특허청구의범위청구항 1 복수개의관통비아홀이형성된웨이퍼의하나이상의관통비아홀을포함하는전도영역에전도층을형성하는전도층형성단계 ; 상기전도층을포함한웨이퍼전체영역에절연층을증착하는절연층증착단계 ; 상기전도층의상부에감광제를도포하고, 상기관통비아홀이형성된위치에관통비아홀의단면적보다작은단

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본 발명은 중공코어 프리캐스트 슬래브 및 그 시공방법에 관한 것으로, 자세하게는 중공코어로 형성된 프리캐스트 슬래브 에 온돌을 일체로 구성한 슬래브 구조 및 그 시공방법에 관한 것이다. 이를 위한 온돌 일체형 중공코어 프리캐스트 슬래브는, 공장에서 제작되는 중공코어 프

실용신안 등록청구의 범위 청구항 1 톤백마대가 설치될 수 있도록 일정간격을 두고 설치되는 한 쌍의 지지프레임과, 상기 지지프레임과 지지프레임의 상부를 서로 연결하는 한 쌍의 연결프레임과, 상기 연결프레임의 상부에 일정간격을 두고 다수 설치되어 상기 톤백마대와 그 투입구

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한것으로스마트단말기에의하여드론조종앱을설치하는제 1 단계 ; 스마트단말기에의하여드론의불루투스통 신부에부여된고유식별번호를입력저장하고드론의불루투스를인식하며드론의블루투스통신부로부터회신되 는신호의수신레벨을분석하여최대통신거리를확인하여저장하는제 2 단계 ; 스마트단말기에의하여최대통

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많이 이용하는 라면,햄버그,과자,탄산음료등은 무서운 병을 유발하고 비만의 원인 식품 이다. 8,등겨에 흘려 보낸 영양을 되 찾을 수 있다. 도정과정에서 등겨에 흘려 보낸 영양 많은 쌀눈과 쌀껍질의 영양을 등겨를 물에 우러나게하여 장시간 물에 담가 두어 영양을 되 찾는다

서 인코딩한 데이터를 무선으로 송신하기 위한 무선 송신 수단; 및 통화중 상기 입력 수단으로부터의 음원 데이터 전송신 호에 따라 상기 저장 수단에 저장되어 있는 해당 음원 데이터를 상기 디코딩 수단에 의해 디코딩하고, 상기 디코딩한 음원 데이터와 상기 입력 수단을 통해

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브와 IP 인터콤의연결만으로시스템이간편하고용이하게확장될수있어확장성이증대되고, 특히선박에적용되어종래의 PA/GA 시스템구축에필요한많은전선에대한비용의절감과전선무게절감에의한선박중량감소로유류비의절감이도모될수있는기술적특징을갖는다. 본발명에따른이더넷기반 PA/GA 용인터콤스테이션

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특허청구의범위청구항 1 청소차량의적재함에적재되는쓰레기로부터발생되는오수를처리하는오수탱크에있어서, 상기오수탱크내의오수결빙을방지하도록오수탱크를가열하는제1 가열부 ; 상기적재함과상기오수탱크를연결하는오수관내의오수결빙을방지하도록상기오수관을가열하는제2 가열부 ; 상기오수탱크로유입되

도 3 은 본 발명에 따른 제거수단을 보인 사시도 도 4 는 본 발명에 따른 제거수단의 해파필터와 카본필터의 구성을 보인 개략단면도 <도면의 주요부분에 대한 부호의 설명> (1) : 케이싱 (1a) : 천연음이온 도료 (2) : 제거수단 (3) : UV살균장치 (4)

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공개특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 (43) 공개일자 2013년09월25일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B65D 25/14 ( ) C23

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(72) 발명자 강경태 서울서초구반포본동반포주공아파트 110 동 105 호 강희석 경기용인시수지구풍덕천동삼성쉐르빌 102 동 202 호 박문수 경기용인시기흥구신갈동도현마을현대 호 박승인 경기수원시영통구영통동 층 - 2 -

공개특허특 (51) Int. Cl. 6 H01L 21/68 (21) 출원번호 (22) 출원일자 1999년02월24일 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (30) 우선권주장

