDR W Single Output Flyback Supply 14-Sep-12 Figure VAC, Full Load. Upper: I DRAIN, 0.5 A, 2 ms / div Middle: V DRAIN, 100 V / div. Lower: V OUT, 5 V / div. Figure VAC, Full Load. Upper: I DRAIN, 0.5 A, 2 ms / div Middle: V DRAIN, 200 V / div. Lower: V OUT, 5 V / div. Page 30 of 42

31 14-Sep-12 RDR W Single Output Flyback Supply 11.5 과도부하응답 In the figures shown below, the output was AC coupled to view the load transient response. The oscilloscope was triggered using the load current step as a trigger source. Figure 24 Transient Response, 115 VAC, 5%<-->55% Step Load. Upper: V OUT, 2 V / div. Lower: I OUT, 1 A / div., 5 ms / div. Figure 25 Transient Response, 115 VAC, 50%<-->100% Step Load. Upper: V OUT, 2 V / div. Lower: I OUT, 1 A / div., 5 ms / div. Figure 26 Transient Response, 230 VAC, 5%<-->55% Step Load. Upper: V OUT, 2.0 V / div. Lower: I OUT, 1 A / div., 5 ms / div. Figure 27 Transient Response, 230 VAC, 50%<-->100% Step Load. Upper: V OUT, 2.0 V / div. Lower: I OUT, 1 A / div., 5 ms / div. Page 31 of 42

32 RDR W Single Output Flyback Supply 14-Sep 출력리플및노이즈측정 리플측정기술 For DC output ripple measurements, a modified oscilloscope test probe must be utilized in order to reduce spurious signals due to pick-up. Details of the probe modification are provided in the figures below. The 5125BA probe adapter is affixed with two capacitors tied in parallel across the probe tip. The capacitors include one (1) 0.1 F / 50 V ceramic type and one (1) 4.7 F / 50 V aluminum electrolytic. The aluminum electrolytic type capacitor is polarized, so proper polarity across DC outputs must be maintained (see below). Probe Ground Probe Tip Figure 28 Oscilloscope Probe Prepared for Ripple Measurement (End Cap and Ground Lead Removed). Figure 29 Oscilloscope Probe with Probe Master 5125BA BNC Adapter (Modified with Wires for Probe Ground for Ripple Measurement, and Two Parallel Decoupling Capacitors Added). Page 32 of 42

33 14-Sep-12 RDR W Single Output Flyback Supply 리플및노이즈측정결과 Figure 30 Low Frequency Ripple, 115 VAC, Full Load. V OUT, 50 mv / div. Figure 31 Switching Noise, 115 VAC, Full Load. V OUT, 50 mv / div. Figure 32 Low Frequency Ripple, 230 VAC, Full Load. V OUT, 50 mv / div. Figure 33 Switching Noise, 230 VAC, Full Load. V OUT, 50 mv / div. Page 33 of 42

34 RDR W Single Output Flyback Supply 14-Sep 보호기능 12.1 회로단락상태에서오토리스타트 Figure 34 Auto-restart Under Short-Circuit, 90 VAC. Upper: I DRAIN, 0.52 A / div., 500 ms / div. Lower: V DRAIN, 200 V / div. Input Power = 1.38 W. Figure 35 Auto-restart Under Short-Circuit, 265 VAC. Upper: I DRAIN, 0.52 A / div., 500 ms / div. Lower: V DRAIN, 200 V / div. Input Power = 1.41 W 과전압에서래칭보호 ( 오픈루프테스트 ) OVP is initiated by inserting a 100 k between BP and CP pin during normal operation. Figure 36 OVP at 90 VAC, No-Load. Upper: V OUT, 5 V / div., 500 ms / div. Lower: I DRAIN, 0.52 A / div. OVP Trip Point = V. Figure 37 OVP at 90 VAC, Full Load. Upper: V OUT, 5 V / div., 500 ms / div. Lower: I DRAIN, 0.52 A / div. OVP Trip Point = V. Page 34 of 42