특허청구의 범위 청구항 1 복수의 FA(Frequency Allocation)를 사용하는 광대역 무선통신 시스템에서 프리앰블 의사 잡음(Pseudo Noise : PN) 코드 할당 방법에 있어서, 각 FA에 고유의 인덱스를 정의하는 과정과, 기준 FA 인덱스를 사용하는

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(72) 발명자 이민희 경기도군포시대야미동센트럴아이파크 102 동 1404 호 신창학 서울특별시서초구서초 2 동 로얄주택 B20 1 호 박구일 경기도용인시수지구신봉동삼성쉐르빌

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(52) CPC 특허분류 C09D 7/1233 ( ) (72) 발명자 박건영 대전광역시유성구은구비남로 56 열매마을 9 단지 윤주 대전광역시유성구반석동로 33 반석마을 5 단지아파트 509 동 301 호 박주섭 대전광역시대덕구동춘당로 178 보

특허청구의범위청구항 1 산업폐기물을실어골재와금속, 비철금속, 기타이물질을선별하는선별장치로이동시키는제 1 컨베어벨트 (1) 상에설치되는하우징 (2) 과 ; 안쪽으로캠홈 (5) 이형성되고중앙에구멍 (4) 이형성된채상기하우징 (2) 의양측면에고정되는 2개 1조의캠판 (3)

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특허청구의범위청구항 1 다관절로봇의각축별시간에대한위치함수를 4차다항식, 속도함수를 3차다항식, 가속도함수를 2차다항식으로정의하고, 상기위치함수, 속도함수및가속도함수의경계조건을이용하여계수들을계산하여가속구간, 등속구간및감속구간에서의시간에대한위치함수을구하고, 상기가속구간,

이발명을지원한국가연구개발사업 과제고유번호 No 부처명 한국연구재단 연구관리전문기관 - 연구사업명 일반연구자지원사업 연구과제명 유무선통합환경에서의안전한클라우드데이터센터구축을위한지능형보안관제기술개 발 기여율 1/1 주관기관 순천향대학교산학협력단 연구기

특허청구의범위청구항 1 영상제공서버에서의실시간으로영상을제공하는방법에있어서, 클라이언트로부터매장의종류를포함하는검색어를수신하는단계 ; 수신된검색어에기초하여특정지역내에서상기매장의종류에해당하는적어도하나의매장을검색하고검색결과를상기클라이언트에전송하는단계 ; 상기클라이언트로부터발생

도 1 명세서 도면의 간단한 설명 도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 비접촉 USB 리더기의 블럭도를 나타낸다. 도 2는 도 1의 비접촉 USB 리더기를 이용한 인프라 구축 시스템의 개략도를 나타낸다. 도 3은 도 1의 비접촉 USB 리더기를 이용한 이용 방법에 대한

특허청구의범위청구항 1 내부하방에쓰레기바구니 (11) 가투입되도록공간이마련된본체케이스 (10); 상기본체케이스 (10) 저면에배치되고응축수를저장하기위한응축수통 (20); 상기본체케이스 (10) 의내부상방에배치되어팬하우징 (31) 에의해덮어씌워지고내부공기를순환시키는팬 (

PowerPoint 프레젠테이션

19-23(IK15-21).fm

등록특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2013년05월06일 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2013년04월30일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C22F 1/08 (

이발명을지원한국가연구개발사업 과제고유번호 NRF-2012R1A1A4A 부처명 교육과학기술부 연구관리전문기관 한국연구재단 연구사업명 지역대학우수과학자지원사업 연구과제명 저주파신호와바이스태틱레이다를동시에이용한스텔스형표적의인식에관한연구 기여율 1/1 주관기관

특허청구의범위청구항 1 알루미늄으로구성된내층및구리로구성된외층의이중층으로구성되되, 장측의구리층두께 (a) 가단측의구리층두께 (b) 보다작은사각바 (bar) 형으로, 구리대알루미늄의중량비가 10:90 내지 30:70인것을특징으로하는복합금속부스바. 청구항 2 제 1항에있어서

이일정간격이격되게형성되는복부 ; 및, 하부플랜지또는복부위에결합되고일정형태의단면을가지며길이 방향에대해수직한횡방향으로다수개의제 3 관통홀이일정간격이격되게형성되는상부플랜지 ; 로구성되는조 립형 PC 부재 ; 및, 조립형 PC 부재위에덧침콘크리트가타설되어형성되는타설부 ; 를포

돌출되도록마련되되상기베드히팅장치보다상방으로돌출된부위의적어도일부가하방향으로변형될수있는가변형베드이송장치, 상기베드안착부본체에마련되는베드고정용전자석을포함하여이루어지는베드안착부 ; 하부에상기베드고정용전자석에자력결합되는자성체가마련되며, 상기베드고정용전자석의작동시상기자성체와상기베

특허청구의범위청구항 1 선박의안티재머 (Anti-Jammer) 위성항법시스템으로서, GPS 신호및 DGPS 신호를자함의 INS(Intertial Navigation System) 신호와비교하여기준오차범위초과시수신되는 GPS 신호와 DGPS 신호를재밍 (Jamming)

특허청구의 범위 청구항 1 삭제 청구항 2 단일 개의 운영체제를 갖는 클라이언트 단말에 있어서, 제1 운영체제와, 상기 제1 운영체제 하에서 사용되는 파일을 저장하는 메모리; 및 상기 메모리에 저장된 파일을 운영체제 제공장치로 전송하고 상기 메모리를 포맷하며, 상기 운

명세서청구범위청구항 1 갠트리의헤드로부터방사선을조사하는선형가속기에사용되고, 상기헤드에설치되고, 방사선이조사되는환자의치료중심을향해레이저를쏘고환자의체표면에서반사된레이저를감지하여환자의체표면까지의거리를측정하는레이저거리측정기 ; 상기레이저거리측정기의데이터를수신하여 SSD(sou

이발명을지원한국가연구개발사업 과제고유번호 07기술혁신A01 부처명 국토해양부 연구사업명 건설기술혁신사업 연구과제명 SMART 도로-자동차연계기술개발 (SMART 도로-자동차통합정보기반관리시스템구축 ) 주관기관 메타빌드주식회사 연구기간 ~

(72) 발명자 장종산 대전 중구 수침로 138, 103동 204호 (태평동, 유등 마을쌍용아파트) 박용기 대전 유성구 어은로 57, 119동 302호 (어은동, 한 빛아파트) 황동원 경기 안양시 만안구 양화로147번길 7, 102동 403호 (박달동, 박달동동원베네스

특허청구의 범위 청구항 1 지그비 통신 망에서 지그비 노드들의 우선 순위를 부여하는 방법에 있어서, (a) 상기 지그비 노드들 각각의 CCA 수행 시간들을 전송할 데이터의 우선 순위에 따라 가변시키는 단계와; (b) 상기 가변되는 CCA 수행 시간들은 우선 순위가 높은

명세서청구범위청구항 1 구리화합물을준비하는단계 ; 상기구리화합물을습식밀링하여구리화합물미립자를제조하는단계 ; 상기습식밀링한구리화합물미립자를건조하는단계 ; 상기건조된구리화합물미립자를건식밀링하는단계 ; 및상기건식밀링된구리화합물미립자를입자크기에따라분급하는단계를포함하는기능성원사

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(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H01L 21/60 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-0028172 (22) 출원일자 2010 년 03 월 29 일 심사청구일자 2010 년 03 월 29 일 (65) 공개번호 10-2011-0108779 (43) 공개일자 2011 년 10 월 06 일 (56) 선행기술조사문헌 KR1020100020718 A* JP2008244187 A* * 는심사관에의하여인용된문헌 (45) 공고일자 2012년01월31일 (11) 등록번호 10-1109053 (24) 등록일자 2012년01월17일 (73) 특허권자 한국생산기술연구원 충청남도천안시서북구입장면홍천리 35-3 (72) 발명자 유세훈 인천광역시연수구신송로 6 번길 7, 101 동 501 호 ( 송도동, 송도성지리벨루스 ) 이창우 경기도안양시동안구갈산동 1115 샘마을임광아파트 307-1201 (74) 대리인 고영갑 전체청구항수 : 총 8 항심사관 : 김준학 (54) 관통비아홀이형성된웨이퍼및이에대한적층방법 (57) 요약 본발명의관통비아홀이형성된웨이퍼의적층방법은복수개의관통비아홀이형성된웨이퍼의하나이상의관통비아홀을포함하는전도영역에전도층을형성하는전도층형성단계, 상기전도층을포함한웨이퍼전체영역에절연층을증착하는절연층증착단계, 상기전도층의상부에감광제를도포하고, 상기관통비아홀이형성된위치에관통비아홀의단면적보다작은단면적의패턴이형성된마스크를이용하여노광및현상하여공극을형성하는제 1 공극형성단계, 상기공극하부의절연층을에칭하고, 감광제를제거하는절연층에칭단계, 상기웨이퍼의상면에시드메탈을증착하는시드메탈증착단계, 상기시드메탈의상부에감광제를도포하고, 상기마스크를이용하여노광및현상하여공극을형성하는제 2 공극형성단계, 상기시드메탈에구리를전해도금하여구리범프를형성하는구리범프형성단계및상기감광제를제거하고, 시드메탈을에칭하는시드메탈에칭단계를포함한다. 대표도 - 도 6-1 -