35 14-Sep-12 RDR W Single Output Flyback Supply Figure 38 OVP at 265 VAC, No-Load. Upper: V OUT, 5 V / div., 500 ms / div. Lower: I DRAIN, 0.52 A / div. OVP Trip Point = V. Figure 39 OVP at 265 VAC, Full Load. Upper: V OUT, 5 V / div., 500 ms / div. Lower: I DRAIN, 0.52 A / div. OVP Trip Point = V 브라운인및브라운아웃 (DC 입력소스를사용하여테스트 ) Figure 40 Brown-in. Upper: V IN, 100 V / div., 1 s / div. Middle: V OUT, 10 V / div. Lower: I DRAIN, 1.0 A / div. Figure 41 Brown-out. Upper: V IN, 100 V / div., 1 s / div. Middle: V OUT, 10 V / div. Lower: I DRAIN, 1.0 A / div. Page 35 of 42

36 RDR W Single Output Flyback Supply 14-Sep 입력과전압보호 (DC 입력소스를사용하여테스트 ) Figure 42 Line Overvoltage Protection (Triggered at 448 V). Upper: V IN, 200 V / div., 1 s / div. Middle: V OUT, 10 V / div. Lower: I DRAIN, 1.0 A / div. Note: Also programmed for latching under OTP conditions. Page 36 of 42

37 14-Sep-12 RDR W Single Output Flyback Supply 13 써멀성능 (TAMBIENT = 25 C) Thermal performance was measured at full load operation, open frame at ambient temperature of 25 C. The transformer winding temperature was taken on the outermost layer. Item Description 90 VAC 265 VAC Full Load Full Load 1 Output Diode LNK6766E Transformer Input Capacitor Output CMC Input CMC Bridge Diode Zener Clamp VAC, Full Load Top Side 265 VAC, Full Load Top Side Page 37 of 42

38 RDR W Single Output Flyback Supply 14-Sep AC 서지 ( 출력에서저항성풀부하 ) Surge Level (V) Input Voltage (VAC) Injection Location Injection Phase ( ) Test Results (Pass/Fail # Strikes) D.M. (2Ù source) 10 Strikes Each Level L1 to L2 90 Pass L1 to L2 270 Pass C.M. (12Ù source) L1, L2 to PE 90 Pass L1, L2 to PE 270 Pass 15 ESD( 출력에서저항성풀부하 ) Device LNK6766E Discharge Type Contact Air Discharge Location + Output Terminal - Output Terminal + Output Terminal - Output Terminal Voltage # of Events (1/sec) Remarks +8 kv 10 PASS -8 kv 10 PASS +8 kv 10 PASS -8 kv 10 PASS +15 kv 10 PASS -15 kv 10 PASS +15 kv 10 PASS -15 kv 10 PASS Page 38 of 42

39 14-Sep-12 RDR W Single Output Flyback Supply PASS = No output glitch or latch-off. 16 풀부하에서 EMI 테스트 Conducted emissions tests were performed at 115 VAC and 230 VAC at full load. Composite EN55022B / CISPR22B conducted limits are shown. All the tests show excellent EMI performance EMI 결과 Figure 43 Conducted EMI at 115 VAC 60 Hz, Full Load, and Output Return Connected to Ground. Figure 44 Conducted EMI at 115 VAC 60 Hz, Full Load, and Output Return Connected to Artificial Hand. Page 39 of 42

40 RDR W Single Output Flyback Supply 14-Sep-12 Figure 45 Conducted EMI at 230 VAC 60 Hz, Full Load, and Output Return Connected to Ground. Figure 46 Conducted EMI at 230 VAC 60 Hz, Full Load, and Output Return Connected to Artificial Hand. Page 40 of 42

41 14-Sep-12 RDR W Single Output Flyback Supply 17 개정내역 Date Author Revision Description & changes Reviewed 24-Jul-12 SS 1.0 Initial Release Apps & Mktg 01-Aug-12 SS 1.1 Changed D8 to thru-hole. Improved heat sink for PI device and output diode. Changed BR2 and VR1 to SMD. 14-Sep-12 KM 1.2 Updated schematic and format. Page 41 of 42