특허청구의범위청구항 1 복수개의관통비아홀이형성된웨이퍼의하나이상의관통비아홀을포함하는전도영역에전도층을형성하는전도층형성단계 ; 상기전도층을포함한웨이퍼전체영역에절연층을증착하는절연층증착단계 ; 상기전도층의상부에감광제를도포하고, 상기관통비아홀이형성된위치에관통비아홀의단면적보다작은단면적의패턴이형성된마스크를이용하여상기감광제를노광및현상하여상기감광제에공극을형성하는제 1공극형성단계 ; 상기공극하부의절연층을에칭하고, 감광제를제거하는절연층에칭단계 ; 상기웨이퍼의상면에시드메탈을증착하는시드메탈증착단계 ; 상기시드메탈의상부에감광제를도포하고, 상기마스크를이용하여감광제를노광및현상하여감광제에공극을형성하는제2공극형성단계 ; 상기시드메탈에구리를전해도금하여구리범프를형성하는구리범프형성단계 ; 및상기감광제를제거하고, 시드메탈을에칭하는시드메탈에칭단계 ; 를포함하는관통비아홀이형성된웨이퍼적층방법. 청구항 2 제1항에있어서, 상기전도층형성단계는, 웨이퍼에접착층을형성하는과정, 상기접착층의상부에전도층을형성하는과정, 감광제를도포, 노광및현상하여전도영역의상부에감광제층을형성하는과정, 상기전도영역이외영역의접착층및전도층을에칭하는과정및상기전도영역상부에감광제층을제거하는과정을포함하는관통비아홀이형성된웨이퍼적층방법. 청구항 3 제2항에있어서, 상기전도층과상기감광제층사이에는산화방지층을증착하는웨이퍼적층방법. 청구항 4 제1항에있어서, 상기구리범프를다른웨이퍼의관통비아홀의내부에삽입하여복수개의웨이퍼를전기적으로연결하는관통비아홀이형성된웨이퍼적층방법. 청구항 5 복수개의관통비아홀이형성된웨이퍼 ; 하나이상의관통비아홀을포함하는전도영역에형성되는전도층 ; 상기전도층에서관통비아홀이형성된위치에, 상기관통비아홀의단면적보다작은단면적으로형성된구리범프 ; 및상기구리범프가형성된부분을제외한부분에증착된절연층을포함하고, 상기웨이퍼는복수개가구비되며, 어느하나의웨이퍼의형성된구리범프의일부가다른하나의웨이퍼의관통비아홀의내부로삽입되어위치하 - 2 -

는관통비아홀이형성된웨이퍼. 청구항 6 청구항5에있어서, 상기웨이퍼와전도층사이에는접착층이형성된관통비아홀이형성된웨이퍼. 청구항 7 청구항5에있어서, 상기전도층의상면에는산화방지층이형성된관통비아홀이형성된웨이퍼. 청구항 8 청구항5에있어서, 상기웨이퍼는복수개가구비되고, 어느하나의웨이퍼의형성된구리범프의일부가다른하나의웨이퍼의관통비아홀의내부로삽입되어위치하는관통비아홀이형성된웨이퍼. 명세서 [0001] 기술분야본발명은관통비아홀이형성된웨이퍼및이에대한적층방법에관한것으로서, 보다상세하게는웨이퍼의전도층에관통비아홀의단면적보다적은단면적의구리범프를형성하여관통비아홀간의연결할수있는관통비아홀이형성된웨이퍼및이에대한적층방법에관한것이다. [0002] [0003] [0004] [0005] 배경기술최근전자기기들의소형화에따라, 전자기기에사용되는반도체패키지의초소형화가요구된다. 따라서반도체칩들을 3차원적으로적층하는 3D 팩키지 (Package) 기술이일반적으로사용된다. 그리고적층된반도체칩들은와이어본딩방식에의해서전기적으로연결될수있으나, 최근에는적층된반도체칩의두께를얇게하기위해서반도체칩을상, 하방향으로관통하는관통비아홀 (Through via hole) 을형성하고, 관통비아홀의내부에적층된반도체칩간의전기적인연결을위한필링금속을충진하고, 각반도체칩들의관통비아홀에충진된필링금속간의전기적으로연결하는것이일반적이다. 그러나종래의경우, 복수개의관통비아홀간의전기적으로연결하기위하여연결하고자하는각관통비아홀에전도층을형성하고, 각전도층간을열압착하거나, 별도의솔더를이용하여각전도층을전기적으로연결하였다. 그러나종래의관통비아홀연결방법의경우각웨이퍼에전도층을형성하여공정의시간이길어진다는단점이있었다. 그리고솔더등을이용하여전도층간을연결하는경우전체적층된웨이퍼의두께가두꺼워진다는단점이있었다. 발명의내용 [0006] [0007] 해결하려는과제본발명은상기한종래의문제점을해결하기위한것으로서, 종래의관통비아홀이형성된웨이퍼간의적층방법에비하여, 공정시간을단축하면서적층된웨이퍼의두께를얇게할수있는관통비아홀이형성된웨이퍼및이에대한적층방법을제공함에있다. 본발명은이상에서언급한과제들로제한되지않으며, 언급되지않은또다른과제들도아래의기재로부터당업자에게명확하게이해될수있을것이다. - 3 -

[0008] [0009] [0010] [0011] [0012] [0013] 과제의해결수단본발명의관통비아홀이형성된웨이퍼의적층방법은복수개의관통비아홀이형성된웨이퍼의하나이상의관통비아홀을포함하는전도영역에전도층을형성하는전도층형성단계, 상기전도층을포함한웨이퍼전체영역에절연층을증착하는절연층증착단계, 상기전도층의상부에감광제를도포하고, 상기관통비아홀이형성된위치에관통비아홀의단면적보다작은단면적의패턴이형성된마스크를이용하여노광및현상하여공극을형성하는제1공극형성단계, 