42 RDR W Single Output Flyback Supply 14-Sep-12 최신업데이트에대한자세한내용은당사웹사이트 () 를참고하십시오. 파워인테그레이션스 () 는안정성또는생산성향상을위하여언제든지당사제품을변경할수있는권한이있습니다. 파워인테그레이션스 () 는여기서설명하는디바이스나회로사용으로인해발생하는어떠한책임도지지않습니다. 파워인테그레이션스 () 는어떠한보증도제공하지않으며모든보증 ( 상품성에대한묵시적보증, 특정목적에의적합성및타사권리의비침해를포함하되이에제한되지않음 ) 을명백하게부인합니다. 특허정보여기에설명한제품및애플리케이션 ( 제품의외장트랜스포머구성및회로포함 ) 은하나이상의미국및해외특허의대상이되거나파워인테그레이션스 () 에서출원중인미국및해외특허신청의대상이될수있습니다. 파워인테그레이션스 () 의전체특허목록은 에서확인할수있습니다. 파워인테그레이션스 () 는고객에게 에명시된특정특허권에따라라이센스를부여합니다. PI 로고, TOPSwitch, TinySwitch, LinkSwitch, LYTSwitch, DPA-Switch, PeakSwitch, CAPZero, SENZero, LinkZero, HiperPFS, HiperTFS, HiperLCS, Qspeed, EcoSmart, Clampless, E-Shield, Filterfuse, StackFET, PI Expert 및 PI FACTS 는 Power Integrations, Inc 의상표입니다. 다른상표는각회사고유의자산입니다. Copyright 2013, Inc. 파워인테그레이션스 () 전세계판매지원지역 세계본사 5245 Hellyer Avenue San Jose, CA 95138, USA. 본사전화 : 고객서비스 : 전화 : 팩스 : 전자메일 : usasales@powerint.com 중국 ( 상하이 ) Rm 1601/1610, Tower 1, Kerry Everbright City No. 218 Tianmu Road West, Shanghai, P.R.C 전화 : 팩스 : 전자메일 : chinasales@powerint.com 중국 ( 센젠 ) 3rd Floor, Block A, Zhongtou International Business Center, No. 1061, Xiang Mei Rd, FuTian District, ShenZhen, China, 전화 : 팩스 : 전자메일 : chinasales@powerint.com 독일 Lindwurmstrasse , Munich Germany 전화 : 팩스 : 전자메일 : eurosales@powerint.com 인도 #1, 14 th Main Road Vasanthanagar Bangalore India 전화 : 팩스 : 전자메일 : indiasales@powerint.com 이탈리아 Via Milanese 20, 3 rd. Fl Sesto San Giovanni (MI) Italy 전화 : 팩스 : 전자메일 : eurosales@powerint.com 일본 Kosei Dai-3 Building , Shin-Yokohama, Kohoku-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Japan 전화 : 팩스 : 전자메일 : japansales@powerint.com 한국 RM 602, 6FL Korea City Air Terminal B/D, Samsung-Dong, Kangnam-Gu, Seoul, Korea 전화 : 팩스 : 전자메일 : koreasales@powerint.com 싱가포르 51 Newton Road, #19-01/05 Goldhill Plaza Singapore, 전화 : 팩스 : 전자메일 : singaporesales@powerint.com 대만 5F, No. 318, Nei Hu Rd., Sec. 1 Nei Hu District Taipei 11493, Taiwan R.O.C. 전화 : 팩스 : 전자메일 : taiwansales@powerint.com 유럽본사 1st Floor, St. James s House East Street, Farnham Surrey GU9 7TJ United Kingdom 전화 : +44 (0) 팩스 : +44 (0) 전자메일 : eurosales@powerint.com 애플리케이션문의전화전세계통합번호 애플리케이션문의팩스전세계통합번호 Page 42 of 42

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