상기공극하부의절연층을에칭하고, 감광제를제거하는절연층에칭단계, 상기웨이퍼의상면에시드메탈을증착하는시드메탈증착단계, 상기시드메탈의상부에감광제를도포하고, 상기마스크를이용하여노광및현상하여공극을형성하는제2공극형성단계, 상기시드메탈에구리를전해도금하여구리범프를형성하는구리범프형성단계및상기감광제를제거하고, 시드메탈을에칭하는시드메탈에칭단계를포함한다. 그리고상기전도층형성단계는웨이퍼에접착층을형성하는과정, 상기접착층의상부에전도층을형성하는과정, 감광제를도포, 노광및현상하여상기전도영역의상부에감광제층을형성하는과정, 상기전도영역이외영역의접착층및전도층을에칭하는과정및상기전도영역상부에감광제층을제거하는과정을포함할수있다. 그리고상기전도층과상기감광제층사이에는산화방지층을증착할수있다. 또한, 상기구리범프를다른웨이퍼의관통비아홀의내부에삽입하여복수개의웨이퍼를전기적으로연결할수있다. 한편, 본발명의관통비아홀이형성된웨이퍼는복수개의관통비아홀이형성된웨이퍼, 하나이상의관통비아홀을포함하는전도영역에형성되는전도층, 상기전도층에서관통비아홀이형성된위치에, 상기관통비아홀의단면적보다작은단면적으로형성된구리범프, 상기구리범프가형성된부분을제외한부분에증착된절연층을포함한다. 그리고상기웨이퍼와전도층사이에는접착층이증착된관통비아홀이형성될수있고, 상기전도층의상면에는산화방지층이증착되는관통비아홀이형성될수있다. 그리고상기웨이퍼는복수개가구비되고, 어느하나의웨이퍼의형성된구리범프의일부가다른하나의웨이퍼의관통비아홀의내부로삽입되어위치할수있다. [0014] [0015] [0016] [0017] [0018] 발명의효과상기한과제를해결하기위한본발명의관통비아홀이형성된웨이퍼및이에대한적층방법은다음과같은효과가있다. 첫째, 각각의웨이퍼의마주보는면에전도층을형성하지않고, 어느하나의웨이퍼에구리범프를형성하고, 구리범프를다른하나의웨이퍼의관통비아홀에삽입하여각관통비아홀을전기적으로연결하여공정시간이단축된다는장점이있다. 둘째, 웨이퍼의마주보는면에형성된전도층간의전기적연결을위하여열압착을위한별도의장치나, 솔더등을구비하지않고, 간단하게연결할수있다는장점이있다. 셋째, 관통비아홀간을전기적으로연결하기위한별도의전도층이형성되거나, 솔더를이용하여연결을하지않고, 어느하나의웨이퍼에세워진구리범프를다른하나의웨이퍼의관통비아홀에삽입을하여적층된웨이퍼의두께다얇아진다는장점이있다. 본발명의효과들은이상에서언급한효과들로제한되지않으며, 언급되지않은또다른효과들은아래의기재로부터당업자에게명확하게이해될수있을것이다. [0019] 도면의간단한설명 도 1 은본발명의일실시예의관통비아홀이형성된웨이퍼에전도층을형성하는과정의웨이퍼의단면도 ; 도 2 는본발명의일실시예의관통비아홀이형성된웨이퍼에전도층및절연층을형성하는과정의웨이퍼의단 - 4 -

면도및평면도 ; 도3은본발명의일실시예의관통비아홀이형성된웨이퍼에절연층에구리범프가세워지는공간을형성하는과정의웨이퍼의단면도및평면도 ; 도4는본발명의일실시예의관통비아홀이형성된웨이퍼에공극을형성하기위한마스크의평면도 ; 도5는본발명의일실시예의관통비아홀이형성된웨이퍼에구리범프가형성되는공간을형성하는과정의웨이퍼의단면도및평면도 ; 도6은본발명의일실시예의관통비아홀이형성된웨이퍼에구리범프를형성하는과정의웨이퍼의단면도및평면도 ; 도7은본발명의일실시예의복수개의웨이퍼가적층된상태를나타내는단면도 ; 도8은본발명의일실시예의관통비아홀이형성된웨이퍼의적층방법의순서를나타내는순서도 ; 도9은본발명의일실시예의웨이퍼의상면에절연층을형성하는과정을나타내는순서도. [0020] [0021] [0022] [0023] [0024] [0025] [0026] [0027] [0028] 발명을실시하기위한구체적인내용이하본발명의목적이구체적으로실현될수있는본발명의바람직한실시예를첨부된도면을참조하여설명한다. 본실시예를설명함에있어서, 동일구성에대해서는동일명칭및동일부호가사용되며이에따른부가적인설명은생략하기로한다. 도1 및도2는본발명의일실시예의관통비아홀이형성된웨이퍼적층방법중웨이퍼의상면에전도층및절연층을형성하는과정을나타내는단면도이고, 도8은본발명의일실시예의관통비아홀이형성된웨이퍼의적층방법의적층순서를나타내는순서도이고, 도9은본발명의일실시예의관통비아홀이형성된웨이퍼적층방법의전도층형성과정을나타내는순서도이다. 도8을참조하면, 본실시예의관통비아홀이형성된웨이퍼의적층방법은전도층형성단계 (S10), 절연층형성단계 (S20), 제1공극형성단계 (S30), 절연층에칭단계 (S40), 시드메탈증착단계 (S50), 제2공극형성단계 (S60), 구리범프형성단계 (S70) 및시드메탈에칭단계 (S80) 를포함한다. 도1, 도2 및도9을참조하면, 본실시예의전도층형성단계 (S10) 는복수개의관통비아홀 (Through via hole: 12) 이형성된웨이퍼 (Wafer: 10) 의하나이상의관통비아홀 (12) 을포함하는전도영역에전도층 (20) 을형성한다. 본실시예의웨이퍼 (10) 의일면에는일정두께의 SiO2 절연층 (14) 이형성된다. 그리고관통비아홀 (12) 는웨이퍼 (10) 를상, 하방향으로관통하여복수개가형성된다 ( 도1(a)). 전도영역은웨이퍼 (10) 의형성된복수개의관통비아홀 (12) 중적어도하나이상을포함하는면적으로형성되고, 전도영역의상부에는전도층이형성되어, 전도영역하부의관통비아홀 (12) 들을전기적으로연결한다. 그리고본실시예에서의전도영역 (C) 은 2개의관통비아홀 (12) 을포함하는면적으로형성되고, 전도영역 (C) 상부에전도층 (20) 이형성되어, 2개의관통비아홀 (12) 들을전기적으로연결한다. 전도층 (20) 은다양한소재및방식으로전도영역 (C) 의상면에형성될수있고, 본실시예에서의전도층형성단계 (S10) 은웨이퍼 (10) 에티타늄 (Ti) 을스퍼터링 (Sputtering) 하여접착층 (Adhesion layer:22) 을증착하는과정 (S11, 도1(b)), 접착층 (22) 의상부에구리 (Cu) 를스퍼터링하여전도층 (Conduction layer:24) 를형성하는과정 (S12:24), 감광제 (Photoresist:26) 를도포, 노광 (expose) 및현상 (developing) 하여상기전도영역 (C) 의상부에감광제층을형성하는과정 (S13, 도1(d) 및도2(a)), 전도영역 (C) 이외의영역의접착층 (22) 및전도층 (24) 을에칭하여제거하는과정 (S14, 도2(b)) 및전도영역 (C) 상부의감광제 (26) 을제거하는과정을포함한다 (S15, 도 2(c)). 한편, 상기의과정에서전도층 (24) 과감광제층 (26) 사이에는전도층을형성하는금속의산화를방지하는산화방지층 ( 미도시 ) 을증착 (Deposition) 하는과정 ( 미도시 ) 을더포함할수있다. 그리고본실시예에서는구리 (Cu) 로형성된전도층을산화를방지하기위하여금 (Au) 을사용한산화방지층이증착될수있다. 결국전도층형성단계 (S10) 가완료되면, 웨이퍼 (10) 의전도영역 (C) 의상면에는티타늄 (Ti) 으로형성된접착층 (22) 및구리 (Cu) 로형성된전도층 (24) 이형성되게된다. 그리고전도영역 (C) 에위치하는관통비아홀 (12) 은전 - 5 -

기적으로연결되게된다. [0029] [0030] [0031] [0032] [0033] [0034] [0035] [0036] [0037] [0038] [0039] [0040] [0041] 절연층증착단계 (S20) 은전도영역 (C) 에형성된전도층 (24) 을포함하는웨이퍼전체영역에절연층 (30) 을증착한다. 그리고본실시예에서는 SiO2 절연층이 CVD(Chemical vapor deposition) 법에의해서증착된다 ( 도2(d)). 따라서전도영역 (C) 는웨이퍼의다른영역과전기적으로차단되게된다. 도3, 도5 및도6은본발명의일실시예의관통비아홀이형성된웨이퍼적층방법의구리범프를형성하는과정을나타내는도면이고, 도4는본발명의일실시예의감광층에공극을형성하기위한마스크의평면도이다. 도3 내지도6을참조하면, 제1공극형성단계 (S30) 은절연층 (30) 의상부에감광제 (40) 을도포하고 ( 도3(a)), 관통비아홀 (12) 이형성된위치에관통비아홀 (12) 의단면적보다작은단면적의패턴 (52) 이형성된마스크 (80)( 도5참고 ) 를이용하여노광및현상하여공극 (S1) 을형성한다. 구체적으로마스크 (80) 를이용하여감광제 (40) 를노광및현상하면감광제 (40) 에는마스크 (80) 의패턴 (82) 형상에따라관통비아홀 (12) 의단면적보다작은단면적의원기둥형상의공극 (42) 이형성된다 ( 도3(b)). 절연층에칭단계 (S40) 은공극 (42) 의하부의절연층 (30) 을에칭한다 ( 도3(c)). 그리고감광제 (40) 를제거한다 ( 도 3(c)). 그러면절연층 (30) 에도상기공극 (42) 의형상에대응하는원기둥형상의공간 (S1) 이형성된다. 시드메탈증착단계 (S50) 은웨이퍼 (10) 의상면에시드메탈 (seed metal: 50)) 을증착한다 ( 도5(a)). 따라서절연층 (30) 에원기둥형상으로형성된공간 (S1) 에도시드메탈 (50) 이증착되고, 후술하는구리범프 (70) 를상기공간 (S1) 에전해도금할수있게된다. 제2공극형성단계 (S60) 는시드메탈 (50) 의상부에감광제 (60) 을도포한다 ( 도5(b)). 그리고마스크 (50) 를이용하여노광및현상하고, 절연층 (30) 에형성된공간 (S1) 의상부에위치하는감광제 (60) 는제거되어공간 (S1) 의상부에원기둥형상의공극 (62) 을형성한다 ( 도5(c)). 따라서원기둥형상의공간 (S1) 에전해도금되는구리범프 (70) 를상기공간 (S1) 보다높게형성할수있게된다. 구리범프형성단계 (S70) 은시드메탈 (50) 에구리 (Cu) 를전해도금하여구리범프 (70) 를형성한다 ( 도6(a)). 그리고본실시예에서의구리범프 (70) 는시드메탈 (50) 의상부의공간 (S1) 및공극 (62) 의높이에대응하여원기둥형상으로형성된다. 시드메탈에칭단계 (S80) 은감광제 (60) 를제거하고, 시드메탈 (50) 을에칭한다 ( 도6(b)). 따라서절연층 (30) 의상부에형성된감광제 (60) 및시드메탈 (50) 은제거가되고, 절연층 (30) 은외부로노출이되게된다. 즉본발명의복수개의관통비아홀 (12) 이형성된웨이퍼 (10) 일면의하나이상의관통비아홀 (12) 을포함하는전도영역 (C) 에는전도층 (24) 이형성된다. 그리고상기전도층 (24) 에서관통비아홀 (12) 이형성된부분에는관통비아홀 (12) 의단면적보다작은단면적의구리범프 (70) 가형성되게된다. 그리고구리범프 (70) 가형성된부분을제외한웨이퍼 (10) 에는절연층 (30) 이형성된다. 따라서전도영역 (C) 에위치하는하나이상의관통비아홀 (12) 은서로전기적으로연결이된다. 그리고전기적으로연결된관통비아홀 (12) 을제외한부분은전기적으로절연된다. 한편, 웨이퍼 (10) 와전도층 (24) 사이에는전도층 (24) 의접착을위한접착층 (22) 이형성될수있다. 그리고전도층 (24) 의상면에는산화방지층 ( 미도시 ) 이형성될수있다. 결국웨이퍼 (10) 의일면에는절연층 (30) 및구리범프 (70) 이노출이된다. 도7은본발명의일실시예의복수개의웨이퍼가적층된상태를나타내는단면도이다. 도7을참조하면, 본실시예의관통비아홀이형성된웨이퍼적층방법은구리범프 (70) 를다른웨이퍼 (10) 의관통비아홀 (12) 의내부로삽입하여복수개의웨이퍼 (10) 의관통비아홀 (12) 을전기적으로연결하게된다. 즉어느하나의웨이퍼 (10) 에형성된구리범프 (70) 의일부는다른하나의웨이퍼 (10) 의관통비아홀 (12) 의내부로삽입되어위치하면서복수개의웨이퍼 (10) 의관통비아홀 (12) 간을전기적으로연결하게된다. [0042] 이상과같이본발명에따른바람직한실시예를살펴보았으며, 앞서설명된실시예이외에도본발명이그취지나범주에서벗어남이없이다른특정형태로구체화될수있다는사실은해당기술에통상의지식을가진이들에게는자명한것이다. 그러므로, 상술된실시예는제한적인것이아니라예시적인것으로여겨져야하고, 이에따라본발명은상술한설명에한정되지않고첨부된청구항의범주및그동등범위내에서변경될수도 - 6 -

있다. [0043] 부호의설명 10: 웨이퍼 12: 관통비아홀 22: 접착층 24: 전도층 30: 절연층 40, 60: 감광제 50: 시드메탈 70: 구리범프 80: 마스크 도면 도면 1-7 -

도면 2-8 -

도면 3 도면 4-9 -

도면 5-10 -

도면 6 도면 7-11 -

도면 8-12 -

도면 9-13 -